JPS59182592A - 抵抗回路基板 - Google Patents
抵抗回路基板Info
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- JPS59182592A JPS59182592A JP58056954A JP5695483A JPS59182592A JP S59182592 A JPS59182592 A JP S59182592A JP 58056954 A JP58056954 A JP 58056954A JP 5695483 A JP5695483 A JP 5695483A JP S59182592 A JPS59182592 A JP S59182592A
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- Japan
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- circuit board
- layer
- insulating layer
- board according
- alumina powder
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は金属薄膜電気抵抗層を内蔵する抵抗回路基板に
関する。
関する。
抵抗体を内蔵するプリント回路基板は、一般に支持体を
兼ねる絶縁層と該絶縁層上に接合された金属薄膜電気抵
抗層、及び該抵抗層に接合される銅箔等の導電性金属層
からなる積層体の形態で提供され、プリント抵抗回路の
製作に際しては、目的とする回路のパターンに従って絶
縁領域（絶縁層上の全層が除去される）、抵抗領域（導
電性金属層が除去される）、並びに導体領域（何れの層
も除去されない）が形成されて成品となる。
兼ねる絶縁層と該絶縁層上に接合された金属薄膜電気抵
抗層、及び該抵抗層に接合される銅箔等の導電性金属層
からなる積層体の形態で提供され、プリント抵抗回路の
製作に際しては、目的とする回路のパターンに従って絶
縁領域（絶縁層上の全層が除去される）、抵抗領域（導
電性金属層が除去される）、並びに導体領域（何れの層
も除去されない）が形成されて成品となる。
ところで金属薄膜電気抵抗層を内蔵する回路基板では、
高いシート抵抗を得るためには膜厚を薄くする必要があ
ると同時に、抵抗値のバラツキを防止するため膜厚を均
一にする必要もある。この様な前提において従来の抵抗
内蔵回路基板は次の様な問題点ないし欠点を有していた
。
高いシート抵抗を得るためには膜厚を薄くする必要があ
ると同時に、抵抗値のバラツキを防止するため膜厚を均
一にする必要もある。この様な前提において従来の抵抗
内蔵回路基板は次の様な問題点ないし欠点を有していた
。
ａ）銅箔等の導電性金属層に金属薄膜電気抵抗層をメッ
キ等で積層し、さらにその上に絶縁支持体を接合する回
路基板の場合、抵抗層を薄層にしかも均一に形成するた
めには下地たる銅箔の表面を凹凸のない平滑なものとす
る必要があり、このため、絶縁支持体の接合力が十分に
得られない。特にニッケル系の抵抗層を形成する場合、
エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂等の
絶縁支持体の接合は銅箔と直接接合する場合よりも一層
接着性が悪いことが知られている。
キ等で積層し、さらにその上に絶縁支持体を接合する回
路基板の場合、抵抗層を薄層にしかも均一に形成するた
めには下地たる銅箔の表面を凹凸のない平滑なものとす
る必要があり、このため、絶縁支持体の接合力が十分に
得られない。特にニッケル系の抵抗層を形成する場合、
エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂等の
絶縁支持体の接合は銅箔と直接接合する場合よりも一層
接着性が悪いことが知られている。
ｂ）エツチングにより回路形成する場合、エツチング液
に絶縁支持体が侵されやすく、その結果、抵抗体層に歪
が生じて性能の劣化を招きやすい。
に絶縁支持体が侵されやすく、その結果、抵抗体層に歪
が生じて性能の劣化を招きやすい。
例えば、本発明者らは均一電着性、平滑性、エツチング
選択性２合金メツキ組成の安定性にすくれた抵抗体層と
してスズ−ニッケル合金を提供（特公昭５５−４２５１
０）すると共に、スズ−ニッケル合金専用のエツチング
液を提供（特開昭５５−１０４４８１）したが、この専
用エツチング液は良好なエツチングを行なうのに通常８
５°Ｃ以上で行なわねばならず、したかってエポキシ樹
脂等を侵す。
選択性２合金メツキ組成の安定性にすくれた抵抗体層と
してスズ−ニッケル合金を提供（特公昭５５−４２５１
０）すると共に、スズ−ニッケル合金専用のエツチング
液を提供（特開昭５５−１０４４８１）したが、この専
用エツチング液は良好なエツチングを行なうのに通常８
５°Ｃ以上で行なわねばならず、したかってエポキシ樹
脂等を侵す。
Ｃ）従来絶縁性支持体として一般に用いられているエポ
キシ樹脂等は半田浸漬の如き熱的処理により歪が生じや
すく、そのため抵抗値の変動を生しやすい。
キシ樹脂等は半田浸漬の如き熱的処理により歪が生じや
すく、そのため抵抗値の変動を生しやすい。
ｄ）その他、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等絶縁支持
体では熱伝導性が悪く、放熱性及び耐熱性からの制限に
よりシート抵抗の許容電力が制限される。
体では熱伝導性が悪く、放熱性及び耐熱性からの制限に
よりシート抵抗の許容電力が制限される。
本発明者らは上述の技術的問題点ないし欠点を解決すべ
く鋭意研究の結果以下に示す本発明を完成した。
く鋭意研究の結果以下に示す本発明を完成した。
すなわち、本発明の抵抗回路基板は、金属薄膜電気抵抗
層と、該抵抗層の片面側に電気的に接触して接合された
導電性金属層と、前記抵抗層の他面側に接合された電気
絶縁層とを有する回路基板であって、第１の発明はその
電気絶縁層を合成樹脂とアルミナ粉を配合した複合層か
ら構成したものであり、第２の発明は電気絶縁層を、合
成樹脂とアルミナ粉の配合物をガラスクロスに含浸させ
てなるプリプレグから構成したものである。
層と、該抵抗層の片面側に電気的に接触して接合された
導電性金属層と、前記抵抗層の他面側に接合された電気
絶縁層とを有する回路基板であって、第１の発明はその
電気絶縁層を合成樹脂とアルミナ粉を配合した複合層か
ら構成したものであり、第２の発明は電気絶縁層を、合
成樹脂とアルミナ粉の配合物をガラスクロスに含浸させ
てなるプリプレグから構成したものである。
さらに図面を参照して具体的に説明する。第１図、第２
図は抵抗回路基板の断面図である。第１図において、金
属薄膜電気抵抗層２の両側に導電性金属層１と電気絶縁
層３が接合されている。そして第１の発明はこの電気絶
縁層３が合成樹脂とアルミナ粉を配合した複合層から構
成されており、第２の発明は電気絶縁層３が合成樹脂と
アルミナ粉の配合物をガラスクロスに含浸させたプリプ
レグから構成されている。この場合、電気絶縁Ｎ３を比
較的厚く形成することにより回路基板の支持体として兼
用させることもできる。また第、２図に示す如く、電気
絶縁層３にさらに専用の金属支持体４を接合したものと
してもよい。プリプレグ等を厚く形成する場合は、これ
を複数枚重ねて行なう。
図は抵抗回路基板の断面図である。第１図において、金
属薄膜電気抵抗層２の両側に導電性金属層１と電気絶縁
層３が接合されている。そして第１の発明はこの電気絶
縁層３が合成樹脂とアルミナ粉を配合した複合層から構
成されており、第２の発明は電気絶縁層３が合成樹脂と
アルミナ粉の配合物をガラスクロスに含浸させたプリプ
レグから構成されている。この場合、電気絶縁Ｎ３を比
較的厚く形成することにより回路基板の支持体として兼
用させることもできる。また第、２図に示す如く、電気
絶縁層３にさらに専用の金属支持体４を接合したものと
してもよい。プリプレグ等を厚く形成する場合は、これ
を複数枚重ねて行なう。
本発明において、合成樹脂としてエポキシ樹脂。
ポリイミド樹脂等を用いるが、これらの樹脂１００部に
対してアルミナ粉を１００〜３００部、望ましくは１５
０〜２００部配合したものを用いるのがよい。また放熱
性改良のためにはアルミナ粉の粒子がＬ〜５０μｍの分
布を示すものがよい。前記導電性金属層１としては例え
ば表面が粗面化処理されていない数十ミクロンの銅箔を
用いる。また前記金属薄膜電気抵抗層２としては５ｎ−
Ｎｉ系合金メッキ層を数百オングストローム形成する。
対してアルミナ粉を１００〜３００部、望ましくは１５
０〜２００部配合したものを用いるのがよい。また放熱
性改良のためにはアルミナ粉の粒子がＬ〜５０μｍの分
布を示すものがよい。前記導電性金属層１としては例え
ば表面が粗面化処理されていない数十ミクロンの銅箔を
用いる。また前記金属薄膜電気抵抗層２としては５ｎ−
Ｎｉ系合金メッキ層を数百オングストローム形成する。
電気絶縁層３は、これを支持体としても兼用させる場合
には数ミリ程度とし、別に金属支持体４を接合する場合
は数十ミクロンないし数百ミクロン程度とする。金属支
持体４は同時に放熱性の向上を図ることから、熱伝導性
のよいアルミニウム板等が好ましく、アルミニウム板を
用いる場合には表面に５〜３０μｍのアルマイト層を形
成したものが接着力、耐電圧性も良好となる。なお上記
各層１，２．３の厚みは１つの目安であって、これに限
定されるものではない。
には数ミリ程度とし、別に金属支持体４を接合する場合
は数十ミクロンないし数百ミクロン程度とする。金属支
持体４は同時に放熱性の向上を図ることから、熱伝導性
のよいアルミニウム板等が好ましく、アルミニウム板を
用いる場合には表面に５〜３０μｍのアルマイト層を形
成したものが接着力、耐電圧性も良好となる。なお上記
各層１，２．３の厚みは１つの目安であって、これに限
定されるものではない。
次に本発明の抵抗回路基板をその製造過程に沿って説明
する。
する。
導電性金属層１として例えば銅箔を用意し、その片面を
マスキング用シートで被覆し、脱脂、水洗等を行なった
後、金属薄膜電気抵抗層２として例えばＳ ｎ −Ｎ
ｉ合金、３ｎ−ＮｉＳ合金を電気メッキする。次にマス
キング用シートを剥離し、抵抗Ｎ２側番こ電気絶縁層３
として、アルミニウム粉を配合した合成樹脂シート、若
しくはアルミニウム粉と合成樹脂の配合物をガラスクロ
スに含浸してなるプリプレグを熱圧着する。金属支持体
４・ をさらに接合する場合は、これを電気絶縁層３に
熱圧着する。この様にして形成された抵抗回路基板は、
フォトレジスト、エツチング液等を用いた周知の方法に
より、所望の抵抗付きパターン回路に構成される。
マスキング用シートで被覆し、脱脂、水洗等を行なった
後、金属薄膜電気抵抗層２として例えばＳ ｎ −Ｎ
ｉ合金、３ｎ−ＮｉＳ合金を電気メッキする。次にマス
キング用シートを剥離し、抵抗Ｎ２側番こ電気絶縁層３
として、アルミニウム粉を配合した合成樹脂シート、若
しくはアルミニウム粉と合成樹脂の配合物をガラスクロ
スに含浸してなるプリプレグを熱圧着する。金属支持体
４・ をさらに接合する場合は、これを電気絶縁層３に
熱圧着する。この様にして形成された抵抗回路基板は、
フォトレジスト、エツチング液等を用いた周知の方法に
より、所望の抵抗付きパターン回路に構成される。
次に本発明の実施例を示し、従来例を比較例とした性能
比較試験を示す。
比較試験を示す。
爽絡餘↓
・電気絶縁層３がガラスクロスを含まづ゛、金属支持体
４を用いないもの。
４を用いないもの。
（１）導電性金属層１：３５μｍの電解銅箔、粗面化処
理なし。
理なし。
（２）金属薄膜電気抵抗１ｉＩｉ２：２００人の５ｎ−
Ｎｉ電気メツキ層、シート抵抗５００Ω／口。
Ｎｉ電気メツキ層、シート抵抗５００Ω／口。
（３）電気絶縁層３：ヒスフェノール系エポキシ樹脂１
００部、アルミナ粉２５０部（アルミナ７０重量パーセ
ント）を配合したシートＱ、 ２ｍｍを５枚重ねて、
厚み１．Ｑｍｍとする。
００部、アルミナ粉２５０部（アルミナ７０重量パーセ
ント）を配合したシートＱ、 ２ｍｍを５枚重ねて、
厚み１．Ｑｍｍとする。
１掘１文
・電気絶縁層３がガラスクロスを含ます、金属支持体４
を用いたもの。
を用いたもの。
（１）導電性金属層１：実施例１と同し。
（２）金属薄膜電気抵抗層２：実施例１と同し。
（３）電気絶縁層３：実施例１と同し。ただし、層３の
厚さを０．１ｍｍとした。
厚さを０．１ｍｍとした。
（４）金属支持体４ニアルミニウム板、厚さ１．０ｍｍ
。
。
夫星±１
電気絶縁層３がガラスクロスを含むプリプレグからなり
、金属支持体４を用いないもの。
、金属支持体４を用いないもの。
（１）導電性金属層１：実施例１と同し。
（２）金属薄膜電気抵抗層２：実施例１と同じ。
（３）電気絶縁層３：ヒスフェノール系エポキシ樹脂１
００部、アルミナ粉１５０部（アルミナ６０重量パーセ
ント）の配合物をＱ、１ｍｍのガラスクロスに含浸した
プリプレグを１０枚重ねて厚み１．Ｑｍｍ。
００部、アルミナ粉１５０部（アルミナ６０重量パーセ
ント）の配合物をＱ、１ｍｍのガラスクロスに含浸した
プリプレグを１０枚重ねて厚み１．Ｑｍｍ。
実施例
電気絶縁層３がガラスクロスを含むプリプレグからなり
、金属支持体４を用いるもの。
、金属支持体４を用いるもの。
（１）導電性金属層１：実施例１と同じ。
（２）金属薄膜電気抵抗層２：実施例１と同し。
（３）電気絶縁層３：実施例３と同じ。ただしプリプレ
グは１枚とし、厚さＱ、１ｍｍ０ （４）金属支持体４ニアルミニウム扱、厚さ］、、Ｏｍ
ｍ。
グは１枚とし、厚さＱ、１ｍｍ０ （４）金属支持体４ニアルミニウム扱、厚さ］、、Ｏｍ
ｍ。
上記実施例１〜４と比較されるべきアルミナ粉の配合さ
れていない従来例。
れていない従来例。
従米凱１
・従来例２において、電気絶縁層３にアルミナ粉を配合
しないもの。
しないもの。
・実りか例３において、電気絶縁層３にアルミナ粉を配
合しないもの。
合しないもの。
性能比較試験は以下について行った。
拭１Ｊ−：絶縁層３の接着力試験
金属薄膜電気抵抗層２と絶縁層３の間で１８０のピーリ
ング試験を行った。その結果、各実施例において従来例
の２倍の接着力を有することか明らかとなった。
ング試験を行った。その結果、各実施例において従来例
の２倍の接着力を有することか明らかとなった。
部ｌ姦Ｊユニ絶縁層の耐腐食性
リン酸１３．０ｍｏ Ｉ ／１． リン酸第２銅５．
０×１０−３ｍｏｌ／１．の水溶液からなるエツチング
液を用い、８５°Ｃで？＋？Ｍした。その結果、各実施
例は従来例に比べ格段の耐食性を示した。
０×１０−３ｍｏｌ／１．の水溶液からなるエツチング
液を用い、８５°Ｃで？＋？Ｍした。その結果、各実施
例は従来例に比べ格段の耐食性を示した。
バ襞１：半田浸漬前後の抵抗変化
噴流式半田槽に２６０°Ｃで２０秒浸漬した。
浸漬前の抵抗値をＲＯ１浸漬後の抵抗値をＲ１として、
その比Ｒ＋ ／Ｒｏの百分率を求めた。
その比Ｒ＋ ／Ｒｏの百分率を求めた。
その結果、アルミナ粉を含むものは含まないものに比べ
て大幅に改善され、Ｒ＋ ／Ｒｏが１％以下となった。
て大幅に改善され、Ｒ＋ ／Ｒｏが１％以下となった。
■腋本＝定格電力
周囲温度７０°Ｃ１負荷時間１０００時間後の抵抗変化
率か０．３％になる電力を、抵抗の単位面積当りで求め
た。その結果、金属支持体（アルミニウム板）による効
果を除外して、各実施例は従来例の２倍以上の定格電力
を有した。
率か０．３％になる電力を、抵抗の単位面積当りで求め
た。その結果、金属支持体（アルミニウム板）による効
果を除外して、各実施例は従来例の２倍以上の定格電力
を有した。
以上の試験結果を表１に示す。
さらに本発明者らは（ａｌ電気絶縁層かアルミナと合成
樹脂からなる場合と、（ｂｌ電気絶縁層がアルミナと合
成樹脂をガラスクロスに含浸したプリプレグから構成さ
れる場合について、同一条件で１１１電圧を測ったとこ
ろ、（ｂｌプリプレクとした方か高いことがわかった。
樹脂からなる場合と、（ｂｌ電気絶縁層がアルミナと合
成樹脂をガラスクロスに含浸したプリプレグから構成さ
れる場合について、同一条件で１１１電圧を測ったとこ
ろ、（ｂｌプリプレクとした方か高いことがわかった。
また電気絶縁層を支持体としてのアルミニウム板と導電
性金属である銅箔との間にサンドウィチしたものにつき
、加熱による基板のそりについて実験したが、その結果
も前記（ｂ）の表１ □ 「 ■ （ 暮 □ プリプレグからなる絶縁層がザンドウィチされている方
が基板のそりか少ないことが明らかとなった。
性金属である銅箔との間にサンドウィチしたものにつき
、加熱による基板のそりについて実験したが、その結果
も前記（ｂ）の表１ □ 「 ■ （ 暮 □ プリプレグからなる絶縁層がザンドウィチされている方
が基板のそりか少ないことが明らかとなった。
すなわち、プリプレグとした方が基板のそり、耐電圧の
点で良好であるこ吉がわかった。
点で良好であるこ吉がわかった。
生発訓勿須沫
以上の構成よりなる第１の発明、第２の発明によれば次
の如き効果を奏する。
の如き効果を奏する。
■電気絶縁層３と金属薄膜電気抵抗層２との接合性が大
幅に改善される。
幅に改善される。
よってその製造においてもロールラミネート加工等が容
易となる。
易となる。
■エツチング液等に対する電気絶縁層３の耐食性か大幅
に改善される。すなわち抵抗回路形成過程等における薄
膜抵抗層の歪発生が防止され、画性能の抵抗回路を作る
ことかできる。
に改善される。すなわち抵抗回路形成過程等における薄
膜抵抗層の歪発生が防止され、画性能の抵抗回路を作る
ことかできる。
■半田浸漬などｉ；４１．１ｆ１１撃に対しても歪の発
生が十分に防止され、安定した抵抗性能を保持すること
ができる。
生が十分に防止され、安定した抵抗性能を保持すること
ができる。
■アルミナ粉配合により、放熱性が改善されるので、抵
抗体に対する許容電力を増大することができる。
抗体に対する許容電力を増大することができる。
この場合、絶縁層３に支持体４としてアルミニウム板等
を接合すれは、−要放熱性が改善される。
を接合すれは、−要放熱性が改善される。
第１図、第２図は各々発明の具体例を示す抵抗体回路基
板の断面図である。 １４電性金属層 ２−金属薄膜電気抵抗層３−電気絶
縁層 ４金属支持体 特許出願人 日東電気工業株式会社 代理人 弁理士西１）新
板の断面図である。 １４電性金属層 ２−金属薄膜電気抵抗層３−電気絶
縁層 ４金属支持体 特許出願人 日東電気工業株式会社 代理人 弁理士西１）新
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１金属薄膜電気抵抗層と、該抵抗層の片面側に電気
的に接触して接合された導電性金属層と、前記抵抗層の
他面側に接合された電気絶縁層とを有する抵抗回路基板
であって、前記電気絶縁層か合成樹脂とアルミナ粉を配
合した複合層からなることを特徴とする抵抗回路基板。 （２）電気絶縁層の合成樹脂がエポキシ樹脂である特許
請求の範囲第１項記載の抵抗回路基板。 （３）エポキシ樹脂とアルミナ粉の配合が、アルミナ粉
４０〜７０重量パーセント、残部がエポキシ樹脂である
特許請求の範囲第２項記載の抵抗回路基板。 （４）電気絶縁層の合成樹脂がポリイミド樹脂である特
許請求の範囲第１項記載の抵抗回路基板。 （５） ポリイミド樹脂とアルミナ粉との配合か、ア
ルミナ粉４０〜７０重量パーセント、残部がポリイミド
′樹脂である特許請求の範囲第４項記載の抵抗回路基板
。 （６）金属薄膜電気抵抗層がスズ−ニッケル合金である
特許請求の範囲第１項から第５項の何れかに記載の抵抗
回路基板。 （７）電気絶縁層を厚く形成して基板の支持体とした特
許請求の範囲第１項から第６項の何れかの項に記載の抵
抗回路基板。 （８）電気絶縁層は金属板支持体に接合されている特許
請求の範囲第１項から第６項の何れかに記載の抵抗回路
基板。 （９）金属板支持体がアルミニウム板である特許請求の
範囲第８項記載の抵抗回路基板。 （１０）アルミニウム板の表面が１０〜２００μｍのア
ルマイト層で被覆されている特許請求の範囲第９項記載
の抵抗回路基板。 （＋１） 金属薄膜電気抵抗層と、該抵抗層の片面側
に電気的に接合された導電性金属層と、前記抵抗層の他
面側に接合された電気絶縁層とを有する抵抗回路基板で
あって、前記電気絶縁層が合成樹脂とアルミナ粉の配合
物をガラスクロスに含浸したプリプレグからなることを
特徴とする抵抗回路基板。 Ｃの 電気絶縁層の合成樹脂がエポキシ樹脂である特許
請求の範囲第１１項記載の抵抗回路基板。 （１３ン エポキシ樹脂とアルミナ粉の配合が、アル
ミナ粉４０〜７０重量パーセント、残部かエポキシ樹脂
である特許請求の範囲第１２項記載の抵抗回路基板。 廻）電気絶縁層の合成樹脂がポリイミド樹脂である特許
請求の範囲第１１項記載の抵抗回路基板。 αつ ポリイミド樹脂とアルミナ粉との配合が、アルミ
ナ粉４０〜７０重量パーセント、残部かポリイミド樹脂
である特許請求の範囲第１４項記載の抵抗回路基板。 ［Ｆ］ 金属薄膜電気抵抗層がスズ−ニッケル合金であ
る特許請求の範囲第１１項から第１５項の何れかに記載
の抵抗回路基板。 θ〃 プリプレグを複数枚重ねて電気絶縁層を厚く形成
して基板の支持体とした特許請求の範囲第１１項から第
１６項の何れかに記載の抵抗回路基板。 （ト）電気絶縁層は金属板支持体に接合されている特許
請求の範囲第１１項から第１６項の何れかに記載の抵抗
回路基板。 （ハ）金属板支持体がアルミニウム板である特許請求の
範囲第１８項記載の抵抗回路基板。 Ｑｌｌｌ アルミニウム板の表面が１０〜２００μｍ
のアルマイト層で被覆されている特許請求の範囲第１９
項記載の抵抗回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58056954A JPS59182592A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 抵抗回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58056954A JPS59182592A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 抵抗回路基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59182592A true JPS59182592A (ja) | 1984-10-17 |
| JPH0316799B2 JPH0316799B2 (ja) | 1991-03-06 |
Family
ID=13041933
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58056954A Granted JPS59182592A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 抵抗回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59182592A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61137391A (ja) * | 1984-12-10 | 1986-06-25 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 印刷配線用成形体の製造法 |
| WO2003088276A1 (fr) * | 2002-04-02 | 2003-10-23 | Toyo Kohan Co., Ltd. | Lamine de film de resistance, procede de fabrication de lamine de film de resistance, composant comprenant un lamine de film de resistance, et procede de fabrication d'un composant comprenant un lamine de film de resistance |
| JP2007074005A (ja) * | 2000-09-22 | 2007-03-22 | Nikko Materials Usa Inc | 多層の抵抗材料を有する抵抗構成要素 |
| WO2011018842A1 (ja) * | 2009-08-11 | 2011-02-17 | 釜屋電機株式会社 | 低抵抗のチップ形抵抗器とその製造方法 |
| CN104952569A (zh) * | 2009-08-11 | 2015-09-30 | 釜屋电机株式会社 | 低电阻的片形电阻器及其制造方法 |
| JP2017152417A (ja) * | 2016-02-22 | 2017-08-31 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | チップ抵抗器 |
-
1983
- 1983-03-31 JP JP58056954A patent/JPS59182592A/ja active Granted
Cited By (9)
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