KR100273139B1 - 전계방출디스플레이의패키징방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 전계 방출 디스플레이의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 실리사이드를 이용하여 전계 방출 디스플레이를 진공 봉합하는 패키징 방법에 관한 것이다.
종래의 패키징 방법은 고진공을 유지시키기 위하여 튜브를 통해 진공 상태를 만든 후, 튜브를 녹여 봉합하는 방법으로 진행되었으나, 튜브가 녹는 순간 튜브 재질의 증기가 순간적으로 발생하여 진공도를 떨어뜨리게 된다. 또한 튜브의 길이에 의하여 패키징시 평판으로 제조하기 어려운 단점이 있다.
본 발명에서는 실리사이드를 이용하여 진공 배기 과정과 봉합 공정을 동시에 수행하므로 위와 같은 문제점 없이 얇은 평판의 전계 방출 디스플레이를 제조할 수 있다.
Description
본 발명은 전계 방출 디스플레이(field emission display)의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 실리사이드(silicide) 형성을 이용하여 전계 방출 디스플레이를 진공 봉합에 응용하는 패키징 방법에 관한 것이다.
도면을 통하여 종래의 기술을 설명하고자 한다. 도 1(a) 내지 도 1(c)는 종래의 기술에 의한 전계 방출 디스플레이의 패키징 방법을 설명하기 위해 도시한 단면도이다.
도 1(a)에 도시된 것과 같이, 하부 기판(110) 상에 형성된 전계 방출 디스플레이(100)는 게이트 전극(102) 제어에 의하여 캐소드 팁(101)으로부터 전자를 방출시키고, 이 방출된 전자는 투명 전극(122) 및 형광체(120)가 형성된 하부 기판(120)에 충돌되어 형광체(120)의 음극 발광으로 화상을 표시하게 된다. 이러한 전계 방출 소자(100)가 형성된 하부 기판(110)과 상부 기판(120)은 측벽(130)에 의하여 평행하게 지지되어 진공 패키징 된다. 진공 패키징 공정은 하부 기판(11)에 구멍을 내어 배기용 유리 튜브(140)를 붙인 후, 유리 튜브(140)를 통한 배기 공정을 진행하여 내부가 1×10-7Torr 이하의 진공도가 유지되도록 한다.
도 1(b)는 봉합(seal - off) 공정을 나타내는 단면도로써, 히터(150)를 이용하여 유리 튜브(140)의 하부를 부분적으로 녹인다. 유리 튜브(140)가 어느 정도 녹게되면, 진공에 의한 압력 차이로 유리 튜브(140)의 녹은 부분이 수축을 하면서 봉합된다.
도 1(c)는 봉합된 나머지 부분의 유리 튜브(140)를 잘라 진공 패키징을 완성한 단면도이다. 그러나 위와 같은 공정으로 진공 패키징을 하는 과정에서 유리 튜브(140)가 녹는 순간 유리 튜브(140)의 증기가 순간적으로 발생되어 내부의 진공도를 떨어뜨리게 된다. 또한 길게 나온 유리 튜브(140)에 의하여 평판으로 전계 방출 디스플레이를 제조하기 어려운 단점이 있다.
본 발명은 위와 같은 문제점을 해결하여 고진공의 평판 전계 방출 디스플레이를 제조하는데 그 목적이 있다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 전계 방출 디스플레이의 패키징 방법은, 전계 방출 소자가 형성된 하부 기판의 선택된 영역에 배기용 구멍을 뚫은 후 그 하부면에 실리콘층을 증착하는 단계와, 투명전극 및 형광체가 형성된 상부 기판과 상기 하부 기판을 측벽으로 평행하게 지지하여 밀봉하는 단계와, 상기 배기용 구멍을 통하여 기판 내부에 진공을 형성한 후, 금속 마개를 상기 배기용 구멍에 위치시키는 단계와, 상기 금속 마개와 실리콘층의 반응으로 생성된 실리사이드가 상기 배기용 구멍을 완전히 밀봉할 수 있도록 열처리 공정을 진행한 후, 접착제로 봉합하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
전계 방출 소자가 형성된 하부 기판의 선택된 영역에 배기용 구멍을 뚫은 후 그 하부면에 금속층을 증착하는 단계와, 투명전극 및 형광체가 형성된 상부 기판과 상기 하부 기판을 측벽으로 평행하게 지지하여 밀봉하는 단계와, 상기 배기용 구멍을 통하여 기판 내부에 진공을 형성한 후, 실리콘 마개를 상기 배기용 구멍에 위치시키는 단계와, 상기 실리콘 마개와 금속층의 반응으로 생성된 실리사이드가 상기 배기용 구멍을 완전히 밀봉할 수 있도록 열처리 공정을 진행한 후, 접착제로 봉합하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
외곽부에는 측벽이 형성되어 있으며 전계 방출 디스플레이를 형성하기 위한 여러 요소가 형성된 하부 기판 및 상부 기판을 고진공 챔버 내에서 각각의 측벽이 맞붙도록 하여 밀봉시키되, 상기 하부 기판에 형성된 측벽과 상기 상부 기판에 형성된 측벽의 접촉 부분에서 두 측벽의 반응으로 인해 형성된 반응물이 상기 두 측벽을 봉합하도록 하는 것을 특징으로 한다.
도 1(a) 내지 도 1(c)는 종래의 기술에 의한 전계 방출 디스플레이의 패키징 방법을 설명하기 위해 도시한 단면도.
도 2(a) 내지 도 2(d)는 본 발명에 따른 전계 방출 디스플레이의 패키징 방법을 설명하기 위해 도시한 단면도.
도 3(a) 내지 도 3(c)는 본 발명에 따른 전계 방출 디스플레이의 패키징 방법에 대한 또다른 실시 예.
<도면의 주요 부분에 대한 부호 설명>
100, 200 및 300 : 전계 방출 소자 101 : 캐소드 팁
102 : 게이트 전극 110, 210 및 340 : 하부 기판
120, 220 및 330 : 상부 기판 121 : 형광체
122 : 투명 전극 130, 230, 350 및 360 : 측벽
140, 240 : 유리 튜브 150 : 히터
211 : 실리콘층 250, 310 및 320 : 금속 마개
260 및 370 : 실리사이드 270 : 접착제
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.
도 2(a) 내지 도 2(d)는 본 발명에 따른 전계 방출 디스플레이의 패키징 방법을 설명하기 위해 도시한 단면도이다.
도 2(a)에 도시된 것과 같이, 전계 방출 소자(200)가 형성된 하부 기판(210)에 배기용 구멍을 뚫고 표면을 연마한 후, 그 하부면에 실리콘층(211)을 증착한다. 측벽(230)을 이용하여 상부 기판(220)과 평행하게 지지시켜 밀봉한다.
도 2(b)는 금속 마개(250)를 구형으로 만들어 하부 기판(210)의 배기 구멍에 놓고, 임시로 유리 튜브(240)를 붙여 내부가 1×10-7Torr 이하의 진공도를 유지하도록 한 단면도이다. 이 때 금속 마개(250)로 사용되는 금속 재질은 파라듐(Pd), 코발트(Co), 타이타늄(Ti), 플래티늄(Pt), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 탄탈륨(Ta), 니켈(Ni) 및 몰리브데늄(Mo)등이 사용되고, 경우에 따라서 표면에만 금속을 증착시켜 사용할 수도 있다. 또한 마개(250)를 금속이 아닌 실리콘으로 제조할 경우에는 실리콘층(211)을 위와 같은 금속으로 증착하여야 한다. 이는 후속 공정에서 실리콘과 금속의 반응으로 실리사이드가 형성되면서 봉합되도록 하기 위함이다.
도 3(c)에 도시된 것과 같이, 내부의 진공도를 확인한 후, 100 ℃ ∼ 900 ℃의 온도 영역에서 열처리하여 실리콘층(211)과 금속 마개(250)가 반응하여 실리사이드(260)가 형성되도록 한다. 이 때 실리사이드(260)가 형성되면서 봉합이 이루어지도록 한다. 열처리는 전기로나 급속 열처리 장치(rapid thermal annealing)를 이용한다. 진공 봉합이 이루어지면 유리 튜브(240)를 떼어내게 되는데, 위와 같은 공정에 있어서 유리 튜브(240)를 통해 진공을 형성하는 대신 고 진공 챔버 내에서 실리사이드 형성 공정을 진행할 수도 있다.
도 2(d)는 실리사이드(260)의 봉합 강도를 높게 하기 위하여 에폭시(epoxy)나 수지(resin) 등의 접착제(270)를 이용하여 배기용 구멍을 밀봉시킨 단면도이다.
도 3(a) 내지 도 3(c)는 본 발명에 따른 전계 방출 디스플레이의 패키징 방법에 대한 또다른 실시 예로써, 도 3(a) 도면에서는 실리사이드 형성에 의한 봉합 공정에서 디스크형 금속 마개(310)를 이용하였고, 도 3(b) 도면에서는 원추형 금속 마개(320)를 이용하였다.
도 3(c)는 배기용 구멍을 뚫지 않고, 고진공 챔버 내에서 직접 패키징 하는 방법을 도시한 단면도로써, 전계 방출 소자(300)가 형성된 하부 기판(340)과 투명전극 및 형광체가 형성된 상부 기판(350)을 측벽을 사용하여 평행하게 지지하여 밀봉하되, 상부 기판(330)쪽 측벽(350)은 금속을 이용하고, 하부 기판(340)쪽 측벽(360)은 실리콘을 이용하여, 두 측벽을 붙이는 과정에서 실리사이드(370)가 형성되도록 하는 방법을 제시하고 있다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 배기용 구멍에 마개를 사용하여 금속과 실리콘의 반응에 의한 실리사이드화 공정으로 유리 튜브 없는 패키징을 진행하기 때문에 유리 튜브 증기에 의해 진공도가 떨어지는 것을 방지할 수 있을 뿐만 아니라 편판 전계 방출 디스플레이를 제조할 수 있는 탁월한 효과가 있다. 또한 위와 같은 공정을 고진공 챔버 내에서 진행할 경우, 진공을 위한 배기 및 봉합 공정이 동시에 이루어지므로 제작 생산성이 향상되고, 평판 디스플레이의 단가를 낮출 수 있는 효과가 있다.
Claims (12)
- 전계 방출 소자가 형성된 하부 기판의 선택된 영역에 배기용 구멍을 뚫은 후 그 하부면에 실리콘층을 증착하는 단계와,투명전극 및 형광체가 형성된 상부 기판과 상기 하부 기판을 측벽으로 평행하게 지지하여 밀봉하는 단계와,상기 배기용 구멍을 통하여 기판 내부에 진공을 형성한 후, 금속 마개를 상기 배기용 구멍에 위치시키는 단계와,상기 금속 마개와 실리콘층의 반응으로 생성된 실리사이드가 상기 배기용 구멍을 완전히 밀봉할 수 있도록 열처리 공정을 진행한 후, 접착제로 봉합하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이의 패키징 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 금속 마개는 파라듐(Pd), 코발트(Co), 타이타늄(Ti), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 탄탈륨(Ta), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo) 및 플래티늄(Pt) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이의 패키징 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 금속 마개는 구형, 디스크형 및 원추형 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이의 패키징 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 열처리 공정은 100 ℃ 내지 900 ℃ 온도 영역에서 실시되어 실리사이드층이 형성되는 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이의 패키징 방법.
- 전계 방출 소자가 형성된 하부 기판의 선택된 영역에 배기용 구멍을 뚫은 후 그 하부면에 금속층을 증착하는 단계와,투명전극 및 형광체가 형성된 상부 기판과 상기 하부 기판을 측벽으로 평행하게 지지하여 밀봉하는 단계와,상기 배기용 구멍을 통하여 기판 내부에 진공을 형성한 후, 실리콘 마개를 상기 배기용 구멍에 위치시키는 단계와,상기 실리콘 마개와 금속층의 반응으로 생성된 실리사이드가 상기 배기용 구멍을 완전히 밀봉할 수 있도록 열처리 공정을 진행한 후, 접착제로 봉합하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이의 패키징 방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 금속층은 파라듐(Pd), 코발트(Co), 타이타늄(Ti), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 탄탈륨(Ta), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo) 및 플래티늄(Pt) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이의 패키징 방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 실리콘 마개는 구형, 디스크형 및 원추형 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이의 패키징 방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 열처리 공정은 100 ℃ 내지 900 ℃ 온도 영역에서 실시되어 실리사이드층이 형성되는 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이의 패키징 방법.
- 외곽부에는 측벽이 형성되어 있으며 전계 방출 디스플레이를 형성하기 위한 여러 요소가 형성된 하부 기판 및 상부 기판을 고진공 챔버 내에서 각각의 측벽이 맞붙도록 하여 밀봉시키되, 상기 하부 기판에 형성된 측벽과 상기 상부 기판에 형성된 측벽의 접촉 부분에서 두 측벽의 반응으로 인해 형성된 반응물이 상기 두 측벽을 봉합하도록 하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이의 패키징 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 하부 기판에 형성된 측벽은 금속으로 이루어져 있고, 상기 상부 기판에 형성된 측벽은 실리콘으로 이루어진 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이의 패키징 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 금속은 파라듐(Pd), 코발트(Co), 타이타늄(Ti), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 탄탈륨(Ta), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo) 및 플래티늄(Pt) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이의 패키징 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 반응물은 열처리 공정으로 형성된 실리사이드인 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이의 패키징 방법.
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