JPH0628266B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0628266B2 JPH0628266B2 JP61159631A JP15963186A JPH0628266B2 JP H0628266 B2 JPH0628266 B2 JP H0628266B2 JP 61159631 A JP61159631 A JP 61159631A JP 15963186 A JP15963186 A JP 15963186A JP H0628266 B2 JPH0628266 B2 JP H0628266B2
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- H01L29/6659—Lateral single gate silicon transistors where the source and drain or source and drain extensions are self-aligned to the sides of the gate with both lightly doped source and drain extensions and source and drain self-aligned to the sides of the gate, e.g. lightly doped drain [LDD] MOSFET, double diffused drain [DDD] MOSFET
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- H01L29/66545—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET using a dummy, i.e. replacement gate in a process wherein at least a part of the final gate is self aligned to the dummy gate
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の製造方法に係り、特にその電極
取出し部の高密度化および半導体素子領域の微細化に好
適な半導体装置の製造方法に関する。
取出し部の高密度化および半導体素子領域の微細化に好
適な半導体装置の製造方法に関する。
半導体集積回路のパターン寸法がサブミクロンオーダま
で進展してきた現在、通常用いられるホトリソグラフイ
ーのマスク合わせ精度の大きさが半導体素子領域の微細
化、および応答の高速化を進める上での障害となってき
ている。特にMOSFETのソース/ドレイン領域は、電極取
出し(コンタクト)部の形成におけるマスク合わせ精度
で、その大きさ(面積)が決定されているため、素子の
活性領域の微細化が困難であり、高速化が図れない。
で進展してきた現在、通常用いられるホトリソグラフイ
ーのマスク合わせ精度の大きさが半導体素子領域の微細
化、および応答の高速化を進める上での障害となってき
ている。特にMOSFETのソース/ドレイン領域は、電極取
出し(コンタクト)部の形成におけるマスク合わせ精度
で、その大きさ(面積)が決定されているため、素子の
活性領域の微細化が困難であり、高速化が図れない。
例えば第5図(a),(b)に、従来のMOSFETの断面図
および平面パターンを示す。それぞれの構成要素は、P
型半導体基板100,フイールド酸化膜101、ゲート
酸化膜102,ゲート電極103,低濃度(n)ドレイ
ン領域104、ゲート電極103の側壁に設けられたシ
リコン酸化膜によるスペーサ105、高濃度 (n+)ソー
ス/ドレイン領域106、パツシベーシヨン膜(RSG
膜)107、コンタクトホール108および、電極配線
層109から成る。このような技術を開示したものとし
て、従来、特開昭59−211277号公報、特開昭59−99774
号公報、特開昭57−159066号公報などが知られている。
および平面パターンを示す。それぞれの構成要素は、P
型半導体基板100,フイールド酸化膜101、ゲート
酸化膜102,ゲート電極103,低濃度(n)ドレイ
ン領域104、ゲート電極103の側壁に設けられたシ
リコン酸化膜によるスペーサ105、高濃度 (n+)ソー
ス/ドレイン領域106、パツシベーシヨン膜(RSG
膜)107、コンタクトホール108および、電極配線
層109から成る。このような技術を開示したものとし
て、従来、特開昭59−211277号公報、特開昭59−99774
号公報、特開昭57−159066号公報などが知られている。
上記した従来のMOSFETでは、ソース/ドレイン領域(n
+層)106上にある酸化膜102に直接、コンタクト
ホール108を設けて電極配線層109を形成するた
め、ソース/ドレイン領域106の面積を大きく確保す
る必要がある。すなわち、例えば第6図に示すようにパ
ツシベーシヨン膜107に、コンタクトホール108を
形成する際に、マスクの位置合わせがずれて、フイール
ド酸化膜101の端部にコンタクトホールが重なると、
電極配線層109とP型半導体基板100とが接触する
ため、ソース又はドレイン領域106 と基板100とが電
極配線層109で短絡されてしまう。従つて、第5図
(b)に示したように、コンタクトホール108は、フ
イールド酸化膜101の内側端から、ホトリソグラフイ
ーのマスク合わせ精度以上の距離Daを隔てて形成する
必要がある。また、同様に、コンタクトホール108 は、
ゲート電極103からも、マスク合わせ精度以上の距離
Dbを隔てて形成する必要がある。このため。従来のMO
SFETのソース/ドレイン領域 (n+)106の面積は、電
極形成に附随した領域分だけ大きく確保する必要があ
り、微細化が図れない。しかも、機能的には、ソース/
ドレイン領域106の寄生容量が大きくなり、素子の高
速化が図れない等の欠点があつた。
+層)106上にある酸化膜102に直接、コンタクト
ホール108を設けて電極配線層109を形成するた
め、ソース/ドレイン領域106の面積を大きく確保す
る必要がある。すなわち、例えば第6図に示すようにパ
ツシベーシヨン膜107に、コンタクトホール108を
形成する際に、マスクの位置合わせがずれて、フイール
ド酸化膜101の端部にコンタクトホールが重なると、
電極配線層109とP型半導体基板100とが接触する
ため、ソース又はドレイン領域106 と基板100とが電
極配線層109で短絡されてしまう。従つて、第5図
(b)に示したように、コンタクトホール108は、フ
イールド酸化膜101の内側端から、ホトリソグラフイ
ーのマスク合わせ精度以上の距離Daを隔てて形成する
必要がある。また、同様に、コンタクトホール108 は、
ゲート電極103からも、マスク合わせ精度以上の距離
Dbを隔てて形成する必要がある。このため。従来のMO
SFETのソース/ドレイン領域 (n+)106の面積は、電
極形成に附随した領域分だけ大きく確保する必要があ
り、微細化が図れない。しかも、機能的には、ソース/
ドレイン領域106の寄生容量が大きくなり、素子の高
速化が図れない等の欠点があつた。
なお、前述した例はNチヤネルMOSFETについてであつた
が、PチヤネルMOSFETにおいても全く同様である。さら
に、バイポーラトランジスタのベース領域における電極
形成においても、同様の問題があつた。
が、PチヤネルMOSFETにおいても全く同様である。さら
に、バイポーラトランジスタのベース領域における電極
形成においても、同様の問題があつた。
本発明の目的は、電極形成のためだけに必要な半導体領
域(MOSFETではソース/ドレイン領域、またバイポーラ
トランジスタではベース領域)を不要とすることによ
り、高集積化、高性能化(高速、高信頼化)に適した半
導体装置の製造方法を提供することにある。
域(MOSFETではソース/ドレイン領域、またバイポーラ
トランジスタではベース領域)を不要とすることによ
り、高集積化、高性能化(高速、高信頼化)に適した半
導体装置の製造方法を提供することにある。
上記目的は、ソース/ドレイン領域またはベース領域と
接し、かつゲート電極またはエミツタ電極によつて自己
整合(セルフアライン)的に分離された多結晶シリコン
膜を、これらの領域に対するコンタクト部材として設け
ることにより達成される。
接し、かつゲート電極またはエミツタ電極によつて自己
整合(セルフアライン)的に分離された多結晶シリコン
膜を、これらの領域に対するコンタクト部材として設け
ることにより達成される。
本発明者らによる検討結果では、As,PまたはSb等
のドナー型不純物が高濃度な添加された多結晶シリコン
のエツチング速度または酸化速度は、これらが添加され
ていない多結晶シリコン膜のそれに比べて著しく大きい
という現象を利用することで上記構造の半導体装置を実
現することができる。すなわち、本発明をNチヤネルMO
SFETにて適用する場合には、まずゲート電極上に、ゲー
ト電極と同形状の絶縁膜およびAs,P,Sbなどのド
ナー型不純物イオンのいずかが高濃度に添加された導電
性膜を設ける。前記ゲート電極の側壁に厚みの制御され
た絶縁層を設けると同時に、ソース/ドレイン領域と前
記導電性膜の表面を露出させる。次に、全面に不純物が
添加されていない多結晶シリコン膜を被着し、その後、
熱処理することで前記導電性膜中に添加されている不純
物を導通性膜を上面と接する領域の多結晶シリコン膜中
に拡散させる。しかる後に、前記不純物が拡散された多
結晶シリコンのエツチング速度又は酸化速度は、前記不
純物無添加の多結晶シリコン膜に比べて著しい大きいこ
とを利用し、前記不純物が拡散された結晶シリコン膜の
みを自己整合的にエツチング除去するとともに、導電性
膜をもエツチング除去する。その結果、残された多結晶
シリコン膜を、ソース領域、ドレイン領域およびフイー
ルド酸化膜の少なくとも一部を覆うような形状、寸法に
加工することができ、所望のNチヤネルMOSFETが得られ
る。
のドナー型不純物が高濃度な添加された多結晶シリコン
のエツチング速度または酸化速度は、これらが添加され
ていない多結晶シリコン膜のそれに比べて著しく大きい
という現象を利用することで上記構造の半導体装置を実
現することができる。すなわち、本発明をNチヤネルMO
SFETにて適用する場合には、まずゲート電極上に、ゲー
ト電極と同形状の絶縁膜およびAs,P,Sbなどのド
ナー型不純物イオンのいずかが高濃度に添加された導電
性膜を設ける。前記ゲート電極の側壁に厚みの制御され
た絶縁層を設けると同時に、ソース/ドレイン領域と前
記導電性膜の表面を露出させる。次に、全面に不純物が
添加されていない多結晶シリコン膜を被着し、その後、
熱処理することで前記導電性膜中に添加されている不純
物を導通性膜を上面と接する領域の多結晶シリコン膜中
に拡散させる。しかる後に、前記不純物が拡散された多
結晶シリコンのエツチング速度又は酸化速度は、前記不
純物無添加の多結晶シリコン膜に比べて著しい大きいこ
とを利用し、前記不純物が拡散された結晶シリコン膜の
みを自己整合的にエツチング除去するとともに、導電性
膜をもエツチング除去する。その結果、残された多結晶
シリコン膜を、ソース領域、ドレイン領域およびフイー
ルド酸化膜の少なくとも一部を覆うような形状、寸法に
加工することができ、所望のNチヤネルMOSFETが得られ
る。
以上に説明したようにして形成されたNチヤネルMOSFET
の多結晶シリコン膜は、ゲート電極によつて自己整合的
にソース領域上の部分とドレイン領域上の部分とに分離
されており、またソース領域およびドレイン領域に自己
整合的に接続されている。このため、前記多結晶シリコ
ン膜に不純物をドーピングして低抵抗化することによ
り、これをソースおよびドレインの電極配線として利用
できる。従つて、電極配線の形成に付随して従来必要で
あつたソース/ドレイン領域の面積拡大が必要でなくな
り、従来の不都合が除去できる。
の多結晶シリコン膜は、ゲート電極によつて自己整合的
にソース領域上の部分とドレイン領域上の部分とに分離
されており、またソース領域およびドレイン領域に自己
整合的に接続されている。このため、前記多結晶シリコ
ン膜に不純物をドーピングして低抵抗化することによ
り、これをソースおよびドレインの電極配線として利用
できる。従つて、電極配線の形成に付随して従来必要で
あつたソース/ドレイン領域の面積拡大が必要でなくな
り、従来の不都合が除去できる。
本発明はPチヤネルMOSFETに適用できるのはもちろん、
バイポーラトランジスタのベース領域の電極配線にも同
様に適用することができる。
バイポーラトランジスタのベース領域の電極配線にも同
様に適用することができる。
以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第1図は、本発明の一実施例におけるNチヤネルMOSFET
の製造方法を製造工程順に示す断面図である。
の製造方法を製造工程順に示す断面図である。
第1図(a)に示すように、まずP型半導体基板10上
に、選択酸化によつてフイールド酸化膜11を形成し、
フイード酸化膜11で囲まれた領域内に薄いゲート酸化
膜12を形成する。次いで、全面に第1のりん(P)の
ドープされた多結晶シリコン膜を2000Åの厚みで被
着し、その上にタングステンシリサイド (WSi2)膜を
3000Åの厚みで重ねて被着してゲート電極13を形成す
る。つづいて窒化珪素膜14を500Å被着し、さらに
その上に厚み1000Åの多結晶シリコン膜15を形成
する。最上層の多結晶シリコン膜15中にAsを2×1
016cm-2イオン打込みした後、写真蝕刻法により、前記
4層膜を所望形状に加工することで、WSi2/多結晶
シリコン膜から成るゲート電極13と、これと同一形状
の窒化珪素膜14およびAsのドープされた多結晶シリ
コン膜15を形成する。さらに、ゲート電極13をマス
クとして、低濃度n型のソース/ドレイン領域16をイ
オン打込みによつて形成する。第1図(b)に示すよう
に、全面に、CVD法によつて酸化珪素膜を被着した
後、異方性のドライエツチング技術で、酸化珪素膜をエ
ツチングすることにより少なくともゲート電極13の側
壁に酸化珪素から成るスペーサ17を設ける。それと同
時に、ソース領域、ドレイン領域及び多結晶シリコン膜
15の少なくとも上面を露出する。次に、第1図(c)
に示すように、全面に、第3の多結晶シリコン膜18を
2000Åの厚みで被着する。その後、乾燥酸素雰囲気
中で800℃、10分の熱処理することにより、前記第
3の多結晶シリコン膜18の表面に数10Åの薄い酸化
珪素膜を形成する。次いで、窒素雰囲気中で900℃,
30分の熱処理を施すことにより、前記多数結晶シリコ
ン膜15中にドーピングされたAsを、多結晶シリコン
膜15と接する領域の多結晶シリコン膜18中に拡散さ
せ、Asがドーピングされた多結晶シリコン膜18Aを
形成する。次に、第1図(d)に示すように、まず前記
多結晶シリコン膜18,18A上の薄い酸化珪素膜をH
F水溶液で除去した後、HF:HNO3:CH3COOH=
1:3:16のエツチヤントを用いて多結晶シリコン膜
18,18Aおよび15をエツチングする。このとき、
Asがドープされた多結晶シリコン膜18A,15だけ
がエツチングされ、ドーピングされていない多結晶シリ
コン膜18は全くエツチングされないで残る。また、前
記エツチヤントの酸化珪素膜17および窒化珪素膜14
に対するエツチング速度は小さいので、この工程でゲー
ト電極13がエツチングされることはない。次いで、乾
燥酸素雰囲気中、800℃、10分の熱処理することに
より多結晶シリコン膜18上に薄い酸化珪素膜を形成す
る。その後、全面にAsイオン19を1×1016cm-2注
入し、窒素雰囲気中、95℃、10分の熱処理を施すこ
とにより、半導体基板10の領域16内に高濃度n+型
のソース/ドレイン領域20を形成する。次に、第1図
(e)に示すように、通常の写真蝕刻技術を用いて、前
記多結晶シリコン膜18が少なくともフイールド酸化膜
11を覆うような寸法、形状となるように、これを選択
蝕刻してソース/ドレイン電極18Bを形成する。次い
で、パツシベーシヨン膜としてPG膜21を被着した
後、通常の写真蝕刻技術を用いて、前記ソース/ドレイ
ン電極18B上のPSG膜21にコンタクトホール22
を形成する。最後にAl−2%Siを被着した後、前述
と同様に選択蝕刻して電極配線層23を形成すること
で、nチヤネルMOSFETの製造工程が終了する。なお第1
図(g)は同図(f)の平面パターンを示す図である。
に、選択酸化によつてフイールド酸化膜11を形成し、
フイード酸化膜11で囲まれた領域内に薄いゲート酸化
膜12を形成する。次いで、全面に第1のりん(P)の
ドープされた多結晶シリコン膜を2000Åの厚みで被
着し、その上にタングステンシリサイド (WSi2)膜を
3000Åの厚みで重ねて被着してゲート電極13を形成す
る。つづいて窒化珪素膜14を500Å被着し、さらに
その上に厚み1000Åの多結晶シリコン膜15を形成
する。最上層の多結晶シリコン膜15中にAsを2×1
016cm-2イオン打込みした後、写真蝕刻法により、前記
4層膜を所望形状に加工することで、WSi2/多結晶
シリコン膜から成るゲート電極13と、これと同一形状
の窒化珪素膜14およびAsのドープされた多結晶シリ
コン膜15を形成する。さらに、ゲート電極13をマス
クとして、低濃度n型のソース/ドレイン領域16をイ
オン打込みによつて形成する。第1図(b)に示すよう
に、全面に、CVD法によつて酸化珪素膜を被着した
後、異方性のドライエツチング技術で、酸化珪素膜をエ
ツチングすることにより少なくともゲート電極13の側
壁に酸化珪素から成るスペーサ17を設ける。それと同
時に、ソース領域、ドレイン領域及び多結晶シリコン膜
15の少なくとも上面を露出する。次に、第1図(c)
に示すように、全面に、第3の多結晶シリコン膜18を
2000Åの厚みで被着する。その後、乾燥酸素雰囲気
中で800℃、10分の熱処理することにより、前記第
3の多結晶シリコン膜18の表面に数10Åの薄い酸化
珪素膜を形成する。次いで、窒素雰囲気中で900℃,
30分の熱処理を施すことにより、前記多数結晶シリコ
ン膜15中にドーピングされたAsを、多結晶シリコン
膜15と接する領域の多結晶シリコン膜18中に拡散さ
せ、Asがドーピングされた多結晶シリコン膜18Aを
形成する。次に、第1図(d)に示すように、まず前記
多結晶シリコン膜18,18A上の薄い酸化珪素膜をH
F水溶液で除去した後、HF:HNO3:CH3COOH=
1:3:16のエツチヤントを用いて多結晶シリコン膜
18,18Aおよび15をエツチングする。このとき、
Asがドープされた多結晶シリコン膜18A,15だけ
がエツチングされ、ドーピングされていない多結晶シリ
コン膜18は全くエツチングされないで残る。また、前
記エツチヤントの酸化珪素膜17および窒化珪素膜14
に対するエツチング速度は小さいので、この工程でゲー
ト電極13がエツチングされることはない。次いで、乾
燥酸素雰囲気中、800℃、10分の熱処理することに
より多結晶シリコン膜18上に薄い酸化珪素膜を形成す
る。その後、全面にAsイオン19を1×1016cm-2注
入し、窒素雰囲気中、95℃、10分の熱処理を施すこ
とにより、半導体基板10の領域16内に高濃度n+型
のソース/ドレイン領域20を形成する。次に、第1図
(e)に示すように、通常の写真蝕刻技術を用いて、前
記多結晶シリコン膜18が少なくともフイールド酸化膜
11を覆うような寸法、形状となるように、これを選択
蝕刻してソース/ドレイン電極18Bを形成する。次い
で、パツシベーシヨン膜としてPG膜21を被着した
後、通常の写真蝕刻技術を用いて、前記ソース/ドレイ
ン電極18B上のPSG膜21にコンタクトホール22
を形成する。最後にAl−2%Siを被着した後、前述
と同様に選択蝕刻して電極配線層23を形成すること
で、nチヤネルMOSFETの製造工程が終了する。なお第1
図(g)は同図(f)の平面パターンを示す図である。
以上に説明した製造方法を用いることにより、ソース領
域およびドレイン領域20は、自己整合的に形成された
ソース/ドレイン電極18Bにより、フイールド酸化膜
11の上にまで延長されており、少なくともフイード酸
化膜11上において(ソース/ドレイン領域20上にの
みではなく)コンタクトホール22が形成できる。その
ため、従来コンタクトホールの形成のためのみに必要と
されていた、広面積のソース/ドレイン領域が必要でな
くなる。従つて、MOSFETの微細化が容易に達成できる。
しかも、ソース/ドレイン領域の面積の減少に伴なつ
て、その寄生容量も大幅に小さくできるので、素子の高
速化が達成できる。また電極配線層23とソース/ドレ
イン領域16,20との接続が多結晶シリコン膜(ソー
ス/ドレイン電極)18Bを介して成されるので、電極
配線層に含まれるAl原子の浸入などによる接合特性の
劣化が防止できる。更に、高濃度のn型ソース/ドレイ
ン領域20の形成は、多結晶シリコン膜18B中からA
sの拡散により成されるため、その拡散深さを十分に浅
くすることが可能であり、このため短チヤネル効果(ド
レイン領域の空乏層がソース領域と連なつて空間電荷制
限の大電流が流れる、すなわちパンチスルーを起こすこ
と)に強いMOSFETを実現することができる。
域およびドレイン領域20は、自己整合的に形成された
ソース/ドレイン電極18Bにより、フイールド酸化膜
11の上にまで延長されており、少なくともフイード酸
化膜11上において(ソース/ドレイン領域20上にの
みではなく)コンタクトホール22が形成できる。その
ため、従来コンタクトホールの形成のためのみに必要と
されていた、広面積のソース/ドレイン領域が必要でな
くなる。従つて、MOSFETの微細化が容易に達成できる。
しかも、ソース/ドレイン領域の面積の減少に伴なつ
て、その寄生容量も大幅に小さくできるので、素子の高
速化が達成できる。また電極配線層23とソース/ドレ
イン領域16,20との接続が多結晶シリコン膜(ソー
ス/ドレイン電極)18Bを介して成されるので、電極
配線層に含まれるAl原子の浸入などによる接合特性の
劣化が防止できる。更に、高濃度のn型ソース/ドレイ
ン領域20の形成は、多結晶シリコン膜18B中からA
sの拡散により成されるため、その拡散深さを十分に浅
くすることが可能であり、このため短チヤネル効果(ド
レイン領域の空乏層がソース領域と連なつて空間電荷制
限の大電流が流れる、すなわちパンチスルーを起こすこ
と)に強いMOSFETを実現することができる。
なお本実施例では、多結晶シリコン膜15中にドーピン
グする不純物としてAsを用いる場合について説明した
が、P,Sb又は他のドナー型不純物であつても、十分
大きな増速エツチングが観測され、本発明の効果を奏す
ることが確認できた。また、多結晶シリコン膜18A,
15のエツチング液として、HF:HNO3:CH3COOH
=1:3:16のエツチヤントを用いた例について説明
したが他の組成のエツチヤントであつてもよい。さら
に、ウエツトエチツチングのみならず、ドライエツチン
グ(RIEや塩素系ガスを用いた光励起エツチング)に
おいても前記増速エツチングが可能であり、本発明の効
果を奏することができる。
グする不純物としてAsを用いる場合について説明した
が、P,Sb又は他のドナー型不純物であつても、十分
大きな増速エツチングが観測され、本発明の効果を奏す
ることが確認できた。また、多結晶シリコン膜18A,
15のエツチング液として、HF:HNO3:CH3COOH
=1:3:16のエツチヤントを用いた例について説明
したが他の組成のエツチヤントであつてもよい。さら
に、ウエツトエチツチングのみならず、ドライエツチン
グ(RIEや塩素系ガスを用いた光励起エツチング)に
おいても前記増速エツチングが可能であり、本発明の効
果を奏することができる。
本発明は、PチヤネルMOSFETに適用しても、バイポーラ
トランジスタに適用しても全く同様の効果を確認でき
た。
トランジスタに適用しても全く同様の効果を確認でき
た。
次に、本発明の第2の実施例について説明する。第2図
は本発明によるNチヤネルMOSFETの製造方法を製造工程
順に示す断面図である。第2図(a)に、まずP型半導
体基板30上に、第1の実施例と同様に、フイールド酸
化膜31を形成し、フイールド酸化膜31で囲まれた領
域内に薄いゲート酸化膜32を形成する。次いで、全面
に第1の多結晶シリコン膜を2000Åの膜厚で被着
し、その上にMoSi2膜を3000Å被着してゲート
電極33を形成する。次いで、酸化珪素膜34を500
Å被着し、さらにその上に厚み1000ÅのPのドープ
された第2の多結晶シリコン膜35を形成する。次に、
最上層の第2多結晶シリコン膜35中にAsを1×10
16cm-2イオン打込みした後、写真蝕刻法により、前記4
層膜を所望形状に加工する。その結果、MoSi2/多
結晶シリコン膜から成るゲート電極33と、これと同一
形状の酸化珪素膜34およびAsのドープされた多結晶
シリコン膜35を形成する。さらにゲート電極33をマ
スクとして、低濃度n型のソース/ドレイン領域36を
イオン注入により形成する。次に、第2図(b)に示す
ように、全面にCVD法による酸化珪素膜を被着した
後、異方性のドライエツチング技術で酸化珪素膜をエツ
チングすることにより、少なくともゲート電極33の側
壁に酸化珪素から成るスペーサ37を設ける。それと同
時に、ソース領域、ドレイン領域36,36及び多結晶
シリコン膜35の少なくとも上面を露出させる。次に、
第2図(c)に示すように、第3の多結晶シリコン膜3
8を、2000Åの厚みで全面に被着した後に、乾燥酸
素雰囲気中で800℃,10分の熱処理をすることによ
り、前記第2の多結晶シリコン膜38の表面に数10Å
の薄い酸化珪素膜を形成する。次いで、窒素雰囲気中で
900℃,300分の熱処理を施こし、前記多結晶シリ
コン膜35中にドーピングされていたAsを、多結晶シ
リコン膜35の少なくとも上面と接する領域の多結晶シ
リコン38A中に拡散させ、Asがドーピングされた多
結晶シリコン膜38Aを、多結晶シリコン膜35の直上
に形成する。次に第2図(d)に示すように、まずH2
/O2=1.6/1の混合ガスを燃焼させた水蒸気中で
750℃,60分の熱処理を施こすと、Asがドープさ
れた多結晶シリコン膜38A上には約2000Åの酸化
珪素膜40が成長し、一方、ドープされていない多結晶
シリコン膜38上には約250Åの酸化珪素膜39が成
長する。次いで第2図(e)に示すように、HF水溶液
で前記酸化珪素膜39を除去した後、全面にMoを50
0Åの厚みで被着する。次いで窒素雰囲気中で600
℃、30分の熱処理を施こし、Moと多結晶シリコン3
8の上層部を反応させた後、酸化珪素膜40上の未反応
Moを王水で除去することにより、酸化珪素膜40上を
除く表面部分に、自己整合的にMoSi241を形成する。
さらに、乾燥酸素雰囲気中で800℃、10分間の熱処
理を施こし、前記MoSi241上に薄い酸化珪素膜を形成
し、全面にAsイオン42を1×1016cm-2注入し、窒
素雰囲気中で95℃、10分の熱処理することで、半導
体基板30内に高濃度n型ソース/ドレイン領域43を
形成する。次に、第2図(f)に示すように、まず酸化
珪素膜40およびMoSi241上の薄い酸化珪素膜をそれ
ぞれHF水溶液でエツチング除去した後、70℃に熱し
たKOH水溶液/イソプロピルアルコール混合液を用い
て、前記多結晶シリコン膜38A,35をエツチング除
去する。このとき、多結晶シリコン膜38上のMoSi24
1は、前記エツチヤントによつては全く溶解されない。
また、ゲート電極33上の酸化珪素膜34およびスペー
サ37も前記エツチヤントによつては全く溶解されない
ので、ゲート電極33がエツチングされることはない。
次いで通常の写真蝕刻法を用いて、前記多結晶シリコン
膜38およびMoSi241を、少なくともその一部がフイ
ールド酸化膜31上にまで延在するように選択蝕刻し、
ソース/ドレイン電極44を形成する。次に第2図
(g)に示すように、パツシベーシヨン膜としてPSG
膜45を全面に被着した後、通常の写真蝕刻法を用い
て、前記ソース/ドレイン電極44上にコンタクトホー
ル46を形成する。次に、Al−2%Siを全面に被着
した後、前述と同様に選択蝕刻して電極配線層47を形
成することで、NチヤネルMOSFETの製造工程が終了す
る。なお、第2図(h)は同図(g)の平面パターンを
示す図である。
は本発明によるNチヤネルMOSFETの製造方法を製造工程
順に示す断面図である。第2図(a)に、まずP型半導
体基板30上に、第1の実施例と同様に、フイールド酸
化膜31を形成し、フイールド酸化膜31で囲まれた領
域内に薄いゲート酸化膜32を形成する。次いで、全面
に第1の多結晶シリコン膜を2000Åの膜厚で被着
し、その上にMoSi2膜を3000Å被着してゲート
電極33を形成する。次いで、酸化珪素膜34を500
Å被着し、さらにその上に厚み1000ÅのPのドープ
された第2の多結晶シリコン膜35を形成する。次に、
最上層の第2多結晶シリコン膜35中にAsを1×10
16cm-2イオン打込みした後、写真蝕刻法により、前記4
層膜を所望形状に加工する。その結果、MoSi2/多
結晶シリコン膜から成るゲート電極33と、これと同一
形状の酸化珪素膜34およびAsのドープされた多結晶
シリコン膜35を形成する。さらにゲート電極33をマ
スクとして、低濃度n型のソース/ドレイン領域36を
イオン注入により形成する。次に、第2図(b)に示す
ように、全面にCVD法による酸化珪素膜を被着した
後、異方性のドライエツチング技術で酸化珪素膜をエツ
チングすることにより、少なくともゲート電極33の側
壁に酸化珪素から成るスペーサ37を設ける。それと同
時に、ソース領域、ドレイン領域36,36及び多結晶
シリコン膜35の少なくとも上面を露出させる。次に、
第2図(c)に示すように、第3の多結晶シリコン膜3
8を、2000Åの厚みで全面に被着した後に、乾燥酸
素雰囲気中で800℃,10分の熱処理をすることによ
り、前記第2の多結晶シリコン膜38の表面に数10Å
の薄い酸化珪素膜を形成する。次いで、窒素雰囲気中で
900℃,300分の熱処理を施こし、前記多結晶シリ
コン膜35中にドーピングされていたAsを、多結晶シ
リコン膜35の少なくとも上面と接する領域の多結晶シ
リコン38A中に拡散させ、Asがドーピングされた多
結晶シリコン膜38Aを、多結晶シリコン膜35の直上
に形成する。次に第2図(d)に示すように、まずH2
/O2=1.6/1の混合ガスを燃焼させた水蒸気中で
750℃,60分の熱処理を施こすと、Asがドープさ
れた多結晶シリコン膜38A上には約2000Åの酸化
珪素膜40が成長し、一方、ドープされていない多結晶
シリコン膜38上には約250Åの酸化珪素膜39が成
長する。次いで第2図(e)に示すように、HF水溶液
で前記酸化珪素膜39を除去した後、全面にMoを50
0Åの厚みで被着する。次いで窒素雰囲気中で600
℃、30分の熱処理を施こし、Moと多結晶シリコン3
8の上層部を反応させた後、酸化珪素膜40上の未反応
Moを王水で除去することにより、酸化珪素膜40上を
除く表面部分に、自己整合的にMoSi241を形成する。
さらに、乾燥酸素雰囲気中で800℃、10分間の熱処
理を施こし、前記MoSi241上に薄い酸化珪素膜を形成
し、全面にAsイオン42を1×1016cm-2注入し、窒
素雰囲気中で95℃、10分の熱処理することで、半導
体基板30内に高濃度n型ソース/ドレイン領域43を
形成する。次に、第2図(f)に示すように、まず酸化
珪素膜40およびMoSi241上の薄い酸化珪素膜をそれ
ぞれHF水溶液でエツチング除去した後、70℃に熱し
たKOH水溶液/イソプロピルアルコール混合液を用い
て、前記多結晶シリコン膜38A,35をエツチング除
去する。このとき、多結晶シリコン膜38上のMoSi24
1は、前記エツチヤントによつては全く溶解されない。
また、ゲート電極33上の酸化珪素膜34およびスペー
サ37も前記エツチヤントによつては全く溶解されない
ので、ゲート電極33がエツチングされることはない。
次いで通常の写真蝕刻法を用いて、前記多結晶シリコン
膜38およびMoSi241を、少なくともその一部がフイ
ールド酸化膜31上にまで延在するように選択蝕刻し、
ソース/ドレイン電極44を形成する。次に第2図
(g)に示すように、パツシベーシヨン膜としてPSG
膜45を全面に被着した後、通常の写真蝕刻法を用い
て、前記ソース/ドレイン電極44上にコンタクトホー
ル46を形成する。次に、Al−2%Siを全面に被着
した後、前述と同様に選択蝕刻して電極配線層47を形
成することで、NチヤネルMOSFETの製造工程が終了す
る。なお、第2図(h)は同図(g)の平面パターンを
示す図である。
以上に説明した製造方法を用いることにより、第1実施
例に関したのと全く同様の理由で従来の不都合が除去で
き、素子の高集積、高性能、高信頼度が達成できる。
例に関したのと全く同様の理由で従来の不都合が除去で
き、素子の高集積、高性能、高信頼度が達成できる。
なお、本実施例では、多結晶シリコン膜35中にドーピ
ングする不純物にAsを用いた場合を説明したが、P,
Sb等の不純物を用いても、本発明の目的とする効果を
奏することが確認できた。また、ゲート電極33および
ソース/ドレイン電極上にMoSi2を用いたが、他のシリ
サイドを用いてもよい。さらにゲート電極上の多結晶シ
リコン膜38A,35のエツチングに、KOH水溶液系
のエツチヤントを用いるものとしたが、例えばヒドラジ
ン水溶液、水酸化アモニウムなどのアルカリ水溶液を用
いても、あるいは、塩素系ガスによる光励起エツチング
法等他のエツチング法を用いても、本発明の効果を達成
できる。
ングする不純物にAsを用いた場合を説明したが、P,
Sb等の不純物を用いても、本発明の目的とする効果を
奏することが確認できた。また、ゲート電極33および
ソース/ドレイン電極上にMoSi2を用いたが、他のシリ
サイドを用いてもよい。さらにゲート電極上の多結晶シ
リコン膜38A,35のエツチングに、KOH水溶液系
のエツチヤントを用いるものとしたが、例えばヒドラジ
ン水溶液、水酸化アモニウムなどのアルカリ水溶液を用
いても、あるいは、塩素系ガスによる光励起エツチング
法等他のエツチング法を用いても、本発明の効果を達成
できる。
本発明の第1および第2実施例は、PチヤネルMOSFETお
よびバイポーラトランジスタに適用しても、全く同様の
効果を奏することができることが確認できた。
よびバイポーラトランジスタに適用しても、全く同様の
効果を奏することができることが確認できた。
次に本発明の第3の実施例について説明する。第3図
は、本発明をバイポーラトランジスタのエミツタ及びベ
ース領域の製造に適用した場合の製造工程を順に示す断
面図である。第3図(a)に示すように、まずp型半導
体基板50上に高濃度n型同電層(n+層)51を形成
し、エピタキシヤル成長法により低濃度n型導電層(n
−層)52を形成し、次いで選択酸化により、フイール
ド酸化膜53を形成する。次に、フイールド酸化膜53
で囲まれた領域内に薄い酸化珪素膜を形成した後、Bを
イオン注入することで、ベース層となるp型導電層領域
54を形成する。次に、前記薄い酸化珪素膜をHF水溶
液でエツチングし、除去する。次に第3図(b)に示す
ように、まず全面に第1の多結晶シリコン膜を2000Å被
着し、その多結晶シリコン膜中にAsイオンを注入す
る。その後、第1の多結晶シリコン膜上に2000Åのチタ
ンシリサイド(TiSi2)膜と1000Åの窒化珪素膜を被
着する。次に、前記1000Åの厚みの窒化珪素膜上に第2
の多結晶シリコン膜を1500Åの厚みで被着した後に、乾
燥した酸素雰囲気中で800℃、10分の熱処理を施こ
し、前記第2の多結晶シリコン膜上に数10Åの酸化珪
素膜を形成する。次に、前記第2の多結晶シリコン膜中
にAsイオンを1.5×1016cm-2注入する。その後、
窒素雰囲気中で所望の熱処理を施こすことにより、前記
第1および第2の多結晶シリコン膜中に注入したAsを
該膜の厚み方向にほぼ均一に拡散させる。次に、写真蝕
刻法により、前記4層膜を所望形状に加工することで、
TiSi2/多結晶シリコン膜から成るエミツタ電極55
と、これと同一形状の窒化珪素膜56および第2多結晶
シリコン膜57を形成する。次に第3図(c)に示すよ
うに、全面に、CVD法によって酸化珪素膜を被着した
後、異方性のドライエツチング技術で、該酸化珪素膜を
エツチングすることにより、少なくともエミツタ電極5
5を側壁に酸化珪素膜から成るスペーサ58を設ける。
それと同時に、外部ベース領域および多結晶シリコン膜
57の少なくとも上面を露出させる。次に第3図(d)
に示すように、全面に第3の多結晶シリコン膜59を30
00Åの厚みで被着した後に、乾燥酸素雰囲気中で800
℃、10分の熱処理を施こし、前記第3の多結晶シリコ
ン膜59の表面に数10Åの酸化珪素膜を形成する。次
いで、窒素雰囲気中で900℃、30分程度の熱処理を
施こし、前記多結晶シリコン膜57中にドーピングされ
たAsを、多結晶シリコン膜57と接する領域の多結晶
シリコン膜59中に拡散させ、Asがドーピングされた
多結晶シリコン膜59Aを形成する。一方、これと同時
に、エミツタ電極55中にドーピングされたAsを拡散
させることにより、P型導電層領域54内に高濃度n型
導電層から成るエミツタ領域60を形成する。次に第3
図(e)に示すように、まず前記多結晶シリコン膜5
9,59A上の薄い酸化珪素膜をHF水溶液で除去した
後、塩素ガス (Cl2)を例えば低圧水銀ランプにより、
ラジカルに分解する方法を用いて、前記多結晶シリコン
膜59,59Aおよび57をエツチングする。このと
き、Asがドーピングされた多結晶シリコン膜59Aお
よび57は、Asがドーピングされてない多結晶シリコ
ン膜59に比べ10倍以上のエツチング速度を有するた
め、多結晶シリコン膜59Aおよび57を選択的にエツ
チング除去できる。前記塩素ラジカルは、酸化珪素膜5
8および窒化珪素膜56を全くエツチングしないので、
この工程でエミツタ電極55がエツチングされることは
ない。次いで、乾燥酸素雰囲気中、800℃,10分の
熱処理を施すことにより、多結晶シリコン膜59上に薄
い酸化珪素膜を形成し、その後、全面にBイオン61を
10KeVの加速エネルギーで3×1015cm-2注入し、
窒素雰囲気中900℃,20分程度の熱処理を施こすこ
とにより、多結晶シリコン膜59と接するP型導電領域
54内に高濃度P型導電層(外部ベース領域)62を形
成する。なお、このとき前記窒化珪素膜56がBイオン
の注入マスクとして機能するので、エミツタ電極55中
にBイオンが注入されることはない。次に第3図(f)
に示すように、通常の写真蝕刻法を用いて、前記多結晶
シリコン膜59が少なくとも、フイールド酸化膜53を
覆うような寸法、形状となるように、これを選択蝕刻し
て、ベース電極60Bを形成する。次いで第3図(g)
に示すように、パツシベーシヨン膜として、PSG膜6
3を被着した後、通常の写真蝕刻法を用いて、前記ベー
ス電極上のPSG膜およびエミツタ電極上のPSG膜/
窒化珪素膜に開孔を設けて、コンタクトホール64を形
成する。最後にAl−2%Siを被着した後、前述と同
様に選択蝕刻して電極配線層65を形成することで、バ
イポーラトランジスタの製造工程が終了する。なお第3
図(h)は同図(g)の平面パターンを示す図である。
は、本発明をバイポーラトランジスタのエミツタ及びベ
ース領域の製造に適用した場合の製造工程を順に示す断
面図である。第3図(a)に示すように、まずp型半導
体基板50上に高濃度n型同電層(n+層)51を形成
し、エピタキシヤル成長法により低濃度n型導電層(n
−層)52を形成し、次いで選択酸化により、フイール
ド酸化膜53を形成する。次に、フイールド酸化膜53
で囲まれた領域内に薄い酸化珪素膜を形成した後、Bを
イオン注入することで、ベース層となるp型導電層領域
54を形成する。次に、前記薄い酸化珪素膜をHF水溶
液でエツチングし、除去する。次に第3図(b)に示す
ように、まず全面に第1の多結晶シリコン膜を2000Å被
着し、その多結晶シリコン膜中にAsイオンを注入す
る。その後、第1の多結晶シリコン膜上に2000Åのチタ
ンシリサイド(TiSi2)膜と1000Åの窒化珪素膜を被
着する。次に、前記1000Åの厚みの窒化珪素膜上に第2
の多結晶シリコン膜を1500Åの厚みで被着した後に、乾
燥した酸素雰囲気中で800℃、10分の熱処理を施こ
し、前記第2の多結晶シリコン膜上に数10Åの酸化珪
素膜を形成する。次に、前記第2の多結晶シリコン膜中
にAsイオンを1.5×1016cm-2注入する。その後、
窒素雰囲気中で所望の熱処理を施こすことにより、前記
第1および第2の多結晶シリコン膜中に注入したAsを
該膜の厚み方向にほぼ均一に拡散させる。次に、写真蝕
刻法により、前記4層膜を所望形状に加工することで、
TiSi2/多結晶シリコン膜から成るエミツタ電極55
と、これと同一形状の窒化珪素膜56および第2多結晶
シリコン膜57を形成する。次に第3図(c)に示すよ
うに、全面に、CVD法によって酸化珪素膜を被着した
後、異方性のドライエツチング技術で、該酸化珪素膜を
エツチングすることにより、少なくともエミツタ電極5
5を側壁に酸化珪素膜から成るスペーサ58を設ける。
それと同時に、外部ベース領域および多結晶シリコン膜
57の少なくとも上面を露出させる。次に第3図(d)
に示すように、全面に第3の多結晶シリコン膜59を30
00Åの厚みで被着した後に、乾燥酸素雰囲気中で800
℃、10分の熱処理を施こし、前記第3の多結晶シリコ
ン膜59の表面に数10Åの酸化珪素膜を形成する。次
いで、窒素雰囲気中で900℃、30分程度の熱処理を
施こし、前記多結晶シリコン膜57中にドーピングされ
たAsを、多結晶シリコン膜57と接する領域の多結晶
シリコン膜59中に拡散させ、Asがドーピングされた
多結晶シリコン膜59Aを形成する。一方、これと同時
に、エミツタ電極55中にドーピングされたAsを拡散
させることにより、P型導電層領域54内に高濃度n型
導電層から成るエミツタ領域60を形成する。次に第3
図(e)に示すように、まず前記多結晶シリコン膜5
9,59A上の薄い酸化珪素膜をHF水溶液で除去した
後、塩素ガス (Cl2)を例えば低圧水銀ランプにより、
ラジカルに分解する方法を用いて、前記多結晶シリコン
膜59,59Aおよび57をエツチングする。このと
き、Asがドーピングされた多結晶シリコン膜59Aお
よび57は、Asがドーピングされてない多結晶シリコ
ン膜59に比べ10倍以上のエツチング速度を有するた
め、多結晶シリコン膜59Aおよび57を選択的にエツ
チング除去できる。前記塩素ラジカルは、酸化珪素膜5
8および窒化珪素膜56を全くエツチングしないので、
この工程でエミツタ電極55がエツチングされることは
ない。次いで、乾燥酸素雰囲気中、800℃,10分の
熱処理を施すことにより、多結晶シリコン膜59上に薄
い酸化珪素膜を形成し、その後、全面にBイオン61を
10KeVの加速エネルギーで3×1015cm-2注入し、
窒素雰囲気中900℃,20分程度の熱処理を施こすこ
とにより、多結晶シリコン膜59と接するP型導電領域
54内に高濃度P型導電層(外部ベース領域)62を形
成する。なお、このとき前記窒化珪素膜56がBイオン
の注入マスクとして機能するので、エミツタ電極55中
にBイオンが注入されることはない。次に第3図(f)
に示すように、通常の写真蝕刻法を用いて、前記多結晶
シリコン膜59が少なくとも、フイールド酸化膜53を
覆うような寸法、形状となるように、これを選択蝕刻し
て、ベース電極60Bを形成する。次いで第3図(g)
に示すように、パツシベーシヨン膜として、PSG膜6
3を被着した後、通常の写真蝕刻法を用いて、前記ベー
ス電極上のPSG膜およびエミツタ電極上のPSG膜/
窒化珪素膜に開孔を設けて、コンタクトホール64を形
成する。最後にAl−2%Siを被着した後、前述と同
様に選択蝕刻して電極配線層65を形成することで、バ
イポーラトランジスタの製造工程が終了する。なお第3
図(h)は同図(g)の平面パターンを示す図である。
以上に説明した製造方法を用いることにより、外部ベー
ス領域62は、自己整合的に形成されたベース電極60
Bにより、フイールド酸化膜53の上にまで延長されて
おり、少なくともフイールド酸化膜53上において(外
部ベース領域62上のみだけではなく)コンタクトホー
ル64が形成できるので、従来のようなコンタクトホー
ルの形成のためのみに必要とされていた、広面積の外部
ベース領域が必要でなくなる。従つて、バイポーラトラ
ンジスタのベース領域の微細化が容易に達成でき、この
ためベース−コレクタ(n+層51)間の接合容量が大
幅に低減できるので、素子の高速動作が達成できる。ま
た、第3図(f)に示す如く、外部ベース領域の面積を
必要以上に増すことなく、容易に外部ベースをエミツタ
電極55(エミツタ領域60)の周辺(本図では3面)
から引き出すことができるので、ベース抵抗を十分小さ
くすることができる。その結果、素子の高速動作が達成
できる。
ス領域62は、自己整合的に形成されたベース電極60
Bにより、フイールド酸化膜53の上にまで延長されて
おり、少なくともフイールド酸化膜53上において(外
部ベース領域62上のみだけではなく)コンタクトホー
ル64が形成できるので、従来のようなコンタクトホー
ルの形成のためのみに必要とされていた、広面積の外部
ベース領域が必要でなくなる。従つて、バイポーラトラ
ンジスタのベース領域の微細化が容易に達成でき、この
ためベース−コレクタ(n+層51)間の接合容量が大
幅に低減できるので、素子の高速動作が達成できる。ま
た、第3図(f)に示す如く、外部ベース領域の面積を
必要以上に増すことなく、容易に外部ベースをエミツタ
電極55(エミツタ領域60)の周辺(本図では3面)
から引き出すことができるので、ベース抵抗を十分小さ
くすることができる。その結果、素子の高速動作が達成
できる。
なお本実施例では、多結晶シリコン膜57中にドーピン
グする不純物としてAsを用いる場合について説明した
が、P,Sbまたは他のドナー型不純物であつても、十
分大きな増速エツチングが観測され、本発明の効果を奏
することが確認できた。また、本実施例では、エミツタ
電極55をフイールド酸化膜53上に引き上げて、コン
タクトホールおよび電極配線層を形成する場合について
説明したが、例えば第4図(a)および(b)に示すよ
うに、エミツタ領域60の直上のエミツタ電極55上に
コンタクトホールおよび電極配線層を形成することもで
きる。
グする不純物としてAsを用いる場合について説明した
が、P,Sbまたは他のドナー型不純物であつても、十
分大きな増速エツチングが観測され、本発明の効果を奏
することが確認できた。また、本実施例では、エミツタ
電極55をフイールド酸化膜53上に引き上げて、コン
タクトホールおよび電極配線層を形成する場合について
説明したが、例えば第4図(a)および(b)に示すよ
うに、エミツタ領域60の直上のエミツタ電極55上に
コンタクトホールおよび電極配線層を形成することもで
きる。
本発明によれば、MOSFETのソース/ドレイン領域上、或
いはバイポーラの外部ベース領域上に、多結晶シリコン
電極を自己整合的に設けることができるので、前記ソー
ス/ドレイン領域及びベース領域の面積を十分に微細化
できる。この結果、素子の高集積化が容易であり、寄生
容量、寄生抵抗が大幅に低減でき、素子の高速化が達成
できる。
いはバイポーラの外部ベース領域上に、多結晶シリコン
電極を自己整合的に設けることができるので、前記ソー
ス/ドレイン領域及びベース領域の面積を十分に微細化
できる。この結果、素子の高集積化が容易であり、寄生
容量、寄生抵抗が大幅に低減でき、素子の高速化が達成
できる。
第1図は、本発明の実施例であるnチヤネルMOSFETの製
造方法を製造工程順に示す断面図及び平面パターン図、
第2図は、本発明の他の実施例であるnチヤネルMOSFET
の製造方法を製造工程順に示す断面図及び平面パターン
図、第3図及び第4図は、本発明の実施例であるバイポ
ーラトランジスタの製造方法を製造工程順に示す断面図
及び平面パターン図、第5図は、従来法により製造した
MOSFETの断面図及びその平面パターン図、第6図は、従
来法の欠点を説明するためのMOSFETの断面図及びその平
面パターン図である。 11……フイールド酸化膜、18,18A,18B……
多結晶シリコン膜(ソース/ドレイン電極)、13……
ゲート電極、22……コンタクトホール、23……電極
配線層(Al・Si)、31……フイールド酸化膜、3
3……ゲート電極、44……WSi2/多結晶シリコン
膜(ソース/ドレイン電極)、46……コンタクトホー
ル、47……電極配線層(Al・Si)、53……フイ
ールド酸化膜、55……エミツタ電極、59B……多結
晶シリコン膜(ベース電極)、64……コンタクトホー
ル、65……電極配線層(Al・Si)。
造方法を製造工程順に示す断面図及び平面パターン図、
第2図は、本発明の他の実施例であるnチヤネルMOSFET
の製造方法を製造工程順に示す断面図及び平面パターン
図、第3図及び第4図は、本発明の実施例であるバイポ
ーラトランジスタの製造方法を製造工程順に示す断面図
及び平面パターン図、第5図は、従来法により製造した
MOSFETの断面図及びその平面パターン図、第6図は、従
来法の欠点を説明するためのMOSFETの断面図及びその平
面パターン図である。 11……フイールド酸化膜、18,18A,18B……
多結晶シリコン膜(ソース/ドレイン電極)、13……
ゲート電極、22……コンタクトホール、23……電極
配線層(Al・Si)、31……フイールド酸化膜、3
3……ゲート電極、44……WSi2/多結晶シリコン
膜(ソース/ドレイン電極)、46……コンタクトホー
ル、47……電極配線層(Al・Si)、53……フイ
ールド酸化膜、55……エミツタ電極、59B……多結
晶シリコン膜(ベース電極)、64……コンタクトホー
ル、65……電極配線層(Al・Si)。
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 29/784
Claims (3)
- 【請求項1】互いに隣接し、同じ主面に露出する1導電
型および反対導電型の半導体領域を有する半導体基板上
の、前記1導電型半導体基板上に、下層に第1導電性膜
から成る第1電極と、中間層に絶縁膜と、上層にn型の
不純物が添加された第2導電性膜の3層膜を設けてこれ
を所望形状に加工する工程と、前記第1電極の側壁を覆
うように絶縁層を形成する工程と、前記第1電極の側壁
に設けられた絶縁層、第2導電性膜、反対導電型半導体
領域および前記反対導電型半導体領域の輪郭の少なくと
も一部を規定するフイールド絶縁層を覆うように多結晶
シリコン膜を設ける工程と、熱処理して前記第2導電性
膜と接する領域の多結晶シリコン膜中に、前記第2導電
性膜中の不純物を拡散する工程と、その後に酸化性雰囲
気中で熱処理することにより、前記不純物が拡散された
領域の多結晶シリコン膜上に厚い酸化珪素膜を形成する
と共に、不純物が拡散されていない領域の多結晶シリコ
ン膜上に薄い酸化珪素膜を形成する工程と、前記厚い酸
化珪素膜をマスクとして、前記薄い酸化珪素膜を除去し
た後、露出した多結晶シリコン膜上に高融点金属の珪化
膜および窒化珪素膜の少なくとも一方を形成する工程
と、前記厚い酸化珪素膜を除去した後、高融点金属珪化
膜および窒化珪素膜の少なくとも一方をマスクとして、
前記不純物が拡散された領域の多結晶シリコン膜と前記
第2導電性膜を、エッチングして除去し、前記反対導電
型半導体領域に接続された第2電極を形成する工程とを
含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項2】前記第1電極は前記第1導電型半導体領域
にオーミック接続されたことを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項3】前記第1電極は前記第1導電型半導体領域
から絶縁して形成されていることを特徴とする特許請求
の範囲第1項記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61159631A JPH0628266B2 (ja) | 1986-07-09 | 1986-07-09 | 半導体装置の製造方法 |
EP87101113A EP0252206B1 (en) | 1986-07-09 | 1987-01-27 | Method of fabricating semiconductor structure |
DE8787101113T DE3780369T2 (de) | 1986-07-09 | 1987-01-27 | Verfahren zum herstellen einer halbleiterstruktur. |
US07/013,252 US4735916A (en) | 1986-07-09 | 1987-02-10 | Method of fabricating bipolar transistors and insulated gate field effect transistors having doped polycrystalline silicon conductors |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61159631A JPH0628266B2 (ja) | 1986-07-09 | 1986-07-09 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6316673A JPS6316673A (ja) | 1988-01-23 |
JPH0628266B2 true JPH0628266B2 (ja) | 1994-04-13 |
Family
ID=15697933
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61159631A Expired - Lifetime JPH0628266B2 (ja) | 1986-07-09 | 1986-07-09 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4735916A (ja) |
EP (1) | EP0252206B1 (ja) |
JP (1) | JPH0628266B2 (ja) |
DE (1) | DE3780369T2 (ja) |
Families Citing this family (46)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JPS63184364A (ja) * | 1987-01-27 | 1988-07-29 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
GB2202370B (en) * | 1987-02-27 | 1990-02-21 | British Telecomm | Self-aligned bipolar fabrication process |
US4902640A (en) * | 1987-04-17 | 1990-02-20 | Tektronix, Inc. | High speed double polycide bipolar/CMOS integrated circuit process |
US4826782A (en) * | 1987-04-17 | 1989-05-02 | Tektronix, Inc. | Method of fabricating aLDD field-effect transistor |
JPS63268258A (ja) * | 1987-04-24 | 1988-11-04 | Nec Corp | 半導体装置 |
US4829025A (en) * | 1987-10-02 | 1989-05-09 | Advanced Micro Devices, Inc. | Process for patterning films in manufacture of integrated circuit structures |
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US5225355A (en) * | 1988-02-26 | 1993-07-06 | Fujitsu Limited | Gettering treatment process |
JP2727557B2 (ja) * | 1988-03-25 | 1998-03-11 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
EP0346543A1 (en) * | 1988-06-15 | 1989-12-20 | BRITISH TELECOMMUNICATIONS public limited company | Bipolar transistor |
KR900001034A (ko) * | 1988-06-27 | 1990-01-31 | 야마무라 가쯔미 | 반도체장치 |
JPH0223648A (ja) * | 1988-07-12 | 1990-01-25 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
US5015594A (en) * | 1988-10-24 | 1991-05-14 | International Business Machines Corporation | Process of making BiCMOS devices having closely spaced device regions |
JP2918205B2 (ja) * | 1988-11-09 | 1999-07-12 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US5079180A (en) * | 1988-12-22 | 1992-01-07 | Texas Instruments Incorporated | Method of fabricating a raised source/drain transistor |
US4945070A (en) * | 1989-01-24 | 1990-07-31 | Harris Corporation | Method of making cmos with shallow source and drain junctions |
US5238857A (en) * | 1989-05-20 | 1993-08-24 | Fujitsu Limited | Method of fabricating a metal-oxide-semiconductor device having a semiconductor on insulator (SOI) structure |
US5294822A (en) * | 1989-07-10 | 1994-03-15 | Texas Instruments Incorporated | Polycide local interconnect method and structure |
JPH03141645A (ja) * | 1989-07-10 | 1991-06-17 | Texas Instr Inc <Ti> | ポリサイドによる局所的相互接続方法とその方法により製造された半導体素子 |
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