JP2007144767A - 液滴吐出ヘッドの製造方法、液滴吐出装置の製造方法及びデバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】位置決め作業が簡易かつ正確になり、接合工程中に割れが発生せず歩留まり向上と生産性向上等を同時に達成することができる液滴吐出ヘッドの製造方法等を得る。
【解決手段】2段形状で連通したノズル孔11をエッチング加工によって第1のシリコン基板1に形成する工程と、第1のシリコン基板1の拡径孔11b側の面に接合剥離層121,122を介して第1の支持基板120を貼り合せる工程と、第1のシリコン基板1の縮径孔11a側の面100bを薄板化して縮径孔11aの先端部を開口させる工程と、縮径孔11a側の面を撥インク処理する工程と、縮径孔11a側の面に接合剥離層131,132を介して第2の支持基板130を貼り合せる工程と、第1の支持基板120を第1のシリコン基板1より剥離したのち第1のシリコン基板1の拡径孔11b側の面をウェハ基板状態のまま第2のシリコン基板2に接合する工程とからなる。
【選択図】図1
【解決手段】2段形状で連通したノズル孔11をエッチング加工によって第1のシリコン基板1に形成する工程と、第1のシリコン基板1の拡径孔11b側の面に接合剥離層121,122を介して第1の支持基板120を貼り合せる工程と、第1のシリコン基板1の縮径孔11a側の面100bを薄板化して縮径孔11aの先端部を開口させる工程と、縮径孔11a側の面を撥インク処理する工程と、縮径孔11a側の面に接合剥離層131,132を介して第2の支持基板130を貼り合せる工程と、第1の支持基板120を第1のシリコン基板1より剥離したのち第1のシリコン基板1の拡径孔11b側の面をウェハ基板状態のまま第2のシリコン基板2に接合する工程とからなる。
【選択図】図1
Description
本発明は、液滴吐出ヘッドの製造方法、液滴吐出装置の製造方法及びデバイスの製造方法に関する。
インクジェットヘッド記録装置は、記録時の騒音が極めて小さいこと、高速印字が可能であること、インクの自由度が高く安価な普通紙を使用できることなど、多くの利点を有する。この中でも記録が必要な時にのみインク液滴を吐出する、いわゆるインク・オン・デマンド方式が、記録に不要なインク液滴の回収を必要としないため、現在主流となってきている。このインク・オン・デマンド方式のインクジェットヘッド記録装置には、インクを吐出させる方法として、駆動手段に静電気力を利用したインクジェットヘッド記録装置や、圧電振動子や発熱素子等を用いたインクジェットヘッド記録装置がある。
インクジェットヘッドは、一般に、インク滴を吐出するための複数のノズル孔が形成されたノズルプレートと、このノズルプレートに接合されノズルプレートとの間で上記ノズル孔に連通する吐出室、リザーバ等のインク流路が形成されたキャビティプレートとを備え、駆動部によって吐出室に圧力を加えることにより、選択されたノズル孔よりインク滴を吐出するようになっている。
ノズルプレートとキャビティプレートの接合方法は、各ヘッド単位に個体化されたノズルプレートを、接着剤を塗布したキャビティプレート上に各ヘッド個別の位置決め用アライメントピンを用いて位置決めし、加温と荷重を加えて固定する方法が一般的であった。
一方、ノズル孔の先端部からインク滴を吐出させるインクジェットヘッドにおいて、ノズル孔における流路抵抗を調整し最適なノズル長さになるように、基板の厚みを調整することが望ましい。このようなノズルプレートを作製する場合、シリコン基板の接合面側からICP放電を用いた異方性ドライエッチングにより内径の異なる第1のノズル孔と第2のノズル孔を2段に形成した後、接合面とは反対側の吐出面側より一部分を異方性ウェットエッチングして掘下げ、ノズル長を調整する方法が採られていた(例えば、特許文献1参照)。
一方、あらかじめシリコン基板を所望の厚みに研磨した後、シリコン基板の両面にそれぞれドライエッチング加工を施して、第1のノズル孔と第2のノズル孔を形成する方法もあった(例えば、特許文献2参照)。
一方、あらかじめシリコン基板を所望の厚みに研磨した後、シリコン基板の両面にそれぞれドライエッチング加工を施して、第1のノズル孔と第2のノズル孔を形成する方法もあった(例えば、特許文献2参照)。
各ヘッド単位に個体化されたノズルプレートを、接着剤を塗布したキャビティプレート上に、各ヘッド個別の位置決め用アライメントピンを用いて位置決めして固定する従来の接合技術では、キャビティプレートに形成されている複数のヘッドにそれぞれノズルプレートを位置決めする作業が発生するので、生産性を阻害していた。さらに、キャビティプレート上に厚みの異なるノズルプレートが混在すると、接合荷重を加えた際にキャビティプレート及びノズルプレートが割れてしまい、歩留まりが低下するという不具合が発生する。
また、特許文献1記載の技術では、ノズル孔が開口する吐出面が基板表面から深く一段下がった位置にあると、インク滴の飛行曲がりやノズル孔の目詰まりの原因となるノズル面に付着した紙粉、インク等を払拭するワイピング作業が難しくなるという問題があった。
さらに、特許文献2記載の技術では、インクジェットヘッドの高密度化が進むとシリコン基板を更に薄くしなければならないが、このような基板は製造工程中に割れ易く、そのため高価になるという問題があった。さらに、ドライエッチング加工の際に、加工形状が安定するように基板の裏面からHeガス等で冷却を行うが、ノズル孔の貫通時にHeガスがリークしてエッチングが不可能になる場合があった。一方、ノズル孔の内壁に耐インク保護膜を形成するが、保護膜を熱酸化膜で形成しようとした場合に、シリコン基板を薄くした状態では、基板が変形して熱酸化装置にセットできないといった問題がある。また、CVD、スパッタ等でノズル孔の内壁に保護膜を形成しようとした場合、ノズル孔の内壁を均一に保護膜で被覆できないという問題もあった。
さらに、特許文献2記載の技術では、インクジェットヘッドの高密度化が進むとシリコン基板を更に薄くしなければならないが、このような基板は製造工程中に割れ易く、そのため高価になるという問題があった。さらに、ドライエッチング加工の際に、加工形状が安定するように基板の裏面からHeガス等で冷却を行うが、ノズル孔の貫通時にHeガスがリークしてエッチングが不可能になる場合があった。一方、ノズル孔の内壁に耐インク保護膜を形成するが、保護膜を熱酸化膜で形成しようとした場合に、シリコン基板を薄くした状態では、基板が変形して熱酸化装置にセットできないといった問題がある。また、CVD、スパッタ等でノズル孔の内壁に保護膜を形成しようとした場合、ノズル孔の内壁を均一に保護膜で被覆できないという問題もあった。
本発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、ノズルプレートをキャビティプレート上に位置決めする際の位置決め作業が簡易かつ正確になり、また製造の全工程を通じてシリコン基板の割れを防止することができ、歩留まりの向上と生産性の向上を同時に達成することが可能な液滴吐出ヘッドの製造方法、液滴吐出装置の製造方法及びデバイスの製造方法を得ることを目的とする。
本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、縮径孔先端が基板により閉じられ拡径孔基端が基板表面に開口して2段形状で連通したノズル孔をエッチング加工によって第1のシリコン基板に形成する工程と、前記第1のシリコン基板の拡径孔側の面に接合剥離層を介して第1の支持基板を貼り合せる工程と、前記第1のシリコン基板の縮径孔側の面を薄板化して前記縮径孔の先端部を開口させる工程と、前記第1のシリコン基板の縮径孔側の面を撥インク処理する工程と、前記第1のシリコン基板の縮径孔側の面に接合剥離層を介して第2の支持基板を貼り合せる工程と、前記第1の支持基板を前記第1のシリコン基板より剥離したのち該第1のシリコン基板の拡径孔側の面をウェハ基板状態のまま第2のシリコン基板に接合する工程とからなるものである。
第1のシリコン基板にノズル孔を形成する際にノズルが最適の長さになるように基板の厚さを円滑に調整することができ、また、液滴吐出ヘッドの製造工程において第1、第2のシリコン基板の接合体が割れることなく加工できるようにしたので、歩留まりの向上と生産性の向上を同時に達成することができる。
第1のシリコン基板にノズル孔を形成する際にノズルが最適の長さになるように基板の厚さを円滑に調整することができ、また、液滴吐出ヘッドの製造工程において第1、第2のシリコン基板の接合体が割れることなく加工できるようにしたので、歩留まりの向上と生産性の向上を同時に達成することができる。
また、本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、第1のシリコン基板の拡径孔側の面をウェハ基板状態のまま第2のシリコン基板に接合する工程ののち、第2の支持基板を第1のシリコン基板より剥離する工程を含むものである。
製造の全工程においてシリコン基板の割れを防止することができ、歩留まりの向上と生産性の向上を同時に達成することができる。
製造の全工程においてシリコン基板の割れを防止することができ、歩留まりの向上と生産性の向上を同時に達成することができる。
また、本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、接合剥離層を樹脂層と剥離層とによって構成したものである。
樹脂層によってシリコン基板表面の凹凸を吸収して、シリコン基板と支持基板とを良好に接合することができる。そして、樹脂層は、シリコン基板と支持基板の線膨張係数の違いによって生ずる応力を緩和することができる。また、剥離層は、レーザ光などの光を受けて、剥離層の内部やシリコン基板との界面において層内剥離や界面剥離を生じさせることができる。
樹脂層によってシリコン基板表面の凹凸を吸収して、シリコン基板と支持基板とを良好に接合することができる。そして、樹脂層は、シリコン基板と支持基板の線膨張係数の違いによって生ずる応力を緩和することができる。また、剥離層は、レーザ光などの光を受けて、剥離層の内部やシリコン基板との界面において層内剥離や界面剥離を生じさせることができる。
また、本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、樹脂層として硬化性接着剤を用いたものである。
硬化性接着剤を用いることによって、シリコン基板と支持基板を確実に接合することができる。
硬化性接着剤を用いることによって、シリコン基板と支持基板を確実に接合することができる。
また、本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、硬化性接着剤として熱硬化性接着剤または光硬化性接着剤を用いたものである。
熱硬化性接着剤または光硬化性接着剤を用いることによって、シリコン基板と支持基板を確実に接合することができる。
熱硬化性接着剤または光硬化性接着剤を用いることによって、シリコン基板と支持基板を確実に接合することができる。
また、本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、樹脂層としてエッチング性の高い材料を主材料として用いたものである。
シリコン基板をエッチングしてノズル孔を形成する際に、樹脂層をエッチングの停止層とし、シリコン基板を完全に貫通させてノズル孔を形成することができる。
シリコン基板をエッチングしてノズル孔を形成する際に、樹脂層をエッチングの停止層とし、シリコン基板を完全に貫通させてノズル孔を形成することができる。
また、本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、剥離層として光照射によって剥離する部材を用いたものである。
一定の強度の光を受けることにより、薄板化されたシリコン基板を支持基板から容易に取り外すことができる。
一定の強度の光を受けることにより、薄板化されたシリコン基板を支持基板から容易に取り外すことができる。
また、本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、光照射によって剥離する部材として、非晶質シリコン、酸化ケイ素もしくはケイ酸化合物、窒化ケイ素、窒化アルミ、窒化チタンの窒化セラミックス及び有機高分子材料のいずれかを用いたものである。
これらの部材が光を受けることにより、剥離層を良好に剥離することができる。
これらの部材が光を受けることにより、剥離層を良好に剥離することができる。
また、本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、非晶質シリコン中に2at%以上の水素を含有したものである。
非晶質シリコンの中に水素が2at%程度以上含有されている場合は、光を受けることにより水素が放出されて剥離層に内圧が生じ、これが剥離を促進する。
非晶質シリコンの中に水素が2at%程度以上含有されている場合は、光を受けることにより水素が放出されて剥離層に内圧が生じ、これが剥離を促進する。
また、本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、非晶質シリコン中に2〜20at%の水素を含有したものである。
非晶質シリコンの中に水素が2〜20at%程度以上含有されている場合は、光を受けることにより水素が放出されて剥離層に内圧が生じ、これが剥離をより効果的に促進する。
非晶質シリコンの中に水素が2〜20at%程度以上含有されている場合は、光を受けることにより水素が放出されて剥離層に内圧が生じ、これが剥離をより効果的に促進する。
また、本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、光照射によって剥離する部材として、Al、Li、Ti、Mn、In、Sn、Y、La、Ce、Nd、Pr、Gd及びSmのいずれかの金属、またはこれらの金属のうちの少なくとも一種を含む合金を用いたものである。
これらの部材が光を受けることにより、剥離層を良好に剥離することができる。
これらの部材が光を受けることにより、剥離層を良好に剥離することができる。
また、本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、支持基板に剥離層をスピンコートしその上に樹脂層をスピンコートして接合剥離層を構成したものである。
樹脂層によってシリコン基板と支持基板を良好に接合でき、剥離層によって剥離層の内部やシリコン基板と界面において良好に剥離を生じさせることができる。
樹脂層によってシリコン基板と支持基板を良好に接合でき、剥離層によって剥離層の内部やシリコン基板と界面において良好に剥離を生じさせることができる。
また、本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、支持基板を光透過性を有する部材によって形成したものである。
支持基板に例えばガラスを用いた場合、シリコン基板から支持基板を剥離する際に光を剥離層に確実に到達させることができる。
支持基板に例えばガラスを用いた場合、シリコン基板から支持基板を剥離する際に光を剥離層に確実に到達させることができる。
また、本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、支持基板の裏面側より剥離層に光照射するようにしたものである。
支持基板に例えばガラスを用いた場合、シリコン基板から支持基板を剥離する際に、支持基板の裏面に照射される光エネルギーを剥離層に確実に到達させることができる。
支持基板に例えばガラスを用いた場合、シリコン基板から支持基板を剥離する際に、支持基板の裏面に照射される光エネルギーを剥離層に確実に到達させることができる。
また、本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、第1のシリコン基板及び第2のシリコン基板のそれぞれの2箇所以上に位置決め用アライメント孔を設け、位置決め用冶具に固定されたアライメントピンに、第1、第2のシリコン基板の位置決め用アライメント孔を貫通させて、第1のシリコン基板と第2のシリコン基板とを位置決め接合するようにしたものである。
第1のシリコン基板と第2のシリコン基板を簡易な位置決め操作によって正確に接合し、歩留まり向上と生産性向上を同時に達成することができる。
第1のシリコン基板と第2のシリコン基板を簡易な位置決め操作によって正確に接合し、歩留まり向上と生産性向上を同時に達成することができる。
また、本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、第2の支持基板に位置決め用治具のアライメントピンの干渉を防止する逃げ孔を形成したものである。
第2の支持基板に設けた逃げ孔によって、位置決め用治具のアライメントピンの干渉を防止することができる。
第2の支持基板に設けた逃げ孔によって、位置決め用治具のアライメントピンの干渉を防止することができる。
本発明に係る液滴吐出装置の製造方法は、上記いずれかに記載の液滴吐出ヘッドの製造方法を適用して液滴吐出装置を製造するようにしたものである。
このため、歩留まり向上と生産性向上を同時に達成することができる液滴吐出ヘッドを備えた液滴吐出装置を製造することができる。
このため、歩留まり向上と生産性向上を同時に達成することができる液滴吐出ヘッドを備えた液滴吐出装置を製造することができる。
本発明に係る液滴吐出ヘッドを備えたデバイスの製造方法は、上記いずれかに記載の液滴吐出ヘッドの製造方法を適用してデバイスを製造するようにしたものである。
このため、歩留まり向上と生産性向上を同時に達成することができる液滴吐出ヘッドを備えたデバイスを製造することができる。
このため、歩留まり向上と生産性向上を同時に達成することができる液滴吐出ヘッドを備えたデバイスを製造することができる。
図1は本発明の一実施の形態に係る液滴吐出ヘッドの分解斜視図、図2は図1の要部の縦断面図である。本実施の形態は、液滴吐出ヘッドの例としてフェイスインジェクトタイプの液滴吐出ヘッドを示している。
インクジェットヘッド(液滴吐出ヘッドの一例)10は、複数のノズル孔11が所定のピッチで設けられたノズルプレート1と、各ノズル孔11に対して独立にインク供給路が設けられたキャビティプレート2と、キャビティプレート2の振動板22に対峙して個別電極31が配設された電極基板3とを貼り合わせることにより構成されている。
インクジェットヘッド(液滴吐出ヘッドの一例)10は、複数のノズル孔11が所定のピッチで設けられたノズルプレート1と、各ノズル孔11に対して独立にインク供給路が設けられたキャビティプレート2と、キャビティプレート2の振動板22に対峙して個別電極31が配設された電極基板3とを貼り合わせることにより構成されている。
ノズルプレート1は、所要の厚さに薄くされたシリコン基板から作製されている。インク滴を吐出するためのノズル孔11は、径の異なる2段の円筒状に形成されたノズル孔部分、すなわちインク吐出面1a側に位置して先端がこのインク吐出面1aに開口する小さい径の第1のノズル孔(噴射口部分のノズル孔)11aと、接合面(キャビティプレート2と接合される側の面)1b側に位置して導入口部分が接合面1bに開口する大きい径の第2のノズル孔(導入口部分のノズル孔)11bとから構成されている。なお、第1のノズル孔11aおよび第2のノズル孔11bは、基板面に対して垂直にかつ同軸上に設けられている。
上記のように、ノズル孔11を縮径された第1のノズル孔11aとこれよりも径の大きい拡径された第2のノズル孔11bとから2段に構成することにより、インク滴の吐出方向をノズル孔11の中心軸方向に揃えることができ、安定したインク吐出特性を発揮することができる。すなわち、インク滴の飛翔方向のばらつきがなくなり、またインク滴の飛び散りがなく、インク滴の吐出量のばらつきを抑制することができる。
キャビティプレート2は、シリコン基板から作製されている。シリコン基板に異方性ウットエッチングを施し、インク流路の吐出室21となる凹部210、オリフィス23となる凹部230、およびリザーバ24となる凹部240が形成される。凹部210は前記ノズル孔11に対応する位置に独立に複数形成される。したがって、図2に示すように、ノズルプレート1とキャビティプレート2を接合した際、各凹部210は吐出室21を構成し、それぞれノズル孔11に連通しており、またインク供給口である前記オリフィス23ともそれぞれ連通している。そして、吐出室21(凹部210)の底壁が振動板22となっている。
凹部230は細溝状のオリフィス23を構成し、この凹部230を介して凹部210(吐出室21)と凹部240(リザーバ24)とが連通している。凹部240はインク等の液状材料を貯留するためのものであり、各吐出室21に共通のリザーバ(共通インク室)24を構成する。そして、リザーバ24(凹部240)はそれぞれオリフィス23を介して全ての吐出室21に連通している。なお、オリフィス23(凹部230)は、前記ノズルプレート1の裏面(キャビティプレート2との接合側の面)に設けてもよい。また、リザーバ24の底部には後述する電極基板3を貫通する孔が設けられ、この孔によって形成されたインク供給孔25を通じて、図示しないインクカートリッジからインクが供給されるようになっている。
キャビティプレート2の全面もしくは少なくとも電極基板3との対向面には、熱酸化やプラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)によりなる絶縁性のSiO2膜26が施されている。この絶縁膜は、インクジェットヘッドを駆動させた時の絶縁破壊やショートを防止する目的で設けられる。
電極基板3は、ガラス基板から作製される。電極基板3には、キャビティプレート2の各振動板22の面に対向する位置にそれぞれ凹部310が設けられている。凹部310は、エッチングにより形成されている。そして、各凹部310内には、一般にITO(Indium Tin Oxide:インジウム錫酸化物)からなる個別電極31がスパッタにより形成される。したがって、振動板22と個別電極31との間に形成されるギャップ(空隙)は、この凹部310の深さ、個別電極31および振動板22を覆う絶縁膜26の厚さにより決まることになる。このギャップは、インクジェットヘッド10の吐出特性に大きく影響する。ここで、個別電極31の材料はITOに限定するものではなく、クロム等の金属等を用いてもよいが、ITOは透明であるので放電したかどうかの確認が行いやすい等の理由から、一般にITOが用いられる。
個別電極31は、リード部31aと、フレキシブル配線基板(図示せず)に接続される端子部31bとを有する。これらの端子部31bは、配線のためにキャビティプレート2の末端部が開口された電極取り出し部311内に露出している。
そして、ICドライバ等の駆動制御回路40を介して、各個別電極31の端子部31bとキャビティプレート2上の共通電極27とが接続されている。
そして、ICドライバ等の駆動制御回路40を介して、各個別電極31の端子部31bとキャビティプレート2上の共通電極27とが接続されている。
次に、上記のように構成されたインクジェットヘッド10の動作を説明する。駆動制御回路40は、個別電極31に対して電荷の供給および停止を制御する発振回路である。この発振回路は、個別電極31にパルス電位を印加して電荷供給を行う。発振回路が駆動し、個別電極31に電荷を供給して個別電極31を正に帯電させると振動板22は負に帯電し、個別電極31と振動板22の間に静電気力(クーロン力)が発生する。この静電気力によって、振動板22は個別電極31に引き寄せられて撓む。これによって、吐出室21の容積が増大する。そして、個別電極31への電荷の供給を止めると、振動板22はその弾性力により元に戻り、その際、吐出室21の容積が急激に減少するため、そのときの圧力により吐出室21内のインクの一部がインク滴としてノズル孔11より吐出する。振動板22が次に同様に変位すると、インクがリザーバ24からオリフィス23を通って吐出室21内に補給される。
次に、上記のように構成されたインクジェットヘッド10の製造方法について、図3〜図10を用いて説明する。図3は本発明の実施の形態に係るノズルプレート1を示す上面図、図4〜図7はノズルプレート1の製造工程を示す断面図(図3をA−A線で切断した断面図)、図8は支持基板とノズルプレートの分解状態を示す平面図、図9〜図10はノズルプレート1とキャビティプレート2の接合工程を示す断面図(図3をA−A線で切断した断面図)である。
まず、ノズルプレート1の製造工程を、図4〜図7を用いて説明する。製造工程は以下の通りである。
(a) まず、図4(a)に示すように、基板厚み280μmのシリコン基板100を用意し、熱酸化装置(図示せず)にセットし、酸化温度1075℃、酸化時間4時間、酸素と水蒸気の混合雰囲気中の条件で熱酸化処理を行い、シリコン基板100の表面に膜厚1μmのSiO2 膜101を均一に成膜する。
(a) まず、図4(a)に示すように、基板厚み280μmのシリコン基板100を用意し、熱酸化装置(図示せず)にセットし、酸化温度1075℃、酸化時間4時間、酸素と水蒸気の混合雰囲気中の条件で熱酸化処理を行い、シリコン基板100の表面に膜厚1μmのSiO2 膜101を均一に成膜する。
(b) 次に、図4(b)に示すように、シリコン基板100の接合面(キャビティプレート2と接合されることとなる面であって、拡径孔側の面ともいう)100a側にレジスト102をコーティングし、第2のノズル孔となる部分110bをパターニングする。
(c) 次に、図4(c)に示すように、シリコン基板100を、例えば緩衝フッ酸水溶液(フッ酸水溶液:フッ化アンモニウム水溶液=1:6)でハーフエッチングし、SiO2 膜101を薄くする。このとき、裏面すなわちインク吐出側となる面(縮径孔側の面ともいう)100bのSiO2 膜101もエッチングされ、SiO2 膜101の厚みが減少する。
(d) 次に、図4(d)に示すように、シリコン基板100のレジスト102を硫酸洗浄などにより剥離する。
(e) 次に、図4(e)に示すように、再度、シリコン基板100の接合面100a側にレジスト103をコーティングし、第2のノズル孔となる部分110bをパターニングする。
(c) 次に、図4(c)に示すように、シリコン基板100を、例えば緩衝フッ酸水溶液(フッ酸水溶液:フッ化アンモニウム水溶液=1:6)でハーフエッチングし、SiO2 膜101を薄くする。このとき、裏面すなわちインク吐出側となる面(縮径孔側の面ともいう)100bのSiO2 膜101もエッチングされ、SiO2 膜101の厚みが減少する。
(d) 次に、図4(d)に示すように、シリコン基板100のレジスト102を硫酸洗浄などにより剥離する。
(e) 次に、図4(e)に示すように、再度、シリコン基板100の接合面100a側にレジスト103をコーティングし、第2のノズル孔となる部分110bをパターニングする。
(f) 次に、図5(f)に示すように、シリコン基板100を例えば緩衝フッ酸水溶液(フッ酸水溶液:フッ化アンモニウム水溶液=1:6)でエッチングし、ノズル孔となる部分110bのシリコン基板100のSiO2 膜101を開口する。このとき、裏面すなわちインク吐出側の面100bのSiO2 膜101はエッチングされ、完全に除去される。
(g) 次に、図5(g)に示すように、シリコン基板100の接合面100a側に設けたレジスト103を、硫酸洗浄などにより剥離する。
(g) 次に、図5(g)に示すように、シリコン基板100の接合面100a側に設けたレジスト103を、硫酸洗浄などにより剥離する。
(h) 次に、図5(h)に示すように、ICPドライエッチング装置(図示せず)により、SiO2 膜101の開口部を、例えば深さ25μmで垂直に異方性ドライエッチングし、第1のノズル孔となる部分110aを形成する。この場合のエッチングガスとしては、例えば、C4F8、SF6 を使用し、これらのエッチングガスを交互に使用すればよい。ここで、C4F8は形成される溝の側面にエッチングが進行しないように溝側面を保護するために使用し、SF6 はシリコン基板100の垂直方向のエッチングを促進させるために使用する。
(i) 次に、図5(i)に示すように、第2のノズル孔となる部分110bのSiO2 膜101のみがなくなるように、緩衝フッ酸水溶液でハーフエッチングする。
(j) 次に、図5(j)に示すように、再度、ICPドライエッチング装置によりSiO2 膜101の開口部を、例えば、深さ40μmで垂直に異方性ドライエッチングし、第2のノズル孔となる部分110bを形成する。
(j) 次に、図5(j)に示すように、再度、ICPドライエッチング装置によりSiO2 膜101の開口部を、例えば、深さ40μmで垂直に異方性ドライエッチングし、第2のノズル孔となる部分110bを形成する。
(k) シリコン基板100の表面に残るSiO2 膜101をフッ酸水溶液で除去した後、シリコン基板100を熱酸化装置(図示せず)にセットし、酸化温度1000℃、酸化時間2時間、酸素雰囲気中の条件で熱酸化処理を行い、図6(k)に示すように、シリコン基板100の接合面100a及びインク吐出側の面100bに、さらに第1のノズル孔となる部分110a及び第2のノズル孔となる部分110bの側面及び底面に、膜厚0.1μmのSiO2 膜104を均一に成膜する。
(l) 次に、図6(l)(以後、図6(k)に示したシリコン基板100の上下を逆転した状態で示す)のように、透明材料(ガラス等)の支持基板120に接合剥離層を構成する剥離層121をスピンコートし、その上に接合剥離層を構成する樹脂層122をスピンコートする。支持基板120の剥離層121及び樹脂層122をコートした面と、シリコン基板100の接合面100aを向かい合わせ、真空中で支持基板120とシリコン基板100を貼り合せた後に、樹脂層122を硬化させる。このとき、第1のノズル孔となる部分110a及び第2のノズル孔となる部分110bは、樹脂層122によって充填される。なお、剥離層121と樹脂層122については、のちに詳述する。
(m) 次に、図6(m)に示すように、シリコン基板100のインク吐出側の面100bをバックグラインダー(図示せず)によって研削加工し、第1のノズル孔となる部分110aの先端が開口するまでシリコン基板100を薄くする。更には、ポリッシャー、CMP装置によってノズル面を研磨したり、第1のノズル孔となる部分110aの先端部の開口を行っても良い。このとき、第1のノズル孔となる部分110a及び第2のノズル孔となる部分110bの内壁には樹脂層122が充填されて保護されているため、CMP加工後にノズル内の研磨材の水洗除去工程などは必要がない。
あるいは、第1のノズル孔となる部分110aの先端部の開口を、ドライエッチングで行っても良い。例えば、SF6 をエッチングガスとするドライエッチングで、第1のノズル孔となる部分110aの先端部までSi基板100を薄くし、表面に露出した第1のノズル孔となる部分110aの先端部のSiO2 膜104を、CF4又はCHF3等のエッチングガスとするドライエッチングによって除去してもよい。
あるいは、第1のノズル孔となる部分110aの先端部の開口を、ドライエッチングで行っても良い。例えば、SF6 をエッチングガスとするドライエッチングで、第1のノズル孔となる部分110aの先端部までSi基板100を薄くし、表面に露出した第1のノズル孔となる部分110aの先端部のSiO2 膜104を、CF4又はCHF3等のエッチングガスとするドライエッチングによって除去してもよい。
(n) 次に、図6(n)に示すように、シリコン基板100のインク吐出側の面100bに、スパッタ装置でSiO2 膜105を0.1μmの厚みで成膜する。ここで、SiO2 膜105の成膜は、樹脂層122が劣化しない温度(200℃程度)以下で実施できれば良く、スパッタリング法に限るものではない。ただし、耐インク性等を考慮すると緻密な膜を形成する必要があり、ECRスパッタ装置等の常温で緻密な膜を成膜できる装置を使用することが望ましい。
(o) 続いて、図6(o)に示すように、シリコン基板100のインク吐出側の面100bの表面に撥インク処理を施す。この場合、F原子を含む撥インク性を持った材料を蒸着やディッピングで成膜し、撥インク層106を形成する。このとき、第1のノズル孔となる部分110a及び第2のノズル孔となる部分110bの内壁は、充填された樹脂層122によって保護されているため、インク吐出側の面100bの表面のみが選択的に撥インク処理される。
(p) 次に、図7(p)に示すように、撥インク処理されたインク吐出側の面100bに、第2の支持基板130を、上記の(l)と同様に、接合剥離層を構成する樹脂層132及び接合剥離層を構成する剥離層131を介して貼り付ける。このとき、第2の支持基板130に設けられた位置決め用アライメントピンの逃げ孔135の径は、シリコン基板1にエッチングによって開けられる位置決め用アライメント孔150の径よりも大きくなるように設計されており、接合時に位置決め用アライメントピン300が第2の支持基板130に干渉しないようになっている(図8、図9参照)。
(q) 次に、図7(q)に示すように、第1の支持基板120側からレーザ光を照射し、剥離層121の部分から第1の支持基板120および樹脂層122を剥離する。
以上の工程を経ることにより、シリコン基板100よりノズルプレート1を形成する。
(q) 次に、図7(q)に示すように、第1の支持基板120側からレーザ光を照射し、剥離層121の部分から第1の支持基板120および樹脂層122を剥離する。
以上の工程を経ることにより、シリコン基板100よりノズルプレート1を形成する。
上記のように形成したノズルプレート1には、図8に示すように位置決め用アライメント孔150が設けられ、ノズルプレート1の第2の支持基板130には、位置決め用治具のアライメントピンが干渉しないように逃げ孔135が形成されている。
すなわち、図9に示すように、ノズルプレート1には、上記(a)〜(q)で用いた加工方法によって、位置決め用アライメント孔150が、キャビティプレート2の位置決め用アライメント孔250と同じ基板座標中心上に形成されている。
そして、第2の支持基板130に貼り付けられたノズルプレート1の接合面100aには、接着層400が1〜2μmの厚さで塗布される。
こうして、位置決め用アライメント治具500上で、ノズルプレート1とキャビティプレート2を張り合わせる。ノズルプレート1とキャビティプレート2は、位置決め用アライメントピン300と同軸上に開けられた位置決め用アライメント孔150および250
を合わせて貼り合せた後、専用の接合治具によって接合荷重1〜3kgf/cm2 で接合される。
そして、第2の支持基板130に貼り付けられたノズルプレート1の接合面100aには、接着層400が1〜2μmの厚さで塗布される。
こうして、位置決め用アライメント治具500上で、ノズルプレート1とキャビティプレート2を張り合わせる。ノズルプレート1とキャビティプレート2は、位置決め用アライメントピン300と同軸上に開けられた位置決め用アライメント孔150および250
を合わせて貼り合せた後、専用の接合治具によって接合荷重1〜3kgf/cm2 で接合される。
(r) こうして、図10(r)に示すように、ノズルプレート1の接合面100aにキャビティプレート2の接合面200aを貼り合せる。
(s) 最後に、図10(s)に示すように、第2の支持基板130側からレーザーを照射し、剥離層131の部分から第2の支持基板130および樹脂層132を剥離する。
以上の工程を経ることにより、ノズルプレート1とキャビティプレート2の接合体を形成する。
以上の工程を経ることにより、ノズルプレート1とキャビティプレート2の接合体を形成する。
その後、ノズルプレート1とキャビティプレート2からなる接合体において、キャビティプレート2の他の接合面200bに電極基板3の接合面を貼り付ける(接合工程は図示せず)。
以上の工程を経ることにより、ノズルプレート1、キャビティプレート2及び電極基板3の接合体を形成する。
以上の工程を経ることにより、ノズルプレート1、キャビティプレート2及び電極基板3の接合体を形成する。
上記の実施形態では、シリコン基板100と第1の支持基板120の貼り合せに樹脂層122および剥離層121を用い、また、シリコン基板100と第2の支持基板130の貼り合せに樹脂層132および剥離層131を用いた。ここで、樹脂層122(132)は、シリコン基板100表面の凹凸を吸収し、かつシリコン基板100と第1の支持基板120(第2の支持基板130)とを接合するためのものであり、剥離層121(131)は、上述した所定の処理工程の後、シリコン基板100から第1の支持基板120(第2の支持基板130)を剥離させるためのものである。この場合、第1の支持基板120(第2の支持基板130)は光透過性を有するものであるのが好ましく、例えば、ガラスを用いることができる。これにより、シリコン基板100から第1の支持基板120(第2の支持基板130)を剥離する際に、第1の支持基板120(第2の支持基板130)の裏面に照射される剥離エネルギーを有する光を、剥離層121(131)に確実に到達させることができる。
樹脂層122(132)としては、シリコン基板100と第1の支持基板120(第2の支持基板130)を接合する機能を有しているものであれば特に限定されず、各種樹脂を用いることができる。より具体的には、例えば、熱硬化性接着剤や光硬化性接着剤等の硬化性接着剤等の樹脂を用いることができる。また、樹脂層122(132)は、耐ドライエッチング性の高い材料を主材料として構成されているのが好ましい。これにより、シリコン基板100をエッチングして第1、第2のノズル孔11a,11bを形成する際に、樹脂層122(132)をエッチングの停止層とし、シリコン基板100を完全に貫通させて第1、第2のノズル孔11a,11bを形成することができる。また、樹脂層122(132)は、加工時において、シリコン基板100と第1の支持基板120(第2の支持基板130)との材料の違いによる線膨張係数の違いによってこれらに生じる応力を緩和する作用も有する。
剥離層121(131)は、レーザ光等の光を受けて、剥離層121(131)の内部やシリコン基板100と界面において、剥離(「層内剥離」または「界面剥離」ともいう)が生じる機能を有するものである。すなわち、剥離層121(131)は、一定の強度の光を受けることにより、構成材料の原子または分子における原子間または分子間の結合力が消失または減少し、アブレーション(ablation)等を生じ、剥離を生じやすくするものである。また、剥離層121(131)は、一定の強度の光を受けることにより、剥離層121(131)の構成材料中の成分が気体となって放出され分離に至る場合と、剥離層121(131)が光を吸収して気体になりその蒸気が放出されて分離に至る場合とがある。これにより、薄型化されたノズルプレート1を、第1の支持基板120(第2の支持基板130)から取り外すことができる。
具体的には、剥離層121(131)を構成する材料は、前述した機能を有するものであれば特に限定はされないが、例えば、非晶質シリコン(a−Si)、酸化ケイ素もしくはケイ酸化合物、窒化ケイ素、窒化アルミ、窒化チタン等の窒化セラミックス、有機高分子材料(光の照射によりこれらの原子間結合が切断されるもの)、金属、例えば、Al、Li、Ti、Mn、In、Sn、Y、La、Ce、Nd、Pr、GdもしくはSm、またはこれらのうち少なくとも一種を含む合金が挙げられる。これらの中でも、非晶質シリコン(a−Si)を用いるのが特に好ましく、この非晶質シリコン中には、水素(H)が含有されているのが好ましい。これにより、光を受けることにより、水素が放出されて剥離層121(131)に内圧が発生し、これが剥離を促進することができる。
この場合、剥離層121(131)中における水素の含有量は2at%程度以上であることが好ましく、2〜20at%であることがより好ましい。また、水素の含有量は、剥離層121(131)の成膜条件、例えば、CVD法を用いる場合には、そのガス組成、ガス圧力、ガス雰囲気、ガス流量、ガス温度、基板温度、投入するパワー等の条件を適宜設定することによって調整することができる。
なお、上記の説明では、樹脂層122(132)と剥離層121(131)とを別々の層として接合剥離層を構成しているが、これらを1つの層にまとめてもよい。すなわち、シリコン基板100と支持基板120(130)とを接合剥離する層として、接着力(接合力)を有しかつ光や熱エネルギー等によって剥離を引き起こす作用(接合力を低下させる作用)を有するものを用いてもよい。
本実施の形態のインクジェットヘッド10の製造方法によれば、シリコン基板100にドライエッチング等を用いてノズル孔11が形成され、さらに薄板化されたノズルプレート1をガラスなどの支持基板(第2の支持基板130)に貼り合わされた状態でキャビティプレート2との位置決めを可能にすることにより、薄板化されたウエハー状態でのノズルプレート1とキャビティプレート2の接合を可能にし、歩留まり向上と生産性向上を同時に達成させることができる。
上記の実施の形態では、インクジェットヘッド10の製造方法について述べたが、本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、本発明の思想の範囲内で種々変更することができる。例えば、ノズル孔11より吐出される液状材料を変更することにより、図11に示すインクジェットプリンタ600のほか、他の液滴吐出装置に適用することができる。
1 ノズルプレート、2 キャビティプレート、3 電極基板、10 インクジェットヘッド、11 ノズル孔、11a 第1のノズル孔、11b 第2のノズル孔、100 第1のシリコン基板、106 撥インク膜、120 第1の支持基板、121,131 剥離層(接合剥離層)、122,132 樹脂層(接合剥離層)、130 第2の支持基板、135 逃げ孔、150,250 位置決め用アライメント孔、300 アライメントピン、500 位置決め用アライメント冶具。
Claims (18)
- 縮径孔先端が基板により閉じられ拡径孔基端が基板表面に開口して2段形状で連通したノズル孔をエッチング加工によって第1のシリコン基板に形成する工程と、前記第1のシリコン基板の拡径孔側の面に接合剥離層を介して第1の支持基板を貼り合せる工程と、前記第1のシリコン基板の縮径孔側の面を薄板化して前記縮径孔の先端部を開口させる工程と、前記第1のシリコン基板の縮径孔側の面を撥インク処理する工程と、前記第1のシリコン基板の縮径孔側の面に接合剥離層を介して第2の支持基板を貼り合せる工程と、前記第1の支持基板を前記第1のシリコン基板より剥離したのち該第1のシリコン基板の拡径孔側の面をウェハ基板状態のまま第2のシリコン基板に接合する工程とからなることを特徴とする液滴吐出ヘッドの製造方法。
- 前記第1のシリコン基板の拡径孔側の面をウェハ基板状態のまま前記第2のシリコン基板に接合する工程ののち、前記第2の支持基板を前記第1のシリコン基板より剥離する工程を含むことを特徴とする請求項1記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
- 前記接合剥離層を樹脂層と剥離層とによって構成したことを特徴とする請求項1または2のいずれかに記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
- 前記樹脂層として硬化性接着剤を用いたことを特徴とする請求項3記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
- 前記硬化性接着剤として熱硬化性接着剤または光硬化性接着剤を用いたことを特徴とする請求項4記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
- 前記樹脂層としてエッチング性の高い材料を主材料として用いたことを特徴とする請求項4記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
- 前記剥離層として光照射によって剥離する部材を用いたことを特徴とする請求項3記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
- 光照射によって剥離する部材として、非晶質シリコン、酸化ケイ素もしくはケイ酸化合物、窒化ケイ素、窒化アルミ、窒化チタンの窒化セラミックス及び有機高分子材料のいずれかを用いたことを特徴とする請求項7記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
- 非晶質シリコン中に2at%以上の水素を含有したことを特徴とする請求項8記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
- 非晶質シリコン中に2〜20at%の水素を含有したことを特徴とする請求項9記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
- 光照射によって剥離する部材として、Al、Li、Ti、Mn、In、Sn、Y、La、Ce、Nd、Pr、Gd及びSmのいずれかの金属、またはこれらの金属のうちの少なくとも一種を含む合金を用いたことを特徴とする請求項7記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
- 前記支持基板に剥離層をスピンコートしその上に樹脂層をスピンコートして接合剥離層を構成したことを特徴とする請求項1〜11のいずれかに記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
- 前記支持基板を光透過性を有する部材によって形成したことを特徴とする請求項1〜12のいずれかに記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
- 前記支持基板の裏面側より前記剥離層に光照射することを特徴とする請求項13記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
- 前記第1のシリコン基板及び第2のシリコン基板のそれぞれの2箇所以上に位置決め用アライメント孔を設け、位置決め用冶具に固定されたアライメントピンに、前記第1、第2のシリコン基板の位置決め用アライメント孔を貫通させて、前記第1のシリコン基板と第2のシリコン基板とを位置決め接合することを特徴とする請求項1〜14のいずれかに記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
- 前記第2の支持基板に前記位置決め用治具のアライメントピンの干渉を防止する逃げ孔を形成したことを特徴とする請求項1〜15のいずれかに記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
- 請求項1〜16のいずれかに記載の液滴吐出ヘッドの製造方法を適用して液滴吐出装置を製造することを特徴とする液滴吐出装置の製造方法。
- 請求項1〜16のいずれかに記載の液滴吐出ヘッドの製造方法を適用してデバイスを製造することを特徴とするデバイスの製造方法。
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JP2005341875A JP2007144767A (ja) | 2005-11-28 | 2005-11-28 | 液滴吐出ヘッドの製造方法、液滴吐出装置の製造方法及びデバイスの製造方法 |
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JP2016179580A (ja) * | 2015-03-24 | 2016-10-13 | ブラザー工業株式会社 | 液体吐出装置の製造方法、及び、液体吐出装置 |
-
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