JP2008282938A - ウェーハの枚葉式エッチング装置 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体基板の裏面外周部に噴出されるガスを均一にして、ウェーハのエッジ面の形状を安定化させる。
【解決手段】枚葉式エッチング装置１０は、半導体インゴットをスライスして得られた薄円板状のウェーハ１１を回転させながら、前記ウェーハ１１の上面にエッチング液１５を供給して少なくともウェーハ１１の上面をエッチングする装置である。そして、ウエーハ１１を回転させる回転機構１３と、回転機構１３の半径方向外方に設けられその回転機構により回転されるウェーハ１１の下面に対向しかつ平行にウェーハ１１の下面１１ｃとエッジ部１１ｂとの境界位置よりも外方にまで延びたステージ１７ｊと、ステージ１７ｊの上面にウェーハ１１に向かうように形成された噴射口１７ａと、噴射口１７ａに流体を供給してウェーハ１１のエッジ部を介して流下するエッチング液をウェーハの外方に吹き飛ばすブロー機構とを備える。
【選択図】図１

Description

本発明は、ウェーハを水平に保持した状態で回転させながら、このウェーハを１枚ずつエッチングする装置に関するものである。

一般に半導体ウェーハの製造工程は、単結晶インゴットから切出し、スライスして得られたウェーハを、面取り、機械研磨（ラッピング）、エッチング、鏡面研磨（ポリッシング）及び洗浄する工程から構成され、高精度の平坦度を有するウェーハとして生産される。ブロック切断、外径研削、スライシング、ラッピング等の機械加工プロセスを経たウェーハはその上面にダメージ層、即ち加工変質層を有している。加工変質層はデバイス製造プロセスにおいてスリップ転位等の結晶欠陥を誘発し、ウェーハの機械的強度を低下させ、また電気的特性に悪影響を及ぼすため、完全に除去しなければならない。この加工変質層を取除くためにエッチング処理が施される。エッチング処理としては、浸漬式エッチングや枚葉式エッチングが行われている。

上記枚葉式エッチングは大口径化したウェーハの表面粗さとテクスチャーサイズの制御を行うことができるため、最適なエッチング方法として検討されている。枚葉式エッチングは、平坦化した単一のウェーハの上面へエッチング液を滴下し、ウェーハを水平回転（スピン）させることにより滴下したエッチング液をウェーハ上面全体に拡げてエッチングする方法である。ウェーハ上面に供給したエッチング液は、ウェーハを水平回転させることにより生じた遠心力により、供給した箇所からウェーハ上面全体に拡がり、ウェーハのエッジ面に至るため、ウェーハ上面と同時にウェーハのエッジ面もエッチングされることになる。供給したエッチング液の大部分は、遠心力によりウェーハのエッジ面から吹き飛んで、エッチング装置に設けられたカップ等により回収される。しかしエッチング液の一部はウェーハのエッジ面からウェーハ下面へと回り込み、ウェーハのエッジ面及びウェーハ下面をもエッチングしてしまう不具合があった。

この点を解消するために、半導体基板固定手段のテーブル部が円板状の半導体基板の中央部を真空吸引させて保持し、回転駆動昇降手段が半導体基板固定手段ごと半導体基板を回転させかつ昇降させ、エッチング液供給手段が半導体基板固定手段に保持された半導体基板の表面にノズルからエッチング液を供給するように構成された半導体基板処理装置が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。この半導体基板処理装置では、テーブル部にリング状スリットとガイド部とを有するリングブローノズルが半導体基板固定手段と完全に独立して設けられる。このリングブローノズルを備える半導体基板処理装置では、そこに形成されたリング状スリットから半導体基板の裏面外周部に噴出されるガスにより、この外側端部より下面側にエッチング液が回り込むのを防ぎ、半導体基板の厚み方向中心位置でエッチングを止めることができる。この結果、半導体基板の両面をエッチングした場合において、エッジ面を均一にエッチングできるようになっている。

ここで、図４に示すように、このリングブローノズル２は、外周部の下側に半径方向外側に沿って上側に傾斜した上傾斜面を備えたリング板状の上側ノズル分割体２ａと、その上側ノズル分割体２ａの上傾斜面に対向して僅少の平行な隙間をあけて配置された下傾斜面を備えた下側ノズル分割体２ｂとを有している。そして、そして別部材からなる上側ノズル分割体２ａと下側ノズル分割体２ｂを図示しないベース部材にそれぞれ取付け、上側ノズル分割体２ａにおける上傾斜面と下側ノズル分割体２ｂにおける下傾斜面との間の隙間によりリング状スリット３を形成している。このようにして、リング状スリット３は、テーブル部４の外側位置でかつテーブル部４に搭載された半導体基板の裏面側下方に設けられ、テーブル部４に搭載された半導体基板の裏面外周部の半径方向外側に向けて斜め上方向にガスを均一に噴出するように構成される。またガイド部６は下側ノズル分割体２ｂの周囲上面に形成され、上記噴出されたガスをテーブル部４に搭載された半導体基板の裏面側に沿って半導体基板の厚み方向中心位置の外側端部まで導くように構成される。ここで、符号７は、上側ノズル分割体２ａ及び下側ノズル分割体２ｂを図示しないベース部材に取付けている取付ねじの頭を示す。
特開２００６−２３７５０２号公報（請求項１、段落［０００９］）

しかし、上記従来の特許文献１に示された半導体基板処理装置では、別部材からなる上側ノズル分割体２ａと下側ノズル分割体２ｂをベース部材にそれぞれ取付け、それらにおける上傾斜面と下傾斜面との間の隙間によりリング状スリット３を形成しているので、上側ノズル分割体２ａと下側ノズル分割体２ｂの取付位置がその取付け誤差により又は製作上の誤差によりずれると、上傾斜面と下傾斜面との間の隙間により形成されるリング状スリット３の幅が周方向において均一でなくなるという未だ解決すべき課題が残存していた。図４では、リング状スリット３の左側における幅が拡大して右側における幅が狭くなった場合を示す。そして、リング状スリット３の幅が周方向において均一でなくなると、そのスリット３を介して噴出されるガスの量にばらつきが生じることから、外側端部より下面側に回り込むエッチング液の量もばらついて、ウェーハのエッジ面の最外周縁の形状を安定化させることができない不具合が生じる。

また、上記従来の半導体基板処理装置では、ガイド部により半導体基板の厚み方向中心位置の外側端部までガスを導く構成をとっているため、リング状スリットから噴出されるガスは、ガイド部によって半導体基板の半径方向外側に向かうガス流れが上方に向けてのガス流れになってしまう。このため、リング状スリットから噴出されるガスにより吹き飛ばされたエッチング液が半導体基板の表面に再付着してしまい、半導体基板表面の形状を悪化させる問題がある。

本発明の目的は、半導体基板の裏面外周部に噴出されるガスを均一にして、ウェーハのエッジ面の形状を安定化させることができる、ウェーハの枚葉式エッチング装置を提供することにある。

請求項１に係る発明は、半導体インゴットをスライスして得られた薄円板状のウェーハを回転させながら、ウェーハの上面にエッチング液を供給して少なくともウェーハの上面をエッチングする枚葉式エッチング装置の改良である。

その特徴ある構成は、ウエーハを回転させる回転機構と、回転機構の半径方向外方に設けられ回転機構により回転されるウェーハの下面に対向しかつ平行にウェーハの下面とエッジ部との境界位置よりも外方にまで延びたステージと、ステージの上面にウェーハに向かうように形成された噴射口と、噴射口に流体を供給してウェーハのエッジ部を介して流下するエッチング液をウェーハの外方に吹き飛ばすブロー機構とを備えるところにある。

この請求項１に記載されたウェーハの枚葉式エッチング装置では、ウェーハを回転させながらウェーハの上面にエッチング液を供給すると、ウェーハの回転に伴う遠心力により、エッチング液はその供給箇所からウェーハのエッジ面側へとウェーハの上面をエッチングしながら徐々に移動し、ウェーハのエッジ面に至った後はそのエッジ面をエッチングする。その後エッチング液はウェーハの回転に伴う遠心力によりウェーハ外方へ飛散する。

一方、ブロー機構により噴射口に流体を供給すると、ウェーハの下面とステージの間にガス流が作られる。このガス流は、ウェーハのエッジ面からウェーハの下面に回り込もうとする一部のエッチング液を、そのウェーハの半径方向外側に吹き飛ばす。このとき、エッチング液を吹き飛はすガス流はウェーハの下面とステージの間に作られたものであり、ウェーハの外周近傍においてそのガス流の流れが上方に向かうようなことはない。よって、このガス流により吹き飛ばされたエッチング液はウェーハ外方へ飛散し、そのエッチング液が上方に吹き飛ばされてウェーハの上面に再付着するような事態を回避することができる。

請求項２に係る発明は、請求項１に係る発明であって、噴射口の先端がウェーハのエッジ面よりもウェーハ半径方向内側に位置するように設けられたことを特徴とする。

この請求項２に記載されたウェーハの枚葉式エッチング装置では、噴射口からガスを吹き出すことにより、ウェーハの下面とステージの間に確実にガス流を作ることができ、ウェーハのエッジ面からウェーハの下面に回り込もうとする一部のエッチング液を効果的に吹き飛ばすことができる。

請求項３に係る発明は、請求項１又は２に係る発明であって、噴射口が複数設けられ、複数の噴射口の断面積がそれぞれ同一であって、複数の噴射口の先端のウェーハ周方向におけるそれぞれの間隔が０．１〜１０ｍｍであることを特徴とする。

この請求項３に記載されたウェーハの枚葉式エッチング装置では、ブロー機構により噴射口に流体を供給すると、噴射口と噴射口の間に対応するウェーハの下面にものそれらの孔状の噴射口から吹き出すガスが吹き付けられ、複数の噴射口から吹き出されるガスの量のばらつきを防止することができる。このため、ウェーハの下面とステージの間に均一な流れのガス流が作られ、ウェーハの下面とステージの間のガス流のウェーハの周方向におけるばらつきをなくすことができる。この結果、ウェーハの下面外周部のガス流における流量は最適に制御されるので、ウェーハのエッジ面の形状の造り込みを容易に行うことができる。

請求項４に係る発明は、請求項１ないし３いずれか１項に係る発明であって、噴射口から噴射されるガスの流量が５０〜１０００リットル／分であることを特徴とする。

この請求項４に記載されたウェーハの枚葉式エッチング装置では、噴射口から噴射されるガスによりウェーハの下面とステージの間に確実にガス流を作ることができ、ウェーハのエッジ面からウェーハの下面に回り込もうとする一部のエッチング液を更に効果的に吹き飛ばすことができる。

本発明によれば、噴出口から出た流体はウェーハとステージにより拘束されて外方へ流れるので、ウェーハのエッジ面を通って流下するエッチング液を確実に吹き飛ばせるので、ウェーハ下面がエッチングされるのを防止できるものである。

次に本発明を実施するための最良の形態を図面に基づいて説明する。

図１に示すように、枚葉式エッチング装置１０は、チャンバに収容され単一の薄円板状のシリコンウェーハ１１を載せて水平に保持するウェーハチャック１２と、ウェーハ１１をその鉛直中心線を中心に水平面内で回転させる回転機構１３と、チャック１２により保持されたウェーハ１１の上面１１ａにエッチング液１５を供給する主ノズル１４と、チャック１２により保持されたウェーハ１１のエッジ面１１ｂにエッチング液１５を供給する補助ノズル１６と、チャック１２に載せられたウェーハ１１のエッジ面１１ｂを伝わって流下するエッチング液１５をガスの噴射によりウェーハ１１の半径方向外側に吹き飛ばす下面ブロー機構１７とを備える。ウェーハ１１はシリコン単結晶インゴットをスライスして得られ、このウェーハ１１の外周縁、即ちウェーハ１１のエッジ面１１ｂには所定の曲率半径を有する凸状の面取り加工が施される。

またチャック１２は、鉛直方向に延びて設けられた軸部１２ａと、この軸部１２ａの上面に軸部１２ａと一体的に形成された大径のウェーハ受け部１２ｂを備える。軸部１２ａ及びウェーハ受け部１２ｂの中心に軸部１２ａの下面からウェーハ受け部１２ｂの中央まで鉛直方向に延びて透穴１２ｃ（図３）が形成され、一端が透穴１２ｃの上端に連通接続され透穴１２ｃを中心としてウェーハ受け部１２ｂの半径方向外側に放射状に延び他端が閉止された複数の連通穴（図示せず）が形成される。図２に示すように、ウェーハ受け部１２ｂの上面には複数のリング溝１２ｄが同心状に形成され、連通穴とリング溝１２ｄとを連通接続する複数の小孔１２ｅが形成される。そして、図示しないが、上記透穴１２ｃの下端には真空ポンプが接続される。

図１に示すように、ウェーハ受け部１２ｂの上面にはこのウェーハ受け部１２ｂと同心状にウェーハ１１が載せられ、真空ポンプが駆動されて図２及び図３に示す透穴１２ｃ、連通穴、小孔１２ｅ及びリング溝１２ｄ内が負圧になると、ウェーハ１１の下面１１ｃがウェーハ受け部１２ｂに吸着されてウェーハ１１が図１に示すように水平に保持されるようになっている。また回転機構１３は、上記軸部１２ａを回転させる駆動モータ（図示せず）を有する。駆動モータにより軸部１２ａを回転させることにより、ウェーハ受け部１２ｂにて保持されたウェーハ１１が軸部１２ａ及びウェーハ受け部１２ｂとともに回転するように構成される。

また主ノズル１４はウェーハ１１の上方にウェーハ１１の上面１１ａを臨むように設けられ、補助ノズル１６はウェーハ１１のエッジ面１１ｂの上方にウェーハ１１のエッジ面１１ｂを臨むように設けられる。主ノズル１４は主供給管２１を通って主供給ポンプ（図示せず）に接続され、補助ノズル１６は補助供給管２２を通って補助供給ポンプ（図示せず）に接続される。主ノズル１４は主ノズル移動手段（図示せず）によりウェーハ１１の上面１１ａの中心に対向する位置と退避位置との間を水平方向に移動可能に構成され、補助ノズル１６は補助ノズル移動手段（図示せず）によりウェーハ１１のエッジ面１１ｂに対向する位置と退避位置との間を水平方向に移動可能に構成される。ウェーハ１１をエッチングするときには、主ノズル１４は主ノズル移動手段によりウェーハ１１の上面１１ａの中心とウェーハ１１の周縁との間を移動し、補助ノズル１６は補助ノズル移動手段によりウェーハ１１のエッジ面１１ｂに対向する位置に固定される。

一方、下面ブロー機構１７は、ウェーハチャック１２やウェーハを回転させる回転機構１３とは連結されずにウェーハ１１とともに回転しないように独立に配置され、圧縮ガスを貯留する圧縮ガス貯留路１７ｂと、その圧縮ガス貯留路１７ｂに基端が開放され先端がウェーハ１１の周縁下面に臨むように開放された複数の孔状の噴射口１７ａと、圧縮ガス貯留路１７ｂに連通してその圧縮ガス貯留路１７ｂに圧縮されたガスを供給するガス供給手段（図示せず）とを有する（図１及び図２）。複数の孔状の噴射口１７ａはリング部材１７ｄに形成され、このリング部材１７ｄはベース部材１７ｃの上面にこのベース部材１７ｃと同心状に取付けられる（図１）。リング部材１７ｄの下面にはリング状の凹溝１７ｅが同心状に形成され、リング部材１７ｄをベース部材１７ｃに取付けることにより凹溝１７ｅはベース部材１７ｃの上面により覆われてこの空間により圧縮ガス貯留路１７ｂが形成される。ここで、符号２３は、リング部材１７ｄをベース部材１７ｃに取付ける取付ねじを示す。

ベース部材１７ｃはウェーハ１１より大径に形成され、その中心には軸部１２ａに遊嵌するための通孔１７ｆが形成される。またリング部材１７ｄの中心には大径の孔１７ｇが形成される。圧縮ガス貯留路１７ｂにはベース部材１７ｃに形成された４つのガス供給孔１７ｈの一端に連通され（図１及び図３）、これらのガス供給孔１７ｈの他端はガス供給手段に接続される。ガス供給手段は、窒素ガス又は空気等のガスを圧縮するコンプレッサ等により構成され、このガス供給手段により圧縮されたガスはガス供給孔１７ｈを介して圧縮ガス貯留路１７ｂに貯留され、この圧縮ガス貯留路１７ｂから噴射口１７ａに供給される。

ここで、噴射口１７ａは、リング部材１７ｄの半径方向外側に沿って上側に傾斜して形成され、複数の噴射口１７ａの断面積はそれぞれ同一に形成される。具体的にこの実施の形態における噴射口１７ａは、その断面直径ＢＷが０．１〜５ｍｍの円形の孔であって、その噴射口１７ａの先端の位置ＢＰはウェーハのエッジ面１１ｂよりもウェーハ半径方向内側に位置するように構成される。そして、リング部材１７ｄのウェーハ１１に対向する上面の周囲であって、リング状に配置された複数の噴射口１７ａの外側は平坦に形成されてステージ１７ｊが形成される。そして、リング部材１７ｄの上面の周囲は、ウェーハ１１の下面１１ｃに対向しかつその下面１１ｃと平行に形成され、その下面１１ｃと平行に形成されたステージ１７ｊはウェーハ１１の下面１１ｃとエッジ部１１ｂとの境界位置よりも外方にまで延びて形成される。

また、図２に示すように、複数の噴射口１７ａのウェーハ１１周方向におけるそれぞれの間隔ｄは０．１〜１０ｍｍの等間隔、好ましくは０．５〜５ｍｍの等間隔に形成される。更に、図１に戻って、また噴射口１７ａから噴射されるガスの流量は５０〜１０００リットル／分、好ましくは１００〜５００リットル／分に設定され、噴射口１７ａからのガスの流量をＧリットル／分とし、噴射口１７ａの断面直径をＢＷｍｍとするとき、Ｇ／ＢＷが５０〜１０００、好ましくは１００〜５００に設定される。更にウェーハ１１の回転速度は２００〜８００ｒｐｍ、好ましくは３００〜５００ｒｐｍの範囲内に設定され、噴射口１７ａの水平面に対する角度θ₁は５〜６０度、好ましくは１０〜４５度の範囲内に設定される。

噴射口１７ａから噴出したガスがウェーハ１１のエッジ面に当たらなくなる不具合があり、１０ｍｍを越えるとウェーハ１１裏面にエッチング液が回り込んでしまうという不具合があるからである。複数の噴射口１７ａのウェーハ１１周方向におけるそれぞれの間隔が０．１〜１０ｍｍとしたのは、複数の噴射口１７ａのウェーハ１１周方向におけるそれぞれの間隔が０．１ｍｍ未満であると、噴射口１１ａと噴射口１１ａの間の肉厚が薄くなりすぎてその加工が困難になり、複数の噴射口１７ａのウェーハ１１周方向におけるそれぞれの間隔が１０ｍｍを越えると、噴射口１１ａと噴射口１１ａの間に対応するウェーハ１１の下面１１ｃにそれらの孔状の噴射口１１ａから吹き出すガスを吹き付けることが困難になるからである。

また、噴射口１７ａから噴射されるガスの流量を５０〜１０００リットル／分の範囲内に限定したのは、５０リットル／分未満ではウェーハ１１裏面へのエッチング液の回り込みを生じてしまうという不具合があり、１０００リットル／分を越えると噴出ガスによって吹き飛ばされたエッチング液が飛散してしまいエッチング液の回収が困難となり、また、ユーティリティへの負担が大きくなるという不具合があるからである。Ｇ／ＢＷを５０〜１０００の範囲内に限定したのは、５０未満ではガスの供給が容易でなく、１０００を越えるとガスの供給流速を十分に得られないからである。ウェーハ１１の回転速度を２００〜８００ｒｐｍの範囲内に限定したのは、２００ｒｐｍ未満ではウェーハ１１外周からウェーハ裏面にエッチング液が回り込んでしまい、均一なエッジ面の造り込みができないという不具合があり、８００ｒｐｍを越えるとウェーハ１１表面の平坦化が困難となるという不具合があるからである。噴射口１７ａの水平面に対する角度θ₁を５〜６０度の範囲内に限定したのは、５度未満ではウェーハ１１外周からウェーハ裏面にエッチング液が回り込んでしまうという不具合があり、６０度を越えると噴出されるガスが層流にならずウェーハ１１裏面へのエッチング液の回り込みを生じてしまうという不具合があるからである。

なお、図示しないが、チャック１２により保持されたウェーハ１１の外周面から所定の間隔をあけた外側には液吸引機構が設けられる。この図示しない液吸引機構は、ウェーハ１１から飛散したエッチング液１５を受ける液受け具と、液受け具が受けたエッチング液１５を吸引する液吸引手段とを有する。

このように構成されたウェーハ１１の枚葉式エッチング装置１０の動作を説明する。

先ずチャック１２上にウェーハ１１を載せた状態で、真空ポンプを作動させて透穴１２ｃ、連通穴、小孔１２ｅ及びリング溝１２ｄ内を負圧にし、この負圧によりウェーハ１１を水平に保持する。この状態で回転機構１３の駆動モータを作動させてチャック１２の軸部１２ａ及びウェーハ受け部１２ｂとともにウェーハ１１を水平面内で回転させる。次いで下面ブロー機構１７のガス供給手段を作動させて窒素ガス又は空気からなる圧縮ガスをガス供給孔１７ｈ及び圧縮ガス貯留路１７ｂを通って噴射口１７ａから噴射させることにより、リング部材１７ｄの周囲上面におけるステージ１７ｊとウェーハ１１の下面１１ｃとの間のギャップＧＰに、ウェーハ１１の半径方向外側に向って流れるガス流を作る。ここで、液吸引機構の吸引手段を作動させることにより液受け具内が負圧に保たれる。次に主ノズル移動手段を作動させて主ノズル１４をウェーハ１１の中心に対向させ、補助ノズル移動手段を作動させて補助ノズル１６をウェーハ１１のエッジ面１１ｂに対向させた状態で、主供給ポンプを作動させることにより、主ノズル１４からエッチング液１５をウェーハ１１の上面１１ａに供給するとともに、補助供給ポンプを作動させることにより、補助ノズル１６からエッチング液１５をウェーハ１１のエッジ面１１ｂに供給する。

主ノズル１４からウェーハ１１の上面１１ａに供給されたエッチング液１５は、ウェーハ１１の水平面内での回転に伴って生じた遠心力により、エッチング液１５の供給した箇所（例えばウェーハ１１の上面１１ａの中心付近）からウェーハ１１のエッジ面１１ｂに向ってウェーハ１１の上面１１ａの加工変質層をエッチングしながら徐々に移動した後に、ウェーハ１１のエッジ面１１ｂに達したときにこのエッジ面１１ｂをエッチングする。このとき補助ノズル１６からウェーハ１１のエッジ面１１ｂにエッチング液１５が供給されるので、ウェーハ１１のエッジ面１１ｂに十分な量のエッチング液１５が供給される。そしてウェーハ１１のエッジ面１１ｂのエッチング液１５の大部分は上記ウェーハ１１の回転に伴う遠心力により液滴となってウェーハ１１外方へ飛散する。この飛散したエッチング液１５は負圧に保たれた液受け具に入り、その負圧により吸引パイプを通ってチャンバ外に排出される。

一方、ウェーハ１１のエッジ面１１ｂからウェーハ１１の下面１１ｃに回り込もうとする一部のエッチング液１５は、リング部材１７ｄの周囲上面におけるステージ１７ｊとウェーハ１１の下面１１ｃとの間のギャップＧＰをウェーハ１１の半径方向外側に流れるガス流により、ウェーハ１１の半径方向外側に吹き飛ばされ、ウェーハ１１外方へ飛散する。飛散したエッチング液１５は、負圧に保たれた液受け具にスムーズに入り、その負圧により吸引パイプを通ってチャンバ外に排出される。このとき、エッチング液１５を吹き飛ばすガス流はウェーハ１１の下面とステージ１７ｊの間のギャップＧＰに作られたものであり、そのステージ１７ｊが平坦であることからウェーハ１１の外周近傍の、例えばノッチが形成された部分であっても、そのガス流の流れが上方に向かうようなことはない。よって、このガス流により吹き飛ばされたエッチング液１５はウェーハ１１の外方へ確実に飛散し、そのエッチング液１５が上方に吹き飛ばされてウェーハ１１の上面に再付着するような事態を回避することができる。

また、エッチング液１５を吹き飛はすギャップＧＰを通るガス流は、複数の孔状の噴射口１１ａから吹き出されるため、複数の噴射口１１ａの孔径を一定とすることにより、複数の噴射口１１ａから吹き出されるガスの量にばらつきは生じない。しかも、下面ブロー機構１７はウェーハ１１とともに回転しないように独立して配置されるため、複数の孔状の噴射口１１ａから吹き出されるガスがウェーハ１１のエッジ面１１ｂの全周に亘って均一に吹き付けられる。このため、ウェーハ１１の裏面外周部のガス流における流量を所定値に保つとともに、その周方向におけるばらつきをなくすことができる。よって、ウェーハ１１の下面１１ｃ外周部のガス流における流量は最適に制御することができる。この結果、エッチング液１５がウェーハ１１の下面１１ｃに回り込むのを防止するとともに、エッチング後のウェーハ１１の上面１１ａを平坦に形成でき、かつウェーハ１１のエッジ面１１ｂの形状を整えて安定化させることができる。

なお、上記実施の形態では、下面ブロー機構をウェーハとともに回転させずに固定して設けたが、下面ブロー機構をウェーハに対して相対回転するように設けてもよい。この場合、下面ブロー機構がウェーハに対して相対回転しており、ウェーハ位置が裏面ブロー位置に対して変化するので、ウェーハのセンタリング精度を良好に保つことができるとともに、ウェーハのエッジ面形状のウェーハ面内均一性を良好に保つことができる。

本発明実施形態のウェーハの枚葉式エッチング装置の要部縦断面構成図である。 ウェーハを載せる前のエッチング装置を示す図１のＡ矢視図である。 図１のＢ−Ｂ線断面図である。 従来のエッチング装置におけるリング状の噴射口を示す図２に対応する図である。

符号の説明

１０ 枚葉式エッチング装置
１１ シリコンウェーハ
１１ａ ウェーハの上面
１１ｂ ウェーハのエッジ面
１１ｃ ウェーハの下面
１３ 回転機構
１５ エッチング液
１７ ブロー機構
１７ａ 噴射口
１７ｊ ステージ

Claims (4)

1. 半導体インゴットをスライスして得られた薄円板状のウェーハを回転させながら、前記ウェーハの上面にエッチング液を供給して少なくとも前記ウェーハの上面をエッチングする枚葉式エッチング装置において、
   前記ウエーハを回転させる回転機構と、
   前記回転機構の半径方向外方に設けられ前記回転機構により回転される前記ウェーハの下面に対向しかつ平行に前記ウェーハの下面とエッジ部との境界位置よりも外方にまで延びたステージと、
   前記ステージの上面に前記ウェーハに向かうように形成された噴射口と、
   前記噴射口に流体を供給して前記ウェーハのエッジ部を介して流下するエッチング液を前記ウェーハの外方に吹き飛ばすブロー機構と
   を備えることを特徴とするウェーハの枚葉式エッチング装置
2. 噴射口の先端がウェーハのエッジ面よりもウェーハ半径方向内側に位置するように設けられた請求項１記載のウェーハの枚葉式エッチング装置。
3. 噴射口が複数設けられ、前記複数の噴射口の断面積がそれぞれ同一であって、前記複数の噴射口の先端のウェーハ周方向におけるそれぞれの間隔が０．１〜１０ｍｍである請求項１又は２記載のウェーハの枚葉式エッチング装置。
4. 噴射口から噴射されるガスの流量が５０〜１０００リットル／分である請求項１ないし３いずれか１項に記載のウェーハの枚葉式エッチング装置。

Images