JP2000215791A

JP2000215791A - 封止パネル装置及びその製造方法

Info

Publication number: JP2000215791A
Application number: JP1482399A
Authority: JP
Inventors: Tomoo Kosugi; 知生小杉
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1999-01-22
Filing date: 1999-01-22
Publication date: 2000-08-04

Abstract

(57)【要約】【課題】２枚のパネル間の空間の真空度が高く、且つ、
最終製品の組立てに際して立体的な制約の少ない封止パ
ネル装置、及びかかる封止パネル装置を優れた量産性を
もって製造する方法を提供する。【解決手段】対向配置された第１パネル１１と第２パネ
ル１２、及び蓋部４０から成り、第１パネル１１と第２
パネル１２とは、周縁部においてシール部材２０ａを用
いて接着され、第１パネル１１、第２パネル１２及びシ
ール部材２０ａの少なくとも１つには、開口部１３が設
けられ、該開口部１３は、低融点金属材料から成る接着
層３０によってパネルに接着された該蓋部４０により閉
鎖され、第１パネル１１とシール部材２０ａと第２パネ
ル１２と接着層３０と蓋部４０とによって囲まれた空間
は真空（ＶＡＣ）である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、封止パネル装置及
びその製造方法に関し、より詳しくは、対向配置された
２枚のパネルの間の空間が真空にされた封止パネル装
置、及び、かかる封止パネル装置を優れた量産性をもっ
て製造可能とする封止パネル装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、画像表示装置の分野において、
対向配置された２枚のパネルの間の空間が真空にされた
封止パネル装置が用いられている。封止パネル装置の一
般的な構成において、真空空間を規定する部材は、２枚
のパネル及びこれら２枚のパネルの周縁部に介在された
シール部材である。シール部材は、一般に、２枚のパネ
ルの対向距離に等しい厚さを有するフリット・ガラスの
層、あるいは、２枚のパネルの対向距離にほぼ等しい高
さを有する枠体と、枠体を２枚のパネルに接着するため
のフリット・ガラスの層から成る。フリット・ガラス
は、ガラス微粒子を有機バインダ中に分散させた高粘度
のペースト状材料であり、所定のパターンに塗布した
後、焼成によって有機バインダを除去することにより、
固体層となる。

【０００３】かかる封止パネル装置の代表例として、平
面画像表示装置、例えば冷陰極電界電子放出型の表示装
置（以下、単に表示装置と称する）を挙げることができ
る。この表示装置は、透明支持体上に蛍光体層とアノー
ド電極とが形成されて成るアノード・パネルと、支持体
上に複数の冷陰極電界電子放出素子（以下、単に電界放
出素子と称する）が形成されて成るカソード・パネルと
が、真空空間を挟んで対向配置された構成を有する。電
界放出素子は、ミクロン・オーダーの寸法にて形成され
た電子放出部を有しており、この電子放出部が或る強度
以上の電界中に置かれたときに電子放出部から真空中へ
向けて電子が放出され、この電子がアノード電極に引き
付けられて蛍光体に衝突し、発光を得る。

【０００４】封止パネル装置の真空空間を形成する方法
には、大別して、（ａ）２枚のパネルをシール部材を用
いて接着した後に排気を行って形成する方法と、（ｂ）
２枚のパネルをシール部材を用いて接着する作業を真空
雰囲気中で行うことにより、接着と同時に形成する方法
とがある。排気を行う方法（ａ）では、２枚のパネルの
少なくとも一方に、予めチップ管と呼ばれる直径１０ｍ
ｍ程度のガラス管を挿通しておき、接着後にこの排気管
を排気装置に接続して２枚のパネルの間の空間を排気
し、空間が所望の真空度に達した時点でガラス管を加熱
融着させる。一方、真空雰囲気中で接着を行う方法
（ｂ）では、真空容器内で２枚のパネルをシール部材を
挟んで位置合わせし、この状態で加熱を行って２枚のパ
ネルをシール部材で接着させる。加熱の温度は、シール
部材としてフリット・ガラスを使用する場合、４５０°
Ｃ程度である。この温度は、フリット・ガラスの典型的
な焼成温度である。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
真空空間の形成方法には問題点もある。先ず、排気を行
う方法（ａ）では、パネル間の空間の排気コンダクタン
スに起因して、排気工程に多大な時間を要する。特に、
電界放出素子を備えた表示装置を想定した場合、各パネ
ルの対角寸法が数インチ〜数十インチであるのに対し、
パネル間の対向距離は０．２ｍｍ〜１ｍｍと狭いので、
排気コンダクタンスは著しく大きくなる。現状では、上
記表示装置の一般的な最終到達真空度として１０^-4Ｐａ
のオーダーを達成するために、対角寸法数インチの表示
装置ですら排気に十数時間を要している。対角寸法がよ
り大きい表示装置では、排気に要する時間は膨大とな
り、排気装置の能力によっては所望の真空度が達成され
ない可能性もある。このことは、封止パネル装置の大画
面化や量産に向けて大きな障害となる。

【０００６】また、排気を行う方法（ａ）では、チップ
管を加熱融着する際にチップ管の内壁から大量のガスが
放出され、このガスの一部がパネル間の空間に閉じ込め
られるため、真空度は多くの場合、１０^-1Ｐａのオーダ
ーまで劣化してしまう。空間内に予めゲッターを組み込
んでおけば、チップ管の加熱融着後にゲッターを加熱に
より活性化することで真空度の改善は可能であるが、そ
の改善は１桁程度にとどまる。従って、最終到達真空度
として１０^-4Ｐａのオーダーを達成するためには、ゲッ
ター活性化前の真空度として１０^-3Ｐａのオーダーが達
成されていることが必要であるが、チップ管の加熱融着
を行う方法で１０^-3Ｐａのオーダーの真空度を達成する
ことは極めて困難である。特に、電界放出素子を備えた
表示装置にあっては、パネル間の空間に何らかのガスが
存在していると、このガスから生じたイオンによって微
小な電子放出部がスパッタされ、電子放出効率が変化し
たり、あるいは電子放出部が損傷を受けて表示装置の寿
命が短縮するといった問題がある。

【０００７】排気を行う方法（ａ）は更に、チップ管が
パネル面から突き出すために、表示装置の最終製品を組
み立てる際に立体的な制約を招き、特に薄型化を図る上
でも不利である。

【０００８】真空雰囲気中で接着を行う方法（ｂ）で
は、排気コンダクタンスに起因する排気工程の長時間化
の問題が解決され、真空雰囲気さえ所望の最終到達真空
度に設定しておけば、パネルの寸法に依存せずにパネル
間に高真空空間を形成することは比較的容易である。し
かし、接着に際してパネル全体を加熱するので、フリッ
ト・ガラスに起因する空間の汚染や真空度の劣化が生じ
易い。空間の汚染は、主としてフリット・ガラスのペー
ストに含まれる有機バインダに起因する。また、真空度
の劣化は、フリット・ガラスやパネル内壁面からの脱ガ
スに起因する。フリット・ガラスのペーストは一般に高
粘度であるため、パネル上に所定のパターンに塗布され
る際に、塗膜中に気泡が形成され易く、この気泡の中に
含まれていたガスがパネル間の空間に放出されて真空度
を劣化させる。パネル内壁面からの脱ガスは、主として
吸着水分の脱離による。

【０００９】従って、本発明は、２枚のパネル間の空間
の真空度が高く、且つ、最終製品の組立てに際して立体
的な制約が少なく、薄型化を図ることができる封止パネ
ル装置、及びかかる封止パネル装置を優れた量産性をも
って製造する方法を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明の封止パネル装置は、対向配置された第１パ
ネルと第２パネル、及び蓋部から成り、第１パネルと第
２パネルとは、周縁部においてシール部材を用いて接着
され、第１パネル、第２パネル及びシール部材の少なく
とも１つには、開口部が設けられ、該開口部は、低融点
金属材料から成る接着層によってパネルに接着された該
蓋部により閉鎖され、第１パネルとシール部材と第２パ
ネルと接着層と蓋部とによって囲まれた空間は真空であ
ることを特徴とする。

【００１１】かかる封止パネル装置を製造するための本
発明の製造方法は、第１パネルと第２パネルとが真空空
間を挟んで対向配置され、第１パネル、第２パネル及び
シール部材の少なくとも１つに設けられた開口部が蓋部
によって閉鎖された構造を有する封止パネル装置の製造
方法であって、（イ）対向配置された第１パネルの周縁
部と第２パネルの周縁部とを、シール部材を用いて接着
する工程、及び、（ロ）低融点金属材料から成る接着層
によって、真空雰囲気中で開口部近傍のパネルに蓋部を
接着する工程、から成ることを特徴とする。

【００１２】本発明の封止パネル装置の製造方法は、従
来のような接着後の排気を行う代わりに、空間が閉鎖さ
れる直前の第１パネル及び第２パネルを真空雰囲気中に
置き、蓋部の接着と同時に真空空間を形成することを趣
旨としている。従って、必ず真空雰囲気中で行わなけれ
ばならない工程は（ロ）であり、工程（イ）については
特に真空雰囲気中で行う必要はなく、常圧下、あるいは
減圧下で行うことができる。更に、常圧下あるいは減圧
下の雰囲気は、窒素ガスや周期律表０族に属する希ガス
（例えばＡｒガス）を含む不活性ガス雰囲気であること
が好ましい。

【００１３】本発明の封止パネル装置の製造方法では、
工程（イ）において接着を行う際の温度は、工程（ロ）
において接着を行う際の温度よりも高いことが好適であ
る。工程（ロ）は、パネル間の空間を閉鎖真空空間とす
るための最終工程であるが、かかる温度設定を行うこと
により、工程（ロ）を行う際に、既に形成されているシ
ール部材の変形、あるいは、新たな脱ガスによる真空度
の劣化を確実に避けることができる。尚、工程（ロ）に
おいて接着を行う際の温度は、工程（イ）において接着
を行う際の温度よりも低く、且つ、接着層による接着が
可能な温度であれば、特に限定されない。接着層を構成
する低融点金属材料の種類によっては、加熱を行わなく
ても、圧力、超音波、高周波等のエネルギーを与えるこ
とにより、常温若しくはその近傍温度で接着が可能であ
る。

【００１４】本発明の封止パネル装置は、シール部材が
枠体を含まない態様と、シール部材が枠体を含む態様と
に大別することができる。以下、シール部材が枠体を含
まない態様を本発明の第１の態様と称し、シール部材が
枠体を含む態様を本発明の第２の態様と称する。本発明
の第１の態様及び第２の態様に係る封止パネル装置の態
様は、更に、シール部材の構成要素としてフリット・ガ
ラスを含む態様と、シール部材の構成要素として低融点
金属材料を含む態様とに分けることができる。以下、第
１の態様であって、且つ、シール部材がフリット・ガラ
スから成る態様を第１Ａの態様、第１の態様であって、
且つ、シール部材が低融点金属材料から成る態様を第１
Ｂの態様、第２の態様であって、且つ、シール部材の構
成要素としてフリット・ガラスを含む態様を第２Ａの態
様、第２の態様であって、且つ、シール部材の構成要素
として低融点金属材料を含む態様を第２Ｂの態様と称す
ることにする。

【００１５】また、本発明の封止パネル装置の製造方法
も、シール部材が枠体を含まない場合の態様と、シール
部材が枠体を含む場合の態様とに大別することができ
る。以下、シール部材が枠体を含まない場合の態様を本
発明の第１の態様と称し、シール部材が枠体を含む場合
の態様を本発明の第２の態様と称する。本発明の第１の
態様及び第２の態様に係る封止パネル装置の製造方法
は、更に、シール部材の構成要素としてフリット・ガラ
スを含む態様と、シール部材の構成要素として低融点金
属材料を含む態様とに分けることができる。以下、第１
の態様であって、且つ、シール部材がフリット・ガラス
から成る態様を第１Ａの態様、第１の態様であって、且
つ、シール部材が低融点金属材料から成る態様を第１Ｂ
の態様、第２の態様であって、且つ、シール部材の構成
要素としてフリット・ガラスを含む態様を第２Ａの態
様、第２の態様であって、且つ、シール部材の構成要素
として低融点金属材料を含む態様を第２Ｂの態様と称す
ることにする。

【００１６】本発明の第１Ａの態様に係る封止パネル装
置において、シール部材は、その焼成温度が接着層を構
成する低融点金属材料の融点よりも高いフリット・ガラ
スから成り、第１パネルと第２パネルとは、周縁部にお
いて該フリット・ガラスによって接着されている。

【００１７】かかる第１Ａの態様に係る封止パネル装置
を製造するための本発明の第１Ａの態様に係る封止パネ
ル装置の製造方法においては、工程（イ）では、フリッ
ト・ガラスの焼成温度にてシール部材による接着を行
う。尚、工程（ロ）では、前記焼成温度よりも低く、且
つ、低融点金属材料の融点以上の温度にて接着層による
接着を行ってもよいし、接着層を構成する低融点金属材
料の種類によっては常温若しくはその近傍温度で接着を
行ってもよい。

【００１８】本発明の第１Ｂの態様に係る封止パネル装
置において、シール部材は、接着層を構成する低融点金
属材料の融点よりも高い融点を有する低融点金属材料か
ら成り、第１パネルと第２パネルとは、周縁部において
該低融点金属材料によって接着されている。

【００１９】かかる第１Ｂの態様に係る封止パネル装置
を製造するための本発明の第１Ｂの態様に係る封止パネ
ル装置の製造方法においては、工程（イ）では、シール
部材を構成する低融点金属材料の融点以上の温度にてシ
ール部材による接着を行う。尚、工程（ロ）では、前記
シール部材を構成する低融点金属材料の融点よりも低
く、且つ、接着層を構成する低融点金属材料の融点以上
の温度にて接着層による接着を行ってもよいし、接着層
を構成する低融点金属材料の種類によっては常温若しく
はその近傍温度で接着を行ってもよい。

【００２０】また、本発明の第２Ａの態様に係る封止パ
ネル装置において、シール部材は、枠体、フリット・ガ
ラスから成る第１接着層、及び、フリット・ガラスから
成る第２接着層から構成されており、第１パネルと該枠
体とは第１接着層によって接着されており、第２パネル
と該枠体とは第２接着層によって接着されており、第１
接着層を構成するフリット・ガラスの焼成温度、及び、
第２接着層を構成するフリット・ガラスの焼成温度は、
接着層を構成する低融点金属材料の融点よりも高い。
尚、第１接着層を構成するフリット・ガラスと第２接着
層を構成するフリット・ガラスとは、成分組成及び組成
比が共に同一であっても、成分組成が同一で組成比のみ
が異なっていても、あるいは成分組成及び組成比が共に
異なっていてもよい。

【００２１】かかる第２Ａの態様に係る封止パネル装置
を製造するための本発明の第２Ａの態様に係る封止パネ
ル装置の製造方法においては、工程（イ）では、フリッ
ト・ガラスの焼成温度にて、第１パネルと枠体とを第１
接着層によって接着し、且つ、枠体と第２パネルとを第
２接着層によって接着する。ここで、第１接着層を構成
するフリット・ガラスと第２接着層を構成するフリット
・ガラスとが、共に等しい成分組成及び組成比を有する
場合には、双方のフリット・ガラスの焼成温度は同一と
なるので、第１パネルと枠体と第２パネルの三者を同時
に接着することができる。一方、第１接着層を構成する
フリット・ガラスと第２接着層を構成するフリット・ガ
ラスとが、成分組成及び組成比の少なくとも一方におい
て異なっていると、焼成温度も異なる可能性がある。こ
のような場合には、いずれか高い方の焼成温度で焼成を
行って第１パネルと枠体と第２パネルの三者を同時に接
着することもできるが、焼成温度の高い方のフリット・
ガラスを用いて先ず高い焼成温度にて一方のパネルと枠
体とを接着し、次に焼成温度の低い方のフリット・ガラ
スを用いて低い焼成温度にて枠体と他方のパネルとを接
着することができる。尚、工程（ロ）では、前記焼成温
度よりも低く、且つ、低融点金属材料の融点以上の温度
にて接着層による接着を行ってもよいし、接着層を構成
する低融点金属材料の種類によっては常温若しくはその
近傍温度で接着を行ってもよい。

【００２２】更に、本発明の第２Ｂの態様に係る封止パ
ネル装置において、シール部材は、枠体、低融点金属材
料から成る第１接着層、及び、低融点金属材料から成る
第２接着層から構成されており、第１パネルと該枠体と
は第１接着層によって接着されており、第２パネルと該
枠体とは第２接着層によって接着されており、第１接着
層を構成する低融点金属材料の融点、及び、第２接着層
を構成する低融点金属材料の融点は、接着層を構成する
低融点金属材料の融点よりも高い。尚、第１接着層を構
成する低融点金属材料と第２接着層を構成する低融点金
属材料とは、成分組成及び組成比が共に同一であって
も、成分組成が同一で組成比のみが異なっていても、あ
るいは成分組成及び組成比が共に異なっていてもよい。

【００２３】かかる第２Ａの態様に係る封止パネル装置
を製造するための本発明の第２Ｂの態様に係る封止パネ
ル装置の製造方法においては、工程（イ）では、第１接
着層及び第２接着層を構成する低融点金属材料の融点以
上の温度にて、第１パネルと枠体とを第１接着層によっ
て接着し、且つ、枠体と第２パネルとを第２接着層によ
って接着する。ここで、第１接着層を構成する低融点金
属材料と第２接着層を構成する低融点金属材料とが、共
に等しい成分組成及び組成比を有する場合には、双方の
低融点金属材料の融点は同一となるので、第１パネルと
枠体と第２パネルの三者を同時に接着することができ
る。一方、第１接着層を構成する低融点金属材料と第２
接着層を構成する低融点金属材料とが、成分組成及び組
成比の少なくとも一方において異なっていると、融点も
異なる可能性がある。このような場合には、いずれか高
い方の融点以上の温度で加熱を行って第１パネルと枠体
と第２パネルの三者を同時に接着することもできるが、
融点の高い方の低融点金属材料を用いて先ず高い融点以
上の温度にて一方のパネルと枠体とを接着し、次に融点
の低い方の低融点金属材料を用いて低い融点以上の温度
にて枠体と他方のパネルとを接着することができる。
尚、工程（ロ)で、第１接着層及び第２接着層を構成す
る低融点金属材料の融点よりも低く、且つ、接着層を構
成する低融点金属材料の融点以上の温度にて接着層によ
る接着を行ってもよいし、接着層を構成する低融点金属
材料の種類によっては常温若しくはその近傍温度で接着
を行ってもよい。

【００２４】第２Ａ及び第２Ｂの態様に係る封止パネル
装置の製造方法において、上述のように工程（イ）で
は、第１パネル、枠体及び第２パネルの三者を第１接着
層及び第２接着層を用いて接着するが、（ａ）これら三
者を位置合わせした状態で同時に接着しても、あるい
は、（ｂ）枠体を予め第１パネルか第２パネルのいずれ
か一方に接着しておき、この枠体を残りの他方のパネル
に接着してもよい。（ａ）、（ｂ）のいずれの方法によ
る接着も、窒素あるいは希ガス等の不活性ガス雰囲気中
で行うことが好適である。但し、（ｂ）の方法におい
て、枠体をアノード電極が形成されている側のパネルに
接着する際の雰囲気は、大気であっても構わない。
（ｂ）の方法の方が、位置合わせ作業は簡便である。

【００２５】本発明の全ての態様に係る封止パネル装置
及び全ての態様に係るその製造方法において、開口部
は、第１パネル、第２パネル及びシール部材の単独ある
いは如何なる組合せにおいて設けられてもよく、またこ
れら三者の各々に設けられる開口部の個数も単数、複数
を問わない。第１パネルや第２パネルに開口部を設ける
場合、各パネルの機能や美観に支障を及ぼさない部位に
設けることが必要であり、例えば、本発明の封止パネル
装置として表示装置を想定する場合には、表示画面に対
応する有効領域を避けることが肝要である。開口部の形
状や大きさは特に限定されないが、この開口部の周囲に
は接着層が配され、加熱、押圧、超音波印加等の方法に
よって蓋部が接着されるので、このときの加熱、押圧、
超音波印加等の影響が及ぶ範囲をなるべく狭い領域内に
限定する観点からは、円形であって、パネル面積に比べ
て十分に小さく選択することが望ましい。第１パネルに
開口部が設けられている場合には、この開口部を閉鎖す
る蓋部は接着層によって第１パネルに接着される。第２
パネルに開口部が設けられている場合には、この開口部
を閉鎖する蓋部は接着層によって第２パネルに接着され
る。

【００２６】また、本発明の全ての態様に係る封止パネ
ル装置及び全ての態様に係るその製造方法においてシー
ル部材に開口部を設ける場合、開口部はどのような形態
にて設けられてもよいが、パネルの周縁部に沿った方向
の一部においてシール部材を切り欠くように設けること
が最も実用的である。開口部がシール部材を切り欠くよ
うに設けられている場合、接着層による蓋部の接着はシ
ール部材のみに対して行われもよいが、シール部材を横
断し、第１パネルと第２パネルの双方の側面に対して行
われることが一層好ましい。但し、かかる開口部を接着
層を用いて蓋部で閉鎖しようとすると、シール部材の構
成材料と接着層を構成する低融点金属材料との組合せに
よっては、これら両者が直接接触することが信頼性の観
点から好ましくない場合もある。このような場合には、
シール部材と接着層との間に何らかの補助的な部材を介
在させることが好ましい。典型的には、第１Ａ及び第２
Ａの態様に係る封止パネル装置及びその製造方法におい
て、シール部材を構成するフリット・ガラスと接着層を
構成する低融点金属材料との直接接触を避けるために、
例えば先ず、開口部の周囲にフリット・ガラスから成る
補助接着層を用いて貫通孔を有する補助枠体を接着し、
この補助枠体の上に接着層を用いて蓋部を接着すればよ
い。かかる構成においては、第１パネルとシール部材と
第２パネルと補助接着層と補助枠体と接着層と蓋部とに
よって囲まれた空間が真空となる。

【００２７】本発明の封止パネル装置若しくはその製造
方法において、第１パネルとシール部材と第２パネルと
接着層と蓋部とによって囲まれた空間内には、非蒸発型
のゲッターが備えられていてもよい。非蒸発型のゲッタ
ーとは、封止パネル装置の真空空間において、原形を保
ったままで残留ガス吸着の機能を果たすタイプのゲッタ
ーである。非蒸発型のゲッターは、８００〜１０００°
Ｃに加熱されて最終的に蒸着膜に変化される蒸発型のゲ
ッターとは異なり、低融点金属材料の融点近傍の温度で
も活性化することが可能である。できる限り低温化され
た製造プロセスにより空間の最終到達真空度を高めるた
めに、非蒸発型のように低温で活性化できるゲッター
は、本発明の封止パネル装置に用いるのに好適である。
非蒸発型のゲッターの構成材料は一般にジルコニウム
（Ｚｒ）その他の卑金属であり、形状や配設数は特に限
定されない。本発明の封止パネル装置として、例えば２
枚のパネルの対向距離が１ｍｍ以下と極めて小さい表示
装置を想定する場合には、箔状の非蒸発型のゲッターを
無機系接着剤を用いて第１パネル及び／又は第２パネル
の適当な部位に貼付しておけばよい。場合によっては、
パネル表面の一部を箱部によって構成し、パネル間の空
間と箱部とを連通させ、この箱部内にゲッターを収容し
てもよい。

【００２８】本発明の全ての態様に係る封止パネル装置
及び全ての態様に係るその製造方法において、「低融
点」の語が意味する温度範囲は、概ね４００゜Ｃ以下で
ある。一般的なフリット・ガラスの軟化温度は６００゜
Ｃ前後、焼成温度は４５０゜Ｃ前後であるから、低融点
金属材料の融点はこれらの温度よりも更に低い。本発明
では、低融点金属材料は接着層及びシール部材の構成材
料として用いられるが、融点の下限は特に限定されな
い。接着層の構成材料として用いられる低融点金属材料
については、１２０〜１６０°Ｃ程度の融点を持つ材料
であれば、接着条件にも依存するが、室温でも押圧によ
り接着を行うことが可能である。シール部材の構成材料
として用いられる低融点金属材料は、接着層を構成する
低融点金属材料よりも高い融点を有することが好まし
い。

【００２９】低融点金属材料としては、Ｉｎ（インジウ
ム：融点１５７゜Ｃ）；インジウム−金系の低融点合
金；Ｓｎ₈₀Ａｇ₂₀（融点２２０〜３７０゜Ｃ）、Ｓｎ₉₅
Ｃｕ₅（融点２２７〜３７０゜Ｃ）等の錫（Ｓｎ）系高
温はんだ；Ｐｂ_97.5Ａｇ_2.5（融点３０４゜Ｃ）、Ｐｂ
_94.5Ａｇ_5.5（融点３０４〜３６５゜Ｃ）、Ｐｂ_97.5Ａ
ｇ_1.5Ｓｎ_1.0（融点３０９゜Ｃ）等の鉛（Ｐｂ）系高温
はんだ；Ｚｎ₉₅Ａｌ₅（融点３８０゜Ｃ）等の亜鉛（Ｚ
ｎ）系高温はんだ；Ｓｎ₅Ｐｂ₉₅（融点３００〜３１４
゜Ｃ）、Ｓｎ₂Ｐｂ₉₈（融点３１６〜３２２゜Ｃ）等の
錫−鉛系標準はんだ；Ａｕ₈₈Ｇａ₁₂（融点３８１゜Ｃ）
等のろう材（以上の添字は全て原子％を表す）を例示す
ることができる。特に、インジウム（Ｉｎ）は、常温で
あっても圧力を加えることにより接着層として機能し得
る低融点金属材料である。

【００３０】本発明の全ての態様に係る封止パネル装置
の製造方法において、工程（イ）又は工程（ロ）で加熱
を行う場合には、ランプを用いた加熱、レーザを用いた
加熱、炉を用いた加熱等の公知の加熱方法により行うこ
とができる。また、工程（イ）においては、加熱炉中で
加熱を行ってもよい。

【００３１】本発明において、第１パネルとシール部材
と第２パネルと接着層と蓋部とによって囲まれた空間の
真空度は、封止パネル装置の構成に応じて異なる。封止
パネル装置として冷陰極電界電子放出型の表示装置を想
定した場合、要求される真空度はおおよそ１０^-4Ｐａの
オーダー、あるいはそれ以上（即ち、より低圧）であ
る。

【００３２】本発明の全ての態様に係る封止パネル装
置、及び本発明の全ての態様に係る封止パネル装置の製
造方法における封止パネル装置としては、プラズマ表示
装置、蛍光表示管、冷陰極電界電子放出型表示装置を例
示することができる。冷陰極電界電子放出表示装置は、
第１パネルが透明支持体、並びに、該透明支持体上に形
成されたアノード電極及び蛍光体層から成り、第２パネ
ルが支持体、並びに、該支持体上に形成され、アノード
電極及び蛍光体層に対向した複数の冷陰極電界電子放出
素子（以下、単に電界放出素子と称する）から成り、電
界放出素子から放出された電子が蛍光体層に衝突するこ
とによる発光に基づいて表示を行う構成を有する。尚、
冷陰極電界電子放出型表示装置を以下、単に表示装置と
称することがある。

【００３３】表示装置の構成要素である電界放出素子と
しては、公知の如何なる型式の電界放出素子をも用いる
ことができ、例えば、所謂スピント型、平面型、エッジ
型等の型式を例示することができる。

【００３４】表示装置の第１パネルを構成する透明支持
体として、ガラス基板、表面に絶縁層が形成されたガラ
ス基板、石英基板、表面に絶縁層が形成された石英基板
を例示することができる。また、表示装置の第２パネル
を構成する支持体は、少なくとも表面が絶縁性部材より
構成されていればよく、ガラス基板、表面に絶縁層が形
成されたガラス基板、石英基板、表面に絶縁層が形成さ
れた石英基板、表面に絶縁膜が形成された半導体基板を
用いることができる。蓋部を構成する材料として、ガラ
ス、石英、ステンレススチール等の金属材料を例示する
ことができる。

【００３５】表示装置を構成するカソード電極及び電子
放出部は、タングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、タン
タル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、
クロム（Ｃｒ）等の高融点金属を用いて形成することが
できる。表示装置を構成するゲート電極及びアノード電
極は、タングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル
（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロ
ム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀
（Ａｕ）等の金属層又はこれらの金属元素を含む合金
層、あるいは不純物を含有するシリコン等の半導体層を
用いて形成することもできる。また、絶縁層の構成材料
としては、ＳｉＯ₂、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ガラス・ペー
スト硬化物を単独あるいは適宜積層して使用することが
できる。絶縁層の製膜には、ＣＶＤ法、塗布法、スパッ
タリング法、印刷法等の公知のプロセスが利用できる。

【００３６】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、発明の実
施の形態（以下、実施の形態と略称する）に基づき、本
発明の封止パネル装置及びその製造方法について説明す
る。

【００３７】（実施の形態１）実施の形態１は、第１Ａ
の態様を含む本発明の第１の態様に係る封止パネル装
置、及び、第１Ａの態様を含む本発明の第１の態様に係
る封止パネル装置の製造方法に関する。実施の形態１に
係る封止パネル装置の概念図を図１に示し、この封止パ
ネル装置を適用して構成された冷陰極電界電子放出型の
表示装置の模式的断面図を図２に示し、かかる表示装置
の一部を拡大して模式的に示す分解斜視図を図３に示
す。また、第１Ａの態様に係る封止パネル装置の製造方
法の工程図を図４に示し、更に、第１Ａの態様に係る封
止パネル装置の製造方法の変形例と、第１Ａの態様に係
る封止パネル装置の変形例を図５に示す。

【００３８】図１に、実施の形態１の封止パネル装置の
概念的な構成を示す。図１の（Ａ）は模式的断面図、図
１の（Ｂ）は模式的斜視図である。対角画面寸法１４イ
ンチを想定して３０ｃｍ×２３ｃｍの矩形形状を有する
第１パネル１１と第２パネル１２とは、周縁部において
シール部材２０ａによって接着されている。ここで、シ
ール部材２０ａは厚さ１ｍｍのフリット・ガラスから成
る。フリット・ガラスの焼成温度は約４５０°Ｃであ
る。第１パネル１１は、封止パネル装置としての実用上
の機能を果たす中央部の有効領域（２８ｃｍ×２１ｃ
ｍ）と、この有効領域を機能を支援するために有効領域
を額縁状に包囲する無効領域とを有する。尚、図におい
ては、有効領域及び無効領域を明確化するために、有効
領域に斜線を付した。また、シール部材にも明確化のた
め斜線を付した。無効領域には直径約５ｍｍの円形の開
口部１３が設けられている。開口部１３は、接着層３０
によって第１パネル１１に接着された蓋部４０により閉
鎖されている。接着層３０は低融点金属材料から成り、
ここではインジウムから成る内径８ｍｍ、外径１０ｍｍ
のリングを用いる。インジウムの融点は１５７°Ｃであ
る。つまり、この封止パネル装置においては、シール部
材２０ａを構成するフリット・ガラスの焼成温度の方
が、接着層３０を構成する低融点金属材料よりも高い。
蓋部４０は、直径１５ｍｍ、厚さ１ｍｍの円盤状のガラ
ス板である。蓋部４０と接着層３０と第１パネル１１と
シール部材２０ａと第２パネル１２とによって囲まれた
空間は、真空（ＶＡＣ）とされている。

【００３９】図２に、実施の形態１の封止パネル装置を
表示装置に適用した例を示す。また、図３には表示装置
の一部分を拡大して示す。第１パネル１１は、透明支持
体１１０、並びに、透明支持体１１０上に形成されたア
ノード電極１１３及び３原色の蛍光体層１１２Ｒ，１１
２Ｇ，１１２Ｂから成る。個々の蛍光体層１１２Ｒ，１
１２Ｇ，１１２Ｂは一例として矩形形状を有しており、
所定の規則的なパターンに従って配列されている。隣接
する蛍光体層１１２Ｒ，１１２Ｇ，１１２Ｂの間は、カ
ーボン等の光吸収性材料から成るブラック・マトリクス
１１１で埋め込まれ、表示画像の色濁りが防止されてい
る。図示は省略するが、蛍光体層１１２Ｒ，１１２Ｇ，
１１２Ｂとアノード電極１１３の間には、表示画面の輝
度を高める目的でアルミニウムの蒸着膜、所謂メタルバ
ック膜が設けられていてもよい。又、図２及び図３で
は、透明支持体１１０上において蛍光体層１１２Ｒ，１
１２Ｇ，１１２Ｂとアノード電極１１３とがこの順に積
層されているが、積層順を逆にしても構わない。但し、
積層順を逆とした場合には、表示装置の観察面側から見
てアノード電極１１３が蛍光体層１１２の手前に来るた
め、アノード電極１１３をＩＴＯ（インジウム・錫酸化
物）等の透明導電材料にて構成する必要がある。

【００４０】第２パネル１２は、支持体１２０、並び
に、支持体１２０上に形成され、アノード電極１１３及
び蛍光体層１１２Ｒ，１１２Ｇ，１１２Ｂに対向した複
数の電界放出素子から成る。電界放出素子は、一方向に
設けられた帯状のカソード電極１２１と、絶縁層１２２
と、絶縁層１２２上に形成され、カソード電極１２１と
直交する方向に帯状に形成されたゲート電極１２３と、
カソード電極１２１とゲート電極１２３との重複領域に
おいてゲート電極１２３及び絶縁層１２２に設けられた
円形の電子放出用開口部１２５内に配された電子放出部
から構成される。図２に示す表示装置においては、電子
放出用開口部１２５の底面に露出したカソード電極１２
１の部分が電子放出部として機能する、所謂平面型の電
界放出素子が例示されているが、他の型式の電界放出素
子であっても勿論構わない。例えば、カソード電極１２
１上に導電材料から成る円錐形の電子放出部が形成され
ていれば、所謂スピント型の電界放出素子である。ま
た、導電材料から成る電子放出層、絶縁層、ゲート電極
層が順に積層され、ゲート電極、絶縁層及び電子放出層
を貫通する開口部が形成され、開口部内に露出した電子
放出層の端部が電子放出部とされていれば、これは所謂
エッジ型の電界放出素子である。あるいは又、第１ゲー
ト電極、第１絶縁層、電子放出層、第２絶縁層、第２ゲ
ート電極が順に積層され、第２ゲート電極、第２絶縁
層、電子放出層及び第１絶縁層を貫通する開口部が形成
され、開口部内に露出した電子放出層の端部が電子放出
部とされていれば、これも所謂エッジ型の電界放出素子
である。

【００４１】尚、図２では１画素の領域内に電子放出用
開口部１２５が一つしか図示されていないが、実際に
は、図３に示すように、複数の電子放出用開口部１２５
が形成される場合が多い。但し、本発明の封止パネル装
置は、図２及び図３に何ら限定されるものではない。例
えば、図３では、１画素の領域内に電子放出用開口部１
２５が１６個形成されているが、勿論これは例示に過ぎ
ず、実際には数千個にも及ぶ場合がある。また、アノー
ド電極１１３とカソード電極１２１とゲート電極１２３
の形成方向や、電子放出用開口部１２５の形状も任意で
ある。

【００４２】カソード電極１２１には走査回路５３から
相対的に負電圧が印加され、ゲート電極１２３には制御
回路５２から相対的に正電圧が印加され、アノード電極
１１３にはゲート電極１２３よりも更に高い正電圧が加
速電源５１から印加される。表示装置において表示を行
う場合、制御回路５２にはビデオ信号、走査回路５３に
は走査信号が入力される。カソード電極１２１とゲート
電極１２３とに電圧を印加した際に生ずる電界により、
電子放出部から電子ｅが放出される。この電子ｅが、ア
ノード電極１１３に引き付けられて蛍光体層１１２Ｒ，
１１２Ｇ，１１２Ｂに衝突すると、蛍光体層１１２Ｒ，
１１２Ｇ，１１２Ｂが発光し、所望の表示を得ることが
できる。この表示装置の動作は、基本的にゲート電極１
２３に印加される電圧によって制御される。

【００４３】表示装置の場合、蛍光体層１１２Ｒ，１１
２Ｇ，１１２Ｂのマトリクスが形成されている領域が表
示装置としての実用上の機能を果たす有効領域であり、
マトリクスの周辺回路の収容や表示画面の機械的支持
等、有効領域の機能を支援する領域が無効領域である。
開口部１３は、この無効領域に形成されている。尚、開
口部１３を第２パネル１２側の支持体１２０に設けても
よい。しかし、第２パネル１２上には電界放出素子が半
導体プロセスと同様のプロセスによってミクロン・オー
ダーの精度で作製されており、電界放出素子への熱的歪
みあるいは機械的歪みはできるだけ避けたいので、開口
部１３はアノード電極１１３を有する第１パネル１１側
に設ける方が望ましい。

【００４４】第１パネル１１と第２パネル１２の無効領
域には、非蒸発型のゲッター１５が貼付されている。こ
こでは、ゲッター１５として厚さ０．１〜０．２ｍｍの
ジルコニウム箔を使用する。この程度の厚さは、第１パ
ネル１１と第２パネル１２の対向距離よりも十分に薄
く、従ってゲッター１５が両パネルを短絡させる虞はな
い。ゲッター１５は無機系接着剤を用いて貼付するが、
このとき、無機系接着剤の熱膨張係数及びこれと直接接
触する部材の熱膨張係数を略一致させる。例えば、ゲッ
ター１５を図２に示した表示装置に使用する場合、無機
系接着剤としては、第１パネル１１を構成する透明支持
体１１０、及び第２パネル１２を構成する支持体１２０
と熱膨張係数が略一致するものを選択する。尚、図２に
は、ゲッター１５が第１パネル１１と第２パネル１２の
双方に貼付された例を示したが、空間の真空度として十
分に高い値が達成できる限りにおいて、いずれか一方の
パネルにのみ貼付してもよい。あるいは又、場合によっ
ては、ゲッターは不要である。

【００４５】以下、上述した封止パネル装置の製造方法
を、図４を参照して説明する。先ず、図４の（Ａ）に示
すように、第１パネル１１と第２パネル１２の周縁部
に、シール部材２０ｃを形成する。具体的には、フリッ
ト・ガラスを０．７ｍｍの厚さに塗布し、１００°Ｃの
ホットプレート上で乾燥させる。次に、第１パネル１１
と第２パネル１２とを位置合わせし、約４００°Ｃで仮
焼成を行ってフリット・ガラスに含まれる有機物を除去
する。これにより、図４の（Ｂ）に示すように、シール
部材２０ｃが融合してシール部材２０ａが形成され、両
パネルが接着される。更に、約４５０°Ｃで本焼成を行
い、接着状態をより強固にする。尚、封止パネル装置が
上述のような表示装置である場合、本焼成を行う雰囲気
は希ガス又は窒素ガス等を含む不活性ガス雰囲気である
ことが望ましい。これは、カソード電極の酸化やゲッタ
ー１５の劣化を防止するためである。

【００４６】続いて、シール部材２０ａにより接着され
た第１パネル１１と第２パネル１２を真空容器ＶＣ内に
セットし、第１パネル１１上に開口部１３を取り囲むよ
うに接着層３０を載置し、更に、図示されない治具を用
いて開口部１３の上方に蓋部４０を保持する。尚、ここ
では接着層３０としてインジウムのリングを想定してい
るので、接着層３０を第１パネル１１上に載置したが、
接着層３０は予め蓋部４０に設けても、あるいは、第１
パネル１１と蓋部４０の双方に設けてもよい。この状態
で、真空容器ＶＣを１０^-6Ｐａのオーダーの真空度とな
るまで排気し、続いて排気を継続したまま、全体を例え
ば約３５０°Ｃで５〜６時間加熱することによりパネル
やシール部材の脱ガスを促進させる。脱ガスの開始に伴
って、真空度は一時的に２桁程度低下するが、上記の時
間内には１０^-6Ｐａのオーダーに回復する。尚、図４に
は示していないが、非蒸発型のゲッターは、このときの
加熱により脱ガスされる。

【００４７】次に、接着層３０の上に位置合わせした蓋
部４０を載せ、接着層３０を完全に押し潰さないように
注意しながら押圧する。次に、接着層３０を約１６０°
Ｃに加熱する。この温度は、接着層３０を構成する低融
点金属材料、即ち、ここではインジウムの融点よりも高
く、そして当然のことながら、シール部材２０ａを構成
するフリット・ガラスの焼成温度よりも低い。このよう
にして、図４の（Ｄ）に示すように、第１パネル１１と
蓋部４０とを完全に接着する。接着層３０の加熱は、例
えば接着層３０の直径と同等のビーム径に集光されたハ
ロゲン・ランプ光を第１パネル１１側から照射して行う
ことができる。ハロゲン・ランプの出力を適切に設定す
ると、照射開始直後は接着層３０が選択的に加熱され、
他の部分は殆ど加熱されない。従って、パネルの内壁や
既に形成されているシール部材２０ａから新たな脱ガス
を生じることがなく、最終的に形成される空間の真空度
を１０^-4Ｐａのオーダーに維持することができる。しか
も、両パネルが真空雰囲気中に置かれた状態で封止が行
われるため、封止後に排気を行う方法に比べてスループ
ットも格段に優れている。尚、接着条件、使用する低融
点金属材料の種類によっては、押圧のみで接着を行うこ
ともできる。

【００４８】尚、図４の（Ａ）では、第１パネル１１と
第２パネル１２の双方にシール部材２０ｃを配置してお
り、第１パネル１１と第２パネル１２の対向距離を大き
く設定したい場合に適しているが、シール部材２０ｃの
配置はこれに限られない。例えば、図５の（Ａ）に示す
ように、シール部材２０ｃを第２パネル１２上のみに配
置しても、あるいは図５の（Ｂ）に示すように、第１パ
ネル１１上のみに配置してもよい。

【００４９】また、図５の（Ｃ）に示すように、第１パ
ネル１１と第２パネル１２との間隔を一定に維持するた
めの間隔維持部材１６が、第１パネル１１と第２パネル
１２との間に挟持されていてもよい。この間隔維持部材
１６は、絶縁性を有する剛性材料、例えばガラス球や円
柱体から成る。かかる封止パネル装置を製造するには、
シール部材２０ｃを形成した後の第２パネル１２の表面
に、間隔維持部材１６を塗布、散布、吹付け等の方法に
より配置し、しかる後に第１パネル１１を接着すればよ
い。かかる構成を有する封止パネル装置においては、パ
ネル間の対向距離は、実質的に間隔維持部材１６の寸法
により決定される。従って、シール部材２０ａの形成段
階におけるシール部材２０ａの寸法制御や形状制御の負
担を軽減しても、寸法精度に優れる封止パネル装置を得
ることができる。

【００５０】（実施の形態２）実施の形態２は、第１Ｂ
の態様に係る封止パネル装置、及び、第１Ｂの態様に係
る封止パネル装置の製造方法に関する。実施の形態２に
係る封止パネル装置では、シール部材２０ａの構成材料
として、実施の形態１におけるフリット・ガラスに替え
て、低融点金属材料を用いる。シール部材２０ａを構成
する低融点金属材料の融点は、接着層３０を構成する低
融点金属材料の融点よりも高い。実施の形態２に係る封
止パネル装置の構成は、実施の形態１に係る封止パネル
装置の構成と同様であり、図１〜図３、及び図５の
（Ｃ）に示したとおりである。ただし、実施の形態２で
は実施の形態１と異なり、シール部材２０ａ自体に導電
性が備わっているため、例えば図２においては、加速電
源５１に対する接続端子を形成するためにアノード電極
１１３を外部に引き出す部分には、シール部材２０ａと
アノード電極１１３との間に、通常形成されるパッシベ
ーション膜とは別に絶縁層を形成しておくことが望まし
い。また、制御回路５２に対する接続端子を形成するた
めにゲート電極１２３を外部に引き出す部分にも、シー
ル部材２０ａとゲート電極１２３との間に、通常形成さ
れるパッシベーション膜とは別に絶縁層を形成しておく
ことが望ましい。

【００５１】更に、シール部材２０ａを低融点金属材料
により構成する場合の封止パネル装置の好ましい構成
を、図５の（Ｄ）に示す。この構成においては、第１パ
ネル１１とシール部材２０ａとの間、及び、シール部材
２０ａと第２パネル１２との間に濡れ性改善層１７が設
けられている。ただし、濡れ性改善層１７をどこに設け
るかは、低融点金属材料に対する第１パネル及び第２パ
ネルの濡れ性に応じて決定すればよく、第１パネル１１
側のみ、あるいは第２パネル１２側のみに設けてもよい
し、第１パネル１１及び第２パネル１２の両側に設けて
もよい。濡れ性改善層１７を設けた場合、加熱前の濡れ
性改善層１７とシール部材２０ｃとの位置合わせ精度が
それ程高くなくても、加熱を経て最終的な接着が終了し
た時点で低融点金属材料が自らの表面張力により濡れ性
改善層の上に自己整合的に収斂し、最終的に濡れ性改善
層１７とシール部材２０ａとが正確に位置合わせされる
メリットがある。

【００５２】濡れ性改善層１７は、例えばチタン（Ｔ
ｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、酸化銅（Ｃｕ
Ｏ）を用いて構成することができる。厚さは、０．１μ
ｍ前後であればよい。尚、濡れ性改善層１７の表面には
自然酸化膜が生成する場合があるので、シール部材２０
ａを形成する直前に、自然酸化膜を除去することが好適
である。自然酸化膜の除去は、エッチング法、超音波印
加法等の公知の方法で行うことができる。濡れ性改善層
の形成方法として、スパッタ法、メッキ法を例示するこ
とができる。

【００５３】実施の形態２に係る封止パネル装置の製造
プロセスは、概念的には図４、図５の（Ａ）及び図５の
（Ｂ）に示したとおりであるが、以下、低融点金属材料
の使用に伴う相違点について説明する。先ず、図４の
（Ａ）に示す段階では、第１パネル１１及び第２パネル
の周縁部にシール部材２０ｃを形成または配置する。こ
こで、「形成」とは蒸着法、スパッタリング法、イオン
・プレーティング法等の真空薄膜形成技術による製膜を
意味し、「配置」とは線材や箔の載置又は貼り付けを意
味する。これら「形成」又は「配置」の方法によって
は、図５の（Ａ）又は図５の（Ｂ）に示したように、第
１パネル１１又は第２パネル１２のいずれか一方のみに
シール部材２０ｃが存在しても構わない。ここではシー
ル部材２０ｃの構成材料として、錫系はんだ（融点３１
０〜３５０°Ｃ）を使用する。

【００５４】次に、図４の（Ｂ）に示す段階では、約３
７０°Ｃで加熱を行ってシール部材２０ａを形成し、第
１パネル１１と第２パネル１２を接着する。この加熱温
度は、シール部材２０ｃを構成する低融点金属材料の融
点よりも高い。続いて、図４の（Ｃ）に示す段階以降
は、実施の形態１で述べたプロセスと同様である。即
ち、接着層３０としてインジウムのリングを使用し、真
空雰囲気下、１６０°Ｃの加熱条件下で接着を行う。こ
の温度は当然ながら、シール部材２０ｃの構成材料であ
る錫系はんだの融点よりも低く、接着層３０を構成する
インジウムの融点よりも高い。尚、実施の形態２におい
ても、実施の形態１で述べた間隔維持部材１６を同様に
用いることができる。

【００５５】（実施の形態３）実施の形態３は、実施の
形態１又は実施の形態２の変形例である。即ち、実施の
形態３の封止パネル装置においては、図６の（Ａ）及び
図６の（Ｂ）に示すように、シール部材２０ａの一部を
パネルの周縁部に沿った方向の一部において切り欠くよ
うに開口部１４が設けられており、この開口部１４の周
囲に配された補助接着層３３によって先ず補助枠体４３
が接着され、更にこの補助枠体４３の上に配された接着
層３１によって蓋部４１が接着されている。蓋部４１
は、第１パネル１１の縁部からシール部材２０ａを横断
し、第２パネル１２の縁部に亙るように設けられてい
る。かかる構成は、無効領域の面積に開口部を設ける余
裕が無い場合に有効である。しかも、パネル面の上下方
向に蓋部や接着層による突起が生じないので、表示装置
の薄型化に有利である。

【００５６】実施の形態３の封止パネル装置におけるシ
ール部材２０ａは、フリット・ガラス、低融点金属材料
のいずれにより構成されてもよいが、フリット・ガラス
により構成される場合に特に有効である。これは、フリ
ット・ガラスから成るシール部材２０ａと低融点金属材
料から成る接着層３１の直接接触を避けることができる
からである。このようにシール部材２０ａがフリット・
ガラスから成る場合は、補助接着層３３もフリット・ガ
ラスを用いて構成することが、信頼性確保の観点から最
も簡便である。貫通孔を有する補助枠体４３は、ガラ
ス、金属、セラミクス等の材料から構成することができ
る。尚、シール部材２０ａが低融点金属材料から成る場
合には、補助接着層３３や補助枠体４３は必ずしも必要
ではない。実施の形態３における封止パネル装置におい
ては、間隔維持部材や濡れ性改善層も適宜併用すること
ができる。

【００５７】実施の形態３の封止パネル装置の製造方法
を、図７を参照して説明する。焼成条件や真空排気条件
は実施の形態１で述べた通りでよく、ここでは実施の形
態１と相違する部分を中心に述べる。先ず、図７の
（Ａ）に示すように、第１パネル１１及び第２パネル１
２の周縁部に、例えばフリット・ガラスから成るシール
部材２０ｃを形成する。このとき、開口部１４の形成予
定領域を残すようにフリット・ガラスを塗布する。ま
た、開口部１４の周辺には補助接着層３３を形成してお
く。補助接着層３３は、シール部材２０ｃと異なる材料
を用いて構成してもよいが、シール部材２０ｃと同じく
フリット・ガラスを用いて構成することが最も簡便であ
る。なぜなら、シール部材２０ｃを形成する際に、フリ
ット・ガラスを両パネルの外縁部にはみ出すように塗布
すれば、補助接着層３３はシール部材２０ｃの延在部分
として形成することができるからである。あるいは、補
助接着層３３は予め補助枠体４３上に形成しておいても
良く、補助接着層３３をシール部材２０ｃとを互いに異
なる材料にて構成する場合には、かかる方法が簡便であ
る。

【００５８】次に、第１パネル１１と第２パネル１２と
補助枠体４３とを位置合わせし、仮焼成及び本焼成を行
う。これにより、図７の（Ｂ）に示すように、両パネル
がシール部材２０ａにより接着され、更に、補助接着層
３３により補助枠体４３が開口部１４の周囲に接着され
る。

【００５９】次に、図７の（Ｃ）に示すように、互いに
接着された第１パネル１１と第２パネル１２と補助枠体
４３とを真空容器ＶＣ内にセットし、補助枠体４３上に
貫通孔を取り囲むように例えばインジウムから成る接着
層３１を載置し、更に、図示されない治具を用いて開口
部１４の延長上に蓋部４１を保持する。尚、接着層３１
を予め蓋部４１に設けても、あるいは、補助枠体４３と
蓋部４１の双方に設けてもよい。この状態で、真空容器
ＶＣを排気し、続いて排気を継続したまま全体を加熱す
ることにより、パネル、シール部材、接着層、補助接着
層の脱ガスを促進させる。この後、接着層３１の上に位
置合わせした蓋部４１を載せ、押圧、加熱を行えば、図
７の（Ｄ）に示すように、補助枠体４３と蓋部４１とを
完全に接着することができる。

【００６０】（実施の形態４）実施の形態４は、実施の
形態１〜実施の形態３とは異なり、シール部材が枠体を
含む第２Ａ及び２Ｂの態様に係る封止パネル装置、並び
に、第２Ａ及び２Ｂの態様に係る封止パネル装置の製造
方法に関する。実施の形態４に係る封止パネル装置の概
念図を図８に示し、これらの封止パネル装置を適用して
構成された表示装置の模式的断面図を図９に示す。ま
た、第２の態様に係る封止パネル装置の製造方法の概念
図を図１０〜図１３に示す。尚、これらの図面で使用す
る符号は図１〜図６と一部共通であり、共通部分につい
ては詳しい説明を省略する。

【００６１】図８に、第２Ａ及び第２Ａの構成に係る封
止パネル装置の概念図を示す。図８の（Ａ）は模式的断
面図、図８の（Ｂ）は模式的斜視図である。矩形形状を
有する第１パネル１１と第２パネル１２とは、シール部
材２０ｂによって接着されており、このシール部材２０
ｂは、第１接着層２１と枠体２３と第２接着層２２とか
ら構成されている。第１パネル１１と枠体２３とは第１
接着層２１によって接着されており、第２パネル１２と
枠体２３とは第２接着層２２によって接着されている。
第２Ａの態様に係る封止パネル装置においては、第１接
着層２１と第２接着層２２は共にフリット・ガラスから
成る。第２Ｂの態様に係る封止パネル装置においては、
第１接着層２１と第２接着層２２は共に低融点金属材料
から成る。第１パネル１１の無効領域には開口部１３が
設けられており、この開口部１３は、低融点金属材料か
ら成る接着層３０によって第１パネル１１に接着された
蓋部４０により閉鎖されている。蓋部４０と接着層３０
と第１パネル１１と第１接着層２１と枠体２３と第２接
着層２２と第２パネル１２とによって囲まれた空間は、
真空（ＶＡＣ）とされている。

【００６２】図９に、実施の形態４の封止パネル装置を
表示装置に適用した例を示す。この表示装置は、図２に
示した実施の形態１の封止パネル装置におけるシール部
材２０ａが、第１接着層２１と枠体２３と第２接着層２
２から成るシール部材２０ｂに置き換わった構成を有す
る。かかる構成を有する表示装置においては、パネル間
の対向距離は、実質的に枠体２３の高さにより決定され
る。従って、枠体２３の高さを選択することにより、実
施の形態１〜実施の形態３に係る封止パネル装置に比べ
て、パネル間の対向距離をより長く設定することが可能
であり、アノード／カソード間の電位差が７ｋＶ程度の
所謂高電圧タイプの表示装置に有効である。

【００６３】以下、実施の形態４の封止パネル装置の製
造方法について説明する。枠体２３を用いた封止パネル
装置の製造方法は、（ａ）第１パネルと枠体と第２パネ
ルの三者を同時に位置合わせして接着する方法と、
（ｂ）先ず、一方のパネルと枠体とを接着し、その後、
枠体に他方のパネルを接着する方法に大別される。
（ａ）の方法を図１０及び図１１に示し、（ｂ）の方法
を図１２及び図１３に示す。

【００６４】（ａ）の方法においては、先ず図１０の
（Ａ）に示すように、第１パネル１１の周縁部及び枠体
２３の一方の面に第１接着層２１ｃを配し、枠体２３の
他方の面及び第２パネル１２の周縁部に第２接着層２２
ｃを配する。第２Ａの態様に係る製造方法においては、
第１接着層２１ｃと第２接着層２２ｃは共にフリット・
ガラスから成り、双方の接着層を構成するフリット・ガ
ラスは、同一組成を有するか、若しくは焼成温度が同一
又は近似したものとする。第２Ｂの態様に係る製造方法
においては、第１接着層２１ｃと第２接着層２２ｃは共
に低融点金属材料から成り、双方の接着層を構成する低
融点金属材料は、同一組成を有するか、若しくは融点が
同一又は近似したものとする。尚、図１０の（Ａ）に
は、第１接着層２１ｃと第２接着層２２ｃとを第１パネ
ル１１、枠体２３及び第２パネル１２に配した例を示し
たが、この段階における第１接着層２１ｃと第２接着層
２２ｃの配設パターンには図１１の（Ａ）〜（Ｉ）に示
す計９通りがあり、第１パネル１１及び／又は枠体２３
に対する第１接着層２１ｃの濡れ性や所望の接着強度、
並びに、枠体２３及び／又は第２パネル１２に対する第
２接着層２２ｃの濡れ性と所望の接着強度に応じて、適
宜選択すればよい。

【００６５】次に、図１０の（Ｂ）に示すように、第１
パネル１１、枠体２３、第２パネル１２の三者を位置合
わせし、第１接着層２１及び第２接着層２２で接着す
る。このときの接着は、第２Ａの態様に係る製造方法に
おいてはフリット・ガラスの仮焼成温度及び本焼成温度
にて、又、第２Ｂの態様に係る製造方法においては第１
接着層２１ｃ及び第２接着層２２ｃを構成する低融点金
属材料の融点よりも高い温度で行う。尚、フリット・ガ
ラスの本焼成、及び低融点金属材料を用いた接着は、不
活性ガス雰囲気中で行うことが好適である。

【００６６】以後、図１０の（Ｃ）に示すように、シー
ル部材２０ｂにより接着された第１パネル１１と第２パ
ネル１２を真空容器ＶＣ内にセットし、実施の形態１又
は実施の形態２で述べたプロセスに従い、低融点金属材
料から成る接着層３０を用いて蓋部４０を接着し、封止
を行う。蓋部４０を接着する際の温度は１６０°Ｃと低
く、且つ、接着のための加熱は極めて局所的に行われる
ので、第１接着層２１ｃ及び第２接着層２２ｃをフリッ
ト・ガラスあるいは低融点金属材料のいずれを用いて形
成した場合にも、第１接着層２１や枠体２３や第２接着
層２２、並びに第１パネル１１や第２パネル１２から新
たな脱ガスが生ずることがない。従って、図１０の
（Ｄ）に示す封止パネル装置において、空間の最終到達
真空度を極めて高いレベルに維持することが可能とな
る。

【００６７】一方、（ｂ）の方法においては、例えば、
第１段階として第１接着層２１による第１パネル１１と
枠体２３との接着を行い、第２段階として第２接着層２
２による枠体２３と第２パネル１２との接着を行う。従
って、第２段階で行われる加熱により、第１段階で既に
形成された第１接着層２１が変形したり流失したりする
ことを避けるために、第１接着層２１は第２接着層２２
よりも耐熱性の高い材料にて構成する必要がある。即
ち、第２Ａの態様に係る製造方法では、第１接着層２１
を構成するフリット・ガラスの焼成温度は、第２接着層
２２を構成するフリット・ガラスの焼成温度よりも高く
なければならず、第２Ｂの態様に係る製造方法では、第
１接着層２１を構成する低融点金属材料の融点は、第２
接着層２２を構成する低融点金属材料の融点よりも高く
なければならない。

【００６８】先ず、図１２の（Ａ）に示すように、第１
パネル１１の周縁部と枠体２３とに第１接着層２１ｃを
配する。次に、図１２の（Ｂ）に示すように、加熱を行
って第１パネル１１と枠体２３とを第１接着層２１によ
り接着する。このときの加熱は、第１接着層２１がフリ
ット・ガラスから成る場合にはこのフリット・ガラスの
仮焼成温度及び本焼成温度にて行い、又、第１接着層２
１が低融点金属材料から成る場合にはこの低融点金属材
料の融点以上の温度にて行う。

【００６９】次に、図１２の（Ｃ）に示すように、枠体
２３と第２パネル１２の周縁部に第２接着層２２ｃを配
する。図１２の（Ｃ）には、第２接着層２２ｃとを枠体
２３と第２パネル１２の双方に配した例を示したが、こ
の段階における第１接着層２１ｃと第２接着層２２ｃの
配設パターンには図１３の（Ａ）〜（Ｃ）に示す計３通
りがあり、第２パネル１１及び／又は枠体２３に対する
第２接着層２２ｃの濡れ性や所望の接着強度に応じて、
適宜選択すればよい。尚、第１接着層２１ｃの配置パタ
ーンについても同様に３通りが存在するので、（ｂ）の
方法における第１接着層２１ｃと第２接着層２２ｃの配
置パターンには計９通りが存在することになる。

【００７０】次に、加熱を行って枠体２３と第２パネル
１２とを第２接着層２２により接着する。このときの加
熱は、第２接着層２２がフリット・ガラスから成る場合
にはこのフリット・ガラスの仮焼成温度及び本焼成温度
にて行うが、第１接着層２１を構成するフリット・ガラ
スの仮焼成温度よりも低い温度とする。又、第２接着層
２２が低融点金属材料から成る場合にはこの低融点金属
材料の融点以上の温度にて行うが、第１接着層２１を構
成する低融点金属材料の融点よりも低い温度とする。こ
の後、上述したプロセスに従って接着層３０により蓋部
４０を接着し、封止パネル装置を完成させる。

【００７１】尚、第２Ａ及び第２Ｂの態様の中間的な態
様として、第１接着層２１をフリット・ガラス、第２接
着層２２を低融点金属材料から構成することも可能であ
る。このような場合には、フリット・ガラスの焼成温度
にて先ず第１パネルと枠体とを接着し、しかる後に、こ
の焼成温度より低く、低融点金属材料の融点以上の温度
にて枠体と第２パネルを接着すればよい。また、第１パ
ネルが表示装置においてアノード電極が形成される側の
パネルである場合、高電圧が印加されるアノード電極の
引出し部の絶縁性を高めるために、第１接着層の中でア
ノード電極の引出し部の近傍のみをフリット・ガラスで
構成し、残部を低融点金属材料で構成することもでき
る。

【００７２】（実施の形態５）実施の形態５は、実施の
形態４の変形例である。即ち、実施の形態５の封止パネ
ル装置においては、図１４の（Ａ）及び図１４の（Ｂ）
に示すように、シール部材２０ｂの一部をパネルの周縁
部に沿った方向の一部において切り欠くように開口部１
５が設けられている。つまり、開口部１５は第１接着層
２１と枠体２３と第２接着層２２の全てを同一部位で切
り欠くように設けられており、この開口部１５の周囲に
配された補助接着層３４によって先ず補助枠体４４が接
着され、更にこの補助枠体４４の上に配された接着層３
２によって蓋部４２が接着されている。蓋部４２は、第
１パネル１１の縁部からシール部材２０ａを横断し、第
２パネル１２の縁部に亙るように設けられている。

【００７３】実施の形態５に係る封止パネル装置のシ−
ル部材２０ｂに含まれる第１接着層２１、第２接着層２
２及び補助接着層３４は、フリット・ガラス、低融点金
属材料のいずれにより構成されてもよいが、以下、これ
ら三者をいずれもフリット・ガラスとする場合の製造方
法を、図１５を参照して説明する。焼成条件や真空排気
条件は実施の形態４で述べた通りでよく、ここでは実施
の形態４と相違する部分を中心に述べる。先ず、図１５
の（Ａ）に示すように、第１パネル１１と第２パネル１
２の周縁部であって、開口部１４の形成予定領域を残す
部位に、フリット・ガラスを塗布する。又、枠体２３の
両面にもフリット・ガラスを塗布する。更に、開口部１
５の周辺には補助接着層３４を形成しておく。この補助
接着層３４は、第１接着層２１ｃや第２接着層２２ｃの
延在部分として形成してもよいし、あるいは第１接着層
２１ｃや第２接着層２２ｃとは別に形成してもよいし、
更にあるいは補助枠体４４上に形成してもよい。

【００７４】次に、第１パネル１１と第２パネル１２と
補助枠体４４とを位置合わせし、仮焼成及び本焼成を行
う。これにより、図１５の（Ｂ）に示すように、両パネ
ルと枠体２３とがそれぞれ第１接着層２１及び第２接着
層２２により接着され、更に、補助接着層３４により補
助枠体４４が開口部１５の周囲に接着される。

【００７５】次に、図１５の（Ｃ）に示すように、互い
に接着された第１パネル１１と第２パネル１２と補助枠
体４４とを真空容器ＶＣ内にセットし、補助枠体４４上
に貫通孔を取り囲むように例えばインジウムから成る接
着層３２を載置し、更に、図示されない治具を用いて開
口部１５の延長上に蓋部４２を保持する。尚、接着層３
２は予め蓋部４２に設けても、あるいは、補助枠体４４
と蓋部４２の双方に設けてもよい。この状態で、真空容
器ＶＣを排気し、続いて排気を継続したまま全体を加熱
することにより、パネル、シール部材、接着層、補助接
着層の脱ガスを促進させる。この後、接着層３２の上に
位置合わせした蓋部４２を載せ、押圧、加熱を行えば、
図１５の（Ｄ）に示すように、補助枠体４４と蓋部４２
とを完全に接着することができる。

【００７６】以上、本発明を、発明の実施の形態に基づ
き説明したが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。封止パネル装置の構造の細部、封止パネル装置を適
用した表示装置の構造の細部は例示であり、適宜変更、
選択、組合せが可能である。例えば、間隔維持部材１６
や濡れ性改善層１７は、本発明の全ての態様に係る封止
パネル装置及びその製造方法に適用することができる。
また、本発明の全ての態様に係る封止パネル装置を適用
して表示装置を構成することができる。

【００７７】本発明の封止パネル装置あるいはその製造
方法においては、第１パネル及び／又は第２パネルとし
て、周縁部にフリット・ガラスから成る突起部（第２の
態様に係る封止パネル装置における枠体に相当する）が
形成された第１パネル及び／又は第２パネルを用いるこ
ともできる。そして、必要に応じて、第１パネル及び／
又は第２パネルのかかる突起部に低融点金属材料から成
るシール部材を形成し、あるいは配置すればよい。ま
た、かかる構造の第１パネル及び／又は第２パネルを用
いる場合であって、濡れ性改善層を形成する必要がある
場合には、フリット・ガラスから成る突起部の頂面に濡
れ性改善層を形成すればよい。

【００７８】又、本発明の封止パネル装置の製造方法に
おいては、低融点金属材料から成る接着層、第１接着層
又は第２接着層の表面に自然酸化膜が生成する場合があ
るので、加熱による接着を行う直前に、自然酸化膜を除
去することが好適である。自然酸化膜の除去は、例え
ば、希塩酸を用いたウェットエッチング法、塩素系ガス
を用いたドライエッチング法、超音波印加法等の公知の
方法で行うことができる。

【００７９】本発明の封止パネル装置を適用した表示装
置においては、収束電極を設けてもよい。即ち、電界放
出素子を構成するゲート電極１２３上に層間絶縁層を形
成し、更に、その上に収束電極を形成した構成とするこ
ともできる。尚、この場合には、層間絶縁層及び収束電
極には、電子放出用開口部１２５と連通した開口部を設
けておく。

【００８０】また、本発明の封止パネル装置を適用した
表示装置においては、第１パネルと第２パネルの少なく
とも一方において、パネル表面の一部はゲッターを収容
するための箱部によって構成されており、かかるゲッタ
ー室には開口部が設けられており、開口部は低融点金属
材料から成る接着層によってパネルを構成するゲッター
室に接着された蓋部により閉鎖された構造とすることも
できる。第１パネル１１の表面の一部がゲッター６３を
収容するための箱部６０で形成された封止パネル装置を
概念的に図１６に示す。また、かかる封止パネル装置の
概念的に示す分解斜視図を図１７に示す。尚、図１７に
示した封止パネル装置の基本的な構成は実施の形態４と
同様であるが、他の封止パネル装置にもゲッター６３を
収容するための箱部６０を適用することができることは
云うまでもない。ここで、これらの図面の符号は図８と
一部共通であり、共通部分については詳しい説明を省略
する。図１７では、第１接着層２１と第２接着層２２の
図示を省略し、第１パネル１１の有効領域と第２パネル
１２を明確化するために斜線を施した。

【００８１】箱部６０に設けられた開口部６１は、低融
点金属材料から成る接着層３０によって第１パネル１０
の一部を構成する箱部６０に接着された蓋部４０により
閉鎖されている。箱部６０は例えばガラスを用いて構成
され、底の無い直方体形状を有する。箱部６０の底側の
四辺は、図示しない接着材層（例えば、フリット・ガラ
スから成る）を用いて第１パネル１１の無効領域に接着
されている。箱部６０内において、箱部６０の天井面と
第１パネル１１の上面との間に一対の板ばね６４が架け
渡されており、この板ばね６４の付勢によって円盤状の
ゲッター６３が箱部６０内に保持されている。このゲッ
ター６３は非蒸発型であり、例えばジルコニウム等の卑
金属から成る。箱部６０の上面には開口部６１が設けら
れている。箱部６０に囲まれる第１パネル１１の領域に
は、第１パネル１１と第２パネル１２との間の空間と箱
部６０内とを連通させるための貫通孔６２が設けられて
いる。

【００８２】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の封止パネル装置あるいはその製造方法においては、
シール部材を用いて２枚のパネルの全体若しくは大部分
を接着する段階と、接着された２枚のパネルを真空雰囲
気中に置き、２枚のパネルのいずれか又はシール部材に
設けられた十分に小さな開口部に低融点金属材料から成
る接着層を用いて蓋部を接着する段階から成る２段階プ
ロセスによりパネル間の真空空間が形成される。従っ
て、高い真空度を比較的短い時間内に達成することがで
き、チップ管を通じて排気を行う従来プロセスに比べ、
スループットを著しく改善することが可能である。ま
た、最終的なパネル封止が、２枚のパネルに比べて十分
に面積の小さい開口部を蓋部と接着層とを用いて閉鎖す
るプロセスによって行われるため、この閉鎖に際してパ
ネル全体を加熱する必要がなく、新たな脱ガスが生じな
い。従って、パネル間の空間の最終到達真空度も高いレ
ベルに維持される。更に、第１パネルと第２パネルとが
真空雰囲気中に置かれるとき、両パネルは既に接着され
ているため、真空中で両パネルの位置合わせを行うとい
った複雑な作業も不要である。更には、封止パネル装置
の薄型化を図ることができる。本発明は特に、封止パネ
ル装置として電界電子放出型の表示装置を想定した場
合、表示装置の高信頼化、長寿命化、生産性の向上に大
きく貢献する。

【図面の簡単な説明】

【図１】シール部材に枠体が含まれない実施の形態１及
び実施の形態２に係る封止パネル装置の概念図である。

【図２】表示装置として構成された実施の形態１に係る
封止パネル装置の模式的断面図である。

【図３】図２に示した封止パネル装置の一部を拡大して
示す分解斜視図である。

【図４】実施の形態１及び実施の形態２に係る封止パネ
ル装置の製造方法を概念的に示す工程図である。

【図５】実施の形態１に係る封止パネル装置及びその製
造方法の変形例を示す概念図である。

【図６】シール部材に開口部が設けられた実施の形態３
に係る封止パネル装置の変形例の概念図である。

【図７】実施の形態３に係る封止パネル装置の製造方法
を概念的に示す工程図である。

【図８】シール部材に枠体が含まれる実施の形態４に係
る封止パネル装置の概念図である。

【図９】表示装置として構成された実施の形態４に係る
封止パネル装置の概念図である。

【図１０】実施の形態４に係る封止パネル装置の製造方
法であって、第１パネルと枠体と第２パネルを同時に接
着する方法を概念的に示す工程図である。

【図１１】図１０に示した製造方法の変形例を示す概念
図である。

【図１２】実施の形態４に係る封止パネル装置の製造方
法であって、第１パネルと枠体とを先に接着する方法を
概念的に示す工程図である。

【図１３】図１１に示した製造方法の変形例を示す概念
図である。

【図１４】シール部材に開口部が設けられた実施の形態
５に係る封止パネル装置の変形例の概念図である。

【図１５】実施の形態５に係る封止パネル装置の製造方
法を概念的に示す工程図である。

【図１６】第１パネルの表面の一部がゲッターを収容す
るための箱部で形成された封止パネル装置を概念的に示
す断面図である。

【図１７】図１６に示した封止パネル装置を概念的に示
す分解斜視図である。

【符号の説明】

１１・・・第１パネル、１２・・・第２パネル、１５・
・・ゲッター、１６・・・間隔維持部材、１７・・・濡
れ性改善層、２０ａ，２０ｂ，２０ｃ・・・シール部
材、２１・・・第１接着層、２２・・・第２接着層、２
３・・・枠体、３０，３１，３２・・・接着層、４０，
４１，４２・・・蓋部、３３，３４・・・補助接着層、
４３，４４・・・補助枠体、１１０・・・透明支持体、
１１１・・・ブラック・マトリクス、１１２Ｒ，１１２
Ｇ，１１２Ｂ・・・蛍光体層、１１３・・・アノード電
極、１２０・・・支持体、１２１・・・カソード電極、
１２３・・・ゲート電極、５１・・・加速電源、５２・
・・制御回路、５３・・・走査回路、６０・・・箱部、
６１・・・開口部、６２・・・貫通孔、６３・・・ゲッ
ター、６４・・・板ばね

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｊ 31/12 Ｈ０１Ｊ 31/12 Ｃ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】対向配置された第１パネルと第２パネル、
及び蓋部から成り、第１パネルと第２パネルとは、周縁部においてシール部
材を用いて接着され、第１パネル、第２パネル及びシール部材の少なくとも１
つには、開口部が設けられ、該開口部は、低融点金属材料から成る接着層によってパ
ネルに接着された該蓋部により閉鎖され、第１パネルとシール部材と第２パネルと接着層と蓋部と
によって囲まれた空間は真空であることを特徴とする封
止パネル装置。
【請求項２】シール部材は、その焼成温度が接着層を構
成する低融点金属材料の融点よりも高いフリット・ガラ
スから成り、第１パネルと第２パネルとは、周縁部において該フリッ
ト・ガラスによって接着されていることを特徴とする請
求項１に記載の封止パネル装置。
【請求項３】シール部材は、接着層を構成する低融点金
属材料の融点よりも高い融点を有する低融点金属材料か
ら成り、第１パネルと第２パネルとは、周縁部において該低融点
金属材料によって接着されていることを特徴とする請求
項１の記載の封止パネル装置。
【請求項４】シール部材は、枠体、フリット・ガラスか
ら成る第１接着層、及び、フリット・ガラスから成る第
２接着層から構成されており、第１パネルと該枠体とは第１接着層によって接着されて
おり、第２パネルと該枠体とは第２接着層によって接着
されており、第１接着層を構成するフリット・ガラスの焼成温度、及
び、第２接着層を構成するフリット・ガラスの焼成温度
は、接着層を構成する低融点金属材料の融点よりも高い
ことを特徴とする請求項１に記載の封止パネル装置。
【請求項５】シール部材は、枠体、低融点金属材料から
成る第１接着層、及び、低融点金属材料から成る第２接
着層から構成されており、第１パネルと該枠体とは第１接着層によって接着されて
おり、第２パネルと該枠体とは第２接着層によって接着
されており、第１接着層を構成する低融点金属材料の融点、及び、第
２接着層を構成する低融点金属材料の融点は、接着層を
構成する低融点金属材料の融点よりも高いことを特徴と
する請求項１に記載の封止パネル装置。
【請求項６】空間内に非蒸発型のゲッターを備えている
ことを特徴とする請求項１に記載の封止パネル装置。
【請求項７】第１パネルは、透明支持体、並びに、該透
明支持体上に形成されたアノード電極及び蛍光体層から
成り、第２パネルは、支持体、並びに、該支持体上に形成さ
れ、アノード電極及び蛍光体層に対向した複数の冷陰極
電界電子放出素子から成り、冷陰極電界電子放出素子から放出された電子が蛍光体層
に衝突することによる発光に基づいて表示を行うことを
特徴とする請求項１に記載の封止パネル装置。
【請求項８】第１パネルと第２パネルとが真空空間を挟
んで対向配置され、第１パネル、第２パネル及びシール
部材の少なくとも１つに設けられた開口部が蓋部によっ
て閉鎖された構造を有する封止パネル装置の製造方法で
あって、（イ）対向配置された第１パネルの周縁部と第２パネル
の周縁部とを、シール部材を用いて接着する工程、及
び、（ロ）低融点金属材料から成る接着層によって、真空雰
囲気中で開口部近傍のパネルに蓋部を接着する工程、か
ら成ることを特徴とする封止パネル装置の製造方法。
【請求項９】前記工程（イ）を不活性ガス雰囲気中で行
うことを特徴とする請求項８に記載の封止パネル装置の
製造方法。
【請求項１０】前記工程（イ）において接着を行う際の
温度は、前記工程（ロ）において接着を行う際の温度よ
りも高いことを特徴とする請求項８に記載の封止パネル
装置の製造方法。
【請求項１１】シール部材は、その焼成温度が接着層を
構成する低融点金属材料の融点よりも高いフリット・ガ
ラスから成り、前記工程（イ）では、フリット・ガラスの焼成温度にて
シール部材による接着を行うことを特徴とする請求項１
０に記載の封止パネル装置の製造方法。
【請求項１２】シール部材は、接着層を構成する低融点
金属材料の融点よりも高い融点を有する低融点金属材料
から成り、前記工程（イ）では、シール部材を構成する低融点金属
材料の融点以上の温度にてシール部材による接着を行う
ことを特徴とする請求項１０に記載の封止パネル装置の
製造方法。
【請求項１３】シール部材は、枠体、フリット・ガラス
から成る第１接着層、及び、フリット・ガラスから成る
第２接着層から構成されており、第１接着層を構成するフリット・ガラスの焼成温度、及
び、第２接着層を構成するフリット・ガラスの焼成温度
は、接着層を構成する低融点金属材料の融点よりも高
く、前記工程（イ）では、フリット・ガラスの焼成温度に
て、第１パネルと枠体とを第１接着層によって接着し、
且つ、枠体と第２パネルとを第２接着層によって接着す
ることを特徴とする請求項１０に記載の封止パネル装置
の製造方法。
【請求項１４】シール部材は、枠体、低融点金属材料か
ら成る第１接着層、及び、低融点金属材料から成る第２
接着層から構成されており、第１接着層を構成する低融点金属材料の融点、及び、第
２接着層を構成する低融点金属材料の融点は、接着層を
構成する低融点金属材料の融点よりも高く、前記工程（イ）では、第１接着層及び第２接着層を構成
する低融点金属材料の融点以上の温度にて、第１パネル
と枠体とを第１接着層によって接着し、且つ、枠体と第
２パネルとを第２接着層によって接着することを特徴と
する請求項１０に記載の封止パネル装置の製造方法。
【請求項１５】第１パネルは、透明支持体、並びに、該
透明支持体上に形成されたアノード電極及び蛍光体層か
ら成り、第２パネルは、支持体、並びに、該支持体上に形成さ
れ、アノード電極及び蛍光体層に対向した複数の冷陰極
電界電子放出素子から成り、冷陰極電界電子放出素子から放出された電子が蛍光体層
に衝突することによる発光に基づいて表示を行うことを
特徴とする請求項８に記載の封止パネル装置の製造方
法。