JP2009032674A - 気密容器およびこれを用いた画像形成装置の製造方法 - Google Patents

気密容器およびこれを用いた画像形成装置の製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】シール材をより均一な高さで形成し、画像形成装置の気密性をさらに向上させる。
【解決手段】接合剤配置工程では、第1の部材26及び第2の部材32の互いに対向する面の一方の面に、第2の接合材2を環状に配置し、且つ第2の接合材よりも押付圧力に対する圧縮率が小さい第1の接合材1を、第1の接合材1の高さが第2の接合材2よりも小さくなるように、第2の接合材2に併設させて配置する。加圧工程では、第1の接合材及び第二の接合材が、互いに対向する面の他方の面に接触するように、他方の面を第1及び第2の接合材に押付ける。加熱工程では、他方の面に接触した第1の接合材1を部分ごとに順次加熱溶融させる。さらに、第1の接合材1の加熱溶融した部分を冷却する。
【選択図】図2

Description

本発明は、気密容器および画像形成装置の製造方法に関し、特に画像形成装置の外囲器の接合方法に関する。
画像形成装置の一つである画像表示装置としてリアプレートに画像信号に応じて電子を放出する多数の電子放出素子が設けられフェースプレートに電子の照射を受けて発光し画像を表示する蛍光膜が設けられ、内部が真空に維持される画像表示装置が知られている。このような画像表示装置では、さらにフェースプレートとリアプレートの間に支持枠が設けられ、支持枠がフェースプレートとリアプレートの双方と接合されて外囲器を形成する構成が多い。外囲器が真空容器として機能するためには、接合部が強固に固定されるだけでなく、十分なシール性を有していることが必要である。
特許文献1には、シール機能を有するシール材によって気密接合した接合部を有し、接着機能を有する接着材によって気密な接合を補強した外囲器の製造方法が記載されている。この技術によれば、接合部の一方の面に、周長に沿ってシール材を設け、加熱して軟化させ、被接合物(例えば、フェースプレート)を押付ける。これによって、シール材が接合部に満遍なく行き渡り、高いシール性が得られる。その後、接着剤をシール材の周辺に塗布し、接合強度を高める。これによって、シール性と接合強度とを兼ね備えた接合部が形成される。
国際公開第00/51155号パンフレット
上記の従来技術では、容器の気密性の更なる改善が望まれていた。具体的には、被接合物と押し付ける際にシール材が軟化するために、その上に固定されるフェースプレートの姿勢が不安定となり、接合部の厚さが部位によって変動する可能性がある。シール材は厚さ1mmにも満たない薄い部材であるため、厚さのわずかな変動がシール性に大きな影響を与える。シール性が低下すると、外囲器内部の真空度を確保し、維持することができない。また、フェースプレートの姿勢が不安定であると、フェースプレートがリアプレートと平行に固定されない可能性も生じる。このため、シール材の高さの不均一は、画像品質に大きな影響を与えるおそれがある。
本発明は、シール材をより均一な高さで形成し、容器の気密性をさらに向上させることができる気密容器の製造方法を提供することを目的とする。また本発明は、このような気密容器の製造方法を用いた、画像形成装置の製造方法を提供することを目的とする。
本発明の気密容器の製造方法は、気密容器を構成する第1の部材及び前記第2の部材の互いに対向する面の一方の面に、第2の接合材を環状に配置し、且つ該第2の接合材よりも押付圧力に対する圧縮率が小さい第1の接合材を、該第1の接合材の高さが該第2の接合材よりも小さくなるように、該第2の接合材に併設させて配置する、接合材配置工程と、
前記第1の接合材及び第二の接合材が、前記互いに対向する面の他方の面に接触するように、該他方の面を前記第1及び第2の接合材に押付ける加圧工程と、
前記他方の面に接触した前記第1の接合材を部分ごとに順次加熱溶融させる加熱工程と、
前記第1の接合材の加熱溶融した部分を冷却する工程を有している。
本発明の画像形成装置の製造方法は、気密容器内に電子放出素子と画像形成部材とを有し、該気密容器が、上記本発明の気密容器の製造方法によって形成される。
本発明によれば、シール材をより均一な高さで形成し、容器の気密性をさらに向上させることができる気密容器の製造方法を提供することができる。また本発明は、このような気密容器の製造方法を用いた、画像形成装置の製造方法を提供することができる。
以下、本発明の実施の形態について説明する。本発明の気密容器の製造方法は、真空容器を用いる画像表示装置の製造方法に好適に使用することができる。特に、真空外囲器のフェースプレートに蛍光膜および電子加速電極が形成され、リアプレートに電子源が形成された画像表示装置は、本発明が適用される好ましい形態である。
図1は、本発明の対象となる画像表示装置の一例を示す部分破断斜視図である。画像表示装置11は、第1の部材12と、第2の部材13とを有し、第1の部材12と第2の部材13の互いに対向する面同士が接合されることによって密閉された内部空間を有する気密容器である外囲器10が形成されている。気密容器内(外囲器10の内部)は真空に維持されている。第1の部材12はリアプレート(第1のプレート)22と支持枠26とからなり、第2の部材13はフェースプレート32からなる。支持枠26のリアプレート22に固定された面の反対面が、フェースプレート32と対向する面となる。第1の部材12はリアプレート22と支持枠26とを接合することによって作成されるが、一体物として作成されていてもよい。リアプレート22及びフェースプレート32はガラス部材からなる基板を備えている。
リアプレート22のガラス基板21には、画像信号に応じて電子を放出する多数の電子放出素子27が設けられ、画像信号に応じて各電子放出素子27を作動させるための配線(X方向配線28,Y方向配線29)が形成されている。フェースプレート32のガラス基板33には、電子の照射を受けて発光し画像を表示する、画像形成部材である蛍光膜34が設けられている。ガラス基板33上にはさらにブラックストライプ35が設けられている。蛍光膜34とブラックストライプ35は交互に配列して設けられている。蛍光膜34の上にはAl薄膜よりなるメタルバック36が形成されている。メタルバック36は電子を引き付ける電極としての機能を有し、外囲器10に設けられた高圧端子Hvから電位の供給を受ける。メタルバック36の上にはTi薄膜よりなる非蒸発型ゲッタ37が形成されている。
次に、本発明の実施の形態について、図2〜4を用いて具体的に説明する。図2は、本発明のプロセスフロー(接合部)を示す断面図である。図3は、接合部の上面図である。図4は、接合部の一例を示す断面図である。
(ステップS1:接合材配置工程)まず、リアプレート22と支持枠26とを接合した第1の部材12を準備する(図2(a)参照)。次に、支持枠26のフェースプレート32と対向する面に、周長に沿って、第1の接合材1を塗布し焼成する(図2(b),(c)参照)。第1の接合材1は金属またはガラスフリットからなる。ここで、第1の接合材1は、後述する第2の接合材2よりも押付圧力に対する圧縮率が小さいものを選択する。また、第1の接合材1は、その高さが後述の第2の接合材の高さよりも小さくなるようにする。次に、第1の接合材1よりも押付圧力に対する圧縮率が大きい第2の接合材2を環状に、第1の接合材1と併設させて塗布する(図2(d)参照)。圧縮率が大きいとは、第2の接合材2が第1の接合材1よりも軟らかく、押し潰されやすいことを意味する(詳細は後述)。換言すると、圧縮率が小さい第1の接合材1は、第2の接合材2よりも硬く、押し潰されにくいことを意味する。第2の接合材2は、その高さが第1の接合材の高さよりも大きくなるように塗布する。また、第1の接合材と第2の接合材とが併設するように第2の接合材を配置する。図示の実施形態では第1の接合材1を外側に、第2の接合材2を内側に塗布しているが、逆であってもよく、互いに並列して設けられていればよい。第2の接合材2は接合部の接着性だけでなく、シール性を確保するために設けられる。従って、第2の接合材2は支持枠26のフェースプレート32と対向する面の全周に渡って環状に塗布することが望ましい。一方、第1の接合材1は接合部の接着性を強化するために設けられる。従って、本実施形態では、第1の接合材1は支持枠26のフェースプレート32と対向する面の全周に渡って塗布されているが、必ずしもそのようにする必要はない。具体的には、第1の接合材は、環状に配置された第2の接合材に添って、離散的に配置されていてもよい。ただしこの場合も、第1の接合材は、第2の接合材の高さ(厚み)を規定するため、第2の接合材と併設されている必要がある。図4に示すように、第2の接合材2の接合をしやすくするために、支持枠26及びフェースプレート32にあらかじめ下引き層4a,4bを形成しておいてもよい。
(ステップS2:加圧工程)次に、スペーサ8を配線27,28上に配置する(図2(e)参照)。そして、第1の接合材1及び第2の接合材2が塗布された支持枠26の面(一方の面)に、フェースプレート32の当該面と対向する面(他方の面)を押付ける(図2(f),(g)参照)。図3(a)は図2(g)の状態における平面図である。これによって、第2の接合材2が変形し、その高さが徐々に減少し、第1の接合材1の高さと一致する。その結果、第2の接合材と第1の接合材1が共にフェースプレート32に接触する。
(ステップS3:加熱工程)次に、第1の接合材1の一部のみを加熱溶融させ、次に一部とは異なる他の一部のみを加熱溶融させ、さらに必要なだけこのステップを繰り返す(図2(h)参照)、つまり、第1の接合材を部分ごとに順次加熱溶融させていく。具体的には、フェースプレート32が第2の接合材2を介して支持枠26に圧着された状態で、加圧を解除し、第1の接合材1の溶融させたい部位だけを局所的かつ部分的に加熱する。図3(c)は図2(g)の状態における平面図である。各加熱ステップでは、第1の接合材1の複数個所あるいは複数部分を同時に局所加熱してもよいし(図3(b)参照)、1箇所あるいは1部分のみを局所加熱してもよい(図3(b)'参照)。加熱工程は、第1の接合材1の加熱位置を変えながら複数回の加熱を行うことによって、第1の接合材1の全てを加熱溶融させることが望ましい。
加圧は図2(g)から図2(h)の工程の間で解除すればよい。すなわち、図2(g)のように第2の接合材2を第1の接合材1の高さまで押し潰した後に加圧を解除してもよいし、加圧した状態のままで、図2(h)の加熱工程まで行ってもかまわない。尚、加熱工程は、図5に示すように、第1の接合材1に沿って加熱位置を走査しながら第1の接合材1を順次加熱溶融させてもよい。
(ステップS4:冷却工程)第1の接合材1の加熱溶融した部分を冷却する。これによって、支持枠26とフェースプレート32とが第2の接合材2によってシールされつつ、第1の接合材1によって強固に固定される。
(ステップS5:ベーク工程)外囲器10の内部空間の真空度を高めるため、加熱工程の後に、所定の温度(第1の温度)でベーキングを行う。具体的には、外囲器10を真空チャンバー(不図示)内に設置し、外囲器10内部を排気孔7を介して真空排気しながら、チャンバー内の真空度を10-3Pa台に下げ、外囲器10全体を加熱し、非蒸発型ゲッタ37を活性化させる。さらに、封止材6と封止蓋5で排気孔7を封止し、画像表示装置11を形成する。封止蓋5はリアプレート22と同じ材質が好ましいが、Al、Ti、Ni等の真空ベーク中で溶融しない金属、合金でもかまわない。)
図6は、押付圧力に対する圧縮率の概念を示すグラフである。圧縮率は、初期における接合材の高さをz(0)、加圧圧力P(Pa)における接合材の高さをz(P)、高さ歪をΔz(P)=z(0)−z(P)とするとき、
Δz(P)/z(0)=1−z(P)/z(0)
として定義される。圧縮は、弾性変形による高さ方向の圧縮と塑性変形による高さ方向の圧縮の合計を意味する。圧縮率が0とは圧縮されないことを示し、圧縮率が増えるに従い圧縮されやすくなることを示す。「第2の接合材の押付圧力に対する圧縮率が、第1の接合材の押付圧力に対する圧縮率よりも大きい」とは、想定される加圧圧力範囲において、第2の接合材の圧縮率が第1の接合材の圧縮率を上回ることを意味する。換言すると、「第1の接合材の押付圧力に対する圧縮率が、第2の接合材の押付圧力に対する圧縮率よりも小さい」とは、想定される加圧圧力範囲において、第1の接合材の圧縮率が第2の接合材の圧縮率を下回ることを意味する。想定圧力範囲は連続的な幅(レンジ)である必要はなく、離散的に設定してもよい。
接合材の高さz(P)と押付圧力P(Pa)の関係は、少なくとも室温(25℃)及び工程上必要な温度(例:350℃,430℃など)であらかじめ測定しておくことが望ましい。実際の圧縮率は、接合材の材質だけではなく、断面形状、サイズ、及び設置面の変形の度合いに依存するので、圧縮率の測定をする際には、実施しようとするプロセスに従って測定条件を決める事が望ましい。さらに、特に低融点金属材料等を用いる場合、材料の圧縮率は材料の幅にも依存するので、実際に使用する幅で測定する方が好ましい。
図6には2種類の材料の圧縮率が温度をパラメータとして示されている。タイプ1の材料は室温(25℃)でも押付圧力を加えると共に潰すことができ、350℃及び430℃ではさらに潰れやすくなる。タイプ2の材料は室温(25℃)及び350℃では50MPa程度までの押付圧力では潰れないが、430℃では押付圧力を加えると潰れていく。本実施形態では第1の接合材1としてタイプ2の材料を用い、第2の接合材2としてタイプ1の材料を用いている。このため、第2の接合材2の押付圧力に対する圧縮率が、第1の接合材1の押付圧力に対する圧縮率よりも大きくなっている。
画像表示装置の外囲器に適用可能な接合材は、さらに以下の条件を満たしている必要がある。
1.耐熱性:真空中ベーク工程における耐熱性(上述のステップ5)
2.気密性:高真空を経時的に維持する気密性
3.接着性:被接合物(枠部材、フェースプレート材)との接着性
4.放出ガス特性:低放出ガス特性
これらの条件及び図6の条件を満たす第1の接合材1としては、少なくとも有機バインダーをバーンアウトするため焼成まで行ったガラスフリットや、Al、Ti、Ni等の金属あるいは合金があげられる。第2の接合材2としては、In、Sn、Al、Cu、Au、Ag等の金属あるいは合金があげられる。In、Sn等の低融点金属、もしくはIn−Ag、Sn−Agを用いた合金からなる低融点金属は、第2の接合材2の最も好ましいものの一つである。
図2(f)から図2(g)の状態に向けて室温で第2の接合材2に押付圧力を加えると、タイプ1の材料は室温で潰れるためその高さが徐々に減少していき、接合材1の高さまで押し潰される。しかし、タイプ2の材料を用いた第1の接合材1は50MPaまでは潰れないので、第2の接合材2の厚さは第1の接合材1の高さで安定し、それ以上小さくならない。つまり、第2の接合材2の圧縮変形が第1の接合材1によって規制されるため、加圧工程中に第2の接合材2の厚さが部位によってばらつく可能性が大きく低減する。
一方、加熱工程は430℃程度(第2の温度)で実施されるため、第1の接合材1も溶融し、圧縮変形が生じやすくなる。しかし、上述のように第1の接合材1はその一部のみを加熱溶融させ、次に当該一部とは異なる他の一部のみを加熱溶融させる、つまり部分ごとに順次加熱溶融させる、という方法で加熱溶融させられるため、第1の接合材1の全体が同時に溶融することはない。換言すれば、第1の接合材1の加熱溶融していない部位が、いわば脚部のようにフェースプレートからの押付圧力を支えるため、第1の接合材1の全体形状が維持される。従って、加熱工程においても、第2の接合材2の厚さが部位によってばらつく可能性が大きく低減する。
さらに、加熱工程後には、真空排気と、加熱工程より低い350℃程度(第1の温度)の温度でのベークを受ける(図2(h)参照)が、この温度では第1の接合材1の圧縮率は実質的に0であり、第1の接合材1が潰れることはない。従って、ベーク工程においても、第2の接合材2の厚さが部位によってばらつく可能性が大きく低減する。このようにして、シール機能を実現する第2の接合材2が、加圧工程、加熱工程、及びベーク工程の際に、その周長に沿って膜厚のばらつく可能性が低減し、より信頼性の高いシール性能を発揮することができる。
なお、図6の例では、加圧工程時の第1の接合材1の圧縮変形は実質的に0であるが、多少変形が生じても、第2の接合材2よりも圧縮率が小さければ、依然として第2の接合材2の圧縮変形を防止することは可能である。
以下、具体的な実施例を挙げて本発明をさらに詳しく説明する。以下に示す各実施例の画像表示装置は、フェースプレート32と、リアプレート22と、を備えている(図1参照)。リアプレート22には、ガラス基板21上に、複数(240行×720列)の表面伝導型電子放出素子27が、X方向配線28及びY方向配線29と電気的に接続するように、単純マトリクス配線されている。フェースプレート32には、画像形成部材である蛍光膜34の上に、Al薄膜よりなるメタルバック36が、スパッタリング法により0.1μmの厚さに形成されている。さらに、非蒸発型ゲッタ37としてTi膜が、電子ビーム真空蒸着法により0.1μmの厚さで形成されている。
(実施例1)(ガラスフリット塗布後焼成+In+タック)
まず、図6に示すような押付圧力と接合材の圧縮率との関係を、室温、350℃、430℃でそれぞれ測定する。本実施例では、第1の接合材1として、350℃では厚さが変化しないガラスフリット(図6中のタイプ2)を用いる。第2の接合材2として、第1の接合材1よりも軟らかく室温でも押し潰せるInを用いる。
工程−a
リアプレート22と支持枠26とをガラスフリット3で接合する。(図2(a))
工程−b
次に、テルピネオールとエルバサイトと第1の接合材1の母材となるガラスフリットとを調合したペーストを、第1の接合材1の前駆体として、ディスペンサーを用いて、支持枠26の全周上に厚さ約0.5mm、幅2mmで塗布する。(図2(b))
工程−c
工程−bで塗布した第1の接合材1の前駆体を430℃で焼成し、ターピネオール等の有機物をバーンアウトし、厚さ0.3mm、幅2mmの第1の接合材1を形成する(図2(c))。
工程−d
第1の接合材1の内側に、Inからなる第2の接合材2を、幅2mm、膜厚5μmの下引き層4aに沿って、超音波はんだ装置を用いて、支持枠26の全周に厚さ0.5mm、幅2mmで配置する(図2(d))。下引き層4aは、銀ペーストを焼成してあらかじめ形成しておく。
工程−e
その後、第2の接合材2より高さが低く、第1の接合材1とほぼ同じ高さになるようにスペーサ8を配線上に配置する(図2(e))。
工程−f、g
スペーサ8を配置したリアプレート22と、幅2mm、膜厚5μmの下引き層4bが形成されたフェースプレート32とを所定の位置で位置合わせし(図2(f))、フェースプレート32と第1の接合材1とを接触させる。すなわち、第2の接合材2を第1の接合材1の厚さまで押し潰し、第2の接合材2によって気密性を確保する(図2(g)、図3(a))。下引き層4bは、銀ペーストを焼成してあらかじめ形成しておく。
工程−h
次いで、フェースプレート32側からハロゲンランプを集光し、第1の接合材1の複数の位置に同時に照射し(図2(h)、図3(b))、第1の接合材1を部分的に溶融させる。これによって、フェースプレート32、支持枠26、及びリアプレート22からなる外囲器10が形成される(図2(h)、図3(c))。
工程−i
次に、外囲器10を真空チャンバー(不図示)内に設置し、排気孔7によって外囲器10内を真空排気しながら、チャンバー内の真空度を10-3Pa台に下げ、外囲器10全体を350℃まで加熱し、非蒸発型ゲッタ37を活性化させる。その後、Inからなる封止材6とガラス基板からなる封止蓋5で排気孔7を封止し、画像表示装置11を形成する。(図1、図2(i)、図4)
以上のように製造された本実施例の画像表示装置11では、部分的かつ局所的に第1の接合材1が溶融する(工程−h)ため、第1の接合材1(ガラスフリット)の高さが変わらない。そのため、第2の接合材2(In)の厚さが保持される。さらに工程−iでも、350℃の加熱時に第2の接合材2であるInは溶融状態になるが、第1の接合材1であるガラスフリットは溶融しないため、第2の接合材2(In)の厚さが保持される。そのため気密性に優れた画像表示装置を得ることができる。また、フェースプレート32と支持枠26とが第1の接合材1で、支持枠26とリアプレート22とがガラスフリット3でそれぞれ固定されているため、これらの部材のあらかじめ決めた相対位置関係も保持される。
(実施例2)(ガラスフリット塗布後焼成+In+タック+レーザ)
本実施例では、工程−hにおいて、レーザの照射を用いている。具体的には、波長810nm、100W、有効径0.8mmのパワーの半導体レーザを第1の接合材1の複数個所に部分的かつ局所的に同時に照射し(図3(b))、第1の接合材1を溶融させた。これによって、フェースプレート32と支持枠26とリアプレート22とからなる外囲器10が形成される(図3(c))。これ以外の工程は実施例1と同様である。
以上のように製造された本実施例の画像表示装置は、レーザの照射を用いて部分的かつ局所的に第1の接合材1を溶融し、フェースプレート32と支持枠26とを接合するため、第2の接合材2Inの厚さがさらに保持されやすく、気密性が一層改善される。特に、レーザ照射を用いると、狭い領域でも正確な照射が可能であり、局所加熱が一層効果的に行える。これによって、第2の接合材の厚さ(高さ)の均一性が高まり、より高い気密性が得られる。
(実施例3)(ガラスフリット塗布後焼成+In+全周+レーザ)
本実施例では図5に示すように、工程−hにおいて、半導体レーザを第1の接合材1に対し部分的かつ局所的に連続的に走査しながら、順次照射し(図5(b))、第1の接合材1を溶融させている。これによって、フェースプレート32と支持枠26とリアプレート22とからなる外囲器10が形成される(図5(c))。これ以外の工程は実施例1と同様である。
以上のように製造された本実施例の画像表示装置は、第1の接合材1を連続的、部分的かつ局所的に溶融し、フェースプレート32と支持枠26とを接合するため、第1の接合材1自体でもシール性が保持でき、画像表示装置の気密性が向上する。また、再現性も向上し、製造上のばらつきが改善される。
(実施例4)(シートガラスフリット+In+全周+レーザ)
本実施例では、第2の接合材2を配置した後、あらかじめシート状に焼成した幅2mm、厚さ300μmのガラスフリットを第1の接合材1として、第2の接合材2の外側全周に配置する。これ以外の工程は実施例1と同様である。
以上のように製造された本実施例の画像表示装置は、第1の接合材1を連続的、部分的かつ局所的に溶融し、フェースプレート32と支持枠26とを接合するため、第1の接合材1自体でもシール性が保持でき、画像表示装置の気密性が向上する。また、再現性も向上し、製造上のばらつきが改善される。さらに、本実施例ではガラスフリットをあらかじめシート状に焼成してあるため、図2(b)の工程が省け、第2の接合材2の設置工程(図2(d))を先に行うことが可能となるなど、プロセスの自由度が増える効果がある。
(実施例5)(Al+In+全周+レーザ)
本実施例では、第1の接合材1として幅2mm、厚さ50μmのシート状のAl(アルミニウム)箔を用い、第2の接合材2として幅2mm、厚さ100μmのInを用いる。これ以外は実施例4と同様である。Alは、室温時及び350℃時において、Inからなる第2の接合材2より硬い(圧縮率が小さい)材料として選択した。
以上のように製造された本実施例の画像表示装置では、実施例4と同様の効果が得られる。Al箔を用いることで図2(b)の工程が省け、第2の接合材2の設置工程(図2(d))を先に行うことが可能となるなど、プロセスの自由度が増える効果がある。また、金属を用いるため、真空排気及びベーク(図2(i))の際の放出ガスを減らすことができ、外囲器内部の真空度が向上する。
(実施例6)(ガラスフリット+In+全周+レーザ)
本実施例では図7に示すように、80℃に加熱した4mm幅の支持枠26の片面外周全周に、テルピネオールとエルバサイトと第1の接合材1の母材となるガラスフリットとを調合したペーストを、ディスペンサーを用いて、幅2mm、厚さ0.5mmで塗布した。その後、支持枠26を反転させ、Al板上に置き、押し潰して厚さ0.4mmに平坦化した後、支持枠26のもう一方の面に同様の方法で、同じペーストを幅4mm、厚さ0.8mmで塗布する。すなわち、支持枠26の対向する2面に順次ガラスフリットを設ける。次いで、380℃で仮焼成した後、支持枠26をAl板から剥がし、再度反転して、平坦化されていないフリットをリアプレートと接触させ、支持枠26をリアプレート22の所定の位置に配置した。その後、430℃で焼成し、支持枠26とリアプレート22とを接合する幅2mmの第1の接合材1と、ガラスフリット3の焼成を同時に行い、図2(c)の状態にする。尚、このときの第1の接合材の厚さは0.3mmと成っていた。
その後、第2の接合材2として、幅2mm、厚さ500μmのSn−Ag系合金を用い、図2(f)、(g)の工程を150℃で行い、図2(i)の工程では、封止蓋5としてAl板、封止材6としてSn−Ag系合金を用いる。これ以外は実施例3と同様の方法で画像表示装置を形成する。以上のように製造された本実施例の画像表示装置は、実施例3と同様の効果が得られる。
以上、本発明の実施形態及び実施例について説明したが、本発明はこれらに限定されない。例えば、上述の実施形態及び実施例では、支持枠26とフェースプレート32との接合部に本発明を適用したが、支持枠26とリアプレート22の間の接合部に本発明を適用してもよい。同様に、支持枠26とフェースプレート32との接合部、及び支持枠26とリアプレート22の間の接合部の双方に本発明を適用してもよい。なお、実施形態及び実施例では支持枠26とフェースプレート32との接合部のみに本発明を適用しているが、これは支持枠26とリアプレート22の間の接合部は比較的厚い肉厚とすることができ、シール性を確保しやすいためである。また、支持枠26とリアプレート22の間の接合部に本発明を適用する場合、リアプレート22を下に置き、第1、第2の接合材をリアプレート22に塗布し、支持枠26で第2の接合材を変形させてもよい。
本発明の画像表示装置の概略図である。 本発明のプロセスフロー(接合部)の断面図である。 本発明の接合部の上面図である。 本発明の接合部の部分断面図である。 実施例3のプロセスの一例を示す模式図である。 本発明に用いられる接合材の押付圧力と圧縮率の関係の一例を示す図である。 実施例6のプロセスの一例を示す模式図である。
符号の説明
1 第1の接合材
2 第2の接合材
12 第1の部材
13 第2の部材
22 リアプレート(第1のプレート)
26 支持枠
27 電子放出素子
32 フェースプレート

Claims (11)

  1. 気密容器の製造方法であって、
    気密容器を構成する第1の部材及び第2の部材の互いに対向する面の一方の面に、第2の接合材を環状に配置し、且つ該第2の接合材よりも押付圧力に対する圧縮率が小さい第1の接合材を、該第1の接合材の高さが該第2の接合材よりも小さくなるように、該第2の接合材に併設させて配置する、接合材配置工程と、
    前記第1の接合材及び第2の接合材が、前記互いに対向する面の他方の面に接触するように、該他方の面を前記第1及び第2の接合材に押付ける加圧工程と、
    前記他方の面に接触した前記第1の接合材を部分ごとに順次加熱溶融させる加熱工程と、
    前記第1の接合材の加熱溶融した部分を冷却する工程と、
    を有する、気密容器の製造方法。
  2. 前記加熱工程は、前記第1の接合材の複数の部分を同時に加熱溶融させることを含む、請求項1に記載の気密容器の製造方法。
  3. 前記加熱工程は、前記第1の接合材の加熱位置を変えながら複数回の加熱を行うことによって、前記第1の接合材の全てを加熱溶融させることを含む、請求項1または2に記載の気密容器の製造方法。
  4. 前記加熱工程は、前記第1の接合材に沿って加熱位置を走査しながら該第1の接合材を順次加熱溶融させることを含む、請求項1に記載の気密容器の製造方法。
  5. 前記加熱工程は第1の接合材を局所加熱することを含む、請求項1から5のいずれか1項に記載の気密容器の製造方法。
  6. 前記局所加熱は、レーザの照射によって行われる、請求項5に記載の気密容器の製造方法。
  7. 前記局所加熱は、ハロゲンランプを照射することによって行われる、請求項5に記載の気密容器の製造方法。
  8. 前記第1の部材及び前記第2の部材はガラスからなり、
    前記第1の接合材は金属またはガラスフリットからなる、
    請求項7に記載の気密容器の製造方法。
  9. 前記接合材配置工程は、前記第1の接合材として、シート状に焼成されたガラスフリットを用いることを含む、請求項8に記載の気密容器の製造方法。
  10. 前記接合材配置工程は、前記第1の接合材として、シート状のアルミニウムを用いることを含む、請求項8に記載の気密容器の製造方法。
  11. 気密容器内に電子放出素子と画像形成部材とを有する画像表示装置の製造方法であって、前記気密容器が、請求項1から10のいずれか1項に記載の気密容器の製造方法によって形成されることを特徴とする画像表示装置の製造方法。
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