JP2972996B2 - Ｉｔｏ微粉末及びその製造方法 - Google Patents

Ｉｔｏ微粉末及びその製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、主に液晶ディスプレイ
や電磁波シールド等の透明導電薄膜形成用のＩＴＯ（Ｉ
ｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）微粉末及びその製造
方法に関する。
【０００２】
【従来技術】電子機器の飛躍的な普及に伴い、表示素子
に用いられるＬＣＤ（液晶ディスプレイ）は、アクティ
ブマトリックス型、単純マトリックス型を問わず、透明
導電薄膜が必要不可欠な構成要素となっている。こうし
た薄膜形成用の主材料として、従来よりＩＴＯが筆頭に
挙げられ、種々の薄膜形成技術と共に、より優れたＩＴ
Ｏ材料粉が求められていることは言うまでもない。透明
導電薄膜の形成技術には、真空蒸着法、スパッタリング
法、ＣＶＤ法、スプレー法等が挙げられるが、これらの
手段では生産性が低い、装置が高価である、制御厚みが
薄く耐久性に欠ける等の欠点が多かった。これらの技術
に代わって、昨今はＩＴＯ微粉末を分散させた塗料を塗
布する方法が開発されつつあり、この塗布法に適したＩ
ＴＯ微粉末も種々検討されている。
【０００３】ＩＴＯの結晶形態については、Ｂｉｘｂｙ
ｔｅ型ないしはＣｏｒｕｎｄｕｍ型構造を有することが
知られているが、工業的に実用化されている物は、圧倒
的にＢｉｘｂｙｔｅ型である。この理由としては、ＩＴ
Ｏ微粉末の量産技術として既に実用化されている製造方
法、即ち含インジウム、スズ塩水溶液をアルカリにて水
酸化物を共沈させた後、該水酸化物を加熱分解する湿式
法が代表的であるが、この製造方法により得られるＩＴ
Ｏ微粉末はほとんどがＢｉｘｂｙｔｅ型の為である。し
かし、このＢｉｘｂｙｔｅ型のＩＴＯは、ＩＴＯ微粉末
に要求される低粉体抵抗、高分散性等は示すものの、粉
末の真比重ならびに圧粉密度が低いばかりか、粉末の導
電性の指標であるゼーベック係数（キャリア電子密度の
逆数に比例する）が常温時、加熱時に係わらず安定して
いるＩＴＯ微粉末とは言いがたかった。ＩＴＯ微粉末の
真比重ならびに圧粉密度は、塗料化し透明導電薄膜を形
成した際の膜中のＩＴＯ微粉末充填性に関与する指標で
あるが、ＩＴＯ微粉末の真比重ならびに圧粉密度が高い
程、透明導電薄膜の抵抗が低く有利である。また、ゼー
ベック係数の温度安定性については、透明導電薄膜形成
工程における、２００℃前後で加熱する際の耐熱特性と
いう点で重要である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、粉末
の真比重ならびに圧粉密度が充分に高く、かつ透明導電
薄膜形成工程における加熱時の温度安定性に優れたＩＴ
Ｏ微粉末を提供することにある。具体的には、結晶形態
がＣｏｒｕｎｄｕｍ型で、真比重が６．５ｇ／ｃｃ以
上、圧粉密度が３．０ｇ／ｃｃ以上、ゼーベック係数が
常温において３０μＶ／ｃｃ未満、２００℃加熱後が８
０μＶ／ｃｃ未満であるＩＴＯ微粉末。ならびに、イン
ジウム塩ならびにスズ塩を含む水溶液をアンモニアで中
和し、反応溶液ｐＨを６．８〜７．５の範囲で制御し、
得られた中和澱物を濾過、乾燥、洗浄後、大気中６００
〜７００℃で仮焼した後、還元雰囲気中３５０〜４５０
℃で還元焼成するＩＴＯ微粉末およびその製造方法を提
供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】発明者等は上記課題を解
決する為に鋭意研究を重ねた結果、前述の湿式中和法に
おいて特定の中和剤を用い、かつ特定の反応・仮焼・焼
成条件を満たさなければ目的とするＩＴＯ微粉末が得ら
れないことを見出だした。よって、本発明は、結晶形態
がＣｏｒｕｎｄｕｍ型で、真比重が６．５ｇ／ｃｃ以
上、圧粉密度が３．０ｇ／ｃｃ以上、ゼーベック係数が
常温において３０μＶ／ｃｃ未満、２００℃加熱後が８
０μＶ／ｃｃ未満のＩＴＯ微粉末である。また、本発明
は、インジウム塩ならびにスズ塩を含む水溶液をアンモ
ニアで中和し、反応溶液ｐＨを６．８〜７．５の範囲で
制御し、得られた中和澱物を濾過、乾燥、洗浄後、大気
中６００〜７００℃で仮焼した後、還元雰囲気中３５０
〜４５０℃で還元焼成するＩＴＯ微粉末の製造方法であ
る。
【０００６】
【作用】Ｃｏｒｕｎｄｕｍ型ＩＴＯ微粉末の存在につい
ては、Ｃｈｒｉｓｔｅｎｓｅｎ等の研究（Ａｃｔａ Ｃ
ｈｅｍ．Ｓｃａｎｄ．２１（１９６７）Ｎｏ．４）にお
いてしめされているものの、いわゆる性能面での価値や
より簡潔な製造法という点については余り触れられてい
ない。つまり、湿式中和法においては、反応時ｐＨを調
整することにより水酸化インジウムはアルカリ側で優先
的に析出しやすく、水酸化スズが酸性側で優先的に析出
しやすいことにより、中性域では比較的均一に析出しや
すくなると考えられるが、Ｃｏｒｕｎｄｕｍ型ＩＴＯ微
粉末の生成がどうして起こるかのメカニズムには不明な
点が多い。しかし、Ｃｏｒｕｎｄｕｍ型構造結晶は、酸
化物の中の陽イオン半径が小さいものに多く見られる
点、Ｓｎ4+イオンは、Ｉｎ3+イオンに較べ、半径が小さ
い点を考え合わせると、水酸化スズが均一に析出しやす
くなる何等かの作用を、アンモニアが及ぼすものと考え
られる。実際、アンモニア以外の中和剤を用いて水酸化
物を共沈させても、当該構造のＩＴＯ微粉末は得にく
い。従って、安定してコランダム型のＩＴＯ微粉末を製
造する際の中和剤はアンモニアであることが不可欠であ
る。アンモニアを中和剤に用いたとしても、反応ｐＨが
６．８未満または７．５を超える場合は、Ｂｉｘｂｙｔ
ｅ型のＩＴＯ微粉末となる。本発明では、得られた中和
水酸化物を濾過、乾燥、洗浄後、大気中で仮焼する際の
温度も重要な要因であり、６００〜７００℃が好適であ
る。この温度が６００℃未満では生成微粉末が凝集しや
すく、分散性に劣る。逆に、７００℃を超える場合、生
成微粉末が一部焼結したようになり、不味である。又、
本発明では、仮焼後の還元雰囲気中での還元焼成する際
の温度も重要な要因であり、３５０〜４５０℃が好適で
ある。３５０℃未満では生成微粒子中の酸素空孔の生成
が不充分で導電性に劣る。逆に４５０℃を超えると、生
成微粒子が一部焼結したようになり、不味である。以
上、本発明の製造方法によれば、結晶形態がＣｏｒｕｎ
ｄｕｍ型で、真比重が６．５ｇ／ｃｃ以上、圧粉密度が
３．０ｇ／ｃｃ以上、ゼーベック係数が常温において３
０μＶ／ｃｃ未満、２００℃加熱後が８０μＶ／ｃｃ未
満、かつ仮焼前の中和澱物乾燥品の示差熱分析のＴＧ
（重量変化値）が１０％未満のＩＴＯ微粉末を得ること
ができる。該ＩＴＯ微粉末はその特徴故、主に液晶ディ
スプレイや電磁波シールド等の透明導電薄膜形成用材料
に極めて好適である。
【０００７】
【実施例】以下、実施例によって本発明を具体的に説明
するが、本発明はかかる事例に限定されるものではな
い。 実施例１ 硝酸インジウム１３８．８２ｇと、塩化スズ１５．４２
ｇを純水に溶解し、１ｌの水溶液とする。該水溶液とア
ンモニア水（濃度５重量％）を反応ｐＨが７．２を維持
するように並行して添加して、共沈水酸化物を得た。生
成した共沈水酸化物を定法の濾過・乾燥にて処理した粉
末を大気中、６００℃、６０分間仮焼した。得られた仮
焼粉末を水素２．８容量％、残部窒素で構成された雰囲
気中、４００℃、９０分間焼成を行い、ＩＴＯ微粉末を
得た。こうして得られたＩＴＯ微粉末についてＸ線回折
装置にてＩＴＯの形態分析を行った結果を図１に示す。
この結果より、Ｃｏｒｕｎｄｕｍ型特有のピークを示し
た。また、その他の特性について、真比重は島津製作所
社製のマルチボリューム、圧粉密度は三菱化学社製のロ
レスタＡＰ（圧力負荷２Ｋｇ／ｃｍ2 ）、乾燥品ＴＧ変
化量は理学電機社製のＴＧ−ＤＴＡの各測定装置を用い
て測定し、結果を表１に示す。更に、ゼーベック係数は
以下の方法にて測定した。まず、試料を４８０〜５１０
℃で１時間、アルゴンガス中で２．９４ＧＰａの圧力で
ホットプレス処理し、直径１４４ｍｍ、厚さ３５ｍｍの
ペレットを作成した。このペレットに銅−コンスタンタ
ン製の熱電対を並行に圧着し、ペルチェ素子によって試
料の上面温度を２５℃、下面の温度を１５℃に制御し、
その熱起電力を測定することにより、ゼーベック係数を
算出した。その結果を表１に示す。
【０００８】表１
【０００９】比較例１ 反応ｐＨを１０．０で安定させる以外は、実施例１と全
く同様の操作を行い、ＩＴＯ微粉末を得た。こうして得
られたＩＴＯ微粉末についてＸ線回折装置にてＩＴＯの
形態分析を行った結果を図２に示す。この結果より、Ｂ
ｉｘｂｙｔｅ型特有のピークを示した。また、実施例１
と同様に、真比重、圧粉密度、乾燥品ＴＧ変化量を測定
し、また、ゼーベック係数を算出した。その結果を表１
に示す。
【００１０】比較例２ 反応ｐＨを３．５で安定させる以外は、実施例１と全く
同様の操作を行い、ＩＴＯ微粉末を得た。こうして得ら
れたＩＴＯ微粉末について、実施例１と同様に、真比
重、圧粉密度、乾燥品ＴＧ変化量を測定し、また、ゼー
ベック係数を算出した。その結果を表１に示す。
【００１１】以上の結果より明らかなように、本発明に
関するＩＴＯ微粉末は、真比重が６．５ｇ／ｃｃ以上、
かつ圧粉密度が３．０ｇ／ｃｃ以上、と透明導電薄膜を
形成する際の添加特性に優れており、導電性の指標であ
るゼーベック係数も充分低く、かつ２００℃加熱時の数
値変化も小さい。また、仮焼前の中和澱物乾燥品の示差
熱分析のＴＧ（重量変化値）が１０％未満と低く、残存
する水酸基が少ないＣｏｒｕｎｄｕｍ型特有の性状を示
している。
【００１２】
【発明の効果】本発明によれば、インジウム塩ならびに
スズ塩を含む水溶液をアンモニアで中和し、反応溶液ｐ
Ｈを６．８〜７．５の範囲で制御し、得られた中和澱物
を濾過、乾燥、洗浄後、大気中６００〜７００℃で仮焼
した後、還元雰囲気中３５０〜４５０℃で還元焼成する
製造方法により、真比重ならびに圧粉密度が充分に高
く、かつ透明導電薄膜形成における加熱時の温度安定性
に優れたＩＴＯ微粉末が得られる。具体的には、結晶形
態がＣｏｒｕｎｄｕｍ型で、真比重が６．５ｇ／ｃｃ以
上、圧粉密度が３．０ｇ／ｃｃ以上、ゼーベック係数が
常温において３０μＶ／ｃｃ未満、２００℃加熱後が８
０μＶ／ｃｃ未満、かつ仮焼前の中和澱物乾燥品の示差
熱分析のＴＧ（重量変化値）が１０％未満のＩＴＯ微粉
末が得られる。該ＩＴＯ微粉末は、その特徴故、主に液
晶ディスプレイや電磁波シールド等の透明導電薄膜形成
用材料に極めて好適である。
【図面の簡単な説明】
【図１】 実施例１で得られたＩＴＯ微粉末のＸ線回折
図。
【図２】 比較例１で得られたＩＴＯ微粉末のＸ線回折
図。
【表１】
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C01G 19/00 H05K 9/00 ＣＡ（ＳＴＮ)

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 結晶形態がコランダム（Ｃｏｒｕｎｄｕ
    ｍ）型で、真比重が６．５ｇ／ｃｃ以上、圧粉密度が
    ３．０ｇ／ｃｃ以上、ゼーベック係数が常温において３
    ０μＶ／ｃｃ未満、２００℃加熱後が８０μＶ／ｃｃ未
    満であるＩＴＯ微粉末。
  2. 【請求項２】 インジウム塩ならびにスズ塩を含む水溶
    液をアンモニアで中和し、反応溶液ｐＨを６．８〜７．
    ５の範囲で制御し、得られた中和澱物を濾過、乾燥、洗
    浄後、大気中６００〜７００℃で仮焼した後、還元雰囲
    気中３５０〜４５０℃で還元焼成するＩＴＯ微粉末の製
    造方法。
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DE69818404T DE69818404T2 (de) 1997-12-02 1998-10-27 Feines ITO Pulver und Verfahren zu seiner Herstellung
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3585033B2 (ja) * 2000-04-29 2004-11-04 喜萬 中山 カーボンナノコイル生成用のインジウム・スズ・鉄系触媒の製造方法
US7799312B2 (en) * 2002-03-22 2010-09-21 Samsung Corning Precision Glass Co., Ltd. Method for manufacturing high-density indium tin oxide target, methods for preparing tin oxide powder and indium oxide powder used therefor
KR100474846B1 (ko) * 2002-03-22 2005-03-09 삼성코닝 주식회사 인듐산화물 분말 및 인듐 주석 산화물 타겟의 제조방법
KR100489710B1 (ko) * 2002-04-08 2005-05-16 학교법인 동의학원 분무건조에 의한 초미립 아이티오 분말 합성방법 및 이를위한 분무건조장치
US6793908B2 (en) * 2002-05-09 2004-09-21 Cheng Loong Corporation Method for preparing ITO nanometer powders
JP4577548B2 (ja) * 2003-03-31 2010-11-10 東洋紡績株式会社 Ｉｎ２Ｏ３材料およびそれより成る半導体装置、システム
US7601661B2 (en) * 2003-12-25 2009-10-13 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Indium oxide-tin oxide powder and sputtering target using the same
WO2005112140A2 (en) * 2004-04-12 2005-11-24 The Board Of Governors For Higher Education, State Of Rhode Island And Providence Plantations Thin film ceramic thermocouples
CN100364897C (zh) * 2005-02-25 2008-01-30 昆明理工大学 一种纳米铟锡氧化物粉体的制备方法
JP5074727B2 (ja) * 2006-09-07 2012-11-14 三井金属鉱業株式会社 錫ドープ酸化インジウムナノ粒子
EP2116513B1 (de) 2008-05-06 2017-07-05 Evonik Degussa GmbH Verfahren zur herstellung eines oberflächenmodifizierten agglomerates von indiumzinnoxid, das nach diesem verfahren erhältliche oberflächenmodifizierte agglomerat selbst, sowie eine beschichtungsmasse hiermit
EP2599751B1 (en) * 2010-07-29 2018-10-03 Mitsubishi Materials Corporation Indium tin oxide powder, production method therefor, and a transparent conductive composition
JP5343224B1 (ja) * 2012-09-28 2013-11-13 Ｒｏｃａ株式会社 半導体装置および結晶
JP2014084247A (ja) * 2012-10-23 2014-05-12 Mitsubishi Materials Corp 酸化インジウム錫粉末
WO2014168245A1 (ja) * 2013-04-12 2014-10-16 三菱マテリアル株式会社 酸化錫インジウム粉末、その分散液または塗料、透明導電性膜、及び酸化錫インジウム粉末の製造方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR840009328A (ko) * 1983-05-27 1984-12-26 쯔지가다 다께시 산화 주석 인듐 졸 조성물
JP2679008B2 (ja) * 1987-11-26 1997-11-19 工業技術院長 酸化インジウム―酸化スズ粉末の製造方法
JPH01290527A (ja) * 1988-05-16 1989-11-22 Tosoh Corp 透明導電性顔料及びその製造方法
US5071800A (en) * 1989-02-28 1991-12-10 Tosoh Corporation Oxide powder, sintered body, process for preparation thereof and targe composed thereof
US4962071A (en) * 1989-05-01 1990-10-09 Tektronix, Inc. Method of fabricating a sintered body of indium tin oxide
US4969956A (en) * 1989-12-19 1990-11-13 The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce Transparent thin film thermocouple
EP0584672B1 (en) * 1992-08-19 1996-06-12 Tosoh Corporation Method of manufacturing an indium oxide powder useful as material of a high-density ITO sintered body
US5417816A (en) * 1992-12-09 1995-05-23 Nikko Kyodo, Ltd. Process for preparation of indium oxide-tin oxide powder
JP2963296B2 (ja) * 1993-02-04 1999-10-18 富士チタン工業株式会社 導電性微粉末の製造方法
US5580496A (en) * 1993-04-05 1996-12-03 Sumitomo Metal Mining Company Limited Raw material for producing powder of indium-tin oxide aciculae and method of producing the raw material, powder of indium-tin oxide aciculae and method of producing the powder, electroconductive paste and light-transmitting
JP2959928B2 (ja) * 1993-06-23 1999-10-06 チタン工業株式会社 白色導電性樹脂組成物
DE4407774C1 (de) * 1994-03-09 1995-04-20 Leybold Materials Gmbh Target für die Kathodenzerstäubung zur Herstellung transparenter, leitfähiger Schichten und Verfahren zu seiner Herstellung
JP3444655B2 (ja) * 1994-06-14 2003-09-08 三井金属鉱業株式会社 複合導電性粉末及び導電膜
US5654096A (en) * 1995-03-30 1997-08-05 Teijin Limited Electroconductive conjugate fiber
US5866493A (en) * 1995-11-30 1999-02-02 Korea Academy Of Industrial Technology Method of manufacturing a sintered body of indium tin oxide

Also Published As

Publication number Publication date
US6096285A (en) 2000-08-01
EP0921099B1 (en) 2003-09-24
EP0921099A3 (en) 2000-01-05
JPH11157837A (ja) 1999-06-15
EP0921099A2 (en) 1999-06-09
KR100444142B1 (ko) 2004-11-03
DE69818404D1 (de) 2003-10-30
KR19990062561A (ko) 1999-07-26
DE69818404T2 (de) 2004-07-01

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