JPH09171768A - フィールドエミッションディスプレイを排気、封止する方法及びその方法により形成されるパッケージ - Google Patents

フィールドエミッションディスプレイを排気、封止する方法及びその方法により形成されるパッケージ

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JPH09171768A
JPH09171768A JP25942596A JP25942596A JPH09171768A JP H09171768 A JPH09171768 A JP H09171768A JP 25942596 A JP25942596 A JP 25942596A JP 25942596 A JP25942596 A JP 25942596A JP H09171768 A JPH09171768 A JP H09171768A
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ダニー・ディンカ
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  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【解決課題】 低コストで、かつ信頼性の高い真空封
止を与え、なおかつ商業的に行われている製造プロセス
上の操作にも適合したフィールドエミッションディスプ
レイ（ＦＥＤ）パッケージを排気し封止する改良法及び
改良されたＦＥＤパッケージの提供。 【解決手段】 ＦＥＤの第一プレートと第二プレート
とを分離し、その間の空間を排気するための流路が得ら
れように第一プレートと第二プレートとの間に複数の圧
縮可能な突起を形成し、減圧した反応室内に第一及び第
二のプレートを置き、前記空間を排気し、封止リング及
び圧縮可能な突起を圧縮して該突起を変形させ、排気さ
れた空間の回りに連続封止を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、概括的に言えばフ
ィールドエミッションディスプレイ (field emission d
isplay; 電界放出ディスプレイ) に関し、詳細に言え
ば、フィールドエミッションディスプレイパッケージを
排気し封止するための改良法及びその方法により形成さ
れるパッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術およびその課題】コンピュータその他の電
子機器により生成された情報を視覚的に表示するため
に、近年、フラットパネルディスプレイ (flat panel d
isplay) が開発されている。この種のディスプレイは、
従来の陰極線管ディスプレイよりも軽くすることが可能
で、しかも必要とする電力が少ない。フラットパネルデ
ィスプレイの一つのタイプとして、冷陰極フィールドエ
ミッションディスプレイ（ＦＥＤ）が知られている。
【０００３】フィールドエミッションディスプレイは、
電子放出を用いて陰極蛍光ディスプレイスクリーン（本
明細書において「フェイスプレート」という。）を輝か
せ視覚的イメージを作り出すものである。通常、個々の
フィールドエミッションピクセルはベースプレート上に
形成されたエミッタサイトを含んでいる。ベースプレー
トはエミッタサイトからの電子放出を制御する回路と素
子を含んでいる。ゲート電極構造、すなわちグリッドが
エミッタサイトに応じて備えられており、エミッタサイ
トとグリッドは電圧源に電気的に接続している。電圧源
はエミッタサイトとグリッドとの間の電位差を定め、エ
ミッタサイトからの電子放出を制御する。放出された電
子は真空空間を通りディスプレイスクリーンに含まれて
いる蛍光体を叩く。蛍光体はより高いエネルギーレベル
に励起され、光子を放出して画像を形成する。このシス
テムでは、ディスプレイスクリーンが陽極であり、エミ
ッタサイトが陰極である。
【０００４】エミッタサイトとフェイスプレートとは、
わずかな間隔を隔てて配設されている。この間隔は、両
者の間の電位差を維持するとともに、ガス流のためのギ
ャップとなっている。フェイスプレート上で均一な解像
度、フォーカス及び輝度を得るためには、この間隔がフ
ェイスプレートの全面にわたって均一であることが重要
である。さらに、エミッタサイトから電子が放出されて
いるときに信頼性のあるディスプレイ動作を実現するた
めには、真空度が10-6Torr以下である必要がある。この
真空はフィールドエミッションディスプレイ内の封止さ
れた空間に形成されるものである。
【０００５】従来、フィールドエミッションディスプレ
イは、ベースプレートとフェイスプレートとの間の空間
を封止するための封止を有するユニットとして製造され
ており、通常は、フィールドエミッションディスプレイ
パッケージの製造中に当該空間を排気するために、ある
種の管をさらに用意する必要があった。この管は封止さ
れた空間から気体を吸い出して真空を形成する導管とし
て用いられる。真空を形成した後は、ピンチングによ
り、または栓などの封止部材を用いることにより、この
管を封止する必要がある。
【０００６】このタイプの、管を用いたパッケージにお
ける一つの問題点は、管が組立体の恒久的部分となって
しまうことである。また、この管についての封止操作が
別に必要となるし、封止も別に用意する必要がある。し
かも、この管は、フィールドエミッションディスプレイ
パッケージの寿命が尽きる前に壊れる可能性のある代表
的な付加的部品である。さらに、管がディスプレイから
突出しているのは不都合であり、ラップトップコンピュ
ータのようなシステムに組み込む際にはいろいろと工夫
をして調整を行なう必要がある。
【０００７】もし、フィールドエミッションディスプレ
イが、排気管なしに形成されるのであれば有利であろ
う。これにより、パッケージを簡略化することができる
し、故障の潜在的要因を解消することができる。また、
真空形成と同時に、フィールドエミッションディスプレ
イパッケージを封止し、ゲッタを活性化することができ
れば有利であろう。これにより製造工程を簡略化するこ
とができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記に鑑み、本発明
は、フィールドエミッションディスプレイパッケージを
排気し封止するための改良法の提供を目的とする。ま
た、本発明は、排気管を含まない、改良されたフィール
ドエミッションディスプレイパッケージを提供すること
を目的とする。さらに本発明は、低コストで、かつ信頼
性の高い真空封止を与え、なおかつ商業的に行われてい
る製造プロセス上の操作にも適合したフィールドエミッ
ションディスプレイパッケージを排気し封止する改良法
及び改良されたフィールドエミッションディスプレイパ
ッケージを提供することを目的とする。さらに本発明
は、加熱処理（ベイクアウト）、排気及びゲッタの活性
化を一つの操作で行なうことが可能な、フィールドエミ
ッションディスプレイパッケージを封止する改良法を提
供することを目的とする。
【０００９】さらにまた、本発明は、フィールドエミッ
ションディスプレイその他の電子部品のための、金属−
金属封止によらない改良された封止技術を提供すること
を目的とする。また、本発明は、封止に先立ち、バック
プレートとフェイスプレートの位置合わせを大気圧下で
行なうことを可能とする、フィールドエミッションディ
スプレイについての改良された封止技術を提供すること
を目的とする。また、本発明は、従来の熱−真空プロセ
ス容器を用いて遂行し得る改良された封止技術を提供す
ることを目的とする。本発明のその他の目的、利点及び
特長は、以下の説明によってより明らかになるであろ
う。
【００１０】
【課題解決の手段】本発明は、以下のパッケージあるい
は特にフィールドエミッションディスプレイパッケージ
を排気し封止する改良法、及び改良されたパッケージあ
るいは特に改良されたフィールドエミッションディスプ
レイパッケージを提供する。
【００１１】（１） 第一プレートを形成する工程；第
一プレートと対になりこれに係合する第二プレートを形
成する工程；第一プレートと第二プレートとの間に流動
性材料からなる封止リングを形成する工程；第一プレー
トと第二プレートとを分離し、その間の空間を排気する
ための流路が得られように第一プレートと第二プレート
との間に複数の圧縮可能な突起を形成する工程；減圧し
た反応室内に第一及び第二のプレートを置き、前記空間
を排気する工程；及び封止リング及び圧縮可能な突起を
圧縮して突起を変形させ、排気された空間の回りに連続
封止を形成する工程を含む、パッケージを排気、封止す
るための方法。
【００１２】（２） 封止リング及び圧縮可能な突起が
ガラスフリット材料で形成されており、圧縮工程におい
て、さらに封止リング及び圧縮可能な突起を加熱する前
記１に記載の方法。 （３） 圧縮工程に先立ち、さらに封止リング及び圧縮
可能な突起を予備焼成する前記２に記載の方法。 （４） 前記空間内にゲッタ材料が含まれており、加熱
工程でこのゲッタ材料を活性化する前記３に記載の方
法。 （５） 反応室を、突起の流動点より低い第一温度に加
熱し、第一の期間そのまま保持し、次いで、突起の流動
点以上の第二温度に加熱し、第二の期間そのまま保持す
る前記４に記載の方法。
【００１３】（６） 第一プレートまたは第二プレート
上に粘稠なペーストとして堆積され、しかる後予備焼成
されるガラスフリット材料により封止リングを形成する
前記１に記載の方法。 （７） 第一プレートまたは第二プレート上に粘稠なペ
ーストとして堆積され、しかる後予備焼成されるガラス
フリット材料により圧縮可能な突起を形成する前記１に
記載の方法。 （８） 封止リングをインジウムにより形成する前記１
に記載の方法。 （９） 圧縮可能な突起をインジウムにより形成する前
記１に記載の方法。 （１０） 封止リング及び圧縮可能な突起をインジウム
により形成する前記１に記載の方法。
【００１４】（１１） 圧縮可能な突起を封止リング上
に形成する前記１に記載の方法。 （１２） 第一または第二のプレート上にフィールドエ
ミッションディスプレイのコンポーネントを取り付ける
前記１に記載の方法。 （１３） 第一及び第二のプレートをセラミック及びガ
ラスからなる群から選択される材料により形成する前記
１に記載の方法。 （１４） さらに、圧縮可能な突起により得られる流路
を用いて前記空間内のガス組成を操作する工程を含む前
記１に記載の方法。 （１５） 第一及び第二のプレートを反応室内に配置す
るのに先立ち大気圧下で位置合わせする前記１に記載の
方法。 （１６） 前記１に記載の方法により製造されるパッケ
ージ。
【００１５】（１７） 第一プレートを形成する工程；
第一プレートと対になりこれと係合する第二プレートを
形成する工程；第一または第二のプレート上にフィール
ドエミッションディスプレイコンポーネントを取り付け
る工程；第一プレートと第二プレートとの間に封止リン
グを形成する工程；第一プレートと第二プレートとを分
離し、その間の空間を排気するための流路が得られるよ
うに第一プレートと第二プレートとの間に複数の圧縮可
能な突起を形成する工程；反応室内に第一及び第二のプ
レートを置く工程；反応室内を減圧し前記空間を排気す
る工程；及び圧縮可能な突起を変形させ、周縁封止を形
成する工程を含む、フィールドエミッションディスプレ
イパッケージを排気・封止するための方法。
【００１６】（１８） 圧縮により前記突起を変形する
前記１７に記載の方法。 （１９） 加熱により前記突起を変形する前記１７に記
載の方法。 （２０） 圧縮及び加熱により前記突起を変形する前記
１７に記載の方法。 （２１） はじめに粘稠なペーストとしていずれかのプ
レート上に堆積され、次いで予備焼成されるガラスフリ
ットにより封止リングを形成する前記１７に記載の方
法。 （２２） 封止リング及び突起をインジウムにより形成
する前記１７に記載の方法。 （２３） さらに、いずれかのプレートにゲッタ材料を
配設し、反応室を加熱することによりゲッタ材料を活性
化する工程を含む前記１７に記載の方法。 （２４） 反応室を排気して低圧として段階的に反応室
の温度を高める前記１７に記載の方法。
【００１７】（２５） 圧力を約1.0 ×１０-5〜4.0 ×
１０-7 Torr とする前記１７に記載の方法。 （２６） フィールドエミッションコンポーネントが、
その上にエミッタサイトの形成されたベースプレートを
含むものである前記１７に記載の方法。 （２７） 前記２６に記載の方法により製造されるパッ
ケージ。 （２８） 封止リング及び圧縮可能な突起をガラスフリ
ットで形成し、反応室を封止リングの流動点よりも低い
第一温度に加熱して第一の期間そのまま保持され、次い
で、封止リングの流動点以上の第二の温度に加熱して第
二の期間そのまま保持する前記１７に記載の方法。 （２９） 第一及び第二のプレートを反応室内に配置す
るのに先立ち大気圧下で位置合わせする前記１７に記載
の方法。
【００１８】（３０） フィールドエミッションディス
プレイコンポーネントが、対として組み立てられ、第一
または第二のプレートに取り付けられるベースプレート
及びフェイスプレートを含む前記１７に記載の方法。 （３１） 第一プレートが、フィールドエミッションデ
ィスプレイのベースプレートであり、第二プレートがフ
ィールドエミッションディスプレイのフェイスプレート
である前記１７に記載の方法。 （３２） 第一プレートが、パッケージのバックプレー
トであり、第二プレートがフィールドエミッションディ
スプレイのフェイスプレートである前記１７に記載の方
法。 （３３） さらに、圧縮可能な突起により得られる流路
を用いて前記空間内のガス組成を操作する工程を含む前
記１７に記載の方法。
【００１９】（３４） 複数の外部電気コネクタを有す
る第一プレートを形成する工程；フィールドエミッショ
ンディスプレイのフェイスプレート−ベースプレート対
を第一プレートに前記コネクタと電気的に接続するよう
に取り付ける工程；第一プレートと対になりこれと係合
する透明な第二プレートを形成する工程；第一プレート
または第二プレートにゲッタ材料を配設する工程；第一
プレートと第二プレートとの間に封止リングを形成する
工程；第一プレートと第二プレートとを分離する複数の
圧縮可能な突起を形成する工程；反応室内に第一及び第
二のプレートを置く工程；前記突起が流路を形成してい
る間に反応室内を減圧し第一プレートと第二プレートの
間の空間を排気する工程；及び圧縮可能な突起を変形さ
せ、周縁封止を形成する工程を含む、フィールドエミッ
ションディスプレイパッケージを排気、封止するための
方法。
【００２０】（３５） 突起をガラスフリットで形成
し、さらに、突起を変形しゲッタを活性化するために反
応室を加熱する工程を含む前記３４に記載の方法。 （３６） 空洞を有する第一プレートを形成し、この空
洞内にフェイスプレート−ベースプレート対を取り付け
る前記３４に記載の方法。 （３７） 前記コネクタと電気的に接続するように第一
プレート上のボンドパッドにベースプレートをワイヤボ
ンドする前記３４に記載の方法。 （３８） 前記コネクタがピングリッドアレイとして形
成される前記３４に記載の方法。 （３９） 第一プレートがセラミックにより形成される
前記３４に記載の方法。
【００２１】（４０） 第二プレートがガラスにより形
成される前記３４に記載の方法。 （４１） ゲッタ材料が金属箔上に形成される前記３４
に記載の方法。 （４２） 封止リングをガラスフリットにより形成し、
反応室をパッケージ内の気体を除く第一温度に、次い
で、含有物を除去する第二温度に、次いで、突起を変形
する第三温度に加熱する前記３４に記載の方法。 （４３） 前記３４に記載の方法により製造されるフィ
ールドエミッションディスプレイパッケージ。 （４４） 封止リング及び圧縮可能な突起を、ガラスフ
リット及びインジウムからなる群より選択される材料に
より形成する前記３４に記載の方法。
【００２２】（４５） 第一プレートを形成する工程；
フェイスプレート−ベースプレート対を第一プレートに
取り付ける工程；第一プレートと対になりこれと係合す
る透明な第二プレートを形成する工程；第一プレートと
第二プレートとの間に封止リングを形成する工程；当初
は第一プレートと第二プレートとを分離する、複数の圧
縮可能な突起を形成する工程；反応室内に第一及び第二
のプレートを置く工程；前記突起がガス流路を形成して
いる間に反応室内を減圧し第一プレートと第二プレート
の間の空間を排気する工程；及び圧縮可能な突起を変形
させる工程；を含む方法により形成されるフィールドエ
ミッションディスプレイパッケージ。
【００２３】（４６） 前記突起を変形するために反応
室を加熱する前記４５に記載のパッケージ。 （４７） ゲッタ材料を第一または第二プレートに配設
し、加熱工程においてゲッタ材料を活性化する前記４６
に記載のパッケージ。 （４８） 封止リング及び圧縮可能な突起が、ガラスフ
リット及びインジウムからなる群より選択される材料に
より形成される前記４５に記載のパッケージ。 （４９） ゲッタ材料が、フェイスプレート−ベースプ
レート対を保持するバネ部材のかたちを有する金属箔上
に含有される前記４５に記載のパッケージ。 （５０） 反応室を封止リングの流動点より低い第一温
度に加熱し、第一の期間そのまま保持し、次いで、流動
点以上の第二温度に加熱し第二の期間そのまま保持する
前記４５に記載のパッケージ。
【００２４】（５１） 第一プレート；第一プレートと
対になりこれと係合するように構成された第二プレー
ト；第一または第二プレート上に取り付けられたフェイ
スプレート−ベースプレート対；第一プレートと第二プ
レートとの間に形成された封止リング；第一プレートと
第二プレートとの間に形成され、当初はパッケージを排
気するための流路を形成する複数の圧縮可能な突起；第
一または第二プレートに配設されるゲッタ材料；を含む
フィールドエミッションディスプレイパッケージ。
【００２５】（５２） ゲッタ材料が、フェイスプレー
ト−ベースプレート対を保持するバネ部材のかたちを有
する金属箔上に含有される前記５１に記載のパッケー
ジ。 （５３） 封止リング及び圧縮可能な突起が、ガラスフ
リット及びインジウムからなる群より選択される材料に
より形成される前記５１に記載のパッケージ。 （５４） 第一プレートが外部コネクタを有するセラミ
ックで形成されている前記５１に記載のパッケージ。 （５５） 第一プレート上に形成され外部コネクタと電
気的に接続したボンディングパッドにベースプレートを
ワイヤボンディングすることにより、前記外部コネクタ
とベースプレート間に電気パスを形成した前記５１に記
載のパッケージ。 （５６） 外部コネクタがピングリッドアレイとして形
成されている前記５１に記載のパッケージ。
【００２６】以下、本発明を詳細に説明する。大まかに
言えば、フィールドエミッションディスプレイパッケー
ジは、バックプレート（第一プレート）、カバープレー
ト（第二プレート）及びゲッタ材料からなるが、本発明
の方法を用いた場合、バックプレートとカバープレート
は、周縁封止によって結合され、パッケージの内部に脱
気された真空空間を形成することになる。この封止され
た空間内にフィールドエミッションディスプレイの各コ
ンポーネントが実装される。
【００２７】封止された空間の排気、及び周縁封止の形
成は、真空の反応室内で実行される。周縁封止を形成す
るためには、まず、ガラスフリットやインジウムのよう
な、流動状態にし得る(flowable)材料を含む封止リング
をバックプレート（またはカバープレート）上に周縁部
に沿ったパターンで塗布する。ガラスフリットからなる
封止リングについては、予備焼成して半結晶状態にする
必要もある。
【００２８】封止リングに加え、加熱・排気プロセスに
先立ち、圧縮可能な突起をバックプレートとカバープレ
ートの間に形成する。圧縮可能な突起は封止リングの一
部として形成してもよいし、別のコンポーネントとして
形成してもよい。排気・封止過程では、封止リングと圧
縮可能な突起を圧縮して周縁封止を形成し、この間にパ
ッケージ内部を排気する。
【００２９】圧縮可能な突起は、第一に、カバープレー
トをバックプレートから隔てて、排気孔、すなわちパッ
ケージ内部を排気するための流路を形成する機能を有す
る。同様にして、圧縮可能な突起は、パッケージ内のガ
ス雰囲気組成を調整するための逆方向の流路ともなる。
例えば、水素等をバックグラウンドガスとして封止空間
内に装入する場合があるが、ガスの再充填またはガスを
細流としてパージする手法（ガストリックルパージ (ga
s trickle purge)）を用いて行なうことができる。
【００３０】バックプレートとカバープレートとの間に
周縁封止を形成するのと同時に、高温によりパッケージ
内のゲッタを活性化することもできる。このように、パ
ッケージの排気、ゲッタの活性化、封止の形成を同一過
程で、単一の熱源により、さらに排気管を使用すること
なく実行できる。パッケージが封止された後は、ゲッタ
の機能により、封止されたパッケージ内をさらに減圧で
きる。
【００３１】排気・封止過程に先立ち、ディスプレイパ
ッケージのバックプレート及びカバープレートをフィー
ルドエミッションディスプレイ用のフェイスプレート−
ベースプレートペアと予備組立する。さらに、封止リン
グ及び圧縮可能な突起をバックプレートとカバープレー
トの間に形成する。次いで、この組立体を排気・加熱さ
れた反応室内に装入し、ディスプレイパッケージを排気
してガスを除き、ゲッタを活性化し、ディスプレイパッ
ケージを封止する。
【００３２】反応室としては、石英管炉またはステンレ
ス鋼の容器が利用できる。排気・封止過程の間、重みを
付けた位置合わせジグにより各プレートを位置合わせ
し、カバープレートを封止リングに押し当てる。あるい
は、封止すべき２面を位置合わせして互いにくっつけた
後、封止リングを実質的に圧縮するのに必要な荷重や締
付力を加えてもよい。また、この工程は、光学的または
機械的な位置合わせ技術を用いて室温大気圧下で行なう
バックプレートとカバープレートの位置合わせ操作を含
むものでも良い。
【００３３】ガラスフリットにより封止リングを形成す
るためには、排気・封止過程を数時間掛けて段階的に行
なうことが好ましい。はじめにパッケージを反応室に装
入し、真空ポンプを用いて反応室内に高真空状態（例え
ば、4.7 ×10-7Torr）を作り出す。と同時に、反応室内
は、はじめは比較的低い温度、具体的には、ガラスフリ
ットの流動点（例えば、１００〜１５０℃）よりも十分
に低い温度に保たれる。平衡に達し、圧縮可能な突起に
よってもたらされる流路を通してガスその他の含有物が
石英管及びパッケージから追い出されるのに十分な時間
（例えば１〜２時間）、パッケージはこの温度及び圧力
条件の下に置かれる。次いで、温度を（例えば、２１０
〜３１０℃に）上げ、温度を均一化し含有物の揮発除去
し、さらにパッケージの内部空間及び炉が真空を回復す
るまでの比較的長い時間保持する。この段階でもまだ、
温度はガラスフリットの流動点（フリット封止リングの
形成のため）よりも十分に低いが、ゲッタは活性化され
始める。
【００３４】次いで、ガラスフリットを粘稠ペーストと
するために添加した混合剤がフリットから揮発除去され
る温度（例えば、３２５〜４００℃）まで昇度する。こ
の温度でパッケージを数時間維持すると、ゲッタの活性
化はさらに進む。次いで温度をフリット材料の流動点以
上（例えば、４００℃以上）に高める。この温度では、
圧縮可能な突起及びフリット封止リングは位置合わせジ
グの重みによって流れ、連続的な周縁封止を形成する。
さらにこの時点では、ゲッタはより一層活性化され、既
に封止されたパッケージ内部の領域を排気する。次い
で、数時間かけて温度を下げる。この間、封止されたパ
ッケージ内の圧力はさらに減少する。パッケージ内の最
終圧力は4.0 ×10-7Torr程度とすることができる。
【００３５】好適な態様では、圧縮可能な突起は封止リ
ングと同じ材料でつくり封止リングの上に直に置く。こ
のような構成を採ることにより製造プロセスを簡略化す
ることができる。しかし、圧縮可能な突起を、封止リン
グの脇に向け、あるいはこれに隣り合うように形成して
もよい。さらに、熱化学的に圧縮可能である限り、圧縮
可能な突起を封止リングとは異なる組成としてもよい。
【００３６】別の態様では、フリット封止リングと圧縮
可能な突起は、フィールドエミッションディスプレイの
フェイスプレートとパッケージのバックプレートの間の
直接封止を形成するために用いられる。さらにまた別の
態様では、フィールドエミッションディスプレイのフェ
イスプレートとベースプレートによってパッケージが形
成される。この場合、圧縮可能な突起と封止リングは、
フェイスプレートからベースプレートへの直接封止を形
成するために用いられ、カバープレートやバックプレー
トは使用しない。
【００３７】
【発明の実施の態様】以下に本発明の好ましい態様につ
いて具体的に説明する。図１に、フィールドエミッショ
ンディスプレイパッケージ１０の製造における本発明の
方法を図解して示す。図１は製造過程におけるフィール
ドエミッションディスプレイパッケージ１０を示したも
のである。フィールドエミッションディスプレイパッケ
ージ１０は、透明なカバープレート１２、バックプレー
ト１４，バックプレート上に装着されたフェイスプレー
ト−ベースプレート対１６を含む。フェイスプレート−
ベースプレート対１６は、パッケージ１０の内部に形成
された、排気された封止空間１８内に装着されている。
このフィールドエミッションディスプレイ用のフェイス
プレート−ベースプレート対１６にはベースプレート２
２とディスプレイスクリーン２６が含まれる。
【００３８】図２に、フェイスプレート−ベースプレー
ト対１６のディスプレイセグメント２０の拡大図を示
す。各ディスプレイセグメント２０は、画像１ピクセル
（またはピクセルの一部）を表示する能力を有してい
る。ベースプレート２２は基板３２を含んでおり、これ
は、例えば単結晶シリコンのような材料で形成される
か、あるいは、ガラス基板上にアモルファスシリコンを
堆積させることにより形成される。基板３２の上には複
数のフィールドエミッタサイトが形成されている。グリ
ッド２４がエミッタサイト２８を取り囲んでいるが、こ
のグリッドは、絶縁層３０によって基板３２から絶縁・
分離されている。
【００３９】電源３４がエミッタサイト２８，グリッド
２４及びディスプレイスクリーン２６に接続されてい
る。ディスプレイスクリーン２６はスペーサ４０により
ベースプレート２２から分離されている（図１）。電源
３４により電位差が加えられると、電子流３６がエミッ
タサイト２８からディスプレイスクリーン２６に向けて
放出される。このシステムでは、ディスプレイスクリー
ン２６が陽極であり、エミッタサイト２８が陰極であ
る。エミッタサイト２８から放出された電子３６はディ
スプレイスクリーン２６の蛍光体３８を叩く。これによ
り蛍光体３８がより高いエネルギー準位に励起される。
蛍光体３８がその本来のエネルギー準位に戻る際に光子
が放出される。
【００４０】ロウ(Roe) らに付与された米国特許第5,30
2,238 号、キャスパー(Casper)らに付与された米国特許
第5,210,472 号、キャセイ(Cathey)らに付与された米国
特許第5,232,549 号、ローリー(Lowrey)らに付与された
米国特許第5,205,770 号、ドーン(Doan)らに付与された
米国特許第5,186,670 号、ドーン(Doan)らに付与された
米国特許第5,229,331 号にはフィールドエミッションデ
ィスプレイを製造する方法が開示されている。
【００４１】図１に戻ると、バックプレート１４は空洞
４２を含んでいる。ここには、フェイスプレート−ベー
スプレート対１６のベースプレート２２が装着される。
ベースプレート２２は、フェイスプレート−ベースプレ
ート対１６の動作を制御するための種々の電子素子及び
回路を含んでいる。ベースプレート２２は空洞４２内に
おいて、セラミックまたは石英材料で形成されたスペー
サロッド５４上に装着される。スペーサロッド５４は、
最終的にはベースプレート２２の両面に真空が形成され
るように、ベースプレート２２をバックプレート１４か
ら隔てている。ベースプレート２２をカバープレート１
２とバックプレート１４の間に装着することにより、シ
リコン製のベースプレートを用いた場合にシリコンをガ
ラスに封止する必要がなくなる。さらに、このような構
成を採ることにより、ベースプレート２２は気圧差にさ
らされることがない。また、大気圧による負荷に起因す
るたわみに抗し得る堅固な構造が得られる。また、バッ
クプレート１４はボンド棚４４を含んでおり、この上に
はボンディングパッド４６が配設される。ボンド棚４４
はバックプレート１４内に形成された溝５２内に形成さ
れており、ボンディングパッド４６は、バックプレート
１４の外側に形成された外部コネクタ５０に電気的に結
合される。外部コネクタ５０はピングリッドアレイ（Ｐ
ＧＡ）として形成され、パッケージ１０が最終的に装着
される専用のソケット組立体（図示していない。）に電
気的に接続するように設計されている。
【００４２】ボンディングパッド４６とこれらに対応す
るベースプレート２２上の接続点（図示していない。）
には導線４８がワイヤボンドされる。これによって、外
界から外部コネクタ５０、ボンディングパッド４６、導
線４８を通りベースプレート２２上に形成された電子回
路に至る回路パスが確立されることになる。また、ディ
スプレイスクリーン２６と導電パッド（これは封止され
た空間１８の外側に位置するバックプレート１４の側壁
を通じて供電する。）との間に高電圧接続（図示してい
ない。）がつくられる。
【００４３】好ましくは、ベースプレート２２に対する
外部の電気的接続は、すべて、バックプレート１４中に
形成される外部コネクタ５０を介したものとする。図示
した態様では、バックプレート１４は、ムライトのよう
なセラミック材料を積層し焼成して形成される多層ブロ
ックである。図１のバックプレート１４のような形状の
シート状ムライトは、京セラから市販されている。
【００４４】バックプレート１４は当該分野においては
既知である高温セラミック積層プロセスにより形成する
ことができる。このようなプロセスでは、まず、未焼成
で屈曲自在の状態にある生のセラミックからなるグリー
ンシートを所望のサイズに裁断する。次いで、ビアホー
ルその他の細部を必要に応じてグリーンシート上にパン
チ開けし、ビアホールを導電性材料（例えば、タングス
テンペースト）で充填あるいは被覆する。これにより、
積層体であるバックプレート１４の異なる層の間のレベ
ル間接続 (interlevel connection)が得られる。次に、
選択したグリーンシート面上にスクリーン印刷プロセス
を用いて導電線（または導電面）のメタライズドパター
ンを印刷する。この場合、導電線により、外部コネクタ
５０とボンディングパッド４６との間の導電パスが得ら
れる。
【００４５】必要に応じて複数枚のグリーンシートを形
成し、所定の順に重ね互いに結合する。これらのグリー
ンシートは、次いで、減圧下、高温（1500〜1600℃）で
焼成される。この後、メッキにより適当な金属からボン
ディングパッド４６その他の導電トレースを形成する。
メッキプロセスでは、電解または無電解の堆積の後に、
レジストコーティング、露光、現像、及び選択的な湿式
のケミカルエッチングを行なってもよい。次いで、切断
またはパンチング処理を行ない、バックプレート１４の
周縁寸法 (peripheral dimensions)を確定する。
【００４６】パッケージ１０のバックプレート１４は、
上から見れば、その外周が概ね矩形の形状をしている。
カバープレート１２はこれに見合う形状で、Corning 70
59のような透明ガラス材料で形成される。
【００４７】排気・封止プロセスに先立ち、バックプレ
ート１４とフェイスプレート−ベースプレート対１６を
組み立て部分組立体 (subassembly)としてワイヤボンド
する。さらにカバープレート１２とバックプレート１４
との間の空間１８内にゲッタ材料５６を配設する。ゲッ
タ材料５６はアルミニウムや鉄のような金属箔のストリ
ップ（小板）にゲッタ化合物をコートして形成すること
ができる。ゲッタ化合物の例としてはチタンベースの合
金が挙げられる。これはガス分子をトラップして反応す
る。金属箔上に堆積して、加熱時に活性化することので
きる金属粒子は市販されている。適当な製品の一例とし
ては、サエス（SAES）社からST-707として販売されてい
るゲッタストリップがある。ゲッタ材料５６は、封止・
排気プロセスにおいて、また、ディスプレイパッケージ
１０の寿命が続く間、封止された空間１８内の圧力を減
じるように機能する。
【００４８】ゲッタ材料５６は湾曲したバネ部材として
成形されており、フェイスプレート−ベースプレート対
１６をバックプレート１４の空洞４２内に保持するとい
う第二の機能も有している。このため、ゲッタ材料５６
は、バックプレート１４中に形成されたリップ（図示し
ていない。）に対して取り付けられ、フィールドエミッ
ションディスプレイのディスプレイスクリーン２６に圧
力を加えるように設計される。ゲッタ材料５６は当該材
料からなる２枚の比較的薄い（例えば、1/8 インチ（
0.32cm ））ストリップとして形成し、ディスプレイス
クリーン２６の外端部に沿って取り付けてもよい。図示
した態様では、ディスプレイスクリーン２６への高圧接
続をゲッタ材料５６と同様の形状のバネ部材により形成
することもできる。
【００４９】排気・封止プロセスにおいては、周縁封止
５８（図３（Ｃ））がカバープレート１２の内表面とバ
ックプレート１４の内表面上に形成される。封止された
空間１８が形成され排気されるのと同時にゲッタ材料５
６が活性化される。カバープレート１２、バックプレー
ト１４及び周縁封止５８により封止空間１８が形成され
る。周縁封止５８は上から見れば概ね矩形の周縁形状を
有している。
【００５０】図示した態様では、周縁封止５８はフリッ
トペーストをバックプレート１４の内表面に塗布し、次
いでペーストを予備焼成してフリット封止リング６０を
形成することにより形成される。例えば、粘稠なフリッ
トペーストを塗布して２００℃〜４００℃の温度まで予
備焼成する。予備焼成工程の目的は、フリット封止リン
グ６０をフリット材料が半結晶状態すなわち部分的に固
い状態になる温度まで加熱することにある。一般的に
は、この温度は、フリットの前核化(prenucleation) が
起こり始めるよりも十分に低い温度である。
【００５１】フリット封止リングは、日本電気硝子米国
社(Nippon Electric Glass America, Inc.) からLS-010
4 として市販されているガラスフリット材料で形成する
ことができる。ガラスフリット材料はガラス質フリット
でも失透性(devitrifying)フリットのいずれでもよい。
なお、ここでいう、ガラス化する(vitrify) 、ガラス化
(vitrification) 及び焼成(firing)という用語は、ケイ
酸質材料を溶融し次いで冷却することによりアモルファ
スなガラス状態にすることを意味している。フリット封
止リング６０用のガラスフリット材料は、カバープレー
ト１２及びバックプレート１４の熱膨張係数と近い値を
有することが好ましい。フリット封止リング６０は、適
当なステンシル（図示していない。）を用いて粘稠ペー
ストして塗布するか、分散ノズルからビーズとして塗布
される。ペーストはガラスフリット材料を松油(pine oi
l)のような溶剤と組み合わせることにより形成できる。
【００５２】フリット封止リング６０はまた、本明細書
で圧縮可能な突起６２と呼んでいる突起を含む。圧縮可
能な突起６２は概ね矩形状のフリット封止リング６０の
周縁の角に形成される。圧縮可能な突起６２部分では高
さが、つまり厚みが大きくなっており、好ましくは、ほ
かのフリット封止リング６０部分と同じ材質で形成す
る。圧縮可能な突起６２ははじめはカバープレート１２
をフリット封止リング６０から分離し、排気・封止プロ
セスにおいて流路を作り出すものである。
【００５３】フリット封止リング６０について、排気・
封止プロセスは、加熱した反応室６４内において真空雰
囲気で行なわれる。例えば、反応室６４として、半導体
製造に用いられる拡散炉のように石英内張りした管を用
いることができる。一般的に、拡散炉は、ドーパントを
高温減圧下、半導体基板中に拡散させるのに用いる。低
圧CVD(LPCVD)炉も用いることができる。LPCVD 炉もまた
半導体製造において、様々な材料を高温減圧下に堆積さ
せるのに用いられる。これらのタイプの炉は、ガラスフ
リット材料を流動化するのに必要な温度（例えば１００
℃〜６００℃）以上の温度に加熱することができる。さ
らにこれらのタイプの炉は、適当なポンプを用いれば10
-7Torr未満まで排気することが可能である。反応炉６４
はまたステンレス鋼容器で形成してもよい。
【００５４】図１に示すように、反応室６４はバルブを
有する導管７４及び真空ポンプ７２と流体が導通可能な
ように接続されている。バルブを有するパージライン７
６により様々なガスを反応室６４からパージすることが
できる。圧力計７８は反応室６４内の圧力を計測する。
さらに熱源８０が操作可能に反応室６４に結合されてお
り、これにより反応室内を高温に加熱する。石英製の作
業ホルダー７０を用いてパッケージ１０を反応室６４内
に支持する。さらに、重みを有する位置合わせジグ６６
をカバープレート１２上に載置して周縁封止５８を形成
するのに必要な機械的力（Ｆ）を作用させるようにして
もよい。位置合わせジグ６６はさらに、カバープレート
１２をバックプレート１４に対して合わせた位置を維持
できるように構成する。あるいは、フリット封止リング
６０と圧縮可能な突起６２を圧縮するのに必要な力を加
える前に、カバープレート１２とバックプレート１４を
互いに位置合わせしてもよい。
【００５５】排気・封止プロセスは図３（Ａ〜Ｃ）に模
式的に図解されている。図３（Ａ）に示すように、はじ
めに、フリット封止リング６０と圧縮可能な突起６２を
半結晶状態、あるいは部分的に固くした状態とする。プ
ロセスのこの段階では、圧縮可能な突起６２はカバープ
レート１２を、その間に排気開口部６８が形成されるよ
うに支持している。排気開口部６８は矩形状フリット封
止リング６０の長さ及び幅にわたって延びている。さら
に、排気開口部６８は、圧縮可能な突起６２の高さによ
って決まる高さＨを有している。例えば、圧縮可能な突
起６２は約0.01インチ（0.0025ｃｍ）のオーダーの高さ
である。もっとも、この値に限定されるものではない。
圧縮可能な突起６２間の隔たりはフィールドエミッショ
ンディスプレイ１０全体の大きさによる。例えば、およ
そ１インチ（2.54ｃｍ）のオーダーであるが、この値に
限定されるものではない。
【００５６】はじめに、フリット封止リング６０を図３
（Ａ）の位置に設けて排気開口部６８と排気用流路を形
成した状態で、排気開口部６８カバープレート１２とバ
ックプレート１４を炉の反応室６４内に置く。次いで、
排気・封止プロセスを開始し、パッケージ１０を排気
し、フリット封止リング６０及び圧縮可能な突起６２を
加熱して周縁封止５８を形成する。
【００５７】カバープレート１２とバックプレート１４
を反応室６４内に置いたら、反応室６４を排気して大気
圧から負圧、具体的には10-7のオーダー以下まで減じ
る。一方、反応室６４内の温度は、室温から、フリット
封止リング６０と圧縮可能な突起６２が流動化して周縁
封止５８を形成するに十分な温度まで高める。
【００５８】排気・封止プロセスは好ましくは段階的
に、具体的には、はじめに反応室６４をポンプで引いて
負圧とし、次いで次第に温度を上げて所定値に至るよう
に行なう。炉の制御は、反応室６４内で所定の温度及び
圧力を実現できるように設定する。
【００５９】はじめに、圧縮可能な突起６２によって排
気開口部６８を形成し、フィールドエミッションディス
プレイパッケージ１０の内部を排気するための流路を確
保する。図３（Ｂ）に示すように、排気・封止プロセス
が進行するにつれ、フリット封止リング６０と圧縮可能
な突起６２が軟化して互いに接近してくるため、排気開
口部６８は閉じ始める。
【００６０】図３（Ｃ）に示すように、排気・封止プロ
セスの完了時には、フリット封止リング６０と圧縮可能
な突起６２は溶融して互いに混ざり合い周縁封止５８を
形成している。この時点では排気開口部６８は完全に封
止されている。また、高温によりゲッタ材料５６は活性
化され、封止空間１８からガス及び蒸気を引き抜き続け
ていく。
【００６１】あるいは、フリット材料で封止リングを形
成する代わりに、これと実質的に同等な封止リングをイ
ンジウムで形成してもよい。この態様では、インジウム
は、インジウム線を閉じたループのような所定のかたち
として用いればよい。あるいは、はんだ付けにより、ま
たは、スパチュラその他の道具を用いた手法によりイン
ジウムの封止リングを形成してもよい。なお、インジウ
ムで形成された封止リングは、形成後の加熱を必要とせ
ず、圧縮のみで封止を形成することができる。もっと
も、この態様でも、ゲッタを活性化するために、形成後
の加熱工程は必要であろう。
【００６２】［実施例］以下の例は封止リングと圧縮可
能な突起をフリット材料で形成する場合に関するもので
ある。排気・封止プロセスは、好ましくは、温度を上げ
て数時間保持する複数の段階を経て行なう。図４にこの
ような温度制御プロセスを示す。また、表１には、図示
したプロセスについて、処理開始からの時間（プロセス
タイム）、各工程に要する時間、工程のタイプ、温度及
び圧力といったパラメータをまとめて示した。
【００６３】
【００６４】このプロセスを簡単に要約すると以下の通
りである。はじめに反応室６４を１２５℃の温度に放置
する。反応室６４は真空状態から通気して大気雰囲気下
に開放する。パッケージ１０を反応室６４内に置き、反
応室を4.7 ×１０-7Torr程度に排気する。パッケージ１
０は１２５℃の温度で２時間保つ。この間にパッケージ
１０と反応室６４からはガスが除かれ平衡に達する。こ
の段階でガスとして除かれる主要成分は水である。
【００６５】次いで半時間で温度を３７５℃まで上げ、
３時間保つ。これにより、フリット封止リング６０や圧
縮可能な突起６２を粘稠ペーストとするために添加され
た松油のような混合剤が完全に揮発除去される。さら
に、パッケージ１０と反応室６４をこの温度と平衡にし
てパッケージ内部領域及び反応室が真空を回復するよう
にする。この時点で、ゲッタの活性化も始まっている。
次いで温度を４２５℃まで上昇させ、１時間保つ。これ
は、圧縮可能な突起６２とフリット封止リング６０が軟
化し流動する温度である。さらに、重みを付けた位置合
わせジグ６６により力（Ｆ）が加えられているため、圧
縮可能な突起６２とフリット封止リング６０は、押し出
される、つまり流動する。この高温でゲッタ５６はさら
に完全に活性化され封止空間１８が形成されるにつれパ
ッケージ内の脱気を続ける。
【００６６】次いで温度を３９５℃に下げ、この状態で
２時間保つ。これによりゲッタ材料が封止空間１８から
効率的にガス及び蒸気を除去する。次いで温度を１２５
℃に下げ約２時間保つ。反応室６４に通気して大気圧と
しパッケージ１０を反応室６４から除く。図５と図６
に、本発明の別の態様を示す。図５では、フィールドエ
ミッションディスプレイパッケージ１０Ａは、上に述べ
た各コンポーネントと同様なベースプレート２２Ａとデ
ィスプレイスクリーン２６Ａを含んでいる。しかし、こ
の態様では、カバープレート１２とバックプレート１４
がなく、フリット封止リング６０Ａと圧縮可能な突起６
２Ａを用いることにより、ベースプレート２２Ａとディ
スプレイスクリーン２６Ａとの間に、実質的に上記と同
様な直接封止が形成される。
【００６７】図６では、フィールドエミッションパッケ
ージ１０Ｂには、前述のバックプレートと同等なバック
プレート１４Ｂは含まれているが、カバープレートがな
く、フリット封止リング６０Ｂと圧縮可能な突起６２Ｂ
を用いることにより、バックプレート１４Ｂとディスプ
レイスクリーン２６Ｂとの間に、実質的に上記と同様な
直接封止が形成される。以上、ある種の好適態様につい
て本発明を説明したが、当業者には明らかなように、特
許請求の範囲により規定される本発明の範囲内におい
て、このほかの変化や修正を施すことも可能である。
【００６８】
【発明の効果】本発明の方法によれば、排気と封止形成
が実質的に同時に進行するため、排気管を用いることな
くフィールドエミッションディスプレイを形成すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の方法にしたがい製造したフィールド
エミッションディスプレイパッケージの模式的断面図。
【図２】 図１のフィールドエミッションディスプレイ
パッケージのフィールドエミッションディスプレイセグ
メントを拡大して示す模式的断面図。
【図３】 本発明の排気・封止プロセスにおける封止形
成過程を一部の部品を除いた状態で示す模式的側面図。
【図４】 本発明に従い、排気、封止及びゲッタ活性化
を行なう際の反応室内の圧力(Torr)と温度（℃）の時間
変化を示すグラフ。
【図５】 カバープレートを用いず、フェイスプレート
とバックプレートとの間に直接封止を形成する、本発明
の別な態様によるフィールドエミッションディスプレイ
パッケージの模式的断面図。
【図６】 カバープレートまたはバックプレートを用い
ず、フェイスプレートとベースプレートとの間に直接封
止を形成する、本発明の別な態様によるフィールドエミ
ッションディスプレイパッケージの模式的断面図。
【符号の説明】
１０ フィ−ルドエミッションディスプレイパッケ−ジ １０Ａ フィ−ルドエミッションディスプレイパッケ−
ジ １０Ｂ フィ−ルドエミッションディスプレイパッケ−
ジ １２ カバープレート １４ バックプレート １４Ｂ バックプレート １６ フェイスプレート−ベースプレート対 １８ 封止空間 ２０ ディスプレイセグメント ２２ ベースプレート ２２Ａ ベースプレート ２４ グリッド ２６ ディスプレイスクリーン ２６Ａ ディスプレイスクリーン ２６Ｂ ディスプレイスクリーン ２８ エミッタサイト ３２ 基板 ３６ 電子 ３８ 蛍光体 ４０ スペーサ ４２ 空洞 ４４ ボンド棚 ４６ ボンディングパッド ４８ 導線 ５０ 外部コネクタ ５６ ゲッタ材料 ５８ 周縁封止 ６０ フリット封止リング ６０Ａ フリット封止リング ６０Ｂ フリット封止リング ６２ 圧縮可能な突起 ６２Ａ 圧縮可能な突起 ６２Ｂ 圧縮可能な突起 ６４ 反応室 ６６ 位置合わせジグ ６８ 排気開口部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 596145983 8000 Ｓｏｕｔｈ Ｆｅｄｅｒａｌ Ｗａ ｙ Ｂｏｉｓｅ，Ｉｄａｈｏ 83707− 0006 Ｕ．Ｓ．Ａ. (72)発明者 デイビッド・エイ・キャセイ・ジュニア アメリカ合衆国，83703，アイダホ，ボイ ジ，ノース・ウォーターズ・エッジ5193 (72)発明者 ラリー・キンズマン アメリカ合衆国，83706，アイダホ，ボイ ジ，エイチシー33ボックス2461

Claims (56)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第一プレートを形成する工程；第一プレ
    ートと対になりこれに係合する第二プレートを形成する
    工程；第一プレートと第二プレートとの間に流動性材料
    からなる封止リングを形成する工程；第一プレートと第
    二プレートとを分離し、その間の空間を排気するための
    流路が得られように第一プレートと第二プレートとの間
    に複数の圧縮可能な突起を形成する工程；減圧した反応
    室内に第一及び第二のプレートを置き、前記空間を排気
    する工程；及び封止リング及び圧縮可能な突起を圧縮し
    て該突起を変形させ、排気された空間の回りに連続封止
    を形成する工程を含む、パッケージを排気、封止するた
    めの方法。
  2. 【請求項２】 封止リング及び圧縮可能な突起がガラス
    フリット材料で形成されており、圧縮工程において、さ
    らに封止リング及び圧縮可能な突起を加熱する請求項１
    に記載の方法。
  3. 【請求項３】 圧縮工程に先立ち、さらに封止リング及
    び圧縮可能な突起を予備焼成する請求項２に記載の方
    法。
  4. 【請求項４】 前記空間内にゲッタ材料が含まれてお
    り、加熱工程でこのゲッタ材料を活性化する請求項３に
    記載の方法。
  5. 【請求項５】 反応室を、突起の流動点より低い第一温
    度に加熱し、第一の期間そのまま保持し、次いで、突起
    の流動点以上の第二温度に加熱し、第二の期間そのまま
    保持する請求項４に記載の方法。
  6. 【請求項６】 第一プレートまたは第二プレート上に粘
    稠なペーストとして堆積され、しかる後予備焼成される
    ガラスフリット材料により封止リングを形成する請求項
    １に記載の方法。
  7. 【請求項７】 第一プレートまたは第二プレート上に粘
    稠なペーストとして堆積され、しかる後予備焼成される
    ガラスフリット材料により圧縮可能な突起を形成する請
    求項１に記載の方法。
  8. 【請求項８】 封止リングをインジウムにより形成する
    請求項１に記載の方法。
  9. 【請求項９】 圧縮可能な突起をインジウムにより形成
    する請求項１に記載の方法。
  10. 【請求項１０】 封止リング及び圧縮可能な突起をイン
    ジウムにより形成する請求項１に記載の方法。
  11. 【請求項１１】 圧縮可能な突起を封止リング上に形成
    する請求項１に記載の方法。
  12. 【請求項１２】 第一または第二のプレート上にフィー
    ルドエミッションディスプレイのコンポーネントを取り
    付ける請求項１に記載の方法。
  13. 【請求項１３】 第一及び第二のプレートをセラミック
    及びガラスからなる群から選択される材料により形成す
    る請求項１に記載の方法。
  14. 【請求項１４】 さらに、圧縮可能な突起により得られ
    る流路を用いて前記空間内のガス組成を操作する工程を
    含む請求項１に記載の方法。
  15. 【請求項１５】 第一及び第二のプレートを反応室内に
    配置するのに先立ち大気圧下で位置合わせする請求項１
    に記載の方法。
  16. 【請求項１６】 請求項１に記載の方法により製造され
    るパッケージ。
  17. 【請求項１７】 第一プレートを形成する工程；第一プ
    レートと対になりこれと係合する第二プレートを形成す
    る工程；第一または第二のプレート上にフィールドエミ
    ッションディスプレイコンポーネントを取り付ける工
    程；第一プレートと第二プレートとの間に封止リングを
    形成する工程；第一プレートと第二プレートとを分離
    し、その間の空間を排気するための流路が得られるよう
    に第一プレートと第二プレートとの間に複数の圧縮可能
    な突起を形成する工程；反応室内に第一及び第二のプレ
    ートを置く工程；反応室内を減圧し前記空間を排気する
    工程；及び圧縮可能な突起を変形させ、周縁封止を形成
    する工程を含む、フィールドエミッションディスプレイ
    パッケージを排気・封止するための方法。
  18. 【請求項１８】 圧縮により前記突起を変形する請求項
    １７に記載の方法。
  19. 【請求項１９】 加熱により前記突起を変形する請求項
    １７に記載の方法。
  20. 【請求項２０】 圧縮及び加熱により前記突起を変形す
    る請求項１７に記載の方法。
  21. 【請求項２１】 はじめに粘稠なペーストとしていずれ
    かのプレート上に堆積され、次いで予備焼成されるガラ
    スフリットにより封止リングを形成する請求項１７に記
    載の方法。
  22. 【請求項２２】 封止リング及び突起をインジウムによ
    り形成する請求項１７に記載の方法。
  23. 【請求項２３】 さらに、いずれかのプレートにゲッタ
    材料を配設し、反応室を加熱することによりゲッタ材料
    を活性化する工程を含む請求項１７に記載の方法。
  24. 【請求項２４】 反応室を排気して低圧として段階的に
    反応室の温度を高める請求項１７に記載の方法。
  25. 【請求項２５】 圧力を約1.0 ×１０-5〜4.0 ×１０-7
    Torr とする請求項１７に記載の方法。
  26. 【請求項２６】 フィールドエミッションコンポーネン
    トが、その上にエミッタサイトの形成されたベースプレ
    ートを含むものである請求項１７に記載の方法。
  27. 【請求項２７】 請求項２６に記載の方法により製造さ
    れるパッケージ。
  28. 【請求項２８】 封止リング及び圧縮可能な突起をガラ
    スフリットで形成し、反応室を封止リングの流動点より
    も低い第一温度に加熱して第一の期間そのまま保持さ
    れ、次いで、封止リングの流動点以上の第二の温度に加
    熱して第二の期間そのまま保持する請求項１７に記載の
    方法。
  29. 【請求項２９】 第一及び第二のプレートを反応室内に
    配置するのに先立ち大気圧下で位置合わせする請求項１
    ７に記載の方法。
  30. 【請求項３０】 フィールドエミッションディスプレイ
    コンポーネントが、対として組み立てられ、第一または
    第二のプレートに取り付けられるベースプレート及びフ
    ェイスプレートを含む請求項１７に記載の方法。
  31. 【請求項３１】 第一プレートが、フィールドエミッシ
    ョンディスプレイのベースプレートであり、第二プレー
    トがフィールドエミッションディスプレイのフェイスプ
    レートである請求項１７に記載の方法。
  32. 【請求項３２】 第一プレートが、パッケージのバック
    プレートであり、第二プレートがフィールドエミッショ
    ンディスプレイのフェイスプレートである請求項１７に
    記載の方法。
  33. 【請求項３３】 さらに、圧縮可能な突起により得られ
    る流路を用いて前記空間内のガス組成を操作する工程を
    含む請求項１７に記載の方法。
  34. 【請求項３４】複数の外部電気コネクタを有する第一プ
    レートを形成する工程；フィールドエミッションディス
    プレイのフェイスプレート−ベースプレート対を第一プ
    レートに前記コネクタと電気的に接続するように取り付
    ける工程；第一プレートと対になりこれと係合する透明
    な第二プレートを形成する工程；第一プレートまたは第
    二プレートにゲッタ材料を配設する工程；第一プレート
    と第二プレートとの間に封止リングを形成する工程；第
    一プレートと第二プレートとを分離する複数の圧縮可能
    な突起を形成する工程；反応室内に第一及び第二のプレ
    ートを置く工程；前記突起が流路を形成している間に反
    応室内を減圧し第一プレートと第二プレートの間の空間
    を排気する工程；及び圧縮可能な突起を変形させ、周縁
    封止を形成する工程を含む、フィールドエミッションデ
    ィスプレイパッケージを排気、封止するための方法。
  35. 【請求項３５】 突起をガラスフリットで形成し、さら
    に、突起を変形しゲッタを活性化するために反応室を加
    熱する工程を含む請求項３４に記載の方法。
  36. 【請求項３６】 空洞を有する第一プレートを形成し、
    この空洞内にフェイスプレート−ベースプレート対を取
    り付ける請求項３４に記載の方法。
  37. 【請求項３７】 前記コネクタと電気的に接続するよう
    に第一プレート上のボンドパッドにベースプレートをワ
    イヤボンドする請求項３４に記載の方法。
  38. 【請求項３８】 前記コネクタがピングリッドアレイと
    して形成される請求項３４に記載の方法。
  39. 【請求項３９】 第一プレートがセラミックにより形成
    される請求項３４に記載の方法。
  40. 【請求項４０】 第二プレートがガラスにより形成され
    る請求項３４に記載の方法。
  41. 【請求項４１】 ゲッタ材料が金属箔上に形成される請
    求項３４に記載の方法。
  42. 【請求項４２】 封止リングをガラスフリットにより形
    成し、反応室をパッケージ内の気体を除く第一温度に、
    次いで、含有物を除去する第二温度に、次いで、突起を
    変形する第三温度に加熱する請求項３４に記載の方法。
  43. 【請求項４３】 請求項３４に記載の方法により製造さ
    れるフィールドエミッションディスプレイパッケージ。
  44. 【請求項４４】 封止リング及び圧縮可能な突起を、ガ
    ラスフリット及びインジウムからなる群より選択される
    材料により形成する請求項３４に記載の方法。
  45. 【請求項４５】 第一プレートを形成する工程；フェイ
    スプレート−ベースプレート対を第一プレートに取り付
    ける工程；第一プレートと対になりこれと係合する透明
    な第二プレートを形成する工程；第一プレートと第二プ
    レートとの間に封止リングを形成する工程；当初は第一
    プレートと第二プレートとを分離する、複数の圧縮可能
    な突起を形成する工程；反応室内に第一及び第二のプレ
    ートを置く工程；前記突起がガス流路を形成している間
    に反応室内を減圧し第一プレートと第二プレートの間の
    空間を排気する工程；及び圧縮可能な突起を変形させる
    工程；を含む方法により形成されるフィールドエミッシ
    ョンディスプレイパッケージ。
  46. 【請求項４６】 前記突起を変形するために反応室を加
    熱する請求項４５に記載のパッケージ。
  47. 【請求項４７】 ゲッタ材料を第一または第二プレート
    に配設し、加熱工程においてゲッタ材料を活性化する請
    求項４６に記載のパッケージ。
  48. 【請求項４８】 封止リング及び圧縮可能な突起が、ガ
    ラスフリット及びインジウムからなる群より選択される
    材料により形成される請求項４５に記載のパッケージ。
  49. 【請求項４９】 ゲッタ材料が、フェイスプレート−ベ
    ースプレート対を保持するバネ部材のかたちを有する金
    属箔上に含有される請求項４５に記載のパッケージ。
  50. 【請求項５０】 反応室を封止リングの流動点より低い
    第一温度に加熱し、第一の期間そのまま保持し、次い
    で、流動点以上の第二温度に加熱し第二の期間そのまま
    保持する請求項４５に記載のパッケージ。
  51. 【請求項５１】 第一プレート；第一プレートと対にな
    りこれと係合するように構成された第二プレート；第一
    または第二プレート上に取り付けられたフェイスプレー
    ト−ベースプレート対；第一プレートと第二プレートと
    の間に形成された封止リング；第一プレートと第二プレ
    ートとの間に形成され、当初はパッケージを排気するた
    めの流路を形成する複数の圧縮可能な突起；第一または
    第二プレートに配設されるゲッタ材料；を含むフィール
    ドエミッションディスプレイパッケージ。
  52. 【請求項５２】 ゲッタ材料が、フェイスプレート−ベ
    ースプレート対を保持するバネ部材のかたちを有する金
    属箔上に含有される請求項５１に記載のパッケージ。
  53. 【請求項５３】 封止リング及び圧縮可能な突起が、ガ
    ラスフリット及びインジウムからなる群より選択される
    材料により形成される請求項５１に記載のパッケージ。
  54. 【請求項５４】 第一プレートが外部コネクタを有する
    セラミックで形成されている請求項５１に記載のパッケ
    ージ。
  55. 【請求項５５】 第一プレート上に形成され外部コネク
    タと電気的に接続したボンディングパッドにベースプレ
    ートをワイヤボンディングすることにより、前記外部コ
    ネクタとベースプレート間に電気パスを形成した請求項
    ５１に記載のパッケージ。
  56. 【請求項５６】 外部コネクタがピングリッドアレイと
    して形成されている請求項５１に記載のパッケージ。
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