JPH0841634A - 陰極スパッタリングのためのスパッタ用ターゲットおよび該スパッタ用ターゲットの製法 - Google Patents

陰極スパッタリングのためのスパッタ用ターゲットおよび該スパッタ用ターゲットの製法

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JPH0841634A JP7050130A JP5013095A JPH0841634A JP H0841634 A JPH0841634 A JP H0841634A JP 7050130 A JP7050130 A JP 7050130A JP 5013095 A JP5013095 A JP 5013095A JP H0841634 A JPH0841634 A JP H0841634A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 機械的安定性を有する、陰極スパッタリング
のためのスパッタ用ターゲットおよび該スパッタ用ター
ゲットの製法。 【構成】 部分還元された酸化インジウム−酸化錫の粉
末混合物もしくは共沈粉末から製造されたターゲットで
あり、この場合、ターゲットは、酸化物セラミックスマ
トリックスからなり、かつ、５０μｍ未満の大きさのＩ
ｎ及び／又はＳｎからなる金属相粒子中に均質かつ微細
に挿入されており、かつ完全酸化された酸化インジウム
／酸化錫の理論密度の９６％を超える密度を有してい
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、部分還元された酸化イ
ンジウム−酸化錫粉末混合物又は部分還元された酸化イ
ンジウム−酸化錫共沈粉末から製造された、透明導電膜
を製造するための陰極スパッタリングのためのスパッタ
用ターゲットおよび該ターゲットの製法に関する。
【０００２】
【従来の技術】酸化インジウム−酸化錫（ＩＴＯ）から
なるターゲットは、陰極スパッタリング（スパッタリン
グ）による透明導電薄膜の製造に使用される。このよう
な膜は、とりわけ平面映像スクリーン技術(Flachbildsc
hirmtechnik)に使用される。酸化インジウム−酸化錫薄
膜は、酸素反応性雰囲気下での金属ターゲットのスパッ
タリングによって製造することもできるし、酸化物セラ
ミックスターゲットのスパッタリングによって製造する
こともできる。
【０００３】酸化物セラミックスターゲットを用いたス
パッタ工程は、スパッタ室中の僅かな酸素流量のみでの
スパッタ工程の制御が、例えば金属ターゲットを用いた
スパッタリングの場合には必要とされる高い酸素流量の
場合より容易に可能であるという利点を有している。
【０００４】酸化インジウム／酸化錫がセラミックス材
料であるため、ターゲット製造の場合には、相応する粉
末から、亀裂がなくかつ十分に高い機械的強さを有する
スパッタ用ターゲットを製造するという本質的な問題が
存在する。その上、ターゲット板が最終加工の際に亀裂
を生じるか又は縁部の範囲が破裂する危険が存在する。
スパッタ運転中の熱負荷によっても、ＩＴＯ材料の不十
分な強さ及び温度変化安定性の場合にはターゲットに亀
裂が生じる可能性がある。
【０００５】高い密度のターゲットを製造するというさ
らに別の要求が存在し、それというのも、スパッタリン
グの結果が示すところによれば、より密度の高いターゲ
ットはスパッタ率についての利点を有しておりかつ孔食
への強い傾向を示すことは殆どないからである。最後の
孔食傾向が殆どないことはとりわけ、ターゲットおよび
スパッタ装置の支障のない連続運転を保証するために重
要である。
【０００６】ドイツ連邦共和国特許出願公開第３３００
５２５号明細書には、部分還元された酸化インジウム−
酸化錫ターゲットおよび該ターゲットの製造が記載され
ている。該明細書によれば、酸化インジウム−酸化錫粉
末混合物は還元条件下で８５０℃〜１０００℃でホット
プレスされ、この場合、該酸化物は、ホットプレス用黒
鉛金型中でか又は炭素もしくは炭素遊離有機材料の添加
によってホットプレスされる。プレス工程中に酸化物は
部分還元され、その結果、ターゲットが得られ、このタ
ーゲットの酸素含量は、化学量論的量の組成物と異なり
減少している。
【０００７】上記方法を用いて、理論密度（ＴＤ）の＜
９１％の密度、不良な電気抵抗（ρ＝０．１〜０．６Ω
ｃｍ）および不十分な機械的安定性を有するターゲット
しか製造することができない。これら３要素の全てが、
スパッタ用ターゲットとしての使用に不利な影響を及ぼ
す。
【０００８】ドイツ連邦共和国特許出願公開第４１２４
４７１号明細書には、予備還元されたＩＴＯ粉末を装入
し、かつ引き続き、ホットプレスすることによる、部分
還元されたＩＴＯターゲットを製造する方法が記載され
ている。この公知方法の課題は、その還元率が５％未満
で変動する、即ち、著しく均質に還元された粉末がホッ
トプレスによってターゲット円板に圧縮されることによ
ってこのような程度に変動するＩＴＯターゲットを製造
することであった。
【０００９】しかしながら試験によって、部分還元され
た粉末のモルホロジーに応じてターゲット密度およびタ
ーゲット円板の機械的安定性についての著しく不良な結
果が得られることが示されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、公知
のターゲット材料の欠点を回避しかつ高い機械的安定性
を有する酸化物セラミックスターゲットを製造すること
である。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題は、本発明によ
れば、ターゲットが酸化物セラミックスマトリックスか
らなり、かつ、５０μｍ未満の大きさのＩｎ及び／又は
Ｓｎからなる金属相粒子中に均質かつ微細に挿入されて
おり、かつ完全酸化された酸化インジウム／酸化錫の理
論密度の９６％を超える密度を有していることによって
解決される。本発明による上記課題の解決によって、タ
ーゲットを問題なく機械的に加工することができるこ
と、該ターゲットを用いて高いスパッタ率を達成するこ
とができることならびに該ターゲットが孔食傾向を殆ど
示さないことが達成される。
【００１２】
【作用】意外にも、酸化インジウムと酸化錫からなる、
適当な部分還元された粉末混合物又は相応する部分還元
された共沈粉末からの高温静水圧圧縮によって、高密度
でありかつ著しい破壊靱性を示すターゲット材料を製造
することができることが判明した。得られた密度は、理
論密度の少なくとも９６％であり、かつ破壊靱性は少な
くとも１．５ＭＰａ√ｍである。これに対して、未還元
のＩＴＯ粉末の場合には専ら、理論密度の８９％および
破壊靱性最大１．１ＭＰａ√ｍが達成されるのみであ
る。本発明によって製造されたＩＴＯターゲットは、酸
化インジウムと酸化錫からなるマトリックスの他に微粒
状金属相を有する組織を示す。金属相の大きさは、＜５
０μｍの範囲内にあり、この場合、大部分が１０μｍ未
満である。弱く還元されたＩＴＯ粉末が使用される場合
には、金属含量は特に錫からなる。強く還元された粉末
の場合には、インジウムと錫の混合物ないしは合金が存
在する。
【００１３】種々の方法で得られたＩＴＯターゲットの
組織の検査は、上記の微粒状金属相の存在によって、高
温静水圧圧縮中の酸化インジウム／酸化錫からなるマト
リックスの明らかに改善された圧縮および顕著な再結晶
が得られることを示していた。この結果は、標準条件下
で金属のインジウムおよび錫による酸化インジウム／酸
化錫の架橋が観察されずかつ従って圧縮への液相の有利
な影響が期待されていなかった限りにおいて、驚くべき
ことである。より高い密度の他にさらに、観察された再
結晶によって本質的に破壊靱性である組織が得られる。
これもまた予期せぬ結果であり、それというのもセラミ
ックス材料の場合には通常、より良好な機械的性質は、
粒径の減少の場合に得られるからである。破壊面の検査
から、再結晶のためにとりわけ、各酸化物粒子間のより
良好な付着が達成されることが判明している。その上、
金属相が亀裂を阻止する機能を有しているのが観察され
た。
【００１４】開発研究が進むにつれ、完全酸化された粉
末の酸素含量に対する比での、還元処理中の酸素損失量
として定義された粉末の還元度が０．０２から０．２の
範囲内である場合には、有利に良好なターゲットが得ら
れることが判明している。還元度がより低い場合には、
圧縮および強さへの有利な影響をなお達成するには、金
属相が少なすぎる。還元度がより高い場合には、強さの
値は、過度に大きくかつ頻繁な金属析出のために、また
もや減少する。その上、このようなターゲットは、良好
なＩＴＯ膜を得るにはあまり好適であるともいえず、そ
れというのも、まさにこのためにはかなり高い酸素流量
が必要とされるからである。本発明に相応して有利な組
織を有する粉末を得るために、還元処理は、この処理の
際に微細かつ著しく小さな金属析出（＜５０μｍ、有利
にそれどころか＜１０μｍの大きさ）が成長する程度に
実施されなければならない。金属粒子が大きすぎる場合
には、該金属粒子は、強さへの不利な影響を有してお
り、それというのも該金属粒子がこのような場合には組
織中の微視的欠損として作用するからである。有利に、
完全酸化物のＩＴＯ粉末は、還元ガス雰囲気下でか焼さ
れるが、しかし真空中でのか焼もしくは還元性固体の混
入もまた可能である。しかしながら、後者の還元性固体
の混入の場合には還元は、著しく局所的に集中して行な
われ、このことによって通常、明らかに５０μｍを超え
る大きさの大量の金属粒子が生じ、その結果、この粉末
から製造されたターゲットは、まだらの外観を呈し、か
つ不良な破壊靱性を示す。同じ理由から、還元処理は１
０００℃未満、有利に８００℃未満で行なわれなければ
ならない。引き続いて部分還元された粉末又は該粉末か
ら得られた基体の圧縮は、高温静水圧圧縮によって、内
張りされかつ真空密閉した状体で溶接された圧縮容器中
でインジウム−錫金属相の融点を上回る温度で行なわれ
る。
【００１５】次に、本発明によるターゲットおよび該タ
ーゲットの製法を例につき詳説する：
【００１６】
【実施例】
１．本発明に相応する実施例：酸化インジウム９００ｇ
と酸化錫１００ｇの混合物をＮ2／Ｈ2雰囲気（９５／
５）下で７２０℃で４５分間か焼した。試料の酸素損失
量は、還元度０．０８６に相応する１５．２０ｇであっ
た。粉末のスクリーン検出(Rasteraufnahmen)は、球形
の１〜１０μｍの大きさの金属相を示しており、この金
属相の錫含量は、９０重量％を超えていた。混合物６０
０ｇを冷間静水圧により円筒形に予備成形し、かつ引き
続き、内張りされた鋼容器中で８００℃および圧力２０
０ＭＰａで高温静水圧圧縮機中で圧縮した。取り出し後
に酸化インジウム−酸化錫成形体は、理論密度の９８．
５％に相応する直径８１ｍｍおよび厚さ１６．５ｍｍを
有していた。ターゲットの比電気抵抗は、３８０μΩｃ
ｍであり、かつ破壊靱性は１．６ＭＰａ√ｍであった。
機械的な加工は、問題なく実施することができた。スパ
ッタ試験中にアーキングは、観察されず、かつ著しく良
好なスパッタ率が達成された。使用された粉末の粒径に
比して、微細金属相から出発した顕著な粒子成長を認識
することができた。金属析出の大きさは、粉末の場合と
同様に１〜１０μｍであり、２０μｍまでの大きさの金
属範囲が散在していた。
【００１７】２．比較例：完全酸化酸化物であるインジ
ウム／酸化錫粉末混合物を１．）の場合と同様にして先
ず冷間静水圧により予備成形し、かつ引き続き、内張り
された鋼容器中で７５０℃および圧力２００ＭＰａで高
温静水圧圧縮機中で圧縮した。得られた円筒形物は、亀
裂を有しており、ターゲットに後加工することはできな
かった。材料のスクリーン検出は、元来の粒径を有する
再結晶化されていない組織を示していた。金属析出は、
存在しなかった。
【００１８】３．本発明に相応する実施例：酸化インジ
ウム／酸化錫共沈粉末（９０重量％／１０重量％）１０
００ｇを水素雰囲気下で４２０℃で１時間か焼した。
【００１９】試料の酸素損失量は、還元度０．１７に相
応する３０．１ｇであった。粉末のスクリーン検出は、
１〜１０μｍの大きさの球形金属相を示しており、この
金属相は、ほぼ同じ割合でインジウムと錫からなってい
た。該粉末６００ｇを冷間静水圧により円筒形に予備成
形し、かつ引き続き、内張りされた鋼容器中で７５０℃
および圧力２００ＭＰａで高温静水圧圧縮機中で圧縮し
た。取り出し後に酸化インジウム−酸化錫成形体は、理
論密度の９７％に相応する直径８０ｍｍおよび厚さ１
７．２ｍｍを有していた。比電気抵抗は、３２０μΩｃ
ｍであり、かつ破壊靱性は１．９ＭＰａ√ｍであった。
機械的な加工は、問題なく実施することができた。スパ
ッタ試験中にアーキングは、観察されず、かつ著しく良
好なスパッタ率が達成された。試験後にターゲットはピ
ットを殆ど有していなかった。ターゲットを金属組織学
的に検査した。使用された粉末の粒径に比して、微細金
属相から出発した顕著な粒子成長を認識することができ
た。金属析出の大きさは、粉末の場合と同様に１〜１０
μｍであり、３０μｍまでの大きさの金属範囲が散在し
ていた。
【００２０】４．比較例：酸化インジウム９００ｇと酸
化錫１００gの混合物を炭素粉末０．１ｇと混合し、か
つ引き続き、アルゴン雰囲気下で８８０℃で１．５時間
か焼した。試料の酸素損失量は、還元度０．０４５に相
応する７．９ｇであった。粉末のスクリーン検出は、２
００μｍまでの大きさの金属粒子を示しており、この粉
末８００ｇを１．）の場合と同様にして圧縮した。得ら
れた円筒形物は、理論密度の９６．５％に相応する直径
８５ｍｍおよび高さ２０．４ｍｍを有していた。ターゲ
ットの比電気抵抗は、３５０μΩｃｍであり、かつ破壊
靱性は１．３ＭＰａ√ｍであった。機械的な加工は、僅
かな破壊靱性のため、必然的に著しく注意深く実施され
なければならなかった。得られたターゲットは、金属析
出の大きさのために汚れのある表面を有していた。スパ
ッタ試験中に偶然のアーキングが生じ、その結果、最大
出力密度および最大スパッタ率が達成されなかった。タ
ーゲットを金属組織学的に検査した。使用された粉末の
粒径に比して顕著な粒子成長を認識することができ、こ
の粒子成長は、１００μｍを超える大きさの金属析出の
周囲では、この大きさの金属相を含まない範囲内におけ
る場合より本質的に強く顕示されていた。このことによ
って総合的に組織は著しく不均質であった。
【００２１】５．比較例：酸化インジウム９００ｇと酸
化錫１００ｇの混合物３００ｇを還元処理なしで、窒化
ホウ素で内張りされた直径８０ｍｍのホットプレス用黒
鉛金型中に直接装入し、かつアルゴン雰囲気下で最大圧
縮力２０ＭＰａで８７０℃で圧縮した。得られた円板
は、理論密度の８９％の密度に相応する厚さ９．４ｍｍ
を有していた。ターゲットの比電気抵抗は、３６００μ
Ωｃｍであり、かつ破壊靱性は１．１ＭＰａ√ｍであっ
た。機械的な最終加工の場合には円板の縁部において破
裂が生じた。スパッタ試験中にまたアーキングが観察さ
れた。得られたスパッタ率は、本発明に相応するターゲ
ットで得られた率を約１５％下回っていた。スパッタ試
験後にターゲットは、多数の小さなピットを有してい
た。表面の反応縁以外は、ターゲットの金属組織学的な
検査によれば、金属相の特筆すべき含量は示されずかつ
再結晶の兆候は示されていなかった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ２３Ｃ 14/08 Ｄ 8939−4Ｋ (72)発明者 ウヴェ コニーツカ ドイツ連邦共和国 ガイゼルバッハ ベル クシュトラーセ １アー (72)発明者 ブルース ゲーマン アメリカ合衆国 カリフォルニア モーガ ン ヒル レイクビュー ドライヴ 17430 (72)発明者 ショーン ヴァールストローム アメリカ合衆国 カリフォルニア モーガ ン ヒル ビュークレスト レイン 17060

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 部分還元された酸化インジウム−酸化錫
    粉末混合物又は部分還元された酸化インジウム−酸化錫
    共沈粉末から製造された、透明導電膜を製造するための
    陰極スパッタリングのためのスパッタ用ターゲットにお
    いて、ターゲットが酸化物セラミックスマトリックスか
    らなり、かつ、５０μｍを下回る大きさのＩｎ及び／又
    はＳｎからなる金属相粒子中に均質かつ微細に挿入され
    ており、かつ完全酸化された酸化インジウム／酸化錫の
    理論密度の９６％を超える密度を有していることを特徴
    とする、陰極スパッタリングのためのスパッタ用ターゲ
    ット。
  2. 【請求項２】 金属相の大部分が１０μｍ未満である、
    請求項１記載のスパッタ用ターゲット。
  3. 【請求項３】 ターゲット材料の破壊靱性が１．５ＭＰ
    ａ√ｍより大きい、請求項１又は２記載のスパッタ用タ
    ーゲット。
  4. 【請求項４】 請求項１から３までのいずれか１項に記
    載のスパッタ用ターゲットを製造する方法において、酸
    化インジウム−酸化錫粉末混合物又は相応する酸化イン
    ジウム−酸化錫共沈粉末を還元ガス雰囲気下で１０００
    ℃未満の温度で加熱処理し、その結果、５０μｍ未満の
    大きさを有する微細金属相が均質に形成され、かつこの
    ようにして得られた粉末を高温静水圧圧縮によって金属
    相の融点を上回る温度で圧縮することを特徴とする、ス
    パッタ用ターゲットの製法。
  5. 【請求項５】 還元加熱によって形成される金属相の大
    部分が１０μｍ未満の大きさを有している、請求項４記
    載の方法。
JP05013095A 1994-03-09 1995-03-09 陰極スパッタリングのためのスパッタ用ターゲットおよび該スパッタ用ターゲットの製法 Expired - Fee Related JP3777468B2 (ja)

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TW (1) TW268975B (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6121178A (en) * 1996-10-04 2000-09-19 Dowa Mining Co., Ltd. Sintered ITO and an ITO sputtering target
JP2011527384A (ja) * 2008-07-08 2011-10-27 ベーカート・アドヴァンスト・コーティングス 第１の相および第２の相を含む酸化物スパッタターゲットの製造方法

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4438323C1 (de) * 1994-10-27 1995-07-27 Leybold Materials Gmbh Verfahren zum Recyceln von abgesputterten Indiumoxid-Zinnoxid-Targets
DE19508898A1 (de) 1995-03-11 1996-09-12 Leybold Materials Gmbh Indiumoxid/Zinnoxid Sputtertarget für die Kathodenzerstäubung
EP0761838B1 (de) * 1995-08-18 2001-08-08 W.C. Heraeus GmbH & Co. KG Target für die Kathodenzerstäubung und Verfahren zur Herstellung eines solchen Targets
DE19540379C1 (de) * 1995-08-18 1996-09-26 Heraeus Gmbh W C Target für die Kathodenzerstäubung und Verfahren zur Herstellung eines solchen Targets
KR100567472B1 (ko) * 1995-08-31 2006-07-03 이노베이티브 스퍼터링 테크놀로지 무기공의 분말야금 합금 물품, 이의 제조 방법, 연속 플라즈마 스퍼터링 장치, 연속 플라즈마 스퍼터링 방법 및 ito 관상 타겟 제조 방법
US5866493A (en) * 1995-11-30 1999-02-02 Korea Academy Of Industrial Technology Method of manufacturing a sintered body of indium tin oxide
DE19626732B4 (de) * 1996-07-03 2009-01-29 W.C. Heraeus Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen und Recyclen von Sputtertargets
JP3862385B2 (ja) * 1996-11-08 2006-12-27 Ｄｏｗａホールディングス株式会社 酸化スズ含有酸化インジウム粉及び焼結体の製造方法
CN1120899C (zh) * 1997-11-27 2003-09-10 中南工业大学 制造氧化铟/氧化锡溅射靶材的方法
JP2972996B2 (ja) * 1997-12-02 1999-11-08 三井金属鉱業株式会社 Ｉｔｏ微粉末及びその製造方法
US5942148A (en) * 1997-12-24 1999-08-24 Preston; Kenneth G. Nitride compacts
US6183686B1 (en) 1998-08-04 2001-02-06 Tosoh Smd, Inc. Sputter target assembly having a metal-matrix-composite backing plate and methods of making same
DE10017414A1 (de) * 2000-04-07 2001-10-11 Unaxis Materials Deutschland G Sputtertarget auf der Basis eines Metalls oder einer Metalllegierung und Verfahren zu dessen Herstellung
JP3585033B2 (ja) * 2000-04-29 2004-11-04 喜萬 中山 カーボンナノコイル生成用のインジウム・スズ・鉄系触媒の製造方法
KR100909315B1 (ko) * 2001-08-02 2009-07-24 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 스퍼터링 타겟, 투명 전도막 및 이들의 제조방법
US20080210555A1 (en) * 2007-03-01 2008-09-04 Heraeus Inc. High density ceramic and cermet sputtering targets by microwave sintering
SG174652A1 (en) 2010-03-31 2011-10-28 Heraeus Gmbh W C Composition of sputtering target, sputtering target, and method of producing the same
US9885109B2 (en) * 2012-08-08 2018-02-06 Umicore ITO ceramic sputtering targets with reduced In2O3 contents and method of producing it
DE102016106370A1 (de) * 2016-03-23 2017-09-28 Degudent Gmbh Verfahren zur Herstellung eines eingefärbten Rohlings sowie Rohling
US11274363B2 (en) * 2019-04-22 2022-03-15 Nxp Usa, Inc. Method of forming a sputtering target
CN111116194B (zh) * 2019-12-19 2022-03-25 广西晶联光电材料有限责任公司 一种超高密度细晶ito靶材的生产方法
CN112592173A (zh) * 2020-12-15 2021-04-02 株洲火炬安泰新材料有限公司 一种ito烧结靶材的制备方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5889666A (ja) * 1981-11-25 1983-05-28 Alps Electric Co Ltd 透明導電性被膜形成用ペ−スト及びその製造方法
DE3300525A1 (de) * 1983-01-10 1984-07-12 Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt Targets fuer die kathodenzerstaeubung
JPS60211069A (ja) * 1984-04-06 1985-10-23 Hitachi Ltd スパツタリング用タ−ゲツト
JP2697735B2 (ja) * 1987-09-04 1998-01-14 株式会社徳力本店 Ａｇ−酸化物系条材およびその製造方法
DE3738738C1 (en) * 1987-11-14 1989-01-26 Degussa Powder-metallurgical process for producing targets
US4834857A (en) * 1988-04-01 1989-05-30 Ppg Industries, Inc. Neutral sputtered films of metal alloy oxides
CH672570B5 (ja) * 1988-05-10 1990-06-15 Ebauchesfabrik Eta Ag
EP0342537B1 (en) * 1988-05-16 1995-09-06 Tosoh Corporation Process for the manufacture of a sputtering target for producing electroconductive transparent films
US5071800A (en) * 1989-02-28 1991-12-10 Tosoh Corporation Oxide powder, sintered body, process for preparation thereof and targe composed thereof
US4962071A (en) * 1989-05-01 1990-10-09 Tektronix, Inc. Method of fabricating a sintered body of indium tin oxide
JPH0784654B2 (ja) * 1989-07-13 1995-09-13 株式会社ジャパンエナジー Ｉｔｏ透明導電膜用スパッタリングターゲットの製造方法
JPH0794345B2 (ja) * 1989-10-06 1995-10-11 住友金属鉱山株式会社 酸化インジウム‐酸化錫焼結体及びその製造方法
JPH03207858A (ja) * 1990-01-08 1991-09-11 Nippon Mining Co Ltd Ｉｔｏスパッタリングターゲットの製造方法
DD296760A5 (de) * 1990-07-18 1991-12-12 Zi Fuer Festkoerperphysik Und Werkstofforschung Der Adw Der Ddr,De Verfahren zur einstellung physikalischer eigenschaften chemischer verbindungen
JPH04104936A (ja) * 1990-08-24 1992-04-07 Sumitomo Metal Mining Co Ltd Ｉｔｏ焼結体の製造方法
JPH05112866A (ja) * 1991-03-20 1993-05-07 Tosoh Corp 低温成膜用ｉｔｏタ−ゲツト
DE4124471C1 (en) * 1991-07-24 1992-06-11 Degussa Ag, 6000 Frankfurt, De Target for cathodic sputtering - produced from partially reduced mixtures of indium oxide and tin oxide by hot pressing in inert protective gas
JPH05247636A (ja) * 1992-03-06 1993-09-24 Hitachi Metals Ltd インジウム・スズ酸化物膜用スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法
JPH05311422A (ja) * 1992-05-08 1993-11-22 Hitachi Metals Ltd Ｉｔｏスパッタリングターゲットの製造方法
JP3457969B2 (ja) * 1992-05-11 2003-10-20 東ソー株式会社 高密度ｉｔｏ焼結体及びスパッタリングターゲット
EP0584672B1 (en) * 1992-08-19 1996-06-12 Tosoh Corporation Method of manufacturing an indium oxide powder useful as material of a high-density ITO sintered body
US5433901A (en) * 1993-02-11 1995-07-18 Vesuvius Crucible Company Method of manufacturing an ITO sintered body

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6121178A (en) * 1996-10-04 2000-09-19 Dowa Mining Co., Ltd. Sintered ITO and an ITO sputtering target
JP2011527384A (ja) * 2008-07-08 2011-10-27 ベーカート・アドヴァンスト・コーティングス 第１の相および第２の相を含む酸化物スパッタターゲットの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
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