JPH07508125A - プラズマチャンバに一様な電場を誘起するための誘電性ウインドウを有するプラズマ装置及び物体をそのプラズマ装置で取り扱う方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 プラズマチャンバに一様な電場を誘起するための誘電性ウィンドウを有するプラ ズマ装置及び物体をそのプラズマ装置で取り扱う方法発明の背景 本発明は、プラズマチャンバ内の高周波（ｒａｄｉｏｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）誘起 プラズマを使用して基板を処理するための装置に関する。特に、本発明は、一様 なプラズマ密度を発生させるための装置及び方法に関する。

ガスプラズマ技術は、集積回路の製造に使用され従来がらよく知られた技術であ る。平板炉（ｐａｒａｌｌｅｌ　ｐｌａｌｅ　ｒｅａｃｔｏｒｓ）は、薄膜エツ チング及びウェーハの成長（ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）に必要な化学反応を起こす ために反応チャンバのガスを励起するのに広く使用されている。一般に、絶縁体 を介して電力を接続する場合は、従来のハードウェアを用いた設備では、高い励 起効率のために、ガスの励起周波数として１３．５６ＭＨｚが使用されている。

例えば、オグル（Ｏｇｌｅ）の米国特許番号４゜９４８．４５８に示されている 。

このオグル（Ｏｇｌｅ）による装置では、外部平板コイルを通じて高周波（ＲＦ ）共振電流を送り、発生した高周波エネルギーをチャンバの誘電性ウィンドウを 通過させることによって、低圧チャンバに高周波磁場が誘起される。ガスがチャ ンバに注入される過程に於ける電子の回転フラックスにイオン種（ｉｏｎｉｃ　 ５ｐｅｃｉｅｓ）及びラジカル種（ｒａｄｉｃａｌ　５ｐｅｃｉｅｓ）の領域を 形成させることによって、磁場がプラズマを発生する。こうして発生したプラズ マは、チャンバのウェーハ上の材料のエツチングや成長を実行するのに使用され る。

これらの装置では、ウェーハの表面を介してのプラズマ密度は大きくばらつき、 １５０ｍｍと２００ｍｍのウェーハ面を介しての密度は、ある部分では他の部分 の二倍にもなることがわかっている。この非一様なプラズマ密度は、測定ウェー ハ面積上でかなりの非均−な酸化物及びレジストエツチングスピードをもたらし 、ウェーハ上の微細な線の形状の微妙な大きさをｌｌｌ１＃することを極端に難 しくしている。

通常は、平たい誘電性ウィンドウがこれら装置には使用されている。平板コイル の磁束は、ウィンドウの中央の近傍で最大であり、平坦なウィンドウの場合は、 誘起電場は、従って、ウィンドウの中央付近でより大きくなる。本発明の装置及 び方法は、特徴的な断面積を有する誘電性ウィンドウを使用し、そのウィンドウ は、中央でより厚く、周囲でより薄く、ウィンドウの中央付近でより高い誘起電 場を低減している。

発明の概要 本発明の特徴の一つによれば、装置は、チャンバを有するハウジングを含み、そ の中でウェーハがプラズマにより処理され、ハウジングは、プロセスガスがチャ ンバに供給される、チャンバの内部に連通している少なくとも一つの注入ボート を含む。装置は、更に、高周波（ＲＦ）エネルギーをチャンバに通し、チャンバ 内部にプラズマを誘起するために構成されたプラズマ発生電極を含む高周波（Ｒ Ｆ）エネルギー源を含み、その高周波（ＲＦ）エネルギー源により誘起された電 場により注入ボートを通じてチャンバに供給されるプロセスガスが起動され、プ ラズマ発生電極は、チャンバの平坦領域内に電子流を誘起する。チャンバの内壁 の部分を形成する内面を有する誘電性ウィンドウは、高周波エネルギー源からの 高周波エネルギーが誘電性ウィンドウを通じてチャンバ内部に通過可能となるよ うに構成される。誘電性ウィンドウは、内表面に沿った異なった点でその厚みを 変化させ、誘電性ウィンドウの中央部が最も厚く、誘電性ウィンドウの中央部に 近接したチャンバ内部の誘起電場を効果的に低減している。

高周波（ＲＦ）エネルギー源は、誘電性ウィンドウの外平坦面に対面する一つの 平坦面を有するほぼ平坦なプラズマ発生電極を含む。誘電性ウィンドウは、円形 でもよい。誘電性ウィンドウは、複数の同じか、又は異なった絶縁材料の層によ り形成されてもよい。誘電性ウィンドウは、中央部を取り巻く薄い厚みの領域を 形成するように少なくとも一つの段差を形成するようにしてもよい。誘電性ウィ ンドウは、中央部を取り巻く少なくとも一つのテーパー面を含んでもよいし、叉 、誘電性ウィンドウは、凸状としてもよい。

本発明は、叉、チャンバ内に物体を配置し、プロセスガスをチャンバに注入し、 高周波（ＲＦ）エネルギーをチャンバの誘電性ウィンドウを通過させることによ り一様な電場を発生させるステップを含む物体をプラズマで扱うための方法を提 供する。誘電性ウィンドウは、その中央部に於て厚みが厚いように、その内表面 にそった異なった点で厚みを変化させている。その結果、一様な電場が、プロセ スガス中に一様な電子流を起こし、従って一様なプラズマ密度のプラズマを発生 させる。処理は、更に、物体の表面をチャンバ内に発生したプラズマに露出する ことにより、物体をプラズマ処理するステップを含む。

図面の簡単な説明 本発明の特徴及び長所は、次の図面をと共に詳細な説明を酔うことによって理解 されるであろう。これらの図面に於ては、同じ番号は同じ要素を示す。

図１は、本発明による平坦プラズマを発生させるための装置の等胸回である。

図２は、図１の装置の断面図である。

図３は、図１の装置の回路図である。

図４は、図１の装置により形成された磁場プロフィールを説明する図である。

図５は、平坦な断面の誘電性ウィンドウを有する装置でのウェーハの中心からの 距離に対するイオン電流密度を示すグラフである。

図６は、本発明による装置に於けるウェーハの中心からの距離に対するイオン電 流密度を示すグラフである。

図７は、本発明による誘電性ウィンドウの実施例の側面図である。

図８は、本発明による誘電性ウィンドウの他の実施例の側面図である。

図９は、本発明による誘電性ウィンドウの更に他の実施例の側面図である。

好適な実施例の詳細な説明 本発明によれば、非常に一様で、比較的広い面積で平坦なプラズマを発生するた めの装置及び方法が提供される。プラズマ中に形成されたイオン種及びラジカル 種は、非平坦な方向に最小の加速度を受け、得られたプラズマは、非常に低い所 望の運動エネルギーを有するものとなる。更に、一様で平坦なプラズマが、非常 に広い圧力範囲、一般に１０−’Ｔｏｒｒ〜５Ｔｏｒｒ及びそれ以上で形成され る。

本発明の装置は、少なくとも部分的に誘電性ウィンドウにより囲まれた内部チャ ンバを含むハウジングを具備する。平坦なコイルがそのウィンドウに近接して配 置され、高周波（ＲＦ）源がそのコイルに接続されている。通常、高周波源は、 電力伝送を最大とするためにインピーダンスマツチング回路を通じて、一般に１ ３．５６ＭＨｚの同調周波数の同調回路に接続されている。チャンバにプロセス ガスを供給するために、注入ボートが備わっている。コイルを通じて高周波（Ｒ Ｆ）電流を共振させることによって、電磁場が誘起され、その誘起された電磁場 は、誘電性ウィンドウを通過してチャンバの内部に延びる。こうして、電子流が 、誘起される。更に、電子は、平坦コイルに平行な平面方向に密に閉じ込められ るので、非平面方向での運動エネルギーの伝送は最小となる。

チャンバは、一般的には半導体ウェーハのような平坦な物体のための支持表面を 有する。この表面は、コイルの面と平行な面でウェーハを支持し、従ってプラズ マの面とも平行である。こうして、半導体ウェーハは、一様なプラズマ束に露出 され、一様なプラズマ処理が実現できる。プラズマ種は、非平面方向には最小の 運動速度を有し、ウェーハに対する運動衝撃は最小とされる。こうして、処理は 、全体的にみれば、プラズマ種とウェーハとの化学相互作用に限られる。

半導体ウェーハ表面の法線方向における速度成分は、プラズマ平面の法線方向に 高周波（ＲＦ）ポテンシャルを印加することによりもたらされる。そのような電 圧は、ウェーハを支持する前記支持面により印加されることが好ましい。例えば 、前記支持面は、そのような電圧を供給するための従来の底部電極を含んでもよ い。

本発明の方法及び装置は、プラズマエツチング、成長（ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ） 処理、レジスト除去、プラズマを用いた化学的気相成長（ＣＶＤ）等の種々の半 導体処理工程に有効である。

前記ハウジングは、平坦なプラズマが形成されるべく全体的に気密内部チャンバ を形成している。そのハウジングは、プロセスガスを注入するための少なくとも 一つの注入ポートと、チャンバ内で所望の動作圧を維持するために真空システム に接続された少なくとも一つの流出ボートとを含む。予め選択されたプロセスガ スを供給し、チャンバ内で予め選択された圧力を維持するためのシステムは、従 来技術でよく知られているのでここでは特に説明はしない。チャンバ内では、一 つ以上の表面が処理対象の物体を支持する。一般に、これら表面は、チャンバ内 に形成される平坦なプラズマに対して予め設定された向きで配置され、これら表 面は、通常、プラズマ面に略平行である。

所望の平面プラズマを誘起するために、電気的導体コイルが、前記誘電性ウィン ドウの外部に隣接して配置される。そのコイルは、はぼ平坦であり、一般に、平 坦なスパイラル状又は一連の同心リング状に形成された単一の導体素子を含む。

コイル内に高周波（ＲＦ）電流を誘導して形成された電磁場は、コイルの平面に 平行な平坦領域内に電子流を誘起する。

平坦なコイルは、一般に、円形であるが、楕円や真の円形とは異なる他の形状で もよい。更に、コイルは、その直径を横切って真の平坦であってもよいし、真の 平坦性からは若干ずれていてもよい。平坦性よりのずれは、コイル直径の０゜２ 倍より小さく、通常、直径の０．１倍より小さい。コイルの形状を調整して、発 生する場の形状を修正してもよい。コイルの直径は、発生するプラズマの大きさ にも全体的に対応する。コイルの直径は、約８ｃｍ〜３０ｃｍの範囲であり、通 常、約１３ｃｍ〜１８ｃｍの範囲内である。半導体ウェーハを扱う上では、コイ ルの直径は、一般に、１３ｃｍ−１８ｃｍである。

コイルは、その全体の直径を横切って比較的一様な磁場を形成するべく、十分な 巻数を含む。巻数は、コイルの直径にも依存する。半導体ウェーハを扱うための コイルは、通常は、５〜８の巻数である。コイルの得られるインダクタンスは、 １．２〜３゜５ｐＨであり、そのインピーダンスは約２０〜３００オームである 。

平坦なコイルは、いがなる電気的導体材料、通常、平坦なコイルは銅で構成され る。コイルは、約５〜１００アンペアの範囲の負荷能力がある。

その平坦なコイルは、処理チャンバの一部を構成する誘電性ウィンドウに近接し て配置される。この誘電性ウィンドウはそのチャンバ内部の隔離を保持しつつ、 その一方で、前記平坦コイルによって形成される磁場を通過せしめる。ハウジン グの残り部分は金属製であってよい。この誘電性ウィンドウは、水晶から構成さ れるが、他の絶縁材料、特に、動作域の周波数でエネルギーを吸収しない七うミ ノクスを使用してもよい。誘電性ウィンドウは、前記ハウジングの壁に形成され た開口に隣接して配置されることが好ましい。開口の形状は、通常、平坦コイル の形状に対応し、平坦コイルは、通常、円形である。平坦コイルは、チャンバ内 に形成される磁場の強度を最大とするために、誘電性ウィンドウに非常に近接す るか、接触して配置される。誘電性ウィンドウの厚みは、プラズマエネルギーを プラズマに伝送するに十分なほど薄く、その厚みは、通常、チャンバ内の真空に より形成される差圧を持ちこたえるに十分なように選択される。例えば、ウィン ドウは、少なくとも１／２インチ（１，２７ｃｍ）以上の厚みである。

この平坦コイルは、半導体処理装置の動作で一般に使用される種類の高周波（Ｒ Ｆ）発振器により駆動される。ＲＦ発振器は、通常、１３．５６ＭＨｚ＝１００ 　ＭＨｚの範囲の周波数で動作し、このＲＦ発振器は１３．５６ＭＨｚで動作す る。

ＲＦ発振器は、通常、低インピーダンス（一般に、５０オーム）であり、１〜６ アンペアの範囲、通常では、２〜３．５アンペアの範囲の出力であり、少なくと も約５０ｖの実効（ＲＭＳ）！圧、通常、少なくとも約７０Ｖ以上の実効電圧を 出力する。ＲＦ発振器は、平坦コイルを動作させる回路に直接接続可能な同軸ケ ーブルの形状の出力コネクタを有することが好ましい。

図１及び２を参照すると、個々の半導体ウェーハＷをエツチングするに適当なプ ラズマ処理システム１０は、上部壁１６中に形成されたアクセスポート１４を有 するチャンバ１２を含む。誘電性シールド／ウィンドウ１８は、上部壁１６の下 部に配置され、アクセスポート１４を越えて延びている。誘電性ウィンドウ１８ は上部壁１６に密封され、チャンバ１２の真空内部チャンバ１９を画定している 。

平坦コイル２０は、誘電性ウィンドウ１８に隣接して、アクセスポート１４内に 配置されている。コイル２０は、センタータップ２２及び外側タップ２４を有す るスパイラルとして形成されている。コイル２０の形成する平面は、誘電性ウィ ンドウ１８及びウェーハＷが載置される支持表面１３の両者に対して平行となる 向きに配置される。こうして、コイル２０は、ウェーハＷに平行なチャンバ１２ のチャンバ１９内に平面プラズマを形成することが可能となる。コイル２０と支 持表面１３の間の距離は、約３ｃｍ〜１５ｃｍであり、より一般的には、５ｃｍ 〜２０ｃｍの範囲であり、正確な距離は、個別の応用分野に依存する。

図１〜図３を参照して、平坦コイル２０は、既に説明した種類のＲＦ発振器３０ により駆動される。発振器３０の出力は、同軸ケーブル３２によりマツチング回 路３４に接続される。マツチング回路３４は、−次コイル３６及び二次ループ３ ８を含み、これらは、回路の有効的結合を調整し、動作周波数での回路の負荷を 考慮するように相互に配置される。−次コイル３６は、結合を調整するために、 垂直軸４２を中心として回転するディスク４０上に配置されている。

可変コンデンサ４４が、ＲＦ発振器３０の周波数出力との回路の共振周波数を調 整するために、第２のループ３８と直列に接続されている。インピーダンスマツ チングは、平坦コイル２０に対する電力伝送の効率を最大とする。付加コンデン サ４６が、回路のコイル３６の誘導性リアクタンスの部分を打ち消すために、− 次回路に接続されている。しかし、平坦コイル２０の動作に共振し、ＲＦ発振器 とコイルの回路のインピーダンスマツチングのために、他の回路を使用してもよ いＯ 図４は、平坦な誘電性ウィンドウ１８及び平坦なコイル２０を使用した従来の装 置に於ける望ましい磁場プロフィールを示す。コイル２０の端では、磁場の強度 が、中央より弱い。誘起磁場は、電子がプロセスガスの個々の分子と衝突するこ とにより形成されたプラズマ中に、電子の回転フラツクスを誘起し、従って、イ オン種及びラジカル種の領域を形成する。図５は、一様な厚みのウィンドウを有 する装置に於て、イオン電流密度が、ウィンドウ１８の中心０から遠ざかるにつ れ、急激に低下することを示している。図５の点線は、６インチウェーハ（１５ ，２４ｃｍ）の縁に対応する。

ウェーハＷが十分に小さければ、縁におけるこの低減されたイオン電流密度は、 ウェーハの酸化物及びレジストエツチング速度に悪影響を及ぼすことはない。し かし、一般には、十分に大きい直径のウェーハＷが使用されていて、コイル２０ 及びウィンドウ１８の中心からの距離に応じて低減されたイオン電流密度は、ウ ェーハＷ上の酸化物及びレジストエツチング速度に悪影響をもたらす。

図６の試験結果のグラフで示されているように、１５０ｍｍ及び２００ｍｍの全 体直径の範囲で±５％の範囲に収まる、はぼ一様なイオン電流密度は、厚い中央 部を有するウィンドウ１８を設ける本発明により実現可能である。特に、イオン 電流密度は、中央部０から、中央部Ｏより少なくとも７５０ｍｍの距離までほぼ 一様である。図６の点線は、８インチ（２０，３２ｃｍ）ウェーハの縁に対応し ている。

図７〜図９が示すように、本発明によるウィンドウ１８は、種々の断面を有する 。セラミック、水晶及びガラスを含む、ウィンドウ材料の幾つかの異なった種類 が誘電性ウィンドウ１８に使用可能である。特定の用途の使用条件下で最も効果 のあるウィンドウ断面は、選択されたその特定のウィンドウ材料の誘電率と、コ イルに供給される電力との関数である。例えば、５００ワツトがコイルに供給さ れる場合は、中央の厚みｔｃの縁の厚みｔｅｌ：対する比（ｔ　ｃ／　ｔ　ｅ） が３：１である。電力が、１０００ワツトに増加すると、比（ｔｃ／ｌｅ）は、 １．５：１が好ましい。一方、電力が、２００ワツトに低下すると、比（ｔｃ／ ｌｅ）は、６：１が好ましい。

厚みの増した中央部をもつウィンドウ１８は、Ａ　Ｉ　２０．、ＺｒＯ，、Ｓｉ ｎ。

等の特定の誘電性材料を機械加工するが、モールドすることによって形成され、 特定のレンズ断面が形成される。例えば、ウィンドウ１８Ａは、図７で示される ように一連の段差を形成する、一連の逐次小さいウィンドウ部１８１，１８２． １８３を（例えば、焼結により）積層することにより形成される。図７では、部 ７４インチ（０，６４ｃｍ）の厚みである。逐次、小さな部分１８１，１８２゜ １８３は、単一の絶縁材料から形成しもよいことは勿論である。これに替えて、 ウィンドウ１８Ｂは、図８が示すように、凸部の断面からなるが、又はウィンド ウ１８Ｃは、図９が示すように錐台上の断面を有する。図９では、ウィンドウ１ ８Ｃは、ウィンドウの厚い中央部を囲むテーパーが付いた面を含む。ウィンドウ １８は、叉、異なった絶縁特性を持つ材料を積層して、例えばセラミック材料を 好ましくは接着剤なしで積層してもよい。

本発明の好適な実施例によれば、誘電性ウィンドウ１８は、直径９〜１０インチ （２２，８６〜２５．４ｃｍ）のＡ１□０３のディスクより構成される。そのよ うなウィンドウは、プラズマチャンバに形成された１２インチ（３０，４８ｃｍ ）の直径の開口部に適当なシール手段により取付けられる。ウィンドウの厚い中 央部分は、約５〜６インチ（１２，７〜１５．２４ｃｍ）の直径のＡＩ、Ｏ，の ディスクから構成されるのが好ましい。Ａｌ　２０３の二つのディスクが焼結に より積層され、二つのディスクの厚みの比は約２：１である。コイルに５００ワ ツトが供給されると、ウィンドウの縁の厚みｔｅは、好ましくは１．０インチ（ ２，５４ｃｍ）であり、ウィンドウの中央部の厚みはｔｃは、好ましくは、１． ５インチ（３，８１ｃｍ）である。

ウィンドウ１８の厚い中央部は、通常、チャンバ１２の内側に向けられ、ウィン ドウ１８の平坦な外側の面がチャンバの外側を向く。しかし、異なった特性の断 面、形状、材料及びウィンドウの厚みが、特定の用途に対してはより効果がある 場合のある。

本発明の範囲を逸脱しないで、以上説明した特定の形式以外の形式で実施するこ とが可能である。ここで説明した実施例は、説明のためであり、これに限定する 意図はない。本発明の範囲は、以上の説明ではなく、特許請求の範囲により与え られ、特許請求の範囲内の変形及び均等例は、本発明に含まれる。

図１ 図２ 図４ 図８ イ’ｆｆ！　（ｃｍ） 図５ 図６ フロントページの続き （５１）　Ｉｎｔ、　Ｃ１，’　識別記号　庁内整理番号ＨＯＩＬ　２１／３０ ６５ （７２）発明者　トラン、ダク アメリカ合衆国　カリフォルニア州 ９５０７０　サラトガ、コックス　アベニューＩ

Claims (19)

【特許請求の範囲】
1. １．プラズマエッチング又はプラズマ成長のための装置であって、ウェーハをプ ラズマで処理するチャンバを有するハウジングであって、プロセスガスを前記チ ャンバに供給し、このチャンバの内部に接続された少なくとも一つの注入ポート を含むハウジングと、 前記チャンバに高周波（ＲＦ）エネルギーを通過させるように構成されたプラズ マ発生電極を含む高周波エネルギー源であって、前記高周波エネルギー源により 誘起された電場により前記注入ポートを通じて前記チャンバに供給されるプロセ スガスを活性化することによって前記チャンバ内部にプラズマを誘起するように 構成され、前記チャンバの平坦領域内に電子流を誘起する前記プラズマ発生電極 を有する前記エネルギー源と、 前記チャンバの内壁の部分を形成する内面を有する誘電性ウインドウであって、 前記高周波エネルギー源からの高周波エネルギーを前記誘電性ウインドウを通じ て前記チャンバ内部に通過させると共に、前記内面に沿った異なった点でその厚 みを変化させ、その中央部において最も厚く、そのウインドウの中央部に近接し た前記チャンバ内部の誘起電場を低減する効果を有するような前記誘電性ウイン ドウを具備することを特徴とする装置。
2. ２．前記高周波エネルギー源は、前記誘電性ウインドウの外側の平坦面に対面す る一つの平坦面を有するほぼ平坦なプラズマ発生電極を含むことを特徴とする請 求項１記載のプラズマエッチング又はプラズマ成長のための装置。
3. ３．前記誘電性ウインドウは、誘電性材料の複数の層を含むことを特徴とする請 求項１記載のプラズマエッチング又はプラズマ成長のための装置。
4. ４．前記誘電性ウインドウは、第２の誘電性層に対して積層された第１の誘電性 層を含み、前記第２の誘電性層は、前記第１の誘電性層の外縁より内側に位置す る外縁を有することを特徴とする請求項３記載のプラズマエッチング又はプラズ マ成長のための装置。
5. ５．前記誘電性ウインドウは、更に、前記第２の誘電性層に対して積層された第 ３の誘電性層を含み、前記第３の誘電性層は、前記第２の誘電性層の外縁から内 側に位置する外縁を有することを特徴とする請求項４記載のプラズマエッチング 又はプラズマ成長のための装置。
6. ６．前記誘電性ウインドウの一方の面は平坦であることを特徴とする請求項１記 載のプラズマエッチング又はプラズマ成長のための装置。
7. ７．前記誘電性ウインドウの前記平坦面は、前記誘電性ウインドウの外側の面で あることを特徴とする請求項６記載のプラズマエッチング又はプラズマ成長のた めの装置。
8. ８．前記誘電性ウインドウは、ほぼ円形の形状であることを特徴とする請求項１ 記載のプラズマエッチング又はプラズマ成長のための装置。
9. ９．前記誘電性ウインドウは、中央部を取り巻く薄い厚みの領域を形成するよう に少なくとも一つの段差を含むことを特徴とする請求項１記載のプラズマエッチ ング又はプラズマ成長のための装置。
10. １０．前記誘電性ウインドウは、中央部を取り巻く少なくとも一つのテーパ一面 を含んでいることを特徴とする請求項１記載のプラズマエッチング又はプラズマ 成長のための装置。
11. １１．前記誘電性ウインドウの内部表面は、凸状であることを特徴とする請求項 １記載のプラズマエッチング又はプラズマ成長のための装置。
12. １２．物体をプラズマで処理する方法であって、チャンバ内に物体を配置し、 プロセスガスを前記チャンバに注入し、高周波エネルギーを前記チャンバ内の誘 電性ウインドウを通過させて一様な電場を発生させ、前記誘電性ウインドウが、 内表面に沿った異なった点でその厚みを変化し、その中央部が最も厚く形成され ていることにより、前記一様な電場は、前記プロセスガス中の一様な電子流を発 生させ、従って一様なプラズマ密度のプラズマを発生させ、 前記チャンバに発生した前記プラズマに前記物体の表面を露出することによって 前記物体をプラズマ処理することを特徴とする方法。
13. １３．前記物体は、半導体基板を含み、前記プラズマ処理ステップは、前記半導 体基板のアルミニウム層のエッチングを含むことを特徴とする請求項１２記載の 方法。
14. １４．前記プラズマの密度のばらつきは、少なくとも１５０ｍｍの直径内で表面 で５％未満であることを特徴とする請求項１２記載の方法。
15. １５．前記プラズマ処理ステップは、半導体ウェーハ上の酸化物のエッチングを 含むことを特徴とする請求項１２記載の方法。
16. １６．前記プラズマ処理ステップは、半導体ウェーハ上のレジストを除去するこ とを含むことを特徴とする請求項１２記載の方法。
17. １７．前記プラズマ処理ステップは、半導体ウェーハ上に層を成長することを含 むことを特徴とする請求項１２記載の方法。
18. １８．前記ウィンドウは、水晶の単体を含むことを特徴とする請求項１２記載の 方法。
19. １９．前記ウィンドウは、異なった絶縁材料からなる複数の層を含むことを特徴 とする請求項１２記載の方法。