JP3943864B2 - 電子源基板及びその製造方法並びに電子源基板を用いた画像形成装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子放出素子を用いた電子源基板、及びその製造方法、並びに電子源基板を用いた画像形成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、電子放出素子を利用した画像形成装置として、冷陰極電子放出素子を多数形成した電子源基板と、透明電極および蛍光体を具備した陽極基板とを平行に対向させ、真空に排気した平面型の電子線表示パネルが知られている。このような画像形成装置において、電界放出型電子放出素子を用いたものは、例えば、Ｉ．Ｂｒｏｄｉｅ，”Ａｄｖａｎｃｅｄ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ：ｆｌａｔ ｃｏｌｄ−ｃａｔｈｏｄｅ ＣＲＴｓ”，Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ，１／８９，１７（１９８９）に開示されたものがある。
【０００３】
また、表面伝導型電子放出素子を用いたものは、例えば、ＵＳＰ５０６６８８３号等に開示されている。平面型の電子線表示パネルは、現在広く用いられている陰極線管（ｃａｔｈｏｄｅ ｒａｙ ｔｕｂｅ：ＣＲＴ）表示装置に比ベ、軽量化、大画面化を図ることができ、また、液晶を利用した平面型表示パネルやプラズマ・ディスプレイ、エレクトロルミネッセント・ディスプレイ等の他の平面型表示パネルに比べて、より高輝度、高品質な画像を提供することができる。
【０００４】
特に、表面伝導型電子放出素子は構成が単純で製造も容易であり、電界放出型電子放出素子のようにフォトリソグラフィ技術を駆使した複雑な製造工程を経ることなく、大面積にわたって多数素子を配列形成した電子源基板を作製できる利点がある。
【０００５】
図１０、図１１は、特開平６−３４２６３６号公報において開示された、表面伝導型電子放出素子を用いた電子源基板の一例を示したものである。図１０は電子源の一部の平面図を示している。ここで７は上配線、６は下配線、１０１は表面伝導型電子放出素子、８は層間絶縁層である。図１１は、図１０における表面伝導型電子放出素子１０１を取り出した斜視図である。図１１中、１は基体、２，３は素子電極、４は電子放出部を有する導電性薄膜、５は電子放出部であり、素子電極２，３はそれぞれ下配線６、上配線７に接続され、下配線６と上配線７は層間絶縁層８によって電気的に絶縁されている。
【０００６】
ここで、マトリクス状に配置された上配線７と下配線６にそれぞれ走査信号、情報信号として所定の電圧を順次印加することで、マトリクスの交点に位置する所定の電子放出素子１０１を選択的に駆動できる。
【０００７】
このようなマトリクス配置された電子源基板は、比較的簡単なフォトリソグラフィ技術を用いることによって作製できるが、より大きな基板を形成する場合は、印刷技術を用いるのが好ましい。特に、走査信号を印加する上配線７については、１ラインに接続された素子数が多くなるほど配線を流れる電流量が増加するため、配線抵抗による電圧降下が生じるので、配線は厚膜で形成して抵抗をできるだけ小さくするのが好ましい。
【０００８】
特開平８−１８０７９７号公報等には、配線及び層間絶縁層をスクリーン印刷法により形成する製造方法が開示されている。その他の部材についても、例えば、特開平９−１７３３３号公報等には、素子電極をオフセット印刷法等により形成する製造方法が開示されており、導電性薄膜においては、インクジェット法により形成する製造方法が特開平９−６９３３４号公報等に開示されている。これらの印刷技術を用いることで、大面積の電子源基板を容易に製造することができる。
【０００９】
次に、表面伝導型電子放出素子について説明する。表面伝導型電子放出素子は基板上に形成された小面積の導電性薄膜に、膜面に平行に電流を流すことにより、電子放出が生ずる現象を利用するものである。この表面伝導型電子放出素子としては、ＳｎＯ₂薄膜を用いたもの［Ｍ．Ｉ．Ｅｌｉｎｓｏｎ，ＲａｄｉｏＥｎｇ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｐｈｙｓ．，１０，１２９０（１９６５）］、［Ｇ．Ｄｉｔｔｍｅｒ：“Ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ”，９，３１７（１９７２）］、Ｉｎ₂Ｏ₃／ＳｎＯ₂薄膜によるもの［Ｍ．Ｈａｒｔｗｅｌｌ ａｎｄ Ｃ．Ｇ．Ｆｏｎｓｔａｄ：“ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．ＥＤ Ｃｏｎｆ．”，５１９（１９７５）］、カーボン薄膜によるもの［荒木久他：真空、第２６巻、第１号、２２頁（１９８３）］等が報告されているが、本出願人は、例えば、特開平２−５６８２２号公報において、酸化パラジウム等の金属微粒子膜を用いた表面伝導型電子放出素子を開示している。
【００１０】
表面伝導型電子放出素子を作製するにあたっては、通常、導電性薄膜４にフォーミングと呼ばれる通電処理によって電子放出部５を形成するのが一般的である。フォーミングとは導電性薄膜４の両端に直流電圧あるいは非常にゆっくりとした昇電圧、例えば１Ｖ／分程度を印加通電し、導電性薄膜４を局所的に破壊、変形もしくは変質せしめ、亀裂を形成する処理である。
【００１１】
なお、フォーミング処理を施した後、導電性薄膜４に電圧を印加し、素子に電流を流すことにより、亀裂近傍から電子を放出せしめるものである。このとき、電子の放出する部位を電子放出部５と呼ぶ。
【００１２】
さらに、たとえば特開平７−２３５２５５号公報に開示されているように、フォーミングを終えた素子に対して活性化処理と呼ばれる処理を施し、より良好な電子放出を得ることができる。活性化工程は、有機物質のガスを含有する雰囲気下で、フォーミング処理同様、素子にパルス電圧の印加を繰り返すことで行うことができ、雰囲気中に存在する有機物質から、炭素あるいは炭素化合物が素子上に堆積し、素子電流Ｉ_f、放出電流Ｉ_eが著しく増加するようになる。
【００１３】
このような処理を経て作製された表面伝導型電子放出素子は、例えばフラットパネルディスプレイ等の画像形成装置に適用可能な電子源として十分な電子放出特性を有する。
【００１４】
従って、上述のように、印刷技術を用いて、表面伝導型電子放出素子からなる大面積の電子源基板を作製することによって、大面積の画像形成装置、例えば大画面フラットパネルディスプレイを実現することができる。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、十分な電子放出量と寿命、安定性を有する電子放出素子を大面積の電子源基板に形成する場合、以下に述べるような問題がある。
【００１６】
表面伝導型電子放出素子は、その電子放出部が基板表面に接して形成されるために、特開平１−２７９５３８号公報において開示されているように、例えば、ソーダライムガラス表面にシリカを主成分とする材料で被覆層を形成し、その上に表面伝導型電子放出素子を形成することにより、十分な電子放出量と寿命、安定性を有する電子放出素子が得られ、望ましい。
【００１７】
ところが、シリカを主成分とする被覆層は、被覆層上に配置した金属の基板への拡散を抑えてしまう。金属が基板内部に拡散し難いと、熱処理工程を繰り返した場合、基板表面や基板と他の部材との界面を伝わって、基板表面に平行な方向への拡散が生じる場合がある。
【００１８】
このような拡散により、金属配線材料が、導電性薄膜と接触する場合がある。ここで、更に熱処理が行われたり、駆動のための電界が印加されると、熱や電界によるマイグレーションによって配線金属と導電性薄膜が混合し、電子放出素子が本来の電子放出特性を維持することが困難になり、特性の劣化や変動を引き起こす。従って、できる限り配線金属の導電性薄膜への拡散を抑える必要があった。
【００１９】
また、導電性薄膜をインクジェット法で形成する場合には、基板の表面を介する両素子電極間にインクを形成することが必須となるが、このとき、基板の表面と素子電極の表面においてインクとの濡れ性が大きく異なる場合には、導電性薄膜の形状がいびつになったり、また導電性薄膜としての特性、例えば膜厚や抵抗値にばらつきを生じやすくなり、ひいては、電子放出特性のばらつきを生じさせてしまう場合がある。この濡れ性に関しては、導電性薄膜の形状のほかに、インクとインクの形成面の間の角度を示す接触角で比較することが可能である。
【００２０】
本発明の目的は、上述した解決すべき技術課題を解決し、配線金属が導電性薄膜と接触することなく、結果的に配線金属の導電性薄膜への拡散による電子放出素子の電子放出特性の劣化や変動を防止した、高性能な電子源基板及びその製造方法を提供することにある。
【００２１】
また、本発明の別の目的は、導電性薄膜をインクジェット法で形成する場合に、基板の表面と素子電極の表面においてインクとの濡れ性が近く、結果的に導電性薄膜の形状がそろった高性能な電子源基板及びその製造方法を提供することにある。
【００２２】
また、本発明の別の目的は、かかる電子源基板を用いて良好な画像を長時間にわたり保持し得る大画面の平面型の画像形成装置を提供することにある。
【００２３】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上述した課題、すなわち、配線金属の導電性薄膜への拡散による電子放出素子の特性の劣化を解決するために成されたものであり、下述する構成のものである。
【００２４】
即ち、本発明の電子源基板は、基板上に、一対の素子電極と電子放出部を有する導電性薄膜からなる電子放出素子と、該素子電極に接続された金属配線と、を有する電子源基板であって、前記素子電極は、金属ルテニウムを少なくとも含み、該金属ルテニウムの表面に酸化ルテニウムを具備し、前記金属配線は、構成元素の一部、或いは全てが、金属ルテニウムよりも標準単極電位が大きい金属であることを特徴とする。
また、本発明の電子源基板は、基板上に、一対の素子電極と電子放出部を有する導電性薄膜からなる電子放出素子と、該素子電極に接続された金属配線と、を有する電子源基板であって、前記素子電極は、金属ルテニウムを少なくとも含み、該金属ルテニウムの表面に酸化ルテニウムを具備し、前記基板は、前記素子電極或いは前記金属配線と接する部位において、主成分がシリカよりなることを特徴とする。
【００２５】
上記本発明の電子源基板は、さらなる特徴として、
「前記金属ルテニウムよりも標準単極電位が大きい金属がＡｇである」こと、
「前記電子放出部を有する導電性薄膜は、ＰｄないしＰｄＯ、あるいはそれらの混合物よりなる」こと、
「前記電子放出素子は、表面伝導型電子放出素子である」こと、
「前記電子放出素子が複数個配置され、入力信号に応じて電子を放出する」こと、
「前記電子放出素子を複数個並列に配置し、個々の素子の両端を前記金属配線に接続した電子放出素子の行を複数もち、更に、該電子放出素子に変調信号を印加する変調手段を有する」こと、
「互いに電気的に絶縁されたｍ本のＸ方向金属配線とｎ本のＹ方向金属配線とに、前記電子放出素子の一対の素子電極とを接続し、電子放出素子をマトリクス状に配列した」こと、
をも包含する。
【００２６】
本発明の電子源基板の製造方法は、ルテニウム金属を形成した後に該ルテニウム金属の表面を酸化処理することにより素子電極を形成する工程を有することを特徴とする。
【００２７】
上記本発明の電子源基板の製造方法は、さらなる特徴として、
「インクジェット法により導電性薄膜を形成する工程を有する」こと、
「金属ぺーストの印刷と加熱焼成によって金属配線を形成する工程を有する」こと、
をも包含する。
【００２８】
本発明の画像形成装置は、入力信号にもとづいて画像を形成する画像形成装置であって、少なくとも、画像形成部材と上記のいずれかの電子源基板より構成されたことを特徴とする。
【００２９】
本発明は、電子源基板として、シリカを主成分とした被覆層を用いた良好な電子放出特性を有する素子を使用する場合に効果があり、特に、印刷によって配線を形成する場合に有効である。本発明の電子源基板は、配線金属が導電性薄膜へ拡散し難いため、電子放出特性の劣化を効果的に防止できる。また、本発明は、導電性薄膜をインクジェット法で形成する場合に有効である。
【００３０】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら本発明を説明する。
【００３１】
図１は、本発明の電子源基板の一例を示す概略構成図（平面図）で、電子源基板の一部のみを示している。また、図２は、図１に示した電子源基板の一つの電子放出素子を拡大した鳥瞰図である。そして、図３は、図２におけるＡ−Ａ’断面図である。図１、図２、図３において、１は基体、２，３は素子電極、４は導電性薄膜、５は電子放出部、６，７はそれぞれ素子電極２，３に接続された配線、８は配線６と配線７を電気的に絶縁するための層間絶縁層、９は被覆層である。なお、配線６，７はそれぞれ、図１中の座標に照らして、Ｙ方向配線、Ｘ方向配線と呼び、また層間絶縁層８との位置関係により、それぞれ下配線、上配線と呼ぶことがある。
【００３２】
基体１は、一般に青板ガラスと呼ばれるソーダライムガラスが安価であるため好ましく用いられるが、ソーダライムガラス中に含有されるナトリウムを一部カリウムに置換して歪み点を上昇させた、高歪み点ガラスを用いることができる。いずれの場合も、本発明で用いられるガラス基体はナトリウムを含有するため、大量生産可能なフロート法を用いて基体を形成することができ、例えば、対角１ｍ以上の大面積の基体も安価に作製することができるものである。なお、本発明の電子源基板及びそれを用いた画像形成装置は、その製造過程で何度かの熱処理工程を行なう。この時の熱処理温度の設定、及びその熱処理温度における基板の歪みの許容値に応じて上記基体の材料を選択すればよい。
【００３３】
被覆層９は、基体１から電子放出素子へのナトリウムの拡散を防止する役割と、電子放出素子に電流が流れるときの発熱を基体１に伝え難くする役割をもった被覆層である。上記の役割を満足するために、シリカを主成分とした被覆層を好ましく用いることができる。ここでシリカとは、ＳｉＯ₂、ＳｉＯ、およびその混合物を意味する。中でも、ＳｉＯ₂の層や、リンを数ｗｔ％含有させたリンドープシリカガラス（ＰＳＧ）からなる層がより好ましく用いられる。
【００３４】
対向する素子電極２，３の材料としては、以後の熱処理工程を経ても安定した導電性を有し、かつ配線６，７を構成する金属が熱拡散しないものが好ましく、また、導電性薄膜４をインクジェット法で形成する場合には、基体１上に形成された被覆層９と濡れ性の近いものが好ましく、表面にルテニウムの酸化物を具備する材料が用いられる。特にルテニウム金属と酸化ルテニウムにより構成される場合にはルテニウム金属を部分的に酸化することにより容易に形成可能であり、好ましい。なお、素子電極２，３は、基体１との密着性を向上させるためにチタンなどを下びき層とした複数の層よりなる積層構造であっても一向に構わなく、この場合、素子電極２，３の表面にルテニウムの酸化物を具備するようにすればよい。なお、素子電極２，３の膜厚は、数十ｎｍ程度とすると十分な導電性を有しかつ導電性薄膜４のステップカバレージが良好となり好ましい。
【００３５】
導電性薄膜４の熱的安定性は電子放出特性の寿命を支配する重要なパラメータであるため、導電性薄膜４の材料としてより高融点な材料を用いるのが望ましい。しかしながら、通常、導電性薄膜４の融点が高いほど後述する通電フォーミングが困難となり、電子放出部５形成のためにより大きな電力が必要となる。さらに、その結果得られる電子放出部５は、電子放出し得る印加電圧（しきい値電圧）が上昇するという問題が生じる場合がある。従って、導電性薄膜４の材料は、適度に高い融点を有し、比較的低いフォーミング電力で良好な電子放出部５が形成可能な材料、形態のものを選ぶのがよい。
【００３６】
上述の条件に対し、ＰｄＯは、有機パラジウム化合物の大気中焼成により容易に薄膜形成できること、半導体であるため比較的電気伝導度が低くフォーミングに有する電力が低いこと、電子放出部５形成時あるいはその後、容易に還元して金属パラジウムとすることができるので膜抵抗を低減し得ること、等から導電性薄膜４に好適な材料として用いることができる。その膜厚は、素子電極２，３へのステップカバレージ、素子電極２，３間の抵抗値及び後述するフォーミング条件等を考慮して設定される。
【００３７】
電子放出部５は、導電性薄膜４の一部に形成された、例えば、亀裂等の高抵抗部であり、その亀裂内部に数ｎｍより数十ｎｍの粒径の導電性微粒子、すなわち、ＰｄＯやＰｄＯが還元して生じたＰｄ金属の微粒子を多数個有する場合もあり、導電性薄膜４の膜厚および後述する通電処理条件等の製法に依存している。また、前記導電性微粒子は、導電性薄膜４を構成する材料の元素の一部あるいは全てと同様のものである。
【００３８】
また、電子放出部５の一部、更には、電子放出部５の近傍の導電性薄膜４には、後述する活性化工程を経ることにより、炭素及び炭素化合物を有する。この炭素及び炭素化合物の役割については、電子放出部５を構成する物質として電子放出特性を支配するものと推察されている。
【００３９】
配線６，７は、図１に示すように、複数の電子放出素子に給電するためのものである。ｍ本のＸ方向配線７は、ＤＸ１，ＤＸ２、…、ＤＸｍ、ｎ本のＹ方向配線６は、ＤＹ１、ＤＹ２、…、ＤＹｎからなり、それぞれ、多数の電子放出素子にほぼ均等な電圧が供給されるように、材料、膜厚、配線幅等が設計される。これらｍ本のＸ方向配線７とｎ本のＹ方向配線６の間には、層間絶縁層８が設置され、電気的に分離されて、マトリクス配線を構成する（このｍ、ｎは、共に正の整数）。
【００４０】
配線６，７としては、熱処理工程を経ても安定した導電性を有する金属が好ましいが、特に、大面積の基板を安価に形成できる印刷法が適用できるものが望ましい。金属ぺーストをスクリーン印刷によってパターン形成し、熱処理して得られる金属膜は、数μｍ以上の厚膜の抵抗が小さい配線を大面積に形成するのに適しているため、印刷可能な金属ペーストが比較的安価に得られる、Ａｇのぺースト、すなわち、それを熱処理して得られるＡｇが好ましく用いられる。また、例えば、Ｐｄを含有したＡｇペースト等を用いてもよい。
【００４１】
層間絶縁層８の形状、材料、膜厚、製法は、配線６と配線７の交差部の電位差に耐え得るように適宜設定できるが、配線同様、印刷法により形成できるものが好ましく、またガラスペーストを印刷して得られるガラスの厚膜層が用いられる。
【００４２】
図１に示した構成、すなわちマトリクス配置の構成において、Ｘ方向配線７には、Ｘ方向に配列した電子放出素子５の行を選択するための走査信号を印加する不図示の走査信号印加手段が接続され、Ｙ方向配線６には、Ｙ方向に配列した電子放出素子の各列を入力信号に応じて、変調するための不図示の変調信号発生手段が接続される。各電子放出素子に印加される駆動電圧は、当該素子に印加される走査信号と変調信号の差電圧として供給され、単純なマトリクス配線を用いて、個別の素子を選択し、独立に駆動可能とすることができる。
【００４３】
一方、このほかに、並列に配置した多数の電子放出素子の個々を両端で接続し、電子放出素子の行を多数個配し、この配線と直交する方向で、該電子放出素子の上方に配した制御電極により、電子放出素子からの電子を制御駆動するはしご状配置のもの等があるが、本発明は、特にこれらの配置によって限定されるものではない。
【００４４】
前述したように、本発明では、配線６，７は、素子電極２，３と接続され、素子電極２、３は、表面にルテニウムの酸化物を具備している。
【００４５】
素子電極２，３が、Ｐｔ，Ａｕ等の貴金属で形成され、且つ、配線６、７がＡｇよりなる場合、配線６，７を構成する金属、すなわちＡｇが、上述の貴金属よりなる素子電極２，３とシリカよりなる被覆層９の界面に沿って拡散するという現象がみられる。この拡散の詳しいメカニズムは明確にはなっていないが、配線６，７を構成する金属が一旦、素子電極２，３を構成する金属中に拡散し、素子電極２，３と被覆層９の界面に達し、その後、該界面における粒界を伝わる拡散に起因して起こっていると思われる。なお、Ｐｔ，Ａｕのいずれの標準単極電位も、Ａｇと比較して高い。
【００４６】
一方、素子電極２，３が、最表面にルテニウムの酸化物を具備しており、且つ、配線６、７がＡｇよりなる場合、配線金属は素子電極２，３中に拡散し難く、上記界面拡散はほとんど起こらない。これは、Ｒｕの標準単極電位が、Ａｇと比較して小さいためであり、Ａｇがイオン化して素子電極２，３中に拡散するのを効果的に抑制するためであると考えられる。
【００４７】
先述したように、配線６，７を構成する金属が界面拡散する場合には、最終的には導電性薄膜４、さらには電子放出部５にまで達することがある。ここで、電子放出素子を駆動するための電界が印加されると、電界によるマイグレーションや駆動時の熱によって配線６，７を構成する金属と導電性薄膜４が混合し、合金化したり、膜質が変化したりするため、電子放出素子が本来の電子放出特性を維持することが困難になり、特性の劣化や変動を引き起こす。従って、本発明のごとく構成することで、配線６，７を構成する金属がイオン化して素子電極２、３中に拡散するのを効果的に抑制し、ひいては安定した電子放出特性を長時間保持することができる。
【００４８】
さて、本発明の電子源基板の製造方法としては様々な方法が考えられるが、その一例を図４に示す。
【００４９】
以下、順をおって製造方法の説明を図１，２，３，４に基づいて説明する。
【００５０】
（１）ガラス基体１を洗剤、純水および有機溶剤により十分に洗浄した後、スパッタ法等により、シリカを主成分とした被覆層９を形成する（図４（ａ））。なお、被覆層９の形成法は、スパッタ法に限るものではなく、他の真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、ＣＶＤ法寺、有機金属系塗布材によって形成される場合もある。
【００５１】
（２）つづいて、被膜層９を形成した基体１に、素子電極材料を、真空蒸着法、スパッタ法等により堆積した後、フォトリソグラフィ技術により素子電極２，３を形成する（図４（ｂ））。素子電極２，３の表面にルテニウムの酸化物を具備するように、例えばスパッタ法により積層膜としてもよいが、金属ルテニウムを堆積後に、オゾンを含む加熱雰囲気中で紫外線を照射する等の酸化処理を施すことも可能である。なお、上述の酸化処理は、フォトリソグラフィ技術で用いられるレジストの残渣を取り除くために用いられるアッシング処理を兼ねるものであっても一向に構わない。また、酸化処理は上述の処理に限られるものではなく、ルテニウムの酸化物を形成できるものであれば良い。また、必ずしも本工程中に行う必要は無く、導電性薄膜４を形成する前であれば、いずれの工程で行っても一向に構わない。
【００５２】
（３）素子電極２，３を形成した基体１に、スクリーン印刷法により導電性ペーストのパターンを形成し、該導電性ペーストのパターンを焼成することで金属から成る下配線６を形成する（図４（ｃ））。
【００５３】
（４）さらに、下配線６上の所望の位置、すなわち、以後の工程で形成する上配線７と交差する位置に、層間絶縁層８を形成する（図４（ｄ））。層間絶縁層８についても、スクリーン印刷法によりガラスペーストのパターンを形成し、該ガラスペーストのパターンを焼成することで形成できる。なお、層間絶縁層８に十分な絶縁性を付与するために膜厚を厚くしたい場合は、上記印刷、焼成を所望の回数繰り返すこともできる。
【００５４】
（５）つづいて、下配線６上に形成された層間絶縁層８上で交差するように、上配線７を形成する（図４（ｅ））。上配線７も、下配線６と同様に、導電性ペーストのパターンを形成し、該導電性ペーストのパターンを焼成することで形成できる。
【００５５】
（６）上記基体１上に設けられた素子電極２と素子電極３との間に、例えば、インクジェット法を用いて有機金属化合物の溶液を形成して加熱焼成処理することにより、導電性薄膜４を形成する（図４（ｆ））。
【００５６】
（７）つづいて、フォーミングと呼ばれる通電処理を、素子電極２，３間、すなわち配線６，７間に電圧を不図示の電源によりパルス状電圧あるいは、昇電圧の印加により行うと、導電性薄膜４の部位に構造の変化した電子放出部５が形成される（図４（ｇ））。この通電処理により導電性薄膜４を局所的に破壊、変形もしくは変質せしめて亀裂構造の形成された部位を電子放出部５と呼ぶ。
【００５７】
フォーミング処理は、パルス波高値が定電圧のパルスを印加する場合とパルス波高値を増加させながら、電圧パルスを印加する場合とがある。まず、パルス波高値が定電圧のパルスを印加する場合の電圧波形を図５（ａ）に示す。図５（ａ）中、Ｔ１及びＴ２は電圧波形のパルス幅とパルス間隔であり、Ｔ１を１μｓｅｃ〜１０ｍｓｅｃ、Ｔ２を１０μｓｅｃ〜１００ｍｓｅｃとし、三角波の波高値（フォーミング時のピーク電圧）は適宜選択する。
【００５８】
次に、パルス波高値を増加させながら、電圧パルスを印加する場合の電圧波形を、図５（ｂ）に示す。図５（ｂ）中、Ｔ１及びＴ２は電圧波形のパルス幅とパルス間隔であり、Ｔ１を１μｓｅｃ〜１０ｍｓｅｃ、Ｔ２を１０μｓｅｃ〜１００ｍｓｅｃとし、三角波の波高値（フォーミング時のビーク電匠）は、例えば０．１Ｖステップ程度づつ、増加させる。
【００５９】
なお、フォーミング処理は、フォーミング用パルスの間に、導電性薄膜４を局所的に破壊、変形しない程度の電圧例えば０．１Ｖ程度のパルス電圧を挿入して素子電流を測定し、その電流が所定の値以下に減少したところで終了する。
【００６０】
（８）次に、フォーミングが終了した素子に活性化処理を施す。活性化処理の工程は、有機物質を含有する雰囲気下で、上記フォーミング処理同様、パルス電圧を印加することによって行うが、この雰囲気は、電子源基板を真空容器内に配し、適当な有機物質を導入することによって得られる。なお、後述する画像形成装置のように、電子源基板を用いて真空外囲器を形成する場合は、その真空外囲器内は有機物質を導入することで活性化処理を行なうことができる。
【００６１】
適当な有機物質としては、アルカン、アルケン、アルキンの脂肪族炭化水素類、芳香族炭化水素類、アルコール類、アルデヒド類、ケトン類、アミン類、ニトリル類、フェノール、カルボン、スルホン酸等の有機酸類等を挙げることができ、具体的には、メタン、エタン、プロパンなどＣ_nＨ_2n+2で表される飽和炭化水素、エチレン、プロピレンなどＣ_nＨ_2n等の組成式で表される不飽和炭化水素、ベンゼン、トルエン、メタノール、エタノール、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、アセトン、メチルエチルケトン、メチルアミン、エチルアミン、フェノール、ベンゾニトリル、アセトニトリル、蟻酸、酢酸、プロピオン酸等が使用できる。
【００６２】
この処理により、雰囲気中に存在する有機物質から、炭素あるいは炭素化合物が素子上に堆積し、素子電流Ｉ_f、放出電流Ｉ_eが、著しく変化するようになる。活性化工程の終了判定は、素子電流Ｉ_fおよび／または放出電流Ｉ_eを測定しながら、適宜行う。なおパルス幅、パルス間隔、パルス波高値などは適宜設定される。
【００６３】
炭素及び炭素化合物とは、例えばグラファイト（いわいるＨＯＰＧ、ＰＧ、ＧＣを包含する；ＨＯＰＧはほぼ完全なグラファイトの結晶構造、ＰＧは結晶粒が２０ｎｍ程度で結晶構造がやや乱れたもの、ＧＣは結晶粒が２ｎｍ程度になり結晶構造の乱れがさらに大きくなったものを指す。）、非晶質カーボン（アモルファスカーボン及びアモルファスカーボンと前記グラファイトの微結晶の混合物を指す）である。
【００６４】
（９）こうして作製した電子源基板に、好ましくは、安定化工程を行う。この工程は、活性化処理時に導入した有機物質の残留物を排気する工程である。真空容器内の圧力は、１．３〜４．０×１０^-5Ｐａ以下が好ましく、更に１．３×１０^-6Ｐａ以下が特に好ましい。真空容器を排気する真空排気装置は、装置から発生するオイルが素子の特性に影響を与えないように、オイルを使用しないものを用いるのが好ましい。
【００６５】
具体的には、ソープションポンプ、イオンポンプ等の真空排気装置を挙げることができる。さらに、真空容器内を排気するときには、真空容器全体を加熱して、真空容器内壁や、電子源基板に吸着した有機物質分子を排気しやすくするのが好ましい。このときの加熱条件は、８０〜２５０℃、好ましくは１５０℃以上でできるだけ長時間行なうのが望ましいが、特にこの条件に限るものではなく、真空容器の大きさや形状、電子源基板の構成などの諸条件により適宜選ばれる条件により行う。
【００６６】
安定化工程を行った後の、駆動時の雰囲気は、上記安定化処理終了後の雰囲気を維持するのが好ましいが、これに限るものではなく、有機物質が十分除去されていれば、圧力自体は多少上昇しても十分安定な特性を維持することができる。
【００６７】
このような真空雰囲気を採用することにより、新たな炭素あるいは炭素化合物の堆積を抑制でき、結果として素子電流Ｉ_f、放出電流Ｉ_eが安定する。
【００６８】
以上が、本発明における電子源基板の製造工程であるが、該電子源基板を用いて画像形成装置を構成した例を、図６と図７を用いて以下に説明する。図６は、画像形成装置の画像形成部材による基本構成図であり、図７は蛍光膜である。
【００６９】
図６において、６１は電子放出素子を複数配した電子源基板、６２は電子源基板６１を固定したリアプレート、６７はガラス基板（フェースプレート基板）６４の内面に蛍光膜６５とメタルバック６６等が形成されたフェースプレートである。６３は支持枠であり、該支持枠６３には、リアプレート６２、フェースプレート６７がフリットガラス等を用いて接続されている。６９は外囲器であり、例えば大気中あるいは窒素中で、４００〜５００℃の温度範囲で１０分間以上焼成することで、封着して構成される。
【００７０】
外囲器６９は、上述の如く、フェースプレート６７、支持枠６３、リアプレート６２で構成したが、リアプレート６２は主に基板６１の強度を補強する目的で設けられるため、基板６１自体で十分な強度を持つ場合は別体のリアプレート６２は不要であり、基板６１に直接支持枠６３を封着し、フェースプレート６７、支持枠６３、基板６１で外囲器６９を構成してもよい。
【００７１】
一方、フェースプレート６７、リアプレート６２間に、スペーサーとよばれる不図示の支持体を設置することにより、大気圧に対して十分な強度をもつ外囲器６９を構成することもできる。
【００７２】
図７は、蛍光膜である。蛍光膜６５は、モノクロームの場合は蛍光体のみから成るが、カラーの蛍光膜の場合は、蛍光体の配列によりブラックストライプあるいはブラックマトリクスなどと呼ばれる黒色導電材７１と蛍光体７２とで構成される。ブラックストライプ、ブラックマトリクスが設けられる目的は、カラー表示の場合必要となる３原色蛍光体の、各蛍光体７２間の塗り分け部を黒くすることで混色等を目立たなくすることと、蛍光膜６５における外光反射によるコントラストの低下を抑制することにある。ブラックストライプの材料としては、通常よく用いられている黒鉛を主成分とする材料だけでなく、導電性があり、光の透過及び反射が少ない材料であればこれに限るものではない。ガラス基板６４に蛍光体を塗布する方法は、モノクローム、カラーによらず、沈澱法、印刷法等が用いられる。
【００７３】
また、蛍光膜６５の内面側には通常メタルバック６６が設けられる。メタルバック６６の目的は、蛍光体７２の発光のうち内面側への光をフェースプレート６７側へ鏡面反射させることにより輝度を向上させること、電子ビーム加速電圧を印加するための電極として作用させること、外囲器６９内で発生した負イオンの衝突によるダメージからの蛍光体７２の保護等である。メタルバック６６は、蛍光膜６５作製後、蛍光膜６５の内面側表面の平滑化処理（通常フィルミングと呼ばれる）を行い、その後Ａｌを、真空蒸着等を用いて堆積させることで作製できる。フェースプレート６７には、更に蛍光膜６５の導電性を高めるため、蛍光膜６５の外面側に透明電極（不図示）を設けてもよい。前述の封着を行う際、カラーの場合は各色蛍光体と電子放出素子とを対応させなくてはいけないため、十分な位置合わせを行なう必要がある。
【００７４】
外囲器６９は、不図示の排気管を通じ、１．３×１０^-5Ｐａ程度の真空度にした後、封止がおこなわれる。また、外囲器６９の封止後の真空度を維持するために、ゲッター処理を行なう場合もある。これは、外囲器６９の封止を行う直前あるいは封止後に、抵抗加熱あるいは高周波加熱等の加熱法により、外囲器６９内の所定の位置（不図示）に配置されたゲッターを加熱し、蒸着膜を形成する処理である。ゲッターは通常Ｂａ等が主成分であり、該蒸着膜の吸着作用により、たとえば１．３×１０^-3Ｐａないしは１．３×１０^-5Ｐａの真空度を維持するものである。
【００７５】
以上により完成した本発明の画像形成装置において、各電子放出素子には、容器外端子Ｄｏｘ１ないしＤｏｘｍ，Ｄｏｙ１ないしＤｏｙｎを通じ、電圧を印加することにより、電子放出させ、高圧端子６８を通じ、メタルバック６６あるいは透明電極（不図示）に数ｋＶ以上の高圧を印加し、電子ビームを加速し、蛍光膜６５に衝突させ、励起・発光させることで画像を表示するものである。
【００７６】
なお、以上述べた構成は、表示等に用いられる好適な画像形成装置を作製する上で必要な概略構成であり、例えば各部材の材料等、詳細な部分は上述内容に限られるものではなく、画像形成装置の用途に適するよう適宜選択する。
【００７７】
また、本発明の画像形成装置は、テレビジョン放送の表示装置、テレビ会議システムやコンピューター等の表示装置の他、感光性ドラム等を用いて構成された光プリンターとしての画像形成装置等としても用いることができる。
【００７８】
【実施例】
以下、具体的な実施例を挙げて本発明を詳しく説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではなく、本発明の目的が達成される範囲内での各要素の置換や設計変更がなされたものをも包含する。
【００７９】
（実施例１）
本実施例にかかわる基本的な電子源基板の構成は、図１、図２、図３と同様である。本実施例における電子源基板の製造法は、図４に示している。以下、図１、図２、図４を用いて、本発明に関わる画像形成装置の基本的な構成及び製造法を説明する。図４は簡便のため、一個の電子放出素子近傍の製造工程を拡大して示しているが、本実施例は、多数の電子放出素子を単純マトリクス配置した電子源基板の例である。
【００８０】
工程−ａ
清浄化した青板ガラス基体１上に、シリカを主成分とした被覆層９として厚さ１．０μｍのＳｉＯ₂膜をスパッタ法で形成する。
【００８１】
工程−ｂ
次に、基体１上に、スパッタ法により厚さ５ｎｍの金属チタン、続いて５０ｎｍの金属ルテニウムを堆積する。その後、素子電極２，３のパターンをフォトレジストで形成し、ドライエッチング処理によって素子電極２，３のパターン以外のチタン上にルテニウムが形成された積層膜を除去し、フォトレジストパターンを除去する。続いてオゾンを含む加熱雰囲気中で紫外線を照射する酸化処理を施す。なお、加熱温度は１４０℃であり、時間は１０分である。この酸化処理は、フォトリソグラフィ技術で用いられるレジストの残渣を取り除くために用いられるアッシング処理を兼ねるものであり、この処理により金属ルテニウムの表面近傍に酸化ルテニウムが形成される。このようにして、素子電極２，３を形成する。
【００８２】
工程−ｃ
被覆層９、素子電極２，３を形成した基体１上に、スクリーン印刷により、下配線６のパターンをＡｇペーストを用いて形成し、乾燥後、５００℃で焼成し、Ａｇからなる所望の形状の下配線６を形成する。
【００８３】
工程−ｄ
次に層間絶縁層８のパターンを、スクリーン印刷により、ガラスペーストを用いて形成し、乾燥後、５００℃で焼成する。十分な絶縁性を得るために、再度、ガラスペーストを印刷、乾燥、焼成を繰り返して、ガラスからなる所望の形状の層間絶縁層８を形成する。
【００８４】
工程−ｅ
層間絶縁層８を形成した部位において下配線６と交差するように、上配線７のパターンを、スクリーン印刷により、Ａｇペーストを用いて形成し、乾燥後、５００℃で焼成し、Ａｇからなる所望の形状の上配線７を形成する。
【００８５】
以上の工程により、素子電極２，３が配線６，７によってマトリクス状に結線された基板が形成できる。
【００８６】
ここで、図２中のＡ−Ａ’の線に沿って、エレクトロンプローブマイクロアナリシス（ＥＰＭＡ）の手法により、Ａｇ元素の分布を計測した結果の例を、図８に示す。また、比較のため、素子電極２，３をＰｔで、配線６，７をＡｇで形成した場合の、同様のＡｇ元素の分布を計測した結果の例を、図９に示す。図８、図９から分かるように、本実施例により、配線６，７からのＡｇの素子電極２，３への拡散が抑えられていることがわかる。
【００８７】
工程−ｆ
次に、導電性薄膜４を素子電極２，３のギャップ間にまたがるように形成する。導電性薄膜４の形成は、有機パラジウム溶液をインクジェット法により所望の位置に塗布し、３５０℃で３０分間の加熱焼成処理をする。こうして得られた導電性薄膜４はＰｄＯが主成分となり、膜厚は約１０ｎｍであった。この導電性薄膜４の形状は極めて円形に近いものであった。
【００８８】
なお、本工程に先立ち、電子放出素子の形成に必要の無い領域を用いて、素子電極２，３と同じ材料からなる領域と、シリカを主成分とした被覆層９の上に有機パラジウム溶液をインクジェット法により形成し、形状を比較したところ、概ね９０μｍと同程度の大きさであった。また、接触角を測定したところ、概ね５０度と同程度の大きさであった。これは、素子電極２，３の表面にルテニウムの酸化物があることにより、シリカを主成分とした被覆層９と表面状態が類似しているためだと考えられる。故に、上述のごとく、導電性薄膜４の形状が極めて円形に近いものになったと考えられる。
【００８９】
以上の工程により基体１上に被覆層９、下配線６、層間絶縁層８、上配線７、素子電極２，３、導電性薄膜４を形成し、電子源基板を作製した。
【００９０】
以下に、本実施例の電子源基板を用いて、画像形成装置を構成した例を、図６と図１を用いて説明する。
【００９１】
以上のようにして作製した電子源基板６１をリアプレート６２上に固定した後、電子源基板６１の５ｍｍ上方に、フェースプレート６７（ガラス基板６４の内面に蛍光膜６５とメタルバック６６が形成されて構成される）を、支持枠６３を介して配置し、フェースプレート６７、支持枠６３、リアプレート６２の接合部にフリットガラスを塗布し、大気中で４００℃で１０分焼成することで行った。またリアプレート６２への電子源基板６１の固定もフリットガラスで行った。
【００９２】
蛍光膜６５は、モノクロームの場合は蛍光体のみから成るが、本実施例では蛍光体はストライプ形状を採用し、先にブラックストライプを形成し、その間隙部に各色蛍光体を塗布し、蛍光膜６５を作製した。ブラックストライプの材料として通常よく用いられている黒鉛を主成分とする材料を用いた。ガラス基板６４に蛍光体を塗布する方法はスラリー法を用いた。
【００９３】
また、蛍光膜６５の内面側には通常メタルバック６６が設けられる。メタルバックは、蛍光膜作製後、蛍光膜の内面側表面の平滑化処理（通常フィルミングと呼ばれる）を行い、その後、Ａｌを真空蒸着することで作製した。フェースプレート６７には、更に蛍光膜６５の導電性を高めるため、蛍光膜６５の外面側に透明電極（不図示）が設けられる場合もあるが、本実施例では、メタルバックのみで十分な導電性が得られたので省略した。前述の封着を行う際、カラーの場合は各色蛍光体と電子放出素子とを対応させなくてはいけないため、十分な位置合わせを行った。
【００９４】
以上のようにして完成したガラス容器内の雰囲気を排気管（図示せず）を通じ真空ポンプにて排気し、十分な真空度に達した後、容器外端子Ｄｏｘ１ないしＤｏｘｍとＤｏｙ１ないしＤｏｙｎを通じ素子電極２，３間に電圧を印加し、導電性薄膜４をフォーミング処理した。フォーミング処理の電圧波形は、図５（ｂ）と同様である。本実施例ではＴ１を１ｍｓｅｃ，Ｔ２を１０ｍｓｅｃとし、約１．３×１０^-3Ｐａの真空雰囲気下で行った。
【００９５】
次に、パネル内の圧力が１．３×１０^-6Ｐａ台に達するまで排気を続けた後、パネルの排気管より、全圧が１．３×１０^-4Ｐａとなるように有機物質をパネル内に導入し、維持した。容器外端子Ｄｏｘ１ないしＤｏｘｍとＤｏｙ１ないしＤｏｙｎを通じ素子電極２，３間に、１５Ｖの波高値のパルス電圧を印加し、活性化処理を行った。
【００９６】
このように、フォーミング、活性化処理を行ない、電子放出部５を形成した。
【００９７】
次に、１．３×１０^-4Ｐａ程度の圧力まで排気し、不図示の排気管をガスバーナーで熱することで溶着し外囲器の封止を行った。最後に、封止後の圧力を維持するために、高周波加熱法でゲッター処理を行った。
【００９８】
以上のように完成した本発明の画像形成装置において、各電子放出素子には、容器外端子Ｄｏｘ１ないしＤｏｘｍ，Ｄｏｙ１ないしＤｏｙｎを通じ、走査信号及び変調信号を不図示の信号発生手段よりそれぞれ印加することにより、電子放出させ、高圧端子６８を通じ、メタルバック６６、あるいは透明電極（不図示）に５ｋＶ以上の高圧を印加し、電子ビームを加速し、蛍光膜６５に衝突させ、励起・発光させることで画像を表示した。
【００９９】
本実施例における画像形成装置は、テレビジョンとして十分満足できる輝度（約１５０ｆＬ）で良好な画像を長時間にわたって安定に表示することができた。
【０１００】
（実施例２）
本実施例にかかわる基本的な電子源基板の構成も、実施例１と同機である。
【０１０１】
工程−ａ
清浄化した青板ガラス基体１上に、被覆層９として厚さ１．０μｍのリンドープシリカガラス（ＰＳＧ）膜をＣＶＤ法で形成する。
【０１０２】
工程−ｂ
次に、基板１上に、電子線蒸着法により厚さ５ｎｍの金属チタン、続いて５０ｎｍの金属ルテニウムを堆積する。その後、素子電極２，３のパターンをフォトレジストで形成し、ドライエッチング処理によって素子電極２，３のパターン以外のチタン上にルテニウムが形成された積層膜を除去し、フォトレジストパターンを除去する。続いて酸素を含む雰囲気中で加熱して酸化処理を施す。なお、加熱温度は５４０℃であり、時間は１０分である。この酸化処理により金属ルテニウムの表面近傍に酸化ルテニウムが形成される。このようにして、素子電極２，３を形成する。
【０１０３】
工程−ｃ〜ｅは実施例と同様にして、素子電極２，３が配線６，７によってマトリクス状に結線された基板が形成できる。
【０１０４】
ここで、図２中のＡ−Ａ’の線に沿って、エレクトロンプローブマイクロアナリシス（ＥＰＭＡ）の手法により、Ａｇ元素の分布を計測したところ、図８と同様の結果を得、本実施例により、配線６，７からのＡｇの素子電極２，３への拡散が抑えられていることがわかる。
【０１０５】
工程−ｆ
次に、導電性薄膜４を素子電極２，３のギャップ間にまたがるように形成する。導電性薄膜４の形成は、有機パラジウム溶液をインクジェット法により所望の位置に塗布し、３５０℃で３０分間の加熱焼成処理をする。こうして得られた導電性薄膜４はＰｄＯが主成分となり、膜厚は約１０ｎｍであった。この導電性薄膜４の形状は、実施例１と同様に極めて円形に近いものであった。
【０１０６】
以上の工程により基体１上に被覆層９、下配線６、層間絶縁層８、上配線７、素子電極２，３、導電性薄膜４を形成し、電子源基板を作製した。
【０１０７】
以後、実施例１と同様に、本実施例の電子源基板を用いて画像形成装置を構成したところ、本実施例における画像形成装置においても、テレビジョンとして十分満足できる輝度（約１５０ｆＬ）で良好な画像を長時間にわたって安定に表示することができた。
【０１０８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、素子電極材科として表面にルテニウムの酸化物を具備することにより、配線金属が素子電極中を拡散し難いため、電子放出特性の劣化の原因となる配線金属の拡散を防止できる。また、導電性薄膜をインクジェット法で形成する場合には、基体上に形成された被覆層と濡れ性が近く、結果的に導電性薄膜の形状がそろった高性能な電子源基板及びその製造方法を提供することができる。さらにそれを用いて、良好な画像を長時間にわたり保持し得る大画面の平面型の画像形成装置、例えば、カラーフラットテレビが実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電子源基板の一例を示す平面図である。
【図２】本発明の電子源基板の電子放出素子近傍の鳥瞰図である。
【図３】図２におけるＡ−Ａ’断面図である。
【図４】本発明に係る電子源基板の基本的な製造方法を説明するための図である。
【図５】本発明に係るフォーミング処理における電圧波形の一例を示す図である。
【図６】本発明に係る画像形成装置の基本構成を示す図である。
【図７】図７の画像形成装置に用いられる蛍光膜を示す図である。
【図８】実施例における本発明の効果を説明する図である。
【図９】実施例における本発明の効果を説明する比較図である。
【図１０】従来の電子源基板の構成を示す平面図である。
【図１１】従来の電子源基板の構成を示す鳥瞰図である。
【符号の説明】
１ 基体
２，３ 素子電極
４ 導電性薄膜
５ 電子放出部
６ 配線（下配線、Ｙ方向配線）
７ 配線（上配線、Ｘ方向配線）
８ 層間絶縁層
９ 被覆膜
６１ 電子源基板
６２ リアプレート
６３ 支持枠
６４ ガラス基板（フェースプレート基板）
６５ 蛍光膜
６６ メタルバック
６７ フェースプレート
６８ 高圧端子
６９ 外囲器
７１ 黒色導電体
７２ 蛍光体
１０１ 表面伝導型電子放出素子

Claims (12)

1. 基板上に、一対の素子電極と電子放出部を有する導電性薄膜からなる電子放出素子と、該素子電極に接続された金属配線と、を有する電子源基板であって、前記素子電極は、金属ルテニウムを少なくとも含み、該金属ルテニウムの表面に酸化ルテニウムを具備し、前記金属配線は、構成元素の一部、或いは全てが、金属ルテニウムよりも標準単極電位が大きい金属であることを特徴とする電子源基板。
2. 前記金属ルテニウムよりも標準単極電位が大きい金属がＡｇであることを特徴とする請求項１に記載の電子源基板。
3. 基板上に、一対の素子電極と電子放出部を有する導電性薄膜からなる電子放出素子と、該素子電極に接続された金属配線と、を有する電子源基板であって、前記素子電極は、金属ルテニウムを少なくとも含み、該金属ルテニウムの表面に酸化ルテニウムを具備し、前記基板は、前記素子電極或いは前記金属配線と接する部位において、主成分がシリカよりなることを特徴とする電子源基板。
4. 前記電子放出部を有する導電性薄膜は、ＰｄないしＰｄＯ、あるいはそれらの混合物よりなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の電子源基板。
5. 前記電子放出素子は、表面伝導型電子放出素子であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の電子源基板。
6. 前記電子放出素子が複数個配置され、入力信号に応じて電子を放出することを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の電子源基板。
7. 前記電子放出素子を複数個並列に配置し、個々の素子の両端を前記金属配線に接続した電子放出素子の行を複数もち、更に、該電子放出素子に変調信号を印加する変調手段を有することを特徴とする請求項６に記載の電子源基板。
8. 互いに電気的に絶縁されたｍ本のＸ方向金属配線とｎ本のＹ方向金属配線とに、前記電子放出素子の一対の素子電極とを接続し、電子放出素子をマトリクス状に配列したことを特徴とする請求項６又は７に記載の電子源基板。
9. ルテニウム金属を形成した後に該ルテニウム金属の表面を酸化処理することにより素子電極を形成する工程を有することを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の電子源基板の製造方法。
10. インクジェット法により導電性薄膜を形成する工程を有することを特徴とする請求項９に記載の電子源基板の製造方法。
11. 金属ペーストの印刷と加熱焼成によって金属配線を形成する工程を有することを特徴とする請求項９または１０に記載の電子源基板の製造方法。
12. 入力信号にもとづいて画像を形成する装置であって、少なくとも、画像形成部材と請求項１乃至８のいずれかに記載の電子源基板より構成されたことを特徴とする画像形成装置。

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