KR100760491B1 - 웨이퍼의 매엽식 에칭 장치 및 웨이퍼의 매엽식 에칭 방법 - Google Patents

웨이퍼의 매엽식 에칭 장치 및 웨이퍼의 매엽식 에칭 방법 Download PDF

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Abstract

웨이퍼의 매엽식 에칭 장치로서, 웨이퍼를 수평으로 유지하여 회전시키는 웨이퍼 척과, 상기 웨이퍼 상면에 에칭액을 공급하는 에칭액 공급 기구와, 상기 웨이퍼 척에 설치되어, 웨이퍼의 엣지부를 따라 흘러내리는 에칭액을 가스 분사에 의해 상기 웨이퍼의 반경 방향 외측으로 날리는 가스 분사 기구와, 상기 웨이퍼 척에 설치되어 상기 가스 분사 기구에 의해 날려진 에칭액을 상기 가스와 함께 흡인하는 제 1 액 흡인 기구와, 상기 웨이퍼 척 및 상기 웨이퍼의 외주면보다 바깥쪽에 설치되고, 상기 가스 분사 기구에 의해 날려진 에칭액 및, 상기 웨이퍼의 회전에 수반되는 원심력에 의해 비산된 에칭액을 상기 가스와 함께 흡인하는 제 2 액 흡인 기구를 가지는 웨이퍼의 매엽식 에칭 장치.
NG 인식 마커, 에칭액, 웨이퍼, 분사구

Description

웨이퍼의 매엽식 에칭 장치 및 웨이퍼의 매엽식 에칭 방법{APPARATUS FOR ETCHING A WAFER BY SINGLE-WAFER PROCESS AND SINGLE WAFER TYPE METHOD FOR ETCHING WAFER}
도 1 은 본 발명 실시 형태의 웨이퍼의 매엽식 에칭 장치의 요부 종단면 구성도.
도 2 는 웨이퍼를 탑재하기 전의 에칭 장치를 나타내는 시시도(矢視圖)이다. 시시의 방향은 도 1 에 화살표 A 로 나타난다.
도 3 은 도 1 의 웨이퍼의 매엽식 에칭 장치의 단면도이고, 도 1 의 선 B-B 을 따른 단면을 나타내고 있다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
2 : 헤드 기판 20 : 집적 회로
22 : 전극 패드 22I : 입력 패드군
220 : 출력 패드군 23 : 표면 보호층
23a : 제 1 개구부 23b : 제 2 개구부
25 : NG 마커 패드 M : NG 인식 마커
본 발명은 웨이퍼를 수평으로 유지한 상태에서 회전시키면서, 이 웨이퍼를 1 매씩 에칭하는 장치와 그 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 웨이퍼의 제조 공정은 단결정 잉곳으로부터 잘라내고 슬라이스하여 얻어진 웨이퍼를 모따기, 기계 연마 (랩핑), 에칭, 경면 연마 (폴리싱) 및 세정하는 공정으로 구성되고, 이들 공정을 거쳐 고정밀도의 평탄도를 가지는 웨이퍼가 생산된다. 그 제조 공정에서, 블록 절단, 외경 연삭, 슬라이싱, 랩핑 등의 기계가공 프로세스를 거친 웨이퍼는 그 상면에 데미지층, 즉 가공 변질층을 갖는다. 가공 변질층은 디바이스 제조 프로세스에서 슬립 전위 등의 결정 결함을 유발해, 웨이퍼의 기계적 강도를 저하시키고, 또한 전기적 특성에 악영향을 미치기 때문에 완전히 제거해야 한다. 이 가공 변질층을 제거하기 위해서 에칭 처리가 실시된다. 에칭 처리로서는 침지식 에칭이나 매엽식 에칭이 행해지고 있다.
상기 매엽식 에칭은 대구경화된 웨이퍼의 표면 조도와 텍스쳐 사이즈를 제어할 수가 있기 때문에, 최적인 에칭 방법으로서 검토되고 있다. 매엽식 에칭은 평탄화된 단일의 웨이퍼 상면에 에칭액을 적하하고, 웨이퍼를 수평 회전 (스핀) 시킴으로써 적하한 에칭액을 웨이퍼 상면 전체에 확산시켜 에칭하는 방법이다. 웨이퍼 상면에 공급한 에칭액은 웨이퍼를 수평 회전시킴으로써 발생한 원심력에 의해, 공급한 지점으로 웨이퍼 상면 전체에 확산되고, 웨이퍼의 엣지부에 이르기 때문에, 웨이퍼 상면과 동시에 웨이퍼의 엣지부도 에칭되게 된다. 공급된 에칭액 의 대부분은 원심력에 의해 웨이퍼의 엣지부로부터 날아가, 에칭 장치에 설치된 컵 등에 의해 회수된다. 그러나 에칭액의 일부는 웨이퍼의 엣지부로부터 웨이퍼 하면으로 돌아 들어가, 웨이퍼의 엣지부 및 웨이퍼 하면까지 에칭되어 버리는 문제가 있었다.
이 점을 해소하기 위해서, 회전 구동부에 회전 베이스의 중심축이 접속되고, 회전 베이스의 주변 지점에 웨이퍼를 소정 위치에 탑재하기 위한 위치 결정부가 형성되며, 웨이퍼의 둘레면을 유지하는 유지 부재가 회전 베이스 주변의 위치 결정부 상호 간에 설치되어, 에칭액을 송출하는 처리 노즐이 회전 베이스의 상방에 설치된 매엽처리기구가 개시되어 있다 (예를 들면, 특허 문헌 1 : 일본 공개특허공보 평11-289002호 청구항 1 및 2, 단락 [0010], 단락 [0018], 단락 [0019], 단락 [0021]). 이 매엽 처리기구에서는 웨이퍼 하면의 회전 베이스에의 접촉부를 기준으로 하는 위치 결정부 및 유지 부재의 돌출 높이 X㎜ 가, 웨이퍼 주연부(周緣部)의 두께를 A㎜ 로 할 때, 0<X<(A+0.5) 이다. 또한 회전 베이스 하부의 중심축 주위에 가스 공급용 블록이 설치되고, 이 블록으로부터 가스가 송출되는 공급구가 회전 베이스 내부를 관통하여 설치된다.
이와 같이 구성된 매엽처리기구에서는 위치 결정부 및 유지 부재의 돌출 높이를 상기 비율이 되도록 구성함으로써, 웨이퍼의 고속 회전시에, 난기류나 에칭액의 튕김이 억제된다. 또한 블록에 형성된 공급구로부터 가스를 송출함으로써, 회전 베이스와 웨이퍼 하면 사이의 공간의 기압이 높아지기 때문에, 에칭액이 웨이퍼 하면으로 돌아 들어가는 것을 방지할 수 있게 되어 있다.
그러나, 상기 종래의 특허 문헌 1 에 나타난 매엽처리기구에서는 웨이퍼의 하방으로 가스를 송출함으로써, 에칭액의 웨이퍼 하면으로 돌아들어 가는 것을 방지하고 있지만, 에칭액의 웨이퍼 둘레면에 머무는 시간이 길어져, 에칭액이 머문 지점이 필요 이상으로 에칭되어 버려, 모따기 가공을 실시한 웨이퍼 둘레면의 형상이 국소적으로 무너져 버리고, 웨이퍼의 엣지부를 균일하게 에칭할 수 없다는 우려가 있었다.
또한, 상기 종래의 특허 문헌 1 에 나타난 매엽처리기구에서는 웨이퍼의 하방으로 가스를 송출함으로써, 에칭액이 비산하여 처리 장치의 내벽에서 튀어올라 웨이퍼 상면에 재부착되는 문제점도 있었다.
본 발명의 목적은 웨이퍼 하면에의 에칭액의 돌아들어 가는 것을 방지할 수 있고, 비산된 에칭액의 웨이퍼 상면에의 재부착을 방지할 수 있으며, 추가로 웨이퍼의 엣지부의 국소적인 형상 붕괴를 억제할 수 있는, 웨이퍼의 매엽식 에칭 장치 및 웨이퍼의 매엽식 에칭 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명에서는 실리콘 단결정 잉곳을 슬라이스해서 얻어진 단일 원판상의 실리콘 웨이퍼를 웨이퍼 척에 탑재하여 수평으로 유지한 상태에서 회전시키면서, 웨이퍼의 상면에 에칭액을 공급하여 웨이퍼의 상면을 에칭하는 매엽식 에칭 장치에 관하여, 개량된 구성이 제공된다.
본 발명의 제 1 양태와 관련된 웨이퍼의 매엽식 에칭 장치는, 실리콘 단결정 으로부터 잘려 나온 단일한 원판 형상의 웨이퍼를 수평으로 유지하여 회전시키는 웨이퍼 척과, 상기 웨이퍼 척에 설치되고, 웨이퍼의 엣지부를 따라 흘러내리는 에칭액을 가스의 분사에 의해 웨이퍼의 반경 방향 외측으로 날리는 가스 분사 기구와, 상기 웨이퍼의 상면에 에칭액을 공급하는 에칭액 공급기구와, 상기 웨이퍼 척에 설치되어 가스 분사 기구에 의해 날려진 에칭액을 가스와 함께 흡인하는 제 1 액 흡인 기구와, 상기 웨이퍼 척 및 상기 웨이퍼의 외주면보다 바깥쪽에 설치되고, 상기 가스 분사 기구에 의해 날려진 에칭액, 및 상기 웨이퍼의 회전에 수반되는 원심력에 의해 비산된 에칭액을 가스와 함께 흡인하는 제 2 액 흡인 기구를 가지는 구성으로 되어있다.
상기 구성의 웨이퍼의 매엽식 에칭 장치에서는 먼저 웨이퍼 척 상에 웨이퍼를 수평으로 탑재하여 유지한 상태에서, 웨이퍼를 수평면 내에서 회전시킴과 함께, 가스 분사 기구에 의해 웨이퍼 척 상면과 웨이퍼 하면 사이의 간극에 웨이퍼의 반경 방향 외측을 향해 흐르는 고속 가스류를 만든다. 이 상태에서 웨이퍼의 상면에 에칭액을 공급하면, 웨이퍼의 수평면 내에서의 회전에 수반되어 발생한 원심력에 의해, 에칭액은 그 공급 지점으로부터 웨이퍼의 엣지부측으로 웨이퍼 상면을 에칭하면서 서서히 이동하여 웨이퍼의 엣지부를 에칭한다. 그리고 웨이퍼 상의 에칭액의 대부분은 상기 웨이퍼의 회전에 수반되는 원심력에 의해 웨이퍼 바깥쪽으로 비산하고, 이 비산된 에칭액은 제 2 액 흡인 기구에 의해 흡인된다. 한편, 웨이퍼의 엣지부로부터 웨이퍼의 하면으로 돌아들어가려고 하는 일부의 에칭액은, 척 상면과 웨이퍼 하면 사이의 간극을 웨이퍼의 반경 방향 외측으로 흐르는 고속 가스류에 의해, 웨이퍼의 반경 방향 외측으로 날려져 제 1 액 흡인 기구에 의해 흡인되거나, 또는 웨이퍼 바깥쪽으로 비산하여 제 2 액 흡인 기구에 의해 흡인된다.
본 발명의 제 2 양태로서, 상기 제 1 양태의 구성을 가지는 웨이퍼의 매엽식 에칭 장치에 있어서, 상기 가스 분사 기구는 상기 웨이퍼 척의 상면에 웨이퍼 척의 원주 방향을 따라 형성되고, 웨이퍼의 엣지부 근방의 하면에 면하는 링 형상의 분사구와, 웨이퍼 척에 설치되어 상단이 분사구에 연통하고 또한 하부을 향함에 따라 직경이 작아지는 링 형상의 분사 홈과, 분사 홈에 연통되고 분사 홈을 통과하여 분사구에 압축된 가스를 공급하는 가스 공급 수단을 가져도 된다.
상기 구성의 웨이퍼의 매엽식 에칭 장치에서는 가스 분사 기구의 가스 공급 수단을 작동시켜 압축 가스를 분사 홈을 통해 분사구로부터 분사시킴으로써, 웨이퍼 척 상면과 웨이퍼 하면 사이의 간극에, 웨이퍼의 반경 방향 외측을 향해 흐르는 고속 가스류가 만들어진다. 이 때문에 웨이퍼의 엣지부로부터 웨이퍼의 하면으로 돌아들어가려고 하는 일부 에칭액은, 이 고속 가스류에 의해 웨이퍼의 반경 방향 외측으로 날려지므로, 이 에칭액은 제 1 액 흡인 기구에 의해 흡인되거나, 또는 웨이퍼 바깥쪽으로 비산하여 제 2 액 흡인 기구에 의해 흡인된다.
본 발명의 제 3 양태로서, 상기 제 1 양태의 구성을 가지는 웨이퍼의 매엽식 에칭 장치에 있어서, 제 1 액 흡인 기구가 상기 웨이퍼 척의 상면에 웨이퍼 척의 원주 방향을 따르고 또한 가스 분사 기구보다 외방 (外方) 에 형성되고, 웨이퍼의 엣지부 또는 웨이퍼의 엣지부보다 웨이퍼의 반경 방향 외측을 면하는 링 형상의 흡인구와, 상기 웨이퍼 척에 형성되고 상단이 흡인구에 연통하는 링 형상의 흡인 홈 과, 흡인 홈에 연통하여 흡인구로부터 흡인 홈 안에 유입된 에칭액을 가스와 함께 흡인하는 제 1 액 흡인 수단을 가져도 된다.
상기 구성의 웨이퍼의 매엽식 에칭 장치에서는, 제 1 액 흡인 기구의 제 1 흡인 수단을 작동시킴으로써 흡인 홈 내가 부압으로 유지된다. 이 때문에 웨이퍼의 엣지부로부터 웨이퍼의 하면으로 돌아들어가려고 하는 일부의 에칭액은, 가스 분사 기구에 의해 웨이퍼의 반경 방향 외측으로 날려지므로, 흡인구로부터 부압으로 유지된 흡인 홈에 유입되고, 그 부압에 의해 흡인되거나, 또는 웨이퍼 바깥쪽으로 비산하여 제 2 액 흡인 기구에 의해 흡인된다.
본 발명의 제 4 양태로서, 상기 제 1 양태의 구성을 가지는 웨이퍼의 매엽식 에칭 장치에 있어서, 상기 제 2 액 흡인 기구가 상기 웨이퍼 척 및 상기 웨이퍼의 외주면으로부터 소정의 간격을 둔 외측에 설치되고, 웨이퍼 척 및 웨이퍼의 외주면을 향해 개구하는 액 받이 부재와 액 받이 부재에 연통되어 액 받이 부재 내의 에칭액을 가스와 함께 흡인하는 제 2 액 흡인 수단을 가져도 된다.
상기 구성의 웨이퍼의 매엽식 에칭 장치에서는 제 2 액 흡인 기구의 제 2 흡인 수단을 작동시킴으로써, 액 받이 부재내가 부압으로 유지된다. 이 때문에 웨이퍼의 엣지부로부터 웨이퍼의 하면으로 돌아들어가려고 하는 일부의 에칭액은, 가스 분사 기구에 의해 웨이퍼의 반경 방향 외측으로 날려져 제 1 액 흡인 기구에 의해 흡인되거나, 또는 웨이퍼 바깥쪽으로 비산되어 부압으로 유지된 액 받이 부재에 들어가 그 부압에 의해 흡인된다.
본 발명의 제 5 양태로서, 상기 제 2 양태 기재의 가스 분사 기구를 가지는 웨이퍼의 매엽식 에칭 장치에 있어서, 가스 분사 기구의 분사구에 이 분사구를 좁히는 방향으로 링 형상의 차양이 돌출 형성되어 있어도 된다.
이러한 구성의 가스 분사 기구를 가지는 웨이퍼의 매엽식 에칭 장치에서는, 가스 분사 기구의 가스 공급 수단을 작동시켜 압축 가스를 분사 홈을 통과시켜 분사구로부터 분사시킴으로써 웨이퍼 척 상면과 웨이퍼 하면 사이의 간극에 웨이퍼의 반경 방향 외측을 향해 흐르는 가스류가 만들어질 때에, 상기 분사구는 차양에 의해 좁혀져 있기 때문에, 고속의 가스류가 형성된다.
본 발명의 제 6 양태로서, 상기 제 1 양태 기재의 구성을 가지는 웨이퍼의 매엽식 에칭 장치는 웨이퍼 척의 외주연 상부에 내주면이 상방을 향함에 따라 척의 반경 방향 외측으로 경사지는 링 형상의 가이드편 (rim) 이 돌출 형성되어 있어도 된다.
웨이퍼의 엣지부로부터 웨이퍼의 하면으로 돌아들어가려고 하는 일부의 에칭액은 가스 분사 기구로부터 분사되는 가스에 의해 웨이퍼의 반경 방향 외측으로 날려져, 웨이퍼 바깥쪽으로 비산되지만, 상기 구성의 웨이퍼 척을 가지는 웨이퍼의 매엽식 에칭 장치에서는 이 비산된 에칭액이 가이드편에 의해 경사 상방으로 그 방향이 바뀌어지기 때문에, 제 2 액 흡인 기구에 의해 원활하게 흡인된다.
또한 본 발명은 실리콘 단결정 잉곳을 슬라이스하여 얻어진 단일 원판상의 실리콘 웨이퍼를 웨이퍼 척에 탑재하여 수평으로 유지한 상태에서 회전시키면서, 웨이퍼의 상면에 에칭액을 공급해 웨이퍼의 상면을 에칭하는 매엽식 에칭 방법에 관하여, 개량된 웨이퍼의 매엽식 에칭 방법을 제공한다.
본 발명의 제 7 양태와 관련되는 웨이퍼의 매엽식 에칭 방법에서는 실리콘 단결정 잉곳을 슬라이스하여 얻어진 단일의 얇은 원판상의 실리콘 웨이퍼를 웨이퍼 척에 탑재하여 수평으로 유지한 상태에서 회전시키면서, 상기 웨이퍼의 상면에 에칭액을 공급하여 상기 웨이퍼의 상면을 에칭하고, 상기 웨이퍼 척에 탑재된 상기 웨이퍼의 엣지부를 따라 흘러내리는 에칭액을 가스의 분사에 의해 상기 웨이퍼의 반경 방향 외측으로 날리고, 상기 웨이퍼의 회전에 수반되는 원심력에 의해 비산된 에칭액 및 상기 날려진 에칭액을 상기 가스와 함께 흡인한다.
상기 웨이퍼의 매엽식 에칭 방법에서는, 먼저 척상에 웨이퍼를 수평으로 탑재하여 유지한 상태에서 웨이퍼를 수평면 내에서 회전시키면서, 웨이퍼의 상면에 에칭액을 공급하면, 웨이퍼의 수평면 내에서의 회전에 수반되어 발생한 원심력에 의해, 에칭액이 그 공급 지점으로부터 웨이퍼의 엣지부측으로 웨이퍼 상면을 에칭하면서 서서히 이동하고, 웨이퍼의 엣지부를 에칭한다. 그리고 웨이퍼 상의 에칭액의 대부분은 상기 웨이퍼의 회전에 수반되는 원심력에 의해 웨이퍼쪽의 외방으로 비산되어 흡인된다.
한편, 웨이퍼의 엣지부로부터 웨이퍼의 하면으로 돌아들어가려고 하는 일부의 에칭액은 가스의 분사에 의해 웨이퍼의 반경 방향 외측으로 날려져 흡인된다.
바람직한 실시 형태
다음에 본 발명을 실시하기 위한 최선의 형태를 도면에 기초하여 설명한다.
<제 1 의 실시형태>
도 1 에 나타내는 바와 같이, 실리콘 웨이퍼 (11) 의 매엽식 에칭 장치 (10) 는, 챔버에 수용되고 단일의 얇은 원판상의 실리콘 웨이퍼 (11) 를 탑재하여 수평으로 유지하는 웨이퍼 척 (12) 과, 웨이퍼 (11) 를 그 연직 중심선을 중심으로 수평면내에서 회전시키는 회전 수단 (13) 과, 척 (12) 에 의해서 유지된 웨이퍼 (11) 의 상면에 에칭액 (14) 을 공급하는 에칭액 공급 기구 (16) 와, 척 (12) 에 탑재된 웨이퍼 (11) 의 엣지부 (11a) 를 따라 흘러내리는 에칭액 (14) 을 가스의 분사에 의해 웨이퍼 (11) 의 반경 방향 외측으로 날려 버리는 가스 분사 기구 (17) 와, 웨이퍼 (11) 의 회전에 수반되는 원심력에 의해 비산된 에칭액 (14) 및 가스 분사 기구 (17) 에 의해 날려진 에칭액 (14) 을, 가스와 함께 흡인하는 제 1 및 제 2 액 흡인 기구 (21, 22) 를 구비한다. 웨이퍼 (11) 는 실리콘 단결정 잉곳을 슬라이스하여 얻어지고, 이 웨이퍼 (11) 의 외주연, 즉 엣지부 (11a) 는 소정의 곡률 반경을 가지는 볼록상의 모따기 가공이 실시된다.
또 척 (12) 은, 직경이 웨이퍼 (11) 의 직경보다 크게 형성된 원주상의 베이스 부재 (23) 와, 이 베이스 부재 (23) 의 중앙에 연직 방향으로 연장되어 형성된 관통공 (23a) 에 베어링 (24) 을 개재하여 회전 가능하게 삽입 통과된 유지축 (26) 을 갖는다. 유지축 (26) 의 중심에는 연직 방향으로 연장되는 투과공 (26a) 이 형성되고, 이 투과공 (26a) 의 하단은 진공 펌프 (도시하지 않음) 에 연통 접속된다 (도 1 및 도 2). 유지축 (26) 의 상면에는 이 유지축 (26) 과 동심형상으로 웨이퍼 (11) 가 탑재된다 (도 1). 가스 분사 기구 (17) 의 진공 펌프가 구동되어 투과공 (26a) 안이 부압으로 되면, 이 투과공 (26a) 안의 부압에 의해서 웨이퍼 (11) 하면이 유지축 (26) 에 흡착되어 웨이퍼 (11) 가 수평으로 유지되도록 되어 있다. 또 회전 수단 (13) 은 상기 유지축 (26) 과 이 유지축 (26) 을 회전시키는 구동 모터 (도시하지 않음) 를 갖는다. 구동 모터에 의해 유지축 (26) 을 회전시킴으로써 유지축 (26) 에 의해서 유지된 웨이퍼 (11) 가 유지축 (26) 과 함께 회전하도록 구성된다. 추가로 에칭액 공급 기구 (16) 는 웨이퍼 (11) 의 상방에 형성된 선단(先端)에 웨이퍼 (11) 상면을 면하는 토출구 (16a) 가 형성된 노즐 (16b) 과, 이 노즐 (16b) 의 기단(基端)에 접속된 에칭액 (14) 을 노즐 (16b) 을 통하여 토출구 (16a) 에 공급하는 공급 펌프 (도시하지 않음) 와, 노즐 (16b) 을 수평 방향으로 이동시키는 노즐 이동 수단 (도시하지 않음) 을 갖는다.
한편, 가스 분사 기구 (17) 는 웨이퍼 척 (12) 의 상면에 이 웨이퍼 척 (12) 의 원주 방향을 따라 형성된 링 형상의 분사구 (17a) 와, 웨이퍼 척 (12) 에 형성된 상단(上端)이 분사구 (17a) 에 연통하는 링 형상의 분사 홈 (17b) 과, 분사 홈 (17b) 에 연통하는 가스 공급 수단 (도시하지 않음) 을 갖는다 (도 1 및 도 2). 상기 분사구 (17a) 는 웨이퍼 (11) 의 엣지부 (11a) 근방의 하면을 면하도록 형성됨과 함께, 분사구 (17a) 에는 이 분사구 (17a) 를 좁히는 방향으로 링 형상의 차양 (17c) 이 돌출 형성된다. 또 분사 홈 (17b) 은 하방을 향함에 따라 직경이 작아지도록 형성되고 (도 1), 분사 홈 (17b) 의 하단은 베이스 부재 (23) 에 형성된 4 개의 가스 공급공 (17d) 의 상단에 연통된다 (도 1 및 도 3). 추가로 가스 공급 수단은, 질소 가스 또는 공기 등의 가스를 압축하는 콤프레서 기계 등에 의해 구성되고, 4 개의 가스 공급공 (17d) 을 통해서 링 형상의 분사 홈 (17b) 에 연통 접속된다. 이 가스 공급 수단에 의해서 압축된 가스는 가스 공급공 (17d) 및 분사 홈 (17b) 을 통과하여 분사구 (17a) 에 공급된다.
제 1 액 흡인 기구 (21) 는, 웨이퍼 척 (12) 의 상면에 이 웨이퍼 척 (12) 의 원주 방향을 따르고, 또한 가스 분사 기구 (17) 의 분사구 (17a) 보다 바깥쪽에 설치된 링 형상의 흡인구 (21a) 와, 웨이퍼 척 (12) 에 형성된 상단이 흡인구 (21a) 에 연통하는 링 형상의 흡인 홈 (21b) 과, 흡인 홈 (21b) 에 연통하는 제 1 액 흡인 수단 (도시하지 않음) 을 갖는다 (도 1 및 도 2). 흡인구 (21a) 는 웨이퍼 (11) 의 엣지부 (11a) 에 면하도록 웨이퍼 척 (12) 의 상면에 형성된다. 또 흡인 홈 (21b) 은 연직 방향으로 연장되는 원통상으로 형성되고 (도 1), 흡인 홈 (21b) 의 하단은 베이스 부재 (23) 에 형성된 4 개의 액체 흡인공 (21c) 에 연통된다 (도 1 및 도 3). 추가로 제 1 액 흡인 수단 (21) 은 진공 펌프 등에 의해 구성되고, 4 개의 액체 흡인공 (21c) 를 통해서 링 형상의 흡인 홈 (21b) 에 연통 접속된다. 흡인구 (21a) 로부터 흡인 홈 (21b) 및 액체 흡인공 (21c) 내에 유입된 에칭액 (14) 은 가스와 함께 제 1 액 흡인 수단 (21) 에 의하여 흡인된다. 또한, 이 실시형태에서는 흡인구를 웨이퍼의 엣지부에 면하도록 웨이퍼 척의 상면에 형성했지만, 웨이퍼의 엣지부보다 웨이퍼의 반경 방향 외측에 면하도록 웨이퍼 척의 상면에 형성하여도 된다. 또, 이 실시형태에서는 가스 공급공 및 액체 흡인공를 베이스 부재에 각각 4 개씩 형성했지만, 2 개, 3 개 또는 5 개 이상 형성해도 된다.
상기 분사 홈 (17b) 및 흡인 홈 (21b) 은, 베이스 부재 (23) 의 상면에 베이스 부재 (23) 와 동심 형상으로 콘 부재 (27) 와 테이퍼 부재 (28) 를 원통 부재 (29) 를 장착함으로써 형성된다 (도 1). 이들 콘 부재 (27), 테이퍼 부재 (28) 및 원통 부재 (29) 는 베이스 부재 (23) 등과 함께 웨이퍼 척 (12) 의 구성 부품이다. 콘 부재 (27) 의 외주면은 하부를 향함에 따라 직경이 작아지는 콘 형상으로 형성되고, 테이퍼 부재 (28) 의 내주면은 하부를 향함에 따라 직경이 작아지는 테이퍼상으로 형성된다. 테이퍼 부재 (28) 를 베이스 부재 (23) 에 장치한 후에 콘 부재 (27) 를 베이스 부재 (23) 에 설치함으로써, 콘 부재 (27) 의 외주면과 테이퍼 부재 (28) 내주면 사이에 링 형상의 간극이 형성되고, 이 링 형상의 간극이 분사 홈 (17b) 이 된다. 콘 부재 (27) 의 외주면의 상부 가장자리 전체 둘레에 걸쳐, 또한 바깥쪽을 향해서 가늘어지는 돌기를 형성함으로써, 분사구 (17a) 를 좁히는 링 형상의 차양 (17c) 이 형성된다. 또 원통 부재 (29) 를 베이스 부재 (23) 에 장치함으로써, 테이퍼 부재 (28) 의 외주면과 원통 부재 (29) 의 내주면 사이에 링 형상의 간극이 형성되고, 이 링 형상의 간극이 흡인 홈 (21b) 이 된다. 추가로 원통 부재 (29) 의 외주연 상부에는 내주면이 상방을 향함에 따라 웨이퍼 척 (12) 의 반경 방향 외측으로 경사지는 링 형상의 가이드편 (29a) 이 돌출 형성된다.
또한, 유지축 (26) 상에 웨이퍼 (11) 를 탑재하여 유지했을 때, 콘 부재 (27), 테이퍼 부재 (28) 및 원통 부재 (29) 의 상면과 웨이퍼 (11) 하면 또는 웨이퍼 (11) 하면의 연장면과의 간극 (S) 의 폭은 0.1∼2㎜, 바람직하게는 0.2∼1㎜ 로 설정된다. 또 분사 홈 (17b) 의 수평면 내에서의 폭은 0.1∼2㎜, 바람직하게는 0.2∼1㎜ 로 설정되고, 분사구 (17a) 의 수평면내에서의 폭은 0.1∼2㎜, 바람직하 게는 0.2∼1㎜ 로 설정된다. 추가로 가이드편 (29a) 의 내주면의 경사각은 수평면에 대해서 15∼120도, 바람직하게는 30∼60도로 설정되고, 가이드편 (29a) 의 높이는 0.1∼3㎜, 바람직하게는 0.5∼1.5㎜ 로 설정된다. 여기서, 콘 부재 (27) 등의 상면과 웨이퍼 (11) 의 하면 등의 간극 (S) 의 폭을 0.1∼2㎜ 의 범위로 한정한 것은, 0.1㎜ 미만에서는 웨이퍼 (11) 의 회전시에 축 떨림 등에 의해 척 (12) 의 구성 부품인 콘 부재 (27) 나 테이퍼 부재 (28) 에 접촉할 우려가 있고, 2㎜ 를 초과하면 가스 분사 기구 (17) 나 제 1 액 흡인 기구 (21) 의 효과가 약해져 버리기 때문이다. 분사 홈 (17b) 의 수평면내에서의 폭을 0.1∼2㎜ 의 범위로 한정한 것은, 0.l㎜ 미만에서는 가스의 공급이 용이하지 않고, 2㎜ 를 초과하면 가스의 공급 유속이 충분하지 않기 때문이다. 또 분사구 (17a) 의 수평면내에서의 폭을 0.1∼2㎜ 의 범위로 한정한 것은 0.1㎜ 미만에서는 가스의 분출이 용이하지 않고, 2㎜ 를 초과하면 가스의 분사 공급 유속이 충분하지 않기 때문이다. 가이드편 (29a) 의 내주면의 경사각을 수평면에 대해서 15∼120도 의 범위로 한정한 것은 15도 미만에서는 에칭액의 웨이퍼 (11) 이면으로 돌아들어 가는 것을 충분히 억제하지 못하고, 120도를 초과하면 가스가 역류하거나 또는 가스가 웨이퍼 (11) 의 엣지부 (11a) 을 향해 비산되어 버리기 때문이다. 추가로 가이드편 (29a) 의 높이를 0.1∼2㎜ 의 범위로 한정한 것은, 0.l㎜ 미만에서는 가스의 분사류를 제어하는 효과가 약해져 버리고, 2㎜ 를 초과하면 원심력에 의해 바깥쪽으로 비산되는 에칭액 (14) 이 가이드편 (29a) 의 경사면에 닿아, 웨이퍼 (11) 의 엣지부 (11a) 를 향해 튀어올라 버리기 때문이다.
한편, 제 2 액 흡인 기구 (22) 는 웨이퍼 척 (12) 및 웨이퍼 (11) 의 외주면으로부터 소정의 간격을 둔 외측에 설치된 액 받이 부재 (22a) 와, 액 받이 부재 (22a) 에 연통된 제 2 액 흡인 수단 (도시하지 않음) 을 갖는다 (도 1 및 도 2 ). 액 받이 부재 (22a) 는 웨이퍼 척 (12) 및 웨이퍼 (11) 의 외주면을 향해 개구하고, 또한 이 개구면이 평면시로 중심각 약 90도 의 원호상으로 형성되고, 이 액 받이 부재 (22a) 를 웨이퍼 척 (12) 및 웨이퍼 (11) 의 외주면의 외측에 4 개 배치함으로써, 웨이퍼 척 (12) 및 웨이퍼 (11) 의 거의 전체 둘레를 둘러싸듯이 구성된다 (도 1 및 도 2). 이들 액 받이 부재 (22a) 에는 흡인 파이프 (22b) 의 기단이 각각 연통 접속된다. 또 제 2 액 흡인 수단은 진공 펌프 등에 의해 구성되고, 4 개의 흡인 파이프 (22b) 를 통해 4 개의 액 받이 부재 (22a) 에 각각 연통 접속된다. 이 제 2 액 흡인 수단에 의해 액 받이 부재 (22a) 내의 에칭액 (14) 이 가스와 함께 흡인 파이프 (22b) 를 통하여 흡인된다. 추가로 액 받이 부재 (22a) 는 이 액 받이 부재 (22a) 의 내면에서 에칭액 (14) 이 튀어올라도 이 에칭액 (14) 이 웨이퍼 (11) 상면에 이르지 않는 각도를 가지는 내면 형상으로 형성된다. 또한, 이 실시 형태에서는 액 받이 부재를 척 및 웨이퍼의 외주면의 외측에 4 개 배치했지만, 웨이퍼 척 및 웨이퍼의 거의 전체 둘레를 둘러쌀 수 있으면 1 개, 2 개, 3 개 또는 5 개 이상 배치해도 되고, 각 액 받이 부재에 복수 라인의 흡인 파이프를 각각 연통 접속해도 된다.
이와 같이 구성된 웨이퍼 (11) 의 매엽식 에칭 장치 (10) 의 동작을 설명한다.
우선 웨이퍼 척 (12) 상에 웨이퍼 (11) 를 실은 상태에서, 유지 도구 (26) 의 투과공 (26a) 의 하단에 연통 접속된 진공 펌프를 작동시켜 투과공 (23a) 을 부압으로 하고, 이 부압에 의해 웨이퍼 (11) 을 수평으로 유지한다. 이 상태에서 회전 수단의 구동 모터를 작동시켜 유지 도구 (26) 와 함께 웨이퍼 (11) 를 수평면내에서 회전시킨다. 이어서 가스 분사 기구 (17) 의 가스 공급 수단을 작동시켜 질소 가스 또는 공기로 이루어지는 압축 가스를 가스 공급공 (17d) 및 분사 홈 (17b) 을 통하여 분사구 (17a) 로부터 분사시킴으로써, 웨이퍼 척 (12) 상면과 웨이퍼 (11) 하면 사이의 간극 (S), 즉 콘 부재 (27), 테이퍼 부재 (28) 및 원통 부재 (29) 의 상면과 웨이퍼 (11) 의 하면 사이의 간극 (S) 에, 웨이퍼 (11) 의 반경 방향 외측을 향해 흐르는 가스류가 만들어진다. 여기서, 상기 분사구 (17a) 는 차양에 의해 좁혀져 있기 때문에, 상기 가스류는 고속이 된다. 또 제 1 액 흡인 기구 (21) 의 제 1 흡인 수단을 작동시킴으로써 액체 흡인공 (21c) 및 흡인 홈 (21b) 내가 부압으로 유지되는 것과 함께, 제 2 액 흡인 기구 (22) 의 제 2 흡인 수단을 작동시킴으로써 흡인 파이프 (22b) 및 액 받이 부재 (22a) 내가 부압으로 유지된다. 이어서 에칭액 공급 기구 (16) 의 공급 펌프 및 노즐 이동 수단을 작동시킴으로써, 노즐 (16b) 을 수평 방향으로 이동시키면서, 토출구 (16a) 로부터 에칭액 (14) 을 웨이퍼 (1) 의 상면에 공급한다.
웨이퍼 (11) 의 상면에 공급된 에칭액 (14) 은 웨이퍼 (11) 의 수평면내에서의 회전에 수반되어 발생한 원심력에 의해, 에칭액 (14) 이 공급된 지점 (예를 들면 웨이퍼 (11) 상면 중심 근방) 으로부터 웨이퍼 (11) 의 엣지부 (11a) 를 향해 웨이퍼 (11) 상면의 가공 변질층을 에칭하면서 서서히 이동한 후에, 웨이퍼 (11) 의 엣지부 (11a) 에 이르렀을 때에 이 엣지부 (11a) 를 에칭한다. 그리고 웨이퍼 (11) 상의 에칭액 (14) 의 대부분은 상기 웨이퍼 (11) 의 회전에 수반되는 원심력에 의해 액적이 되어 웨이퍼 (11) 바깥쪽으로 비산된다. 이 비산된 에칭액 (14) 은 부압으로 유지된 액 받이 부재 (22a) 에 들어가고, 그 부압에 의해 흡인 파이프 (22b) 를 통해 챔버 밖으로 배출된다. 한편, 웨이퍼 (11) 의 엣지부 (11a) 로부터 웨이퍼 (11) 의 하면으로 돌아들어가려고 하는 일부의 에칭액 (14) 은 척 (12) 상면과 웨이퍼 (11) 하면 사이의 간극 (S) 을 웨이퍼 (11) 의 반경 방향 외측으로 흐르는 고속 가스류에 의해, 웨이퍼 (11) 의 반경 방향 외측으로 날리고, 흡인구 (21a) 로부터 흡인 홈 (21b) 에 유입되거나, 또는 웨이퍼 (11) 바깥쪽으로 비산된다. 흡인 홈 (21b) 에 유입된 에칭액 (14) 은 흡인 홈 (21b) 내의 부압에 의해 액체 흡인공 (21c) 를 통해 챔버 밖으로 배출된다. 또 비산된 에칭액 (14) 은 가이드편 (29a) 에 의해 사선 상방으로 그 방향을 바꿀 수 있기 때문에, 부압으로 유지된 액 받이 부재 (22a) 에 원활하게 들어가고, 그 부압에 의해 흡인 파이프 (22b) 를 통해 챔버 밖으로 배출된다. 이 결과, 에칭액 (14) 이 웨이퍼 (11) 하면으로 돌아들어가는 것을 방지할 수 있다. 또 비산된 에칭액 (14) 이 다시 웨이퍼 (11) 상면에 부착되는 경우가 없기 때문에, 웨이퍼 (11) 상면을 균일하게 에칭할 수 있다. 추가로 에칭액 (14) 이 웨이퍼 (11) 의 엣지부 (11a) 에 머무는 시간이 짧기 때문에, 이 엣지부 (11a) 의 국소적인 형상 붕괴를 억제할 수 있다.
이상, 본 발명의 바람직한 실시예를 설명했지만, 본 발명은 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에서, 구성의 부가, 생략, 치환, 및 그 외의 변경이 가능하다. 본 발명은 전술한 설명에 의해 한정되지 않고, 첨부된 클레임의 범위에 의해서만 한정된다.
이상 기술한 것과 바와 같이, 본 발명에 의하면 웨이퍼 척에 설치된 가스 분사 기구가 척에 탑재된 웨이퍼의 엣지부를 따라 흘러내리는 에칭액을 가스의 분사에 의해 웨이퍼의 반경 방향 외측으로 날려, 척에 설치된 제 1 액 흡인 기구가 가스 분사 기구에 의해 날려진 에칭액을 가스와 함께 흡인하고, 또한 척 및 웨이퍼의 외주면보다 바깥쪽에 설치된 제 2 액 흡인 기구가 웨이퍼의 회전에 수반되는 원심력에 의해 비산된 에칭액 및 가스 분사 기구에 의해 날려진 에칭액을 가스와 함께 흡인한다. 이러한 구성에 의해, 웨이퍼 상의 에칭액의 대부분은 웨이퍼의 회전에 수반되는 원심력에 의해 웨이퍼 바깥쪽으로 비산하고, 웨이퍼의 엣지부로부터 웨이퍼의 하면으로 돌아들어가려고 하는 일부의 에칭액은 가스 분사 기구에서 발생된 고속 가스류에 의해, 웨이퍼의 반경 방향 외측으로 날려진다. 그리고 상기 원심력에 의해 비산된 에칭액은 제 2 액 흡인 기구에 의해 흡인되어 상기 가스에 의해 날려진 에칭액은 제 1 액 흡인 기구에 의해 흡인되거나, 또는 웨이퍼 바깥쪽으로 비산하여 제 2 액 흡인 기구에 의해 흡인된다. 이 결과, 에칭액이 웨이퍼 하면으로 돌아들어가는 것을 방지할 수 있다. 또한 비산된 에칭액이 다시 웨이퍼 상면에 부착되는 일이 없기 때문에, 웨이퍼 상면을 균일하게 에칭할 수가 있고 에칭액이 웨이퍼의 엣지부에 머무는 시간이 짧기 때문에, 이 엣지부의 국소적인 형상 붕괴를 억제할 수 있다.
또한 웨이퍼의 엣지부 근방의 웨이퍼 하면을 면하는 가스 분사 기구의 분사구를 웨이퍼 척의 상면에 웨이퍼 척의 원주 방향을 따라 링 형상으로 형성하고, 상단이 분사구에 연통하고 또한 하방으로 향함에 따라 직경이 작아지는 링 형상의 분사 홈을 척으로 형성하고, 분사 홈을 통하여 분사구에 압축된 가스를 공급하는 가스 공급 수단을 분사 홈에 연통시키면, 가스 분사 기구의 가스 공급 수단을 작동시켜 압축 가스를 분사 홈을 통하여 분사구로부터 분사시킴으로써, 척 상면과 웨이퍼 하면 사이의 간극에, 웨이퍼의 반경 방향 외측을 향해 흐르는 고속 가스류가 만들어진다. 이 결과, 웨이퍼의 엣지부로부터 웨이퍼의 하면으로 돌아들어가려고 하는 일부의 에칭액은, 이 고속 가스류에 의해, 웨이퍼의 반경 방향 외측으로 날려지므로, 이 에칭액은 제 1 액 흡인 기구에 의해 흡인되거나, 또는 웨이퍼 바깥쪽으로 비산되어 제 2 액 흡인 기구에 의해 흡인된다.
또한 웨이퍼의 엣지부 등을 면하는 제 1 액 흡인 기구의 흡인구를 가스 분사 기구보다 바깥쪽의 웨이퍼 척 상면에 링 형상으로 형성하고, 상단이 흡인구에 연통하는 링 형상의 흡인 홈을 웨이퍼 척으로 형성하고, 흡인구로부터 흡인 홈 내에 유입된 에칭액을 가스와 함께 흡인하는 제 1 액 흡인 수단을 흡인 홈에 연통시키면, 제 1 액 흡인 기구의 제 1 흡인 수단을 작동시킴으로써 흡인 홈 내가 부압으로 유지된다. 이 결과, 웨이퍼의 엣지부로부터 웨이퍼의 하면으로 돌아들어가려고 하는 일부의 에칭액은 가스 분사 기구에 의해 웨이퍼의 반경 방향 외측으로 날려져 흡인구로부터 부압으로 유지된 흡인 홈에 유입되고, 그 부압에 의해 흡인되거나, 또는 웨이퍼 바깥쪽으로 비산되어 제 2 액 흡인 기구에 의해 흡인된다.
또한 웨이퍼 척 및 웨이퍼의 외주면을 향해 개구하는 제 2 액 흡인 기구의 액 받이 부재를 웨이퍼 척 및 웨이퍼의 외주면으로부터 소정의 간격을 둔 외측으로 형성하고, 액 받이 부재 내의 에칭액을 가스와 함께 흡인하는 제 2 액 흡인 수단을 액 받이 부재에 연통시키면, 제 2 액 흡인 기구의 제 2 흡인 수단을 작동시킴으로써, 액 받이 부재 내가 부압으로 유지된다. 이 결과, 웨이퍼의 엣지부로부터 웨이퍼의 하면으로 돌아들어가려고 하는 일부의 에칭액은, 가스 분사 기구에 의해 웨이퍼의 반경 방향 외측으로 날려져 제 1 액 흡인 기구에 의해 흡인되거나, 또는 웨이퍼 바깥쪽으로 비산되어 부압으로 유지된 액 받이 부재에 들어가고, 그 부압에 의해 흡인된다.
또한 분사구에 이 분사구를 좁히는 방향으로 링 형상의 차양을 돌출 형성하면, 가스 분사 기구의 가스 공급 수단을 작동시켜 압축 가스를 분사 홈을 통하여 분사구로부터 분사시킬 때에, 척 상면과 웨이퍼 하면 사이의 간극을, 웨이퍼의 반경 방향 외측을 향해 흐르는 가스류의 속도를 크게 할 수 있다.
또한 웨이퍼 척의 바깥 둘레 상부에 내주면이 상방을 향함에 따라서 척의 반경 방향 외측으로 경사지는 링 형상의 가이드편을 돌출 형성하면, 가스 분사 기구에 의해 웨이퍼의 반경 방향 외측으로 날려진 에칭액이 가이드편에 의해 경사 상방으로 그 방향을 바꿀 수 있으므로, 에칭액을 제 2 액 흡인 기구에 의해 원활하게 흡인할 수가 있다.
추가로 웨이퍼 척에 탑재된 웨이퍼의 엣지부를 따라 흘러내리는 에칭액을 가스의 분사에 의해 웨이퍼의 반경 방향 외측으로 날려 버림과 함께, 웨이퍼의 회전에 수반되는 원심력에 의해 비산된 에칭액 및 상기 날려진 에칭액을 가스와 함께 흡인하면, 상기와 같이 에칭액이 웨이퍼의 하면으로 돌아들어가는 것을 방지할 수 음과 함께, 비산된 에칭액이 다시 웨이퍼 상면에 부착되는 일이 없기 때문에, 웨이퍼 상면을 균일하게 에칭할 수가 있고, 에칭액이 웨이퍼의 엣지부에 머무는 시간이 짧기 때문에, 이 엣지부의 국소적인 형상 붕괴를 억제할 수 있다.

Claims (8)

  1. 웨이퍼의 매엽식 에칭 장치로서,
    실리콘 단결정으로부터 잘려 나온 단일한 원판 형상의 웨이퍼를 수평으로 유지하여 회전시키는 웨이퍼 척과,
    상기 웨이퍼 상면에 에칭액을 공급하는 에칭액 공급 기구와,
    상기 웨이퍼 척에 설치되고, 상기 웨이퍼 척에 탑재된 상기 웨이퍼의 엣지부를 따라서 흘러내리는 에칭액을 가스의 분사에 의해 상기 웨이퍼의 반경 방향 외측으로 날리는 가스 분사 기구와,
    상기 웨이퍼 척에 설치되고, 상기 가스 분사 기구에 의해 날려진 에칭액을 상기 가스와 함께 흡인하는 제 1 액 흡인 기구와,
    상기 웨이퍼 척 및 상기 웨이퍼의 외주면에서 바깥쪽에 설치되고, 상기 가스 분사 기구에 의해 날려진 에칭액 및, 상기 웨이퍼의 회전에 수반되는 원심력에 의해 비산된 에칭액을 상기 가스와 함께 흡인하는 제 2 액 흡인 기구를 가지는, 웨이퍼의 매엽식 에칭 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 가스 분사 기구가,
    상기 웨이퍼 척의 상면에 웨이퍼 척의 원주 방향을 따라 형성되고, 웨이퍼의 엣지부 근방의 하면에 면하는 링 형상의 분사구와,
    상기 웨이퍼 척에 형성되고, 상단이 상기 분사구에 연통하고 또한 하방으로 향함에 따라 직경이 작아지는 링 형상의 분사 홈과,
    상기 분사 홈에 연통하고 상기 분사 홈을 통하여 상기 분사구에 압축된 가스를 공급하는 가스 공급 수단을 가지는, 웨이퍼의 매엽식 에칭 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 액 흡인 기구가,
    상기 웨이퍼 척의 상면에 웨이퍼 척의 원주 방향을 따르고, 또한 가스 분사 기구보다 외방에 형성되고, 웨이퍼의 엣지부 또는 이 엣지부보다 상기 웨이퍼의 반경 방향 외측을 면하는 링 형상의 흡인구와,
    상기 웨이퍼 척에 형성되고 상단이 상기 흡인구에 연통하는 링 형상의 흡인 홈과, 상기 흡인 홈에 연통하고 상기 흡인구로부터 흡인 홈 내에 유입된 에칭액을 가스와 함께 흡인하는 제 1 액 흡인 수단을 가지는, 웨이퍼의 매엽식 에칭 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 액 흡인 기구가,
    상기 웨이퍼 척 및 웨이퍼의 외주면으로부터 소정의 간격을 둔 외측에 형성되고, 상기 웨이퍼 척 및 상기 웨이퍼의 외주면을 향해서 개구하는 액 받이 부재와,
    상기 액 받이 부재에 연통되어 상기 액 받이 부재 내의 에칭액을 가스와 함 께 흡인하는 제 2 액 흡인 수단을 가지는, 웨이퍼의 매엽식 에칭 장치.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 가스 분사 기구의 분사구에 이 분사구를 좁히는 방향으로 링 형상의 차양이 돌출 형성된, 웨이퍼의 매엽식 에칭 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 웨이퍼 척의 외주연 상부에 내주면이 상방을 향함에 따라 상기 척의 반경 방향 외측으로 경사지는 링 형상의 가이드편이 돌출 형성된, 웨이퍼의 매엽식 에칭 장치.
  7. 웨이퍼의 매엽식 에칭 방법으로서,
    실리콘 단결정 잉곳 (ingot) 을 슬라이스하여 얻어진 단일한 원판 형상의 실리콘 웨이퍼를 웨이퍼 척에 탑재하여 수평으로 유지한 상태에서 회전시키면서, 상기 웨이퍼의 상면에 에칭액을 공급하여 상기 웨이퍼의 상면을 에칭하고,
    상기 웨이퍼 척에 탑재된 상기 웨이퍼의 엣지부를 따라 흘러내리는 에칭액을 가스의 분사에 의해 상기 웨이퍼의 반경 방향 외측으로 날리고,
    상기 날려진 에칭액 및, 상기 웨이퍼의 회전에 수반되는 원심력에 의해 비산된 에칭액을 상기 가스와 함께 흡인하는, 웨이퍼의 매엽식 에칭 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 가스가 질소 가스 또는 공기인, 웨이퍼의 매엽식 에칭 방법.
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