TW199260B - - Google Patents

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/經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 199260 a6 B6 五、發明説明（ί ) 發明領域 本發明係闊於印刷電路板前醒材料領域，以及製備該 材料的方法。更待殊的說，本發明偽關於雷沈積方式取得 的阻抗金屬層，多層箔Η (包括阻抗層），積層板（包括 绝緣層，電沈積阻抗金屬層和一導電層），印刷電路板（ 包括一絶綠層和一結合到绝緣層上的阻抗線，以及製備上 述毎一種材料的方法。 發明背景 自從Strung等人掲示一種劃時代的發明（英國專利第 690691號，1953年4月29日公告）開始，印 刷電路板（PCB)技術已經成為現代電子業一門舉足輕 重的科學。由於開發了積層粘結技術和相關電沈積加工程 序的發展以製備作為導電材料薄箔片，PCB技術爱得更 便利了。為了PCB元件縮小其在空間上的需求，業界已 經將研究方向指向平面電阻技術，特别是指向電沈積咀抗 層，以期增加電路密度，改菩可信賴度和操作特性，並降 低成本，特別是提高自動化作業。以前所作的種種努力被 摘錄於 M a h 1 e r 所著” Planar Resistor Technology for High-Speed Multilayer Boards" Electronic Packaging & Production, January, 13 8.fi, pp 15l-154〇 有關阻抗材料的可蝕刻電沈積層的重要進展可參見：

Castonguay (記載於美國專利第3 ,’8 5 7 , 6 8 3號） »·、 ,〇33丨〇1^1^7等人（記載於美國專利第3.|8 0 8,5 7 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉甲4規格（210 X 297公釐〉 -裝------.玎------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 19S260 A6 B6 五、發明説明（1) 經濟部中央標準居員工消費合作社印製 S 7 金而數各，在和°製 30 抗不到用括括氯劑 υ ο 合然傜在贵 ，金酸一金 第 1 阻在鍍使包包 ，加 \ \ 元。阻，昂如合硼合 利 7 物，電免浴層物添 T 6 二用電下且例鉬代元 專 ο 驅中層避鍍抗合它 C 8 種之為況少。鈷氟二 。國 \ 先報抗該電阻水其 P 多層因情稀險備和的件美 6B 公阻應 ， ，六及 號 ο 示抗 -多分危製酸有條如 8C 際金，此中鎳、以 案 W 掲一阻殊許十很 ，既·刻並 P 國合們因利酸··>., 請號 號一為特在份作 I 代從蝕 ，ο 備 ο 磷我。專硫酸 申案 3 作較 ，成操X氟的或因 W 製 ο 鎳訴化 6# 磷 際際 8 - 數者的或 X 的功液原第為 1 將告脆 7 含亞 國國 6 } 俱再要 \ x 鎳成刻它報成 7 中的的 5 浴和 於為 ，y阻。需和和或示蝕其公經 ο 浴楚品，鍍酸 載告 7,0 電用所作 I 鈷I掲的或際已在鑊清産在電磷 記公 5 1 的使浴操 X 及未要種國金 。電很成 。被 ， ( 8 1 份際鍍難例以並需 一和合料的料造酸，鎳 人號 . a 部實電很實鉬報別於號磷材鹽資會磷磷酸 等 3 3^ 大業的下的要公持基 6 鎳的物考它亞的碩 lce7 第y的商金形利需ΐ利所 ，7 ，用化參為和量 ， Ri1 利；r 中供合情專别|專板何 5 者常氛份因酸重饬 及 1。 專；a 金法備些號分一上路如 ，示最和這 ，磷%合 以 ο} 國jn 合無製某 3 金一以電論 8 掲上鹽 。類 ，ο 水 }\o 美1.1 些而於在 8 合j, 刷無 ο 所用酸上鹽鎳 3 六 號 60 、ba低用且 6 鉬一外印 8 號應硫箔種酸達11 681 ( ，太種而，鎳j此備 ，ο 層含銅該碩多化 ------------------------裝------ΤΓ------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)甲4規格（210 X 297公坌） λ83260 ，經濟部中央樣準局8工消費合作社印製 A6 B6 五、發明説明（> ) 。然而，使用諸多試劑來形成鎳磷層在技術上很麻煩，而 且容易增加商業用阻抗層的製造成本。再者，一般都認為 有必要在阻抗合金被電鍍到一銅箔表面之後，再將阻抗合 金陽極處理成為氣化物。此舉也會造成成本的增加以及諸 多不便。 因此，即使前技提供電沈積平面霣阻層已有些許進步 ，熟知此技人士無不繼缅尋求阻抗材料，希望能夠更方便 的進行電沈積並且可重覆的提供使用安全蝕刻液便能很快 的加以蝕刻的阻抗層，以期製備具備商業上價值的m阻線 和片段的印刷電路板元件。本發明所掲示者乃提供此種阻 抗層，該阻抗層中的成份，製備該材料的電鍍液和製備方 法。 · 發明概要 本發明申請案所掲示的的發明提供一種阻抗層和多層 箔片，積層板和含有阻抗層的印刷®路板。 阻抗層包括一電沈稱層组合，該組合组成為一泛用的 導電金靥和一可提高電阻數量的非金屬添加劑。 本發明的多層箔片包括一導電層和本發明的阻抗層。 本發明的積層板包括一絶緣層，其中含有粘附在上的 本發明電沈積胆抗層。本發明的這一方面.的内容，積層板 亦包括一粘附到阻抗層上的導電層。 本發明的印刷電路板包括一絶緣層和一结合到絶緣層 上的阻抗線，該阻抗線包括一種一泛用的導電金颶成份和 -5- 本纸張又度適用中國國家標準（CNS)甲4規格（2U) X 297公货） ----.--------------------裝------，玎------線 (請先閱琦背面之注意事項再填寫本頁) 199.360 Μ m 五、發明説明（> 種， 一的二 該鍍 浴增包。法區蝕 的其 一法 由量是 在電 鍍及劑合方電擇 板丨 括方 液數者 鍍入 電以加組的導選 路域 包的 溶阻或 電通 的源添的板上別 電區 其層 水電， 物流 層來中磷路層各 刷電 ，抗 ，高氮 合電 抗一 其和電緣是 印導 法阻 液提或 組將 阻第，氮刷绝容 1 備上、 方的 溶可碩 的極 積的液，印和内 .製層\ 。的數 水種括 劑陰 沈件溶碩一的的 種緣 劑層像 一一包 ；加為 電元水者備物面 一 绝 加抗阻 括和劑 中添作 於屬的或製合方 供和 添阻電 包源加 浴該件 用金源 ，是组 一 提線 羼沈或 中來添 ·，鍍和元 是電來合容明它 。中抗 金積阻 其一 ，物電件電 容導二混内發其法例阻 非電電 ，第源合該元導 内用第的面本的方施鉻 的種層 ··浴的來混入屬該 面使劑者方由明的實含 量一薄驟鍍份二的置金以 方般加兩一少發層一備 ： 數示定步電成第磷件該係 一 一添其另至本抗的具驟 阻掲選下種屬的和元由其S括的者又備 。阻容板步 電亦預以一金劑氮電層， 的包颶或的具線和内路缠 高明.備括供電加 ，導一上 明浴金 ，明板抗片明電連 提發具包提導添碩將將件 發鍍非氮發路阻箔發該下 可本積法} 用屬種 }}元 α 本電阻或本電一電本 ，以 種 沈方 Α 泛金多 B C 電中 該電碩 該的導 法括 一 電此 ί 種非或導浴 ，加括 ，域刻 方包 iif f 199,260 A6 B6 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明説明（f) (A) 提供一積層板，該積層板具備一絶緣層，一結合到 絶緣層上的阻抗層，和一固定在導電層上並且包括主要數 量的導電金靥（鉻除外）導電金屬箔層，阻抗層包括一泛 用導電金颶元件和增加電阻數量的非金羼電阻添加劑的组 合物，金屬元件包括鉻而非金颶添加劑包括碩或氮，或者 其兩者的混合，或者磺，氮和磷的組合，於所有阻抗層中 (B) 用第一軍單住積層板； (C) 使具備第一軍的積層板與可較佳的蝕刻相對於阻抗 層的金屬箔片層的第一蝕刻液接觸，以期從未被第一軍覆 蓋的阻抗鉻層除去導電箔片層； (D) 使積層板與包括氫氣酸的蝕刻液接觸，以期從所有 未被第一罩覆蓋的绝緣層除去阻抗層； (E) 從積®板除去第一罩； (F) 使用第二軍單住積層板：和 (G) 使具備第二罩的積層板與可較佳的蝕刻相對於阻抗 層的導電箔片層的第三蝕刻液接觸，以期從未被第二革覆 蓋的積層板除去導電箔片層而同時留下阻抗鉻層； 其中被第一軍覆蓋的阻抗層在绝綠層上界定一阻抗含鉻線 ，而被第二革覆蓋的導電箔片在阻抗鉻線土的一部份界定 一導電金靨區域。 本發明内容的另一蓠施例中，提'供一種方法來裂備印 刷電路板•該電路板至少由含鏍组合物和絶線層上一導電 (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) —裝. 訂· .線. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)甲4规丨各（210 X 297公；5 ) 199260 A6 B6 五、發明説明（lc ) 區域所組成的阻抗線，其包括以下連績步驟： (A) 提供一積層板，該積層板具備一^緣p , —結合到 绝綠層上的阻抗層，和一固定在導電層上的導電金颶箔層 ,其中阻抗層包括泛用的含鎳導電金颶元件和增加電阻數 量的非金屬（不是磷）電阻添加劑的組合物； (B) 用第一罩罩住積層板； (C) 使具備第一罩的積層板與可較佳的蝕刻銅箔和含錁 阻抗層的第一蝕刻液接觸，以期從未被第一單覆蓋的所有 部份的絶緣層除去導電銅箔和阻抗層； (D) 從積層板除去第一罩； (E )使甩第二罩罩庄積層板； (F)使具備第二罩的積層板與可較佳的蝕刻相對於含鎳 阻抗層的銅箔的第三蝕刻液接觸，以期從積層板未被覆蓋 的所有部份除去導電銅箔而同時留下阻抗鉻層； 其中被第一罩覆蓋的阻抗層在絶緣層上界定一阻抗線，而 被第二罩覆蓋的銅箔在阻抗鉻線上的一部份界定一導電銅 區域。 圖示簡述 圖1為本發明一積層板的立體圖，其元件為一绝緣層 ,一粘附到絶緣層上的阻抗層和一粘附郅姐抗層上的導電 層； 圔2為沿著圖1的2 — 2線所取、的截面圖，顯示積層 板的詳細構造： 未纸張適用中國國家桴準申4規格（^10父2扣公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 4β

T ，經濟部^^標準局貝工请费合作杜印製 199260 A6 B6 經濟部中央標準局R工消费合作社印製 五、發明説明（*1) 圔3為圈1積層板在第一蝕刻步驟之後的立體圖； 圖4為印刷電路板的立匾圖，其偽製備自圖1的積層 板，其並包括一阻抗線和間隔銅墊，提供將電位耩合到線 上的装置。 本發明較佳實施例敘述 如前所述，本發明提供電沈積電力阻抗金屬層，多層 積層板，多層板可包括一絶緣層•一結合到阻抗層的電沈 積阻抗金屬層，和一固定到阻抗層上的導霉層，以及從以 上材料所製備的印刷電路板。另外，本發明提供一種電鍍 浴，從該電鍍浴可霣沈積本發明的阻抗金屬層，以及提供 一種利用該電鍍浴的方法。最後，本發明提供一種蝕刻本 發明積層板以製備本發明印刷電路板元件的方法。 m阻抗材料包括一個泛用的導霣金屬元件和可增加霣 阻數量的非金羼添加劑的组合物。任何一般使用的導電可 電沈積金屬都可作為本發明目的的金屬元件。所諝一般使 用的導電金颶為周期表上的過渡元素，例如鉻，錁，鈷， 织，鎮，鉬，valve金屬（例如鈦，結，鈮，鉅等），贵重 金屬（例如釕，鉑，把等），銀，銃，釔等，以及不是過 渡金鼷者如鑭条（例如銪，钍等）和其混合物。基於經濟 和/或電阻器穩定的考量，通常以銘本身或者混合其它一 或多種前述金颶一起使用較佳。在一較佳的實施例中，阻 抗層包括一主要含量的鉻。 ' 阻抗層中存在鉬和/或鎢對得到具備高度操作能力的 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 訂· 丨線· 衣紙張尺度適用中國國家標準（CNS)甲4規格（210 X 297公釐） Α6 Β6

i99?6C 五、發明説明（Γ ) 阻抗層而言是特別受到有利的。在一實施例中，鉬和/或 _的含量相對於阻抗層中導電金羼總原子數為少量。在另 一實施例中，鉬和/或鎢對其它導電金羼的原子比例為約 0. 001:1到約0.1:1。在一較佳實例中，該原 子比例為約0. 01:1。 坪金屬添加劑可選自任何非金屬元素或者元素組合， 但是一般為一或多種碩，氮，磷，氧和硫。當氣原子存在 於組合物中，一般以碩，氮和/或磷的存在較隹。較佳的 實施例一般都實質上没有矽。 一般而言，總阻抗層包括至少對每膣一般導電金屬原 子有約0 . 0 0 1個原子的一或多傾非導電添加劑。一般 而言，總阻抗層包含至少约80%重量的一般導電金屬原 子（相對於總阻抗層中總原子數）。 較佳的阻抗層的進一步特擻尚包括：大於約6 0 0微 歐姆公分的總電阻傺數；可在水溶液中電鍍而可重覆的産 生一粘附沈積層，該沈積層可被結合到一绝緣層而不會喪 失外觀整體性；非輻射性；如果有熔點和結晶相，則是在 大於約45 0°F;當適當的沈積時，溫度電阻偽數在約 20七到約1 OOt：範圍時，约小於300p pm/t ; 具備目前可用電狙器的電流對電壓待性·>·在鈍化 (passivatQin),陽極處理，用有機或無機層予以覆層電鍍 或塗佈的適當的保護下，對正常使用'狀況具有抗化性。 本發明的阻抗1可從水性電鍍浴中沈積到一導電箔片 -10- 本紙張尺度適用中國舀家橒準（CNS)甲4規烙（210 X 297公S ) ------------------------装------，玎------^ (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁} '經濟部中央標準局員工消费合作社印製 ι992*>0 A6 B6 ，經濟部中央標準屬員工消費合作社印製 五、發明説明（1) 上，例如沈積到安定銅箔層上。 本發明的阻抗層可使用熟知印刷霉路板領域人士習知 的任何導電箔片。例如包括銅箔，鎳箔，等。例如，阻抗 層可被電沈積到經過處理或未經處理的銅箔上。一般而言 ,阻抗層被應用到電鍍導箔片的暗面。基於實用的理由， 銅箔通常都是己經過處理（安定化）以避免氣化作用以及 尚待處理的平面電沈積銅箔。但是一般都會認為在某些情 況下會較喜歡將阻抗層匾用到一未經處理鋦箔或者已經過 完金齬合處理的銅箔。 可供本發明使用的其它導電箔μ包括，例如辗滾銅和 電沈積鎳箔。 雖然不是必須的，但是此時有利的作法是在高溫空氣 中或一控制情況下加熱所製備的雙層箔片。然後可將雙層 箔片的阻抗層與一絶緣層積層，絶緣層例如一或多層經過 適當'的可硬化有機樹脂組成物預浸的玻纖布。多層箔片和 預浸玻纖布（預浸片）接著被結合在一起，其乃使用傳统 的結合方法，例如在250到750ps i和350到 450T的溫度壓力下壓合40分鐘到2小時，以得到包 括一絶緣層，一結合到該绝緣層的電沈稹阻抗層，以及一 粘附到該阻抗層的外導電層的積層板。.- 發明人也認同绝緣層没有必要要是預浸片，就此方面 而言，包括阻抗層（例如圖1和2的、多層箔片14)的多

V 層箔片可被结合到一塗佈著拈箸劑的聚酯膜土。積層條件 -11- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)甲4規格（210 X 297公铨） ------------------------裝------.玎------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 199260 A6 B6 ，經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明説明（丨c ) 為3〇〇°F溫度和40到300ps i壓力以及10到 90秒的壓合時間之下，以聚酯膜作為絶緣層時，可製備 剝離強度大於9. 5psi的積層板。 本發明應用方面與阻抗層和導電層互相接合方式無顔 。本發明的一較佳形式中，阻抗層被直接電沈積到導電層 的暗面。因此，本發明提供一新穎印刷電路板材料，其形 式為層式原料，其並包括至少一層粘附到一層高度導電材 料並與之密切接觸的電阻抗材料。 一多層積層板例如圖1和2中具備阻抗層16的積層 板10,可被用於製備一印刷電路板。在使用傳統製程之 下，可將界定光阻（Photoresist)的導電線應用到積層板 1 0的導電層1 8上表面。然後可將光阻以傳統方式暴露 到一筵定的紫外光型式，這種方式乃是以含有電阻器和導 電器聯合型式的負影像的照像負像來提供。然後再將電阻 底片未暴露的區域予以除去而顯影，所殘留的是一成形光 阻層（也就是一導電線罩），而使導電箔片層18部份不 被覆蓋而同時其它部份仍被罩所覆蓋（本發明中”罩”一 詞乃界定為已硬化（成形）光阻層）。 被罩住的積層板1 0然後被處理以將多層箔片層1 4 暴露到一可較佳的蝕刻相對於阻抗層的導罨層的較佳蝕刻 液中，此種蝕刻液可包括一驗性氨蝕刻液，氣化戡或氣化 銅（以氫氯酸予以酸化），過氣化窗：，銘酸或其它合適的 蝕刻液，例如包括一主要數置銅的箔片層。除了氨蝕刻液 -12- 本纸張尺茂適用中國a家標準（CNS)甲4规烙（210 X 297公朵） (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 丨裝. _ -線· i99260 ,^6 ;Β.β ..五、發.明:説'明!.（丨丨：；） 和鉻酸蝕刻液之外，相冏型態的蝕刻液可較佳的使用於蝕 刻包括主-數量鎳的箔片。 通常使用的蝕刻液包括氣化銅（Cue) /氫氣 酸（HC 1)蝕刻液，以一實施例中，蝕刻液浴可包含* 例如，每升有200克氛化銅和每升有127毫升的氫氣 酸。蝕刻液可被維持在約5 2Ί0的溫度，蝕刻液蝕刻不被 導電線革覆蓋區域的銅箔18。 以上的罩和蝕刻的步驟一般都接著再以水冲洗積層板 ，結果是從不被已顯影光阻罩所覆蓋的區域除去箔片層 18。 暴露的下層阻抗層的去除，可將積層板10已暴露阻 抗層部份與一可蝕刻阻抗層的第二蝕刻液接嫌而逹成。當 阻抗層包含一主要數量的鉻時，在约5 Ot：或更高溫度之 下，使用1 8%重量的氫氛酸溶液作為阻抗層蝕刻液。在 一較佳實施例中，積層板10被浸於氫氣酸溶液中達10 秒鐘以除去含鉻阻抗層16。殘留硬化光阻（亦即導電線 罩光阻）可從箔片區域被除去（亦卽予以脱離）^已成形 導電線30·如圔3所示的最佳情況，尚留在下面。每一 導電線30具備一外層導電箔片18和一固定到基質12 的下層1 6阻抗鉻。 -- 為了界定一或多平面笛阻器，可將界定一光阻層的阻 抗線再度應用到如圖3所示的導電線一光阻型態可經由 ·、 將光阻暴露到紫外線而加以界定，例如經由照像負像將光 -13- 本纸張尺度通用中画i國家標準（CNS)甲4規格（210 X 297公?η {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝1 ,嫌.廉部中夹#.等场典工谦费会作杜却-製 訂 線 - - -------------------1 ! A6 i932G0 _B6_ 五、發明説明（丨V) 阻暴露，並且去除光阻未暴露的部份（一般用沖洗），金 都用傳統方式。阻抗線光阻部份（亦卽已顯影部份）仍然 留著以罩住導電線3 0或其仍留在基2之上的部份。 箔片層18未被阻抗線軍覆蓋部份可經由將積層板浸漬於 或使箔片18與上述蝕刻液接觸以除去箔片而去除之。在 此時，導電和阻抗區域被界定，而且每一部份之間皆有適 當的接觸，以得到一具備平面電阻器的印刷電路板。 換言之，印刷電路板可包括將電位耦合到阻抗線上的 装置。例如，電耦合裝置可包括一對粘附到阻抗線上的間 隔銅墊。阻抗線和間隔銅塾可經由蝕刻各別電沈積層而得 到，例如，可除去上述阻抗線罩以得到如圖4所示的印刷 電路板，其包括由一部份原阻抗層16 (如含鉻阻抗層） ,和所組成的一阻抗線40,以及將電锅合到阻抗線40 的裝置，該装置包括一對導電銅箔末端接觸墊42和44 ,該墊與阻抗線4 0保持密切的電接觸。如熟知印刷電路 板人士所習知者，墊42和44提供可將阻抗線40耩合 到一電位的裝置。 各別多掴阻抗線平面電阻可被安置於網路結構，並且 經由適當的導體的内部連接以提供多種電阻和電阻持徽。 圖4的印刷電路板上也可殘留有一或多阔導電箔片線3 0 ，以傳统方式傳導電力。 根據本發明，可經由改變電鍍條'件或電鍍浴的化學特

'V 性而變化其其電沈積的非導電添加劑電數量而小心的阻抗 -14- 本紙張尺茂適用t國國家揉準（CNS)甲4规格（210 X 297公釐） ------------------------裝------.ΤΓ------線 (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) /經濟部中央標準局員工消費合作社印製 199,260 ' 雉濟部中央標攀局貝.工.»赍合作社印餐 A6 B6 五、發明説明（丨' ) 層或阻抗線的薄層電阻。 在另一實施例中，可使用藉由電沈積一含鎳阻抗層在 一銅導電層上所製備的多層箔片來製備一積層板，並接箸 用該積層板來製備印刷m路板。關於圖1和2,依照以上 霣例，層1 6為一含錁層而不是上述的含鉻層。在所有其 它内容方面，積層板10與上逑者是大致上相同的。因此 ,積層板1 0的組成是一包括一結合或積層到基質1 2的 電沈積阻抗鎳層的多層箔片14,以及一is合製備印刷電 路板的導電銅箔層18。在一較佳實施例中，在使用鬣鍍 浴中的陰極基質之前先安定導電箔片18以改菩其抗氣化 作用。 積層板1 0之製備可應用以上所述的溫度和壓力條件 。最終的積層板可被蝕刻以製備一印刷電路板。可如以上 所述一般的將光阻暴露到一選定型態的紫外線。在適當的 顯影之後遢殘留下來的是已成形的光阻層或導電革，其覆 蓋著導電銅箔層1 8的部份，而未覆蓋其它部份。積層板 10的的多箔Η層14然後被暴露到一可同時蝕刻銅箔和 含鎳阻抗層（如被氫氯酸和過氣化氫酸化的氣化鐵或氣化 銅）的蝕刻液，最好是使用上述的氛化銅/氫氣酸蝕刻液 。該蝕刻液可包含例如毎升蝕刻液2 0 0.克氛化銅和毎升 蝕刻液1 2 7毫升的濃氫氣酸。蝕刻液可較佳的被維持在 約5 2t：的溫度。當阻抗層為一鎳硫層時，此一蝕刻液可 ·.、 除去不被光阻單所覆蓋的銅箔18和錁硫層16。 -15- 本·紙張^t填用中囷躅家槔準（CMS>甲4思格（210 X 297公耸） ------------------------装------訂------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁> X99260 A6 B6 經濟部中央標準屬R工消费合作社印製 五、發明説明（）0·) 當積層板同上所述被加工時，一棰未經證實殘留物可 能殘留在基質1 2上，可將有革的積層板與一種第二蝕刻 液（包括鉻酸和硫酸）接觸以除去所有絶緣層未被罩住部 份的殘留物。在一實例中，殘留物可使用一去除殘留物的 蝕刻液（毎升有3 0 0克鉻酸和毎升有3 0毫升瀝硫酸） 予以去除。此電鍍浴可被維持45t的溫度，去除過程僅 花費1 5秒鐘。殘留的光阻然後從銅箔1 8上被去除，而 留下如圖3所示的導霉線3 0。每一個導電線30有一導 電銅箔1 8外層和一固定在基質1 2的阻抗錁層1 6下層 Ο 為了界定一或多個平面電阻器，將界定光光聚合物膜 層置於多層印刷積層板或電路板1 〇。將光阻暴露到一紫 外線以界定第二光阻型態，光阻然後被合適的顯影。阻抗 線光阻未顯影的部份被去除，殘留的部份呈現一覆蓋導電 線 3 0或其仍殘留在基質1 2之上的阻抗線罩。其它導 電線3 0部份不被阻抗線罩所覆蓋。使銅層18與一較佳 蝕刻液（含每升300克鉻酸，每升30毫升港硫酸的溶 液或一氨蝕刻液）接鐲以除去線3 0銀！箔層1 8暴露部份 。在4 時，鉻酸/硫酸或氨較佳蝕刻液一般不會侵蝕 阻抗含鎳層1 6。 - · 在除去阻抗單之後，得到一印刷電路板，其包括一由 含鎳组合物所組成的阻抗線4 ◦，以'及g電耦合到阻抗線 4 0的裝置，該裝置包括一對導電銅箔末端模觸墊4 2和 -16- . * 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)甲4规格（210 X 297公货> ------------------------裝------訂------線 (請先閱讀背面之注意事項再塡寫本頁) X982G0 A6 B6 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明説明（丨 44,該墊與阻抗線40保持密切的電接觸。如圖4已有 最佳說明。印刷電路板也可具備一或多個殘留在其上的導 電箔線3 0以傅統方式傳導電力和/或多痼阻抗線4 0安 置於一適當的網路中。 截至目前為止已經知道許多種材料可被用來製備印刷 電路板，一般而言，印刷電路板材料（或PC Β前驅物） 包括一絶緣承載和承載外表一面或兩面的高導霉材料外層 。將前驅挠材料轉變成所想要産物的方法涉及選擇性除去 導電層不想要的部份，使在導電區域上留下所希望的結構 。本發明此處所討論者乃有閎於提供一電阻抗材料（平面 電阻器）供與高度導電層一起使用。帶有電阻材料（外觀 上粘附在一起）的高度導電層可被用來製備包括電阻器和 導電器的印刷霉路板。從有有電阻材料附在其上的高度導 電層選擇性的去除不想要的區域的方法基本上是與已經被 用來去除不與阻抗層連接在一起的導霉層不想要匾域的方 法是相同的。 雖然以上所述一般敘逑從積層板，例如本發明的積層 板，來製備印刷電路板的方法，視被蝕刻的特殊層所需要 的待擻而定也需要其它的程序輔肋。例如，需要用兩種不 同组成物的蝕刻液來蝕刻以逹到單一去除步费E,因為使用 第一蝕刻液會導致殘留的形成。 本發明的駔抗層為一種組合物的'電沈積層，該組合物 «·、 為一般使用導電金屬元件和一增加電阻數量釣非金屬添加 -17- ------------------------裝-------ΤΓ------線 (請先閲讀背面之注告項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)甲4規烙（210 X 297公坌） A6 B6 ±99260 五 '發明説明（丨u 劑的組合。本發明的一新穎内容為基於非金屬添加劑來自 起初為一電鍍浴原料來源的事實。因此，除了其它一般性 的電鍍浴成份之外，該浴包括一種阻抗層的一般使用導電 金颶元件來源以及增加電阻的非金颶添加劑來源。非金臛 添加劑來源一般都是一種可溶於電鍍浴水性載媒的化合物 ，該化合物不會被電鍍浴中其它原料分解。就另一方面而 言，該來源應該在對電鍍浴施以電鍍電流時分解。在該來 源分解時，氮，磷.氧和/或硫元素從來源被釋放而 進入電沈積物質中。 發明人發現有機酸和其可離子化的鹽可有效的作為碳 和氣的來源以供本發明使用。待別的是酸（例如甲酸，乙 酸和丙酸以及其鹼金屬鹽）被發現有效。一種較佳的碩和 氣的來源為丙酸。 含氮化合物，例如硫脲，尿素，胺基酸，水溶性蛋白 質（例如膠凝），季胺（例如四烷基銨鹽），硝酸等，以 及其可離子化鹽，都可作為本發明惠。||3寧_的來源。水溶性 或具備含氮基（如胺，硝酸鹽和腈基）的可分散有機化合 物可作為氮和碩和/或氣的來源。 含磷化合物例如原磔酸和焦磷酸；偏亞磷酸和焦亞磷 酸；和多種有機磷酸化合物例如胺基三甲撐瞵酸（ATM P )，等；以及其可離子化的鹽，可作為磷和氣的來源。 許多其它的具備含磷基的水溶性或可'分散有機化合物，例 如磷酸鹽或磷酸酯，可作為磷和碩和/或氧的來源。 _ 1 8 _ 本纸張人麾遴用家樣準（CNS)甲4现樁（210 X 297公货） ------------------------裝------訂------線 (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁> m 濟 部 中 央 % 作 社 印 % A6 B6 199,260 五、發明説明（丨°|) 可溶於電鍍浴的含硫化合物例如硫代硫酸鹽或硫脲鹽 也可以提坪硫。當後面的元素作為的非金颶電阻増加添加 劑時，硫代硫酸納被發現是一種持別有效的且較佳的硫來 源。 提供各種不同元素的組合，可藉由混合上述各種來源 或者藉著直接使用部份組成含有所要元素的化合物作為來 源。含有硝酸胺，磷酸鹽和/或羧酸基的可溶於電鍍浴的 或可分散的有機化合檢也可被用作氮，磷，磺和氣原子的 和値別來源。含有一或多個羧酸和一或多個含氮基的可溶 於電鍍浴或可分散有機化合物也可作為硪，氮和氣的來源 Ο 泛用導電金颺一般都與習知技術常用電鍍浴所用的相 同。 例如，鉻的來源可為三氣化鉻和被習知技術中所熟知 的錯合劑安定於溶液中的三價鉻。錯合劑可包括，例如， 門冬胺酸，胺基二乙酸，氮川三乙酸，5—磺基水楊酸， 檸檬酸，或一種甲酸鹽和甘胺酸的混合物（莫耳比1 : 1 )。含三價鉻電鍍浴在美國專利第4, 448, 648號 中有詳細敘述，該資料亦為本發明的參考。 鎳的來源可為鎳的可離子化鹽，一般為硫酸鎳，乙酸 鎳等。 鈷的來源可為鈷的可離子化鹽，'一般為硫酸鈷，乙酸 鈷等。 -19- 本·紙張尺度適用中國國家浮準（CNS>甲4規格（210 X 29?公釐） ------------------------裝------訂------線 (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁> ，經濟部中央標準局8工消费合作社印製 199260 A6 _B6___ 五、發明説明（丨8) 钒的來源可為钒的可離子化鹽，例如硫酸钒三水合物 或偏钒酸鈉或較佳為一種氯化物如五氣化二钒。 鎢的來源可為錢的可離子化鹽，例如鐘酸鈉，或較佳 為鎢酸等。 鉬的來源可為鉬的可離子化鹽，例如钼酸銷或較佳為 鉬酸等。 習知此技人士知道如何選擇適當的導電金屬來源供加 入本發明的電鍍浴。合適的來源一般為各別金颶的酸和可 離子化鹽。可離子化鹽的陰離子一般為一種已經存在於電 鍍浴中作為觸媒或作為非金屬添加劑的來源。 以上所述金屬可被混合於單一電鍍浴組成物之中以得 到以上所述金羼單獨使用所無法得到的性質，其例子包括 混合鉻源和一或多種錁，鈷，钒，鈦等來源（參見上述導 電金屬）並且惹合任何該導電金屬來源和一種鉬或鎢的來 源。 本發明一種較佳的阻抗材料是一組合物，該組合物含 鉻或鉻與鎮和/或鉬作為一般導電金屬元素以及碩和氧作 為非金屬添加劑。如上所述，已經發現鉬和/或鎮的存在 一般都會改善姐抗層電力處理能力。將約每升10 0克鉬 酸或毎升2 0 〇克鎢酸加入依本發明所製備的電鍍浴中就 可得到含有較佳的鉬或鎢對其它金屬的原子比例的一阻抗 層。 、 非金羼添加雨被徹底的分佈於組合物中.，非金屬添加 -20- 本紙張尺度適用中國國家慄準（CNS)甲4規格（210 X 297公坌） (請先閲讀背面之注意事項再場寫本頁) _裝_ .ΤΓ. '經濟部中央標準局R工消費合作杜印製 上 9326 艨濟部中我f/ft貝xi«f作軚印製 五，發·明說铆f ή》 劑大致上均勻分佈於整個阻抗層中。鉻碩氣阻抗層所得到 的X射線繞射型態顯示該組合物包括小的單立方晶格结構 相，以及大的體心立方晶格（be c)結構相，然而簡單 立方相在沒有非金靨添加劑的鉻電沈積X射線繞射型態中 無法被偵測出。 阻抗層的霄阻與組合物中非金羼添加劑的濃度有_。 為了達到印刷電路板所使用的較桂電狙（電阻偽數）範圍 ，雖然不是必需的，在整値阻抗層中碩，氮和磷原子的總 數對一般導電金颺原子總數的平均比例較佳至少約0. 0 01 : 1。同時，雖然不是必需的，整個阻抗11中較佳的 氣和硫原子總數對一般導電金屬原子總數的平均比例至少 約0. 01 : 1。整個阻抗組合物中較佳的一般使用導電 金羼濃度至少約8 0%重量百分比。其中又以阻抗層含有 至少約8 重量鉻最佳。 一實施例中，阻抗層包含至少約0. 02重置百分比 的磺，氪和/或磷。同樣的實施例可包含至少約0. 4重 量百分比的氣和/或硫。 含有薄層電阻為2 5歐姆每平方公分的一實施例中， 整髏阻抗層包含對毎値鉻原子0. 028値碩原子和 0. 15痼氣原子比例以及約90%重量鉻濃度（由一種 測置以下所述總腥組合物元素瀝度的方法）。 總髏阻抗層為組成物大致上均句'的阻抗層部份（亦即 _、 大致上不受表面汙染影響的部份）。當阻抗位於低輪廓銅 -21- -----------------裝------訂------線 <請先fla讀背*之注意ί項再填寫本頁) 本紙張人度遴碉tSH家標箏（CNS>甲4規格（210 X 297公釐） 199260 A6 B6 經濟部中央標準屬员工消費合作社印製 五、發明説明（1q) 箔暗面時，該部份一般都在阻抗箔片表面以下約50埃的 厚度内，當電鍍在一光滑表面導電表面時，一般位於表面 以下約2 0埃的厚度内。 一種測量總體阻抗組合物中金鼷和非金鼷原子瀝度的 技術是將一數量足夠的電阻層電沈積在一導電表面上以進 行傳統分析技術的化學分析。 一種研究方式是製備一種阻抗層樣品，其製備方式是 採用比製備供電子應用阻抗層蓮長的時間來進行電沈積， 以降低表面汙染效應到總濃度的一小部份。較佳情況之下 ，該小部份小於化學組成物分析的典型邊緣。 另一種研究方式是得到足量的樣品，將阻抗層電沈積 到大面積的導電材料上。 在電沈積之後，導電材料從阻抗層之中被溶出來，例 如將沈積阻抗層浸漬於能夠溶解導電材料而不會溶解阻抗 層的溶液中。導電材料是銅箔時，此一種溶液的例子為以 下所述與較佳独刻銅於製備印刷電路板有闘的錮蝕刻液。 殘留的阻抗層可經由原子吸收光譜分析來決定金靥含置， 而另一艏相同材料的不同樣品進行破壞性分析以分析非金 羼添加劑。碩，氮和氧濃度可經由傳統技術予以測定，包 括燃燒上逑阻抗層樣品.接著用红外線偵测燃燒産物。磷 含量可經由標準濕化學技術予以檢定。原子比例可從每一 種元素重量百分比計算。 、 其它依賴光電子光譜和掃描俄歇光譜的分析，例如電 -22- (請先閱讀背面之注意事項再埸寫本頁) 丁 本纸張尺度適用中國园家懞準（CNS)甲4峴格（210 X 297公:^ ) Α6 Β6 x99260 五、發明説明（：l丨） 子光譜化學分析（E S C A )，在測定總髏材料組成的成 功機率受到限制，當所有材料位於銅箔暗面因為最外層被 濺射處理而去除位於表面的雜質被掃描到。因此，本發明 的重量百分比瀝度和比例是主要以前述總雔化學组成分析 技術為主的。 在一實施例中，從此一材料來製備阻抗層的電鍍浴包 括約每升25克到約450克，較佳約100克到約36 0克，最佳約200克到360克的一種鉻來源，例如鉻 酸酐，從約毎升0.1克到約2. 35克硫酸，從每升0 到約5 0克鹵氧酸陰離子以及從毎升2 0克到約3 0 0克 有機酸，較佳為脂肪酸。有機酸的數量必須足夠用來逹到 本發明提供阻抗層足置磺和氣添加劑以製備所希望電阻係 數的目的。 轚阻偽數會隨著添加劑（如以上所述者）的數量而改 變，因此，當一添加劑被摻入電沈積阻抗層數置減少時， 電阻傜數一般會降低。電沈積阻抗層中添加劑的數量随著 其來源而受化，其來源一般都溶於電鍍浴中。例如，包括 碩和氧的積沈阻抗層的薄層電阻將隨著電鍍浴中有機酸的 數量而改箩（其它條件相同）。因為電鍍操作特性騮傜， 其麥化並不是直接的關偽，霣鍍浴中來源酸數量和電鍍咀 抗層的電阻係數的正確關傜一般都由實驗決定。 電鍍浴的溫度一般在操作過程可'被維持在約5到約 ,·、 5Ot,電流密度一般為5◦安培每平方英尺到現有設備 -23- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)甲4規烙（210 X 297公货） ------------------------裝------、玎------線 (請先閲讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁) '經濟部中央櫺準局貝工消费合作社印製 1S92G0 A6 B6 '經濟部中央標率局負工消費合作社印製 五、發明説明（H) 所能達到最大的密度。就此方面而言，最大的電流密度只 被熟知電鍍業人士所習知標準所限制。 本發明所提供的電鍍浴可包括一種在本發明作為觴媒 的物質，在本發明的一部份内容中，該觸媒可包括鹵氣陰 離子如過碘酸鹽，過溴酸發，溴酸鹽，過氛酸盏或氣酸鹽 離子。觸媒亦可包括硫酸鹽離子。觸媒的存在對大量生産 具備均勻和可預測薄片電阻或電阻像數的阻抗層是較佳的 Ο 鹵氧酸陰離子為可被用於電鍍浴以促進鉻沈積的主要 觸媒。當卤氣離子與硫酸一起混用時，可發現增進功效。 氯酸鹽，溴酸鹽和碘酸鹽離子的效果頗佳，而碘酸鹽比溴 酸鹽更佳，溴酸留比氣酸留更有效。過氣鹵離子例如過碘 酸鹽，過溴酸鹽和過氛酸鹽也對本發明很有效。較佳情況 下，鹵氧酸陰離子可經由使用氛酸的納或鉀鹽而提供，也 就是氯酸鈉或氯酸鉀，主要原因是成本相對降低以及材料 取得容易。就功能上而言，鹵氣酸陰離子為很強的氣化劑 ，而使用其它強力氣化劑（例如過錳酸鹽離子）也會得到 相似的篛媒效應。後面的離子不會完全今人湛意，然而， 因為該離子有作為錳來源的傾向以得到電沈積層並改變其 特性。 -_ 硫酸可作為硫酸鹽陰離子的來源，一種用於沈積許多 一般使用導電金屬的已知觸媒，其更'包括用於製備本發明 阻抗層所使用者。鉻沈積被此陰離子所催化·。如同以上所 -24- 本紙張尺度適用中國國家懔準（CNS)甲4規烙（210 X 297公坌） (請先閲讀背面之注急事項再場寫本頁) A6 B6 X93260 五、發明説明Us) 述，電鍍浴中非導電添加劑為最終阻抗層提供非導電添加 劑。例如，一有機酸在通上電流之後被分解而釋出氧和碩 原子，最後在沈積層晶格形成減少導電傜數（也就是增加 電阻）而終止。阻抗材料晶格中的雜質和缺陷會降低導罨 傑數（相對於純材料）。根據本發明，阻抗層的内部導電 偽數（或者較高的薄層電阻）比金颶本身成份低。組合物 材料中添加劑的正確性質和/或形式到目前為止並未完全 明朗化，可能是組合物其中的添加劑以元素或化合物的形 式存在。然而，發明人並不希望被任何有關本發明如何達 到目的的理論所限制住。 就此方面而言，本發明阻抗組合物材料包含兩種成份 (亦即金颶成份和非金屬添加劑）而且最終電沈稹組合樹 可為固體溶液，純元素，内部元素化合物和/或其混合物 的形式。依據本發明所裂備的阻抗層只裔要足夠厚度使在 儲存期間和進一步加工期間能夠保持尺寸安定性，以作為 一種印刷霣路板的成份。一般而言，本發明的阻抗層厚度 為約0 . 1到約0 . 4微米。然而，電沈積層和其類似物 的表面相當粗糙，使得持殊厚度數目為實際上的平均厚度 。本發明的一個目的是提供一種材料，其總體電阻偽數大 於600撤歐姆公分，並且被電沈積於厚度為約0.1到 約0. 4微米的層上，以期提供薄層電阻僳數約15到約 1 0 0 0歐姆每平方公分者，例如為'約2 5歐姆每平方公 分。 -25- • . 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)甲4現格（210 X 297公釐） ------------------------裝-----.1#------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局S工消費合作社印製 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 ±99260 Α6 Β6 五、發明説明（叫） 依照本發明所製備的材料為一種由金屬和非金颶成份 所構成的組合物，該組_合物不一定要是合金或一分散液。 然而，可能達成後來的相或狀態，因為15且抗:®的尺寸和外 觀特性的關像，要決定其正確化學持性或者甚至其中正確 的成份比例都會有困難。綜上所論，所希望的電阻偽數待 性一般都是由簧驗方式藉著改變電鍍浴中成份的濃度並且 測量最终電沈積層的電阻，直到逹到所要的電阻為止。 正確的控制參數（包括溫度，電流密度，電鍍時間和 攪拌）在逹到高沈積效率的目的是必需的。在此方面而言 ，溫度低於約2 3 °C和高於約34t —般都會對效率造成 反效果。最適當的電鍍浴溫度一般為約2 5到約3 5t。 霉流密度是測量電極總發生反應速率的衡置標準。使用過 量高或低電流密度並不好，高電流會造成加熱效果進而使 製程的控制更加困難。使用低電流會因為産生氫造成沈積 效率差。最適當的電流密度一般都為約7 5到約3 0 0安 培每平方英尺（ASF)，每一種電鍍浴組成物的情況均 不同。電鍍時間直接與沈積厚度有關，較長的電鍍時間一 般會産生較厚的沈積，因此導致較低的薄層電阻，而較短 的電鍍時間一般會導致較高的薄層電阻。在電沈積期間攆 伴電鍍浴會強化質量傳送而提高可操作電流的限制和改菩 沈樓效率。 根據本發明，希望電沈積阻抗層、儘可能的均勻。在配 備固定電極的燒杯電池中，沈積效率和均勻性與電極組態 -26- 本紙張尺度適用中國园家標準（CNS)甲4規格（210 X 297公釐） ------------------------裝------.玎------線 (請先閲访背面之注意事項再填寫本頁) A6 B6 X93260 五、發明説明（W) 有很大的關係。水平電池作業良好，而傳統垂直電池容易 産生較差的均勻性。對電極之間的距離而言，較佳的距離 會導致較高的溶液電阻.但是會造成較佳的電流.分佈，沈 積均勻性因此較佳。在本發明5英寸乘5英寸的水平電池 中，2英寸的距離經過廣泛的試驗，結果良好。 電沈積阻抗層的均勻性與沈積物所附著的基質表面有 鼸傺，為了達到好的均勻性，以表面粗度較小的基質較佳 。然而，使用粗度較小的基霣可能導致雙層箔片剝離強度 不足。因此，均勻度和剝離強度之間的妥協在選定基質時 是必須的。 電鍍浴中所有的成份必須在一種合協的狀態下作業。 例如，鉻阻抗材料可從只含有一有機酸，鉻來源如絡酸酐 和硫酸鹽離子的笛鍍浴而製備。鉻阻抗材料也可從只含有 鹵氣陰離子，一鉻來源例如鉻酸酑和硫酸，或只含有鹵氣 陰離子，一鉻來源例如鉻酸酐和有機酸的電鍍浴製備而成 。使用鹵氣陰離子可讓m鍍浴的硫酸容許更高澳度。例如 ，當不使用鹵氣陰離子時，而且硫酸鹽離子含置超過毎升 0 . 5克時，會得到很差的結果。然而，當鹵氣陰離子濃 度過置每升2. 0克時，仍然提供高效率的沈積方法。 當然，在高鹵氣陰離子瀝度之下操作電鍍浴時，必須 認識到一點，那就是可能會遇到形成鹵素爆炸性氣化物的 倩況。基於這値原因.建議鹵氣陰離'子濃度應該不超過毎 *、 升7或8克。 -27- 本纸張尺度適用中國國家標準（CN\S>甲4规丨各（210 X 297公货） ------------------------裝------.玎------線 (請先閲^背面之注意事項再塡寫本頁) 經濟部中央標準局员工消费合作杜印製 丄 99260 A6 B6 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（ 如 上 所 述 9 電 阻 器層 的 薄 層電阻 隨 著 一 般 使用 導 電 金 屬來 源 ( 例 如 鉻 酸 酐 )以 及 ftp m 媒（例 如 硫 酸 於 電鍍 浴 中 ) 的濃 度 而 改 變 〇 薄 層 電阻 也 隨 著電鍍 期 間 溶 液 溫度 和 電 流 密度 而 改 變 〇 這 效 應在 以 下 表1到 5 中 會 示 範， 其 中 列 出在 含 有 鉻 酸 酐 硫 酸和 乙 酸 条統的 試 驗 結 果 <5各 別 改 鉻酸 > 乙 酸 和 硫 酸 濃 度的 效 應 分別被 列 於 表 1 ,2 和 3 〇 表1 不 同 鉻 酸 在 電 鍍 浴中 對 鉻 電阻層 電 阻 的 效 m 溶液 化 學 — 鉻 酸 不 定 乙 酸 ： 2 0 0 克 / 升 硫 酸 ： 2 5 0 P P m 溶液 • 2 7 * 5 °C 鉻酸 ( 克 / 升 ) C . .D X 時 間 薄層電阻 ( 歐姆/平方英尺 200 3 0 0 ASF %U xt* ·(* X 1 2 0秒 76 . 0 2 25 30 0 AS F ❖窣 X 1 2 0秒 50 . 5 250 30 0 ASF X 1 2 0秒 58 . 6 2 75 3 0 0 ASF X 1 2 0秒 45 . 7 3 0 0 3 0 0 ASF 山山 1 2 0秒 5 1. 9 2 0 0 3 0 0 ASF ❖尔 X 1 4 0秒 4 3 . 9 225 30 0 ASF X 1 4 0秒 - - 4 6. 3 250 300 ASF f *(· X 14 0秒 3 7. 4 275 30 0 ASF 山山 *C *f> X 14 0秒、 24 . 9 300 3 0 0 ASF X 14 0秒 3 7. 1 -23- ------------------------裝------.ΤΓ------線 (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)甲4規恪（210 X 297公坌） χ992β〇 Α6 Β6 五、發明説明（1) *C.D.=電流密度 ^ASF=安培每平方英尺 經濟部中央揉準局W：工消费合作社印製 *** =在本發明當中， 薄層電阻被定義 為真實薄膜霄阻中對 電子 流 的 阻 力 » 其單 位表 示 為M歐 姆毎平方”。” 歐 姆 毎 平方 »» 的 數 值 為 一常 數. 不 因平方 大小而改變，因 為 式 中 (h ) R = P ( L / W X h )(其 中R為一電阻， P 為 電 阻傜 數 • L 為 阻器 長度 而 W為寬 度） 霉阻器的厚 度 ( h )被 視 為 常 數 〇 這種 現象 在 ”印刷 線路設計指南” > 第 2 .3 • 2 • 4 索 引（ 電路 内 部連接 和包裝，1/7 3 ) 表2 不 同 乙 酸 在 電鍍 浴中 對 鉻電阻 層電阻的效應 溶液 化 學 — 銘 酸 ：2 7 5 克 /升 乙 酸 :不 定 硫 酸 ：2 2 0 P p m 溶液 ： 3 0 銘酸 ( 克 / 升 ) C . D X 時 間 薄層電阻 (歐姆/平方英尺） 100 300 ASF X 13 5秒 35 . 2 110 300 ASF X 1 3 5秒 3 3.3 120 300 ASF X 13 5秒 29.6 130 3 0 0 ASF X 1 3 5秒 .· 29.3 140 300 ASF X 1 3 5秒 17.6 150 3 0 0 ASF X 13 5秒 15.8 .·、 160 300 ASF X 13 5秒 -18.7 -29- ------------------------裝------.玎------線 (請先閲讀背面之注意Ϋ項再塡寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)甲4規格（210 X 297公釐） A6 B6 XS3260 五、 發明説明（从） 170 300 ASF X 13 5秒 18.6 130 300 ASF X 13 5秒 22.4 190 300 ASF X 1 3 5秒 2 0.3 200 300 ASF X 13 5秒 2 2.4 210 300 ASF X 1 3 5秒 26.8 220 300 ASF X 1 3 5秒 4 3.5 230 300 ASF X 1 3 5秒 4 2.3 表3不同硫酸在電鍍浴中對鉻電阻層電阻的效應 溶液化學一絡酸：2 4 7 . 5克/升 乙酸：2 1 1 . 5克/升

硫酸：不定 溶液：2 8 °C 硫酸（P P m) C . D *時間 薄層電阻 鉻沈積 (歐姆/平方英尺）（nig/diii2 )* 0 300 ASF X 1 6 〇秒 54.9 12.0 75 300 ASF X 15 0秒 52.5 14.1 100 300 ASF X 15 0秒 35.5 16.2 15 0 300 A3F V 15 0秒 29.4 2 0.0 2 0 0 300 ASF X 15 0秒 25.1 19.4 25 0 300 ASF X 1 5 0秒 26.4 .- 19.4 3 0 0 300 ASF X 15 0秒 34.0 19.7 4 0 0 300 ASF X 15 0秒 7 3'. 5 18.3 5 0 0 300 ASF X 15 0秒 15 2. 16.0 -30- 本紙張尺度適用中國3家標準（CNS)甲4規格（210 X 297公贷） ------------------------裝------，玎------.^ (請先閱讀背面之注意事項再塡寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A6 B6 X99260 五、發明説明（1) *mg/da2 =每平方公寸毫克數 表1, 2, 3的三種溶液成份中，電鍍層的薄層電阻 對硫酸澳度最敏感，增加硫酸濃度造成薄層電阻剛開始下 降，然後通過一最小電阻區域之後又増加，如表3所示。 如表3顯示隨著沈積於毎平方公寸鉻阻抗層上的鉻的 總量變化，此資料顯示伴隨著每平方公寸阻抗層上鉻毫克 數（mg/dm2 )增加的是薄層電阻的降低，反之亦然 。mg/dmz最高時，電阻最低，因此提供何時沈積效 率最高的指示。從表3可看出，最高的沈積效率發生在硫 酸灌度為約200到約25〇p pm時。 電沈積阻抗層的薄層電阻對其它成份瀝度變化的敏感 度較差，然而，該成份澳度受化的效睡類似於硫酸效應， 因為可藉以證實薄層電阻何時逹到其最小值，事實上此發 生在每升約275克鉻酸以及每升約140到約1 70克 的乙酸。 表4表示較佳的溶液溫度介於約28到約33C,薄 層電阻在該溫度範圍以外有偏高的趨勢。該表表示在只要 調整電鍍時間就可在該範圍内的溫度會産生所希望的薄層 電阻。 表4 :不同硫酸在電鍍浴溫度對絡電阻層電阻的效應 溶液 鉻酸（g/1) 乙酸U/1) 硫酸（P PB) 1 24 7 .5 211 ' 2 0 0 2 272 200 236 -31- 本纸張尺度適用中國®家標準（CNS)甲4規格（210 X 297公釐> ------------------------裝------.玎------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央櫺準局8工消費合作社印製 x9926?3 Α6 Β6 經濟部中央標準局员工消費合作社印製 五、發明説明（彳。） 溶液溫度rc ) 溶液 C . D . X時間 薄層電阻 (歐姆/平方英尺） 23 1 3 0 0 A S F X 1 S 0 秒 54.9 38 1 300ASFX160秒 49.7 48 1 3 0 0 A S F X 1 6 0 秒 135 2 1.5 2 3 0 0 A S F X 1 4 0 秒 35.8 25 2 3 0 0 A S F X 1 4 0 秒 3 1.3 28 2 300ASFX140秒 2 2.4 29 2 3 0 0 A S F X 14 0 秒 22.4 3 3 2 3 0 0 A S F X 1 4 0 秒 2 1.5 3 6.5 2 3 0 0 A S F X 1 4 0 秒 3 0.7 表5頴示沈積阻抗層的薄層電阻在使用毎平方英尺 3 0 0安培的電流密度顯著比使用6 0 ◦安培時降低。 表 5 :不同電鍍浴電流密度對鉻電阻層電阻的效應 溶 液化學一鉻酸 ：2 4 7 . 5克/升 乙酸 ：2 1 1克/升 硫酸 ：2 5 0 p p m 溶 液：2 8 t： C . D . X時間 電 荷密度 (Coul/Ft2 ) 薄層電阻（歐姆/平 300ASFX200秒 6 0 0 0 0 10.5 600ASFX100秒 6 0 0 0 0 62.3 300ASFX240秒 72000 ' S . 5 6 0 0 A S F X 1 2 0 秒 7 2 0 0 0 45.5 -32- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)甲4規格*(210 X 297公釐） ------------------------裝------ΐτ------線 (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) A6 B6 ^926ϋ_ 五、發明説明ο丨） 300ASFX280S? 84000 600ASFX140秒 84000 34.8 將氣酸鈉加入阻抗電鍍液中會促進鉻的沈積，例如每 升含有300克鉻酸，毎升200克乙酸和1 00 p pm 硫酸。電鍍浴中存在氣酸鈉會導致較低的薄層電阻，如圃 6所示。表6的資料是在電流密度300安培/平方英尺 ，電鍍浴溫度30TC,電鍍時間45秒。咸信罨鍍浴中存 在氣酸鹽僅僅會導致鉻沈積速度的增加。當氣酸鹽和其它 鹵氣化拗被用於電鍍浴中，電鍍操作效率更高且更容易控 制。 表6 :不同氯酸納在電鍍浴溫度對鉻電阻層電阻的效應 電鍍浴中氣酸鈉（g/Ι) 薄層電阻（歐姆/平方英尺） 0 . 4 16 3 . 2 0 . 5 8 0 . 1 0 . 6 3 8 . 4 0 . 7 5 1 7 . 5 1 . 0 1 0 . 7 1 . 5 7 . 7 2 . 5 5 . 9 實試中使用乙酸作為有機酸以製備以上表中的資料。 然而，一般都已經知道丙酸是目前已知材料中可作為鉻阻 抗層中碩和氣最佳來源。因此，製備'一種含有毎升3 00 克鉻酸，毎升15毫升丙酸，每升3克氛酸鈉的電鍍浴。 *33- 本紙張尺度適用中國國家標準（CIS’s)甲4規格（210 X 297公釐） ------------------------裝------.玎------線 (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) /娌濟部中央標準屬Ιβ工消费合作社印製 A6 --- 五、發明説明（、：L) 電鍍條件為溫度2 2t,電流密度毎平方英尺7 5安培以 及電鍍時間4 5秒。如此製得的狙抗層的薄層電阻為每平 方英尺2 5歐姆。 某些電鍍浴組成的化學性和操戶作模式的實例被列於 以下的表7。電鍍浴的操作是在一水平式燒杯電池中進行 的，毎一種例子的薄層電阻均達到每平方英尺2 5歐姆。 根據本發明，銅基質被用作方法中的陰極，阻抗銘層被直 接電沈積於素面安定銅箔的暗面。 表7 :較佳電鍍浴組成物和操作模式 組成物 {請先閱讀背面之注意ί項再填寫本頁) i裝- ，經濟部中央標準居S工消費合作社印製 I II III 鉻酸（g/1) 300 3 0 0 300 硫酸（g/1) 0 . 2-0 . 3 0 . 2-0 . 3 ( ).2-1.0 氛酸鈉（g/1) - 2.5 3.0 乙酸（g/1) 150 150 - 丙酸 - - 40 溶液溫度（t) 23-30 23-30 23-30 電流密度（A S F ) 3 0 0 3 0 0 75 電鍍時間（秒） 100 25-30 44 電極距離（英寸） 2 2 .- 2 基質 L P - P & S L P - P & S * LP-P&S 攪拌 無 無 無 # 代表厚度約35 (U以及平 均粗糙度小於約1 w的低 -34- ，11. 線. 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)甲4規格（210 X 2耵公釐） 缦濟部中央標準居员工消费合作社印製 Α6 Β6 五、發明説明（）¾) (LP)銅箔，其為素面（除了安定作用之外未經其它任 何處理），很安定（P & S )。 由以上的表中，以組成物III較佳，因為該组成物 可達到高電流密度和較大的沈積均勻性。 毎一個電鍍浴搡作的結果是一多層箔片，該箔片包括 一厚度約為0. 25到約0. 35W的電沈積阻抗鉻層以 及厚度約為3 5 w的導電銅層。由電鍍組成犓I所製備的 阻抗層含有90重量百分比的鉻，0. 64重量百分比的 碩以及2. 83重量百分比的氣，因此碩對銘的原子比例 約為0. 031 : 1,氣對鉻原子比例約為0. 10: 1 〇 由電鍍組成物I I I所製備的阻抗層也含有約90重 量百分比的絡，但是只有約0. 063重量百分比的磺以 及約0. 39重量百分比的氧，因此碩對鉻原子的比例約 為0. 003,氣對鉻原子的比例約為0. 014:1。 依照表7所製備的每一値阻抗層的薄層電阻完全在較 佳的1 5到1 000歐姆每平方英尺的範圍内，且毎一個 電阻皆大於約6 0 0徹歐姆毎公分。 用表7所列電鍍浴組成物I I I化學和操作條件所製 備的多層箔Μ被結合到包括起初塗佈著部份硬化液體環氣 樹脂的多層玻纖布，其中銅導電層面向外。此一預浸布為 此技人士所習知，可方便的於市面上'購得。結合作業包括 對該結構施以熱量和壓力，結果便成為一積·層板10，如 -35- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)甲4規格（210 X 2町公釐） ------------------------裝------.玎------線 {請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) Α6 Β6 ι992〇ΰ 五、發明説明（34) 圖1和2所示，其中多層范片被標號為14，導電銅 '洛被 標號為18,阻抗銘層被標號為16 ’對預浸布施以熱量 和壓力所製得到的絶緣層被標號為12°圖中所示各層的 厚度不為實際上的尺寸。 此處所述依照本發明所製胃抗具=_備優良的抗-熱 和抗老化安定性。以鉻阻抗層為例，一般的溫度電阻係數 在20到100¾範圍内低於約300 ppm/t：。換言 之，以每平方英尺約25歐姆的薄®電阻為例，在上述溫 度範圍内的薄層電阻對每一度攝氏溫度會增加約每平方英 尺0 · 0 0 7 5歐姆。 致於老化安定性，不管是儲存在室溫空氣中逹26周 ，在40t：,相對濕度70%的大氣中儲存18小時，或 者是暴露在12 5C的空氣達4小時，對鉻組合物薄層電 阻而言，均會造成小於1 . 5 %的淨變化。 鉻和/或含氧阻抗層，例如鉻碩氣阻抗層，也能防腐 蝕，這項持點對産物在儲存期間的安定性，以及加工作業 和應用領域也有很大的助益。 許多項彘點都來自度闬一阻抗材料，該材料組成為一 銘和增加電阻數量非金屬添加劑的組合物的電沈積，該添 加劑例如為氣或硫和/或磺，m和/磷„•含鉻阻抗材料例 如鉻，磺，氣阻抗材料，利用銅蝕刻液例如氣化錮/氫氛 酸蝕刻液，來抵抗蝕刻，該蝕刻液可'波用來選擇性的除去 銅。如此一來更便利控制蝕刻程序，進而使最终産物的品 -3 6 - 本纸張尺度適用中國因家桴準（CNS)甲4規恪（210 X 297公坌） (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) -裝. 訂· 經濟部中央標準局灵工消費合作杜印製 A6 B6 199260 五、發明説明（$0 質提升。 雖然阻抗鉻層可被鉻酸蝕刻液蝕刻，蝕刻步驟並不需 要使用鉻酸作為試劑，如此可減少處理鉻酸和被絡酸汙染 材料所衍生出來的環保問題。有鼷由此，本發明的鉻阻抗 材料&不被過氧化氫/硫酸，氛化戡，鹼性氨和氯化銅蝕 刻液（的確可除去銅）蝕刻·藉此可依照所用特殊的導電 和阻抗層來蘧定一種蝕刻液以提供一適當撤差的蝕刻速率 Ο 在選用適當的蝕刻液的情況下，本發明進行微差蝕刻 的能力在其它阻抗和導電層也能得到發揮。 在本發明的另一内容方面，乃提供一阻抗層，其包括 一種泛用導電金羼（例如錁）以及一增加電阻數量的硫作 為非金屬添加劑的组合物的電沈積層。在製備本發明錁硫 阻抗材料時，可使用一電鍍浴，該霉鍍浴包括作為一般使 用導電金颶錁來源的硫酸鎳，作為増加非金属阻抗添加劑 來源的硫代硫酸鈉和作為pH缓衝劑的硼酸。例如，一鎳 硫阻抗層的製備，可使用下列組成的轚鍍浴而完成：含有 毎升100克硫酸鎳（NiSO+ . 6H2 0),每升 30克硼酸（H3 BOs )和毎升50克硫代硫酸鈉（N aS2 〇3 . 5H2 0)。此一溶液剛製備成時為中等酸 性，因為其pH為3. 2。在電鍍之前加人一足量的氫氣 化鈉將pH調整到約6, pH乃由p'H計测置。然後將電 鍍浴溶液加熱到約45t,維持在該溫度，即將被電鍍在 -37- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)甲4規格（210 X 297公釐） ------------------------装------#------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局8工消費合作社印製 ί.99260 Α6 _Β6_ 五、發明説明（今ϋ 其上的導電銅箔被連接彳乍為燒杯電鍍裝置的陰極，被浸人 電鍍浴中。將電流密度.约10到約40安S毎平方英尺的 電流流過電鍍浴，鏍硫組合物層就被電鍍在銅箱上。 含有毎升10 0克硫酸鎳•每升3 0克硼酸和毎升1 0克的硫代硫酸銷的電鍍浴也可被使用。同樣的，&是加 入氫氧化鈉將pH調整到6,每一種材料的濃度可予以變 化以提供不同的效應。電鍍浴中較高的硫酸錁濃度一般會 造成電沈積阻抗層中較高的鎳濃度，因而增加電沈積層的 導電係數（也就是減少薄層電阻）。 然而，較高的硫酸錁水平一般在電鍍期間會造成較大 的化學損失。較高的硫代硫酸納濃度一般會在電沈積阻抗 層中産生較高的硫水平，進而增加電沈積的薄層電阻。 在製備鎳硫阻抗層時，可改變電流密度和電鍍時間以 得到不同的结果。因為鎳硫層截面積一般決定了薄層電阻 ，不同層厚度將造成不同的電阻。將某量電荷通過溶液， 就可沈積某固定厚度的材料。 電流密度可從約10到約4 0安培每平方英尺，電鍍 時間可從約3 0到1 2 0秒。 例如，電鍍時間可從電流密度為每平方英尺4 0安培 的約3 0秒到電流密度為毎平方英尺1 〇安培的約1 2 0 秒。在該範圍内，電沈積電咀層厚度随著電鍍時間增加而 呈線性的增加.因此薄層電阻隨_電、鍍時間增加而減少。 依照本發明的鎳硫電阻層在使用1 2 0 0電荷被電鍍在一 -3 8 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉甲4現格（210 X 297 ;釐） ------------------------裝------tr------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ，經濟部中央標準局R工消费合作社印製 ±99260 A6 B6 五、發明説明Uq) 導電銅箔基質上， 歐姆每平方英尺。 在多層阻抗箔 擇性的步驟，亦即 中以安定多層阻抗 上述實例中， 在導電銅箔上所形 25歐姆的薄層霉 使在暴露到空氣中 約2 %。 咸信含鉻和錁 帶進入金羼沈積物 有關於其發明如何 一般而S，本 經 部 中 央 標 準 局 Ά X- 消 费 作 杜 印 製 應用於整 法以稀釋 積區域以 希望得到 鍍條件而 内部 狀態，咸 中。然而 何達到内 値導電器 或除去在 達到局部 的薄層電 達成。 份較大的 信是因為 ,本發明 部優良的 其厚度約0. 4徹米，薄層m阻約2 5 片從電鍍浴中被移開之後，可採取一選 再將該箔片浸入一每升2克鉻酸的溶液 箔片。 使用所述電鍍浴，電鍍時間和電流密度 成的錁硫組合物層會得到約毎平方英尺 阻。如此製得的鎳阻抗層相當安定，即 一段長時間，薄層電阻值變化不會超過 阻抗層會有較高薄層電阻是因為雜質被 中。然而，本發明不希望被任何特殊的 逹到内部優良的理論給限制。 發明阻抗層較大的薄層霣阻可讓該層被 上的表面，而不裔要使用機械或化學方 選定區域内的層，進而減少有效的截面 位置所希望得到的薄層電阻。不過，所 阻可藉由改麥電鍍浴化學成份和/或電 薄層電阻在缌體阻抗層中大致上呈均勻 非金屬被均勻的分佈於整個材料的晶格 人不希望被任何特'殊的有關於其發明如 理論給限制。 -39- ------------------------裝------#^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)甲4規格（210 X 297 ;釐） ，經濟部中央標準局8工消費合作社印製 193260 五、發明説明 本發明的阻抗層以一種可整個覆蓋導電體表面的方式 被使用。再者，在阻抗層被積層到一介電基質上而且導電 鱧被移開所希望區域之後，狙抗層完全的覆蓋著介電基質 。當電阻器被適當罩設計和技薛作品正確的界定時，並不 需要機械和/或化學方法對阻抗材料進行後加工來達到匠 希望的電阻。 例如，上述層16的厚度可予以變化以達到商業化所 需要的平面電阻尺寸和其薄層電阻。導電層18的厚度並 不影饗電阻器的電阻。典型情況，依照本發明所製備來逹 到薄層電阻2 5歐姆每平方英尺的層1 6的厚度約會在0 .1 到約 0 . 4 W。 依照本發明，目檫薄層電阻範圍可從約15到約 1000歐姆每平英尺。具備任何在此範圍内的薄層電阻 的功能性電阻可藉由控制被蝕刻電阻器的幾何形狀，亦即 變化電路板上被蝕刻電阻的長度和寛度予以製備。該電阻 範圍内，以約25歐姆毎平方英尺的薄喵電阻較佳，因為 簡化製程的緣故。因此，藉著控制電鍍時間，在上述任何 電鍍浴饶件上，例如電鍍浴成份和溫度，可披用來製備預 先決定的薄1電阻，例如约25歐姆平方英尺。 混合適當的物理和立體形態設計，可依本發明達到 25, 1 00和1 000歐姆毎平方英尺的薄層電阻，並 且被用來裂備電阻在商業可用的1致、姆到1百萬歐姆範圍 的平面電阻器。本發明的電阻器可被大量生産，容許應用 -40- 本纸張尺度適用中國S家標準（CNS)甲4規格（210 X 29Γ公釐） ------------------------裝------.ΤΓ------線 (請先閲讀背面之注意事項再場寫本頁) A6 B6 199260 五、發明説明) 值相當窄。土2. 5%以内或少於目標電阻係數的再現性 可逹到。 雖然本發明係以其較佳的實例説明，應該了解的是其 不同的改變對閲讀過此説明書的此技人士是很明顯的。因 此應該了解的所掲示的本文乃欲涵蓋任何改爱以落於申請 專利範圍内。 ------------------------裝------ΤΓ------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局ιβ工消費合作社印製 -4 1- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)甲4规格（210 X 297公釐）

Claims (1)

199260 A7 B7 C7 D7 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 六、申請專利範圍 1. 一種阻抗層，其傜包括一種泛用導電金鼷成份（A) 和一種增加電阻數置的非金屬添加劑（B )所構成的組合 锪，其中 金靥成份（A)包括鉻； 非金靥添加劑（B)包括對總體阻抗層中每個一般使 用導電金羼成份（A)原子至少平均約0. 00 1個碩或 氮原子，或兩個或兩個以上碩，氮和磷濫合锪；和 金靨成份（A)包括平均至少約總阻抗層约80%重 量組成。 2. 如申諸專利範圍第1項的阻抗層，其中當阻抗層的厚 度為約0 . 1到約0 . 4微米時，阻抗層的薄層電阻為每 平方英尺約15到約1000歐姆。 3. 如申請專利範圔第1項的阻抗層，其中總阻抗層包括 每個金屬成伤（A)原子至少約〇. 01値氣原子。 4. 如申諳專利範圔第1項的阻抗層，其中總阻抗層包括 至少平均約8 0%重量組成的鉻。 5. 如申請專利範圍第1項的阻抗層，其中總阻抗層包括 每箇金屬成份（A)原子至少约〇. 01値磺原子。 6. 如申請專利範圍第1項的阻抗層，其中金颶成份(A )尚包括鈷，組，鉬或鎢。 -- 7. 如申請專利範園第1項的阻抗層，其中 非金屬添加劑（B)包括對總鐙阻抗層每個金屬成份 (a)而言平均至少約〇. oie氯原子和至少約 -------------------------裝------訂------線 (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)甲4規格（2i0 X 297公贷） A7 B7 C7 D7 19326 六、申請專利範固 0 . 0 0 1原子碩；和 鉻包括平均至少約占阻抗層8 0%重量組成。 8. —種阻抗層，其偽包括一種泛用導電金屬成份（A) 和一種増加電阻數量的非金屬添加劑（B)所構成的組合 物，其中 金颶成份（A)包括鉻和鈷，钒，鉬或顧； 非金颶添加劑（B)包括對每儸金屬成份（A)而言 ，至少平均約〇. 00 1値碩，氪或磷原子，或兩健或兩 個以上碩，氮和磷混合物。 9. 如申請專利範圍第8項的阻抗層，其中金靨成份（A )包括至少占總醱阻抗層平均約80%重量組成。 10. 如申請專利範圍第8項的阻抗層，其中非金羼添加 劑（B)包括對總體阻抗層中對每掴金屬成份（A)原子 而言平均至少約0. 01個氧原子和至少約0. 〇〇1個 原子碩。 1 1 . 一種咀抗層，其傜包括一種一般使用導電金屬成份 (A)和一種增加電阻數量的非金靥添加劑（B)所構成 的組合物，其中 金靥成份(A )包括銘； 非金颶添加劑（B )包括碩和氣；和· 阻抗層的厚度約0. 1到約〇. 4微米，薄層電阻為 每平方英尺約1 5到約1 〇〇〇歐姆。 1 2.如申請專利範圍第1 1項的阻抗層，·其中阻抗層的 本紙張又度適用中國园家標準（CNS)甲4規格（210 X 297公釐） -------------------------裝------.ΤΓ------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準居β工消费合作社印製 992 丨 Γ: A7 B7 C7 D7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 總髏電阻大於6 0 〇微歐姆公分。 1 3 .如申請專利範圍第1 1項的阻抗層，其中總阻抗層 經X射線繞射分析包括一體心立方晶格結搆和一簡單立方 晶格結構。 14. 如申請專利範圍第13項的阻抗層，其中簡單立方 晶格結構包括阻抗層一小相晶格結構。 15. —種多雇箔片，其包括一在導電箔片層上的如申請 專利範圍第1項的胆抗層。 16. —種多層箔M,其包括一在導電箔片層上的如申請 專利範圍第7項的阻抗層。 17. —種多層箔片，其包括一在導電箔片層上的如申諸 專利範圍第8項的阻抗層。 18. —種多層箔片，其包括一在導電箔片層上的如申請 專利範圍第10項的阻抗層。 19. 一種多層萡片，其包括一在導電萡片層上的如申n 專利範圍第11項的阻抗層。 20. —種積層板，其係包括粘附到一絶緣層上如申請專 利範圍第1項的阻抗層。 2 1.如申謗專利範圍第20項的積層板，其更包括一粘 附到阻抗層的導電箔片層。 22.—種積層板，其偽包括一粘附到一絶緣層上如申請 專利範圍第7項的阻抗層，以及一拈附到該阻抗層的導電 箱片層。 本·纸張疋度適用中國國家標準（CNS)甲4規丨各（210 X 297公货） ------------------------裝------，玎------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) Α7 Β7 C7 D7 ±99260 六、申請專利範圍 2 3.—種積層板，其傺包括一粘附到一絶緣層上如申諸 專利範圍第8項的阻抗層，以及一粘附到該阻抗層的導電 箔片層。 24. —種稹層板，其偽包括一粘附到一絶緣層上如申請 專利範圍第10項的阻抗層，以及一粘附到該阻抗層的導 電箔片層。 25. —種積層板，其僳包括一粘附到一絶緣層上如申請 專利範圍第11項的阻抗層，以及一粘附到該阻抗層的導 電萡Μ層。 2 6.—種印刷電路板，其傜包括一絶緣層和一結合到該 绝緣層上的阻抗線，該阻抗線包括一般使用導電金颶成份 和一增加電阻數量的非金屬添加劑所構成的組合物，其中 金颶成份（Α)包括銘； 非金屬添加劑（Β)包括對總體阻抗層中毎値一般使 用導電金羼成份（Α)原子至少平均約0. 001値碩或 氮原子，或兩個或兩個以上碩，氮和磷混合物；和 金屬成份（Α)包括平均至少約總阻抗層80%重量 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 丨裝· 訂. 經濟部中夹標準局员工消费合作社印製 該份中 到成其 合属 ， 结金物 一 電合 和導組 層，用的 緣-使成、 絶般構 -一 所、 括括劑 包包加 偽線添 其抗屬 ，阻金 板該非 路 ，的 電線量 刷抗數 印阻阻 種的雷 一 上加 。 .層增 成 7 緣一 組 2 絶和： 本纸張又度適用中國园家標準（CNS)甲4规格（210 X 297公坌） 3926^ A7 B7 C7 D7 六、申請專利範圍 金屬成份（A 非金颶添加劑 ，毎値一般使用導 0 . 0 0 1値碩， 和磷混合物。 )包括鉻和鈷，钒，钽或鎢； (B )包括對毎阔金颶成份（A )而言 電金屬成份（A)原子至少平均約 氮或磷原子，或兩値或兩個以上碩，氣 2 8. —種印刷電路板，其傜包括一絶緣層和一結合到該 绝緣層上的阻抗線，該阻抗線包括——般使用導電金靥成 份和一増加電阻數量的非金腸添加劑所搆成的组合物，其 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 中： 金 非 阻 2 9 . (A ) 種一般 量的非 磺或氮 (B ) (C ) 導電元 浴中。 3 0. 括甲酸 屬成份（A 金屬添加劑 抗層的緦電 一種電鍍阻 提供一種電 性的導電金 金颶添加劑 ，或者是二 將導電元件 將一層由該 件上，其係 如申請專利 ，乙酸，丙 )包括鉻； (B )包括碩和氧；和 阻至少約6 0 0徹歐姆公分。 抗層的方法，其包括： 鍍浴，其中包括一水溶液，水溶液由一 靥成份的第一來源和一種可提高電狙數 的第二來源的水溶液組成，添加劑包括 或多種磺，氮和磷的混合物； 置入該電鍍浴中； 金屬元件和該添加劑的組合掬電鍍在該 以該導電元件作為陰極將電流通入電鍍 範圔第2 9項的方法，其中第二來源包 酸或該酸的鹼金鼷鹽。 -------------------------裝------.玎------線 (請先閱讀背面之注意事項再塡寫本頁) 本纸張又度適用中园國家標準（CNS)甲4規烙（210 X 297 〉 A7 B7 C7 D7 X9926' 六、申請專利範圍 31. 如申請專利範圍第29項的方法，其中該第二來源 包括乙酸或丙酸。 32. 如申謅專利範圍第29項的方法，其中電鍍浴包括 鹵氣陰離子。 33. —種電沈積一阻抗層的電鍍浴，其偽包括泛用導霉 金屬成份的第一來源和一種可提高電阻數量的非金屬添加 劑的第二來源的水溶液，該添加劑包活碩或氮，或者是二 或多種碩，氮和磷的混合物。 34. 如申請專利範困第33項的霣鍍浴，其中第一來源 包活鉻，第二來源包括乙酸或丙酸。 35. 如申請專利範圍第34項的電鍍浴，其中該霉鍍浴 更包括鹵氣陰離子。 36. —種製備印刷電路板的方法，該電路板具備至少一 狙抗線和一在絶緣層上的導電面積，其包括以下步驟；（ A)提供一積層板，該積層板具備一绝緣層，一结合到絶 緣層上的阻抗層，和一固定在導電層上並且包括主要數查 的導電金屬（銘除外）導電金屬箔層，阻抗層包括一般使 用導電金屬元件和增加電阻數量的非金屬電阻添加劑的組 合物，金屬元件包括銘而非金屬添加劑包括碩或氮，或者 其兩者的潺合.或者碩，氮和磷的組合於所有阻抗層中 9 (B) 用第一罩罩住積層板； 、 (C) 使具備第一單的積層板與可較佳的蝕.刻相對於阻抗 本纸張又度適用中园园家標準（CNS)甲4規格（210 X 297公釐） ------------------------裝-------玎------線 (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) '經濟部中央標準局员工消費合作社印製 9926 Α7 Β7 C7 D7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 六、申請專利範圍 ®的金屬箔片層的第一蝕刻液接觸，以期從未被第一罩覆 蓋的阻抗鉻層除去導電箔片層； (D) 使積層板與包括氫氛酸的独刻液接觸，以期從所有 未被第一罩覆蓋的絶緣層除去阻抗層； (E) 從積層板除去第一革； (F) 使用第二罩罩住積層板；和 (G )使具備第二罩的積層板與可較佳的蝕刻相對於阻抗 層的導電箔片層的第三蝕刻液接觸，以期從未被第二珥覆 蓋的積層板除去導電箔片層而同時留下阻抗鉻層； 其中被第一革覆蓋的阻抗Ji在絶緣層上界定一阻抗含銘線 ，而被第二罩覆蓋的導電箔Η在阻抗鉻線上的一部份界定 一導電金羼區域。 37. 如申請專利範圍第36項的方法，其中導電金屬箔 片層為一銅箔，第一和第三蝕刻液包括氛化銅。 38. 如申謓專利範圍第36項的方法，其中導電箔Η層 為一鎳箔，第一和第三蝕刻液分別包括鹼性氨蝕刻液，氣 化鐵，氣化銅或過氣化氫。 3 9.如申請專利範圍第3 6項的方法，其中非金屬添加 劑也包括氣。 4 0 .如申請專利範圍第3 6項的方法，·其中非金靥添加 劑包括碩和氧。 4 1 . 一種製備印刷電路板的方法，' 該電路板具備至少一 阻抗線和一在絶緣層上的導電面積，其包括以下步驟；（ ------------------------裝------.玎------線 (請先閲讀背面之注意事項再堉寫本頁) 本纸张尺度適用中國國家標準（CNS)甲4现恪（210 X 297么、釐） I992G A7 B7 C7 D7 經濟部中央標準渴員工消费合作社印製 六、申請專利範团 A) fe供一積層板，該積層板具備一绝緣層，一結合到絶 緣層上的阻抗層，和一固定在導電層上的導電金颶箔層， 其中阻抗層包括一般使用的含鎳導電金颶元件和增加電狙 數量的非金颶（不是磷）霉晅添加劑的組合物； (B) 用第一革罩住積層板； (C) 使具備第一罩的積層板與可較佳的蝕刻銅箔和含鎳 阻抗層的第一蝕刻液接觸，以期從未被第一罩覆蓋的所有 部份的絶緣層除去導電銅箔和阻抗層； (D )從積層板除去第一罩； (E )使用第二罩革住積層板； (F)使具備第二罩的積層板與可較佳的蝕刻相對於含鎳 阻抗層的銅箔的第三蝕刻液接觸，以期從積層板未被覆蓋 的所有部份除去導電銅箔而同時留下阻抗鉻層； 其中被第一罩覆蓋的阻抗層在绝緣層上界定一阻抗線，而 被第二罩覆蓋的銅箔在阻抗鉻線上的一部份界定一導電銅 區域。 4 2 .如申謗專利範圍第4 1項的方法，其中非金屬添加 劑包括硫。 4 3.如申請專利範圍第42項的方法，其中在步驟（C )和步驟（D )之間為步驟（C 1 ),其包括使具備第一 罩的積層板與包括絡酸和硫酸的第二蝕刻液接觸，以去除 絶緣層所有未披罩覆蓋部份的殘留物。 44.如申請專利範圍第43項的方法，其中第一蝕刻液 ----:--------------------裝------.玎------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)甲4规格（210 X 297公釐）

A7 B7 C7 D7 申請專利範圍 物 合 混 的 酸 硫 和 酸 鉻 括 包 液 刻 蝕 一 第 錮 化 氯 括 包 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)甲4规格（210 X 297公；$ )