JP2007320254A - ノズルプレートの製造方法、ノズルプレート、液滴吐出ヘッドの製造方法、液滴吐出ヘッド、液滴吐出装置の製造方法及び液滴吐出装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】安定した吐出特性を有するとともに、ノズル密度の高密度化を図ることができる液滴吐出用のノズルプレート製造方法を提供する。
【解決手段】円筒状ノズル孔部分11aが形成されたシリコン基板41の少なくとも一方の面と円筒状ノズル孔部分11aの側面及び底面とにエッチング保護膜(SiO2 膜 )44を形成する工程と、エッチング保護膜44のうち、シリコン基板41の一方の面側の円筒状ノズル孔部分11aの周囲部分を、円筒状ノズル孔部分11aの孔径よりも大きく除去して開口44aを形成する工程と、開口44aが形成されたエッチング保護膜44を有するシリコン基板41にドライエッチングを施し、テーパー状ノズル孔部分11bを形成する工程とを有するものである。
【選択図】図5
【解決手段】円筒状ノズル孔部分11aが形成されたシリコン基板41の少なくとも一方の面と円筒状ノズル孔部分11aの側面及び底面とにエッチング保護膜(SiO2 膜 )44を形成する工程と、エッチング保護膜44のうち、シリコン基板41の一方の面側の円筒状ノズル孔部分11aの周囲部分を、円筒状ノズル孔部分11aの孔径よりも大きく除去して開口44aを形成する工程と、開口44aが形成されたエッチング保護膜44を有するシリコン基板41にドライエッチングを施し、テーパー状ノズル孔部分11bを形成する工程とを有するものである。
【選択図】図5
Description
本発明は、液滴を吐出するためのノズル孔を有するノズルプレートの製造方法、ノズルプレート、液滴吐出ヘッドの製造方法、液滴吐出ヘッド、液滴吐出装置の製造方法及び液滴吐出装置に関する。
液滴を吐出するための液滴吐出ヘッドとして、例えばインクジェット記録装置に搭載されるインクジェットヘッドが知られている。インクジェットヘッドは、一般に、インク滴を吐出するための複数のノズル孔が形成されたノズルプレートと、このノズルプレートに接合されノズルプレートとの間で上記ノズル孔に連通する吐出室、リザーバ等のインク流路が形成されたキャビティプレートとを備え、駆動部により吐出室に圧力を加えることによりインク滴を選択されたノズル孔より吐出するように構成されている。駆動手段としては、静電気力を利用する方式や、圧電素子による圧電方式、発熱素子を利用するバブルジェット(登録商標)方式等がある。
近年、インクジェットヘッドに対して、印字、画質等の高品位化の要求が一段と強まり、そのため高密度化並びに吐出性能の向上が強く要求されている。このような背景から、インクジェットヘッドのノズル部に関して、従来より様々な工夫、提案がなされている。
近年、インクジェットヘッドに対して、印字、画質等の高品位化の要求が一段と強まり、そのため高密度化並びに吐出性能の向上が強く要求されている。このような背景から、インクジェットヘッドのノズル部に関して、従来より様々な工夫、提案がなされている。
インク吐出特性を改善するためには、インクノズルとして、先端側に一定断面の細いノズル孔部分が形成され、その後側に円錐状あるいは角錐状に広がったノズル孔部分が形成された断面形状のものを使用することが望ましい。例えば、インクノズルを、先端側を一定断面の円筒状ノズル孔部分とし、後側を内周面が四角錐台形状のテーパ状ノズル孔部分としたものがある(例えば、特許文献1参照)。この技術によれば、全体として円筒形状をしたインクノズルを使用する場合に比べて、安定した吐出特性を得ることができる。
また、インクノズルの先端側の円筒状ノズル孔部分を異方性ドライエッチングで形成し、後側のテーパ状ノズル部分を異方性ウェットエッチングで形成する方法(例えば、特許文献2参照)を用いて製造することにより、円筒状ノズル孔部分とテーパ状ノズル孔部分との間に段差が付いてしまった場合に生じる吐出室内の気泡排出性の低下を防止し、さらに安定した吐出特性を得ることを可能としたものがある。
しかしながら、上記のようにテーパ状ノズル部分をシリコン単結晶基板に異方性ウェットエッチングで形成する場合には、シリコン単結晶基板の面方位に依存するため、テーパ角が決まってしまい、ノズル密度の高密度化に限界があるという課題があった。
本発明はこのような点に鑑みなされたもので、安定した吐出特性を有するとともに、ノズル密度の高密度化を図ることができる液滴吐出用のノズルプレート製造方法及びノズルプレート、液滴吐出ヘッドの製造方法及び液滴吐出ヘッド、並びに液滴吐出装置の製造方法及び液滴吐出装置を提供することを目的とする。
本発明に係るノズルプレートの製造方法は、吐出方向の先端側の円筒状ノズル孔部分と、円筒状ノズル孔部分から吐出方向の後端側に向けてノズル断面積が漸増しているテーパ状ノズル孔部分とから構成されるノズル孔を、シリコン基板をエッチングすることにより形成するノズルプレートの製造方法であって、シリコン基板の一方の面にドライエッチングを施して円筒状ノズル孔部分を形成する工程と、少なくとも一方の面と円筒状ノズル孔部分の側面及び底面とにエッチング保護膜を形成する工程と、エッチング保護膜のうち、円筒状ノズル孔部分の周囲部分を、円筒状ノズル孔部分の孔径よりも大きく除去して開口を形成する工程と、開口が形成されたエッチング保護膜を有するシリコン基板にドライエッチングを施し、テーパ状ノズル孔部分を形成する工程と、シリコン基板を、一方の面とは反対側の面側から円筒状ノズル孔部分の先端が開口するまで薄板化する工程とを有するものである。
このように、異方性ウェットエッチングに依ることなくドライエッチングでノズル孔のテーパ状ノズル孔部分を形成するため、ノズル密度を高密度とすることが可能である。また、ノズル孔全体をドライエッチングで形成するため、円筒状ノズル孔部分とテーパ状ノズル孔部分との境界部分をなめらかに連続した形状とすることができ、気泡排出性が良く、安定した吐出特性を有するインクジェットヘッドを形成することができる。また、テーパ状ノズル孔部分を形成する際のエッチング工程では、円筒状ノズル孔部分の側面及び底面をエッチング保護膜で保護した状態で行うため、円筒状ノズル孔部分の孔径にエッチングガスの影響が及ぶのを防止でき、円筒状ノズル孔部分の孔径精度を維持することができる。
このように、異方性ウェットエッチングに依ることなくドライエッチングでノズル孔のテーパ状ノズル孔部分を形成するため、ノズル密度を高密度とすることが可能である。また、ノズル孔全体をドライエッチングで形成するため、円筒状ノズル孔部分とテーパ状ノズル孔部分との境界部分をなめらかに連続した形状とすることができ、気泡排出性が良く、安定した吐出特性を有するインクジェットヘッドを形成することができる。また、テーパ状ノズル孔部分を形成する際のエッチング工程では、円筒状ノズル孔部分の側面及び底面をエッチング保護膜で保護した状態で行うため、円筒状ノズル孔部分の孔径にエッチングガスの影響が及ぶのを防止でき、円筒状ノズル孔部分の孔径精度を維持することができる。
また、ドライエッチングとしては、ICP(Inductively Coupled Plasma)放電によるドライエッチングが好適である。
また、テーパ状ノズル孔部分を形成するドライエッチングは、テーパ状ノズル孔部分の深さ方向のエッチングを促進するための第1のガスと、テーパ状ノズル孔部分の側面方向のエッチングを抑制して側面を保護するための保護膜を形成するための第2のガスと、保護膜をエッチングしてテーパー角を調整するための第3のガスとを導入することにより行うものである。
これにより、テーパ状ノズル孔部分のテーパー角を自由に且つ高い精度で制御することができる。
これにより、テーパ状ノズル孔部分のテーパー角を自由に且つ高い精度で制御することができる。
本発明に係るノズルプレートは、上記の何れかのノズルプレートの製造方法を用いて製造されたものである。
これにより、安定した吐出特性を有し、ノズル密度の高密度化が図られたノズルプレートを得ることができる。
これにより、安定した吐出特性を有し、ノズル密度の高密度化が図られたノズルプレートを得ることができる。
本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、上記のいずれかのノズルプレートの製造方法を用いて液滴吐出ヘッドを製造するものである。
上記のいずれかのノズルプレートの製造方法を用いて液滴吐出ヘッドを製造すれば、安定した液滴吐出特性を有し、かつ高密度の液滴吐出ヘッドを得ることができる。
上記のいずれかのノズルプレートの製造方法を用いて液滴吐出ヘッドを製造すれば、安定した液滴吐出特性を有し、かつ高密度の液滴吐出ヘッドを得ることができる。
本発明に係る液滴吐出ヘッドは、上記液滴吐出ヘッドの製造方法を用いて製造されたものである。
これにより、安定した液滴吐出特性を有し、かつ高密度の液滴吐出ヘッドを得ることができる。
これにより、安定した液滴吐出特性を有し、かつ高密度の液滴吐出ヘッドを得ることができる。
また、本発明に係る液滴吐出装置の製造方法は、上記の液滴吐出ヘッドの製造方法を用いて製造するものである。
上記液滴吐出ヘッドの製造方法を用いて液滴吐出装置を製造すれば、安定した吐出特性を有し、かつ高密度の液滴吐出ヘッドを搭載した液滴吐出装置を得ることができる。
上記液滴吐出ヘッドの製造方法を用いて液滴吐出装置を製造すれば、安定した吐出特性を有し、かつ高密度の液滴吐出ヘッドを搭載した液滴吐出装置を得ることができる。
また、本発明に係る液滴吐出装置は、上記の液滴吐出ヘッドの製造方法を用いて製造されたものである。
これにより、安定した吐出特性を有し、かつ高密度の液滴吐出ヘッドを搭載した液滴吐出装置を得ることができる。
これにより、安定した吐出特性を有し、かつ高密度の液滴吐出ヘッドを搭載した液滴吐出装置を得ることができる。
実施の形態1.
以下、本発明のノズルプレートを備えた液滴吐出ヘッドの実施の形態を図面に基づいて説明する。ここでは、液滴吐出ヘッドの一例として、静電駆動方式のインクジェットヘッドについて図1及び図2を参照して説明する。なお、本発明は、以下の図に示す構造、形状に限定されるものではなく、また、駆動方式についても他の異なる駆動方式により液滴を吐出する液滴吐出ヘッドおよび液滴吐出装置にも適用できるものである。
以下、本発明のノズルプレートを備えた液滴吐出ヘッドの実施の形態を図面に基づいて説明する。ここでは、液滴吐出ヘッドの一例として、静電駆動方式のインクジェットヘッドについて図1及び図2を参照して説明する。なお、本発明は、以下の図に示す構造、形状に限定されるものではなく、また、駆動方式についても他の異なる駆動方式により液滴を吐出する液滴吐出ヘッドおよび液滴吐出装置にも適用できるものである。
図1は、本実施の形態1に係るインクジェットヘッドの概略構成を分解して示す分解斜視図であり、一部を断面で表してある。図2は、図1の右半分の概略構成を示すインクジェットヘッドの断面図であり、ノズル部をさらに拡大して表してある。なお、図1および図2では、通常使用される状態とは上下逆に示されている。
本実施形態のインクジェットヘッド(液滴吐出ヘッドの一例)10は、図1および図2に示すように、複数のノズル孔11が所定のピッチで設けられたノズルプレート1と、各ノズル孔11に対して独立にインク供給路が設けられたキャビティプレート2と、キャビティプレート2の振動板22に対峙して個別電極31が配設された電極基板3とを貼り合わせることにより構成されている。
ノズルプレート1は、例えば厚さ180μmのシリコン単結晶基板(以下、単にシリコン基板とも称する)から作製されている。ノズルプレート1は、複数のノズル孔11が設けられる領域に凹部12が形成され、この凹部12の底面にインク液滴を吐出するためのノズル孔11が開口している。すなわち、ノズル部分の長さ(基板厚み)を凹部12により薄肉化することにより各ノズル孔11の流路抵抗を調整している。これにより、均一な吐出性能を確保するとともに、吐出面(凹部12の底面)に記録用紙などの他の物体が直接接触することがないので、記録用紙の汚損やノズル孔11の先端の損傷などを防止することができる。
各ノズル孔11は、吐出方向の先端側となる円筒状ノズル孔部分11aと、円筒状ノズル孔部分11aから吐出方向の後端側に向けてノズル断面積が漸増しているテーパー部分11bとを有している。なお、円筒状ノズル孔部分11aはノズルプレート1の表面(基板表面で凹部12の底面)に対して垂直に設けられており、円筒状ノズル孔部分11aとテーパー部分11bとは同軸上に設けられている。かかる構成により、インク滴の吐出方向をノズル孔11の中心軸方向に揃えることができ、安定したインク吐出特性を発揮させることができる。すなわち、インク滴の飛翔方向のばらつきがなくなり、またインク滴の飛び散りがなく、インク滴の吐出量のばらつきを抑制することができる。
また、ノズルプレート1の図2において下面(キャビティプレート2との接合側の面)にはインク流路の一部を形成するオリフィス(細溝)13が設けられている。また、後述するキャビティプレート2のリザーバ23に対応する位置に凹部により薄肉化されたダイヤフラム部14が設けられている。ダイヤフラム部14はリザーバ23内の圧力変動を抑制するために設けられている。
キャビティプレート2は、例えば厚さ約140μmのシリコン単結晶基板(この基板も以下、単にシリコン基板とも称する)から作製されている。シリコン基板に異方性ウェットエッチングを施し、インク流路の吐出室21およびリザーバ23を構成するための凹部24、25が形成される。凹部24は前記ノズル孔11に対応する位置に独立に複数形成される。したがって、図3に示すようにノズルプレート1とキャビティプレート2を接合した際、各凹部24は吐出室21を構成し、それぞれノズル孔11に連通しており、またインク供給口である前記オリフィス13ともそれぞれ連通している。そして、吐出室21(凹部24)の底壁が振動板22となっている。
他方の凹部25は、液状材料のインクを貯留するためのものであり、各吐出室21に共通のリザーバ(共通インク室)23を構成する。そして、リザーバ23(凹部25)はそれぞれオリフィス13を介して全ての吐出室21に連通している。また、リザーバ23の底部には後述する電極基板3を貫通する孔が設けられ、この孔のインク供給孔34を通じて図示しないインクカートリッジからインクが供給されるようになっている。
また、キャビティプレート2の全面もしくは少なくとも電極基板3との対向面には熱酸化やプラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)によりSiO2やTEOS(Tetraethylorthosilicate Tetraethoxysilane:テトラエトキシシラン、珪酸エチル)膜等からなる絶縁膜26が膜厚0.1μmで施されている。この絶縁膜26は、インクジェットヘッドを駆動させた時の絶縁破壊や短絡を防止する目的で設けられる。
電極基板3は、例えば厚さ約1mmのガラス基板から作製される。中でも、キャビティプレート2のシリコン基板と熱膨張係数の近い硼珪酸系の耐熱硬質ガラスを用いるのが適している。これは、電極基板3とキャビティプレート2を陽極接合する際、両基板の熱膨張係数が近いため、電極基板3とキャビティプレート2との間に生じる応力を低減することができ、その結果剥離等の問題を生じることなく電極基板3とキャビティプレート2を強固に接合することができるからである。
電極基板3には、キャビティプレート2の各振動板22に対向する面の位置にそれぞれ凹部32が設けられている。凹部32は、エッチングにより深さ約0.3μmで形成されている。そして、各凹部32内には、一般に、ITO(Indium Tin Oxide:インジウム錫酸化物)からなる個別電極31が、例えば0.1μmの厚さでスパッタにより形成される。したがって、振動板22と個別電極31との間に形成されるギャップ(空隙)は、この凹部32の深さ、個別電極31および振動板22を覆う絶縁膜26の厚さにより決まることになる。このギャップはインクジェットヘッドの吐出特性に大きく影響する。ここで、個別電極31の材料はITOに限定するものではなく、クロム等の金属等を用いてもよいが、ITOは透明であるので放電したかどうかの確認が行いやすい等の理由から、一般にITOが用いられる。
個別電極31は、リード部31aと、フレキシブル配線基板(図示せず)に接続される端子部31bとを有する。これらの端子部31bは、図2に示すように、配線のためにキャビティプレート2の末端部が開口された電極取り出し部29内に露出している。
上述したように、ノズルプレート1、キャビティプレート2、および電極基板3は、一般に個別に作製され、これらを図2に示すように貼り合わせることによりインクジェットヘッド10の本体部が作製される。すなわち、キャビティプレート2と電極基板3は陽極接合により接合され、そのキャビティプレート2の上面(図2において上面)にノズルプレート1が接着等により接合される。さらに、振動板22と個別電極31との間に形成される電極間ギャップの開放端部はエポキシ等の樹脂による封止材27で封止される。これにより、湿気や塵埃等が電極間ギャップへ侵入するのを防止することができ、インクジェットヘッド10の信頼性を高く保持することができる。
そして最後に、図2に簡略化して示すように、ICドライバ等の駆動制御回路4が各個別電極31の端子部31bとキャビティプレート2上に設けられた共通電極28とに前記フレキシブル配線基板(図示せず)を介して接続される。
以上により、インクジェットヘッド10が完成する。
以上により、インクジェットヘッド10が完成する。
このように構成されたインクジェットヘッド10においては、駆動制御回路4によりキャビティプレート2と個別電極31の間にパルス電圧が印加されると、振動板22と個別電極31との間に静電気力が発生し、その吸引作用により振動板22が個別電極31側に引き寄せられて撓み、吐出室21の容積が拡大する。これによりリザーバ23の内部に溜まっていたインクがオリフィス13を通じて吐出室21に流れ込む。次に、個別電極31への電圧の印加を停止すると、静電吸引力が消滅して振動板22が復元し、吐出室21の容積が急激に収縮する。これにより、吐出室21内の圧力が急激に上昇し、この吐出室21に連通しているノズル孔11からインク液滴が吐出される。
次に、このインクジェットヘッド10の製造方法について図3乃至図10を参照して説明する。
図3乃至図8は、ノズルプレート1の製造方法を示す製造工程の断面図であり、図9および図10は、キャビティプレート2および電極基板3の製造方法を示す製造工程の断面図であり、ここでは、主に、電極基板3にシリコン基板100を接合した後にキャビティプレート2を製造する方法を示す。
まず最初に、本発明の特徴部分であるノズルプレート1の製造方法を説明する。
図3乃至図8は、ノズルプレート1の製造方法を示す製造工程の断面図であり、図9および図10は、キャビティプレート2および電極基板3の製造方法を示す製造工程の断面図であり、ここでは、主に、電極基板3にシリコン基板100を接合した後にキャビティプレート2を製造する方法を示す。
まず最初に、本発明の特徴部分であるノズルプレート1の製造方法を説明する。
(1)ノズルプレート1の製造方法
(A)まず、基板厚み280μmのシリコン基板41を用意し、熱酸化装置にセットし、酸化温度1075℃、酸化時間4時間、酸素と水蒸気の混合雰囲気中の条件で熱酸化処理を行い、シリコン基板41の両面41a、41bに、エッチング保護膜となる膜厚1μmのSiO2膜42を均一に成膜する。
(B)シリコン基板41においてキャビティプレート2と接合される側の接合面41aにレジスト43をコーティングし、そのレジスト43から円筒状ノズル孔部分11aに対応する部分43aを除去し、レジストパターンを形成する。
(C)そして、そのレジストパターンをマスクとして、例えば、緩衝フッ酸水溶液(フッ酸水溶液:フッ化アンモニウム水溶液=1:6)でエッチングし、SiO2膜42から円筒状ノズル孔部分11aに対応する部分42aを開口する。このとき、裏面41bのSiO2膜42はエッチングされ、完全に除去される。
(D)レジストパターンを硫酸洗浄などにより剥離する。
(A)まず、基板厚み280μmのシリコン基板41を用意し、熱酸化装置にセットし、酸化温度1075℃、酸化時間4時間、酸素と水蒸気の混合雰囲気中の条件で熱酸化処理を行い、シリコン基板41の両面41a、41bに、エッチング保護膜となる膜厚1μmのSiO2膜42を均一に成膜する。
(B)シリコン基板41においてキャビティプレート2と接合される側の接合面41aにレジスト43をコーティングし、そのレジスト43から円筒状ノズル孔部分11aに対応する部分43aを除去し、レジストパターンを形成する。
(C)そして、そのレジストパターンをマスクとして、例えば、緩衝フッ酸水溶液(フッ酸水溶液:フッ化アンモニウム水溶液=1:6)でエッチングし、SiO2膜42から円筒状ノズル孔部分11aに対応する部分42aを開口する。このとき、裏面41bのSiO2膜42はエッチングされ、完全に除去される。
(D)レジストパターンを硫酸洗浄などにより剥離する。
(E)ICPドライエッチング装置によりSiO2膜42の開口42aを介して、例えば、深さ50μmで垂直に異方性ドライエッチングを行い、円筒状ノズル孔部分11aを形成する。この場合のエッチングガスとしては、例えば、C4F8、SF6を使用し、これらのエッチングガスを交互に使用すればよい。ここで、C4F8は形成される溝の側面にエッチングが進行しないように溝側面を保護するために使用し、SF6はSi基板の垂直方向のエッチングを促進させるために使用する。
(F)シリコン基板41の表面に残るSiO2膜42をフッ酸水溶液で除去する。
(G)シリコン基板41を熱酸化装置にセットし、酸化温度1075℃、酸化時間4時間、酸素と水蒸気の混合雰囲気中の条件で熱酸化処理を行い、シリコン基板41表面全体に、エッチング保護膜となる膜厚1μmのSiO2膜44を均一に成膜する。このとき、円筒状ノズル孔部分11aの内面(側面及び底面)全体にもSiO2膜44が形成される。
(F)シリコン基板41の表面に残るSiO2膜42をフッ酸水溶液で除去する。
(G)シリコン基板41を熱酸化装置にセットし、酸化温度1075℃、酸化時間4時間、酸素と水蒸気の混合雰囲気中の条件で熱酸化処理を行い、シリコン基板41表面全体に、エッチング保護膜となる膜厚1μmのSiO2膜44を均一に成膜する。このとき、円筒状ノズル孔部分11aの内面(側面及び底面)全体にもSiO2膜44が形成される。
(H)シリコン基板41においてキャビティプレート2と接合される側の接合面41aにレジスト45をコーティングし、そのレジスト45から、テーパ状ノズル孔部分11bをドライエッチングする際のガスの導入路となる部分45aを除去し、レジストパターンを形成する。
(I)次に、そのレジストパターンをマスクとしてSiO2膜44をRIEドライエッチング装置でドライエッチングし、SiO2膜44に開口44aを形成する。
(J)レジストパターンを硫酸洗浄などにより剥離する。
(I)次に、そのレジストパターンをマスクとしてSiO2膜44をRIEドライエッチング装置でドライエッチングし、SiO2膜44に開口44aを形成する。
(J)レジストパターンを硫酸洗浄などにより剥離する。
図5は、図4の(J)工程及びそれ以降の工程を示す図で、ノズル孔部分のみを拡大して示している。
(K)ICPドライエッチング装置によりSiO2膜44をエッチングマスクとしてテーパ状にドライエッチングし、テーパ状ノズル孔部分11bを形成する。この場合のエッチングガスとしては、例えばSF6などのシリコン基板41のエッチングを促進するガス(第1のガス)と、C4F8などの側面のエッチングが進行しないように側面を保護する保護膜を生成するガス(第2のガス)と、有機物(ここでは保護膜)を除去するO2などのガス(第3のガス)を混合して導入する。これにより、SiO2膜44の開口44aを起点としたテーパ状のドライエッチングが可能となる。本例では、SF6とC4F8とO2とをそれぞれ毎分20、40、50ccずつ導入して、テーパ角75度、深さ14μmのテーパ状ノズル孔11bを形成している。ここで、円筒状ノズル孔部分11aの側面及び底面にはエッチング保護膜としてのSiO2 膜44が形成されているため、この(K)のエッチング工程の際に円筒状ノズル孔部分11aにエッチングガスの影響が及ぶことはなく、円筒状ノズル孔部分11aの形状を維持することが可能となっている。
(L)円筒状ノズル孔部分11aの側面及び底面とシリコン基板41の表面に残るSiO2膜44をフッ酸水溶液で除去する。
(K)ICPドライエッチング装置によりSiO2膜44をエッチングマスクとしてテーパ状にドライエッチングし、テーパ状ノズル孔部分11bを形成する。この場合のエッチングガスとしては、例えばSF6などのシリコン基板41のエッチングを促進するガス(第1のガス)と、C4F8などの側面のエッチングが進行しないように側面を保護する保護膜を生成するガス(第2のガス)と、有機物(ここでは保護膜)を除去するO2などのガス(第3のガス)を混合して導入する。これにより、SiO2膜44の開口44aを起点としたテーパ状のドライエッチングが可能となる。本例では、SF6とC4F8とO2とをそれぞれ毎分20、40、50ccずつ導入して、テーパ角75度、深さ14μmのテーパ状ノズル孔11bを形成している。ここで、円筒状ノズル孔部分11aの側面及び底面にはエッチング保護膜としてのSiO2 膜44が形成されているため、この(K)のエッチング工程の際に円筒状ノズル孔部分11aにエッチングガスの影響が及ぶことはなく、円筒状ノズル孔部分11aの形状を維持することが可能となっている。
(L)円筒状ノズル孔部分11aの側面及び底面とシリコン基板41の表面に残るSiO2膜44をフッ酸水溶液で除去する。
(M)シリコン基板41を熱酸化装置にセットし、酸化温度1000℃、酸化時間2時間、酸素雰囲気中の条件で熱酸化処理を行い、ICPドライエッチング装置で加工した円筒状ノズル孔部分11a及びテーパ状ノズル孔部分11bの側面及び底面を含むシリコン基板41の表面全体に膜厚0.1μmのSiO2膜46を均一に成膜する。
(N)次に透明材料(ガラス等)の支持基板50に、紫外線または熱などの刺激で容易に接着力が低下する自己剥離層61を持った両面テープ60を張り合わせる。具体的には、支持基板50に張り合わせた両面テープ60の自己剥離層61の面と、シリコン基板41の接合面41aとを向かい合わせ、真空中で貼り合せる。これにより接着界面に気泡が残らないきれいな接着が可能になる。この接着の際に接着界面に気泡が残ると、次の(O)の研削加工で薄板化されるシリコン基板41の板厚がばらつく原因となる。
(N)次に透明材料(ガラス等)の支持基板50に、紫外線または熱などの刺激で容易に接着力が低下する自己剥離層61を持った両面テープ60を張り合わせる。具体的には、支持基板50に張り合わせた両面テープ60の自己剥離層61の面と、シリコン基板41の接合面41aとを向かい合わせ、真空中で貼り合せる。これにより接着界面に気泡が残らないきれいな接着が可能になる。この接着の際に接着界面に気泡が残ると、次の(O)の研削加工で薄板化されるシリコン基板41の板厚がばらつく原因となる。
(O)そして、シリコン基板41の吐出面側からバックグラインダーで研削加工を行い、円筒状ノズル孔部分11aの先端部11cが開口するまでシリコン基板41を薄くする。この薄板化の方法としては、他にポリッシャー、CMP装置による方法がある。これらの加工方法を用いた場合、研磨剤のカス等がノズル孔11内に残るため、ノズル孔11内の研磨材の水洗除去工程などで円筒状ノズル孔部分11a及びテーパ状ノズル孔部分11bの内壁は洗浄される。また、これらの方法以外に、ドライエッチングによりシリコン基板41を薄板化するようにしてもよい。すなわち、例えばSF6をエッチングガスとするドライエッチングにより、円筒状ノズル孔部分11bの先端部11cのSiO2膜46が露呈するまでシリコン基板41を薄くし、そして、その先端部11cのSiO2膜46をCF4又はCHF3等のエッチングガスとするドライエッチングで除去するようにしてもよい。
(P)次に、オゾンを溶存させた洗浄水にシリコン基板41を10分間浸し、吐出面41aに膜厚2nmの酸化膜47を形成する。このとき、ノズル孔11内に入り込んだ自己剥離層61の一部も除去される。また、シリコン基板41の表面が洗浄され、異物、汚れの付着が無くなり、これにより、次の工程で形成される撥インク膜の均一なコーティングが可能となる。
(Q)続いて、シリコン基板41の吐出面41aに撥インク処理を施す。すなわち、F原子を含む撥インク性を持った材料を蒸着やディッピングで成膜し、撥インク層48を形成する。このとき、円筒状ノズル孔部分11a及びテーパ状ノズル孔部分11bの内壁も撥インク処理される。
(R)次に支持基板50を剥離する。すなわち、先ず、吐出面41aにダイシングテープ70をサポートテープとして貼り付ける。
(Q)続いて、シリコン基板41の吐出面41aに撥インク処理を施す。すなわち、F原子を含む撥インク性を持った材料を蒸着やディッピングで成膜し、撥インク層48を形成する。このとき、円筒状ノズル孔部分11a及びテーパ状ノズル孔部分11bの内壁も撥インク処理される。
(R)次に支持基板50を剥離する。すなわち、先ず、吐出面41aにダイシングテープ70をサポートテープとして貼り付ける。
(S)そして、支持基板50側からUV光を照射し両面テープ60の自己剥離層61をシリコン基板41から剥離する。
(T)次にArスパッタもしくは02プラズマ処理によってシリコン基板41の円筒状ノズル孔部分11a及びテーパ状ノズル孔部分11bの内壁に余分に形成された撥インク層48を除去する。
(U)シリコン基板41においてダイシングテープ70を貼り付けている面とは反対側の面41bを真空ポンプに連通した吸着冶具80に吸着固定し、その状態でダイシングテープ70を剥離する。
(V)最後に、吸着冶具80の吸着固定を解除し、ノズルプレート1が完成する。なお、図示省略したが、シリコン基板41にはノズル孔11を形成するのと同時にノズルプレート外輪となる部分に貫通溝を形成するようにしており、吸着冶具80を取り外す段階でノズルプレート1が個片に分割されるようになっている。
(T)次にArスパッタもしくは02プラズマ処理によってシリコン基板41の円筒状ノズル孔部分11a及びテーパ状ノズル孔部分11bの内壁に余分に形成された撥インク層48を除去する。
(U)シリコン基板41においてダイシングテープ70を貼り付けている面とは反対側の面41bを真空ポンプに連通した吸着冶具80に吸着固定し、その状態でダイシングテープ70を剥離する。
(V)最後に、吸着冶具80の吸着固定を解除し、ノズルプレート1が完成する。なお、図示省略したが、シリコン基板41にはノズル孔11を形成するのと同時にノズルプレート外輪となる部分に貫通溝を形成するようにしており、吸着冶具80を取り外す段階でノズルプレート1が個片に分割されるようになっている。
また、別の実施例として上記(K)の工程のガス導入量を、SF6、C4F8、O2をそれぞれ毎分20、40、70ccずつとなるようにしたところ、テーパ角65度、深さ13μmのテーパ状ノズル孔部分11bが形成できた。
このように実施の形態1のノズルプレートの製造方法によれば、異方性ウェットエッチングに依ることなくドライエッチングでテーパ状ノズル孔部分11bを形成するため、ノズル密度を高密度とすることが可能である。また、ノズル孔全体をドライエッチングで形成するため、円筒状ノズル孔部分11aとテーパ状ノズル孔部分11bとの境界部分をなめらかに連続した形状とすることができ、気泡排出性が良く、安定した吐出特性を有するインクジェットヘッドを形成することができる。また、テーパ状ノズル孔部分11bを形成する際のエッチング工程では、円筒状ノズル孔部分11aの側面及び底面をエッチング保護膜としてのSiO2膜44で保護するため、円筒状ノズル孔部分11aの孔径にエッチングガスの影響が及ぶのを防止でき、円筒状ノズル孔部分11aの孔径精度を維持することができる。
また、ノズル孔11の先端側の孔形状を円筒形状としたので、ノズルプレート1となるシリコン基板41を研削してノズル孔11の先端部11cを開口する際に、その研削量が所定量よりも多少ずれたとしても、吐出性能に非常に関わるノズル孔径は変化しないため、歩留まり良く製造することが可能となり、すなわち低コストで製造することが可能となる。
また、ノズル孔11をICP(Inductively Coupled Plasma:誘導結合プラズマ)放電によるドライエッチングで形成することにより、短時間で高精度に形成することができる。
また、本実施の形態1のノズルプレート1の製造方法は、静電駆動方式のインクジェットヘッドに用いるノズルプレートの場合を例に説明したが、圧電駆動方式やバブルジェット(登録商標)方式など、他方式のインクジェットヘッドのノズルプレートにも適用可能である。
(2)キャビティプレート2および電極基板3の製造方法
ここでは、電極基板3にシリコン基板100を接合した後、そのシリコン基板100からキャビティプレート2を製造する方法について図9、図10を参照して簡単に説明する。
ここでは、電極基板3にシリコン基板100を接合した後、そのシリコン基板100からキャビティプレート2を製造する方法について図9、図10を参照して簡単に説明する。
電極基板3は以下のようにして製造される。
まず、硼珪酸ガラス等からなる板厚約1mmのガラス基板200に、例えば金・クロムのエッチングマスクを使用してフッ酸によってエッチングすることにより凹部32を形成する。なお、この凹部32は個別電極31の形状より少し大きめの溝状のものであり、個別電極31ごとに複数形成される。
そして、凹部32の内部に、例えばスパッタによりITO(Indium Tin Oxide)からなる個別電極31を形成する。
その後、ドリル等によってインク供給孔34となる孔部34aを形成することにより、電極基板3が作製される(図9(A))。
まず、硼珪酸ガラス等からなる板厚約1mmのガラス基板200に、例えば金・クロムのエッチングマスクを使用してフッ酸によってエッチングすることにより凹部32を形成する。なお、この凹部32は個別電極31の形状より少し大きめの溝状のものであり、個別電極31ごとに複数形成される。
そして、凹部32の内部に、例えばスパッタによりITO(Indium Tin Oxide)からなる個別電極31を形成する。
その後、ドリル等によってインク供給孔34となる孔部34aを形成することにより、電極基板3が作製される(図9(A))。
次に、厚さが例えば525μmのシリコン基板100の両面を鏡面研磨した後に、シリコン基板100の片面にプラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)によって厚さ0.1μmのTEOS(TetraEthylorthosilicate)からなるシリコン酸化膜(絶縁膜)26を形成する(図9(B))。なお、シリコン基板100を形成する前に、エッチングストップ技術を利用し振動板22の厚みを高精度に形成するためのボロンドープ層を形成するようにしてもよい。エッチングストップとは、エッチング面から発生する気泡が停止した状態と定義し、実際のウェットエッチングにおいては、気泡の発生の停止をもってエッチングがストップしたものと判断する。
そして、このシリコン基板100と、図9(A)のように作製された電極基板3を、例えば360℃に加熱し、シリコン基板100に陽極を、電極基板3を陰極に接続して800V程度の電圧を印加して陽極接合により接合する(図9(C))。
シリコン基板100と電極基板3を陽極接合した後に、水酸化カリウム水溶液等で接合状態のシリコン基板100をエッチングすることにより、シリコン基板100の厚さを例えば140μmになるまで薄板化する(図9(D))。
シリコン基板100と電極基板3を陽極接合した後に、水酸化カリウム水溶液等で接合状態のシリコン基板100をエッチングすることにより、シリコン基板100の厚さを例えば140μmになるまで薄板化する(図9(D))。
次に、シリコン基板100の上面(電極基板3が接合されている面と反対側の面)の全面にプラズマCVDによって例えば厚さ1.5μmのTEOS膜を形成する。
そして、このTEOS膜に、吐出室21となる凹部24およびリザーバ23となる凹部25を形成するためのレジストをパターニングし、これらの部分のTEOS膜をエッチング除去する。
その後、シリコン基板100を水酸化カリウム水溶液等でエッチングすることにより、吐出室21となる凹部24およびリザーバ23となる凹部25を形成する(図10(E))。このとき、配線のための電極取り出し部29となる部分もエッチングして薄板化しておく。なお、図10(E)のウェットエッチングの工程では、例えば初めに35重量%の水酸化カリウム水溶液を使用し、その後3重量%の水酸化カリウム水溶液を使用することができる。これにより、振動板22の面荒れを抑制することができる。
そして、このTEOS膜に、吐出室21となる凹部24およびリザーバ23となる凹部25を形成するためのレジストをパターニングし、これらの部分のTEOS膜をエッチング除去する。
その後、シリコン基板100を水酸化カリウム水溶液等でエッチングすることにより、吐出室21となる凹部24およびリザーバ23となる凹部25を形成する(図10(E))。このとき、配線のための電極取り出し部29となる部分もエッチングして薄板化しておく。なお、図10(E)のウェットエッチングの工程では、例えば初めに35重量%の水酸化カリウム水溶液を使用し、その後3重量%の水酸化カリウム水溶液を使用することができる。これにより、振動板22の面荒れを抑制することができる。
シリコン基板100のエッチングが終了した後に、フッ酸水溶液でエッチングすることによりシリコン基板100の上面に形成されているTEOS膜を除去する(図10(F))。
次に、シリコン基板100の吐出室21となる凹部24等が形成された面に、プラズマCVDによりTEOS膜(絶縁膜26)を例えば厚さ0.1μmで形成する(図10(G))。
その後、RIE(Reactive Ion Etching)等によって電極取り出し部29を開放する。また、電極基板3のインク供給孔34となる孔部からレーザ加工を施してシリコン基板100のリザーバ23となる凹部25の底部を貫通させ、インク供給孔34を形成する(図10(H))。また、振動板22と個別電極31の間の電極間ギャップの開放端部をエポキシ樹脂等の封止材(図示せず)を充填することにより封止する。また、図1、図2に示すように共通電極28がスパッタによりシリコン基板100の上面(ノズルプレート1との接合側の面)の端部に形成される。
次に、シリコン基板100の吐出室21となる凹部24等が形成された面に、プラズマCVDによりTEOS膜(絶縁膜26)を例えば厚さ0.1μmで形成する(図10(G))。
その後、RIE(Reactive Ion Etching)等によって電極取り出し部29を開放する。また、電極基板3のインク供給孔34となる孔部からレーザ加工を施してシリコン基板100のリザーバ23となる凹部25の底部を貫通させ、インク供給孔34を形成する(図10(H))。また、振動板22と個別電極31の間の電極間ギャップの開放端部をエポキシ樹脂等の封止材(図示せず)を充填することにより封止する。また、図1、図2に示すように共通電極28がスパッタによりシリコン基板100の上面(ノズルプレート1との接合側の面)の端部に形成される。
以上により、電極基板3に接合した状態のシリコン基板100からキャビティプレート2が作製される。
そして最後に、このキャビティプレート2に、前述のように作製されたノズルプレート1を接着等により接合することにより、図2に示したインクジェットヘッド10の本体部が作製される。
そして最後に、このキャビティプレート2に、前述のように作製されたノズルプレート1を接着等により接合することにより、図2に示したインクジェットヘッド10の本体部が作製される。
本実施の形態1のインクジェットヘッド10の製造方法によれば、キャビティプレート2を、予め作製された電極基板3に接合した状態のシリコン基板200から作製するものであるので、その電極基板3によりキャビティプレート2を支持した状態となるため、キャビティプレート2を薄板化しても、割れたり欠けたりすることがなく、ハンドリングが容易となる。したがって、キャビティプレート2を単独で製造する場合よりも歩留まりが向上する。
実施の形態2.
図11は、実施の形態1のノズルプレートの製造方法で得られたノズルプレートを有するインクジェットヘッド10を搭載したインクジェット記録装置を示す斜視図である。図11に示すインクジェット記録装置は、インクジェットプリンタであり、実施の形態1のインクジェットヘッド10を搭載しているため、吐出特性が良く、また高密度化が可能なため、液滴の着弾位置の高精度化が可能で、安定した高品質の印字が可能なインクジェット記録装置300を得ることができる。
なお実施の形態1に示すインクジェットヘッド10は、図11に示すインクジェットプリンタの他に、液滴を種々変更することで、液晶ディスプレイのカラーフィルタの製造、有機EL表示装置の発光部分の形成、遺伝子検査等に用いられる生体分子溶液のマイクロアレイの製造など様々な用途の液滴吐出装置として利用することができる。
図11は、実施の形態1のノズルプレートの製造方法で得られたノズルプレートを有するインクジェットヘッド10を搭載したインクジェット記録装置を示す斜視図である。図11に示すインクジェット記録装置は、インクジェットプリンタであり、実施の形態1のインクジェットヘッド10を搭載しているため、吐出特性が良く、また高密度化が可能なため、液滴の着弾位置の高精度化が可能で、安定した高品質の印字が可能なインクジェット記録装置300を得ることができる。
なお実施の形態1に示すインクジェットヘッド10は、図11に示すインクジェットプリンタの他に、液滴を種々変更することで、液晶ディスプレイのカラーフィルタの製造、有機EL表示装置の発光部分の形成、遺伝子検査等に用いられる生体分子溶液のマイクロアレイの製造など様々な用途の液滴吐出装置として利用することができる。
1 ノズルプレート、2 キャビティプレート、3 電極基板、4 駆動制御回路、10 インクジェットヘッド、11 ノズル孔、11a 円筒状ノズル孔部分、11b テーパ状ノズル孔部分、11c 先端部、12 凹部、13 オリフィス、14 ダイヤフラム部、21 吐出室、22 振動板、23 リザーバ、24 凹部、25 凹部、26 絶縁膜、28 共通電極、31 個別電極、31a リード部、31b 端子部、32 凹部、34 インク供給孔、41 シリコン基板、42 SiO2 膜、44 SiO2膜、44a 開口、300 インクジェット記録装置。
Claims (8)
- 吐出方向の先端側の円筒状ノズル孔部分と、該円筒状ノズル孔部分から吐出方向の後端側に向けてノズル断面積が漸増しているテーパ状ノズル孔部分とから構成されるノズル孔を、シリコン基板をエッチングすることにより形成するノズルプレートの製造方法であって、
前記シリコン基板の一方の面にドライエッチングを施して前記円筒状ノズル孔部分を形成する工程と、
少なくとも前記一方の面と前記円筒状ノズル孔部分の側面及び底面とにエッチング保護膜を形成する工程と、
前記エッチング保護膜のうち、前記円筒状ノズル孔部分の周囲部分を、前記円筒状ノズル孔部分の孔径よりも大きく除去して開口を形成する工程と、
前記開口が形成された前記エッチング保護膜を有する前記シリコン基板にドライエッチングを施し、前記テーパ状ノズル孔部分を形成する工程と、
前記シリコン基板を、前記一方の面とは反対側の面側から前記円筒状ノズル孔部分の先端部が開口するまで薄板化する工程と
を有することを特徴とするノズルプレートの製造方法。 - 前記ドライエッチングはICP放電によるドライエッチングであることを特徴とする請求項1記載のノズルプレートの製造方法。
- 前記テーパ状ノズル孔部分を形成するドライエッチングは、前記テーパ状ノズル孔部分の深さ方向のエッチングを促進するための第1のガスと、前記テーパ状ノズル孔部分の側面方向のエッチングを抑制して該側面を保護するための保護膜を形成するための第2のガスと、前記保護膜をエッチングしてテーパー角を調整するための第3のガスとを導入することにより行うことを特徴とする請求項2記載のノズルプレートの製造方法。
- 請求項1乃至請求項3の何れかに記載のノズルプレートの製造方法を用いて製造されたノズルプレート。
- 請求項1乃至請求項3の何れかに記載のノズルプレートの製造方法を用いて液滴吐出ヘッドを製造することを特徴とする液滴吐出ヘッドの製造方法。
- 請求項5記載の液滴吐出ヘッドの製造方法を用いて製造されたことを特徴とする液滴吐出ヘッド。
- 請求項5記載の液滴吐出ヘッドの製造方法を用いて液滴吐出装置を製造することを特徴とする液滴吐出装置の製造方法。
- 請求項7記載の液滴吐出装置の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする液滴吐出装置。
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JP2006155032A JP2007320254A (ja) | 2006-06-02 | 2006-06-02 | ノズルプレートの製造方法、ノズルプレート、液滴吐出ヘッドの製造方法、液滴吐出ヘッド、液滴吐出装置の製造方法及び液滴吐出装置 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010267951A (ja) * | 2008-12-30 | 2010-11-25 | Fujifilm Corp | ノズル形成方法 |
US8485640B2 (en) | 2007-06-18 | 2013-07-16 | Seiko Epson Corporation | Nozzle plate, droplet discharge head, method for manufacturing the same and droplet discharge device |
-
2006
- 2006-06-02 JP JP2006155032A patent/JP2007320254A/ja not_active Withdrawn
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US8197029B2 (en) * | 2008-12-30 | 2012-06-12 | Fujifilm Corporation | Forming nozzles |
US8641171B2 (en) | 2008-12-30 | 2014-02-04 | Fujifilm Corporation | Forming nozzles |
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