JP2007074005A - 多層の抵抗材料を有する抵抗構成要素 - Google Patents

多層の抵抗材料を有する抵抗構成要素 Download PDF

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Abstract


【課題】銅箔で構成され、いろいろに異なる抵抗値を有する抵抗箔を提供する。
【解決手段】5Åと70Åの間の厚さの中間層18を銅層12の第一の面に配置する。50Åと2μmの間の厚さの第一抵抗金属である第一の層14を中間層18上に配置して、さらに50Åと2μmの間の厚さの第二抵抗金属である第二の層16を第一抵抗金属である第一の層14上に配置する。第一抵抗金属14と第二抵抗金属16とは抵抗値が異なる。
【選択図】図2

Description

本発明は多層のプリント回路基板に関し、特に、埋め込まれた抵抗層で基板を形成するのに使用できる抵抗要素に関する。
プリント回路基板の基本要素は銅箔シートを接着した絶縁層である。1つ以上のエッチング工程を含む除去工程を通して、銅箔の一部分がエッチング除去されて特定の導線パターンが残され、絶縁層の表面に要素が形成される。多層プリント回路基板はプリント回路を有する2つ以上の前記絶縁層を積層結合することによって形成される。多くのプリント回路基板には類似した特性の分離した構成要素となるパターン構成要素を含む導体層が含まれる。このような分離した構成要素の1つに抵抗箔から形成される抵抗要素がある。抵抗要素は基本的には1つの面に付着した抵抗材料、典型的には金属または金属合金、の薄い層を有する銅箔である。抵抗箔は抵抗材料側を絶縁基板に接着して絶縁基板に取付ける。従来知られているマスクやエッチング技術を使用して銅箔や抵抗材料はエッチング除去され、絶縁物表面上に抵抗材料のある銅の配線が生じる。銅層の領域は除去されて2つの分離した銅端部を接続する面には抵抗材料のみが残る。抵抗層を形成する材料は典型的には銅よりも電気伝導度が小さいので、銅配線を分離する端部間の抵抗器として本質的に作用する。抵抗層の厚さと幅は銅トレースの端部間に配置された抵抗層の長さと同様に、このように形成された抵抗要素の抵抗値に影響する。
特開昭53−78050号公報 国際公開第00/55908号公報 特開昭59−182592号公報 特開平05−205904号公報
本発明は従来知られた抵抗箔に対する改良であり、銅層上に多層の抵抗材料を有する抵抗箔を備え、これによっていろいろな抵抗値を有するいろいろな異なる抵抗要素の形成を容易にするものである。
本発明の好ましい実施の形態によれば、第一の面と第二の面を有する銅層を含む抵抗箔が設けられる。5Åと70Åの間の厚さを有する中間層を銅層の第一の面に備える。50Åと2μmの間の厚さを有する第一抵抗金属である第一の層が中間層上にあり、50Åと2μmの間の厚さを有する第二抵抗金属である第二の層が第一抵抗金属である第一の層の上にある。第一抵抗金属は第二抵抗金属とは異なる抵抗値を有する。
本発明の別の実施の形態によれば、プリント回路基板上に抵抗要素を形成する方法であり、
a)第一の面と第二の面を有する銅層と、
銅層の第一の面上に5Åと70Åの間の厚さを有する中間層と、
中間層上の第一抵抗金属である第一の層と、
第一抵抗金属である第一の層上に第二抵抗金属である第二の層とからなり、第一抵抗金属の抵抗値は第二抵抗金属の抵抗値と異なり、第二抵抗金属である第二の層を絶縁基板の方に向けて抵抗箔を絶縁基板に接着する工程と、
b)絶縁基板上に抵抗箔で回路配線を形成する工程と、
c)銅層と中間層の一部を回路配線から除去して抵抗金属である第一および第二の層からなる回路配線の領域を形成する工程
とから構成される。
これらは付帯する図面をともなう好ましい実施の形態についての以下の説明および特許請求の範囲によって明白となる。
2つの層からなる抵抗材料を一方の面に付着した銅箔を形成して、抵抗材料の側を絶縁基板の方に向けて絶縁基板に付着させた後、マスクおよびエッチングにより、所定の領域において銅箔のみまたは銅箔と抵抗金属のうちの1つの層を除去することによって、いろいろに異なる抵抗値を有する抵抗箔が容易に作り出せる。
本発明はプリント回路基板に抵抗要素を埋め込んで形成したものを使用する抵抗箔に関する。広義には、抵抗箔は抵抗材料を2層以上使用した抵抗銅箔で形成される。抵抗材料は好ましくは金属で形成される。ここで使用する用語「金属」は、これから説明する方法による真空蒸着が可能な金属や合金を意味する。
本発明で使用する銅箔は2つのいずれかの技術を使用して作ることができる。鍛造や圧延の銅箔は銅や銅合金のストリップまたはインゴットを圧延などの工程によって機械的に減厚して製造する。電着箔は溶液の銅イオンを回転陰極ドラム上に電解付着させた後、陰極から付着箔を剥ぎ取ることで製造する。本発明の適用では電着銅箔の方が有利である。
代表的な銅箔の公称厚さは約0.0002インチ(5.1μm)から約0.02インチ(508μm)の範囲である。銅箔の厚さはときには質量で表現し、本発明の代表的な箔の質量、すなわち厚さは約1/8から14オンス/平方フィート(約33.4から3740g/m2)である。特に有効な銅箔の質量は1/3、1/2、1または2オンス/平方フィート(89、134、267、535g/m2)である。
電着銅箔には滑らかで艶のある(ドラム)側と、粗くて艶のない(銅付着成長面)側とがある。本発明の工程で適用する層が重なる箔の片側または両側は「標準断面」、「薄断面」または「極薄断面」を有する。有用な実施の形態には薄断面および極薄断面を有する箔の使用が含まれる。用語「標準断面」は10.2μを超えるRtm(IPC−MF−150F)を有する箔を指すようにここでは使用する。用語「薄断面」は10.2μ未満のRtm(IPC−MF−150F)を有する箔を指す。用語「極薄断面」は5.1μ未満のRtm(IPC−MF−150F)を有する箔を指す。Rtm(IPC−MF−150F)は連続した5つのサンプル測定における各山谷間の垂直最大値の平均値であり、英国レイセスタにあるランク・テイラー・ホブソン社から市販されている登録商標SURTRONICの断面測定器を使用して測定できる。
本発明は上記の種類の銅箔を使うことによって有利に適用できる。
図1に本発明の好ましい実施の形態を説明するため抵抗箔10の横断面を示す。抵抗箔10は銅層12で構成される。第一抵抗材料である第一の層14は銅層12の一方の面に付着される。層14は、好ましくは、真空蒸着、電着、無電解付着またはそれらの組み合わせなどの付着工程によって銅層12上に付着する金属や金属合金で形成される。層14は、好ましくは、電着工程または真空蒸着により銅層12の面12aに付着される。層14は銅よりも電気抵抗率の大きい金属で形成する。アルミニウム、亜鉛、ニッケル、ニッケル/クロム、ニッケル/クロム/アルミニウム/シリコン合金、チタン、バナジウム、クロム、タンタル、鉄、マンガンおよびそれらの合金、酸化物、窒化物およびケイ化物、さらに電気抵抗率が銅のものよりも大きい蒸着可能な金属または合金、酸化物、窒化物およびケイ化物は層14を形成するのに有利に使用できる。実施の形態では、層14はニッケル/クロム/アルミニウム/シリコン合金で形成されたものが好ましい。層14は最終的には抵抗要素を形成するように使用されるので、層14の厚さは形成する抵抗要素の所望の抵抗値と層14を形成する金属の抵抗率とに基づく。この点に関しては、層14は50Åから2μmの間の厚さとすることができる。好ましくは層14は100Åと500Åの間の厚さとし、より好ましくは100Åと350Åの間の厚さとすることができる。
第二抵抗材料である第二の層16は層14上に付着させる。層16は好ましくは層14を形成する材料とは異なる材料で形成する。層16を形成する材料は層14を形成する材料とは異なる抵抗率を有し、層16は層14とは異なった抵抗値を有する。
層16は、層14と異なる抵抗値を有する限り上記と同じ材料、すなわち、アルミニウム、亜鉛、ニッケル、ニッケル/クロム、ニッケル/クロム/アルミニウム/シリコン合金、チタン、バナジウム、クロム、タンタル、鉄、マンガンおよびそれらの合金、酸化物、窒化物およびケイ化物、さらに電気抵抗率が銅のものよりも大きい蒸着可能な金属または合金、酸化物、窒化物およびケイ化物のいずれかで形成することができる。好ましい実施の形態では、第二の層16はタンタルと酸素の化合物、例えばTa2O5, タンタルと窒素の化合物、例えばTa2NおよびTaN2, またはクロムとシリコンの化合物、例えばCrSiで形成される。
層16は好ましくは、真空蒸着、電着、無電解付着またはこれらの組み合わせなどの工程によって付着される。層16は電着工程または真空蒸着によって層14に付着されるのが好ましい。
層16の厚さは、層14の場合と同様、層16および形成される抵抗要素の所望の抵抗値と層16を形成する材料とに基づいて決まる。この点に関しては、層16は50Åから2μmの間の厚さとすることができる。層16は好ましくは100Åと500Åの間の厚さとし、より好ましくは100Åと350Åの間の厚さとすることができる。
図2に本発明の別の実施の形態である抵抗箔20を示す。抵抗箔20は抵抗箔10に類似しており、類似の要素には類似の符号を付している。抵抗箔20は中間層18を銅層12と第一の層14の間に配置している点で抵抗箔10とは異なる。銅箔に「安定化(stabilizer)」層および/または「タイコート(tiecoat)」層を付着させることは当該分野では通常知られている。タイコート層は、限定はされないが例えば、亜鉛、ニッケル、パラジウム、チタン、タンタル、アルミニウム、鉄、バナジウム、クロム、クロムを基本とする合金、ニッケルを基本とする合金、またはそれらの組み合わせなどの金属で通常は構成される。安定化層は、限定はされないが例えば、亜鉛、ニッケル、パラジウム、チタン、タンタル、アルミニウム、鉄、バナジウムおよびクロムの酸化物、クロム、クロムを基本とする合金、ニッケルを基本とする合金、またはそれらの組み合わせなどの酸化物で通常は構成される。ここで使用する用語「中間層18」は銅層12上に付着される1層以上の安定化層および/またはタイコート層のことを指す。
中間層18は銅の清浄な面に付着される。中間層18は安定化層であろうとタイコート層であろうと、スパッタリング、電子ビーム蒸着または加熱蒸着などの真空蒸着工程によって、または電着や浸漬やスプレーによって付着される。中間層18は5Åを超える厚さを有する。好ましくは、中間層18の厚さは5Åと70Åの間であり、より好ましくは約10Åと約20Åの間である。好ましい実施例では、中間層18はクロムまたはクロム酸化物で構成された安定化層である。
抵抗要素の形成において抵抗箔10または抵抗箔20を使用することに関し、図3に絶縁基板30に接着した抵抗箔20を示す。これからの詳しい説明で理解できるように、以下の説明は抵抗箔10を使用した場合にも適用できる。抵抗箔20は図示しない接着剤を使用して絶縁基板30に取付け、または積層工程によって絶縁基板30に接着し、絶縁基板30に抵抗箔20を取付けた状態で硬化させる。箔10や20などの抵抗箔を付着させる方法は従来知られており、使用する特別な方法やそれ自体は本発明に限定されるものではない。
図3に示すように、抵抗箔20は第二の層16を基板30の面に最も近づけ銅層12を露出させる姿勢にして絶縁基板30に取付ける。従来知られているマスクおよびエッチングの工程を使用して、抵抗箔20の不用の部分をエッチング除去し、図示しない回路パターンを絶縁基板30の表面に残す。
図4(a)は基板30上の配線40を示す回路の一部の斜視図である。「X」で示す領域の銅層12が、従来知られているマスクおよびエッチング技術によって配線40から除去され、銅層12の離れた端部を接続する第一および第二抵抗材料である第一の層14および第二の層16だけが残る。言い替えれば、領域Xにおいては配線40である銅層12が分離した状態で銅層の端部間に抵抗要素が形成される。配線40を流れる電流はすべて領域Xの第一の層14および第二の層16を必ず通過することになる。第一の層14は第二の層16と抵抗値が異なっているので、領域Xにおける抵抗値の合計は両層14,16の関数となる。
図4(b)は領域Xにおける抵抗値を電気的、図式的に表したものである。図4(a)の抵抗要素は並列に配置した2つの抵抗器R14、R16に等しく、ここで、R14は領域Xの第一の層14の抵抗値、R16は領域Xの第二の層16の抵抗値である。図4(a)の抵抗要素の合計抵抗値RTOTALは次式によって定まる。
図5(a)は図4(a)に示す配線要素40の変形であり、異なる抵抗要素となる。図5(a)に示す実施の形態では、第一の層14も領域Xにおいて(従来のマスクおよびエッチング技術により)エッチング除去され、領域Xには第二の層16のみが残る。図5(a)に示す要素の抵抗値は領域Xにおける第二の層16の抵抗値R16の関数となる。結果としての抵抗要素は図5(b)に図式的に示すものと等しくなる。このように図4(b)、5(b)によると、同一の抵抗箔10から除去する、すなわち配線40からエッチング除去する層の数を単に変更するだけで異なる2つの抵抗要素が形成できることが分かる。
図6には抵抗箔10から形成できる抵抗要素のさらに別の実施の形態を示す。図6(a)の実施の形態では抵抗箔10にマスクをして(図6(a)の断面に示すように)配線を形成するようにエッチングを行い、そして抵抗要素を形成するべくマスクおよびエッチングした配線には中央領域「X」とこれに隣接する2つの領域「Y」をつくる。領域Xには第二の層16のみが残る。領域Yには第一と第二の両方の層14,16が残る。
合成構造の抵抗は図6(b)に示すように、領域Yにおける抵抗値は2つの抵抗器R14Y、R16Yを並列に配置したものに等しく、ここでR14Yは領域Yにおける第一の層14の抵抗値であり、R16Yは領域Yにおける第二の層16の抵抗値である。領域Xにおける抵抗値は領域Xにおける第二の層16の抵抗値であるR16Xとなる。図6に示す構造の合計抵抗値は各部分の抵抗値の合計となる。
ここまでに記載の抵抗要素は2層の抵抗材料、すなわち第一の層14と第二の層16とを有する抵抗箔10で形成するものであった。図7(a)には3層の抵抗材料を有する抵抗箔110から形成した抵抗要素の断面を示す。抵抗箔110は銅層112、第一抵抗材料である第一の層114、第二抵抗材料である第二の層115および第三抵抗材料である第三の層116を有する。各抵抗材料は異なる抵抗率を有し、それぞれの層114,115および116は異なる抵抗値を有する。抵抗箔110はマスクしてエッチングをし、層116で構成する中央領域「X」、層115と116で構成する中間領域「Y」および層114,115と116で構成する残りの領域「Z」をつくる。図7(b)に示すように、ここまでに説明した構造と同様に、図7(a)に示す構造の抵抗値は領域X,YおよびZのそれぞれの抵抗値の合計となり、領域YおよびZの抵抗値は並列配置した層114,115および116のそれぞれの抵抗値により決定される。図7(b)には2層よリも多い抵抗層を有する抵抗箔を形成し、いろいろに異なる抵抗値が作り出せることを示す。
ここまでは、抵抗要素を有する単一の配線について述べてきた。これらの実施の形態は説明のためにのみ記載している。本発明の考え方と範囲の中で数多くの変更や修正が専門家には実施できるであろう。特許請求の範囲に記載の発明またはこれと均等物であるかぎり、このような修正や変更はすべて含まれることが意図される。
本発明の好ましい実施の形態を示す抵抗箔の拡大断面図 本発明の別の実施の形態を示す抵抗箔の拡大断面図 絶縁基板に取付けた図2の抵抗箔を示す断面図 (a)は図2の抵抗箔で形成した抵抗要素の斜視図、(b)は図式的、電気的に表した同抵抗要素 (a)は図2の別の抵抗要素の一部断面の側面図、(b)は図式的、電気的に表した同抵抗要素 (a)は図2の抵抗箔を使用して形成したさらに別の種類の抵抗要素の一部断面の側面図、(b)は図式的、電気的に表した同抵抗要素 (a)は本発明の別の実施の形態を示す3層の抵抗材料を有する抵抗箔で形成する抵抗要素の断面図、(b)は図式的、電気的に表した同抵抗要素 図2の抵抗箔で形成した別の実施の形態を示す抵抗要素の斜視図
符号の説明
10,20 抵抗箔
12 銅層
14 第一抵抗材料の層
16 第二抵抗材料の層
18 中間層
30 絶縁基板
40 配線

Claims (8)

  1. プリント回路基板に抵抗要素を埋め込んで形成したものを使用する抵抗箔であって、
    第一の面と第二の面を有する銅層と、
    前記銅層の前記第一の面上に5Åと70Åの間の厚さを有し、亜鉛、ニッケル、パラジウム、チタン、タンタル、アルミニウム、鉄、バナジウム、クロム、クロムを基本とする合金およびニッケルを基本とする合金、およびそれらの組み合わせからなる群から選択された1つの材料もしくはその酸化物から選択された中間層と、
    前記中間層上に直接形成されて50Åと2μmの間の厚さを有する第一抵抗材料である第一の層と、
    前記第一抵抗材料である前記第一の層上に直接形成されて50Åと2μmの間の厚さを有する第二抵抗材料である第二の層とから構成され、
    前記第一の層の厚さは、第一抵抗材料の所望の抵抗値と第一抵抗材料の抵抗率とに基づいて決定され、
    前記第二の層の厚さは、第二抵抗材料の所望の抵抗値と第二抵抗材料の抵抗率とに基づいて決定され、
    前記第一抵抗材料である前記第一の層、および前記第二抵抗材料である前記第二の層の少なくとも一つは、アルミニウム、亜鉛、ニッケル、ニッケル/クロム、ニッケル/クロム/アルミニウム/シリコン合金、チタン、バナジウム、クロム、タンタル、鉄、マンガンおよびそれらの合金、酸化物、窒化物およびケイ化物からなる群から選択された材料を含み、
    前記第一抵抗材料と前記第二抵抗材料とは抵抗値が異なる抵抗箔。
  2. 前記第一抵抗金属は前記第二抵抗金属と異なる、請求項1記載の抵抗箔。
  3. 前記第一抵抗金属はニッケル/クロム/アルミニウム/シリコン合金である、請求項2記載の抵抗箔。
  4. 前記第二抵抗金属はタンタル酸化物である、請求項3記載の抵抗箔。
  5. 前記第一抵抗金属および前記第二抵抗金属はそれぞれ100Åおよび500Åの間の厚さを有する、請求項1に記載の抵抗箔。
  6. 前記第一抵抗金属および前記第二抵抗金属は、真空蒸着、電着、無電解付着またはそれらの組み合わせなどの付着によって付着する、請求項1に記載の抵抗箔。
  7. 前記中間層は、スパッタリング、電子ビーム蒸着または加熱蒸着などの真空蒸着によって、または電着や浸漬やスプレーによって銅層に付着される、請求項1に記載の抵抗箔。
  8. 前記中間層の厚さが10Åと約20Åの間である、請求項1に記載の抵抗箔。
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