RU2681521C2 - Способ получения заданной конфигурации пленочных резисторов на основе тантала и его соединений - Google Patents
Способ получения заданной конфигурации пленочных резисторов на основе тантала и его соединений Download PDFInfo
- Publication number
- RU2681521C2 RU2681521C2 RU2017125408A RU2017125408A RU2681521C2 RU 2681521 C2 RU2681521 C2 RU 2681521C2 RU 2017125408 A RU2017125408 A RU 2017125408A RU 2017125408 A RU2017125408 A RU 2017125408A RU 2681521 C2 RU2681521 C2 RU 2681521C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- film
- tantalum
- compounds
- yttrium
- obtaining
- Prior art date
Links
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 31
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 31
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 63
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 claims abstract description 10
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims abstract description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000010835 comparative analysis Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/003—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors using lithography, e.g. photolithography
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области электроники и может быть использовано для получения тонкопленочных резисторов на основе тантала и его соединений. Технический результат - получение заданной конфигурации пленочных резисторов на основе тантала и его соединений без подтравливания по ширине резистора. Достигается тем, что в способе получения заданной конфигурации пленочных резисторов на основе тантала и его соединений на резистивную пленку тантала и его соединений наносят пленку иттрия и формирование конфигурации производят с помощью фотолитографии и избирательного химического травления пленки иттрия и пленки тантала и его соединений, при этом толщина пленки иттрия составляет 0,05-0,1 мкм, а избирательное химическое травление резистивных пленок тантала и его соединений производят в растворах на основе фтористоводородной кислоты, а избирательное химическое травление пленки иттрия производят в растворе ортофосфорной кислоты.
Description
Изобретение относится к области электроники и может быть использовано для получения тонкопленочных резисторов на основе тантала и его соединений.
Известен способ получения заданной конфигурации пленочных резисторов, заключающийся в осаждении пленки пленки нитрида тантала (Ta-N), осаждении проводящей пленки, создании рисунка схемы из пленки Ta-N, создание рисунка схемы из проводящей пленки [1, метод Б]. Пленки тантала и его соединений травятся в растворах на основе фтористоводородной (плавиковой) кислоты. Недостатком этого способа является то, что фоторезистивная маска при травлении толстых резистивных слоев не выдерживает длительного воздействия агрессивных травителей резистивной пленки, что приводит к разрушению фоторезистивной маски и получению заданной конфигурации резистивной пленки с подтравливанием по ширине.
Наиболее близким к заявляемому способу является способ получения заданной конфигурации пленочных резисторов, заключающийся в нанесении на резистивную пленку тантала пленки алюминия [2]. Затем с помощью фотолитографии и избирательного травления алюминий удаляется по полю (на пленке алюминия выполняется конфигурация резистора). После этого производится анодирование как тантала, так и алюминия. Анодирование идет до тех пор, пока весь тантал на незащищенных областях полностью не преобразуется. Если нанесенный алюминий имел достаточную толщину и не окислился по всей глубине, то теперь его можно удалить слабым травителем, а под ним обнажится тантал нужного нам рисунка (нужной заданной конфигурации). Недостатками известного способа являются:
1 - если есть даже небольшой разброс толщины пленки тантала, то возникает опасность появления островков непреобразованного тантала.
2 - для получения конфигурации толстых (1 мкм) резистивных пленок на основе тантала и его соединений необходимо использовать также толстые (более 1 мкм) пленки алюминия, что приводит к снижению точности изготовления резисторов из-за увеличения подтравливания по толщине. Также толстые пленки тантала и его соединений невозможно проанодировать на всю толщину из-за ограничений, связанных с напряжением анодирования (не более 300 В).
Задача, на которую направлено изобретение, является получение заданной конфигурации пленочных резисторов на основе тантала и его соединений без подтравливания по ширине резистора.
Решение поставленной задачи заключается в том, что на резистивную пленку тантала и его соединений наносится тонкая пленка иттрия.
Сопоставительный анализ показывает, что заявляемое техническое решение отличается от прототипа тем, что на резистивную пленку тантала и его соединений наносится пленка иттрия, с помощью фотолитографии и избирательного травления иттрий удаляется по полю (на пленке иттрия выполняется конфигурация резистора).
Сущность изобретения заключается в том, что на резистивную пленку тантала и его соединений наносят пленку иттрия и формируют конфигурацию резисторов с помощью фотолитографии и избирательного химического травления пленки иттрия и пленки тантала и его соединений.
Предлагаемый способ получения заданной конфигурации пленочных резисторов на основе тантала и его соединений реализован следующим образом. Предлагается на резистивную пленку вместо пленки алюминия наносить тонкую пленку иттрия толщиной 0,05-0,1 мкм. Затем с помощью фотолитографии и избирательного травления иттрий удаляется по полю (на пленке иттрия выполняется конфигурация резистора). Избирательное химическое травление резистивных пленок тантала и его соединений осуществляется в растворе на основе фтористоводородной (плавиковой) кислоты, а избирательное химическое травление пленки иттрия осуществляется в растворе ортофосфорной кислоты. Пленка иттрия не травится в растворе на основе плавиковой кислоты, но хорошо снимается в растворе ортофосфорной кислоты.
Результаты экспериментов показали, что тонкая пленка иттрия 0,05-0,1 мкм позволяет получать заданную конфигурацию резистивной пленки с минимальным уходом по ширине резистора. Минимальная толщина пленки иттрия 0,05 мкм позволяет эффективно проводить травление резистивных пленок на основе тантала и его соединений. Пленка иттрия менее 0,05 мкм может быть не сплошной, что приводит к ухудшению качества получения заданной конфигурации резистивной пленки на основе тантала и его соединений. Максимальная толщина пленки иттрия 0,1 мкм гарантирует получение заданной конфигурации резистивных пленок на основе тантала и его соединений с толщиной до 1 мкм. При толщине пленки иттрия больше ОД мкм происходит ее подтравливание и нарушается конфигурация резисторов.
Источники информации
1. Берри Р., Холл П., Гаррис М. Тонкопленочная технология, Пер. с англ. М., «Энергия», 1972 г., с. 300-302.
2. Маклин, Шварц, Тидд. Технология танталовых пленок. Труды института инженеров по электротехнике и радиотехнике. Русский перевод. 1964 г. №12, с. 1576-1577.
Claims (1)
- Способ получения заданной конфигурации пленочных резисторов на основе тантала и его соединений, заключающийся в нанесении на резистивную пленку тонкой пленки и формировании конфигурации резистора с помощью фотолитографии и избирательного химического травления, отличающийся тем, что в качестве резистивной пленки используются тантал и его соединения, в качестве тонкой пленки наносят пленку иттрия и формирование конфигурации резистора производят с помощью фотолитографии и избирательного химического травления пленки иттрия и пленки тантала и его соединений, при этом толщина пленки иттрия составляет 0,05-0,1 мкм, избирательное химическое травление резистивной пленки тантала и его соединений производят в растворах на основе фтористоводородной кислоты, а избирательное химическое травление пленки иттрия производят в растворе ортофосфорной кислоты.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017125408A RU2681521C2 (ru) | 2017-07-14 | 2017-07-14 | Способ получения заданной конфигурации пленочных резисторов на основе тантала и его соединений |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017125408A RU2681521C2 (ru) | 2017-07-14 | 2017-07-14 | Способ получения заданной конфигурации пленочных резисторов на основе тантала и его соединений |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2017125408A RU2017125408A (ru) | 2019-01-15 |
| RU2017125408A3 RU2017125408A3 (ru) | 2019-01-15 |
| RU2681521C2 true RU2681521C2 (ru) | 2019-03-07 |
Family
ID=65013927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2017125408A RU2681521C2 (ru) | 2017-07-14 | 2017-07-14 | Способ получения заданной конфигурации пленочных резисторов на основе тантала и его соединений |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2681521C2 (ru) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5243320A (en) * | 1988-02-26 | 1993-09-07 | Gould Inc. | Resistive metal layers and method for making same |
| SU1259873A1 (ru) * | 1982-07-01 | 1996-02-27 | Проектно-Технологический И Научно-Исследовательский Институт | Способ изготовления пленочных резисторов |
| RU2213383C2 (ru) * | 2002-02-18 | 2003-09-27 | Открытое акционерное общество Арзамасское научно-производственное предприятие "Темп-Авиа" | Способ изготовления тонкопленочных резисторов |
| EP1355519B1 (en) * | 2002-02-15 | 2007-03-14 | E.I. Dupont De Nemours And Company | An improved method to embed thick film components |
| RU2327241C1 (ru) * | 2007-01-30 | 2008-06-20 | Открытое акционерное общество Арзамасское научно-производственное предприятие "ТЕМП-АВИА" (ОАО АНПП "ТЕМП-АВИА") | Способ изготовления тонкопленочных резисторов |
| US20090134967A1 (en) * | 2007-11-22 | 2009-05-28 | Koa Corporation | Resistor device and method of manufacturing the same |
| RU2443032C2 (ru) * | 2010-03-23 | 2012-02-20 | Федеральное государственное унитарное предприятие Омский научно-исследовательский институт приборостроения (ФГУП ОНИИП) | Способ изготовления высокоомных и низкоомных тонкопленочных резисторов на одной подложке |
-
2017
- 2017-07-14 RU RU2017125408A patent/RU2681521C2/ru active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1259873A1 (ru) * | 1982-07-01 | 1996-02-27 | Проектно-Технологический И Научно-Исследовательский Институт | Способ изготовления пленочных резисторов |
| US5243320A (en) * | 1988-02-26 | 1993-09-07 | Gould Inc. | Resistive metal layers and method for making same |
| EP1355519B1 (en) * | 2002-02-15 | 2007-03-14 | E.I. Dupont De Nemours And Company | An improved method to embed thick film components |
| RU2213383C2 (ru) * | 2002-02-18 | 2003-09-27 | Открытое акционерное общество Арзамасское научно-производственное предприятие "Темп-Авиа" | Способ изготовления тонкопленочных резисторов |
| RU2327241C1 (ru) * | 2007-01-30 | 2008-06-20 | Открытое акционерное общество Арзамасское научно-производственное предприятие "ТЕМП-АВИА" (ОАО АНПП "ТЕМП-АВИА") | Способ изготовления тонкопленочных резисторов |
| US20090134967A1 (en) * | 2007-11-22 | 2009-05-28 | Koa Corporation | Resistor device and method of manufacturing the same |
| RU2443032C2 (ru) * | 2010-03-23 | 2012-02-20 | Федеральное государственное унитарное предприятие Омский научно-исследовательский институт приборостроения (ФГУП ОНИИП) | Способ изготовления высокоомных и низкоомных тонкопленочных резисторов на одной подложке |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2017125408A (ru) | 2019-01-15 |
| RU2017125408A3 (ru) | 2019-01-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI303751B (en) | Method of manufacturing a semiconductor device | |
| JP5844026B2 (ja) | 圧電素子の製造方法 | |
| CN102239541A (zh) | 制造衬底的方法 | |
| KR20040071573A (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
| RU2681521C2 (ru) | Способ получения заданной конфигурации пленочных резисторов на основе тантала и его соединений | |
| TWI253101B (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| JP3111478B2 (ja) | 金属薄膜のテーパーエッチング方法及び薄膜トランジスタ | |
| RU2572288C1 (ru) | Способ изготовления глубокопрофилированных кремниевых структур | |
| US4261792A (en) | Method for fabrication of semiconductor devices | |
| RU2213383C2 (ru) | Способ изготовления тонкопленочных резисторов | |
| RU2691162C1 (ru) | Способ формирования глубокопрофилированных кремниевых структур | |
| JP2015133472A (ja) | 異方性及び等方性エッチングを使用することによる基板上のサーモパイル・ピクセルの解放のためのｃｍｏｓ集積方法 | |
| KR940005279B1 (ko) | 엑스선 노광장치용 마스크 제조방법 | |
| KR100818389B1 (ko) | 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법 | |
| KR940003581B1 (ko) | 반도체 장치의 위상시프트 마스크 제조방법 | |
| JPH0114701B2 (ru) | ||
| JPS5821310A (ja) | プレ−ナ型磁気バブル素子の製造法 | |
| US20200019063A1 (en) | Method for nickel etching | |
| TW520532B (en) | Method for forming T-shape gates | |
| RU2031481C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора с управляющим электродом субмикронной длины | |
| JPH04183897A (ja) | 選択陽極酸化法 | |
| JPH0821574B2 (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| KR20050023093A (ko) | 티타늄 합금의 산화막을 이용한 다단 발색 기술 | |
| KR100577691B1 (ko) | 금속층 미세 가공 방법. | |
| JP2017152447A (ja) | エッチング方法 |