JP3444655B2 - 複合導電性粉末及び導電膜 - Google Patents
複合導電性粉末及び導電膜Info
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- JP3444655B2 JP3444655B2 JP13211794A JP13211794A JP3444655B2 JP 3444655 B2 JP3444655 B2 JP 3444655B2 JP 13211794 A JP13211794 A JP 13211794A JP 13211794 A JP13211794 A JP 13211794A JP 3444655 B2 JP3444655 B2 JP 3444655B2
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/06—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
- H01B1/08—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances oxides
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高透明性を有し且つ導電
性に優れた複合導電性粉末及び導電膜に関する。より詳
しくは、導電膜については、高い導電性を有し、可視領
域に対しては高い透明性をもち且つ赤外領域に対しては
光反射性をもつ薄膜であり、特にフラットディスプレー
液晶表示素子、エレクトロルミネッセンス表示素子など
の表示素子類の透明電極、太陽電池の内部電極等の分
野、自動車、航空機、建築物などの窓ガラスの赤外線
（熱線）反射等の分野、更に、荷電調整が要求される複
写機関連の帯電ローラー、感光ドラム、トナー等の分
野、埃付着防止が要求されるＣＲＴ、ブラウン管等の分
野、光ディスク、ＦＤ、テープ等の磁気記録媒体分野等
に利用される。
性に優れた複合導電性粉末及び導電膜に関する。より詳
しくは、導電膜については、高い導電性を有し、可視領
域に対しては高い透明性をもち且つ赤外領域に対しては
光反射性をもつ薄膜であり、特にフラットディスプレー
液晶表示素子、エレクトロルミネッセンス表示素子など
の表示素子類の透明電極、太陽電池の内部電極等の分
野、自動車、航空機、建築物などの窓ガラスの赤外線
（熱線）反射等の分野、更に、荷電調整が要求される複
写機関連の帯電ローラー、感光ドラム、トナー等の分
野、埃付着防止が要求されるＣＲＴ、ブラウン管等の分
野、光ディスク、ＦＤ、テープ等の磁気記録媒体分野等
に利用される。
【０００２】また、複合導電性粉末については、その利
用の際に、塗料、インク、エマルジョン、ポリマー等中
に容易に分散混練でき、塗料に添加して塗膜として利用
された場合にも高透明性であり且つ導電性に優れてい
る。
用の際に、塗料、インク、エマルジョン、ポリマー等中
に容易に分散混練でき、塗料に添加して塗膜として利用
された場合にも高透明性であり且つ導電性に優れてい
る。
【０００３】
【従来の技術】従来、透明導電膜の材料としてアンチモ
ンをドープした酸化スズ（ＡＴＯ）、アルミニウムをド
ープした酸化亜鉛（ＡＺＯ）、スズをドープした酸化イ
ンジウム（ＩＴＯ）などが知られている。これらはいず
れもｎ型の半導体であり、特にＩＴＯ膜はＡＴＯ膜、Ａ
ＺＯ膜に比べて導電率が高く、可視領域についての光透
過率が高く、且つエッチングによるパターンニングが容
易なことから、液晶表示素子、エレクトロルミネッセン
ス表示素子等の透明導電膜の分野で広く使用されてい
る。
ンをドープした酸化スズ（ＡＴＯ）、アルミニウムをド
ープした酸化亜鉛（ＡＺＯ）、スズをドープした酸化イ
ンジウム（ＩＴＯ）などが知られている。これらはいず
れもｎ型の半導体であり、特にＩＴＯ膜はＡＴＯ膜、Ａ
ＺＯ膜に比べて導電率が高く、可視領域についての光透
過率が高く、且つエッチングによるパターンニングが容
易なことから、液晶表示素子、エレクトロルミネッセン
ス表示素子等の透明導電膜の分野で広く使用されてい
る。
【０００４】ＩＴＯ膜の製造方法としては蒸着法、スパ
ッタ法、スプレー法、塗布法等がある。蒸着法、スパッ
タ法は比較的低抵抗のＩＴＯ膜を再現性良く製造できる
ことから実際に用いられている。しかしながら、蒸着
法、スパッタ法によるＩＴＯ膜は成膜設備が高額である
ことによるコストアップ及び量産性等に問題があり、し
かも、ＩＴＯ自体の材料費が高いので、製品全体のコス
トに占める導電膜のコストの比率が高くなっている。そ
れで低コストで量産性に優れた製造プロセスによる透明
導電膜の開発が強く望まれている。
ッタ法、スプレー法、塗布法等がある。蒸着法、スパッ
タ法は比較的低抵抗のＩＴＯ膜を再現性良く製造できる
ことから実際に用いられている。しかしながら、蒸着
法、スパッタ法によるＩＴＯ膜は成膜設備が高額である
ことによるコストアップ及び量産性等に問題があり、し
かも、ＩＴＯ自体の材料費が高いので、製品全体のコス
トに占める導電膜のコストの比率が高くなっている。そ
れで低コストで量産性に優れた製造プロセスによる透明
導電膜の開発が強く望まれている。
【０００５】また、安価で、量産性が良い方法としてス
プレー法、塗布法があるが、スプレー法は高温での噴霧
熱分解のため膜質、膜厚の均一性及び再現性に問題があ
る。塗布法は、塗料の印刷法を利用するのでパターン形
成が容易であり、高価な材料であるＩＴＯの歩留りが高
いので成膜面積、成膜温度等の点で他の方法に比較して
有利であるが、微粒子を用いる為粉体の比表面積が非常
に大きく、それで表面酸化の影響を受け易く、その結果
表面層でのキャリア電子密度の著しい低下を招き、従っ
てスパッタ法等により得られるＩＴＯ膜の５０〜１００
Ω／□並の導電性は未だ得られていない。
プレー法、塗布法があるが、スプレー法は高温での噴霧
熱分解のため膜質、膜厚の均一性及び再現性に問題があ
る。塗布法は、塗料の印刷法を利用するのでパターン形
成が容易であり、高価な材料であるＩＴＯの歩留りが高
いので成膜面積、成膜温度等の点で他の方法に比較して
有利であるが、微粒子を用いる為粉体の比表面積が非常
に大きく、それで表面酸化の影響を受け易く、その結果
表面層でのキャリア電子密度の著しい低下を招き、従っ
てスパッタ法等により得られるＩＴＯ膜の５０〜１００
Ω／□並の導電性は未だ得られていない。
【０００６】従来、酸化インジウムを主成分とする透明
導電膜を形成する導電性粉末としては、特開昭６０−１
８６４１６号公報、特開昭６３−１１５１９号公報、特
開平２−１２０３７４号公報、特開平５−２０１７３１
号公報、特開平５−２２１６３９号公報等に開示された
ものがあるが、いずれもＩｎ2 Ｏ3 を８０モル％以上含
有している。一般的には、導電性を向上させるためにＳ
ｎ等のドーパントを添加してドナーによるキャリア電子
密度の向上を計るのであるが、Ｓｎの添加量が多くなり
すぎる（結果としてＩｎ2 Ｏ3 の相対量が低下する）
と、中性の複合欠陥が形成されたり、キャリア電子易動
度が粒界散乱とイオン不純物散乱により下がったりする
ことにより導電性が低下することになるので、上記のよ
うに多量のＩｎ2 Ｏ3 を含有させている。
導電膜を形成する導電性粉末としては、特開昭６０−１
８６４１６号公報、特開昭６３−１１５１９号公報、特
開平２−１２０３７４号公報、特開平５−２０１７３１
号公報、特開平５−２２１６３９号公報等に開示された
ものがあるが、いずれもＩｎ2 Ｏ3 を８０モル％以上含
有している。一般的には、導電性を向上させるためにＳ
ｎ等のドーパントを添加してドナーによるキャリア電子
密度の向上を計るのであるが、Ｓｎの添加量が多くなり
すぎる（結果としてＩｎ2 Ｏ3 の相対量が低下する）
と、中性の複合欠陥が形成されたり、キャリア電子易動
度が粒界散乱とイオン不純物散乱により下がったりする
ことにより導電性が低下することになるので、上記のよ
うに多量のＩｎ2 Ｏ3 を含有させている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、ＩＴ
Ｏ膜の中でも特に材料コストの高いインジウムの含量を
低減させ、塗布法で用いても高透明性と高導電性とを両
立させ得る高導電性複合酸化物粉末及び導電膜を提供す
ることにある。
Ｏ膜の中でも特に材料コストの高いインジウムの含量を
低減させ、塗布法で用いても高透明性と高導電性とを両
立させ得る高導電性複合酸化物粉末及び導電膜を提供す
ることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者等は上記の目的
を達成するために、インジウム含量を低減させても導電
性粉末表面のキャリア電子密度を高め得る手段について
種々検討し、少なくとも１種のドーパントを含む酸化イ
ンジウム系の導電性粉末と少なくとも１種のドーパント
を含む酸化スズ系の導電性粉末とを（好ましくは特定の
範囲内の配合比で）混合し、焼成することにより上記の
目的を達成することのできる複合導電性粉末が得られる
ことを見出し、本発明を完成させた。
を達成するために、インジウム含量を低減させても導電
性粉末表面のキャリア電子密度を高め得る手段について
種々検討し、少なくとも１種のドーパントを含む酸化イ
ンジウム系の導電性粉末と少なくとも１種のドーパント
を含む酸化スズ系の導電性粉末とを（好ましくは特定の
範囲内の配合比で）混合し、焼成することにより上記の
目的を達成することのできる複合導電性粉末が得られる
ことを見出し、本発明を完成させた。
【０００９】即ち、本発明の複合導電性粉末は、ドーパ
ントとして酸化スズ、酸化チタン及び酸化ジルコニウム
の少なくとも１種を含む酸化インジウム系粉末と、ドー
パントとして酸化アンチモン、酸化タンタル及び酸化ニ
オブの少なくとも１種を含む酸化スズ系粉末との混合物
を焼成して得られる複合導電性粉末である。
ントとして酸化スズ、酸化チタン及び酸化ジルコニウム
の少なくとも１種を含む酸化インジウム系粉末と、ドー
パントとして酸化アンチモン、酸化タンタル及び酸化ニ
オブの少なくとも１種を含む酸化スズ系粉末との混合物
を焼成して得られる複合導電性粉末である。
【００１０】また、本発明の導電膜は、上記の如き複合
導電性粉末を用いて蒸着法、スパッタ法、スプレー法、
塗布法等により、或は塗料に添加して塗膜として成膜さ
れたものである。
導電性粉末を用いて蒸着法、スパッタ法、スプレー法、
塗布法等により、或は塗料に添加して塗膜として成膜さ
れたものである。
【００１１】本発明の複合導電性粉末は従来の酸化イン
ジウム系の導電性粉末よりも導電性が改良されている。
本発明の複合導電性粉末においてこのような改良が達成
されるメカニズムについては詳細は不明であるが、次の
ように推定される。
ジウム系の導電性粉末よりも導電性が改良されている。
本発明の複合導電性粉末においてこのような改良が達成
されるメカニズムについては詳細は不明であるが、次の
ように推定される。
【００１２】本発明の複合導電性粉末は、上記の酸化イ
ンジウム系微粒粉末（例えばＩＴＯ微粒粉末）と酸化ス
ズ系微粒粉末（例えばＡＴＯ微粒粉末）との混合物を焼
成することにより得られるものであり、この焼成の際に
一方の微粒粉末の微粒子表面に他方の微粒粉末中のドー
パントが微量拡散してきて（例えばＳｂについてはＳｂ
5+がＩn 3+ と置換されてドナーを形成するものと考えら
れる）、これら２種類のそれぞれの微粒粉末の微粒子表
面にもともと存在するドーパント（例えばそれぞれＳｎ
とＳｂ）と他方の微粒粉末から拡散してきた微量のドー
パント（例えばそれぞれＳｂとＳｎ）との両方のドーパ
ント（ドーパントＡ及びドーパントＢ）（例えばＳｎ及
びＳｂ）が存在するようになり、キャリア電子密度が増
加する。この焼成の際、異種の導電性粉末が混合という
緩やかな接触状態に維持されているため、一方の微粒粉
末の微粒子表面に他方の微粒粉末中のドーパントが、圧
密状態時の如くに過剰に拡散することがなく、従って各
微粒粉末表面でのドーパントの過剰濃度が抑制され、イ
オン化不純物の散乱によるキャリア電子移動度の低下が
ない。更に、焼成される為微粒子粉末の結晶性が良くな
り、キャリア電子の粒界散乱が少なくなったと考えられ
る。また、ドーパントＡ及びドーパントＢの両者が何ら
かの形でキャリア電子密度及びキャリア移動度を高める
ものと推定される。
ンジウム系微粒粉末（例えばＩＴＯ微粒粉末）と酸化ス
ズ系微粒粉末（例えばＡＴＯ微粒粉末）との混合物を焼
成することにより得られるものであり、この焼成の際に
一方の微粒粉末の微粒子表面に他方の微粒粉末中のドー
パントが微量拡散してきて（例えばＳｂについてはＳｂ
5+がＩn 3+ と置換されてドナーを形成するものと考えら
れる）、これら２種類のそれぞれの微粒粉末の微粒子表
面にもともと存在するドーパント（例えばそれぞれＳｎ
とＳｂ）と他方の微粒粉末から拡散してきた微量のドー
パント（例えばそれぞれＳｂとＳｎ）との両方のドーパ
ント（ドーパントＡ及びドーパントＢ）（例えばＳｎ及
びＳｂ）が存在するようになり、キャリア電子密度が増
加する。この焼成の際、異種の導電性粉末が混合という
緩やかな接触状態に維持されているため、一方の微粒粉
末の微粒子表面に他方の微粒粉末中のドーパントが、圧
密状態時の如くに過剰に拡散することがなく、従って各
微粒粉末表面でのドーパントの過剰濃度が抑制され、イ
オン化不純物の散乱によるキャリア電子移動度の低下が
ない。更に、焼成される為微粒子粉末の結晶性が良くな
り、キャリア電子の粒界散乱が少なくなったと考えられ
る。また、ドーパントＡ及びドーパントＢの両者が何ら
かの形でキャリア電子密度及びキャリア移動度を高める
ものと推定される。
【００１３】本発明の複合導電性粉末においては、酸化
インジウム系粉末のドーパントとして酸化スズ、酸化チ
タン及び酸化ジルコニウムの少なくとも１種を用い、酸
化スズ系粉末のドーパントとして酸化アンチモン、酸化
タンタル及び酸化ニオブの少なくとも１種を用いるが、
この選択はそれぞれの金属のイオンの価数及びイオン半
径を考慮し、検討した結果である。
インジウム系粉末のドーパントとして酸化スズ、酸化チ
タン及び酸化ジルコニウムの少なくとも１種を用い、酸
化スズ系粉末のドーパントとして酸化アンチモン、酸化
タンタル及び酸化ニオブの少なくとも１種を用いるが、
この選択はそれぞれの金属のイオンの価数及びイオン半
径を考慮し、検討した結果である。
【００１４】また、本発明の複合導電性粉末を塗料に添
加して塗膜として用いる場合には、高透明性が必要であ
り、それ故微粒粉末の一次粒子径としては可視光（４０
０〜８００ｎｍ）の半波長以下であることが望ましく、
更に、樹脂中での分散性が高められることが好ましい。
加して塗膜として用いる場合には、高透明性が必要であ
り、それ故微粒粉末の一次粒子径としては可視光（４０
０〜８００ｎｍ）の半波長以下であることが望ましく、
更に、樹脂中での分散性が高められることが好ましい。
【００１５】本発明の複合導電性粉末を得るために用い
る酸化インジウム系微粒導電性粉末及び酸化スズ系微粒
導電性粉末はそれぞれ以下のものである。酸化インジウ
ム系粉末は酸化インジウムと該酸化インジウムの重量基
準で好ましくは０．１〜１０重量％の４価のＳｎ、Ｔｉ
及びＺｒからなる群から選ばれた少なくとも１種のドー
パントとからなり、粒度分布におけるＤ90の粒径が好ま
しくは０．０１〜５μｍであり、比表面積が好ましくは
５〜１００ｍ2 ／ｇであり、体積抵抗率が好ましくは１
０-3〜１０3 Ω・ｃｍである。ドーパントの含有量が
０．１重量％未満の場合には、その添加効果が不十分で
あり、また１０重量％を越えて添加しても添加効果が頭
打ちとなり、逆に導電性に悪影響を及ぼすことがあるの
で好ましくない。
る酸化インジウム系微粒導電性粉末及び酸化スズ系微粒
導電性粉末はそれぞれ以下のものである。酸化インジウ
ム系粉末は酸化インジウムと該酸化インジウムの重量基
準で好ましくは０．１〜１０重量％の４価のＳｎ、Ｔｉ
及びＺｒからなる群から選ばれた少なくとも１種のドー
パントとからなり、粒度分布におけるＤ90の粒径が好ま
しくは０．０１〜５μｍであり、比表面積が好ましくは
５〜１００ｍ2 ／ｇであり、体積抵抗率が好ましくは１
０-3〜１０3 Ω・ｃｍである。ドーパントの含有量が
０．１重量％未満の場合には、その添加効果が不十分で
あり、また１０重量％を越えて添加しても添加効果が頭
打ちとなり、逆に導電性に悪影響を及ぼすことがあるの
で好ましくない。
【００１６】また、酸化スズ系粉末は二酸化スズと該二
酸化スズの重量基準で好ましくは０．１〜１０重量％の
５価のＳｂ、Ｎｂ及びＴａからなる群から選ばれた少な
くとも１種のドーパントとからなり、粒度分布における
Ｄ90の粒径が好ましくは０．０１〜５μｍであり、比表
面積が好ましくは５〜１００ｍ2 ／ｇであり、体積抵抗
率が好ましくは１０-3〜１０3 Ω・ｃｍである。ドーパ
ントの含有量が０．１重量％未満の場合には、その添加
効果が不十分であり、また１０重量％を越えて添加して
も添加効果が頭打ちとなり、逆に導電性に悪影響を及ぼ
すことがあるので好ましくない。
酸化スズの重量基準で好ましくは０．１〜１０重量％の
５価のＳｂ、Ｎｂ及びＴａからなる群から選ばれた少な
くとも１種のドーパントとからなり、粒度分布における
Ｄ90の粒径が好ましくは０．０１〜５μｍであり、比表
面積が好ましくは５〜１００ｍ2 ／ｇであり、体積抵抗
率が好ましくは１０-3〜１０3 Ω・ｃｍである。ドーパ
ントの含有量が０．１重量％未満の場合には、その添加
効果が不十分であり、また１０重量％を越えて添加して
も添加効果が頭打ちとなり、逆に導電性に悪影響を及ぼ
すことがあるので好ましくない。
【００１７】本明細書において、粒度分布における
Ｄ10、Ｄ50及びＤ90の粒径とは、微粉の量を粒径の小さ
い方から累積してそれぞれ１０％、５０％及び９０％と
なる部分の微粉の粒径を意味する。
Ｄ10、Ｄ50及びＤ90の粒径とは、微粉の量を粒径の小さ
い方から累積してそれぞれ１０％、５０％及び９０％と
なる部分の微粉の粒径を意味する。
【００１８】本発明の複合導電性粉末を得るために用い
る酸化スズ系粉末は次の製造方法によって得られる。第
二スズ塩を好ましくは０．５〜１０モル／１の濃度で含
有し且つ該第二スズ塩を二酸化スズに換算した該二酸化
スズの重量基準で好ましくは０．１〜１０重量％のＳ
ｂ、Ｎｂ又はＴａとなる量の５価のＳｂ、Ｎｂ及びＴａ
の化合物からなる群から選ばれた少なくとも１種の化合
物を含有するアルカリ性溶液又は酸性溶液と、該Ｓｂ、
Ｎｂ又はＴａ化合物含有第二スズ塩溶液を中和する中和
溶液とをそれぞれ別々に同時に連続して反応槽（例え
ば、反応槽の槽底）に導入し、導入後直ちに両溶液を一
緒に高速攪拌して瞬時に両溶液の均一混合、均一核発
生、共沈殿物の微細分散を促進し、この際反応槽内をｐ
Ｈ２〜１２の範囲内で所定の一定ｐＨ値に維持して微細
でシャープな粒度分布を持つ共沈殿物を連続的に析出さ
せ、反応後の溶液及び反応共沈殿物をスラリーとして反
応槽（例えば、反応槽上部）より連続して排出し、その
スラリーを固液分離処理して共沈殿物を回収し、乾燥
し、その後空気中又は不活性又は弱還元性雰囲気中、３
００〜８００℃で焼成して導電性を付与する。
る酸化スズ系粉末は次の製造方法によって得られる。第
二スズ塩を好ましくは０．５〜１０モル／１の濃度で含
有し且つ該第二スズ塩を二酸化スズに換算した該二酸化
スズの重量基準で好ましくは０．１〜１０重量％のＳ
ｂ、Ｎｂ又はＴａとなる量の５価のＳｂ、Ｎｂ及びＴａ
の化合物からなる群から選ばれた少なくとも１種の化合
物を含有するアルカリ性溶液又は酸性溶液と、該Ｓｂ、
Ｎｂ又はＴａ化合物含有第二スズ塩溶液を中和する中和
溶液とをそれぞれ別々に同時に連続して反応槽（例え
ば、反応槽の槽底）に導入し、導入後直ちに両溶液を一
緒に高速攪拌して瞬時に両溶液の均一混合、均一核発
生、共沈殿物の微細分散を促進し、この際反応槽内をｐ
Ｈ２〜１２の範囲内で所定の一定ｐＨ値に維持して微細
でシャープな粒度分布を持つ共沈殿物を連続的に析出さ
せ、反応後の溶液及び反応共沈殿物をスラリーとして反
応槽（例えば、反応槽上部）より連続して排出し、その
スラリーを固液分離処理して共沈殿物を回収し、乾燥
し、その後空気中又は不活性又は弱還元性雰囲気中、３
００〜８００℃で焼成して導電性を付与する。
【００１９】上記の製造方法においては、用いるＳｂ、
Ｎｂ又はＴａ化合物含有第二スズ塩溶液は酸性溶液又は
アルカリ性溶液のいずれでもよく、またその第二スズ
塩、Ｓｂ化合物、Ｎｂ化合物、Ｔａ化合物としては特に
限定されるものではない。例えば、Ｓｂ、Ｎｂ又はＴａ
化合物含有第二スズ塩溶液が酸性溶液である場合には、
第二スズ塩として塩化スズ、硫酸スズ、硝酸スズ、酢酸
スズ等を用いることができ、Ｓｂ化合物、Ｎｂ化合物又
はＴａ化合物として塩化物、フッ化物、硫酸塩、ハロゲ
ン化物等を用いることができ、それらのＳｂ化合物、Ｎ
ｂ化合物又はＴａ化合物を溶液、例えば水溶液、アルコ
ール溶解液として第二スズ塩溶液に添加してＳｂ、Ｎｂ
又はＴａ化合物含有第二スズ塩溶液として用いることが
できる。また、Ｓｂ、Ｎｂ又はＴａ化合物含有第二スズ
塩溶液がアルカリ性溶液である場合には、第二スズ塩と
してスズ酸ナトリウム、スズ酸カリウム等を用いること
ができ、Ｓｂ化合物、Ｎｂ化合物又はＴａ化合物として
塩化物、フッ化物、硫酸塩、ハロゲン化物、Ｋ2 ＮｂＯ
Ｆ5 ・Ｈ2 Ｏ等を用いることができ、それらのＳｂ化合
物、Ｎｂ化合物又はＴａ化合物を溶液、例えば水溶液、
アルコール溶解液として第二スズ塩溶液に添加してＳ
ｂ、Ｎｂ又はＴａ化合物含有第二スズ塩溶液として用い
ることができる。
Ｎｂ又はＴａ化合物含有第二スズ塩溶液は酸性溶液又は
アルカリ性溶液のいずれでもよく、またその第二スズ
塩、Ｓｂ化合物、Ｎｂ化合物、Ｔａ化合物としては特に
限定されるものではない。例えば、Ｓｂ、Ｎｂ又はＴａ
化合物含有第二スズ塩溶液が酸性溶液である場合には、
第二スズ塩として塩化スズ、硫酸スズ、硝酸スズ、酢酸
スズ等を用いることができ、Ｓｂ化合物、Ｎｂ化合物又
はＴａ化合物として塩化物、フッ化物、硫酸塩、ハロゲ
ン化物等を用いることができ、それらのＳｂ化合物、Ｎ
ｂ化合物又はＴａ化合物を溶液、例えば水溶液、アルコ
ール溶解液として第二スズ塩溶液に添加してＳｂ、Ｎｂ
又はＴａ化合物含有第二スズ塩溶液として用いることが
できる。また、Ｓｂ、Ｎｂ又はＴａ化合物含有第二スズ
塩溶液がアルカリ性溶液である場合には、第二スズ塩と
してスズ酸ナトリウム、スズ酸カリウム等を用いること
ができ、Ｓｂ化合物、Ｎｂ化合物又はＴａ化合物として
塩化物、フッ化物、硫酸塩、ハロゲン化物、Ｋ2 ＮｂＯ
Ｆ5 ・Ｈ2 Ｏ等を用いることができ、それらのＳｂ化合
物、Ｎｂ化合物又はＴａ化合物を溶液、例えば水溶液、
アルコール溶解液として第二スズ塩溶液に添加してＳ
ｂ、Ｎｂ又はＴａ化合物含有第二スズ塩溶液として用い
ることができる。
【００２０】上記のＳｂ、Ｎｂ又はＴａ化合物含有第二
スズ塩溶液を中和する中和溶液としては、Ｓｂ、Ｎｂ又
はＴａ化合物含有第二スズ塩溶液が酸性溶液である場合
には水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア、
炭酸ナトリウム等の水溶液を用いることができ、またＳ
ｂ、Ｎｂ又はＴａ化合物含有第二スズ塩溶液がアルカリ
性溶液である場合には、塩酸、硫酸、硝酸、酢酸等の希
薄水溶液を用いることができる。中和溶液の濃度はＳ
ｂ、Ｎｂ又はＴａ化合物含有第二スズ塩溶液の濃度の
０．５〜５倍であることが好ましい。中和溶液の濃度が
希釈過ぎると廃液量がいたずらに増加して廃液処理に費
用がかさみ、逆に中和溶液の濃度が濃厚過ぎるとｐＨ値
を一定に維持することが困難であり、そのことに起因し
て粒度分布がブロードになりやすく、またｐＨ電極等へ
のスケールの付着等の問題が発生しやすくなるので好ま
しくない。
スズ塩溶液を中和する中和溶液としては、Ｓｂ、Ｎｂ又
はＴａ化合物含有第二スズ塩溶液が酸性溶液である場合
には水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア、
炭酸ナトリウム等の水溶液を用いることができ、またＳ
ｂ、Ｎｂ又はＴａ化合物含有第二スズ塩溶液がアルカリ
性溶液である場合には、塩酸、硫酸、硝酸、酢酸等の希
薄水溶液を用いることができる。中和溶液の濃度はＳ
ｂ、Ｎｂ又はＴａ化合物含有第二スズ塩溶液の濃度の
０．５〜５倍であることが好ましい。中和溶液の濃度が
希釈過ぎると廃液量がいたずらに増加して廃液処理に費
用がかさみ、逆に中和溶液の濃度が濃厚過ぎるとｐＨ値
を一定に維持することが困難であり、そのことに起因し
て粒度分布がブロードになりやすく、またｐＨ電極等へ
のスケールの付着等の問題が発生しやすくなるので好ま
しくない。
【００２１】上記のようにして得られたスラリーを固液
分離処理（濾過）し、洗浄して共沈殿物を回収し、乾燥
し、その後空気中、不活性又は弱還元性雰囲気中、３０
０〜８００℃、好ましくは４５０〜７００℃で焼成す
る。焼成温度が３００℃未満の場合にはドーパントによ
るドナー形成が十分ではなく、また二酸化スズが十分に
は結晶化されないので導電性が不十分になる傾向があ
る。また、８００℃を越える場合には焼結して粗大粒子
が生じ、塗料に添加して塗膜として被覆した場合に透明
性が得られにくい。
分離処理（濾過）し、洗浄して共沈殿物を回収し、乾燥
し、その後空気中、不活性又は弱還元性雰囲気中、３０
０〜８００℃、好ましくは４５０〜７００℃で焼成す
る。焼成温度が３００℃未満の場合にはドーパントによ
るドナー形成が十分ではなく、また二酸化スズが十分に
は結晶化されないので導電性が不十分になる傾向があ
る。また、８００℃を越える場合には焼結して粗大粒子
が生じ、塗料に添加して塗膜として被覆した場合に透明
性が得られにくい。
【００２２】上記の製造方法で採用する焼成雰囲気は空
気中でもＮ2 、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ等の不活性ガス
雰囲気でも、これらの不活性ガスにＨ2 又はＣＯ等の還
元性ガスを２０ｖｏｌ％以下、好ましくは０．１〜５ｖ
ｏｌ％の濃度で添加した弱還元性雰囲気でもよい。不活
性ガス中に添加する還元性ガスの濃度が２０ｖｏｌ％を
越える還元性雰囲気を用いると、化学量論比の二酸化ス
ズよりも更に還元が進み、空気中に取り出した際に、急
激に酸化され、時には発火して焼結することがある。ま
た、還元の進行で生成二酸化スズが濃い青色又は茶褐色
になり、色調の面でも好ましくない。
気中でもＮ2 、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ等の不活性ガス
雰囲気でも、これらの不活性ガスにＨ2 又はＣＯ等の還
元性ガスを２０ｖｏｌ％以下、好ましくは０．１〜５ｖ
ｏｌ％の濃度で添加した弱還元性雰囲気でもよい。不活
性ガス中に添加する還元性ガスの濃度が２０ｖｏｌ％を
越える還元性雰囲気を用いると、化学量論比の二酸化ス
ズよりも更に還元が進み、空気中に取り出した際に、急
激に酸化され、時には発火して焼結することがある。ま
た、還元の進行で生成二酸化スズが濃い青色又は茶褐色
になり、色調の面でも好ましくない。
【００２３】酸化インジウム系微粒導電性粉末も上記酸
化スズ系微粒導電性粉末の製造方法と同様の方法によっ
て製造することができる。
化スズ系微粒導電性粉末の製造方法と同様の方法によっ
て製造することができる。
【００２４】本発明の複合導電性粉末は次の製造方法に
よって得ることができる。先ず、上記の酸化スズ系微粒
導電性粉末と酸化インジウム系微粒導電性粉末とを、重
量比で好ましくは３：７〜７：３、最も好ましくは１：
１前後で混合する。微粒粉末の混合は乳鉢、ニーダー、
ブレンダー等の公知の乾式混合機、ボールミル、ピンミ
ル、サンドミル等の公知の粉砕機を用いても、またスラ
リー状にして、ボールミル、高速攪拌機、ペイントシェ
ーカー、ビーズミル等の湿式粉砕混合しても何等さしつ
かえない。
よって得ることができる。先ず、上記の酸化スズ系微粒
導電性粉末と酸化インジウム系微粒導電性粉末とを、重
量比で好ましくは３：７〜７：３、最も好ましくは１：
１前後で混合する。微粒粉末の混合は乳鉢、ニーダー、
ブレンダー等の公知の乾式混合機、ボールミル、ピンミ
ル、サンドミル等の公知の粉砕機を用いても、またスラ
リー状にして、ボールミル、高速攪拌機、ペイントシェ
ーカー、ビーズミル等の湿式粉砕混合しても何等さしつ
かえない。
【００２５】混合した微粒粉末は、スラリー状での混合
の場合は乾燥した後、空気中もしくは不活性又は弱還元
性雰囲気中、３００〜８００℃、好ましくは４５０〜７
００℃で焼成する。焼成温度が３００℃未満の場合には
ドーパントの異種粉末への拡散が充分でなく、また十分
には結晶化されていないので導電性が不十分である。ま
た、８００℃を越える場合には焼結して粗大粒子が生
じ、塗料に添加して塗膜として被覆した場合に透明性が
得られない。
の場合は乾燥した後、空気中もしくは不活性又は弱還元
性雰囲気中、３００〜８００℃、好ましくは４５０〜７
００℃で焼成する。焼成温度が３００℃未満の場合には
ドーパントの異種粉末への拡散が充分でなく、また十分
には結晶化されていないので導電性が不十分である。ま
た、８００℃を越える場合には焼結して粗大粒子が生
じ、塗料に添加して塗膜として被覆した場合に透明性が
得られない。
【００２６】上記の製造方法で用いる焼成雰囲気は空気
中でも、Ｎ2 、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ等の不活性ガス
雰囲気でも、これらの不活性ガスにＨ2 又はＣＯ等の還
元性ガスを２０ｖｏｌ％以下、好ましくは０．１〜５ｖ
ｏｌ％の濃度で添加した弱還元性雰囲気でもよい。不活
性ガス中に添加する還元性ガスの濃度が２０ｖｏｌ％を
越える還元性雰囲気を用いると、化学量論比の二酸化ス
ズや酸化インジウムよりも更に還元が進み、空気中に取
り出した際に、急激に酸化され、時には発火して焼結す
ることがある。また、還元の進行で生成粉末が青みを帯
びた灰黒色になり、色調の面でも好ましくなく、さら
に、酸化インジウムは低融点のＩｎＳｎ4等を形成し、
得られる粉末が凝集、粗大化する。
中でも、Ｎ2 、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ等の不活性ガス
雰囲気でも、これらの不活性ガスにＨ2 又はＣＯ等の還
元性ガスを２０ｖｏｌ％以下、好ましくは０．１〜５ｖ
ｏｌ％の濃度で添加した弱還元性雰囲気でもよい。不活
性ガス中に添加する還元性ガスの濃度が２０ｖｏｌ％を
越える還元性雰囲気を用いると、化学量論比の二酸化ス
ズや酸化インジウムよりも更に還元が進み、空気中に取
り出した際に、急激に酸化され、時には発火して焼結す
ることがある。また、還元の進行で生成粉末が青みを帯
びた灰黒色になり、色調の面でも好ましくなく、さら
に、酸化インジウムは低融点のＩｎＳｎ4等を形成し、
得られる粉末が凝集、粗大化する。
【００２７】本発明の複合導電性粉末は、以上の説明並
びに後記の実施例から明らかなように、該複合導電性粉
末中の酸化インジウムの割合ｘ％と、酸化スズの割合ｙ
％と、酸化スズ、酸化チタン及び酸化ジルコニウムの少
なくとも１種からなるドーパント（以下、ドーパントＡ
という）の割合ａ％と、酸化アンチモン、酸化タンタル
及び酸化ニオブの少なくとも１種からなるドーパント
（以下、ドーパントＢという）の割合ｂ％とが関係式： ｘ＋ｙ＋ａ＋ｂ＝１００ ｘ：ａ＝９０：１０〜９９．９：０．１ ｙ：ｂ＝９０：１０〜９９．９：０．１ （ｘ＋ａ）：（ｙ＋ｂ）＝３：７〜７：３ を満足することが好ましい。
びに後記の実施例から明らかなように、該複合導電性粉
末中の酸化インジウムの割合ｘ％と、酸化スズの割合ｙ
％と、酸化スズ、酸化チタン及び酸化ジルコニウムの少
なくとも１種からなるドーパント（以下、ドーパントＡ
という）の割合ａ％と、酸化アンチモン、酸化タンタル
及び酸化ニオブの少なくとも１種からなるドーパント
（以下、ドーパントＢという）の割合ｂ％とが関係式： ｘ＋ｙ＋ａ＋ｂ＝１００ ｘ：ａ＝９０：１０〜９９．９：０．１ ｙ：ｂ＝９０：１０〜９９．９：０．１ （ｘ＋ａ）：（ｙ＋ｂ）＝３：７〜７：３ を満足することが好ましい。
【００２８】本発明の複合導電性粉末においては、粒度
分布におけるＤ90の粒径が０．０１〜５μｍであり、比
表面積が５〜１００ｍ2 ／ｇであり、体積抵抗率が１０
-4〜１０2 Ω・ｃｍであることが好ましい。粒度分布に
おけるＤ90の粒径が０．０１μｍ未満であるか、比表面
積が１００ｍ2 ／ｇを越える場合には、低温焼成でも焼
結する傾向が高くなり、粗大粒子が生じるので好ましく
ない。また、粒度分布におけるＤ90の粒径が５μｍを越
えるか、比表面積が５ｍ2 ／ｇ未満である場合には、粗
大粒子となり、塗料に添加して薄膜として被覆した場合
に透明性を損なう傾向が高くなるので好ましくない。体
積抵抗率が１０2 Ω・ｃｍを越える場合には高導電性と
はいえず、また、体積抵抗率の下限は現在の技術水準で
は１０-4Ω・ｃｍ程度である。
分布におけるＤ90の粒径が０．０１〜５μｍであり、比
表面積が５〜１００ｍ2 ／ｇであり、体積抵抗率が１０
-4〜１０2 Ω・ｃｍであることが好ましい。粒度分布に
おけるＤ90の粒径が０．０１μｍ未満であるか、比表面
積が１００ｍ2 ／ｇを越える場合には、低温焼成でも焼
結する傾向が高くなり、粗大粒子が生じるので好ましく
ない。また、粒度分布におけるＤ90の粒径が５μｍを越
えるか、比表面積が５ｍ2 ／ｇ未満である場合には、粗
大粒子となり、塗料に添加して薄膜として被覆した場合
に透明性を損なう傾向が高くなるので好ましくない。体
積抵抗率が１０2 Ω・ｃｍを越える場合には高導電性と
はいえず、また、体積抵抗率の下限は現在の技術水準で
は１０-4Ω・ｃｍ程度である。
【００２９】
実施例１
（１） インジウム金属１２４．０７ｇを硝酸に溶解
し、脱硝して得た水溶液２ｌに、ＳｎＣｌ4 ５７．６ｇ
を２００ｍｌの３６％ＨＣｌに溶解して得た溶液を添加
して、Ｓｎ含有Ｉｎ水溶液を得た。また、中和溶液とし
て２５％アンモニア水溶液を用意した。８０００ｒｐｍ
の高速攪拌中の反応槽の槽底に、Ｓｎ含有Ｉｎ水溶液を
定量ポンプで４６ｍｌ／ｍｉｎの一定流速で送液し、一
方、反応槽内のｐＨ値が４．５で安定する様に中和溶液
を送液した。反応時間（滞留時間）は約４５分で、その
間の反応槽内の温度は３０℃とした。得られたスラリー
を槽の上部より連続して排出し、濾過、洗浄し、乾燥さ
せた後、ロータリーキルン中で空気中の雰囲気下で６０
０℃で１時間焼成した。得られた微粒粉末をＡ粉末とす
る。
し、脱硝して得た水溶液２ｌに、ＳｎＣｌ4 ５７．６ｇ
を２００ｍｌの３６％ＨＣｌに溶解して得た溶液を添加
して、Ｓｎ含有Ｉｎ水溶液を得た。また、中和溶液とし
て２５％アンモニア水溶液を用意した。８０００ｒｐｍ
の高速攪拌中の反応槽の槽底に、Ｓｎ含有Ｉｎ水溶液を
定量ポンプで４６ｍｌ／ｍｉｎの一定流速で送液し、一
方、反応槽内のｐＨ値が４．５で安定する様に中和溶液
を送液した。反応時間（滞留時間）は約４５分で、その
間の反応槽内の温度は３０℃とした。得られたスラリー
を槽の上部より連続して排出し、濾過、洗浄し、乾燥さ
せた後、ロータリーキルン中で空気中の雰囲気下で６０
０℃で１時間焼成した。得られた微粒粉末をＡ粉末とす
る。
【００３０】（２） ＳｂＣｌ3 ５０．４ｇを２００ｍ
ｌの３６％ＨＣｌに溶解し、この溶液に６０重量％Ｓｎ
Ｃｌ4 溶液８６４ｇと純水とを加え、２ｌに調整してＳ
ｂ含有Ｓｎ水溶液を得た。また、中和溶液として２５％
アンモニア水溶液を用意した。８０００ｒｐｍの高速攪
拌中の反応槽の槽底に、Ｓｂ含有Ｓｎ水溶液を定量ポン
プで４０ｍｌ／ｍｉｎの一定流速で送液し、一方、反応
槽内のｐＨ値が３．０で安定する様に中和溶液を送液し
た。反応槽内の温度は６０℃とした。得られたスラリー
は、槽の上部より連続して排出し、濾過、洗浄し、乾燥
させた後、ロータリーキルン中で空気中の雰囲気下で４
５０℃で１時間焼成した。得られた微粒粉末をＢ粉末と
する。
ｌの３６％ＨＣｌに溶解し、この溶液に６０重量％Ｓｎ
Ｃｌ4 溶液８６４ｇと純水とを加え、２ｌに調整してＳ
ｂ含有Ｓｎ水溶液を得た。また、中和溶液として２５％
アンモニア水溶液を用意した。８０００ｒｐｍの高速攪
拌中の反応槽の槽底に、Ｓｂ含有Ｓｎ水溶液を定量ポン
プで４０ｍｌ／ｍｉｎの一定流速で送液し、一方、反応
槽内のｐＨ値が３．０で安定する様に中和溶液を送液し
た。反応槽内の温度は６０℃とした。得られたスラリー
は、槽の上部より連続して排出し、濾過、洗浄し、乾燥
させた後、ロータリーキルン中で空気中の雰囲気下で４
５０℃で１時間焼成した。得られた微粒粉末をＢ粉末と
する。
【００３１】（３） Ａ粉末とＢ粉末との配合量をそれ
ぞれ２５ｇ：７５ｇ、３０ｇ：７０ｇ、５０ｇ：５０
ｇ、７０ｇ：３０ｇ、７５ｇ：２５ｇとしてメノウ乳鉢
中で混合し、その混合物をロータリーキルンを用いて空
気中の雰囲気下で６００℃で１時間焼成した。得られた
各々の粉末を２ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力で加圧成形して試
験片を作成し、試験片の体積抵抗率は三菱油化製、抵抗
測定器ロレスタＡＰを用いて測定し、粉末の比表面積は
カンタクローム製、カンタソープを用いてＢＥＴ法で測
定し、粒度分布はリーズ＆ノースラップインスツルメン
ト社製、マイクロトラックを用いて測定した。ここで、
粒度分布測定の前処理として、分散剤ヘキサメタリン酸
ソーダを添加した水溶液中に粉末を入れ、１０分間超音
波照射した懸濁液を試料として使用した。それらの評価
結果を第１表に示す。
ぞれ２５ｇ：７５ｇ、３０ｇ：７０ｇ、５０ｇ：５０
ｇ、７０ｇ：３０ｇ、７５ｇ：２５ｇとしてメノウ乳鉢
中で混合し、その混合物をロータリーキルンを用いて空
気中の雰囲気下で６００℃で１時間焼成した。得られた
各々の粉末を２ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力で加圧成形して試
験片を作成し、試験片の体積抵抗率は三菱油化製、抵抗
測定器ロレスタＡＰを用いて測定し、粉末の比表面積は
カンタクローム製、カンタソープを用いてＢＥＴ法で測
定し、粒度分布はリーズ＆ノースラップインスツルメン
ト社製、マイクロトラックを用いて測定した。ここで、
粒度分布測定の前処理として、分散剤ヘキサメタリン酸
ソーダを添加した水溶液中に粉末を入れ、１０分間超音
波照射した懸濁液を試料として使用した。それらの評価
結果を第１表に示す。
【００３２】また得られた各々の粉末を塗料化し、１０
０μｍのポリエステルフィルムに塗布して１μｍの塗膜
を形成した。塗膜の全光線透過率とヘーズ値について
は、日本電色工業製、ヘーズメーターＮＤＨ−１００１
ＤＰで測定した。なお、塗料は表４に示す組成とし、ペ
イントシェーカー（Ｒｅｄ ｄｅｖｉｌ社製ＲＣ−５０
００）を用い、２０Ｈｒ分散し、バーコーターにて塗布
した。それらの評価結果も第１表に示した。測定値は１
００μｍのポリエステルフィルムを含む値である。また
（ ）内の値は、膜のみの値である。
０μｍのポリエステルフィルムに塗布して１μｍの塗膜
を形成した。塗膜の全光線透過率とヘーズ値について
は、日本電色工業製、ヘーズメーターＮＤＨ−１００１
ＤＰで測定した。なお、塗料は表４に示す組成とし、ペ
イントシェーカー（Ｒｅｄ ｄｅｖｉｌ社製ＲＣ−５０
００）を用い、２０Ｈｒ分散し、バーコーターにて塗布
した。それらの評価結果も第１表に示した。測定値は１
００μｍのポリエステルフィルムを含む値である。また
（ ）内の値は、膜のみの値である。
【００３３】なお、Ａ粉末及びＢ粉末それぞれについて
の粉体特性も参考例１、参考例２として第１表に示す。
の粉体特性も参考例１、参考例２として第１表に示す。
【００３４】実施例２
Ａ粉末５０ｇとＢ粉末５０ｇとを配合し、焼成温度を５
００℃，７００℃又は８００℃とした以外は、実施例１
と同様に処理し、評価した。それらの評価結果を第１表
に示す。
００℃，７００℃又は８００℃とした以外は、実施例１
と同様に処理し、評価した。それらの評価結果を第１表
に示す。
【００３５】実施例３
Ａ粉末とＢ粉末との配合量をそれぞれ３０ｇ：７０ｇ、
５０ｇ：５０ｇ、７０ｇ：３０ｇとし、焼成雰囲気をＮ
2 中とし、焼成温度を４５０℃とした以外は、実施例１
と同様に処理し、評価した。それらの評価結果を第１表
に示す。
５０ｇ：５０ｇ、７０ｇ：３０ｇとし、焼成雰囲気をＮ
2 中とし、焼成温度を４５０℃とした以外は、実施例１
と同様に処理し、評価した。それらの評価結果を第１表
に示す。
【００３６】実施例４
焼成温度を５５０℃とした以外は、実施例３と同様に処
理し、評価した。それらの評価結果を第１表に示す。
理し、評価した。それらの評価結果を第１表に示す。
【００３７】実施例５
焼成雰囲気をＮ2 （３００ｍｌ／ｍｉｎ）＋Ｈ2 （５ｍ
ｌ／ｍｉｎ）の混合雰囲気とし、焼成温度を４５０℃と
した以外は、実施例１と同様に処理し、評価した。それ
らの評価結果を第１表に示す。
ｌ／ｍｉｎ）の混合雰囲気とし、焼成温度を４５０℃と
した以外は、実施例１と同様に処理し、評価した。それ
らの評価結果を第１表に示す。
【００３８】実施例６
Ａ粉末とＢ粉末との配合量をそれぞれ３０ｇ：７０ｇ、
５０ｇ：５０ｇ、７０ｇ：３０ｇとし、焼成温度を５５
０℃とした以外は、実施例５と同様に処理し、評価し
た。それらの評価結果を第１表に示す。
５０ｇ：５０ｇ、７０ｇ：３０ｇとし、焼成温度を５５
０℃とした以外は、実施例５と同様に処理し、評価し
た。それらの評価結果を第１表に示す。
【００３９】実施例７
（１） ＳｎＣｌ4 ５７．６ｇの代りにＴｉＣｌ4 ７
９．１ｇを用いた以外は実施例１の（１）と同様に処理
して微粒粉末を得た。得られた微粒粉末をＣ粉末とす
る。
９．１ｇを用いた以外は実施例１の（１）と同様に処理
して微粒粉末を得た。得られた微粒粉末をＣ粉末とす
る。
【００４０】（２） ＳｂＣｌ3 ５０．４ｇを２００ｍ
ｌの３６％ＨＣｌに溶解する代りにＮｂＣｌ5 ８．９ｇ
を１００ｍｌの３６％ＨＣｌに溶解した以外は実施例１
の（２）と同様に処理して微粒粉末を得た。得られた微
粒粉末をＤ粉末とする。
ｌの３６％ＨＣｌに溶解する代りにＮｂＣｌ5 ８．９ｇ
を１００ｍｌの３６％ＨＣｌに溶解した以外は実施例１
の（２）と同様に処理して微粒粉末を得た。得られた微
粒粉末をＤ粉末とする。
【００４１】（３） Ｃ粉末とＤ粉末との配合量をそれ
ぞれ３０ｇ：７０ｇ，５０ｇ：５０ｇ，７０ｇ：３０ｇ
とし、Ｎ2 （３００ｍｌ／ｍｉｎ）＋Ｈ2 （５ｍｌ／ｍ
ｉｎ）混合ガス雰囲気中４５０℃の温度で焼成した以外
は実施例１の（３）と同様に処理し、評価した。それら
の評価結果を第２表に示す。
ぞれ３０ｇ：７０ｇ，５０ｇ：５０ｇ，７０ｇ：３０ｇ
とし、Ｎ2 （３００ｍｌ／ｍｉｎ）＋Ｈ2 （５ｍｌ／ｍ
ｉｎ）混合ガス雰囲気中４５０℃の温度で焼成した以外
は実施例１の（３）と同様に処理し、評価した。それら
の評価結果を第２表に示す。
【００４２】なお、Ｃ粉末及びＤ粉末それぞれについて
の粉体特性も参考例３、参考例４として第２表に示す。
の粉体特性も参考例３、参考例４として第２表に示す。
【００４３】実施例８
（１） ＳｎＣｌ4 ５７．６ｇの代りにＺｒＣｌ4 ６
３．０ｇを用い、また、Ｎ2 （３００ｍｌ／ｍｉｎ）＋
Ｈ2 （５ｍｌ／ｍｉｎ）混合ガス雰囲気中４５０℃の温
度で焼成した以外は実施例１の（１）と同様に処理して
微粒粉末を得た。得られた微粒粉末をＥ粉末とする。
３．０ｇを用い、また、Ｎ2 （３００ｍｌ／ｍｉｎ）＋
Ｈ2 （５ｍｌ／ｍｉｎ）混合ガス雰囲気中４５０℃の温
度で焼成した以外は実施例１の（１）と同様に処理して
微粒粉末を得た。得られた微粒粉末をＥ粉末とする。
【００４４】（２） ＳｂＣｌ3 ５０．４ｇを２００ｍ
ｌの３６％ＨＣｌに溶解する代りにＴａＣｌ5 １２．１
ｇを１００ｍｌの３６％ＨＣｌに溶解し、また、Ｎ2
（３００ｍｌ／ｍｉｎ）＋Ｈ2 （５ｍｌ／ｍｉｎ）混合
ガス雰囲気中４５０℃の温度で焼成した以外は実施例１
の（２）と同様に処理して微粒粉末を得た。得られた微
粒粉末をＦ粉末とする。
ｌの３６％ＨＣｌに溶解する代りにＴａＣｌ5 １２．１
ｇを１００ｍｌの３６％ＨＣｌに溶解し、また、Ｎ2
（３００ｍｌ／ｍｉｎ）＋Ｈ2 （５ｍｌ／ｍｉｎ）混合
ガス雰囲気中４５０℃の温度で焼成した以外は実施例１
の（２）と同様に処理して微粒粉末を得た。得られた微
粒粉末をＦ粉末とする。
【００４５】（３） Ｅ粉末とＦ粉末との配合量をそれ
ぞれ３０ｇ：７０ｇ，５０ｇ：５０ｇ，７０ｇ：３０ｇ
とし、Ｎ2 （３００ｍｌ／ｍｉｎ）＋Ｈ2 （５ｍｌ／ｍ
ｉｎ）混合ガス雰囲気中４５０℃の温度で焼成した以外
は実施例１の（３）と同様に処理し、評価した。それら
の評価結果を第３表に示す。
ぞれ３０ｇ：７０ｇ，５０ｇ：５０ｇ，７０ｇ：３０ｇ
とし、Ｎ2 （３００ｍｌ／ｍｉｎ）＋Ｈ2 （５ｍｌ／ｍ
ｉｎ）混合ガス雰囲気中４５０℃の温度で焼成した以外
は実施例１の（３）と同様に処理し、評価した。それら
の評価結果を第３表に示す。
【００４６】なお、Ｅ粉末及びＦ粉末それぞれについて
の粉体特性も参考例５、参考例６として第３表に示す。
の粉体特性も参考例５、参考例６として第３表に示す。
【００４７】
【表１】
【００４８】
【表２】
【００４９】
【表３】
１）固形分濃度：４２．５％
２）ＰＷＣ（ピグメント濃度）：８０％
※樹脂 ＬＲ１６７の樹脂含有量は４６％
【００５０】以上に、１種類の酸化インジウム系粉末と
１種類の酸化スズ系粉末とを用いた場合を説明したが、
酸化インジウム系粉末及び酸化スズ系粉末の何れか一方
を１種類、他方を２種類以上としても、両者共２種類以
上としても上記と同様の結果が得られることは明らかで
ある。
１種類の酸化スズ系粉末とを用いた場合を説明したが、
酸化インジウム系粉末及び酸化スズ系粉末の何れか一方
を１種類、他方を２種類以上としても、両者共２種類以
上としても上記と同様の結果が得られることは明らかで
ある。
【００５１】
【発明の効果】本発明の複合導電性粉末及び導電膜は、
ＩＴＯ膜の中でも特に材料コストの高いインジウムの含
量を低減させることができ、塗布法で用いても高透明性
と高導電性とを両立させ得る。
ＩＴＯ膜の中でも特に材料コストの高いインジウムの含
量を低減させることができ、塗布法で用いても高透明性
と高導電性とを両立させ得る。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ
Ｈ０１Ｂ 5/14 Ｈ０１Ｂ 5/14 Ａ
13/00 ５０３ 13/00 ５０３Ｂ
(56)参考文献 特開 平３−110801（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−15107（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−119816（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−201731（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−221639（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−297813（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−28114（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01B 1/00 - 1/24
H01B 5/00 - 5/16
ＣＡ（ＳＴＮ)
ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
Claims (4)
- 【請求項１】 ドーパントとして酸化スズ、酸化チタン
及び酸化ジルコニウムの少なくとも１種を含む酸化イン
ジウム系粉末と、ドーパントとして酸化アンチモン、酸
化タンタル及び酸化ニオブの少なくとも１種を含む酸化
スズ系粉末との混合物を焼成して得られる複合導電性粉
末。 - 【請求項２】 ドーパントとして酸化スズ、酸化チタン
及び酸化ジルコニウムの少なくとも１種を含む酸化イン
ジウム系粉末と、ドーパントとして酸化アンチモン、酸
化タンタル及び酸化ニオブの少なくとも１種を含む酸化
スズ系粉末との混合物を焼成して得られる複合導電性粉
末であって、該複合導電性粉末中の酸化インジウムの割
合ｘ％と、酸化スズの割合ｙ％と、酸化スズ、酸化チタ
ン及び酸化ジルコニウムの少なくとも１種からなるドー
パントの割合ａ％と、酸化アンチモン、酸化タンタル及
び酸化ニオブの少なくとも１種からなるドーパントの割
合ｂ％とが関係式： ｘ＋ｙ＋ａ＋ｂ＝１００ ｘ：ａ＝９０：１０〜９９．９：０．１ ｙ：ｂ＝９０：１０〜９９．９：０．１ （ｘ＋ａ）：（ｙ＋ｂ）＝３：７〜７：３ を満足することを特徴とする複合導電性粉末。 - 【請求項３】 粒度分布におけるＤ90の粒径が０．０１
〜５μｍであり、比表面積が５〜１００ｍ2/ｇであり、
体積抵抗率が１０-4〜１０2 Ω・ｃｍである請求項１又
は２記載の複合導電性粉末。 - 【請求項４】 請求項１、２又は３記載の複合導電性粉
末を用いて成膜された導電膜。
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