KR930005516A - 저항성 금속층 및 그의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

저항성 금속층 및 그의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 적층의 상세한 구조를 나타내는 제1도의 2-2선 횡단면도,
제3도는 제1부식 단계후의 제1도 적층의 사시도,
제4도는 저항성 라인 및 전위를 라인에 전기적으로 결합하기 위한 수단을 제공하는 간격을 둔 구리 패드를 포함하고 제1도 적층으로 부러 제조된 인쇄 회로기판의 사시도.

Claims (44)

  1. 통상의 도전금속 성분(A) 및 저항증가량의 비금속성 첨가제(B)의 복합체를 포함하는 저항층에 있어서, 금속 성분(A)이 크롬을 포함하고; 비금속성 첨가제(B)가 벌크 저항층중 통상의 도전금속 성분(A) 원자당 평균 약 0.001윈자 이상의 탄소 또는 질소, 또는 탄소, 질소 또는 인중 2개 이상의 조합물을 포함하며;또 금속 성분(A)이 벌크 저항층의 평균 약 80중량% 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 저항층.
  2. 제1항에 있어서, 저항층이 약 0.1내지 약 0.4미크론 범위의 두께를 가질 때 약15내지 약 1000Ω/㎟ 범위의 체척 저항을 갖는 저항층.
  3. 제1항에 있어서, 벌크 저항층이 금속 성분(A) 원자당 약 0.01 원자 이상의 산소를 포함하는 저항층.
  4. 제1항에 있어서, 벌크 저항층이 평균 약 80중량% 이상의 크롬을 포함하는 저항층.
  5. 제1항에 있어서, 벌크 저항층이 금속 성분(A) 원자당 평균 0.001 원자의 탄소를 포함하는 저항층.
  6. 제1항에 있어서, 금속 성분(A)이 코발트, 바나듐, 몰리브덴 또는 텅스텐을 더 포함하는 저항층.
  7. 제1항에 있어서, 비금속성 첨가제(B)가 벌크 저항층중 금속 성분(A) 원자당 평균 약 0.04 원자 이상의 산소 및 약 0.001 윈자 이상의 탄소를 포함하고;또 크롬이 벌크 저항층의 평균 약 80중량% 이상을 포함하는 저항층.
  8. 통상의 도전금속 성분(A) 및 저항중가량의 비금속성 첨가제(B)의 복합체를 포함하는 저항층에 있어서, 금속 성분(A)이 크롬 및 코발트, 바나듐, 몰리브덴 또는 텅스텐을 포함하고; 또 비금속성 첨가제(B)가 금속 성분(A) 원자당 평균 약 0.001 원자 이상의 탄소, 질소 또는 인, 또는 탄소, 질소 또는 인중 2개 이상의 조합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 저항층.
  9. 제8항에 있어서, 금속 성분(A)이 벌크 저항층의 평균 약 80중량% 이상을 포함하는 저항층.
  10. 제8항에 있어서, 비금속성 첨가제(B)가 벌크 저항층중 금속 성분(A) 원자당 평균 약 0.01 원자 이상의 산소 및 약 0.001 원자 이상의 탄소를 포함하는 저항층.
  11. 통상의 도전금속 성분(A) 및 저항증가량의 비금속성 첨가제(B)의 복합체를 포함하는 저항층에 있어서, 금속 성분(A) 이 크롬을 함유하고:비금속성 첨가제(B) 가 탄소 및 산소를 포함하며;또 저항층이 약 0.1내지 약 0.4미크론 범위의 두꼐와 약 15내지 약 1000Ω/㎟범위의 체적 저항을 갗는 것을 특징으로 하는 저항층.
  12. 제11항에 있어서, 저항층이 약 600μΩ/㎝ 이상의 체저항률을 갖는 저항층.
  13. 제11항에 있어서, 벌크 저항층이 X-선 회질 분석에 의해 측정된 바와 같이 체심입방격자 구조 및 단순입방격자 구조를 갖는 저항층.
  14. 제13항에 있어서, 단순입방 격자 구조가 저항층의 결정 격자 구조의 소량의 상을 구성하는 저항층.
  15. 도전성 호일층위에 제1항의 저항층을 포함하는 다층 호일.
  16. 도전성 호일층위에 제7항의 저항층을 포함하는 다층 호일.
  17. 도건성 호일층위에 제8항의 저항층을 포함하는 다층 호일.
  18. 도전성 호일층위에 제10항의 저항층을 포함하는 다층 호일.
  19. 도전성 호일층위에 제11항의 저항층을 포함하는 다층 호일.
  20. 절연층에 접착된 제1항의 저항층을 포함하는 적층.
  21. 제20항에 있어서, 저항층에 접착된 도전성 호일층을 더 포함하는 적층.
  22. 절연층에 접착된 제7항의 저항층 및 저항층에 접착된 도전성 호일층을 포함하는 적층.
  23. 절연층에 집착된 제8항의 저항층 및 저항층에 접착된 도전성 호일층을 포함하는 적층.
  24. 절연층에 집착퇸 제10항의 저항층 및 저항층에 접착원 도전성 호일층을 포함하는 적층.
  25. 절연층에 접착된 제l1항의 저항층 및 저항층에 접착된 도전성 호일층을 포함하는 적층.
  26. 절연층, 및 통상의 도전금속 성분과 저항중가량의 비금속성 첨가제의 복합체를 포함하고 상기 절연층에 결합된 저항성 라인을 포함하는 인쇄 회로기판에 있어서, 금속 성분(A) 이 그름옴 합유하고; 비금속성 첨가제(B)가 벌크 저항층중 통상의 도전금속 성분(A) 원자당 평균 약 0.001 원자 이상의 탄소 또는 질소, 또는 탄소, 질소 또는 인중 2개 이상의 조합률을 포함하며; 또 금속 성분(A) 이 벌크 저항층의 평균 약 80중량% 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄 회로기판.
  27. 절연층, 및 통상의 도전금속 성분과 저항증가량의 비금속성 첨가제의 복합체를 포함하고 상기 절연층에 결합된 저항성 라인을 포함하는 인쇄 회로기판에 있어서, 금속 성분(A)이 크롬 및 코발트, 바나듐, 물리브덴 또는 텅스텐을 포함하고; 또 비금속성 첨가제(B)가 금속 성분(A) 윈자망 평균 약0.001 원자 이상의 탄소 또는 짙소, 또는 탄소, 질소 또는 인중 2개 이상의 조합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄 회로기판.
  28. 절연층, 및 통상의 도전금속 성분과 저항중가량의 비금속성 첨가제의 복합체를 포함하고 상기 절연층에 결합된 저항성 라인을 포함하는 인쇄 회로기판에 있어서, 금속 성분(A) 이 크롬을 포함하고; 비금속성 첨가제(B)가 탄소 또는 산소를 포함하며; 또 저항층이 약 600μΩ/㎝ 이상의 체저항률을 갖는 것을 특징으로 하는 인쇄 회로기판.
  29. (A) 통상의 도전금속 성분의 제1공급원 및 탄소 또는 질소, 또는 탄소, 질소 및 인중 2개 이상의 조합물을 포함하는 비금속성 저항증가 첨가제의 제2공급원의 수용액을 포함하는 도금조를 재공하고; (B) 상기 도금조에 도전 물질을 놓으며; 또 (C) 상기 도전물질을 음극으로 사용하는 도금조를 통하여 전류를 통하게 하는 것에 의해 상기 금속 성분과 상기 첨재의 복합체를 포함하는 층을 상기 도전물질위에 전착시키는 단계로 구성되는 저항층의 전착방법.
  30. 제29항에 있어서, 상기 제2공급원이 포름산, 아세트산, 프로피온산 또는 이러한 산의 알칼리 금속염을 포함하는 방법.
  31. 제29항에 있어서, 상기 제2공급원이 아세트산 또는 프로피온산을 포함하는 방법.
  32. 제29항에 있어서, 도금조가 옥시-할로 음이온을 포함하는 방법.
  33. 통상의 도전금속 성분의 제1공급원 및 탄소, 질소 또는 탄소, 질소 및 인중의 2개 이상의 조합물을 포함하는 비금속성 저항증가량의 첨가제의 제2공급원의 수용액을 포함하는, 저항층을 전착시키기 위한 도금조.
  34. 제33항에 있어서, 제1공급원이 크름을 포함하고 또 제2공급원이 아세트산 또는 프로피온산을 포함하는 도금조.
  35. 제34항에 있어서, 도금조가 옥시-할로 음이온을 포함하는 방법.
  36. (A) 절연층, 이 절연층에 결합된 저항층 및 통상의 도전금속 성분의 저항중가량의 비금속성 첨가제의 복합 체로된 저항층에 고정된 크롬 이외의 다량의 도전 금속으로 구성되고 벌크 저항층중 금속 성분이 크롬을 포함하고 비금속성 첨가제가 탄소 또는 질소, 또는 탄소, 질소 및 인중의 2개 이상의 조합물을 포함하는 도전금속 호일층을 갖는 적층을 제조하고; (B) 이 적층을 제1마스크로 마스킹하며; (C) 제1마스크를 그 위에 갖는 적층을 저항층에 긱합한 도전성 호일층을 선택적으로 부식시킬 수 있는 제1부식제와 접촉시켜 제1마스크로 덮여지지 않은 저항성 크롬충으로 부터도전성 호일층을 제거하고; (D) 이 적층을 염산을 포함하는 제2부식제와 접촉시켜 제1마스크로 덮여지지 않은 모든 절연층으로 부터 저항층을 제거하머; (E) 상기 적층으로 부터 제1마스크를 제거하고; (F) 상기 적층을 제2마스크로 마스킹하며; 또 (G) 제2마스크를 그 위에 갖는 적층을 저항층에 적합한 도전성 호일층을 선택적으로 부식시킬 수 있는 제3부식제와 접촉시켜 잔류하는 크롬 저항층을 뒤에 남기면서 제2마스크로 덮여지지 않은 적층으로 부터 도전성 호일층을 제거하는 순차적 단계를 포함하고, 제1마스크로 덮여진 저항층이 절연층 위에 있는 크롬 함유 저항성 라인을 규정하며 제2마스크로 덮여진 금속 호일이 저항성 크롬 라인의 일부 위에 있는 도전금속 영역을 규정하는 것을 특징으로 하는 절연층 위에 한개 이상의 저항성 라인 및 한개의 도전 영역을 갖는 인쇄 회로기판의 제조 방법.
  37. 제36항에 있어서, 도전금속 호일층이 구리호일이고 또 제1 및 제3부식제가 염화 구리를 포함하는 방법.
  38. 제36항에 있어서, 도전성 호일층이 니켈 호일이고, 저항층이 다량의 크롬을 포함하며 또 제1 및 제3부식제가 독립해서 알칼리성 암모니아성 부식제, 염화철, 염화 구리 또는 과산화수소를 포함하는 방법.
  39. 제36항에 있어서, 비금속성 첨가제가 산소를 포함하는 방법.
  40. 제36항에 있어서, 비금속성 첨가재가 탄소 및 산소를 포함하는 방법.
  41. (A) 절연층, 이 절연층에 결합된 저항층 및 니켈을 포함한 통상의 도전금속 성분과 저항증가량의 인 이외의 비금속성 첨가제의 복합체로된 저항층에 고정된 도전성 구리 호일층을 갖는 적층을 제조하고; (B) 이 적층을 제1마스크로 마스킹하며; (C) 제1마스크를 그 위에 갖는 격층을 구리 호일 및 니켈 함유 저항층을 부식시킬 수 있는 제1부식제와 접촉시켜 제1마스크로 덮여지지 않은 모든 절연층 부분으로부터 도전성 구리 호일층 및 저항층을 제거하고; (D) 이 적층으로 부터 제1마스크를 제거하며; (E) 이 적층을 제2마스크로 마스킹하며; (F) 제2마스크를 그 위에 갖는 적층을 니켈 함유 저항층에 적합한 구리 호일층을 선택적으로 부식시킬 수 있는 제3부식제와 접촉시켜 잔류하는 저항층을 뒤에 남기면서 마스킹되지 않은 모든 적층 부분으로 부티 도전성 구리 호일층을 제거하는 순차적 단계를 포함하고 제1마스크로 덮여진 저항층이 절연층 위에 저항성 라인을 규정하며 제2마스크로 덮여진 도전성 호일 저항성 라인의 입부 위에서 도전성 구리 영역을 규정하는 것을 특징으로 하는, 절연층 위에 한개 이상의 저항성 라인 및 한개의 도전 영역을 갖는 인쇄 회로기판의 제조방법.
  42. 제41항에 있어서, 비금속성 첨가제가 황을 포함하는 방법.
  43. 제42항에 있어서, 단계(C) 후 및 단계(D)전의 단계(C1)가 제1마스크를 갖는 적층을 크롬산 및 황산을 포함하는 제2부식제와 접촉시켜 절연층의 모든 마스킹되지 않은 부분으로 부터 잔류물을 제거하는 것을 포함하는 방법.
  44. 제43항에 있어서, 제1부식제가 염화구리를 포함하고 또 제3부식제가 크롬산 및 황산의 혼합물을 포함하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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