JPH051220U - 気相成長装置 - Google Patents

気相成長装置

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JPH051220U
JPH051220U JP4575991U JP4575991U JPH051220U JP H051220 U JPH051220 U JP H051220U JP 4575991 U JP4575991 U JP 4575991U JP 4575991 U JP4575991 U JP 4575991U JP H051220 U JPH051220 U JP H051220U
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vacuum pumps
pressure
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幸夫 香村
道生 高橋
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THE FURUKAW ELECTRIC CO., LTD.
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 リアクタ内の総排気量を既存の真空ポンプを
用いて上げることができる気相成長装置を提供する。 【構成】 リアクタ１の排気管２に２台の真空ポンプ４
ａ，４ｂを並列接続する。各真空ポンプ４ａ，４ｂの入
り口側には、絞り弁９ａ，９ｂをそれぞれ接続する。各
真空ポンプ４ａ，４ｂの入り口側には、圧力計１０ａ，
１０ｂをそれぞれ接続する。これら圧力計１０ａ，１０
ｂの検出圧力信号Ｐａ，Ｐｂと、リアクタ１の出口にお
ける圧力計７の検出圧力信号Ｐｏとを、制御器１１に入
力する。制御器１１により、排気量を同じになるように
真空ポンプ４ａ，４ｂを制御する。

Description

【考案の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本考案は、リアクタ内で気相成長法により基板に薄膜を形成する気相成長装置 に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
リアクタ内に配置したＧａＡｓ又はＩｎＰ等のIII ／Ｖ族化合物半導体基板上 に、ＡｓＨ3 ，Ｇａ（ＣＨ3 ）3 ，ＰＨ3 ，Ｉｎ（ＣＨ3 ）3 等の原料ガスを水 素ガスをキャリアガスとして流して該基板上に薄膜を形成する気相成長法は、Ｍ ＯＣＶＤ法等と呼ばれている。
【０００３】 この方法を実施する従来の気相成長装置は、図２に示すように、ガラス製のリ アクタ１内の図示しない小型のサセプタ上に１枚の基板を載せ、該サセプタを図 示しないヒータで700 〜800 ℃に加熱し、且つリアクタ１内を排気管２及び該排 気管２に接続した絞り弁３を介して真空ポンプ４で100 Torr以下に減圧し、この ようなリアクタ１内に原料ガスをメインライン５及びバルブ６を経て供給して減 圧下で基板上に薄膜を形成していた。即ち、この方法ではリアクタ１内を減圧す るすることで、該リアクタ１内の原料ガスの流速を早くしていた。
【０００４】 このような従来の気相成長装置は、小規模な試作品であったので、原料ガス量 は水素換算で50 l／min 以下であり、真空ポンプ４を１台用いることによってリ アクタ１内の真空引を行っていた。この場合の排気システムは、リアクタ１と真 空ポンフ４との間の排気管２に圧力計７を接続し、該圧力計７の圧力値が一定と なるように絞り弁３の開度を制御していた。例えば、リアクタ１内の圧力を80 T orr にするとき、真空ヘポンプ４の入り口における排気管２内のＡ部の圧力は、 50 Torr 以下にする。なお、８は圧力計７と絞り弁３との間で排気管２に接続さ れているベントラインである。
【０００５】
【考案が解決しようとする課題】
しかしながら、このような従来の気相成長装置で、一度に多量の基板上に薄膜 を成長させるためには、多くの基板を載せられるようにサセプタ，リアクタ１を 大型化すると共に多量の原料ガスを排気する設備が必要となる問題点があった。 また、膜厚の均一性を一定に保ち、排気側からの反応生成物の影響をなくすた めには、リアクタ１内の原料ガスの速度を大きくする必要がある。常圧でこれを 行うと、多量の原料ガスが必要であるので、流速を大きくするためには、やはり 減圧雰囲気にする必要がある。この場合、原料ガス量が水素換算で150 ｌ／min ，200 ｌ／min のように多くなり、しかもリアクタ１内は減圧にする必要がある が、そのような大容量の真空ポンプは製造が容易でない。
【０００６】 本考案の目的は、リアクタ内の総排気量を既存の真空ポンプを用いて上げるこ とができる気相成長装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成する本考案の構成を説明すると、本考案はリアクタ内を排気 管を経て真空ポンプで真空引きし、該リアクタ内にメインラインから気相成長用 のガスを供給して該リアクタ内の基板に薄膜を形成する気相成長装置において、 前記排気管に排気量を同じにして運転される複数台の真空ポンプが並列接続され ていることを特徴とする。
【０００８】
【作用】
このように排気管に、複数台の真空ポンプを並列接続すると、該真空ポンプの 並列接続台数を増減することにより、リアクタ内の総排気量を既存の真空ポンプ を用いて適宜増減することができる。また、これら並列接続の真空ポンプは、排 気量を同じにして運転するので、各真空ポンプ間の干渉を防止することができる 。
【０００９】
【実施例】 図１は、本考案に係る気相成長装置の一実施例を示したものである。なお、前 述した図２と対応する部分には、同一符号を付けて示している。
【００１０】 本実施例では、排気管２に２台の真空ポンプ４ａ，４ｂが並列接続されている 。各真空ポンプ４ａ，４ｂの入り口側には、絞り弁９ａ，９ｂがそれぞれ接続さ れている。また、各真空ポンプ４ａ，４ｂの入り口側には、圧力計１０ａ，１０ ｂがそれぞれ接続されている。これら圧力計１０ａ，１０ｂの検出圧力信号Ｐａ ，Ｐｂと、圧力計７の検出圧力信号Ｐｏとは、制御器１１に入力されるようにな っている。該制御器１１により、真空ポンプ４ａ，４ｂが制御されるようになっ ている。また、圧力計７の検出圧力信号Ｐｏは、制御器１２に入力されるように なっている。該制御器１２により、絞り弁３が制御されるようになっている。
【００１１】 メインライン５とベントライン８との間には、ブリッジ配管１３，１４が接続 されている。これらブリッジ配管１３，１４には、ガスをメインライン５側に流 すか、ベントライン８側に流すかの切換え制御を行うバルブ１５ａ，１５ｂ、１ ６ａ，１６ｂが接続されている。
【００１２】 バルブ１５ａ，１５ｂ間のブリッジ配管１３には、配管１７とマスフローコン トローラ（以下、ＭＦＣと称する）１８とを介してＶ族ボンベ１９が接続され、 該Ｖ族ボンベ１９からＡｓＨ3 （アルシン）の如き原料ガスがメインライン５又 はベントライン８に供給されるようになっている。
【００１３】 バルブ１６ａ，１６ｂ間のブリッジ配管１４には、配管２０とＭＦＣ２１とを 介してIII 族ボンベ２２が接続され、該III 族ボンベ２２からＴＭＧ（トリメチ ルガリウム）の如き原料ガスがメインライン５又はベントライン８に供給される ようになっている。III 族ボンベ２２は恒温槽２３内に収容され、温度が一定に 保持されるようになっている。
【００１４】 このような気相成長装置においては、Ｖ族ボンベ１９からＡｓＨ3 の如き原料 ガスをＭＦＣ１８で流量を制御してメインライン５に供給し、同時に、III 族ボ ンベ２２からＴＭＧの如き原料ガスをＭＦＣ２１で流量を制御してメインライン ５に供給する。該メインライン５には、キャリアガスとして水素を180 ｌ／min の流量で流す。これらのガスをリアクタ１に供給し、該リアクタ１内の圧力を20 0 Torr以下にする。リアクタ１内には、３インチＧａＡｓ基板を８枚載せたサセ プタを設置して置く。リアクタ１の直後の圧力計７の検出圧力信号Ｐｏを制御器 １２に入力し、この検出圧力信号Ｐｏに応じて該制御器１２により絞り弁３を制 御する。また、圧力計１０ａ，１０ｂの検出圧力信号Ｐａ，Ｐｂと、圧力計７の 検出圧力信号Ｐｏとを制御器１１に入力し、各信号Ｐａ，Ｐｂ，Ｐｏに応じて該 制御器１１により真空ポンプ４ａ，４ｂの回転数を制御する。
【００１５】 真空ポンプ４ａ，４ｂの排気能力は、回転数が同じだとアンバランスとなり、 いずれかの真空ポンプが過負荷になったり、極端な場合には逆流が生じたりする 。そこで、制御器１１では、検出圧力信号Ｐａ，Ｐｂが同じになり、検出圧力信 号Ｐｏが一定となるように制御する。このように制御すると、真空ポンプ４ａ， ４ｂの排気量が同じになり、これら真空ポンプ４ａ，４ｂ間の干渉を防止するこ とができる。
【００１６】 具体例 リアクタ１内圧力；320 Torr 原料ガス総供給量（水素換算）；180 ｌ／min （リアクタへの供給量） 排気管２内径；２インチ Ｐａ＝Ｐｂ＝200 Torr 本考案の気相成長装置では、上記のように絞り弁３の開度を制御する制御方法 の他に、排気管２内に外部から補償ガスを供給して制御する制御方法もある。
【００１７】 真空ポンプ４ａ，４ｂとしては、油回転ポンプ又は定容積型回転式排気ポンプ 等を用いることができる。
【００１８】 また、本考案の気相成長装置では、真空ポンプ４ａ，４ｂの回転数を制御する 制御方法以外に、これら真空ポンプ４ａ，４ｂの入り口側にそれぞれ絞り弁を設 け、これら絞り弁の開度を制御する制御方法も考えられる。
【００１９】 なお、並列接続する真空ポンプの数は、２台に限定されるものではなく、リア クタ１内への供給ガス量等に応じて適宜の台数を用いることができる。
【００２０】
【考案の効果】
以上説明したように本考案に係る気相成長装置は、リアクタの排気管に複数台 の真空ポンプを並列接続したので、これら真空ポンプの並列接続台数を増減する ことにより、リアクタ内の総排気量を既存の真空ポンプを用いて適宜増減するこ とができる。また、これら並列接続の真空ポンプは、排気量を同じにして運転す るので、各真空ポンプ間の干渉を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本考案に係る気相成長装置の一実施例の結線図
である。
【図２】従来の気相成長装置の一実施例の結線図であ
る。
【符号の説明】
１…リアクタ、２…排気管、３…絞り弁、４，４ａ，４
ｂ…真空ポンプ、５…メインライン、７…圧力計、８…
ベントライン、９ａ，９ｂ…絞り弁、１０ａ，１０ｂ…
圧力計、１１，１２…制御器、１７，２０…配管、１
８，２１…マスフローコントローラ（ＭＦＣ）、１９…
Ｖ族ボンベ、２２…III 族ボンベ、２３…恒温槽。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 【請求項１】 リアクタ内を排気管を経て真空ポンプで
    真空引きし、該リアクタ内にメインラインから気相成長
    用のガスを供給して該リアクタ内の基板に薄膜を形成す
    る気相成長装置において、前記排気管に排気量を同じに
    して運転される複数台の真空ポンプが並列接続されてい
    ることを特徴とする気相成長装置。
JP1991045759U 1991-06-18 1991-06-18 気相成長装置 Expired - Lifetime JP2556625Y2 (ja)

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JP2556625Y2 JP2556625Y2 (ja) 1997-12-08

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010284592A (ja) * 2009-06-11 2010-12-24 Sharp Corp 真空処理装置
JP2013026364A (ja) * 2011-07-20 2013-02-04 Nuflare Technology Inc 気相成長方法及び気相成長装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63266073A (ja) * 1987-04-24 1988-11-02 Canon Inc マイクロ波プラズマｃｖｄ装置
JPS6421080A (en) * 1987-07-17 1989-01-24 Sumitomo Metal Ind Plasma cvd device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63266073A (ja) * 1987-04-24 1988-11-02 Canon Inc マイクロ波プラズマｃｖｄ装置
JPS6421080A (en) * 1987-07-17 1989-01-24 Sumitomo Metal Ind Plasma cvd device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010284592A (ja) * 2009-06-11 2010-12-24 Sharp Corp 真空処理装置
JP2013026364A (ja) * 2011-07-20 2013-02-04 Nuflare Technology Inc 気相成長方法及び気相成長装置

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