JPH08124844A - ウエハステージ - Google Patents
ウエハステージInfo
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- JPH08124844A JPH08124844A JP28731794A JP28731794A JPH08124844A JP H08124844 A JPH08124844 A JP H08124844A JP 28731794 A JP28731794 A JP 28731794A JP 28731794 A JP28731794 A JP 28731794A JP H08124844 A JPH08124844 A JP H08124844A
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- stage
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- wafer stage
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体製造工程におけるウエハへの回転塗布
やウエハの回転乾燥等の処理において、ウエハステージ
の吸着形態に起因する膜厚の不均一や乾燥むら等の不具
合を改善する。 【構成】 ステージ本体２０は、外径寸法がウエハＷと
同径とされた円板状のもので、下面中央に駆動支持軸１
０の上端及びキー１２が嵌入される嵌合穴２１が形成さ
れ、上面がウエハＷの裏面を吸着する吸着面２２となっ
ている。ここで、ウエハステージの吸着面２２をウエハ
Ｗと略同径とする。
やウエハの回転乾燥等の処理において、ウエハステージ
の吸着形態に起因する膜厚の不均一や乾燥むら等の不具
合を改善する。 【構成】 ステージ本体２０は、外径寸法がウエハＷと
同径とされた円板状のもので、下面中央に駆動支持軸１
０の上端及びキー１２が嵌入される嵌合穴２１が形成さ
れ、上面がウエハＷの裏面を吸着する吸着面２２となっ
ている。ここで、ウエハステージの吸着面２２をウエハ
Ｗと略同径とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造工程におけ
るウエハへのレジストの回転塗布等の処理において、ウ
エハを保持して回転させるウエハステージに関する。
るウエハへのレジストの回転塗布等の処理において、ウ
エハを保持して回転させるウエハステージに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程において、ウエハを回転
させて行なう処理は多種あるが、この際ウエハを損傷さ
せずに保持して回転させる手段として、従来例えば図
４，５に示すようなウエハステージが使用されている。
これは、駆動支持軸１の上端に水平に固設された円板状
のステージ本体２を有し、このステージ本体２の上面に
吸引用の周方向溝３と径方向溝４が形成され、 これら
周方向溝３及び径方向溝４内が駆動支持軸１を貫通する
吸引孔５を介して図示省略した吸引手段により真空引き
されることにより、ステージ本体２の上面が真空式吸着
面２ａとして機能するものである。
させて行なう処理は多種あるが、この際ウエハを損傷さ
せずに保持して回転させる手段として、従来例えば図
４，５に示すようなウエハステージが使用されている。
これは、駆動支持軸１の上端に水平に固設された円板状
のステージ本体２を有し、このステージ本体２の上面に
吸引用の周方向溝３と径方向溝４が形成され、 これら
周方向溝３及び径方向溝４内が駆動支持軸１を貫通する
吸引孔５を介して図示省略した吸引手段により真空引き
されることにより、ステージ本体２の上面が真空式吸着
面２ａとして機能するものである。
【０００３】なお駆動支持軸１は、図示省略したモータ
により回転駆動されるようになっている。また吸引手段
としては、例えばロータリージョイントを介して前記吸
引孔５に接続された真空タンクと、この真空タンク内の
圧力を一定の負圧に保持する真空ポンプと、前記吸引孔
と真空タンクとの連通を制御する電磁弁とより構成され
たものが使用される。
により回転駆動されるようになっている。また吸引手段
としては、例えばロータリージョイントを介して前記吸
引孔５に接続された真空タンクと、この真空タンク内の
圧力を一定の負圧に保持する真空ポンプと、前記吸引孔
と真空タンクとの連通を制御する電磁弁とより構成され
たものが使用される。
【０００４】このウエハステージによれば、例えば図６
に示すように、洗浄等の処理の後に液体Ｌで濡れたウエ
ハＷを吸着して駆動支持軸１を回転させれば、図７に示
すように液体Ｌを遠心力により飛ばしていわゆる回転乾
燥処理を行なうことができる。また、図８に示すように
吸着したウエハＷの中心付近に塗布しようとする材料Ｍ
（レジスト，ＳＯＧ等）を滴下した後、駆動支持軸１を
回転させれば、図９に示すように遠心力により材料Ｍを
ウエハＷの表面全体に広げていわゆる回転塗布処理を行
なうことができる。
に示すように、洗浄等の処理の後に液体Ｌで濡れたウエ
ハＷを吸着して駆動支持軸１を回転させれば、図７に示
すように液体Ｌを遠心力により飛ばしていわゆる回転乾
燥処理を行なうことができる。また、図８に示すように
吸着したウエハＷの中心付近に塗布しようとする材料Ｍ
（レジスト，ＳＯＧ等）を滴下した後、駆動支持軸１を
回転させれば、図９に示すように遠心力により材料Ｍを
ウエハＷの表面全体に広げていわゆる回転塗布処理を行
なうことができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来のウエ
ハステージでは、ウエハＷの中心部のみが吸着されるの
で、ウエハＷの中心部が図１０のように吸着時にくぼむ
ように変形し、回転塗布処理の場合に塗布された材料の
膜厚（塗布厚）が不均一になったり、回転乾燥処理の場
合に乾燥むら（液残り）が発生したりする恐れがあっ
た。また、ウエハＷの表面が平面のままなので、ウエハ
Ｗの外周部における液はけが悪く、特に高粘度材料の回
転塗布の場合、図１１の如く外周部の膜の盛り上がり現
象を生じてやはり膜厚の不均一が生じたり、回転乾燥処
理においては外周部に液残りが発生したりすることがあ
った。さらに回転乾燥処理において、ウエハＷの表面に
図１２の如く浅い段差Ｗ１があった場合には、遠心力に
より段差内の液Ｌが飛び散り易いが、図１３のように深
い段差Ｗ２の場合には、遠心力により液Ｌが飛散らずこ
の段差Ｗ２内に液残りが発生し易かった。
ハステージでは、ウエハＷの中心部のみが吸着されるの
で、ウエハＷの中心部が図１０のように吸着時にくぼむ
ように変形し、回転塗布処理の場合に塗布された材料の
膜厚（塗布厚）が不均一になったり、回転乾燥処理の場
合に乾燥むら（液残り）が発生したりする恐れがあっ
た。また、ウエハＷの表面が平面のままなので、ウエハ
Ｗの外周部における液はけが悪く、特に高粘度材料の回
転塗布の場合、図１１の如く外周部の膜の盛り上がり現
象を生じてやはり膜厚の不均一が生じたり、回転乾燥処
理においては外周部に液残りが発生したりすることがあ
った。さらに回転乾燥処理において、ウエハＷの表面に
図１２の如く浅い段差Ｗ１があった場合には、遠心力に
より段差内の液Ｌが飛び散り易いが、図１３のように深
い段差Ｗ２の場合には、遠心力により液Ｌが飛散らずこ
の段差Ｗ２内に液残りが発生し易かった。
【０００６】なお、半導体製造工程においてウエハを回
転させて行なう処理としては、他にスピンエッチング等
があるが、これらの処理においてもやはり同様の理由で
薄膜加工厚さの不均一等の不具合が発生する恐れがあっ
た。そして、これら各処理における膜厚の不均一や乾燥
むら等の不具合は、結果として半導体製造工程における
歩留りの低下を招いていた。特に、０．５μｍ世代以降
のプロセスにおけるデバイス構造の多層化に伴い、段差
やコンタクトのアスペクトが大きくなると、上記問題が
顕著になっていた。
転させて行なう処理としては、他にスピンエッチング等
があるが、これらの処理においてもやはり同様の理由で
薄膜加工厚さの不均一等の不具合が発生する恐れがあっ
た。そして、これら各処理における膜厚の不均一や乾燥
むら等の不具合は、結果として半導体製造工程における
歩留りの低下を招いていた。特に、０．５μｍ世代以降
のプロセスにおけるデバイス構造の多層化に伴い、段差
やコンタクトのアスペクトが大きくなると、上記問題が
顕著になっていた。
【０００７】そこで本発明は、これら回転塗布時の膜厚
の不均一や、回転乾燥時の乾燥むら等の不具合を改善で
きるウエハステージを提供することを目的としている。
の不均一や、回転乾燥時の乾燥むら等の不具合を改善で
きるウエハステージを提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１記載のウエハステージは、一面に吸着面が
形成され回転自在に支持されたステージ本体を有し、半
導体製造工程におけるウエハを前記吸着面に吸着させて
回転させるウエハステージにおいて、前記吸着面を前記
ウエハと略同径としたことを特徴とする。
め、請求項１記載のウエハステージは、一面に吸着面が
形成され回転自在に支持されたステージ本体を有し、半
導体製造工程におけるウエハを前記吸着面に吸着させて
回転させるウエハステージにおいて、前記吸着面を前記
ウエハと略同径としたことを特徴とする。
【０００９】また、請求項２記載のウエハステージは、
一面に吸着面が形成され回転自在に支持されたステージ
本体を有し、半導体製造工程におけるウエハを前記吸着
面に吸着させて回転させるウエハステージにおいて、前
記吸着面を凸状の曲面としたことを特徴とする。
一面に吸着面が形成され回転自在に支持されたステージ
本体を有し、半導体製造工程におけるウエハを前記吸着
面に吸着させて回転させるウエハステージにおいて、前
記吸着面を凸状の曲面としたことを特徴とする。
【００１０】また、請求項３記載のウエハステージは、
一面に吸着面が形成され回転自在に支持されたステージ
本体を有し、半導体製造工程におけるウエハを前記吸着
面に吸着させて回転させるウエハステージにおいて、前
記吸着面を前記ウエハと略同径とするとともに凸状の曲
面としたことを特徴とする。
一面に吸着面が形成され回転自在に支持されたステージ
本体を有し、半導体製造工程におけるウエハを前記吸着
面に吸着させて回転させるウエハステージにおいて、前
記吸着面を前記ウエハと略同径とするとともに凸状の曲
面としたことを特徴とする。
【００１１】また、請求項４記載のウエハステージは、
前記ステージ本体を脱着可能としたこと特徴とする。
前記ステージ本体を脱着可能としたこと特徴とする。
【００１２】
【作用】本発明では、ステージ本体の吸着面をウエハと
略同径とした場合、ウエハの略全面を吸着して回転させ
回転塗布等の処理が行なえるから、吸着時にウエハ中心
部がくぼむように変形することが回避され、この変形に
よる塗布厚の不均一や乾燥むら等が生じなくなる。
略同径とした場合、ウエハの略全面を吸着して回転させ
回転塗布等の処理が行なえるから、吸着時にウエハ中心
部がくぼむように変形することが回避され、この変形に
よる塗布厚の不均一や乾燥むら等が生じなくなる。
【００１３】また、ステージ本体の吸着面を凸状の曲面
とした場合には、吸着時にウエハが吸着面に沿って凸曲
面状に変形し、この変形状態のまま（外周に向って下方
に傾斜する形状に保たれたまま）回転塗布等の処理が行
なわれるから、ウエハ外周部における液はけが良くな
り、回転塗布時におけるウエハ外周部の膜厚均一性の向
上、あるいは回転乾燥時のウエハ外周部の乾燥むら低減
等が図れる。
とした場合には、吸着時にウエハが吸着面に沿って凸曲
面状に変形し、この変形状態のまま（外周に向って下方
に傾斜する形状に保たれたまま）回転塗布等の処理が行
なわれるから、ウエハ外周部における液はけが良くな
り、回転塗布時におけるウエハ外周部の膜厚均一性の向
上、あるいは回転乾燥時のウエハ外周部の乾燥むら低減
等が図れる。
【００１４】さらに、ステージ本体を脱着可能とした場
合には、用途に応じて適宜最適な形状寸法のステージ本
体に交換できる。
合には、用途に応じて適宜最適な形状寸法のステージ本
体に交換できる。
【００１５】
【実施例】第１実施例の構成 以下、本発明の第１実施例を図１，２に基づいて説明す
る。この実施例のウエハステージは、図１に示す如く、
鉛直に配された駆動支持軸１０と、この駆動支持軸１０
の上端に取付けられて水平に支持されたステージ本体２
０とを備える。駆動支持軸１０は、図示省略した可変速
モータ等により所定の回転数（例えば２０００〜６００
０ｒｐｍ）で駆動されるもので、内部には軸方向に貫通
する貫通孔１１が形成され、この貫通孔１１が吸引手段
により真空引きされるようになっている。なおここで、
吸引手段としては、例えばロータリージョイントを介し
て前記貫通孔１１に接続された真空タンクと、この真空
タンク内の圧力を一定の負圧に保持する真空ポンプと、
前記貫通孔１１と真空タンクとの連通を開閉制御する電
磁弁とより構成されたものが使用できる。またこの駆動
支持軸１０の上端部外周には、この場合ステージ本体２
０との連結のためのキー１２がはめ込まれている。
る。この実施例のウエハステージは、図１に示す如く、
鉛直に配された駆動支持軸１０と、この駆動支持軸１０
の上端に取付けられて水平に支持されたステージ本体２
０とを備える。駆動支持軸１０は、図示省略した可変速
モータ等により所定の回転数（例えば２０００〜６００
０ｒｐｍ）で駆動されるもので、内部には軸方向に貫通
する貫通孔１１が形成され、この貫通孔１１が吸引手段
により真空引きされるようになっている。なおここで、
吸引手段としては、例えばロータリージョイントを介し
て前記貫通孔１１に接続された真空タンクと、この真空
タンク内の圧力を一定の負圧に保持する真空ポンプと、
前記貫通孔１１と真空タンクとの連通を開閉制御する電
磁弁とより構成されたものが使用できる。またこの駆動
支持軸１０の上端部外周には、この場合ステージ本体２
０との連結のためのキー１２がはめ込まれている。
【００１６】ステージ本体２０は、外径寸法がウエハＷ
と同径とされた円板状のもので、下面中央に駆動支持軸
１０の上端及びキー１２が嵌入される嵌合穴２１が形成
され、上面がウエハＷの裏面を吸着する吸着面２２とな
っているものである。吸着面２２には、中央位置から鉛
直下方に伸びて嵌合穴２１に嵌入された駆動支持軸１０
の貫通孔１１に連通する吸引孔２３と、この吸引孔２３
から放射状に伸びる複数の径方向溝２４と、吸引孔２３
を中心とする同芯円状の複数の周方向溝２５とが形成さ
れている。なお、駆動支持軸１０の上端及びキー１２
と、嵌合穴２１とのはめ合いは、例えば隙間嵌めとさ
れ、ステージ本体２０が容易に駆動支持軸１０に対して
脱着できるようになっている。また図示省略している
が、嵌合穴２１内には例えばＯリングが装着され、この
Ｏリングが駆動支持軸１０に密着することで、この嵌合
部のシールが保持されるよう構成されている。
と同径とされた円板状のもので、下面中央に駆動支持軸
１０の上端及びキー１２が嵌入される嵌合穴２１が形成
され、上面がウエハＷの裏面を吸着する吸着面２２とな
っているものである。吸着面２２には、中央位置から鉛
直下方に伸びて嵌合穴２１に嵌入された駆動支持軸１０
の貫通孔１１に連通する吸引孔２３と、この吸引孔２３
から放射状に伸びる複数の径方向溝２４と、吸引孔２３
を中心とする同芯円状の複数の周方向溝２５とが形成さ
れている。なお、駆動支持軸１０の上端及びキー１２
と、嵌合穴２１とのはめ合いは、例えば隙間嵌めとさ
れ、ステージ本体２０が容易に駆動支持軸１０に対して
脱着できるようになっている。また図示省略している
が、嵌合穴２１内には例えばＯリングが装着され、この
Ｏリングが駆動支持軸１０に密着することで、この嵌合
部のシールが保持されるよう構成されている。
【００１７】第１実施例の動作 次に、上述したウエハステージにおける動作を説明す
る。以上の構成において、ステージ本体２０の吸着面２
２にウエハＷが中心を吸引孔２３に合わせて載置され、
前述の吸引手段により駆動支持軸１０の貫通孔１１が吸
引されると、これに連通する吸引孔２３，径方向溝２４
及び周方向溝２５内が減圧され、ウエハＷの裏面が吸着
面２２に真空吸着される。この際、ウエハＷは裏面全面
で吸着されるため、吸着時にウエハ中心部がくぼむよう
に変形することが回避される。そしてこの吸着状態で、
駆動支持軸１０が駆動されれば、キー１２により回転力
が伝達されてステージ本体２０も駆動支持軸１０ととも
に回転し、ステージ本体２０に吸着されたウエハＷも回
転する。
る。以上の構成において、ステージ本体２０の吸着面２
２にウエハＷが中心を吸引孔２３に合わせて載置され、
前述の吸引手段により駆動支持軸１０の貫通孔１１が吸
引されると、これに連通する吸引孔２３，径方向溝２４
及び周方向溝２５内が減圧され、ウエハＷの裏面が吸着
面２２に真空吸着される。この際、ウエハＷは裏面全面
で吸着されるため、吸着時にウエハ中心部がくぼむよう
に変形することが回避される。そしてこの吸着状態で、
駆動支持軸１０が駆動されれば、キー１２により回転力
が伝達されてステージ本体２０も駆動支持軸１０ととも
に回転し、ステージ本体２０に吸着されたウエハＷも回
転する。
【００１８】したがって、この第１実施例のウエハステ
ージによれば、ウエハＷを変形させないで平面度を高く
維持したままチャックして所定の回転数で水平回転さ
せ、回転塗布や回転乾燥等の処理を行なうことができ、
回転塗布であれば均一な膜形成が、回転乾燥であれば完
全な乾燥等を信頼性高く実現できる。また、例えば本ウ
エハステージにより、ウエハの回転研削又は回転研磨
（ＣＭＰ；ケミカルミカニカルポリシング等）を行なえ
ば、加工精度の向上（平坦化）を図ることができる。ま
たスピンデベロッパのように、レジストの回転現像や回
転洗浄を行なう装置に適用しても、ウエハＷの変形によ
る不具合の発生を防止して、結果的に半導体製造工程に
おける歩留りを向上できる。なおステージ本体２０は、
着脱自在であるから、ウエハの外径等に応じて適宜交換
して最適なものに変更することは容易である。
ージによれば、ウエハＷを変形させないで平面度を高く
維持したままチャックして所定の回転数で水平回転さ
せ、回転塗布や回転乾燥等の処理を行なうことができ、
回転塗布であれば均一な膜形成が、回転乾燥であれば完
全な乾燥等を信頼性高く実現できる。また、例えば本ウ
エハステージにより、ウエハの回転研削又は回転研磨
（ＣＭＰ；ケミカルミカニカルポリシング等）を行なえ
ば、加工精度の向上（平坦化）を図ることができる。ま
たスピンデベロッパのように、レジストの回転現像や回
転洗浄を行なう装置に適用しても、ウエハＷの変形によ
る不具合の発生を防止して、結果的に半導体製造工程に
おける歩留りを向上できる。なおステージ本体２０は、
着脱自在であるから、ウエハの外径等に応じて適宜交換
して最適なものに変更することは容易である。
【００１９】第２実施例の構成 次に、図３により本発明の第２実施例であるウエハステ
ージについて説明する。なお、前記第１実施例のウエハ
ステージと同様の構成要素については、同一符合を付し
その説明を省略する。この実施例のウエハステージは、
図３のように湾曲したステージ本体３０を有し、このス
テージ本体３０が駆動支持軸１０に脱着自在に取付けら
れてなるものである。ステージ本体３０は、上面の吸着
面３２に前記第１実施例における吸引孔２３，径方向溝
２４及び周方向溝２５と同様の孔及び溝が形成され、こ
れらが駆動支持軸１０内の貫通孔１１を介して真空引き
されるようになっている。そして、このステージ本体３
０の吸着面３２は、この場合ステージ本体３０全体が湾
曲することにより、上側に凸の曲面（例えば球面）とさ
れ、その湾曲高さｈは、６インチのウエハの場合、例え
ば１〜２ｍｍ程度に設定されている。
ージについて説明する。なお、前記第１実施例のウエハ
ステージと同様の構成要素については、同一符合を付し
その説明を省略する。この実施例のウエハステージは、
図３のように湾曲したステージ本体３０を有し、このス
テージ本体３０が駆動支持軸１０に脱着自在に取付けら
れてなるものである。ステージ本体３０は、上面の吸着
面３２に前記第１実施例における吸引孔２３，径方向溝
２４及び周方向溝２５と同様の孔及び溝が形成され、こ
れらが駆動支持軸１０内の貫通孔１１を介して真空引き
されるようになっている。そして、このステージ本体３
０の吸着面３２は、この場合ステージ本体３０全体が湾
曲することにより、上側に凸の曲面（例えば球面）とさ
れ、その湾曲高さｈは、６インチのウエハの場合、例え
ば１〜２ｍｍ程度に設定されている。
【００２０】第２実施例の動作 このような構成であると、吸着時にウエハＷが吸着面に
沿って凸曲面状に変形し、この変形状態のまま（外周に
向って下方に傾斜する形状に保たれたまま）回転塗布等
の処理が行なわれるから、ウエハ外周部における液はけ
が良くなり、回転塗布時におけるウエハ外周部の膜厚均
一性の向上、あるいは回転乾燥時のウエハ外周部の乾燥
むら低減等を図ることができ、半導体製造工程における
歩留りをさらに向上できる。なおステージ本体３０は、
着脱自在であるから、使用される処理の種類あるいはウ
エハの外径等に応じて適宜交換して最適なものに変更す
ることは容易である。
沿って凸曲面状に変形し、この変形状態のまま（外周に
向って下方に傾斜する形状に保たれたまま）回転塗布等
の処理が行なわれるから、ウエハ外周部における液はけ
が良くなり、回転塗布時におけるウエハ外周部の膜厚均
一性の向上、あるいは回転乾燥時のウエハ外周部の乾燥
むら低減等を図ることができ、半導体製造工程における
歩留りをさらに向上できる。なおステージ本体３０は、
着脱自在であるから、使用される処理の種類あるいはウ
エハの外径等に応じて適宜交換して最適なものに変更す
ることは容易である。
【００２１】他の実施例 なお、本発明は上記実施例に限られず各種の態様があり
得る。例えば、ステージ本体の吸着面の溝は渦巻き状の
溝であってもよい。また、ステージ本体を多孔質金属等
のポーラスな材質により構成し、材料自体の通気性によ
り吸着面を吸引する構造とすることができる。また、ス
テージ本体を脱着自在に取付ける構造は、上記のような
キーによるものではなく、例えばスプライン等よりなる
構造でもよい。また、ウエハを吸着する方式は、上記実
施例のような真空吸着に限られず、静電吸着によるもの
でもよい。
得る。例えば、ステージ本体の吸着面の溝は渦巻き状の
溝であってもよい。また、ステージ本体を多孔質金属等
のポーラスな材質により構成し、材料自体の通気性によ
り吸着面を吸引する構造とすることができる。また、ス
テージ本体を脱着自在に取付ける構造は、上記のような
キーによるものではなく、例えばスプライン等よりなる
構造でもよい。また、ウエハを吸着する方式は、上記実
施例のような真空吸着に限られず、静電吸着によるもの
でもよい。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、ステージ本体の吸着面
をウエハと略同径とした場合、ウエハの略全面を吸着し
て回転させ回転塗布等の処理が行なえるから、吸着時に
ウエハ中心部がくぼむように変形することが回避され、
この変形による塗布厚の不均一や乾燥むら等が生じなく
なり、半導体製造工程における歩留りの向上に貢献でき
る。
をウエハと略同径とした場合、ウエハの略全面を吸着し
て回転させ回転塗布等の処理が行なえるから、吸着時に
ウエハ中心部がくぼむように変形することが回避され、
この変形による塗布厚の不均一や乾燥むら等が生じなく
なり、半導体製造工程における歩留りの向上に貢献でき
る。
【００２３】また、ステージ本体の吸着面を凸状の曲面
とした場合には、吸着時にウエハが吸着面に沿って凸曲
面状に変形し、この変形状態のまま回転塗布等の処理が
行なわれるから、ウエハ外周部における液はけが良くな
り、回転塗布時におけるウエハ外周部の膜厚均一性の向
上、あるいは回転乾燥時のウエハ外周部の乾燥むら低減
等を図ることができ、半導体製造工程における歩留りの
向上にさらに貢献できる。
とした場合には、吸着時にウエハが吸着面に沿って凸曲
面状に変形し、この変形状態のまま回転塗布等の処理が
行なわれるから、ウエハ外周部における液はけが良くな
り、回転塗布時におけるウエハ外周部の膜厚均一性の向
上、あるいは回転乾燥時のウエハ外周部の乾燥むら低減
等を図ることができ、半導体製造工程における歩留りの
向上にさらに貢献できる。
【００２４】さらに、ステージ本体を脱着可能とした場
合には、用途に応じて適宜最適な形状寸法のステージ本
体に交換することが容易にできるため、半導体製造ライ
ンの処理効率あるいはフレキシビリティが向上する。
合には、用途に応じて適宜最適な形状寸法のステージ本
体に交換することが容易にできるため、半導体製造ライ
ンの処理効率あるいはフレキシビリティが向上する。
【図１】本発明の第１実施例であるウエハステージを示
す側面図である。
す側面図である。
【図２】本発明の第１実施例であるウエハステージを示
す上面図である。
す上面図である。
【図３】本発明の第２実施例であるウエハステージを示
す側面図である。
す側面図である。
【図４】従来のウエハステージを示す側面図である。
【図５】従来のウエハステージを示す上面図である。
【図６】ウエハの回転乾燥処理を示す側面図である。
【図７】ウエハの回転乾燥処理を示す側面図である。
【図８】ウエハの回転塗布処理を示す側面図である。
【図９】ウエハの回転塗布処理を示す側面図である。
【図１０】従来のウエハステージによるウエハの回転塗
布処理を示す側面図である。
布処理を示す側面図である。
【図１１】従来のウエハステージによるウエハの回転塗
布処理を示す側面図である。
布処理を示す側面図である。
【図１２】ウエハの回転乾燥処理における浅い段差部の
液の状態を示す側面図である。
液の状態を示す側面図である。
【図１３】ウエハの回転乾燥処理における深い段差部の
液の状態を示す側面図である。
液の状態を示す側面図である。
２０，３０ ステージ本体 ２２，３２ 吸着面 Ｗ ウエハ
Claims (4)
- 【請求項１】 一面に吸着面が形成され回転自在に支持
されたステージ本体を有し、半導体製造工程におけるウ
エハを前記吸着面に吸着させて回転させるウエハステー
ジにおいて、 前記吸着面を前記ウエハと略同径としたことを特徴とす
るウエハステージ。 - 【請求項２】 一面に吸着面が形成され回転自在に支持
されたステージ本体を有し、半導体製造工程におけるウ
エハを前記吸着面に吸着させて回転させるウエハステー
ジにおいて、 前記吸着面を凸状の曲面としたことを特徴とするウエハ
ステージ。 - 【請求項３】 一面に吸着面が形成され回転自在に支持
されたステージ本体を有し、半導体製造工程におけるウ
エハを前記吸着面に吸着させて回転させるウエハステー
ジにおいて、 前記吸着面を前記ウエハと略同径とするとともに凸状の
曲面としたことを特徴とするウエハステージ。 - 【請求項４】 前記ステージ本体を脱着可能としたこと
特徴とする請求項１，２又は３記載のウエハステージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28731794A JPH08124844A (ja) | 1994-10-27 | 1994-10-27 | ウエハステージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28731794A JPH08124844A (ja) | 1994-10-27 | 1994-10-27 | ウエハステージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08124844A true JPH08124844A (ja) | 1996-05-17 |
Family
ID=17715801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28731794A Pending JPH08124844A (ja) | 1994-10-27 | 1994-10-27 | ウエハステージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08124844A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005236279A (ja) * | 2004-01-30 | 2005-09-02 | Asm America Inc | 半導体ウェーハホルダ用垂直軸及び支持構造間の回転滑り防止装置及び方法 |
| JP2016532282A (ja) * | 2013-09-26 | 2016-10-13 | ズス・マイクロテック・リソグラフィ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツングＳｕｓｓ ＭｉｃｒｏＴｅｃ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ＧｍｂＨ | ウエハを吸引し保持するためのチャック |
| WO2019176531A1 (ja) * | 2018-03-13 | 2019-09-19 | 信越半導体株式会社 | ウェーハの処理装置及び処理方法 |
-
1994
- 1994-10-27 JP JP28731794A patent/JPH08124844A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005236279A (ja) * | 2004-01-30 | 2005-09-02 | Asm America Inc | 半導体ウェーハホルダ用垂直軸及び支持構造間の回転滑り防止装置及び方法 |
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| WO2019176531A1 (ja) * | 2018-03-13 | 2019-09-19 | 信越半導体株式会社 | ウェーハの処理装置及び処理方法 |
| JP2019161022A (ja) * | 2018-03-13 | 2019-09-19 | 信越半導体株式会社 | ウェーハの処理装置及び処理方法 |
| CN111684572A (zh) * | 2018-03-13 | 2020-09-18 | 信越半导体株式会社 | 晶圆的处理装置及处理方法 |
| US20210013031A1 (en) * | 2018-03-13 | 2021-01-14 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Wafer treatment apparatus and method for treating wafer |
| TWI801515B (zh) * | 2018-03-13 | 2023-05-11 | 日商信越半導體股份有限公司 | 晶圓的處理裝置及處理方法 |
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