JPH09219149A - 電子放出素子、電子源基板および画像形成装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 低コストでかつ容易に大面積に表面伝導型電
子放出素子を形成する。 【解決手段】 一対の素子電極２，３間を連絡する導電
性薄膜４の一部に電子放出部５を形成された電子放出素
子を製造する方法において、絶縁性基板１上に絶縁層６
を介して互いに交差する一対の素子電極２，３を形成
し、該交差部において該交差部上側の素子電極２および
前記絶縁層６に該交差部下側の素子電極３まで到達する
凹部９を形成し、該凹部内に導電膜形成材料を含む溶液
を液滴の状態で付与することにより、前記導電性薄膜４
を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は電子放出素子、電子
源基板および画像形成装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、電子放出素子として熱電子源と冷
陰極電子源の２種類が知られている。冷陰極電子源には
電界放出型（以下、「ＦＥ型」と略す）、金属／絶縁層
／金属型（以下、「ＭＩＭ型」と略す）や表面伝導型電
子放出素子等がある。ＦＥ型の例としてはＷ．Ｐ．Ｄｙ
ｋｅ＆Ｗ．Ｗ．Ｄｏｌａｎ、“Ｆｉｅｌｄ ｅｍｉｓｓ
ｉｏｎ”、Ａｄｖａｎｃｅ ｉｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ
Ｐｈｙｓｉｃｓ、８ ８９（１９５６）あるいはＣ．
Ａ．Ｓｐｉｎｄｔ、“Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｐｒｏｐｅｒ
ｔｉｅｓ ｏｆ ｔｈｉｎ−ｆｉｌｍ ｆｉｅｌｄ ｅ
ｍｉｓｓｉｏｎ ｃａｔｈｏｄｅｓ ｗｉｔｈ ｍｏｌ
ｙｂｄｅｎｉｕｍ”、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，４７
５２４８（１９７６）等が知られている。

【０００３】ＭＩＭ型の例としてはＣ．Ａ．Ｍｅａｄ、
“Ｔｈｅ ｔｕｎｎｅｌ−ｅｍｉｓｓｉｏｎ ａｍｐｌ
ｉｆｉｅｒ”、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．、３２ ６４
６（１９６１）等が知られている。

【０００４】表面伝導型電子放出素子型の例としては、
Ｍ．Ｉ．Ｅｌｉｎｓｏｎ、Ｒａｄｉｏ Ｅｎｇ．Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎ Ｐｈｙｓ．、１０（１９６５）等がある。
表面伝導型電子放出素子は、基板上に形成された小面積
の薄膜に、膜面に平行に電流を流すことにより、電子放
出が生ずる現象を利用するものである。この表面伝導型
電子放出素子としては、前記エリンソン等によるＳｎＯ
₂ 薄膜を用いたもの、Ａｕ薄膜によるもの［Ｇ．Ｄｉｔ
ｔｍｅｒ：“Ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ”、９
３１７（１９７２）］、Ｉｎ₂ Ｏ₃ ／ＳｎＯ₂ 薄膜に
よるもの［Ｍ．Ｈａｒｔｗｅｌｌ ａｎｄ Ｃ．Ｇ．Ｆ
ｏｎｓｔａｄ：“ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．ＥＤ Ｃｏｎ
ｆ．”、５１９（１９７５）］、カーボン薄膜によるも
の［荒木久他：“真空”、第２６巻、第１号、２２頁
（１９８３）］等が報告されている。

【０００５】これらの表面伝導型電子放出素子の典型的
な素子構成として前述のＭ．ハートウェルの素子構成を
図１２に示す。同図において１は基板である。４は導電
性薄膜で、スパッタによりＨ型形状のパターンに形成さ
れた金属酸化物薄膜等からなり、後述の通電フォーミン
グと呼ばれる通電処理により電子放出部５が形成され
る。図中の素子電極間隔Ｌは０．５ｍｍ〜１ｍｍ、導電
性薄膜４の幅Ｗ’は０．１ｍｍに設定されている。な
お、電子放出部５の位置および形状は、不確定なため模
式的に表してある。

【０００６】従来、これらの表面伝導型電子放出素子に
おいては、電子放出を行なう前に導電性薄膜４に予め通
電フォーミングと呼ばれる通電処理を施して電子放出部
５を形成するのが一般的であった。即ち、通電フォーミ
ングとは前記導電性薄膜４の両端に直流電圧あるいは非
常にゆっくりとした昇電圧、例えば１Ｖ／分程度を印加
通電し、導電性薄膜を局所的に破壊、変形もしくは変質
せしめ、電気的に高抵抗な状態にした電子放出部５を形
成することである。なお、電子放出部５は導電性薄膜４
の一部に亀裂が発生しその亀裂付近から電子放出が行な
われる。前記通電フォーミング処理をした表面伝導型電
子放出素子は、上述の導電性薄膜４に電圧を印加し、素
子に電流を流すことにより上述の電子放出部５より電子
を放出せしめるものである。

【０００７】上述の表面伝導型放出素子は構造が単純で
製造も容易であることから大面積にわたり多数の素子を
配列形成できる利点がある。そこでこの特徴を生かせる
ような色々な応用が研究されている。例えば、荷電ビー
ム源、画像表示装置等の表示装置があげられる。

【０００８】図１３は、特開平２−５６８２２号に開示
されている電子放出素子の構成を示す。同図において１
は基板、２および３は素子電極、４は導電性薄膜、５は
電子放出部である。この電子放出素子の製造方法として
は、様々な方法があるが、例えば基板１に一般的な真空
蒸着技術や、フォトリソグラフィ技術により素子電極
２，３を形成する。次いで導電性薄膜４は分散塗布法等
によって形成する。その後、素子電極２，３に電圧を印
加し通電処理を施すことによって電子放出部５を形成す
る。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
例による製造方法は、半導体プロセスを主とする方法で
製造するものであるために、現行の技術では大面積に電
子放出素子を形成することが困難であり、かつ特殊で高
価な製造装置を必要とし、生産コストが高いといった欠
点があった。

【００１０】そこで本発明の目的は、低コストでかつ容
易に大面積に表面伝導型電子放出素子を形成する製造方
法およびその電子放出素子を有する電子源基板や画像形
成装置を提供するものである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべくな
された本発明の電子放出素子の製造方法は、垂直型表面
伝導型電子放出素子（以下ＳＣＥと略す）の製造方法で
あって、一対の素子電極間を連絡する導電性薄膜の一部
に電子放出部を有する電子放出素子を製造する方法にお
いて、絶縁性基板上に絶縁層を介して互いに交差する一
対の素子電極を形成し、該交差部において該交差部上部
の素子電極および絶縁層に該交差部下部の素子電極まで
到達する凹部を形成し、該凹部内に導電膜形成材料を含
む溶液を液滴の状態で付与することにより、前記導電性
薄膜層を形成することを特徴とする。

【００１２】前記導電膜形成材料を含む溶液の液滴は、
インクジェット方式で付与されることが望ましく、この
インクジェット方式は熱的エネルギーの付与により気泡
を発生させ液滴を吐出させる方式であることがより好ま
しい。

【００１３】また、本発明により製造される電子放出素
子の電子放出部の膜厚は、前記導電膜形成材料を含む溶
液の液滴を付与する際の液滴量や液滴数によって制御す
ることができる。

【００１４】本発明に係る電子源基板は、絶縁基板上に
複数の電子放出素子が配列され、該電子放出素子間配線
および該素子への電圧印加用端子を形成された電子源基
板であり、各々の電子放出素子は、上述の方法で作成さ
れる。

【００１５】この電子源基板は、例えば、前記の素子電
極を形成する際、一方を前記絶縁基板上に連続的に接続
して列方向配線とし、他方を絶縁層を介して交差させ、
連続的に接続して行方向配線とし、該行方向配線および
絶縁層の交差部（内）に列方向配線まで到達する凹部を
連続的に形成し、該凹部内に導電性薄膜形成用の材料溶
液の液滴を連続的に付与し、電子放出部を形成する。

【００１６】本発明の画像形成装置は、電子源としての
電子放出素子と、該素子への電圧印加手段と、該素子か
ら放出される電子を受けて発光する発光体と、外部信号
に基づいて該素子へ印加する電圧を制御する駆動回路と
を具備し、該電子放出素子は上述の方法で製造される。

【００１７】

【作用】本発明によれば、以上の方法によりフォトリソ
グラフィ技術を用いることなく微粒子膜（導電性薄膜）
を形成できるため、低コストでかつ容易に大面積に電子
放出素子を製造することができる。また、一対の素子電
極の交差部の凹部に液滴として注入することによって電
子放出部を形成するための微粒子膜パターンをセルフア
ライメント的に形成できるためアライメント精度も高い
ものを必要とせず、歩留りを向上させることができる。

【００１８】

【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の実施例を
説明する。

【００１９】図１は本発明の一実施例に係る垂直型表面
伝導型電子放出素子の基本的な構成を示す模式的平面図
およびそのＡ−Ａ’断面図である。

【００２０】図１において、１は基板、２，３は素子電
極として機能する配線、４は導電性薄膜、５は電子放出
部、６は絶縁膜、９は凹部である。

【００２１】基板１としては、石英ガラス、Ｎａ等の不
純物含有量の少ないガラス、青板ガラス、ＳｉＯ₂ を表
面に形成したガラス基板およびアルミナ等のセラミック
ス基板等が用いられる。

【００２２】素子電極２，３の材料としては一般的な導
電体が用いられ、例えばＮｉ，Ｃｒ，Ａｕ，Ｍｏ，Ｗ，
Ｐｔ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｐｄ等の金属あるいは合金、
Ｐｄ，Ａｇ，Ａｕ，ＲｕＯ₂ ，Ｐｄ−Ａｇ等の金属ある
いは金属酸化物とガラス等から構成される印刷導体、Ｉ
ｎ₂ Ｏ₃ −ＳｎＯ₂ 等の透明導電体、およびポリシリコ
ン等の半導体材料等から適宜選択される。

【００２３】素子電極間隔Ｌは、好ましくは数百Å〜数
百μｍである。また、通電フォーミング時、素子電極間
に印加する電圧は低い方が望ましく、電子放出部５は位
置再現性良く作成することが要求されるため、より好ま
しい素子電極間隔は数μｍ〜数十μｍである。導電性薄
膜４の幅Ｗ１は、電極の抵抗値、電子放出特性から数μ
ｍ〜数百μｍが好ましい。また素子電極２，３の膜厚ｄ
₁ ，ｄ₂ は、数百Å〜数μｍが好ましい。

【００２４】導電性薄膜４は良好な電子放出特性を得る
ために微粒子で構成された微粒子膜が特に好ましい。そ
の膜厚は素子電極２，３へのステップカバレージ、素子
電極２，３間の抵抗値および後述する通電フォーミング
条件等によって、適宜設定されるが、好ましくは数Å〜
数千Åで、特に好ましくは１０Å〜５００Åである。そ
のシート抵抗値は１０³ 〜１０⁷ Ω／□である。

【００２５】また導電性薄膜４を構成する材料は、Ｐ
ｄ，Ｐｔ，Ｒｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｔｉ，Ｉｎ，Ｃｕ，Ｃ
ｒ，Ｆｅ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｔａ，Ｗ，Ｐｂ等の金属、Ｐｄ
Ｏ，ＳｎＯ₂ ，Ｉｎ₂ Ｏ₃ ，ＰｂＯ，Ｓｂ₂ Ｏ₃ 等の酸
化物、ＨｆＢ₂ ，ＺｒＢ₂ ，ＬａＢ₆ ，ＣｅＢ₆ ，ＹＢ
₄ ，ＧｄＢ₄ 等の硼化物、ＴｉＣ，ＺｒＣ，ＨｆＣ，Ｔ
ａＣ，ＳｉＣ，ＷＣ等の炭化物、ＴｉＮ，ＺｒＮ，Ｈｆ
Ｎ等の窒化物、Ｓｉ，Ｇｅ等の半導体、およびカーボン
等があげられる。

【００２６】なお、ここで述べる微粒子膜とは複数の微
粒子が集合した膜であり、その微細構造として、微粒子
が個々に分散配置した状態のみならず、微粒子が互いに
隣接、あるいは重なり合った状態（島状も含む）の膜を
さしており、微粒子の粒径は数Å〜数千Åであり、好ま
しくは１０Å〜２００Åである。

【００２７】図２は本発明の製造方法、図３は本発明の
製造方法により作製される表面伝導型電子放出素子の一
例を示す図である。

【００２８】図２および図３において、１は基板、２，
３は素子電極、４は導電性薄膜、５は電子放出部、６は
絶縁膜、７は液滴付与装置、８は液滴であり、９は上部
の素子電極２と絶縁層６を通して設けられた凹部であ
る。

【００２９】液滴付与装置７としては、任意の液滴を形
成できる装置であればどのような装置でもかまわない
が、特に十数ｎｇから数十ｎｇ程度の範囲で制御が可能
で、かつ数十ｎｇ程度以上の微少量の液滴が容易に形成
できるインクジェット方式の装置がよい。また、液滴の
材料としては、液滴が形成できる状態であればどのよう
な状態でもかまわないが、水、溶剤等に前述の金属等を
分散、溶解した溶液や、有機金属溶液等がある。

【００３０】まず、絶縁性基板１を有機溶剤等で充分洗
浄し乾燥させた後、真空蒸着技術およびフォトリソグラ
フィ技術を用いて、絶縁膜６を介して交差する素子電極
２，３を形成し、さらに交差部内にその交差部上の素子
電極２および絶縁膜６にもう一方の素子電極３にまで到
達する凹部９を形成する（図２（ａ））。

【００３１】次に上記基板の凹部９に液滴付与装置７を
用いて導電性薄膜４を形成する材料溶液の液滴８を注入
・付与した（図２（ｂ））後、３００℃から６００℃の
温度で加熱処理し溶媒を蒸発させて導電性薄膜４を形成
する（図２（ｃ））。

【００３２】電子放出部５は導電性薄膜４の一部に形成
された高抵抗の亀裂であり、通電フォーミング等により
形成される。また亀裂内には数Åから数百Åの粒径の導
電性微粒子を有することもある。この導電性微粒子は導
電性薄膜４を構成する物質の少なくとも一部の元素を含
んでいる。また電子放出部５およびその近傍の導電性薄
膜４は炭素あるいは炭素化合物を有することもある。

【００３３】通電フォーミングは素子電極２，３間に不
図示の電源より通電を行ない、導電性薄膜４を局所的に
破壊、変形もしくは変質せしめ、構造を変化させた部位
を形成させるものである。この局所的に構造変化させた
部位を電子放出部５と呼ぶ（図２（ｄ））。通電フォー
ミングの電圧波形の例を図４に示す。

【００３４】電圧波形は特にパルス波形が好ましく、パ
ルス波高値が一定の電圧パルスを連続的に印加する場合
（図４（ａ））とパルス波高値を増加させながら、電圧
パルスを印加する場合（図４（ｂ））とがある。まずパ
ルス波高値を一定電圧とした場合（図４（ａ））につい
て説明する。

【００３５】図４（ａ）におけるＴ１およびＴ２は電圧
波形のパルス幅とパルス間隔であり、Ｔ１を１μ秒〜１
０ｍ秒、Ｔ２を１０μ秒〜１００ｍ秒とし、三角波の波
高値（通電フォーミング時のピーク電圧）は表面伝導型
電子放出素子の形態に応じて適宜選択し、適当な真空
度、例えば１０^-5ｔｏｒｒ程度の真空雰囲気下で、数秒
から数十分印加する。なお、素子電極間に印加する波形
は三角波に限定されるものではなく、矩形波など所望の
波形を用いても良い。

【００３６】図４（ｂ）におけるＴ１およびＴ２は、図
４（ａ）と同様であり、三角波の波高値（通電フォーミ
ング時のピーク電圧）は、例えば０．１Ｖステップ程度
づつ増加させ適当な真空雰囲気下で印加する。

【００３７】なお、この場合の通電フォーミング処理は
パルス間隔Ｔ２中に、導電性薄膜４を局所的に破壊、変
形しない程度の電圧、例えば０．１Ｖ程度の電圧で素子
電流を測定して抵抗値を求め、その抵抗値が例えば１Ｍ
オーム以上の抵抗を示した時に通電フォーミング終了と
する。

【００３８】次に通電フォーミングが終了した素子に活
性化工程と呼ぶ処理を施すことが望ましい。活性化工程
とは、例えば１０^-4〜１０^-5ｔｏｒｒ程度の真空度で、
通電フォーミング同様、パルス波高値が一定の電圧パル
スを繰り返し印加する処理のことであり、真空中に存在
する有機物質に起因する炭素あるいは炭素化合物を導電
薄膜上に堆積させ素子電流Ｉｆ、放出電流Ｉｅを著しく
変化させる処理である。活性化工程は素子電流Ｉｆと放
出電流Ｉｅを測定しながら、例えば放出電流Ｉｅが飽和
した時点で終了する。また印加する電圧パルスは動作駆
動電圧（完成した電子放出素子を動作させるときの電
圧）で行なうことが好ましい。

【００３９】なお、ここで炭素あるいは炭素化合物とは
グラファイト（単、多結晶双方を指す）、非晶質カーボ
ン（非晶質カーボンと多結晶グラファイトの混合物を指
す）であり、その膜厚は５００Å以下が好ましく、より
好ましくは３００Å以下である。

【００４０】こうして作成した電子放出素子をフォーミ
ング工程および活性化処理工程における真空度よりも高
い真空度の雰囲気下に置いて動作駆動させるのが良い。
またさらに高い真空度の雰囲気下で、８０℃〜１５０℃
の加熱後動作駆動させることが望ましい。

【００４１】なお、フォーミング工程および活性化処理
工程における真空度より高い真空度とは、例えば約１０
^-6以上の真空度であり、より好ましくは超高真空系であ
り、新たに炭素あるいは炭素化合物が導電薄膜上にほと
んど堆積しない真空度である。こうすることによって素
子電流Ｉｆ、放出電流Ｉｅを安定化させることが可能に
なる。

【００４２】次に本発明の画像形成装置の製造方法につ
いて述べる。画像形成装置に用いられる電子源基板は複
数の表面伝導型電子放出素子を基板上に配列することに
より形成される。

【００４３】表面伝導型電子放出素子の配列の方式には
表面伝導型電子放出素子を並列に配置し、個々の素子の
両端を配線で接続するはしご型配置（以下はしご型配置
電子源基板と呼ぶ）や、表面伝導型電子放出素子の一対
の素子電極にそれぞれＸ方向配線、Ｙ方向配線を接続し
た単純マトリクス配置（以下マトリクス型配置電子源基
板と呼ぶ）が挙げられる。なお、はしご型配置電子源基
板を有する画像形成装置には電子放出素子からの電子の
飛翔を制御する電極である制御電極（グリッド電極）を
必要とする。図５は、図１の表面伝導型電子放出素子を
用いたマトリクス型配置電子源基板の一例を示す平面図
およびそのＣ−Ｃ’断面図である。

【００４４】以下、本発明の電子源の構成について、図
６を用いて説明する。６１は電子源基板、６２はＸ方向
配線、６３はＹ方向配線、６４は表面伝導型電子放出素
子、６５は結線である。

【００４５】同図において電子源基板６１に用いる基板
は前述したガラス基板等であり、用途に応じて形状が適
宜設定される。ｍ本のＸ方向配線６２は、ＤＸ１，ＤＸ
２，・・・・・・，ＤＸｍからなり、Ｙ方向配線６３はＤＹ
１，ＤＹ２，・・・・・・，ＤＹｎのｎ本の配線よりなる。ま
た多数の表面伝導型素子にほぼ均等な電圧が供給される
ように材料、膜厚、配線幅が適宜設定される。これらｍ
本のＸ方向配線６２とｎ本のＹ方向配線６３間は不図示
の層間絶縁層により電気的に分離されてマトリックス配
線を構成する（ｍ，ｎは共に正の整数）。

【００４６】不図示の層間絶縁層はＸ方向配線６２を形
成した基板６１の全面あるいは一部の所望の領域に形成
される。Ｘ方向配線６２とＹ方向配線６３はそれぞれ外
部端子として引き出される。さらに表面伝導型放出素子
６４がｍ本のＸ方向配線６２とｎ本のＹ方向配線６３と
結線６５によって電気的に接続されている。

【００４７】表面伝導型電子放出素子は基板あるいは不
図示の層間絶縁層上のどちらに形成してもよい。また、
詳しくは後述するが、前記Ｘ方向配線６２にはＸ方向に
配列する表面伝導型放出素子６４の行を入力信号に応じ
て走査するための走査信号を印加するための不図示の走
査信号発生手段と電気的に接続されている。

【００４８】一方、Ｙ方向配線６３にはＹ方向に配列す
る表面伝導型放出素子６４の列の各列を入力信号に応じ
て、変調するための変調信号を印加するための不図示の
変調信号発生手段と電気的に接続されている。さらに表
面伝導型電子放出素子の各素子に印加される駆動電圧は
当該素子に印加される走査信号と変調信号の差電圧とし
て供給されるものである。上記構成において、単純なマ
トリクス配線だけで個別の素子を選択して独立に駆動可
能になる。

【００４９】つぎに以上のようにして作成した単純マト
リクス配置の電子源を用いた画像形成装置について、図
７、図８および図９を用いて説明する。図７は画像形成
装置を構成する表示パネルの基本構成図であり、図８は
蛍光膜を示す。図９はＮＴＳＣ方式のテレビ信号に応じ
て表示するための駆動回路のブロック図を示し、その駆
動回路を含む画像形成装置を表わす。

【００５０】図７において６１は電子放出素子を基板上
に作製した電子源基板、７１は電子源基板６１を固定し
たリアプレート、７６はガラス基板７３の内面に蛍光膜
７４とメタルバック７５等が形成されたフェースプレー
ト、７２は支持枠であり、リアプレート７１、支持枠７
２およびフェースプレート７６をフリットガラス等を塗
布し、大気中あるいは窒素中で４００〜５００度で１０
分以上焼成することで封着して外囲器７８を構成する。

【００５１】図７において５は図１における電子放出部
に相当する。６２，６３は表面伝導型電子放出素子の一
対の素子電極に接続されたＸ方向配線およびＹ方向配線
である。

【００５２】外囲器７８は、上述の如くフェースプレー
ト７６、支持枠７２、リアプレート７１で構成したが、
リアプレート７１は主に電子源基板６１の強度を補強す
る目的で設けられるため、電子源基板６１自体で十分な
強度を持つ場合は別体のリアプレート７１は不要であ
り、電子源基板６１に直接支持枠７２を封着し、フェー
スプレート７６、支持枠７２、電子源基板６１にて外囲
器７８を構成しても良い。またさらにはフェースプレー
ト７６、リアプレート７１間に、スペーサーとよばれる
耐大気圧支持部材を設置することで大気圧に対して十分
な強度をもつ外囲器７８にすることもできる。

【００５３】図８中、８２は蛍光体である。螢光膜７４
（図７）は、モノクロームの場合は蛍光体８２のみから
なるが、カラーの蛍光膜の場合は蛍光体８２の配列によ
ってはブラックストライプあるいはブラックマトリクス
などと呼ばれる黒色導電材８１と蛍光体８２とで構成さ
れる。ブラックストライプ、ブラックマトリクスが設け
られる目的はカラー表示の場合、必要となる三原色蛍光
体の各蛍光体８２間の塗り分け部を黒くすることで混色
等を目立たなくすることと蛍光膜７４における外光反射
によるコントラストの低下を抑制することである。ブラ
ックストライプの材料としては、通常良く用いられてい
る黒鉛を主成分とする材料だけでなく、導電性がある
が、光の透過および反射が少ない材料であればこれに限
るものではない。ガラス基板７３に蛍光体を塗布する方
法はモノクローム、カラーによらず沈澱法や印刷法が用
いられる。

【００５４】また蛍光膜７４（図７）の内面側には通常
メタルバック７５（図７）が設けられる。メタルバック
の目的は蛍光体の発光のうち内面側への光をフェースプ
レート７６側へ鏡面反射することにより輝度を向上する
こと、電子ビーム加速電圧を印加するための電極として
作用すること、外囲器内で発生した負イオンの衝突によ
るダメージからの蛍光体の保護等である。メタルバック
は蛍光膜作製後、蛍光膜の内面側表面の平滑化処理（通
常フィルミングと呼ばれる）を行ない、その後Ａ１を真
空蒸着等で堆積することで作製できる。フェースプレー
ト７６には、さらに蛍光膜７４の導電性を高めるため蛍
光膜７４の外面側に透明電極（不図示）を設けてもよ
い。前述の封着を行なう際、カラーの場合は各色蛍光体
と電子放出素子とを対応させなくてはならず十分な位置
合わせを行なう必要がある。

【００５５】外囲器７８は不図示の排気管を通じ、１０
^-7ｔｏｒｒ程度の真空度にされ、封止が行なわれる。ま
た外囲器７８の封止後の真空度を維持するためにゲッタ
ー処理を行なう場合もある。これは外囲器７８の封止を
行なう直前あるいは封止後に抵抗加熱あるいは高周波加
熱等の加熱法により、外囲器７８内の所定の位置（不図
示）に配置されたゲッターを加熱し、蒸着膜を形成する
処理である。ゲッターは通常Ｂａ等が主成分であり、該
蒸着膜の吸着作用により、例えば１×１０^-5ｔｏｒｒな
いし１×１０^-7ｔｏｒｒの真空度を維持するものであ
る。なお、表面伝導型電子放出素子のフォーミング以降
の工程は適宜設定される。

【００５６】次に、単純マトリクス配置型基板を有する
電子源を用いて構成した画像形成装置に、ＮＴＳＣ方式
のテレビ信号に基づきテレビジョン表示を行なうための
駆動回路の概略構成を図９のブロック図を用いて説明す
る。９１は前記表示パネルであり、また９２は走査回
路、９３は制御回路、９４はシフトレジスタ、９５はラ
インメモリ、９６は同期信号分離回路、９７は変調信号
発生器、ＶｘおよびＶａは直流電圧源である。

【００５７】以下、各部の機能を説明する。まず表示パ
ネル９１は、端子Ｄｏｘ１ないしＤｏｘｍおよび端子Ｄ
ｏｙ１ないしＤｏｙｎおよび高圧端子Ｈｖを介して外部
の電気回路と接続している。このうち端子Ｄｏｘ１ない
しＤｏｘｍには前記表示パネル内に設けられている電子
源、すなわちｍ行ｎ列の行列状にマトリクス配線された
表面伝導型電子放出素子群を一行（ｎ素子）ずつ順次駆
動してゆくための走査信号が印加される。

【００５８】一方、端子Ｄｙ１ないしＤｙｎには前記走
査信号により選択された一行の表面伝導型電子放出素子
の各素子の出力電子ビームを制御するための変調信号が
印加される。また高圧端子Ｈｖには直流電圧源Ｖａよ
り、例えば１０Ｋ［Ｖ］の直流電圧が供給されるが、こ
れは表面伝導型電子放出素子より出力される電子ビーム
に蛍光体を励起するのに十分なエネルギーを付与するた
めの加速電圧である。

【００５９】次に走査回路９２について説明する。同回
路は内部にｍ個のスイッチング素子を備えるもので（図
中、Ｓ１ないしＳｍで模式的に示している）、各スイッ
チング素子は直流電圧源Ｖｘの出力電圧もしくは０
［Ｖ］（グランドレベル）のいずれか一方を選択し、そ
れを表示パネル９１の端子Ｄｘ１ないしＤｘｍと電気的
に接続するものである。Ｓ１ないしＳｍの各スイッチン
グ素子は制御回路９３が出力する制御信号Ｔｓｃａｎに
基づいて動作するものであり、実際には例えばＦＥＴの
ようなスイッチング素子を組み合わせることにより構成
することが可能である。

【００６０】なお、前記直流電圧源Ｖｘは前記表面伝導
型電子放出素子の特性（電子放出しきい値電圧）に基づ
き走査されていない素子に印加される駆動電圧が電子放
出しきい値電圧以下となるような一定電圧を出力するよ
う設定されている。

【００６１】制御回路９３は外部より入力する画像信号
に基づいて適切な表示が行なわれるように各部の動作を
整合させる働きをもつものである。次に説明する同期信
号分離回路９６より送られる同期信号Ｔｓｙｎｃに基づ
いて各部に対してＴｓｃａｎ、ＴｓｆｔおよびＴｍｒｙ
の各制御信号を発生する。

【００６２】同期信号分離回路９６は外部から入力され
るＮＴＳＣ方式のテレビ信号から同期信号成分と輝度信
号成分とを分離するための回路で周波数分離（フィルタ
ー）回路を用いれば構成できるものである。同期信号分
離回路９６により分離された同期信号は良く知られるよ
うに垂直同期信号と水平同期信号よりなるが、ここでは
説明の便宜上Ｔｓｙｎｃ信号として図示した。一方、前
記テレビ信号から分離された画像の輝度信号成分を便宜
上ＤＡＴＡ信号と表わすが同信号はシフトレジスタ９４
に入力される。

【００６３】シフトレジスタ９４は時系列的にシリアル
に入力される前記ＤＡＴＡ信号を画像の１ライン毎にシ
リアル／パラレル変換するためのもので前記制御回路９
３より送られる制御信号Ｔｓｆｔに基づいて動作する
（すなわち制御信号Ｔｓｆｔは、シフトレジスタ９４の
シフトクロックであると言い換えても良い）。シリアル
／パラレル変換された画像１ライン分（電子放出素子ｎ
素子分の駆動データに相当する）のデータはＩｄ１ない
しＩｄｎのｎ個の並列信号として前記シフトレジスタ９
４より出力される。

【００６４】ラインメモリ９５は画像１ライン分のデー
タを必要時間の間だけ記憶するための記憶装置であり、
制御回路９３より送られる制御信号Ｔｍｒｙにしたがっ
て適宜Ｉｄ１ないしＩｄｎの内容を記憶する。記憶され
た内容はＩｄ１ないしＩｄｎとして出力され変調信号発
生器９７に入力される。

【００６５】変調信号発生器９７は前記画像データＩｄ
１ないしＩｄｎの各々に応じて表面伝導型電子放出素子
の各々を適切に駆動変調するための信号源で、その出力
信号は端子Ｄｏｙ１ないしＤｏｙｎを通じて表示パネル
９１内の表面伝導型電子放出素子に印加される。

【００６６】前述したように本発明に関わる電子放出素
子は放出電流Ｉｅに対して以下の基本特性を有してい
る。すなわち前述したように電子放出には明確なしきい
値電圧Ｖｔｈがあり、Ｖｔｈ以上の電圧を印加された時
のみ電子放出が生じる。

【００６７】また電子放出しきい値以上の電圧に対して
は素子への印加電圧の変化に応じて放出電流も変化して
ゆく。なお、電子放出素子の材料や構成、製造方法を変
えることにより電子放出しきい値電圧Ｖｔｈの値や印加
電圧に対する放出電流の変化の度合が変わる場合もある
が、いずれにしても以下のようなことがいえる。

【００６８】すなわち、本素子にパルス状の電圧を印加
する場合、例えば電子放出閾値以下の電圧を印加しても
電子放出は生じないが電子放出閾値以上の電圧を印加す
る場合には電子ビームが出力される。その際、第一には
パルスの波高値Ｖｍを変化させることにより出力電子ビ
ームの強度を制御することが可能である。第二には、パ
ルスの幅Ｐｗを変化させることにより出力される電子ビ
ームの電荷の総量を制御することが可能である。したが
って、入力信号に応じて電子放出素子を変調する方式と
しては、電圧変調方式よびパルス幅変調方式等があげら
れ、電圧変調方式を実施するには変調信号発生器９７と
して一定の長さの電圧パルスを発生するが入力されるデ
ータに応じて適宜パルスの波高値を変調するような電圧
変調方式の回路を用いる。またパルス幅変調方式を実施
するには変調信号発生器９７として、一定の波高値の電
圧パルスを発生するが入力されるデータに応じて適宜電
圧パルスの幅を変調するようなパルス幅変調方式の回路
を用いるものである。

【００６９】以上に説明した一連の動作により本発明の
画像表示装置は表示パネル９１を用いてテレビジョンの
表示を行なうことができる。なお、上記説明中特に記載
しなかったがシフトレジスタ９４やラインメモリ９５は
デジタル信号式のものでもアナログ信号式のものでも差
し支えなく、要は画像信号のシリアル／パラレル変換や
記憶が所定の速度で行なわれればよい。

【００７０】デジタル信号式を用いる場合には同期信号
分離回路９６の出力信号ＤＡＴＡをデジタル信号化する
必要があるが、これは９６の出力部にＡ／Ｄ変換器を備
えれば可能である。また、これと関連してラインメモリ
９５の出力信号がデジタル信号かアナログ信号かによ
り、変調信号発生器９７に用いられる回路が若干異なっ
たものとなる。

【００７１】まずデジタル信号の場合について述べる。
電圧変調方式においては変調信号発生器９７には、例え
ばよく知られるＤ／Ａ変換回路を用い、必要に応じて増
幅回路などを付け加えればよい。またパルス幅変調方式
の場合、変調信号発生器９７は、例えば高速の発振器お
よび発振器の出力する波数を計数する計数器（カウン
タ）および計数器の出力値と前記メモリの出力値を比較
する比較器（コンパレータ）を組み合せた回路を用いる
ことにより構成できる。必要に応じて比較器の出力する
パルス幅変調された変調信号を表面伝導型電子放出素子
の駆動電圧にまで電圧増幅するための増幅器を付け加え
てもよい。

【００７２】次にアナログ信号の場合について述べる。
電圧変調方式においては変調信号発生器９７には、例え
ばよく知られるオペアンプなどを用いた増幅回路を用い
ればよく、必要に応じてレベルシフト回路などを付け加
えてもよい。またパルス幅変調方式の場合には例えばよ
く知られた電圧制御型発振回路（ＶＣＯ）を用いればよ
く、必要に応じて表面伝導型電子放出素子の駆動電圧に
まで電圧増幅するための増幅器を付け加えてもよい。

【００７３】以上のように完成した画像表示装置におい
て、各電子放出素子に、容器外端子Ｄｏｘ１ないしＤｏ
ｘｍ，Ｄｏｙ１ないしＤｏｙｎを通じて、電圧を印加す
ることにより電子放出させ、高圧端子Ｈｖを通じて、メ
タルバック７５あるいは透明電極（不図示）に高圧を印
加し、電子ビームを加速し、蛍光膜８４に衝突させ、励
起・発光させることで画像を表示することができる。

【００７４】以上述べた構成は、表示等に用いられる好
適な画像形成装置を作製する上で必要な概略構成であ
り、例えば各部材の材料等、詳細な部分は上述内容に限
られるものではなく、画像形成装置の用途に適するよう
適宜選択する。また、入力信号例として、ＮＴＳＣ方式
をあげたが、これに限るものでなく、ＰＡＬ、ＳＥＣＡ
Ｍ方式などの諸方式でもよく、また、これよりも、多数
の走査線からなるＴＶ信号（例えば、ＭＵＳＥ方式をは
じめとする高品位ＴＶ）方式でもよい。

【００７５】次に、前述のはしご型配置電子源基板およ
びそれを用いた画像表示装置について図１０および図１
１により説明する。図１０において、１０１は電子源基
板、１０２は電子放出素子、１０３のＤｘ１〜Ｄｘ１０
は前記電子放出素子に接続する共通配線である。電子放
出素子１０２は、基板１０１上にＸ方向に並列に複数個
配置される（これを素子行と呼ぶ）。この素子行を複数
個基板上に配置したものが、はしご型電子源基板であ
る。各素子行の共通配線間に適宜駆動電圧を印加するこ
とで、各素子行を独立に駆動することが可能になる。す
なわち、電子ビームを放出させる素子行には、電子放出
しきい値以上の電圧を、電子ビームを放出させない素子
行には電子放出しきい値以下の電圧を印加すればよい。
また、各素子行間の共通配線Ｄｘ２〜Ｄｘ９を、Ｄｘ２
とＤｘ３、Ｄｘ４とＤｘ５のように互いに隣接する配線
同士を一本に接続して、同一配線とするようにしても良
い。

【００７６】図１１は、はしご型配置の電子源を備えた
画像形成装置の構造を示すための図である。１１１はグ
リッド電極、１１２は電子が通過するため空孔、１１３
はＤｏｘ１，Ｄｏｘ２・・・・・・Ｄｏｘｍよりなる容器外端
子、１１４はグリッド電極１１１と接続されたＧ１，Ｇ
２，・・・・・・Ｇｎからなる容器外端子、１１５は前述のよ
うに各素子行間の共通配線を同一配線とした電子源基板
である。なお、図７または図１０と同一の符号は同一の
部材を示す。前述の単純マトリクス配置の画像形成装置
（図７）との違いは、電子源基板１０１とフェースプレ
ート７６の間にグリッド電極１１１を備えていることで
ある。

【００７７】グリッド電極１１１は、表面伝導型放出素
子から放出された電子ビームを変調するためのものであ
り、はしご型配置の素子行と直行して設けられたストラ
イプ状の電極に電子ビームを通過させるため、各素子に
対応して１個ずつ円形の開口１１２が設けられている。
グリッドの形状や設置位置は図１１に示したものに限定
されるものではない。例えば、開口としてメッシュ状に
多数の通過口を設けることもでき、グリッドを表面伝導
型放出素子の周囲や近傍に設けることもできる。容器外
端子１１３およびグリッド容器外端子１１４は、不図示
の制御回路と電気的に接続されている。

【００７８】本例の画像形成装置では、素子行を１列ず
つ順次駆動（走査）していくのと同期してグリッド電極
列に画像１ライン分の変調信号を同時に印加する。これ
により、各電子ビームの蛍光体への照射を制御し、画像
を１ラインずつ表示することができる。

【００７９】作製例１ マトリクス状に配線および素子電極を前述したような方
法で形成した基板を用い、多数の表面伝導型電子放出素
子を有する電子源基板を作製した。図２はその製造方法
を示す図である。図３（ａ）は本実施例によって作製し
た表面伝導型電子放出素子１個の平面図、図３（ｂ）は
図３（ａ）のＢ−Ｂ′断面図である。

【００８０】（１）絶縁基板１として石英基板を用い、
これを有機溶剤等により充分に洗浄後、１２０℃で乾燥
させた。

【００８１】（２）該基板１上に真空成膜技術およびフ
ォトリソグラフィ技術を用いてＮｉからなる電極２，３
と絶縁膜６を形成し、さらにフォトリソグラフィ技術と
エッチング技術を用いて素子電極２，３の交差部の素子
電極２と絶縁膜６に交差部の下部の素子電極３まで到達
する凹部９を形成した。このとき素子電極２，３の厚さ
ｄ₁ ，ｄ₂ は１０００Å、絶縁膜６の厚さＬは２０００
Å、凹部９は一辺１００μｍ（一辺１００μｍの正方
形）、外周Ｗ１を４００μｍとした（図２（ａ））。

【００８２】（３）次に凹部９に、有機パラジウム含有
溶液（奥野製薬（株）製ＣＣＰ４２３０）の液滴を１つ
（１ドット）付与した（図２（ｂ））。液滴付与装置７
としては圧電素子を用いたインクジェット噴射装置７を
用い、１つの液滴量は６０μｍ³ に制御した。

【００８３】（４）次に３００℃で１０分間の加熱処理
をして酸化パラジウム（ＰｄＯ）微粒子からなる微粒子
膜を形成し薄膜４とした（図２（ｃ））。

【００８４】（５）次に電極２，３の間に電圧を印加
し、薄膜４を通電処理（フォーミング処理）することに
より、電子放出部５を形成した（図２（ｄ））。

【００８５】こうして作製された電子源基板を用いて、
図７に示すようにフェースプレート７６、支持枠７２、
リアプレート７１とで外囲器７８を形成し、封止を行な
って表示パネル、さらには図９に示すようなＮＴＳＣ方
式のテレビ信号に基づきテレビジョン表示を行なうため
の駆動回路を有する画像形成装置を作製した。

【００８６】本実施例の製造方法により以上の如く作成
した電子放出素子はなんら問題のない良好な特性を示し
たばかりか、液滴を付与し、薄膜４を形成することによ
り薄膜４のパターン形成を省略でき、また、液滴は凹部
９内にセルフアライメント的に注入されることから高精
度のアライメントを必要とせず容易に形成できた。

【００８７】作製例２ 凹部９の外周Ｗ１を６００μｍ（１辺１５０μｍ）、絶
縁膜６の厚さＬを２μｍ、素子電極ｄ₁ 、ｄ₂ の厚さ１
０００Åに形成したはしご状に配線された素子電極を有
する基板（図１０）を用い、作製例１と同様な方法で表
面伝導型電子放出素子を多数有する電子源基板を作成し
た。得られた電子源基板を用いて、作製例１と同様な方
法で図７のようなフェースプレート７６、支持枠７２、
リアプレート７１とで外囲器７８を形成し、封止を行な
い表示パネルを作成し、さらには図９に示すようなＮＴ
ＳＣ方式のテレビ信号に基づきテレビジョン表示を行な
うための駆動回路を有する画像形成装置を作製した。作
製例１と同様な効果を得ることができた。

【００８８】作製例３ マトリクス状に配線され、前述した方法で形成した基板
（図６）を用い、熱的エネルギーの付与により気泡を発
生させ液滴を吐出させる方式のインクジェット装置を用
いて、作製例１と同様に多数の表面伝導型電子放出素子
を有する電子源基板を作製した。得られた電子源基板を
用いて、作製例１と同様な方法でフェースプレート７
６、支持枠７２、リアプレート７１とで外囲器７８を形
成し、封止を行ない表示パネル、さらには図９に示すよ
うなＮＴＳＣ方式のテレビ信号に基づきテレビジョン表
示を行なうための駆動回路を有する画像形成装置を作製
した。作製例１と同様な効果を得ることができた。

【００８９】作製例４ はしご状に配線され、素子電極を前述したような方法で
形成した基板（図１０）を用い、作製例３と同様の熱的
エネルギーの付与により気泡を発生させ液滴を吐出させ
る方式のインクジェット装置を用い、作製例３と同様に
表面伝導型電子放出素子多数を有する電子源基板を作製
した。得られた電子源基板を用いて、作製例３と同様な
方法でフェースプレート７６、支持枠７２、リアプレー
ト７１とで外囲器７８を形成し、封止を行ない表示パネ
ル、さらにはＮＴＳＣ方式のテレビ信号に基づきテレビ
ジョン表示を行なうための駆動回路を有する画像形成装
置を作製した。作製例３と同様な効果を得ることができ
た。

【００９０】作製例５ 図１の表面伝導型電子放出素子をＸ、Ｙ方向にそれぞれ
複数個並べ素子電極がマトリクス状に配線された電子源
基板を作製した。得られた電子源基板は、図５に示され
る形状であった。

【００９１】本作製例は作製例１の（２）の工程におけ
る素子電極２、３がＸ方向配線１５、Ｙ方向配線１６を
兼ねていること以外は作製例１と全く同じ製造工程で作
製したものである。

【００９２】得られた電子源基板を用いて、作製例１と
同様な方法でフェースプレート７６、支持枠７２、リア
プレート７１とで外囲器７８を形成し、封止を行ない表
示パネル、さらには図９に示すようなＮＴＳＣ方式のテ
レビ信号に基づきテレビジョン表示を行なうための駆動
回路を有する画像形成装置を作製した。本作製例の装置
は、素子電極が配線を兼ねているため作製例１のものよ
り、さらに工程を短縮することができた。また、素子電
極が配線を兼ねた容易な構成であるにもかかわらず電子
放出素子や画像形成装置の特性は作製例１と同様であっ
た。

【００９３】作製例６ 本作製例の電子源基板は、導電製薄膜形成用の材料溶液
として酢酸Ｐｄを水に０．０５ｗｔ％含有した溶液を用
いた以外は作製例１と同様に作成した。

【００９４】得られた電子源基板を用いて、作製例１と
同様な方法でフェースプレート７６、支持枠７２、リア
プレート７１とで外囲器７８を形成し、封止を行ない表
示パネル、さらには図９に示すようなＮＴＳＣ方式のテ
レビ信号に基づきテレビジョン表示を行なうための駆動
回路を有する画像形成装置を作製した。その結果、材料
溶液中の含有成分の違いにもかかわらず、作製例１と同
様な効果を得た。

【００９５】作製例７ 本作製例の電子源基板は、液滴量を３０μｍ³ とし、液
滴を２つ（２ドット）付与した以外は作製例１と同様に
作成した。

【００９６】得られた電子源基板を用いて、作製例１と
同様な方法でフェースプレート７６、支持枠７２、リア
プレート７１とで外囲器７８を形成し、封止を行ない表
示パネル、さらにはＮＴＳＣ方式のテレビ信号に基づき
テレビジョン表示を行なうための駆動回路を有する画像
形成装置を作製した。その結果、作製例１と同様な効果
が得られた。即ち、本発明の製造方法によれば所望の液
滴数を付与することにより、所望の薄膜が得られること
がわかった。

【００９７】作製例８ 本作製例は、液滴量を２００μｍ³ とした以外は作製例
１と同様に作成した。得られた電子源基板を用いて、作
製例１と同様な方法でフェースプレート７６、支持枠７
２、リアプレート７１とで外囲器７８を形成し、封止を
行ない表示パネル、さらには図９に示すようなＮＴＳＣ
方式のテレビ信号に基づきテレビジョン表示を行なうた
めの駆動回路を有する画像形成装置を作製した。また本
作製例では、凹部９より液があふれでた（不図示）が、
電子放出素子の電子放出特性には問題のないことがわか
った。

【００９８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
凹部に電子放出部を有する微粒子膜の材料を含む溶液を
液滴の形態で付与することからセルアライメントで所定
の位置に所望の量を付与することができ、アライメント
を必要とせず歩留まりを向上できる。

【００９９】また、インクジェット方法により液滴を付
与する場合は、十数ｎｇ程度から数μｇ程度の範囲で制
御された数十ｎｇ程度以上の微小量の液滴を付与できる
効果がある。

【０１００】さらに本発明の電子源基板および画像形成
装置の製造方法において素子電極が配線を兼ねる構成に
おいては、上記効果に加えてより製造工程を低減するこ
とができ歩留まりも向上できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の一実施例に係る表面伝導型電子放出
素子の基本的な構成を示す模式的平面図および断面図で
ある。

【図２】 図１の表面伝導型電子放出素子の製造方法を
示す模式的断面図である。

【図３】 本発明の他の実施例に係る表面伝導型電子放
出素子の模式的平面図および断面図である。

【図４】 本発明の通電フォーミングの電圧波形の一例
を表わすグラフである。

【図５】 図１の表面伝導型電子放出素子を配列してな
るマトリクス型配置電子源基板の模式的平面図および断
面図である。

【図６】 単純マトリクス配置の電子源を表わす模式図
である。

【図７】 単純マトリクス配置の電子源を用いた画像形
成装置の概略構成図である。

【図８】 蛍光膜のパターン図である。

【図９】 ＮＴＳＣ方式のテレビ信号に応じて表示を行
なうための駆動回路のブロック図である。

【図１０】 梯子型配置の電子源基板を表わす模式図で
ある。

【図１１】 画像形成装置の概略構成図である。

【図１２】 従来の電子放出素子を示す模式的平面図で
ある。

【図１３】 従来の他の電子放出素子を示す模式的斜視
図である。

【符号の説明】

１：基板、２，３：素子電極、４：導電性薄膜、５：電
子放出部、６：絶縁膜（絶縁層）、７：液滴付与装置、
８：液滴、９：凹部、６１：電子源基板、６２：Ｘ方向
配線、６３：Ｙ方向配線、６４：表面伝導型電子放出素
子、６５：結線、７１：リアプレート、７２：支持枠、
７３：ガラス基板、７４：蛍光膜、７５：メタルバッ
ク、７６：フェースプレート、７７：高圧端子、７８：
外囲器、８１：黒色導電材、８２：蛍光体、９１：表示
パネル、９２：走査回路、９３：制御回路、９４：シフ
トレジスタ、９５：ラインメモリ、９６：同期信号分離
回路、９７：変調信号発生器、Ｖｘ，Ｖａ：直流電圧
源、１０１：電子放出素子、１０２（Ｄｘ１〜Ｄｘ１
０）：電子放出素子を配線するための共通配線、１１
１：グリッド電極、１１２：電子が通過するための空
孔、１１３（Ｄｏｘ１，Ｄｏｘ２，・・・・・・，Ｄｏｘ
ｍ）：容器外端子、１１４（Ｇ１，Ｇ２，・・・・・・，Ｇ
ｎ）：グリッド電極１１１と接続された容器外端子。

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一対の素子電極間を連絡する導電性薄膜
   の一部に電子放出部を形成された電子放出素子を製造す
   る方法において、 絶縁性基板上に絶縁層を介して互いに交差する一対の素
   子電極を形成し、 該交差部において該交差部上側の素子電極および前記絶
   縁層に該交差部下側の素子電極まで到達する凹部を形成
   し、 該凹部内に導電膜形成材料を含む溶液を液滴の状態で付
   与することにより、前記導電性薄膜を形成することを特
   徴とする電子放出素子の製造方法。
2. 【請求項２】 前記導電性薄膜の膜厚を、前記液滴の量
   および／または数によって制御することを特徴とする請
   求項１記載の製造方法。
3. 【請求項３】 前記液滴を、インクジェット方式で付与
   することを特徴とする請求項１または２記載の電子放出
   素子の製造方法。
4. 【請求項４】 前記インクジェット方式が熱的エネルギ
   ーの付与により気泡を発生させ液滴を吐出させる方式で
   あることを特徴とする請求項３記載の製造方法。
5. 【請求項５】 絶縁基板上に複数の電子放出素子を配列
   され、該電子放出素子間の配線および該素子への電圧印
   加用端子を形成された電子源基板を製造する方法におい
   て、前記電子放出素子を、請求項１〜５のいずれかに記
   載の方法で製造することを特徴とする、電子源基板の製
   造方法。
6. 【請求項６】 前記の素子電極を形成する際、一方を前
   記絶縁基板上に連続的に接続して列方向配線とし、他方
   を前記絶縁層を介して交差させ、連続的に接続して行方
   向配線とすることを特徴とする請求項５記載の製造方
   法。
7. 【請求項７】 電子源としての電子放出素子と、該素子
   への電圧印加端子と、該素子から放出される電子を受け
   て発光する発光体と、外部信号に基づいて該素子へ印加
   する電圧を制御する駆動回路とを具備する画像形成装置
   の製造方法であって、該電子放出素子を請求項１〜５の
   いずれかに記載の方法で製造することを特徴とする画像
   形成装置の製造方法。
8. 【請求項８】 絶縁基板上に形成された第１の素子電極
   と、該第１の素子電極と絶縁層を介して交差する第２の
   素子電極であって、該第１の素子電極と第２の素子電極
   との交差部に前記第２の素子電極および絶縁層を通って
   前記第１の素子電極まで達する凹部を有するものと、該
   凹部に形成されて前記第１の素子電極と第２の素子電極
   とを電気的に接続するた微粒子導電膜と、該微粒子導電
   膜の局所的な破壊、変形もしくは変質部分からなる電子
   放出部とを具備することを特徴とする電子放出素子。