JP3234730B2

JP3234730B2 - 電子放出素子および電子源基板の製造方法

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Publication number: JP3234730B2
Application number: JP31343994A
Authority: JP
Inventors: 光利長谷川; 雅章柴田
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1994-12-16
Filing date: 1994-12-16
Publication date: 2001-12-04
Anticipated expiration: 2016-12-04
Also published as: JPH08171850A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、表面伝導型電子放出素
子、電子源基板、電子源、表示パネル、画像形成装置お
よびそれらの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、電子放出素子として熱電子源と冷
陰極電子源の２種類が知られている。冷陰極電子源には
電界放出型（以下、ＦＥと称する）、金属／絶縁層／金
属型（以下、ＭＩＭと称する）や、表面伝導型電子放出
素子等がある。

【０００３】ＦＥ型の例としては、Dykeらの報告（W.
P. Dyke and W. W. Dolan, "Field emission", Advance
in Electron Physics, 8, 89(1956)）に記載のもの、S
pindtの報告（C. A. Spindt, "Physical Properties of
thin-film field emission cathodes with molybdeniu
m cones", J. Appl. Phys., 47, 5248(1976)）に記載の
もの等が知られている。

【０００４】ＭＩＭ型の例としては、Meadの報告（C.
A. Mead, "The tunnel-emission amplifier", J. Appl.
Phys., 32, 646(1961)）に記載のもの等が知られてい
る。

【０００５】表面伝導型電子放出素子型の例としては、
エリンソンの報告（M. I. Elinson,Radio Eng. Electro
n Phys., 10(1965)）に記載のもの等がある。

【０００６】表面伝導型電子放出素子は、基板上に形成
された小面積の薄膜に、膜面に平行に電流を流すことに
より、電子放出が生ずる現象を利用するものである。

【０００７】この表面伝導型電子放出素子としては、前
記のエリンソンの報告に記載のＳｎＯ₂薄膜を用いたも
の、Ａｕ薄膜によるもの（G. Dittmer, Thin Solid Fil
ms, 9, 317(1972)）、Ｉｎ₂Ｏ₃／ＳｎＯ₂薄膜によるも
の（M. Hartwell and C. G. Fonstad, IEEE Trans. ED
Conf., 519(1975)）、カーボン薄膜によるもの（荒木
ら，真空，第２６巻，第１号，２２頁（１９８３））な
どが報告されている。

【０００８】これらの表面伝導型電子放出素子の典型的
な素子構成として前述のハートウェル（Hartwell）の素
子の構成を図１４に示す。同図において、１は基板であ
る。４は導電性薄膜で、Ｈ型形状のパターンにスパッタ
で形成された金属酸化物薄膜等からなり、電子放出部形
成用薄膜に後述のフォーミングと呼ばれる通電処理を行
って電子放出部５が形成される。なお、図中の素子間隔
Ｌは０．５〜１ｍｍ、Ｗ’は０．１ｍｍで設定されてい
る。なお、電子放出部５の位置および形状については不
明であるので、模式図として示した。

【０００９】従来、これらの表面伝導型電子放出素子に
おいては、電子放出を行なう前に導電性薄膜４を予め通
電フォーミングと呼ばれる通電処理によって電子放出部
５を形成するのが一般的であった。すなわち、通電フォ
ーミングとは前記の導電性薄膜４の両端に直流電圧ある
いは非常にゆっくりした昇電圧例えば１Ｖ／分程度を印
加通電し、導電性薄膜を局所的に破壊、変形もしくは変
質せしめ、電気的に高抵抗な状態にした電子放出部５を
形成することである。なお、電子放出部５は導電性薄膜
４の一部に亀裂が発生し、その亀裂付近から電子放出が
行なわれる。前記通電フォーミング処理をした表面伝導
型電子放出素子は、上述の導電性薄膜４に電圧を印加
し、素子に電流を流すことによって上述の電子放出部５
より電子を放出せしめるものである。

【００１０】上述の表面伝導型電子放出素子は、構造が
単純で製造も容易であることから、大面積にわたって多
数の素子を配列形成できる利点がある。そこで、その特
徴を生かせるような色々な応用が研究されている。例え
ば、荷電ビーム源、表示装置等の画像形成装置が挙げら
れる。

【００１１】また、本出願人により前述の２−５６８２
２号公報に開示されている電子放出素子の構成を図１５
に示す。同図において、１は基板、２および３は素子電
極、４導電性薄膜、５は電子放出部である。この電子放
出素子の製造方法としては様々な方法があるが、例えば
基板１に一般的な真空蒸着技術、フォトリソグラフィ技
術により、素子電極２および３を形成する。次いで、導
電性薄膜４は分散塗布法等によって形成する。その後、
素子電極２・３に電圧を印加し通電処理を施すことによ
って、電子放出部５を形成する。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような構成の表面伝導型電子放出素子を製造する従来の
方法は、半導体プロセスを主とする方法によるため、現
行の技術では大面積に電子放出素子を形成することが困
難であって、特殊かつ高価な製造装置を必要とし、生産
コストが高いといった欠点があった。

【００１３】そこで本発明の目的は、構成の単純な表面
伝導型電子放出素子、その素子を大面積に有する電子源
基板、電子源、表示パネルおよび画像形成装置、ならび
にそれらの低コストでかつ容易な製造方法を提供するこ
とにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべくな
された本発明は、少なくとも、金属元素を含有する溶液
を液滴の状態で基板上の所定の位置に付与して、互いに
対向して配置される２つの素子電極からなる素子電極対
および該素子電極対間に位置する導電性薄膜を、該素子
電極対の膜厚より小さい膜厚で形成する工程、ならびに
該導電性薄膜に通電処理を行って電子放出部を形成する
工程を有して成る電子放出素子の製造方法提供する。

【００１５】これらの本発明の製造方法においては、１）素子電極対および導電性薄膜の膜厚を付与する液滴
１滴の量および液滴数によって制御する、２）液滴の付与工程をインクジェット方式で行ない、そ
のインクジェット方式としては熱エネルギーによって溶
液内に気泡を形成させて該溶液を液滴として吐出させる
方式か圧電素子によって溶液を液滴として吐出させる方
式とする、等を行うことが好ましい。

【００１６】

【００１７】

【作用】以下、図面を用いて本発明を詳細に説明する。

【００１８】図１は、本発明の表面伝導型電子放出素子
の１実施態様を示す図であり、図２は図１の素子の本発
明による製造方法の手順を示す図である。

【００１９】図１および２において、１は基板、２およ
び３は素子電極であって素子電極対を形成しており、４
は導電性薄膜、５は電子放出部、６は液滴付与装置、７
は液滴である。

【００２０】ここで用いられる液滴付与装置６の具体例
を挙げるならば、任意の液滴を形成できる装置であれば
どのような装置を用いてもかまわないが、特に十数ｎｇ
〜十数μｇ程度の範囲で制御が可能でかつ数十ｎｇ程度
以上の微小量の液滴が容易に形成できるインクジェット
方式の装置が好適である。そのようなインクジェット方
式の装置としては、圧電素子等を用いたインクジェット
噴射装置、熱エネルギーによって液体内に気泡を形成さ
せてその液体を液滴として吐出させる方式（以下、バブ
ルジェット方式と称する）によるインクジェット噴射装
置などが挙げられる。

【００２１】また、素子電極２および３ならびに導電性
薄膜４を形成するために用いる液滴としては、液滴とな
るものであればどのようなものであっても構わないが、
水，溶剤等に所望の材料を分散または溶解した液、有機
金属化合物溶液および有機金属錯体を含有する溶液等が
ある。

【００２２】基板１としては、石英ガラス、Ｎａ等の不
純物含有量を減少させたガラス、青板ガラス、ＳｉＯ₂
を表面に形成したガラス基板およびアルミナ等のセラミ
ックス基板等があげられる。

【００２３】素子電極２および３、導電性薄膜４の材料
としては、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｉ
ｎ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｂ等
の金属、ＰｄＯ、ＳｎＯ₂、Ｉｎ₂Ｏ₃、ＰｂＯ、Ｓｂ₂Ｏ
₃等の酸化物、ＨｆＢ₂、ＺｒＢ ₂、ＬａＢ₆、ＣｅＢ₆、
ＹＢ₄、ＧｄＢ₄等の硼化物、ＴｉＣ、ＺｒＣ、ＨｆＣ、
ＴａＣ、ＳｉＣ、ＷＣ等の炭化物、ＴｉＮ、ＺｒＮ、Ｈ
ｆＮ等の窒化物、Ｓｉ、Ｇｅ等の半導体、カーボン等が
挙げられる。

【００２４】素子電極対２・３の間隔Ｌは、数百Å〜数
百μｍである。また、素子電極間に印加する電圧は低い
方が望ましく、再現良く作製することが要求されるた
め、好ましい素子電極間間隔は数百Å〜数μｍである。

【００２５】電子放出部を含む部位である導電性薄膜４
は、良好な電子放出特性を得るために微粒子で構成され
た微粒子膜が特に好ましく、その膜厚は、素子電極対２
・３間の抵抗値および後述する通電フォーミング条件等
によって適宜設定されるが、好ましくは数Å〜数千Å
で、特に好ましくは１０Å〜５００Åである。そのシー
ト抵抗値は、１０³〜１０⁷Ω／□である。

【００２６】なお、ここで述べる微粒子膜とは、複数の
微粒子が集合した膜であり、その微細構造として、微粒
子が個々に分散配置した状態のみならず、微粒子が互い
に隣接あるいは重なり合った状態（島状も含む）の膜を
指しており、微粒子の粒径は、数Å〜数千Å、好ましく
は１０Å〜２００Åである。

【００２７】電子放出部５は導電性薄膜４の一部に形成
された高抵抗の亀裂であり、通電フォーミング等により
形成される。また、亀裂内には数Å〜数百Åの粒径の導
電性微粒子を有することもある。この導電性微粒子は導
電性薄膜４を構成する物質の少なくとも一部の元素を含
んでいる。また、電子放出部５およびその近傍の導電性
薄膜４は、炭素および炭素化合物を有することもある。

【００２８】電子放出部５は、導電性薄膜４ならびに素
子電極対２・３が形成されてなる素子に通電フォーミン
グと呼ばれる通電処理を行うことによって形成される。
通電フォーミングは、素子電極対２・３間に不図示の電
源より通電を行い、導電性薄膜４を局所的に破壊、変形
もしくは変質せしめ、構造を変化させた部位を形成させ
るものである。通電フォーミングの電圧波形の例を図４
に示す。

【００２９】電圧波形は特にパルス形状が好ましく、パ
ルス波高値が一定の電圧パルスを連続的に印加する場合
（図４（ａ））と、パルス波高値を増加させながら電圧
パルスを印加する場合（図４（ｂ））とがある。まず、
パルス波高値が一定電圧とした場合（図４（ａ））につ
いて説明する。

【００３０】図４（ａ）におけるＴ1およびＴ2は電圧波
形のパルス幅とパルス間隔であり、Ｔ1を１μ秒〜１０
ミリ秒、Ｔ2を１０μ秒〜１００ミリ秒とし、三角波の
波高値（通電フォーミング時のピーク電圧）は表面伝導
型電子放出素子の形態に応じて適宜選択し、適当な真空
度、例えば１×１０^-5Ｔｏｒｒ程度の真空雰囲気下で、
数秒〜数十分印加する。なお、素子の電極間に印加する
波形は三角波に限定する必要はなく、矩形波など所望の
波形を用いてもよい。

【００３１】図４（ｂ）におけるＴ1およびＴ2は、図４
（ａ）の場合と同様であり、三角波の波高値（通電フォ
ーミング時のピーク電圧）は、例えば０．１Ｖステップ
程度ずつ増加させ適当な真空雰囲気下で印加する。

【００３２】なお、この場合の通電フォーミング処理
は、パルス間隔Ｔ2中に、導電性薄膜４を局所的に破壊
・変形しない程度の電圧、例えば０．１Ｖ程度の電圧
で、素子電流を測定し、抵抗値を求め、例えば１ＭΩ以
上の抵抗を示した時に通電フォーミング終了とする。

【００３３】次に通電フォーミングが終了した素子に活
性化工程と呼ぶ処理を施すことが望ましい。

【００３４】活性化工程とは、例えば、１０^-4〜１０^-5
程度の真空度で、通電フォーミング同様、パルス波高値
が一定の電圧パルスを繰返し印加する処理のことであ
り、真空中に存在する有機物質に起因する炭素および炭
素化合物を薄膜上に堆積させ素子電流Ｉf、放出電流Ｉe
を著しく変化させる処理である。活性化工程は素子電流
Ｉfと放出電流Ｉeを測定しながら、例えば、放出電流Ｉ
eが飽和した時点で終了する。また、印加する電圧パル
スは動作駆動電圧で行うことが好ましい。

【００３５】なお、ここで炭素および炭素化合物とは、
グラファイト（単結晶および多結晶の両方を指す。）非
晶質カーボン（非晶質カーボンおよび多結晶グラファイ
トの混合物を指す）であり、その膜厚は５００Å以下が
好ましく、より好ましくは３００Å以下である。

【００３６】こうして作製した電子放出素子は、通電フ
ォーミング工程、活性化工程における真空度よりも高い
真空度の雰囲気下に置いて動作駆動させるのがよい。ま
た、さらに高い真空度の雰囲気下で、８０℃〜１５０℃
の加熱後に動作駆動させることが望ましい。

【００３７】なお、通電フォーミング工程、活性化処理
した真空度より高い真空度とは、例えば約１０^-6以上の
真空度であり、より好ましくは超高真空系であり、新た
に炭素および炭素化合物が導電薄膜上にほとんど堆積し
ない真空度である。こうすることによって、素子電流Ｉ
f、放出電流Ｉeを安定化させることが可能となる。

【００３８】図５は、電子放出特性を測定するための測
定評価装置の概略構成図である。図５において、８１は
素子に素子電圧Ｖfを印加するための電源、８０は素子
電極対２・３間の導電性薄膜４を流れる素子電流Ｉfを
測定するための電流計、８４は素子の電子放出部より放
出される放出電流Ｉeを測定するためのアノード電極、
８３はアノード電極８４に電圧を印加するための高圧電
源、８２は素子の電子放出部より放出される放出電流Ｉ
eを測定するための電流計、８５は真空装置、８６は排
気ポンプである。

【００３９】次に、本発明の画像形成装置について説明
する。

【００４０】画像形成装置に用いられる電子源基板は複
数の表面伝導型電子放出素子を基板上に配列することに
より形成される。

【００４１】表面伝導型電子放出素子の配列の方式に
は、表面伝導型電子放出素子を並列に配置し、個々の素
子の両端を配線で接続するはしご型配置（以下、はしご
型配置電子源基板と称する）や、表面伝導型電子放出素
子の一対の素子電極のそれぞれＸ方向配線、Ｙ方向配線
を接続した単純マトリクス配置（以下、マトリクス型配
置電子源基板と称する）が挙げられる。なお、はしご型
配置電子源基板を有する画像形成装置には、電子放出素
子からの電子の飛翔を制御する電極である制御電極（グ
リッド電極）を必要とする。

【００４２】以下、この原理に基づいて作製した電子源
の構成について、図６を用いて説明する。図中、９１は
電子源基板、９２はＸ方向配線、９３はＹ方向配線、９
４は表面伝導型電子放出素子、９５は結線である。な
お、表面伝導型電子放出素子９４は前述した平面型ある
いは垂直型のどちらであってもよい。

【００４３】同図において、電子源基板９１に用いる基
板は前述したガラス基板等であり、用途に応じて形状が
適宜設定される。

【００４４】ｍ本のＸ方向配線９２は、Ｄx１、Ｄx２、
・・・Ｄxｍからなり、Ｙ方向配線９３はＤy１、Ｄy
２、・・・Ｄyｎのｎ本の配線よりなる。

【００４５】また多数の表面伝導型電子放出素子にほぼ
均等な電圧が供給されるように、材料、膜厚、配線幅は
適宜設定される。これらｍ本のＸ方向配線９２とｎ本の
Ｙ方向配線９３間は不図示の層間絶縁層により電気的に
分離されてマトリクス配線を形成する（ｍ、ｎはともに
正の整数）。

【００４６】不図示の層間絶縁層は、Ｘ方向配線９２を
形成した電子源基板９１の全面あるいは一部の所望の領
域に形成される。Ｘ方向配線９２とＹ方向配線９３はそ
れぞれ外部端子として引き出される。

【００４７】さらに表面伝導型電子放出素子９４の素子
電極（不図示）がｍ本のＸ方向配線９２とｎ本のＹ方向
配線９３と結線９５によって電気的に接続されている。

【００４８】また表面伝導型電子放出素子は基板あるい
は不図示の層間絶縁層上のどちらに形成してもよい。

【００４９】また詳しくは後述するが、前記Ｘ方向配線
９２にはＸ方向に配列する表面伝導型電子放出素子９４
の行を入力信号に応じて走査するための走査信号を印加
するための不図示の走査信号発生手段と電気的に接続さ
れている。

【００５０】一方、Ｙ方向配線９３には、Ｙ方向に配列
する表面伝導型電子放出素子９４の列の各列を入力信号
に応じて変調するための変調信号を印加するための不図
示の変調信号発生手段と電気的に接続されている。

【００５１】さらに、表面伝導型電子放出素子の各素子
に印加される駆動電圧はその素子に印加される走査信号
と変調信号の差電圧として供給されるものである。

【００５２】上記構成において、単純なマトリクス配線
だけで個別の素子を選択して独立に駆動可能になる。

【００５３】次に、以上のようにして作製した単純マト
リクス配線の電子源を用いた画像形成装置について、図
７、図８および図９を用いて説明する。図７は画像形成
装置の基本構成を示す図であり、図８は蛍光膜、図９は
ＮＴＳＣ方式のテレビ信号に応じて表示をするための駆
動回路のブロック図であり、その駆動回路を含む画像形
成装置を表す。

【００５４】図７において、９１は電子放出素子を基板
上に作製した電子源基板、１０８１は電子源基板９１を
固定したリアプレート、１０８６はガラス基板１０８３
の内面に蛍光膜１０８４とメタルバック１０８５等が形
成されたフェースプレート、１０８２は支持枠であり、
これらの部材によって外囲器１０８８が構成される。

【００５５】９４は電子放出素子であり、９２および９
３は表面伝導型電子放出素子の一対の素子電極と接続さ
れたＸ方向配線およびＹ方向配線である。

【００５６】外囲器１０８８は、上述のごとくフェース
プレート１０８６、支持枠１０８２、リアプレート１０
８１で構成されているが、リアプレート１０８１は主に
電子源基板９１の強度を補強する目的で設けられるた
め、電子源基板９１自体で十分な強度を持つ場合は、別
体のリアプレート１０８１は不要であり、電子源基板９
１に直接支持枠１０８２を接合し、フェースプレート１
０８６、支持枠１０８２および電子源基板９１にて外囲
器１０８８を構成してもよい。

【００５７】図８中、１０９２は蛍光体である。蛍光体
１０９２はモノクロームの場合は蛍光体のみからなる
が、カラーの蛍光膜の場合は蛍光体の配列によりブラッ
クストライプあるいはブラックマトリクスなどと呼ばれ
る黒色導電材１０９１と蛍光体１０９２とで構成され
る。ブラックストライプ（ブラックマトリクス）が設け
られる目的は、カラー表示の場合、必要となる三原色蛍
光体の各蛍光体１０９２間の塗り分け部を黒くすること
で混色等を目立たなくすることと、蛍光膜１０８４にお
ける外光反射によるコントラストの低下を抑制すること
である。ブラックストライプの材料としては、通常良く
使用される黒鉛を主成分とする材料だけでなく、導電性
があり、光の透過および反射が少ない材料であれば使用
可能である。

【００５８】ガラス基板１０９３に蛍光体を塗布する方
法としては、モノクロームであるかカラーであるかによ
らず、沈殿法や印刷法が用いられる。

【００５９】また、蛍光膜１０８４（図７）の内面側に
は通常メタルバック１０８５（図７）が設けられる。メ
タルバックの目的は、蛍光体の発光のうち内面側への光
をフェースプレート１０８６側へ鏡面反射することによ
り輝度を向上させること、電子ビーム加速電圧を印加す
るための電極として作用すること、外囲器内で発生した
負イオンの衝突によるダメージからの蛍光体の保護等で
ある。メタルバックは蛍光膜作製後、蛍光膜の内面側表
面の平滑化処理（通常フィルミングと呼ばれる）を行
い、その後Ａｌを真空蒸着等で堆積することで作製でき
る。

【００６０】フェースプレート１０８６にはさらに、蛍
光膜１０８４の導電性を高めるため、蛍光膜１０８４の
外面側に透明電極（不図示）を設けてもよい。

【００６１】前述の封着を行う際、カラーの場合は各色
蛍光体と電子放出素子とを対向させなくてはならず、十
分な位置合わせを行う必要がある。

【００６２】外囲器１０８８は不図示の排気管を通じ１
０^-7Ｔｏｒｒ程度の真空度にされ、封止が行われる。ま
た、外囲器１０８８の封止後の真空度を維持するために
ゲッター処理を行う場合もある。これは、外囲器１０８
８の封止を行う直前あるいは封止後の所定の位置（不図
示）に配置されたゲッターを加熱し、蒸着膜を形成する
処理である。ゲッターは通常Ｂａ等が主成分であり、そ
の蒸着膜の吸着作用により、例えば１×１０^-5Ｔｏｒｒ
〜１×１０^-7Ｔｏｒｒの真空度を維持するものである。
なお、表面伝導型電子放出素子の通電フォーミング以降
の工程は適宜設定される。

【００６３】次に、単純マトリクス配置型基板を有する
電子源を用いて構成した画像形成装置について、ＮＴＳ
Ｃ方式のテレビ信号に基づきテレビジョン表示を行うた
めの駆動回路概略構成を図９のブロック図を用いて説明
する。１１０１は前記表示パネルであり、また１１０２
は走査回路、１１０３は制御回路、１１０４はシフトレ
ジスタ、１１０５はラインメモリ、１１０６は同期信号
分離回路、１１０７は変調信号発生器、ＶxおよびＶaは
直流電圧源である。

【００６４】以下、各部の機能を説明する。

【００６５】まず表示パネル１１０１は端子Ｄox１〜Ｄ
oxｍ、端子Ｄoy１〜Ｄoyｎおよび高圧端子Ｈvを介して
外部の電気回路と接続している。このうち、端子Ｄox１
〜Ｄoxｍには、前記表示パネル内に設けられている電子
源、すなわちｍ行ｎ列の行列状にマトリクス配線された
表面伝導型電子放出素子群を一行（ｎ個の素子）ずつ順
次駆動していくための走査信号が印加される。

【００６６】一方、端子Ｄy１〜Ｄyｎには前記走査信号
により選択された一行の表面伝導型電子放出素子の各素
子の出力電子ビームを制御するための変調信号が印加さ
れる。また、高圧端子Ｈvには直流電圧源Ｖaより、例え
ば１０ｋＶの直流電圧が供給されるが、これは表面伝導
型電子放出素子より出力される電子ビームに蛍光体を励
起するのに十分なエネルギーを付与するための加速電圧
である。

【００６７】次に、走査回路１１０２について説明す
る。同回路は内部にｍ個のスイッチング素子を備えるも
ので（図中、Ｓ1〜Ｓmで示されている）、各スイッチン
グ素子は直流電圧源Ｖxの出力電圧もしくは０（Ｖ）
（グランドレベル）のいずれか一方を選択し、表示パネ
ル１１０１の端子Ｄx１ないしＤxｍと電気的に接続する
ものである。Ｓ1〜Ｓmの各スイッチング素子は制御回路
１１０３が出力する制御信号Ｔscanに基づいて動作する
ものであるが、実際には例えばＦＥＴのようなスイッチ
ング素子を組み合せることにより構成することが可能で
ある。

【００６８】なお、前記直流電圧源Ｖxは前記表面伝導
型電子放出素子の特性（電子放出閾値電圧）に基づき走
査されていない素子に印加される駆動電圧が電子放出閾
値以下となるような一定電圧を出力するよう設定されて
いる。

【００６９】また、制御回路１１０３は外部より入力す
る画像信号に基づいて適切な表示が行われるように各部
の動作を整合させる働きを持つものである。次に説明す
る同期信号分離回路１１０６より送られる同期信号Ｔsy
ncに基づいて各部に対してＴscan、ＴsftおよびＴmryの
各制御信号を発生する。

【００７０】同期信号分離回路１１０６は外部から入力
されるＮＴＳＣ方式のテレビ信号から同期信号成分と輝
度信号成分とを分離するための回路で周波数分離（フィ
ルター）回路を用いれば構成できるものである。同期信
号分離回路１１０６により分離された同期信号は、良く
知られるように、垂直同期信号と水平同期信号より成る
が、ここでは説明の便宜上、Ｔsync信号として図示し
た。一方、前記テレビ信号から分離された画像の輝度信
号成分を便宜上ＤＡＴＡ信号と表すが、同信号はシフト
レジスタ１１０４に入力される。

【００７１】シフトレジスタ１１０４は時系列的にシリ
アルに入力される前記ＤＡＴＡ信号を画像の１ラインご
とにシリアル／パラレル変換するためのもので、前記制
御回路１１０３より送られる制御信号Ｔsftに基づいて
動作する（すなわち、制御信号Ｔsftは、シフトレジス
タ１１０４のシフトクロックであると言い換えてもよ
い）。

【００７２】シリアル／パラレル変換された画像１ライ
ン分（電子放出素子ｎ素子分の駆動データに相当するも
の）のデータは、Ｉd１〜Ｉdｎのｎ個の並列信号として
前記シフトレジスタ１１０４より出力される。

【００７３】ラインメモリ１１０５は、画像１ライン分
のデータを必要時間の間だけ記憶するための記憶装置で
あり、制御回路１１０３より送られる制御信号Ｔmryに
従って適宜Ｉd１〜Ｉdｎの内容を記憶する。記憶された
内容はＩd１〜Ｉdｎとして出力され、変調信号発生器１
１０７に入力される。

【００７４】変調信号発生器１１０７は、前記画像デー
タＩd１〜Ｉdｎの各々に応じて表面伝導型電子放出素子
の各々を適切に駆動変調するための信号源で、その出力
信号は端子Ｄoy１〜Ｄoyｎを通じて表示パネル１１０１
内の表面伝導型電子放出素子に印加される。

【００７５】前述したように、本発明に関わる電子放出
素子は、放出電流Ｉeに対して以下の基本特性を有して
いる。すなわち、前述したように電子放出には明確な閾
値電圧Ｖthがあり、Ｖth以上の電圧を印加された時のみ
電子放出が生じる。

【００７６】また、電子放出閾値以上の電圧に対しては
素子への印加電圧の変化に応じて放出電流も変化してい
く。なお、電子放出素子の材料や構成、製造方法を変え
ることによって、電子放出閾値電圧Ｖthの値や印加電圧
に対する放出電流の変化の度合が変わる場合もあるが、
いずれにしても以下のようなことが言える。

【００７７】すなわち、本素子パルス状電圧を印加する
場合、例えば電子放出閾値以下の電圧を印加しても電子
放出は生じないが、電子放出閾値以上の電圧を印加する
場合には電子ビームが出力される。その際、第一にはパ
ルスの波高値Ｖmを変化させることにより、出力電子ビ
ームの強度を制御することが可能である。第二には、パ
ルスの幅Ｐwを変化させることにより出力される電子ビ
ームの電荷の総量を制御することが可能である。

【００７８】従って、入力信号に応じて電子放出素子を
変調する方式としては、電圧変調方式、パルス幅変調方
式等が挙げられ、電圧変調方式を実施するには変調信号
発生器１１０７としては一定の長さの電圧パルスを発生
するが入力されるデータに応じて適宜パルスの波高値を
変調するような電圧変調方式の回路を用いる。

【００７９】またパルス幅変調方式を実施するには、変
調信号発生器１１０７としては、一定波高値の電圧パル
スを発生するが入力されるデータに応じて適宜電圧パル
スの幅を変調するようなパルス幅変調方式の回路を用い
るものである。

【００８０】以上に説明した一連の動作により、本発明
の画像表示装置は表示パネル１１０１を用いてテレビジ
ョンの表示を行える。なお、上記説明中特に記載してな
かったが、シフトレジスタ１１０４やラインメモリ１１
０５はデジタル信号式のものでもアナログ信号式のもの
でもいずれでも差し支えなく、要は画像信号のシリアル
／パラレル変換や記録が所定の速度で行われればよい。

【００８１】デジタル信号式を用いる場合には、同期信
号分離回路１１０６の出力信号ＤＡＴＡをデジタル信号
化する必要があるが、これは１１０６の出力部にＡ／Ｄ
変換器を備えれば可能である。また、これと関連してラ
インメモリ１１０５の出力信号がデジタル信号かアナロ
グ信号かにより、変調信号発生器１１０７に用いられる
回路が若干異なったものとなる。

【００８２】まず、デジタル信号の場合について述べ
る。電圧変調方式においては変調信号発生器１１０７に
は、例えば良く知られるＤ／Ａ変換回路を用い、必要に
応じて増幅回路などを付け加えればよい。

【００８３】また、パルス幅変調方式の場合、変調信号
発生器１１０７は、例えば高速の発振器および発振器の
出力する波数を計数する計数器（カウンタ）および計数
器の出力値と前記メモリの出力値を比較する比較器（コ
ンパレータ）を組み合せた回路を用いることにより構成
できる。必要に応じて比較器の出力するパルス幅変調さ
れた変調信号を表面伝導型電子放出素子の駆動電圧にま
で電圧増幅するための増幅器を付け加えてもよい。

【００８４】次に、アナログ信号の場合について述べ
る。電圧変調方式においては、変調信号発生器１１０７
には、例えば良く知られるオペアンプなどを用いた増幅
回路を用いればよく、必要に応じてレベルシフト回路な
どを付け加えてもよい。またパルス幅変調方式の場合に
は、例えば良く知られた電圧制御型発振回路（ＶＣＯ）
を用いればよく、必要に応じて表面伝導型電子放出素子
の駆動電圧にまで電圧増幅するための増幅器を付け加え
てもよい。

【００８５】以上のように完成した画像表示装置におい
て、こうして各電子放出素子には、容器外端子Ｄox１〜
ＤoxｍおよびＤoy１〜Ｄoyｎを通じ、電圧を印加するこ
とにより、電子放出させ、高圧端子Ｈvを通じ、メタル
バック１０８５、あるいは透明電極（不図示）に高圧を
印加し、電子ビームを加速し、蛍光膜に衝突させ、励起
・発光させることで画像を表示することができる。

【００８６】以上述べた構成は、表示等に用いられる好
適な画像形成装置を作製する上で必要な概略構成であ
り、例えば各部材の材料等、詳細な部分は上述の内容に
限られるものではなく、画像形成装置の用途に適するよ
う適宜選択する。また、入力信号例として、ＮＴＳＣ方
式を挙げたが、これに限定するものではなく、ＰＡＬ、
ＳＥＣＡＭ方式などの諸方式でもよく、また、これより
も多数の走査線から成るＴＶ信号（例えばＭＵＳＥ方式
をはじめとする高品位ＴＶ）方式でもよい。

【００８７】次に、前述のはしご型配置電子源基板およ
びそれを用いた画像表示装置について図１０および図１
１を用いて説明する。

【００８８】図１０において、１１１０は電子源基板、
１１１１は電子放出素子、１１１２のＤx１〜Ｄx１０は
前記電子放出素子に接続する共通配線である。電子放出
素子１１１１は、基板１１１０上に、Ｘ方向に並列に複
数個配置される（これを素子行と呼ぶ）。この素子行を
複数個基板上に配置し、はしご型電子源基板となる。各
素子行の共通配線間に適宜駆動電圧を印加することで、
各素子行を独立に駆動することが可能になる。すなわ
ち、電子ビームを放出させる素子行には、電子放出閾値
以上の電圧の電子ビームを、放出させない素子行には電
子放出閾値以下の電圧を印加すればよい。また、各素子
行間の共通配線Ｄx２〜Ｄx９を、例えばＤx２、Ｄx３を
同一配線とするようにしてもよい。

【００８９】図１１は、はしご型配置の電子源を備えた
画像形成装置の構造を示す図である。１１２０はグリッ
ド電極、１１２１は電子が通過するための空孔、１１２
２はＤox１、Ｄox２・・・Ｄoxよりなる容器外端子、１
１２３はグリッド電極１１２０と接続されたＧ１、Ｇ２
・・・Ｇｎからなる容器外端子、１１２４は前述のよう
に各素子行間の共通配線を同一配線とした電子源基板で
ある。なお、図７、図１０と同一の符号は同一の部材を
示す。前述の単純マトリクス配置の画像形成装置（図
７）との違いは、電子源基板１１１０とフェースプレー
ト１０８６の間にグリッド電極１１２０を備えているこ
とである。

【００９０】基板１１１０とフェースプレート１０８６
の中間には、グリッド電極１１２０が設けられている。
グリッド電極１１２０は、表面伝導型電子放出素子から
放出された電子ビームを変調することができるもので、
はしご型配置の素子行と直交して設けられたストライプ
状の電極に電子ビームを通過させるため、各素子に対応
して１個ずつ円形の開口１１２１が設けられている。グ
リッドの形状や設置位置は必ずしも図１１のようなもの
でなくともよく、開口としてメッシュ状に多数の通過口
を設けることもあり、また例えば表面伝導型電子放出素
子の周囲や近傍に設けてもよい。

【００９１】容器外端子１１２２およびグリッド容器外
端子１１２３は、不図示の制御回路と電気的に接続され
ている。

【００９２】本画像形成装置では、素子行を１列ずつ順
次駆動（走査）していくのと同期してグリッド電極列に
画像１ライン分の変調信号を同時に印加することによ
り、各電子ビームの蛍光体への照射を制御し、画像を１
ラインずつ表示することができる。

【００９３】また、本発明によればテレビジョン放送の
表示装置のみならずテレビ会議システム、コンピュータ
等の表示装置に適した画像形成装置を提供することがで
きる。さらには感光性ドラム等で構成された光プリンタ
ーとしての画像形成装置として用いることもできる。

【００９４】

【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。

【００９５】（実施例１）フォトリソグラフィー法によ
りマトリクス状に配線された基板（図１２）に、表面伝
導型電子放出素子を作製した。表面伝導型電子放出素子
の構成としては、図１に示したものであり、その製造手
順は図２に示したものである。

【００９６】以下、図２に示した手順に従って、本発明
の素子製造方法を説明する。

【００９７】（１）基板１として石英基板を用い、それ
を洗剤、純水および有機溶剤によって十分に洗浄した
後、その基板１上に有機パラジウム含有溶液（奥野製薬
（株）製ＣＣＰ−４２３０）を液滴付与装置６として圧
電素子を用いたインクジェット噴射装置を用い、素子電
極対２・３および導電性薄膜４の幅Ｗ1が３００μｍ、
素子電極対２・３の電極間間隔Ｌ1が１０μｍ、素子電
極対２・３の厚さが１０００Å、導電性薄膜４の厚さｔ
が１００Åとなるように、液滴を付与した（図２
（ａ））。

【００９８】この時、１液滴量（１ドット）を６０μｍ
³とし、素子電極２および３の部分を形成する際は、１
０回の液滴付与を導電性薄膜４の部分については１回の
液滴付与を行った。

【００９９】（２）次に、３００℃で１０分間の加熱処
理を行って、酸化パラジウム（ＰｄＯ）微粒子からなる
微粒子膜を形成し、導電性薄膜４と素子電極対２・３と
した（図２（ｂ））。

【０１００】（３）次に、電極対２・３の間に電圧を印
加し、導電性薄膜４を通電処理（通電フォーミング）す
ることにより、電子放出部５を形成した（図２
（ｃ））。

【０１０１】こうして作製された表面伝導型電子放出素
子が基板上に多数形成された電子源基板を用いて、前述
したようにフェースプレート１０８６、支持枠１０８
２、リアプレート１０８１とで外囲器１０８８を形成
し、封止を行って表示パネル、さらには図９に示すよう
なＮＴＳＣ方式のテレビ信号に基づきテレビジョン表示
を行うための駆動回路を有する画像形成装置を作製し
た。その結果、問題のない良好な画像を形成する装置を
得ることができた。

【０１０２】以上のように、上記の本実施例で示した製
造方法で作製した電子放出素子は何ら問題のない良好な
特性を示したばかりか、液滴を付与し、素子電極対２・
３、導電性薄膜４を形成することにより、素子電極対２
・３および導電性薄膜４のパターン形成の工程を行わず
に素子を形成することができた。また、パターン形成す
る領域に対してのみ液滴付与を行うことができることか
ら、原料となる溶液の無駄を省くことができ、コスト的
に有利である。

【０１０３】さらに、本実施例で得られた電子源基板、
電子源、表示パネルおよび画像形成装置はそれぞれ良好
な特性を示した。

【０１０４】（実施例２）実施例１と同様の方法で、素
子電極幅（Ｗ1）６００μｍ、素子電極対間隔（Ｌ1）２
μｍ、素子電極部分の厚さ１０００Åの表面伝導型電子
放出素子がはしご状に形成され、配線された電子源基板
（図１３）を用い、実施例１と同様な方法でフェースプ
レート１０８６、支持枠１０８２、リアプレート１０８
１とで外囲器１０８８を形成し、封止を行なって表示パ
ネル、さらには図９に示すようなＮＴＳＣ方式のテレビ
信号に基づきテレビジョン表示を行うための駆動回路を
有する画像形成装置を作製した。その結果、実施例１と
同様の良好な画像形成装置を得ることができた。

【０１０５】（実施例３）マトリクス状に配線を形成し
た基板（図１２）を用い、バブルジェット方式のインク
ジェット装置を用い、実施例１と同様に表面伝導型電子
放出素子を作製して電子源基板を得た。得られた電子源
基板を用いて、実施例１と同様な方法でフェースプレー
ト１０８６、支持枠１０８２、リアプレート１０８１と
で外囲器１０８８を形成し、封止を行ない表示パネル、
さらには図９に示すようなＮＴＳＣ方式のテレビ信号に
基づきテレビジョン表示を行うための駆動回路を有する
画像形成装置を作製した。その結果、実施例１と同様の
良好な画像形成装置を得ることができた。

【０１０６】（実施例４）図１３のようなはしご状配線
の基板を用い、バブルジェット方式のインクジェット装
置を用い、実施例１と同様に表面伝導型電子放出素子お
よび電子源基板を作製した。得られた電子源基板を用い
て、実施例１と同様な方法でフェースプレート１０８
６、支持枠１０８２、リアプレート１０８１とで外囲器
１０８８を形成し、封止を行ない表示パネル、更にはＮ
ＴＳＣ方式のテレビ信号に基づきテレビジョン表示を行
うための駆動回路を有する画像形成装置を作製した。実
施例３と同様の良好な画像形成装置を得ることができ
た。

【０１０７】（実施例５）本実施例は、素子電極対２・
３、導電性薄膜４を形成する溶液として酢酸Ｐｄを水に
０．０５ｗｔ％含有した溶液を用いた以外は実施例１と
同様にして表面伝導型電子放出素子および電子源基板を
得た。その結果、金属含有溶液が異なっているにもかか
わらず、実施例１と同様の特性の優れた素子を配列した
電子源基板を得ることができた。

【０１０８】得られた電子源基板を用いて、実施例１と
同様な方法でフェースプレート１０８６、支持枠１０８
２、リアプレート１０８１とで外囲器１０８８を形成
し、封止を行ない表示パネル、さらには図９に示すよう
なＮＴＳＣ方式のテレビ信号に基づきテレビジョン表示
を行うための駆動回路を有する画像形成装置を作製し
た。その結果、実施例１と同様の良好な画像形成装置を
得ることができた。

【０１０９】（実施例６）本実施例では、図１に示した
導電性薄膜４の幅Ｗ1を１００μｍとした以外は、実施
例１と同様にして表面伝導型電子放出素子および電子源
基板を作製した。その結果、実施例１と同様良好な表面
伝導型電子放出素子および電子源基板が得られた。

【０１１０】得られた電子源基板を用いて、実施例１と
同様な方法でフェスプレート１０８６、支持枠１０８
２、リアプレート１０８１とで外囲器１０８８を形成
し、封止を行ない表示パネル、さらには図９に示すよう
なＮＴＳＣ方式のテレビ信号に基づきテレビジョン表示
を行うための駆動回路を有する画像形成装置を作製し
た。その結果、実施例１と同様の良好な画像形成装置を
得ることができた。

【０１１１】（実施例７）本実施例では、１液滴量（１ドット）を３０μｍ³と
し、素子電極対２・３の部分を形成する液滴付与回数を
２０回、導電性薄膜４を形成する際の回数を２回とした
以外は実施例１と同様に表面伝導型電子放出素子および
電子源基板を作製した。その結果、実施例１と同様良好
な表面伝導型電子放出素子および電子源基板が得られ
た。

【０１１２】得られた電子源基板を用いて、実施例１と
同様な方法でフェスプレート１０８６、支持枠１０８
２、リアプレート１０８１とで外囲器１０８８を形成
し、封止を行ない表示パネル、さらには図９に示すよう
なＮＴＳＣ方式のテレビ信号に基づきテレビジョン表示
を行うための駆動回路を有する画像形成装置を作製し
た。その結果、実施例１と同様の良好な画像形成装置を
得ることができた。

【０１１３】（実施例８）本実施例では、図３に示したように、素子電極対２・３
を焼成によって形成（図３（ｂ））した後に、導電性薄
膜４を焼成によって形成（図３（ｄ））した以外は実施
例１と同様にして表面伝導型電子放出素子および電子源
を作製した。

【０１１４】その結果、素子電極対２・３と導電性薄膜
４の形成を別個に行ったにもかかわらず、実施例１と同
様の良好な表面伝導型電子放出素子および電子源基板が
得られた。

【０１１５】得られた電子源基板を用いて、実施例１と
同様な方法でフェスプレート１０８６、支持枠１０８
２、リアプレート１０８１とで外囲器１０８８を形成
し、封止を行ない表示パネル、さらには図９に示すよう
なＮＴＳＣ方式のテレビ信号に基づきテレビジョン表示
を行うための駆動回路を有する画像形成装置を作製し
た。その結果、実施例１と同様の良好な画像形成装置を
得ることができた。

【０１１６】（実施例９：参考例）本実施例では、素子電極対２・３と薄膜４とを同じ膜厚
（図１のｔ＝１０００Å）で形成した以外は実施例１と
同様にして表面伝導型電子放出素子および電子源を作製
した。

【０１１７】その結果、素子電極対２・３と導電性薄膜
４の形成を別個に行ったにもかかわらず、実施例１と同
様の良好な表面伝導型電子放出素子および電子源基板が
得られた。

【０１１８】得られた電子源基板を用いて、実施例１と
同様な方法でフェスプレート１０８６、支持枠１０８
２、リアプレート１０８１とで外囲器１０８８を形成
し、封止を行ない表示パネル、さらには図９に示すよう
なＮＴＳＣ方式のテレビ信号に基づきテレビジョン表示
を行うための駆動回路を有する画像形成装置を作製し
た。その結果、実施例１と同様の良好な画像形成装置を
得ることができた。

【０１１９】

【発明の効果】以上述ベてきたように、本発明によれ
ば、素子電極対および導電性薄膜の材料となる金属元素
含有液を、液滴の状態で所望の量だけ基板の所望の位置
に付与することができることから、製造工程を減らすこ
とができ、素子電極対と導電性薄膜の膜厚を所望に応じ
て制御することができ、良好な表面伝導型電子放出素子
を大面積に形成することができ、特性の優れた電子源、
電子源基板、表示パネルおよび画像形成装置を得ること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の表面伝導型電子放出素子の構成を示す
模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図であ
る。

【図２】図１の素子を製造する本発明の素子製造方法の
手順を示す工程図である。

【図３】本発明の素子製造方法の別の実施態様の手順を
示す工程図である。

【図４】通電フォーミングの電圧波形の１例を示すグラ
フであり、（ａ）はパルス波高値一定の場合、（ｂ）は
パルス波値高が増加する場合を示す。

【図５】電子放出特性を測定するための測定評価装置の
概略構成図である。

【図６】本発明の単純マトリクス配置の電子源の１例を
示す模式的部分平面図である。

【図７】本発明の画像形成装置の１例の概略構成図であ
る。

【図８】蛍光膜の構成を示す模式的部分図であり、
（ａ）はブラックストライプの設けられたもの、（ｂ）
はブラックマトリクスの設けられたものの図である。

【図９】本発明の画像形成装置の１例における駆動回路
であって、ＮＴＳＣ方式のテレビ信号に応じて表示を行
うための駆動回路のブロック図である。

【図１０】はしご配置の電子源の模式的部分平面図であ
る。

【図１１】本発明の画像形成装置の別の例の概略構成図
である。

【図１２】実施例１で用いたマトリクス状配線と素子電
極を有する基板の模式的平面図である。

【図１３】実施例２で用いたはしご状配線と素子電極を
有する基板の模式的平面図である。

【図１４】従来の表面伝導型電子放出素子の１例の模式
的平面図である。

【図１５】従来の表面伝導型電子放出素子の別の１例の
概観斜視図である。

【符号の説明】

１基板２、３素子電極４導電性薄膜５電子放出部６液滴付与装置７液滴８０電流計８１電源８２電流計８３高圧電源８４アノード電極８５真空装置８６排気ポンプ９１電子源基板９２Ｘ方向配線９３Ｙ方向配線９４表面伝導型電子放出素子９５結線１０８１リアプレート１０８２支持枠１０８３ガラス基板１０８４蛍光膜１０８５メタルバック１０８６フェースプレート１０８７高圧端子１０８８外囲器１０９１黒色導電材１０９２蛍光体１０９３ガラス基板１１０１表示パネル１１０２走査回路１１０３制御回路１１０４シフトレジスタ１１０５ラインメモリ１１０６同期信号分離回路１１０７変調信号発生器１１１０電子源基板１１１１電子放出素子１１１２共通配線１１２０グリッド電極１１２１空孔１１２２容器外端子１１２３容器外端子１１２４電子源基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開平１−296532（ＪＰ，Ａ) 特開昭64−5095（ＪＰ，Ａ) 特開昭62−181490（ＪＰ，Ａ) 特開昭63−20041（ＪＰ，Ａ) 特開昭64−64290（ＪＰ，Ａ) 特開平４−121702（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01J 9/02 H05K 3/10 - 3/12 H01B 13/00

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも、金属元素を含有する溶液を
インクジェット方式により液滴の状態で基板上の所定の
位置に付与して、互いに対向して配置される２つの素子
電極からなる素子電極対および該素子電極対間に位置す
る導電性薄膜を、該素子電極対の膜厚より該導電性薄膜
の膜厚が小さくなるように形成する工程、ならびに該導
電性薄膜に通電処理を行って電子放出部を形成する工程
を有して成る電子放出素子の製造方法。
【請求項２】前記素子電極対および前記導電性薄膜の
膜厚を、付与する液滴１滴の量および液滴数によって制
御する請求項１記載の電子放出素子の製造方法。
【請求項３】前記インクジェット方式が、熱エネルギ
ーによって溶液内に気泡を形成させて該溶液を液滴とし
て吐出させる方式である請求項１記載の電子放出素子の
製造方法。
【請求項４】前記インクジェット方式が、圧電素子に
よって溶液を液滴として吐出させる方式である請求項１
記載の電子放出素子の製造方法。
【請求項５】少なくとも、金属元素を含有する溶液を
インクジェット方式により液滴の状態で基板上の所定の
位置に付与して、互いに対向して配置される２つの素子
電極からなる素子電極対および該素子電極対間に位置す
る導電性薄膜を、該素子電極対の膜厚より該導電性薄膜
の膜厚が小さくなるように複数個形成する工程、ならび
に該導電性薄膜に通電処理を行って電子放出部を形成す
る工程を行って複数個の電子放出素子を形成する電子源
基板の製造方法。
【請求項６】前記素子電極対および前記導電性薄膜の
膜厚を、付与する液滴１滴の量および液滴数によって制
御する請求項５記載の電子源基板の製造方法。
【請求項７】前記インクジェット方式が、熱エネルギ
ーによって溶液内に気泡を形成させて該溶液を液滴とし
て吐出させる方式である請求項５記載の電子源基板の製
造方法。
【請求項８】前記インクジェット方式が、圧電素子に
よって溶液を液滴として吐出させる方式である請求項５
記載の電子源基板の製造方法。
【請求項９】少なくとも、金属元素を含有する溶液を
インクジェット方式により液滴の状態で基板上の所定の
位置に付与して、互いに対向して配置される２つの素子
電極からなる素子電極対および該素子電極対間に位置す
る導電性薄膜を、該素子電極対の膜厚より該導電性薄膜
の膜厚が小さくなるように複数個形成する工程、ならび
に該導電性薄膜に通電処理を行って電子放出部を形成す
る工程を行って複数個の電子放出素子を形成する工程、
それらの素子を配線によって接続する工程を有してなる
電子源基板の製造方法。
【請求項１０】前記素子電極対および前記導電性薄膜
の膜厚を、付与する液滴１滴の量および液滴数によって
制御する請求項９記載の電子源基板の製造方法。
【請求項１１】前記インクジェット方式が、熱エネル
ギーによって溶液内に気泡を形成させて該溶液を液滴と
して吐出させる方式である請求項９記載の電子源基板の
製造方法。
【請求項１２】前記インクジェット方式が、圧電素子
によって溶液を液滴として吐出させる方式である請求項
９記載の電子源基板の製造方法。