RU2327241C1 - Способ изготовления тонкопленочных резисторов - Google Patents
Способ изготовления тонкопленочных резисторов Download PDFInfo
- Publication number
- RU2327241C1 RU2327241C1 RU2007103661/09A RU2007103661A RU2327241C1 RU 2327241 C1 RU2327241 C1 RU 2327241C1 RU 2007103661/09 A RU2007103661/09 A RU 2007103661/09A RU 2007103661 A RU2007103661 A RU 2007103661A RU 2327241 C1 RU2327241 C1 RU 2327241C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- resistors
- temperature
- thermal furnace
- furnace
- film
- Prior art date
Links
Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
Изобретение относится к электронной технике, а именно к технологии изготовления тонкопленочных резисторов интегральных схем, а также дискретных электрорадиоэлементов. Техническим результатом является повышение выхода годных резисторов. При изготовлении тонкопленочных резисторов стабилизация их параметров производится термообработкой резисторов в термопечи следующим образом: сначала доводят температуру термопечи с установленными в ней резисторами до (345÷365)°С, выдерживают 3 часа, охлаждают вместе с термопечью до температуры (18÷25)°С, снова доводят температуру термопечи до (375÷385)°С, выдерживают 2 часа и снова охлаждают вместе с термопечью до температуры (18÷25)°С.
Description
Изобретение относится к электронной технике, а именно к технологии изготовления тонкопленочных резисторов интегральных схем, а также дискретных электрорадиоэлементов.
Известны способы изготовления тонкопленочных резисторов, включающие нанесение на диэлектрические подложки резистивных пленок и их последующий отжиг на воздухе в диапазоне температур в течение некоторого времени [1, 2]. Целью отжига является снижение температурного коэффициента сопротивления.
Недостатком указанных способов является то, что режим отжига носит рекомендательный характер.
Известен способ изготовления тонкопленочных резисторов [3], включающий подгонку и стабилизацию параметров термообработкой на воздухе в течение времени (10-240) ч при температуре, не превышающей температуру кристаллизации резистивного материала и на (25-100)°С выше рабочей температуры резисторов.
Недостатком данного способа является большое время термообработки и рекомендательный характер температурных режимов, что снижает выход годных резисторов по параметрам температурного коэффициента сопротивления.
Задачей, на решение которой направлено данное изобретение, является повышение выхода годных резисторов.
Поставленная задача достигается тем, что в способе изготовления тонкопленочных резисторов, включающем стабилизацию параметров резисторов, согласно изобретению стабилизацию параметров осуществляют термообработкой резисторов в термопечи следующим образом: сначала доводят температуру термопечи с установленными в ней резисторами до (345-365)°С, выдерживают 3 часа, охлаждают вместе с термопечью до температуры (18-25)°С, снова доводят температуру термопечи до (375-385)°С выдерживают 2 часа и снова охлаждают вместе с термопечью до температуры (18-25)°С.
Новым в предлагаемом способе является относительно невысокая температура термостабилизации, проводимой двумя циклами, что положительно влияет на стабильность резистивного слоя. При повышенной температуре термостабилизации могут происходить окислительные процессы, что может вносить определенную неуправляемость в получение необходимого температурного коэффициента сопротивления (ТКС) резисторов.
Предлагаемая в изобретении температура термостабилизации (345-385)°С вполне достаточна для стабильного получения высокостабильных резисторов.
Технический результат предлагаемого способа обусловлен следующим. В процессе напыления резистивная пленка представляет собой зерна, соединенные мостиками из напыляемого материала, которые в дальнейшем увеличиваются в размерах до получения различных видов структуры пленки:
- аморфная, характеризующаяся отсутствием кристаллической решетки;
- мелкозернистая, состоящая из кристаллов размером менее 10 нм;
- крупнозернистая или квазимонокристаллическая, имеющая кристаллы размером 100 нм и более;
- монокристаллическая, представляющая собой сложную кристаллическую решетку атомов материала пленки.
ТКС резистивной пленки определяется, главным образом, качеством последнего вида структуры, т.к. от качества и размера полученных зерен напыленного материала зависит протекание электрического тока по резистивному слою. На качество влияют также межзерновые сопротивления и всевозможные дефекты кристаллической решетки, в том числе газовые и другие загрязнения, которые влияют на рассеивание электронов и соответственно ухудшение ТКС.
В результате примененной термостабилизации с предлагаемыми в данном изобретении режимами дефекты резистивной пленки минимизируются за счет срастания в более монолитную структуру, что и обеспечивает снижение ТКС.
Заявленный способ реализуется следующим образом.
Подложки из ситалла СТ-50-1 после очистки в перекисно-аммиачном растворе помещают в камеру установки вакуумного напыления УВН-75П1, проводят стандартное напыление резистивной пленки из материала PC-3710, затем напыляют проводящий слой из ванадия и алюминия. При этом, согласно [4], получают ТКС резистивной пленки ±2·10-4 1/°С. После напыления всех слоев проводят формирование резисторов и проводников методом фотолитографии, помещают готовые подложки в термопечь и проводят термостабилизацию следующим образом: сначала доводят температуру термопечи с установленными в ней резисторами до (345-365)°С, выдерживают 3 часа, охлаждают вместе с термопечью до температуры (18-25)°С, снова доводят температуру термопечи до (375-385)°С, выдерживают 2 часа и снова охлаждают вместе с термопечью до температуры (18-25)°С, после чего ТКС резисторов снижается на порядок. Предложенный способ изготовления тонкопленочных резисторов применен в производстве микросборок, предназначенных для обработки сигналов гироскопических приборов, и обеспечивает высокую стабильность параметров в диапазоне рабочих температур (минус 60 - +80)°С.
Источники информации
1. Бочкарев Б.А., Бочкарева В.А. Керметные пленки. - Л., Энергия, 1975, 152 с.
2. Ермолаев Л.А., Кондраков Н.М., Мочалов А.И. и др. Влияние искусственного старения на электрофизические свойства тонких резистивных пленок сплава PC-3710. / Электронная техника, сер.6, «Материалы», вып.5, 1972, с.33-40.
3. Патент РФ №1167995, МПК Н01С 17/22, 1999 г. (прототип).
4. Н.К.Иванов-Есинович. Технология микросхем. - М., Высшая школа, 1972, с. 97, 98.
Claims (1)
- Способ изготовления тонкопленочных резисторов, включающий стабилизацию параметров резисторов, отличающийся тем, что стабилизацию параметров осуществляют термообработкой резисторов в термопечи следующим образом: сначала доводят температуру термопечи с установленными в ней резисторами до (345-365)°С, выдерживают 3 ч, охлаждают вместе с термопечью до температуры (18-25)°С, снова доводят температуру термопечи до (375-385)°С, выдерживают 2 ч и снова охлаждают вместе с термопечью до температуры (18-25)°С.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2007103661/09A RU2327241C1 (ru) | 2007-01-30 | 2007-01-30 | Способ изготовления тонкопленочных резисторов |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2007103661/09A RU2327241C1 (ru) | 2007-01-30 | 2007-01-30 | Способ изготовления тонкопленочных резисторов |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2327241C1 true RU2327241C1 (ru) | 2008-06-20 |
Family
ID=39637525
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2007103661/09A RU2327241C1 (ru) | 2007-01-30 | 2007-01-30 | Способ изготовления тонкопленочных резисторов |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2327241C1 (ru) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2681521C2 (ru) * | 2017-07-14 | 2019-03-07 | Акционерное общество "Омский научно-исследовательский институт приборостроения" (АО "ОНИИП") | Способ получения заданной конфигурации пленочных резисторов на основе тантала и его соединений |
RU2722213C1 (ru) * | 2019-08-27 | 2020-05-28 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" | Способ стабилизации резисторов |
-
2007
- 2007-01-30 RU RU2007103661/09A patent/RU2327241C1/ru not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2681521C2 (ru) * | 2017-07-14 | 2019-03-07 | Акционерное общество "Омский научно-исследовательский институт приборостроения" (АО "ОНИИП") | Способ получения заданной конфигурации пленочных резисторов на основе тантала и его соединений |
RU2722213C1 (ru) * | 2019-08-27 | 2020-05-28 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" | Способ стабилизации резисторов |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Ondo-Ndong et al. | Structural properties of zinc oxide thin films prepared by rf magnetron sputtering | |
JP5300102B2 (ja) | ボロメータ用抵抗体膜 | |
KR101120590B1 (ko) | 성막장치 및 성막방법 | |
CN103021605A (zh) | 片式铂热敏电阻器制作方法 | |
CN110195208B (zh) | 一种可变带隙的NbMoTaWV高熵合金氧化物薄膜及其制备方法 | |
Lai et al. | Annealing effect on the electrical properties and microstructure of embedded Ni–Cr thin film resistor | |
RU2327241C1 (ru) | Способ изготовления тонкопленочных резисторов | |
Hieber et al. | Structural changes of evaporated tantalum during film growth | |
JP4380586B2 (ja) | 薄膜抵抗体およびその製造方法 | |
CN110408908B (zh) | 一种石墨烯/六硼化镧复合薄膜、制备方法及应用 | |
Zhai et al. | Study on the resistance characteristic of Pt thin film | |
Schmidl et al. | The influence of deposition parameters on Ti/Pt film growth by confocal sputtering and the temperature dependent resistance behavior using SiOx and Al2O3 substrates | |
US20100301989A1 (en) | Sputter deposition of cermet resistor films with low temperature coefficient of resistance | |
JP4622946B2 (ja) | 抵抗薄膜材料、抵抗薄膜形成用スパッタリングターゲット、抵抗薄膜、薄膜抵抗器およびその製造方法。 | |
JP2001291607A (ja) | 白金薄膜抵抗体の製造方法 | |
JP4304272B2 (ja) | 熱電変換材料薄膜とセンサ素子及びその製造方法 | |
Sahu | Lateral parameter variations on the properties of La0. 7Sr0. 3MnO3 films prepared on Si (1 0 0) substrates by dc magnetron sputtering | |
JP2008121034A (ja) | 酸化亜鉛薄膜の成膜方法及び成膜装置 | |
CN110453175A (zh) | 一种氧化钒薄膜的制备方法 | |
CN106756848B (zh) | 一种金属基高温组合绝缘层及其制备方法 | |
RU2554304C2 (ru) | Способ получения чувствительного элемента матрицы теплового приемника | |
Wu et al. | Electrical properties of micro-heaters using sputtered NiCr thin film | |
JP2002118004A (ja) | 感温抵抗変化膜およびその製造方法並びに感温抵抗変化膜を用いた赤外線センサ | |
JP2006128154A (ja) | 基板上に形成された金属酸化物層とその作製方法 | |
CN106435478A (zh) | 一种低电阻温度系数镍铬硅薄膜的制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20100131 |