JP2003055759A - Ｍｇ含有ＩＴＯスパッタリングターゲットの製造方法 - Google Patents
Ｍｇ含有ＩＴＯスパッタリングターゲットの製造方法Info
- Publication number
- JP2003055759A JP2003055759A JP2001243241A JP2001243241A JP2003055759A JP 2003055759 A JP2003055759 A JP 2003055759A JP 2001243241 A JP2001243241 A JP 2001243241A JP 2001243241 A JP2001243241 A JP 2001243241A JP 2003055759 A JP2003055759 A JP 2003055759A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- powder
- sintered body
- molded
- sputtering target
- magnesium carbonate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】製造工程中にクラックが発生するのを抑制し高
い歩留まりを達成することができ、安定的に低コストで
高密度なＭｇ含有ＩＴＯスパッタリングターゲットを製
造する方法を提供する。 【解決の手段】実質的にＩｎ、Ｓｎ、ＭｇおよびＯから
なるＭｇ含有ＩＴＯスパッタリングターゲットであっ
て、酸化インジウム粉末及び酸化スズ粉末と塩基性炭酸
マグネシウム粉末とを混合し、又は酸化インジウム−酸
化スズ粉末と塩基性炭酸マグネシウム粉末とを混合し、
成形した後、焼結してなる焼結体を加工するＭｇ含有Ｉ
ＴＯスパッタリングターゲットの製造方法を用いる。
い歩留まりを達成することができ、安定的に低コストで
高密度なＭｇ含有ＩＴＯスパッタリングターゲットを製
造する方法を提供する。 【解決の手段】実質的にＩｎ、Ｓｎ、ＭｇおよびＯから
なるＭｇ含有ＩＴＯスパッタリングターゲットであっ
て、酸化インジウム粉末及び酸化スズ粉末と塩基性炭酸
マグネシウム粉末とを混合し、又は酸化インジウム−酸
化スズ粉末と塩基性炭酸マグネシウム粉末とを混合し、
成形した後、焼結してなる焼結体を加工するＭｇ含有Ｉ
ＴＯスパッタリングターゲットの製造方法を用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、透明導電膜製造の
際に使用されるスパッタリングターゲットの製造方法に
関する。
際に使用されるスパッタリングターゲットの製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉ
ｄｅ）薄膜は高導電性、高透過率といった特徴を有し、
更に微細加工も容易に行えることから、フラットパネル
ディスプレイ用表示電極、抵抗膜方式のタッチパネル、
太陽電池用窓材、帯電防止膜、電磁波防止膜、防曇膜、
センサ等の広範囲な分野に渡って用いられている。
ｄｅ）薄膜は高導電性、高透過率といった特徴を有し、
更に微細加工も容易に行えることから、フラットパネル
ディスプレイ用表示電極、抵抗膜方式のタッチパネル、
太陽電池用窓材、帯電防止膜、電磁波防止膜、防曇膜、
センサ等の広範囲な分野に渡って用いられている。
【０００３】このようなＩＴＯ薄膜に新たな機能を持た
せることを目的として、第３元素を添加する試みがなさ
れている。例えば、薄膜の低抵抗率化を目的としてＴ
ａ、Ｈｆを添加する方法、ノジュール発生量低減を目的
としてＣｅを添加する方法、エッチング特性の改善を目
的としてＣ、Ｆ、Ｂ等を添加する方法、薄膜の高抵抗率
化を目的としてＡｌおよび／またはＳｉを添加する方法
等を例示することができる。
せることを目的として、第３元素を添加する試みがなさ
れている。例えば、薄膜の低抵抗率化を目的としてＴ
ａ、Ｈｆを添加する方法、ノジュール発生量低減を目的
としてＣｅを添加する方法、エッチング特性の改善を目
的としてＣ、Ｆ、Ｂ等を添加する方法、薄膜の高抵抗率
化を目的としてＡｌおよび／またはＳｉを添加する方法
等を例示することができる。
【０００４】一方、ＩＴＯ薄膜を得る方法としては、ス
プレー分解法、ＣＶＤ法等の化学的成膜法と電子ビーム
蒸着法、スパッタリング法等の物理的成膜法とに大別す
ることができるが、とりわけスパッタリング法は、薄膜
の大面積化が容易でかつ高性能な膜を得ることができる
ので広く利用されている。
プレー分解法、ＣＶＤ法等の化学的成膜法と電子ビーム
蒸着法、スパッタリング法等の物理的成膜法とに大別す
ることができるが、とりわけスパッタリング法は、薄膜
の大面積化が容易でかつ高性能な膜を得ることができる
ので広く利用されている。
【０００５】スパッタリングを行うためのスパッタリン
グターゲットとしては、一般に酸化インジウムと酸化ス
ズとの混合粉末を粉末冶金法により焼結したものが使用
されているが、成膜時の放電を安定性させる為に、高密
度な焼結体からなるターゲットが望まれている。焼結体
の密度をより高密度にすること等を目的として、焼結体
に第３成分を添加する試みもなされている。
グターゲットとしては、一般に酸化インジウムと酸化ス
ズとの混合粉末を粉末冶金法により焼結したものが使用
されているが、成膜時の放電を安定性させる為に、高密
度な焼結体からなるターゲットが望まれている。焼結体
の密度をより高密度にすること等を目的として、焼結体
に第３成分を添加する試みもなされている。
【０００６】例えば、米国特許第５４３３９０１号明細
書には、高密度、高均一性のＩＴＯ焼結体を得るため、
酸化インジウムおよび酸化スズに、酸化アルミニウム、
酸化マグネシウム、酸化イットリウムおよび酸化ケイ素
から選ばれる少なくとも一種を焼結助剤として、０．０
５〜０．２５重量％添加する方法が開示されている。
書には、高密度、高均一性のＩＴＯ焼結体を得るため、
酸化インジウムおよび酸化スズに、酸化アルミニウム、
酸化マグネシウム、酸化イットリウムおよび酸化ケイ素
から選ばれる少なくとも一種を焼結助剤として、０．０
５〜０．２５重量％添加する方法が開示されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らはＩＴＯ薄
膜の耐久性（耐湿性、耐高温性）向上を目的として、第
３元素としてＭｇを添加する方法を開発した。このＭｇ
含有ＩＴＯ薄膜は、膜表面が平坦でエッチング特性が向
上する、薄膜の抵抗率がＩＴＯに比べ若干高いといった
特徴を併せ持ち、さらに耐熱性、耐湿性に優れているこ
とから、特に抵抗膜式のタッチパネル用透明導電膜とし
て優れた特徴を有している。
膜の耐久性（耐湿性、耐高温性）向上を目的として、第
３元素としてＭｇを添加する方法を開発した。このＭｇ
含有ＩＴＯ薄膜は、膜表面が平坦でエッチング特性が向
上する、薄膜の抵抗率がＩＴＯに比べ若干高いといった
特徴を併せ持ち、さらに耐熱性、耐湿性に優れているこ
とから、特に抵抗膜式のタッチパネル用透明導電膜とし
て優れた特徴を有している。
【０００８】例えば、特開２００１−１５１５７２号公
報には、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｍｇ及びＯを含有するターゲット
は、酸化インジウム粉末、酸化スズ粉末および酸化マグ
ネシウム粉末を混合し、成形、焼結する製造方法が開示
されている。しかしながら、この方法では、成形終了後
から焼結時にかけて成形体にクラックが発生しやすく、
歩留まりの低下をまねき、安定生産の点で大きな課題を
有していた。
報には、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｍｇ及びＯを含有するターゲット
は、酸化インジウム粉末、酸化スズ粉末および酸化マグ
ネシウム粉末を混合し、成形、焼結する製造方法が開示
されている。しかしながら、この方法では、成形終了後
から焼結時にかけて成形体にクラックが発生しやすく、
歩留まりの低下をまねき、安定生産の点で大きな課題を
有していた。
【０００９】これに対し、該成形体へのクラック発生を
抑制する方法として、特開２００１−９８３５９号公報
には、マグネシウム源として水酸化マグネシウム粉末を
添加する方法が開示されている。しかし、水酸化マグネ
シウム粉末は高価であり、ターゲットの製造コストにお
いて問題点を有しており、また、得られる焼結体の密度
も十分なものではなかった。
抑制する方法として、特開２００１−９８３５９号公報
には、マグネシウム源として水酸化マグネシウム粉末を
添加する方法が開示されている。しかし、水酸化マグネ
シウム粉末は高価であり、ターゲットの製造コストにお
いて問題点を有しており、また、得られる焼結体の密度
も十分なものではなかった。
【００１０】本発明の目的は、上記従来技術の課題を解
決し、実質的にＩｎ、Ｓｎ、ＭｇおよびＯからなる高密
度なＭｇ含有ＩＴＯスパッタリングターゲットを安定的
に低コストで生産できる製造方法を提供することにあ
る。
決し、実質的にＩｎ、Ｓｎ、ＭｇおよびＯからなる高密
度なＭｇ含有ＩＴＯスパッタリングターゲットを安定的
に低コストで生産できる製造方法を提供することにあ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記問題
を解決するためにＭｇ源となる原料粉末について検討を
進めた結果、Ｍｇ源となる原料粉末として塩基性炭酸マ
グネシウム粉末を用いることにより上記課題を解決でき
ることを見出し、本発明を完成した。
を解決するためにＭｇ源となる原料粉末について検討を
進めた結果、Ｍｇ源となる原料粉末として塩基性炭酸マ
グネシウム粉末を用いることにより上記課題を解決でき
ることを見出し、本発明を完成した。
【００１２】すなわち本発明は、酸化インジウム粉末及
び酸化スズ粉末と塩基性炭酸マグネシウム粉末とを混合
し、又は酸化インジウム−酸化スズ粉末と塩基性炭酸マ
グネシウム粉末とを混合し、この混合物を成形した後、
焼結して得られる焼結体を加工することで、実質的にＩ
ｎ、Ｓｎ、ＭｇおよびＯからなるＭｇ含有ＩＴＯスパッ
タリングターゲットを得る方法に関するものである。
び酸化スズ粉末と塩基性炭酸マグネシウム粉末とを混合
し、又は酸化インジウム−酸化スズ粉末と塩基性炭酸マ
グネシウム粉末とを混合し、この混合物を成形した後、
焼結して得られる焼結体を加工することで、実質的にＩ
ｎ、Ｓｎ、ＭｇおよびＯからなるＭｇ含有ＩＴＯスパッ
タリングターゲットを得る方法に関するものである。
【００１３】以下に本発明を更に詳細に説明する。
【００１４】本発明の方法において、Ｍｇ含有ＩＴＯス
パッタリングターゲットの原料粉末としては、例えば、
酸化インジウム粉末および酸化スズ粉末と塩基性炭酸マ
グネシウム粉末とを混合したもの、又は、酸化インジウ
ムにスズが固溶した酸化インジウム−酸化スズ複合酸化
物粉末と塩基性炭酸マグネシウム粉末とを混合したもの
を用いることができる。
パッタリングターゲットの原料粉末としては、例えば、
酸化インジウム粉末および酸化スズ粉末と塩基性炭酸マ
グネシウム粉末とを混合したもの、又は、酸化インジウ
ムにスズが固溶した酸化インジウム−酸化スズ複合酸化
物粉末と塩基性炭酸マグネシウム粉末とを混合したもの
を用いることができる。
【００１５】ここで、原料粉末中のマグネシウム源とし
て酸化マグネシウム粉末を用いた場合、成形体中の酸化
マグネシウムは空気中の水分と反応して塩基性炭酸マグ
ネシウムへと変化する。酸化マグネシウムから塩基性炭
酸マグネシウムへの反応は膨張を伴い、その膨張により
成形体にストレスがかかり、クラックが入る原因と考え
られている。これに対して、塩基性炭酸マグネシウム粉
末を用いることで、空気中の水分との反応がなく、成形
体中での塩基性炭酸マグネシウムに変化は見られない。
その為、製造工程中に成形体が空気にさらされる状況に
おいても、成形体にクラックは発生しないという優れた
利点がある。
て酸化マグネシウム粉末を用いた場合、成形体中の酸化
マグネシウムは空気中の水分と反応して塩基性炭酸マグ
ネシウムへと変化する。酸化マグネシウムから塩基性炭
酸マグネシウムへの反応は膨張を伴い、その膨張により
成形体にストレスがかかり、クラックが入る原因と考え
られている。これに対して、塩基性炭酸マグネシウム粉
末を用いることで、空気中の水分との反応がなく、成形
体中での塩基性炭酸マグネシウムに変化は見られない。
その為、製造工程中に成形体が空気にさらされる状況に
おいても、成形体にクラックは発生しないという優れた
利点がある。
【００１６】Ｍｇ含有ＩＴＯスパッタリングターゲット
を製造する際には、焼結体の密度を高めるためボールミ
ル等の粉砕装置を用いて酸化インジウム粉末、酸化スズ
粉末及び塩基性炭酸マグネシウムを、最大粒径が１μｍ
以下、平均粒径が０．４μｍ以下に粉砕しておくことが
望ましい。尚、本発明でいう粒径とは２次粒径を意味
し、平均粒径とは粒度の体積での累積分布の５０％に相
当する粉末の粒子径を意味する。
を製造する際には、焼結体の密度を高めるためボールミ
ル等の粉砕装置を用いて酸化インジウム粉末、酸化スズ
粉末及び塩基性炭酸マグネシウムを、最大粒径が１μｍ
以下、平均粒径が０．４μｍ以下に粉砕しておくことが
望ましい。尚、本発明でいう粒径とは２次粒径を意味
し、平均粒径とは粒度の体積での累積分布の５０％に相
当する粉末の粒子径を意味する。
【００１７】酸化スズ粉末の混合量は、Ｓｎ／（Ｓｎ＋
Ｉｎ）の原子比で１．９〜１４％とすることが好まし
く、より好ましくは４〜１１％である。この範囲にあれ
ば、本発明の方法により得られるターゲットを用いてＭ
ｇ含有ＩＴＯ薄膜を製造した際に、膜の抵抗率を最も低
下させることができる。
Ｉｎ）の原子比で１．９〜１４％とすることが好まし
く、より好ましくは４〜１１％である。この範囲にあれ
ば、本発明の方法により得られるターゲットを用いてＭ
ｇ含有ＩＴＯ薄膜を製造した際に、膜の抵抗率を最も低
下させることができる。
【００１８】塩基性炭酸マグネシウムの混合量は、Ｍｇ
／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｍｇ）の原子比で０．１〜２０．０％
が好ましく、より好ましくは０．１〜１０．０％、さら
に好ましくは０．５〜５．０％である。塩基性炭酸マグ
ネシウムの添加量が０．１％より少ないと、エッチング
特性及び耐久性が劣り適切でない場合があり、２０．０
％を超えると、抵抗率が高くなりすぎる場合がある。
／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｍｇ）の原子比で０．１〜２０．０％
が好ましく、より好ましくは０．１〜１０．０％、さら
に好ましくは０．５〜５．０％である。塩基性炭酸マグ
ネシウムの添加量が０．１％より少ないと、エッチング
特性及び耐久性が劣り適切でない場合があり、２０．０
％を超えると、抵抗率が高くなりすぎる場合がある。
【００１９】上記の原料粉末を混合する方法としては、
ボールミルなどの公知の方法により、乾式混合あるいは
湿式混合して行えばよい。
ボールミルなどの公知の方法により、乾式混合あるいは
湿式混合して行えばよい。
【００２０】次に、得られた混合粉末を用いてＭｇ含有
ＩＴＯ焼結体からなるＭｇ含有ＩＴＯスパッタリングタ
ーゲットを製造する。Ｍｇ含有ＩＴＯ焼結体の製造方法
については特に限定されるものではないが、例えば以下
のような方法で製造することができる。
ＩＴＯ焼結体からなるＭｇ含有ＩＴＯスパッタリングタ
ーゲットを製造する。Ｍｇ含有ＩＴＯ焼結体の製造方法
については特に限定されるものではないが、例えば以下
のような方法で製造することができる。
【００２１】前述のようにして得られた酸化インジウム
粉末、酸化スズ粉末および塩基性炭酸マグネシウムの混
合粉末にバインダー等を加え、プレス法あるいは鋳込法
等の成形方法により成形して成形体を製造する。プレス
法により成形体を製造する場合には、所定の金型に混合
粉末を充填した後、粉末プレス機を用いて１００〜３０
０ｋｇ／ｃｍ2の圧力でプレスを行う。粉末の成形性が
悪い場合には、必要に応じてパラフィンやポリビニルア
ルコール等のバインダーを添加してもよい。
粉末、酸化スズ粉末および塩基性炭酸マグネシウムの混
合粉末にバインダー等を加え、プレス法あるいは鋳込法
等の成形方法により成形して成形体を製造する。プレス
法により成形体を製造する場合には、所定の金型に混合
粉末を充填した後、粉末プレス機を用いて１００〜３０
０ｋｇ／ｃｍ2の圧力でプレスを行う。粉末の成形性が
悪い場合には、必要に応じてパラフィンやポリビニルア
ルコール等のバインダーを添加してもよい。
【００２２】鋳込法により成形体を製造する場合には、
上記した原料粉末である酸化インジウム粉末、酸化スズ
粉末および塩基性炭酸マグネシウムの混合粉末にバイン
ダー、分散剤、イオン交換水を添加し、ボールミル等に
より混合することにより鋳込成形体製造用スラリーを製
造する。続いて、得られたスラリーを用いて鋳込を行
う。鋳型にスラリーを注入する前に、スラリーの脱泡を
行うことが好ましい。脱泡は、例えばポリアルキレング
リコール系の消泡剤をスラリーに添加して真空中で脱泡
処理を行えばよい。続いて、鋳込み成形体の乾燥処理を
行う。
上記した原料粉末である酸化インジウム粉末、酸化スズ
粉末および塩基性炭酸マグネシウムの混合粉末にバイン
ダー、分散剤、イオン交換水を添加し、ボールミル等に
より混合することにより鋳込成形体製造用スラリーを製
造する。続いて、得られたスラリーを用いて鋳込を行
う。鋳型にスラリーを注入する前に、スラリーの脱泡を
行うことが好ましい。脱泡は、例えばポリアルキレング
リコール系の消泡剤をスラリーに添加して真空中で脱泡
処理を行えばよい。続いて、鋳込み成形体の乾燥処理を
行う。
【００２３】次に、得られた成形体に必要に応じて、冷
間静水圧プレス（ＣＩＰ）等の圧密化処理を行う。この
際ＣＩＰ圧力は充分な圧密効果を得るため２ｔｏｎ／ｃ
ｍ2以上が好ましく、さらに２〜５ｔｏｎ／ｃｍ2である
ことが好ましい。
間静水圧プレス（ＣＩＰ）等の圧密化処理を行う。この
際ＣＩＰ圧力は充分な圧密効果を得るため２ｔｏｎ／ｃ
ｍ2以上が好ましく、さらに２〜５ｔｏｎ／ｃｍ2である
ことが好ましい。
【００２４】ここで始めの成形を鋳込法により行った場
合には、ＣＩＰ後の成形体中に残存する水分およびバイ
ンダー等の有機物を除去する目的で脱バインダー処理を
施してもよい。また、始めの成形をプレス法により行っ
た場合でも、成型時にバインダーを使用したときには、
同様の脱バインダー処理を行うことが望ましい。
合には、ＣＩＰ後の成形体中に残存する水分およびバイ
ンダー等の有機物を除去する目的で脱バインダー処理を
施してもよい。また、始めの成形をプレス法により行っ
た場合でも、成型時にバインダーを使用したときには、
同様の脱バインダー処理を行うことが望ましい。
【００２５】このようにして得られた成形体を焼結炉内
に投入して焼結を行う。焼結方法としては、いかなる方
法でも適応可能であるが、生産設備のコスト等を考慮す
ると大気中焼結が望ましい。またこれ以外にも、ホット
プレス（ＨＰ）法、熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）法およ
び酸素加圧焼結法等の従来知られている他の焼結法を用
いることができることは言うまでもない。
に投入して焼結を行う。焼結方法としては、いかなる方
法でも適応可能であるが、生産設備のコスト等を考慮す
ると大気中焼結が望ましい。またこれ以外にも、ホット
プレス（ＨＰ）法、熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）法およ
び酸素加圧焼結法等の従来知られている他の焼結法を用
いることができることは言うまでもない。
【００２６】焼結条件についても適宜選択することがで
きるが、Ｍｇ含有ＩＴＯスパッタリングターゲットを製
造する場合、充分な密度上昇効果を得るため及び酸化ス
ズの蒸発を抑制するために、焼結温度は１４５０〜１６
５０℃であることが望ましい。また焼結時の雰囲気とし
ては大気あるいは純酸素雰囲気であることが好ましい。
焼結時間についても充分な密度上昇効果を得るために５
時間以上であることが好ましく、さらに５〜３０時間で
あることが好ましい。
きるが、Ｍｇ含有ＩＴＯスパッタリングターゲットを製
造する場合、充分な密度上昇効果を得るため及び酸化ス
ズの蒸発を抑制するために、焼結温度は１４５０〜１６
５０℃であることが望ましい。また焼結時の雰囲気とし
ては大気あるいは純酸素雰囲気であることが好ましい。
焼結時間についても充分な密度上昇効果を得るために５
時間以上であることが好ましく、さらに５〜３０時間で
あることが好ましい。
【００２７】次に、所望の形状に加工されたＭｇ含有Ｉ
ＴＯ焼結体を必要に応じて無酸素銅からなるバッキング
プレートにインジウム半田等を用いて接合することによ
り、Ｍｇ含有ＩＴＯスパッタリングターゲットが製造さ
れる。
ＴＯ焼結体を必要に応じて無酸素銅からなるバッキング
プレートにインジウム半田等を用いて接合することによ
り、Ｍｇ含有ＩＴＯスパッタリングターゲットが製造さ
れる。
【００２８】
【実施例】以下、本発明を実施例により更に詳細に説明
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００２９】実施例１
Ｉｎ2Ｏ3粉末（平均粒径０．３８μｍ）４５０重量部、
ＳｎＯ2粉末（平均粒径０．３８μｍ）５０重量部およ
び塩基性炭酸マグネシウム粉末（平均粒径０．４０μ
ｍ）を０．３９重量部（Ｍｇ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｍｇ）の
原子比で０．１２％）をポリエチレン製のポットに入
れ、乾式ボールミルにより７２時間混合し、混合粉末を
製造した。
ＳｎＯ2粉末（平均粒径０．３８μｍ）５０重量部およ
び塩基性炭酸マグネシウム粉末（平均粒径０．４０μ
ｍ）を０．３９重量部（Ｍｇ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｍｇ）の
原子比で０．１２％）をポリエチレン製のポットに入
れ、乾式ボールミルにより７２時間混合し、混合粉末を
製造した。
【００３０】この粉末を金型に入れ、３００ｋｇ／ｃｍ
2の圧力でプレスして成形体とした。成形体のサイズは
１５０ｍｍ×３００ｍｍ×１０ｍｍｔであり、この成形
体を１０枚製造した。これらの成形体を３ｔｏｎ／ｃｍ
2の圧力でＣＩＰによる緻密化処理を行った。得られた
１０枚の成形体を１２時間室温で放置したところ、クラ
ックが発生した成形体は認められなかった。次に１０枚
の成形体を純酸素雰囲気焼結炉内に設置して、以下の条
件で焼結した。 （焼結条件） 焼結温度：１５００℃、昇温速度：２５℃／Ｈｒ、焼結
時間：６時間、酸素圧：５０ｍｍＨ2Ｏ（ゲージ圧）、
酸素線速：２．７ｃｍ／分 １０枚の成形体はすべて、クラックが発生することなく
焼結が終了した。得られた焼結体の密度をアルキメデス
法により測定したところ７．０８ｇ／ｃｍ3であった。
この焼結体を湿式加工法により１００×２０×６ｍｍｔ
の焼結体に加工し、インジウム半田を用いて無酸素銅製
のバッキングプレートにボンディングしてターゲットと
した。成形終了時からターゲット完成までの歩留まりは
１００％であった。
2の圧力でプレスして成形体とした。成形体のサイズは
１５０ｍｍ×３００ｍｍ×１０ｍｍｔであり、この成形
体を１０枚製造した。これらの成形体を３ｔｏｎ／ｃｍ
2の圧力でＣＩＰによる緻密化処理を行った。得られた
１０枚の成形体を１２時間室温で放置したところ、クラ
ックが発生した成形体は認められなかった。次に１０枚
の成形体を純酸素雰囲気焼結炉内に設置して、以下の条
件で焼結した。 （焼結条件） 焼結温度：１５００℃、昇温速度：２５℃／Ｈｒ、焼結
時間：６時間、酸素圧：５０ｍｍＨ2Ｏ（ゲージ圧）、
酸素線速：２．７ｃｍ／分 １０枚の成形体はすべて、クラックが発生することなく
焼結が終了した。得られた焼結体の密度をアルキメデス
法により測定したところ７．０８ｇ／ｃｍ3であった。
この焼結体を湿式加工法により１００×２０×６ｍｍｔ
の焼結体に加工し、インジウム半田を用いて無酸素銅製
のバッキングプレートにボンディングしてターゲットと
した。成形終了時からターゲット完成までの歩留まりは
１００％であった。
【００３１】実施例２
Ｉｎ2Ｏ3粉末（平均粒径０．３８μｍ）４５０重量部、
ＳｎＯ2粉末（平均粒径０．３８μｍ）５０重量部およ
び塩基性炭酸マグネシウム粉末（平均粒径０．４０μ
ｍ）１．６９重量部（Ｍｇ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｍｇ）の原
子比で０．５２％）をポリエチレン製のポットに入れ、
乾式ボールミルにより７２時間混合し、混合粉末を製造
した。
ＳｎＯ2粉末（平均粒径０．３８μｍ）５０重量部およ
び塩基性炭酸マグネシウム粉末（平均粒径０．４０μ
ｍ）１．６９重量部（Ｍｇ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｍｇ）の原
子比で０．５２％）をポリエチレン製のポットに入れ、
乾式ボールミルにより７２時間混合し、混合粉末を製造
した。
【００３２】この粉末を金型に入れ、３００ｋｇ／ｃｍ
2の圧力でプレスして成形体とした。成形体のサイズは
１５０ｍｍ×３００ｍｍ×１０ｍｍｔであり、この成形
体を１０枚製造した。これらの成形体を３ｔｏｎ／ｃｍ
2の圧力でＣＩＰによる緻密化処理を行った。得られた
１０枚の成形体を１２時間室温で放置したところ、クラ
ックが発生した成形体は認められなかった。次に１０枚
の成形体を純酸素雰囲気焼結炉内に設置して、実施例１
と同様の条件で焼結した。
2の圧力でプレスして成形体とした。成形体のサイズは
１５０ｍｍ×３００ｍｍ×１０ｍｍｔであり、この成形
体を１０枚製造した。これらの成形体を３ｔｏｎ／ｃｍ
2の圧力でＣＩＰによる緻密化処理を行った。得られた
１０枚の成形体を１２時間室温で放置したところ、クラ
ックが発生した成形体は認められなかった。次に１０枚
の成形体を純酸素雰囲気焼結炉内に設置して、実施例１
と同様の条件で焼結した。
【００３３】１０枚の成形体はすべて、クラックが発生
することなく焼結が終了した。得られた焼結体の密度を
アルキメデス法により測定したところ７．０８ｇ／ｃｍ
3であった。
することなく焼結が終了した。得られた焼結体の密度を
アルキメデス法により測定したところ７．０８ｇ／ｃｍ
3であった。
【００３４】この焼結体を湿式加工法により１００×２
０×６ｍｍｔの焼結体に加工し、インジウム半田を用い
て無酸素銅製のバッキングプレートにボンディングして
ターゲットとした。成形終了時からターゲット完成まで
の歩留まりは１００％であった。
０×６ｍｍｔの焼結体に加工し、インジウム半田を用い
て無酸素銅製のバッキングプレートにボンディングして
ターゲットとした。成形終了時からターゲット完成まで
の歩留まりは１００％であった。
【００３５】実施例３
Ｉｎ2Ｏ3粉末（平均粒径０．３８μｍ）４５０重量部、
ＳｎＯ2粉末（平均粒径０．３８μｍ）５０重量部およ
び塩基性炭酸マグネシウム粉末（平均粒径０．４０μ
ｍ）１５．９３重量部（Ｍｇ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｍｇ）の
原子比で４．９％）をポリエチレン製のポットに入れ、
乾式ボールミルにより７２時間混合し、混合粉末を製造
した。
ＳｎＯ2粉末（平均粒径０．３８μｍ）５０重量部およ
び塩基性炭酸マグネシウム粉末（平均粒径０．４０μ
ｍ）１５．９３重量部（Ｍｇ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｍｇ）の
原子比で４．９％）をポリエチレン製のポットに入れ、
乾式ボールミルにより７２時間混合し、混合粉末を製造
した。
【００３６】この粉末を金型に入れ、３００ｋｇ／ｃｍ
2の圧力でプレスして成形体とした。成形体のサイズは
１５０ｍｍ×３００ｍｍ×１０ｍｍｔであり、この成形
体を１０枚製造した。これらの成形体を３ｔｏｎ／ｃｍ
2の圧力でＣＩＰによる緻密化処理を行った。得られた
１０枚の成形体を１２時間室温で放置したところ、クラ
ックが発生した成形体は認められなかった。次に１０枚
の成形体を純酸素雰囲気焼結炉内に設置して、実施例１
と同様の条件で焼結した。
2の圧力でプレスして成形体とした。成形体のサイズは
１５０ｍｍ×３００ｍｍ×１０ｍｍｔであり、この成形
体を１０枚製造した。これらの成形体を３ｔｏｎ／ｃｍ
2の圧力でＣＩＰによる緻密化処理を行った。得られた
１０枚の成形体を１２時間室温で放置したところ、クラ
ックが発生した成形体は認められなかった。次に１０枚
の成形体を純酸素雰囲気焼結炉内に設置して、実施例１
と同様の条件で焼結した。
【００３７】１０枚の成形体はすべて、クラックが発生
することなく焼結が終了した。得られた焼結体の密度を
アルキメデス法により測定したところ７．０２ｇ／ｃｍ
3であった。
することなく焼結が終了した。得られた焼結体の密度を
アルキメデス法により測定したところ７．０２ｇ／ｃｍ
3であった。
【００３８】この焼結体を湿式加工法により１００×２
０×６ｍｍｔの焼結体に加工し、インジウム半田を用い
て無酸素銅製のバッキングプレートにボンディングして
ターゲットとした。成形終了時からターゲット完成まで
の歩留まりは１００％であった。
０×６ｍｍｔの焼結体に加工し、インジウム半田を用い
て無酸素銅製のバッキングプレートにボンディングして
ターゲットとした。成形終了時からターゲット完成まで
の歩留まりは１００％であった。
【００３９】実施例４
Ｉｎ2Ｏ3粉末（平均粒径０．３８μｍ）４５０重量部、
ＳｎＯ2粉末（平均粒径０．３８μｍ）５０重量部およ
び塩基性炭酸マグネシウム粉末（平均粒径０．４０μ
ｍ）３１．５３重量部（Ｍｇ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｍｇ）の
原子比で９．７％）をポリエチレン製のポットに入れ、
乾式ボールミルにより７２時間混合し、混合粉末を製造
した。
ＳｎＯ2粉末（平均粒径０．３８μｍ）５０重量部およ
び塩基性炭酸マグネシウム粉末（平均粒径０．４０μ
ｍ）３１．５３重量部（Ｍｇ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｍｇ）の
原子比で９．７％）をポリエチレン製のポットに入れ、
乾式ボールミルにより７２時間混合し、混合粉末を製造
した。
【００４０】この粉末を金型に入れ、３００ｋｇ／ｃｍ
2の圧力でプレスして成形体とした。成形体のサイズは
１５０ｍｍ×３００ｍｍ×１０ｍｍｔであり、この成形
体を１０枚製造した。これらの成形体を３ｔｏｎ／ｃｍ
2の圧力でＣＩＰによる緻密化処理を行った。得られた
１０枚の成形体を１２時間室温で放置したところ、クラ
ックが発生した成形体は認められなかった。次に１０枚
の成形体を純酸素雰囲気焼結炉内に設置して、実施例１
と同様の条件で焼結した。
2の圧力でプレスして成形体とした。成形体のサイズは
１５０ｍｍ×３００ｍｍ×１０ｍｍｔであり、この成形
体を１０枚製造した。これらの成形体を３ｔｏｎ／ｃｍ
2の圧力でＣＩＰによる緻密化処理を行った。得られた
１０枚の成形体を１２時間室温で放置したところ、クラ
ックが発生した成形体は認められなかった。次に１０枚
の成形体を純酸素雰囲気焼結炉内に設置して、実施例１
と同様の条件で焼結した。
【００４１】１０枚の成形体はすべて、クラックが発生
することなく焼結が終了した。得られた焼結体の密度を
アルキメデス法により測定したところ６．９７ｇ／ｃｍ
3であった。
することなく焼結が終了した。得られた焼結体の密度を
アルキメデス法により測定したところ６．９７ｇ／ｃｍ
3であった。
【００４２】この焼結体を湿式加工法により１００×２
０×６ｍｍｔの焼結体に加工し、インジウム半田を用い
て無酸素銅製のバッキングプレートにボンディングして
ターゲットとした。成形終了時からターゲット完成まで
の歩留まりは１００％であった。
０×６ｍｍｔの焼結体に加工し、インジウム半田を用い
て無酸素銅製のバッキングプレートにボンディングして
ターゲットとした。成形終了時からターゲット完成まで
の歩留まりは１００％であった。
【００４３】実施例５
Ｉｎ2Ｏ3粉末（平均粒径０．３８μｍ）４５０重量部、
ＳｎＯ2粉末（平均粒径０．３８μｍ）５０重量部およ
び塩基性炭酸マグネシウム粉末（平均粒径０．４０μ
ｍ）６３．３８重量部（Ｍｇ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｍｇ）の
原子比で１９．５％）をポリエチレン製のポットに入
れ、乾式ボールミルにより７２時間混合し、混合粉末を
製造した。
ＳｎＯ2粉末（平均粒径０．３８μｍ）５０重量部およ
び塩基性炭酸マグネシウム粉末（平均粒径０．４０μ
ｍ）６３．３８重量部（Ｍｇ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｍｇ）の
原子比で１９．５％）をポリエチレン製のポットに入
れ、乾式ボールミルにより７２時間混合し、混合粉末を
製造した。
【００４４】この粉末を金型に入れ、３００ｋｇ／ｃｍ
2の圧力でプレスして成形体とした。成形体のサイズは
１５０ｍｍ×３００ｍｍ×１０ｍｍｔであり、この成形
体を１０枚製造した。これらの成形体を３ｔｏｎ／ｃｍ
2の圧力でＣＩＰによる緻密化処理を行った。得られた
１０枚の成形体を１２時間室温で放置したところ、クラ
ックが発生した成形体は認められなかった。次に１０枚
の成形体を純酸素雰囲気焼結炉内に設置して、実施例１
と同様の条件で焼結した。
2の圧力でプレスして成形体とした。成形体のサイズは
１５０ｍｍ×３００ｍｍ×１０ｍｍｔであり、この成形
体を１０枚製造した。これらの成形体を３ｔｏｎ／ｃｍ
2の圧力でＣＩＰによる緻密化処理を行った。得られた
１０枚の成形体を１２時間室温で放置したところ、クラ
ックが発生した成形体は認められなかった。次に１０枚
の成形体を純酸素雰囲気焼結炉内に設置して、実施例１
と同様の条件で焼結した。
【００４５】１０枚の成形体はすべて、クラックが発生
することなく焼結が終了した。得られた焼結体の密度を
アルキメデス法により測定したところ６．９２ｇ／ｃｍ
3であった。この焼結体を湿式加工法により１００×２
０×６ｍｍｔの焼結体に加工し、インジウム半田を用い
て無酸素銅製のバッキングプレートにボンディングして
ターゲットとした。成形終了時からターゲット完成まで
の歩留まりは１００％であった。
することなく焼結が終了した。得られた焼結体の密度を
アルキメデス法により測定したところ６．９２ｇ／ｃｍ
3であった。この焼結体を湿式加工法により１００×２
０×６ｍｍｔの焼結体に加工し、インジウム半田を用い
て無酸素銅製のバッキングプレートにボンディングして
ターゲットとした。成形終了時からターゲット完成まで
の歩留まりは１００％であった。
【００４６】比較例１
Ｉｎ2Ｏ3粉末（平均粒径０．３８μｍ）４５０重量部、
ＳｎＯ2粉末（平均粒径０．３８μｍ）５０重量部およ
びＭｇＯ粉末（平均粒径０．４０μｍ）０．７５重量部
（Ｍｇ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｍｇ）の原子比で０．５２％）
をポリエチレン製のポットに入れ、乾式ボールミルによ
り７２時間混合し、混合粉末を製造した。
ＳｎＯ2粉末（平均粒径０．３８μｍ）５０重量部およ
びＭｇＯ粉末（平均粒径０．４０μｍ）０．７５重量部
（Ｍｇ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｍｇ）の原子比で０．５２％）
をポリエチレン製のポットに入れ、乾式ボールミルによ
り７２時間混合し、混合粉末を製造した。
【００４７】この粉末を金型に入れ、３００ｋｇ／ｃｍ
2の圧力でプレスして成形体とした。成形体のサイズは
１５０ｍｍ×３００ｍｍ×１０ｍｍｔであり、この成形
体を１０枚製造した。これらの成形体を３ｔｏｎ／ｃｍ
2の圧力でＣＩＰによる緻密化処理を行った。得られた
１０枚の成形体を１２時間室温で放置したところ、３枚
の成形体にクラックが発生した。クラックが発生しなか
った７枚の成形体を、純酸素雰囲気焼結炉内に設置し
て、実施例１と同様の条件で焼結した。
2の圧力でプレスして成形体とした。成形体のサイズは
１５０ｍｍ×３００ｍｍ×１０ｍｍｔであり、この成形
体を１０枚製造した。これらの成形体を３ｔｏｎ／ｃｍ
2の圧力でＣＩＰによる緻密化処理を行った。得られた
１０枚の成形体を１２時間室温で放置したところ、３枚
の成形体にクラックが発生した。クラックが発生しなか
った７枚の成形体を、純酸素雰囲気焼結炉内に設置し
て、実施例１と同様の条件で焼結した。
【００４８】クラックが発生しなかった７枚の成形体の
うち、焼成工程の昇温途中に２枚の成形体にクラックが
発生した。得られた焼結体の密度をアルキメデス法によ
り測定したところ７．０６ｇ／ｃｍ3であった。この焼
結体を湿式加工法により１００×２０×６ｍｍｔの焼結
体に加工し、インジウム半田を用いて無酸素銅製のバッ
キングプレートにボンディングしてターゲットとした。
成形終了時からターゲット完成までの歩留まりは５０％
であった。
うち、焼成工程の昇温途中に２枚の成形体にクラックが
発生した。得られた焼結体の密度をアルキメデス法によ
り測定したところ７．０６ｇ／ｃｍ3であった。この焼
結体を湿式加工法により１００×２０×６ｍｍｔの焼結
体に加工し、インジウム半田を用いて無酸素銅製のバッ
キングプレートにボンディングしてターゲットとした。
成形終了時からターゲット完成までの歩留まりは５０％
であった。
【００４９】比較例２
Ｉｎ2Ｏ3粉末（平均粒径０．３８μｍ）４５０重量部、
ＳｎＯ2粉末Ｉｎ2Ｏ3粉末（平均粒径０．３８μｍ）４
５０重量部、ＳｎＯ2粉末（平均粒径０．３８μｍ）５
０重量部および水酸化マグネシウム粉末（平均粒径０．
４０μｍ）１．０８重量部（Ｍｇ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｍ
ｇ）の原子比で０．５２％）をポリエチレン製のポット
に入れ、乾式ボールミルにより７２時間混合し、混合粉
末を製造した。
ＳｎＯ2粉末Ｉｎ2Ｏ3粉末（平均粒径０．３８μｍ）４
５０重量部、ＳｎＯ2粉末（平均粒径０．３８μｍ）５
０重量部および水酸化マグネシウム粉末（平均粒径０．
４０μｍ）１．０８重量部（Ｍｇ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｍ
ｇ）の原子比で０．５２％）をポリエチレン製のポット
に入れ、乾式ボールミルにより７２時間混合し、混合粉
末を製造した。
【００５０】この粉末を金型に入れ、３００ｋｇ／ｃｍ
2の圧力でプレスして成形体とした。成形体のサイズは
１５０ｍｍ×３００ｍｍ×１０ｍｍｔであり、この成形
体を１０枚製造した。これらの成形体を３ｔｏｎ／ｃｍ
2の圧力でＣＩＰによる緻密化処理を行った。得られた
１０枚の成形体を１２時間室温で放置したところ、クラ
ックが発生した成形体は認められなかった。次に１０枚
の成形体を純酸素雰囲気焼結炉内に設置して、実施例１
と同様の条件で焼結した。
2の圧力でプレスして成形体とした。成形体のサイズは
１５０ｍｍ×３００ｍｍ×１０ｍｍｔであり、この成形
体を１０枚製造した。これらの成形体を３ｔｏｎ／ｃｍ
2の圧力でＣＩＰによる緻密化処理を行った。得られた
１０枚の成形体を１２時間室温で放置したところ、クラ
ックが発生した成形体は認められなかった。次に１０枚
の成形体を純酸素雰囲気焼結炉内に設置して、実施例１
と同様の条件で焼結した。
【００５１】１０枚の成形体はすべて、クラックが発生
することなく焼結が終了した。得られた焼結体の密度を
アルキメデス法により測定したところ７．０６ｇ／ｃｍ
3であった。この焼結体を湿式加工法により１００×２
０×６ｍｍｔの焼結体に加工し、インジウム半田を用い
て無酸素銅製のバッキングプレートにボンディングして
ターゲットとした。成形終了時からターゲット完成まで
の歩留まりは１００％であった。
することなく焼結が終了した。得られた焼結体の密度を
アルキメデス法により測定したところ７．０６ｇ／ｃｍ
3であった。この焼結体を湿式加工法により１００×２
０×６ｍｍｔの焼結体に加工し、インジウム半田を用い
て無酸素銅製のバッキングプレートにボンディングして
ターゲットとした。成形終了時からターゲット完成まで
の歩留まりは１００％であった。
【００５２】
【発明の効果】上述したように、本発明によれば、Ｍｇ
含有ＩＴＯスパッタリングターゲットのＭｇ源として塩
基性炭酸マグネシウム粉末を用いることにより、製造工
程中において成形体にクラックの発生を抑制し高い歩留
まりを達成することができ、さらに、安定的に低コスト
で高密度なＭｇ含有ＩＴＯスパッタリングターゲットを
製造することができる。
含有ＩＴＯスパッタリングターゲットのＭｇ源として塩
基性炭酸マグネシウム粉末を用いることにより、製造工
程中において成形体にクラックの発生を抑制し高い歩留
まりを達成することができ、さらに、安定的に低コスト
で高密度なＭｇ含有ＩＴＯスパッタリングターゲットを
製造することができる。
Claims (2)
- 【請求項１】実質的にＩｎ、Ｓｎ、ＭｇおよびＯからな
るＭｇ含有ＩＴＯスパッタリングターゲットであって、
酸化インジウム粉末及び酸化スズ粉末と塩基性炭酸マグ
ネシウム粉末とを混合し、又は酸化インジウム−酸化ス
ズ粉末と塩基性炭酸マグネシウム粉末とを混合し、成形
した後、焼結してなる焼結体を加工することを特徴とす
る、Ｍｇ含有ＩＴＯスパッタリングターゲットの製造方
法。 - 【請求項２】Ｍｇの含有量が、Ｍｇ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｍ
ｇ）の原子比で０．１〜２０．０％の割合であることを
特徴とする、請求項１に記載のＭｇ含有ＩＴＯスパッタ
リングターゲットの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001243241A JP4904645B2 (ja) | 2001-08-10 | 2001-08-10 | Ｍｇ含有ＩＴＯスパッタリングターゲットの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001243241A JP4904645B2 (ja) | 2001-08-10 | 2001-08-10 | Ｍｇ含有ＩＴＯスパッタリングターゲットの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003055759A true JP2003055759A (ja) | 2003-02-26 |
| JP4904645B2 JP4904645B2 (ja) | 2012-03-28 |
Family
ID=19073372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001243241A Expired - Fee Related JP4904645B2 (ja) | 2001-08-10 | 2001-08-10 | Ｍｇ含有ＩＴＯスパッタリングターゲットの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4904645B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008195554A (ja) * | 2007-02-09 | 2008-08-28 | Ulvac Material Kk | Ｉｔｏ燒結体、ｉｔｏスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| WO2009011232A1 (ja) * | 2007-07-13 | 2009-01-22 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | 複合酸化物焼結体、アモルファス複合酸化膜の製造方法、アモルファス複合酸化膜、結晶質複合酸化膜の製造方法及び結晶質複合酸化膜 |
| WO2009044890A1 (ja) * | 2007-10-03 | 2009-04-09 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | 酸化インジウム系ターゲット |
| JP2011162440A (ja) * | 2011-05-16 | 2011-08-25 | Ulvac Japan Ltd | Ｉｔｏ焼結体、ｉｔｏスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| US8252206B2 (en) | 2007-06-26 | 2012-08-28 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Amorphous film of composite oxide, crystalline film of composite oxide, method of producing said films and sintered compact of composite oxide |
| WO2013099832A1 (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-04 | Jx日鉱日石金属株式会社 | スパッタリング用焼結体酸化マグネシウムターゲット及びその製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07330431A (ja) * | 1994-06-08 | 1995-12-19 | Denki Kagaku Kogyo Kk | ＭｇＩｎ２ Ｏ４ 系焼結体の製造方法 |
| JP2001098359A (ja) * | 1999-09-24 | 2001-04-10 | Tosoh Corp | Ｍｇ含有ＩＴＯスパッタリングターゲットおよびＭｇ含有ＩＴＯ蒸着材の製造方法 |
-
2001
- 2001-08-10 JP JP2001243241A patent/JP4904645B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07330431A (ja) * | 1994-06-08 | 1995-12-19 | Denki Kagaku Kogyo Kk | ＭｇＩｎ２ Ｏ４ 系焼結体の製造方法 |
| JP2001098359A (ja) * | 1999-09-24 | 2001-04-10 | Tosoh Corp | Ｍｇ含有ＩＴＯスパッタリングターゲットおよびＭｇ含有ＩＴＯ蒸着材の製造方法 |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008195554A (ja) * | 2007-02-09 | 2008-08-28 | Ulvac Material Kk | Ｉｔｏ燒結体、ｉｔｏスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| US8252206B2 (en) | 2007-06-26 | 2012-08-28 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Amorphous film of composite oxide, crystalline film of composite oxide, method of producing said films and sintered compact of composite oxide |
| KR20160063403A (ko) | 2007-06-26 | 2016-06-03 | 제이엑스금속주식회사 | 아모르퍼스 복합 산화막, 결정질 복합 산화막, 아모르퍼스 복합 산화막의 제조 방법, 결정질 복합 산화막의 제조 방법 및 복합 산화물 소결체 |
| US8728358B2 (en) | 2007-07-13 | 2014-05-20 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sintered compact, amorphous film and crystalline film of composite oxide, and process for producing the films |
| KR101155358B1 (ko) * | 2007-07-13 | 2012-06-19 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | 복합 산화물 소결체, 아모르퍼스 복합 산화막의 제조 방법, 아모르퍼스 복합 산화막, 결정질 복합 산화막의 제조 방법 및 결정질 복합 산화막 |
| US8277694B2 (en) | 2007-07-13 | 2012-10-02 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sintered compact of composite oxide, amorphous film of composite oxide, process for producing said film, crystalline film of composite oxide and process for producing said film |
| WO2009011232A1 (ja) * | 2007-07-13 | 2009-01-22 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | 複合酸化物焼結体、アモルファス複合酸化膜の製造方法、アモルファス複合酸化膜、結晶質複合酸化膜の製造方法及び結晶質複合酸化膜 |
| JP5237827B2 (ja) * | 2007-10-03 | 2013-07-17 | 三井金属鉱業株式会社 | 酸化インジウム系ターゲット |
| WO2009044890A1 (ja) * | 2007-10-03 | 2009-04-09 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | 酸化インジウム系ターゲット |
| JP2011162440A (ja) * | 2011-05-16 | 2011-08-25 | Ulvac Japan Ltd | Ｉｔｏ焼結体、ｉｔｏスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| WO2013099832A1 (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-04 | Jx日鉱日石金属株式会社 | スパッタリング用焼結体酸化マグネシウムターゲット及びその製造方法 |
| CN103814152A (zh) * | 2011-12-27 | 2014-05-21 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 溅射用烧结体氧化镁靶及其制造方法 |
| JP5654119B2 (ja) * | 2011-12-27 | 2015-01-14 | Jx日鉱日石金属株式会社 | スパッタリング用焼結体酸化マグネシウムターゲット及びその製造方法 |
| US9988709B2 (en) | 2011-12-27 | 2018-06-05 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sintered compact magnesium oxide target for sputtering, and method for producing same |
| US10066290B1 (en) | 2011-12-27 | 2018-09-04 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sintered compact magnesium oxide target for sputtering, and method for producing same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4904645B2 (ja) | 2012-03-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5205696B2 (ja) | 酸化ガリウム系焼結体およびその製造方法 | |
| JP5750060B2 (ja) | セラミックス円筒形スパッタリングターゲット材およびその製造方法 | |
| JP5158355B2 (ja) | 酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット | |
| JP2024500914A (ja) | 高熱伝導性窒化ケイ素セラミックス絶縁板及びその製造方法 | |
| KR101583693B1 (ko) | Ito 스퍼터링 타깃재 및 그 제조 방법 | |
| JP3632524B2 (ja) | Ｍｇ含有ＩＴＯスパッタリングターゲットおよびＭｇ含有ＩＴＯ蒸着材の製造方法 | |
| JP4729253B2 (ja) | 一酸化けい素焼結体および一酸化けい素焼結ターゲット | |
| JP3215392B2 (ja) | 金属酸化物焼結体およびその用途 | |
| JP2006022373A (ja) | 透明導電性薄膜作製用スパッタリングターゲットの製造方法 | |
| JP2003055759A (ja) | Ｍｇ含有ＩＴＯスパッタリングターゲットの製造方法 | |
| JP5218032B2 (ja) | 透明導電膜用焼結体の製造方法 | |
| JP2008260660A (ja) | 高濃度酸化スズｉｔｏ焼結体の製造方法 | |
| JP4403591B2 (ja) | 導電性金属酸化物焼結体およびその用途 | |
| JP4075361B2 (ja) | Ｍｇ含有ＩＴＯスパッタリングターゲットの製造方法 | |
| CN110546300B (zh) | 透明导电膜用溅射靶 | |
| JP7086080B2 (ja) | 酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット | |
| JP5784849B2 (ja) | セラミックス円筒形スパッタリングターゲット材およびその製造方法 | |
| JP2007119805A (ja) | スパッタリングターゲットの製造方法 | |
| JP4917725B2 (ja) | 透明導電膜およびその製造方法並びにその用途 | |
| JP2002274956A (ja) | セラミックス焼結体の製造方法 | |
| JP2002030429A (ja) | Ｉｔｏスパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
| CN104928539A (zh) | 一种钒铝硅三元合金靶材及其制备方法 | |
| KR100628542B1 (ko) | 금속산화물 소결체 및 그 용도 | |
| JP2000169219A (ja) | 金属酸化物焼結体およびその用途 | |
| JP4835541B2 (ja) | 導電性セラミックス焼結体の製造法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080709 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100531 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110906 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111020 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111213 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111226 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150120 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150120 Year of fee payment: 3 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |