JPH10156255A - 塗布膜形成装置 - Google Patents

塗布膜形成装置

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JPH10156255A
JPH10156255A JP8331663A JP33166396A JPH10156255A JP H10156255 A JPH10156255 A JP H10156255A JP 8331663 A JP8331663 A JP 8331663A JP 33166396 A JP33166396 A JP 33166396A JP H10156255 A JPH10156255 A JP H10156255A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 帯状に吐出される塗布液の吐出量を均一にし
て均一な膜厚を形成すること。 【解決手段】 載置台１０によって水平姿勢に保持され
る基板Ｇと、この基板Ｇの幅方向に延びるスリット状吐
出口２１を有するレジスト供給ノズル２０とを、相対的
に平行移動して、レジスト供給ノズル２０のスリット状
吐出口２１から帯状に供給されるレジスト液５０を基板
Ｇの表面全体に供給する塗布膜形成装置において、レジ
スト供給ノズル２０のスリット状吐出口２１における長
手方向の両側に、スリット状吐出口２１から吐出される
レジスト液５０の吐出圧を低減する膜厚制御手段４０を
設ける。この膜厚制御手段４０を、レジスト供給ノズル
２０のスリット状吐出口２１の長手方向の両側に吸引管
４２を介して接続する吸引ポンプ４３にて形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えばレジスト
膜のような塗布膜を、例えば半導体ウエハやＬＣＤ基板
の表面に形成するための塗布膜形成装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体技術の分野では、ＬＣＤ
基板の上に形成された半導体層、絶縁体層、電極層を選
択的に所定のパターンにエッチングする場合に、半導体
ウエハの場合と同様にパターン部のマスキングとして層
の表面にレジスト膜を形成することが行われている。
【０００３】例えば、レジスト膜の形成方法として、溶
剤に感光性樹脂を溶解してなるレジスト液を帯状に吐出
するレジスト供給ノズルと、角形のＬＣＤ基板（以下に
基板という）とを、レジストの吐出方向と直交する方向
に相対称的に平行移動させて塗布する方法が知られてい
る。この場合、レジスト供給ノズルは、基板の幅方向に
延びる微小隙間を有するスリット状吐出口を設けてな
り、このスリット状吐出口から帯状に吐出されるレジス
ト液を基板の表面全体に供給してレジスト膜を形成して
いる。
【０００４】この方法によれば、基板一辺から他辺に渡
ってレジスト液を帯状に吐出（供給）するため、角形の
基板の全面に平均してレジスト膜を形成することができ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
この種の塗布膜形成装置においては、図８に示すよう
に、レジスト液供給ノズル１のスリット状吐出口２にお
ける長手方向の両側付近の圧力Ｐ2が吐出口２の内側部
分の圧力Ｐ1より高くなる傾向にあるため、吐出される
レジスト液３は、吐出口２の中央部側に比べて両側部分
から多く吐出され、レジスト液が液厚となる。また、レ
ジスト液の吐出圧の変化に起因してレジスト液の粘性が
影響を受け、同様に吐出口２の両側部のレジスト液が液
厚となる。したがって、図９に示すように、基板Ｇの幅
方向の両側のレジスト膜４が厚くなり、レジスト膜の膜
厚が不均一となると共に、レジスト膜の膜厚の不均一に
よって歩留まりの低下をきたすという問題があった。
【０００６】また、レジスト液供給ノズルから吐出され
たレジスト液が基板上に塗布される際に、周囲の温度や
静電気等の影響を受けてレジスト膜厚が不均一になると
いう問題もあった。
【０００７】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、帯状に吐出される塗布液の吐出量を均一にして均一
な膜厚を形成できるようにした塗布膜形装置を提供する
ことを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の第１の塗布膜形成装置は、水平姿勢に保
持される基板と、この基板の幅方向に延びるスリット状
吐出口を有する塗布液供給手段とを、相対的に移動し
て、上記塗布液供給手段のスリット状吐出口から帯状に
供給される塗布液を上記基板の表面全体に供給する塗布
膜形成装置において、上記塗布液供給手段のスリット状
吐出口における長手方向の両側に、スリット状吐出口か
ら吐出される塗布液の吐出圧を低減する膜厚制御手段を
具備する、ことを特徴とする（請求項１）。
【０００９】この発明において、上記膜厚制御手段は、
スリット状吐出口から吐出される塗布液の吐出圧を低減
するものであれば任意のものでよく、例えば膜厚制御手
段を、塗布液供給手段のスリット状吐出口の長手方向の
両側に吸引管を介して接続する吸引ポンプにて形成する
ことができる（請求項２）。また、膜厚制御手段を、塗
布液供給手段のスリット状吐出口の長手方向の両側に連
通する吸引管と、この吸引管内を負圧にするエゼクタ機
構とで構成してもよい（請求項３）。更には、膜厚制御
手段を、塗布液供給手段のスリット状吐出口の長手方向
の両側に連通する大気開口路と、この大気開口路の大気
開口部に設けられる開口調整弁とで構成することも可能
である（請求項４）。
【００１０】また、この発明の第２の塗布膜形成装置
は、水平姿勢に保持される基板と、この基板の幅方向に
延びるスリット状吐出口を有する塗布液供給手段とを、
相対的に移動して、上記塗布液供給手段のスリット状吐
出口から帯状に供給される塗布液を上記基板の表面全体
に供給する塗布膜形成装置において、上記塗布液供給手
段のスリット状吐出口における長手方向の両側付近に、
塗布液の粘性を高めると共に、吐出された塗布液中の溶
剤を揮発する乾燥手段を具備してなる、ことを特徴とす
る（請求項５）。
【００１１】この発明において、上記乾燥手段は、塗布
液の粘性を高めると共に、吐出された塗布液中の溶剤を
揮発するものであれば任意の手段でよく、例えば加熱手
段、吸引・排気手段あるいは熱風供給手段等を用いるこ
とができる。
【００１２】請求項１記載の塗布膜形成装置によれば、
塗布液供給手段のスリット状吐出口における長手方向の
両側に、スリット状吐出口から吐出される塗布液の吐出
圧を低減する膜厚制御手段を設けることにより、スリッ
ト状吐出口の長手方向の両側から吐出（供給）される塗
布液の吐出圧を低減させて、吐出口のその他の部分の吐
出圧と等圧にすることができる。したがって、塗布液の
吐出圧を均一にして塗布液を帯状に吐出（供給）するこ
とができ、基板の表面全体に均一な塗布膜を形成するこ
とができると共に、歩留まりの向上を図ることができ
る。
【００１３】請求項５記載の塗布膜形成装置によれば、
塗布液供給手段のスリット状吐出口における長手方向の
両側付近に、塗布液の粘性を高めると共に、吐出された
塗布液中の溶剤を揮発する乾燥手段を設けることによ
り、スリット状吐出口の長手方向の両側から吐出される
塗布液の粘性を高めて流動速度を遅くすることができ、
吐出口中央部側から吐出される塗布液の流動速度と、吐
出口の両側部分から吐出される塗布液の流動速度とを等
しくすることができる。したがって、塗布液の流動速度
を均一にして塗布液を帯状に吐出（供給）することがで
き、基板の表面全体に均一な塗布膜を形成することがで
きると共に、歩留まりの向上を図ることができる。ま
た、乾燥手段によって吐出された塗布液中の溶剤を揮発
させて塗布液の乾燥を促進することで、塗布膜形成時間
の短縮化を図ることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面に基いて詳細に説明する。ここでは、この発明の塗布
膜形成装置をＬＣＤ基板のレジスト塗布装置に適用した
場合について説明する。
【００１５】◎第一実施形態 図１はこの発明の塗布膜形成装置の第一実施形態の概略
斜視図、図２はその要部の概略断面図である。
【００１６】上記塗布膜形成装置は、ＬＣＤ基板Ｇ（以
下に基板という）を水平に保持する水平移動可能な保持
手段例えば載置台１０と、この載置台１０上に図示しな
い真空装置によって吸着保持される基板Ｇの上方に配設
される塗布液供給手段であるレジスト供給ノズル２０と
を具備してなり、このレジスト供給ノズル２０を図示し
ない移動機構によって水平移動することによって載置台
１０上の基板Ｇとレジスト供給ノズル２０とを相対的に
水平移動し得るように構成されている。なお、載置台１
０におけるレジスト供給ノズル２０の移動方向の一端部
又は両端部（図面では一端部の場合を示す）には、不作
動時のレジスト供給ノズル２０の噴口の乾燥を防止すべ
く噴口に近接する回転自在なプライムローラ３１と、こ
のプライムローラ３１をシンナーに浸漬する容器３２と
を有する待機部３０が設けられている。
【００１７】上記レジスト供給ノズル２０は、基板Ｇの
幅方向に延びるスリット状の吐出口２１と、この吐出口
２１に連通するレジスト液収容室２２とを有しており、
レジスト液収容室２２に接続するレジスト液供給チュー
ブ２３を介して図示しないレジスト供給源が接続されて
いる。
【００１８】また、吐出口２１の長手方向の両側には、
吐出口２１から吐出されるレジスト液の吐出圧を低減す
る膜厚制御手段４０が設けられている。この膜厚制御手
段４０は、吐出口２１の長手方向の両側に連通する連通
路４１にそれぞれ接続する吸引管４２と、吸引管４２に
介設される例えばダイヤフラムポンプのような吸引ポン
プ４３とで構成されており、吸引ポンプ４３の駆動によ
って吐出口２１の両側の吐出圧が低減されるように構成
されている。なお、吸引管４２における吸引ポンプ４３
の吸引側すなわちレジスト供給ノズル２０側には開閉弁
４４が介設されている。
【００１９】次に、上記のように構成される塗布膜形成
装置の動作態様について説明する。まず、レジスト供給
ノズル２０を待機部３０のプライムローラ３１に近接さ
せた状態において、図示しない搬送手段によって搬送さ
れた基板Ｇを載置台１０上に吸着保持する。次に、レジ
スト液供給源からレジスト液をレジスト液収容室２２内
に供給すると共に、吐出口２１からレジスト液を吐出す
る。このレジスト液の吐出動作と同時に、移動機構によ
ってレジスト供給ノズル２０を水平方向に移動してレジ
スト供給ノズル２０を待機部３０から基板Ｇ上に移動す
る。この際、吸引ポンプ４３を駆動して吐出口２１の長
手方向の両側を吸引することにより、吐出口２１の両側
のレジスト液の吐出圧が減少され、吐出口２１の中央部
側の吐出圧と両側の吐出圧がほぼ等しくなった状態、す
なわち図２に示すようにレジスト液５０の液厚が等しく
なった状態で基板Ｇ上に帯状に吐出（供給）される。し
たがって、基板Ｇとレジスト供給ノズル２０が相対的に
水平移動することによって基板Ｇの表面にレジスト液が
帯状に供給され、基板Ｇの表面全体に均一な膜厚のレジ
スト膜が形成される。
【００２０】このようにして、基板Ｇ表面にレジスト膜
を形成した後、レジスト液の供給が停止されると共に、
レジスト供給ノズル２０が逆方向に移動してレジスト供
給ノズル２０の吐出口２１を待機部３０内のプライムロ
ーラ３１に近接して、次の塗布処理に備える。また、レ
ジスト膜が形成された基板Ｇは、図示しない搬送手段に
よって載置台１０から搬出されて次の処理工程に搬送さ
れる。
【００２１】◎第二実施形態 図３はこの発明の塗布膜形成装置の第二実施形態の要部
の概略断面図である。
【００２２】第二実施形態は、膜厚制御手段４０を、レ
ジスト供給ノズル２０の吐出口２１の両側に連通する連
通路４１にそれぞれ接続する逆Ｕ字状の吸引管６０と、
この逆Ｕ字状吸引管６０の頂部に設けられた開口６１を
気体圧送管路６２内に臨設してなるエゼクタ機構６３と
で構成した場合である。この場合、エゼクタ機構６３を
構成する気体圧送管路６２には図示しないＮ2ガス供給
源が接続されると共に、真空ポンプ（図示せず）が介設
されており、真空ポンプの駆動によってＮ2ガス供給源
からＮ2ガスが気体圧送管路６２内を高速で流れ、この
Ｎ2ガスの圧送に伴なって逆Ｕ字状吸引管６０内を負圧
にして、吐出口２１の長手方向の両側におけるレジスト
液の吐出圧を減圧し得るようになっている。また、逆Ｕ
字状吸引管６０の開口端はドレンタンク６４内に挿入さ
れて、吸引されたレジスト液をドレンタンク６４内に回
収し得るようになっている。
【００２３】なお、第二実施形態において、その他の部
分は上記第一実施形態と同じであるので、同一部分には
同一符号を付して、その説明は省略する。
【００２４】次に、第二実施形態の塗布膜形成装置の作
動態様について説明する。まず、上記第一実施形態と同
様に、レジスト供給ノズル２０を待機部３０のプライム
ローラ３１に近接させた状態において、図示しない搬送
手段によって搬送された基板Ｇを載置台１０上に吸着保
持する。次に、レジスト液供給源からレジスト液をレジ
スト液収容室２２内に供給すると共に、吐出口２１から
レジスト液を吐出する。このレジスト液の吐出動作と同
時に、移動機構によってレジスト供給ノズル２０を水平
方向に移動してレジスト供給ノズル２０を待機部３０か
ら基板Ｇ上に移動する。この際、気体圧送管路６２内に
気体例えばＮ2ガスを圧送してエゼクタ機構６３のエゼ
クタ作用によって逆Ｕ字状吸引管６０内を負圧にすると
共に、吐出口２１の長手方向の両側を吸引することによ
り、吐出口２１の両側のレジスト液の吐出圧が減少さ
れ、吐出口２１の中央部側の吐出圧と両側の吐出圧がほ
ぼ等しくなった状態、すなわち図３に示すようにレジス
ト液５０の液厚が等しくなった状態で基板Ｇ上に帯状に
吐出（供給）される。したがって、基板Ｇとレジスト供
給ノズル２０が相対的に水平移動することによって基板
Ｇの表面にレジスト液が帯状に供給され、基板Ｇの表面
全体に均一な膜厚のレジスト膜が形成される。
【００２５】このようにして、基板Ｇ表面にレジスト膜
を形成した後、レジスト液の供給が停止されると共に、
レジスト供給ノズル２０が逆方向に移動してレジスト供
給ノズル２０の吐出口２１を待機部３０内のプライムロ
ーラ３１に近接して、次の塗布処理に備える。また、レ
ジスト膜が形成された基板Ｇは、図示しない搬送手段に
よって載置台１０から搬出されて次の処理工程に搬送さ
れる。
【００２６】◎第三実施形態 図４はこの発明の塗布膜形成装置の第三実施形態の要部
の概略断面図である。
【００２７】第三実施形態は、膜厚制御手段４０を、レ
ジスト供給ノズル２０の吐出口２１の両側に連通する垂
直状の大気開口路７０と、大気開口路７０の大気開口部
にそれぞれ開閉調節可能に設けられる開口調整弁７１と
で構成した場合である。
【００２８】このように、レジスト供給ノズル２０の吐
出口２１の長手方向の両側に大気開口路７０を設けると
共に、大気開口路７０の大気開口部に開口調整弁７１を
設けることにより、吐出口２１の両側部におけるレジス
ト液の吐出圧を減圧することができ、吐出口２１の中央
部側と両側のレジスト液の吐出圧を等圧にすることがで
きる。
【００２９】なお、第三実施形態において、その他の部
分は上記第一実施形態と同じであるので、同一部分には
同一符号を付して、その説明は省略する。
【００３０】次に、第三実施形態の塗布膜形成装置の作
動態様について説明する。まず、上記第一実施形態と同
様に、レジスト供給ノズル２０を待機部３０のプライム
ローラ３１に近接させた状態において、図示しない搬送
手段によって搬送された基板Ｇを載置台１０上に吸着保
持する。次に、レジスト液供給源からレジスト液をレジ
スト液収容室２２内に供給すると共に、吐出口２１から
レジスト液を吐出する。このレジスト液の吐出動作と同
時に、移動機構によってレジスト供給ノズル２０を水平
方向に移動してレジスト供給ノズル２０を待機部３０か
ら基板Ｇ上に移動する。この際、開口調整弁７１を大気
開口側に調整することにより、吐出口２１の両側のレジ
スト液の吐出圧が減少され、吐出口２１の中央部側の吐
出圧と両側の吐出圧がほぼ等しくなった状態、すなわち
図４に示すようにレジスト液５０の液厚が等しくなった
状態で基板Ｇ上に帯状に吐出（供給）される。したがっ
て、基板Ｇとレジスト供給ノズル２０が相対的に水平移
動することによって基板Ｇの表面にレジスト液が帯状に
供給され、基板Ｇの表面全体に均一な膜厚のレジスト膜
が形成される。
【００３１】このようにして、基板Ｇ表面にレジスト膜
を形成した後、レジスト液の供給が停止されると共に、
レジスト供給ノズル２０が逆方向に移動してレジスト供
給ノズル２０の吐出口２１を待機部３０内のプライムロ
ーラ３１に近接して、次の塗布処理に備える。また、レ
ジスト膜が形成された基板Ｇは、図示しない搬送手段に
よって載置台１０から搬出されて次の処理工程に搬送さ
れる。
【００３２】◎第四実施形態 図５はこの発明の塗布膜形成装置の第四実施形態の要部
を断面で示す概略正面図、図６は図５のＡ−Ａ線に沿う
断面図である。
【００３３】第四実施形態は、レジスト供給ノズル２０
の吐出口２１における中央部側と両側の圧力変化に起因
するレジスト液の粘性の変化と、吐出されたレジスト液
の周囲の温度や静電気等の影響による粘性の変化に着目
した場合で、レジスト液の粘性の変化に伴なう吐出口２
１から吐出されるレジスト液の流動速度の相違による膜
厚のバラツキを調整して、膜厚の均一化を図れるように
した場合である。また、第四実施形態は、基板Ｇ上に供
給されたレジスト液中の溶剤例えばシンナーを揮発し
て、レジスト液の乾燥を促進するようにした場合であ
る。
【００３４】すなわち、レジスト供給ノズル２０の吐出
口２１における長手方向の両側付近に、熱伝導率の低い
例えばプラスチック製のスペーサ８１を介して乾燥手段
例えばヒータ８０（加熱体）を装着して、ヒータ８０に
よって吐出口２１の両側のレジスト液の粘性を高めると
共に、吐出口２１から吐出（供給）されたレジスト液中
の溶剤例えばシンナーを揮発して、レジスト液の乾燥を
促進するようにした場合である。なお、ヒータ８０を熱
伝導率の低い例えばプラスチック製のスペーサ８１を介
してレジスト供給ノズル２０に取り付けた理由は、ヒー
タ８０からの熱を直接レジスト供給ノズル２０に伝熱す
ると、レジスト液が局部的かつ急激に加熱されて乾燥
し、レジスト供給ノズル２０に付着する等の熱的影響を
なるべく少なくするようにしたためである。なお、ヒー
タ８０は必ずしもスペーサ８１を介してレジスト供給ノ
ズル２０に取り付ける必要はなく、レジスト供給ノズル
２０から離れた近傍位置に配置するようにしてもよい。
【００３５】このように、レジスト供給ノズルの吐出口
２１の長手方向の両側付近にヒータ８０を取り付けるこ
とにより、吐出口２１の長手方向の両側から吐出される
レジスト液の粘性を高めて流動速度を遅くして、吐出口
２１の中央部側から吐出されるレジスト液の流動速度と
等しくすることができるので、吐出口２１から吐出され
るレジスト液の液厚を均一にすることができると共に、
基板Ｇ上に塗布されたレジスト膜を均一にすることがで
きる。また、ヒータ８０によって基板Ｇ上に吐出（供
給）されたレジスト液中の溶剤例えばシンナーを揮発す
ることができるので、レジスト液の乾燥を促進すること
ができると共に、レジスト膜の形成時間を短縮すること
ができ、スループットの向上を図ることができる。
【００３６】次に、第四実施形態の塗布膜形成装置の作
動態様について説明する。まず、上記第一実施形態と同
様に、レジスト供給ノズル２０を待機部３０のプライム
ローラ３１に近接させた状態において、図示しない搬送
手段によって搬送された基板Ｇを載置台１０上に吸着保
持する。次に、レジスト液供給源からレジスト液をレジ
スト液収容室２２内に供給すると共に、吐出口２１から
レジスト液を吐出する。このレジスト液の吐出動作と同
時に、移動機構によってレジスト供給ノズル２０を水平
方向に移動してレジスト供給ノズル２０を待機部３０か
ら基板Ｇ上に移動する。この際、通電によりヒータ８０
を発熱させることにより、吐出口２１の両側のレジスト
液が温められて粘性が高められる。したがって、吐出口
２１の両側から吐出されるレジスト液の流動速度が遅く
なり、吐出口２１の中央部側から吐出されるレジスト液
の流動速度とほぼ等しくなった状態、すなわちレジスト
液５０の液厚が等しくなった状態で基板Ｇ上に帯状に吐
出（供給）される。したがって、基板Ｇとレジスト供給
ノズル２０が相対的に水平移動することによって基板Ｇ
の表面にレジスト液が帯状に供給され、基板Ｇの表面全
体に均一な膜厚のレジスト膜が形成される。
【００３７】このようにして、基板Ｇ表面にレジスト膜
を形成した後、レジスト液の供給が停止されると共に、
レジスト供給ノズル２０が逆方向に移動してレジスト供
給ノズル２０の吐出口２１を待機部３０内のプライムロ
ーラ３１に近接して、次の塗布処理に備える。また、レ
ジスト膜が形成された基板Ｇは、図示しない搬送手段に
よって載置台１０から搬出されて次の処理工程に搬送さ
れる。
【００３８】◎その他の実施形態 上記実施形態では、レジスト供給ノズル２０を水平移動
する場合について説明したが、レジスト供給ノズル２０
を固定して、載置台１０を水平移動させるようにしても
よく、あるいは、レジスト供給ノズル２０と載置台１０
の双方を移動して相対的に水平移動させるようにしても
よい。
【００３９】また、上記実施形態では、保持手段が載置
台１０である場合について説明したが、保持手段は必ず
しも載置台１０である必要はなく、基板Ｇを水平姿勢に
保持するものであれば、複数のローラを列設したもので
あってもよい。
【００４０】上記のように構成されるこの発明に係る塗
布膜形成装置はＬＣＤ基板のレジスト塗布装置として単
独で使用される他、後述するＬＣＤ基板のレジスト塗布
・現像処理システムに組み込んで使用することができ
る。以下に、上記塗布膜形成装置を組み込んだレジスト
塗布・現像処理システムの構造について説明する。
【００４１】レジスト塗布・現像処理システムは、図７
に示すように、ＬＣＤ基板を搬入・搬出するローダ部９
０と、ＬＣＤ基板の第１処理部９１と、中継部９３を介
して第１処理部９１に連設される第２処理部９２とで主
に構成されている。なお、第２処理部９２には受渡部９
４を介してレジスト膜の所定の微細なパターンを露光す
るための露光装置９５が連設可能になっている。
【００４２】上記のように構成される塗布・現像処理シ
ステムにおいて、ローダ部９０のカセット載置台９８に
載置されたカセット９６内に収容された未処理のＬＣＤ
基板は、ローダ部９０の搬出入ピンセット９９によって
取り出された後、第１処理部９１の搬送路１０２を移動
する水平（Ｘ，Ｙ）、垂直（Ｚ）移動及び回転（θ）可
能なメインアーム１００に受け渡され、そして、ブラシ
洗浄装置１０３内に搬送される。このブラシ洗浄装置１
０３内にブラシ洗浄されたＬＣＤ基板は引き続いてジェ
ット水洗浄装置１０４内にて高圧ジェット水により洗浄
される。この後、ＬＣＤ基板は、アドヒージョン処理装
置１０５にて疎水化処理が施され、冷却処理装置１０６
にて冷却された後、この発明に係る塗布膜形成装置１０
７にて、上述した手順によりＬＣＤ基板の一辺から漸次
他辺に向かってレジスト液を塗布してレジスト膜が塗布
形成され、引き続いて塗布膜除去装置１０８によってＬ
ＣＤ基板の辺部の不要なレジスト膜が除去される。した
がって、この後、ＬＣＤ基板を排出する際には縁部のレ
ジスト膜は除去されているので、メインアーム１００に
レジストが付着することもない。そして、このフォトレ
ジストが加熱処理装置１０９にて加熱されてベーキング
処理が施された後、第２処理部９２の搬送路１０２ａを
移動するメインアーム１００ａによって受渡し台１１３
に搬送され、受渡し台１１３から搬送用ピンセット１１
２によって露光装置９５に搬送され、露光装置９５にて
所定のパターンが露光される。そして、露光後のＬＣＤ
基板は現像装置１１０内へ搬送され、現像液により現像
された後、リンス液により現像液を洗い流し、現像処理
を完了する。
【００４３】現像処理された処理済みのＬＣＤ基板はロ
ーダ部９０のカセット９７内に収容され後に、搬出され
て次の処理工程に向けて移送される。
【００４４】上記実施形態では、この発明に係る塗布膜
形成装置をＬＣＤ基板のレジスト塗布装置に適用した場
合について説明したが、ＬＣＤ基板以外の半導体ウエハ
やＣＤ等の被処理体の塗布膜形成装置あるいはエレキボ
ードにグリーン膜を塗布する場合にも適用でき、レジス
ト以外のポリイミド系塗布液（ＰＩＱ）やガラス剤を含
有する塗布液（ＳＯＧ）等にも適用できることは勿論で
ある。
【００４５】
【発明の効果】
１）請求項１記載の発明によれば、スリット状吐出口の
長手方向の両側から吐出（供給）される塗布液の吐出圧
を低減させて、吐出口のその他の部分の吐出圧と等圧に
することができるので、塗布液の吐出圧を均一にして塗
布液を帯状に吐出（供給）することができ、基板の表面
全体に均一な塗布膜を形成することができると共に、歩
留まりの向上を図ることができる。
【００４６】２）請求項５記載の塗布膜形成装置によれ
ば、スリット状吐出口の長手方向の両側から吐出される
塗布液の粘性を高めて流動速度を遅くすることができ、
吐出口中央部側から吐出される塗布液の流動速度と、吐
出口の両側部分から吐出される塗布液の流動速度とを等
しくすることができるので、塗布液の流動速度を均一に
して塗布液を帯状に吐出（供給）することができ、基板
の表面全体に均一な塗布膜を形成することができると共
に、歩留まりの向上を図ることができる。また、乾燥手
段によって吐出された塗布液中の溶剤を揮発させて塗布
液の乾燥を促進することで、塗布膜形成時間の短縮化を
図ることができ、スループットの向上を図ることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の塗布膜形成装置の第一実施形態を示
す概略斜視図である。
【図２】第一実施形態の概略断面図（ａ）及び吐出口か
ら吐出される塗布液の液厚を示す概略断面図（ｂ）であ
る。
【図３】この発明の塗布膜形成装置の第二実施形態の概
略断面図（ａ）及び吐出口から吐出される塗布液の液厚
を示す概略断面図（ｂ）のである。
【図４】この発明の塗布膜形成装置の第三実施形態の概
略断面図（ａ）及び吐出口から吐出される塗布液の液厚
を示す概略断面図（ｂ）のである。
【図５】この発明の塗布膜形成装置の第四実施形態の要
部を断面で示す概略正面図である。
【図６】図５のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図７】塗布膜形成装置を組み込んだ塗布・現像処理シ
ステムを示す斜視図である。
【図８】従来の塗布膜形成装置における塗布液供給ノズ
ルの概略断面図（ａ）及び吐出口から吐出される塗布液
の液膜を示す概略断面図（ｂ）である。
【図９】従来の塗布膜形成装置によって塗布された塗布
膜の状態を示す拡大断面図である。
【符号の説明】
Ｇ ＬＣＤ基板 １０ 載置台（保持手段） ２０ レジスト供給ノズル（塗布液供給手段） ２１ スリット状吐出口 ４０ 膜厚制御手段 ４１ 連通路 ４２ 吸引管 ４３ 吸引ポンプ ５０ レジスト液（塗布液） ６０ 逆Ｕ字状吸引管 ６１ 開口 ６２ 気体圧送管路 ６３ エゼクタ機構 ７０ 大気開口路 ７１ 開口調整弁 ８０ ヒータ（乾燥手段）

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 水平姿勢に保持される基板と、この基板
    の幅方向に延びるスリット状吐出口を有する塗布液供給
    手段とを、相対的に移動して、上記塗布液供給手段のス
    リット状吐出口から帯状に供給される塗布液を上記基板
    の表面全体に供給する塗布膜形成装置において、 上記塗布液供給手段のスリット状吐出口における長手方
    向の両側に、スリット状吐出口から吐出される塗布液の
    吐出圧を低減する膜厚制御手段を具備する、ことを特徴
    とする塗布膜形成装置。
  2. 【請求項２】 上記膜厚制御手段を、塗布液供給手段の
    スリット状吐出口の長手方向の両側に吸引管を介して接
    続する吸引ポンプにて形成してなる、ことを特徴とする
    請求項１記載の塗布膜形成装置。
  3. 【請求項３】 上記膜厚制御手段を、塗布液供給手段の
    スリット状吐出口の長手方向の両側に連通する吸引管
    と、この吸引管内を負圧にするエゼクタ機構とで構成し
    てなる、ことを特徴とする請求項１記載の塗布膜形成装
    置。
  4. 【請求項４】 上記膜厚制御手段を、塗布液供給手段の
    スリット状吐出口の長手方向の両側に連通する大気開口
    路と、この大気開口路の大気開口部に設けられる開口調
    整弁とで構成してなる、ことを特徴とする請求項１記載
    の塗布膜形成装置。
  5. 【請求項５】 水平姿勢に保持される基板と、この基板
    の幅方向に延びるスリット状吐出口を有する塗布液供給
    手段とを、相対的に移動して、上記塗布液供給手段のス
    リット状吐出口から帯状に供給される塗布液を上記基板
    の表面全体に供給する塗布膜形成装置において、 上記塗布液供給手段のスリット状吐出口における長手方
    向の両側付近に、塗布液の粘性を高めると共に、吐出さ
    れた塗布液中の溶剤を揮発する乾燥手段を具備してな
    る、ことを特徴とする塗布膜形成装置。
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