KR100400185B1

KR100400185B1 - 구조체 밀봉 방법

Info

Publication number: KR100400185B1
Application number: KR10-1999-7005179A
Authority: KR
Inventors: 파렌데오도어에스.; 루드빅폴엔.; 쉬미드안토니피.; 프레슬리로버트제이.; 조스티븐티.; 콘트알프레드에스.; 쿠퍼안토니제이.; 포더븐플로이드알.
Original assignee: 컨데슨트 인터렉추얼 프로퍼티 서비시스 인코포레이티드
Priority date: 1996-12-12
Filing date: 1997-11-26
Publication date: 2003-10-01
Also published as: EP1826800A3; EP1826800A2; JP3515786B2; EP0944912A4; WO1998026440A1; DE69739707D1; EP1826800B1; KR20000057499A; EP0944912B1; JP2000510281A; DE944912T1; EP0944912A1

Abstract

본 발명은 특히 평판표시장치와 같은 구조체를 밀봉하는 기술에 관한 것으로서, 평판표시장치와 같은 구조체의 부분들(40, 44)은 통상 25㎛ 이상의 높이를 갖는 갭(48)이 적어도 부분적으로 2개의 밀봉 영역을 분리하도록 한 부분의 밀봉 영역(40S)이 적어도 부분적으로 대응하는 다른 부분의 밀봉 영역(44S)과 분리되도록 위치하고, 적어도 한 부분의 재료가 갭을 브리지하고, 부분들(40, 44)을 함께 밀봉하도록 밀봉 영역을 따르는 상기 한 부분의 재료를 국부적으로 가열하기 위해 "갭 점핑 기술"로 에너지가 인가되고, 레이저는 통상 국부적으로 용해하고, 표면 장력 및 모세관 작용과 같은 지수의 조합에 의해 갭에 재료를 인입하는데 사용되고, 갭 점핑 기술의 제 1 부분은 상기 부분들을 함께 태킹하기 위해 비진공 상태에서 실행될 수 있지만, 갭 점핑 기술은 통상 진공 패널을 형성하기 위해 진공으로 종료되는 것을 특징으로 한다.

Description

구조체 밀봉 방법{GAP JUMPING TO SEAL STRUCTURE}

평판장치는 일반적으로 중간 매커니즘을 통해 서로 연결된 한 쌍의 평판을 포함한다. 이 2개의 판은 통상 직사각형 형상이다. 2개의 판과 중간 연결 매커니즘으로 형성된 비교적 평평한 구조체의 두께는 각 판의 대각선 길이에 비해 작다.

정보를 표시하는데 사용될 때, 평판장치는 통상 평판표시장치라고 한다. 평판표시장치의 2개의 판은 주로 전면플레이트와 후면플레이트로 불리운다. 정보를 표시하는 면을 제공하는 전면플레이트는 전면플레이트상에 형성된 하나 이상의 층을 포함하는 전면플레이트 구조체의 일부이다. 마찬가지로 후면플레이트는 후면플레이트상에 형성된 하나 이상의 층을 포함하는 후면플레이트 구조체의 일부이다. 전면플레이트 구조체와 후면플레이트 구조체는 밀봉된 인클로져(enclosure)를 형성하기 위해 통상 외벽을 통해 서로 밀봉된다.

평판표시장치는 전면플레이트상에 정보를 표시하기 위해 음극선(전자), 플라즈마 및 액정과 같은 매커니즘을 사용한다. 이러한 3가지 매커니즘을 사용하는 평판표시장치는 일반적으로 음극선관("CRT") 표시장치, 플라즈마 표시장치 및 액정표시장치라고 한다. 표시장치의 전면플레이트와 후면플레이트 구조체의 구성과 배치는 전면플레이트상에 정보를 표시하는데 사용된 매커니즘의 형태에 의존한다.

평면 CRT 표시장치에서는 통상 후면플레이트의 내부표면에 전자방출소자가 제공된다. 전자방출소자는 행과 열의 화소(픽셀)로 이루어진 매트릭스에 배열된다. 각각의 픽셀은 통상 많은 수의 개별적인 전자방출소자를 포함한다. 전자방출소자가 적절히 여기되면, 이들은 전면플레이트의 내부표면에 위치한 대응 픽셀에 배열된 형광체에 부딪치도록 전자를 방출한다.

평면 CRT 표시장치의 전면플레이트는 유리와 같은 투명한 재료로 구성된다. 전자방출소자로부터 방출된 전자가 부딪히면, 전면플레이트상의 내부표면에 위치한 형광체는 전면플레이트의 외면에 가시광을 방출한다. 후면플레이트로부터 전면플레이트로의 전자 흐름을 적절히 제어함으로써, 적당한 이미지가 전면플레이트상에 표시된다.

평면 CRT 표시장치의 전자방출소자는 통상 전계방출(냉전자 방출) 기술 또는 열전자 방출 기술에 따라 전자를 방출한다. 이 두 가지 경우, 특히 전계방출 기술에 있어서는 CRT 표시장치가 적절히 동작하고 급속하게 성능이 저하되는 것을 방지하기 위해 전자방출이 고진공 상태에서 발생할 필요가 있다. 따라서 전면플레이트 구조체, 후면플레이트 구조체 및 외벽에 의해 형성된 인클로져는 전계방출 형태의 평면 CRT 표시장치에 대해 통상 10^-7torr 이하의 압력의 고진공 상태에서 제조된다. 통상, 공기압과 같은 외부의 힘에 의해 표시장치가 붕괴되는 것을 방지하기 위해 전면플레이트 구조체와 후면플레이트 구조체 사이에 하나 이상의 스페이서가 위치한다.

진공 악화는 전자방출소자를 악화시키는 오염 가스에 의해 야기된 표시장치의 불균일 휘도와 같은 여러 가지 문제를 초래할 수 있다. 오염 가스는 예를 들어 형광체로부터 발생할 수 있다. 전자방출소자의 악화는 또한 표시장치의 동작 수명을 감소시킨다. 따라서 평면 CRT 표시장치를 밀봉하는 것이 중요하다.

종종 전계방출 표시장치("FED")라고 하는 전계방출 형태의 평면 CRT 표시장치는 통상적으로 대기중에서 밀봉된 다음에, 표시장치상에 제공된 배출관을 통해 공기가 배출된다. 도 1a 내지 도 1d(집합적으로 "도 1")는 후면플레이트 구조체(10), 전면플레이트 구조체(12), 외벽(14) 및 복수의 스페이서 벽(16)으로 구성된 FED를 밀봉하는 종래의 절차를 나타낸다.

도 1a에 도시된 시점에서, 스페이서 벽(16)이 전면플레이트 구조체(12)의 내부표면에 설치되고, 외벽(14)은 외벽의 전면플레이트 모서리를 따라 제공된 프릿(frit)(밀봉 유리)(18)을 통해 전면플레이트 구조체(12)의 내부표면에 연결된다. 프릿(20)은 외벽(14)의 후면플레이트 모서리를 따라 위치한다. 관(22)은 후면플레이트 구조체(10)의 개구(26)에서 프릿(24)을 통해 후면플레이트 구조체(10)의 외부표면에 밀봉된다. 오염 가스를 수집하는 게터(getter)(28)는 통상 관(22)의 내부를 따라 제공된다. 표시장치를 밀봉하기 전에 전면플레이트 구조체(12), 외벽(14) 및 스페이서(16)로 형성된 구조체는 후면플레이트 구조체(10), 관(22) 및 게터(28)로 형성된 구조체와 물리적으로 분리되어 있다.

구조체(12/14/16, 10/22/28)는 위치정렬 고정물(30)안에 놓여져서 서로 정렬된 후, 도 1b에 도시된 바와 같이 프릿(20)을 따라 물리적으로 접촉한다. 위치정렬 고정물(30)은 오븐(32)에 위치하거나 배치된다. 정렬되고 접촉된 후, 구조체(12/14/16, 10/22/28)는 450℃ 내지 600℃ 이상의 밀봉 온도까지 천천히 가열된다. 프릿(20)이 용해되어 구조체(10/22/28)에 구조체(12/14/16)가 밀봉된다. 밀봉된 FED는 실온까지 천천히 냉각된다. 가열/밀봉/냉각 공정은 통상 1시간이 걸린다.

밀봉을 완료한 후, FED는 위치정렬 고정물(30)과 오븐(32)에서 제거되고, 다른 오븐(34)에 배치된다. 도면 1c를 참조하라. 진공 펌핑 시스템(36)이 관(22)에 연결된다. 관(22) 주위에 가열소자(38)가 배치된 채로 FED는 관(22)을 통해 고진공 레벨로 공기가 배출된다. 다음에 FED는 천천히 고온으로 되고, FED의 재료에서 오염 가스를 제거하기 위해 몇시간 동안 구워진다. 상승된 온도에서 FED내에 적당히 낮은 압력이 유지될 때, FED는 실온으로 냉각되고, 관(22)은 관이 고진공 상태에서 FED를 밀봉하기 위해 닫힐 때까지 가열소자(38)를 통해 가열된다. 다음에 FED는 오븐(34)에서 제거되고, 진공 펌프(36)로부터 분리된다. 도 1d는 밀봉된 FED를 나타낸다.

도 1의 밀봉 공정은 몇 가지 이유 때문에 불충분하다. 복수의 FED가 동시에 밀봉될 수 있지만, 이 밀봉 공정은 너무 오래 걸려 종종 상업적인 요구를 만족하지 못한다. 또한, 전체 FED가 오랜 기간 동안 고온으로 가열된다. 이 때문에 위치정렬 공차와 관련한 우려가 발생하고, 때때로 크래킹(cracking)을 초래하는 FED의 특정 재료가 악화될 수 있다. 게다가, 관(22)은 FED 외부로 돌출한다. 결과적으로, FED는 관(22)이 깨지거나 FED가 파괴되는 것을 방지하기 위해 매우 주의 깊게 다루어져야 한다. 이와 같은 문제들을 해결하고, 관(22)과 같은 배출관이 필요 없게 하는 것은 평판장치, 특히 전계방출 CRT 형태의 평판표시장치를 밀봉하는 기술을 갖는 것에 있어서 매우 유리할 것이다.

본 발명은 특히 평판장치와 같은 구조체를 밀봉하는 기술에 관한 것이다. 본 발명은 또한 통상 구조체 밀봉 공정의 일부로서 평판장치와 같은 구조체들을 태킹(tacking)하는 기술에 관한 것이다.

도 1a 내지 도 1d는 평면 CRT 표시장치를 밀봉하는 종래 공정의 단계들을 나타내는 단면도이다.

도 2a 내지 도 2e는 본 발명에 따른 갭 점핑을 형성하기 위해 국부 에너지 전달을 사용하여 평판표시장치를 밀봉하는 공정의 단계들을 나타내는 단면도이다. 도 2a 내지 도 2e의 밀봉 공정의 일부로서, 본 발명에 따라 평판표시장치를 잇기 위해 갭 점핑을 형성하는데 국부 에너지 전달이 사용된다.

도 2b*와 도 2c*는 도 2a 내지 도 2e의 갭 점핑 밀봉 공정에서 본 발명에 따라 사용 가능한 부가적인 단계들을 나타내는 단면도이다.

도 2c'와 도 2d'는 도 2a 내지 도 2e의 갭 점핑 밀봉 공정에서 도 2c와 도 2d의 단계에 대한 본 발명에 따라 대체 가능한 단계들을 나타내는 단면도이다.

도 3은 도 2a 및 도 4a의 평판표시장치의 사시도이다.

도 4a 내지 도 4e는 본 발명에 따른 갭 점핑을 형성하기 위해 위치정렬 구조체와 국부 에너지 전달을 사용하여 평판표시장치를 밀봉하는 공정의 단계들을 나타내는 단면도이다.

도 5a 내지 도 5e는 본 발명에 따른 갭 점핑을 형성하기 위해 2중 레이저 시스템을 사용하여 평판표시장치를 밀봉하는 공정의 단계들을 나타내는 단면도이다.

도 6은 본 발명에 따른 갭 점핑에 의해 표시장치를 밀봉하는데 도움을 주기 위해 배출구가 제공된 외벽을 갖는 평판표시장치의 일부에 대한 단면도이다.

도 7은 도 6의 평판표시장치의 사시도이다.

도 8a 내지 도 8h는 본 발명에 따른 갭 점핑을 형성하기 위해 국부 에너지 전달을 사용하여 평판표시장치를 밀봉하는 또 다른 공정의 단계들을 나타내는 단면도이다.

도 9는 도 8c의 평판표시장치의 후면플레이트와 충전된 주형을 나타내는 사시도이다.

도 10a 내지 도 10e는 본 발명에 따른 갭 점핑을 형성하기 위해 국부 에너지 전달을 사용하여 평판표시장치를 밀봉하는 다른 공정의 단계들을 나타내는 단면도이다.

도 11a는 본 발명의 갭 점핑 밀봉 공정에서 광에너지를 제공하기 위한 본 발명에 따른 일반적으로 직사각형 단면의 레이저빔을 발생하는 레이저의 개략적인 사시도이다.

도 11b는 도 11a의 레이저빔의 단면도이다.

도 11c는 본 발명에 따라 도 11a와 도 11b의 레이저빔이 밀봉 영역을 어떻게 횡단하는지를 나타내는 사시도이다.

도면 및 실시예에 대한 설명에서 동일한 항목 또는 매우 유사한 항목을 나타내기 위해 동일한 인용부호가 사용되고 있다.

본 발명은 구조체에 실질적으로 밀봉된 구조체의 잉여 부분을 넘어서 돌출하는 배출관과 같은 불편한 압력 감소 장치를 제공할 필요 없이 밀봉된 구조체가 통상적으로 고진공 상태인 감소된 압력 상태에 빠르게 도달할 수 있게끔 구조체의 일부를 함께 밀봉하는 기술을 제공한다. 본 발명에서, 밀봉은 밀봉을 형성하기 위해 특정 영역을 따라 국부적으로 에너지가 가해지는 갭 점핑(gap jumping) 기술에 의해 실행된다. 에너지 전달을 설명하는데 있어서 본 명세서에서 사용된 용어 "국부" 또는 "국부적으로"는 에너지가 에너지를 수신하도록 되어 있지 않은 인접한 재료로 전달되지 않고 에너지를 수신하도록 되어 있는 특정 재료로 선택적으로 향하는 것을 의미한다.

구조체를 밀봉하기 위해 본 발명의 갭 점핑 기술을 사용하는데 있어서, 전체 구조체는 통상 오염 가스를 방출하고, 밀봉을 완료하는 동안 발생할 수 있는 응력을 완화하기 위해 밀봉을 완료하기 전에 가열된다. 그러나, 가스 방출/응력 완화 공정 동안 도달된 통상 300℃ 정도의 최대 온도는 밀봉이 전체 가열에 의해 실행되는 상기한 것과 같은 종래의 밀봉 공정에서 통상적으로 도달된 것보다 훨씬 작다. 크래킹과 구조체 구성요소의 악화와 같은 문제들은 본원의 갭 점핑 밀봉 기술로 크게 감소된다.

본 발명의 밀봉 기술은 상기한 형태의 종래의 밀봉 공정보다 훨씬 작은 시간으로 실행될 수 있다. 밀봉 기술은 평판장치, 특히 CRT 형태의 평판표시장치를 밀봉하는데 적합하다. 불편하게 돌출된 배출관을 사용할 필요가 제거됨과 동시에 배출관이 깨져 밀봉된 구조체가 파괴될 가능성이 방지된다. 즉, 본 발명은 종래의 밀봉 기술보다 뛰어난 이점을 제공한다.

특히, 본 발명에 따르면, 제 1 벽(예를 들면 평판표시장치의 외벽)의 제 1 모서리는 갭이 벽의 제 1 모서리와 제 1 플레이트 구조체(예를 들어 평판표시장치의 후면플레이트 구조체)의 밀봉 영역을 적어도 부분적으로 분리하도록 제 1 플레이트 구조체의 정합 밀봉 영역 근처에 위치한다. 이 갭은 대개 적어도 25㎛의 평균 높이를 갖는다. 이 후에 에너지는 제 1 플레이트 구조체와 벽의 재료가 갭을 브리지하고, 벽에 제 1 플레이트 구조체를 밀봉하도록 갭을 따라 벽의 재료로 국부적으로 전달된다.

갭이 브리지(또는 점프)되게 하는 국부 에너지는 통상 광에너지이고, 이는 에너지 전달 공정의 적어도 일부분에서 레이저에 의해 제공되는 것이 바람직하다. 대안적으로 초점 램프가 광에너지를 제공할 수 있다. 또한, 에너지 전달 공정은 마이크로파 에너지를 포함하는 국부 무선 주파수("RF") 파동 에너지와 같은 다른 형태의 국부 에너지로 적어도 부분적으로 실행될 수 있다. 통상적인 경우에, 벽, 즉 국부 에너지를 수신하는 본체의 재료는 모든 갭을 대규모로 브리지한다.

밀봉되는 구조체의 형태, 구조체에 사용된 재료 및 국부 에너지 전달의 조건에 따라 하나 이상의 몇 개의 매커니즘이 본 발명에서의 갭 점핑에 원인이 되는 것으로 보인다. 한 매커니즘은 표면 장력이다. 에너지가 갭의 벽 재료에 국부적으로 전달됨에 따라서 갭의 벽 재료가 용해되고, 특히 갭의 벽 재료가 한 쌍의 모서리까지 비교적 평탄하다면 감소된 표면 영역을 갖는 공간을 차지하려 한다. 이 때문에 제 1 플레이트 구조체의 밀봉 영역을 향해 갭의 벽 재료가 휘어진다.

갭의 벽 재료에 잡혀있거나 또한 갭의 벽 재료의 조성비 변화에 의해 생성된 가스들은 갭의 벽 재료가 제 1 플레이트 구조체의 밀봉 영역을 향해 이동하도록 하는데 도움을 줄 수 있다. 또한 몇몇 경우에 갭의 벽 재료는 밀도를 감소시키는 위상 변화를 겪을 수 있고, 그 결과 벽 재료의 부피가 증가하여 제 1 플레이트 구조체의 밀봉 영역을 향해 확장한다.

어떠한 경우에도, 용해된 갭의 벽 재료는 밀봉 영역을 따라 제 1 플레이트 구조체의 재료와 접촉하고, 그 재료를 적시며, 밀봉을 형성하기 위해 유동한다. 즉, 갭의 벽 재료에 대해 국부 에너지를 가하면 갭은 폐쇄된다. 물론 갭은 국부 에너지 전달에 의해 브리지될 수 있을 만큼 충분히 작아야 한다. 본 출원인은 본 발명에 따라 국부 광에너지 전달을 이용하여 300㎛까지의 갭들을 성공적으로 점핑시켰다.

국부 에너지 전달은 통상 복수의 단계로 행해진다. 예를 들어 처음에 에너지는 제 1 플레이트 구조체와 벽이 비진공 상태에 있는 동안 갭 일부의 벽 재료에 국부적으로 전달될 수 있다. 초기 국부 에너지 전달로 갭의 일부가 브리지된다. 이어서 에너지는 제 1 플레이트 구조체와 벽이 진공상태, 통상 고진공 상태에 있는 동안 갭의 나머지 부분의 벽 재료로 국부적으로 전달된다. 후속하는 국부 에너지 전달로 갭의 나머지 부분이 브리지되고, 그 결과 밀봉이 완료된다. 복수 단계 국부 에너지 전달은 통상 벽에 제 1 플레이트 구조체를 밀봉하는데 사용되지만, 복수 단계 에너지 전달은 갭 점핑에 의해 2개의 일반적인 본체를 함께 밀봉하는데 사용될 수도 있다.

에너지 전달 단계를 실행하기 위해 고진공 상태가 이어지는 비진공 상태를 사용하는 것은 많은 이점을 제공한다. 갭의 일부를 브리지하기 위해 비진공 상태에서 초기 국부 에너지 전달을 실행함으로써 갭의 일부를 브리지하는 재료가 고진공 상태에서 행해지는 동일한 형태의 국부 에너지 전달을 겪는 동일 재료보다 낮은 기공율을 가질 수 있고, 이에 따라 높은 밀도를 가질 수 있다. 비진공 상태가 적어도 초기 국부 에너지 전달의 일부분 동안 대부분 질소(비교적 불활성 가스) 또는/및 불활성 가스로 구성될 때, 비진공 상태의 가스와 밀봉되는 재료 사이에서 발생하는 바람직하지 않은 화학 반응의 수는 크게 감소된다. 최종적인 결과로서 초기 에너지 전달 단계 동안 갭의 일부를 브리지하는 재료로 강한 밀봉이 형성된다.

밀봉된 구조체가 후속하는 에너지 전달 단계의 말미에서 인클로져를 형성할 때, 갭의 나머지 부분을 브리지하고, 밀봉을 완료하기 위해 고진공 상태에서 후속적인 국부 에너지 전달을 실행함으로써 인클로져에 고진공 상태가 형성된다. 진공을 형성하기 위해 배출관과 같은 장치를 사용하지 않고도 밀봉 절차가 완료되는 동안 인클로져에 진공이 발생되는 것이 중요하다. 초기 국부 에너지 전달에 대한 비진공 상태와 후속하는 국부 에너지 전달에 대한 고진공 상태를 조합함으로써 밀봉된 인클로져에 고진공을 발생하기 위해 배출관을 사용할 필요 없이 제 1 플레이트 구조체와 벽 사이에 강한 밀봉이 형성될 수 있다.

보통 갭의 벽 재료가 밀봉 영역의 제 1 플레이트 구조체의 재료보다 낮은 온도에서 용해되기 때문에, 본 발명의 밀봉 공정은 갭의 벽 재료의 용해 온도에 가까운 온도로 제 1 플레이트 구조체의 재료의 온도를 높이기 위해 밀봉 영역의 제 1 플레이트 구조체의 재료에 국부적으로 에너지를 전달함으로써 향상될 수 있다. 이 부가적인 국부 에너지 전달은 갭 점핑을 형성하기 위해 벽에 국부 에너지 전달을 개시하기 전에 개시될 수 있다. 대안적으로, 제 1 플레이트 구조체로의 국부 에너지 전달은 벽으로의 국부 에너지 전달과 동시에 실행될 수 있다. 이러한 방식으로 제 1 플레이트 구조체와 벽을 국부적으로 가열하는 것은 밀봉되는 접촉면에 보다 강한 결합을 제공하고, 따라서 밀봉의 기밀성을 증가시킨다.

제 1 모서리와 대향하는 벽의 제 2 모서리는 대개 다른 정합 밀봉 영역의 제 2 플레이트 구조체(예를 들어 평판표시장치의 전면플레이트 구조체)에 밀봉(또는 결합)된다. 벽에 대한 제 2 플레이트 구조체의 밀봉은 통상 벽에 대한 제 1 플레이트 구조체의 밀봉 이전에 비진공 상태에서 행해진다. 그러나, 벽에 대한 제 2 플레이트 구조체의 밀봉은 제 1 플레이트 구조체가 벽에 밀봉되는 것과 동시에 실행될 수 있다. 어느 경우에나, 벽에 대한 제 1 플레이트 구조체의 갭 점핑 밀봉은 통상 진공상태에서 실행되고, 다시 통상 고진공 상태에서 완료된다. 형성된 구조체는 고진공 레벨의 밀봉된 인클로져를 형성한다.

본 발명의 밀봉 공정을 향상시키기 위해 여러 가지 기술이 사용될 수 있다. 예를 들어 제 1 플레이트 구조체가 벽에 밀봉될 때 인클로져에서 가스를 제거하는데 도움을 주기 위해 벽의 제 1 모서리를 따라 배출구가 제공될 수 있다. 갭 점핑을 사용하여 벽에 제 1 플레이트 구조체를 밀봉하기 전에 서로에 대한 고정된 위치에 플레이트 구조체를 유지하기 위해 복수의 포스트와 같은 위치정렬 구조체가 이용될 수 있다. 위치정렬 구조체는 벽 외부에 위치하여 밀봉된 인클로져에 어떤 영향도 주지 않는 것이 바람직하다.

본 발명은 또한 복수 위치의 한 구조체의 2부분을 서로 태킹하는(부분적으로 연결하는) 기술을 제공한다. 태킹공정은 보통 구조체의 밀봉을 완료하는 동안 서로에 대한 고정된 위치에 구조체의 2부분을 유지하기 위한 전체 밀봉 공정의 일부로서 실행된다. 이 태킹 기술은 본 발명의 갭 점핑 밀봉 기술과 완전히 호환되며, 이에 따라 밀봉 공정이 매우 경제적으로 행해질 수 있다.

특히, 본 발명의 태킹 기술은 제 1 벽(예를 들어 외벽)의 제 1 모서리를 제 1 플레이트 구조체(예를 들어 후면플레이트 구조체)의 정합 지정 영역에 근접하도록 위치시키는 것을 포함한다. 보통 적어도 25㎛의 평균 높이를 갖는 갭이 통상 벽의 제 1 모서리와 제 1 플레이트 구조체의 지정 영역을 분리한다. 에너지는 소정 간격을 갖는 대응하는 위치에서 벽에 제 1 플레이트 구조체를 잇기 위해 제 1 모서리의 벽 재료의 소정 간격을 갖는 복수의 부분들에 국부적으로 전달된다. 갭이 존재하면, 국부 에너지 전달에 의해 소정 간격을 갖는 갭의 대응하는 부분들이 브리지된다. 그 결과, 밀봉 인터페이스의 복수의 위치에서 제 1 플레이트 구조체와 벽이 서로 이어진다(또는 부분적으로 병합된다).

바로 이어서 갭의 나머지 부분들을 폐쇄함으로써, 바람직하게는 상기한 바와 같이 갭 점핑을 형성하기 위한 국부 에너지 전달을 사용함으로써 벽에 대한 제 1 플레이트 구조체의 밀봉이 완료된다. 제 2 플레이트 구조체(예를 들어 전면플레이트 구조체)가 제 1 모서리와 대향하는 벽의 제 2 모서리에 밀봉됨으로써 형성된 구조체는 통상 평면 형태의 밀봉된 인클로져를 형성한다. 요약하면, 본 발명은 평판장치, 특히 CRT 형태의 평판표시장치를 밀봉하는 매우 효율적이고 안정된 기술을 제공한다.

도 2a 내지 도 2e(집합적으로 "도 2")는 본 발명에 따라 평판표시장치를 밀봉하는 일반적인 기술을 나타낸다. 도 2에 도시된 기술은 평판표시장치의 분리된 부분들이 서로 밀봉되도록 하는 갭 점핑을 발생시키기 위해 국부 에너지 전달을 이용한다. 도 2의 공정을 설명한 후에 이하에서 다루어지는 도 2b*와 도 2c*는 도 2의 공정에 이용될 수 있는 부가적인 단계들을 나타낸다. 마찬가지로 도 2의 공정을 설명한 후에 이하에서 다루어지는 도 2c'와 도 2d'는 도 2c와 도 2d의 단계들의 대안을 나타낸다. 도 3은 밀봉 공정에서 도 2a의 초기 단계에서의 밀봉되지 않은 평판표시장치의 사시도를 나타낸다.

본 명세서에서 사용되는 것처럼, 평판표시장치에서 전면플레이트 구조체의 "외부" 표면은 시청자가 표시장치의 이미지를 볼 수 있는 표면이다. 전면플레이트 구조체의 반대측은 통상 전면플레이트 구조체의 내부 표면의 일부가 외벽을 통해 후면플레이트 구조체에 전면플레이트 구조체를 밀봉하여 형성된 인클로져 외부에 있지만 "내부" 표면이라고 한다. 마찬가지로, 전면플레이트 구조체의 내부 표면의 반대측에 위치한 후면플레이트 구조체의 표면은 후면플레이트 구조체의 내부 표면의 일부가 통상 전면플레이트 구조체, 후면플레이트 구조체 및 외벽으로 형성된 밀봉된 인클로져 외부에 있지만 후면플레이트 구조체의 "내부" 표면이라 한다. 후면플레이트 구조체의 내부 표면과 대향하는 후면플레이트 구조체측은 후면플레이트 구조체의 "외부" 표면이라 한다.

상기한 바와 같이, 도 2의 공정에 따라 밀봉된 평판표시장치의 구성요소들은 후면플레이트 구조체(또는 본체)(40), 전면플레이트 구조체(또는 본체)(42), 외벽(44) 및 복수의 스페이서 벽(46)이다. 후면플레이트 구조체(40)와 전면플레이트 구조체(42)는 일반적으로 직사각형 형상이다. 플레이트 구조체(40, 42)의 내부 구성은 도시되어 있지 않다. 그러나, 후면플레이트 구조체(40)는 후면플레이트와 후면플레이트의 내부 표면상에 형성된 하나 이상의 층들로 구성된다. 전면플레이트 구조체(42)는 투명한 전면플레이트와 전면플레이트의 내부 표면상에 형성된 하나 이상의 층들로 구성된다. 외벽(44)은 직사각형으로 배치된 4개의 서브 벽으로 구성된다. 스페이서 벽(46)은 밀봉된 표시장치에서 플레이트 구조체(40, 42) 사이의 일정한 간격을 유지하고, 표시장치가 공기 압력과 같은 외부 힘을 견딜 수 있게 한다.

후술되는 바와 같이, 후면플레이트 구조체(40)는 외벽(44)을 통해 전면플레이트 구조체(42)에 밀봉된다. 밀봉 공정은 통상 평판표시장치의 구성요소들을 높은 온도로 상승시키는 것을 포함한다. 특히 실온으로의 냉각 동안 평판표시장치의 크래킹 가능성을 감소시키기 위해 외벽(44)은 통상 후면플레이트와 전면플레이트의 열팽창계수("CTE")와 근사적으로 일치하는 CTE를 갖는 재료로 구성된 것이 선택된다.

도 2의 공정에 따라 밀봉된 평판표시장치는 CRT 표시장치, 플라즈마 표시장치, 진공 형광 표시장치 및 액정표시장치와 같은 다양한 형태의 평판표시장치 중 어느 하나일 수 있다. 평면 CRT 표시장치 예에서, 후면플레이트 구조체(40)는 후면플레이트위에 제공된 전자방출소자의 픽셀의 2차원 배열을 포함한다. 전자방출소자는 전계방출 음극을 형성한다.

특히, 전계방출 형태의 평면 CRT 표시장치에서 후면플레이트 구조체(40)는 통상 열 방향으로 후면플레이트를 가로질러 확장하는 에미터 열 전극 군(group of emitter row electrodes)을 갖는다. 전극간 절연층이 에미터 전극을 덮고, 에미터 전극간의 공간에서 후면플레이트와 접촉한다. 후면플레이트 구조체(40)의 각각의 픽셀 위치에서, 많은 수의 개구가 전극간 절연층을 통해 에미터 전극 중 대응하는 전극을 향해 아래로 연장된다. 통상 원추형태 또는 필라멘트 형태의 전자방출소자가 전극간 절연체의 각각의 개구에 위치한다.

패턴화된 게이트층이 전극간 절연체상에 위치한다. 각각의 전자방출소자는 게이트층의 대응하는 개구를 통해 노출된다. 패턴화된 게이트층에서 형성되거나 게이트층과 접촉하는 개별적인 행 전극 층에서 형성된 행 전극 군은 열방향에 수직인 행방향으로 전극간 절연체 위로 연장된다. 각각의 열 전극과 행 전극의 접속점에서 픽셀로부터의 전자의 방출은 열 및 행 전극에 적절한 전압을 인가함으로써 제어될 수 있다.

평면 전계 방출 표시장치("FED")의 전면플레이트 구조체(42)는 투명한 전면플레이트의 내부 표면위에 형성된 형광 픽셀의 2차원 배열을 포함한다. 양극 또는 컬렉터 전극은 구조체(42)의 형광체에 근접하여 위치한다. 양극은 형광체위에 위치할 수 있고, 따라서 형광체에 의해 전면플레이트와 분리된다. 이 경우에, 양극은 통상 알루미늄과 같은 전기전도성 광반사 재료의 얇은 층으로 구성되고, 이 층을 통해 방출된 전자는 형광체에 충돌하도록 급속히 전달될 수 있다. 광반사층은 뒤로 반사된 광의 일부를 다시 전면플레이트 쪽으로 인도함으로써 표시장치 휘도를 증가시킨다. 미국 특허 5,424,605 및 5, 477,105는 상기한 방식으로 구성된 전면플레이트 구조체(42)를 갖는 FED의 예에 대해 기술하고 있다. 대안적으로, 전면플레이트와 형광체 사이에 인듐 주석 산화물과 같은 전기전도성 투명재료의 얇은 층을 갖는 양극이 형성될 수 있다.

FED가 상기한 방식 중 어느 한 방식으로 구성될 때, 후면플레이트 구조체(40)의 열 및 행 전극에 적당한 전압을 인가하면 선택된 픽셀에서의 전자방출소자로부터 전자가 추출된다. 적당히 높은 전압이 인가되는 양극은 추출된 전자를 전면플레이트 구조체(42)의 대응하는 픽셀의 형광체 쪽으로 인출한다. 전자가 형광체에 충돌할 때, 이들은 전면플레이트의 외부 표면에 가시광을 방출하여 소정의 이미지를 형성한다. 칼라 처리를 위해, 각각의 형광 픽셀은 3개의 형광 서브 픽셀을 포함하고, 이 서브 픽셀들은 후면플레이트에 형성된 대응하는 서브 픽셀의 전자방출소자에서 방출된 전자들이 충돌할 때 청색, 적색 및 녹색 광을 방출한다.

외벽(44)의 두께는 1-4㎜의 범위이다. 평판표시장치의 구성요소의 도시를 용이하게 하기 위해 도 2 및 도 3에서 치수가 조정되었지만, 외벽(44)의 높이는 보통 외벽 두께와 동일한 차수의 크기이다. 예를 들어 외벽 높이는 통상 1-1.5㎜이다.

외벽(44)의 4개의 서브 벽은 개별적으로 형성된 후, 서로 직접 또는 4개의 모서리 조각을 통해 결합될 수 있다. 4개의 서브 벽은 또한 한 조각의 적당한 형태를 갖는 재료로 형성될 수 있다. 외벽(44)은 통상 충전재 및 염료와 조합된 Ferro 2004 프릿(frit)과 같은 프릿으로 구성되고, 도 3에 나타낸 바와 같이 직사각형 고리모양으로 배치된다. 외벽(44)의 프릿은 400-500℃의 온도에서 용해된다. 프릿 용해 온도는 플레이트 구조체(40, 42)와 스페이서 벽(46)의 재료 중 어느 것의 용해 온도보다 훨씬, 통상 100℃ 이상, 작다.

도 2a 및 도 3에 도시된 초기 단계에서, 외벽(44)은 (a) 외벽(44)의 하부 모서리(44T)에 의해 형성된 고리 모양의 직사각형 밀봉 영역 및 (b) 전면플레이트(42)의 내부 표면의 정합한 고리 모양의 직사각형 밀봉 영역(42T)을 따라 전면플레이트(42)에 밀봉(또는 결합)된다. 전면플레이트 밀봉 영역(42T)은 도 2의 굵은 선으로 표시되어 있다. 그러나, 이것은 다만 설명을 위한 것이다. 전면플레이트 구조체(42)는 통상 밀봉 영역(42T)의 위치를 뚜렷하게 나타내는 형상을 갖지 않는다.

전면플레이트 구조체(42)에 외벽(44)을 밀봉하는데 있어서, 구성요소(42, 44)는 먼저 하부 벽 모서리(44T)를 전면플레이트 밀봉 영역(42T)에 맞추어 서로에 대한 적당한 위치에 배치된다. 이 정렬은 적당한 정렬 고정물로 실행된다. 하부 벽 모서리(44T)는 통상 위치정렬 단계 동안 전면플레이트 밀봉 영역(42T)과 접촉하게 된다.

전면플레이트 구조체(42)에 대한 외벽(44)의 밀봉은 정렬이 완료된 후 여러 가지 방법으로 행해질 수 있다. 통상, 구조체(42)에 대한 벽(44)의 밀봉은 실내압에 가까운 압력의 비진공상태, 통상 건조한 질소 또는 아르곤과 같은 불활성 가스 상태에서 실행된다.

전면플레이트 구조체-외벽 밀봉은 밀봉 오븐에서 밀봉을 형성하기 위해 전면플레이트(42)와 외벽(44)을 적당한 밀봉 온도로 상승시킨 다음, 구조체를 실온으로 냉각시킴으로써 실행될 수 있다. 밀봉 오븐에서의 전반적인 가열 공정 동안 온도 상승과 저하는 각각 통상 3시간이 걸린다. 통상 400-500℃ 정도인 전면플레이트 구조체-외벽 밀봉 온도는 외벽(44)의 프릿의 용해 온도와 동일하거나 약간 높고, 따라서 프릿은 짧은 시각 동안 용해된 상태로 된다. 전면플레이트 구조체-외벽 밀봉 온도는 전면플레이트 구조체(42)의 어떠한 부분도 녹이거나 손상을 주지 않게끔 충분히 낮다.

대안적으로, 외벽(44)은 벽(44)과 구조체(42)를 200-350℃, 통상 300℃의 바이어스 온도로 상승시킨 후 레이저로 전면플레이트에 밀봉될 수 있다. 레이저 밀봉 동안 상승된 온도는 밀봉 인터페이스의 응력을 완화하고, 크래킹 가능성을 감소하는데 사용된다.

외벽(44)내의 전면플레이트(42)의 내부 표면에 스페이서 벽(46)이 설치된다. 스페이서 벽(46)은 통상 외벽(44)보다 높다. 특히, 스페이서 벽(46)은 외벽(44)보다 전면플레이트 구조체(42)에서 통상 적어도 평균 50㎛ 정도 더 연장된다. 통상 스페이서 벽(46)은 구조체(42)에 외벽(44)을 밀봉한 후 전면플레이트 구조체(42)상에 설치되지만, 전면플레이트 구조체-외벽 밀봉 전에 구조체(42)상에 설치될 수도 있다. 이 경우, 전면플레이트 구조체-외벽 밀봉 온도는 충분히 낮기 때문에 스페이서 벽(46)이 용해되거나 손상되는 것을 방지할 수 있다.

합성 구조체(42/44/46)는 (a) 외벽(44)의 상부 모서리(44S)에 의해 형성된 고리 모양의 직사각형 밀봉 영역 및 (b) 후면플레이트 구조체(40)의 내부 표면의 고리 모양의 직사각형 밀봉 영역(40S)을 따라 구조체에 밀봉된다. 후면플레이트 밀봉 영역(40S)이 후면플레이트 구조체(40)상에 위치하는 것을 나타내기 위해, 밀봉 영역(40S)은 도 2에서는 굵은 선으로 표시되고, 도 3에서는 점선으로 표시되어 있다. 전면플레이트 밀봉 영역(42T)과 마찬가지로, 이것은 다만 설명하기 위한 것이다. 후면플레이트 밀봉 영역(40S)의 위치를 뚜렷이 나타내는 형상이 통상 후면플레이트 구조체(40)에 제공되지 않는다. 도 3에 도시된 바와 같이, 밀봉 영역(40S)의 형태는 벽 모서리 밀봉 영역(44S)의 형태와 일치한다.

후면플레이트 구조체(40)는 적어도 밀봉 영역(40S)의 일부분, 통상적으로는 많은 부분이 투명하다. 후면플레이트 구조체(40)의 불투명한 전기전도성(통상 금속) 배선은 통상 밀봉 영역(40S)과 교차한다. 이런 교차가 발생하는 경우, 이들 불투명한 배선들은 충분히 얇기 때문에 본 발명에 따라 밀봉 영역(40S)의 후면플레이트 구조체(40)의 재료 또는 모서리 밀봉 영역(44S)의 외벽(44) 재료로의 국부 에너지 전달에 그리 악영향을 주지 않는다.

게터(getter, 도시하지 않음)는 통상 밀봉 영역(40S)내의 후면플레이트 구조체(40)의 내부 표면 또는 외벽(44)내의 전면플레이트 구조체(42)의 내부 표면상에 위치한다. 그 결과, 게터는 후면플레이트 구조체(40)가 합성 구조체(42/44/46)에 밀봉될 때 형성된 인클로져내에 위치하게 된다. 대안적으로, 게터는 후면플레이트의 외부 표면위에 설치되고, 후면플레이트의 하나 이상의 개구 및/또는 보조 구획의 형상에 따라 외벽(44)의 하나 이상의 개구를 통해 플레이트 구조체(40, 42) 사이의 밀봉된 영역에 접근 가능한 얇은 보조 구획에 위치할 수 있다. 이 경우, 보조 구획은 표시장치 동작을 제어하기 위한 후면플레이트의 외부 표면위에 설치된 회로소자를 그리 많이 넘어서 연장되지는 않고, 따라서 평판표시장치를 조정하는 것을 그리 어렵게 만들지 않는다.

게터는 밀봉된 평판표시장치의 동작 동안 발생된 오염 가스를 포함하여 합성 구조체(42/44/46)에 후면플레이트 구조체(40)를 밀봉하는 동안 및 그 후에 발생된 오염 가스를 수집한다. 게터를 활성화하는 기술은 함께 출원된 마스레니코프 외 다수의 국제 출원 PCT/US97/21093에 개시되어 있고, 본 명세서에는 그 내용이 반복되지 않는 정도로 포함되어 있다.

적당한 정렬 시스템(도시되지 않음)을 사용하여 구조체(40, 42/44/46)는 도 2b에 도시된 방식으로 서로에 대한 위치한다. 이것은 밀봉 영역(40S, 44S)(도 2b에서 수직으로)을 정렬하는 것과 후면플레이트 구조체(40)의 내부 표면을 스페이서 벽(46)의 원격(도 2b의 상부) 모서리에 접촉시키는 것을 수반한다. 정렬은 플레이트 구조체(40, 42)상에 제공된 정렬 마크를 이용하여 통상 실내압의 비진공상태에서 시각적으로 행해진다. 특히, 후면플레이트 구조체(40)는 전면플레이트 구조체(42)에 시각적으로 정렬되고, 이에 따라 후면플레이트 밀봉 영역(40S)이 상부 벽 모서리(44S)에 정렬된다.

구조체(42/44/46)에 구조체(40)를 정렬시키는데 있어서, 스페이서 벽(46)이 후면플레이트 구조체(40)에 대한 고정된 위치에 머물도록 하기 위해 여러 가지 기술이 사용될 수 있다. 예를 들어, 스페이서 벽(46)은 구조체(40)의 내부 표면을 따라 제공된 얕은 홈(도시하지 않음)으로 들어갈 수 있다. 이 홈들은 구조체(40) 내부 표면의 전체면 아래로 연장되거나 구조체(40) 내부 표면의 전체면 위로 연장되는 구조체에 제공될 수 있다.

스페이서 벽(46)이 후면플레이트 구조체(40)에 어떻게 고정되는지에 관계없이 스페이서 벽(46)은 외벽(44)보다 충분히 높기 때문에 갭(48)은 정렬된 밀봉 영역(44S, 40S) 사이로 연장된다. 이 밀봉 공정 단계에서 갭(48)은 통상 밀봉 영역(40S, 44S)의 전체(직사각형) 길이를 따라 연장된다. 최소한으로, 갭(48)은 밀봉 영역 길이의 적어도 50%를 따라 연장된다. 보통 갭(48)의 평균 높이는 25-100㎛이고, 통상적으로는 75㎛이다. 평균 갭 높이는 적어도 300㎛ 정도의 크기일 수도 있다.

구조체(40, 42/44/46)를 정렬 시스템에 위치시키고, 합성 구조체(42/44/46)에 후면플레이트 구조체(40)를 밀봉하기 위한 예비 단계로서 부분적으로 밀봉된 평판표시장치에 대해 태킹 공정을 실행한다. 태킹 공정은 구조체(42/44/46)에 대해 고정된 위치에 구조체(40)를 유지하는데 도움을 준다.

태킹 공정은 여러 가지 방식으로 실시될 수 있다. 도 2의 공정에서, 태킹 공정은 정렬된 밀봉 영역(40S, 44S)을 따라 몇 개의 분리된 위치에서 구조체(42/44/46)에 구조체(40)를 잇는 레이저(50)에 의해 실행된다. 도 2c를 참조하라. 평판표시장치의 태킹 부분이 레이저(50)를 이용한 태킹 공정 동안 높은 온도로 상승하기 때문에 구조체(40) 및 구조체(42/44/46)를 25-300℃의 태킹 바이어스 온도로 높이기 위해 레이저 태킹 바로 전에 구조체(40) 및 구조체(42/44/46)에 대해 전체 가열 공정을 실행한다. 상승된 온도에 의해 이어지는 영역의 응력이 완화되고, 이에 의해 크래킹 가능성이 감소한다.

레이저(50)는 정렬된 구조체가 비진공상태에 있는 동안 레이저빔(52)이 각각의 태킹 위치에서 후면플레이트 구조체(40)의 투명 재료를 통과하여, 외벽(44)의 대응하는 상위 부분으로 도달하도록 배치된다. 빔(52)으로부터의 광(광자) 에너지는 후면플레이트 구조체(40)를 통과하여 밀봉 영역(44S)을 따르는 외벽(44)의 상위 부분에 국부적으로 전송된다. 이에 의해 벽(44)의 부분(44A)이 갭(48) 점핑되고, 밀봉 영역(40S)의 대응하는 부분에서 후면플레이트 구조체(40)와 접촉한다.

특히, 외벽(44)은 밀봉 영역(44S)의 가장자리에서 모서리를 갖는다. 빔(52)의 광에너지가 태킹 위치에서 외벽(44)에 국부적으로 전송될 때, 벽(44)의 일부는 광에너지를 받은 후, 곧 용해된다. 이렇게 용해된 벽(44)의 일부는 표면장력에 의해 원형으로 된다. 밀봉 영역(44S)의 모서리에서 용해된 재료는 태킹 위치에서 영역(44S)의 중심쪽으로 이동한다. 이에 따라서 영역(44S)의 중심에서 재료가 위쪽으로 이동한다.

외벽(44)의 용해된 부분에 포함된 가스 또는 용해의 결과로 발생된 가스는 태킹 위치에서 벽(44)이 위쪽으로 확장하는데 기여할 수 있다. 또한, 벽(44)의 조성과 국부 에너지 전달의 조건(예를 들어 밀봉 영역(44S)에 따르는 벽 온도)에 따라 밀봉영역(44S)의 벽(44) 재료는 재료의 밀도가 감소하는 위상 변화를 겪는다. 부산물은 밀봉 영역(44S)을 따르는 벽의 재료(44)의 부피를 증가시켜, 그 재료가 밀봉 영역(44S)쪽으로 팽창하게 한다. 어느 경우에도, 태킹 위치에서 위쪽으로 돌출하는 부분(44A)이 후면플레이트 구조체(40)와 만난다. 레이저빔(52)이 위쪽으로 돌출하는 태킹 부분(44A)을 넘어 이동한 후, 그 태킹 부분(44A)은 냉각되고, 경화된다.

레이저(50)는 레이저빔(52)이 밀봉 영역(40S)을 따르는 후면플레이트 구조체(40)의 투명 재료는 주파장에서 발생된 빔(52)의 광에너지를 그리 흡수하지 않게 하고, 밀봉 영역(44S)을 따르는 외벽(44)의 재료가 주파장에서 발생된 빔(52)의 광에너지를 흡수할 수 있게 하는 주파장을 갖는다면 다양한 형태의 레이저로 구현될 수 있다. 외벽(44)이 상기한 Ferro 2004 프릿 합성물과 같은 프릿으로 형성되는 경우에, 밀봉 영역(44S)을 따르는 벽(44)의 재료는 0.2㎛ 미만에서 10㎛보다 크게 연장되는 파장대역의 빛을 흡수한다. 이것은 0.38㎛ 내지 0.78㎛에 달하는 전체 가시광 영역을 커버한다.

밀봉 영역(40S)을 따르는 구조체(40)의 투명 재료가 Schott D263 유리와 같은 자외선("UV") 영역의 약 0.3㎛에서 적외선 영역의 약 2.5㎛로 연장되는 대역내의 파장을 갖는 광을 강하게 전송하는 유리로 구성될 때, 빔(52)은 약 0.3-2.5㎛의 범위의 주파장을 갖는다. 광전송과 관련하여 본 명세서에서 사용한 "강하게"는 적어도 90% 전송을 의미한다. 상기 제한을 조건으로 할 때, 레이저(50)는 반도체 다이오드 레이저, (90°오프셋된 빔(52)을 갖는)CO2 레이저, UV 레이저 또는 네오디뮴 YAG 레이저일 수 있다. 예를 들어, 레이저(50)가 다이오드 레이저일 때, 빔 파장은 통상 0.85㎛이다. 빔(52)의 전력은 통상 2-5W이다.

위쪽으로 돌출된 태킹 부분(44A)은 합성 구조체(42/44/46)에 후면플레이트 구조체(40)를 확실하게 연결한다. 태킹 부분(44A)의 형성 때문에 갭(48)은 부분적으로 폐쇄된다. 도 2c의 항목 "48A"는 모든 태킹 부분(44A)이 발생된 후 갭(48)의 나머지를 나타낸다. 이에 따라 레이저 태킹 동안 응력을 완화하기 위해 구조체(40, 42/44/46)에 미리 전체 가열 공정이 실행되었다면 접착된 표시장치를 실온으로 냉각하는 것을 전제로 하여 구조체(42/44/46)에 대한 구조체(40)의 부분적인 밀봉이 완료한다.

접착된/부분적으로 밀봉된 평판표시장치를 정렬 시스템에서 제거하여, 도 2d에 도시된 바와 같이 밀봉을 완료하기 위한 공정을 실행하기 위해 진공 챔버(chamber)(54)에 배치한다. 다음에 진공 챔버(54)는 공기가 배출되어 10^-2torr 미만, 통상 10^-6torr 미만의 압력의 고진공 레벨로 된다. (도시하지 않은) 게터를 선택적으로 작동시킨 후, 평판표시장치의 온도는 200-350℃, 통상적으로는 300℃의 바이어스 온도로 상승된다. 온도 상승은 보통 3-5℃/min 정도의 상승률로 대략 선형적으로 실행된다. 높은 온도는 밀봉 영역(40S, 44S)을 따르는 재료의 응력을 완화시켜 표시장치의 크래킹 가능성을 감소시킨다.

접착된 평판표시장치의 구성요소는 표시장치의 밀봉에 앞서 온도 상승 및 표시장치 바이어스 온도에서의 후속하는 "소크(soak)" 시간 동안 가스를 방출한다. 표시장치 구조체에 존재하는 바람직하지 않은 이 가스들은 진공 챔버(54)의 빈 부분에 들어가서, 압력을 상승시킨다. 후면플레이트 구조체(40)가 합성 구조체(42/44/46)에 완전히 밀봉될 때 생성되는 인클로져에서 이런 가스들을 제거하기 위해서, 챔버(54)의 진공 펌핑은 챔버(54)의 밀봉 동작 동안 계속된다. 부분적으로 완성된 인클로져에 포함된 게터(도시하지 않음)는 작동되면 온도 상승 및 후속적인 소크 동안 바람직하지 않은 가스를 수집하는데 도움을 준다.

레이저 빔(58)을 발생하는 레이저(56)는 진공 챔버(54) 외부에 위치한다. 레이저(56)는 빔(58)이 챔버(54)의 (투명한) 창(54W)과 후면플레이트 구조체(40)의 투명 재료를 통과하도록 배치된다. 창(54W)은 통상 석영으로 구성된다.

레이저(56)는 레이저빔(58)이 진공 챔버(54)의 창(54W) 또는 밀봉 영역(40S)을 따르는 후면플레이트 구조체(40)의 투명 재료 중 어느 것도 주파장에서 이동하는 빔(58)의 광에너지를 그리 많이 흡수하지 않게 하는 주파장을 갖는다면 다양한 형태의 레이저일 수 있다. 통상 창(54W)에 사용되는 석영은 0.2㎛에서 거의 3㎛로 연장되는 대역의 파장을 갖는 광을 강하게 전송한다. 밀봉 영역(40S)을 따르는 후면플레이트 구조체(40)의 투명 재료가 약 0.3㎛에서 약 2.5㎛의 파장 대역의 광을 강하게 전송하는 유리로 구성될 때, 유리 전송 대역은 석영 전송 대역에 포함된다. 이 예에서 빔(58)은 석영 및 유리를 모두 통과해야 하기 때문에, 빔(58)은 태킹 공정에 사용된 레이저(50)의 빔(52)과 마찬가지로 약 0.3-2.5㎛ 범위의 주파장을 갖는다. 따라서, 레이저(56)는 레이저(50)에 대해서 앞서 기술한 것과 같은 레이저 형태일 수 있다. 레이저(56)가 다이오드 레이저인 통상의 경우에, 빔(58)은 0.85㎛의 주파장을 갖는다. 빔(58)의 전력은 통상 2-5W이다.

진공 챔버(54)의 압력이 고진공 레벨이 되고, 상기 범위의 바이어스 온도에서 평판표시장치가 부분적으로 밀봉되면, 레이저 빔(58)과 표시장치는 빔(58)이 실질적으로 정렬된 밀봉 영역(40S, 44S)을 완전히 횡단하는 방식으로 서로에 대해 이동한다. 다시 말하면, 빔(58)은 밀봉 영역(40S, 44S)을 따르는 한 위치에서 시작하여, 최초 위치에 도달할 때까지 직사각형 패턴으로 그 위치에서(표시장치에 대해) 이동한다. 도 2d는 밀봉 영역(40S, 44S)을 따르는 빔의 횡단 동안 중간 위치에서 표시장치가 어떻게 보이는지를 나타낸다. 레이저 빔(58)은 통상 표시장치에 대해 약 1㎜/sec 정도의 속도로 이동한다. 필요하다면, 빔(58)은 태킹 부분(44A)을 건너뛸 수 있다.

레이저 빔(58)이 밀봉 영역(40S, 44S)을 횡단함에 따라, 광에너지는 후면플레이트 구조체(40)를 통과하여 갭의 나머지(48A)를 따라 외벽(44)의 상부 재료에 국부적으로 전달된다. 국부 에너지 전달로 광에너지를 받은 외벽(44)의 재료는 용해되고, 갭의 나머지(48A)가 점핑된다. 여기서의 갭 점핑 매커니즘은 기본적으로 초기의 갭 점핑 태킹 공정 동안 발생되는 갭 점핑 매커니즘과 동일하다. 밀봉 영역(44S)을 따르는 용해된 벽 재료는 빔(58)이 통과한 후 경화된다.

갭의 나머지(48A)는 레이저(56)를 이용한 밀봉 공정 동안 점진적으로 폐쇄된다. 갭의 나머지(48A)가 폐쇄됨에 따라, 후면플레이트 구조체(40)에 대한 외벽(44)의 밀봉에 의해 형성되는 인클로져에 존재하는 가스들이 점진적으로 감소하는 갭의 나머지(48A)를 통해 인클로져로부터 제거된다. 빔(58)이 밀봉 영역(40S, 44S)의 직사각형의 횡단을 완료할 때 갭의 나머지(48A)가 완전히 폐쇄된다.

레이저(56)를 이용한 밀봉 공정이 완료되고 밀봉된 평판표시장치가 대략 바이어스 온도인 동안, (도시하지 않은) 게터가 작동된다(밀봉 공정 전에 작동되었다면 재작동된다). 이후 표시장치의 온도가 실온으로 복귀한다. 본 명세서에서 "실온"은 외부(대개 실내) 대기 온도를 의미하고, 통상 20-25℃이다.

실온으로의 냉각은 냉각 속도가 3-5℃/min의 값을 초과하는 급격한 냉각속도를 갖지 않도록 제어된다. 열 냉각 사이클의 초기에 자연 냉각 속도는 통상 3-5℃/min를 초과하기 때문에 냉각 속도를 3-5℃/min의 범위에서 선택된 값으로 대략적으로 유지하기 위해 사이클의 최초 부분 동안 열이 가해진다. 자연 냉각 속도가 대략적으로 선택된 값으로 되는 온도에 도달될 때까지 가열은 점진적으로 감소되는데, 선택된 값에 도달한 후에는 평판표시장치가 통상 점진적으로 0으로 감소하는 속도로 자연적으로 냉각되게 된다. 대안적으로, 냉각 속도를 높이기 위해 냉각 사이클의 상기 부분 동안 강제 냉각이 사용될 수 있다.

다음에 챔버 압력이 실내압으로 증가되고, 완전히 밀봉된 평판표시장치가 진공 챔버(54)에서 제거된다. 본 명세서에서 용어 "실내압"은 보통 고도에 따라 1 atm 정도의 외부 대기압을 의미한다. 대안적으로, 챔버압력은 밀봉된 표시장치를 실온으로 냉각하기 전에 실내압으로 증가될 수 있다. 어느 경우에나 도 2e는 생성된 구조체를 나타낸다. 밀봉된 평판표시장치의 항목 "44B"는 외벽(44)의 밀봉된 형태를 나타낸다.

게터는 밀봉된 평판표시장치가 실온으로 복귀한 후 재작동된다. 게터 재작동은 표시장치가 진공 챔버(54)에 있을 때 또는 챔버(54)에서 표시장치를 제거한 후 실행될 수 있다.

고진공 상태에서 전체적으로 도 2d의 최종 레이저 밀봉을 실행하는 대신에 후면플레이트 구조체(40)에 대한 합성 구조체(42/44/46)의 최종 갭 점핑 레이저 밀봉이 주로 건조 질소 또는 아르곤과 같은 불활성 가스로 대부분 구성되는 화학적 중성(즉, 불활성) 상태에서 개시될 수 있다. 이후 최종 갭 점핑 밀봉은 고진공 상태에서 완료된다. 이와 같은 조합된 중성 상태/진공 혼성 기술의 사용은 건조 질소 또는 불활성 가스에서 밀봉된 프릿이 고진공에서 밀봉된 동일한 프릿보다 낮은 기공율을 갖고, 이에 따라 보다 높은 밀도를 갖는다는 사실을 이용한다. 결론적으로, 조합된 중성 상태/진공 혼성 기술을 사용하여 중성 상태에서 후면플레이트 구조체(40)에 밀봉된 외벽(44)의 프릿 부분은 누출 가능성이 보다 작고, 이에 따라 밀봉된 평판표시장치의 전체 기밀성이 개선된다. 또한 건조 질소 또는 불활성 가스에서의 프릿 밀봉은 양호한 웨팅(wetting)과 낮은 유전율의 모서리 밀봉을 제공하여 전체 기밀성이 더욱 개선된다.

중성 상태/진공 혼성 대안에서의 최종 밀봉 공정은 갭 나머지(48A)가 후면플레이트 구조체(40)와 합성 구조체(42/44/46) 사이에 존재하는 도 2c의 태킹 구조체로 시작한다. 태킹 구조체가 진공 챔버(54)에 위치한다. 챔버(54)의 압력은 통상 10^-2torr 미만의 고진공 레벨인 낮은 값으로 감소된다. 압력을 고진공 레벨로 감소시킴으로써 태킹 구조체의 부식이 방지된다. 부분적으로 밀봉된 평판표시장치는 상기한 방식으로 200-350℃의 바이어스 온도, 통상 300℃로 가열된다. 온도 상승 동안 다시 가스 배출이 발생한다.

건조 질소 또는 아르곤이 진공 챔버(54)로 다시 충전되고, 챔버(54)가 건조 질소로 충전될 때 챔버 압력이 300-760 torr, 통상 760 torr(1 atm)으로 상승한다. 레이저(56)는 레이저 빔(58)이 정렬된 밀봉 영역(40S, 44S)의 (둘레)길이의 상당 부분을 횡단하는 방식으로 작동된다. 레이저 빔(58)이 밀봉 영역 길이의 10% 정도 횡단할 때 상당한 개선이 달성될 수 있지만, 빔(58)은 통상 밀봉 영역 길이의 최소한 25%, 바람직하게는 50%를 횡단한다. 구조체(40, 42/44/46)가 건조 질소 또는 아르곤 대기에 있는 동안 빔(58)이 횡단하는 벽 밀봉 영역(44S)의 일부를 따라 외벽 재료를 통한 광에너지의 국부 전달로 발생하는 갭 점핑으로 후면플레이트 구조체(40)는 빔(58)이 횡단하는 밀봉 영역(44S)의 일부를 따라 외벽(44)에 밀봉된다.

도 3에 있어서, 외벽(44)은 좌측 서브 벽(44L), 상부 서브 벽(44T), 우측 서브 벽(44R) 및 하부 서브 벽(44B)으로 구성된다. 레이저 빔(58)은 통상 구조체(40, 42/44/46)가 건조 질소 또는 아르곤 대기에 있는 동안 서브 벽(44L, 44T, 44R 및 44B)의 적어도 2개의 인접 부분-예를 들어 인접하는 서브 벽(44L, 44T)-의 전체 길이를 따라 벽 밀봉(44S)의 일부를 횡단한다. 갭 점핑 레이저 밀봉 공정의 중성 상태 단계 동안 빔(58)은 외벽(44)의 4개 코너를 모두 포함하여 서브 벽(44L, 44T, 44R, 44B) 중 3개의 전체 길이를 따라 밀봉 영역(44S)의 일부를 횡단하는 것이 바람직하다.

건조 질소 또는 아르곤에서의 부분 밀봉이 완료하면, 진공 챔버(54)는 공기가 배출되어 10^-2미만, 통상 10^-6torr 이하의 압력의 고진공 레벨로 된다. 원하는 진공 레벨에 도달한 후, 바람직하지 않은 가스를 수집하기 위해 게터가 다시 작동될 수 있다. 밀봉 공정의 나머지는 레이저 빔(58)이 밀봉 영역(40S, 44S)의 길이의 밀봉되지 않은 부분을 그리 많이 횡단하지 않는다는 것을 제외하고 상기한 방식으로 완료된다. 도 2e는 온도가 실온으로 복귀하고, 압력이 실내압으로 복귀하고, 평판표시장치가 챔버(54)에서 제거된 후 최종적으로 밀봉된 평판표시장치를 나타낸다.

레이저 태킹과 최종 갭 점핑 레이저 밀봉 공정의 일부로서, 밀봉 영역(40S)을 따르는 후면플레이트 구조체(40)의 재료는 모서리 밀봉 영역(44S)을 따르는 외벽(44) 재료의 용해 온도에 가까운 온도로 국부적으로 가열될 수 있다. 밀봉 영역(40S)을 따르는 후면플레이트 구조체 재료는 통상 밀봉 영역(44S)을 따르는 외벽 재료 보다 상당히 높은 용해 온도를 가지며, 따라서 상기 가열 동안 용해 또는 용해에 가깝게 도달하지 않는다. 예를 들어, 밀봉 영역(44S)을 따르는 외벽 재료가 400-500℃에서 용해되고, 밀봉 영역(40S)을 따르는 후면플레이트 구조체(40)가 700℃에서 용해될 때, 밀봉 영역(44S)을 따르는 후면플레이트 구조체 재료는 대략 밀봉 영역(44S)을 따르는 외벽 재료의 용해 온도로 안전하게 국부적으로 상승될 수 있다. 이렇게 하여 후면플레이트 구조체(40)와 외벽(44) 사이의 인터페이스를 따라 밀봉된 재료에서 응력을 제거할 수 있다.

밀봉 영역(40S)을 따르는 후면플레이트 구조체(40)의 재료를 밀봉 영역(44S)을 따르는 외벽(44) 재료의 용해 온도에 가까운 온도로 상승시키는 것은 통상 평판표시장치가 미리 200-350℃의 원하는 바이어스 온도에 있을 때 실행된다. 결론적으로, 응력은 가스를 배출-그렇지 않으면 표시 동작 동안 최종적으로 밀봉된 인클로져내로 배출되어 표시 성능을 악화시킨다-할만큼 충분히 높은 온도에서 전체 표시장치를 상당히 높은 외벽(44)의 용해온도로 상승시키는 것과 관련되는 상당한 양의 시간을 소비할 필요 없이 전체 표시장치에서 제거된다.

밀봉 영역(40S)을 따르는 후면플레이트 구조체 재료가 밀봉 영역(44S) 모서리를 따르는 외벽 재료의 용해 온도로 상승될 때 약간의 부가적인 가스배출이 후면플레이트 구조체에서 발생한다. 그러나, 전체 표시장치를 200-350℃의 바이어스 온도로 가열하는 것과 밀봉 영역(40S)을 따르는 후면플레이트 구조체 재료를 외벽 재료의 보다 높은 용해 온도로 국부적으로 상승시키는 것의 조합은 표시장치의 다른 부분에서의 불필요한 가스 배출을 유발하고, 표시장치의 작동 소자에 손상을 입힐 수 있는 고온으로 표시장치의 다른 부분의 온도를 상승시키는 것을 방지한다. 따라서 전체 표시장치를 적당히 높은 바이어스 온도로 가열하는 것과 밀봉 영역(40S)을 따르는 후면플레이트 구조체 재료를 밀봉 영역(44S)을 따르는 외벽 재료의 용해 온도에 가까운 보다 높은 온도로 가열하는 것의 조합은 매우 유리하다.

도 2b* 및 도 2c*는 밀봉 영역(40S)을 따르는 후면플레이트 구조체(40)의 재료를 밀봉 영역(44S)에 따른 외벽(44) 재료의 용해온도에 근접한 온도까지 국부적으로 가열하는 방법을 나타내고 있다. 도 2b의 위치정렬 단계가 완료된 후, 도 2c의 레이저(50)에 의해 윗쪽으로 돌출하는 태킹 부분(44A)이 생성되기 전에, 레이저(49)는 도 2b*에 표시된 것과 같이 태킹 부분(44A)을 위해 계획된 위치의 반대편의 밀봉 영역(40S)을 따르는 후면플레이트 구조체의 재료 부분에 국부적으로 빛에너지를 전달하기 위해 사용된다. 레이저(49)는 밀봉 영역(44S)에 따른 외벽 재료의 용해 온도에 가까운 선택된 태킹 어시스트 온도까지 후면플레이트 구조체 재료의 상기 부분을 상승시키는 레이저빔(51)을 발생한다. 일반적으로 태킹 어시스트 온도는 밀봉 영역(44S)에 따른 외벽 재료의 용해온도보다 낮다. 간단을 위해, 레이저(49)는 또한 밀봉 영역(40S)을 따르는 후면플레이트 구조체의 재료의 나머지 부분을 태킹 어시스트 온도까지 상승시키도록 작동될 수도 있다.

레이저빔(51)은 밀봉 영역(40S)을 따르는 후면플레이트 구조체(40)의 투명재료의 전송 대역밖의 주파장을 갖는다. 예를 들어, 외벽(44)이 0.2㎛ 이하에서 10㎛ 이상까지 걸쳐있는 대역내의 파장을 갖는 빛을 흡수하는 프릿으로 구성되고, 반면 밀봉 영역(40S)을 따르는 후면플레이트(40)의 투명 재료가 대략 0.3㎛-2.5㎛에서 걸쳐있는 파장 대역의 빛을 강하게 전달하는 유리로 구성되는 경우, 레이저빔(51)은 0.2㎛ 이하에서 약 0.3㎛까지 걸쳐있는 하위 범위 또는 약 2.5㎛에서 10㎛까지 걸쳐있는 상위 범위의 주파장을 갖는다. 또한, 밀봉 영역(40S)에 따른 투명 후면플레이트 구조체 재료가 Schott D263 유리와 같은 유리로 구성되는 경우, 빔(51)은 밀봉 영역(40S)을 따르는 후면플레이트 구조체(40)의 투명 재료의 전달 대역(즉 약 0.3㎛-2.5㎛ 파장 대역)내에 주파장을 갖지 않는다.

도 2c의 레이저 태킹 단계가 완료되고 태킹된 평판표시장치가 진공 챔버(54)에 위치된 후, 갭 나머지부분(48A)이 도 2d의 레이저(56)로부터 국부 에너지 전달에 의해 브리지되기 전에, 레이저(55)는 도 2c*에 도시된 바와 같이 챔버(54)의 창(54W)을 통해 국부적으로 빛 에너지를 밀봉 영역(40S)을 따르는 후면플레이트 구조체(40)의 재료의 부분까지 전달하기 위해 사용된다. 레이저(55)는 외벽 재료의 용해 온도에 근접한 선택된 밀봉 어시스트 온도까지 밀봉 영역(40S)을 따르는 후면플레이트 구조체의 재료를 상승시키는 레이저빔(57)을 생성한다. 일반적으로 밀봉 어시스트 온도는 밀봉 영역(44S)을 따르는 외벽 재료의 용해 온도와 거의 동일하다. 레이저(56)의 레이저빔(58)과 같이, 레이저빔(57)은 현저한 흡수없이 진공 챔버 창(54W)을 통과한다. 마찬가지로, 레이저(55)는 빔(57)이 태킹 부분(44A) 반대쪽의 후면플레이트 구조체 재료 부분을 스킵(skip)하도록 작동될 수 있다.

레이저빔(57)은 챔버 창(54W)의 전송 대역안에 있으나, 밀봉 영역(44S)을 따르는 후면플레이트 구조체(40)의 투명재료의 전송 대역에는 속하지 않는 주파장을 갖는다. 예를 들어, 외벽(44)이 0.2㎛-10㎛ 파장 대역의 빛을 흡수하는 프릿으로 구성되는 반면, 창(54W)이 대략 0.2㎛-3㎛에서 확장되는 대역내의 파장을 갖는 빛을 강하게 전달하는 석영으로 구성되고, 밀봉 영역(40S)을 따르는 후면플레이트 구조체(40)의 투명 재료가 대략 0.3㎛-2.5㎛ 파장 대역내 빛을 강하게 전달하는 유리로 구성되는 경우, 빔(57)은 대략 0.2-0.3㎛의 하위 범위 또는 대략 2.5㎛-3㎛의 상위 범위의 주파장을 갖는다.

만일 레이저빔(57)에 대한 상기 파장 범위가 너무 좁은 경우, 일반적으로 창(54W)에 사용되는 석영은 파장이 대략 0.2㎛에서 10㎛ 이상까지 연장되는 빛을 강하게 전송하는 셀렌화 아연과 같이 투명한 재료로 교체될 수 있다. 빔(57)은 2.5㎛ 내지 10㎛ 이상까지 움직이는 대략 상위 범위에서 주파장을 가질 수 있다. 레이저빔(51)에서와 같이, 밀봉 영역(40S)을 따르는 후면플레이트 구조체(40)의 투명 재료가 Schott D263 유리와 같은 유리로 형성되는 경우, 빔(57)은 일반적으로 밀봉 영역(40S)을 따르는 후면플레이트 구조체(40)의 투명 재료의 전송 대역, 즉 약 0.3㎛-2.5㎛ 파장 대역내에 주파장을 갖지 않는다.

레이저(49,55)는 지정된 파장 범위내에 포함되는 파장 대역내 빛을 제공하지만 지정된 범위밖 파장 대역내 빛은 제공하지 않는 초점 램프로 교체될 수 있다. 예를 들어, 창(54W)이 석영으로 구성되는 반면 밀봉 영역(40S,44S)에 따른 외벽(44) 및 후면플레이트 구조체(40)의 재료가 상기한 예시적인 전달/흡수 특성을 갖는 경우, 레이저(49)는 0.2㎛ 미만에서 0.3㎛까지의 하위 파장 범위 및/또는 약 2.5㎛에서 10㎛보다 큰 파장까지의 상위 파장 범위에 포함되는 파장 대역상에서 빛을 전달하는 초점 램프로 교체될 수 있다. 레이저(55)는 0.2-0.3㎛의 하위 파장 범위 또는 대략 2.5-3㎛의 상위 파장 범위에 포함되는 파장 대역내에서 빛을 전달하는 초점 램프로 교체될 수 있다. 만일 창(54)이 석영보다는 셀렌화 아연으로 형성되는 경우, 레이저(55)를 대신하는 초점 램프의 파장 대역에서 상위 범위는 대략 2.5-10㎛이 된다. 초점 램프가 아직 자연스럽게 상기한 바를 수행하지 않은 경우에는 선택된 대역내에서 강하게 파장(주파수)을 감쇠시키는 필터가 원치 않는 파장 대역내 빛을 제거하기 위해 초점 램프상에서 사용될 수 있다.

도 2c' 및 도 2d'는 밀봉 영역(40S)을 따르는 후면플레이트 구조체(40)의 재료를 끝단부 밀봉 영역(44S)에 따른 외벽(44) 재료의 용해 온도에 근접한 온도까지 국부적으로 가열시키는 또 다른 방법을 설명하고 있다. 밀봉 영역(44S)에 따른 외벽(44)의 재료를 국부적으로 가열하기 위해 레이저(50,56)를 이용하기 전에 밀봉 영역(40S)에 따른 후면플레이트 구조체 재료의 국부적 가열이 각각 수행되는 도 2b* 및 도 2c*의 방법과 도 2c' 및 도 2d'의 방법의 차이는 밀봉 영역(44S)에 따른 외벽(44)의 재료를 국부적으로 가열하기 위해 레이저(50,56)가 사용되는 것과 동시에 도 2c' 및 도 2d'의 방법에서 밀봉 영역(40S)에 따른 후면플레이트 구조체 재료의 국부적 가열이 각각 수행된다는 것이다. 따라서 도 2의 공정에서, 도 2c' 단계가 도 2c 단계를 대신하고, 유사하게 도 2d' 단계는 도 2d 단계를 대신한다.

태킹 공정에서 사용된 레이저(50)는 2 또는 그 이상의 구별되는 태킹 파장 범위에 포함되는 파장으로 레이저빔(52A)을 생성한다. 도 2c'를 참조하라. 이들 태킹 파장 범위중의 하나의 빔(52A) 에너지는 태킹 부분(44A)을 위해 계획된 위치 반대쪽의 밀봉 영역(40S)에 따른 후면플레이트 구조체 재료 부분의 온도를 밀봉 영역(44S)에 따른 외벽 재료의 용해 온도에 근접한 선택된 태킹 어시스트 온도까지 국부적으로 상승시킨다. 다시 태킹 어시스트 온도는 일반적으로 밀봉 영역(44S)에 따른 외벽 재료의 용해 온도보다 낮게 된다.

이러한 태킹 파장 범위내 빔 에너지가 밀봉 영역(40S)에 따른 후면플레이트 구조체(40) 부분을 태킹 어시스트 온도까지 상승시키는 것과 동시에, 또 다른 파장 범위내 레이저빔(50A)의 에너지는 태킹 부분(44A)을 생성하는 갭 점핑을 발생시키기 위해 밀봉 영역(44S)에 따른 외벽 재료 부분까지 국부적으로 전달된다. 태킹 위치에서 외벽 재료로 국부적으로 동시에 전달된 빛 에너지량에 대한 계획된 태킹 위치에서 후면플레이트 구조체 재료로 국부적으로 전달된 빛 에너지량은 태킹 위치에서 외벽(44) 및 후면플레이트 구조체(40)의 재료의 구성에 대해 빔(52A)의 파장 범위(이들 파장 범위에서 제공되는 전력 포함)를 적절하게 선택함으로써 제어된다. 이러한 방법에서, 태킹 어시스트 온도는 모서리(44S)에 따른 외벽 재료의 용해 온도에 대해 제어된다.

0.2㎛ 이하에서 10㎛ 이상까지 움직이는 파장 대역내 빛 에너지를 흡수하는 프릿으로 외벽(44)이 구성되는 반면, 밀봉 영역(44S)에 따른 후면플레이트 구조체 재료는 약 0.3㎛-2.5㎛에서 움직이는 범위내 빛을 전달하는 유리로 구성된다고 상기한 예시적 표시값을 가정해 보자. 이러한 경우, 레이저빔(52A)은 (a) 태킹 부분(44A)을 생성하기 위해 외벽 재료 부분을 국부적으로 가열하기 위한 약 0.3㎛-2.5㎛ 범위내 제 1 주파장 및 (b) 태킹 부분(44A) 반대쪽의 후면플레이트 구조체 재료 부분을 태킹 어시스트 온도까지 가열하기 위해 약 2.5㎛에서 10㎛ 이상까지 연장되는 상위 범위 또는 0.2㎛ 이하에서 약 0.3㎛까지 연장되는 하위 범위내에 또 다른 주파장을 갖는다. 이들 태킹 파장 범위는 그들이 경계를 공유하더라도 구별된다.

태킹된 평판표시장치가 진공 챔버(54)내에 있는 동안 최종 갭 점핑 레이저 밀봉에서 사용되는 레이저(56)는 진공 챔버 창(54W)의 파장 전달 대역의 끝부분으로 한정된 2 또는 그 이상의 구별되는 밀봉 파장 범위에 포함되는 파장으로 레이저빔(58A)을 생성한다. 이들 밀봉 파장 범위중 하나의 레이저빔(58A) 에너지는 밀봉 영역(40S)에 따른 후면플레이트 구조체 재료의 온도를 밀봉 영역(44S)에 따른 외벽 재료의 용해 온도에 근접한 선택된 밀봉 어시스트 온도까지 국부적으로 상승시킨다. 다시 밀봉 어시스트 온도는 일반적으로 밀봉 영역(44S)에 따른 외벽 재료의 용해 온도와 거의 동일하게 된다.

이러한 파장 범위내 빔 에너지가 밀봉 영역(44S)에 따른 후면플레이트 구조체 재료를 밀봉 어시스트 온도까지 국부적으로 상승시키는 것과 동시에, 또 다른 선택된 파장 범위내 레이저 빔(58A) 에너지는 갭 나머지부분(48A)을 전체적으로 밀폐시키는 갭 점핑을 생성하기 위해 밀봉 영역(44S)에 따른 외벽 재료로 국부적으로 전달된다. 도 2c'의 태킹 공정에서와 같이, 밀봉 영역(44S)에 따른 외벽 재료로 국부적으로 전달된 빛 에너지량에 대한 밀봉 영역(40S)에 따른 후면플레이트 구조체 재료로 부분적으로 전달된 빛 에너지량은 갭 나머지부분(48A)에 따른 외벽(44)과 후면플레이트 구조체(40) 재료의 구성에 대해 빔(58A)의 파장 범위(이들 파장 범위에서 제공되는 전력 포함)를 적절하게 선택함으로써 제어된다. 이것은 밀봉 어시스트 온도값이 모서리(44S)에 따른 외벽 재료의 용해 온도에 대해 제어될 수 있도록 한다. 레이저(56)는 태킹 부분(44A) 반대쪽의 후면플레이트(40) 부분과 태킹 부분(44A)을 스킵하도록 작동될 수 있다.

적어도 0.2㎛-10㎛ 파장 대역내 빛을 흡수하는 프릿으로 외벽(44)이 형성되는 반면, 진공 챔버 창(54W)은 약 0.2㎛-3㎛에서 움직이는 파장 대역내 빛을 강하게 전달하는 석영으로 형성되고, 밀봉 영역(44S)에 따른 후면플레이트 구조체 재료는 약 0.3㎛-2.5㎛ 파장 대역내 빛을 강하게 전달하는 유리로 형성된다고 상기한 예시적 표시장치/진공 챔버-창값을 가정해 보자. 레이저빔(58A)은 (a) 갭 점핑에 의해 갭(48A)을 차단하기 위해 밀봉 영역(44S)에 따른 외벽 재료를 국부적으로 가열하기 위한 약 0.3㎛-2.5㎛ 범위내 하나의 주파장 및 (b) 밀봉 영역(40S)에 따른 후면플레이트 구조체 재료를 밀봉 어시스트 온도까지 가열하기 위해 약 2.5㎛에서 3㎛까지 연장되는 상위 범위 또는 약 0.2㎛-0.3㎛까지 연장되는 하위 범위내 또 다른 주파장을 갖는다.

만일 밀봉 영역(44S)에 따른 후면플레이트 구조체 재료를 밀봉 어시스트 온도까지 가열하기 위한 앞의 파장 범위가 상당히 좁은 경우, 진공 챔버 창(54W)에서 일반적으로 사용된 석영은 다시 적어도 0.2㎛-10㎛ 파장 대역에서 빛을 강하게 전달하는, 셀렌화 아연과 같은 투명재료로 교체될 수 있다. 그리고, 밀봉 영역(44S)에 따른 후면플레이트 구조체 재료를 밀봉 어시스트 온도까지 가열하기 위한 상위 파장 범위는 2.5-10㎛까지 연장될 수 있다.

레이저(50)는 도 2c'의 단계에서 주어진 태킹 파장 범위에 포함되는 파장 대역에서 빛을 생성하는 초점 램프로 교체될 수 있다. 마찬가지로 레이저(56)도 도 2d'의 단계에서 주어진 밀봉 파장 범위에 포함되는 파장 대역에서 빛을 생성하는 초점 램프로 교체될 수 있다. 파장(주파수) 필터는 원치 않는 파장 대역내 빛을 제거하기 위해 초점 램프상에서 다시 사용될 수 있다.

도 2d'의 최종 갭 점핑 레이저 밀봉 단계는, 도 2d의 레이저빔(58)이 도 2d'의 레이저빔(58A)으로 교체되는 것을 제외하고, 도 2d의 최종 레이저 밀봉을 위해 상기한 바와 동일한 방법으로 결합된 중성 상태/진공 혼성 방법을 이용하여 수행될 수 있다. 또한, 도 2c*의 밀봉 영역(40S)에 따른 후면플레이트 구조체 재료를 밀봉 어시스트 온도까지 가열하는 단계는 아르곤과 같은 불활성 기체 또는 건조 질소에서 시작되고, 도 2d의 공정에서 상기한 바와 같은 방법으로 고진공상태에서 완료될 수 있다. 즉, 후술되는 공정은 부분적으로 종료된 평판표시장치가 진공 챔버(54)내에 있는 동안 이용될 수 있다: (a) 밀봉 영역(40S)에 따른 후면플레이트 구조체 재료의 적어도 일부가 건조 질소 또는 아르곤안에서 태킹 어시스트 온도까지 국부적으로 가열되는 단계, (b) 갭 나머지부분(48A)의 일부가 건조 질소 또는 아르곤안에서 국부 에너지 전달에 의해 브리지되는 단계, (c) 갭 나머지부분(48A)의 적어도 잔여부분을 따르는 후면플레이트 구조체 재료가 고진공상태에서 밀봉 어시스트 온도까지 국부적으로 가열되는 단계 및 (d) 남아있는 갭(48A)의 잔여부분이 고진공상태에서 국부 에너지 전달에 의해 브리지되는 단계.

도 4a 내지 도 4e(집합적으로 "도 4")는 합성 구조체(42/44/46)에 대해 고정된 위치로 후면플레이트 구조체(40)를 유지하기 위한 태킹 공정이 밀봉 영역(40S,44S)으로부터 분리된 태킹 구조체로 수행되는 도2의 밀봉과정의 변형을 설명하고 있다. 도 4의 공정에서 시작점은 일반적으로 도 2a의 구조체가 되고, 본 명세서에서는 도 4a로 다시 도시되어 있다. 도 4a에 도시된 상태에서, 외벽(44)은 도 2의 공정에서 상기한 형태의 기법에 따라 전면플레이트 구조체(42)와 접합(또는 결합)되었다. 도 2a에서와 같이, 도 3은 도 4a의 구조체의 사시도를 나타내고 있다.

태킹 구조체는 일반적으로 여러 개의 측면으로 분리된 태킹 포스트로 구성되고, 그 각각은 태킹 접착제로 된 중첩조각(62) 및 기둥(60)으로 구성된다. 도 4b를 참조하라. 태킹 포스트(60,62)는 전면플레이트(42)의 내면에서, 보통 외벽(44)의 외부상에 형성된다. 예를 들어, 하나의 태킹 포스트(60/62)가 일반적으로 외벽(44)의 4개의 서브 벽 각각의 외부에 제공된다.

태킹 포스트(60.62)는 전면플레이트 구조체(42)의 내면에 기둥(60)을 접합시키고, 기둥(60)의 맨 위에 태킹 접착제 조각(62)을 적층함으로써 형성된다. 기둥(60)은 일반적으로 녹슨 산화 알루미늄으로 구성된다. 태킹 접착제는 일반적으로 UV-경화형(UV-curable) 중합체로 구성된다. 태킹 접착제는 대신 태킹 조각(62) 또는 기둥(60)으로 향하는 레이저빔으로 경화될 수 있는 재료가 될 수 있고, 이때 기둥(60)에서 태킹 조각(62)으로의 열에너지 전달은 태킹 접착제를 붙게 한다. 태킹 접착제는 또한 태킹 조각(62)에 뜨거운 기체를 내뿜음으로서 경화될 수 있는 재료가 될 수 있다.

후면플레이트 구조체(40) 및 합성 구조체(42/44/46/60/62)는 도 4c에 도시된 바와 같이 서로 정렬된다. 도 2의 공정에서와 같이, 도 4의 공정에서의 정렬은 벽 단부 밀봉 영역(44S)에 대한 후면플레이트 밀봉 영역(40S)의 정렬(도 4c에서 수직으로) 단계 및 후면플레이트 구조체(40)의 내면을 스페이서벽(46)의 윗단부에 접촉하게 하는 단계를 수반한다. 유사하게, 정렬은 밀봉 영역(40S,44S)을 시각적으로 정렬하기 위해 플레이트 구조체(40,42)상에 제공된 정렬 마크를 이용하여 보통 실내압의 비진공상태하에서 수행된다.

스페이서벽(46)이 후면플레이트 구조체(40)와 접촉함에 따라 태킹 접착제 조각(62)은 태킹 포스트(60,62)를 구조체(40)에 부착시키기 위해 구조체(40)와 접촉한다. 접착제 조각(62)이 후면플레이트 구조체(40)와 접촉할 때 약하게 압축되도록 태킹 포스트(60/62)의 합성 높이가 선택된다. 만일 접착제 조각(62)이 적절한 건조 시간에 구조체(40)에 접착되지 않는다면, 부착을 위해 다른 공정이 수행될 수 있다. 정렬/부착 공정이 종료되면, 도 4c에 도시한 바와 같이 밀봉 영역(40S,44S) 사이에 갭(48)이 존재한다. 도 2의 공정에서와 같이, 도 4의 공정에서 갭(48)은 보통 밀봉 영역(40S,44S)의 전체 길이를 따라 연장된다.

후면플레이트 구조체(40)와 합성 구조체(42/44/46/60/62)의 정렬 및 태킹 포스트(60/62)와 구조체(40)의 접합은 적당한 정렬 시스템(도시되지 않음)에서 수행된다. 태킹 접착제의 특성에 따라, 합성 구조체(42/44/46/60)는 기둥(60)에 접착제 조각(62)을 적층하기 전 또는 후에 정렬 시스템에 위치될 수 있다.

태킹된 구조체는 도 4d에서 나타낸 바와 같이 정렬 시스템으로부터 제거되어 진공 챔버(54)내에 위치된다. 진공 챔버(54)는 10^-2torr 이하의 압력, 일반적으로 10^-6torr 또는 그 이하의 고진공 레벨로 떨어진다. 후면플레이트 구조체(40)는 도 2의 공정에서 후면플레이트 구조체(40)로 합성 구조체(42/44/46)를 밀봉시키기 위해 상기한 것과 대체적으로 동일한 방법으로 합성 구조체(42/44/46/60/62)에 밀봉된다. 즉, 200-350℃, 일반적으로 300℃의 바이어스 온도까지 상승한 구조체에서, 레이저(56)의 빔(58)은 후면플레이트 구조체(40)의 투명재료를 통과하고, 정렬된 밀봉 영역(40S,44S)을 전체적으로 가로질러서, 외벽(44)의 상위 재료가 갭(48)을 브리지하게 한다. 도 4d는 밀봉 영역(40S,44S)을 따른 빔(58)의 횡단 동안의 어느 한 시점을 나타내고 있다.

도 4의 공정에 따른 진공 챔버(54)내 밀봉 공정은 도 2의 공정에서 외벽(44)의 윗방향 돌출부(44A)가 도 4의 공정에서는 나타나지 않고 따라서 최종 진공 밀봉하는 동안 스킵할 수 없다는 것을 제외하고는 도 2의 공정에 따른 진공 챔버(54)내에서의 밀봉 공정과 거의 동일하다. 따라서, 도 4d의 밀봉된 평판표시장치는 도 2의 공정에서 명시된 방법으로 실내 온도까지 냉각되고, 진공 챔버(54)내 압력은 실내압까지 상승된다. 도 4e는 밀봉된 평판표시장치가 진공 챔버(54)로부터 제거된 후를 도시하고 있다. 인용부호 "44B"는 다시 외벽(44)의 밀봉된 형태를 나타내고 있다.

도 2d의 최종 레이저 밀봉이 대안적으로 중성 상태/진공 혼성 방법에 의해 수행될 수 있는 도 2의 공정에서와 같이, 도 4d에서의 후면플레이트 구조체(40)의 합성 구조체(42/44/46)에 대한 최종 갭 점핑 레이저 밀봉은 중성 상태(예를 들어, 아르곤과 같은 불활성 기체 또는 건조 질소)에서 시작될 수 있고, 고진공 상태에서 완료될 수 있다. 도 2의 공정에서의 레이저 주사 태킹 부분(44A)보다 도 4의 공정에서의 태킹 포스트(60/62)를 이용하여 발생된다는 차이점을 제외하고는, 도 2의 공정에서와 동일한 방법으로 중성 상태/진공 혼합 대안이 도 4의 공정에 적용된다. 따라서, 도 4e는 중성 상태/진공 대안이 도 4의 공정에 적용되는 경우 최종적으로 밀봉된 평판표시장치를 도시하고 있다. 도 2c* 또는 도 2d'의 변경은 도 4의 공정에서도 적용될 수 있다.

도 5a-5e(집합적으로 "도 5")는 도 2의 공정의 변경을 설명하는 것으로, 본 발명에 따라 상기한 형태의 평판표시장치를 밀봉하기 위한 갭 점핑에 2중 레이저 기법이 사용된다. 2중 레이저 기법은 다양한 방법으로 구현될 수 있다. 도 4의 공정에서의 태킹 포스트(60/62)와 유사한 태킹 구조체가 2중 레이저 밀봉 기법을 수행하기 전에 서로에 대하여 고정된 위치에 평판표시장치의 구성요소를 위치시키기 위해 사용될 수 있고, 평판표시장치의 구성요소는 또한 본 발명에 따른 2중 레이저 태킹방법을 이용하여 서로 태킹될 수 있다. 후자의 태킹 방법은 도 5에 나타나 있다.

도 5a에 도시된 단계에서 시작하면, 후면플레이트 구조체(40), 전면플레이트 구조체(42) 및 외벽(44)은 모두 서로 떨어져 있다. 그러나, 스페이서벽(46)은 전면플레이트 구조체(42)에 장착되어 있다.

후면플레이트 구조체(40)는 후면플레이트 밀봉 영역(40S)과 벽단부 밀봉 영역(44S) 상부를 따라 외벽(44)에 밀봉된다. 전면플레이트 구조체(42)는 벽단부 밀봉 영역(44T)의 하부와 전면플레이트 밀봉 영역(42T)을 따라 외벽(44)에 밀봉된다. 밀봉 영역(40S,42T)을 식별하기 위해 검은 선이 도 5에서 다시 사용됐다. 전면플레이트 구조체(42)는 밀봉 영역(42T)을 따라 투명하다.

후면플레이트 구조체(40), 합성 구조체(42/46) 및 외벽(44)은 도 5b에 나타난 바와 같이 적당한 정렬 시스템(도시되지 않음)을 이용하여 서로 정렬된다. 이것은 (a) 전면플레이트 밀봉 영역(42T)에 벽단부 밀봉 영역(44T)을 (도 5b에 수직으로) 정렬하고, 전면플레이트 구조체(42)의 내면에 외벽(44)의 하위 단부를 접촉시키는 단계 및 (b) 후면플레이트 밀봉 영역(40S)에 벽단부 밀봉 영역(44S)을 (다시 도 5b에 수직으로) 정렬하고, 스페이서벽(46)에 후면플레이트 구조체(40)의 내면을 접촉시키는 단계를 수반한다. 정렬단계는 일반적으로 실내압하에서 비진공 상태에서 수행된다.

스페이서벽(46)은 외벽(44)보다 높다. 따라서 갭(48)이 밀봉 영역(40S,44S) 사이에 존재한다. 평균 갭 높이는 25-100㎛ 범위, 일반적으로 50㎛가 된다. 외벽(44)은 전면플레이트 구조체(42)상에 대개 동일한 높이로 위치된다. 밀봉 영역(44T,42T) 사이에 특별한 갭은 존재하지 않는다.

정렬 시스템에서 정렬된 구조체에 태킹될 영역의 응력을 완화시키기 위해 도 2의 공정에서 상기한 바와 같이 선택적인 가열 공정이 수행된다. 그리고 플레이트 구조체(42,40)를 외벽(44)에 대해 고정된 위치에 위치시키기 위해 레이저(70,72)로 태킹 공정이 수행된다. 도 5c를 참조하라.

태킹 공정은 정렬된 밀봉 영역(44T,42T)에 따른 여러 위치 및 정렬된 밀봉 영역(40S,44S)에 따른 여러 위치에서 수행된다. 하부 레이저(70)는 그 레이저빔(74)이 전면플레이트 태킹 위치에서 전면플레이트 구조체(42)의 투명재료를 통과하도록 배치된다. 상부 레이저(72)는 그 레이저빔(76)이 후면플레이트 태킹 위치에서 후면플레이트 구조체(40)의 투명재료를 통과하도록 유사하게 배치된다.

밀봉 영역(40S)을 따르는 후면플레이트 구조체(40)의 투명재료와 밀봉 영역(42T)을 따르는 전면플레이트 구조체(42)의 투명재료는 모두 약 0.3-2.5㎛의 파장 대역에서 빛을 전달하는 유리로 구성된다. 따라서, 레이저(70,72) 각각은 도 2의 공정에서 레이저(50)를 구현하기 위해 상기한 바와 같이 임의의 레이저로 구현될 수 있다. 마찬가지로, 각각의 레이저빔(74,78)의 전력은 2-5W이다.

도 2의 공정에서 하나의 레이저 태킹 공정이 수행된 것과 기본적으로 동일한 방법으로 레이저(70,72) 각각에 의해 태킹 공정이 수행된다. 상부 레이저(72)의 빛 에너지는 밀봉 영역(44S)에 따른 후면플레이트 태킹 위치에서 후면플레이트 구조체(40)를 통해 외벽(44)의 상위부분으로 국부적으로 전달된다. 레이저빔(76)에 의해 벽의 상위부분은 가열되고 용해된다. 이러한 용해된 재료는 밀봉 영역(44S)에 따른 태킹 위치에 갭(48)을 브리지하는 부분(44B)을 형성하기 위해 위로 돌출된다. 태킹 부분(44B)은 후면플레이트 구조체(40)를 외벽(44)과 단단하게 연결한다. 도 5c에서 참조부호 "48B"는 갭(48)의 나머지부분이다.

레이저빔(74)의 빛 에너지는 밀봉 영역(44T)에 따른 전면플레이트 태킹 위치에서 전면플레이트 구조체(42)를 통해 외벽(44)의 하위 부분으로 국부적으로 전달된다. 빔(74)에 의해 벽의 하위부분은 가열되고 용해된다. 용해된 하위 벽 재료는 밀봉 영역(42T) 에 따른 전면플레이트 태킹 위치에서 외벽(44)을 전면플레이트(42)에 부착시킨다. 레이저(70,72)는 일반적으로 밀봉 영역(44S,44T)에 따른 대응하는 한 쌍의 태킹 위치로부터 또 다른 한 쌍의 대응하는 태킹 위치로 세로로 일렬이 되어 동시에 (표시장치에 대해) 이동한다. 모든 태킹이 생성된 후, 태킹 구조체는 필요하다면 실내 온도까지 냉각된다.

태킹 구조체는 밀봉을 완료하기 위해 도 5d에 도시된 바와 같이, 정렬 시스템으로부터 제거되어 진공 챔버(78)내에 위치된다. 진공 챔버(74)는 고진공레벨까지 압력 강하된다. 태킹된 표시장치 구조체는 밀봉 영역(40S,42T)에 따른 재료의 응력을 경감하기 위해 200-350℃, 일반적으로 300℃ 바이어스 온도까지 상승된다. 온도 상승은 일반적으로 도 2의 공정에서와 동일한 방법으로 수행된다. 온도가 상승함에 따라 태킹된 구조체로부터 배출되는 기체를 제거하기 위해 온도 상승 동안 진공 펌핑이 계속된다.

레이저(80,82)로 구성된 2중 레이저 시스템은 진공 챔버(78) 외부에 위치된다. 레이저(80,82)는 각각 레이저빔(84,86)을 생성한다. 하부 레이저(80)는 레이저빔(84)이 진공 챔버(78)의 석영 창(78W)을 통과한 후 밀봉 영역(42T)을 따르는 전면플레이트 구조체(42)의 투명재료를 통해 통과하도록 배치된다. 위쪽 레이저(82)는 레이저빔(86)이 진공 챔버(78)의 투명 창(78X)을 통과한 후 밀봉 영역(40S)을 따르는 후면플레이트 구조체(40)의 투명 재료를 통해 통과하도록 유사하게 배치된다. 진공 챔버 창(78X)은 일반적으로 석영으로 구성된다.

도 2의 공정에서와 같은 상기한 바이어스 온도에서의 태킹된 구조체 및 진공 레벨에서의 챔버 압력에서, 레이저빔(84) 및 표시장치는 빔(84)이 밀봉 영역(42T,44T)을 따라 직사각형 경로를 전체적으로 횡단하는 방식으로 서로에 대해 이동된다. 마찬가지로, 레이저빔(86) 및 표시장치는 빔(86)이 밀봉 영역(40S,44S)을 따라 직사각형 경로를 전체적으로 횡단하도록 서로에 대해 이동된다. 레이저빔(84,86)은 일반적으로 세로로 일렬이 되어 동시에 작동한다. 도 5d는 밀봉 영역 길이를 따라 레이저빔(84,86)이 관통하는 동안의 한 시점을 나타내고 있다. 원한다면, 레이저빔(84,86)은 전면플레이트 및 후면플레이트 태킹 위치를 각각 스킵할 수 있다.

위쪽 레이저빔(86)이 밀봉 영역(40S,44S)을 관통함에 따라, 빔(86)의 빛 에너지는 도 2의 공정에서와 동일한 방법으로 갭(48A)을 따라 외벽(44) 재료로 국부적으로 전달된다. 따라서, 외벽(44)의 상위 재료는 갭을 전체적으로 밀폐시키기 위해 갭(48A)을 점프한다. 하부 빔(84)의 빛 에너지는 밀봉 영역(42T)을 따라 외벽(44)의 재료로 국부적으로 유사하게 전달되어, 벽(44)의 전체 하위단부가 전면플레이트 구조체(42)에 밀봉되도록 한다. 평판표시장치는 이제 밀봉된다.

이후 평판표시장치의 온도는 대개 실내 온도까지 냉각된다. 온도 냉각은 일반적으로 도 2의 공정에서와 동일한 방법으로 수행된다. 진공 챔버(78)내 압력을 실내 압력까지 상승시킨 후, 밀봉된 평판표시장치는 진공 챔버(78)에서 제거된다. 도 5e는 최종 밀봉된 평판표시장치를 도시하고, 참조부호 "44C"는 외벽(44)의 밀봉된 형태를 나타낸다. 오염된 기체의 수집은 도 2의 공정에서와 동일한 방법으로 도 5의 공정 동안 수행된다.

도 2 및 도 4의 공정에서 상기한 중성 상태/진공 혼성의 대안과 유사하게, 도 5e의 후면플레이트 구조체(40)로의 합성 구조체(42/44/46)의 최종 갭 점핑 레이저 밀봉은 중성 상태(다시 아르곤과 같은 불활성 기체 또는 건조 질소)에서 시작될 수 있고, 고진공상태에서 완료될 수 있다. 도 5의 공정에 적용될 때, 중성 상태/진공 혼성 대안은 다음의 변경에 따라 도 2의 공정에서 상기한 방법으로 수행된다. 진공 챔버(78) 및 (레이저빔(86)을 발생하는) 레이저(82)는 각각 진공 챔버(54) 및 (레이저빔(58)을 발생하는) 레이저(56)를 대신한다. 구조체(40,42/44/46)가 건조 질소 또는 아르곤 상태하에 있는 동안, 도 5의 공정에서의 레이저빔(86)은 도 2의 공정에서 레이저빔(58)이 하는 것과 마찬가지로 정렬된 밀봉 영역(40S,44S)의 길이의 많은 부분에 걸쳐 횡단을 수행한다.

도 5의 공정에서의 레이저(80)의 레이저빔(84)은 태킹된 구조체가 건조 질소 또는 아르곤내에 있는 동안 정렬된 밀봉 영역(42T,44T) 길이의 전부는 아니지만 많은 부분을 따라 움직일 수 있다. 예를 들어, 빔(84)의 움직임은 갭 점핑 레이저 밀봉의 중성 상태 단계 동안 빔(86)의 움직임과 평행할 수 있다. 대안적으로, 태킹된 구조체가 건조 질소 또는 아르곤 상태하에 있는 동안, 레이저빔(84)은 밀봉 영역(40T,42T)의 전체 길이를 관통한다. 어느 경우에나, 도 5e는 다시 최종적으로 밀봉된 평판표시장치를 나타내고 있다.

레이저 태킹이 도 5의 공정에서 사용되는 경우, 도 2b* 및 도 2c*의 변경 또는 도 2c' 및 도 2d'의 변경은 도 5의 공정에 적용될 수 있다. 태킹 포스트(60/62)와 유사한 태킹 구조체가 도 5의 공정에서 레이저 태킹에서 대신 사용되는 경우, 도 2c* 또는 도 2d'의 변경은 도 5의 수정된 공정에 적용될 수 있다. 또한, 도 5의 공정에서 밀봉 영역(42T)을 따르는 전면플레이트 구조체(42)의 재료는 최종 레이저 밀봉 공정 및 레이저 태킹 공정이 사용되는 경우에는 그 동안 밀봉 영역(44T)에 따른 외벽(44) 재료의 용해 온도에 가까운 온도까지 상승될 수 있다.

도 2, 도 4 및 도 5의 임의의 공정에서 진공 챔버(54 또는 74)에서 수행되는 밀봉 공정 동안 오염된 기체의 제거를 용이하게 하기 위해 외벽(44)의 단부 밀봉 영역(44S)을 따라 배출구가 제공될 수 있다. 도 6은 배출구(90)가 벽단부 밀봉 영역(44S)을 따라 제공되는 경우의 합성 구조체(42/44/46)의 단면도를 나타내고 있다. 도 7은 배출구(90)를 갖는 구조체(42/44/46)의 사시도를 나타내고 있다.

도 6 및 도 7의 실시예에서, 하나의 배출구(90)는 외벽(44)을 형성하는 4개 서브 벽 각각에 제공된다. 도시된 실시예에서 각각의 배출구(90)는 일반적으로 상기 배출구(90)가 형성되는 서브 벽의 길이의 적어도 50%에 대해 연장된다. 다른 배치의 배출구(90)가 사용될 수 있다. 예를 들어, 2 또는 그 이상의 홈(90)이 외벽(44)의 하나 또는 그 이상의 서브 벽에 형성될 수 있다.

배출구(90)는 홈 위치에서 외벽(44)의 일부분을 물리적으로 제거함으로써 형성될 수 있다. 벽(44)의 서브 벽이 프릿내에 접착 재료가 존재하는 것에 기인해 "그린(green)" 플라스틱(소프트) 상태에 있는 프릿을 소성시켜 생성되는 경우, 배출구(90)는 홈이 파인 프릿이 형성되어 소성되기 전에 배출구(90)를 위한 위치에서 그린 프릿상으로 적당히 누름으로써 서브 벽내에 적절하게 형성된다. 대안적으로, 벽(44)의 서브 벽이 딱딱한(예를 들어 소성된) 상태인 경우, 홈(90)은 서브 벽을 부드럽게 하기에 충분한 온도까지 가열하고, 배출구(90)의 위치에서 서브 벽상으로 적당히 누름으로써 생성될 수 있다.

양쪽의 프레스 방법에서, 외벽(44)은 배출구(90)의 위치 바로 아래에 측면으로 부풀려진다. 프레스 방법중의 하나를 이용하여 배출구(90)를 생성함으로써, 배출구(90)의 바로 옆에 있는 벽 재료의 양은 벽 밀봉 영역(44S)을 따른 그 외의 벽 재료의 양과 거의 동일하다. 밀봉에서 사용된 벽 재료의 부피가 밀봉 길이에 따라 일정하게 유지됨에 따라, 그렇지 않았다면 밀봉 공정에서 발생될 측면 응력이 감소된다. 이것은 갭 점핑 레이저 밀봉의 기밀성을 향상시킨다.

배출구(90)가 존재하는 것으로 인해, 갭(48)의 높이는 도 2b, 도 4c 및 도 5b에서 표시된 것과 같이 폭넓게 균일하기보다는 최소값(0은 아님)에서 최대값까지 변화한다. 갭 높이의 최소값과 최대값간의 차이가 배출구(90)의 깊이가 된다. 배출구 깊이는 최대 갭 높이가 외벽(44)의 재료에 의해 점핑될 수 있는, 일반적으로 최대 300㎛의 최대 높이를 초과하지 않도록 주의 깊게 선택된다. 50㎛ 또는 그 이상, 일반적으로 75㎛의 배출구 깊이는 최대 갭 높이가 125㎛ 정도인 경우 쉽게 수용될 수 있다.

평판표시장치의 밀봉을 완료하기 위한 갭 점핑은 상기한 바와 같이 후면플레이트 구조체와 외벽간의 인터페이스보다는 전면플레이트 구조체와 외벽간의 인터페이스를 따라 수행될 수 있다. 또한, 외벽과 갭 점핑에 의해 외벽에 밀봉되지 않은 특정한 플레이트 구조체와의 결합은 거의 마무리된 외벽을 상기 플레이트 구조체에 밀봉시키는 단계 이외의 공정에 의해 제조될 수 있다. 도 8a 내지 도 8e(집합적으로 "도 8")는 본 발명에 따라 갭 점핑을 이용하여 평판표시장치를 밀봉하기 위해 이러한 변경을 사용하는 공정을 설명하고 있다.

도 8의 공정은 도 8a에 도시된 바와 같은 후면플레이트 구조체(40)에서 시작한다. 외벽에 대해 바람직한 형태의 주형 공동(94)을 갖는 역 구배 주형(92)은 후면플레이트 구조체(40)의 내면에 위치한다. 도 8b를 참조하라. 역 구배 주형(94)은 외벽을 위해 계획된 위치위에 놓이고 구조체(40)의 밀봉 영역(40S)에 정렬된다. 도 8b에서 참조부호 "92A"는 주형(92)의 내벽과 그 외벽을 연결하는 돌기(ridge)이다. 공동(94)에 따른 주형(92) 벽의 안쪽은 외벽이 형성된 후 주형(92)의 제거를 용이하게 하기 위해 후면플레이트 구조체(40)로부터 멀어지며 안으로 경사진다. 경사도는 일반적으로 외벽 높이의 10% 내외가 된다.

유리 슬러리, 하나 또는 그 이상의 가소제 및 하나 또는 그 이상의 접합제로 구성된 벽 재료가 주형 공동(94)으로 주사(주입)된다. 벽 재료 슬러리로 채워진 주형(94)과 후면플레이트 구조체(40)의 결합체는 도 8c에 도시된 바와 같이 외벽(96)으로 벽 재료를 변환시키기 위해 고온으로 가열된다. 도 9는 이러한 시점에서의 구조체를 사시적으로 설명하고 있다. 가열은 높은 유동율로 움직이는 건조 질소로 채워진 오븐에서 실행된다.

주형(92)이 후면플레이트 구조체(40)로부터 제거된 후, 주조된 외벽(96)이 남는다. 도 8d는 외벽(96)이 밀봉 영역(40S)을 따라서 후면플레이트 구조체(40)와 접합되어 생성된 구조체를 나타내고 있다. 도 8d에서 참조부호 "96T"는 벽(96)의 원격(상위) 단부를 가리킨다. 합성 구조체(40/96)는 전기적으로 테스트된다.

외벽(96)은 단부(96T)를 따라 전면플레이트 구조체(42)로 밀봉된다. 밀봉 영역(42T)내 전면플레이트 구조체(42)의 내면상에 스페이서벽(46)이 장착된 채로, 합성 구조체(40/96,42/46)는 적당한 정렬 시스템(도시되지 않음)을 이용하여 도 8e에 도시된 것과 같이 서로 정렬된다. 이것은 밀봉 영역(42T,96T)이 (도 8e에서 수직으로) 정렬되는 단계 및 전면플레이트 구조체(42)의 내면을 스페이스벽(46)의 원격(도 8e에서 하위) 단부와 접촉시키는 단계를 수반한다. 정렬은 일반적으로 실내압에서 비진공상태하에서 수행된다. 게터(도시되지 않음)는 도 2의 공정에 따라 밀봉된 평판표시장치에서 상기한 임의의 위치에서 도 8e의 구조체에 제공될 수 있다.

도 8e에서 스페이서벽(46)은 갭(98)이 정렬된 밀봉 영역(42T,96T) 사이에서 연장될 수 있도록 외벽(96)보다 충분히 더 높다. 도 2의 공정에서의 갭(48)과 유사하게, 갭(98)은 밀봉 영역(42T,96T)의 (직사각형) 길이의 적어도 50%, 일반적으로는 전체 밀봉 영역 길이를 따라 연장된다. 갭(98)은 보통 갭(48)과 동일한 높이를 갖는다.

정렬시스템이 서로에 대해 요구된 위치에 복합 구조체(40/96,42/46)를 유지하면서, 상기 위치를 고정시키기 위해 부분적으로 밀봉된 평판표시장치상에서 태킹 공정이 수행된다. 구조체(40/96,42/46)의 태킹은 다양한 방법으로 수행될 수 있다. 도 8의 공정에서, 후면플레이트 구조체(40)와 외벽(44)간의 갭(48) 부분보다 전면플레이트 구조체(42)와 외벽(96)간의 갭(98) 부분이 점핑되는 것을 제외하고는, 태킹 공정이 도 2의 공정에서 상기한 방법으로 부분적인 갭 점핑에 의해 수행된다. 도 8f는 레이저(50)의 레이저빔(52)의 빛 에너지가 외벽(96)의 부분(96A)이 갭(98)을 점핑하게 하여, 전면플레이트 구조체(42)에 밀봉되는 태킹 단계를 설명하고 있다. 도 8f에서 참조부호 "98A"는 갭(98)의 나머지부분이다.

태킹된/부분적으로 밀봉된 평판표시장치는 도 8g에 도시된 바와 같이 정렬 시스템에서 제거되어 진공 챔버(54)에 위치된다. 합성 구조체(40/96,42/46)의 서로간의 밀봉을 완료하기 위해 갭 점핑이 수행된다. 갭 점핑이 전면플레이트 구조체(42)와 외벽(96) 사이의 갭 나머지부분(98A)에 걸쳐 수행된다는 사실을 제외하고는, 남아있는 갭(98A)을 브리지하기 위한 갭 점핑은 도 2의 공정에서 상기한 갭 나머지부분(48A)에서와 동일한 방법으로 수행된다. 레이저(56)의 레이저빔(58)으로부터의 빛 에너지의 국부적인 전달로 인해, 밀봉 영역 단부(96T)에 따른 외벽(96) 재료는 갭 나머지부분(98A)을 점핑하고, 밀봉 영역(42T)을 따라 전면플레이트 구조체(42)에 밀봉된다. 도 8h는 완전히 밀봉된 구조체를 나타내고 있고, 참조부호 "96B"는 외벽(96)의 밀봉된 형태를 나타내고 있다.

도 8의 공정은 일반적으로 도 2의 공정에서 상기한 방법으로 변경될 수 있다. 특히, 합성 구조체(40/96)와 합성 구조체(42/46)의 최종 갭 점핑 레이저 밀봉은 중성 상태에서 시작되고 고진공 상태에서 완료될 수 있다. 밀봉 영역(40S)에 따른 후면플레이트 구조체(40)의 재료가 밀봉 영역(44S)에 따른 외벽(44)의 용해 온도에 근접한 온도까지 국부적으로 가열되는 도 2c' 및 도 2d'와 도 2b* 및 도 2c*에서 상기한 변경은 도 8의 공정에 적용될 수 있다. 즉, 밀봉 영역(42T)을 따르는 전면플레이트(42)의 재료는 단부(96T)를 따르는 외벽(96)의 용해 온도에 근접한 온도까지 국부적으로 가열될 수 있다. 이것은 레이저 태킹 공정 및 최종 레이저 밀봉 공정 동안 갭 점핑이 갭(98)에 걸쳐 수행되기전(도 2b* 및 도 2c*) 또는 그와 동시(도 2c'및 도 2d')에 수행될 수 있다. 마찬가지로, 태킹 포스트(60/62)와 같은 위치정렬 구조체는 도 8의 공정에서 구조체(40/96)와 구조체(42/46)를 태킹하기 위해 사용될 수 있다. 도 5의 2중 레이저 방법이 도 8의 공정에는 적용될 수 없지만, 도 6 및 도 7에 도시된 형태의 배출구는 외벽(96)의 단부(96T)를 따라 제공될 수 있다.

외벽은 표시장치 밀봉단계(태킹 공정이 국부 에너지 전달에 의해 수행되는 경우에는 태킹 단계 포함) 동안 갭 점핑을 촉진하기 위해 특별히 구체화될 수 있다. "T" 또는 역 "L"의 형태를 갖는 외벽을 형성하는 것이 특히 유리하다. 도 10a 내지 도 10e(집합적으로 "도 10")은 일반적으로 "T" 형태를 갖는 프로파일의 고리형상 외벽(116)을 갖는 평판표시장치가 본 발명에 따른 갭 점핑을 이용하여 밀봉되는 공정을 설명하고 있다. 특수 형태의 외벽(116)을 제외하고, 도 10에 도시된 단계는 도 2에 도시된 단계를 대체로 대신한다.

도 10a에 도시된 시작 단계에서, 후면플레이트 구조체(40)는 그 내면에 스페이서벽(46)이 장착된 전면플레이트 구조체(42)로부터 분리되어 있다. 외벽은 상위 단부 밀봉 영역(116S) 및 하위 단부 밀봉 영역(116T)를 갖는다. 도 10a의 단계에서, 전면플레이트 구조체(42)와 외벽(116)은 일반적으로 전면플레이트 구조체(42)를 외벽(44)에 밀봉시키기 위해 도 2의 공정에서 사용된 절차에 따라, 밀봉 영역(42T,116T)을 따라 이미 함께 밀봉되어 있다. 합성 구조체(42/46/116)에서, 스페이서벽(46)은 외벽(116)보다 높고, 따라서 외벽(116)보다 전면플레이트 구조체(42)의 내면으로부터 더 멀리 연장된다.

외벽(116)은 상위부(116L)와 하위부(116M)로 구성된다. 벽 상위부(116L)는 벽 하위부(116M)보다 폭이 넓다. 일반적으로, 벽 상위부(116L)의 (도 10에서 수평방향으로의) 너비는 벽 하위부(116M)보다 약 10% 내지 50%정도 더 폭이 넓다. 상위부(116L)의 윗부분이 벽단부 밀봉 영역(116S)을 구성하는 반면, 하위부(116M)의 아랫부분은 벽단부 밀봉 영역(116T)을 구성한다. 하위부(116M)의 상단부는 외벽(116)이 단면도에서 보이는 바와 같이 일반적으로 T자형이 되도록 상위부(116L)의 (측면) 너비를 따라 대략 중간에서 상위부(116L)의 하단부와 만난다.

4개 서브 벽의 사각 고리로 구성된 외벽(116)은 다양한 방법으로 형성될 수 있다. 각각의 서브 벽에서, 상위부(116L)와 하위부(116M)는 따로 형성되어 나중에 서로 결합될 수 있다. 또는, 각각의 서브 벽에서 벽 상하위부(116L,116M)는 예를 들어 몰딩, 사출성형, 적출성형 또는 압축공정에 의해 형성된 한 조각의 재료가 될 수 있다. 각각의 서브 벽에서 벽상하위부(116L,116M)는 일반적으로 프릿으로 구성된다.

적당한 정렬 시스템(도시되지 않음)을 이용하여, 구조체(40,42/46/116)는 후면플레이트 구조체(40)의 밀봉 영역(40S)이 벽단부 밀봉 영역(116S)에 수직으로 중첩되도록 도 10b에 도시된 방법으로 서로 정렬된다. 상기 정렬은 도 2의 공정에서 상기한 방법으로 수행된다. 스페이서벽(46)이 외벽(116)보다 높기 때문에, 갭(118)은 구조체(40,42/46/116)의 전체 주변길이를 따라 정렬된 밀봉 영역(40S,116S) 사이에서 연장된다. 갭(118)은 갭(118)이 갭(48)보다 클 수 있다는 것을 제외하고, 도 3의 공정에서 갭(48)과 동일한 특성을 갖는다.

밀봉 영역(40S,116S)에 따른 여러 분리된 위치에서 후면플레이트 구조체(40)와 합성 구조체(42/46/116)를 연결하기 위해 도 2의 공정에서 상기한 방법으로 태킹 공정이 레이저(50)로 수행된다. 벽 상위부(116L)의 부분(116A)이 태킹 위치에서 갭(118)을 점핑하여 후면플레이트 구조체(40)에 강하게 밀봉되는 도 10c를 참조하라. 도 10c에 나타나 있지 않지만, 밀봉 영역(116S)에 따른 태킹 위치에서 레이저빔(52)에 의해 벽 상위부(116L)으로 국부적으로 전달된 빛 에너지가 태킹 위치에서 벽 상위부(116L)의 측부 압축을 유도한다. 최종 레이저 밀봉과 관련하여 후술된 이러한 현상은 윗쪽으로 돌출하는 태킹 부분(116A)을 생성하는 갭 점핑을 촉진시킨다. 도 10c에서 참조부호 "118A"는 갭(118)의 나머지부분이다.

갭 나머지부분(118A)을 닫고 후면플레이트 구조체(40)를 합성 구조체(42/46/116)에 밀봉시키기 위해 도 2의 공정에서 상기한 방법으로 최종 밀봉단계가 진공 챔버(54)에서 레이저(56)로 수행된다. 도 10d는 최종 밀봉 공정의 중간 시점을 설명하고 있다. 레이저빔(58)에 의해 밀봉 영역(116S)에 따른 상위 벽부분(116)으로 국부적으로 전달된 빛 에너지는 갭 점핑을 촉진하기 위해 도 10d의 좌측 반에 도시된 바와 같이 벽 상위부(116L)에서 측부 압축을 유도한다.

특히, 벽 상위부(116L)는 레이저빔(58)이 상위 벽단부(116S)를 관통할 때 상위부(116L)의 전체 단면이 거의 용해되는 높이를 갖도록 선택된다. 벽 재료가 용해될 때, 표면 장력은 벽 상위부(116L)가 그 너비를 따라 측면으로 압축되도록 하여, 벽 상위부(116L)의 재료를 위로 끌어올린다. 따라서, 벽 하위부(116M)보다 벽 상위부(116L)를 폭넓게 하는 것은 갭(118)이 더 쉽게 브리지될 수 있게 한다. 또한, 갭(118)의 높이는 외벽 형태를 제외하고는 동일한 평판장치에서의 갭(48)의 높이와 비교하여 증가될 수 있다.

이러한 시점에서, 도 10의 평판표시장치는 도 2의 공정에서 상기한 방법으로 처리된다. 도 10e는 결과적인 밀봉된 평판표시장치를 나타내고 있다. 참조부호 "116B"가 외벽(116)의 밀봉된 형태를 가리키며, 참조부호 "116N"은 벽 상위부(116L)의 밀봉된 형태를 가리킨다. 도 2의 밀봉 공정에 있어서의 모든 상기 변경은 도 10의 밀봉 공정에 적용될 수 있다. 외벽이 역 "L"의 형태를 갖는 경우 T 형상 외벽(116)에서 발생하는 모든 이점이 폭넓게 발생한다.

외벽(44)의 단부 밀봉 영역(44S,44T), 외벽(96)의 단부 밀봉 영역(96T) 또는 외벽(116)의 단부 밀봉 영역(116S)에 따른 재료에 국부적으로 빛 에너지를 전달하는 레이저빔(예를 들어 레이저빔(52,58))의 기하학적 형태는 밀봉 영역(44S,44T,96T,116S)의 너비에 걸친 요구된 에너지 분포 및 요구된 온도 분포를 제공하도록 맞춰진다. 되도록이면, 밀봉 영역(44S,44T,96T,116S)의 너비에 걸친 에너지 분포는 영역(44S,44T,96T,116S)의 길이에 따른 각각의 너비 위치에서 영역(44S,44T,96T,116S)의 너비에 걸쳐 온도가 거의 일정하도록 거의 균일하다. 영역(44S,44T,96T,116S)의 길이에 따라 비교적 일정한 속도로 레이저빔을 스캔함으로써, 영역(44S,44T,96T,116S)의 각 지점은 영역(44S,44T,96T,116S)이 휘어지는 지점에서를 제외하고, 밀봉 공정 동안 거의 동일한 온도까지 상승된다. 이것은 불균일한 온도로 인한 밀봉 결함의 발생 가능성을 감소시킨다.

특히, 벽단부 밀봉 영역(44S,44T,96T,116S)에 따른 재료에 국부적으로 빛 에너지를 제공하는 레이저빔은 대개 밀봉 영역 길이에 따라 거의 일정한 속도로 스캔되는 직사각형, 보통 정사각형의 단면이 된다. 직사각형 빔이 전체 밀봉 영역 너비를 덮는다면, 직사각형 빔에 의해 국부적으로 공급된 에너지 분포는 밀봉 영역 코너에서 가능한 것을 제외하고 밀봉 영역의 너비 및 길이에 걸쳐 거의 균일하다. 코너를 제외하고 밀봉 영역(44S,44T,96T,116T)에 따른 각각의 지점은 밀봉 영역 너비 및 폭에 따라 거의 동일한 온도에 이른다.

거의 균일한 온도 분포를 제공하는 직사각형 빔을 사용함으로써 외벽(44,96,116)에서 일반적으로 사용되는 프릿내에 소량의 기포가 형성된다. 이것은 원형 빔에 의해 관통된 경로의 중심 근방에서의 빛 에너지의 집중이 원형 빔에 의해 관통된 프릿내에서의 기포 형성의 주요 원인중의 하나로 나타나는 종래의 원형 레이저빔의 상당한 개선이다. 프릿에서 기포를 제거함으로써 기포로 인한 강도의 손실을 피할 수 있다. 따라서, 밀봉 영역(44S,44T,96T,116S)에 따른 재료에 국부적으로 빛 에너지를 전달하기 위해 본 발명에 따라, 특별히 맞춰진, 바람직하게는 직사각형 단면의 레이저빔을 사용함으로써 원형 레이저빔과 비교하여 더 강한 밀봉을 할 수 있다.

도 11a는 일반적으로 도 11b에 도시된 바와 같이 거의 직사각형 단면(102)의 레이저빔(100)을 전달하는 레이저 시스템의 주요 특징을 설명하고 있다. 도 11a의 레이저 시스템은 광섬유(106)를 둘러싼 원통형 케이스(108)와 광섬유(106)로 형성된 광섬유 케이블과 빔 생성부(104)로 구성된다. 케이스(108)는 광섬유(106) 아래로 전달된 광자의 거의 전반사를 제공하는 직사각형 고리형태로서 형상화된다. 따라서, 빔 단면(102)은 대략 직사각형, 일반적으로 정사각형이 된다.

도 11c는 직사각형 레이저빔(100)이 프릿 벽(110)의 상위 단부(110S)를 관통하는 방법을 설명하고 있다. 직사각형 단면(102)의 리딩 단부(102L)는 밀봉 영역(110S)의 길이에 수직으로 연장되고, 밀봉 영역(110S)의 너비에 걸쳐 전체적으로 연장된다. 빔 단면(102)의 트레일링 단부(102T)가 리딩 단부(102L)와 평행하게 움직이기 때문에, 밀봉 영역(110S) 너비에 걸친 에너지 분포는 밀봉 영역(110S) 길이에 수직으로 움직이는 임의의 선을 따라 거의 일정하다. 밀봉 영역(110S)의 길이를 따라 일정한 속도로 레이저빔(100)을 스캔함으로써, 빔에너지의 분포는 밀봉 영역(110S)이 휘어지는 코너를 제외하고 모든 영역(110S)에 걸쳐 거의 균일하다. 만일 리딩 단부(102L)가 밀봉 영역(110S)의 길이에 수직이 아니라도, 리딩 단부(102L)와 트레일링 단부(102T) 모두 밀봉 영역(110S)에 걸쳐 전체적으로 연장된다면 여전히 거의 균일한 에너지 분포가 얻어진다(밀봉 영역(110S)의 휘어진 영역 제외).

본 발명이 특정한 실시예를 참조로 설명되었지만, 이것은 단지 설명을 목적으로 한 것이고, 후술되는 청구된 본 발명의 범주를 제한하는 것으로 해석되어서는 안된다. 예를 들어, 도 2, 도 4 또는 도 5의 공정에서 밀봉 영역(40S)을 따르는 후면플레이트 구조체(40)의 재료는 갭(48) 또는 갭 나머지부분(48A)을 브리지하는 것을 돕도록 외벽(44)을 향해 일부 이동할 수 있다. 유사하게, 도 10의 공정에서 밀봉 영역(40S)에 따른 후면플레이트 구조체 재료는 갭(118) 또는 갭 나머지부분(118A)을 점핑하는 것을 돕도록 외벽(116)을 향해 일부 이동할 수 있다. 상기와 같은 밀봉 영역(40S)에 따른 후면플레이트 구조체 재료의 이동은 재료가 용해될 정도로 온도가 충분히 높지 않더라도 고온으로 상승된 후에 재료가 약간 부드러워짐에 따라 표면 장력에 의해 발생될 수 있다.

대안적으로, 후면플레이트 구조체(40)의 다른 부분을 용해시키거나 손상시킴이 없이 밀봉 영역(40S)을 따르는 후면플레이트 구조체(40)를 용해하고 벽(44,116)을 향해 부분적으로 이동시키기 위해 국부적으로 에너지가 전달될 수 있다. 이러한 국부 에너지 전달은 레이저에 의해 제공된 초점이 맞춰진 빛 에너지 또는 다른 형태의 초점이 맞춰진 또는 국부적으로 향해진 에너지에 의해 수행될 수 있다. 동일한 방법으로, 도 8의 공정에서 밀봉 영역(42T)을 따르는 전면플레이트 구조체(42)의 재료는 갭(98) 또는 갭 나머지부분(98A)을 브리지하는 것을 돕도록 외벽(96)을 향해 부분적으로 이동할 수 있다. 갭 점핑은 일반적으로 외벽(44,96,116)과 플레이트 구조체(40,42)중의 하나 사이의 인터페이스에서만 수행되지만, 후면플레이트 구조체/외벽 인터페이스 및 전면플레이트 구조체/외벽 인터페이스 양쪽에서 수행될 수도 있다.

본 발명에서 갭 점핑을 발생시키는 국부 에너지 전달은 초점 램프 또는 레이저로부터 제공된 빛 에너지와는 다른 국부적으로 향해진 에너지로 구현될 수 있다. 한 예로써, 적절하게 초점이 맞춰진 RF파 소스로부터 제공된 초점이 맞춰진 RF파 에너지가 있다. 마이크로파가 RF파 대역의 중심 근방에 있다는 사실을 주목하면, 국부 에너지는 특히 적절히 초점이 맞춰진 마이크로파 소스로부터 제공된 초점이 맞춰진 마이크로파 에너지가 될 수 있다. 본 발명에서 사용하기 위한 빔의 에너지를 생성하기 위해 초점 맞춤을 이용하는 대신, 원치 않는 방향으로 가는 에너지 전달을 차단하기 위해 마스킹 방법이 사용될 수 있고, 따라서 원하는 방향으로 진행하는 에너지빔을 생성할 수 있다.

여러 형태의 국부적 빛 에너지 소스의 결합은 본 발명에 따른 갭 점핑을 이용하여 평판표시장치를 밀봉하는 단계에서 다중적인 국부 에너지 전달을 수행하기 위해 사용될 수 있다. 예를 들어, 평판표시장치의 태킹단계는 마이크로파 소스를 포함하여 레이저, 초점 램프 또는, 국부적으로 향해진 RF 에너지 소스로 수행될 수 있지만, 최종 밀봉 단계는 또 다른 이들 국부 에너지 소스로 수행된다. 최종 밀봉 공정이 비진공 상태에서 시작되고 고진공하에서 완료되는 경우, 앞선 국부 에너지 소스중의 하나가 고진공부에서 사용되는 동안 또 다른 에너지 소스가 최종 밀봉 공정의 비진공부에서 사용될 수 있다.

외벽(44)은 직사각형 고리 형상이외의 형태를 가질 수 있다. 프릿에 추가하여 외벽(44)에 다른 재료가 사용될 수 있다. 예를 들어, 외벽(44)은 벽(44)의 중심부를 따라 유리 및/또는 세라믹으로 구성될 수 있다. 이후 본 발명에 따라 밀봉을 완성하기 위해 벽(44)의 맨 위와 맨 아래에 프릿이 제공될 수 있다.

표시장치 이외의 평판장치를 밀봉하기 위해 본 발명이 사용될 수 있다. 예로서는 (a) 포토 멀티플라이어(photo multipliers)와 유사한 고진공셀내 마이크로채널 플레이트, (b) 가속도계, 자이로스코프 및 압력 센서와 같은 장치를 위한 마이크로미케니컬(micromechanical) 패키지 및 (c) 생의학적 임플란트(implants)를 위한 패키지가 있다. 따라서 첨부된 청구의 범위에 한정된 바와 같은 본 발명의 범위 및 취지에서 벗어나지 않고 상기 기술분야의 당업자에 의해 다양한 수정 및 응용이 이뤄질 수 있다.

Claims

갭이 벽의 제 1 모서리와 제 1 플레이트 구조체의 밀봉 영역을 적어도 부분적으로 분리하도록 제 1 플레이트 구조체의 정합 밀봉 영역 근처에 제 1 벽의 제 1 모서리를 위치시키는 단계 및

벽과 제 1 플레이트 구조체 재료가 갭을 브리지하고, 제 1 플레이트 구조체의 밀봉영역을 벽의 제 1 모서리에 완전히 밀봉하도록 갭을 따르는 벽 재료에 국부적으로 에너지를 전달하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 1 항에 있어서,

상기 벽 재료는 모든 갭을 브리지하는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 1 항에 있어서,

상기 에너지 전달 단계는 적어도 부분적으로 갭을 따르는 벽 재료상에 국부적으로 광에너지를 보내는 것을 수반하는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 3 항에 있어서,

상기 에너지 전달 단계는 적어도 부분적으로 레이저 또는 초점램프로 실행되는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 1 항에 있어서,

상기 에너지 전달 단계 이전에, 벽의 제 1 모서리와 대향하는 벽의 제 2 모서리를 벽의 제 2 모서리와 정합하는 밀봉영역을 따라 제 2 플레이트 구조체에 결합시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 5 항에 있어서,

플레이트 구조체의 밀봉 영역과 벽의 모서리는 고리모양으로 성형되고, 이에 의해 플레이트 구조체와 벽은 상기 에너지 전달 단계의 완료시 인클로져를 형성하는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 6 항에 있어서,

2개의 플레이트 구조체와 벽은 상기 에너지 전달 단계가 완료되는 동안 진공 상태에 있는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 6 항에 있어서,

2개의 플레이트 구조체와 벽은 상기 에너지 전달 단계가 완료되는 동안 비진공 상태에 있는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 8 항에 있어서,

상기 에너지 전달 단계가 완료되는 동안 비진공 상태는 질소와 불활성 가스 중 적어도 하나로 기본 구성되는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 8 항에 있어서,

상기 에너지 전달 단계 이후에, 인클로져에 진공을 형성하기 위해 인클로져에서 가스를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 6 항에 있어서,

상기 에너지 전달 단계 이전에, 상기 에너지 전달 단계 동안 응력을 감소시킬 만큼 충분히 높지만, 플레이트 구조체 또는 벽에 손상을 입힐 정도로 높지는 않은 바이어스 온도로 플레이트 구조체와 벽의 온도를 상승시키기 위해 플레이트 구조체와 벽을 전체적으로 가열하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 11 항에 있어서,

상기 바이어스 온도는 200-350℃인 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 6 항에 있어서,

2개의 플레이트 구조체와 벽은 평판장치의 구성요소인 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 13 항에 있어서,

상기 평판장치는 플레이트 구조체들 중 하나의 플레이트 구조체상의 외부표면에 이미지를 제공하는 평판표시장치인 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 1 항에 있어서,

상기 에너지 전달 단계는

벽의 제 1 모서리에 제 1 플레이트 구조체의 밀봉영역을 부분적으로 밀봉하기 위해 벽과 제 1 플레이트 구조체 재료가 갭의 일부를 브리지하도록 제 1 플레이트 구조체와 벽이 비진공 상태에 있는 동안 상기 갭의 일부를 따라 벽의 재료에 국부적으로 에너지를 최초로 전달하는 단계 및

갭을 완전히 밀폐하고, 1 플레이트 구조체의 밀봉영역에 벽의 제 1 모서리를 밀봉시키는 것을 완료하기 위해 벽과 제 1 플레이트 구조체의 재료가 갭의 나머지를 브리지하도록 제 1 플레이트 구조체와 벽이 진공 상태에 있는 동안 갭의 나머지를 따라 벽 재료에 국부적으로 에너지를 후속하여 전달하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 15 항에 있어서,

상기 에너지 전달 단계 중 적어도 하나는 선택된 비원형 단면의 레이저 빔을 발생하는 레이저로 실행되는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 16 항에 있어서,

벽의 제 1 모서리의 임의의 폭에 대해서 레이저 빔은 그 폭에 걸쳐서 균일한 광에너지의 분포를 제공하는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 15 항에 있어서,

벽의 제 1 모서리와 대향하는 벽의 제 2 모서리를 벽의 제 2 모서리와 정합하는 밀봉영역을 따라 제 2 플레이트 구조체에 결합시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 18 항에 있어서,

상기 결합 단계는

제 2 플레이트 구조체의 밀봉 영역에 근접하여 벽의 제 2 모서리를 위치시키는 단계 및

벽의 제 2 모서리에 제 2 플레이트 구조체의 밀봉영역을 밀봉하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 18 항에 있어서,

상기 결합 단계는 벽의 제 2 모서리가 제 2 플레이트 구조체의 정합 밀봉 영역에 근접하도록 벽을 형성하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 20 항에 있어서,

상기 형성 단계는

주형의 공동이 제 2 플레이트 구조체의 밀봉 영역에 정렬되도록 주형과 제 2 플레이트 구조체를 접촉시키는 단계,

벽을 형성하기 위해 주형의 공동에 벽 재료를 공급하는 단계 및

주형을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 18 항에 있어서,

벽 모서리와 플레이트 구조체의 밀봉 영역은 고리모양으로 성형되고, 이에 의해 플레이트 구조체와 벽은 에너지 전달 단계의 완료시 인클로져를 형성하는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 22 항에 있어서,

상기 위치정렬 단계는 상기 에너지 전달 단계 동안 플레이트 구조체를 서로에 대해 고정된 위치에 유지하기 위해 위치정렬 구조체를 플레이트 구조체 사이에 위치시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 23 항에 있어서,

상기 위치정렬 구조체는 벽 외부에 위치하는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 24 항에 있어서,

상기 위치정렬 구조체는 측방향으로 분리된 복수의 포스트를 포함하는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 22 항에 있어서,

플레이트 구조체 사이의 충분한 일정 거리를 유지하기 위해 벽 내부의 플레이트 구조체 사이에 적어도 하나의 스페이서를 위치시키는 단계를 더 포함하고, 각각의 스페이서는 상기 에너지 전달 단계 이전에 갭을 설정하는 것을 돕기 위해 벽보다 높은 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 22 항에 있어서,

후속하는 에너지 전달 단계 이전에, 후속하는 에너지 전달 단계 동안 응력을 감소시킬 만큼 충분히 높지만 플레이트 구조체 또는 벽에 손상을 입힐 만큼은 높지 않은 바이어스 온도로 플레이트 구조체와 벽의 온도를 상승시키기 위해 플레이트 구조체와 벽을 전체적으로 가열하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 27 항에 있어서,

상기 바이어스 온도는 200-350℃인 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 22 항에 있어서,

벽의 제 1 모서리의 재료는 제 1 플레이트 구조체의 밀봉영역의 재료보다 낮은 온도에서 용해되고,

상기 방법은 또한,

최초의 에너지 전달 단계 이전에, 제 1 플레이트 구조체의 재료를 벽의 제 1 모서리의 용해 온도에 가까운 온도로 상승시키기 위해 플레이트 구조체와 벽이 비진공상태에 있는 동안 적어도 상기한 갭의 일부를 따르는 제 1 플레이트 구조체의 재료에 국부적으로 에너지를 전달하는 단계 및

최초 및 후속하는 에너지 전달 단계 사이에, 제 1 플레이트 구조체의 재료를 벽의 제 1 모서리의 용해 온도에 가까운 온도로 상승시키기 위해 플레이트 구조체와 벽이 진공 상태에 있는 동안 적어도 갭의 나머지를 따르는 제 1 플레이트 구조체의 재료에 국부적으로 에너지를 전달하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 22 항에 있어서,

벽의 제 1 모서리의 재료는 제 1 플레이트 구조체의 밀봉영역의 재료보다 낮은 온도에서 용해되고,

후속하는 에너지 전달 단계는 다중 구별 파장 영역에 포함되는 파장에서 광빔을 발생하는 광원을 이용하여 실행되고,

이들 파장 영역 중 한 파장에서의 빔의 에너지가 후속하는 에너지 전달 단계 동안 벽의 제 1 모서리의 재료에 국부적으로 전달되며,

이들 파장 영역 중 다른 파장에서의 빔의 에너지는 제 1 플레이트 구조체의 밀봉영역의 재료를 벽의 제 1 모서리의 재료의 용해 온도에 가까운 온도로 상승시키기 위해 제 1 플레이트 구조체의 밀봉영역의 재료에 국부적으로 전달되는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 30 항에 있어서,

최초의 에너지 전달 단계는 다른 다중 구별 파장 영역에 포함되는 파장에서 다른 광빔을 발생하는 광원으로 실행되고,

이들 파장 영역 중 한 파장에서의 상기 다른 빔의 에너지는 최초의 에너지 전달 단계 동안 대응하는 복수의 태킹 위치에서 벽에 제 1 플레이트 구조체를 태킹하기 위해 벽의 제 1 모서리의 재료의 부분들에 국부적으로 전달되며,

이들 파장 영역 중 다른 파장에서의 상기 다른 빔의 에너지는 제 1 플레이트 구조체의 밀봉영역의 재료를 벽의 제 1 모서리의 용해 온도에 가까운 온도로 상승시키기 위해 태킹 위치에 대향하는 각각의 제 1 플레이트 구조체의 밀봉영역의 재료의 부분들에 국부적으로 전달되는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 22 항에 있어서,

비진공 상태는 최초의 에너지 전달 단계 중 적어도 일부분 동안 질소 및 불활성 가스 중 적어도 하나로 기본 구성되는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 22 항에 있어서,

최초의 에너지 전달 단계는 제 1 플레이트 구조체의 밀봉 영역의 복수의 이격된 부분들을 따라 벽에 제 1 플레이트 구조체를 태킹하는 것을 수반하는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 22 항에 있어서,

상기 벽은 한 쌍의 대향하는 제 1 서브 벽과 이 제 1 서브 벽에 각각 연결되는 한 쌍의 대향하는 제 2 서브 벽으로 형성된 직사각형 고리형상을 포함하는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 34 항에 있어서,

최초의 에너지 전달 단계는 전부는 아니지만 적어도 2개의 서브 벽의 전부로 형성된 벽의 제 1 모서리의 부분들을 따라 벽에 제 1 플레이트 구조체를 밀봉하는 것을 수반하는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 34 항에 있어서,

최초의 에너지 전달 단계의 초기 부분은 제 1 플레이트 구조체의 밀봉 영역의 복수의 이격된 부분들을 따라 벽에 제 1 플레이트 구조체를 태킹하는 것을 수반하고

최초의 에너지 전달단계의 후속부분은 전부는 아니지만 적어도 2개의 서브벽의 전부로 형성된 벽의 제 1 모서리의 부분들을 따라 벽에 제 1 플레이트 구조체를 밀봉하는 것을 수반하는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 15 항에 있어서,

상기 벽은 인접하는 제 1 및 제 2 벽 부분을 포함하고, 상기 제 1 벽 부분은 제 2 벽 부분보다 넓고, 제 2 벽 부분에서 이격된 위치에서 벽의 제 1 모서리를 형성하는 표면을 갖는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 37 항에 있어서,

제 1 벽 부분은 에너지 전달 단계 동안 폭을 따라 압축되는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 15 항에 있어서,

양 에너지 전달 단계 이전에, 후속하는 에너지 전달 단계의 완료 전에 인클로져에서의 가스의 제거를 용이하게 하기 위해 벽의 제 1 모서리를 따라 적어도 하나의 배출홈을 제공하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 1 항에 있어서,

상기 방법은 벽의 제 1 모서리를 따라 적어도 하나의 배출홈을 제공하는 단계를 포함하고,

상기 위치정렬 단계는 각 배출홈으로부터 적어도 갭의 일부를 형성하는 것을 수반하고,

상기 방법은 제 1 모서리와 대향하는 벽의 제 2 모서리를 제 2 모서리와 정합하는 제 2 플레이트 구조체의 밀봉영역에 결합시키는 단계를 더 포함하며,

상기 에너지 전달 단계는 플레이트 구조체와 벽으로 기밀하게 밀봉된 인클로져를 형성하도록 실행되고, 상기 에너지 전달 단계는 진공 상태에서 완료되며, 이에 의해 각각의 배출홈이 에너지 전달 단계의 완료 동안 인클로져로부터의 가스의 제거를 용이하게 하는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 40 항에 있어서,

상기 배출홈 제공 단계는 각각의 배출홈을 형성하기 위해 벽의 제 1 모서리의 재료를 누르는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 1 항에 있어서,

광원으로부터 갭을 따르는 벽의 재료에 국부적으로 에너지를 전달하는 것에 부가하여, 상기 에너지 전달 단계는 갭을 브리지하고 밀폐시키는 것을 용이하게 하도록 제 1 플레이트 구조체의 밀봉영역의 재료를 벽의 제 1 모서리의 재료의 용해 온도에 가까운 온도로 증가시키기 위해 에너지원으로부터 제 1 플레이트 구조체의 밀봉영역의 재료에 국부적으로 에너지를 동시에 전달하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 42 항에 있어서,

상기 에너지원은 다중 구별 파장 영역의 광에너지 빔을 제공하고, 이 파장 영역 중 한 파장에서의 빔의 에너지는 벽의 제 1 모서리의 재료에 국부적으로 전달되고, 반면에 이 파장 영역 중 다른 파장에서의 빔의 에너지는 제 1 플레이트 구조체의 밀봉영역의 재료에 국부적으로 동시에 전달되는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 42 항에 있어서,

제 1 모서리에 대향하는 벽의 제 2 모서리를 벽의 제 2 모서리와 정합하는 제 2 플레이트 구조체의 밀봉영역에 결합하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 44 항에 있어서,

상기 플레이트 구조체와 벽이 기밀하게 밀봉된 인클로져를 형성하고, 또 인클로져내에 진공이 존재하도록 에너지 전달 단계의 완료 동안 상기 플레이트 구조체와 벽은 진공 상태에 있는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 45 항에 있어서,

상기 에너지 전달 단계 이전에, 에너지원에서 (a) 제 1 플레이트 구조체의 밀봉영역의 재료를 벽의 제 1 모서리의 재료의 용해 온도에 가까운 온도로 상승시키기 위해 비진공 상태에서 제 1 플레이트 구조체의 밀봉영역의 재료에 국부적으로 에너지를 전달하고, (b) 측방향으로 분리된 부분에서 제 1 플레이트 구조체와 벽의 재료가 갭을 브리지하고, 대응하는 복수의 위치에서 벽에 제 1 플레이트 구조체를 태킹하도록 비진공 상태에서 갭을 따라 벽의 복수의 측방향으로 분리된 부분에 국부적으로 에너지를 전달하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 46 항에 있어서,

비진공 에너지 전달 단계에서 에너지원은 다중 구별 파장 영역의 광에너지의 다른 빔을 제공하고, 이 파장 영역 중 하나에서의 다른 빔의 에너지는 벽의 제 1 모서리의 재료에 국부적으로 전달되고, 이 파장 영역 중 다른 것에서의 다른 빔의 에너지는 밀봉 영역을 따르는 제 1 플레이트 구조체의 재료에 국부적으로 동시에 전달되는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 1 항에 있어서,

제 2 플레이트 구조체의 정합 밀봉 영역에 인접하여 벽의 제 1 모서리와 대향하는 벽의 제 2 모서리를 위치시키는 단계 및

벽의 제 2 모서리에 제 2 플레이트 구조체의 밀봉영역을 밀봉하기 위해 벽의 제 2 모서리의 재료에 국부적으로 에너지를 전달하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 48 항에 있어서,

상기 에너지 전달 단계는 플레이트 구조체와 벽이 진공상태에 있는 동안 적어도 부분적으로 동시에 실행되는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 48 항에 있어서,

상기 에너지 전달 단계 이전에,

복수의 측면 분할 부분에서 제 1 플레이트 구조체와 벽의 재료가 갭을 브리지하고, 대응하는 복수의 위치에서 벽에 제 1 플레이트 구조체를 태킹하도록 비진공 상태에서 갭을 따르는 벽의 복수의 측면 분할 부분에 국부적으로 에너지를 전달하는 단계 및

대응하는 복수의 위치에서 벽에 제 2 플레이트 구조체를 태킹하기 위해 비진공 상태에서 벽의 제 2 모서리의 복수의 측면 분할 부분에 국부적으로 에너지를 전달하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 50 항에 있어서,

상기 비진공 에너지 전달 단계는 적어도 부분적으로 동시에 실행되는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 1 항에 있어서,

상기 벽은 인접하는 제 1 및 제 2 벽 부분을 포함하고, 제 1 벽 부분은 제 2 벽 부분보다 넓고, 제 2 벽 부분에서 이격된 위치에 벽의 제 1 모서리를 형성하는 표면을 갖는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 52 항에 있어서,

상기 제 1 및 제 2 벽 부분은 제 1 벽 부분이 벽의 제 1 모서리와 대향하는 제 1 벽 부분의 한 측면의 중간에서 제 2 벽 부분의 모서리와 만나는 일반적으로 "T" 또는 역 "L" 형태의 단면을 갖는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 52 항에 있어서,

상기 제 1 벽 부분은 상기 에너지 전달 단계 동안 폭을 따라 압축되는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
갭이 적어도 부분적으로 2개의 밀봉 영역을 분리하도록 한 본체의 밀봉 영역을 다른 본체의 정합 밀봉 영역 근처에 위치시키는 단계,

이들 본체의 재료가 갭의 일부를 브리지하고, 밀봉 영역을 따라 상기 본체들을 서로 부분적으로 밀봉하도록 상기 본체들이 비진공 상태에 있는 동안 상기 갭의 일부을 따라 본체 중 지정된 하나의 재료에 최초로 에너지를 국부적으로 전달하는 단계 및

이들 본체의 재료가 갭의 나머지를 브리지하고, 밀봉 영역을 따라 본체들을 서로 완전히 밀봉하도록 상기 본체들이 진공 상태에 있는 동안 갭의 나머지를 따라 상기 지정된 본체의 재료에 후속적으로 에너지를 전달하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 55 항에 있어서,

상기 에너지 전달 단계는 광에너지를 갭을 따라 지정된 본체의 재료에 국부적으로 보내는 것을 수반하는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 55 항에 있어서,

상기 에너지 전달 단계 중 적어도 하나는 무선 주파수 파동 에너지 또는 특히 마이크로파 에너지로 실행되는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 55 항에 있어서,

상기 최초의 에너지 전달 단계는 각각의 밀봉 영역의 복수의 이격된 부분을 따라 2개의 본체를 서로 태킹하는 것을 수반하는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 55 항에 있어서,

상기 최초의 에너지 전달 단계는 전부는 아니지만 각각의 밀봉 영역의 적어도 25%를 따라 2개의 본체를 함께 밀봉하는 것을 수반하는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 55 항에 있어서,

상기 최초의 에너지 전달 단계의 처음 부분은 각각의 밀봉 영역의 복수의 이격된 부분을 따라 2개의 본체를 서로 태킹하는 것을 수반하고,

상기 최초의 에너지 전달 단계의 후속하는 부분은 전부는 아니지만 각각의 밀봉영역의 적어도 25%을 따라 2개의 본체를 서로 밀봉하는 것을 수반하는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 55 항에 있어서,

상기 2개의 본체는 후속하는 에너지 전달 단계의 종료시 인클로져를 형성하고, 이 인클로져내에 진공이 존재하는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 55 항에 있어서,

상기 후속하는 에너지 전달 단계 이전에, 상기 후속하는 에너지 전달 단계 동안 응력을 감소시킬 만큼 충분히 높지만 어느 한 본체에 손상을 입힐 정도로 높지는 않은 바이어스 온도로 상기 본체들의 온도를 상승시키기 위해 상기 본체들을 전체적으로 가열하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 55 항에 있어서,

지정된 본체의 밀봉영역의 재료는 다른 본체의 밀봉영역의 재료보다 낮은 온도로 용해되고,

상기 방법은

상기 최초의 에너지 전달 단계 이전에, 상기한 다른 본체의 재료를 지정된 본체의 밀봉영역의 재료의 용해 온도에 가까운 온도로 상승시키기 위해 상기 본체들이 비진공 상태에 있는 동안 적어도 상기한 갭의 일부를 따라 상기한 다른 본체의 재료에 국부적으로 에너지를 전달하는 단계 및,

최초 및 후속하는 에너지 전달 단계 사이에, 상기한 다른 본체의 재료를 지정된 본체의 밀봉영역의 재료의 용해 온도에 가까운 온도로 상승시키기 위해 상기 본체들이 진공 상태에 있는 동안 적어도 갭의 나머지를 따라 상기한 다른 본체의 재료에 국부적으로 에너지를 전달하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 55 항에 있어서,

지정된 본체의 밀봉영역의 재료는 다른 본체의 밀봉영역의 재료보다 낮은 온도로 용해되고,

상기 후속하는 에너지 전달 단계는 다중 구별 파장 영역에 포함되는 파장에서 광빔을 발생하는 광원으로 실행되고,

이들 파장 영역 중 하나에서의 빔의 에너지는 상기 후속하는 에너지 전달 단계 동안 지정된 본체의 밀봉영역의 재료에 국부적으로 전달되며,

이들 파장 영역 중 다른 것에서의 빔의 에너지는 다른 본체의 밀봉영역의 재료를 지정된 본체의 밀봉영역의 재료의 용해 온도에 가까운 온도로 상승시키기 위해 다른 본체의 밀봉영역의 재료에 국부적으로 동시에 전달되는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 64 항에 있어서,

상기 최초의 에너지 전달 단계는 다른 다중 구별 파장 영역에 포함되는 파장에서 다른 광빔을 발생하는 광원으로 실행되고,

이들 다른 파장 영역 중 하나에서의 다른 빔의 에너지는 상기 최초의 에너지 전달 단계 동안 대응하는 복수의 태킹 위치에서 2개의 본체를 서로 태킹하기 위해 지정된 본체의 밀봉영역의 재료의 부분들에 국부적으로 전달되며,

이들 다른 파장 영역 중 다른 것에서의 다른 빔의 에너지는 상기한 다른 본체의 밀봉영역의 재료를 지정된 본체의 밀봉영역의 재료의 용해 온도에 가까운 온도로 상승시키기 위해 태킹 위치와 대향하는 각각의 상기한 다른 본체의 밀봉영역의 재료의 부분들에 국부적으로 전달되는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 55 항에 있어서,

상기 위치정렬 단계 이후 및 상기 에너지 전달 단계 이전에, 갭은 지정된 본체의 특정 재료를 따르는 영이 아닌 최소 높이에서 지정된 본체의 다른 재료를 따르는 최대 높이로 변화하고, 갭의 최대 높이는 갭의 최소 높이보다 적어도 50㎛ 더 큰 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
갭이 적어도 부분적으로 2개의 밀봉 영역을 분리하도록 한 본체의 밀봉 영역을 다른 본체의 정합 밀봉 영역 근처에 위치시키는 단계 및

상기 본체들의 재료가 갭을 브리지하고, 밀봉 영역을 따라 2개의 본체를 서로 밀봉하도록 갭을 따라 상기 본체들 중 지정된 것의 재료에 국부적으로 에너지를 전달하는 단계를 포함하고,

상기 에너지는 (a) 초점 램프의 광에너지, (b) 무선 주파수 파동 에너지 및 (c) 마이크로파 에너지 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 1 항 내지 제 67 항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 갭은 적어도 25㎛의 평균 높이를 갖는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
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갭이 벽의 제 1 모서리로부터 제 1 플레이트 구조체의 지정 영역을 분리하도록 제 1 플레이트 구조체의 정합 지정 영역 근처에 제 1 벽의 제 1 모서리를 위치시키는 단계 및

벽과 제 1 플레이트 구조체의 재료가 갭의 대응하는 이격 부분들을 브리지하고, 이에 따라 대응하는 이격 위치에서 벽에 제 1 플레이트 구조체를 태킹하도록 갭을 따라 벽 재료의 복수의 이격된 부분들에 국부적으로 에너지를 전달하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 71 항에 있어서,

상기 에너지 전달 단계는 적어도 부분적으로 갭을 따라 벽 재료의 이격된 부분들에 국부적으로 광에너지를 보내는 것을 수반하는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 72 항에 있어서,

상기 에너지 전달 단계는 레이저 또는 초점 램프로 실행되는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 71 항에 있어서,

상기 에너지 전달 단계 이후에, 벽의 제 1 모서리에 제 1 플레이트 구조체의 지정 영역을 밀봉하기 위해 갭의 나머지를 밀폐하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 74 항에 있어서,

상기 갭 나머지 밀폐 단계는 벽과 제 1 플레이트 구조체의 재료가 갭을 브리지하고 완전히 밀폐하도록 갭을 따라 벽의 재료에 국부적으로 에너지를 전달하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
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제 75 항에 있어서,

상기 평판장치는 플레이트 구조체들 중 하나의 플레이트 구조체상의 외부 표면에 이미지를 제공하는 평판표시장치인 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 71 항 내지 제 75 항 및 제 77 항중 어느 한 항에 있어서,

상기 갭은 적어도 25㎛의 평균 높이를 갖는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
플레이트 구조체가 비진공 상태에 있는 동안, 갭이 제 1 플레이트 구조체상에 제공된 밀봉 재료로부터 제 2 플레이트 구조체를 적어도 부분적으로 분리시키도록 플레이트 구조체 사이에 적어도 부분적으로 위치한 접착수단을 통해 제 1 플레이트 구조체를 제 2 플레이트 구조체에 접착하는 단계 및

플레이트 구조체가 진공 상태에 있는 동안, 밀봉 재료가 갭을 브리지하도록 밀봉 재료에 에너지를 전달함으로써 후속적으로 플레이트 구조체를 기밀하게 밀봉하여 플레이트 구조체 사이에서 밀봉된 인클로져 안에 진공이 생기도록 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
플레이트 구조체가 비진공 상태에 있는 동안, 갭이 제 1 플레이트 구조체상에 제공된 밀봉 재료로부터 제 2 플레이트 구조체를 적어도 부분적으로 분리시키도록 플레이트 구조체를 따라 측방향으로 이격된 다수의 지점에서 제 1 플레이트 구조체를 제 2 플레이트 구조체에 접착하는 단계 및

플레이트 구조체가 진공 상태에 있는 동안, 밀봉 재료가 갭을 브리지하도록 밀봉 재료에 에너지를 전달함으로써 후속적으로 플레이트 구조체를 기밀하게 밀봉하여 플레이트 구조체 사이에서 밀봉된 인클로져 안에 진공이 생기도록 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 79 항 또는 제 80 항에 있어서,

상기 밀봉단계는 에너지를 밀봉 재료에 국부적으로 전달하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 79 항 또는 제 80 항에 있어서,

상기 방법은 밀봉 단계 이전에, 갭을 설정하거나 설정하는 것을 용이하게 하기 위해 플레이트 구조체 사이에 적어도 하나의 스페이서를 위치시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
플레이트 구조체가 비진공 상태에 있는 동안, 플레이트 구조체 사이에 적어도 부분적으로 위치한 접착수단을 통해 제 1 플레이트 구조체를 제 2 플레이트 구조체에 접착하고, 상기 접착수단은 플레이트 구조체 중 지정된 하나의 플레이트 구조체상에 장착된 외벽으로부터 측방향으로 이격되어 있고, 외벽이 플레이트 구조체 사이에 위치하도록 플레이트 구조체 중 다른 하나와의 밀봉 지점을 형성하는 밀봉 단부를 구비하는 단계 및

플레이트 구조체가 진공 상태에 있는 동안, 후속적으로 플레이트 구조체를 밀봉 지점을 따라 외벽을 통해 서로 기밀하게 밀봉하여 플레이트 구조체와 개재된 외벽 사이에서 밀봉된 인클로져 안에 진공이 생기도록 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 83 항에 있어서,

상기 접착수단은 플레이트 구조체 중 하나에 결합된 매개수단과 상기 매개수단을 플레이트 구조체 중 다른 하나에 접착시키는 접착제를 포함하는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
플레이트 구조체가 비진공 상태에 있는 동안, 플레이트 구조체를 따라 측방향으로 이격된 다수의 접착 지점에서 제 1 플레이트 구조체를 제 2 플레이트 구조체에 접착하고, 상기 접착지점은 플레이트 구조체 중 지정된 하나의 플레이트 구조체상에 장착된 외벽으로부터 측방향으로 이격되어 있고, 플레이트 구조체 중 다른 하나와의 밀봉 지점을 형성하는 외부 단부를 구비하는 단계 및

플레이트 구조체가 진공 상태에 있는 동안, 후속적으로 플레이트 구조체를 밀봉 지점을 따라 외벽을 통해 서로 기밀하게 밀봉하여 플레이트 구조체와 개재된 외벽 사이에서 밀봉된 인클로져 안에 진공이 생기도록 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 85 항에 있어서,

상기 접착 단계는 서로로부터 및 외벽으로부터 측방향으로 이격된 다수의 태킹요소를 통해 플레이트 구조체를 서로 태킹하는 것을 포함하고,

상기 밀봉 단계는 상기 다른 하나의 플레이트 구조체를 플레이트 구조체 사이와 외벽의 밀봉 단부상에 위치한 밀봉재료에 결합시키는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 86 항에 있어서,

각 태킹요소는 플레이트 구조체 중 하나에 결합된 태킹 기둥과,

상기 태킹 기둥을 플레이트 구조체 중 다른 하나에 접착시키는 접착제를 포함하는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 83 항 또는 제 85 항에 있어서,

상기 플레이트 구조체는 플레이트 구조체 사이와 외벽의 밀봉 단부상에 위치한 밀봉재료를 통해 서로 기밀하게 밀봉되는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 88 항에 있어서,

상기 지정된 플레이트 구조체는 제 1 플레이트 구조체이고,

상기 방법은

접착단계 이전에, 외벽의 밀봉단부에 대향하는 외벽의 다른 단부를 따라 제 1 플레이트 구조체 상에 외벽을 장착하는 단계 및

밀봉재료가 제 1 플레이트 구조체 위에 놓이도록 외벽의 밀봉 단부상에 밀봉재료를 제공하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 89 항에 있어서,

상기 접착 단계는 상기 접착 단계 이후 상기 밀봉 단계 이전에, 갭이 적어도 부분적으로 제 2 플레이트 구조체를 밀봉재료로부터 분리시키도록 실행되고,

상기 밀봉 단계는 밀봉재료가 갭을 브리지하도록 밀봉재료에 에너지를 전달하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 90 항에 있어서,

밀봉단계 이전에, 플레이트 구조체 사이에 하나 이상의 스페이서를 위치시키는 단계를 더 포함하고, 각 스페이서는 갭을 설정하거나 설정하는 것을 용이하게 하기 위해 벽보다 더 높은 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 90 항에 있어서,

상기 에너지 전달 단계는 밀봉재료에 국부적으로 에너지를 전달하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 89 항에 있어서,

접착 단계 이전에,

밀봉 단계 이전에 접착수단이 밀봉재료보다 제 1 플레이트 구조체로부터 더 멀리 연장되도록 제 1 플레이트 구조체 상에 접착수단을 제공하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 79 항, 제 80 항, 제 83 항 및 제 85 항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 접착 단계가 실내압에 가까운 압력에서 실행되는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 79 항, 제 80 항, 제 83 항 및 제 85 항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 밀봉 단계가 10^-2torr 이하의 압력에서 실행되는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 79 항, 제 80 항, 제 83 항 및 제 85 항 중 어느 한 항에 있어서,

접착 단계 동안에 플레이트 구조체를 서로 접착함으로써 밀봉 단계 동안에 플레이트 구조체를 서로에 대하여 고정된 위치에 있게 하는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 79 항, 제 80 항, 제 83 항 및 제 85 항 중 어느 한 항에 있어서,

접착 단계 이전에, 플레이트 구조체를 서로에 대하여 정렬시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 79 항, 제 80 항, 제 83 항 및 제 85 항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 플레이트 구조체는 CRT 타입의 평판표시장치의 후면 플레이트 구조체와 전면 플레이트 구조체를 구성하는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 5 항에 있어서,

플레이트 구조체 사이에 하나이상의 스페이서를 위치시키는 단계를 더 포함하고, 각각의 스페이서는 에너지 전달단계 이전에 갭을 설정하거나, 설정하는 것을 돕기 위해 벽보다 높은 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 18 항에 있어서,

플레이트 구조체 사이에 하나이상의 스페이서를 위치시키는 단계를 더 포함하고, 각각의 스페이서는 에너지 전달단계 이전에 갭을 설정하거나, 설정하는 것을 돕기 위해 벽보다 높은 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 33 항에 있어서,

벽 내부의 플레이트 구조체 사이에 하나이상의 스페이서를 위치시키는 단계를 더 포함하고, 각각의 스페이서는 에너지 전달단계 이전에 갭을 설정하거나, 설정하는 것을 돕기 위해 벽보다 높은 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 40 항에 있어서,

벽 내부의 플레이트 구조체 사이에 하나이상의 스페이서를 위치시키는 단계를 더 포함하고, 각각의 스페이서는 에너지 전달단계 이전에 갭을 설정하거나, 설정하는 것을 돕기 위해 벽보다 높은 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 55 항에 있어서,

에너지 전달단계 이전에 갭을 설정하거나, 설정하는 것을 돕기 위해 본체 사이에 하나이상의 스페이서를 위치시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 67 항에 있어서,

에너지 전달단계 이전에 갭을 설정하거나, 설정하는 것을 돕기 위해 본체 사이에 하나이상의 스페이서를 위치시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 74 항에 있어서,

제 1 모서리에 대향하는 벽의 제 2 모서리를 제 2 플레이트 구조체의 정합 지정 영역에 근접하여 위치시키는 단계 및,

제 2 플레이트 구조체의 지정영역을 벽의 제 2 모서리를 따라 벽에 밀봉시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 105 항에 있어서,

플레이트 구조체 사이에 하나이상의 스페이서를 위치시키는 단계를 더 포함하고, 각각의 스페이서는 에너지 전달단계 이전에 갭을 설정하거나, 설정하는 것을 돕기 위해 벽보다 높은 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.
제 105 항에 있어서,

상기 2개의 플레이트 구조체와 벽은 평판장치의 구성요소인 것을 특징으로 하는 구조체 밀봉 방법.