FR2739490A1 - Procede de mise sous vide et d'etancheification de modules notamment d'affichage par emission de champ, et modules obtenus - Google Patents
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Abstract
La présente invention concerne un procédé pour mettre sous vide et rendre étanche un module. Il comporte les étapes consistant à: former une première plaque (14), former une seconde plaque (12) pour venir en contact complémentaire avec la première plaque, former un anneau d'étanchéité (60) entre les plaques, constitué d'un matériau pouvant couler, former plusieurs saillies compressibles (62) entre les plaques pour séparer les plaques et fournir un trajet d'écoulement pour la mise sous vide d'un espace (18) situé entre la première et la seconde plaque, placer les première et seconde plaques dans une chambre de réaction (64) sous une pression réduite pour mettre sous vide l'espace, et comprimer l'anneau d'étanchéité et les saillies compressibles pour déformer les saillies et former un joint continu autour de l'espace mis sous vide. La présente invention concerne aussi le module obtenu.
Description
La présente invention concerne de manière générale les affichages par émission de champ et en particulier un procédé amélioré pour mettre sous vide et rendre étanche des modules d'affichage par émission de champ.
Des affichages à écran plat ont récemment été développés pour afficher de manière visuelle les informations fournies par des ordinateurs et autres dispositifs électroniques. Ces affichages peuvent être rendus plus légers et nécessitent moins d'énergie que les affichages à tube cathodique habituels. Un premier type d'affichage à écran plat est connu en tant qu'affichage par émission de champ de cathode froide (FED).
Un affichage par émission de champ utilise des émissions d'électrons pour éclairer un écran d'affichage formant cathode luminescente (appelé ci-après "écran plat") et produit une image visuelle. Un élément individuel d'image par émission de champ comporte de manière typique des emplacements émetteurs formés sur une plaque de base. La plaque de base comporte le circuit et les dispositifs qui commandent l'émission d'électrons depuis les emplacements émetteurs. Une structure d'électrode de grille, ou grille, est associée aux emplacements émetteurs. Les emplacements émetteurs et la grille sont reliés électriquement à une source de tension. La source de tension établit un différentiel de tension entre les emplacements émetteurs et la grille et commande l'émission d'électrons à partir des emplacements émetteurs.Les électrons émis passent à travers un espace sous vide et viennent heurter des phosphores situés sur l'écran d'affichage. Les phosphores sont excités à un niveau d'énergie plus élevé et libèrent des photons pour former une image. Dans ce système, l'écran d'affichage est l'anode et les emplacements émetteurs sont la cathode.
Les emplacements émetteurs et l'écran plat sont écartés d'une petite distance pour établir la différence de tension entre eux et pour fournir un espace pour l'écoulement d'un gaz. Afin d'obtenir une résolution, un foyer et une luminosité uniformes au niveau de l'écran plat, il est important que cette distance soit uniforme sur la surface totale de l'écran plat. De plus, afin d'obtenir un fonctionnement fiable de l'affichage pendant l'émission d'électrons depuis les emplacements émetteurs, un vide de l'ordre de 10 6 Torr ou moins est nécessaire.
Le vide est formé dans un espace fermé de manière étanche contenu dans l'affichage par émission de champ.
Dans le passé, les affichages par émission de champ ont été construits sous forme d'un module ayant un joint destiné à assurer l'étanchéité de l'espace existant entre la plaque de base et l'écran plat. De manière typique, un certain type de tube doit être fourni pour mettre cet espace sous vide pendant la construction du module d'affichage par émission de champ. Le tube fournit un conduit pour pomper les gaz vers l'extérieur de l'espace rendu étanche pour former le vide. Après formation du vide, le tube doit aussi être fermé de manière étanche par pincement ou par fixation d'un élément d'étanchéité tel qu'un bouchon.
Un premier problème avec ce type de module à tube est que le tube est une partie permanente de l'ensemble. Le tube nécessite une opération séparée d'étanchéification et un joint séparé. De plus, le tube représente un composant supplémentaire qui peut devenir inapte pendant la durée de vie du module d'affichage par émission de champ. La saillie du tube à partir du corps du module d'affichage est un inconvénient et doit être acceptée pendant la mise en place de l'affichage dans un système, tel qu'un ordinateur portable.
Il serait avantageux qu'un module d'affichage par émission de champ puisse être formé sans tube d'évacuation. Ceci simplifierait le module et éliminerait une source potentielle de panne. Il serait aussi avantageux de pouvoir assurer l'étanchéité du module d'affichage par émission de champ et d'activer un dégazeur au même moment où le vide est formé. Ceci simplifierait le processus de fabrication.
Compte tenu de ce qui précède, c'est un but de la présente invention de fournir un procédé amélioré pour mettre sous vide et rendre étanche des affichages par émission de champ.
C'est un autre but de la présente invention de fournir un module amélioré, sans tube, pour affichage par émission de champ.
C'est encore un autre but de la présente invention de fournir un procédé amélioré pour mettre sous vide et rendre étanche des affichages par émission de champ et un module amélioré d'affichage par émission de champ qui soit d'un faible coût, qui fournisse un joint fiable au vide, et qui soit compatible avec des opérations de fabrication commerciale.
C'est encore un autre but de la présente invention de fournir un procédé amélioré pour assurer l'étanchéité d'un module d'affichage par émission de champ qui permet d'aboutir en une seule opération à coller, mettre sous vide et activer un dégazeur.
C'est un autre but de la présente invention de fournir une technique améliorée d'étanchéification d'affichage par émission de champ et d'autres composants électroniques qui ne reposent pas sur des étanchéités métal sur métal.
C'est encore un autre but de la présente invention de fournir une technique améliorée d'étanchéification d'affichage par émission de champ qui permet que l'alignement de la plaque arrière sur l'écran plat soit obtenu à la pression atmosphérique avant d'assurer l'étanchéité.
C'est encore un autre but de la présente invention de fournir une technique améliorée d'étanchéification qui peut être mise en oeuvre en utilisant des réservoirs habituels de traitement thermique sous vide.
Conformément à la présente invention, on fournit un procédé amélioré pour mettre sous vide et rendre étanche des modules d'affichage par émission de champ et un module amélioré d'affichage par émission de champ. Le module d'affichage par émission de champ, généralement parlant, comporte une plaque arrière (première plaque) une plaque formant couvercle (seconde plaque) et un matériau de dégazage. En utilisant le procédé selon la présente invention, la plaque arrière et la plaque formant couvercle sont fixées l'une à l'autre à l'aide d'un joint périphérique pour former un espace rendu étanche, mis sous vide, à l'intérieur du module. A l'intérieur de cet espace fermé de manière étanche sont montés les constituants d'un affichage par émission de champ.
La mise sous vide de l'espace fermé de manière étanche, et la formation du joint périphérique, sont réalisés dans une chambre de réaction à la pression du vide.
Pour former le joint périphérique, un anneau d'étanchéité constitué d'un matériau pouvant couler, tel qu'une fritte de verre ou de l'indium, est initialement appliqué dans une configuration périphérique sur la plaque arrière (ou la plaque formant couvercle). Un anneau d'étanchéité formé d'une fritte de verre doit aussi être pré-cuit en un état semi-cristallin.
En plus de l'anneau d'étanchéité, des saillies compressibles sont formées entre la plaque arrière et la plaque formant couvercle avant le processus de chauffage et de mise sous vide. Les saillies compressibles peuvent être formées en tant que partie de l'anneau d'étanchéité ou en tant que composant séparé. Pendant le processus de mise sous vide et d'étanchéification, l'intérieur du mo dule est mis sous vide alors que l'anneau d'étanchéité et les saillies compressibles sont comprimés pour former le joint périphérique.
Les saillies compressibles agissent pour initialement écarter la plaque formant couvercle de la plaque arrière afin de fournir une ouverture d'évacuation ou un trajet d'écoulement pour mettre sous vide l'intérieur du module. D'une manière similaire, les saillies compressibles peuvent fournir un trajet d'écoulement inverse pour manipuler la composition de l'atmosphère gazeuse existant dans le module. Par exemple, dans certains cas, un gaz de fond tel que de l'hydrogène peut être placé dans l'espace étanche en utilisant un remplissage de gaz ou un robinet de compensation de gaz.
En même temps que le joint périphérique est mis en forme au niveau de l'interface plaque arrière-plaque formant couvercle, le dégazeur contenu dans le module peut être activé par des températures élevées. Ainsi, le module peut être mis sous vide, le dégazeur peut être activé, et un joint peut être formé dans la même étape de traitement, à partir d'une seule source de chaleur et sans conduit d'échappement. Après que le module ait été rendu étanche, le dégazeur agit pour diminuer encore la pression existant dans le module étanche.
Avant le processus de mise sous vide et d'étanchéification, la plaque arrière et la plaque formant couvercle du module d'affichage sont pré-assemblées avec un ensemble écran plat-plaque de base de l'affichage par émission de champ. De plus, l'anneau d'étanchéité et les saillies compressibles sont formés entre la plaque arrière et la plaque formant couvercle. L'ensemble est ensuite placé dans une chambre de réaction qui est mise sous vide et chauffée pour mettre sous vide le module d'affichage, activer le dégazeur, et assurer l'étanchéité du module d'affichage.
La chambre de réaction peut être un four à tube de quartz ou un réservoir en acier inoxydable. Un gabarit d'alignement lesté aligne les plaques et appuie la plaque formant couvercle contre l'anneau d'étanchéité pendant le processus de mise sous vide et d'étanchéification. En variante, les deux surfaces à rendre étanche peuvent être alignées et pointées l'une par rapport à l'autre avant d'appliquer la force d'un poids ou de serrage nécessaire pour comprimer ultérieurement l'anneau d'étanchéité.
Cette étape peut aussi comporter l'alignement de la plaque arrière et de la plaque formant couvercle en utilisant des techniques d'alignement optique ou mécanique mises en oeuvre à la température d'une pièce et sous pression atmosphérique.
Pour un anneau d'étanchéité constitué d'un matériau de fritte, le traitement d'évacuation et d'étanchéification est de préférence mis en oeuvre en étages sur plusieurs heures. Initialement, le module est placé dans la chambre de réaction et un vide élevé est créé dans la chambre de réaction en utilisant des pompes à vide (par exemple 4,7 > < x 10 7 Torr).En même temps, la chambre de réaction est initialement maintenue à une température relativement faible qui est bien en dessous du point d'écoulement de la fritte de verre (par exemple 1000C à 1500C). Le module est maintenu plongé à cette température et cette pression pendant une période (par exemple 1 à 2 heures) suffisante pour atteindre l'équilibre et chasser l'eau et les autres contaminants provenant du tube de quartz et du module via le trajet d'écoulement fourni par les saillies compressibles. La température est alors augmentée (par exemple entre 210 C et 310 C) et maintenue pendant une autre période relativement longue pour égaliser la température, chasser les contaminants et permettre que la zone intérieure du module et le four récupèrent leur vide.A cet étage, la température est encore bien en dessous du point d'écoulement de la fritte (pour un anneau d'étanchéité en fritte) mais le dégazeur commence à être activé.
La température est ensuite augmentée jusqu'à une température à laquelle la fritte libère un agent de mélange ajouté pour constituer une pâte visqueuse (par exemple 325"C à 4000C). Le module est maintenu à cette température pendant plusieurs heures et le dégazeur devient encore plus activé. La température est ensuite augmentée jusqu'au-dessus de la température d'écoulement du matériau de la fritte (par exemple au-dessus de 400"C). A cette température, les saillies compressibles et l'anneau d'étanchéité en fritte s'écoulent sous le poids du gabarit d'alignement et forment un joint périphérique continu. De plus, le dégazeur est maintenant plus complètement activé et pompe la zone intérieure du module qui a maintenant été rendu étanche.La température est ensuite redescendue pendant plusieurs heures encore en diminuant la pression dans le module étanche. La pression finale dans le module peut être de l'ordre de 4,0 x 10 7 Torr.
Dans le mode préféré de réalisation, les saillies compressibles sont réalisées du même matériau que l'anneau d'étanchéité et sont placées immédiatement surjacentes aux anneaux d'étanchéité. Cette configuration simplifie le processus de fabrication. Cependant, les saillies compressibles peuvent aussi être formées en direction d'un côté de l'anneau d'étanchéité ou sous-jacentes à l'anneau d'étanchéité. De plus, les saillies compressibles peuvent être formées d'une composition différente de celle de l'anneau d'étanchéité pour autant qu'elles soient thermochimiquement compressibles.
Dans un mode de réalisation en variante, un anneau d'étanchéité en fritte, et des saillies compressibles sont utilisés pour former un joint direct entre une écran plat de l'affichage par émission de champ et une plaque arrière du module. Dans ce cas, aucune plaque formant couvercle n'est utilisée pour le module. Dans encore un autre mode de réalisation en variante, le module est formé par l'écran plat et la plaque de base de l'affichage par émission de champ. Dans ce cas, les saillies compressibles et l'anneau d'étanchéité sont utilisés pour former un joint direct depuis l'écran plat vers la plaque de base et on n'utilise aucune plaque formant couvercle ni plaque arrière.
On va maintenant décrire la présente invention, à titre d'exemple uniquement, en référence aux dessins annexés sur lesquels
- la figure 1 est une vue schématique en coupe d'un module d'affichage par émission de champ construit selon le procédé de la présente invention,
- la figure 1A est une vue schématique en coupe d'un mode de réalisation en variante de module d'affichage par émission de champ dans lequel on n'utilise aucune plaque formant couvercle et un joint direct est formé entre l'écran plat et la plaque arrière,
- la figure 1B est une vue schématique en coupe d'un autre mode de réalisation en variante de module d'affichage par émission de champ dans lequel on n'utilise ni plaque formant couvercle ni plaque arrière et un joint direct est formé entre l'écran plat et la plaque de base,
- la figure 2 est une vue schématique en coupe à plus grande échelle d'un segment d'affichage par émission de champ du module d'affichage par émission de champ de la figure 1,
- les figures 3A à 3C sont des vues latérales schématiques, des parties étant enlevées, représentant la formation d'un joint pendant un processus de mise sous vide et d'étanchéification de la présente invention, et
- la figure 4 est un graphique qui reporte la pression en Torr existant dans la chambre de réaction et la température en "C en fonction du temps en heures pendant le processus de mise sous vide, d'étanchéification et d'activation du dégazeur selon la présente invention.
- la figure 1 est une vue schématique en coupe d'un module d'affichage par émission de champ construit selon le procédé de la présente invention,
- la figure 1A est une vue schématique en coupe d'un mode de réalisation en variante de module d'affichage par émission de champ dans lequel on n'utilise aucune plaque formant couvercle et un joint direct est formé entre l'écran plat et la plaque arrière,
- la figure 1B est une vue schématique en coupe d'un autre mode de réalisation en variante de module d'affichage par émission de champ dans lequel on n'utilise ni plaque formant couvercle ni plaque arrière et un joint direct est formé entre l'écran plat et la plaque de base,
- la figure 2 est une vue schématique en coupe à plus grande échelle d'un segment d'affichage par émission de champ du module d'affichage par émission de champ de la figure 1,
- les figures 3A à 3C sont des vues latérales schématiques, des parties étant enlevées, représentant la formation d'un joint pendant un processus de mise sous vide et d'étanchéification de la présente invention, et
- la figure 4 est un graphique qui reporte la pression en Torr existant dans la chambre de réaction et la température en "C en fonction du temps en heures pendant le processus de mise sous vide, d'étanchéification et d'activation du dégazeur selon la présente invention.
En se reportant maintenant à la figure 1, le procédé selon la présente invention est représenté dans la fabrication d'un module 10 d'affichage par émission de champ. La figure 1 représente le module 10 d'affichage par émission de champ pendant le processus de fabrication. Le module 10 d'affichage par émission de champ comporte : une plaque transparente formant couvercle 12, une plaque arrière 14, et un ensemble 16 écran plat-plaque de base d'émission de champ, monté sur la plaque arrière 14.
L'ensemble 16 écran plat-plaque de base d'émission de champ est monté dans un espace 18 fermé de manière étanche, mis sous vide, formé à l'intérieur du module 10.
L'ensemble 16 écran plat-plaque de base d'émission de champ comporte une plaque de base 22 et un écran d'affichage 26.
En se reportant à la figure 2, une vue à plus grande échelle d'un segment d'affichage 20 de l'ensemble 16 écran plat-plaque de base est représenté. Chaque segment d'affichage 20 est capable d'afficher un pixel d'une image (ou une partie d'un pixel). La plaque de base 22 comporte un substrat 32 constitué d'un matériau tel que du silicium monocristallin ou en variante du silicium amorphe déposé sur un substrat de verre. Plusieurs emplacements émetteurs de champ 28 sont formés surjacents au substrat 32. Une grille 24 entoure les emplacements émetteurs 28 et est isolée électriquement et écartée du substrat 32 par une couche isolante 30.
Une source 34 est reliée électriquement aux emplacements émetteurs 28, à la grille 24 et à l'écran d'affichage 26. L'écran d'affichage 26 est séparé de la plaque de base 22 par des écarteurs 40 (voir figure 1).
Lorsqu'un différentiel de tension est appliqué par la source 34, un flux d'électrons 36 est émis par les emplacements émetteurs 28 en direction de l'écran d'affichage 26. Dans ce système, l'écran d'affichage 26 constitue l'anode et les emplacements émetteurs 28 constituent la cathode. Les électrons 36 émis par les emplacements émetteurs 28 viennent heurter des phosphores 38 de l'écran d'affichage 26. Ceux-ci excitent les phosphores 38 jusqu'à un niveau d'énergie plus élevé. Des photons sont libérés lorsque les phosphores 38 reviennent à leur niveau d'énergie d'origine.
Le brevet US n" 5 302 238 au nom de Roe et autres, le brevet US nO 5 210 472 au nom de Casper et autres, le brevet US n" 5 232 549 au nom de Cathey et autres, le brevet US n" 5 205 770 au nom de Lowrey et autres, le brevet US n" 5 186 670 au nom de Doan et autres, et le brevet US n" 5 229 331 au nom de Doan et autres, décrivent des procédés pour former des affichages par émission de champ.
En revenant à nouveau à la figure 1, la plaque arrière 14 comporte une cavité 42 dans laquelle est montée la plaque de base 22 de l'ensemble 16 écran platplaque de base. La plaque de base 22 comporte divers dispositifs et circuits électriques qui commandent le fonctionnement de l'ensemble 16 écran plat-plaque de base. La plaque de base 22 est montée dans la cavité 42 sur des tiges d'écartement 54 formées d'une céramique ou de quartz. Les tiges d'écartement 54 séparent la plaque de base 22 de la plaque arrière 14 de sorte que le vide se forme en définitive de chaque côté de la plaque de base 22. Le montage de la plaque de base 22 entre la plaque formant couvercle 12 et la plaque arrière 14 élimine la nécessité d'une étanchéité silicium sur verre lorsqu'on utilise une plaque de base en silicium.De plus, avec cet agencement, la plaque de base 22 n'est pas soumise à une pression différentielle. En outre, cet agencement fournit une structure rigide pour résister à la déformation provenant des charges imposées par la pression atmosphérique.
La plaque arrière 14 comporte aussi une plaquette de fixation 44 dans laquelle des plots de contact 46 sont montés. La plaquette de fixation 44 est formée dans une gorge 52 formée dans la plaque arrière 14. Les plots de contact 46 sont reliés électriquement à des connecteurs extérieurs 50 formés sur l'extérieur de la plaque arrière 14. Les connecteurs extérieurs 50 sont formés sous forme d'un réseau de broches en grille et sont adaptés pour une connexion électrique avec un ensemble formant douille complémentaire (non-représentée) dans lequel le module 10 sera en définitive monté.
Des fils 48 sont fixés sur les plots de contact 46 et à des points de connexion correspondants (non-représentés) de la plaque de base 22. Ceci établit un trajet de circuit électrique depuis le monde extérieur à travers les connecteurs extérieurs 50, à travers les plots de contact 46, à travers les fils 48 et vers les circuits électriques formés sur la plaque de base 22. De plus, une connexion haute tension (non-représentée) est réalisée entre l'écran d'affichage 26 et un patin conducteur qui chemine à travers la paroi latérale de la plaque arrière 14 vers l'extérieur de l'espace rendu étanche 18.
De manière avantageuse, toutes les connexions électriques extérieures avec la plaque de base 22 sont effectuées par l'intermédiaire des connecteurs extérieurs 50 formés dans la plaque arrière 14. Dans le mode de réalisation représenté, la plaque arrière 14 est un bloc multicouche formé d'une matière de céramique stratifiée flammée telle qu'une mullite. De la mullite en feuille et selon des formes telles que la plaque arrière 14 de la figure 1 est disponible commercialement auprès de Kyocera. La plaque arrière 14 peut être formée en utilisant des traitements de stratification de céramique à haute température qui sont connus de la technique. Avec un tel traitement des feuilles brutes de céramique brute souple non-frittée sont découpées aux dimensions. Ensuite, des trous et d'autres caractéristiques internes requises sont poinçonnés à travers les feuilles brutes.Ensuite, les trous sont soit remplis soit revêtus d'un matériau conducteur (par exemple une pâte de tungstène) pour assurer une connexion entre niveaux, entre les différentes couches stratifiées de la plaque arrière 14. Par la suite, un traitement d'impression d'écran est utilisé pour imprimer une configuration métallisée constituée de lignes conductrices (ou de plans conducteurs) sur des surfaces choisies de la feuille brute. Dans ce cas, les lignes conductrices assurent un trajet conducteur entre les connecteurs extérieurs 50 et les plots de contact 46. Plusieurs feuilles brutes sont formées comme nécessaire puis empilées dans la séquence requise et fixées ensemble. Les différentes feuilles brutes sont alors frittées à une température élevée (15000C à 16000C) dans une atmosphère réductrice. Ceci est suivi par un traitement de placage pour former les plots de contact 46 et d'autres pistes conductrices comme nécessaire, à l'aide d'un métal adapté. Le traitement de placage peut comporter un dépôt électrolytique ou un dépôt sans électricité suivi par un revêtement résistant, une exposition, un développement, et une gravure chimique humide sélective. Par la suite, des opérations de découpe et de poinçonnage sont réalisées pour délimiter les dimensions périphériques de la plaque arrière 14.
Vue de dessus, la plaque arrière 14 du module 10 a une configuration périphérique extérieure de manière générale rectangulaire. La plaque formant couvercle 12 a une configuration complémentaire et est constituée de verre transparent, tel que du verre Corning 7059.
Avant le processus d'évacuation et d'étanchéification, la plaque arrière 14 et l'ensemble 16 écran plat-plaque de base sont assemblées et câblées sous forme d'un sous-ensemble. De plus, un matériau de dégazage 56 est monté dans l'espace 18 entre la plaque formant couvercle 12 et la plaque arrière 14. Le matériau de dégazage 56 peut avoir la forme d'une bande de feuille métallique, telle que de l'aluminium ou de l'acier, qui est revêtue d'une composition de dégazage. La composition de dégazage peut de manière typique être un alliage à base de titane qui agit pour piéger des molécules gazeuses et réagir avec celles-ci. Des particules métalliques déposées sur une feuille de métal, qui réagissent lorsqu'elles sont chauffées, sont commercialement disponibles. Un produit adapté est commercialisé par SAES et est indiqué par "type ST-707 getter strip".Le matériau de dégazage 56 agit pour diminuer la pression à l'intérieur de l'espace étanche 18 pendant le processus d'étanchéification et de mise sous vide, et sur toute la durée de vie du module 10 d'affichage.
Le matériau de dégazage 56 est mis sous la forme d'un élément formant ressort incurvé et sert dans le but de retenir l'ensemble 16 écran plat-plaque de base à l'intérieur de la cavité de la plaque arrière 14. En tant que tel, le matériau de dégazage 56 est monté sur une lèvre (non-représentée) formée dans la plaque arrière 14 et est adapté pour appuyer contre l'écran d'affichage 26 de l'affichage par émission de champ. Le matériau de dégazage 56 peut avoir la forme de deux bandes relativement minces de matériau (par exemple, 0,31 cm ou 1/8 pouce) montées le long des bords extérieurs de l'écran d'affichage 26. Dans le mode de réalisation représenté, une connexion haute tension à l'écran d'affichage 26 peut être formée par un élément formant ressort ayant une forme similaire au matériau de dégazage 56.
Pendant le processus de mise sous vide et d'étanchéification, un joint périphérique 58 (voir figure 3C) est formé sur une surface intérieure de la plaque formant couvercle 12 et une surface intérieure de la plaque arrière 14. En même temps, l'espace étanche 18 est formé et mis sous vide et le matériau de dégazage 56 est activé. La plaque formant couvercle 12, la plaque arrière 14, et le joint périphérique 58 forment l'espace étanche 18. Le joint périphérique 58 vu du dessus a une configuration périphérique ayant une forme de manière générale rectangulaire.
Dans le mode de réalisation représenté, le joint périphérique 58 est formé par application d'une pâte formant fritte sur la surface intérieure de la plaque arrière 14 et ensuite en pré-cuisant la pâte pour former un anneau d'étanchéité en fritte 60. A titre d'exemple, une pâte visqueuse formant fritte peut être appliquée et ensuite pré-cuite à une température entre 2000C et 4000C. Le but de l'étape de pré-cuisson est de chauffer l'anneau d'étanchéité en fritte 60 jusqu'à une température à laquelle le matériau de fritte est dans un état semi-cristallin ou partiellement durci. En général, celle-ci est une température située juste en dessous de celle dans laquelle une prénucléation de la fritte commence à apparaître.
L'anneau d'étanchéité en fritte 60 peut être formé d'un matériau de fritte de verre tel que LS-0104 qui est commercialement disponible auprès de Nippon Electric Glass America, Inc. Le matériau de fritte de verre peut être soit une fritte vitreuse soit une fritte de dévitrification. Tels qu'utilisés ici, les termes vitrifié, vitrification et cuisson indiquent le processus de conversion d'une matière silicieuse en une forme vitreuse amorphe par fusion ou écoulement, puis refroidissement.
De préférence, le matériau de fritte de verre pour l'anneau d'étanchéité en fritte 60 a un coefficient de dilatation thermique qui correspond étroitement à celui de la plaque formant couvercle 12 et de la plaque arrière 14.
L'anneau d'étanchéité en fritte 60 peut être appliqué sous forme d'une pâte visqueuse en utilisant un pochoir adapté (non-représenté) ou appliqué sous forme d'un cordon à partir d'une buse de distribution. La pâte peut être formée en combinant le matériau de fritte de verre avec un solvant tel que de l'essence de pin.
L'anneau d'étanchéité en fritte 60 comporte aussi des saillies qui sont appelées ici saillies compressibles 62. Les saillies compressibles 62 sont formées au niveau des coins périphériques de l'anneau d'étanchéité en fritte 60 ayant une forme de manière générale rectangulaire. Les saillies compressibles 62 sont des zones ayant une hauteur ou une épaisseur accrue et sont de préférence constituées du même matériau que le reste de l'anneau d'étanchéité en fritte 60. Les saillies compressibles 62 sont adaptées pour séparer initialement la plaque formant couvercle 12 de l'anneau d'étanchéité en fritte 60 et fournir un trajet d'écoulement pendant le processus de mise sous vide et d'étanchéification.
Pour l'anneau d'étanchéité en fritte 60, le processus de mise sous vide et d'étanchéification est exécuté dans une chambre de réaction chauffée 64 dans une atmosphère sous vide. A titre d'exemple, la chambre de réaction 64 peut être située dans un tube revêtu de quartz similaire à celui d'un four de diffusion utilisé dans la fabrication de semi-conducteurs. En général, les fours de diffusion sont utilisés pour diffuser des dopants à l'intérieur d'un substrat semi-conducteur, à des températures élevées et des pressions réduites. Un four de dépôt sous forme de vapeur chimique à faible pression peut aussi être utilisé. Un tel four est aussi utilisé dans la fabrication de semi-conducteurs pour déposer divers matériaux à des températures élevées et des pressions réduites.Ces types de four peuvent être chauffés jusqu'à des températures plus grandes que la température requise pour faire écouler le matériau de fritte de verre (par exemple entre 100"C et 6000C). De plus, ces types de four peuvent être mis sous vide en utilisant des pompes adaptées, jusqu'à une pression inférieure à 10 7 Torr. La chambre de réaction 64 peut aussi être constituée sous forme d'un réservoir en acier inoxydable.
Comme représenté sur la figure 1, la chambre de réaction 64 est en communication hydraulique avec un conduit 74 muni d'une vanne et une pompe à vide 72. Une ligne de purge 76 munie d'une vanne permet que divers gaz soient purgés de la chambre de réaction 64. Un pressostat 78 mesure la pression existant dans la chambre de réaction 64. De plus, une source de chauffage 80 est associée de manière opérationnelle à la chambre de réaction 64 pour chauffer la chambre jusqu'à des températures élevées.
Un support de pièce 70 en quartz est utilisé pour supporter le module 10 dans la chambre de réaction 64. De plus, un gabarit d'alignement lesté 66 peut être placé sur la plaque formant couvercle 12 pour fournir la force mécanique (F) nécessaire à la formation du joint périphérique 58. De plus, le gabarit d'alignement 66 est adapté pour maintenir l'alignement de la plaque formant couvercle 12 par rapport à la plaque arrière 14. En variante, la plaque formant couvercle 12 et la plaque arrière 14 peuvent être alignées l'une par rapport à l'autre avant d'appliquer la force requise pour comprimer l'anneau d'étanchéité en fritte 60 et les saillies compressibles 62.
Le processus de mise sous vide et d'étanchéification est représenté schématiquement sur les figures 3A à 3C. Initialement, comme représenté sur la figure 3A, l'anneau d'étanchéité en fritte 60 et les saillies compressibles 62 sont dans l'état semi-cristallin ou partiellement durcis. Au niveau de cet étage du processus, les saillies compressibles 62 supportent la plaque formant couvercle 12 de sorte que des ouvertures de mise sous vide 68 sont formées entre celles-ci. Les ouvertures de mise sous vide 68 s'étendent à travers la longueur et la largeur de l'anneau d'étanchéité en fritte de forme rectangulaire 60. De plus, les ouvertures de l'anneau d'étanchéité en fritte ont une hauteur "H" déterminée par la hauteur des saillies compressibles 62. A titre d'exemple et non pas de limitation, les saillies compressibles ont une hauteur "H" qui est de l'ordre d'environ 0,254 mm (0,01 pouce).L'écartement entre les saillies compressibles 62 est fonction des dimensions globales (c'est-àdire la longueur et la largeur) de l'affichage par émission de champ 10. A titre d'exemple et non pas de limitation, cet écartement est de l'ordre d'approximativement 2,54 cm (1 pouce). La plaque formant couvercle et la plaque arrière 14 sont placées dans la chambre de réaction 64 du four, l'anneau d'étanchéité en fritte 60 étant initialement configuré comme représenté sur la figure 3A pour former des ouvertures de mise sous vide 68 et un trajet d'écoulement pour mise sous vide. Le processus de mise sous vide et d'étanchéification est ensuite initialisé pour mettre sous vide le module 10 et chauffer l'anneau d'étanchéité en fritte 60 et les saillies compressibles 62 pour former le joint périphérique 58.Lorsque la plaque formant couvercle 12 et la plaque arrière 14 sont placées dans la chambre de réaction 64, la chambre de réaction 64 est mise sous vide à partir de la pression atmosphérique jusqu'à une pression négative qui est de l'ordre de 10 7 atmosphères ou moins. La température dans la chambre de réaction 64 est augmentée de la température ambiante jusqu'à une température suffisante pour faire s'écouler l'anneau d'étanchéité en fritte 60 et les saillies compressibles 62 pour former le joint périphérique 58.
Le processus de mise sous vide et d'étanchéification est de préférence réalisé par étages, dans lesquels la chambre de réaction 64 est initialement vidée par pompage jusqu'à une pression négative et ensuite monte graduellement jusqu'à une température prédéterminée. Les commandes du four sont configurées pour aboutir à une température et une pression prédéterminées dans la chambre de réaction 64.
Initialement, les ouvertures de mise sous vide 68 formées par les saillies compressibles 62 permettent un trajet d'écoulement pour mettre sous vide l'intérieur du module 10 d'affichage par émission de champ. Lorsque le processus de mise sous vide et d'étanchéification se poursuit, cependant, et comme représenté sur la figure 3B, les ouvertures de mise sous vide 68 commencent à se fermer lorsque l'anneau d'étanchéité en fritte 60 et les saillies compressibles 62 se ramollissent et se réunissent.
A la fin du processus de mise sous vide et d'étanchéification, et comme représenté sur la figure 3C, l'anneau d'étanchéité en fritte 60 et les saillies compressibles 62 sont fondus et mélangés pour former le joint périphérique 58. A ce moment, l'ouverture de mise sous vide 68 est entièrement fermée de manière étanche.
Le matériau de dégazage 56 a aussi été activé par les températures élevées et poursuit le pompage des gaz et des vapeurs à partir de l'espace étanche 18.
En variante, au lieu de former l'anneau d'étanchéité à partir d'un matériau de fritte, un anneau d'étanchéité pratiquement équivalent peut être formé d'indium. Dans ce mode de réalisation, l'indium peut être appliqué dans une forme préformée telle qu'une boucle fermée constituée d'un fil d'indium. En variante, une technique de soudure ou une technique mécanique utilisant une spatule ou un autre outil peuvent être utilisées pour former un anneau d'étanchéité à partir d'indium. De plus, un anneau d'étanchéité formé d'indium n'a pas besoin d'être chauffé par la suite du fait que le joint peut être formé simplement en utilisant une compression. Cependant, dans ce mode de réalisation une étape ultérieure de chauffage peut être nécessaire pour activer le dégazeur.
On va maintenant décrire un exemple de mise en oeuvre de la présente invention.
L'exemple qui suit concerne un anneau d'étanchéité et des saillies compressibles formés d'un matériau de fritte. Le processus de mise sous vide et d'étanchéification est de préférence mis en oeuvre par étapes dans lesquelles la température est montée et ensuite maintenue pendant plusieurs heures. La figure 4 représente un tel processus par rampe. De plus, le Tableau 1 établit la liste des paramètres de temps de traitement, de temps de maintien, de type d'étape, de température et de pression pour un processus donné en exemple.
TABLEAU 1
TEMPS MAIN- TYPE D'ETAPE TEMP. PRESSION
DE TIEN EN EN OC DANS LA
TRAITE- HEURES CHAMBRE DE
MENT EN REACTION EN
HEURES TORR
0 O DEBUT DE PROGRAMME 125 1,0 x
2 2 MAINTENIR A TEMP. 125 4,7 x 10
2,5 0,5 MONTER LA TEMP. 260 1,8 x 10 6
4,5 2 MAINTENIR A TEMP. 260 7,5 x
5 0,5 MONTER LA TEMP. 375 4,5 x 10 6
8 3 MAINTENIR A TEMP. 375 1,0 x 10
8,25 0,25 MONTER LA TEMP. 425 1,8 x 10
9,25 1 MAINTENIR A TEMP. 425 9,5 x
9,5 0,25 MONTER LA TEMP. 395 7,5 x
11,5 2 MAINTENIR A TEMP. 395 5,0 x
13,5 2 MONTER LA TEMP. 125 4,0 x 10
13,5 2 FIN DU PROGRAMME 125 4,0 x
Un bref synopsis de ce processus est comme suit.Initialement, la chambre de réaction 64 est au ralenti à une température de 125"C. La chambre de réaction 64 est ouverte à l'atmosphère après avoir été séparée de la source de vide. Les modules 10 sont chargés dans la chambre de réaction 64 et la chambre est mise sous vide jusqu'à une pression de l'ordre de 4,7 x 10 7. Les modu- les 10 sont maintenus à une température de 125"C pendant deux heures alors que les modules 10 et la chambre de réaction 64 sont dégazés et atteignent l'équilibre. Le composant principal du dégazage pendant cette période est l'eau.
TEMPS MAIN- TYPE D'ETAPE TEMP. PRESSION
DE TIEN EN EN OC DANS LA
TRAITE- HEURES CHAMBRE DE
MENT EN REACTION EN
HEURES TORR
0 O DEBUT DE PROGRAMME 125 1,0 x
2 2 MAINTENIR A TEMP. 125 4,7 x 10
2,5 0,5 MONTER LA TEMP. 260 1,8 x 10 6
4,5 2 MAINTENIR A TEMP. 260 7,5 x
5 0,5 MONTER LA TEMP. 375 4,5 x 10 6
8 3 MAINTENIR A TEMP. 375 1,0 x 10
8,25 0,25 MONTER LA TEMP. 425 1,8 x 10
9,25 1 MAINTENIR A TEMP. 425 9,5 x
9,5 0,25 MONTER LA TEMP. 395 7,5 x
11,5 2 MAINTENIR A TEMP. 395 5,0 x
13,5 2 MONTER LA TEMP. 125 4,0 x 10
13,5 2 FIN DU PROGRAMME 125 4,0 x
Un bref synopsis de ce processus est comme suit.Initialement, la chambre de réaction 64 est au ralenti à une température de 125"C. La chambre de réaction 64 est ouverte à l'atmosphère après avoir été séparée de la source de vide. Les modules 10 sont chargés dans la chambre de réaction 64 et la chambre est mise sous vide jusqu'à une pression de l'ordre de 4,7 x 10 7. Les modu- les 10 sont maintenus à une température de 125"C pendant deux heures alors que les modules 10 et la chambre de réaction 64 sont dégazés et atteignent l'équilibre. Le composant principal du dégazage pendant cette période est l'eau.
La température est ensuite incrémentée pendant une demi-heure à 375"C, ce qui est suivi d'un maintien de trois heures. Ceci permet aux agents de mélange, tels que l'essence de pin, ajoutés pour former l'anneau d'étanchéité en fritte 60 et les saillies compressibles 62 sous forme d'une pâte visqueuse, d'être fortement dégazés. De plus, les modules 10 et la chambre de réaction 64 peuvent être égalisés en température et la zone intérieure du module et la chambre de réaction récupèrent leur vide. A ce moment, le matériau de dégazage 56 devient activé.
La température est ensuite élevée à 4250C et maintenue pendant une heure. Ceci est la température à laquelle les saillies compressibles 62 et l'anneau d'étanchéité en fritte 60 commencent à se ramollir et à s'écouler. De plus, les saillies compressibles 62 et l'anneau d'étanchéité en fritte 60 sont extrudés ou s'écoulent du fait de la force F exercée par le gabarit d'alignement lesté 66. Le matériau de dégazage 56 est activé de manière plus forte à cette température élevée et continue de pomper le module lorsque l'espace étanche 18 est forme.
La température est ensuite diminuée à 3950C et maintenue constante pendant deux heures. Ceci permet au matériau de dégazage 56 d'enlever de manière efficace les gaz et les vapeurs de l'espace étanche 18. La température est ensuite diminuée jusqu'à 125"C et maintenue pendant environ deux heures. La chambre de réaction 64 est ventilée à l'atmosphère et les modules 10 sont enlevés de la chambre de réaction 64.
Le procédé selon la présente invention permet aux modules 10 d'affichage par émission de champ d'être formés sans tube de mise sous vide du fait que la mise sous vide et la formation du joint sont traitées pratiquement en même temps.
En se reportant maintenant aux figures 1A et 1B, deux modes de réalisation en variante de la présente invention sont représentés. Sur la figure 1A, un module 10A d'affichage par émission de champ comporte une plaque de base 22A et un écran d'affichage 26A équivalent aux constituants précédemment décrits. Dans ce mode de réalisation, cependant, il n'existe pas de plaque formant couvercle 12 ni de plaque arrière 14. L'anneau d'étanchéité en fritte 60A et les saillies compressibles 62A sont utilisés pour former un joint direct entre la plaque de base 22A et l'écran d'affichage 26A, pratiquement comme décrit précédemment.
Sur la figure 1B, un module 10B d'affichage par émission de champ comporte une plaque arrière 14B équivalente à la plaque arrière précédemment décrite, mais pas de plaque formant couvercle 12. L'anneau d'étanchéité en fritte 60B et les saillies compressibles 62B sont utilisés pour former un joint direct entre la plaque arrière 14B et l'écran d'affichage 26B.
Bien que la présente invention ait été décrite en référence à certains modes préférés de réalisation, comme cela sera évident à l'homme du métier, certains changements et certaines modifications peuvent être faits sans sortir de la portée de la présente invention, telle que définie par les revendications annexées.
Claims (45)
1. Procédé pour mettre sous vide et rendre étanche un module, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes consistant à
former une première plaque (14),
former une seconde plaque (12) destinée à venir en contact complémentaire avec la première plaque,
former un anneau d'étanchéité (60) entre la première plaque et la seconde plaque, constitué d'un matériau pouvant couler,
former plusieurs saillies compressibles (62) entre la première et la seconde plaque pour séparer les plaques et fournir un trajet d'écoulement pour la mise sous vide d'un espace (18) situé entre la première et la seconde plaque,
placer les première et seconde plaques dans une chambre de réaction (64) sous une pression réduite pour mettre sous vide l'espace, et
comprimer l'anneau d'étanchéité et les saillies compressibles pour déformer les saillies et former un joint continu (58) autour de l'espace mis sous vide.
2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'anneau d'étanchéité (60) et les saillies compressibles (62) sont formés d'une fritte de verre, ledit procédé comportant en outre l'étape consistant à chauffer l'anneau d'étanchéité et les saillies compressibles pendant l'étape de compression.
3. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'il comporte l'étape consistant à pré-cuire l'anneau d'étanchéité (60) et les saillies compressibles (62) avant l'étape de compression.
4. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que du matériau de dégazage (56) est contenu dans l'espace et l'étape de chauffage active le matériau de dégazage.
5. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que la chambre de réaction est chauffée à une première température située au-dessous du point d'écoulement des saillies et maintenue sur une première période de temps et ensuite à une seconde température située au niveau du point d'écoulement ou au-dessus du point d'écoulement des saillies et maintenue sur une seconde période de temps.
6. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'anneau d'étanchéité est constitué d'un matériau de fritte de verre déposé sur la première plaque ou la seconde plaque sous forme d'une pâte visqueuse qui est ensuite pré-cuite.
7. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que les saillies compressibles sont formées d'une fritte de verre déposée sur la première ou la seconde plaque sous forme d'une pâte visqueuse qui est ensuite pré-cuite.
8. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'anneau d'étanchéité est formé d'indium.
9. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que les saillies compressibles sont formées d'indium.
10. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'anneau d'étanchéité et les saillies compressibles sont formés d'indium.
11. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que les saillies compressibles sont formées sur l'anneau d'étanchéité.
12. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que les constituants d'un affichage par émission de champ sont montés sur la première ou la seconde plaque.
13. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la première et la seconde plaque sont formées d'un matériau choisi parmi le groupe constitué de céramique et de verre.
14. Procédé selon la revendication 1, caractérisé de plus en ce qu'il comporte l'étape consistant à manipuler une composition de gaz dans l'espace en utilisant le trajet d'écoulement fourni par les saillies compressibles.
15. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la première et la seconde plaque sont alignées sous pression atmosphérique avant d'être placées dans la chambre de réaction.
16. Module caractérisé en ce qu'il est produit par le procédé selon la revendication 1.
17. Procédé pour mettre sous vide et rendre étanche un module d'affichage par émission de champ, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes consistant à
former une première plaque (14),
former une seconde plaque (12) destinée à venir en contact complémentaire avec la première plaque,
monter des constituants d'émission de champ (16) sur la première ou la seconde plaque,
former un anneau d'étanchéité (60) entre la première plaque et la seconde plaque,
former plusieurs saillies (62) entre la première et la seconde plaque pour séparer la première plaque et la seconde plaque et fournir un trajet d'écoulement pour la mise sous vide d'un espace (18) existant entre les plaques,
placer la première et la seconde plaque dans une chambre de réaction (64),
réduire la pression existant dans la chambre de réaction pour mettre l'espace sous vide, et
déformer les saillies pour former un joint périphérique (58).
18. Procédé selon la revendication 17, caractérisé en ce que la déformation des saillies est effectuée par compression.
19. Procédé selon la revendication 17, caractérisé en ce que la déformation des saillies est effectuée par chauffage.
20. Procédé selon la revendication 17, caractérisé en ce que la déformation des saillies est effectuée par compression et chauffage.
21. Procédé selon la revendication 17, caractérisé en ce que l'anneau d'étanchéité et les saillies sont formés d'une fritte de verre déposée initialement sur l'une des plaques sous forme d'une pâte visqueuse et ensuite pré-cuite.
22. Procédé selon la revendication 17, caractérisé en ce que l'anneau d'étanchéité et les saillies sont constitués d'indium.
23. Procédé selon la revendication 1 caractérisé en ce qu'il comporte de plus le montage d'un matériau de dégazage (56) sur l'une des plaques et l'activation du matériau de dégazage par chauffage de la chambre de réaction.
24. Procédé selon la revendication 17, caractérisé en ce que la chambre de réaction est mise sous vide à une pression faible et la température de la chambre de réaction est augmentée par étapes.
25. Procédé selon la revendication 17, caractérisé en ce que la pression est comprise entre environ 1,0 x 10 5 et 4,0 x 10 Torr.
26. Procédé selon la revendication 17, caractérisé en ce que les constituants d'émission de champ (16) comportent une plaque de base (22) ayant des emplacements émetteurs de champ (28) formés sur celle-ci.
27. Module caractérisé en ce qu'il est produit par le procédé selon la revendication 26.
28. Procédé selon la revendication 17, caractérisé en ce que l'anneau d'étanchéité et les saillies compressibles sont formés d'une fritte de verre et la chambre de réaction est chauffée à une première température située au-dessous du point d'écoulement de l'anneau d'étanchéité et maintenue sur une première période de temps et ensuite à une seconde température située au niveau du point d'écoulement ou au-dessus du point d'écoulement de l'anneau d'étanchéité et maintenue sur une seconde période de temps.
29. Procédé selon la revendication 17, caractérisé en ce que la première et la seconde plaque sont alignées à la pression atmosphérique avant d'être mises en place dans la chambre de réaction.
30. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que les constituants (16) de l'affichage par émission de champ comportent une plaque de base (22) et un écran plat (26) assemblés sous forme d'un ensemble et montés sur la première ou la seconde plaque.
31. Procédé selon la revendication 17, caractérisé en ce que la première plaque est une plaque de base destinée à un affichage par émission de champ et la seconde plaque est un écran plat pour l'affichage par émission de champ.
32. Procédé selon la revendication 17, caractérisé en ce que la première plaque est une plaque arrière pour le module et la seconde plaque est un écran plat pour un affichage par émission de champ.
33. Procédé selon la revendication 17, caractérisé en ce qu'il comporte en outre la manipulation d'une composition de gaz dans l'espace en utilisant le trajet d'écoulement fourni par les saillies compressibles.
34. Module d'affichage par émission de champ, caractérisé en ce qu'il comporte
une première plaque (14),
une seconde plaque (12) adaptée pour venir en contact de manière complémentaire avec la première plaque,
un ensemble (16) formé d'un écran plat et d'une plaque de base, monté sur la première ou la seconde plaque,
un anneau d'étanchéité (60) formé entre la première plaque et la seconde plaque,
plusieurs saillies compressibles (62) formées entre la première et la seconde plaque pour fournir initialement un trajet d'écoulement pour mettre le module sous vide, et
un matériau de dégazage (56) monté sur la première ou la seconde plaque.
35. Module selon la revendication 34, caractérisé en ce que le matériau de dégazage est constitué d'une feuille métallique mise en forme pour maintenir l'ensemble formé d'un écran plat et d'une plaque de base.
36. Module selon la revendication 34, caractérisé en ce que l'anneau d'étanchéité et les saillies sont constitués d'un matériau choisi parmi le groupe constitué d'une fritte de verre et d'indium.
37. Module selon la revendication 34, caractérisé en ce que la première plaque est constituée d'une céramique ayant des connecteurs extérieurs (50).
38. Module selon la revendication 34, caractérisé en ce qu'un trajet électrique est formé entre les connecteurs extérieurs et la plaque de base par câblage de la plaque de base sur des plots de contact formés sur la première plaque en communication électrique avec les connecteurs extérieurs.
39. Module selon la revendication 34, caractérisé en ce que les connecteurs extérieurs ont une forme de réseau de broches en grille.
40. Module d'affichage par émission de champ caractérisé en ce qu'il comporte
une première plaque (14) constituée de fouilles de céramique stratifiées ayant plusieurs conducteurs et connecteurs extérieurs (50) formés sur celle-ci, reliés électriquement les uns aux autres par des voies internes remplies de métal,
un écran d'affichage (26) monté sur la première plaque, et
une seconde plaque (12) fixée de manière étanche sur la première plaque pour fournir une cavité étanche (18) pour l'écran d'affichage.
41. Module selon la revendication 40, caractérisé en ce qu'il comporte un câblage (48) formé entre les conducteurs et un autre constituant du module.
42. Module selon la revendication 40, caractérisé en ce que les conducteurs extérieurs sont formés selon un réseau en grille dense.
43. Module selon la revendication 40, caractérisé en ce que les connecteurs extérieurs sont formés selon un réseau de broches en grille.
44. Module selon la revendication 40, caractérisé en ce qu'il comporte un anneau d'étanchéité en fritte (58) formé entre la première et la seconde plaque.
45. Module selon la revendication 40, caractérisé en ce que la première plaque est formée ayant un évidement (42) pour définir partiellement la cavité.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/538,498 US5697825A (en) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | Method for evacuating and sealing field emission displays |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2739490A1 true FR2739490A1 (fr) | 1997-04-04 |
| FR2739490B1 FR2739490B1 (fr) | 2006-06-02 |
Family
ID=24147165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR9611880A Expired - Fee Related FR2739490B1 (fr) | 1995-09-29 | 1996-09-30 | Procede de mise sous vide et d'etancheification de modules notamment d'affichage par emission de champ, et modules obtenus |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US5697825A (fr) |
| JP (1) | JP3128564B2 (fr) |
| KR (1) | KR100229586B1 (fr) |
| FR (1) | FR2739490B1 (fr) |
| TW (1) | TW367523B (fr) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999017329A1 (fr) * | 1997-10-01 | 1999-04-08 | Complete Display Solutions Limited | Dispositif d'affichage |
| FR2781308A1 (fr) * | 1998-07-15 | 2000-01-21 | Thomson Plasma | Procede de realisation de moyens d'entretoisement pour panneaux de visualisation |
| EP0992055A1 (fr) * | 1997-06-24 | 2000-04-12 | Candescent Technologies Corporation | Thermosoudage a la fritte de verre a basse temperature pour ecran d'ordinateur de faible epaisseur |
Families Citing this family (77)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5697825A (en) * | 1995-09-29 | 1997-12-16 | Micron Display Technology, Inc. | Method for evacuating and sealing field emission displays |
| US5807154A (en) * | 1995-12-21 | 1998-09-15 | Micron Display Technology, Inc. | Process for aligning and sealing field emission displays |
| US5827102A (en) * | 1996-05-13 | 1998-10-27 | Micron Technology, Inc. | Low temperature method for evacuating and sealing field emission displays |
| FR2755294A1 (fr) * | 1996-10-25 | 1998-05-01 | Pixtech Sa | Procede et dispositif d'assemblage d'un ecran plat de visualisation |
| FR2755295B1 (fr) * | 1996-10-28 | 1998-11-27 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication d'un dispositif a emission de champ sous vide et appareils pour la mise en oeuvre de ce procede |
| US6109994A (en) * | 1996-12-12 | 2000-08-29 | Candescent Technologies Corporation | Gap jumping to seal structure, typically using combination of vacuum and non-vacuum environments |
| US5820435A (en) * | 1996-12-12 | 1998-10-13 | Candescent Technologies Corporation | Gap jumping to seal structure including tacking of structure |
| US5977706A (en) | 1996-12-12 | 1999-11-02 | Candescent Technologies Corporation | Multi-compartment getter-containing flat-panel device |
| EP0944912B1 (fr) * | 1996-12-12 | 2009-12-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Procede de saut d'interstice de scellement de structures de plaques |
| JPH11135018A (ja) | 1997-08-29 | 1999-05-21 | Canon Inc | 画像形成装置の製造方法、製造装置および画像形成装置 |
| US6319436B1 (en) * | 1997-10-27 | 2001-11-20 | Trw Inc. | Method for making floor fan seal plug with thermoexpanding seal ring and axial guide members |
| KR100273139B1 (ko) | 1997-11-25 | 2000-12-01 | 정선종 | 전계방출디스플레이의패키징방법 |
| US6897855B1 (en) * | 1998-02-17 | 2005-05-24 | Sarnoff Corporation | Tiled electronic display structure |
| US6370019B1 (en) | 1998-02-17 | 2002-04-09 | Sarnoff Corporation | Sealing of large area display structures |
| JP3896686B2 (ja) * | 1998-03-27 | 2007-03-22 | 双葉電子工業株式会社 | 真空外周器の真空方法 |
| KR100270888B1 (ko) * | 1998-04-08 | 2000-12-01 | 윤종용 | 노운 굿 다이 제조장치 |
| DE19817478B4 (de) * | 1998-04-20 | 2004-03-18 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Flache Entladungslampe und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| JP3057081B2 (ja) * | 1998-05-18 | 2000-06-26 | キヤノン株式会社 | 気密容器の製造方法および該気密容器を用いる画像形成装置の製造方法 |
| JP3465634B2 (ja) * | 1998-06-29 | 2003-11-10 | 富士通株式会社 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
| JP3428931B2 (ja) * | 1998-09-09 | 2003-07-22 | キヤノン株式会社 | フラットパネルディスプレイの解体処理方法 |
| DE19845075A1 (de) * | 1998-09-30 | 2000-04-13 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen eines Bauelementes und Bauelement |
| US6396207B1 (en) * | 1998-10-20 | 2002-05-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Image display apparatus and method for producing the same |
| KR100706151B1 (ko) * | 1999-01-29 | 2007-04-11 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 가스 방전형 표시 패널 및 그 제조 방법 |
| US6533632B1 (en) | 1999-02-18 | 2003-03-18 | Micron Technology, Inc. | Method of evacuating and sealing flat panel displays and flat panel displays using same |
| US6030267A (en) * | 1999-02-19 | 2000-02-29 | Micron Technology, Inc. | Alignment method for field emission and plasma displays |
| US6908354B1 (en) * | 1999-03-10 | 2005-06-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of producing flat panel displays |
| CN1252778C (zh) * | 1999-03-31 | 2006-04-19 | 东芝株式会社 | 平板型图像显示装置的制造方法及平板型图像显示装置 |
| US6354899B1 (en) | 1999-04-26 | 2002-03-12 | Chad Byron Moore | Frit-sealing process used in making displays |
| FR2793068B1 (fr) * | 1999-04-28 | 2001-05-25 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif a emission de champ utilisant un gaz reducteur et fabrication d'un tel dispositif |
| US6930446B1 (en) | 1999-08-31 | 2005-08-16 | Micron Technology, Inc. | Method for improving current stability of field emission displays |
| AT408157B (de) * | 1999-10-15 | 2001-09-25 | Electrovac | Verfahren zur herstellung eines feldemissions-displays |
| KR100352160B1 (ko) * | 1999-11-16 | 2002-09-12 | 권상직 | 진공 인라인 방식의 평판 표시소자 제작을 위한 실링용페이스트의 제조 방법 및 상기 실링용 페이스트를 이용한실링 방법 |
| KR100527081B1 (ko) * | 1999-12-21 | 2005-11-09 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 전계 방출 표시 패널의 제조 방법 |
| JP2001210258A (ja) * | 2000-01-24 | 2001-08-03 | Toshiba Corp | 画像表示装置およびその製造方法 |
| DE60133331T3 (de) | 2000-02-15 | 2012-12-06 | Nsk Ltd. | Lenkung für ein Automobil |
| JP3754859B2 (ja) * | 2000-02-16 | 2006-03-15 | キヤノン株式会社 | 画像表示装置の製造法 |
| JP3754883B2 (ja) * | 2000-03-23 | 2006-03-15 | キヤノン株式会社 | 画像表示装置の製造法 |
| FR2809864A1 (fr) * | 2000-05-30 | 2001-12-07 | Pixtech Sa | Outillage de pose d'espaceurs dans un ecran plat de visualisation |
| EP1410415A1 (fr) | 2000-06-01 | 2004-04-21 | Complete Substrate Solutions Limited | Ecran d'affichage |
| US6722937B1 (en) | 2000-07-31 | 2004-04-20 | Candescent Technologies Corporation | Sealing of flat-panel device |
| US6507147B1 (en) * | 2000-08-31 | 2003-01-14 | Intevac, Inc. | Unitary vacuum tube incorporating high voltage isolation |
| JP3754882B2 (ja) * | 2000-09-29 | 2006-03-15 | キヤノン株式会社 | 画像表示装置の製造法 |
| US6383924B1 (en) | 2000-12-13 | 2002-05-07 | Micron Technology, Inc. | Method of forming buried conductor patterns by surface transformation of empty spaces in solid state materials |
| WO2002054436A1 (fr) * | 2000-12-28 | 2002-07-11 | Jae-Hong Park | Procede de scellement sous vide d'un ecran plat |
| JP2002245941A (ja) * | 2001-02-13 | 2002-08-30 | Nec Corp | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
| EP1389792A1 (fr) * | 2001-04-23 | 2004-02-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Afficheur d'images, procede et dispositif de production de l'afficheur d'images |
| WO2002091339A1 (fr) * | 2001-05-08 | 2002-11-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Procede de production de dispositifs d'affichage a plasma |
| US7142577B2 (en) | 2001-05-16 | 2006-11-28 | Micron Technology, Inc. | Method of forming mirrors by surface transformation of empty spaces in solid state materials and structures thereon |
| US6898362B2 (en) * | 2002-01-17 | 2005-05-24 | Micron Technology Inc. | Three-dimensional photonic crystal waveguide structure and method |
| JP4894987B2 (ja) * | 2001-06-29 | 2012-03-14 | 三洋電機株式会社 | 表示用パネルの製造方法 |
| JP2003015552A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示用パネルの製造方法 |
| JP2003017259A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法 |
| JP4614588B2 (ja) * | 2001-06-29 | 2011-01-19 | 三洋電機株式会社 | エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 |
| CN1213389C (zh) * | 2001-08-31 | 2005-08-03 | 佳能株式会社 | 图像显示装置及其制造方法 |
| US7288171B2 (en) * | 2002-01-18 | 2007-10-30 | University Of North Texas | Method for using field emitter arrays in chemical and biological hazard mitigation and remediation |
| US6919678B2 (en) * | 2002-09-03 | 2005-07-19 | Bloomberg Lp | Bezel-less electric display |
| AU2003225641A1 (en) | 2002-09-03 | 2004-03-29 | Bloomberg Lp | Bezel-less electronic display |
| US7273788B2 (en) | 2003-05-21 | 2007-09-25 | Micron Technology, Inc. | Ultra-thin semiconductors bonded on glass substrates |
| US7501329B2 (en) | 2003-05-21 | 2009-03-10 | Micron Technology, Inc. | Wafer gettering using relaxed silicon germanium epitaxial proximity layers |
| US7008854B2 (en) | 2003-05-21 | 2006-03-07 | Micron Technology, Inc. | Silicon oxycarbide substrates for bonded silicon on insulator |
| US7662701B2 (en) | 2003-05-21 | 2010-02-16 | Micron Technology, Inc. | Gettering of silicon on insulator using relaxed silicon germanium epitaxial proximity layers |
| US6929984B2 (en) * | 2003-07-21 | 2005-08-16 | Micron Technology Inc. | Gettering using voids formed by surface transformation |
| US6903860B2 (en) * | 2003-11-01 | 2005-06-07 | Fusao Ishii | Vacuum packaged micromirror arrays and methods of manufacturing the same |
| US7153753B2 (en) | 2003-08-05 | 2006-12-26 | Micron Technology, Inc. | Strained Si/SiGe/SOI islands and processes of making same |
| US20060283546A1 (en) * | 2003-11-12 | 2006-12-21 | Tremel James D | Method for encapsulating electronic devices and a sealing assembly for the electronic devices |
| US20060284556A1 (en) * | 2003-11-12 | 2006-12-21 | Tremel James D | Electronic devices and a method for encapsulating electronic devices |
| US20050238803A1 (en) * | 2003-11-12 | 2005-10-27 | Tremel James D | Method for adhering getter material to a surface for use in electronic devices |
| JP5068924B2 (ja) * | 2004-02-20 | 2012-11-07 | 中外炉工業株式会社 | ガラスパネル組立体の連続封着処理炉および封着処理方法 |
| JP2005251474A (ja) * | 2004-03-02 | 2005-09-15 | Toshiba Corp | 画像表示装置の製造方法、および封着材充填装置 |
| KR100575363B1 (ko) * | 2004-04-13 | 2006-05-03 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 미소기계소자의 진공 실장방법 및 이 방법에 의해 진공실장된 미소기계소자 |
| US20050253283A1 (en) * | 2004-05-13 | 2005-11-17 | Dcamp Jon B | Getter deposition for vacuum packaging |
| US20070001579A1 (en) * | 2005-06-30 | 2007-01-04 | Eun-Suk Jeon | Glass-to-glass joining method using laser, vacuum envelope manufactured by the method, electron emission display having the vacuum envelope |
| US8173995B2 (en) | 2005-12-23 | 2012-05-08 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Electronic device including an organic active layer and process for forming the electronic device |
| US7993977B2 (en) * | 2007-07-02 | 2011-08-09 | Micron Technology, Inc. | Method of forming molded standoff structures on integrated circuit devices |
| JP4492758B2 (ja) * | 2007-08-17 | 2010-06-30 | 凸版印刷株式会社 | 反応場独立冶具及びそれを用いた反応チップ処理装置 |
| CN101470040B (zh) * | 2007-12-28 | 2011-05-25 | 中国航天科技集团公司第五研究院第五一〇研究所 | 一种用于危险气体安全测量的低压力规 |
| US20090214726A1 (en) * | 2008-02-26 | 2009-08-27 | Ballman Darryl J | Sugar free and sugar reduced aerated confections and methods of preparation |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3330982A (en) * | 1964-08-14 | 1967-07-11 | Sylvania Electric Prod | Hermetically encased electroluminescent display device |
| US4125390A (en) * | 1976-04-24 | 1978-11-14 | Ise Electronics Corporation | Method of vacuum-sealing vacuum articles |
| US4259613A (en) * | 1978-01-11 | 1981-03-31 | Wagner Electric Corporation | Fluorescent indicator and method of making same |
| JPS6142837A (ja) * | 1984-08-02 | 1986-03-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 画像表示装置の製造方法 |
| JPH0311524A (ja) * | 1989-06-08 | 1991-01-18 | Nec Kagoshima Ltd | 蛍光表示管の真空気密封止方法 |
| EP0582716A1 (fr) * | 1992-02-10 | 1994-02-16 | Seiko Epson Corporation | Ecran fluorescent et procede pour former une couche fluorescente dans cet ecran, procede de scellement sous vide et procede d'acceleration du niveau de vide pour l'espace contenu dans l'ecran |
Family Cites Families (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2882116A (en) * | 1956-09-20 | 1959-04-14 | Eitel Mccullough Inc | Method of making electron tubes |
| NL6909119A (fr) * | 1969-06-13 | 1970-12-15 | ||
| US4005920A (en) * | 1975-07-09 | 1977-02-01 | International Telephone And Telegraph Corporation | Vacuum-tight metal-to-metal seal |
| US4018374A (en) * | 1976-06-01 | 1977-04-19 | Ford Aerospace & Communications Corporation | Method for forming a bond between sapphire and glass |
| IT1160700B (it) * | 1977-10-25 | 1987-03-11 | Bfg Glassgroup | Pannelli |
| JPS55151742A (en) * | 1979-05-16 | 1980-11-26 | Futaba Corp | Manufacture of front part of plane type fluorescent display tube case |
| US4245273A (en) * | 1979-06-29 | 1981-01-13 | International Business Machines Corporation | Package for mounting and interconnecting a plurality of large scale integrated semiconductor devices |
| US4417296A (en) * | 1979-07-23 | 1983-11-22 | Rca Corp | Method of connecting surface mounted packages to a circuit board and the resulting connector |
| US4407658A (en) * | 1981-03-02 | 1983-10-04 | Beckman Instruments, Inc. | Gas discharge display device sealing method for reducing gas contamination |
| US4665468A (en) * | 1984-07-10 | 1987-05-12 | Nec Corporation | Module having a ceramic multi-layer substrate and a multi-layer circuit thereupon, and process for manufacturing the same |
| JPS61118948A (ja) * | 1984-11-14 | 1986-06-06 | Matsushita Electronics Corp | 撮像管 |
| JPH063714B2 (ja) * | 1985-03-25 | 1994-01-12 | 松下電器産業株式会社 | 画像表示装置 |
| JPS62265796A (ja) * | 1986-05-14 | 1987-11-18 | 株式会社住友金属セラミックス | セラミツク多層配線基板およびその製造法 |
| JPH02216732A (ja) * | 1989-02-17 | 1990-08-29 | Mitsubishi Electric Corp | 発光素子の製造方法 |
| JP2734760B2 (ja) * | 1990-08-10 | 1998-04-02 | 松下電器産業株式会社 | 画像表示装置の製造方法 |
| EP0714114A1 (fr) * | 1990-12-28 | 1996-05-29 | Sony Corporation | Procédé de fabrication d'un dispositif de visualisation plat |
| US5519332A (en) * | 1991-06-04 | 1996-05-21 | Micron Technology, Inc. | Carrier for testing an unpackaged semiconductor die |
| JPH05121013A (ja) * | 1991-10-28 | 1993-05-18 | Mitsubishi Electric Corp | 平板型陰極線管 |
| US5229331A (en) * | 1992-02-14 | 1993-07-20 | Micron Technology, Inc. | Method to form self-aligned gate structures around cold cathode emitter tips using chemical mechanical polishing technology |
| US5205770A (en) * | 1992-03-12 | 1993-04-27 | Micron Technology, Inc. | Method to form high aspect ratio supports (spacers) for field emission display using micro-saw technology |
| US5210472A (en) * | 1992-04-07 | 1993-05-11 | Micron Technology, Inc. | Flat panel display in which low-voltage row and column address signals control a much pixel activation voltage |
| US5424605A (en) * | 1992-04-10 | 1995-06-13 | Silicon Video Corporation | Self supporting flat video display |
| US5302238A (en) * | 1992-05-15 | 1994-04-12 | Micron Technology, Inc. | Plasma dry etch to produce atomically sharp asperities useful as cold cathodes |
| JPH06111735A (ja) * | 1992-09-25 | 1994-04-22 | Futaba Corp | 電界放出形陰極を実装した表示装置及び電界放出形陰極の実装方法 |
| JP2722979B2 (ja) * | 1993-01-18 | 1998-03-09 | 双葉電子工業株式会社 | 蛍光表示装置及び蛍光表示装置の製造方法 |
| JP2832510B2 (ja) * | 1994-05-10 | 1998-12-09 | 双葉電子工業株式会社 | 表示装置の製造方法 |
| US5587622A (en) * | 1994-07-12 | 1996-12-24 | Fallon Luminous Products | Low pressure gas discharge lamps with low profile sealing cover plate |
| US5541466A (en) * | 1994-11-18 | 1996-07-30 | Texas Instruments Incorporated | Cluster arrangement of field emission microtips on ballast layer |
| US5766053A (en) * | 1995-02-10 | 1998-06-16 | Micron Technology, Inc. | Internal plate flat-panel field emission display |
| US5697825A (en) * | 1995-09-29 | 1997-12-16 | Micron Display Technology, Inc. | Method for evacuating and sealing field emission displays |
| US5827102A (en) * | 1996-05-13 | 1998-10-27 | Micron Technology, Inc. | Low temperature method for evacuating and sealing field emission displays |
-
1995
- 1995-09-29 US US08/538,498 patent/US5697825A/en not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-07-08 US US08/677,725 patent/US5788551A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-09-25 KR KR1019960042423A patent/KR100229586B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-09-30 JP JP25942596A patent/JP3128564B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1996-09-30 FR FR9611880A patent/FR2739490B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1996-11-07 TW TW085113617A patent/TW367523B/zh active
-
1998
- 1998-07-29 US US09/124,492 patent/US5997378A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3330982A (en) * | 1964-08-14 | 1967-07-11 | Sylvania Electric Prod | Hermetically encased electroluminescent display device |
| US4125390A (en) * | 1976-04-24 | 1978-11-14 | Ise Electronics Corporation | Method of vacuum-sealing vacuum articles |
| US4259613A (en) * | 1978-01-11 | 1981-03-31 | Wagner Electric Corporation | Fluorescent indicator and method of making same |
| JPS6142837A (ja) * | 1984-08-02 | 1986-03-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 画像表示装置の製造方法 |
| JPH0311524A (ja) * | 1989-06-08 | 1991-01-18 | Nec Kagoshima Ltd | 蛍光表示管の真空気密封止方法 |
| EP0582716A1 (fr) * | 1992-02-10 | 1994-02-16 | Seiko Epson Corporation | Ecran fluorescent et procede pour former une couche fluorescente dans cet ecran, procede de scellement sous vide et procede d'acceleration du niveau de vide pour l'espace contenu dans l'ecran |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 010, no. 197 (E - 418) 10 July 1986 (1986-07-10) * |
| PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 015, no. 121 (E - 1049) 25 March 1991 (1991-03-25) * |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0992055A1 (fr) * | 1997-06-24 | 2000-04-12 | Candescent Technologies Corporation | Thermosoudage a la fritte de verre a basse temperature pour ecran d'ordinateur de faible epaisseur |
| EP0992055A4 (fr) * | 1997-06-24 | 2002-06-19 | Candescent Intellectual Prop | Thermosoudage a la fritte de verre a basse temperature pour ecran d'ordinateur de faible epaisseur |
| WO1999017329A1 (fr) * | 1997-10-01 | 1999-04-08 | Complete Display Solutions Limited | Dispositif d'affichage |
| GB2345575A (en) * | 1997-10-01 | 2000-07-12 | Complete Display Solutions Ltd | Visual display |
| GB2345575B (en) * | 1997-10-01 | 2002-06-26 | Complete Display Solutions Ltd | Visual display |
| US6517403B1 (en) * | 1997-10-01 | 2003-02-11 | Anthony Cooper | Visual display |
| FR2781308A1 (fr) * | 1998-07-15 | 2000-01-21 | Thomson Plasma | Procede de realisation de moyens d'entretoisement pour panneaux de visualisation |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5997378A (en) | 1999-12-07 |
| FR2739490B1 (fr) | 2006-06-02 |
| KR970017805A (ko) | 1997-04-30 |
| KR100229586B1 (ko) | 1999-11-15 |
| US5788551A (en) | 1998-08-04 |
| JPH09171768A (ja) | 1997-06-30 |
| US5697825A (en) | 1997-12-16 |
| JP3128564B2 (ja) | 2001-01-29 |
| TW367523B (en) | 1999-08-21 |
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|---|---|---|
| FR2739490A1 (fr) | Procede de mise sous vide et d'etancheification de modules notamment d'affichage par emission de champ, et modules obtenus | |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| ST | Notification of lapse |
Effective date: 20101029 |