JPH0520323U - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
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- JPH0520323U JPH0520323U JP066644U JP6664491U JPH0520323U JP H0520323 U JPH0520323 U JP H0520323U JP 066644 U JP066644 U JP 066644U JP 6664491 U JP6664491 U JP 6664491U JP H0520323 U JPH0520323 U JP H0520323U
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- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
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Abstract
(57)【要約】
【目的】気相成長装置において、反応生成物及び未反応
ガスによるロータリポンプや反応圧力コントロールバル
ブへの影響を排除し、安定した排気能力を保ち、かつメ
ンテ性の向上を計る。 【構成】気相成長装置の排気配管10にロータリーポン
プ7,圧力調整バルブ6とともにダストフィルタ3と液
体窒素トラップ4を直列に設ける。
ガスによるロータリポンプや反応圧力コントロールバル
ブへの影響を排除し、安定した排気能力を保ち、かつメ
ンテ性の向上を計る。 【構成】気相成長装置の排気配管10にロータリーポン
プ7,圧力調整バルブ6とともにダストフィルタ3と液
体窒素トラップ4を直列に設ける。
Description
【0001】
本考案は半導体装置の製造工程で用いられる気相成長装置に関し、特に排気配 管に関する。
【0002】
従来の気相成長装置は、AsH3 (アルシン),PH3 (フォスフィン)Si H4 (シラン),H2 (水素)等の反応ガスを反応炉へ供給し、誘導加熱や抵抗 加熱等により、半導体ウェハー(以下単にウェハーという)を加熱し、導入ガス を熱分解させ、ウェハー上に所定の組成の薄膜を成長させるものである。ウェハ ー上に成長しなかった生成物や未反応ガスは、反応炉より排気配管を通り排気さ れる。
【0003】 この生成物を排気配管中でトラップするため、金属メッシュやテフロンフィル タ等で作られたダストフィルタが取り付けられている。
【0004】
この従来の気相成長装置の排気配管では、微小粒反応生成物や未反応ガスが充 分トラップできないため、これら生成物等が排気配管後段にあるロータリーポン プ中に入り込んで、排気能力を低下させたり、砒素やリンが入り込んで、メンテ ナンス性や安全性にも問題が生じていた。ロータリポンプのオイル中にリン分が 入り、オイルが大気にふれると燃えてしまうという事例もあった。さらに、排気 配管後段にある圧力調整バルブの内部に反応生成物が付着した場合、圧力調整に おけるバルブ開閉度にも変化が生じ、圧力精度が悪くなるという欠点があった。 また微小粒反応生成物をトラップするためダストフィルタ内のメッシュを小さく (50μm以下)すると、排気能力が落ちてしまうという問題もあった。
【0005】
【課題を解決するための手段】 本考案の気相成長装置は、反応生成物や未反応ガスを効率よくトラップするた めに、排気配管に液体窒素トラップとダストフィルタとを直列に設置している。
【0006】 この液体窒素トラップは内部にモレキュラシーブが入っており液体窒素(沸点 −195.8℃)にて冷却することで、未反応PH3 (沸点−87.7℃,融点 −133℃)やAsH3 (沸点−54.8℃,融点−113.5℃)をトラップ することができる。
【0007】
次に本考案について図面を参照して説明する。図1は本考案の第1の実施例の 構成図である。
【0008】 反応炉1に導入された反応ガスが反応炉1内で熱分解され、ウェハー2上に薄 膜が成長する。そして、ウェハー2上に成長しなかった反応生成物は、反応炉1 内部に付着するものを除けば排気配管10中に流れ出す。その反応生成物はダス トフィルタ3にて大部分がトラップされる。しかし微小粒子のものはダストフィ ルタ3内の金属メッシュ等(メッシュ50〜100μm)を通ってしまう。そこ で液体窒素トラップ4の内部モレキュラシーブにて吸着させる。
【0009】 さらに反応炉1の内部で反応しなかった反応ガスは、そのままの状態で排気配 管10に流れ出す。この未反応ガスは、ダストフィルタ3ではトラップされず、 液体窒素トラップ4がソープションポンプと同じ働きを行ない吸着する。
【0010】 このため、圧力調整バルブ6やロータリーポンプ7に未反応ガスが流れ込んだ り、反応生成物の付着による影響がなくなるため、安定した排気が行なわれる。
【0011】 この時、液体窒素トラップ4は常に冷却されるように補助タンク5を設け、常 に液体窒素を補給するようにしておく。実際AsH3 やPH3 を流して薄膜を成 長後、メンテ時におけるダストフィルタと液体窒素トラップを観察してみると、 ダストフィルタ3には粉末状の黒・茶色のダストが多く、また液体窒素トラップ 4の内部モレキュラシーブは、大気中でその表面が炎を出して燃える。これはリ ン分が多くトラップされていると考えられる。また、ロータリポンプ中のオイル 中に含まれるリン及び砒素について分析したところ、両方ともほとんど含まれて いないという結果が得られた。
【0012】 図2は本考案の第2の実施例の構成図であり、液体窒素トラップ4Aに高圧エ アーラインを設けたものである。
【0013】 液体窒素トラップ4Aに高圧エアーラインを設けることにより、反応炉1内部 で分解されなかった未反応ガス及び微小粒子生成物がトラップされた、液体窒素 トラップ4Aのメンテ作業性の向上を計ることができる。
【0014】 すなわち、第2の実施例においては、集中的に液体窒素トラップ4Aに生成物 及び未反応のガスがトラップされる。そこでより効率的,安全なメンテ作業とし て、液体窒素トラップ4Aにトラップされたものを、液体窒素トラップ4Aの両 側に設けたストップバルブ11により他の系と分け、そしてエアーバルブ12に より液体窒素トラップ4A内に高圧エアーを導入することで、空気との混合を閉 じた系の中で空気とトラップされた物質との反応を行なってしまう。特にリンが トラップされた場合水分や酸素と激しく反応し、燃焼するので有効となる。
【0015】
以上説明したように本考案は、気相成長装置の排気配管にダストフィルタと液 体窒素トラップを設けることにより、反応生成物や未反応ガスが効率よくトラッ プでき、排気能力が数Torrから0.1Torr程度まで向上させることがで きた。さらに成長圧力も±5Torrから±2Torrまで向上した。また、従 来排気系メンテに3〜4日間要していたものを1〜2日間に短縮させることが可 能となった。
【図1】本考案の第1の実施例の構成図。
【図2】本考案の第2の実施例の構成図。
【符号の説明】 1 反応炉 2 ウェハー 3 ダストフィルタ 4,4A 液体窒素トラップ 5 補助タンク 6 圧力調整バルブ 7 ロータリーポンプ 10 排気配管 11 ストップバルブ 12 エアーバルブ
Claims (2)
- 【請求項1】 反応炉とこの反応炉に接続された排気配
管とを有する気相成長装置において、前記排気配管にダ
ストフィルタと液体窒素トラップとを直列に設けたこと
を特徴とする気相成長装置。 - 【請求項2】 液体窒素トラップには高圧エアーライン
が接続されている請求項1記載の気相成長装置。
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EP92307682A EP0529982B1 (en) | 1991-08-22 | 1992-08-21 | Exhaust apparatus for epitaxial growth system. |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JPH0520323U true JPH0520323U (ja) | 1993-03-12 |
JP2580928Y2 JP2580928Y2 (ja) | 1998-09-17 |
Family
ID=13321813
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1991066644U Expired - Fee Related JP2580928Y2 (ja) | 1991-08-22 | 1991-08-22 | 気相成長装置 |
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Country | Link |
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EP (1) | EP0529982B1 (ja) |
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DE (1) | DE69205648T2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7163197B2 (en) | 2000-09-26 | 2007-01-16 | Shimadzu Corporation | Liquid substance supply device for vaporizing system, vaporizer, and vaporization performance appraisal method |
Families Citing this family (212)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5433780A (en) * | 1992-11-20 | 1995-07-18 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing apparatus and exhaust system that prevents particle contamination |
US5424097A (en) * | 1993-09-30 | 1995-06-13 | Specialty Coating Systems, Inc. | Continuous vapor deposition apparatus |
US6047713A (en) * | 1994-02-03 | 2000-04-11 | Applied Materials, Inc. | Method for cleaning a throttle valve |
US5685912A (en) * | 1995-06-20 | 1997-11-11 | Sony Corporation | Pressure control system for semiconductor manufacturing equipment |
US5556473A (en) * | 1995-10-27 | 1996-09-17 | Specialty Coating Systems, Inc. | Parylene deposition apparatus including dry vacuum pump system and downstream cold trap |
US5879808A (en) * | 1995-10-27 | 1999-03-09 | Alpha Metals, Inc. | Parylene polymer layers |
US5772771A (en) * | 1995-12-13 | 1998-06-30 | Applied Materials, Inc. | Deposition chamber for improved deposition thickness uniformity |
US5782942A (en) * | 1996-01-11 | 1998-07-21 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Filter system for semiconductor furnace |
US5851293A (en) * | 1996-03-29 | 1998-12-22 | Atmi Ecosys Corporation | Flow-stabilized wet scrubber system for treatment of process gases from semiconductor manufacturing operations |
US5769628A (en) * | 1996-05-03 | 1998-06-23 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Furnace exhaust system with regulator |
US6070551A (en) * | 1996-05-13 | 2000-06-06 | Applied Materials, Inc. | Deposition chamber and method for depositing low dielectric constant films |
US6332925B1 (en) * | 1996-05-23 | 2001-12-25 | Ebara Corporation | Evacuation system |
US6015463A (en) * | 1997-02-14 | 2000-01-18 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and system for trapping contaminants formed during chemical vapor deposition processing of semiconductor wafers |
US5806319A (en) * | 1997-03-13 | 1998-09-15 | Wary; John | Method and apparatus for cryogenically cooling a deposition chamber |
US5841005A (en) * | 1997-03-14 | 1998-11-24 | Dolbier, Jr.; William R. | Parylene AF4 synthesis |
US6051276A (en) * | 1997-03-14 | 2000-04-18 | Alpha Metals, Inc. | Internally heated pyrolysis zone |
US6383300B1 (en) * | 1998-11-27 | 2002-05-07 | Tokyo Electron Ltd. | Heat treatment apparatus and cleaning method of the same |
JP2001060578A (ja) * | 1999-08-20 | 2001-03-06 | Nec Corp | 真空処理装置 |
US6458212B1 (en) | 2000-03-13 | 2002-10-01 | Advanced Micro Devices, Inc. | Mesh filter design for LPCVD TEOS exhaust system |
DE10243022A1 (de) * | 2002-09-17 | 2004-03-25 | Degussa Ag | Abscheidung eines Feststoffs durch thermische Zersetzung einer gasförmigen Substanz in einem Becherreaktor |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
DE102013101706A1 (de) * | 2013-02-21 | 2014-09-04 | Aixtron Se | CVD-Vorrichtung sowie Verfahren zum Reinigen einer Prozesskammer einer CVD-Vorrichtung |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
JP7206265B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-17 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置 |
CN111316417B (zh) | 2017-11-27 | 2023-12-22 | 阿斯莫Ip控股公司 | 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置 |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
CN111630203A (zh) | 2018-01-19 | 2020-09-04 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法 |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
CN116732497A (zh) | 2018-02-14 | 2023-09-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法 |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
JP2021529254A (ja) | 2018-06-27 | 2021-10-28 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法 |
TW202405221A (zh) | 2018-06-27 | 2024-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法 |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102707956B1 (ko) | 2018-09-11 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
CN110970344B (zh) | 2018-10-01 | 2024-10-25 | Asmip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
JP7504584B2 (ja) | 2018-12-14 | 2024-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
TW202405220A (zh) | 2019-01-17 | 2024-02-01 | 荷蘭商Asm Ip 私人控股有限公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
TWI845607B (zh) | 2019-02-20 | 2024-06-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
TW202044325A (zh) | 2019-02-20 | 2020-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備 |
US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
TWI842826B (zh) | 2019-02-22 | 2024-05-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
KR20200108248A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
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JP2020167398A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
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JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
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USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
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JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
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US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
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CN112309843A (zh) | 2019-07-29 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
CN112323048B (zh) | 2019-08-05 | 2024-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
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US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
TWI846953B (zh) | 2019-10-08 | 2024-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理裝置 |
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US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
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US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
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JP7527928B2 (ja) | 2019-12-02 | 2024-08-05 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板処理装置、基板処理方法 |
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US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
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US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
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TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
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TW202212620A (zh) | 2020-06-02 | 2022-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202202649A (zh) | 2020-07-08 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202219628A (zh) | 2020-07-17 | 2022-05-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於光微影之結構與方法 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
US11725280B2 (en) | 2020-08-26 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers |
TW202229601A (zh) | 2020-08-27 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
KR20220045900A (ko) | 2020-10-06 | 2022-04-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치 |
CN114293174A (zh) | 2020-10-07 | 2022-04-08 | Asm Ip私人控股有限公司 | 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备 |
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US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
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USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3309844A (en) * | 1963-11-29 | 1967-03-21 | Union Carbide Corp | Process for adsorbing gases |
US4488506A (en) * | 1981-06-18 | 1984-12-18 | Itt Industries, Inc. | Metallization plant |
JPS58161775A (ja) * | 1982-03-19 | 1983-09-26 | Anelva Corp | 放電装置 |
JPS58182817A (ja) * | 1982-04-21 | 1983-10-25 | Hitachi Ltd | 低圧cvd装置 |
JPS6013071A (ja) * | 1983-07-01 | 1985-01-23 | Canon Inc | 気相法装置の排気系 |
JPS60114570A (ja) * | 1983-11-25 | 1985-06-21 | Canon Inc | プラズマcvd装置の排気系 |
JPS60198394A (ja) * | 1984-03-21 | 1985-10-07 | Anelva Corp | 真空処理装置の排気装置 |
JPH0699230B2 (ja) * | 1985-03-26 | 1994-12-07 | 株式会社東芝 | 有機金属熱分解法気相成長装置 |
CH663549A5 (en) * | 1985-07-15 | 1987-12-31 | Antoine Dubas | Eliminating toxic gases from semiconductor mfr. - by thermally decomposing them at low pressure and recovering non-gaseous residues |
JPH078758B2 (ja) * | 1987-05-28 | 1995-02-01 | 古河電気工業株式会社 | 気相エピタキシャル成長装置の排気方法 |
JPH01139125A (ja) * | 1987-08-24 | 1989-05-31 | Toshiba Corp | 排気処理装置 |
JPH01224214A (ja) * | 1988-03-02 | 1989-09-07 | Ebara Infilco Co Ltd | ヒドロキシアパタイトの製造方法 |
US4936877A (en) * | 1989-07-18 | 1990-06-26 | Advanced Technology Materials, Inc. | Dopant delivery system for semiconductor manufacture |
-
1991
- 1991-08-22 JP JP1991066644U patent/JP2580928Y2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-07-30 US US07/922,687 patent/US5250092A/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-08-21 EP EP92307682A patent/EP0529982B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-08-21 DE DE69205648T patent/DE69205648T2/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7163197B2 (en) | 2000-09-26 | 2007-01-16 | Shimadzu Corporation | Liquid substance supply device for vaporizing system, vaporizer, and vaporization performance appraisal method |
US7422198B2 (en) | 2000-09-26 | 2008-09-09 | Shimadzu Corporation | Liquid substance supply device for vaporizing system, vaporizer, vaporization performance appraisal method |
US7637482B2 (en) | 2000-09-26 | 2009-12-29 | Shimadzu Corporation | Liquid substance supply device for vaporizing system, vaporizer, vaporization performance appraisal method |
US7731162B2 (en) | 2000-09-26 | 2010-06-08 | Shimadzu Corporation | Liquid substance supply device for vaporizing system, vaporizer, vaporization performance appraisal method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69205648D1 (de) | 1995-11-30 |
EP0529982A1 (en) | 1993-03-03 |
DE69205648T2 (de) | 1996-03-21 |
EP0529982B1 (en) | 1995-10-25 |
JP2580928Y2 (ja) | 1998-09-17 |
US5250092A (en) | 1993-10-05 |
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