RU2691162C1 - Способ формирования глубокопрофилированных кремниевых структур - Google Patents

Способ формирования глубокопрофилированных кремниевых структур Download PDF

Info

Publication number
RU2691162C1
RU2691162C1 RU2018140666A RU2018140666A RU2691162C1 RU 2691162 C1 RU2691162 C1 RU 2691162C1 RU 2018140666 A RU2018140666 A RU 2018140666A RU 2018140666 A RU2018140666 A RU 2018140666A RU 2691162 C1 RU2691162 C1 RU 2691162C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
silicon
etching
photoresist
silicon structures
relief
Prior art date
Application number
RU2018140666A
Other languages
English (en)
Inventor
Евгений Эдуардович Гусев
Николай Алексеевич Дюжев
Сергей Владимирович Колтаков
Кирилл Сергеевич Есенкин
Original Assignee
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" filed Critical Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"
Priority to RU2018140666A priority Critical patent/RU2691162C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2691162C1 publication Critical patent/RU2691162C1/ru

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/308Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Abstract

Суть настоящего изобретения состоит в формировании глубокопрофилированных кремниевых структур последовательными операциями изотропного и анизотропного травления, причем операцию фотолитографии выполняют на кремниевой структуре, используя фоторезист с гидроизоляционными свойствами. Изобретение обеспечивает повышение точности формирования глубокопрофилированных кремниевых структур за счет уменьшения числа используемых материалов. 6 ил.

Description

Изобретение относится к изготовлению полупроводниковых структур и может применяться при изготовлении кремниевых микромеханических датчиков.
Известен способ формирования глубокопрофилированных кремниевых структур, включающий нанесение защитной пленки на плоскую пластину из монокристаллического кремния с ориентацией поверхности в плоскости (100), нанесение на нее с двух сторон защитного слоя фоторезиста, вскрытие окон большего размера, травление, фотолитографию, вскрытие окон меньшего размера, травление [1].
Вышеприведенный аналог имеет следующие недостатки и ограничения. Используется кремниевая пластина с ориентацией (100). В области приборостроения также часто используется ориентация (111). Следовательно, это ограничивает область применения способа. Технологический процесс изготовления достаточно трудоемкий. Кроме того, используется большое количество дорогостоящих фотолитографий и набор шаблонов для вскрытия окон большего или меньшего размера. Это снижает рентабельность конечного изделия.
Известен способ формирования рельефа в кремнии, включающий нанесение защитной пленки из оксида и нитрида кремния на кремниевую пластину, фотолитографии, травления защитной пленки, нанесения защитной пленки, нанесения слоя поликристаллического кремния, травления поликремния, окисление поликремния, травление оксида кремния, выращенного из поликремния [2].
К недостаткам способа можно отнести геометрию маски травления после проведения операции окисления поликристаллического кремния, в результате которой часть материала поликристаллического кремния становится пленкой оксида кремния, причем соотношение варьируется от технологических параметров процесса. В результате происходит сдвиг границ маски травления, что влечет за собой снижение точности формирования рельефа. Причем, с повторением операции необходимое количество раз увеличивается погрешность формируемого рельефа. Кроме того, используется 4 материала (оксид кремния; нитрид кремния; поликремний; оксид кремния, полученный из поликремния), каждый из которых имеет различную скорость травления.
Известен способ изготовления рельефных кремниевых структур, включающий создание на кремниевой пластине защитной пленки окисла кремния, полное удаление пленки и локальное уменьшение ее толщины в областях структур, в которых травление пластины проводится на максимальную глубину и на глубину заданного рельефа, и обработку пластины в травителях для создания заданного профиля в кремнии [3].
К недостаткам способа можно отнести необходимость введения технологического припуска на толщину защитной пленки в каждом из формируемых рельефов; необходимость ступенчатого травления окисла кремния на величину Δh в каждом из формируемых рельефов, при этом вся имеющаяся на пластине на данный момент травления пленка окисла также уменьшается на величину Δh. Это усложняет технологический процесс изготовления из-за необходимости контроля травления пленки окисла на указанную величину Δh, недостаточный контроль может приводить к неравномерности вытравливания пленки окисла и таким образом к невоспроизводимости в кремнии заданного профиля.
Известен способ, заключающийся в создании на кремниевой пластине защитного слоя, формировании в нем последовательными операциями фотолитографии и травления структуры заданного профиля до появления кремния в области максимальной глубины структуры, последующем чередовании травления кремния и оставшегося защитного слоя получают в кремнии заданный профиль, при этом после создания защитного слоя и перед первой операцией фотолитографии на поверхности защитного слоя создают контрастный слой из материала, отличающегося от материала защитного слоя, а после каждой операции фотолитографии перед травлением защитного слоя стравливают контрастный слой [4].
Недостатком такого способа является необходимость вытравливания защитного слоя до нужной глубины, что требует точного контроля проводимого процесса, так как недостаточное или избыточное вытравливание защитного слоя приведет к нарушению структуры заданного профиля в защитном слое и, как следствие, к нарушению заданного профиля в кремнии.
Наиболее близкий способ формирования глубоко профилированных кремниевых структур заключается в создании на кремниевой пластине защитного слоя, создании контрастного слоя из материала, отличающегося от материала защитного слоя, формировании последовательными операциями фотолитографии и травления структуры заданного профиля до появления кремния в области максимальной глубины структуры, последующем чередовании травления кремния и оставшегося защитного слоя до получения в кремнии заданного профиля, причем вскрытие кремния в области максимальной глубины структуры проводят после создания защитного слоя, а затем наносят контрастный слой на защитный слой и на вскрытый участок кремния и проводят формирование структуры заданного профиля [5].
Указанному способу присущи следующие недостатки и ограничения. Необходимо наносить защитный и контрастный слой на поверхность кремния. Следовательно, необходимо знать скорости травления каждого из материалов, которые будут меняться в зависимости от технологических параметров их получения. При формировании рельефа кремния используется травитель, который слабо взаимодействует с защитным и контрастным слоем. Однако, в процессе взаимодействия удаляется некоторая часть материала, следовательно изменяется геометрия маски для последующего травления кремния, а значит снижается точность травления. Итого в прототипе подвергается травлению 3 материала (кроме кремния): защитный слой, контрастный слой и фоторезист. Также при формировании защитного и контрастного слоя проводится две фотолитографии с использованием двух фотошаблонов.
Задачей настоящего изобретения является повышение точности формирования глубокопрофилированных кремниевых структур за счет использования фоторезиста с гидроизоляционными свойствами и уменьшения числа используемых материалов.
Поставленная задача решается тем, что изготавливают глубокопрофилированные кремниевые структуры последовательными операциями изотропного и анизотропного травления, причем операцию фотолитографии выполняют на кремниевой структуре и проводят формирование рельефа, чередуя изотропный и анизотропный способ травления кремниевой структуры.
Ключевым негативным фактором, влияющим на адгезию фоторезиста к поверхности, является наличие радикалов ОН- (влаги). Поэтому предлагается применять фоторезист с гидроизоляционными свойствами. За счет этого влага не проникает в фоторезист и повышаются адгезионные характеристики. В результате, фоторезист можно формировать на кремниевой структуре.
В отличие от прототипа, в предлагаемом способе сокращается количество используемых материалов. Подвергается травлению (кроме кремния) только один материал - фоторезист с гидроизоляционными свойствами. Таким образом, при формировании рельефа необходимо только знать скорость травления кремниевой структуры и слоя фоторезиста с гидроизоляционными свойствами. В процессе создания рельефа достаточной одной фотолитографии с использованием одного фотошаблона.
На фиг. 1 представлен технологический маршрут формирования глубокопрофилированных кремниевых структур, где: 1 - фоторезист, 2 - кремниевая структура. На фиг. 2-4 представлена экспериментальная структура кремний гидроизоляционный фоторезист с набором воспроизводимых вертикальных полостей шириной 880-950 нм в фоторезисте толщиной 1.68 мкм. Показан вид сверху на фиг. 5 и вид сбоку на фиг. 6 экспериментальной структуры кремния с окном травления круглой формы после проведения последовательных операций изотропного и анизотропного травления кремниевой структуры.
Способ осуществляется следующим образом. На кремниевую структуру наносят слой фоторезиста (фиг. 1а). Затем проводят операцию фотолитографии, в результате которой удаляют материал фоторезиста до поверхности кремниевой структуры в необходимых местах. После этого, используя жидкостное изотропное травление приступают к формированию рельефа в структуре кремния (фиг. 1б). Следующий шагом изменяют (чередуют) способ травления. Анизотропным сухим плазмохимическим травлением продолжают удаление материала кремния в локальных областях, незащищенных фоторезистом (фиг. 1в). Затем снова повторяют операцию жидкостного изотропного травления, сглаживая поверхность с целью удаления концентраторов механических напряжений и формируя заданный рельеф (фиг. 1г).
Конкретный пример реализации способа. На кремниевую пластину КДБ12 толщиной 670 мкм с кристаллографической ориентаций (100) наносят слой позитивного фоторезиста толщиной 1.7±0.1 мкм. Затем проводят операцию фотолитографии, в результате которой удаляют материал фоторезиста до поверхности кремниевой структуры в необходимых местах (фиг. 2-4). После этого, используя жидкостное изотропное травление в 10% растворе КОН при температуре 95°С в течение 1 часа выполняют формирование рельефа в кремнии. Следующим шагом изменяют (чередуют) способ травления. После этого, применяют анизотропный сухой плазмохимический процесс травления (Bosch процесс), включающий чередование газа травления SF6 с расходом 300 см3/мин в течение 10 с и газа пассивации C4F8 с расходом 180 см3/мин в течение 8 с. Тем самым продолжают удалять материал кремния в локальных областях, незащищенных фоторезистом. Затем снова повторяют операцию жидкостного изотропного травления в 8% растворе КОН при температуре 80°С в течение 0.5 часа, сглаживая поверхность с целью удаления концентраторов механических напряжений и формируя заданный рельеф (фиг. 5, 6).
Таким образом, заявляемый способ изготовления глубокопрофилированных кремниевых структур по сравнению с прототипом позволяет повысить точность формирования рельефа, а также уменьшить количество дорогостоящих фотолитографий и используемых фотошаблонов в процессе изготовления.
Источники информации:
1. Патент РФ 2539767.
2. Патент РФ 2559336.
3. Патент СССР 1228720
4. Патент РФ 2437181.
5. Патент РФ 2572288 - прототип.

Claims (1)

  1. Способ формирования глубокопрофилированных кремниевых структур, заключающийся в изотропном и анизотропном травлении слоев на кремниевой структуре, отличающийся тем, что операцию фотолитографии выполняют на кремниевой структуре, используют фоторезист с гидроизоляционными свойствами, проводят формирование рельефа, чередуя изотропный и анизотропный способ травления кремниевой структуры.
RU2018140666A 2018-11-19 2018-11-19 Способ формирования глубокопрофилированных кремниевых структур RU2691162C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2018140666A RU2691162C1 (ru) 2018-11-19 2018-11-19 Способ формирования глубокопрофилированных кремниевых структур

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2018140666A RU2691162C1 (ru) 2018-11-19 2018-11-19 Способ формирования глубокопрофилированных кремниевых структур

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2691162C1 true RU2691162C1 (ru) 2019-06-11

Family

ID=66947429

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2018140666A RU2691162C1 (ru) 2018-11-19 2018-11-19 Способ формирования глубокопрофилированных кремниевых структур

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2691162C1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2730104C1 (ru) * 2019-12-20 2020-08-17 Акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" Способ изготовления профилированных кремниевых структур
RU2789668C1 (ru) * 2022-06-06 2023-02-07 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" Способ герметизации мэмс устройств

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59161026A (ja) * 1983-03-04 1984-09-11 Hitachi Ltd エツチング方法
US20020148807A1 (en) * 2001-04-12 2002-10-17 Yang Zhao Method of etching a deep trench in a substrate and method of fabricating on-chip devices and micro-machined structures using the same
US6787052B1 (en) * 2000-06-19 2004-09-07 Vladimir Vaganov Method for fabricating microstructures with deep anisotropic etching of thick silicon wafers
RU2437181C1 (ru) * 2010-08-20 2011-12-20 Открытое акционерное общество Арзамасское научно-производственное предприятие "ТЕМП-АВИА" (ОАО АНПП "ТЕМП-АВИА") Способ изготовления глубокопрофилированных кремниевых структур
RU2539767C1 (ru) * 2013-10-03 2015-01-27 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МИЭТ" Способ изготовления глубокопрофилированных кремниевых структур
RU2572288C1 (ru) * 2014-09-30 2016-01-10 Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" Способ изготовления глубокопрофилированных кремниевых структур
RU2648287C1 (ru) * 2016-12-27 2018-03-23 Акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" Способ изготовления упругих элементов микромеханических датчиков

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59161026A (ja) * 1983-03-04 1984-09-11 Hitachi Ltd エツチング方法
US6787052B1 (en) * 2000-06-19 2004-09-07 Vladimir Vaganov Method for fabricating microstructures with deep anisotropic etching of thick silicon wafers
US20020148807A1 (en) * 2001-04-12 2002-10-17 Yang Zhao Method of etching a deep trench in a substrate and method of fabricating on-chip devices and micro-machined structures using the same
RU2437181C1 (ru) * 2010-08-20 2011-12-20 Открытое акционерное общество Арзамасское научно-производственное предприятие "ТЕМП-АВИА" (ОАО АНПП "ТЕМП-АВИА") Способ изготовления глубокопрофилированных кремниевых структур
RU2539767C1 (ru) * 2013-10-03 2015-01-27 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МИЭТ" Способ изготовления глубокопрофилированных кремниевых структур
RU2572288C1 (ru) * 2014-09-30 2016-01-10 Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" Способ изготовления глубокопрофилированных кремниевых структур
RU2648287C1 (ru) * 2016-12-27 2018-03-23 Акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" Способ изготовления упругих элементов микромеханических датчиков

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2730104C1 (ru) * 2019-12-20 2020-08-17 Акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" Способ изготовления профилированных кремниевых структур
RU2789668C1 (ru) * 2022-06-06 2023-02-07 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" Способ герметизации мэмс устройств

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5330617A (en) Method for etching integrated-circuit layers to a fixed depth and corresponding integrated circuit
US7507669B2 (en) Gap tuning for surface micromachined structures in an epitaxial reactor
US5413966A (en) Shallow trench etch
DE19526691A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Beschleunigungssensoren
JPH04506727A (ja) 基材に少なくとも一つのキャビティを得るためのエッチング方法及びそのような方法により得られた基材
RU2691162C1 (ru) Способ формирования глубокопрофилированных кремниевых структур
RU2572288C1 (ru) Способ изготовления глубокопрофилированных кремниевых структур
RU2601219C1 (ru) Способ изготовления микромеханических упругих элементов
RU2300823C2 (ru) Способ изготовления упругого элемента микромеханического устройства
RU2437181C1 (ru) Способ изготовления глубокопрофилированных кремниевых структур
JPH07245291A (ja) シリコン系基板のエッチング方法及びエッチング装置
CN105448697B (zh) 高深宽比结构的刻蚀方法及mems器件的制作方法
RU2580910C1 (ru) Способ изготовления упругого элемента микромеханического устройства
EP0616573B1 (en) Groove width trimming
RU2628732C1 (ru) Способ формирования монокристаллического элемента микромеханического устройства
RU2730104C1 (ru) Способ изготовления профилированных кремниевых структур
Juan et al. A novel etch-diffusion process for fabricating high aspect ratio Si microstructures
RU2662499C1 (ru) Способ изготовления микромеханических элементов из пластин монокристаллического кремния
RU2770165C1 (ru) Способ изготовления упругих элементов из монокристаллического кремния
RU2698486C1 (ru) Способ изготовления интегральных преобразователей
RU2680264C1 (ru) Способ изготовления глубокопрофилированных структур в кремниевой пластине
RU2687299C1 (ru) Способ получения рельефа в диэлектрической подложке
TWI229377B (en) Method for forming cavities having different aspect ratios
O'Brien et al. Submicron high-aspect-ratio silicon beam etch
KR100213759B1 (ko) 반도체 센서용 마이크로 빔의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
QB4A Licence on use of patent

Free format text: LICENCE FORMERLY AGREED ON 20211020

Effective date: 20211020