JPH02194872A - 塗布装置 - Google Patents
塗布装置Info
- Publication number
- JPH02194872A JPH02194872A JP1343389A JP1343389A JPH02194872A JP H02194872 A JPH02194872 A JP H02194872A JP 1343389 A JP1343389 A JP 1343389A JP 1343389 A JP1343389 A JP 1343389A JP H02194872 A JPH02194872 A JP H02194872A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- resist
- peripheral edge
- wafer
- mounting plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 29
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000002277 temperature effect Effects 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は塗布装置に関する。
(従来の技術)
塗布装置、たとえば半導体製造におけるレジスト塗布工
程において用いられる塗布装置では、次のようなものが
ある。
程において用いられる塗布装置では、次のようなものが
ある。
すなわち、鉛直方向に回転軸を有するモータの回転軸に
、円板状のウェハチャックが水平に連結され、このウェ
ハチャックの上方には、レジストを滴下するためのレジ
スト滴下ノズルが配置されたものである。
、円板状のウェハチャックが水平に連結され、このウェ
ハチャックの上方には、レジストを滴下するためのレジ
スト滴下ノズルが配置されたものである。
このような塗布装置は、ウェハチャック上に水平に吸着
保持された半導体ウェハ表面上に、レジスト滴下ノズル
からレジストを滴下し、モータによってウェハチャック
を高速回転して遠心力を作用させることにより、滴下し
たレジストを半導体ウェハ表面上に均一に塗布しようと
するものである。
保持された半導体ウェハ表面上に、レジスト滴下ノズル
からレジストを滴下し、モータによってウェハチャック
を高速回転して遠心力を作用させることにより、滴下し
たレジストを半導体ウェハ表面上に均一に塗布しようと
するものである。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、上記のような従来の塗布装置では、一般
にウェハチャックの直径が半導体ウェハの直径より小さ
いので、次のような不具合が生じ易かった。
にウェハチャックの直径が半導体ウェハの直径より小さ
いので、次のような不具合が生じ易かった。
(1)レジストミストが半導体ウェハの裏面へ廻り込ん
でしまい、これを除去するために、さらに裏面洗浄処理
を行なう必要がある。
でしまい、これを除去するために、さらに裏面洗浄処理
を行なう必要がある。
(2)半導体ウェハの、ウェハチャックが吸着している
中央部分と、それ以外の周辺部分との間に温度差が生じ
、この温度影響により塗布されたレジストの粘度にも粘
度差が生じることにより、レジスト塗布の均一性が損わ
れる。
中央部分と、それ以外の周辺部分との間に温度差が生じ
、この温度影響により塗布されたレジストの粘度にも粘
度差が生じることにより、レジスト塗布の均一性が損わ
れる。
(3)半導体ウェハが高速回転されているときに急停止
されるようなことがあると、ウェハチャックの吸着力が
不十分なために、半導体ウェハがウェハチャックからず
れてしまう。
されるようなことがあると、ウェハチャックの吸着力が
不十分なために、半導体ウェハがウェハチャックからず
れてしまう。
本発明は上記ような問題を解決すべくなされたもので、
その目的とするところは、レジストミストが半導体ウェ
ハの裏面へ廻り込んでしまうことがなく、また、半導体
ウェハの中央部と周辺部との間に温度差が生じることが
抑制され、したがって半導体ウェハ表面上のレジストの
均一性が向上される塗布装置を提供することにある。
その目的とするところは、レジストミストが半導体ウェ
ハの裏面へ廻り込んでしまうことがなく、また、半導体
ウェハの中央部と周辺部との間に温度差が生じることが
抑制され、したがって半導体ウェハ表面上のレジストの
均一性が向上される塗布装置を提供することにある。
[発明の構成〕
(課題を解決するための手段)
前記目的を達成するために本発明は、被処理体を載置す
る載置板と、前記被処理体を前記載置板に保持する保持
機構と、前記載置板を支持するとともに当該載置板を回
転する回転機構とを具備する塗布装置において、前記載
置板上面に、少なくとも前記被処理体の裏面の外周部が
当接可能な当接部を設けたことを特徴とする。
る載置板と、前記被処理体を前記載置板に保持する保持
機構と、前記載置板を支持するとともに当該載置板を回
転する回転機構とを具備する塗布装置において、前記載
置板上面に、少なくとも前記被処理体の裏面の外周部が
当接可能な当接部を設けたことを特徴とする。
(作 用)
本発明では、被処理体の裏面の外周部には、載置板表面
に設けられた当接部が当接されるので、塗布材料が被処
理体の裏面へ廻り込んでしまうことがなく、また、被処
理体の中央部と周辺部との間に温度差が生じることが抑
制される。
に設けられた当接部が当接されるので、塗布材料が被処
理体の裏面へ廻り込んでしまうことがなく、また、被処
理体の中央部と周辺部との間に温度差が生じることが抑
制される。
(実施例)
以下図面に基づいて本発明装置を、被処理体たとえば半
導体ウェハに塗布材料たとえばレジストを塗布する塗布
装置に適用した一実施例を詳細に説明する。
導体ウェハに塗布材料たとえばレジストを塗布する塗布
装置に適用した一実施例を詳細に説明する。
第1図に示されるようにこの塗布装置は、図示しない回
転機構の鉛直方向の回転軸に連結された回転ロッド1に
、半導体ウェハ3を載置する載置板たとえば円板状のウ
ェハチャック7が水平に連結される。このウェハチャッ
ク7の上面には保持機構、たとえば半導体ウェハ3を吸
着保持するためのバキューム口5が開口されている。
転機構の鉛直方向の回転軸に連結された回転ロッド1に
、半導体ウェハ3を載置する載置板たとえば円板状のウ
ェハチャック7が水平に連結される。このウェハチャッ
ク7の上面には保持機構、たとえば半導体ウェハ3を吸
着保持するためのバキューム口5が開口されている。
上記ウェハチャック7の直径は、上記半導体ウェハ3の
径と略同−長であり、ウェハチャック7の上面の外周部
には、半導体ウェハ3の裏面の外周部に当接可能な環状
当接部9が形設され、環状状当接部9の内側には、バキ
ューム口5を中心として放射状に多数の線状突出部11
が形設される(第2図)。線状突出部↓1は、半導体ウ
ェハ3との接触面積を少なくして反動体ウェハ3の裏面
にダスト(塵・埃)が付着するのを防止するとともに、
バキューム口5による減圧範囲を、環状当接部5内側に
広く設定せしめ、半導体ウェハ3に対する吸着力を有効
に作用させる。
径と略同−長であり、ウェハチャック7の上面の外周部
には、半導体ウェハ3の裏面の外周部に当接可能な環状
当接部9が形設され、環状状当接部9の内側には、バキ
ューム口5を中心として放射状に多数の線状突出部11
が形設される(第2図)。線状突出部↓1は、半導体ウ
ェハ3との接触面積を少なくして反動体ウェハ3の裏面
にダスト(塵・埃)が付着するのを防止するとともに、
バキューム口5による減圧範囲を、環状当接部5内側に
広く設定せしめ、半導体ウェハ3に対する吸着力を有効
に作用させる。
ウェハチャック7の上方には、レジストを滴下するため
のレジスト滴下ノズル13が図示しない塗布装置本体に
設けられる。このレジスト滴下ノズル13は図示しない
レジスト、供給装置に連結される。
のレジスト滴下ノズル13が図示しない塗布装置本体に
設けられる。このレジスト滴下ノズル13は図示しない
レジスト、供給装置に連結される。
次にこの塗布装置の動作について説明する。
まず、図示しないウェハ搬送機構によって半導体ウェハ
3がウェハチャック7上に載置される。
3がウェハチャック7上に載置される。
同時に、バキュームロ5近傍の雰囲気が図示しないバキ
ューム装置によって減圧され、半導体ウェハ3はウェハ
チャック7によって水平に吸着保持される。
ューム装置によって減圧され、半導体ウェハ3はウェハ
チャック7によって水平に吸着保持される。
次に、レジスト滴下ノズル13から、半導体ウェハ3表
面の中央部にレジストが滴下される。そして、所定の回
転速度たとえば4000rpImで、ウェハチャック7
は回転され遠心力の作用により、滴下されたレジストは
半導体ウェハ3の表面に均一に塗布される。
面の中央部にレジストが滴下される。そして、所定の回
転速度たとえば4000rpImで、ウェハチャック7
は回転され遠心力の作用により、滴下されたレジストは
半導体ウェハ3の表面に均一に塗布される。
このとき、半導体ウェハ3の裏面の外周部には、ウェハ
チャック7の環状当接部9が当接されているので、レジ
ストミストが半導体ウェハ3の裏面へ廻り込んでしまう
ことがなく、また、半導体ウェハ3の中央部と周辺部と
の間に温度差が生じることが抑制される。
チャック7の環状当接部9が当接されているので、レジ
ストミストが半導体ウェハ3の裏面へ廻り込んでしまう
ことがなく、また、半導体ウェハ3の中央部と周辺部と
の間に温度差が生じることが抑制される。
以上詳細に説明したように本実施例によれば、レジスト
ミストが半導体ウェハの裏面への廻り込んでしまうこと
がなく処理効率が良くなり、また、半導体ウェハの中央
部と周辺部との間に温度差が生じることが抑制され、し
たがって半導体ウェハ表面上のレジストの均一性が向上
される。
ミストが半導体ウェハの裏面への廻り込んでしまうこと
がなく処理効率が良くなり、また、半導体ウェハの中央
部と周辺部との間に温度差が生じることが抑制され、し
たがって半導体ウェハ表面上のレジストの均一性が向上
される。
上記実施例では半導体ウェハにレジストを塗布する塗布
装置に適用した例について説明したが、遠心力を利用し
て被処理体に塗布する装置であれば何れにも適用可能で
ある。
装置に適用した例について説明したが、遠心力を利用し
て被処理体に塗布する装置であれば何れにも適用可能で
ある。
[発明の効果コ
以上詳細に説明したように本発明によれば、塗布材料が
被処理体の裏面へ廻り込んでしまうことがなく、処理効
率が良くなり、また、被処理体の中央部と周辺部との間
に温度差が生じることが抑制され、したがって被処理体
表面上の塗布材料の均一性が向上される塗布装置を提供
することができる。
被処理体の裏面へ廻り込んでしまうことがなく、処理効
率が良くなり、また、被処理体の中央部と周辺部との間
に温度差が生じることが抑制され、したがって被処理体
表面上の塗布材料の均一性が向上される塗布装置を提供
することができる。
第1図は本発明装置の実施例の塗布装置の要部の構成を
示す図、第2図は第1図に示す塗布装置の部分平面図で
ある。 1・・・・・・・・・回転ロッド 3・・・・・・・・・半導体ウェハ 5・・・・・・・・・バキュームロ ア・・・・・・・・・ウェハチャック 9・・・・・・・・・環状当接部 11・・・・・・・・・線状突出部 出願人 東京エレクトロン株式会社同
チル九州株式会社
示す図、第2図は第1図に示す塗布装置の部分平面図で
ある。 1・・・・・・・・・回転ロッド 3・・・・・・・・・半導体ウェハ 5・・・・・・・・・バキュームロ ア・・・・・・・・・ウェハチャック 9・・・・・・・・・環状当接部 11・・・・・・・・・線状突出部 出願人 東京エレクトロン株式会社同
チル九州株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 被処理体を載置する載置板と、 前記被処理体を前記載置板に保持する保持機構と、 前記載置板を支持するとともに当該載置板を回転する回
転機構と を具備する塗布装置において、 前記載置板上面に、少なくとも前記被処理体の裏面の外
周部が当接可能な当接部を設けたことを特徴とする塗布
装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1343389A JPH02194872A (ja) | 1989-01-23 | 1989-01-23 | 塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1343389A JPH02194872A (ja) | 1989-01-23 | 1989-01-23 | 塗布装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02194872A true JPH02194872A (ja) | 1990-08-01 |
Family
ID=11833001
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1343389A Pending JPH02194872A (ja) | 1989-01-23 | 1989-01-23 | 塗布装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02194872A (ja) |
-
1989
- 1989-01-23 JP JP1343389A patent/JPH02194872A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH0435901B2 (ja) | ||
JPH08257469A (ja) | 基板回転装置および基板処理装置 | |
JPH04300673A (ja) | 回転式塗布装置及び回転式塗布方法 | |
JPH11354617A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JPH0864568A (ja) | ウェーハ洗浄装置 | |
JPH02194872A (ja) | 塗布装置 | |
JPH06244167A (ja) | ウェハーエッジの加工方法とその装置 | |
JPH02164477A (ja) | 基板処理装置 | |
JP3971282B2 (ja) | 基板保持機構、基板処理装置および基板処理方法 | |
JPH01287940A (ja) | 回転処理装置 | |
JP2649156B2 (ja) | レジスト塗布装置と方法 | |
JP3881425B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2697811B2 (ja) | 塗布方法及びそれに用いる塗布装置 | |
JPS6245378A (ja) | 塗布装置 | |
JP2697810B2 (ja) | 塗布方法及びそれに用いる塗布装置 | |
JP2840182B2 (ja) | 基板への回転式塗布方法並びに基板への回転式塗布装置 | |
JP2003051477A (ja) | 基板処理装置 | |
JPH05114554A (ja) | 処理装置 | |
JPS63248471A (ja) | 塗布装置及びそれを用いた塗布方法 | |
JPH05259056A (ja) | 半導体基板のスピンコーティング装置 | |
JPH09314022A (ja) | 基板回転保持装置及び回転式基板処理装置 | |
JPH08124844A (ja) | ウエハステージ | |
JP2588379B2 (ja) | 塗布装置 | |
JP2513992B2 (ja) | 塗布方法及びそれに用いる塗布装置 | |
JP2001143998A (ja) | レジスト塗布方法及び装置 |