JPH0514791B2 - - Google Patents

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JPH0514791B2
JPH0514791B2 JP63283515A JP28351588A JPH0514791B2 JP H0514791 B2 JPH0514791 B2 JP H0514791B2 JP 63283515 A JP63283515 A JP 63283515A JP 28351588 A JP28351588 A JP 28351588A JP H0514791 B2 JPH0514791 B2 JP H0514791B2
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Sumunitsu Furantsu
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ESU II ZETSUTO SEMIKONDAKUTAA IKUIPUMENTO TSUBEHEEA FUYUA JI HARUBURAITAA FUERUTEIGUNGU GmbH
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ESU II ZETSUTO SEMIKONDAKUTAA IKUIPUMENTO TSUBEHEEA FUYUA JI HARUBURAITAA FUERUTEIGUNGU GmbH
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Publication date
Application filed by ESU II ZETSUTO SEMIKONDAKUTAA IKUIPUMENTO TSUBEHEEA FUYUA JI HARUBURAITAA FUERUTEIGUNGU GmbH filed Critical ESU II ZETSUTO SEMIKONDAKUTAA IKUIPUMENTO TSUBEHEEA FUYUA JI HARUBURAITAA FUERUTEIGUNGU GmbH
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Publication of JPH0514791B2 publication Critical patent/JPH0514791B2/ja
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/08—Apparatus, e.g. for photomechanical printing surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Holding Or Fastening Of Disk On Rotational Shaft (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Photographic Processing Devices Using Wet Methods (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、対象に面した、好ましくは円形をし
た支持器の表面の中にあり、この支持器と円形板
の対象との間にガスのポルスタ（クツシヨン）を
作り出す為に圧縮ガスを当てる事がでひ、且つそ
の出口の開口部が支持器の対象の方に面した表面
と鋭角を成している、少なくとも一つのノズル、
及び支持器の対象の方に面した表面の上に配置さ
れた、円形板の対象を横から支える為の当たり止
め、を備えた；円形の対象、とりわけケイ素円
板、をエツチングする間、これらの対象を支持す
るための支持器に係わる。
円板形対象を加工する場合、例えばケイ素円板
（ウエハー）を様々な酸を用いて片面エツチング
する場合にこれ迄は、板の処理されてはならない
側の面、即ち、ケイ素円板のエツチングされては
ならない側の面は、特別な措置によつてエツチ液
の作用から保護する事が必要であつた。
1968年７月のIBM TECHNICAL
DISCLOSURE、BULLETIN、第11巻、第２号
には、ベルヌーイの原理によつて働く、ウエハー
を収容する為の装置が知られているが、この装置
では中央のカナルを通してガスが送られ、且つこ
のガスはウエハーの縁の内側に配置されているリ
ング状のノズルによつて再び取り除かれる。従つ
て支持器の本体とウエハーとの間にガスの出口は
備えられていない。
この事は、1977年７月のIBM TECHNICAL
DISCLOSURE、BULLETIN、第20巻、第２号
に示されている装置に対しても当てはまるが、こ
れを知る為にはとりわけその中の図２（Fig.2）
を参照すると良い。
US−Ａ−３ 523 706及びこの件に関しては本
質的にこれと同じ内容である1975年11月のIBM
TECHNICAL DISCLOSURE、BULLETIN、
第18巻、第６号にはそれぞれ、ベルヌーイの原理
によつて働く、円板を収容する為の装置が示され
ているが、これらの装置にはUS−Ａ−３ 523
706の図１ａから理解される様に、収容する為の
装置の収容されるべき円板の方に面した表面に対
して斜めに向けられた複数のノズルが備えられて
いる。
従つて、これらの既知の装置は円板の下面に向
かつて処理用流体の侵入を少なくするには適して
いない。
本発明は、円板形の対象の処理されてはならな
い側の面を特別な措置によつて処理液による作用
から保護する必要無しに、円板形の対象、とりわ
けケイ素円板を処理する事の出来る、冒頭に述べ
られた種類の支持器を提案する事を課題としてい
る。
本発明によれば上記の課題は、ノズルがリング
ノズルである事、及び支持器が回転対称の二つの
同軸の部分から成り立つている事、並びにこれら
の二つの部分の間にリング形のスペースが備えら
れていて、このスペースが上記のリングノズルに
向かつて口を開いている事、によつて解決され
る。
本発明の支持器によれば一方では処理されるべ
き円板形の対象が、支持器の上にそれ自体面と面
をくつつけて載せられる事無しに、この上に確実
に保持される。更に、支持器に送り込まれ、ノズ
ルから出てくるガスが対象の下側にガスのポルス
ター（クツシヨン）を作りだすので、処理される
べき対象の縁から流れ出してくる液体が円板形対
象の処理されてはならない下側面へ到達する事が
出来ず、円形板の対象の縁から遠くへ吹き飛ばさ
れると云う事を生ぜしめる。本発明の支持体を使
用すると、処理液が毛管現象によつて円形板対象
の方に面した支持器の表面と円形板対象との間に
吸い込まれる事が無いと云う事が保証される。
とりわけ、ケイ素基板の処理の場合にはこの基
盤は一般に円形をしているので、本発明に基づい
て備えられるリングノズルがとりわけ有利であ
る。
本発明の枠の中で、複数のリング状に配置され
た個別ノズルが備えられているが、域いは１本の
連続したリングノズルが備えられているかと云う
事には関係無しに、ノズルの出口の開口部が、対
象の方に面した支持体の表面と鋭角αをなしてい
る事が有利である。この装置によつて、アエロダ
イナミツクなパラドクソン（Paradoxon）を使
用した時に、ノズルから流れ出て来るガスの圧力
とは全く無関係に、円形板の対象の方に面した支
持体の表面からの円板形の対象の距離を一定に保
つ事が保証される。
本発明の枠の中で、支持器が中空に作られたシ
ヤフトの端に配置されているときには、このシヤ
フトの内側のスペースが圧縮ガスを吹き付けるた
めに支持器の２つの部分の間のスペースと結合さ
れると云う事が保証される。この様にしてノズル
への圧縮ガスの供給がとりわけ簡単になる。
更に本発明の枠の中で、支持器の外側の構成部
分が、支持器の対象の方を向いた面の、ラジアル
方向に見て外側の領域を形成しているリング面を
備えており、その際この部分が好ましくはプラス
チツクから作られている。と云う事を提案する事
が出来る。この様な場合には更に、内側の部分
が、支持器の、対象の方を向いた面のラジアル方
向に見て内側の領域を形成している円形面を備え
ており、その際この部分が好ましくは金属で作ら
れているのが有利である。この様にする事によつ
て、支持器の非常に細長く作られるリングノズル
をとりわけ簡単なやり方で作ることが出来る。
本発明の枠の中で提案されている様に、支持器
の、対象１１の方を向いた面の縁部に沿つて、こ
の縁部全体に渡つて均等に配分されて、上へ向か
つて突出した回し金（Nocke）が対象の為の当
り止めとして備えられていれば、横方向の支え
が、ノズルからの、又円形板の対象の縁と支持器
の、この対象の方を向いた面との間からの、圧縮
ガスの流出を妨げる事が無い。
回し金の配置に当つては、処理されるべき円板
を必要に応じて回し金と回し金の間でクランプす
る事が出来る様にする為に、回し金をラジアル方
向に移動させる事が出来る様にすると有利であ
る。この為には回し金を偏心板（Exzenter）と
して作り、これに、簡単にする為に１つの共通の
回転の為の駆動装置（例えばリングギヤ／ピニオ
ン）を割当る事が出来る。
本発明の支持器の回転運動はとりわけ、支持器
のシヤフトに、支持器を、鉢の中心軸と一致して
いるこの支持器の軸を中心として回転させるため
にモータを割り当てる、と云う事によつて達成さ
れる。
本発明の枠の中で提案されている様に、支持器
の為のシヤフトは中空に作られており又このシヤ
フトが圧縮ガスのソース（源）に接続されていれ
ば、圧縮ガスの供給はとりわけ簡単となる。
更に又、鉢の内側のスペースの中に配置された
支持器の上に少なくとも１本のパイプが口を開い
ており、このパイプを通じて支持器に処理液を供
給する事が出来ると云う事が提案される。この場
合には１本のパイプを洗浄水、好ましくは脱イオ
ン又は蒸留水を供給する為に又少なくとも１本、
好ましくは２本、のパイプを少なくとも１つの酸
の供給のために用意すると云う事が奨められる。
本発明のその他の詳細及びメルクマールは、図面
に略図的に示された実施例に基づく以下の説明に
よつて明らかになるであろう。
図面について、 第１図は支持器の一部断面図、 第２図は支持器のこの部分の平面図、 第３図は、第４図に示されている、軸受けユニ
ツトと駆動モータとを備えた支持器の別の実施態
様の、線−による断面図、 第４図は、第３図の支持器の平面図、但し判り
易くする為に支持器の部分は描かれていない、 である。
第１図に示されている支持器１は回転対称形に
作られており、且つ内側の、好ましくは金属で作
られた部分２と外側の、ほぼ鉢形をした、好まし
くはプラスチツクから作られた部分３から成り立
つている。内側の部分２は突起（Ansatz）４に
よつて、外側の部分３の、上方を向いている面５
の上に載せられているので、部分２と３のお互い
同士の相対位置が確定されている。
支持器１の２つの部分２と３との間にはスペー
ス６が備えられており、この中へ、中空に作られ
たシヤフト７を介して、圧力を加えられたガス、
例えば空気又は窒素、を送り込む事が出来る。こ
のスペース６はリングノズル８の中へ口を開いて
おり、このリングノズルの、部分２と３によつて
形成された境界壁は支持器１の上側の面と鋭角を
なしている。
支持器１の上側の端面は部分３の円環面９と部
分２の円形の面１０から作られている。この円環
面９と円形の面１０との間にはリングノズル８が
支持器１の上面に口を開いている。
円環面９から上へ向かつて突出している回し金
（Nocke）９′は支持器１の上に配置された円板
形対象１１を横方向に支える為に用いられる。こ
の円板形対象１１は、中空シヤフト７を介して供
給され且つノズル８から出て来るガスによつて支
持器１の、この対象の方を向いた面９，１０の領
域Ｄにガスが流れ出して来た時に低圧が作られ、
この低圧によつて円板形対象１１が低く保持さ
れ、リングノズル８から流れ出して来るガスによ
つて吹き飛ばされてしまう事が無い。その際、こ
の間隔Ｓは、スペース６から送り込まれ、リング
ノズル８から流れ出して来るガスの圧力とは全く
無関係となる、と云う利点が生まれる。
第１図には更に、円板形の対象の上にパイプ１
２が口を開いており、このパイプによつて円板形
対象１１の上側の面に処理液１３、例えばケイ素
円板をエツチングする為の酸を供給する事が出来
る、と云う事が示されている。第１図には又、円
板形対象１１の上に送られた処理液はこの対象の
上側の面の上に液体の薄膜を作り、この面全体に
わたるこの薄膜の厚さと均一性は処理液の供給量
と、支持器１の軸１４を中心とする支持器１の回
転数に依存していると云う事も示されている。処
理液の薄膜は円板形対象１１の外辺の上で引きち
ぎられ、且つそのしずく１５は更に、第１図に示
されている様に、リングノズル８から流れ出して
来るガスによつて遠くへ吹き飛ばされるので、円
板形対象１１の下側の面が処理液によつて濡らさ
れると云う事が無い。
第３図及び第４図に示されている変形の実施例
場合には、部分２が回転円板上部２″とフタ２′に
よつて置換えらている。フタ２′は円形面１０を
形成し又回転円板上部２″は円環面９を形成して
いる。リングノズル８は回転円板上部２″とフタ
２′との境界壁から形成されている。回転円板上
部２″と部分３との間にはリングギヤ５３と、回
し金９′とピニオン５２の付いたシヤフト５０と
が取付けられている。このシヤフト５０のピニオ
ン５２とリングギヤ５３は互いにかみ合わされて
いる。回し金９′はシヤフト５０の上に偏心させ
て配置されているので、中心軸１４から回し金
９′のラジアル方向の距離はリングギヤ５３によ
つてシヤフト５０の回転によつて変化させる事が
出来る。
回転円板上部２″は２本の取り付けピン６８と
詳しくは描かれていないスナツプとによつて部分
３の上に取付けられている。
フタ２′は突起４によつて支持器１の、上の方
を向いた面５と円筒形の面５′の上に載せられて
いるので、フタ２′と外側の部分３との間の相対
位置が確定されている。フタ２′と外側の部分３
は４本のネジ６９によつて軸方向に互いにしつか
りと結合されている。フタ２′の突起４と外側の
部分３の表面との間に座金を挿入する事によつ
て、外側の部分３に対するフタ２′の相対位置を
軸方向に変化させる事が出来、これによつてフタ
２′と回転円板上部２″との間のリング状の間隔８
の幅を変化させる事が出来る。
シヤフト５０の上での回し金９′の回転はリン
グギヤ５３を介して行なわれる。このリングギヤ
５３の駆動はロツド５６を通じて中空のシヤフト
７によつて行なわれる。このロツド５６はその両
端がリングギヤ５３にあけられている穴とシヤフ
ト７の端部５４に備えられているスリツト５５の
中に取付けられている。シヤフト７の端部５４に
対して口を開き、且つシヤフト７の軸方向の面の
中にある上記のスリツト５５は、シヤフト７を容
易にロツド５６の上へ引き上げる事を可能にして
いる。更にそれによつて、フタ２′を外側の部分
３に対してリング状の間隔８の幅を変える為に、
軸方向にスライドさせる事が出来るようになつて
いる。
ロツド５６によるリングギヤ５３の回転を可能
にする為に、外側の部分３の上側に円環形の凹所
５７が備えられており、この中をロツド５６が中
心軸１４を中心として回転する際に動くことが出
来る。この凹所５７は特に図５に示されている
が、この図では、判り易くする為に、フタ２′と
回転円板上部２″が省略されている。
中空シヤフト７を外側の部分３の中に軸方向に
しつかりと取付ける為に、シヤフト７の中にリン
グ溝５９が、又外側の部分３の中の、シヤフト７
の為の穴の中にリング溝５８が、それぞれ合い向
かいあわせて備えられている。更に外側の部分３
の中には互いに平行な、部分３を貫通している２
つの穴６１が備えられている。これらの穴はシヤ
フト７の両側にあつて、それらの中心軸がシヤフ
ト７と接しており、且つリング溝５８及び５９を
通つて貫通している。穴６１の中へはバネピン６
２が挿入されており、これらのピンはリング溝５
８，５９を通して突出し、これによつて中空シヤ
フト７が軸方向に外側の部分３に対して移動する
のを防止している。穴６１の外側の端部はバネピ
ン６２が外れて落ちてしまうのを防止する為に、
例えば溶接することが出来る。この固定装置の本
発明に基づく実施態様によつて、支持器の運転の
際に生じるよりも大きな力を加える事によつて、
支持器１をシヤフト７から軸方向に引き出すこと
が出来、その際にはバネピン６２はシヤフト７の
リング溝５９から外へ押し出される。
支持器１の外側の部分３の下側の端部は軸受ユ
ニツト７０の中へ突出し、このユニツトの中でシ
ヤフト７は２つの軸受７７，７８によつて取付け
られている。支持器１の下側の端部は軸受ユニツ
ト７０の上端の中へ挿入されている。支持器１の
下側の端部と軸受ユニツト７０の上端との間には
ホースブレーキ７１が配置されており、このホー
スブレーキは支持器１の下側の端部の周囲を取り
巻いている。軸受ユニツト７０の上端は、このホ
ースブレーキ７１が滑つて外れてしまうのを防止
する円関係のフタ７９によつて閉じられている。
中空シヤフト７の中への圧縮ガスの送入は２つ
の軸受７７と７８の間の軸受ユニツト７０の中で
行なわれる。その為に、２つのラビリンスパツキ
ン７２，７３、軸受ユニツト７０の容器の壁７５
の内側の面に突合せになつているスリープ７４、
及びシヤフト７によつて境界づけられたリングス
ペース７６が備えられている。このリングスペー
ス７６は穴８０によつてシヤフトの中の穴と結合
されている。リングスペース７６の中への圧縮ガ
スの送入は容器の壁７５の中へネジ込まれている
接続部品８１を介して容器の壁７５の穴とスリー
ブ７４の凹所を通して行なわれる。
中空シヤフト７はその下側の端部８２でクラツ
チ８３を介して、軸受ユニツト７０の上に取付け
られているモータ２３と結合されている。
回し金９′は、例えば図５の中に示されている、
ラジアル方向に見て最も内側の位置にある。支持
器１は、この時回転運動から静止状態まで制動さ
れる。ホースブレーキ７１に圧力が加えられ、支
持器１を軸受ユニツト７０に対するその相対位置
に固定して保持している。そこでモータ２３が少
し作動回転方向と反対の回転方向へ回転する。こ
の運動はシヤフト７とロツド５６を通じてリング
ギヤ５３へ伝達される。ロツド５６がその際、外
側の部分３の中の円環形の凹所７５の中も動く。
外側の部分３又はフタ２′及び回転円板上部２″に
対するリングギヤ５３の回転運動によつて、シヤ
フト５０の上のピニオン５２を介して、回し板
９′がその作動位置から出てラジアル方向に見て
更に外側にある位置へと回転される。今や円板形
の対象１１を簡単に交換する事が可能である。続
いてモータ２３は再びその作動回転方向へ回転し
始める。その際ホースブレーキは、なお短い時間
の間、圧力が加えられたままの状態に保たれる。
これによつて生まれる支持器１に対するリングギ
ヤ５３の相対運動によつて、回し板９は再びそ
の、ラジアル方向に見て内側の位置へと回転され
る。ホースブレーキ７１は再び開放され、今や、
取付けられた円板形の対象１１の加工を実施する
事が出来る。
回し金９の開閉運動は、外側の部分３とリング
ギヤ５３との間で働く２本の板バネ６３によつて
支援される。これら２枚の板バネ６３は、一方の
端部６４の外側の部分３の中のスリツトの中へ押
し込まれている。板バネ６３のもう一方の端部６
５は、リングギヤ５３の中の凹所６６の中にかみ
合わされている。その際、これらの２枚の板バネ
には、好ましくはプレストレスが加えられてい
る。バネ６３の運動を可能にする為に、外側の部
分３に、リングギヤ５３の中の凹所６６に相対向
している凹所６７が備えられている。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の装置である支持器の一部断
面図であり、第２図は第１図における支持器の部
分平面図であり、第３図は、第４図に示されてい
る、軸受けユニツトと駆動モータとを備えた支持
器の別の実施態様の、線−による断面図、第
４図は、第３図の支持器の平面図、但し判り易く
する為に支持器の部分は描かれていない、であ
る。 １……支持器、２……内側、２′……フタ、
２″……回転円板上部、３……外側、６……スペ
ース、７……シヤフト、８……リングノズル、９
……円環面、９′……回し金（Nocke）、１０…
…円形面、１１……円板形の対象、１２……パイ
プ、１４……軸、２０……鉢（Topf）、２１……
スペース、２３……モータ、２４……スリーブ、
５２……ピニオン、５３……リングギヤ、５４…
…端部、５５……スリツト、５６……ロツド、５
７……凹所、５８，５９……リング溝、６２……
バネピン、６３……板ばね、７０……軸受けユニ
ツト、７１……ホースブレーキ、７２，７３……
ラビリンスパツキン、７４……スリーブ、７６…
…リングスペース、７７，７８……軸受け、８１
……接続部品。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 支持器１の対象１１の方に面した、好ましく
    は円形の表面９，１０の中に；支持器１と円形板
    の対象１１との間にガスのポルスター（クツシヨ
    ン）を作る為に圧縮ガスを当てる事が出来、且つ
    その出口の開口部が支持器１の、対象１１の方に
    面した表面９，１０と鋭角αをなしている、少な
    くとも１本のノズル８；及び支持器１の、対象１
    １の方に面した表面９，１０の上に配置された、
    円形板の対象１１を横方向に支える為の当たり止
    め９′；を備えた、円形板の対象１１、とりわけ
    ケイ素円板、をエツチングする間、これらの対象
    を支持する為の支持器１にして、上記のノズルが
    リングノズル８である事、及び支持器１が回転対
    称の２つの同軸の部分２，３から成り立つている
    事、並びにこれらの２つの部分２，３の間にリン
    グ形のスペース６が備えられていて、このスペー
    スが上記リングノズル８に向かつて口を開いてい
    る事、を特徴とする支持器。 ２ 上記のリング形のスペース６がフタ２′と回
    転円板上部２″によつて境界づけられている事を
    特徴とする、請求の範囲１に記載の支持器。 ３ 上記の支持器１が中空に作られたシヤフト７
    の端に配置されており、このシヤフトの内部スペ
    ースが圧縮ガスを当てる為に支持器１の２つの部
    分２，３の間のスペース６と接続されている事を
    特徴とする、請求の範囲１又は２に記載の支持
    器。 ４ 支持器の外側の構成部分３が、支持器１の、
    対象１１の方を向いた面の、ラジアル方向に見て
    外側の領域を形成しているリング面９を備えてお
    り、その際、部分３が好ましくはプラスチツクか
    ら作られている事、また、内側の部分２が、支持
    器１の、対象１１の方を向いた面の、ラジアル方
    向に見て内側の領域を形成している円形面１０を
    備えており、その際、部分２が好ましくは金属で
    作られている事を特徴とする、請求の範囲１から
    ３までのいずれかに記載の支持器。 ５ 支持器１の対象１１の方を向いた面９，１０
    の縁部に沿つて、この縁部全体にわたつて均等に
    配分されて、上へ向かつて突出した、それ自体既
    知の回し金が対象１１の為の当たり止め９′とし
    て備えられている事を特徴とする、請求の範囲１
    から４までのいずれかに記載の支持器。 ６ 回し金である当たり止め９′が支持器１の中
    心軸１４に対してラジアル方向に移動させる事が
    出来る事を特徴とする、請求の範囲５に記載の支
    持器。 ７ 回し金である当たり止め９′が支持器１の中
    に回転出来るように取り付けられているシヤフト
    ５０の上に、その回転軸５１から中心をずらして
    配置されている事を特徴とする、請求の範囲６に
    記載の支持器。 ８ 上記シヤフト５０が、支持器１の中にこの中
    心軸１４を中心として回転させることが出来るよ
    うに取り付けられているリングギヤ５３とかみあ
    つているピニオン５２を支えている事を特徴とす
    る、請求の範囲７に記載の支持器。 ９ 上記のリングギヤ５３がシヤフト７とロツド
    ５６によつて回転しないように結合されている事
    を特徴とする、請求の範囲７に記載の支持器。 １０ フタ２′の中に取り付けられているシヤフ
    ト７の端部５４に少なくとも１つのスリツト５５
    が備えられており、このスリツトがシヤフト７の
    端部５４に向かつて開いており、且つ中心軸１４
    の中にある面の中にある事を特徴とする、請求の
    範囲９に記載の支持器。 １１ ロツド５６がシヤフト７のスリツト５５の
    中へ挿入されている事を特徴とする、請求の範囲
    １０に記載の支持器。 １２ ロツド５６がその両端によつてリングギヤ
    ５３の中に開けられている穴の中へ挿入されてい
    る事を特徴とする、請求の範囲９に記載の支持
    器。 １３ 外側の部分３に、中心軸１４を中心とする
    リングギヤ５３の回転の際のロツド５６の運動の
    為の円環形の開口部５７が備えられている事を特
    徴とする、請求の範囲１から１２までのいずれか
    に記載の支持器。 １４ 外側の部分３に、シヤフト７の為の穴の中
    にリング状の溝５８、シヤフト７の上にリング状
    の溝５９、又外側の部分３の中に、中心軸がシヤ
    フト７に接している、外側の部分３によつて貫通
    された、互いに平行な２つの穴６１、がそれぞれ
    備えられており、その際リング状の溝５８，５９
    と穴６１が中心軸１４に対して垂直な平面の中に
    ある事を特徴とする、請求の範囲１から１３まで
    のいずれかに記載の支持器。 １５ 上記の穴６１の中へバネ鋼製のピン６２が
    挿入されており、このピンがリング溝５８，５９
    を通して突出している事を特徴とする、請求の範
    囲１４に記載の支持器。 １６ 少なくとも１枚、好ましくは２枚、の板バ
    ネ６３が備えられており、この板バネが一方の端
    部６４で外側の部分３の中へ押し込まれ又もう一
    方の端部６５でリングギヤ５３の開口部６６の中
    へ挿入されており、その際これらの板バネにプレ
    ストレスがかけられている事を特徴とする、請求
    の範囲１から１５までのいずれかに記載の支持
    器。 １７ 外側の部分３に開口部６７が備えられてお
    り、この開口部がリングギヤ５３の開口部６６と
    向かいあつている事を特徴とする、請求の範囲１
    ６に記載の支持器。 １８ 外側の部分３が回転円板の上側部分２″と
    少なくとも１本、好ましくは２本の取り付けピン
    ６８によつて回転しないように結合されている事
    を特徴とする、請求の範囲１から１７までのいず
    れかに記載の支持器。 １９ 外側の部分３がフタ２′と少なくとも１本、
    好ましくは４本の平頭ネジ６９によつて結合され
    ている事を特徴とする、請求の範囲１から１８ま
    でのいずれかに記載の支持器。 ２０ モータ２３とシヤフト７との為の軸受ユニ
    ツト７０と外側の部分３との間に、外側の部分３
    の周囲を取り巻く、リング形のチユーブブレーキ
    ７１が備えられている事を特徴とする、請求の範
    囲１から１９までのいずれかに記載の支持器。 ２１ 中空シヤフト７の中へ圧縮ガスを送り込む
    為にリング状のスペース７６が備えられており、
    このスペースが２つのラビリンスパツキン７２，
    ７３、軸受ユニツト７０の容器の壁７５の内側に
    突合せられているスリーブ７４、及び、穴を通じ
    て中空シヤフト７と結合されているシヤフト７に
    よつて境界づけられている事を特徴とする、請求
    の範囲１から２０までのいずれかに記載の支持
    器。
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