JP3521708B2 - インクジェット式記録ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents
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- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、インクジェット式
記録ヘッドの改良に関する。特に、従来より薄い圧力室
基板を用いても製造上の歩留まりを悪化させない製造方
法を提供することにより、高解像度化に対応可能なイン
クジェット式記録ヘッドを提供するものである。
記録ヘッドの改良に関する。特に、従来より薄い圧力室
基板を用いても製造上の歩留まりを悪化させない製造方
法を提供することにより、高解像度化に対応可能なイン
クジェット式記録ヘッドを提供するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のインクジェット式記録ヘッドは、
圧力室基板と、圧力室基板の一面に貼り付けられるノズ
ル板と、圧力室基板の他方の面に設けられる振動板と、
を備えていた。圧力室基板は、シリコンウェハに、イン
クを溜める圧力室を複数形成して構成され、各圧力室
（キャビティ）に対応してノズル穴が配置されるように
ノズル板が貼り付けられていた。振動板の圧力室の反対
面には圧電体素子が形成されていた。この構成におい
て、圧力室にインクを充填し、圧電体素子に電圧を印加
すると、圧電体が体積変化を生じ、圧力室に体積変化を
生じさせる。この圧力変化によりノズル穴からインクが
吐出されるのである。従来の技術では、シリコンウェハ
の厚みと圧力室の高さは略同じに設定されていた
圧力室基板と、圧力室基板の一面に貼り付けられるノズ
ル板と、圧力室基板の他方の面に設けられる振動板と、
を備えていた。圧力室基板は、シリコンウェハに、イン
クを溜める圧力室を複数形成して構成され、各圧力室
（キャビティ）に対応してノズル穴が配置されるように
ノズル板が貼り付けられていた。振動板の圧力室の反対
面には圧電体素子が形成されていた。この構成におい
て、圧力室にインクを充填し、圧電体素子に電圧を印加
すると、圧電体が体積変化を生じ、圧力室に体積変化を
生じさせる。この圧力変化によりノズル穴からインクが
吐出されるのである。従来の技術では、シリコンウェハ
の厚みと圧力室の高さは略同じに設定されていた
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、イン
クジェット式記録ヘッドに対する高解像度化の要請が高
まっている。インクジェット式記録ヘッドを高解像度化
するためには、圧力室の幅、高さ、および圧力室の間を
仕切る側壁の幅を小さくする必要がある。
クジェット式記録ヘッドに対する高解像度化の要請が高
まっている。インクジェット式記録ヘッドを高解像度化
するためには、圧力室の幅、高さ、および圧力室の間を
仕切る側壁の幅を小さくする必要がある。
【０００４】しかしながら、現在使用可能なシリコンウ
ェハの厚みは２００μｍ程度でありこの厚みに圧力室を
仕切る側壁の高さが限られていた。シリコンウェハの厚
みをこれより薄くすると、シリコンウェハの機械的強度
が保てなくなって、圧力室の形成プロセスにおいてシリ
コンウェハの破損等を招く等、取り扱い上問題があっ
た。
ェハの厚みは２００μｍ程度でありこの厚みに圧力室を
仕切る側壁の高さが限られていた。シリコンウェハの厚
みをこれより薄くすると、シリコンウェハの機械的強度
が保てなくなって、圧力室の形成プロセスにおいてシリ
コンウェハの破損等を招く等、取り扱い上問題があっ
た。
【０００５】このため厚みの薄い圧力室基板を圧電体素
子とは別に形成し、圧電体素子の形成には別の基台を用
い、最後に圧力室基板と圧電体素子とを貼り合わせるこ
とが考えられる。このようにすれば圧力室基板を圧電体
素子の形成のために多工程に流す必要がなくなって、薄
い圧力室基板を用いる弊害を除去できるからである。
子とは別に形成し、圧電体素子の形成には別の基台を用
い、最後に圧力室基板と圧電体素子とを貼り合わせるこ
とが考えられる。このようにすれば圧力室基板を圧電体
素子の形成のために多工程に流す必要がなくなって、薄
い圧力室基板を用いる弊害を除去できるからである。
【０００６】ところが、圧電体素子の高さは、わずかに
数μｍであるため、圧電体素子の形成後に、圧電体素子
に影響を与えることなく、圧電体素子を基台から剥離す
ることが困難である。
数μｍであるため、圧電体素子の形成後に、圧電体素子
に影響を与えることなく、圧電体素子を基台から剥離す
ることが困難である。
【０００７】上記問題点に鑑み、本発明の第１の課題
は、厚みの薄い圧力室基板を備えることにより、高解像
度化に対応したインクジェット記録ヘッドを提供するこ
とである。
は、厚みの薄い圧力室基板を備えることにより、高解像
度化に対応したインクジェット記録ヘッドを提供するこ
とである。
【０００８】本発明の第２の課題は、厚みの薄い圧力室
基板を圧電体素子とは別工程で形成させることにより、
製造上の歩留まりを向上させ、もって低コスト化が図る
ことのできるインクジェット式記録ヘッドの製造方法を
提供することである。
基板を圧電体素子とは別工程で形成させることにより、
製造上の歩留まりを向上させ、もって低コスト化が図る
ことのできるインクジェット式記録ヘッドの製造方法を
提供することである。
【０００９】本発明の第３の課題は、圧力室基板とは別
工程で形成された圧電体素子を基台から確実に剥離させ
ることにより、製造上の歩留まりを向上させ、もって低
コスト化を図ることのできるインクジェット式記録ヘッ
ドの製造方法を提供することである。
工程で形成された圧電体素子を基台から確実に剥離させ
ることにより、製造上の歩留まりを向上させ、もって低
コスト化を図ることのできるインクジェット式記録ヘッ
ドの製造方法を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記第１の課題を解決す
る発明は、圧電体素子に電圧を印加することによりイン
クを吐出可能に構成されたインクジェット式記録ヘッド
において、（ａ） インクを吐出可能なノズルを有する
圧力室を、各ノズルが同一方向に開口するよう形成して
構成された圧力室基板と、（ｂ） ノズルが設けられた
面と異なる圧力室基板の一面に、各圧力室を密封するよ
うに形成された共通電極膜と、（ｃ） 共通電極膜上の
各圧力室に対応する位置に各々形成された、圧電体薄膜
および上電極を含む圧電体素子と、（ｄ） １以上の圧
電体素子を内部に納める蓋状構造を備え、その内部がイ
ンクのリザーバを形成するリザーバ部材と、を備えて構
成される。
る発明は、圧電体素子に電圧を印加することによりイン
クを吐出可能に構成されたインクジェット式記録ヘッド
において、（ａ） インクを吐出可能なノズルを有する
圧力室を、各ノズルが同一方向に開口するよう形成して
構成された圧力室基板と、（ｂ） ノズルが設けられた
面と異なる圧力室基板の一面に、各圧力室を密封するよ
うに形成された共通電極膜と、（ｃ） 共通電極膜上の
各圧力室に対応する位置に各々形成された、圧電体薄膜
および上電極を含む圧電体素子と、（ｄ） １以上の圧
電体素子を内部に納める蓋状構造を備え、その内部がイ
ンクのリザーバを形成するリザーバ部材と、を備えて構
成される。
【００１１】本発明のインクジェット式記録ヘッドは、
ノズルと圧力室とが同一部材により一体成形されて構成
される。
ノズルと圧力室とが同一部材により一体成形されて構成
される。
【００１２】
【課題を解決する手段】本発明は、圧電体素子に電圧を
印加して体積変化を生じさせることによって圧力室に設
けられたノズルからインクを吐出可能に構成されたイン
クジェット式記録ヘッドの製造方法であって、光透過性
を備えた基台に、光の照射により剥離を生ずる剥離層を
形成する剥離層形成工程と、前記剥離層の上に、共通電
極膜を形成する共通電極膜形成工程と、前記共通電極膜
上に、圧電体素子を複数形成する圧電体素子形成工程
と、１以上の前記圧電体素子を内部に納める蓋状構造を
備え、その内部がインクのリザーバを形成するリザーバ
部材を形成するリザーバ形成工程と、前記基台側から前
記剥離層に所定の光を照射することによって、当該基台
を剥離する剥離工程と、前記基台が剥離された共通電極
膜に、前記圧力室が複数設けられた圧力室基板を、各前
記圧力室を密閉するように貼り合わせる貼り合わせ工程
と、を備えたことを特徴とする。
印加して体積変化を生じさせることによって圧力室に設
けられたノズルからインクを吐出可能に構成されたイン
クジェット式記録ヘッドの製造方法であって、光透過性
を備えた基台に、光の照射により剥離を生ずる剥離層を
形成する剥離層形成工程と、前記剥離層の上に、共通電
極膜を形成する共通電極膜形成工程と、前記共通電極膜
上に、圧電体素子を複数形成する圧電体素子形成工程
と、１以上の前記圧電体素子を内部に納める蓋状構造を
備え、その内部がインクのリザーバを形成するリザーバ
部材を形成するリザーバ形成工程と、前記基台側から前
記剥離層に所定の光を照射することによって、当該基台
を剥離する剥離工程と、前記基台が剥離された共通電極
膜に、前記圧力室が複数設けられた圧力室基板を、各前
記圧力室を密閉するように貼り合わせる貼り合わせ工程
と、を備えたことを特徴とする。
【００１３】又本発明は、圧電体素子に電圧を印加して
体積変化を生じさせることによって圧力室に設けられた
ノズルからインクを吐出可能に構成されたインクジェッ
ト式記録ヘッドの製造方法であって、光透過性を備えた
第１の基台に、光の照射により剥離を生ずる剥離層を形
成する剥離層形成工程と、前記剥離層の上に、共通電極
膜を形成する共通電極膜形成工程と、前記共通電極膜上
に、圧電体素子を複数形成する圧電体素子形成工程と、
前記圧電体素子を形成した面に、接着層を介して第２の
基台を接着する接着工程と、前記第１の基台側から前記
剥離層に所定の光を照射することによって、当該第１の
基台を剥離する第１剥離工程と、前記第１の基台が剥離
された共通電極膜に、前記圧力室が複数設けられた圧力
室基板を、各前記圧力室を密閉するように貼り合わせる
貼り合わせ工程と、前記第２の基台を剥離する第２剥離
工程と、を備えたことを特徴とする。
体積変化を生じさせることによって圧力室に設けられた
ノズルからインクを吐出可能に構成されたインクジェッ
ト式記録ヘッドの製造方法であって、光透過性を備えた
第１の基台に、光の照射により剥離を生ずる剥離層を形
成する剥離層形成工程と、前記剥離層の上に、共通電極
膜を形成する共通電極膜形成工程と、前記共通電極膜上
に、圧電体素子を複数形成する圧電体素子形成工程と、
前記圧電体素子を形成した面に、接着層を介して第２の
基台を接着する接着工程と、前記第１の基台側から前記
剥離層に所定の光を照射することによって、当該第１の
基台を剥離する第１剥離工程と、前記第１の基台が剥離
された共通電極膜に、前記圧力室が複数設けられた圧力
室基板を、各前記圧力室を密閉するように貼り合わせる
貼り合わせ工程と、前記第２の基台を剥離する第２剥離
工程と、を備えたことを特徴とする。
【００１４】本発明は、剥離層と共通電極膜との間にさ
らに中間層を形成する中間層形成工程を備える。
らに中間層を形成する中間層形成工程を備える。
【００１５】本発明によれば、圧電体素子形成工程は、
共通電極膜に圧電体層を積層する工程と、圧電体層に上
電極膜を形成する工程と、積層された圧電体層と上電極
膜をエッチングして圧電体素子を形成する工程と、を備
える。
共通電極膜に圧電体層を積層する工程と、圧電体層に上
電極膜を形成する工程と、積層された圧電体層と上電極
膜をエッチングして圧電体素子を形成する工程と、を備
える。
【００１６】本発明によれば、剥離層を、非晶質シリコ
ン、酸化物セラミックス、窒化物セラミックス、有機高
分子材料または金属のうちいずれかの材料を用いて形成
する。
ン、酸化物セラミックス、窒化物セラミックス、有機高
分子材料または金属のうちいずれかの材料を用いて形成
する。
【００１７】本発明によれば、圧力室基板は、鋳型に樹
脂層を形成する工程と、樹脂層を鋳型から剥離する工程
と、樹脂層にノズルに相当する穴を設ける工程と、によ
り製造される。
脂層を形成する工程と、樹脂層を鋳型から剥離する工程
と、樹脂層にノズルに相当する穴を設ける工程と、によ
り製造される。
【００１８】本発明によれば、第２剥離工程は、圧電体
素子および共通電極膜と、接着層との界面において剥離
を生じさせる。
素子および共通電極膜と、接着層との界面において剥離
を生じさせる。
【００１９】本発明によれば、第２剥離工程は、接着層
内に剥離を生じさせる。
内に剥離を生じさせる。
【００２０】本発明によれば、接着層は、エネルギーの
付与により硬化可能な物質を含んで構成される。
付与により硬化可能な物質を含んで構成される。
【００２１】本発明によれば、接着層は、熱可塑性樹脂
により構成される。
により構成される。
【００２２】本発明によれば、接着層と第２の基台との
間に中間層を形成する中間層形成工程をさらに備える。
間に中間層を形成する中間層形成工程をさらに備える。
【００２３】本発明によれば、中間層は、Ｎｉ、Ｃｒ、
Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔの中から選ばれる
一種以上の金属を含んで構成され、第２剥離工程におい
て、中間層と接着層との界面において剥離を生じさせ
る。
Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔの中から選ばれる
一種以上の金属を含んで構成され、第２剥離工程におい
て、中間層と接着層との界面において剥離を生じさせ
る。
【００２４】本発明によれば、中間層は、多孔質シリコ
ンまたは陽極酸化膜のいずれかによって構成され、第２
剥離工程において、当該中間層内または当該中間層と第
２の基台との界面において剥離を生じさせる。
ンまたは陽極酸化膜のいずれかによって構成され、第２
剥離工程において、当該中間層内または当該中間層と第
２の基台との界面において剥離を生じさせる。
【００２５】本発明によれば、中間層は、非晶質シリコ
ン、酸化物セラミックス、窒化物セラミックス、有機高
分子材料または金属のうちいずれかの材料を用いて形成
され、第２剥離工程において、第２の基台側から中間層
に所定の光を照射する事によって、当該中間層に剥離を
生じさせる。
ン、酸化物セラミックス、窒化物セラミックス、有機高
分子材料または金属のうちいずれかの材料を用いて形成
され、第２剥離工程において、第２の基台側から中間層
に所定の光を照射する事によって、当該中間層に剥離を
生じさせる。
【００２６】
【発明の実施の形態】次に、本発明の好適な実施の形態
を、図面を参照して説明する。
を、図面を参照して説明する。
【００２７】＜実施形態１＞本実施形態１は、基台に圧
電体素子を形成し、その上にリザーバ部材を形成後、圧
電体素子を基台から剥離し、別途製造した一体型の圧力
室基板と貼り合わせるインクジェット式記録ヘッドの製
造方法に関する。
電体素子を形成し、その上にリザーバ部材を形成後、圧
電体素子を基台から剥離し、別途製造した一体型の圧力
室基板と貼り合わせるインクジェット式記録ヘッドの製
造方法に関する。
【００２８】（インクジェット式記録ヘッドの構成）図
１に、本実施形態の製造方法で製造されるインクジェッ
ト式記録ヘッドが内蔵されるインクジェットプリンタの
斜視図を示す。同図に示すように、本実施形態のインク
ジェットプリンタ１００は、本発明のインクジェット式
記録ヘッド１０１、トレイ１０３等を本体１０２に備え
て構成されている。用紙１０５は、トレイ１０３に載置
される。図示しないコンピュータから印字用データが供
給されると、図示しない内部ローラが用紙１０５を本体
１０２に取り入れる。インクジェット式記録ヘッド１０
１は、用紙１０５がローラの近傍を通過するとき、同図
矢印方向に駆動され、印字が行われる。印字後の用紙１
０５は排出口１０４から排出される。
１に、本実施形態の製造方法で製造されるインクジェッ
ト式記録ヘッドが内蔵されるインクジェットプリンタの
斜視図を示す。同図に示すように、本実施形態のインク
ジェットプリンタ１００は、本発明のインクジェット式
記録ヘッド１０１、トレイ１０３等を本体１０２に備え
て構成されている。用紙１０５は、トレイ１０３に載置
される。図示しないコンピュータから印字用データが供
給されると、図示しない内部ローラが用紙１０５を本体
１０２に取り入れる。インクジェット式記録ヘッド１０
１は、用紙１０５がローラの近傍を通過するとき、同図
矢印方向に駆動され、印字が行われる。印字後の用紙１
０５は排出口１０４から排出される。
【００２９】図２に、上記インクジェット式記録ヘッド
の主要部の斜視図を示す。理解を容易にするため、一部
断面図を示す。ここでは構造の概要を説明することと
し、詳しい製造方法は後述する。同図に示すように、イ
ンクジェット式記録ヘッドの主要部は、一体成形された
圧力室基板２に、圧電体素子４が形成された共通電極膜
３を貼り合わせて構成されている。なお、同図では共通
電極膜を覆って形成されるリザーバ部材５（図３参照）
の図示を省略してある。
の主要部の斜視図を示す。理解を容易にするため、一部
断面図を示す。ここでは構造の概要を説明することと
し、詳しい製造方法は後述する。同図に示すように、イ
ンクジェット式記録ヘッドの主要部は、一体成形された
圧力室基板２に、圧電体素子４が形成された共通電極膜
３を貼り合わせて構成されている。なお、同図では共通
電極膜を覆って形成されるリザーバ部材５（図３参照）
の図示を省略してある。
【００３０】圧力室基板２は、シリコン単結晶基板等を
エッチングすることにより、各々が圧力室として機能す
るキャビティ２１が複数設けられる。各キャビティ２１
の間は側壁２２で分離される。各キャビティ２１は、供
給口２４を介して共通流路２３に繋がっている。キャビ
ティ２１を仕切る一方の面には、ノズル２５が設けられ
ている。共通電極膜３は、例えばプラチナ等により構成
され、共通電極膜３上のキャビティ２１に相当する位置
には、圧電体素子４が形成されている。共通電極膜３の
うち、共通流路２３に相当する一部に、インクタンク口
３３が設けられている。
エッチングすることにより、各々が圧力室として機能す
るキャビティ２１が複数設けられる。各キャビティ２１
の間は側壁２２で分離される。各キャビティ２１は、供
給口２４を介して共通流路２３に繋がっている。キャビ
ティ２１を仕切る一方の面には、ノズル２５が設けられ
ている。共通電極膜３は、例えばプラチナ等により構成
され、共通電極膜３上のキャビティ２１に相当する位置
には、圧電体素子４が形成されている。共通電極膜３の
うち、共通流路２３に相当する一部に、インクタンク口
３３が設けられている。
【００３１】圧電素子４は、例えばＰＺＴ等により形成
された圧電体薄膜と上電極とを積層して構成されてい
る。
された圧電体薄膜と上電極とを積層して構成されてい
る。
【００３２】さらに、図示しない駆動回路の出力端子と
各圧電体素子４の上電極を結線し、駆動回路のアース端
子と共通電極膜３とを結線して構成されている。
各圧電体素子４の上電極を結線し、駆動回路のアース端
子と共通電極膜３とを結線して構成されている。
【００３３】上記インクジェット式記録ヘッドの構成に
おいて、駆動回路を駆動して圧電体素子４に所定の電圧
を印加すれば、圧電体素子４に体積変化が生じ、キャビ
ティ２１内のインクの圧力が高まる。インクの圧力が高
まると、ノズル２５からインク敵が吐出する。
おいて、駆動回路を駆動して圧電体素子４に所定の電圧
を印加すれば、圧電体素子４に体積変化が生じ、キャビ
ティ２１内のインクの圧力が高まる。インクの圧力が高
まると、ノズル２５からインク敵が吐出する。
【００３４】（インクジェット式記録ヘッドの製造方
法）図３乃至図５を参照して本発明のインクジェット式
記録ヘッドの製造方法を説明する。これらの図は、キャ
ビティの幅方向に切断した様子を示した、インクジェッ
ト式記録ヘッドの製造工程断面図である。
法）図３乃至図５を参照して本発明のインクジェット式
記録ヘッドの製造方法を説明する。これらの図は、キャ
ビティの幅方向に切断した様子を示した、インクジェッ
ト式記録ヘッドの製造工程断面図である。
【００３５】［剥離層形成工程（図３(A)）］：剥離層
形成工程では、圧電体素子を形成するための仮の基板で
ある第１基台１０に、圧電体素子および共通電極膜を剥
離させる剥離層１１を形成する。
形成工程では、圧電体素子を形成するための仮の基板で
ある第１基台１０に、圧電体素子および共通電極膜を剥
離させる剥離層１１を形成する。
【００３６】（第１基台）第１基台１０としては、照射
光が透過しうる光透過性を有するものであって、圧電体
素子の形成プロセスに使用しうる耐熱性および耐食性を
備えるものであればよい。照射光の透過率は、１０％以
上であることがことましく、５０％以上であることがよ
り好ましい。透過率が低すぎると照射光の減衰が大きく
なり、剥離層を剥離させるのにより大きなエネルギーを
要するからである。
光が透過しうる光透過性を有するものであって、圧電体
素子の形成プロセスに使用しうる耐熱性および耐食性を
備えるものであればよい。照射光の透過率は、１０％以
上であることがことましく、５０％以上であることがよ
り好ましい。透過率が低すぎると照射光の減衰が大きく
なり、剥離層を剥離させるのにより大きなエネルギーを
要するからである。
【００３７】耐熱性については、形成プロセスによっ
て、例えば４００℃〜９００℃以上となることがあるた
め、これらの温度に耐えられる性質を備えていることが
好ましい。基台が耐熱性に優れていれば、圧電体素子の
形成条件において、温度設定が自由に行えるからであ
る。
て、例えば４００℃〜９００℃以上となることがあるた
め、これらの温度に耐えられる性質を備えていることが
好ましい。基台が耐熱性に優れていれば、圧電体素子の
形成条件において、温度設定が自由に行えるからであ
る。
【００３８】基台は、被転写層である圧電体素子形成時
の最高温度をＴｍａｘとしたとき、歪点がＴｍａｘ以上
の材料の構成されていることが好ましい。具体的には、
歪点が３５０℃以上であることが好ましく、５００℃以
上であることがさらに好ましい。このような材料として
は、例えば、石英ガラス、ソーダガラス、コーニング７
０５９、日本電気ガラスＯＡ―２等の耐熱性ガラスがあ
る。特に、石英ガラスは、耐熱性に優れいるので好まし
い。その歪点は、通常のガラスが４００℃〜６００℃で
あるのに対し、１０００℃である。
の最高温度をＴｍａｘとしたとき、歪点がＴｍａｘ以上
の材料の構成されていることが好ましい。具体的には、
歪点が３５０℃以上であることが好ましく、５００℃以
上であることがさらに好ましい。このような材料として
は、例えば、石英ガラス、ソーダガラス、コーニング７
０５９、日本電気ガラスＯＡ―２等の耐熱性ガラスがあ
る。特に、石英ガラスは、耐熱性に優れいるので好まし
い。その歪点は、通常のガラスが４００℃〜６００℃で
あるのに対し、１０００℃である。
【００３９】基台の厚さには、大きな制限要素はない
が、０．１ｍｍ〜０．５ｍｍ程度であることが好まし
く、０．５ｍｍ〜１．５ｍｍであることがより好まし
い。基板の厚みが薄すぎると強度の低下を招き、逆に厚
すぎると、基台の透過率が低い場合に照射光の減衰を招
くからである。ただし、基台の照射光の透過率が高い場
合には、前記上限値を超えてその厚みを厚くすることが
できる。
が、０．１ｍｍ〜０．５ｍｍ程度であることが好まし
く、０．５ｍｍ〜１．５ｍｍであることがより好まし
い。基板の厚みが薄すぎると強度の低下を招き、逆に厚
すぎると、基台の透過率が低い場合に照射光の減衰を招
くからである。ただし、基台の照射光の透過率が高い場
合には、前記上限値を超えてその厚みを厚くすることが
できる。
【００４０】また、照射光を均等に剥離層に届かせるた
めに、基台の厚みは均一であることが好ましい。
めに、基台の厚みは均一であることが好ましい。
【００４１】（剥離層）剥離層１１は、レーザ光等の照
射光により当該層内や界面において剥離（「層内剥離」
または「界面剥離」ともいう）を生じさせるための層で
ある。すなわち、剥離層内では、一定の強度の光が照射
されることにより、構成物質を構成する原子または分子
における原子間または分子間の結合力が消失しまたは減
少し、アブレーション(ablation)等を生じ、剥離を起こ
す。また、照射光の照射により、剥離層から気体が放出
され、剥離に至る場合もある。剥離層に含有されていた
成分が気体となって放出され剥離に至る場合と、剥離層
が光を吸収して気体になり、その蒸気が放出されて剥離
に至る場合とがある。
射光により当該層内や界面において剥離（「層内剥離」
または「界面剥離」ともいう）を生じさせるための層で
ある。すなわち、剥離層内では、一定の強度の光が照射
されることにより、構成物質を構成する原子または分子
における原子間または分子間の結合力が消失しまたは減
少し、アブレーション(ablation)等を生じ、剥離を起こ
す。また、照射光の照射により、剥離層から気体が放出
され、剥離に至る場合もある。剥離層に含有されていた
成分が気体となって放出され剥離に至る場合と、剥離層
が光を吸収して気体になり、その蒸気が放出されて剥離
に至る場合とがある。
【００４２】このような剥離層の組成としては、以下が
考えられる。
考えられる。
【００４３】１) 非晶質シリコン(ａ−Ｓｉ)
この非晶質シリコン中には、Ｈ（水素）が含有されてい
てもよい。水素の含有量は、２ａｔ％程度以上であるこ
とが好ましく、２〜２０ａｔ％であることがさらに好ま
しい。水素が含有されていると、光の照射により水素が
放出されることにより剥離層に内圧が発生し、これが剥
離を促進するからである。水素の含有量は、成膜条件に
よって調整する。例えば、ＣＶＤ法を用いる場合には、
そのガス組成、ガス圧力、ガス雰囲気、ガス流量、ガス
温度、基板温度、投入する光のパワー等の条件を適宜設
定することによって調整する。
てもよい。水素の含有量は、２ａｔ％程度以上であるこ
とが好ましく、２〜２０ａｔ％であることがさらに好ま
しい。水素が含有されていると、光の照射により水素が
放出されることにより剥離層に内圧が発生し、これが剥
離を促進するからである。水素の含有量は、成膜条件に
よって調整する。例えば、ＣＶＤ法を用いる場合には、
そのガス組成、ガス圧力、ガス雰囲気、ガス流量、ガス
温度、基板温度、投入する光のパワー等の条件を適宜設
定することによって調整する。
【００４４】２) 酸化ケイ素若しくはケイ酸化合物、
酸化チタン若しくはチタン酸化合物、 酸化ジルコニウム若しくはジルコン酸化合物、酸化ラン
タン若しくはランタン酸化合物等の各種酸化物セラミッ
クス、または誘電体あるいは半導体酸化ケイ素として
は、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｏ2が挙げられる。珪酸化
合物としては、例えばＫ2Ｓｉ3、Ｌｉ2ＳｉＯ3、ＣａＳ
ｉＯ3、ＺｒＳｉＯ4、Ｎａ2ＳＯ3が挙げられる。
酸化チタン若しくはチタン酸化合物、 酸化ジルコニウム若しくはジルコン酸化合物、酸化ラン
タン若しくはランタン酸化合物等の各種酸化物セラミッ
クス、または誘電体あるいは半導体酸化ケイ素として
は、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｏ2が挙げられる。珪酸化
合物としては、例えばＫ2Ｓｉ3、Ｌｉ2ＳｉＯ3、ＣａＳ
ｉＯ3、ＺｒＳｉＯ4、Ｎａ2ＳＯ3が挙げられる。
【００４５】酸化チタンとしては、ＴｉＯ、Ｔｉ2Ｏ3、
ＴｉＯ2が挙げられる。チタン酸化合物としては、例え
ばＢａＴｉＯ4、ＢａＴｉＯ3、Ｂａ2Ｔｉ9Ｏ20、ＢａＴ
ｉ5Ｏ11、ＣａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3、ＰｂＴｉ3，Ｍｇ
ＴｉＯ3、ＺｒＴｉ2，ＳｎＴｉＯ4，Ａｌ2Ｔｉ5，Ｆｅ
ＴｉＯ3が挙げられる。
ＴｉＯ2が挙げられる。チタン酸化合物としては、例え
ばＢａＴｉＯ4、ＢａＴｉＯ3、Ｂａ2Ｔｉ9Ｏ20、ＢａＴ
ｉ5Ｏ11、ＣａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3、ＰｂＴｉ3，Ｍｇ
ＴｉＯ3、ＺｒＴｉ2，ＳｎＴｉＯ4，Ａｌ2Ｔｉ5，Ｆｅ
ＴｉＯ3が挙げられる。
【００４６】酸化ジルコニウムとしては、ＺｒＯ2が挙
げられる。ジルコン酸化合物としては、例えば、ＢａＺ
ｒＯ3、ＺｒＳｉＯ4、ＰｂＺｒＯ3、ＭｇＺｒＯ3、Ｋ2
ＺｒＯ3が挙げられる。
げられる。ジルコン酸化合物としては、例えば、ＢａＺ
ｒＯ3、ＺｒＳｉＯ4、ＰｂＺｒＯ3、ＭｇＺｒＯ3、Ｋ2
ＺｒＯ3が挙げられる。
【００４７】３) 窒化ケイ素、窒化アルミ、窒化チタ
ン等の窒化物セラミックス ４) 有機高分子材料 有機高分子材料としては、―ＣＨ2−、−ＣＯ−（ケト
ン）、−ＣＯＮＨ−（アド）、−ＮＨ−（イミド）、−
ＣＯＯ−（エステル）、−Ｎ＝Ｎ−（アゾ）、−ＣＨ＝
Ｎ−（シフ）等の結合（光の照射によりこれらの原子間
結合が切断される）を有するもの、特に、これらの結合
を多く有するものであれば、他の組成であってもよい。
ン等の窒化物セラミックス ４) 有機高分子材料 有機高分子材料としては、―ＣＨ2−、−ＣＯ−（ケト
ン）、−ＣＯＮＨ−（アド）、−ＮＨ−（イミド）、−
ＣＯＯ−（エステル）、−Ｎ＝Ｎ−（アゾ）、−ＣＨ＝
Ｎ−（シフ）等の結合（光の照射によりこれらの原子間
結合が切断される）を有するもの、特に、これらの結合
を多く有するものであれば、他の組成であってもよい。
【００４８】また、有機高分子材料は、構成式中に、芳
香族炭化水素（１または２以上のベンゼン環またはその
縮合環）を有するものであってもよい。このような有機
高分子材料の具体例としては、ポリエチレン、ポリプロ
ピレンのようなポリオレフィン、ポリイミド、ポリアミ
ド、ポリエステル、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭ
Ａ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリエ
ーテルスルホン（ＰＥＳ）、エポキシ樹脂等が挙げられ
る。
香族炭化水素（１または２以上のベンゼン環またはその
縮合環）を有するものであってもよい。このような有機
高分子材料の具体例としては、ポリエチレン、ポリプロ
ピレンのようなポリオレフィン、ポリイミド、ポリアミ
ド、ポリエステル、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭ
Ａ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリエ
ーテルスルホン（ＰＥＳ）、エポキシ樹脂等が挙げられ
る。
【００４９】５) 金属
金属としては、例えば、Ａｌ、Ｌｉ、Ｔｉ、Ｍｎ，Ｉ
ｎ，Ｓｎ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｎｄ，Ｐｒ，Ｇｄ若しくは
Ｓｍ、またはこれらのうち少なくとも一種を含む合金が
挙げられる。
ｎ，Ｓｎ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｎｄ，Ｐｒ，Ｇｄ若しくは
Ｓｍ、またはこれらのうち少なくとも一種を含む合金が
挙げられる。
【００５０】（剥離層の厚み）剥離層の厚さとしては、
通常１ｎｍ〜２０μｍ程度であるのが好ましく、１０ｎ
ｍ〜２μｍ程度であるのがより好ましく、４０ｎｍ〜１
μｍ程度であるのがさらに好ましい。剥離層の厚みが薄
すぎると、形成された膜厚の均一性が失われて剥離にむ
らが生ずるからであり、剥離層の厚みが厚すぎると、剥
離に必要とされる照射光のパワー（光量）を大きくする
必要があったり、また、剥離後に残された剥離層の残渣
を除去するのに時間を要したりするからである。
通常１ｎｍ〜２０μｍ程度であるのが好ましく、１０ｎ
ｍ〜２μｍ程度であるのがより好ましく、４０ｎｍ〜１
μｍ程度であるのがさらに好ましい。剥離層の厚みが薄
すぎると、形成された膜厚の均一性が失われて剥離にむ
らが生ずるからであり、剥離層の厚みが厚すぎると、剥
離に必要とされる照射光のパワー（光量）を大きくする
必要があったり、また、剥離後に残された剥離層の残渣
を除去するのに時間を要したりするからである。
【００５１】（形成方法）剥離層の形成方法は、均一な
厚みで剥離層を形成可能な方法であればよく、剥離層の
組成や厚み等の諸条件に応じて適宜選択することが可能
である。例えば、ＣＶＤ（ＭＯＣＣＶＤ、低圧ＣＶＤ、
ＥＣＲ―ＣＶＤ含む）法、蒸着、分子線蒸着（ＭＢ）、
スパッタリング法、イオンプレーティング法、ＰＶＤ法
等の各種気相成膜法、電気メッキ、浸漬メッキ（ディッ
ピング）、無電解メッキ法等の各種メッキ法、ラングミ
ュア・ブロジェット（ＬＢ）法、スピンコート、スプレ
ーコート、ロールコート法等の塗布法、各種印刷法、転
写法、インクジェット法、粉末ジェット法等に適用でき
る。これらのうち２種以上の方法を組み合わせてもよ
い。
厚みで剥離層を形成可能な方法であればよく、剥離層の
組成や厚み等の諸条件に応じて適宜選択することが可能
である。例えば、ＣＶＤ（ＭＯＣＣＶＤ、低圧ＣＶＤ、
ＥＣＲ―ＣＶＤ含む）法、蒸着、分子線蒸着（ＭＢ）、
スパッタリング法、イオンプレーティング法、ＰＶＤ法
等の各種気相成膜法、電気メッキ、浸漬メッキ（ディッ
ピング）、無電解メッキ法等の各種メッキ法、ラングミ
ュア・ブロジェット（ＬＢ）法、スピンコート、スプレ
ーコート、ロールコート法等の塗布法、各種印刷法、転
写法、インクジェット法、粉末ジェット法等に適用でき
る。これらのうち２種以上の方法を組み合わせてもよ
い。
【００５２】特に剥離層の組成が非晶質シリコン（ａ−
Ｓｉ）の場合には、ＣＶＤ、特に低圧ＣＶＤやプラズマ
ＣＶＤにより成膜するのが好ましい。また剥離層をゾル
−ゲル(sol-gel)法によりセラミックを用いて成膜する
場合や有機高分子材料で構成する場合には、塗布法、特
にスピンコートにより成膜するのが好ましい。
Ｓｉ）の場合には、ＣＶＤ、特に低圧ＣＶＤやプラズマ
ＣＶＤにより成膜するのが好ましい。また剥離層をゾル
−ゲル(sol-gel)法によりセラミックを用いて成膜する
場合や有機高分子材料で構成する場合には、塗布法、特
にスピンコートにより成膜するのが好ましい。
【００５３】（中間層について）なお、図示していない
が、剥離層１１と共通電極膜３との間に、中間層を形成
することは好ましい。この中間層は、例えば製造時また
は使用時において被転写層を物理的または化学的に保護
する保護層、絶縁層、被転写層へのまたは被転写層から
の成分の移行（マイグレーション）を阻止するバリア
層、反射層としての機能のうち少なくとも一つを発揮す
るものである。
が、剥離層１１と共通電極膜３との間に、中間層を形成
することは好ましい。この中間層は、例えば製造時また
は使用時において被転写層を物理的または化学的に保護
する保護層、絶縁層、被転写層へのまたは被転写層から
の成分の移行（マイグレーション）を阻止するバリア
層、反射層としての機能のうち少なくとも一つを発揮す
るものである。
【００５４】この中間層の組成は、その目的に応じて適
宜選択されえる。例えば非晶質シリコンで構成された剥
離層と被転写層との間に形成される中間層の場合には、
ＳｉＯ2等の酸化ケイ素が挙げられる。また、他の中間
層の組成としては、例えば、Ｐｔ、Ａｕ、Ｗ，Ｔａ，Ｍ
ｏ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｔｉまたはこれらを主成分とする合金
のような金属が挙げられる。
宜選択されえる。例えば非晶質シリコンで構成された剥
離層と被転写層との間に形成される中間層の場合には、
ＳｉＯ2等の酸化ケイ素が挙げられる。また、他の中間
層の組成としては、例えば、Ｐｔ、Ａｕ、Ｗ，Ｔａ，Ｍ
ｏ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｔｉまたはこれらを主成分とする合金
のような金属が挙げられる。
【００５５】中間層の厚みは、その形成目的に応じて適
宜決定される。通常は、１０ｎｍ〜５μｍ程度であるの
が好ましく、４０ｎｍ〜１μｍ程度であるのがより好ま
しい。
宜決定される。通常は、１０ｎｍ〜５μｍ程度であるの
が好ましく、４０ｎｍ〜１μｍ程度であるのがより好ま
しい。
【００５６】中間層の形成方法としては、前記剥離層で
説明した各種の方法が適用可能である。中間層は、一層
で形成する他、同一または異なる組成を有する複数の材
料を用いて二層以上形成することもできる。
説明した各種の方法が適用可能である。中間層は、一層
で形成する他、同一または異なる組成を有する複数の材
料を用いて二層以上形成することもできる。
【００５７】［共通電極膜形成工程（図３（Ｂ））］：
共通電極膜形成工程では、剥離層１１の上に、共通電極
膜３を形成する工程である。共通電極膜は、圧電体素子
の一方の電極として機能する。
共通電極膜形成工程では、剥離層１１の上に、共通電極
膜３を形成する工程である。共通電極膜は、圧電体素子
の一方の電極として機能する。
【００５８】共通電極膜３の組成は、導電率が高く、圧
電体素子形成時の温度に耐えられるものであれば、特に
限定がない。例えば、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｌ、ＮｉまたはＩ
ｎ等を適用することができる。
電体素子形成時の温度に耐えられるものであれば、特に
限定がない。例えば、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｌ、ＮｉまたはＩ
ｎ等を適用することができる。
【００５９】共通電極膜３の形成方法としては、その組
成や厚みに応じて適宜適当な方法を選択すればよい。例
えば、スパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ法、電気メッ
キ法、無電界メッキ法等が使用できる。
成や厚みに応じて適宜適当な方法を選択すればよい。例
えば、スパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ法、電気メッ
キ法、無電界メッキ法等が使用できる。
【００６０】［圧電体素子形成工程（図３（Ｃ））］：
圧電体素子形成工程は、共通電極膜３の上に、所定の厚
みで圧電体薄膜４１および上電極膜４２を形成する工程
である。
圧電体素子形成工程は、共通電極膜３の上に、所定の厚
みで圧電体薄膜４１および上電極膜４２を形成する工程
である。
【００６１】圧電体薄膜４１の組成としては、ジルコン
酸チタン酸鉛（ＰＺＴ）等に代表される強誘電性セラミ
ックスが最適である。
酸チタン酸鉛（ＰＺＴ）等に代表される強誘電性セラミ
ックスが最適である。
【００６２】圧電体薄膜の形成は、ゾル−ゲル法により
行うのが好ましい。ゾル−ゲル法は、所定の成分に調整
したＰＺＴ系ゾルを共通電極膜３の上に塗布し、焼成す
るという工程を所定回数繰り返すことによって行われ
る。塗布方法としては、スピンコート法、ロールコート
法、ダイコート法等を使用可能である。所定回数塗布と
焼成を繰り返した後、全体を本焼成すれば、ペロブスカ
イト（perovskite）結晶構造を有する圧電体薄膜４１が
形成される。なお、ゾル−ゲル法の他に、スパッタリン
グ法も適用できる。
行うのが好ましい。ゾル−ゲル法は、所定の成分に調整
したＰＺＴ系ゾルを共通電極膜３の上に塗布し、焼成す
るという工程を所定回数繰り返すことによって行われ
る。塗布方法としては、スピンコート法、ロールコート
法、ダイコート法等を使用可能である。所定回数塗布と
焼成を繰り返した後、全体を本焼成すれば、ペロブスカ
イト（perovskite）結晶構造を有する圧電体薄膜４１が
形成される。なお、ゾル−ゲル法の他に、スパッタリン
グ法も適用できる。
【００６３】上電極膜４２の組成および形成方法につい
ては、共通電極膜３と同様である。
ては、共通電極膜３と同様である。
【００６４】［エッチング工程（図３（Ｄ））］：エッ
チング工程では、上電極膜および圧電体薄膜をエッチン
グして圧電体素子の形状に成形する。
チング工程では、上電極膜および圧電体薄膜をエッチン
グして圧電体素子の形状に成形する。
【００６５】エッチング法としては、異方性が優れるド
ライエッチングを用いることが好ましい。上電極膜４２
上に、圧電体素子の形状にパターン化したレジストを設
けてからエッチングする。エッチングガスを適宜選択す
ることによってエッチングレートを調整する。そして、
エッチング時間を管理し、レジストが設けられていない
領域の上電極膜４２および圧電体薄膜４１を除去し、共
通電極膜３を露出させる。エッチング後、レジストをア
ッシングして除去する。
ライエッチングを用いることが好ましい。上電極膜４２
上に、圧電体素子の形状にパターン化したレジストを設
けてからエッチングする。エッチングガスを適宜選択す
ることによってエッチングレートを調整する。そして、
エッチング時間を管理し、レジストが設けられていない
領域の上電極膜４２および圧電体薄膜４１を除去し、共
通電極膜３を露出させる。エッチング後、レジストをア
ッシングして除去する。
【００６６】［リザーバ形成工程（図４（Ｅ））］：リ
ザーバ形成工程では、リザーバ部材を圧電体素子に覆っ
て形成する。リザーバ部材５は、その断面が同図に示す
ようにコの字状の蓋のようになっている部材である。そ
の一部には、外部のインクタンクからインクを供給する
ための開口が設けられている（図示せず）。
ザーバ形成工程では、リザーバ部材を圧電体素子に覆っ
て形成する。リザーバ部材５は、その断面が同図に示す
ようにコの字状の蓋のようになっている部材である。そ
の一部には、外部のインクタンクからインクを供給する
ための開口が設けられている（図示せず）。
【００６７】リザーバ部材５は、一定の機械的強度とイ
ンクに対する耐久性を有していればよく、特に耐熱性は
要求されない。したがってリザーバ部材の組成として
は、樹脂、シリコン、ガラス、金属等任意の材料を選択
できる。
ンクに対する耐久性を有していればよく、特に耐熱性は
要求されない。したがってリザーバ部材の組成として
は、樹脂、シリコン、ガラス、金属等任意の材料を選択
できる。
【００６８】リザーバ部材５を貼り合わせる前に、各圧
電体素子４に対する配線を行っておく。つまり、図示し
ない駆動回路の各出力端子とかく圧電体素子４の上電極
４２とを結線し、駆動回路の接地端子と共通電極膜３と
を結線しておく。その後、リザーバ部材５を、圧電体素
子４を覆うように貼り合わせる。リザーバ部材５の内側
は、インクのリザーバ５１を形成する。貼り合わせに使
用する樹脂は任意に選択することができる。
電体素子４に対する配線を行っておく。つまり、図示し
ない駆動回路の各出力端子とかく圧電体素子４の上電極
４２とを結線し、駆動回路の接地端子と共通電極膜３と
を結線しておく。その後、リザーバ部材５を、圧電体素
子４を覆うように貼り合わせる。リザーバ部材５の内側
は、インクのリザーバ５１を形成する。貼り合わせに使
用する樹脂は任意に選択することができる。
【００６９】［剥離工程（図４（Ｆ））］：剥離工程で
は、第１基台１０の裏側（同図では下側）から光６０を
照射して、剥離層１１にアブレーションを生じさせて、
第１基台１０を剥離する。
は、第１基台１０の裏側（同図では下側）から光６０を
照射して、剥離層１１にアブレーションを生じさせて、
第１基台１０を剥離する。
【００７０】照射光により剥離層に生ずる層内剥離が生
ずるか、界面剥離が生ずるか、または層内剥離が生ずる
かは、剥離層の組成や、照射光、その他の要因により定
まる。その要因としては、例えば、照射光の種類、波
長、強度、到達深さ等が挙げられる。
ずるか、界面剥離が生ずるか、または層内剥離が生ずる
かは、剥離層の組成や、照射光、その他の要因により定
まる。その要因としては、例えば、照射光の種類、波
長、強度、到達深さ等が挙げられる。
【００７１】照射光としては、剥離層に層内剥離および
／または界面剥離を起こさせるものであればいかなるも
のでもよく、例えば、Ｘ線、紫外線、可視光、赤外線
（熱線）、レーザ光、ミリ波、マイクロ波等の各波長の
電磁波が適用できる。また電子線であっても放射線（α
線、β線、γ線）等であってもよい。それらの中でも、
剥離層にアブレーションを生じさせ易いという点で、レ
ーザ光が好ましい。
／または界面剥離を起こさせるものであればいかなるも
のでもよく、例えば、Ｘ線、紫外線、可視光、赤外線
（熱線）、レーザ光、ミリ波、マイクロ波等の各波長の
電磁波が適用できる。また電子線であっても放射線（α
線、β線、γ線）等であってもよい。それらの中でも、
剥離層にアブレーションを生じさせ易いという点で、レ
ーザ光が好ましい。
【００７２】このレーザ光を発生させるレーザ装置とし
ては、各種気体レーザ、個体レーザ（半導体レーザ）等
が挙げられるが、特にエキシマレーザ、Ｎｄ−ＹＡＧレ
ーザ、アルゴンレーザ、ＣＯ2レーザ、ＣＯレーザ、Ｈ
ｅ−Ｎｅレーザ等が好ましく、その中でもエシキマレー
ザが特に好ましい。エキシマレーザは、短波長域で高エ
ネルギーを出力するため、極めて短時間で剥離層にアブ
レーションを生じさせることができる。このため隣接す
る層や近接する層に温度上昇を生じさせることがほとん
どなく、層の劣化や損傷を可能な限り少なくして剥離を
達成することができる。
ては、各種気体レーザ、個体レーザ（半導体レーザ）等
が挙げられるが、特にエキシマレーザ、Ｎｄ−ＹＡＧレ
ーザ、アルゴンレーザ、ＣＯ2レーザ、ＣＯレーザ、Ｈ
ｅ−Ｎｅレーザ等が好ましく、その中でもエシキマレー
ザが特に好ましい。エキシマレーザは、短波長域で高エ
ネルギーを出力するため、極めて短時間で剥離層にアブ
レーションを生じさせることができる。このため隣接す
る層や近接する層に温度上昇を生じさせることがほとん
どなく、層の劣化や損傷を可能な限り少なくして剥離を
達成することができる。
【００７３】剥離層１１に、アブレーションを生じる波
長依存性がある場合、照射されるレーザ光の波長は、１
００ｎｍ〜３５０ｎｍ程度であることが好ましい。剥離
層に、ガス放出、気化または昇華等の層変化を起こさせ
るためには、照射されるレーザ光の波長は、３５０ｎｍ
〜１２００ｎｍ程度であることが好ましい。
長依存性がある場合、照射されるレーザ光の波長は、１
００ｎｍ〜３５０ｎｍ程度であることが好ましい。剥離
層に、ガス放出、気化または昇華等の層変化を起こさせ
るためには、照射されるレーザ光の波長は、３５０ｎｍ
〜１２００ｎｍ程度であることが好ましい。
【００７４】また、照射されるレーザ光のエネルギー密
度は、エキシマレーザの場合、１０〜５０００ｍＪ／ｃ
ｍ2程度とするのが好ましい。照射時間は、１〜１００
０ｎｓｅｃ程度とするのが好ましく、１０〜１００ｎｓ
ｅｃ程度とするのがより好ましい。エネルギー密度が低
いか照射時間が短いと、十分なアブレーションが生ぜ
ず、エネルギー密度が高いか照射時間が長いと、剥離層
や中間層を透過した照射光により、被転写層へ悪影響を
及ぼすことがある。
度は、エキシマレーザの場合、１０〜５０００ｍＪ／ｃ
ｍ2程度とするのが好ましい。照射時間は、１〜１００
０ｎｓｅｃ程度とするのが好ましく、１０〜１００ｎｓ
ｅｃ程度とするのがより好ましい。エネルギー密度が低
いか照射時間が短いと、十分なアブレーションが生ぜ
ず、エネルギー密度が高いか照射時間が長いと、剥離層
や中間層を透過した照射光により、被転写層へ悪影響を
及ぼすことがある。
【００７５】光の照射は、その強度が均一となるように
照射するのが好ましい。光の照射方向は、剥離層に対し
垂直な方向に限らず、剥離層に対し所定角傾斜した方向
であってもよい。また、剥離層の面積が照射光１回の照
射面積より大きい場合には、剥離層全領域に対し、複数
回に分け光を照射してもよい。また、同一箇所に複数回
照射してもよい。また、異なる種類、異なる波長（波長
域）の光を同一領域または異なる領域に複数回照射して
もよい。
照射するのが好ましい。光の照射方向は、剥離層に対し
垂直な方向に限らず、剥離層に対し所定角傾斜した方向
であってもよい。また、剥離層の面積が照射光１回の照
射面積より大きい場合には、剥離層全領域に対し、複数
回に分け光を照射してもよい。また、同一箇所に複数回
照射してもよい。また、異なる種類、異なる波長（波長
域）の光を同一領域または異なる領域に複数回照射して
もよい。
【００７６】第１基台１０の剥離後、共通電極膜３に剥
離層の残さがある場合には、洗浄してこれを除去する。
離層の残さがある場合には、洗浄してこれを除去する。
【００７７】［貼り合わせ工程（図４（Ｇ））］：貼り
合わせ工程は、共通電極膜３に、別工程で製造した圧力
室基板２を貼り合わせる工程である。圧力室基板の製造
方法を、図５を参照して簡単に説明する。
合わせ工程は、共通電極膜３に、別工程で製造した圧力
室基板２を貼り合わせる工程である。圧力室基板の製造
方法を、図５を参照して簡単に説明する。
【００７８】原盤製造工程（図５（Ａ））： まず、圧
力室基板２を転写するための原盤１６を製造する。原盤
１６は、母材に、キャビティ２１や共通流路２３以外の
領域に沿ってパターンを形成してから、所定の深さまで
エッチングすることにより製造される。母材、すなわち
原盤の組成は、エッチング可能であればよく、シリコン
の他、ガラス、石英、樹脂、金属、セラミックスあるい
はフィルム等が使用できる。パターンを形成するための
レジストには、クレゾールノボラック系樹脂に、感光剤
としてジアゾナフトキノン誘導体を配合したポジ型レジ
スト等をそのまま適用できる。レジスト層は、スピンコ
ート法、ディッピング法、スプレーコート法、ロールコ
ート法、バーコート法により形成する。
力室基板２を転写するための原盤１６を製造する。原盤
１６は、母材に、キャビティ２１や共通流路２３以外の
領域に沿ってパターンを形成してから、所定の深さまで
エッチングすることにより製造される。母材、すなわち
原盤の組成は、エッチング可能であればよく、シリコン
の他、ガラス、石英、樹脂、金属、セラミックスあるい
はフィルム等が使用できる。パターンを形成するための
レジストには、クレゾールノボラック系樹脂に、感光剤
としてジアゾナフトキノン誘導体を配合したポジ型レジ
スト等をそのまま適用できる。レジスト層は、スピンコ
ート法、ディッピング法、スプレーコート法、ロールコ
ート法、バーコート法により形成する。
【００７９】露光した後、所定の条件により現像処理す
ると、露光領域のレジストが選択的に除去される。この
状態でさらにエッチングを施すと、側壁２２に対応する
部分などがエッチングされ、圧力室基板２を製造するた
めの鋳型ができる。エッチング法としては、ウェット方
式やドライ方式を選択する。母材の材質およびエッチン
グ断面形状、エッチングレート等の諸条件に併せて適当
に選択する。
ると、露光領域のレジストが選択的に除去される。この
状態でさらにエッチングを施すと、側壁２２に対応する
部分などがエッチングされ、圧力室基板２を製造するた
めの鋳型ができる。エッチング法としては、ウェット方
式やドライ方式を選択する。母材の材質およびエッチン
グ断面形状、エッチングレート等の諸条件に併せて適当
に選択する。
【００８０】エッチング後にレジストを除去して、原盤
１６とする。
１６とする。
【００８１】なお、エッチングにおいて、エッチングの
深さは、圧力室基板上に形成される側壁２２等に相当す
る高さと同等にする。側壁の高さは、例えば、７２０ｄ
ｐｉの解像度を有するインクジェット式記録ヘッドで
は、約２００μｍに設計される。
深さは、圧力室基板上に形成される側壁２２等に相当す
る高さと同等にする。側壁の高さは、例えば、７２０ｄ
ｐｉの解像度を有するインクジェット式記録ヘッドで
は、約２００μｍに設計される。
【００８２】基板成形工程（図５（Ｂ））： 原盤１６
の形成後、原盤１６の表面に、基板材料２ｂを塗布、固
化させて、圧力室基板２を成形する。基板材料として
は、インクジェット用の圧力室基板として要求される機
械的強度や耐食性等の特性を満足するものであれば、そ
の組成に特に限定がないが、光、熱、または光若しくは
熱の双方を用いて硬化する材料であることが好ましい。
このような材料を用いる場合には、汎用の露光装置やベ
イク炉、ホットプレートが利用でき、低コスト化と省ス
ペース化が図れるからである。このような物質として
は、例えばアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、メラミン
系樹脂、ノボラック系樹脂、スチレン系樹脂若しくはポ
リイミド系等の合成樹脂、またはポリシラザン等のケイ
素系ポリマが使用できる。基板材料に溶剤成分を含む場
合には、熱処理により溶剤を除去する。また、基板材料
として、熱可塑性物質を使用してもよい。例えば、数〜
数十ｗｔ％の水分を含有した水和ガラスが好適である。
の形成後、原盤１６の表面に、基板材料２ｂを塗布、固
化させて、圧力室基板２を成形する。基板材料として
は、インクジェット用の圧力室基板として要求される機
械的強度や耐食性等の特性を満足するものであれば、そ
の組成に特に限定がないが、光、熱、または光若しくは
熱の双方を用いて硬化する材料であることが好ましい。
このような材料を用いる場合には、汎用の露光装置やベ
イク炉、ホットプレートが利用でき、低コスト化と省ス
ペース化が図れるからである。このような物質として
は、例えばアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、メラミン
系樹脂、ノボラック系樹脂、スチレン系樹脂若しくはポ
リイミド系等の合成樹脂、またはポリシラザン等のケイ
素系ポリマが使用できる。基板材料に溶剤成分を含む場
合には、熱処理により溶剤を除去する。また、基板材料
として、熱可塑性物質を使用してもよい。例えば、数〜
数十ｗｔ％の水分を含有した水和ガラスが好適である。
【００８３】基板材料の塗布方法には、スピンコート
法、ディッピング法、スプレーコート法、ロールコート
法またはバーコート法等が使用できる。
法、ディッピング法、スプレーコート法、ロールコート
法またはバーコート法等が使用できる。
【００８４】基板剥離工程（図５（Ｃ））： 次いで、
固化した基板材料２ｂ、すなわち圧力室基板２を原盤１
６から剥離する。
固化した基板材料２ｂ、すなわち圧力室基板２を原盤１
６から剥離する。
【００８５】剥離方法としては、原盤１６を固定し、圧
力室基板２を吸着保持して引っ張って剥離させる。原盤
と圧力室基板との密着性が高い場合には、原盤１６の凹
部形状を予めテーパ状に成形しておくとよい。また、剥
離前に、原盤と圧力室基板との界面に光を照射して、原
盤と圧力室基板との密着性を低減させ、または消失させ
てもよい。原盤と圧力室基板との界面において、原子間
または分子間の結合力が弱まったり消失したり、さらに
圧力室基板から放出された気体により分離を促進したり
するからである。光は、例えばエキシマレーザ光が好ま
しい。光を照射する場合には、原盤１６を光透過性のあ
る材料で形成する必要がある。さらに、前述した剥離層
に相当する層を、原盤１６と圧力室基板２との界面に形
成しておくことも好ましい。具体的には、上述した方法
をそのまま適用できる。
力室基板２を吸着保持して引っ張って剥離させる。原盤
と圧力室基板との密着性が高い場合には、原盤１６の凹
部形状を予めテーパ状に成形しておくとよい。また、剥
離前に、原盤と圧力室基板との界面に光を照射して、原
盤と圧力室基板との密着性を低減させ、または消失させ
てもよい。原盤と圧力室基板との界面において、原子間
または分子間の結合力が弱まったり消失したり、さらに
圧力室基板から放出された気体により分離を促進したり
するからである。光は、例えばエキシマレーザ光が好ま
しい。光を照射する場合には、原盤１６を光透過性のあ
る材料で形成する必要がある。さらに、前述した剥離層
に相当する層を、原盤１６と圧力室基板２との界面に形
成しておくことも好ましい。具体的には、上述した方法
をそのまま適用できる。
【００８６】ノズル形成工程（図５（Ｄ））： 剥離さ
れた圧力室基板２にノズル２５を形成する。
れた圧力室基板２にノズル２５を形成する。
【００８７】ノズル２５の成形方法には特に制限はな
い。例えば、リソグラフィ法、レーザ加工、ＦＩＢ加
工、放電加工等種々の方法が適用できる。
い。例えば、リソグラフィ法、レーザ加工、ＦＩＢ加
工、放電加工等種々の方法が適用できる。
【００８８】以上の工程によって製造された圧力室基板
２を、リザーバ部材５が貼り合わせられた共通電極膜３
に貼り合わせる。圧力室基板２のノズルが設けられてい
ない方の面と共通電極膜３とを、各キャビティ２１がそ
れぞれ圧電体素子４に対応するように貼り合わせる。
２を、リザーバ部材５が貼り合わせられた共通電極膜３
に貼り合わせる。圧力室基板２のノズルが設けられてい
ない方の面と共通電極膜３とを、各キャビティ２１がそ
れぞれ圧電体素子４に対応するように貼り合わせる。
【００８９】上記実施形態１によれば、第１基台上で圧
電体素子を形成し、厚みの薄い圧力室基板を別工程で製
造し、最後に圧電体素子と圧力室基板を貼り合わせるの
で、圧力室基板が機械的に弱いものであっても歩留まり
よくインクジェット式記録ヘッドを製造できる。したが
って、圧力室基板を従来より薄く成形することができる
ため、高解像度のインクジェット式記録ヘッドを製造す
ることができる。
電体素子を形成し、厚みの薄い圧力室基板を別工程で製
造し、最後に圧電体素子と圧力室基板を貼り合わせるの
で、圧力室基板が機械的に弱いものであっても歩留まり
よくインクジェット式記録ヘッドを製造できる。したが
って、圧力室基板を従来より薄く成形することができる
ため、高解像度のインクジェット式記録ヘッドを製造す
ることができる。
【００９０】＜実施形態２＞本実施形態２は、基台に形
成した圧電体素子を一旦別の基台に接着し、その後に圧
力室基板を貼り合わせ、最後にリザーバ部材を貼り付け
るインクジェット式記録ヘッドの製造方法に関する。
成した圧電体素子を一旦別の基台に接着し、その後に圧
力室基板を貼り合わせ、最後にリザーバ部材を貼り付け
るインクジェット式記録ヘッドの製造方法に関する。
【００９１】本実施形態２において、製造されるインク
ジェット式記録ヘッドの構造は、上記実施形態１と同様
なので説明を省略する。
ジェット式記録ヘッドの構造は、上記実施形態１と同様
なので説明を省略する。
【００９２】（インクジェット式記録ヘッドの製造方
法）図６乃至図７を参照して本発明のインクジェット式
記録ヘッドの製造方法を説明する。これらの図は、キャ
ビティの幅方向に切断した様子を示した、インクジェッ
ト式記録ヘッドの製造工程断面図である。
法）図６乃至図７を参照して本発明のインクジェット式
記録ヘッドの製造方法を説明する。これらの図は、キャ
ビティの幅方向に切断した様子を示した、インクジェッ
ト式記録ヘッドの製造工程断面図である。
【００９３】［剥離層形成工程、共通電極膜形成工程、
圧電体素子形成工程（図６(Ａ)）およびエッチング工程
（同図（Ｂ））］：これらの工程については、上記実施
形態１の剥離層形成工程（図３（Ａ））、共通電極膜形
成工程（同図（Ｂ））、圧電体素子形成工程（同図
（Ｃ））およびエッチング工程（同図（Ｄ））とそれぞ
れ同様なので、その説明を省略する。
圧電体素子形成工程（図６(Ａ)）およびエッチング工程
（同図（Ｂ））］：これらの工程については、上記実施
形態１の剥離層形成工程（図３（Ａ））、共通電極膜形
成工程（同図（Ｂ））、圧電体素子形成工程（同図
（Ｃ））およびエッチング工程（同図（Ｄ））とそれぞ
れ同様なので、その説明を省略する。
【００９４】［接着工程（図６（Ｃ））］：接着工程
は、第１基台１０の圧電体素子４を形成した面と第２基
台１２とを接着剤を用いて接着する工程である。
は、第１基台１０の圧電体素子４を形成した面と第２基
台１２とを接着剤を用いて接着する工程である。
【００９５】第２基台１２の組成としては、上記実施形
態１の第１基台１０と同様なので、その説明を省略す
る。
態１の第１基台１０と同様なので、その説明を省略す
る。
【００９６】接着層１３に用いる接着剤の組成として
は、例えば、エポキシ系、アクリレート系、シリコーン
系等いかなる接着剤でも適用することが可能である。こ
れらの接着剤は、後述する第２剥離工程において、接着
層の界面に剥離を生じさせるか層内に剥離を生じさせる
かに応じて定める。
は、例えば、エポキシ系、アクリレート系、シリコーン
系等いかなる接着剤でも適用することが可能である。こ
れらの接着剤は、後述する第２剥離工程において、接着
層の界面に剥離を生じさせるか層内に剥離を生じさせる
かに応じて定める。
【００９７】ただし、本実施形態では光、熱または光若
しくは熱の双方の付与により、接着層内部に層内剥離を
生じさせる必要がある。このため、熱可塑性樹脂である
か、組成中に、―ＣＨ2−、−ＣＯ−（ケトン）、−Ｃ
ＯＮＨ−（アド）、−ＮＨ−（イミド）、−ＣＯＯ−
（エステル）、−Ｎ＝Ｎ−（アゾ）、−ＣＨ＝Ｎ−（シ
フ）等の結合（光の照射によりこれらの原子間結合が切
断される）を有するものであることが好ましい。また、
構成式中に、芳香族炭化水素（１または２以上のベンゼ
ン環またはその縮合環）を有するものであってもよい。
このような有機高分子材料の具体例としては、ポリエチ
レン、ポリプロピレンのようなポリオレフィン系樹脂、
ポリイミド系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリエステル系
樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、メラミン系樹
脂、フェノール系樹脂等が挙げられる。
しくは熱の双方の付与により、接着層内部に層内剥離を
生じさせる必要がある。このため、熱可塑性樹脂である
か、組成中に、―ＣＨ2−、−ＣＯ−（ケトン）、−Ｃ
ＯＮＨ−（アド）、−ＮＨ−（イミド）、−ＣＯＯ−
（エステル）、−Ｎ＝Ｎ−（アゾ）、−ＣＨ＝Ｎ−（シ
フ）等の結合（光の照射によりこれらの原子間結合が切
断される）を有するものであることが好ましい。また、
構成式中に、芳香族炭化水素（１または２以上のベンゼ
ン環またはその縮合環）を有するものであってもよい。
このような有機高分子材料の具体例としては、ポリエチ
レン、ポリプロピレンのようなポリオレフィン系樹脂、
ポリイミド系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリエステル系
樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、メラミン系樹
脂、フェノール系樹脂等が挙げられる。
【００９８】接着層１３は、例えば塗布法によって形成
される。硬化型接着剤を用いる場合は、例えば被転写層
である圧電体素子４の面上に硬化型接着剤を塗布し、そ
れに第２基台１２を密着させた後、硬化型接着剤の特性
に応じた硬化方法により、前記硬化型接着剤を硬化させ
て、被転写層と第２基台１２とを接着する。
される。硬化型接着剤を用いる場合は、例えば被転写層
である圧電体素子４の面上に硬化型接着剤を塗布し、そ
れに第２基台１２を密着させた後、硬化型接着剤の特性
に応じた硬化方法により、前記硬化型接着剤を硬化させ
て、被転写層と第２基台１２とを接着する。
【００９９】光硬化型接着剤を用いる場合は、光硬化型
接着剤を被転写層上に塗布し、光透過性の第２基台１２
を未硬化の接着層上に配置した後、第２基台側から硬化
用の光を照射して接着剤を硬化させることが好ましい。
接着剤を被転写層上に塗布し、光透過性の第２基台１２
を未硬化の接着層上に配置した後、第２基台側から硬化
用の光を照射して接着剤を硬化させることが好ましい。
【０１００】なお、第２基台１２側に接着層１３を形成
し、その上に被転写層を接着してもよい。
し、その上に被転写層を接着してもよい。
【０１０１】［第１剥離工程（図６（Ｄ））および貼り
合わせ工程（図７（Ｅ））］：第１剥離工程および貼り
合わせ工程については、上記実施形態１の剥離工程（図
４（Ｆ））および貼り合わせ工程（図４（Ｇ））と同様
なので、説明を省略する。圧力室基板２の製造方法につ
いても、上記実施形態１と同様である（図５）。
合わせ工程（図７（Ｅ））］：第１剥離工程および貼り
合わせ工程については、上記実施形態１の剥離工程（図
４（Ｆ））および貼り合わせ工程（図４（Ｇ））と同様
なので、説明を省略する。圧力室基板２の製造方法につ
いても、上記実施形態１と同様である（図５）。
【０１０２】［第２剥離工程（図７（Ｆ））］：第２剥
離工程は、接着層１３の層内で剥離を生じさせて第２基
台１２を圧力室基板２側から剥離する工程である。
離工程は、接着層１３の層内で剥離を生じさせて第２基
台１２を圧力室基板２側から剥離する工程である。
【０１０３】本工程では、接着層１３に所定のエネルギ
ーを加えることにより、接着層に剥離を生じさせる。接
着層に熱可塑性樹脂を用いた場合には、熱可塑性樹脂の
転移温度を超えた熱を全体に加えて、剥離を生じさせ
る。
ーを加えることにより、接着層に剥離を生じさせる。接
着層に熱可塑性樹脂を用いた場合には、熱可塑性樹脂の
転移温度を超えた熱を全体に加えて、剥離を生じさせ
る。
【０１０４】接着層に、光の照射により層内剥離を生じ
る上記材料を用いた場合には、第２基台１２の上部から
光を照射して、剥離を生じさせる。
る上記材料を用いた場合には、第２基台１２の上部から
光を照射して、剥離を生じさせる。
【０１０５】［洗浄工程（同図（Ｇ））］：洗浄工程で
は、層内剥離により、圧電体素子４の周辺に残された接
着剤を除去する。接着剤を除去するためには、圧電体素
子や共通電極膜に影響を与えない溶剤を用いる。例え
ば、アセトン、イソプロピルアルコール、エチレングリ
コールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリ
コールモノメチルエーテルアセテート、ベンゼン、キシ
レン、クレゾール、クロロベンゼン、トルエン、酢酸ブ
チル、ノルマルヘキサン、シクロヘキサン、メチルエチ
ルケトン、ジクロロメタン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムア
ミド、ジメチルスルホキシド等の溶剤を用いる。
は、層内剥離により、圧電体素子４の周辺に残された接
着剤を除去する。接着剤を除去するためには、圧電体素
子や共通電極膜に影響を与えない溶剤を用いる。例え
ば、アセトン、イソプロピルアルコール、エチレングリ
コールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリ
コールモノメチルエーテルアセテート、ベンゼン、キシ
レン、クレゾール、クロロベンゼン、トルエン、酢酸ブ
チル、ノルマルヘキサン、シクロヘキサン、メチルエチ
ルケトン、ジクロロメタン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムア
ミド、ジメチルスルホキシド等の溶剤を用いる。
【０１０６】［リザーバ形成工程（同図（Ｈ））］：リ
ザーバ部材形成工程は、接着剤が除去された圧電体素子
を覆ってリザーバ部材５を貼り合わせる工程である。そ
の詳細は、上記実施形態１のリザーバ形成工程（図４
（Ｅ））と同様なので、説明を省略する。
ザーバ部材形成工程は、接着剤が除去された圧電体素子
を覆ってリザーバ部材５を貼り合わせる工程である。そ
の詳細は、上記実施形態１のリザーバ形成工程（図４
（Ｅ））と同様なので、説明を省略する。
【０１０７】なお、本実施形態では、接着剤の組成と剥
離方法を適宜適切なものに選択することによって、圧電
体素子４および共通電極膜３と、接着層１３との界面で
剥離を生じさせることが可能である。例えば、接着剤と
して、圧電体素子４および共通電極膜３との密着性より
第２基台との密着性の方が大きい接着剤を選択した場合
には、図８に示すように、圧電体素子４および共通電極
膜３と接着層１３の界面から剥離を生じさせることが可
能である。このように剥離を生ずれば、洗浄工程におけ
る洗浄が簡単で済むという利点がある。
離方法を適宜適切なものに選択することによって、圧電
体素子４および共通電極膜３と、接着層１３との界面で
剥離を生じさせることが可能である。例えば、接着剤と
して、圧電体素子４および共通電極膜３との密着性より
第２基台との密着性の方が大きい接着剤を選択した場合
には、図８に示すように、圧電体素子４および共通電極
膜３と接着層１３の界面から剥離を生じさせることが可
能である。このように剥離を生ずれば、洗浄工程におけ
る洗浄が簡単で済むという利点がある。
【０１０８】上記したように、本実施形態２によれば、
第１基台上で圧電体素子を形成し、第２基台と貼り合わ
せてから、第１基台を剥離する。また、厚みの薄い圧力
室基板を別工程で製造し、最後に圧電体素子と圧力室基
板を貼り合わせるので、圧力室基板が機械的に弱いもの
であっても歩留まりよくインクジェット式記録ヘッドを
製造できる。したがって、圧力室基板を従来より薄く成
形することができるため、高解像度のインクジェット式
記録ヘッドを製造することができる。
第１基台上で圧電体素子を形成し、第２基台と貼り合わ
せてから、第１基台を剥離する。また、厚みの薄い圧力
室基板を別工程で製造し、最後に圧電体素子と圧力室基
板を貼り合わせるので、圧力室基板が機械的に弱いもの
であっても歩留まりよくインクジェット式記録ヘッドを
製造できる。したがって、圧力室基板を従来より薄く成
形することができるため、高解像度のインクジェット式
記録ヘッドを製造することができる。
【０１０９】特に、本実施形態２によれば、第１基台を
剥離する前に、圧電体素子等を第２基台に接着層により
固定するので、製造工程における圧電体素子の取り扱い
が容易かつ安全であるという利点を有する。
剥離する前に、圧電体素子等を第２基台に接着層により
固定するので、製造工程における圧電体素子の取り扱い
が容易かつ安全であるという利点を有する。
【０１１０】＜実施形態３＞本発明の実施形態３は、上
記実施形態２における接着工程および第２剥離工程の変
形例を与えるものである。
記実施形態２における接着工程および第２剥離工程の変
形例を与えるものである。
【０１１１】本実施形態のインクジェット式記録ヘッド
およびその製造方法は概略上記実施形態と同様である。
ただし、前記接着工程（図６（Ｃ））に先駆けて中間層
１４を設けて、それから第２基台１２を接着する点で異
なる。
およびその製造方法は概略上記実施形態と同様である。
ただし、前記接着工程（図６（Ｃ））に先駆けて中間層
１４を設けて、それから第２基台１２を接着する点で異
なる。
【０１１２】［接着工程の変形（図９（Ａ））］：接着
工程の前に、第２基台１２に中間層１４を予め形成す
る。
工程の前に、第２基台１２に中間層１４を予め形成す
る。
【０１１３】中間層１４の組成としては、接着層１３と
の界面で剥離を生じ易い組成、すなわち、接着層１３と
の密着性が低い組成を適用する。
の界面で剥離を生じ易い組成、すなわち、接着層１３と
の密着性が低い組成を適用する。
【０１１４】例えば、接着層１３にアクリレート系の接
着剤を用いた場合、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａ
ｇ、Ａｕ、Ｐｔの中から選ばれる一種以上の金属を含ん
だ組成を適用することができる。これらの金属は、一般
に、アクリレート系の接着剤との密着性が低く、スパッ
タリング、蒸着、ＣＶＤといった真空成膜法を用いるこ
とにより制御性よく成膜できる。
着剤を用いた場合、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａ
ｇ、Ａｕ、Ｐｔの中から選ばれる一種以上の金属を含ん
だ組成を適用することができる。これらの金属は、一般
に、アクリレート系の接着剤との密着性が低く、スパッ
タリング、蒸着、ＣＶＤといった真空成膜法を用いるこ
とにより制御性よく成膜できる。
【０１１５】また、中間層１４の組成としては、中間層
１４内または中間層１４と第２基台１２との界面での剥
離を生じ易い組成を適用することができる。このような
組成としては、上記した剥離層１１と同様な組成の他、
多孔質シリコンあるいはアルミナ等の陽極酸化膜を挙げ
ることができる。
１４内または中間層１４と第２基台１２との界面での剥
離を生じ易い組成を適用することができる。このような
組成としては、上記した剥離層１１と同様な組成の他、
多孔質シリコンあるいはアルミナ等の陽極酸化膜を挙げ
ることができる。
【０１１６】［第２剥離工程の変形（同図（Ｂ））］：
接着層１３から第２基台１２を剥離するためには、上記
した剥離層１１と同様な組成の中間層１４を用いた場合
には、図９（Ｂ）に示すように、第２基台１２側から中
間層１４に光（レーザ光）６０を照射して剥離を生じさ
せる。
接着層１３から第２基台１２を剥離するためには、上記
した剥離層１１と同様な組成の中間層１４を用いた場合
には、図９（Ｂ）に示すように、第２基台１２側から中
間層１４に光（レーザ光）６０を照射して剥離を生じさ
せる。
【０１１７】さらに多孔質シリコンを用いる場合には、
切削することにより中間層１４の層内や中間層１４と第
２基台１２との界面で剥離することが可能である。また
陽極酸化膜を用いる場合には、切削することにより中間
層１４の層内で、また電界を欠けたり機械的に、例えば
切削等により、中間層１４の層内や中間層１４と第２基
台１２との界面で剥離させることが可能である。圧力室
基板２に残された接着層１３は、溶剤処理等を用いて洗
浄し除去すればよい。
切削することにより中間層１４の層内や中間層１４と第
２基台１２との界面で剥離することが可能である。また
陽極酸化膜を用いる場合には、切削することにより中間
層１４の層内で、また電界を欠けたり機械的に、例えば
切削等により、中間層１４の層内や中間層１４と第２基
台１２との界面で剥離させることが可能である。圧力室
基板２に残された接着層１３は、溶剤処理等を用いて洗
浄し除去すればよい。
【０１１８】上記したように、本実施形態３によれば、
中間層を設けたので、圧力室基板と第２基台とを容易に
剥離させることが可能である。
中間層を設けたので、圧力室基板と第２基台とを容易に
剥離させることが可能である。
【０１１９】
【発明の効果】本発明によれば、厚みの薄い圧力室基板
を備えたので、高解像度化に対応できるインクジェット
記録ヘッドを提供することができる。
を備えたので、高解像度化に対応できるインクジェット
記録ヘッドを提供することができる。
【０１２０】本発明のインクジェット式記録ヘッドの製
造方法によれば、厚みの薄い圧力室基板を圧電体素子と
は別工程で形成させたので、製造上の歩留まりを向上さ
せ、もって低コスト化を図ることができる。
造方法によれば、厚みの薄い圧力室基板を圧電体素子と
は別工程で形成させたので、製造上の歩留まりを向上さ
せ、もって低コスト化を図ることができる。
【０１２１】本発明のインクジェット式記録ヘッドの製
造方法によれば、圧力室基板とは別工程で形成された圧
電体素子を基台から確実に剥離させる製造方法を提供し
たので、製造上の歩留まりを向上させ、もって低コスト
化を図ることができる。
造方法によれば、圧力室基板とは別工程で形成された圧
電体素子を基台から確実に剥離させる製造方法を提供し
たので、製造上の歩留まりを向上させ、もって低コスト
化を図ることができる。
【図１】本発明のインクジェットプリンタの斜視図であ
る。
る。
【図２】本発明のインクジェット式記録ヘッドの主要部
の斜視図および一部断面図である。
の斜視図および一部断面図である。
【図３】実施形態１のインクジェット式記録ヘッドの製
造工程断面図である。（Ａ）は剥離層形成工程、（Ｂ）
は共通電極膜形成工程、（Ｃ）は圧電体素子形成工程、
（Ｄ）はエッチング工程である。
造工程断面図である。（Ａ）は剥離層形成工程、（Ｂ）
は共通電極膜形成工程、（Ｃ）は圧電体素子形成工程、
（Ｄ）はエッチング工程である。
【図４】実施形態１のインクジェット式記録ヘッドの製
造工程断面図である。（Ｅ）はリザーバ形成工程、
（Ｆ）は剥離工程、（Ｇ）は貼り合わせ工程、および
（Ｄ）は完成断面図である。
造工程断面図である。（Ｅ）はリザーバ形成工程、
（Ｆ）は剥離工程、（Ｇ）は貼り合わせ工程、および
（Ｄ）は完成断面図である。
【図５】圧力室基板の製造工程断面図である。（Ａ）は
原盤製造工程、（Ｂ）は基板成形工程、（Ｃ）は剥離工
程、および（Ｄ）はノズル形成工程である。
原盤製造工程、（Ｂ）は基板成形工程、（Ｃ）は剥離工
程、および（Ｄ）はノズル形成工程である。
【図６】実施形態２のインクジェット式記録ヘッドの製
造工程断面図である。（Ａ）は圧電体素子形成工程、
（Ｂ）はエッチング工程、（Ｃ）は接着工程、および
（Ｄ）は第１剥離工程である。
造工程断面図である。（Ａ）は圧電体素子形成工程、
（Ｂ）はエッチング工程、（Ｃ）は接着工程、および
（Ｄ）は第１剥離工程である。
【図７】実施形態２のインクジェット式記録ヘッドの製
造工程断面図である。（Ｅ）は貼り合わせ工程、（Ｆ）
は第２剥離工程、（Ｇ）は洗浄工程、および（Ｈ）はリ
ザーバ形成工程である。
造工程断面図である。（Ｅ）は貼り合わせ工程、（Ｆ）
は第２剥離工程、（Ｇ）は洗浄工程、および（Ｈ）はリ
ザーバ形成工程である。
【図８】第２剥離工程の変形例である。
【図９】実施形態３のインクジェット式記録ヘッドの製
造工程断面図である。（Ａ）は中間層形成工程および接
着工程、および（Ｂ）は第２剥離工程である。
造工程断面図である。（Ａ）は中間層形成工程および接
着工程、および（Ｂ）は第２剥離工程である。
１０１…インクジェット式記録ヘッド
２…圧力室基板
３…共通電極膜
４…圧電体素子
５…リザーバ部材
１０…第１基台
１１…剥離層
１２…第２基台
１３…接着層
１４…中間層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
B41J 2/16
B41J 2/045
B41J 2/055
Claims (14)
- 【請求項１】 圧電体素子に電圧を印加して体積変化を
生じさせることによって圧力室に設けられたノズルから
インクを吐出可能に構成されたインクジェット式記録ヘ
ッドの製造方法であって、 光透過性を備えた基台に、光の照射により剥離を生ずる
剥離層を形成する剥離層形成工程と、 前記剥離層の上に、共通電極膜を形成する共通電極膜形
成工程と、 前記共通電極膜上に、圧電体素子を複数形成する圧電体
素子形成工程と、 １以上の前記圧電体素子を内部に納める蓋状構造を備
え、その内部がインクのリザーバを形成するリザーバ部
材を形成するリザーバ形成工程と、 前記基台側から前記剥離層に所定の光を照射することに
よって、前記剥離層に剥離を生じさせ、当該基台を剥離
する剥離工程と、 前記基台が剥離された共通電極膜に、前記圧力室が複数
設けられた圧力室基板を、各前記圧力室を密閉するよう
に貼り合わせる貼り合わせ工程と、を備えたことを特徴
とするインクジェット式記録ヘッドの製造方法。 - 【請求項２】 圧電体素子に電圧を印加して体積変化を
生じさせることによって圧力室に設けられたノズルから
インクを吐出可能に構成されたインクジェット式記録ヘ
ッドの製造方法であって、 光透過性を備えた第１の基台に、光の照射により剥離を
生ずる剥離層を形成する剥離層形成工程と、 前記剥離層の上に、共通電極膜を形成する共通電極膜形
成工程と、 前記共通電極膜上に、圧電体素子を複数形成する圧電体
素子形成工程と、 前記圧電体素子を形成した面に、接着層を介して第２の
基台を接着する接着工程と、 前記第１の基台側から前記剥離層に所定の光を照射する
ことによって、当該第１の基台を剥離する第１剥離工程
と、 前記第１の基台が剥離された共通電極膜に、前記圧力室
が複数設けられた圧力室基板を、各前記圧力室を密閉す
るように貼り合わせる貼り合わせ工程と、 前記第２の基台を剥離する第２剥離工程と、を備えたこ
とを特徴とするインクジェット式記録ヘッドの製造方
法。 - 【請求項３】 前記剥離層と前記共通電極膜との間にさ
らに中間層を形成する中間層形成工程を備える請求項１
または請求項２に記載のインクジェット式記録ヘッドの
製造方法。 - 【請求項４】 前記圧電体素子形成工程は、前記共通電
極膜に圧電体層を積層する工程と、前記圧電体層に上電
極膜を形成する工程と、積層された前記圧電体層と前記
上電極膜をエッチングして圧電体素子を形成する工程
と、を備える請求項1または請求項２に記載のインクジ
ェット式記録ヘッドの製造方法。 - 【請求項５】 前記剥離層を、非晶質シリコン、酸化物
セラミックス、窒化物セラミックス、有機高分子材料ま
たは金属のうちいずれかの材料を用いて形成する請求項
１または請求項２に記載のインクジェット式記録ヘッド
の製造方法。 - 【請求項６】 前記圧力室基板は、鋳型に樹脂層を形成
する工程と、前記樹脂層を前記鋳型から剥離する工程
と、前記樹脂層にノズルに相当する穴を設ける工程と、
により製造される請求項１または請求項２に記載のイン
クジェット式記録ヘッドの製造方法。 - 【請求項７】 前記第２剥離工程は、前記圧電体素子お
よび共通電極膜と、前記接着層との界面において剥離を
生じさせる請求項２に記載のインクジェット式記録ヘッ
ドの製造方法。 - 【請求項８】 前記第２剥離工程は、前記接着層内に剥
離を生じさせる請求項２に記載のインクジェット式記録
ヘッドの製造方法。 - 【請求項９】 前記接着層は、エネルギーの付与により
硬化可能な物質を含んで構成される請求項７または請求
項８のいずれか一項に記載のインクジェット式記録ヘッ
ドの製造方法。 - 【請求項１０】 前記接着層は、熱可塑性樹脂により構
成される請求項７または請求項８のいずれか一項に記載
のインクジェット式記録ヘッドの製造方法。 - 【請求項１１】 前記接着層と前記第２の基台との間に
中間層を形成する中間層形成工程をさらに備える請求項
２に記載のインクジェット式記録ヘッドの製造方法。 - 【請求項１２】 前記中間層は、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａ
ｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔの中から選ばれる一種以上
の金属を含んで構成され、前記第２剥離工程において、
当該中間層と前記接着層との界面において剥離を生じさ
せる請求項１１に記載のインクジェット式記録ヘッドの
製造方法。 - 【請求項１３】 前記中間層は、多孔質シリコンまたは
陽極酸化膜のいずれかによって構成され、前記第２剥離
工程において、当該中間層内または当該中間層と第２の
基台との界面において剥離を生じさせる請求項１１に記
載のインクジェット式記録ヘッドの製造方法。 - 【請求項１４】 前記中間層は、非晶質シリコン、酸化
物セラミックス、窒化物セラミックス、有機高分子材料
または金属のうちいずれかの材料を用いて形成され、前
記第２剥離工程において、前記第２の基台側から当該中
間層に所定の光を照射する事によって、当該中間層に剥
離を生じさせる請求項１１に記載のインクジェット式記
録ヘッドの製造方法。
Priority Applications (10)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26720697A JP3521708B2 (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | インクジェット式記録ヘッドおよびその製造方法 |
| CNB988014459A CN1146503C (zh) | 1997-09-30 | 1998-09-30 | 喷墨头及其制造方法 |
| EP98945549A EP0949078B1 (en) | 1997-09-30 | 1998-09-30 | Ink jet type recording head and method of producing same |
| PCT/JP1998/004419 WO1999016623A1 (fr) | 1997-09-30 | 1998-09-30 | Tete d'impression de type a jet d'encre et procede de production de ladite tete |
| TW087116327A TW418159B (en) | 1997-09-30 | 1998-09-30 | Ink jet recording head and its manufacture |
| DE69832587T DE69832587T2 (de) | 1997-09-30 | 1998-09-30 | Tintenstrahlaufzeichnungskopf und verfahren zu dessen herstellung |
| KR1019997004794A KR100561924B1 (ko) | 1997-09-30 | 1998-09-30 | 잉크젯식 기록헤드 및 그 제조방법 |
| US09/319,011 US6523236B1 (en) | 1997-09-30 | 1998-09-30 | Manufacturing method for an ink jet recording head |
| US10/315,556 US6862783B2 (en) | 1997-09-30 | 2002-12-09 | Manufacturing method for an ink jet recording head |
| US10/315,847 US6869171B2 (en) | 1997-09-30 | 2002-12-09 | Ink jet recording head |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26720697A JP3521708B2 (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | インクジェット式記録ヘッドおよびその製造方法 |
Related Child Applications (1)
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|---|---|---|---|
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11105279A JPH11105279A (ja) | 1999-04-20 |
| JP3521708B2 true JP3521708B2 (ja) | 2004-04-19 |
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|---|---|---|---|
| JP26720697A Expired - Fee Related JP3521708B2 (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | インクジェット式記録ヘッドおよびその製造方法 |
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| ATE438952T1 (de) * | 2000-02-22 | 2009-08-15 | Nxp Bv | Verfahren zur herstellung eines auf einem trägersubstrat geformten piezoelektrischen filters mit einem akustischen resonator auf einer akustischen reflektorschicht |
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| KR100397604B1 (ko) | 2000-07-18 | 2003-09-13 | 삼성전자주식회사 | 버블 젯 방식의 잉크 젯 프린트 헤드 및 그 제조방법 |
| US20020158947A1 (en) * | 2001-04-27 | 2002-10-31 | Isaku Kanno | Piezoelectric element, method for manufacturing piezoelectric element, and ink jet head and ink jet recording apparatus having piezoelectric element |
| DE60316486T2 (de) | 2002-02-19 | 2008-01-17 | Brother Kogyo K.K., Nagoya | Verfahren zur Herstellung eines Tintenstrahldruckkopfs |
| US7052117B2 (en) | 2002-07-03 | 2006-05-30 | Dimatix, Inc. | Printhead having a thin pre-fired piezoelectric layer |
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| JP2004319538A (ja) * | 2003-04-10 | 2004-11-11 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法、集積回路、電子光学装置及び電子機器 |
| JP4307203B2 (ja) * | 2003-09-29 | 2009-08-05 | 富士フイルム株式会社 | 液滴噴射装置 |
| US7179718B2 (en) * | 2003-10-17 | 2007-02-20 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Structure and method of manufacturing the same |
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