FR2781081A1 - Boitier sous vide pour un dispositif a cathodes a emission de champ - Google Patents
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Abstract
Le boîtier sous vide comporte un substrat de côté cathode (2) sur lequel sont formées des cathodes à émission de champ et un substrat de côté anode (1) agencés de manière à être espacés l'un de l'autre d'une distance prédéterminée dans la direction dans laquelle des électrons sont émis, le résultat étant un espace (10) défini entre ceux-ci. Un matériau à émission d'hydrogène ou de gaz (7) est agencé au niveau d'au moins une position incluant une position qui est définie dans ledit espace (10) ou un espace supplémentaire (11) contigu audit espace et qui est la plus éloignée dudit tronçon de mise sous vide (6).
Description
l l2781081 U
BOITIER SOUS VIDE POUR UN DISPOSITIF A CATHODES A
EMISSION DE CHAMP
La présente invention concerne un boîtier sous vide pour dispositif à cathodes à émission de champ, et plus particulièrement un boîtier sous vide dans lequel sont reçus des éléments à émission de champ ou des cathodes à émission de champ agissant en tant
que source d'électrons.
On a récemment tenté de recevoir de nombreuses cathodes à émission de champ de dimensions microscopiques dans un boîtier sous vide constitué de verre ou analogue pour mettre un équipement électronique à émission de champ dans lequel sont intégrées des microstructures sous vide ayant une dimension aussi petite que quelques microns
ayant en pratique la forme de dispositifs micro-électroniques sous vide.
De tels dispositifs micro-électroniques sous vide sont destinés à développer des dispositifs à émission de champ appliquée tels qu'un dispositif d'affichage à émission de champ ayant une structure de panneau plat mince, un dispositif de prise d'image, un
dispositif à faisceau d'électrons pour la lithographie ou analogue.
Un dispositif d'affichage à panneau plat mince dans lequel des cathodes à émission de champ sont incorporées est fabriqué de sorte qu'une pluralité d'électrodes (émetteurs) froides, minuscules ou de dimensions microscopiques, sont agencées pour
chacune des cellules d'image.
Les minuscules électrodes froides proposées sont chacune constituées d'une cathode à émission de champ ayant une extrémité distale formée selon un angle aigu, une cathode à émission de champ du type MIM, un élément à émission d'électrons du type conducteur en surface, un élément à émission d'électrons du type à jonction PN ou
analogue.
Le plus typique de ces dispositifs est un affichage à émission de champ (FED) ayant des cathodes à émission de champ incorporées, comme décrit dans Nikkei Electronics, n 654 (29 janvier 1996), pages 89 à 98. Une cathode typique parmi les cathodes à émission de champ est une cathode à émission de champ appelée du type
Spindt.
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Maintenant, cette cathode à émission de champ du type Spindt va être décrite en référence à la figure 10. Plus particulièrement, la cathode à émission de champ comporte un substrat cathodique K sur lequel sont agencées plusieurs électrodes émettrices. SiO2 désigne une couche isolante formée sur tout le substrat cathodique K. La couche isolante est munie sur celle-ci d'une électrode de porte GT ayant la forme d'un film obtenu par dépôt ou analogue. L'électrode de porte GT est munie de trous, à travers lesquels une extrémité distale des électrodes émettrices E est exposée, de sorte que des électrons émis par les électrodes émettrices E peuvent être déchargés vers l'extérieur. Dans la cathode à émission de champ du type Spindt ainsi construite, l'application d'une tension Vgk entre le substrat cathodique K et l'électrode de porte GT permet aux électrons d'être émis depuis l'extrémité distale des électrodes émettrices E. Les électrons ainsi émis sont capturés par une tension anodique Va appliquée à une
anode A agencée en vis-à-vis du substrat cathodique K à travers un espace sous vide.
Une pluralité de ces cathodes à émission de champ sont agencées dans chacun des groupes et une pluralité de ces électrodes de porte agencées d'une manière analogue à une bande sont balayées dans l'ordre, et pendant ceci plusieurs de ces cathodes analogues à une bande sont alimentées à l'aide d'un signal d'image. Ceci a pour résultat des luminophores agencés sur l'électrode anodique émettant une lumière, de sorte que
les cathodes à émission de champ peuvent fonctionner pour un dispositif d'affichage.
Maintenant, une enveloppe pour un tel dispositif d'affichage va être décrite en référence aux figures 11 (a) et 11 (b), qui sont une vue en perspective de l'enveloppe et
une vue latérale en coupe de celle-ci, respectivement.
Sur les figures 1 l(a) et 11 (b), la référence numérique 1 désigne un substrat de verre agencé sur un côté d'une anode (appelé également cidessous un "substrat de côté anode") et la référence numérique 2 est un substrat de verre agencé sur un côté d'une cathode (appelé également cidessous un "substrat de côté cathode"). Le substrat de côté anode 1 et le substrat de côté cathode 2 sont agencés en vis-à-vis l'un de l'autre de manière à définir un espace entre eux, dans lequel des cathodes à émission de champ ayant une dimension aussi petite que de l'ordre des microns et des anodes sont reçues tout en étant agencées sur une surface intérieure du substrat de côté cathode et une surface intérieure du substrat de côté anode de manière à être en vis-à-vis les unes aux
autres, respectivement.
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La référence numérique 3 désigne un substrat pour élément d'absorption de gaz, qui est muni sur sa surface inférieure d'un trou de mise sous vide 6a à travers lequel l'enveloppe est mise sous vide poussé. La référence numérique 4 est un élément d'absorption de gaz généralement constitué d'un matériau d'élément d'absorption de gaz du type à évaporation. Ainsi, l'élément d'absorption de gaz est vaporisé à une température élevée pour maintenir à un niveau bas la pression gazeuse existant dans
l'enveloppe, après que l'enveloppe ait été mise sous vide poussé.
Le substrat de côté cathode 2 et le substrat de côté anode 1 sont réunis de manière étanche l'un à l'autre tout en étant maintenus espacés l'un de l'autre d'un micro-intervalle aussi minuscule qu'environ 250 ptm à quelques millimètres. Egalement, les deux substrats 1 et 2 sont agencés tout en étant maintenus écartés l'un de l'autre. Un tel agencement permet à un tronçon de sortie de cathode de la cathode à émission de champ et à un tronçon de sortie d'électrode de porte de celle-ci d'être agencés dans des
régions des substrats qui sont maintenues en vis-à-vis l'une de l'autre.
Egalement, si un affichage couleur est souhaité, le substrat de côté anode I peut être formé de manière à avoir une région en saillie, ayant pour résultat un tronçon de
sortie d'anode (non-représenté) qui est agencé dans la région en saillie.
Le substrat de côté cathode 2 et le substrat de côté anode 1 sont réunis de manière étanche au niveau d'une partie périphérique de ceux-ci autre que le substrat pour élément d'absorption de gaz 3 par l'intermédiaire de verre fritté 5 ou analogue. Le substrat pour élément d'absorption de gaz 3 est établi dans une unité de mise sous vide (non- représentée) de sorte que le gaz situé à l'intérieur de celui-ci est évacué à travers
une pompe à vide.
Ainsi, dans l'enveloppe sous vide dans laquelle les cathodes à émission de champ sont agencées, le substrat de côté cathode 2 et le substrat de côté anode 1 sont maintenus espacés l'un de l'autre à une distance microscopique, de manière à définir l'espace existant entre eux. Afin de maintenir l'espace sous un vide poussé, l'élément d'absorption de gaz 4 est généralement placé dans une chambre pour élément d'absorption de gaz. Ensuite, l'élément d'absorption de gaz 4 est chauffé de l'extérieur jusqu'à une température élevée, de manière à être évaporé, de sorte qu'un miroir d'élément d'absorption de gaz peut être formé sur toute la surface de la chambre pour élément d'absorption de gaz. Le miroir d'élément d'absorption de gaz sert à adsorber tout
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gaz résiduel existant dans l'enveloppe après mise sous vide de l'enveloppe. Les gaz résiduels comportent les gaz entrant dans l'enveloppe et ceux générés par un matériau
d'électrodes ou analogue.
L'espace défini dans un tel dispositif d'affichage du type plat sous la forme d'un boîtier sous vide est formé selon une hauteur ou dimension très petite. Cette petite hauteur de l'espace entraîne une détérioration lors du passage ou de la migration du gaz dans l'espace lorsque l'enveloppe est mise sous vide poussé, le résultat étant une formation d'atmosphère sous vide dans l'espace qui est très difficile ou pratiquement impossible. Une mise sous vide insatisfaisante de l'espace ou de l'enveloppe entraîne une détérioration de l'émission des cathodes à émission de champ du fait du gaz résiduel. Egalement, la quantité de matériau pour les cathodes à émission de champ et analogue présente dans l'espace de l'enveloppe est augmentée par rapport au volume de l'espace, le résultat étant que le temps nécessaire pour évacuer le gaz résiduel présent dans le matériau ou absorbé sur une surface de celui-ci pour former un vide à un niveau prédéterminé ou supérieur dans l'enveloppe est fortement augmenté, de sorte que
l'opération de mise sous vide a son efficacité détériorée.
La présente invention a été conçue au vu de des inconvénients qui précèdent de
la technique antérieure.
Par conséquent, c'est un but de la présente invention de fournir un boîtier sous vide pour dispositif à cathodes à émission de champ qui est capable d'atteindre de
manière efficace la mise sous vide du boîtier sous vide.
C'est un autre but de la présente invention de fournir un boîtier sous vide pour dispositif à cathodes à émission de champ qui est capable de permettre une
augmentation de la durabilité du dispositif à cathodes à émission de champ.
Conformément à la présente invention, un boîtier sous vide pour dispositif à cathodes à émission de champ est fourni. Le boîtier sous vide comporte un premier substrat constitué de verre, un second substrat constitué de verre et agencé de manière à être en vis-à-vis du premier substrat, une paroi latérale agencée entre le premier substrat et le second substrat pour espacer les premier et second substrats l'un de l'autre, de manière à former un espace entre ceux-ci, un tronçon de mise sous vide formé à l'aide d'un trou de mise sous vide à travers lequel l'espace est mis sous vide poussé et est
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rendu étanche après mise sous vide, de manière à maintenir l'espace sous vide, et un matériau à émission de gaz agencé au niveau d'au moins une position, incluant une position qui est définie dans l'espace ou un espace supplémentaire contigu à l'espace et
qui est la plus éloignée du tronçon de mise sous vide.
Dans un mode préféré de réalisation de la présente invention, le premier substrat a des cathodes à émission de champ formées sur celui-ci, et le second substrat a des anodes formées sur celui-ci, qui sont agencéees de manière à être en vis-à-vis des
cathodes à émission de champ.
Dans un mode préféré de réalisation de la présente invention, le matériau à 1o émission de gaz est un alliage hydrogéné ou un matériau d'occlusion d'hydrogène contenant au moins un élément choisi parmi le groupe constitué de Zn, Ti, Ta, V, Mg et Th. Ces buts ainsi que d'autres et plusieurs des avantages qui en découlent, de la
présente invention, vont être mieux compris à la lecture de la description détaillée qui
va suivre, faite en référence aux dessins annexés, sur lesquels: - les figures 1 (a) et 1 (b) sont chacune une vue schématique représentant un mode de réalisation de boîtier sous vide pour dispositif à cathodes à émission de champ selon la présente invention, - la figure 2 est une vue schématique représentant un matériau à émission d'hydrogène incorporé dans le boîtier sous vide représenté sur les figures 1 (a) et 1 (b), - la figure 3(a) est une vue en perspective représentant un support pour un matériau à émission d'hydrogène, - la figure 3(b) est une vue en perspective représentant un matériau à émission d'hydrogène agencé dans un support, - la figure 4 est une vue schématique représentant une autre manière d'agencer un matériau à émission d'hydrogène, - la figure 5 est une vue schématique représentant un agencement d'un matériau à émission d'hydrogène, - la figure 6 est une vue schématique représentant un agencement d'un matériau à émission d'hydrogène,
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- la figure 7 est une vue schématique représentant un agencement d'un matériau à émission d'hydrogène, - la figure 8 est une vue schématique représentant un agencement d'un matériau à émission d'hydrogène, - la figure 9 est une vue schématique représentant un agencement d'un matériau à émission d'hydrogène, - la figure 10 est une vue schématique représentant une cathode à émission de champ, - la figure 11 (a) est une vue en perspective représentant une enveloppe sous vide habituelle, et la figure 1 l(b) est une vue latérale en coupe de l'enveloppe sous vide
représentée sur la figure 11 (a).
Maintenant, un boîtier sous vide pour dispositif à cathodes à émission de champ
selon la présente invention va être décrit ci-dessous en référence aux dessins annexés.
En se reportant tout d'abord aux figures l(a) à 3(b), un mode de réalisation d'un boîtier sous vide selon la présente invention est représenté. Un boîtier sous vide du mode de réalisation représenté comporte un substrat de côté anode 1 et un substrat de côté cathode 2, qui sont munis d'anodes et de cathodes construites pratiquement de la
même manière que les anodes A et les cathodes K de la technique antérieure décrite ci-
dessus en référence à la figure 10. Le substrat de côté anode I et le substrat de côté
cathode 2 ont une pâte de verre d'étanchéité 5 appliquée sur une périphérique de ceux-
ci, qui est cuite pour unir de manière étanche les substrats 1 et 2 l'un à l'autre tout en définissant un intervalle ou un espace 10 entre ceux- ci, le résultat étant le boîtier sous
vide du mode de réalisation représenté.
Le substrat de côté anode I et le substrat de côté cathode 2 sont réunis de manière fixe ensemble tout en maintenant l'intervalle 10 par exemple à 200,m par l'intermédiaire d'un dispositif d'écartement (non- représenté). Pendant la formation du boîtier sous vide, un substrat pour élément d'absorption de gaz 3 et un tube de mise sous vide 6 sont fixés en même temps sur le boîtier sous vide comme représenté sur les figures l(a) et l(b). Egalement, le substrat pour élément d'absorption de gaz 3 fournit
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une chambre pour élément d'absorption de gaz, qui est munie, à l'intérieur, d'un élément
d'absorption de gaz 4 constitué par exemple de Ba.
De plus, l'espace 10 du boîtier sous vide est muni, à la position intérieure de celui-ci la plus loin du tube de mise sous vide 6 ou d'un trou de mise sous vide 6a du tube de mise sous vide 6, d'un matériau à émission d'hydrogène 7 qui est maintenu dans un support 8. Comme cela sera noté sur la figure 2, le matériau à émission d'hydrogène _7 est agencé dans l'espace 10 de manière à s'étendre le long d'une extrémité du boîtier opposée à l'extrémité de celui-ci située à proximité du trou de mise sous vide 6a tout en
étant maintenu dans le support 8.
Le support 8, comme représenté sur les figures 3(a) et 3(b), est constitué de verre et formé ayant une hauteur d'environ 150 -tm. Egalement, le support 8 est muni d'une gorge qui s'étend dans la direction longitudinale de celui-ci, dans laquelle le matériau à émission d'hydrogène 7 est agencé de manière ajustée. Le matériau à émission d'hydrogène 7 est constitué d'un fil ayant un diamètre d'environ 100 gIm constitué par exemple par frittage de ZrH2. Le support 8 peut être muni sur une paroi latérale de
celui-ci d'ouvertures qui facilitent la décharge de gaz.
Le support 8 qui a le matériau à émission d'hydrogène 7 ainsi maintenu à l'intérieur est positionné dans une région de l'espace 10 située à distance du tube de mise sous vide 6 comme représenté sur les figures 1 (a) et 2 et ensuite le substrat de côté
anode 1 et le substrat de côté cathode 2 sont réunis ensemble comme décrit ci-dessus.
Le boîtier sous vide formé tel que représenté sur la figure l(a) est alors soumis à un traitement à température élevée. Le traitement entraîne le gaz à éliminer du matériau des électrodes ou analogue, qui est déchargé depuis le boîtier sous vide à travers le tube de mise sous vide 6 par l'intermédiaire d'une pompe à vide (non-représentée), le résultat
étant une atmosphère sous vide poussé formée dans l'espace 10.
Dans ce but, le gaz est déchargé vers l'extérieur depuis le trou de mise sous vide 6a comme indiqué par les traits interrompus sur la figure l(a). Simultanément, de l'hydrogène est émis du matériau à émission d'hydrogène 7 et est dirigé vers le trou de mise sous vide 6a comme représenté sur les figures l(a) et 2. L'hydrogène permet au gaz restant dans l'espace 10 d'être poussé dans le trou de mise sous vide 6a, de sorte que le gaz résiduel qui est ce qu'on appelle une impureté peut être déchargé de manière
satisfaisante de l'espace 10 bien que l'espace 10 ait une conductance réduite.
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L'hydrogène émis par le matériau à émission d'hydrogène 7 est déchargé de
l'espace 10, par la suite, dans le gaz d'impuretés.
Après que la mise sous vide ait été entièrement atteinte, le tube de mise sous vide 6 est scellé comme représenté sur la figure l(b), de sorte que le vide existant dans l'espace 10 peut être maintenu à un niveau prédéterminé ou à un niveau supérieur. Alors, un traitement de vaporisation d'élément d'absorption de gaz ou analogue est effectué pour permettre à tout gaz pouvant rester dans l'espace d'être adsorbé sur l'élément d'absorption de gaz, de sorte que le boîtier sous vide peut être augmenté en
termes de niveau de vide.
L'émission d'hydrogène depuis le matériau à émission d'hydrogène 7 continue
jusqu'à un certain degré même après que le tube de mise sous vide 6 ait été scellé.
Egalement, une partie de l'hydrogène émis par le matériau à émission d'hydrogène 7 pendant l'évacuation du gaz résiduel peut rester dans l'espace 10 sans être déchargé de celui-ci. Cependant, l'hydrogène restant dans l'espace 10 est empêché d'affecter de manière néfaste les cathodes pour détériorer les caractéristiques d'émission des cathodes. Au contraire, l'hydrogène agit pour empêcher une oxydation et une contamination des émetteurs. Ainsi, le reste d'hydrogène dans l'espace contribue à une
augmentation de la durabilité du dispositif à cathodes à émission de champ.
Egalement, le mode de réalisation représenté est construit de sorte que le matériau à émission d'hydrogène 7 est agencé uniquement dans une partie de l'espace 10 plutôt que sous la forme d'un film mince situé au- dessus de tout l'espace 10. Un tel agencement du matériau à émission d'hydrogène 7 élimine une émission excessive d'hydrogène à partir du matériau 7, pour empêcher ainsi l'hydrogène restant d'affecter de manière néfaste le dispositif. Une telle fonction de réduction du gaz H2 pendant la mise sous vide comme décrit ci-dessus s'étend sur le dispositif à cathodes à émission de champ, du fait que le matériau à émission d'hydrogène 7 est agencé uniquement dans la
position de l'espace 10 la plus éloignée du trou de mise sous vide 6a.
De plus, le matériau à émission d'hydrogène 7 agit également en tant qu'élément d'absorption de gaz pour réduire d'autres gaz tels que, par exemple, l'oxygène après la mise sous vide, en empêchant l'oxydation des électrodes émettrices, ce qui entraîne une
augmentation de la durabilité du dispositif à cathodes à émission de champ.
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Dans le mode de réalisation représenté, le matériau à émission d'hydrogène 7 est constitué d'un fil obtenu par frittage de ZrH2. Egalement, il peut être conçu en mélangeant une poudre de ZrH2 avec du verre pour préparer une pâte et remplir la gorge du support 8 à l'aide de la pâte, ce qui est suivi d'un séchage de la pâte. En variante, il peut être constitué d'un film de a-Si:H, de particules de a-Si:H ou analogue, déposé sur
une plaque de verre ou une tige de verre.
L'agencement du matériau à émission d'hydrogène 7_peut être effectué de
diverses manières comme représenté sur les figures 4 à 9.
Plus particulièrement, sur la figure 4, le matériau à émission d'hydrogène 7 est o agencé de manière fixe par l'intermédiaire d'un élément de cadre 9. Dans ce but, l'élément de cadre 9 qui est formé selon une hauteur, par exemple, de 100 à 150 rm est agencé à l'extrémité de l'espace 10 la plus éloignée du trou de mise sous vide 6a, de sorte que le matériau à émission d'hydrogène 7 est agencé entre l'élément de cadre 9 et
la paroi latérale de l'espace 10.
Dans ce cas, l'élément de cadre 9 peut avoir une forme parallélépipède rectangulaire ayant pratiquement la même dimension que le matériau à émission d'hydrogène représenté sur la figure 5. En variante, il peut être construit de manière à
réguler les deux extrémités du matériau à émission d'hydrogène 7.
Sur la figure 7, le trou de mise sous vide 6a est agencé au niveau d'un coin de l'espace 10. Le matériau à émission d'hydrogène 7 est agencé à chacun des trois coins restants. Un tel agencement améliore de manière significative la fonction de réduction du gaz H2. Dans ce but, un élément de cadre 9 est agencé à chacun des trois coins autres que le coin au niveau duquel est agencé le trou de mise sous vide 6a, de sorte que le matériau à émission d'hydrogène 7 est agencé entre chacun des éléments de cadre 9 et
chacun des coins.
Sur la figure 8, deux trous de mise sous vide 6a sont agencés sur des parois latérales de l'espace 10 de manière à être espacés l'un de l'autre dans la direction longitudinale de l'espace 10. Egalement, un élément de cadre 9 qui a une forme de U est positionné au niveau de la partie centrale de chacune des parois supérieure et inférieure de l'espace 10 qui est la plus éloignée des trous de mise sous vide 6a. Le matériau à émission d'hydrogène 7 est agencé entre chacun des éléments de cadre 9 et la paroi de l'espace 10. Un tel agencement permet à la fonction de réduction des matériaux 1o 2781081 d'émission d'hydrogène 7 de s'étendre sur toute la surface intérieure globale du dispositif
pendant la mise sous vide à travers les trous de mise sous vide 6a.
L'agencement représenté sur chacune des figures 7 et 8 peut être appliqué de manière adaptée au cas o le matériau à émission d'hydrogène 7 est maintenu dans le support 8. Sur la figure 9, un espace supplémentaire 11 qui est contigu à l'espace 10 est formé dans la position la plus éloignée du trou de mise sous vide 6a et le matériau à
émission d'hydrogène 7 est agencé à l'intérieur tout en étant maintenu dans le support 8.
Un tel agencement permnet non seulement au matériau à émission d'hydrogène 7 de présenter de manière satisfaisante une fonction consistant à expulser tout gaz d'impuretés, mais réduit également l'espace mort dans une surface d'affichage (substrat anodique) du fait que le matériau à émission d'hydrogène 7 n'est pas reçu dans l'espace 10. De plus, l'espace 1 1 peut fonctionner en tant que chambre pour élément d'absorption
de gaz après étanchéification.
De plus, la présente invention peut être modifiée de diverses manières.
Egalement, dans le mode de réalisation représenté, le matériau à émission d'hydrogène 7 est constitué de ZrH2 à titre d'exemple. En variante, il peut être constitué d'un alliage hydrogéné ou d'un matériau d'occlusion d'hydrogène tel que TiH2, TaH2, VH2, MgH2,
ThH2 ou analogue.
Comme on peut le voir de ce qui précède, le boîtier sous vide de la présente invention est construit de sorte qu'un gaz ou de l'hydrogène émis par le matériau à émission de gaz agencé à la position la plus éloignée de la partie d'évacuation de l'espace expulse tout gaz restant dans l'espace en direction du tronçon de mise sous vide pendant la mise sous vide. Une telle construction permet d'effectuer la mise sous vide
avec une efficacité fortement accrue et pendant une courte période de temps.
Egalement, du gaz émis par le matériau à émission de gaz peut rester dans l'espace après la mise sous vide ou l'étanchéification. Cependant, le gaz restant dans l'espace est de l'hydrogène, de sorte qu'il ne peut pas affecter de manière néfaste les cathodes, empêchant ainsi une détérioration des caractéristiques d'émission des cathodes. Au contraire, il empêche l'oxydation des émetteurs, de manière à contribuer à
une augmentation de la durabilité du dispositif à cathodes à émission de champ.
il 2781081 De plus, le matériau à émission de gaz agit en tant qu'élément d'absorption de gaz après l'étanchéification du boîtier sous vide, de manière à contribuer encore à une
augmentation de la durabilité du dispositif.
Ainsi, il sera noté que la présente invention permet de fabriquer le boîtier sous vide pour dispositif à cathodes à émission de champ avec une efficacité accrue et
d'améliorer la fiabilité fonctionnelle du dispositif.
Bien qu'urn-mode préféré de réalisation de la présente invention ait-été décrit avec un certain degré de particularité en référence aux dessins, des modifications et
variations évidentes sont possibles au vu des enseignements ci-dessus.
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Claims (3)
1. Boîtier sous vide pour dispositif à cathodes à émission de champ, caractérisé en ce qu'il comporte: - un premier substrat constitué de verre (1), - un second substrat constitué de verre (2) et agencé de manière à être en vis-à-vis dudit premier substrat (1), - une paroi latérale agencée entre ledit premier substrat (1) et ledit second substrat (2) pour espacer lesdits premier et second substrats l'un de l'autre, de manière à former un espace (10) entre ceux-ci, - un tronçon de mise sous vide (6) constitué d'un trou de mise sous vide (6a) à travers lequel ledit espace (10) est mis sous vide poussé et qui est rendu étanche après mise sous vide, de manière à maintenir ledit espace sous vide, et - un matériau à émission de gaz (7) agencé au niveau d'au moins une position, incluant une position qui est définie dans ledit espace (10) ou un espace supplémentaire (11) contigu audit espace (10) et qui est la plus éloignée dudit tronçon de mise sous vide (6).
2. Bottier sous vide selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit premier substrat (1) comporte des cathodes à émission de champ formées sur celui-ci, et ledit second substrat (2) a des anodes formées sur celui-ci, - lesdites anodes étant agencées de manière à être en vis-à- vis desdites cathodes
à émission de champ.
3. Boîtier sous vide selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit matériau à émission de gaz (7) est un alliage hydrogéné ou un matériau d'occlusion d'hydrogène contenant au moins un élément choisi parmi le groupe constitué de Zn, Ti, Ta, V, Mg et Th.
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