JPH05205904A - 抵抗金属層およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 通常は導電性の金属成分、および、抵抗値を
増大させる量の非金属添加剤との複合体を包含する抵抗
層、あるいは該抵抗層に導電箔層を接着した積層体、あ
るいは該抵抗層を包含するプリント回路基板が提供され
る。さらにこれらを製造するための鍍金浴組式および電
着方法および選択的エッチング方法も提供される。 【効果】 優れた耐熱性、耐久性、低い抵抗温度係数を
有する抵抗層が制御性良く作成し得る。また、選択的な
エッチング方法により所望のパターンを有するプリント
回路基板が精度よく作製し得る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、プリント回路基板の前
駆材料の分野、並びにそのような物質を製造および利用
する方法に関する。より詳細には、本発明は、電着され
た電気抵抗性金属層；そのような抵抗層を含む多層箔；
絶縁層、電着された抵抗性金属層、および導電層を含む
積層体；絶縁層およびその絶縁層に結合した抵抗配線を
含むプリント回路基板；並びに前述の各々を調製する方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】先駆的発明であるStrongらの、1953年4
月29日発行の英国特許第690,691号に開示されて以来、
プリント回路基板（PCB）技術は、現代電子産業にとっ
て、極めて重要な局面になった。PCB技術は、導電物質
として使用される薄い箔を製造するための、クラッディ
ングおよび関連する電着工程の発達に伴って、進歩して
いった。PCB部品のスペースを最小限にとどめる努力の
ため、業界は、プレーナ抵抗技術に、そして特に、回路
密度を上げる、信頼性および作動特性を向上させる、お
よび特に製造自動化率を上げることにより全体コストを
削減する努力のために、電着抵抗層に切り替えていっ
た。これらの従来行われてきた事柄は、Mahler著の文
献、"Planar Resistor Technology for High-Speed Mul
tilayer Boards"と題された、Electronic Packaging &
Production、1986年1月、pp151-154、に要約されてい
る。

【０００３】エッチング可能な抵抗物質の電着層の分野
で、重要な進歩が米国特許第3,857,683号に開示のCasto
nguay、米国特許第3,808,576号に開示のCastonguayら、
および国際公開No. WO86/07100で公開された国際出願N
o. PCT/US86/01173に開示のRiceらにより為された。

【０００４】多くの二元合金が抵抗層として有用である
として、米国特許第3,857,683号に開示されている。し
かし、これら合金のほとんどの特異的抵抗値は、実用化
されるには低すぎるものである。さらに多くの場合、合
金製造のための各電着浴で必要とされる成分は外来で、
高価なものであり、時には取り扱いが困難および／また
は危険なものである。例えば、特許第3,857,683号の実
施例XIおよびXXXIにおいて、アンチモンのフッ化ホウ素
酸塩、およびコバルトまたはニッケルのいずれか、並び
にフッ化ホウ素酸がコバルト／アンチモン合金およびニ
ッケル／アンチモン合金を各々調製するのに必要とされ
る。加えて、この以前の刊行物は、二元合金からプリン
ト回路を調製するのに採用される特定のエッチング液、
またはエッチング条件について何ら手引きしていない。

【０００５】いずれにしても、何らかの理由で、米国特
許第3,808,576号および国際公開No.WO/86/07100に示さ
れているように、ニッケル／リン合金が、PCB前駆材料
の抵抗層に応用される際、最も幅広く使用されている物
質である。国際公開No. WO/86/07100において、ニッケ
ル／リン抵抗層は、硫酸塩および塩化塩の含まれていな
い鍍金浴により、銅箔の上に鍍金されている。この引例
は、特に、そのような塩の使用は、脆化を引き起こすた
め避けるべきだと教示している。よって、鍍金浴は、ニ
ッケルカルボン酸塩、リン酸および亜リン酸を包含して
いる。特許第3,808,576号では、抵抗層は30重量％まで
亜リン酸を含み、抵抗層を電着する浴は、硫酸ニッケル
六水塩、塩化ニッケル六水塩、カルボン酸ニッケル、リ
ン酸、亜リン酸、および他の添加物を包含する。ニッケ
ル／リン層を形成するために、それほど多くの試薬を使
用することは、技術的に扱いにくいものとし、商業的に
適した抵抗層を製造するためのコストを押し上げる。さ
らに、抵抗合金は、銅箔の表面に電着後、陽極酸化処理
して酸化物とする必要があると一般に考えられている。
このこともまた、コストを引き上げ、不都合なものとし
ている。

【０００６】よって、電着抵抗層を提供するプレーナ技
術が進歩しているにもかかわらず、当業者は、簡単に再
現性よく電着されて抵抗層を提供し得、その抵抗層は、
商業化に適した、価値ある抵抗特性のある抵抗配線およ
びセグメントを有するプリント回路部品を提供するため
に、安全なエッチング液を用いて容易にエッチング出来
る、そのような抵抗物質を探し続けている。本出願が開
示する本発明はそのような抵抗層、そのような層を導入
した部品、並びにその製造方法およびその製造のための
鍍金浴を提供する。

【０００７】

【発明の要旨】本出願は、抵抗層および複合層箔、並び
にその抵抗層を包含する積層体およびプリント回路基板
を提供する。

【０００８】抵抗層は、通常は導電性の金属成分と、抵
抗値を増大させる量の非金属添加物との複合体の電着層
を含有する。

【０００９】本発明の多層箔は、導電層および本発明の
抵抗層を含有する。

【００１０】本発明の積層体は、本発明の電着抵抗層が
電着された絶縁層を含有する。本発明のこの局面によれ
ば、その積層体は抵抗層に接着した導電層をも含有し得
る。本発明のプリント回路基板は、絶縁層およびその絶
縁層に付着した抵抗配線を包含する。抵抗配線は、通常
は導電性の金属成分と、抵抗値を増大させる量の非金属
添加物との複合体を包含する電着物質よりなる。

【００１１】本明細書に記載の本発明はさらに、抵抗層
を電着する方法、特に、予め選択されたシート抵抗また
は抵抗率を有する抵抗層を電着する方法を提供する。

【００１２】本発明はさらに、通常は導電性の金属成分
の第１ソースと、炭素もしくは窒素、または炭素、窒
素、リンの２つまたはそれ以上を組み合わせたものを包
含する非金属抵抗値を増大させる量の添加物の第２ソー
スとの水溶液を含有する、抵抗層を電着させるための鍍
金浴を提供する。

【００１３】本発明の別の局面では、絶縁層の上に、本
発明の化合物からなる少なくとも１つのクロムまたはニ
ッケル含有の抵抗配線、および導電領域を有する、プリ
ント回路基板を調製する方法が提供される。本発明のこ
の局面には、導電箔層および抵抗層の各々を選択的にエ
ッチングする方法が含まれる。

【００１４】

【発明の構成】本発明の抵抗層は、通常は導電性の金属
成分（A）と、抵抗値を増大させる量の非金属添加物
（B）との複合体を包含する抵抗層であって、金属成分
（A）は、クロムを包含しており、非金属添加物（B）
は、抵抗層のバルク中に、通常は導電性の金属成分
（A）の１原子当たり、少なくとも約0.001原子の、炭素
もしくは窒素、または炭素、窒素、リンの２つまたはそ
れ以上の組み合わせを包含しており、また金属成分
（A）が、抵抗層のバルクの少なくとも平均約80重量％
包含されるのが好ましい。

【００１５】本発明の抵抗層が約0.1から0.4μmの厚さ
を有する時には、抵抗層は約15から1,000Ω/□のシート
抵抗を有するのが好ましい。

【００１６】本発明の抵抗のバルクは、金属成分（A）
の１原子当たり少なくとも約0.01原子の酸素を包含する
のが好ましい。

【００１７】本発明の抵抗層のバルクは、少なくとも平
均約80重量％のクロムを包含するのが好ましい。

【００１８】好適な実施態様では、抵抗層のバルクが金
属成分（A）の１原子当たり少なくとも平均約0.001原子
の炭素を包含する。

【００１９】好適な実施態様においては、金属成分
（A）がコバルト、バナジウム、モリブデン、またはタ
ングステンをさらに包含する。

【００２０】好適な実施態様においては、非金属添加物
（B）が、抵抗層のバルク中に、金属成分（A）の１原子
当たり少なくとも平均約0.01原子の酸素、および少なく
とも約0.001原子の炭素を包含しており、また クロム
が抵抗層のバルク中に、少なくとも平均約80重量％包含
される。

【００２１】本発明の抵抗層はまた、通常は導電性の金
属成分（A）、および抵抗値を増大させる量の非金属添
加物（B）との複合体を包含する抵抗層であって、金属
成分（A）は、クロムおよびコバルト、バナジウム、モ
リブデン、またはタングステンを包含しており、非金属
添加物（B）は、通常は導電性の金属成分（A）の１原子
当たり、少なくとも平均約0.001原子の炭素、窒素、あ
るいはリン、または炭素、窒素、リンの２つまたはそれ
以上を組み合わせたものを包含するのが好ましい。 好
適な実施態様においては、金属成分（A）が、抵抗層の
バルクの少なくとも平均約80重量％包含される。

【００２２】好適な実施態様においては、非金属添加物
（B）が、抵抗層のバルク中に、金属成分（A）の１原子
当たり少なくとも平均約0.01原子の酸素、および少なく
とも約0.001原子の炭素原子を包含する。

【００２３】本発明の抵抗層はまた、通常は導電性の金
属成分（A）、および抵抗値を増大させる量の非金属添
加物（B）との複合体を包含する抵抗層であって、金属
成分（A）は、クロムを包含しており、非金属添加物
（B）は、炭素および酸素を包含しており、抵抗層は、
約0.1から0.4μmの厚さ、および約15から1,000Ω/□の
シート抵抗を有するのが好ましい。

【００２４】好適な実施態様においては、抵抗層が約60
0μΩ・cmより大きいバルク抵抗値を有する。

【００２５】好適な実施態様においては、バルク抵抗層
が、Ｘ線回折分析により確認される、体心立方結晶格子
構造および単純立方結晶格子構造を包含する。

【００２６】好適な実施態様においては、抵抗層は、単
純な立方結晶格子構造が抵抗層の結晶格子構造の小面を
有する。

【００２７】本発明の複合層は、導電箔層の上に上述の
抵抗層を包含する。

【００２８】本発明の積層体は、絶縁層に接着した抵抗
層を包含する。

【００２９】好適な実施態様においては、積層体は、抵
抗層に接着した導電箔層をさらに包含する。

【００３０】好適な実施態様においては、積層体は、絶
縁層に接着した上述の抵抗層および抵抗増に接着した導
電箔層を包含する。

【００３１】本発明のプリント回路基板は、絶縁層、お
よび絶縁層に結合した抵抗配線を包含するプリント回路
基板であって、抵抗配線は通常は導電性の金属成分と、
抵抗値を増大させる量の非金属添加物との複合体を包含
しており、金属成分（A）は、クロムを包含しており、
非金属添加物（B）は、抵抗層のバルク中に、通常は導
電性の金属成分（A）の１原子当たり、少なくとも平均
約0.001原子の、炭素もしくは窒素、または炭素、窒
素、リンの２つまたはそれ以上の組み合わせを包含して
おり、また、金属成分（A）が、抵抗層のバルクの少な
くとも平均約80重量％包含するのが好ましい。

【００３２】本発明のプリント回路基板はまた、絶縁
層、および絶縁層に結合した抵抗配線を包含するプリン
ト回路基板であって、抵抗配線は通常は導電性の金属成
分と、抵抗値を増大させる量の非金属添加物との複合体
を包含しており、金属成分（A）は、クロムおよびコバ
ルト、バナジウム、モリブデン、またはタングステンを
包含しており、非金属添加物（B）は、通常は導電性の
金属成分（A）の１原子当たり、少なくとも平均約0.001
の原子の炭素、窒素、あるいはリン、または炭素、窒
素、あるいはリンの２つまたはそれ以上の組み合わせを
包含するのが好ましい。

【００３３】本発明のプリント回路基板はまた、絶縁
層、および絶縁層に結合した抵抗配線を包含するプリン
ト回路基板であって、抵抗配線は通常は導電性の金属成
分と、抵抗値を増大させる量の非金属添加物との複合体
を包含しており、金属成分（A）は、クロムを包含して
おり、非金属添加物（B）は、炭素および酸素を包含し
ており、また抵抗層が少なくとも約600μΩ・cmのバルク
抵抗値を有するのが好ましい。

【００３４】本発明の抵抗層を電着する方法は、以下の
工程を包含する： （A）通常は導電性の金属成分の第１ソース、および炭
素もしくは窒素、または炭素、窒素、リンの２つまたは
それ以上の組み合わせを包含する非金属の抵抗値を増大
させる添加物の第２ソース、の水溶液を包含する鍍金浴
を提供する工程； （B）浴に導電部材を入れる工程；
および （C）陰極として導電部材を用い、電流を浴に流すこと
により、金属成分と添加物との複合体を包含する層を導
電部材の上に、電着する工程。

【００３５】好適な実施態様においては、第２ソース
が、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、またはそのような酸の
アルカリ金属塩を包含する。

【００３６】好適な実施態様においては、第２ソース
が、酢酸またはプロピオン酸を包含する。

【００３７】好適な実施態様においては、電解浴がオキ
シハロアニオンを包含する。

【００３８】本発明の鍍金浴は、通常は導電性の金属成
分の第１ソース；および炭素もしくは窒素、または炭
素、窒素、リンの２つまたはそれ以上の組み合わせを包
含する非金属抵抗値を増大させる添加物の第２ソース；
の水溶液を包含する抵抗層を電着する。

【００３９】好適な実施態様においては、第１ソースが
クロムを包含し、第２ソースが酢酸またはプロピオン酸
を包含する。

【００４０】好適な実施態様においては、浴が、さらに
オキシハロアニオンを包含する。

【００４１】本発明の絶縁層の上に少なくとも１つの抵
抗配線および導電領域を有するプリント回路基板の調製
方法は、以下の一連の工程を包含する： （A）絶縁層、絶縁層に結合した抵抗層、および導電金
属箔層を包含する積層体を提供する工程であり、導電金
属箔層は、抵抗層に結合したクロム以外の導電金属を主
成分として包含し、抵抗層は、通常は導電性の金属成
分、および抵抗値を増大させる非金属添加物の複合体を
包含し、金属成分はクロムを包含し、非金属添加物は、
抵抗層のバルク中に、炭素もしくは窒素、または炭素、
窒素、リンの２つまたはそれ以上の組み合わせを包含す
る工程； （B）第１マスクで積層体をマスクする工程； （C）第１マスクに覆われていない抵抗クロム層から導
電箔層を除去するために、抵抗層に比して金属箔層を優
先的にエッチング出来る第１エッチング液に、第１マス
クを上に有する積層体を接触させる工程； （D）積層体を塩酸を包含する第２エッチング液に接触
させる、抵抗層を第１マスクに覆われていない全ての絶
縁層から取り除く工程； （E）積層体から第１マスクを除去する工程； （F）第２マスクで積層体をマスクする工程；および （G）第２マスクを上に包含する積層体を、抵抗クロム
層を残したまま、第２マスクに覆われていない積層体か
ら導電箔層を除去するために、抵抗層に比して導電箔層
を、優先的にエッチング出来る第３のエッチング液に接
触させる工程。また、第１マスクで覆われた抵抗層は絶
縁層の抵抗性クロム包含配線を、第２マスクで覆われた
導電箔が抵抗性クロム配線の部分に、導電金属領域を規
定する。

【００４２】好適な実施態様においては、導電性金属箔
層が銅箔であり、第１および第３エッチング液が塩化第
二銅を包含する。

【００４３】好適な実施態様においては、導電金属箔層
がニッケル箔であり、抵抗層がクロムを大量に包含して
おり、そして第１および第３エッチング液がそれぞれ、
アルカリ性アンモニアエッチング液、塩化第二鉄、塩化
第二銅、または過酸化水素を包含する。

【００４４】好適な実施態様においては、非金属添加物
が酸素をも包含する。

【００４５】好適な実施態様においては、非金属添加物
が炭素および酸素を包含する。

【００４６】本発明の絶縁層の上に少なくとも１つの抵
抗配線および導電領域を有するプリント回路基板の調製
方法は、以下の一連の工程を包含する、： （A）絶縁層、絶縁層に結合した抵抗層、および抵抗層
に結合した導電銅箔層を包含する積層体を提供する工程
であり、抵抗層はニッケル包含の通常は導電性の金属成
分、およびリン以外の抵抗値を増大させる非金属添加物
の複合体を包含し； （B）積層体を第１マスクでマスクする工程； （C）第１マスクに覆われていない全ての絶縁層の部分
から、導電銅箔層および抵抗層を取り除くために、銅箔
およびニッケル包含抵抗層をエッチング出来る第１エッ
チング液に、第１マスクを上に有する積層体を、接触さ
せる工程； （D）積層体から第１マスクを除去する工程； （E）第２マスクで積層体をマスクする工程； （F）抵抗層を残したまま、積層体のマスクされていな
い部分から導電銅箔層を取り除くために、ニッケル包含
抵抗層に比して銅箔層を優先的にエッチング出来る第３
のエッチング液に、第２マスクを上に有する積層体を接
触させる工程。また、第１マスクで覆われた抵抗層は絶
縁層の抵抗配線を、第２マスクで覆われた銅箔が抵抗配
線の部分に導電銅領域を規定する。

【００４７】好適な実施態様においては、非金属添加物
は、硫黄を包含する。

【００４８】好適な実施態様においては、前述（C）の
工程の後、および（D）の工程の前に、第１マスクを上
に有する積層体を、クロム酸および硫酸包含第２エッチ
ング液に接触させ、絶縁層のマスクされていない全ての
部分から残留物を除去することを包含する（C1）の工程
が行われる。

【００４９】好適な実施態様においては、第１エッチン
グ液が塩化第二銅を包含し、第３エッチング液がクロム
酸と、硫酸との混合物を包含する。

【００５０】上述のように、本明細書に記載の本発明
は、電着電気抵抗金属層；絶縁層、抵抗層に付着された
電着抵抗金属層、および抵抗層に付着した導電層を含む
複合積層体；およびそのような物質から調製されたプリ
ント回路基板を提供するものである。加えて本発明は、
本発明の抵抗金属層が電着される浴、およびそのような
浴を利用する方法を提供するものである。さらに、本発
明は、本発明のプリント回路基板部品を調製するため
に、本発明の積層体をエッチングする方法を提供するも
のである。

【００５１】電気抵抗物質は、通常は導電性の金属成分
と抵抗値を増大させる量の非金属添加物との複合体の電
着層を包含する。通常は導電性の電着金属が、本発明の
目的のための金属成分として使用し得る。そのような通
常は導電性の金属としては、クロム、ニッケル、コバル
ト、バナジウム、タングステン、モリブデン、バルブ金
属（チタン、ジルコニウム、ニオブ、タンタル等）、貴
金属（ルテニウム、白金、パラジウム等）、銀、スカン
ジウム、イットリウム等のような周期表の遷移元素、お
よびランタニド元素（セリウム、トリウム等）のような
遷移元素金属、並びにそれらを組み合わせたものが挙げ
られる。経済的および／または抵抗器の安定性の理由に
より、クロムそれ自身、または上述の金属の１つまたは
それ以上を組み合わせることが好ましい。１つの好適な
実施態様においては、抵抗層はクロムを主成分として含
有する。

【００５２】モリブデンおよび／またはタングステンが
抵抗層に存在することは、高性能の抵抗層を得るために
特に有効である。１つの実施態様においては、モリブデ
ンおよび／またはタングステンは、抵抗層の導電金属の
全体原子に対して少量が含まれている。本発明の１つの
実施態様においては、モリブデンおよび／またはタング
ステンの他の導電金属に対する原子比は、約0.001:1か
ら、約0.1:1の範囲である。好適な実施態様において
は、この原子比は、約0.01:1である。

【００５３】非金属添加物は、非金属元素またはそれら
の元素を組み合わせたものから選択されるが、一般に
は、炭素、窒素、リン、酸素、および硫黄の１つまたは
それ以上から選択される。酸素原子が複合体の中に存在
する時は、炭素、窒素および／またはリンの存在が一般
には好ましい。好適な実施態様においては、典型的に
は、実質的に珪素が存在しない。

【００５４】典型的に、バルク抵抗層には、通常は導電
性の金属の１原子当たり、１つまたはそれ以上の非導電
添加物が少なくとも約0.001原子含まれている。一般
に、バルク抵抗層は、通常は導電性の金属原子が少なく
とも約80重量％（バルク抵抗層の全原子に対して）含ま
れている。

【００５５】好適な抵抗層はさらに以下の特徴を有す
る：約600μΩ・cm（マイクロオームセンチメートル）よ
り大きいバルク抵抗値；物理的特性を損なうことなく絶
縁支持体に付着し得る接着性沈澱物を再生させるために
水溶液により、鍍金される；非放射性である；華氏約45
0度以上の温度で、融点を有し、結晶相が転移するなら
転移する；適切に付着されると、約20℃から100℃の温
度で約300ppm/℃より低い抵抗温度係数を示す；現在入
手可能な抵抗器に適した電流対電圧特性；不動態化、陽
極酸化、オーバープレート、または有機層もしくは無機
層で被覆させることにより適切に保護されると、通常の
使用に耐え得るに十分な化学耐性を示す。

【００５６】本発明の抵抗層は、水性電着浴により、安
定した銅箔層のような導電箔の上へ鍍金される。

【００５７】本発明の抵抗層はプリント回路基板業界の
当業者に周知の導電箔と共に利用され得る。例として
は、銅箔、ニッケル箔等が挙げられる。例えば、抵抗層
は、処理済みまたは未処理の銅箔の上に電着され得る。
典型的には、抵抗層は、電着導電箔の艶消し処理された
側に貼りつけられる。実用化のため、銅箔は一般に、酸
化防止処理済み（安定化済み）の、または未処理のまま
の普通の電着銅箔である。しかし、ある実施例において
は、抵抗層を未処理の銅箔または十分に付着処理された
銅箔に貼りつけることがより望ましい。

【００５８】本発明に関連した応用例で用いられる導電
箔としては、他にロールされた銅および電着ニッケル箔
が挙げられる。

【００５９】昇温下に空気または制御された雰囲気下
で、調製された二層箔をこの時点で加熱することは、不
可欠ではないが、望ましい。二層箔は、硬化し得る有機
樹脂の適切な製剤で含浸済みの１つまたはそれ以上の層
の繊維ガラス織物のような絶縁層に対して、抵抗層と共
に容易に積層される。華氏350から450度で、40分から2
時間、250から750psiで加圧するという従来工程を利用
して、複合層箔および含浸済みの繊維ガラス織物（プリ
プレッグ）を互いに付着させて、絶縁層、その絶縁層に
付着した電着電気抵抗層、およびその抵抗層に接着した
外部導電層からなる積層体を得る。

【００６０】本発明者らは、絶縁層をプリプレッグにす
る必要はないとも確認した。この点に関して、図１およ
び２に示す複合層箔１４のような、抵抗層を含む複合層
箔は、接着性の被覆ポリエステル膜に付着し得る。華氏
300度で、10から90秒の間、40から300psiの圧力を加圧
することにより、9.5ポンド毎インチを超える剥離強度
を有する積層体を、ポリエステル膜絶縁層を用いて製造
し得る。

【００６１】本発明は、抵抗層および導電層が互いに結
合しているかは問題にしない。本発明の好適な形態で
は、抵抗層は、導電層のマット側表面に直接電着され得
る。従って、本発明は、接着した電気抵抗物質の少なく
とも１つの層を含む積層した形態で、また高導電物質の
層と密接に接触させた状態で、新しいプリント回路基板
物質を提供する。

【００６２】図１および２に示す抵抗層１６を包含する
積層体１０のような複合積層を、プリント回路基板調製
に用い得る。従来工程を用いて、フォトレジストの輪郭
を示す導電配線を、積層体１０の導電層１８の上面に貼
りつける。その後フォトレジストを、従来方法で紫外線
の選択パターンに露光する。そのパターンは、一般に、
結合された抵抗器および導体パターンの負イメージを包
含する写真ネガより作り出される。フォトレジストを、
レジスト膜の未露光部分を除去することにより現像す
る。残留物は、パターンされたフォトレジスト層（導電
配線マスク）であり、導電箔層１８の部分は被覆されな
いままであるが、他の部分はマスクで被覆されたままで
ある（「マスク」とは、本明細書では、硬化された（パ
ターンされた）フォトレジスト層と定義される）。

【００６３】マスクされた積層体１０は、複合箔層１４
を、抵抗層よりも導電層を優先的にエッチングする優先
エッチング液に露すように処理される。そのようなエッ
チング液には、箔層が主成分として銅を包含するなら、
アルカリ性アンモニアエッチング液、塩化第二鉄または
塩化第二銅（塩酸で酸性化されたもの）、過酸化水素、
クロム酸、または他の適切なエッチング液が含まれる。
アンモニアエッチング液およびクロム酸エッチング液を
除く同じタイプのエッチング液は、ニッケルを主成分と
して包含する箔を優先的にエッチングするのにも用いら
れ得る。

【００６４】塩化第二銅（CuCl₂）／塩酸（HCl）エッチ
ング液のようなエッチング液がよく用いられる。１つの
実施態様では、エッチング浴には、例えば200g/lの塩化
第二銅および127ml/lの濃塩酸が含まれる。エッチング
浴は約52℃に保たれる。エッチング液は、導電配線マス
クで覆われていない領域で銅箔１８をエッチングする。
上述のマスクおよびエッチング工程の後には、一般
に、積層体を水ですすぐ工程が続く。結果、現像された
フォトレジストのマスクで覆われていない領域から箔層
１８が除去される。

【００６５】露出した下の抵抗層は、積層体１０の抵抗
層の露出部分を、抵抗層をエッチングする第２エッチン
グ液に接触させることにより除去される。抵抗層が主成
分としてクロムを包含するなら、18（重量）％の塩酸液
が約50℃以上の温度で、抵抗層エッチング液として用い
られ得る。好適な実施態様においては、積層体１０は、
約10秒間、塩酸液に浸され、クロム包含抵抗層１６は完
全に除去される。次に残留した硬化フォトレジスト（導
電配線をマスクするフォトレジスト）を、付着していた
箔領域から取り除く（はぎ取る）。導電配線３０のパタ
ーンが、図３に最も明白に示されているように、残され
る。導電配線３０の各々は、外側の層である導電箔１８
を、また下側の層である、基板１２に付着した抵抗クロ
ム層１６を包含する。

【００６６】１つまたはそれ以上の平面抵抗器の輪郭を
示すため、フォトレジストの層の輪郭を示す抵抗配線が
図３に示される導電配線のパターンに適用され得る。再
度、フォトレジストパターンが、フォトレジストを紫外
線のパターンに露光させることにより、例えば写真ネガ
を通してフォトレジストを露光させ、フォトレジストの
未露光部分を取り除く（一般には洗い流す）ことによ
り、示され得る。なお、これらは全て、従来方法により
行われる。抵抗配線フォトレジストの部分（現像画）が
残留して、導電配線３０またはその基板１２に残留する
部分をマスクする。箔層１８を、抵抗配線マスクで覆わ
れていない部分で、箔を除去するための上述のエッチン
グ液に積層体１０を浸すか、または箔１８をそのエッチ
ング液に接触させることにより、除去する。この時点
で、導電および抵抗領域が示され、適切に各々が互いに
接触して、平面抵抗器を包含するプリント回路基板を得
る。

【００６７】言い換えれば、プリント回路基板は電位を
抵抗配線に電気的につなぐ手段を包含する。電気的につ
なぐ手段は、例えば、抵抗配線に接着した間隔をおいた
一対の銅パッドを含む。抵抗配線および間隔をおいた銅
パッドは、各電着層をエッチングすることにより作られ
得る。例えば、上述の抵抗配線マスクが、取り除かれて
図４に示されるプリント回路基板が得られる。そのプリ
ント回路基板は、クロム包含抵抗層のような、元になる
抵抗層１６の部分を含む抵抗配線４０、並びに抵抗配線
４０に密接に電気接触している一対の導電銅箔接触パッ
ド４２および４４を包含する抵抗配線４０に電位を電気
的につなぐための手段からなる。プリント回路基板業界
の当業者に周知のように、パッド４２および４４は、抵
抗配線４０を電位に電気的につなぐための手段を備えて
いる。

【００６８】多数の抵抗配線抵抗器の各々は、回路網に
配列され、適切な導体により互いに連結され、種々の抵
抗値および抵抗特性を提供する。図４のプリント回路基
板はまた、従来方法により電流を通すために、回路基板
に残留する導電箔配線３０を１つかそれ以上包含する。

【００６９】本発明によれば、抵抗層または抵抗配線の
シート抵抗は、それと共に電着される非導電添加物の量
を変え、また電着の条件または鍍金浴の化学性質を変化
させることにより、徐々に変えることが出来る。

【００７０】本明細書全体に渡って、「シート抵抗」と
いう用語は、「オーム毎平方」単位で表される真の薄膜
抵抗器における電子の流れに対する抵抗値と定義され
る。「オーム毎平方」の値は、平方の大きさに関わらず
一定である。なぜなら、公式R=p(L/wxh)（Rは抵抗値、p
は比抵抗、Lは抵抗器の長さ、wは抵抗器の幅である）に
おける抵抗器（h）の厚さが一定と考えられるからであ
る。このことは、"Printed Wiring Design Guide"セク
ション2.3.2.4.の添付（Institute for Interconnectin
g and Packaging Electronic Ciucuits, 1/73)により詳
しく説明されている。

【００７１】別の実施態様によれば、ニッケル包含抵抗
層を銅導電層の上に電着させることにより製造された複
合層箔を、積層体を調製するのに利用し得、その積層体
が引き続いてプリント回路基板を調製するのに用いられ
得る。図１および２を参照して、上述の実施例に従っ
て、層１６は、上述のクロム包含層よりはむしろニッケ
ル包含層の方が好ましい。他の点からみて、積層体１０
は本質的には上述通りである。よって、積層体１０は複
合層箔１４からなり、複合層箔１４は、プリント回路調
製に適した、基板１２に付着または積層された電着抵抗
ニッケル層１６および導電銅箔層１８を包含する。好適
な実施態様においては、鍍金浴の陰極基板として使用す
る前に、導電箔１８は、酸化に対する耐性を向上させる
ために安定化される。

【００７２】積層体１０は、上述通りの温度および圧力
を適用することにより製造され得る。得られた積層体を
エッチングにかけて、プリント回路基板を調製する。フ
ォトレジストを上述通りに適用して、紫外線の選択パタ
ーンに露光させる。適切に現像した後の残留物は、導電
銅箔層１８の部分のみを覆い、他の部分は覆わない、パ
ターンされたフォトレジスト層または導電配線マスクで
ある。積層体１０の複合箔層１４を、銅箔およびニッケ
ル包含抵抗層の両方をエッチング出来る、塩酸および過
酸化水素で酸性化された塩化第二鉄または塩化第二銅の
ような、エッチング液に露す。上述の塩化第二銅／塩酸
エッチング液が好ましい。エッチング浴は、例えば、20
0g/lの塩化第二銅および127ml/lの濃塩酸が包含し得
る。エッチング浴は好ましくは、約52℃の温度に保たれ
る。抵抗層がニッケル／硫黄層なら、フォトレジストマ
スクで覆われていない領域において、エッチング浴は、
銅箔１８およびニッケル／硫黄層１６を除去する。

【００７３】積層体が上述のように加工されていくと、
未確認残留物が基板１２に残留するが、マスクを上に包
含する積層体をクロム酸および硫酸を包含する第２エッ
チング液に接触させることにより、この残留物は絶縁層
のマスクされていない部分全てから除去される。１つの
実施態様では、その残留物は、300g/lのクロム酸および
30ml/lの濃硫酸を包含する残留物除去エッチング液を用
いて除去される。この浴は45℃の温度に保たれ、一般に
除去は約15秒で達成される。次に残留フォトレジストを
銅箔１８から取り除くと、導電配線３０のパターンが図
３に示すように残る。導電配線３０の各々は、上の層で
ある導電銅箔１８、および下側の層である基板１２に付
着した抵抗ニッケル層１６を包含する。

【００７４】１つまたはそれ以上の平面抵抗器の輪郭を
示すため、フォトポリマー膜抵抗の抵抗配線の輪郭を示
す層が、複合層プリント積層体または回路基板１０に適
用され得る。第２フォトレジストパターンが、フォトレ
ジストを紫外線パターンに露光することにより示され得
て、次いでフォトレジストが適切に現像され得る。抵抗
配線フォトレジストの未現像部分が除去されて、残留部
分が、導電配線３０を覆う抵抗配線マスク、または基板
１２の上に残留する部分を表す。導電配線３０の他の部
分は抵抗配線マスクに覆われていない。配線３０の銅箔
層１８の露出部分を、銅層１８を優先的エッチング液に
接触させることにより除去する。そのエッチング液は、
300g/lのクロム酸および30ml/lの濃硫酸を包含する水溶
液からなるエッチング液またはアンモニアエッチング液
である。45℃の温度では、クロム酸／硫酸またはアンモ
ニア優先的エッチング液は、一般に抵抗ニッケル包含層
１６に対して作用しない。

【００７５】抵抗配線マスクを取り除くことにより、ニ
ッケル包含複合体を包含する抵抗配線４０、およびニッ
ケル包含抵抗配線４０に電位を電気結合する手段を有す
るプリント回路基板が得られる。なお、抵抗配線４０
は、抵抗配線と密接に電気接続した一対の導電銅箔接触
パッド４２および４４を包含する。そのことは、図４に
最も明白に示されている。プリント回路基板は、また、
従来方法で電流を通すために回路基板の上に残留してい
る１つまたはそれ以上の導電箔配線３０および／または
適切な回路網に配列された多数の抵抗配線４０を包含し
得る。

【００７６】今日では、プリント回路基板部品を調製し
得る種々の原料が知られている。一般に、プリント回路
基板原料（またはPCB前駆材料）は、絶縁支持具および
支持具の表面の片側または両側の上にある高導電物質の
外側の層を有する。前駆材料を所望製品に転換する方法
には、所望の形態の導電領域を残すため、導電層の不要
部分を選択的に取り除く工程が含まれる。本明細書に記
載の本発明は、高導電層と共に利用するための、電気抵
抗物質（平面抵抗器）の提供に関する。高導電層および
それに物理的に接着した電気抵抗物質は、抵抗器および
導体を含むプリント回路基板を製造するのに用いられ
る。高導電層およびそれに物理的に接着した電気抵抗物
質から不要の領域を選択的に取り除く方法は、本質的に
は、抵抗層に結合していない導電層の不要の領域を取り
除くために利用される方法と同じである。

【００７７】本発明のような積層から、プリント回路基
板部品を調製する方法を、これまでに説明してきたが、
エッチングされる特定の層の性質によっては、他の工程
が必要とされる場合がある。例えば、最初のエッチング
液の適用によって生じる残留物の形成を考慮して、除去
工程を１つにするために、２つの異なるエッチング製剤
によるエッチングが必要とされる。

【００７８】本発明の抵抗層は、通常は導電性の金属成
分と抵抗値を増大させる量の非金属添加物との複合体の
電着層である。本発明の１つの新規の局面は、非金属添
加物が、元々鍍金浴の一成分だったソースから生じるこ
とを基にしている。よって、浴の他の通常の成分に加え
て、浴は、抵抗層の通常は導電性の金属成分のソースお
よび非金属の抵抗値を増大させる量の添加物のソースを
包含する。非金属添加物のソースは、一般に、浴の水性
媒体に可溶であり、浴の他の成分に分解されない化合物
である。一方、一般に、そのソースは、鍍金浴に電着の
ための電流が流されると分解するものである。ソースが
分解されると、炭素、窒素、リン、酸素、および／また
は硫黄がソースから遊離し、電着部分に導入される。

【００７９】本発明者らは、有機酸およびそのイオン化
され得る塩が、本発明の目的のための炭素および酸素の
ソースとして有用であることを発見した。特に蟻酸、酢
酸、およびプロピオン酸のような酸、並びにそのアルカ
リ金属塩が有効であることがわかった。炭素および酸素
の好適なソースはプロピオン酸である。チオ尿素、尿
素、アミノ酸、水溶性のプロテイン（ゼラチン等）、第
四アミン（テトラアルキルアンモニア塩等）、硝酸等、
およびそれらのイオン化され得る塩のような窒素包含化
合物が本発明の窒素および酸素のソースとして用いられ
得る。アミン、硝酸塩およびニトリル基のような窒素包
含基を有する、水溶性または分散性の有機化合物が窒素
並びに炭素および／または酸素のソースとして用いられ
得る。

【００８０】正酸およびピロリン酸；メタ酸、正酸、お
よびピロ亜リン酸；およびアミノトリメチレンリン酸
（ATMP）のような種々の有機ピロ亜リン化合物等；並び
にそれらのイオン化され得る塩のようなリン包含化合物
が、リンおよび酸素のソースとして用いられ得る。リン
酸基またはリン酸エステルのようなリン包含基を有す
る、他の多くの水溶性または分散性の有機化合物が、リ
ン並びに炭素および／または酸素のソースとして用いら
れ得る。

【００８１】チオ硫酸塩またはチオ尿素塩のような、浴
に可溶な硫黄包含化合物は、硫黄のソースとして用いら
れ得る。例えば、硫黄が非金属抵抗値を増大させる量の
添加物として用いられる時は、チオ硫酸ナトリウムが、
硫黄のソースとして特に有効であり好適であるとわかっ
た。

【００８２】上述の各々のソースを混合するか、または
所望の元素を有する化合物をその組成物の一部とするソ
ースとして用いることにより、種々の元素の組み合わせ
が、得られる。アミン、硝酸塩、リン酸塩、および／ま
たはカルボキシル基を持つ浴に可溶であるかまたは分散
性の有機化合物もまた、窒素、リン、炭素、および酸素
原子の各ソースとして用いられ得る。１つまたはそれ以
上のカルボキシル基および１つまたはそれ以上の窒素包
含基を有する、浴に可溶であるかまたは分散性の有機化
合物は、例えば、炭素、窒素、および酸素のソースとし
て用いられ得る。

【００８３】通常は導電性の金属のソースは、一般に、
当業者に公知の通常鍍金浴に用いられるものと同じであ
る。

【００８４】例えばクロムのソースは、当業者に公知の
１つまたはそれ以上の複合剤により溶液で安定化された
三酸化クロムおよび三価クロムである。複合剤として
は、例えばアスパラギン酸、アミノ二酢酸、ニトリロ三
酢酸、5ースルホサリチル酸、クエン酸、または蟻酸塩お
よびグリシンの混合物（モル比1:1）が挙げられる。三
価クロム包含浴は、本明細書に十分に参考として採用さ
れている米国特許第4,448,648号に詳細に記載されてい
る。

【００８５】ニッケルのソースは、ニッケルのイオン化
され得る塩、典型的には硫酸ニッケル、酢酸ニッケル等
である。

【００８６】コバルトのソースは、硫酸コバルト、酢酸
コバルト等のようなコバルトのイオン化され得る塩であ
る。

【００８７】バナジウムのソースは、硫酸バナジル三水
和物、またはメタバナジン酸ナトリウム、または好まし
くは五酸化バナジウムのような酸化物等のバナジウムの
イオン化され得る塩である。

【００８８】タングステンのソースは、タングステン酸
ナトリウム、好ましくはタングステン酸のようなタング
ステンのイオン化され得る塩である。

【００８９】モリブデンのソースは、モリブデン酸ナト
リウム、好ましくはモリブデン酸のようなモリブデンの
イオン化され得る塩である。

【００９０】本発明の鍍金浴に添加されるこれらの導電
金属および他の導電金属の適切なソースを選択すること
は当業者には周知の範囲である。一般に適切なソース
は、それぞれの金属の酸およびイオン化され得る塩であ
る。イオン化される塩のアニオンは、一般に、触媒とし
てまたは非導電添加物のソースとして、既に浴に存在す
るアニオンの１つである。

【００９１】上述の金属は、上述の金属を個々に用いて
は得られない特性を得るために、１つの浴製剤において
組み合わされ得る。例としては、クロムのソースと、ニ
ッケル、コバルト、バナジウム、チタン等（上述の導電
金属参照）の１つまたはそれ以上のソースとの組み合わ
せ、およびこれらの導電金属ソースのいずれかと、モリ
ブデンまたはタングステンのソースとの組み合わせが挙
げられる。

【００９２】本発明の好適な抵抗物質としては、通常は
導電性の金属成分として、クロム、またはタングステン
および／またはモリブデンと組み合わせたクロムを包含
し、また非金属添加物として炭素および酸素を包含する
化合物が挙げられる。上述のようにモリブデンおよび／
またはタングステンの存在が、一般に抵抗層の能力を向
上させることが認められている。モリブデンまたはタン
グステンと、他の金属との好適な原子比を有する抵抗層
が、例えば、100g/lのモリブデン酸または200g/lのタン
グステン酸を本発明に基づいて調製した鍍金浴に導入す
ることにより得られる。

【００９３】非金属添加物は、複合体全体に分散され
る。非金属の添加物の分散は、実質的に抵抗層のバルク
全体に均一に行われる。クロム／炭素／酸素抵抗層に対
して行ったＸ線回折パターンにより、例えば、複合体
は、小面が、単純立方結晶格子構造をしており、大面
が、体心立方（bcc）結晶格子構造をしており、また単
純立方面が非金属添加物なしで電着されたクロムのＸ線
回折パターンにおいては検出されないことが示された。

【００９４】抵抗層の抵抗値は、複合体の非金属添加物
の濃度に相関する。プリント回路基板および同様な応用
を行うのに好適な抵抗値（または比抵抗）を得るために
は、炭素、窒素、およびリンの原子の全体数の、通常は
導電性の金属原子の全体数に対する平均比率が、抵抗層
のバルクにおいて少なくとも約0.001:1であることが、
不可欠ではないが好ましい。また、酸素および硫黄の原
子の全体数の、通常は導電性の金属原子の全体数に対す
る平均比率が、抵抗層のバルクにおいて少なくとも約0.
01:1であることが、不可欠ではないが好ましい。抵抗複
合体のバルクにおける通常は導電性の金属の好適な濃度
は、少なくとも約80重量％である。抵抗層が、少なくと
も約80重量％のクロムを包含する事が特に好ましい。

【００９５】１つの実施態様においては、抵抗層は少な
くとも約0.02重量％の炭素、窒素、および／またはリン
を包含する。また、同一の実施態様において、少なくと
も約0.4重量％の酸素および／または硫黄を包含しても
よい。

【００９６】25Ω/ft²のシート抵抗を有する１つの実施
態様においては、例えば抵抗層のバルクは、クロムの１
原子当たり0.028原子の炭素と0.15原子の酸素という比
率を有し、クロムの濃度は約90重量％である（複合体の
バルクにおける元素の濃度を測定する、以下に述べる技
術の１つにより測定した）。

【００９７】抵抗層のバルクは組成物が実質的に均一で
ある抵抗層の部分である（すなわち、実質的に表面の汚
染を受けない部分である）。その部分は一般に、抵抗箔
が、低いプロフィルの銅箔の艶消し面側にある時、抵抗
箔の表面下で、約50オングストローム以内から始まり、
また抵抗箔が平坦な導電表面に鍍金された時、その部分
は一般に、表面下で約20オングストローム以内から始ま
る。

【００９８】バルク抵抗複合体における金属および非金
属原子の濃度の測定手法は、通常分析技術による化学分
析のために、十分な量の抵抗層を導電表面上に電着させ
て行われる。

【００９９】１つのアプローチによれば、抵抗層の試料
は、電気的に応用するための抵抗層を製造するのに要す
る時間より相当に長い時間、電着して製造された抵抗層
の試料であるので、表面汚染の影響は、全汚染において
は、微々たるものとなるまでに減少している。好ましく
は、そのほんの少量の汚染は、化学組成物の分析のさい
生じる典型的なエラーの範囲以下である。

【０１００】十分な量の試料を得るための別のアプロー
チは、抵抗層を導電物質の広い表面積に電着することで
ある。

【０１０１】電着後、電着した抵抗層を、導電物質は溶
解するが抵抗層は溶解しない溶液に浸すことにより、導
電物質が抵抗層から溶解する。導電物質が銅箔なら、そ
のような溶液の例としては、プリント回路基板の調製で
銅の優先的エッチングと組み合わせて以下に述べる、銅
エッチング液が挙げられる。残留した抵抗層は、原子吸
光分光分析により、金属包含量を測定され、同じ物質の
別の試料は非金属添加物を分析するため破壊試験にかけ
られる。炭素、窒素、および酸素の濃度は、例えば、前
述の抵抗層の試料を燃焼して、次いで燃焼産物を赤外線
検出にかけるといった従来技術により測定され得る。リ
ン包含量は、標準湿式化学手法により測定され得る。原
子比は、各原子を測定して得た重量％により計算して求
められる。

【０１０２】ESCAのような、光電子分光学および走査型
オージュ分光学による、別の分析は、バルク物質が、銅
箔の艶消し面側にある時は、バルク物質の組成を測定す
るのに適さない。なぜなら、最上部の表面がスパッタリ
ングにより取り除かれると、走査されている表面に不純
物が入り込むためである。よって、本明細書における重
量％濃度および比は、主に上述のバルク化学組成分析手
法に基づくものである。

【０１０３】１つの実施態様においては、抵抗層をその
ような物質から調製するための電着浴は、約25から450g
/l、好ましくは約100から360g/l、さらに好ましくは約2
00から360g/lのクロム酸無水物のようなクロムのソース
を包含しており、また約0.1から2.35g/lの硫酸、0から
約50g/lのオキシハロ酸アニオン、約20から300g/lの有
機酸、好ましくは脂肪族の酸を包含する。有機酸の量
は、所望の抵抗値を得るために抵抗層に十分な量の炭素
および／または酸素添加物を与えるという、本発明の目
的を達するに十分な量が必要とされる。

【０１０４】比抵抗は（上述のように）添加物の量によ
り変化する。よって、一般に、電着抵抗層に導入される
添加物の量が減少するにつれて、比抵抗も減少する。電
着抵抗層の添加物の量は、最初に浴に溶解していた添加
物のソース中の量によって異なる。例えば、炭素および
酸素包含の付着した抵抗層のシート抵抗は、電着浴中の
有機酸の量によって（他の条件が同じ場合）異なる。電
着操作の性質上、浴中のソースとなる酸の量と電着され
た抵抗層の比抵抗との間に直接的な、正確な変化の相関
関係が常に存在するわけではなく、一般に、その相関関
係は経験的に決定される。

【０１０５】鍍金浴の温度は、電着工程中は一般に約5
から50℃の範囲に保たれる。電流密度は一般に約50/ft²
から、手元の器具で得られる最大密度までの範囲であ
る。この点に関しては、最大電流密度は、電着業界の当
業者に公知の基準によってのみ制限される。

【０１０６】本発明による鍍金浴には、本発明において
触媒として作用する物質が含まれている。本発明の１つ
の局面によれば、その触媒には、過ヨウ素酸塩、ヨウ素
酸塩、過臭素酸塩、臭素酸塩、過塩素酸塩、または塩素
酸塩イオンのようなオキシハロアニオンが含まれる。触
媒は、硫酸塩イオンをも含み得る。触媒の存在は、均一
な予測可能なシート抵抗または比抵抗を有する抵抗層を
大量生産するのに好ましい。

【０１０７】オキシハロ酸アニオンは、クロムの付着を
促進するために電着浴に用いられ得る主な触媒である。
オキシハロイオンが硫酸と共に用いられると共同作用的
な効果が得られる。塩素酸塩、臭素酸塩およびヨウ素酸
塩のイオンがこの点に関して効果があると認められてお
り、ヨウ素酸塩は臭素酸塩より効果があり、臭素酸塩は
塩素酸塩より効果がある。過ヨウ素酸塩、過臭素酸塩、
および過塩素酸塩のようなペルオキシハロイオンもま
た、本発明のこの目的において効果がある。好ましく
は、オキシハロ酸アニオンは、塩素酸ナトリウムまたは
塩素酸カリウムである、塩素酸のナトリウム塩またはカ
リウム塩により得られる。それらを用いる主な理由とし
ては、比較的低いコストとこれらの物質が入手しやすい
ことが挙げられる。機能的には、オキシハロ酸アニオン
は、強力な酸化剤であり、過マンガン酸塩イオンのよう
な他の強力な酸化剤と同様の触媒効果が認められてい
る。後者のアニオンは、完全に満足のいくものではな
い、なぜなら、電着層においてマンガンのソースとな
り、その性質を変える傾向があるからである。

【０１０８】硫酸は、本発明の抵抗層を作製する際にも
用いられる導電金属を含む多くの通常は導電性の金属を
付着させるための公知の触媒である硫酸塩アニオンのソ
ースとしても用いられ得る。クロムの付着は例えばこの
アニオンにより触媒される。上述のように、電着浴中の
非導電添加物のソースは、得られる抵抗層に非導電添加
物を提供する。有機酸は、例えば、電流を流すと生じる
分解のさいに、酸から酸素および炭素原子を放出する。
なおその分解は、付着層の格子に取り込まれてその導電
性を減少せしめる（すなわち抵抗値を上げる）。抵抗物
質の結晶格子での不純物および欠損は、純粋なバルク物
質の導電性に比較してその導電性を減少せしめる効果が
ある。本発明によれば、抵抗層は、その金属成分より
は、本質的に低い導電性（または高いシート抵抗）を有
する。複合体中の添加物の正確な性質および／または形
状は完全には解明されいていないが、複合体中の添加物
は元素状態または化合物状態で存在していると思われ
る。しかし、本発明者らは、本発明の所望の目的物を得
る方法が特定の理論に拘束されることを望まない。

【０１０９】この点に関して、本発明の抵抗複合体は２
つの成分（金属成分および非金属添加物）を包含してお
り、得られた電着複合体は固溶体、純元素、元素の混じ
った化合物および／またはその混合物である。本発明に
基づいて製造された抵抗層は、貯蔵、加工、およびプリ
ント回路基板部品として利用する間に大きさが変化しな
いように十分な厚さを有している必要がある。一般に本
発明の抵抗層は約0.1から0.4ミクロン（μ）の厚さを有
する。しかしながら、電着層等は、粗い表面を有するた
め、厚さに対する特定の値は実際には、平均の厚さであ
る。１つの目的は、約15から約1,000Ω/□の、例えば約
25Ω/□のシート抵抗を得るために、好ましくは約600μ
Ω・cmを超える体比抵抗を有する、約0.1から0.4μの厚
さの層に電着される物質を提供することである。

【０１１０】本発明に基づいて製造された物質は、金属
および非金属成分との複合体であり、合金または分散物
である必要はない。しかし後者の相または状態を得るこ
とは可能である。抵抗層の寸法および物理的特性によ
り、その正確な化学的性質または含まれている成分の正
確な比すら測定するのは幾分困難である。従って、一般
に、所望の比抵抗は、得た電着層の比抵抗を測定して所
望の比抵抗が得られるまで、電着浴の成分の量を経験的
に変化させることにより得られるものである。

【０１１１】溶液温度、電流密度、鍍金時間および攪拌
のような加工パラメーターを適切に制御することは、高
い付着効率を得るために必要である。この点に関して、
約23℃より下および約34℃より上の温度は、一般に効率
を減少せしめることが認められている。浴の最適な温度
は、一般に約25から35℃である。電流密度は、電極に生
じる反応の全体速度により測定される。過度に高いまた
は低い電流密度は望ましくない。高い電流は加熱を起こ
し、加工制御をより困難にする。低い電流で付着させる
と、水素発生のため効率が劣る。最適な電流密度は一般
に約75から300A/ft²（ASF）であり、浴の製剤ごとに異
なる。鍍金時間は直接に付着の厚さに相関する。鍍金時
間が長いほど、一般に、付着も厚くなり、よって、シー
ト抵抗も低くなる。一方鍍金時間が短いほど、一般に、
シート抵抗が高くなる。電着工程中、浴を攪拌すること
により物質移動が促進されて、操作可能な電流制限値が
上がり、付着効率が向上する。

【０１１２】本発明によれば、電着抵抗層が出来るだけ
均一であることが望ましい。静止電極を持つビーカーセ
ル内では、付着効率および均一性は電極の形態に鋭敏で
ある。水平セルは良好に作用するが、通常の垂直セルは
均一性に乏しい。電極隙間に関しては、隙間が大きいほ
ど溶液の比抵抗は高くなり、電力消費は増加するが、良
好な電流分布に貢献するので良好な付着均一性が得られ
る。5インチ×5インチの本発明で用いられる水平セルで
は、2インチの隙間が、大量に試験された結果、好まし
いと認められた。

【０１１３】電着抵抗層の均一性は、それが付着される
基板の粗さに相関する。良好な均一性を得るためには、
粗さが小さい基板ほどより望ましい。しかし、粗さが小
さい基板を使用すると、剥離強度が不十分な二層箔にな
る。よって、均一性および剥離強度の妥協点が基板を選
択する要となる。

【０１１４】浴の全ての成分は、協調して作用し合わな
ければならない。例えば、クロム抵抗物質は、有機酸、
クロム無水物のようなクロムソース、および硫酸塩イオ
ンのみを包含する浴により製造され得る。クロム抵抗物
質はまた、オキシハロアニオン、クロム無水物のような
クロムソース、および硫酸のみを包含する浴により、ま
たは、オキシハロアニオン、クロム無水物のようなクロ
ムソース、および有機酸のみを包含する浴によっても製
造され得る。オキシハロアニオンの使用により、浴は、
増加した硫酸塩レベルにより耐性となる。例えば、オキ
シハロアニオンが存在せずに、硫酸塩イオンが0.5g/lを
超えて存在すると、不満足な結果となる。しかし、オキ
シハロアニオンが存在すると、硫酸塩イオンが2.0g/lの
レベルを超えても、なお付着加工においてかなり高い効
率が得られる。

【０１１５】もちろん、オキシハロアニオンが高いレベ
ルで浴を扱う時は、ハロゲンの爆発性酸化物の形成が誘
発される危険性を認知する必要がある。この理由によ
り、オキシハロアニオンのレベルは7または8g/lを超え
るべきでない。

【０１１６】上述のように、抵抗層のシート抵抗は、浴
中の、クロム酸無水物のような通常は導電性の金属ソー
ス、および硫酸のような触媒の濃度により変化する。シ
ート抵抗もまた、電着工程中の溶液の温度および電流密
度により変化する。これらの結果は、クロム酸無水物、
硫酸、および酢酸包含システムにおいて試験された結果
を示す以下の表１から５に示される。表１、２、および
３に、クロム酸、酢酸および硫酸の濃度をそれぞれ変化
させた時の影響を示した。

【０１１７】

【表１】

【０１１８】

【表２】

【０１１９】

【表３】

【０１２０】表１、２、および３の3つの溶液成分の
内、電気鍍金層のシート抵抗が最も硫酸濃度の影響を受
ける。硫酸の量を増加させると、シート抵抗は、表３に
示すように、最初は下降するが、最小抵抗値域を過ぎる
と上昇に向かう。

【０１２１】表３に示すように、クロム抵抗層の平方デ
シメートル当たりに付着するクロムの全体量もそれに伴
って変化する。このデータは、シート抵抗の減少によ
り、抵抗層(mg/dm²)の平方デシメートル当たりのCrのミ
リグラム量が増加し、またその逆も同じであることを示
している。そのmg/dm²は、一般に、最も低い抵抗値を有
する層において最も高いので、付着効率が高いポイント
がどこかがわかる。従って、表３より、最も高い付着効
率が、硫酸濃度が約200から250ppmの範囲の時に生じる
ことがわかる。

【０１２２】電着抵抗層のシート抵抗は、他の成分の濃
度の変化に鋭敏ではない。しかし、これらの成分の濃度
の変化による影響は、硫酸の濃度の変化による影響と同
様であるので、シート抵抗が最小レベルであるポイント
がどこかが確認出来る。それは、クロム酸の濃度が約27
5g/lの時であり、酢酸の濃度が約140から170g/lの間の
時である。

【０１２３】以下に示す表４は、好適な溶液温度が約28
℃から33℃の範囲であることを示している。温度が好適
な範囲からずれると、シート抵抗が高くなる傾向にあ
る。この表は、温度が約28℃から48℃の時には、鍍金時
間を調節するだけで、所望のシート抵抗が得られること
を示している。

【０１２４】

【表４】

【０１２５】表５は、電流密度が300A/ft²の時の電着抵
抗層のシート抵抗は、電流密度が600A/ft²の時のシート
抵抗より著しく低いことを示している。

【０１２６】

【表５】

【０１２７】クロムの電着は、塩素酸ナトリウムを、30
0g/lのCrO₃、200g/lの酢酸、および100ppmの硫酸を包含
する抵抗クロム用電着浴に添加すると促進される。表６
に示すように、浴中に塩素酸ナトリウムが存在すると、
シート抵抗は低くなる。表６に示すデータは、各々、電
流密度300A/ft²、浴温度30℃、および鍍金時間45秒で得
られたものである。塩素酸塩の存在により、クロムの電
着速度が単純に増加したと考えられる。塩素酸塩および
他のオキシハロゲン化物を鍍金浴に用いると、電気鍍金
操作はより、効率よく、制御しやすくなる。

【０１２８】

【表６】

【０１２９】前述の表のデータ作製のための実験では酢
酸を有機酸として用いた。しかし、クロム抵抗層中の炭
素および酸素のソースとして用いられる現在知られてい
る最適な物質の１つはプロピオン酸であることが確認さ
れている。従って、300g/lのCrO₃、15ml/lのプロピオン
酸、および3g/lの塩素酸ナトリウムを包含するよう浴を
調製した。鍍金条件は、浴温度が22℃、電流密度が75A/
ft²、および鍍金時間が45秒であった。このようにして
製造された抵抗層のシート抵抗は25Ω/□であった。

【０１３０】特定の鍍金浴処方の浴の化学組成および操
作条件を、次の表７に示す。鍍金操作は、水平ビーカー
セル中で行われ、それぞれ、25Ω/□のシート抵抗が得
られた。本発明に従えば、銅基板をこの工程の陰極とし
て用い、抵抗クロム層を、平面のつや消し面に直接電着
し、銅箔を安定化する。

【０１３１】

【表７】

【０１３２】上の表では、高い電流効率および優れた電
着均一性が達成出来るので処方IIIが最も好ましい。

【０１３３】各鍍金工程で得られるものは、厚さが約0.
25から0.35μmの電着抵抗クロム層、および厚さが約35
μmの導電銅層を包含する複合層箔である。電気鍍金処
方Iにより製造された抵抗層は、クロム包含量が約90重
量％、炭素包含量が約0.64重量％、および酸素包含量が
約2.83重量％であり、よって、炭素とクロムの原子比
は、約0.031:1であり、酸素とクロムの原子比は、約0.1
0:1である。

【０１３４】電気鍍金処方IIIにより製造された抵抗層
は、クロム包含量は同様に約90重量％であるが、炭素包
含量は0.063重量％であり、酸素包含量が約0.39重量％
であり、炭素とクロムの原子比は、約0.003:1であり、
酸素とクロムの原子比は、約0.014:1である。

【０１３５】表７に基づいて調製された各抵抗層のシー
ト抵抗は、好ましい15から1,000Ω/□の範囲であり、各
々の抵抗率は約600μΩ/cmより大きい。

【０１３６】表７に示した鍍金浴処方IIIの化学組成お
よび操作条件を用いて製造された複合層箔を、面する銅
導電層と共に、部分的に硬化性のエポキシ樹脂液で初め
に被膜された複数の織物グラス層からなるプリプレッグ
と結合させた。そのようなプリプレッグは、当業者には
周知であり、容易に入手可能である。結合操作は加熱お
よび構造加圧からなり、図１および２に示した積層１０
が得られる。図中、複合層箔が参照番号１４で示され、
銅導電箔層が参照番号１８で示され、抵抗クロム層が参
照番号１６で示され、プリプレッグを加熱および加圧す
ることにより製造された絶縁層が参照番号１２で示され
ている。図面に示されている種々の層の厚さは特定する
必要がない。

【０１３７】本明細書に記載の発明に従って製造された
抵抗層は、優れた耐熱性および耐久性を有する。例えば
クロム抵抗層は一般に、20℃から100℃の温度範囲で、
約300ppm/℃以下の抵抗温度係数を有する。すなわち、
例えば約25Ω/□のシート抵抗の場合、上記の温度範囲
でシート抵抗は、温度が摂氏１℃上昇する毎に約0.0075
Ω/□上昇する。

【０１３８】耐久性に関しては、26週間通常大気中に貯
蔵しても、40℃で70％の相対湿度の雰囲気に18時間貯蔵
しても、または、125℃で4時間大気に露出しても、クロ
ム複合体のシート抵抗の正味変化は全て、1.5％未満で
ある。

【０１３９】クロム／炭素／酸素抵抗層のような、クロ
ム包含および／または酸素包含抵抗層もまた、腐食性が
あり、その性質は、貯蔵、さらなる加工および実用化に
おける製品の安定性に大いに寄与する。

【０１４０】クロムと、酸素または硫黄および／または
炭素、窒素および／またはリンのような抵抗を増大させ
る非金属添加物との複合体の電着層を包含する抵抗物質
の使用によりいくつかの利点が生じる。クロム／炭素／
酸素抵抗物質のような、クロム包含抵抗物質は、塩化第
二銅／塩酸エッチング剤のような銅エッチング剤による
エッチングに対して耐性があるので、そのようなエッチ
ング剤を選択的に銅を除去するのに利用し得る。これに
よりエッチング工程の制御が容易になり、最終製品の品
質が向上する。

【０１４１】抵抗クロム層は、クロム酸エッチング剤を
用いてもエッチングし得るが、エッチング工程では、試
薬としてクロム酸を使用する必要はない。このことによ
り、クロム酸およびクロム酸で汚染された物質の放棄に
よる環境汚染を減少し得る。これに関連して、本発明の
クロム抵抗物質は、H₂O₂/H₂SO₄、FeCl₃、アルカリ性ア
ンモニア、およびCuCl₂のエッチング液（これらは銅は
除去する）によってエッチングされない。このことによ
って、エッチング液は、採用した特定の導電層および抵
抗層のエッチング特性に基づいて、適切に異なるエッチ
ング速度を有するように選択される。

【０１４２】本発明に基づく分別エッチングが行なえる
能力は、適切なエッチング液を選択すれば、他の抵抗層
および導電層に対しても用い得る。

【０１４３】本出願の発明の別の局面では、ニッケルの
ような通常は導電性の金属と、非金属添加物として抵抗
値を増加させる硫黄との複合体の電着層を包含する抵抗
層が提供される。本発明のニッケル／硫黄抵抗物質の調
製には、通常は導電性の金属であるニッケルのソースと
して硫酸ニッケル、非金属の抵抗値を増大させる添加物
のソースとしてチオ硫酸ナトリウム、およびpH緩衝剤と
してホウ酸を包含する浴が用い得る。例えば、ニッケル
／硫黄抵抗層は、100g/lの硫酸ニッケル(NiSO₄・6H₂O)、
30g/lのホウ酸(H₃BO₃)、および50g/lのチオ硫酸ナトリ
ウム(Na₂S₂O₃・5H₂O)を包含する水溶液からなる鍍金浴を
用いて製造し得る。最初に調製されたそのような溶液
は、pHが約3.2前後の中位の酸性である。pHは鍍金前
に、水酸化ナトリウム(NaOH)を十分な量添加して、pH計
で測定して、溶液のpHを約6とすることにより調整し得
る。次いで、電気鍍金浴溶液を約45℃まで加熱し、その
温度に保ちながら、その上に鍍金がなされる導電銅箔層
をビーカー電気鍍金装置の陰極として接続し、鍍金浴に
浸す。次に電流密度が約10から40A/ft²の電流を鍍金浴
に流すことによって、ニッケル／硫黄複合体層が銅箔の
上に鍍金される。

【０１４４】100g/lの硫酸ニッケル、30g/lのホウ酸、
および10g/lのチオ硫酸ナトリウムを包含する鍍金浴も
また使用し得る。再び溶液のpHを、一般に水酸化ナトリ
ウムを添加することにより、約6までに調整する。各物
質の濃度は、異なる効果を得るために変え得る。浴中の
硫酸ニッケルの濃度が高いと、一般に、電着抵抗層のニ
ッケルの濃度が高くなり、電着層の導電性が増加する
（すなわち、シート抵抗が減少する）。

【０１４５】しかし、硫酸ニッケルの濃度が高いと、一
般に時間が延びるため電着工程中の化学物質の損失が増
大する。チオ硫酸ナトリウムの濃度が高いと、一般に、
電着抵抗層の硫黄の濃度が上がり、一般に電着層のシー
ト抵抗が増大する。

【０１４６】ニッケル／硫黄抵抗層の調製の際に、電流
密度および鍍金時間を、異なる結果を得るため変化し得
る。一般に、ニッケル／硫黄抵抗層の断面が、シート抵
抗を決定するため、層の厚さが異なると抵抗値も異な
る。一定のクーロン電荷量を溶液に流すと、一定の厚さ
の物質が電着される。

【０１４７】電流密度は、約10から40A/ft²の範囲で変
化し得、鍍金時間は、約30から120秒の間で変化し得
る。

【０１４８】例えば、鍍金時間は、40A/ft²の電流密度
で約30秒から、10A/ft²の電流密度で約120秒まで変え得
る。これらの範囲内では、電着抵抗層の厚さは鍍金時間
を増大すると共に直線的に増加し、従ってシート抵抗
は、鍍金時間を増大すると共に減少する。本発明に従っ
て、1,200クーロンの電荷を用いて導電性の銅箔基板上
に電着されたニッケル／硫黄抵抗層は、厚さが約0.4μ
であり、シート抵抗が約25Ω/□である。

【０１４９】複合層抵抗箔を鍍金浴から取り出した後、
任意の工程として、約2g/lの濃度のクロム酸(CrO₃)の溶
液に浸し、複合層抵抗箔を安定化し得る。

【０１５０】上述の浴、鍍金時間および電流密度を用い
た上述の実施例中の導電性の銅箔の上に形成されたニッ
ケル／硫黄複合体は、約25Ω/□のシート抵抗を有す
る。そのように形成されたニッケル抵抗層は非常に安定
である。長時間、大気に露出した後でさえ、シート抵抗
は平均して約2％未満しか変化しない。

【０１５１】クロム包含抵抗層およびニッケル包含抵抗
層の高いシート抵抗は、金属電着物への不純物の混入に
起因すると考えられている。しかし、本発明者らは、本
発明に特有の利点を得る方法が特定の理論に拘束される
ことを望まない。

【０１５２】一般に、本発明の抵抗層の固有のシート抵
抗が高いことにより、選択した領域で層を薄くしたり取
り除くために、機械的または化学的手段を用いる必要な
しに、層をコンダクターの全面に塗布することが可能と
なり、特定の部分に所望のシート抵抗を与えるために層
の有効断面積を減少し得る。あるいは、電気鍍金浴の化
学組成および／または電気鍍金の条件を変化させること
により、所望のシート抵抗が得られる。

【０１５３】高い固有シート抵抗が、抵抗層のバルク全
体で実質的に均一であることは、非金属がバルク物質の
結晶格子全体に均一に分布しているためと考えられる。
しかし、本発明者らは、本発明に特有の利点を得る方法
を特定の理論に拘束されることは望まない。

【０１５４】本発明の抵抗層は、導電層表面全体を覆う
ような様式で利用される。さらに、抵抗層を誘電性基板
に積層し、所望の領域からコンダクターを取り除いた後
に、抵抗層が完全に誘電性基板を被覆する。抵抗器が適
切なマスクのデザインおよび機能を用いて適切に規定さ
れるならば、所望の抵抗を得るために抵抗物質の機械的
および／または化学的手段により後処理は、不要とな
る。

【０１５５】上述の層１６の厚さは、例えば、市場で要
求される平面抵抗器の大きさおよびそのシート抵抗を得
るために変え得る。導電層１８の厚さは、抵抗の抵抗値
に効果を及ぼさない。典型的には、25Ω/□のシート抵
抗を得るために、本発明に従って製造された層１６は、
約0.1から0.4μmの厚さを有する。

【０１５６】本発明に従えば、目標とするシート抵抗の
範囲は、約15から1,000Ω/□である。エッチングされた
抵抗器構造の制御により、すなわち、回路基板上のエッ
チングされた抵抗器の長さおよび幅を変えることによ
り、この範囲のシート抵抗を有する機能的な抵抗器を得
ることが出来る。この抵抗値の範囲内で、約25Ω/□の
シート抵抗が製造加工を簡略化するために最も好適とさ
れる値である。従って、鍍金時間を制御することによ
り、約25Ω/□のような所定のシート抵抗を有する抵抗
器を製造するために浴成分の濃度および温度のような上
述の鍍金浴条件のほとんどを採用し得る。

【０１５７】適切な物理的および形態的設計を組み合わ
せて、25、100、および1,000Ω/□のシート抵抗が本発
明に従って得られ、商業的に所望される1Ωから1メガΩ
の抵抗値を有する平面抵抗器を作製するのに都合よく用
いられ得る。本発明の抵抗器は、狭い許容誤差の仕様
で、大量生産し得る。目標とする抵抗値の±2.5％以内
の再現性が得等れ得る。

【０１５８】本発明を好適な実施態様に基づいて説明し
たが、本明細書を熟読すれば種々の改正された実施態様
は当業者には自明である。従って、本明細書に開示の発
明は、請求項に記載の範囲内に入るそれらの修正された
実施態様をも包含するものと理解すべきである。

【０１５９】本発明は、プリント回路基板の調製に有用
な積層体を調製するための、導電層および絶縁層と組み
合わせ得る、電着された平面抵抗層に関する。該抵抗層
は通常は導電性の金属成分のソース、および非金属の抵
抗値を増大させる量の添加物のソースを包含する電気鍍
金浴により電気鍍金されることにより調製される。約15
から1,000Ω/□の範囲のシート抵抗を有する平面抵抗器
が製造され得る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本出願に開示の本発明の実施態様である、絶縁
層、その絶縁層に接着された抵抗層、およびその抵抗層
に接着された導電層を成分として包含する、積層の全体
図である。

【図２】積層構造を詳細に示す、図１の２−２線に沿っ
た断面図である。

【図３】図１の積層の第１エッチング工程後の全体図で
ある。

【図４】抵抗配線、およびその配線へ電位を電気結合す
る手段を提供する、間隔をおいて配置された銅パッドを
包含する、図１の積層より調製したプリント回路基板の
全体図である。

【符号の説明】

１０ 積層 １２ 基板 １４ 多箔層 １６ 抵抗層 １８ 導電層 ３０ 導電配線 ４０ 抵抗配線 ４２ 接触パッド ４４ 接触パッド

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 チンホー リー アメリカ合衆国 オハイオ 44124，リン ドハースト，エデンホール ドライブ 2060 (72)発明者 メアリー ケイ． プロコップ アメリカ合衆国 オハイオ 44112，クリ ーブランド ハイツ，ヘルムズデイル ロ ード 983 (72)発明者 クリストファー ジェイ． ウェウェル アメリカ合衆国 オハイオ 44026，チェ スターランド，リマン 11631

Claims (44)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】通常は導電性の金属成分（A）、および、
   抵抗値を増大させる量の非金属添加物（B）との複合体
   を包含する抵抗層であって、 該金属成分（A）が、クロムを包含し；該非金属添加物
   （B）が、該抵抗層のバルク中に、該通常は導電性の金
   属成分（A）の１原子当たり、少なくとも約0.001原子
   の、炭素もしくは窒素、または、炭素、窒素、リンの２
   つまたはそれ以上の組み合わせを包含し；そして該金属
   成分（A）が、該抵抗層のバルクの少なくとも平均約80
   重量％包含する； 抵抗層。
2. 【請求項２】前記抵抗層が、約0.1から0.4μmの厚さを
   有する時に、前記抵抗層が約15から1,000Ω/□のシート
   抵抗を有する、請求項１に記載の抵抗層。
3. 【請求項３】前記抵抗のバルクが、前記金属成分（A）
   の１原子当たり少なくとも約0.01原子の酸素を包含す
   る、請求項１に記載の抵抗層。
4. 【請求項４】前記抵抗層のバルクが、少なくとも平均約
   80重量％のクロムを包含する、請求項１に記載の抵抗
   層。
5. 【請求項５】前記抵抗層のバルクが、前記金属成分
   （A）の１原子当たり少なくとも平均約0.001原子の炭素
   を包含する、請求項１に記載の抵抗層。
6. 【請求項６】前記金属成分（A）が、コバルト、バナジ
   ウム、モリブデン、またはタングステンをさらに包含す
   る、請求項１に記載の抵抗層。
7. 【請求項７】前記非金属添加物（B）が、前記抵抗層の
   バルク中に、前記金属成分（A）の１原子当たり少なく
   とも平均約0.01原子の酸素、および少なくとも約0.001
   原子の炭素を包含し；そしてクロムが、前記抵抗層のバ
   ルク中に、少なくとも平均約80重量％包含される；請求
   項１に記載の抵抗層。
8. 【請求項８】通常は導電性の金属成分（A）、および抵
   抗値を増大させる量の非金属添加物（B）との複合体を
   包含する抵抗層であって、 該金属成分（A）が、クロムおよびコバルト、バナジウ
   ム、モリブデン、またはタングステンを包含し；そして
   該非金属添加物（B）が、該通常は導電性の金属成分
   （A）の１原子当たり、少なくとも平均約0.001原子の、
   炭素、窒素、あるいはリン、または、炭素、窒素、リン
   の２つまたはそれ以上の組み合わせを包含する；抵抗
   層。
9. 【請求項９】前記金属成分（A）が、前記抵抗層のバル
   クの少なくとも平均約80重量％包含される、請求項８に
   記載の抵抗層。
10. 【請求項１０】前記非金属添加物（B）が、前記抵抗層
    のバルク中に、前記金属成分（A）の１原子当たり少な
    くとも平均約0.01原子の酸素、および少なくとも約0.00
    1原子の炭素原子を包含する、請求項８に記載の抵抗
    層。
11. 【請求項１１】通常は導電性の金属成分（A）、およ
    び、抵抗値を増大させる量の非金属添加物（B）との複
    合体を包含する抵抗層であって、 該金属成分（A）が、クロムを包含し；該非金属添加物
    （B）が、炭素および酸素を包含し；そして該抵抗層
    が、約0.1から0.4μmの厚さを有し、そして、約15から
    約1,000Ω/□のシート抵抗を有する；抵抗層。
12. 【請求項１２】前記抵抗層が、約600μΩ・cmより大きい
    バルク抵抗値を有する、請求項１１に記載の抵抗層。
13. 【請求項１３】前記バルク抵抗層が、Ｘ線回折分析によ
    り確認される、体心立方結晶格子構造および単純立方結
    晶格子構造を包含する、請求項１１に記載の抵抗層。
14. 【請求項１４】前記単純立方結晶格子構造が、前記抵抗
    層の結晶格子構造の小面を包含する、請求項１３に記載
    の抵抗層。
15. 【請求項１５】導電箔層の上に請求項１に記載の抵抗層
    を包含する、複合層箔。
16. 【請求項１６】導電箔層の上に請求項７に記載の抵抗層
    を包含する、複合層箔。
17. 【請求項１７】導電箔層の上に請求項８に記載の抵抗層
    を包含する、複合層箔。
18. 【請求項１８】導電箔層の上に請求項１０に記載の抵抗
    層を包含する、複合層箔。
19. 【請求項１９】導電箔層の上に請求項１１に記載の抵抗
    層を包含する、複合層箔。
20. 【請求項２０】絶縁層に接着した請求項１に記載の抵抗
    層を包含する、積層体。
21. 【請求項２１】抵抗層に接着した導電箔層をさらに包含
    する、請求項２０に記載の積層体。
22. 【請求項２２】絶縁層に接着した請求項７に記載の抵抗
    層、および、該抵抗層に接着した導電箔層を包含する、
    積層体。
23. 【請求項２３】絶縁層に接着した請求項８に記載の抵抗
    層、および、該抵抗層に接着した導電箔層を包含する、
    積層体。
24. 【請求項２４】絶縁層に接着した請求項１０に記載の抵
    抗層、および、該抵抗層に接着した導電箔層を包含す
    る、積層体。
25. 【請求項２５】絶縁層に接着した請求項１１に記載の抵
    抗層、および、該抵抗層に接着した導電箔層を包含す
    る、積層体。
26. 【請求項２６】絶縁層、および該絶縁層に結合した抵抗
    配線を包含し、該抵抗配線は通常は導電性の金属成分
    と、抵抗値を増大させる量の非金属添加物との複合体を
    包含している、プリント回路基板であって、 該金属成分（A）が、クロムを包含し；該非金属添加物
    （B）が、抵抗層のバルク中に、該通常は導電性の金属
    成分（A）の１原子当たり、少なくとも平均約0.001原子
    の、炭素もしくは窒素、または、炭素、窒素、リンの２
    つまたはそれ以上の組み合わせを包含し；そして該金属
    成分（A）が、該抵抗層のバルクの少なくとも平均約80
    重量％包含する； プリント回路基板。
27. 【請求項２７】絶縁層、および該絶縁層に結合した抵抗
    配線を包含し、該抵抗配線は通常は導電性の金属成分
    と、抵抗値を増大させる量の非金属添加物との複合体を
    包含している、プリント回路基板であって、 該金属成分（A）が、クロムおよびコバルト、バナジウ
    ム、モリブデン、またはタングステンを包含し；そして
    該非金属添加物（B）が、該通常は導電性の金属成分
    （A）の１原子当たり、少なくとも平均約0.001の原子の
    炭素、窒素あるいはリン、または、炭素、窒素あるいは
    リンの２つまたはそれ以上の組み合わせを包含する；プ
    リント回路基板。
28. 【請求項２８】絶縁層、および該絶縁層に結合した抵抗
    配線を包含し、該抵抗配線は通常は導電性の金属成分
    と、抵抗値を増大させる量の非金属添加物との複合体を
    包含している、プリント回路基板であって、 該金属成分（A）が、クロムを包含し；該非金属添加物
    （B）が、炭素および酸素を包含し；そして該抵抗層が
    少なくとも約600μΩ・cmのバルク抵抗値を有する；プリ
    ント回路基板。
29. 【請求項２９】（A）通常は導電性の金属成分の第１ソ
    ース、および、炭素もしくは窒素、または、炭素、窒素
    およびリンの２つまたはそれ以上の組み合わせを包含す
    る非金属の抵抗値を増大させる添加物の第２ソース、の
    水溶液を包含する鍍金浴を提供する工程； （B）該浴に導電部材を入れる工程；および （C）陰極として該導電部材を用い、電流を浴に流すこ
    とにより、該金属成分と該添加物との複合体を包含する
    層を該導電部材の上に、電着する工程；を包含する抵抗
    層を電着する方法。
30. 【請求項３０】前記第２ソースが、蟻酸、酢酸、プロピ
    オン酸、またはそのような酸のアルカリ金属塩を包含す
    る、請求項２９に記載の方法。
31. 【請求項３１】前記第２ソースが、酢酸またはプロピオ
    ン酸を包含する、請求項２９に記載の方法。
32. 【請求項３２】前記電解浴が、オキシハロアニオンを包
    含する、請求項２９に記載の方法。
33. 【請求項３３】通常は導電性の金属成分の第１ソース；
    および炭素もしくは窒素、または、炭素、窒素およびリ
    ンの２つまたはそれ以上の組み合わせを包含する非金属
    の抵抗値を増大させる添加物の第２ソース；の水溶液を
    包含する、抵抗層を電着するための鍍金浴。
34. 【請求項３４】前記第１ソースがクロムを包含し、そし
    て、前記第２ソースが酢酸またはプロピオン酸を包含す
    る、請求項３３に記載の電解浴。
35. 【請求項３５】前記浴が、オキシハロアニオンをさらに
    包含する、請求項３４に記載の鍍金浴。
36. 【請求項３６】（A）絶縁層、該絶縁層に結合した抵抗
    層、および導電金属箔層を包含する積層体を提供する工
    程であって：該導電金属箔層が、該抵抗層に結合したク
    ロム以外の導電金属を主成分として包含し、 該抵抗層が、通常は導電性の金属成分および、抵抗値を
    増大させる非金属添加物の複合体を包含し、 該金属成分が、クロムを包含し、該非金属添加物が、抵
    抗層のバルク中に、炭素もしくは窒素、または、炭素、
    窒素およびリンの２つまたはそれ以上の組み合わせを包
    含する工程； （B）第１マスクで該積層体をマスクする工程； （C）該第１マスクに覆われていない該抵抗性のクロム
    層から該導電性箔層を除去するために、抵抗層に比して
    該金属箔層を優先的にエッチング出来る第１エッチング
    液に該第１マスクを上に有する該積層体を接触させる工
    程； （D）該積層体を塩酸を包含する第２エッチング液に接
    触させ、該抵抗層を該第１マスクに覆われていない全て
    の絶縁層から取り除く工程； （E）該積層体から該第１マスクを除去する工程； （F）第２マスクで該積層体をマスクする工程；および （G）該第２マスクを上に有する該積層体を該抵抗性ク
    ロム層を残したまま、該第２マスクに覆われていない積
    層体から該導電箔層を除去するために、該抵抗層に比し
    て導電箔層を優先的にエッチング出来る第３のエッチン
    グ液に接触させる工程；の一連の工程を包含し、 該第１マスクで覆われた抵抗層が該絶縁層の抵抗性のク
    ロム包含配線を、該第２マスクで覆われた導電箔が該抵
    抗性クロム配線の一部分に、導電金属領域を規定する、 絶縁層の上に少なくとも１つの抵抗配線および導電領域
    を有する、プリント回路基板の製造方法。
37. 【請求項３７】前記導電性金属箔層が銅箔であり、前記
    第１および第３エッチング液が塩化第二銅を包含する、
    請求項３６に記載の方法。
38. 【請求項３８】前記導電性金属箔層がニッケル箔であ
    り、前記抵抗層がクロムを大量に包含し、そして、前記
    第１および第３エッチング液がそれぞれ、アルカリ性ア
    ンモニアエッチング液、塩化第二鉄、塩化第二銅、また
    は過酸化水素を包含する、請求項３６に記載の方法。
39. 【請求項３９】前記非金属添加物が酸素をも包含する、
    請求項３６に記載の方法。
40. 【請求項４０】前記非金属添加物が炭素および酸素を包
    含する、請求項３６に記載の方法。
41. 【請求項４１】（A）絶縁層、該絶縁層に結合した抵抗
    層、および該抵抗層に結合した導電銅箔層を包含する積
    層体を提供する工程であって：該抵抗層がニッケル包含
    の通常は導電性の金属成分および、リン以外の抵抗値を
    増大させる非金属添加物の複合体を包含し； （B）該積層体を第１マスクでマスクする工程； （C）該第１マスクに覆われていない全ての絶縁層の部
    分から該導電銅箔層および該抵抗層を取り除くために、
    該銅箔および該ニッケル包含抵抗層をエッチング出来る
    第１エッチング液に、該第１マスクを上に有する該積層
    体を接触させる工程； （D）該積層体から該第１マスクを除去する工程； （E）第２マスクで該積層体をマスクする工程； （F）該抵抗層を残したまま、該積層体のマスクされて
    いない部分から該導電銅箔層を取り除くために、該ニッ
    ケル包含抵抗層に比して銅箔層を優先的にエッチング出
    来る第３のエッチング液に、該第２マスクを上に有する
    該積層体を接触させる工程；の一連の工程を包含し、 該第１マスクで覆われた抵抗層が該絶縁層の抵抗配線
    を、該第２マスクで覆われた銅箔が該抵抗配線の部分に
    導電銅領域を規定する、 絶縁層の上に少なくとも１つの抵抗配線および導電領域
    を有する、プリント回路基板の製造方法。
42. 【請求項４２】前記非金属添加物が、硫黄を包含する、
    請求項４１に記載の方法。
43. 【請求項４３】前記（C）の工程の後、（D）の工程の前
    に、前記第１マスクを上に有する前記積層体をクロム酸
    および硫酸を包含する第２エッチング液に接触させ、前
    記絶縁層のマスクされていない全ての部分から残留物を
    除去することを包含する（C1）の工程が行われる、請求
    項４２に記載の方法。
44. 【請求項４４】前記第１エッチング液が、塩化第二銅を
    包含し、前記第３エッチング液が、クロム酸と、硫酸と
    の混合物を包含する、請求項４３に記載の方法。