JPH05504740A - 薄膜変換器インクジェットヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明は圧電変換器を有したインクジェット装置用インクジェットヘッドに関す るものであり、特に新規薄膜圧電変換器を有したインクジェットヘッド及びその 改良に関するものである。

発明の背景技術 インクジェット装置の中にはプレート状の壁面または壁面部を圧電素子で形成し たインクチャンバーを内部に有するインクジェットヘッドがあり、当該チャンバ ーの容積が拡大または収縮するように前記素子は電気信号に基づいて横方向に移 動する。従来、このようなプレート状の圧電変換器は、Ｆｉｓｃｈｅｂｅｃｋ　 ｅｔ　ａｌ、特許Ｎｏ。

４．５８４，５９０などに開示されているような互いに隣接した列状のインクジ ェットチャンバーの変換器を連続圧電材シートで構成したものや、あるいはＣｒ ｕｚ−Ｕｒｉｂｅ　ｅｔ　ａｌ、特許Ｎｏ、４．６８０，５９５などに開示され ているような各インクジェットチャンバーに接してプレート状圧電素子など個別 に配設した構成がある。さらに、前記Ｃｒｕｚ−Ｕｒｉｂｅ　ｅｔ　ａｌ、　に 開示されているように、エツチングで圧電材の単一連続シートから材料を除去し て独立個別部品を生成して前記個別変換器などに成形することもできる。このよ うな従来のシート状圧電材は例えば緑色材（ｇｒｅｅｎ　ｍａｔｅｒｉａｌ）を シート状に成形及び焼成して作製しており、このような圧電材の厚みは最低でも 約３−５ミル（７５−１２５ミクロン）はある。

所定の印加電圧における圧電シート材の曲げ率（ｅｘｔｅｎｔｏｆ　ｂｅｎｄｉ ｎｇ）はシートの厚みに反比例するため、厚みが最低約５ミル（１２５ミクロン ）の変換器を使用した場合に８０ピコリツタ一程度の一定の大きさのインクドロ ップを射出するには比較的面積が大きなインクチャンバーが必要になる。このよ うに壁面面積が大きくなると、インクジェットヘッドだけでなくチャンバーのサ イズやオリフィスの間隔も大きくしなくてはならない。

また、圧電材シートは製造性上も問題がある。すなわち、これらの材料は脆いた め製造費が高くなってしまうのである。さらには、シート材の少なくとも２カ所 をボンド付けしなくてはならず、通常このような作業は省略することができない 。

発明の開示 従って、本発明は上記従来技術の問題点を解決する新規インクジェットヘッド及 びその改良型を提供することを目的としている。

さらに、本発明の第２の目的は従来の変換器に比べ所定電圧での撓みを大きくす ることが可能な圧電素子変換器を備えたインクジェットヘッドを提供することに ある。

本発明の第３の目的は、密な間隔で配列された複数のインクジェットヘッドとこ れに対して従来のインクジェットヘッドよりも間隔が小さなオリフィスから成る インクジェットヘッドを提供することにある。

本発明の第４の目的は、所定印加電圧での曲げ率が増大するよう薄い圧電変換器 を備えたインクジェットヘッドを提供することにある。

本発明の第５の目的は、インクジェットヘッドを動作させるための電気部品を集 積することが可能なチャンバー成形半導体変換基盤を備えたインクジェットヘッ ドを提供することにある。

本発明の第６の目的は、インクジェットヘッドを簡略かつ適切な方法で製造して ヘッドの特性を向上させる新規なヘッド製造方法及びその改良方法を提供するこ とにある。

上記目的を達成するために、本発明のインクジェットヘッドは、基板上に−また は複数の電極を形成する段階と、前記電極上に圧電材薄膜を積層する段階と、前 記薄膜圧電材層の反対側の面に−または複数の電極を形成する段階によって製造 されていることを特徴とする。好ましくは、前記基板はエツチング処理可能な材 質であり、基板の一部をエツチングで除去してインクジェットチャンバーを形成 する。当該インクジェットチャンバーの一部壁面は電極を有した前記圧電薄膜材 で構成されている。好適実施態様としては、集積回路部品を内蔵する隣接インク ジェットチャンバーアレイを半導体基板に成形して、前記インクジェットチャン バー全体の変換器を前記圧電材薄膜で構成する。この結果、前記基板の反対側に 貼り合わされたオリフィスブ。

レートが各インクジェットチャンバーのオリフィスを構成する。

前記エツチング処理可能基板は集積回路チップの製造で使用するタイプのシリコ ン基板であるのが好ましく、駆動パルススイッチやメモリー素子などの圧電素子 の駆動用回路と部品を従来の半導体集積回路処理技術を用いて基板表面に形成す る。同様に、フォトレジスト材などを用いる半導体集積回路技術を前記圧電層の 両面の電極に適用して前記圧電材薄膜の蒸着の前後に変換器の反対側の面に電極 パターンを作製する。

作業中または作業後にフィルムに亀裂が入らないようにしながら前記厚電材薄膜 の長さが所望の印加電位に応じてインクを射出することが可能な長さとなるよう に、ゾル−ゲルやスパッタリングまたは真空蒸着などの従来の薄膜技術を用いて −または複数の圧電材層を積層して前記フィルムを製造するのが好ましい。前記 圧電層の列理構造を小形で均一な所望の構造にするため、急速熱アニーリング技 術を用いて前記フィルムを焼成し、アニール処理するのが望ましい。

以下、詳細な説明及び添付図面より本発明のその他の目的、効果も明かとなるで あろう。

図面の簡単な説明 第１　（ａ）−（ｆ）図には本発明の第１実施例に係る圧電変換器及びインクジ ェットチャンバーの一般的な生成段階を連続的に示した断面図である。

第２図はインクジェットヘッドの動作制御を行うものであり、薄膜圧電変換器用 半導体基板の一方の面に電極が形成されている典型的な回路構成を示す回路図。

第３図は本発明の第２実施例に係る薄膜圧電変換器を有したインクジェットチャ ンバーを示した拡大断面図。

発明の好適実施例の説明 第１　（ａ）−（ｆ）図には本発明に係る薄膜圧電変換器付きインクチャンバー を有したインクジェットヘッドの一般的な製造工程が示されている。第１（ａ） 図において、まず初めに厚みが約６ミル（１５０ミクロン）で結晶配列が［１， １，０］のＮタイプシリコン基板ウェハなどから成るエツチング可能な半導体基 板１０を通常の方法で１０００℃の蒸気中で酸化させて厚みが２５００オングス トロームで誘電体および蝕刻遮断層（ｅｔｃｈ　ｂａｒｒｉｅｒ）として機能す るシリコン酸化層１１を生成する。ホットメルトインクジェットヘッドのインク チャンバープレートとして使用する場合、所望の機械的、電気的および熱特性を シリコンで得ることができ、薄膜蒸着及びフォトレジスト処理には極めて適した 基板である。また、以下に説明するように集積技術を用いることにより同一基板 上に装置の制御部品を内蔵させることも可能である。基板をエツチングするには ［１，１，０］の結晶配列が望ましい。

次に、前記シリコン酸化層の表面に導電材料層１２を約０．２ミクロンの厚みで 塗布する。当該導電層１２はアルミニウム、ニッケル、クロムまたはプラチナの スパッタ層または真空蒸着層あるいは従来のゾル−ゲル処理を用いて蒸着させた 酸化錫インジュウム（Ｉ　Ｔ：　Ｏ）　（ｉｎｄｌｕｍ　ｔｉｎ　ｏｘｉｄｅ） 層である。

第１（ｂ）図では、導電層１２の表面にスピンコードで生成した従来のフォトレ ジスト層１３の表面にマスク１５を介して紫外線１４を照射し、次に現像を行っ て導電パターンに従って選択領域１６内のレジスト層１２を硬化させる。前記導 電パターンは前記圧電層の一面に形成するものである。未硬化のフォトレジスト を除去して照射金属層１２を通常の方法で蝕刻する。次に前記フォトレジストを 剥離すると第１（Ｃ）図に示すように層１１の表面に導電パターン１７が形成さ れる。

「ゾル−ゲル処理によるＰｂ　（ＺｒＴｉ）Ｏ，薄膜生成：電気的、光学的、電 気光学特性ＪＹｉ、Ｗｕ　ａｎｄ　５ａｙｅ　ｒ　応用物理ジャーナル（ｔｈｅ 　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ）　６４巻、Ｎｏ、５ ．１９８８年９月１日、２７１７−２７２４頁などに記載されているゾル−ゲル 処理を用いて電極基板１０の表面にチタン酸鉛ジルコニウム（ｔｅａｄ　ｚｉｒ ｃｏｎｉｕｍ　ｔｌｔａｎａｔｅ）　（Ｐ　Ｚ　Ｔ）の薄膜１８を塗布する。

前記ＰＺＴの強度は厚みが増すほど増大するが、所定の印加電圧に対するＰＺＴ の折曲度は上述したように厚みが増すほど低下する。従って、フィルムの厚みは インクジェット動作中にフィルムに加わるストレスに耐えるだけの最小限の厚み でなくてはならない。本願明細書中に記載されている一般的な範囲の大きさのオ リフィスとインクチャンバーを備え、作業粘性が約１−４０ｃｐｓの範囲にある インクを使用したインクジェット装置の場合、ＰＺＴフィルムの厚みは約１−２ ５ミクロンが良く、好ましくは約２．１０ミクロン、望ましくは約３−５ミクロ ンである。フィルムの厚みが数ミクロン以上の場合、使用するゾル−ゲル溶液に もよるが０．１−５ミクロンの厚みを有する層を複数層堆積させてフィルムの亀 裂を防止し、灰チタン石の粒度を小さく保つ。

こうして被覆された基板を約６００℃の温度で焼成し、ＰＺＴ成分から成る溶液 を生成および冷却し、最後にアニール処理をする。小粒度が均一に維持できるよ うに急速熱アニールを利用してサイクル時間を減少させ、また機械的特性を良好 に保つのが好ましい。前記アニール処理は、秒当たり約１００℃の速度で約６０ ０℃まで被覆基板を加熱し、当該温度を約１０秒間維持し、その後不活性ガスを 循環させて室温となるまで約３０秒間前記被覆基板を冷却する。この結果、粒度 が約０．３ミクロンの均質で小形のＰＺＴが生成される。

次に、ｍｌ（ｄ）図に示されているようなアルミニウム、ニッケル、クロム、プ ラチナまたはＩＴＯなどの導伝材から成る第２導電層１９で前記ＰＺＴフィルム １８を被覆する。前記導電層をフォトレジスト層２０で被覆し、マスク２２を介 して紫外線２１で照射し、硬化領域２３を形成する。次に、未硬化のフォトレジ ストを除去し、照射領域の導電層１９を蝕刻して前記硬化領域２３に対応した電 極パターンがＰＺＴフィルム１８の上面に形成される。第１（ｅ）　図にはこう して形成された上部電極パターン２４が示されている。電極パターン２４の形成 に続いて、前記ＰＺＴ層の上側表面をポリイミド材料層２５でスピンコードして ＰＺＴ層と電極パターンを保護する。

Ｈｏｉｓｉｎｇｔｏｎ　ｅｔ　ａｌ、の同時継続特許出願Ｎｏ、０７／６１５， ８９８　（１９９０年１１月２０日出願）に開示されているように電極を相互嵌 合した変換器構造では、圧電フィルムの一方の面にしか電極を形成する必要がな い。この場合、フィルムの一方の面に電極パターンを形成する工程は省略するこ とができる。

前記インクチャンバーが前記ＰＺＴ層で動作するよう、シリコン基板１０の反対 側をフォトレジスト層２６て被覆し、マスク２８を介して紫外線２７で照射し、 現像して硬化フォトレジスト領域２９から成るパターンを形成する。

次に、未硬化のフォトレジストを除去し、前記照射シリコンを前記酸化シリコン 層１１まで蝕刻して第１（ｆ）図に示されているインクチャンバーキャビティー ３０のパターンを形成する。

インクチャンバー３０を形成した後、電極が形成される領域を蝕刻して上部電極 層に至るまでポリイミド被覆層２５を除去し、下部電極層との接触が必要な場所 のポリイミド層とＰＺＴフィルムを蝕刻除去する。電気的に接合するため、ワイ ヤボンディングや加圧接触を行うことかできるように前記接触箇所にマスクを介 して金を付着させ、また前記基板１０の底面にオリフィスプレートを接着させて インクチャンバーを封止し、通常の方法を用いて各チャンバー毎にオリフィスを 形成する。電極パターン１７．２４に適当な電圧を印加すると各チャンバー３０ 内の薄膜圧電変換器層１８は選択的に変形し、前記チャンバーは対応するオリフ ィスを通してインクを射出する。

第２図は、被覆基板の上部平面に形成された典型的な導電パターンを概略的に示 したものであり、各インクチャンバー３０の裏側の電極パターン２４への通電を 行う。第２図の平面図では、基板の底に形成されている各インクチャンバー３０ の細長い形状をオリフィス３１同様点線で示しており、当該オリフィスは各イン クチャンバーの中央に位置している。また、各インクチャンバーの端部に１個づ つ形成された２個のインク供給孔３２は（不図示）インクサプライに接続されて いる。

第２図の一般的な実施例の概略図では、各パターン２４のうち選択された領域は 各々対応する導線３３．３４．３５．３６を経て適切な接点領域３７に接続され る。当該接点領域は前記基板１０の端部近傍に直線に配列されておりワイヤボン ディングや加圧接点で係合することができるようになっている。前記ＰＺＴ層の 下には対応する導電パターンが形成されており接点領域３７から下層電極パター ン１７（第２図では不図示）へ電圧を印加する。

前記基板１０が半導体処理に使用されているタイプのシリコンウェハでできてい る場合、周知の半導体集積回路処理技術を利用して同一基板上にインクジェット 装置の制御部品を複数配設することが可能である。この部品は、従来のスイッチ から成る変換器駆動回路３８と、変換素子を駆動するための電気パルスの供給に 必要な電気部品、インクジェット装置の射出時間やパルス振幅を作成するためイ ンクジェットヘッドの較正などに関する情報を記憶しておく半導体記憶素子から 成るインクジェット装置用不揮発性記憶ユニット３９と、温度検出及び制御ユニ ット４０と、インクジェットヘッドが適切動作するよう正確な温度を検出して維 持する関連薄膜加熱素子４１と、インクジェットヘッドから射出される各インク タイプ毎のインクドロップをカウントし、インク原料がなくなりそうな場合に警 告または中断信号を出力するドロップカウンター４２とから構成されている。

本願明細書で説明しているタイプの薄膜圧電変換器を使用した典型的なインクジ ェット装置においては、隣接するオリフィスとの間隔が約０．３ｍｍとなるよう に単一シリコン基板に長さ約３．３４ｍｍ、幅約０．１７ｍｍ、深さ約０．１５ ｍｍの複数のインクチャンバーを約０．１３ｍｍの間隔で一列に配列している。

この構成の場合、−列に並んでいるオリフィスを３３．７’の角度でスキャン方 向に向けることによりインチ当たり３００本（ミリメータ当たり１１，８ライン ）の密度の画像を生成することが可能となる。さらに、対応する駆動回路、記憶 回路、温度制御回路を備えた４８個のインクジェットで構成されたシリコン基板 を約１０ｍｍ　ｘ　１５ｍｍの大きさの単一チップ上に形成することができる。

第３図の拡大図に示した第２の構成例では、底面にオリフィスプレートが貼り合 わせて各チャンバー３０毎にオリフィス３１を設けたシリコン基板１０の上面を プラチナ、ニッケルなどで厚みが約０．’２ミクロンの薄膜金属遮断層４４で被 覆し、また厚みが約０．２ミクロンの酸化アルミニウムから成る誘電体層４５を 前記金属遮断層の上に積層する。その後、第１図で説明した方法で電極パターン とＰＺＴフィルム１８を塗布する。このような構成では、チャンバー３０内に含 まれているインク成分によってＰＺＴフィルムの浸食が効果的に防止される。

さらに、本願明細書中に記載されている薄膜圧電変換器はエツチング処理してイ ンクチャンバーを形成するシリコン基板と組み合わせる必要がない。あるいは、 必要であれば、本願明細書内で説明した方法で薄膜変換器と対応電極とを形成し た後に、当該組立品の最上面に所望のインクチャンバーパターンを有した第２の 基板を貼り合わせて、シリコン基板を蝕刻除去する。このように構成すると、オ プションの中間Ｈ（ｉｎｔｅｒｖｅｎｉｎｇ　ｍｅＩＩｂｒａｎｅ）を設けたり あるいは前記ＰＺＴフィルムとインクチャンバーを内部に有する第２の基板との 間にその他軟質支持部材を挟装させて前記膜＠ＰＺＴをさらに保護することがで きる。あるいは、シリコン基板を完全に除去する場合、膜の両側に各々２枚の薄 膜圧電変換器層を取付け、次に所望のインクジェットチャンバーパターンを有す る第２の基板上に前記膜を取付けることにより所定の印加電圧での射出圧力を増 大させることができる。その他の構成としては、同一の基板上に薄膜ＰＺＴ変換 器と対応する電極パターンの層を複数連続して積層し、所定の印加電圧での変換 器の変位量を増大させることができる。

本願明細書では特定の実施例を参照しながら本発明を説明しているが、当該発明 の変形及び変更は当該技術分野に精通した者にとっては容易である。よって、こ れら全ての変形及び変更例は本願発明の思想範囲に包括されるものである。

ＦＩＧ、　３ 要　約　書 本願明細書に記載された特定の実施例においては、シリコンウェハ（１０）の− 面を酸化して誘電体層（１１）を形成する段階と、フォトレジスト処理技術を用 いて前記誘電体層の表面に電極（１７）を生成する段階と、一層または複数層の ＰＺＴ材層（１８）を蒸着させて１−２５ミクロンの範囲の厚みを有した圧電層 （１８）を生成する段階と、フォトレジスト技術を用いて前記ＰＺＴ材層表面に 第２の電極パターン（２４）を形成する段階と、前記電極領域のシリコン基板を 選択的にエツチングしてインクチャンバー（３０）を成形する段階を経て薄膜変 換器インクジェットヘッドを作製する。この後、前記基板にオリフィスプレート を貼り合わせ前記インクチャンバーを封止して各チャンバー毎にインクオリフィ スを形成する。インクジェットヘッドの長さは３−　３４　ｍ　ｍ　ｓ幅は０． １７ｍｍ、深さ０．１５ｍｍであり、各オリフィスは０．３０５ｍｍの間隔で形 成されている。

補正書の写しく翻訳文）提出書 （特許法第１８４条の７第１項） 平成４年７月８日

Claims (33)

【特許請求の範囲】
1. １．基板を供給する段階と、前記基板上に圧電フィルムを蒸着する段階と、前記 圧電フィルムを焼成して約１−約２５ミクロンの厚みを有した層を形成する段階 と、前記圧電フィルムの表面と接して少なくとも−電極パターンを形成して変換 器素子を製造する段階とから成るインクジェット変換器作製方法。
2. ２．前記変換器素子を前記基板とを分離する段階と当該変換素子を膜に付着させ る段階を備えていることを特徴とする請求の範囲第１項記載のインクジェット変 換器作製方法。
3. ３．前記変換素子を第２の基板に付着させる段階と前記変換素子が形成されてい る前記基板表面の少なくとも一部を除去する段階とを備えていることを特徴とす る請求の範囲第１項記載のインクジェット変換器作製方法。
4. ４．前記基板の少なくとも一部を除去して少なくとも１電極が形成されている前 記変換素子の領域近傍にチャンバーを形成する工程を備えていることを特徴とす る請求の範囲第１項記載のインクジェット変換器作製方法。
5. ５．前記変換素子と反対側の基板にオリフィスプレートを貼り合わせて前記チャ ンバーを封止して前記チャンバー内に連通したオリフィスを形成する工程を備え ていることを特徴とする請求の範囲第４項記載のインクジェット変換器作製方法 。
6. ６．前記基板上に圧電材から成る連続層を少なくとも２層蒸着させて前記圧層を 形成することを特徴とする請求の範囲第１項記載のインクジェット変換器作製方 法。
7. ７．前記連続層の各層は圧電層を形成しており、約０．１−約５ミクロンの厚み を有していることを特徴とする請求の範囲第６項記載のインクジェット変換器作 製方法。
8. ８．前記基板上に蒸着した後に前記圧電層を焼成する段階を備えていることを特 徴とする請求の範囲第１項記載のインクジェット変換器作製方法。
9. ９．前記基板はソリッドステート回路の作製に適していることを特徴とする請求 の範囲第１項記載のインクジェット変換器作製方法。
10. １０．前記インクジェットヘッド用の変換器駆動回路を前記基板上に形成する段 階を備えていることを特徴とする請求の範囲第９項記載のインクジェットヘッド 変換器作製方法。
11. １１．前記インクジェットヘッド用の記憶回路を前記基板上に形成する段階を備 えていることを特徴とする請求の範囲第９項記載のインクジェットヘッド変換器 作製方法。
12. １２．前記インクジェットヘッド用の温度制御素子を前記基板上に形成する段階 を備えていることを特徴とする請求の範囲第９項記載のインクジェットヘッド変 換器作製方法。
13. １３．前記インクジェットヘッド用の薄膜ヒーターを前記基板上に形成する段階 を備えていることを特徴とする請求の範囲第９項記載のインクジェットヘッド変 換器作製方法。
14. １４．前記インクジェットヘッド用のドロップ射出パルス制御素子を形成する段 階を備えているを特徴とする請求の範囲第９項記載のインクジェットヘッド変換 器作製方法。
15. １５．インク供給検出用ドロップカウンター回路を前記基板上に形成する段階を 備えていることを特徴とする請求の範囲第９項記載のインクジェットヘッド変換 器作製方法。
16. １６．前記基板はシリコンであることを特徴とする請求の範囲第９項記載のイン クジェットヘッド変換器作製方法。
17. １７．前記圧電層の厚みは約２−約１０ミクロンの範囲であることを特徴とする 請求の範囲第１項記載のインクジェットヘッド変換器作製方法。
18. １８．前記圧電層の厚みは約３−約５ミクロンの範囲であることを特徴とする請 求の範囲第１項記載のインクジェットヘッド変換器作製方法。
19. １９．前記圧電層の他方の面に接して少なくとも１電極を形成する工程を備えて いることを特徴とする請求の範囲第１項記載のインクジェットヘッド変換器作製 方法。
20. ２０．内部にインクチャンバーが形成された複数の開口部を有した基板と、前記 基板内の各インクチャンバーに対応するオリフィスが複数形成され、前記基板に 一方の側に取り付けられているオリフィスプレートと、前記基板の反対側に配設 されている薄膜圧電変換器素子とから構成されており、前記変換器素子は厚みが 約１−２５ミクロンの範囲にある圧電フィルムで構成されており、また前記チャ ンバーの各々に隣接して配置されている電極部を備えており、前記変換器素子の 対応部を選択的に駆動して前記隣倭チャンバーの容積を変化させることを特徴と するインクジェット装置用インクジェットヘッド。
21. ２１．前記圧電層の厚みは約２ミクロンから約１０ミクロンの範囲であることを 特徴とする請求の範囲第２０項記載のインクジェットヘッド。
22. ２２．前記圧電層の厚みは約３ミクロンから約５ミクロンの範囲であることを特 徴とする請求の範囲第２０項記載のインクジェットヘッド。
23. ２３．前記基板はソリッドステート回路の製造に適していることを特徴とする請 求の範囲第２０項記載のインクジェットヘッド。
24. ２４．前記基板上に形成された前記インクジェットヘッド用の変換器駆動回路を 備えていることを特徴とする請求の範囲第２３項記載のインクジェットヘッド。
25. ２５．前記基板上に形成された前記インクジェットヘッド用の記憶回路を形成す る段階を備えていることを特徴とする請求の範囲第２３項記載のインクジェット ヘッド。
26. ２６．前記基板上に形成された前記インクジェットヘッドの温度制御用の温度制 御回路を備えていることを特徴とする請求の範囲第２３項記載のインクジェット ヘッド。
27. ２７．前記基板上に形成された前記インクジェットヘッドの加熱用薄膜ヒーター を備えていることを特徴とする請求の範囲第２３項記載のインクジェットヘッド 。
28. ２８．前記基板上に形成されたドロップカウンター回路を備えていることを特徴 とする請求の範囲第２３項記載のインクジェットヘッド。
29. ２９．前記基板はシリコンであることを特徴とする請求の範囲第２３項記載のイ ンクジェットヘッド。
30. ３０．前記圧電層と前記インクチャンバーとの中間に膜手段が挟装されているこ とを特徴とする請求の範囲第２０項記載のインクジェットヘッド。
31. ３１．前記膜の反対側表面には膜と２層から成る圧電層が積層されていることを 特徴とする請求の範囲第２０項記載のインクジェットヘッド。
32. ３２．変換器素子が複数積層されており、当該変換器は前記基板上に配設され、 電極が形成された圧電フィルムで構成されており、電気信号に基づいて結合動作 （ｊｏｉｎｔ　ｏｐｅｒａｔｉｏｎ）を行わせることを特徴とする請求の範囲第 ２０項記載のインクジェットヘッド。
33. ３３．前記電極手段は、前記圧電層の両面に積層された複数の電極で構成されて いることを特徴とする請求の範囲第２０項記載のインクジェットヘッド。