JPH06248446A - スパッタリング用ターゲット及びその製造方法 - Google Patents
スパッタリング用ターゲット及びその製造方法Info
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- JPH06248446A JPH06248446A JP5062728A JP6272893A JPH06248446A JP H06248446 A JPH06248446 A JP H06248446A JP 5062728 A JP5062728 A JP 5062728A JP 6272893 A JP6272893 A JP 6272893A JP H06248446 A JPH06248446 A JP H06248446A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 焼結体の密度比を高くすることができ、した
がって、ターゲットの使用効率を向上させることがで
き、このターゲットを用いて製品を生産した場合の製品
の量産性を向上させることができるスパッタリング用タ
ーゲット及びその製造方法を提供する。 【構成】 ホウ化ハフニウム、ホウ化チタン、ホウ化タ
ングステン、ホウ化ランタンから選択された１種以上を
主成分とするスパッタリング用ターゲットであって、該
ターゲットの焼結体密度比は８０％以上であり、かつ、
その結晶粒径は５０μｍ以下である。また、製造方法
は、平均粒径が０．１〜１００μｍの範囲で粒径が重な
り合わない複数の粉体群で、これらの粉体群の少なくと
も２つの粉体群の混合粉体からなるホウ化物粉を用い
る。
がって、ターゲットの使用効率を向上させることがで
き、このターゲットを用いて製品を生産した場合の製品
の量産性を向上させることができるスパッタリング用タ
ーゲット及びその製造方法を提供する。 【構成】 ホウ化ハフニウム、ホウ化チタン、ホウ化タ
ングステン、ホウ化ランタンから選択された１種以上を
主成分とするスパッタリング用ターゲットであって、該
ターゲットの焼結体密度比は８０％以上であり、かつ、
その結晶粒径は５０μｍ以下である。また、製造方法
は、平均粒径が０．１〜１００μｍの範囲で粒径が重な
り合わない複数の粉体群で、これらの粉体群の少なくと
も２つの粉体群の混合粉体からなるホウ化物粉を用い
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、高密度のホウ化物か
らなるスパッタリング用ターゲット及びその製造方法に
関するものである。
らなるスパッタリング用ターゲット及びその製造方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ホウ化物が電子材料及び構造材料
として注目されている。ホウ化物は、化学的に安定で、
水、酸、アルカリ等に侵され難く、ホウ素の含有量によ
って金属的から半金属的性質を示し、電気的及び磁気的
性質に特徴があることから、様々な用途開発が期待され
ている材料である。前記ホウ化物としては、例えば、ホ
ウ化ハフニウム（ＨｆＢ2）、ホウ化チタン（Ｔｉ
Ｂ2）、ホウ化タングステン（ＷＢ）、ホウ化ランタン
（ＬａＢ6）等を挙げることができ、ホウ化ハフニウム
は発熱抵抗体等の材料として、ホウ化チタン及びホウ化
タングステンは、金属表面のコーティング膜等のような
硬質材料や耐食材料として、また、ホウ化ランタンは電
子顕微鏡等の熱電子放射体の材料として用途開発が進め
られている。
として注目されている。ホウ化物は、化学的に安定で、
水、酸、アルカリ等に侵され難く、ホウ素の含有量によ
って金属的から半金属的性質を示し、電気的及び磁気的
性質に特徴があることから、様々な用途開発が期待され
ている材料である。前記ホウ化物としては、例えば、ホ
ウ化ハフニウム（ＨｆＢ2）、ホウ化チタン（Ｔｉ
Ｂ2）、ホウ化タングステン（ＷＢ）、ホウ化ランタン
（ＬａＢ6）等を挙げることができ、ホウ化ハフニウム
は発熱抵抗体等の材料として、ホウ化チタン及びホウ化
タングステンは、金属表面のコーティング膜等のような
硬質材料や耐食材料として、また、ホウ化ランタンは電
子顕微鏡等の熱電子放射体の材料として用途開発が進め
られている。
【０００３】前記ホウ化物は、薄膜として用いられるこ
とが多く、該薄膜の形成は、通常スパッタリング法によ
り行なわれており、各種ホウ化物からなるスパッタリン
グ用タ−ゲット（以下、単にタ−ゲットと略称する）が
使用される。これらのタ−ゲットは、成形・焼結時に粉
体の流れを良くするために粒径の揃ったホウ化物粉体を
用いて、約２０００℃程度またはそれ以上の温度でホッ
トプレス（ＨＰ）することにより作製される。
とが多く、該薄膜の形成は、通常スパッタリング法によ
り行なわれており、各種ホウ化物からなるスパッタリン
グ用タ−ゲット（以下、単にタ−ゲットと略称する）が
使用される。これらのタ−ゲットは、成形・焼結時に粉
体の流れを良くするために粒径の揃ったホウ化物粉体を
用いて、約２０００℃程度またはそれ以上の温度でホッ
トプレス（ＨＰ）することにより作製される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記ターゲ
ットでは、ホウ化物粉体が高融点物質でしかも硬いため
に成形・焼成時に粒子が潰れ難く、粒子間の空隙が焼成
終了時まで残ってしまい、焼結体の密度比（実際の焼結
体の密度と理論密度との比）が６０〜７０％程度のもの
しか得られないという問題があった。したがって、高密
度のターゲットを得ることが困難であった。また、上記
のターゲットを用いてスパッタリングを行った場合、タ
ーゲットが低密度であることから使用効率が悪く、量産
性が低下する等の問題もあった。
ットでは、ホウ化物粉体が高融点物質でしかも硬いため
に成形・焼成時に粒子が潰れ難く、粒子間の空隙が焼成
終了時まで残ってしまい、焼結体の密度比（実際の焼結
体の密度と理論密度との比）が６０〜７０％程度のもの
しか得られないという問題があった。したがって、高密
度のターゲットを得ることが困難であった。また、上記
のターゲットを用いてスパッタリングを行った場合、タ
ーゲットが低密度であることから使用効率が悪く、量産
性が低下する等の問題もあった。
【０００５】この発明は、上記の事情に鑑みてなされた
ものであり、焼結体の密度比を高くすることができ、し
たがって、ターゲットの使用効率を向上させることがで
き、このターゲットを用いて製品を生産した場合の製品
の量産性を向上させることができるスパッタリング用タ
ーゲット及びその製造方法を提供することにある。
ものであり、焼結体の密度比を高くすることができ、し
たがって、ターゲットの使用効率を向上させることがで
き、このターゲットを用いて製品を生産した場合の製品
の量産性を向上させることができるスパッタリング用タ
ーゲット及びその製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明は次の様なスパッタリング用ターゲット及
びその製造方法を採用した。すなわち、請求項１記載の
スパッタリング用ターゲットは、ホウ化ハフニウム、ホ
ウ化チタン、ホウ化タングステン、ホウ化ランタンから
選択された１種以上を主成分とするスパッタリング用タ
ーゲットであって、該ターゲットの焼結体密度比は８０
％以上であり、かつ、その結晶粒径は５０μｍ以下であ
ることを特徴としている。
に、この発明は次の様なスパッタリング用ターゲット及
びその製造方法を採用した。すなわち、請求項１記載の
スパッタリング用ターゲットは、ホウ化ハフニウム、ホ
ウ化チタン、ホウ化タングステン、ホウ化ランタンから
選択された１種以上を主成分とするスパッタリング用タ
ーゲットであって、該ターゲットの焼結体密度比は８０
％以上であり、かつ、その結晶粒径は５０μｍ以下であ
ることを特徴としている。
【０００７】また、請求項２記載のスパッタリング用タ
ーゲットの製造方法は、ホウ化ハフニウム、ホウ化チタ
ン、ホウ化タングステン、ホウ化ランタンから選択され
た１種以上を主成分とするホウ化物粉を焼結してスパッ
タリング用ターゲットを製造する方法において、前記ホ
ウ化物粉は、平均粒径が０．１〜１００μｍの範囲で粒
径が重なり合わない複数の粉体群で、これらの粉体群の
少なくとも２つの粉体群の混合粉体からなることを特徴
としている。
ーゲットの製造方法は、ホウ化ハフニウム、ホウ化チタ
ン、ホウ化タングステン、ホウ化ランタンから選択され
た１種以上を主成分とするホウ化物粉を焼結してスパッ
タリング用ターゲットを製造する方法において、前記ホ
ウ化物粉は、平均粒径が０．１〜１００μｍの範囲で粒
径が重なり合わない複数の粉体群で、これらの粉体群の
少なくとも２つの粉体群の混合粉体からなることを特徴
としている。
【０００８】また、請求項３記載のスパッタリング用タ
ーゲットの製造方法は、ホウ化ハフニウム、ホウ化チタ
ン、ホウ化タングステン、ホウ化ランタンから選択され
た１種以上を主成分とするホウ化物粉を焼結してスパッ
タリング用ターゲットを製造する方法において、前記ホ
ウ化物粉は、平均粒径が０．１〜３．５μｍ、３．５〜
２０μｍ、２０〜１００μｍの粉体群の少なくとも２つ
の粉体群の混合粉体からなることを特徴としている。
ーゲットの製造方法は、ホウ化ハフニウム、ホウ化チタ
ン、ホウ化タングステン、ホウ化ランタンから選択され
た１種以上を主成分とするホウ化物粉を焼結してスパッ
タリング用ターゲットを製造する方法において、前記ホ
ウ化物粉は、平均粒径が０．１〜３．５μｍ、３．５〜
２０μｍ、２０〜１００μｍの粉体群の少なくとも２つ
の粉体群の混合粉体からなることを特徴としている。
【０００９】
【作用】この発明の請求項１記載のターゲットでは、焼
結体密度比が８０％以上であり、かつ、その結晶粒径が
５０μｍ以下であることにより、ターゲットの密度が理
論密度に近くなり緻密性が向上し、したがって、このタ
ーゲットを用いてスパッタリングを行った場合、ターゲ
ットの寿命が向上する。
結体密度比が８０％以上であり、かつ、その結晶粒径が
５０μｍ以下であることにより、ターゲットの密度が理
論密度に近くなり緻密性が向上し、したがって、このタ
ーゲットを用いてスパッタリングを行った場合、ターゲ
ットの寿命が向上する。
【００１０】また、請求項２記載のスパッタリング用タ
ーゲットの製造方法では、前記ホウ化物粉を、平均粒径
が０．１〜１００μｍの範囲で粒径が重なり合わない複
数の粉体群で、これらの粉体群の少なくとも２つの粉体
群の混合粉体とする。このホウ化物粉を用いて成形・焼
成する場合、成形時の圧力が前記粉体にかかると、それ
ぞれの粒子が各粒子間の空隙を減少させるように、すな
わち該ホウ化物粉の嵩密度が高まるように、平均粒径の
大きい粒子の間に平均粒径の小さい粒子が移動し、該ホ
ウ化物粉の粒子間の空隙が減少する。該ホウ化物粉を成
形、焼成することにより、得られた焼結体の粒子間の空
隙も大幅に減少し該焼結体の密度が理論密度に近くなり
該焼結体の密度比が向上する。したがって、高密度のホ
ウ化物ターゲットを製造することが可能になる。
ーゲットの製造方法では、前記ホウ化物粉を、平均粒径
が０．１〜１００μｍの範囲で粒径が重なり合わない複
数の粉体群で、これらの粉体群の少なくとも２つの粉体
群の混合粉体とする。このホウ化物粉を用いて成形・焼
成する場合、成形時の圧力が前記粉体にかかると、それ
ぞれの粒子が各粒子間の空隙を減少させるように、すな
わち該ホウ化物粉の嵩密度が高まるように、平均粒径の
大きい粒子の間に平均粒径の小さい粒子が移動し、該ホ
ウ化物粉の粒子間の空隙が減少する。該ホウ化物粉を成
形、焼成することにより、得られた焼結体の粒子間の空
隙も大幅に減少し該焼結体の密度が理論密度に近くなり
該焼結体の密度比が向上する。したがって、高密度のホ
ウ化物ターゲットを製造することが可能になる。
【００１１】また、請求項３記載のスパッタリング用タ
ーゲットの製造方法では、前記ホウ化物粉を、平均粒径
が０．１〜３．５μｍ、３．５〜２０μｍ、２０〜１０
０μｍの粉体群の少なくとも２つの粉体群の混合粉体と
する。このホウ化物粉を用いてターゲットを成形・焼成
する場合、成形時の圧力が前記粉体にかかると、平均粒
径の大きい粒子と平均粒径の小さい粒子が最密充填する
ように、すなわち該ホウ化物粉の嵩密度が最大に近くな
るように、それぞれの粒子が移動し、該ホウ化物粉の粒
子間の空隙が大幅に減少する。該ホウ化物粉を成形、焼
成することにより、得られた焼結体の粒子間の空隙も大
幅に減少し該焼結体の密度が理論密度に近くなり該焼結
体の密度比がさらに向上する。したがって、高密度のホ
ウ化物ターゲットを製造することが可能になる。
ーゲットの製造方法では、前記ホウ化物粉を、平均粒径
が０．１〜３．５μｍ、３．５〜２０μｍ、２０〜１０
０μｍの粉体群の少なくとも２つの粉体群の混合粉体と
する。このホウ化物粉を用いてターゲットを成形・焼成
する場合、成形時の圧力が前記粉体にかかると、平均粒
径の大きい粒子と平均粒径の小さい粒子が最密充填する
ように、すなわち該ホウ化物粉の嵩密度が最大に近くな
るように、それぞれの粒子が移動し、該ホウ化物粉の粒
子間の空隙が大幅に減少する。該ホウ化物粉を成形、焼
成することにより、得られた焼結体の粒子間の空隙も大
幅に減少し該焼結体の密度が理論密度に近くなり該焼結
体の密度比がさらに向上する。したがって、高密度のホ
ウ化物ターゲットを製造することが可能になる。
【００１２】
【実施例】以下、この発明のターゲットについて、各実
施例に基づいて具体的に説明する。 （実施例１）この実施例では、ホウ化ハフニウム（Ｈｆ
Ｂ2）の原料粉を粉砕機またはボールミルを用いて所定
時間粉砕することにより、表１に示すように、平均粒径
が０．１〜１００μｍの範囲で粒径が互いに重ならない
ように設定した４種類の粉体群を作製し、これら粉体群
の組合せ及び混合比率を変えた試料をボールミルにて２
時間混合することにより、１２種類のホウ化ハフニウム
の混合粉体（Ｎｏ．１〜１２）を得た。
施例に基づいて具体的に説明する。 （実施例１）この実施例では、ホウ化ハフニウム（Ｈｆ
Ｂ2）の原料粉を粉砕機またはボールミルを用いて所定
時間粉砕することにより、表１に示すように、平均粒径
が０．１〜１００μｍの範囲で粒径が互いに重ならない
ように設定した４種類の粉体群を作製し、これら粉体群
の組合せ及び混合比率を変えた試料をボールミルにて２
時間混合することにより、１２種類のホウ化ハフニウム
の混合粉体（Ｎｏ．１〜１２）を得た。
【００１３】また同時に、前記と同様の方法により平均
粒径が上記の範囲を越えた粉体群を含むホウ化ハフニウ
ムの混合粉体を作製し比較例（Ｎｏ．１３）とした。ま
た、平均粒径が１種類の粉体群のみからなるホウ化ハフ
ニウム粉体を３種類作製し従来例（Ｎｏ．１４〜１６）
とした。
粒径が上記の範囲を越えた粉体群を含むホウ化ハフニウ
ムの混合粉体を作製し比較例（Ｎｏ．１３）とした。ま
た、平均粒径が１種類の粉体群のみからなるホウ化ハフ
ニウム粉体を３種類作製し従来例（Ｎｏ．１４〜１６）
とした。
【００１４】ここで用いた前記各粉体群の平均粒径及び
粒径の範囲は下記の通りであった。 平均粒径 粒径の範囲 ０．５μｍ ‥‥‥‥ ０．３５〜０．７０μｍ １．１μｍ ‥‥‥‥ ０．８ 〜１．５μｍ ４．０μｍ ‥‥‥‥ ３．０ 〜５．０μｍ ６０ μｍ ‥‥‥‥ ４５ 〜７５μｍ １２０ μｍ ‥‥‥‥ ９０ 〜１５０μｍ これらの粉体群の粒度分布を図１に示す。
粒径の範囲は下記の通りであった。 平均粒径 粒径の範囲 ０．５μｍ ‥‥‥‥ ０．３５〜０．７０μｍ １．１μｍ ‥‥‥‥ ０．８ 〜１．５μｍ ４．０μｍ ‥‥‥‥ ３．０ 〜５．０μｍ ６０ μｍ ‥‥‥‥ ４５ 〜７５μｍ １２０ μｍ ‥‥‥‥ ９０ 〜１５０μｍ これらの粉体群の粒度分布を図１に示す。
【００１５】
【表１】
【００１６】次いで、ホットプレス（ＨＰ）を用いて前
記各粉体（Ｎｏ．１〜１６）を成形・焼成し、形状寸法
が５inchφ×６ｍｍの焼結体（Ｎｏ．１〜１６）を得
た。ここでは、ＨＰの条件は下記の通りとした。 圧 力 １５０ｋｇ／ｃｍ2 温 度 ２０００℃ 時 間 ２ 時間
記各粉体（Ｎｏ．１〜１６）を成形・焼成し、形状寸法
が５inchφ×６ｍｍの焼結体（Ｎｏ．１〜１６）を得
た。ここでは、ＨＰの条件は下記の通りとした。 圧 力 １５０ｋｇ／ｃｍ2 温 度 ２０００℃ 時 間 ２ 時間
【００１７】また、冷間静水圧プレス（ＣＩＰ）を用い
て加圧・成形し、その後熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）を
用いて焼結しても同様の焼結体を得ることが確認でき
た。上記の焼結体を所定の形状に加工した後、ボンディ
ングにより銅板に接合し、仕上加工を行って製品（タ−
ゲット）とした。
て加圧・成形し、その後熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）を
用いて焼結しても同様の焼結体を得ることが確認でき
た。上記の焼結体を所定の形状に加工した後、ボンディ
ングにより銅板に接合し、仕上加工を行って製品（タ−
ゲット）とした。
【００１８】次いで、これらの焼結体（Ｎｏ．１〜１
６）の密度をアルキメデス法により測定し、理論密度と
の比（焼結体密度比）を求め、これらの結果を表１に示
した。また、これらのターゲット（Ｎｏ．１〜１６）の
スパッタ時の寿命を測定し、これらの結果を表１に示し
た。寿命の測定方法は、高周波マグネトロンスパッタリ
ングにおいて、 基板温度 ：２００℃、 アルゴン圧 ：５×１０-2Ｔｏｒｒ の条件下で膜厚５００オングストロームの成膜を１００
チャージ行なった時のターゲットエロージョン深さを測
定し、この測定値を用いて次式により、ターゲット寿命
を求めた。 ターゲット寿命（チャージ）＝（ターゲット厚み（ｍ
ｍ）／エロージョン深さ（ｍｍ））×１００
６）の密度をアルキメデス法により測定し、理論密度と
の比（焼結体密度比）を求め、これらの結果を表１に示
した。また、これらのターゲット（Ｎｏ．１〜１６）の
スパッタ時の寿命を測定し、これらの結果を表１に示し
た。寿命の測定方法は、高周波マグネトロンスパッタリ
ングにおいて、 基板温度 ：２００℃、 アルゴン圧 ：５×１０-2Ｔｏｒｒ の条件下で膜厚５００オングストロームの成膜を１００
チャージ行なった時のターゲットエロージョン深さを測
定し、この測定値を用いて次式により、ターゲット寿命
を求めた。 ターゲット寿命（チャージ）＝（ターゲット厚み（ｍ
ｍ）／エロージョン深さ（ｍｍ））×１００
【００１９】表１によれば、この実施例のターゲットで
は焼結体密度比が８０％を越えているのに対し、比較例
及び従来例のターゲットでは焼結体密度比が８０％未満
であり、この実施例のターゲットの焼結体密度比は比較
例及び従来例と比べて大幅に向上していることがわか
る。また、この実施例のターゲットではスパッタ時の寿
命が１０4チャージを越えているのに対し、比較例及び
従来例のターゲットではスパッタ時の寿命が１０4チャ
ージ以下であり、この実施例のターゲットのスパッタ時
の寿命は比較例及び従来例と比べて大幅に向上している
ことがわかる。また、この実施例の各々のターゲット
（Ｎｏ．１〜１２）の結晶粒径を走査型電子顕微鏡（Ｓ
ＥＭ）を用いて測定したところ、全て５０μｍ以下であ
った。
は焼結体密度比が８０％を越えているのに対し、比較例
及び従来例のターゲットでは焼結体密度比が８０％未満
であり、この実施例のターゲットの焼結体密度比は比較
例及び従来例と比べて大幅に向上していることがわか
る。また、この実施例のターゲットではスパッタ時の寿
命が１０4チャージを越えているのに対し、比較例及び
従来例のターゲットではスパッタ時の寿命が１０4チャ
ージ以下であり、この実施例のターゲットのスパッタ時
の寿命は比較例及び従来例と比べて大幅に向上している
ことがわかる。また、この実施例の各々のターゲット
（Ｎｏ．１〜１２）の結晶粒径を走査型電子顕微鏡（Ｓ
ＥＭ）を用いて測定したところ、全て５０μｍ以下であ
った。
【００２０】以上説明した様に、本実施例のターゲット
によれば、焼結体密度比が８０％以上であり、かつ、そ
の結晶粒径が５０μｍ以下であるので、ターゲットの緻
密性を向上させることができ、したがって、このターゲ
ットを用いてスパッタリングを行った場合、ターゲット
の寿命を向上させることができる。
によれば、焼結体密度比が８０％以上であり、かつ、そ
の結晶粒径が５０μｍ以下であるので、ターゲットの緻
密性を向上させることができ、したがって、このターゲ
ットを用いてスパッタリングを行った場合、ターゲット
の寿命を向上させることができる。
【００２１】また、本実施例のターゲットの製造方法に
よれば、ホウ化ハフニウム粉を、平均粒径が０．１〜１
００μｍの範囲で粒径が互いに重ならないように設定し
た４種類の粉体群の組合せ及び混合比率を変えた混合粉
体とするので、得られたターゲットの粒子間の空隙を大
幅に減少させることができ、該ターゲットの密度が理論
密度に近くなり該ターゲットの密度比を向上させること
ができ、したがって、高密度のホウ化物ターゲットを製
造することができる。
よれば、ホウ化ハフニウム粉を、平均粒径が０．１〜１
００μｍの範囲で粒径が互いに重ならないように設定し
た４種類の粉体群の組合せ及び混合比率を変えた混合粉
体とするので、得られたターゲットの粒子間の空隙を大
幅に減少させることができ、該ターゲットの密度が理論
密度に近くなり該ターゲットの密度比を向上させること
ができ、したがって、高密度のホウ化物ターゲットを製
造することができる。
【００２２】（実施例２）この実施例では、ホウ化チタ
ン（ＴｉＢ2）の原料粉を粉砕機またはボールミルを用
いて所定時間粉砕することにより、表２に示すように、
平均粒径が０．１〜１００μｍの範囲で粒径が互いに重
ならないように設定した４種類の粉体群を作製し、これ
ら粉体群の組合せ及び混合比率を変えた試料をボールミ
ルにて２時間混合することにより、１２種類のホウ化チ
タン粉（Ｎｏ．２１〜３２）を得た。
ン（ＴｉＢ2）の原料粉を粉砕機またはボールミルを用
いて所定時間粉砕することにより、表２に示すように、
平均粒径が０．１〜１００μｍの範囲で粒径が互いに重
ならないように設定した４種類の粉体群を作製し、これ
ら粉体群の組合せ及び混合比率を変えた試料をボールミ
ルにて２時間混合することにより、１２種類のホウ化チ
タン粉（Ｎｏ．２１〜３２）を得た。
【００２３】また同時に、前記と同様の方法により平均
粒径が上記の範囲を越えた粉体群を含むホウ化チタン粉
を作製し比較例（Ｎｏ．３３）とした。また、平均粒径
が１種類の粉体群のみからなるホウ化チタン粉を３種類
作製し従来例（Ｎｏ．３４〜３６）とした。
粒径が上記の範囲を越えた粉体群を含むホウ化チタン粉
を作製し比較例（Ｎｏ．３３）とした。また、平均粒径
が１種類の粉体群のみからなるホウ化チタン粉を３種類
作製し従来例（Ｎｏ．３４〜３６）とした。
【００２４】ここで用いた前記各粉体群の平均粒径及び
粒径の範囲は下記の通りであった。 平均粒径 粒径の範囲 １．０μｍ ‥‥‥‥ ０．７５〜１．２５μｍ ２．５μｍ ‥‥‥‥ １．８ 〜３．５μｍ ５ μｍ ‥‥‥‥ ３．５ 〜７μｍ ４５ μｍ ‥‥‥‥ ３５ 〜６０μｍ １５０ μｍ ‥‥‥‥ １３０ 〜１７０μｍ これらの粉体群の粒度分布を図２に示す。
粒径の範囲は下記の通りであった。 平均粒径 粒径の範囲 １．０μｍ ‥‥‥‥ ０．７５〜１．２５μｍ ２．５μｍ ‥‥‥‥ １．８ 〜３．５μｍ ５ μｍ ‥‥‥‥ ３．５ 〜７μｍ ４５ μｍ ‥‥‥‥ ３５ 〜６０μｍ １５０ μｍ ‥‥‥‥ １３０ 〜１７０μｍ これらの粉体群の粒度分布を図２に示す。
【００２５】
【表２】
【００２６】次いで、ＨＰを用いて前記各粉体（Ｎｏ．
２１〜３６）を成形・焼成し、形状寸法が１０inchφ×
６．３５ｍｍの各焼結体（Ｎｏ．２１〜３６）を得た。
ここでは、ＨＰの条件は下記の通りとした。 圧 力 １５０ｋｇ／ｃｍ2 温 度 １８５０℃ 時 間 ２ 時間
２１〜３６）を成形・焼成し、形状寸法が１０inchφ×
６．３５ｍｍの各焼結体（Ｎｏ．２１〜３６）を得た。
ここでは、ＨＰの条件は下記の通りとした。 圧 力 １５０ｋｇ／ｃｍ2 温 度 １８５０℃ 時 間 ２ 時間
【００２７】また、ＣＩＰを用いて加圧・成形し、その
後ＨＩＰを用いて焼結しても同様の焼結体を得ることが
確認できた。上記の焼結体を所定の形状に加工した後、
ボンディングにより銅板に接合し、仕上加工を行って製
品（タ−ゲット）とした。
後ＨＩＰを用いて焼結しても同様の焼結体を得ることが
確認できた。上記の焼結体を所定の形状に加工した後、
ボンディングにより銅板に接合し、仕上加工を行って製
品（タ−ゲット）とした。
【００２８】次いで、これらの焼結体（Ｎｏ．２１〜３
６）各々について、上記実施例１と同様の方法により、
焼結体密度比とスパッタ時の寿命を測定し、これらの結
果を表２に示した。
６）各々について、上記実施例１と同様の方法により、
焼結体密度比とスパッタ時の寿命を測定し、これらの結
果を表２に示した。
【００２９】表２によれば、この実施例のターゲットで
は焼結体密度比が８０％を越えているのに対し、比較例
及び従来例のターゲットでは焼結体密度比が８０％未満
であり、この実施例のターゲットの焼結体密度比は比較
例及び従来例と比べて大幅に向上していることがわか
る。また、この実施例のターゲットではスパッタ時の寿
命が１０4チャージを越えているのに対し、比較例及び
従来例のターゲットではスパッタ時の寿命が１０4チャ
ージ以下であり、この実施例のターゲットのスパッタ時
の寿命は比較例及び従来例と比べて大幅に向上している
ことがわかる。また、この実施例の各々のターゲット
（Ｎｏ．２１〜３２）の結晶粒径を走査型電子顕微鏡
（ＳＥＭ）を用いて測定したところ、全て５０μｍ以下
であった。
は焼結体密度比が８０％を越えているのに対し、比較例
及び従来例のターゲットでは焼結体密度比が８０％未満
であり、この実施例のターゲットの焼結体密度比は比較
例及び従来例と比べて大幅に向上していることがわか
る。また、この実施例のターゲットではスパッタ時の寿
命が１０4チャージを越えているのに対し、比較例及び
従来例のターゲットではスパッタ時の寿命が１０4チャ
ージ以下であり、この実施例のターゲットのスパッタ時
の寿命は比較例及び従来例と比べて大幅に向上している
ことがわかる。また、この実施例の各々のターゲット
（Ｎｏ．２１〜３２）の結晶粒径を走査型電子顕微鏡
（ＳＥＭ）を用いて測定したところ、全て５０μｍ以下
であった。
【００３０】以上説明した様に、本実施例のターゲット
においても、前記実施例１のターゲットと同様の作用・
効果を奏することができる。
においても、前記実施例１のターゲットと同様の作用・
効果を奏することができる。
【００３１】（実施例３）この実施例では、ホウ化タン
グステン（ＷＢ）の原料粉を、粉砕機またはボールミル
を用いて所定時間粉砕することにより、表３に示すよう
に、平均粒径が０．１〜１００μｍの範囲で粒径が互い
に重ならないように設定した４種類の粉体群を作製し、
これら粉体群の組合せ及び混合比率を変えた試料をボー
ルミルにて２時間混合することにより、１２種類のホウ
化タングステン粉（Ｎｏ．４１〜５２）を得た。
グステン（ＷＢ）の原料粉を、粉砕機またはボールミル
を用いて所定時間粉砕することにより、表３に示すよう
に、平均粒径が０．１〜１００μｍの範囲で粒径が互い
に重ならないように設定した４種類の粉体群を作製し、
これら粉体群の組合せ及び混合比率を変えた試料をボー
ルミルにて２時間混合することにより、１２種類のホウ
化タングステン粉（Ｎｏ．４１〜５２）を得た。
【００３２】また同時に、前記と同様の方法により平均
粒径が上記の範囲を越えた粉体群を含むタングステン粉
を作製し比較例（Ｎｏ．５３）とした。また、平均粒径
が１種類の粉体群のみからなるタングステン粉を３種類
作製し従来例（Ｎｏ．５４〜５６）とした。
粒径が上記の範囲を越えた粉体群を含むタングステン粉
を作製し比較例（Ｎｏ．５３）とした。また、平均粒径
が１種類の粉体群のみからなるタングステン粉を３種類
作製し従来例（Ｎｏ．５４〜５６）とした。
【００３３】ここで用いた前記各粉体群の平均粒径及び
粒径の範囲は下記の通りであった。 平均粒径 粒径の範囲 ０．５μｍ ‥‥‥‥ ０．３５〜０．７０μｍ ３ μｍ ‥‥‥‥ ２．５ 〜３．５μｍ ６ μｍ ‥‥‥‥ ４．５ 〜７．５μｍ ７５ μｍ ‥‥‥‥ ５０ 〜１００μｍ １６０ μｍ ‥‥‥‥ １２０ 〜２００μｍ これらの粉体群の粒度分布を図３に示す。
粒径の範囲は下記の通りであった。 平均粒径 粒径の範囲 ０．５μｍ ‥‥‥‥ ０．３５〜０．７０μｍ ３ μｍ ‥‥‥‥ ２．５ 〜３．５μｍ ６ μｍ ‥‥‥‥ ４．５ 〜７．５μｍ ７５ μｍ ‥‥‥‥ ５０ 〜１００μｍ １６０ μｍ ‥‥‥‥ １２０ 〜２００μｍ これらの粉体群の粒度分布を図３に示す。
【００３４】
【表３】
【００３５】次いで、ＨＰを用いて前記各粉体（Ｎｏ．
４１〜５６）を成形・焼成し、形状寸法が５inchφ×６
ｍｍの焼結体（Ｎｏ．４１〜５６）を得た。ここでは、
ＨＰの条件は下記の通りとした。 圧 力 １５０ｋｇ／ｃｍ2 温 度 １９００℃ 時 間 ２ 時間
４１〜５６）を成形・焼成し、形状寸法が５inchφ×６
ｍｍの焼結体（Ｎｏ．４１〜５６）を得た。ここでは、
ＨＰの条件は下記の通りとした。 圧 力 １５０ｋｇ／ｃｍ2 温 度 １９００℃ 時 間 ２ 時間
【００３６】また、ＣＩＰを用いて加圧・成形し、その
後ＨＩＰを用いて焼結しても同様の焼結体を得ることが
確認できた。上記の焼結体を所定の形状に加工した後、
ボンディングにより銅板に接合し、仕上加工を行って製
品（タ−ゲット）とした。
後ＨＩＰを用いて焼結しても同様の焼結体を得ることが
確認できた。上記の焼結体を所定の形状に加工した後、
ボンディングにより銅板に接合し、仕上加工を行って製
品（タ−ゲット）とした。
【００３７】次いで、これらの焼結体（Ｎｏ．４１〜５
６）各々について、上記実施例１と同様の方法により、
焼結体密度比とスパッタ時の寿命を測定し、これらの結
果を表３に示した。
６）各々について、上記実施例１と同様の方法により、
焼結体密度比とスパッタ時の寿命を測定し、これらの結
果を表３に示した。
【００３８】表３によれば、この実施例のターゲットで
は焼結体密度比が８０％を越えているのに対し、比較例
及び従来例のターゲットでは焼結体密度比が８０％未満
であり、この実施例のターゲットの焼結体密度比は比較
例及び従来例と比べて大幅に向上していることがわか
る。また、この実施例のターゲットではスパッタ時の寿
命が１０4チャージを越えているのに対し、比較例及び
従来例のターゲットではスパッタ時の寿命が１０4チャ
ージ以下であり、この実施例のターゲットのスパッタ時
の寿命は比較例及び従来例と比べて大幅に向上している
ことがわかる。また、この実施例の各々のターゲット
（Ｎｏ．４１〜５２）の結晶粒径を走査型電子顕微鏡
（ＳＥＭ）を用いて測定したところ、全て５０μｍ以下
であった。
は焼結体密度比が８０％を越えているのに対し、比較例
及び従来例のターゲットでは焼結体密度比が８０％未満
であり、この実施例のターゲットの焼結体密度比は比較
例及び従来例と比べて大幅に向上していることがわか
る。また、この実施例のターゲットではスパッタ時の寿
命が１０4チャージを越えているのに対し、比較例及び
従来例のターゲットではスパッタ時の寿命が１０4チャ
ージ以下であり、この実施例のターゲットのスパッタ時
の寿命は比較例及び従来例と比べて大幅に向上している
ことがわかる。また、この実施例の各々のターゲット
（Ｎｏ．４１〜５２）の結晶粒径を走査型電子顕微鏡
（ＳＥＭ）を用いて測定したところ、全て５０μｍ以下
であった。
【００３９】以上説明した様に、本実施例のターゲット
においても、前記実施例１および２のターゲットと同様
の作用・効果を奏することができる。
においても、前記実施例１および２のターゲットと同様
の作用・効果を奏することができる。
【００４０】（実施例４）この実施例では、ホウ化ラン
タン（ＬａＢ6）の原料粉を、粉砕機またはボールミル
を用いて所定時間粉砕することにより、表４に示すよう
に、平均粒径が０．１〜１００μｍの範囲で粒径が互い
に重ならないように設定した４種類の粉体群を作製し、
これら粉体群の組合せ及び混合比率を変えた試料をボー
ルミルにて２時間混合することにより、１２種類のホウ
化ランタン粉（Ｎｏ．６１〜７２）を得た。
タン（ＬａＢ6）の原料粉を、粉砕機またはボールミル
を用いて所定時間粉砕することにより、表４に示すよう
に、平均粒径が０．１〜１００μｍの範囲で粒径が互い
に重ならないように設定した４種類の粉体群を作製し、
これら粉体群の組合せ及び混合比率を変えた試料をボー
ルミルにて２時間混合することにより、１２種類のホウ
化ランタン粉（Ｎｏ．６１〜７２）を得た。
【００４１】また同時に、前記と同様の方法により平均
粒径が上記の範囲を越えた粉体群を含むホウ化ランタン
粉を作製し比較例（Ｎｏ．７３）とした。また、平均粒
径が１種類の粉体群のみからなるホウ化ランタン粉を３
種類作製し従来例（Ｎｏ．７４〜７６）とした。
粒径が上記の範囲を越えた粉体群を含むホウ化ランタン
粉を作製し比較例（Ｎｏ．７３）とした。また、平均粒
径が１種類の粉体群のみからなるホウ化ランタン粉を３
種類作製し従来例（Ｎｏ．７４〜７６）とした。
【００４２】ここで用いた前記各粉体群の平均粒径及び
粒径の範囲は下記の通りであった。 平均粒径 粒径の範囲 ０．２μｍ ‥‥‥‥ ０．１５〜０．３μｍ １．５μｍ ‥‥‥‥ １．０〜２．０μｍ ７．５μｍ ‥‥‥‥ ５〜１０μｍ ５０ μｍ ‥‥‥‥ ３５〜７０μｍ １２０ μｍ ‥‥‥‥ ９０〜１５０μｍ これらの粉体群の粒度分布を図４に示す。
粒径の範囲は下記の通りであった。 平均粒径 粒径の範囲 ０．２μｍ ‥‥‥‥ ０．１５〜０．３μｍ １．５μｍ ‥‥‥‥ １．０〜２．０μｍ ７．５μｍ ‥‥‥‥ ５〜１０μｍ ５０ μｍ ‥‥‥‥ ３５〜７０μｍ １２０ μｍ ‥‥‥‥ ９０〜１５０μｍ これらの粉体群の粒度分布を図４に示す。
【００４３】
【表４】
【００４４】次いで、ＨＰを用いて前記各粉体（Ｎｏ．
６１〜７６）を成形・焼成し、形状寸法が５inch×１５
inch×５ｍｍｔの焼結体（Ｎｏ．６１〜７６）を得た。
ここでは、ＨＰの条件は下記の通りとした。 圧 力 １５０ｋｇ／ｃｍ2 温 度 ２０００℃ 時 間 ２ 時間
６１〜７６）を成形・焼成し、形状寸法が５inch×１５
inch×５ｍｍｔの焼結体（Ｎｏ．６１〜７６）を得た。
ここでは、ＨＰの条件は下記の通りとした。 圧 力 １５０ｋｇ／ｃｍ2 温 度 ２０００℃ 時 間 ２ 時間
【００４５】また、ＣＩＰを用いて加圧・成形し、その
後ＨＩＰを用いて焼結しても同様の焼結体を得ることが
確認できた。上記の焼結体を所定の形状に加工した後、
ボンディングにより銅板に接合し、仕上加工を行って製
品（タ−ゲット）とした。
後ＨＩＰを用いて焼結しても同様の焼結体を得ることが
確認できた。上記の焼結体を所定の形状に加工した後、
ボンディングにより銅板に接合し、仕上加工を行って製
品（タ−ゲット）とした。
【００４６】次いで、これらの焼結体（Ｎｏ．６１〜７
６）各々について、上記実施例１と同様の方法により、
焼結体密度比とスパッタ時の寿命を測定し、これらの結
果を表４に示した。
６）各々について、上記実施例１と同様の方法により、
焼結体密度比とスパッタ時の寿命を測定し、これらの結
果を表４に示した。
【００４７】表４によれば、この実施例のターゲットで
は焼結体密度比が８０％を越えているのに対し、比較例
及び従来例のターゲットでは焼結体密度比が８０％未満
であり、この実施例のターゲットの焼結体密度比は比較
例及び従来例と比べて大幅に向上していることがわか
る。また、この実施例のターゲットではスパッタ時の寿
命が１０4チャージを越えているのに対し、比較例及び
従来例のターゲットではスパッタ時の寿命が１０4チャ
ージ以下であり、この実施例のターゲットのスパッタ時
の寿命は比較例及び従来例と比べて大幅に向上している
ことがわかる。また、この実施例の各々のターゲット
（Ｎｏ．６１〜７２）の結晶粒径を走査型電子顕微鏡
（ＳＥＭ）を用いて測定したところ、全て５０μｍ以下
であった。
は焼結体密度比が８０％を越えているのに対し、比較例
及び従来例のターゲットでは焼結体密度比が８０％未満
であり、この実施例のターゲットの焼結体密度比は比較
例及び従来例と比べて大幅に向上していることがわか
る。また、この実施例のターゲットではスパッタ時の寿
命が１０4チャージを越えているのに対し、比較例及び
従来例のターゲットではスパッタ時の寿命が１０4チャ
ージ以下であり、この実施例のターゲットのスパッタ時
の寿命は比較例及び従来例と比べて大幅に向上している
ことがわかる。また、この実施例の各々のターゲット
（Ｎｏ．６１〜７２）の結晶粒径を走査型電子顕微鏡
（ＳＥＭ）を用いて測定したところ、全て５０μｍ以下
であった。
【００４８】以上説明した様に、本実施例のターゲット
においても、前記実施例１ないし３のターゲットと同様
の作用・効果を奏することができる。
においても、前記実施例１ないし３のターゲットと同様
の作用・効果を奏することができる。
【００４９】（実施例５）この実施例では、上記各実施
例のホウ化物を用い、表５に示すように、２種類のホウ
化物を混合してなる６種類のホウ化物混合粉（Ｎｏ．８
１〜８６）を得た。また、比較例及び従来例は、実施例
１の比較例（Ｎｏ．１３）及び従来例（Ｎｏ．１４〜１
６）を採用した。
例のホウ化物を用い、表５に示すように、２種類のホウ
化物を混合してなる６種類のホウ化物混合粉（Ｎｏ．８
１〜８６）を得た。また、比較例及び従来例は、実施例
１の比較例（Ｎｏ．１３）及び従来例（Ｎｏ．１４〜１
６）を採用した。
【００５０】
【表５】
【００５１】次いで、これらのホウ化物混合粉を成形・
焼成することにより焼結体（Ｎｏ．８１〜８６）を得
た。これら焼結体について、上記実施例１と同様の方法
により、焼結体密度比とスパッタ時の寿命を測定し、こ
れらの結果を表６に示した。
焼成することにより焼結体（Ｎｏ．８１〜８６）を得
た。これら焼結体について、上記実施例１と同様の方法
により、焼結体密度比とスパッタ時の寿命を測定し、こ
れらの結果を表６に示した。
【００５２】
【表６】
【００５３】表６によれば、この実施例のターゲットで
は焼結体密度比が８０％を越えているのに対し、比較例
及び従来例のターゲットでは焼結体密度比が８０％未満
であり、この実施例のターゲットの焼結体密度比は比較
例及び従来例と比べて大幅に向上していることがわか
る。また、この実施例のターゲットではスパッタ時の寿
命が１０4チャージを越えているのに対し、比較例及び
従来例のターゲットではスパッタ時の寿命が１０4チャ
ージ以下であり、この実施例のターゲットのスパッタ時
の寿命は比較例及び従来例と比べて大幅に向上している
ことがわかる。また、この実施例の各々のターゲット
（Ｎｏ．８１〜８６）の結晶粒径を走査型電子顕微鏡
（ＳＥＭ）を用いて測定したところ、全て５０μｍ以下
であった。
は焼結体密度比が８０％を越えているのに対し、比較例
及び従来例のターゲットでは焼結体密度比が８０％未満
であり、この実施例のターゲットの焼結体密度比は比較
例及び従来例と比べて大幅に向上していることがわか
る。また、この実施例のターゲットではスパッタ時の寿
命が１０4チャージを越えているのに対し、比較例及び
従来例のターゲットではスパッタ時の寿命が１０4チャ
ージ以下であり、この実施例のターゲットのスパッタ時
の寿命は比較例及び従来例と比べて大幅に向上している
ことがわかる。また、この実施例の各々のターゲット
（Ｎｏ．８１〜８６）の結晶粒径を走査型電子顕微鏡
（ＳＥＭ）を用いて測定したところ、全て５０μｍ以下
であった。
【００５４】以上説明した様に、本実施例のターゲット
においても、前記実施例１ないし４のターゲットと同様
の作用・効果を奏することができる。
においても、前記実施例１ないし４のターゲットと同様
の作用・効果を奏することができる。
【００５５】
【発明の効果】以上説明した様に、この発明の請求項１
記載のターゲットによれば、ホウ化ハフニウム、ホウ化
チタン、ホウ化タングステン、ホウ化ランタンから選択
された１種以上を主成分とするスパッタリング用ターゲ
ットであって、該ターゲットの焼結体密度比は８０％以
上であり、かつ、その結晶粒径は５０μｍ以下であるの
で、ターゲットの緻密性を向上させることができ、した
がって、このターゲットを用いてスパッタリングを行っ
た場合、ターゲットの寿命を向上させることができる。
記載のターゲットによれば、ホウ化ハフニウム、ホウ化
チタン、ホウ化タングステン、ホウ化ランタンから選択
された１種以上を主成分とするスパッタリング用ターゲ
ットであって、該ターゲットの焼結体密度比は８０％以
上であり、かつ、その結晶粒径は５０μｍ以下であるの
で、ターゲットの緻密性を向上させることができ、した
がって、このターゲットを用いてスパッタリングを行っ
た場合、ターゲットの寿命を向上させることができる。
【００５６】また、請求項２記載のスパッタリング用タ
ーゲットの製造方法によれば、ホウ化ハフニウム、ホウ
化チタン、ホウ化タングステン、ホウ化ランタンから選
択された１種以上を主成分とするホウ化物粉を焼結して
スパッタリング用ターゲットを製造する方法において、
前記ホウ化物粉は、平均粒径が０．１〜１００μｍの範
囲で粒径が重なり合わない複数の粉体群で、これらの粉
体群の少なくとも２つの粉体群の混合粉体からなること
とするので、得られたターゲットの粒子間の空隙を減少
させることができ、該ターゲットの密度比を向上させる
ことができ、したがって、高密度のホウ化物ターゲット
を製造することができる。
ーゲットの製造方法によれば、ホウ化ハフニウム、ホウ
化チタン、ホウ化タングステン、ホウ化ランタンから選
択された１種以上を主成分とするホウ化物粉を焼結して
スパッタリング用ターゲットを製造する方法において、
前記ホウ化物粉は、平均粒径が０．１〜１００μｍの範
囲で粒径が重なり合わない複数の粉体群で、これらの粉
体群の少なくとも２つの粉体群の混合粉体からなること
とするので、得られたターゲットの粒子間の空隙を減少
させることができ、該ターゲットの密度比を向上させる
ことができ、したがって、高密度のホウ化物ターゲット
を製造することができる。
【００５７】また、請求項３記載のスパッタリング用タ
ーゲットの製造方法によれば、ホウ化ハフニウム、ホウ
化チタン、ホウ化タングステン、ホウ化ランタンから選
択された１種以上を主成分とするホウ化物粉を焼結して
スパッタリング用ターゲットを製造する方法において、
前記ホウ化物粉は、平均粒径が０．１〜３．５μｍ、
３．５〜２０μｍ、２０〜１００μｍの粉体群の少なく
とも２つの粉体群の混合粉体からなることとするので、
得られたターゲットの粒子間の空隙を大幅に減少させる
ことができ、該ターゲットの密度比をさらに向上させる
ことができ、したがって、高密度のホウ化物ターゲット
を製造することができる。
ーゲットの製造方法によれば、ホウ化ハフニウム、ホウ
化チタン、ホウ化タングステン、ホウ化ランタンから選
択された１種以上を主成分とするホウ化物粉を焼結して
スパッタリング用ターゲットを製造する方法において、
前記ホウ化物粉は、平均粒径が０．１〜３．５μｍ、
３．５〜２０μｍ、２０〜１００μｍの粉体群の少なく
とも２つの粉体群の混合粉体からなることとするので、
得られたターゲットの粒子間の空隙を大幅に減少させる
ことができ、該ターゲットの密度比をさらに向上させる
ことができ、したがって、高密度のホウ化物ターゲット
を製造することができる。
【図１】本発明の実施例１の粉体群及び実施例１から外
れた粉体群各々の粒度分布を示す図である。
れた粉体群各々の粒度分布を示す図である。
【図２】本発明の実施例２の粉体群及び実施例２から外
れた粉体群各々の粒度分布を示す図である。
れた粉体群各々の粒度分布を示す図である。
【図３】本発明の実施例３の粉体群及び実施例３から外
れた粉体群各々の粒度分布を示す図である。
れた粉体群各々の粒度分布を示す図である。
【図４】本発明の実施例４の粉体群及び実施例４から外
れた粉体群各々の粒度分布を示す図である。
れた粉体群各々の粒度分布を示す図である。
Claims (3)
- 【請求項１】 ホウ化ハフニウム、ホウ化チタン、ホウ
化タングステン、ホウ化ランタンから選択された１種以
上を主成分とするスパッタリング用ターゲットであっ
て、 該ターゲットの焼結体密度比は８０％以上であり、か
つ、その結晶粒径は５０μｍ以下であることを特徴とす
るスパッタリング用ターゲット。 - 【請求項２】 ホウ化ハフニウム、ホウ化チタン、ホウ
化タングステン、ホウ化ランタンから選択された１種以
上を主成分とするホウ化物粉を焼結してスパッタリング
用ターゲットを製造する方法において、 前記ホウ化物粉は、 平均粒径が０．１〜１００μｍの範囲で粒径が重なり合
わない複数の粉体群で、これらの粉体群の少なくとも２
つの粉体群の混合粉体からなることを特徴とするスパッ
タリング用ターゲットの製造方法。 - 【請求項３】 ホウ化ハフニウム、ホウ化チタン、ホウ
化タングステン、ホウ化ランタンから選択された１種以
上を主成分とするホウ化物粉を焼結してスパッタリング
用ターゲットを製造する方法において、 前記ホウ化物粉は、 平均粒径が０．１〜３．５μｍ、３．５〜２０μｍ、２
０〜１００μｍの粉体群の少なくとも２つの粉体群の混
合粉体からなることを特徴とするスパッタリング用ター
ゲットの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5062728A JPH06248446A (ja) | 1993-02-26 | 1993-02-26 | スパッタリング用ターゲット及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5062728A JPH06248446A (ja) | 1993-02-26 | 1993-02-26 | スパッタリング用ターゲット及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06248446A true JPH06248446A (ja) | 1994-09-06 |
Family
ID=13208723
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5062728A Withdrawn JPH06248446A (ja) | 1993-02-26 | 1993-02-26 | スパッタリング用ターゲット及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06248446A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009142223A1 (ja) * | 2008-05-22 | 2009-11-26 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタリング用ターゲット、薄膜の製造法及び表示装置 |
| WO2010001796A1 (ja) * | 2008-07-02 | 2010-01-07 | 国立大学法人東北大学 | 希土類元素ホウ化物部材およびその製造方法 |
| JP2011063487A (ja) * | 2009-09-18 | 2011-03-31 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | ホウ化ランタン焼結体、その焼結体を用いたターゲット及びその焼結体の製造方法 |
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