JPH0482157B2 - - Google Patents
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F9/00—Compounds containing elements of Groups 5 or 15 of the Periodic Table
- C07F9/02—Phosphorus compounds
- C07F9/06—Phosphorus compounds without P—C bonds
- C07F9/08—Esters of oxyacids of phosphorus
- C07F9/09—Esters of phosphoric acids
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
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- C07F9/00—Compounds containing elements of Groups 5 or 15 of the Periodic Table
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はsn−グリセロ−3−ホスホコリン−及
びsn−グリセロ−3−ホスホエタノールアミン−
トリフエニルメチル誘導体に関するものであり、
その製造法並びにこれをグリセリンの1−及び2
−位に相互に無関係に種々のアシル残基で置換さ
れた化学的に限定された対掌体不保含の1,2−
ジアシル−sn−グリセロ−3−ホスホコリン及び
1,2−ジアシル−sn−グリセロ−3−ホスホエ
タノールアミンの合成に使用する方法に関しても
記載する。
びsn−グリセロ−3−ホスホエタノールアミン−
トリフエニルメチル誘導体に関するものであり、
その製造法並びにこれをグリセリンの1−及び2
−位に相互に無関係に種々のアシル残基で置換さ
れた化学的に限定された対掌体不保含の1,2−
ジアシル−sn−グリセロ−3−ホスホコリン及び
1,2−ジアシル−sn−グリセロ−3−ホスホエ
タノールアミンの合成に使用する方法に関しても
記載する。
現在公知の技術水準によればグリセリンの1及
び2位に相互に無関係に種々のアシル残基を有す
る化学的に限定されたホスフアチジルコリン及び
ホスフアチジルエタノールアミンは酵素及び大過
剰のカルボン酸の使用を必要とする数段階の全合
成又は高価な半合成法によつてしか得られない。
これに関する従来技術は2つの総合記事、H.ア
イブル(Eibl),ケム(Chem),フイジ(Phys).
リビツド(Lipids),第26巻(1980)第405〜429
頁及び応用化学の雑誌、第96巻(1984)、第247−
262頁に記載されている。
び2位に相互に無関係に種々のアシル残基を有す
る化学的に限定されたホスフアチジルコリン及び
ホスフアチジルエタノールアミンは酵素及び大過
剰のカルボン酸の使用を必要とする数段階の全合
成又は高価な半合成法によつてしか得られない。
これに関する従来技術は2つの総合記事、H.ア
イブル(Eibl),ケム(Chem),フイジ(Phys).
リビツド(Lipids),第26巻(1980)第405〜429
頁及び応用化学の雑誌、第96巻(1984)、第247−
262頁に記載されている。
工業的規模でこの混合置換されたホスフアチジ
ルコリン及びホスフアチジルエタノールアミンの
合成は従来公知の方法で及びその際使用される出
発化合物及び中間体を用いて実施することができ
ない。
ルコリン及びホスフアチジルエタノールアミンの
合成は従来公知の方法で及びその際使用される出
発化合物及び中間体を用いて実施することができ
ない。
したがつて本発明は簡単にかつ容易に入手でき
る出発化合物から出発して新規中間体を限定され
た化学構造を有する混合置換された対掌性不含の
1,2−ジアシル−sn−グリセロ−3−ホスホコ
リン及び1,2−ジアシル−sn−グリセロ−3−
ホスホエタノールアミンを用いて工業的規模で製
造することができる方法を見い出すことを課題と
する。この課題は本発明によつて予想されなかつ
た簡単かつ価値ある方法で解決することができ
る。
る出発化合物から出発して新規中間体を限定され
た化学構造を有する混合置換された対掌性不含の
1,2−ジアシル−sn−グリセロ−3−ホスホコ
リン及び1,2−ジアシル−sn−グリセロ−3−
ホスホエタノールアミンを用いて工業的規模で製
造することができる方法を見い出すことを課題と
する。この課題は本発明によつて予想されなかつ
た簡単かつ価値ある方法で解決することができ
る。
したがつて本発明の対象は一般式()
(式中Tは非置換のあるいはC1−C6アルキル
基、C1−C6アルコキシ基又はハロゲン原子によ
つて1−又は数回置換されたトリフエニルメチル
基を示し、 R1,R2,R3は同一であり、夫々メチル基を示
す又は相異り、この場合残基R1,R2及びR3のう
ち2つは常に水素原子を示し、三番目の残基は非
置換であるか又はC1−C6アルキル基、C1−C6ア
ルコキシ基又はハロゲン原子によつて1−又は数
回置換されたトリフエニルメチル基である)で表
わされるsn−グリセロ−3−ホスホコリンの及び
sn−グリセロ−3−ホスホエタノールアミンの新
規トリフエニルメチル誘導体である。
基、C1−C6アルコキシ基又はハロゲン原子によ
つて1−又は数回置換されたトリフエニルメチル
基を示し、 R1,R2,R3は同一であり、夫々メチル基を示
す又は相異り、この場合残基R1,R2及びR3のう
ち2つは常に水素原子を示し、三番目の残基は非
置換であるか又はC1−C6アルキル基、C1−C6ア
ルコキシ基又はハロゲン原子によつて1−又は数
回置換されたトリフエニルメチル基である)で表
わされるsn−グリセロ−3−ホスホコリンの及び
sn−グリセロ−3−ホスホエタノールアミンの新
規トリフエニルメチル誘導体である。
一般式()(式中R1,R2及びR3は夫々メチル
基を示す。)なる化合物はグリセロホスホコリン
誘導体であり、一方一般式()(式中残基R1,
R2及びR3のうち2つは水素原子であり、三番目
は置換又は非置換のトリフエニルメチル基であ
る。)なる化合物はグリセロホスホエタノールア
ミンの誘導体である。
基を示す。)なる化合物はグリセロホスホコリン
誘導体であり、一方一般式()(式中残基R1,
R2及びR3のうち2つは水素原子であり、三番目
は置換又は非置換のトリフエニルメチル基であ
る。)なる化合物はグリセロホスホエタノールア
ミンの誘導体である。
一般式()中本発明による化合物に於てTで
表わされる残基及び残基R1,R2及びR3のうち1
つはその他の2つの残基が水素原子を示す場合非
置換のトリフエニルメチル基であるのが好まし
い。しかし一般式()のうち1−O−トリフエ
ニルメチル基及び(又は)場合により分子内に存
在するN−トリフエニルメチル基は相互に無関係
にアルキル基、たとえばメチル基、エチル基プロ
ピル基等々、アルコキシ基、たとえばメトキシ
基、エトキシ基、プロポキシ基等々又はハロゲン
原子、たとえばフルオル原子、クロル原子又はブ
ロム原子によつて1−又は数回置換されている化
合物も包含する。更に置換されたトリフエニルメ
チル基を有する一般式()なる化合物の場合ト
リフエニルメチル基のフエニル基1又は数個のパ
ラ位で上述の残基によつて置換されている化合物
が好ましい。
表わされる残基及び残基R1,R2及びR3のうち1
つはその他の2つの残基が水素原子を示す場合非
置換のトリフエニルメチル基であるのが好まし
い。しかし一般式()のうち1−O−トリフエ
ニルメチル基及び(又は)場合により分子内に存
在するN−トリフエニルメチル基は相互に無関係
にアルキル基、たとえばメチル基、エチル基プロ
ピル基等々、アルコキシ基、たとえばメトキシ
基、エトキシ基、プロポキシ基等々又はハロゲン
原子、たとえばフルオル原子、クロル原子又はブ
ロム原子によつて1−又は数回置換されている化
合物も包含する。更に置換されたトリフエニルメ
チル基を有する一般式()なる化合物の場合ト
リフエニルメチル基のフエニル基1又は数個のパ
ラ位で上述の残基によつて置換されている化合物
が好ましい。
ここで使用されるグリセロホスホコリン、グリ
セロホスホエタノールアミン及びその誘導体に対
する命名法及び位置表示はバイオケム
(Biochem).J.171,29−35(1978)に示される法
則に従う。記載された化合物の系統的化学表示に
於ける略号“sn”は立体特異的に番号を付すこと
を意味する。グリセリン残基の置換位置に関連す
るすべての位置表示はこの立体特異的番号付けに
基づいている。
セロホスホエタノールアミン及びその誘導体に対
する命名法及び位置表示はバイオケム
(Biochem).J.171,29−35(1978)に示される法
則に従う。記載された化合物の系統的化学表示に
於ける略号“sn”は立体特異的に番号を付すこと
を意味する。グリセリン残基の置換位置に関連す
るすべての位置表示はこの立体特異的番号付けに
基づいている。
一般式()なる化合物を次の様にして製造す
る。すなわち一般式() (式中R1,R2及びR3は上述の意味を有する。) で表わされるsn−グリセロ−3−ホスホコリン又
はsn−グリセロ−3−ホスホ−(N−トリフエニ
ルメチル)−エタノールアミン、これと無機−も
しくは有機酸又は−塩基との塩あるいはこれと金
属塩との錯体を一般式() T−X () (式中Tは一般式()に於けると同一の意味
を有し、Xは反応性離脱基、たとえばクロル−、
ブロム−又はヨード原子を示す。) で表わされる反応性トリフエニルメチル誘導体と
不活性有機溶剤又は溶剤混合物中室温ないし溶剤
の沸騰温度又は溶剤混合物のもつとも低沸点の溶
剤成分の沸騰温度で反応させることによつてグリ
セリンの1位の酸素をトリチル化して得られる。
る。すなわち一般式() (式中R1,R2及びR3は上述の意味を有する。) で表わされるsn−グリセロ−3−ホスホコリン又
はsn−グリセロ−3−ホスホ−(N−トリフエニ
ルメチル)−エタノールアミン、これと無機−も
しくは有機酸又は−塩基との塩あるいはこれと金
属塩との錯体を一般式() T−X () (式中Tは一般式()に於けると同一の意味
を有し、Xは反応性離脱基、たとえばクロル−、
ブロム−又はヨード原子を示す。) で表わされる反応性トリフエニルメチル誘導体と
不活性有機溶剤又は溶剤混合物中室温ないし溶剤
の沸騰温度又は溶剤混合物のもつとも低沸点の溶
剤成分の沸騰温度で反応させることによつてグリ
セリンの1位の酸素をトリチル化して得られる。
トリチル化剤として本発明による方法に於て反
応性トリフエニル溶剤誘導体、好ましくはトリフ
エニルメチルクロリド又はトリフエニルメチルブ
ロミド、特に好ましくはトリフエニルメチルクロ
リドを使用する。一般式()なる1−O−トリ
フエニルメチル誘導体の製造のためにトリチル化
剤の1モルを消費する。しかし反応の進行の促進
及び反応の完了のために、多くの場合合目的的に
トリチル化剤の過剰を使用することは必ず必要で
ある。その際トリチル化剤の使用量は広い範囲内
で任意に変化することができる。一般式()な
る出発化合物1モルあたり少過剰のないし数倍の
モル過剰のトリチル化剤を使用することが特に好
ましい。但しこの場合1.5〜3−倍モル過剰が特
に好ましい。
応性トリフエニル溶剤誘導体、好ましくはトリフ
エニルメチルクロリド又はトリフエニルメチルブ
ロミド、特に好ましくはトリフエニルメチルクロ
リドを使用する。一般式()なる1−O−トリ
フエニルメチル誘導体の製造のためにトリチル化
剤の1モルを消費する。しかし反応の進行の促進
及び反応の完了のために、多くの場合合目的的に
トリチル化剤の過剰を使用することは必ず必要で
ある。その際トリチル化剤の使用量は広い範囲内
で任意に変化することができる。一般式()な
る出発化合物1モルあたり少過剰のないし数倍の
モル過剰のトリチル化剤を使用することが特に好
ましい。但しこの場合1.5〜3−倍モル過剰が特
に好ましい。
一般式()なる化合物と一般式()なる化
合物との反応は適当なプロトン受容体の過剰の存
在下で有利に行われる。プロトン受容体として無
機又は有機塩基が挙げられる。反応を有機塩基、
たとえば第三アミン、たとえばトリメチルアミ
ン、トリエチルアミン、N−メチルピペリジン、
N,N−ジメチルアニリン、N,N−ジエチルア
ニリン、ヒユーニク(Hu¨nig)−塩基あるいはヘ
テロ環状塩基、たとえばピリジン、4−N,N−
ジメチルアミノピリジン、4−ピロリジノ−ピリ
ジン、ピコリン、コリジン、キノリン、イソキノ
リン等々の存在下に実施するのが特に好ましい。
合物との反応は適当なプロトン受容体の過剰の存
在下で有利に行われる。プロトン受容体として無
機又は有機塩基が挙げられる。反応を有機塩基、
たとえば第三アミン、たとえばトリメチルアミ
ン、トリエチルアミン、N−メチルピペリジン、
N,N−ジメチルアニリン、N,N−ジエチルア
ニリン、ヒユーニク(Hu¨nig)−塩基あるいはヘ
テロ環状塩基、たとえばピリジン、4−N,N−
ジメチルアミノピリジン、4−ピロリジノ−ピリ
ジン、ピコリン、コリジン、キノリン、イソキノ
リン等々の存在下に実施するのが特に好ましい。
反応を夫々の反応成分に対して不活性である有
機溶剤又は溶剤混合物中で実施する。溶剤として
特に非プロトン性極性溶剤が挙げられる。これに
好ましくはジメチルスルホキシド、カルボン酸ア
ミド、たとえばジメチルホルムアミド、ジメチル
アセトアミド、ヘキサメチルホスホル酸トリアミ
ド、N−メチルピロリドン、ニトリル、たとえば
アセトニトリル、プロピオニトリル、ヘテロ環状
塩基、たとえばピリジン、キノリン、ピコリン又
はこの様な溶剤の混合物が属する。多くの場合反
応を不活性非プロトン性極性溶剤及びより小さい
極性の不活性非プロトン性溶剤から成る溶剤混合
物中で実施するのが有利である。この様な溶剤混
合物に関してより小さら極性を有する溶剤成分と
してたとえば脂肪族又は芳香族炭化水素、たとえ
ば低−又は高沸点石油エーテル、ヘキサン、ヘプ
タン、ベンゾール、トルオール等々、ハロゲン化
脂肪族又は芳香族炭化水素、たとえばメチレンク
ロリド、クロロホルム、1,2−ジクロルエタ
ン、四塩化炭素、クロルベンゾール、p−クロル
トルオール等々が適当である。
機溶剤又は溶剤混合物中で実施する。溶剤として
特に非プロトン性極性溶剤が挙げられる。これに
好ましくはジメチルスルホキシド、カルボン酸ア
ミド、たとえばジメチルホルムアミド、ジメチル
アセトアミド、ヘキサメチルホスホル酸トリアミ
ド、N−メチルピロリドン、ニトリル、たとえば
アセトニトリル、プロピオニトリル、ヘテロ環状
塩基、たとえばピリジン、キノリン、ピコリン又
はこの様な溶剤の混合物が属する。多くの場合反
応を不活性非プロトン性極性溶剤及びより小さい
極性の不活性非プロトン性溶剤から成る溶剤混合
物中で実施するのが有利である。この様な溶剤混
合物に関してより小さら極性を有する溶剤成分と
してたとえば脂肪族又は芳香族炭化水素、たとえ
ば低−又は高沸点石油エーテル、ヘキサン、ヘプ
タン、ベンゾール、トルオール等々、ハロゲン化
脂肪族又は芳香族炭化水素、たとえばメチレンク
ロリド、クロロホルム、1,2−ジクロルエタ
ン、四塩化炭素、クロルベンゾール、p−クロル
トルオール等々が適当である。
反応温度は広い範囲で変化することができる。
一般に室温ないし夫々使用される溶剤の沸騰温度
又は使用される溶剤混合物のもつとも低い沸点の
溶剤成分の沸騰温度で、好ましくは20〜200℃の
温度で、特に20〜80℃の温度で処理する。
一般に室温ないし夫々使用される溶剤の沸騰温度
又は使用される溶剤混合物のもつとも低い沸点の
溶剤成分の沸騰温度で、好ましくは20〜200℃の
温度で、特に20〜80℃の温度で処理する。
一般式()なる化合物を製造するために一般
式()なる化合物それ自体から、これと無機又
は有機酸又は塩基との塩からあるいはこれと金属
塩との錯体から出発することができる。特に1−
O−トリチル−sn−グリセロ−3−ホスホコリン
の製造に於て多くの場合により安定な及びより良
好な貯蔵可能な金属塩錯体、たとえばsn−グリセ
ロ−3−ホスホコリンのカドミウムクロリド−付
加物を使用するのが有利である。
式()なる化合物それ自体から、これと無機又
は有機酸又は塩基との塩からあるいはこれと金属
塩との錯体から出発することができる。特に1−
O−トリチル−sn−グリセロ−3−ホスホコリン
の製造に於て多くの場合により安定な及びより良
好な貯蔵可能な金属塩錯体、たとえばsn−グリセ
ロ−3−ホスホコリンのカドミウムクロリド−付
加物を使用するのが有利である。
後処理は反応溶液を蒸発することによつて又は
一般式()なる化合物が難溶性である溶剤を用
いて希釈し反応溶液から生成物を沈殿させること
によつて有利に行われる。通常の化学的後処理法
によつて得られる粗生成物は混合置換されたホス
フアチジルコリン及びホスフアチジルエタノール
アミンの製造用中間体として更に精製処理するこ
となく極めて良好に適する。一般式()なる化
合物の精製のために特に通常のクロマトグラフイ
ー法、たとえば薄層−、カラム−、吸−、中圧−
又は高圧液体クロマトグラフイー分離が適する。
一般式()なる化合物が難溶性である溶剤を用
いて希釈し反応溶液から生成物を沈殿させること
によつて有利に行われる。通常の化学的後処理法
によつて得られる粗生成物は混合置換されたホス
フアチジルコリン及びホスフアチジルエタノール
アミンの製造用中間体として更に精製処理するこ
となく極めて良好に適する。一般式()なる化
合物の精製のために特に通常のクロマトグラフイ
ー法、たとえば薄層−、カラム−、吸−、中圧−
又は高圧液体クロマトグラフイー分離が適する。
本発明のその他の対象はグリセリンの1−及び
2−位に相互に無関係に種々のアシル残基を有す
る対掌体不含ホスフアジルコリン及びホスフアチ
ジルエタノールアミンの製造に新規の一般式
()なる化合物を使用することに関する。
2−位に相互に無関係に種々のアシル残基を有す
る対掌体不含ホスフアジルコリン及びホスフアチ
ジルエタノールアミンの製造に新規の一般式
()なる化合物を使用することに関する。
一般式()なる化合物の使用下一般式()
(式中R′1,R′2,R′3は同一であり、夫々3個
の水素原子又は3個のメチル基であり、 R4及びR5は相異り、相互に無関係に非置換の
あるいはハロゲン原子又はアルコキシ基によつて
1又は数回置換された、直鎖状又は分枝状C1−
C24Dアルキル−あるいは直鎖状又は分枝状1−
又は数回不飽和のC3−C24Dアルケニル基を示
す。) で表わされる混合置換された1,2−ジアシル−
sn−グリセロ−3−ホスホコリン及び1,2−ジ
アシル−sn−グリセロ−3−ホスホエタノールア
ミンを製造することができる。
の水素原子又は3個のメチル基であり、 R4及びR5は相異り、相互に無関係に非置換の
あるいはハロゲン原子又はアルコキシ基によつて
1又は数回置換された、直鎖状又は分枝状C1−
C24Dアルキル−あるいは直鎖状又は分枝状1−
又は数回不飽和のC3−C24Dアルケニル基を示
す。) で表わされる混合置換された1,2−ジアシル−
sn−グリセロ−3−ホスホコリン及び1,2−ジ
アシル−sn−グリセロ−3−ホスホエタノールア
ミンを製造することができる。
このために一般式()なる化合物を一般式
R4COOHなるカルボン酸のアシル化作用の誘導
体でアシル化し、一般式() (式中T,R1,R2,R3は一般式()に於け
ると同一の意味を有し、R4は一般式()に於
けると同一の意味を有する。) で表わされる化合物となし、その後一般式()
なる得られた化合物から酸の作用によつて−但し
一般式()(式中残基R1,R2及びR3のうち1つ
はトリフエニルメチル基を示す。)なる化合物の
場合酸はルイス酸である−1−O−トリフエニル
メチル基を一般式() 式中R1,R2,R3及びR4は上述の意味を有す
る。) なる2−アシル−sn−グリセロ−3−ホスホコリ
ン又は2−アシル−sn−グリセロ−3−ホスホノ
−(N−トリフエニルメチル)−エタノールアミン
の形成下に離脱し、一般式()なる化合物を一
般式R5COOHなるカルボン酸のアシル化作用の
誘導体と反応させることによつて一般式(a) (式中R1,R2,R3は一般式()に於けると
同一の意味を有し、R4及びR5は一般式()に
於けると同一の意味を有する。) で表わされる1,2−ジアシル−sn−グリセロ−
3−ホスホコリン又は1,2−ジアシル−sn−グ
リセロ−3−ホスホノ−(N−トリフエニルメチ
ル)−エタノールアミンへ更にアシル化し、その
後一般式(a)(式中残基R1〜R3はトリフエニ
ルメチル基を示す。)なる得られた化合物を非プ
ロトン性溶剤中で酸の作用下一般式()(式中
残基R1′,R2′及びR3′は水素原子を示す。) なる化合物に変える。
R4COOHなるカルボン酸のアシル化作用の誘導
体でアシル化し、一般式() (式中T,R1,R2,R3は一般式()に於け
ると同一の意味を有し、R4は一般式()に於
けると同一の意味を有する。) で表わされる化合物となし、その後一般式()
なる得られた化合物から酸の作用によつて−但し
一般式()(式中残基R1,R2及びR3のうち1つ
はトリフエニルメチル基を示す。)なる化合物の
場合酸はルイス酸である−1−O−トリフエニル
メチル基を一般式() 式中R1,R2,R3及びR4は上述の意味を有す
る。) なる2−アシル−sn−グリセロ−3−ホスホコリ
ン又は2−アシル−sn−グリセロ−3−ホスホノ
−(N−トリフエニルメチル)−エタノールアミン
の形成下に離脱し、一般式()なる化合物を一
般式R5COOHなるカルボン酸のアシル化作用の
誘導体と反応させることによつて一般式(a) (式中R1,R2,R3は一般式()に於けると
同一の意味を有し、R4及びR5は一般式()に
於けると同一の意味を有する。) で表わされる1,2−ジアシル−sn−グリセロ−
3−ホスホコリン又は1,2−ジアシル−sn−グ
リセロ−3−ホスホノ−(N−トリフエニルメチ
ル)−エタノールアミンへ更にアシル化し、その
後一般式(a)(式中残基R1〜R3はトリフエニ
ルメチル基を示す。)なる得られた化合物を非プ
ロトン性溶剤中で酸の作用下一般式()(式中
残基R1′,R2′及びR3′は水素原子を示す。) なる化合物に変える。
R4及びR5に対して記載された定義に於て“直
鎖状又は分枝状アルキル基”は飽和脂肪族炭化水
素残基を意味する。これは1〜24個の炭素原子を
有し、任意にしばしば分枝していてよい。(直鎖
状又は分枝状の、1−又は数回不飽和アルケニル
残基”なる表現は不飽和、脂肪族(C3−C24)炭
化水素残基を示す。この残基は1又は数個のオレ
フイン性二重結合を有し、同様に任意にしばしば
分枝していてよい。アルキル基及びアルケニル残
基に於て1又は数個の水素原子をハロゲン原子、
たとえばフルオル−、クロル−、ブロム−又はヨ
ード−原子によつてあるいはアルコキシ基、たと
えばメトキシ−、エトキル−,プロピルオキシ
−、イソプロピルオキシ−、ブチルオキシ基等々
によつて置き代えることができる。
鎖状又は分枝状アルキル基”は飽和脂肪族炭化水
素残基を意味する。これは1〜24個の炭素原子を
有し、任意にしばしば分枝していてよい。(直鎖
状又は分枝状の、1−又は数回不飽和アルケニル
残基”なる表現は不飽和、脂肪族(C3−C24)炭
化水素残基を示す。この残基は1又は数個のオレ
フイン性二重結合を有し、同様に任意にしばしば
分枝していてよい。アルキル基及びアルケニル残
基に於て1又は数個の水素原子をハロゲン原子、
たとえばフルオル−、クロル−、ブロム−又はヨ
ード−原子によつてあるいはアルコキシ基、たと
えばメトキシ−、エトキル−,プロピルオキシ
−、イソプロピルオキシ−、ブチルオキシ基等々
によつて置き代えることができる。
一般式()なる化合物の一般式()なる2
−アシル誘導体へのアシル化は一般式R4COOH
なるカルボン酸の反応性カルボン酸誘導体を用い
て行われる。この様なアシル化剤はたとえばこの
カルボン酸のハロゲン化物、無水物活性エステル
又はアゾリドが適当であり、この際カルボン酸イ
ミドダゾリドが特に好ましい。反応は通常のアシ
ル化条件、たとえば水不含、極性非プロトン性溶
剤又は夫々の反応成分に対して不活性である溶剤
混合物中で行われる。これに好ましくはエーテ
ル、たとえばテトラヒドロフラン、ジオキサン、
エチレングリコールジメチルエーテル、ハロゲン
化脂肪族又は芳香族炭化水素、たとえばメチレン
クロリド、クロロホルム1,2−ジクロルエタ
ン、クロルベンゾール、p−クロルトルオール、
カルボン酸アミド、たとえばジメチルホルムアミ
ド、ジメチルアセトアミド、ヘキサメチルホスホ
ル酸トリアミド、N−メチルピロリドン、ジメチ
ルスルホキシド、同時にプロトン受容体として作
用するヘテロ環状塩基、たとえばピリジン、アル
キル化されたピリジン、N,N−ジアルキルアミ
ノピリジン等々あるいはこれらの溶剤の混合物が
属する。アシル化剤としてカルボン酸イミダゾリ
ドを使用する場合、1:4〜4:1の割合でジメ
チルスルホキシド及びテトラヒドロフランから成
る混合物が有効である。アシル化は同時に触媒的
に作用する無機化合物から由来する酸結合剤、た
とえば水素化ナトリウム、金属ナトリウム等々あ
るいは有機化合物から由来する酸結合剤、たとえ
ばトリエチルアミン、N−メチルピペリジン、
N,N−ジメチルアニリン、N,N−ジエチルア
ニリンの使用下あるいはヘテロ環状塩基、たとえ
ばピリジン、N,N−ジメチルアミノピリジン、
ピコリン、コリジン、キノリン、イソキノリン
等々の存在下に有利に行われる。アシル化反応を
0℃ないし溶剤の沸点の温度、好ましくは20〜30
℃の温度で実施することができる。
−アシル誘導体へのアシル化は一般式R4COOH
なるカルボン酸の反応性カルボン酸誘導体を用い
て行われる。この様なアシル化剤はたとえばこの
カルボン酸のハロゲン化物、無水物活性エステル
又はアゾリドが適当であり、この際カルボン酸イ
ミドダゾリドが特に好ましい。反応は通常のアシ
ル化条件、たとえば水不含、極性非プロトン性溶
剤又は夫々の反応成分に対して不活性である溶剤
混合物中で行われる。これに好ましくはエーテ
ル、たとえばテトラヒドロフラン、ジオキサン、
エチレングリコールジメチルエーテル、ハロゲン
化脂肪族又は芳香族炭化水素、たとえばメチレン
クロリド、クロロホルム1,2−ジクロルエタ
ン、クロルベンゾール、p−クロルトルオール、
カルボン酸アミド、たとえばジメチルホルムアミ
ド、ジメチルアセトアミド、ヘキサメチルホスホ
ル酸トリアミド、N−メチルピロリドン、ジメチ
ルスルホキシド、同時にプロトン受容体として作
用するヘテロ環状塩基、たとえばピリジン、アル
キル化されたピリジン、N,N−ジアルキルアミ
ノピリジン等々あるいはこれらの溶剤の混合物が
属する。アシル化剤としてカルボン酸イミダゾリ
ドを使用する場合、1:4〜4:1の割合でジメ
チルスルホキシド及びテトラヒドロフランから成
る混合物が有効である。アシル化は同時に触媒的
に作用する無機化合物から由来する酸結合剤、た
とえば水素化ナトリウム、金属ナトリウム等々あ
るいは有機化合物から由来する酸結合剤、たとえ
ばトリエチルアミン、N−メチルピペリジン、
N,N−ジメチルアニリン、N,N−ジエチルア
ニリンの使用下あるいはヘテロ環状塩基、たとえ
ばピリジン、N,N−ジメチルアミノピリジン、
ピコリン、コリジン、キノリン、イソキノリン
等々の存在下に有利に行われる。アシル化反応を
0℃ないし溶剤の沸点の温度、好ましくは20〜30
℃の温度で実施することができる。
反応の際に生じる未反応カルボン酸及び場合に
よりまだ存在するアシル化剤の未反応残部を次の
反応工程の前に分離しなければならない。たとえ
ばそれはシリカゲルでクロマトグラフイーによつ
て又は化学的分離に於てその他の通常の精製方法
によつて、たとえば水と混和し得ない溶剤中に粗
生成物を有する溶液を希水性塩基、たとえばアン
モニア水で抽出することによつてあるいは適当な
溶剤から粗生成物の再結晶又は再沈殿によつて行
われる。
よりまだ存在するアシル化剤の未反応残部を次の
反応工程の前に分離しなければならない。たとえ
ばそれはシリカゲルでクロマトグラフイーによつ
て又は化学的分離に於てその他の通常の精製方法
によつて、たとえば水と混和し得ない溶剤中に粗
生成物を有する溶液を希水性塩基、たとえばアン
モニア水で抽出することによつてあるいは適当な
溶剤から粗生成物の再結晶又は再沈殿によつて行
われる。
次いで一般式()なる2−アシル誘導体から
酸処理によつて1−O−トリフエニルメチル基を
離脱する。一般式()(式中残基R1,R2及びR3
はトリフエニルメチル基を示す。)なるグリセロ
ホスホエタノールアミン誘導体の場合、N−トリ
フエニルメチル基の維持が必要であり、一般式
()(式中残基R1,R2及びR3は夫々メチル基を
示す。)なるグリセロホスホコリン誘導体の場合、
1−O−トリフエニルメチル基の離脱のためにル
イス酸を使用するのが有利である。しかし1−O
−トリフエニルメチル基の離脱はグリセロホスホ
コリン誘導体の場合更に無機酸、たとえば鉱酸、
たとえばハロゲン化水素酸、臭化水素酸、過塩素
酸等々を用いてあるいは有機酸、たとえばトリフ
ルオル酢酸又はトリクロル酢酸等々を用いて行な
うことができる。その際アシル残基の転位を妨害
するために温度を20℃以下に保つのが有利であ
る。特に有効な脱トリチル化剤として三フツ化硼
素−メタノール.錯体をメチレンクロリド中で0
℃で使用する。その際一般式()なる化合物が
これを次の加工処理の前に更に精製処理する必要
がない程良好な純度で得られる。1−O−トリフ
エニルメチル基の離脱後得られる一般式()な
る化合物を直接次のアシルに供給する合成の実施
形態が特に有利である。というのはそれによつて
精製処理で場合により生じるアシル残基の転位が
合成工程のこの段階で決定的に減少するからであ
る。
酸処理によつて1−O−トリフエニルメチル基を
離脱する。一般式()(式中残基R1,R2及びR3
はトリフエニルメチル基を示す。)なるグリセロ
ホスホエタノールアミン誘導体の場合、N−トリ
フエニルメチル基の維持が必要であり、一般式
()(式中残基R1,R2及びR3は夫々メチル基を
示す。)なるグリセロホスホコリン誘導体の場合、
1−O−トリフエニルメチル基の離脱のためにル
イス酸を使用するのが有利である。しかし1−O
−トリフエニルメチル基の離脱はグリセロホスホ
コリン誘導体の場合更に無機酸、たとえば鉱酸、
たとえばハロゲン化水素酸、臭化水素酸、過塩素
酸等々を用いてあるいは有機酸、たとえばトリフ
ルオル酢酸又はトリクロル酢酸等々を用いて行な
うことができる。その際アシル残基の転位を妨害
するために温度を20℃以下に保つのが有利であ
る。特に有効な脱トリチル化剤として三フツ化硼
素−メタノール.錯体をメチレンクロリド中で0
℃で使用する。その際一般式()なる化合物が
これを次の加工処理の前に更に精製処理する必要
がない程良好な純度で得られる。1−O−トリフ
エニルメチル基の離脱後得られる一般式()な
る化合物を直接次のアシルに供給する合成の実施
形態が特に有利である。というのはそれによつて
精製処理で場合により生じるアシル残基の転位が
合成工程のこの段階で決定的に減少するからであ
る。
一般式()なる化合物の一般式(a)なる
1,2−ジアシル誘導体への再アシル化は再び一
般式R5COOHなる酸の上記反応性カルボン酸誘
導体を用いて行われる。グリセリンの1位にアシ
ル残基を導入するためにこの際特にこの酸の無水
カルボン酸が有効である。反応は通常のアシル化
条件下で有利に水不含極性非プロトン性溶剤又は
溶剤混合物中で行われる。この場合2−位のアシ
ル化に於て上記溶剤の他に更にハロゲン化炭化水
素、たとえばメチレンクロリド、クロロホルム、
四塩化炭素、クロルベンゾール等々との溶剤混合
物が挙げられる。特にメチレンクロリドと4−
N,N−ジメチルアミノピリジンとの混合物が有
効である。これは同時に酸結合剤の機能も引き受
ける。この反応にあたり室温ないし溶剤の沸騰温
度又は最も低い沸点の溶剤成分の沸騰温度の温度
範囲が選ばれる。反応を室温又は僅かに高められ
た20〜40℃の温度で実施するのが好ましい。
1,2−ジアシル誘導体への再アシル化は再び一
般式R5COOHなる酸の上記反応性カルボン酸誘
導体を用いて行われる。グリセリンの1位にアシ
ル残基を導入するためにこの際特にこの酸の無水
カルボン酸が有効である。反応は通常のアシル化
条件下で有利に水不含極性非プロトン性溶剤又は
溶剤混合物中で行われる。この場合2−位のアシ
ル化に於て上記溶剤の他に更にハロゲン化炭化水
素、たとえばメチレンクロリド、クロロホルム、
四塩化炭素、クロルベンゾール等々との溶剤混合
物が挙げられる。特にメチレンクロリドと4−
N,N−ジメチルアミノピリジンとの混合物が有
効である。これは同時に酸結合剤の機能も引き受
ける。この反応にあたり室温ないし溶剤の沸騰温
度又は最も低い沸点の溶剤成分の沸騰温度の温度
範囲が選ばれる。反応を室温又は僅かに高められ
た20〜40℃の温度で実施するのが好ましい。
形成された一般式(a)なるジアシル誘導体
が化学的分離に於ける通常の精製処理で純粋な形
で得ることができる。粗生成物をたとえば水と混
和し得ない溶剤中に溶解し、希水性塩基、たとえ
ばアンモニア水で過剰のアシル化剤から抽出して
分離するあるいは再結晶又は再沈殿によつて精製
することができる。
が化学的分離に於ける通常の精製処理で純粋な形
で得ることができる。粗生成物をたとえば水と混
和し得ない溶剤中に溶解し、希水性塩基、たとえ
ばアンモニア水で過剰のアシル化剤から抽出して
分離するあるいは再結晶又は再沈殿によつて精製
することができる。
その他に通常のクロマトグラフイー法又は2層
間の多重分散法が一般式(a)なる化合物の精
製に適当である。
間の多重分散法が一般式(a)なる化合物の精
製に適当である。
一般式(a)(式中残基R1,R2及びR3はトリ
フエニルメチル基を示す。)なる化合物から一般
式()(式中R1′,R2′及びR3′は夫々水素原子を
示す。)なる1,2−ジアシル−sn−グリセロ−
3−ホスホエタノールアミンはN−トリフエニル
メチル残基の離脱によつて得ることができる。離
脱のために無機酸、たとえば鉱酸、たとえば塩化
水素又は臭化水素又は好ましくは有機酸、たとえ
ばハロゲン化されたカルボン酸、たとえばトリク
ロル−又はトリフルオル酢酸が適する。この際グ
リセリンの1−及び2−位の脱アシル化を避ける
ために非プロトン性溶剤中で処理する。N−トリ
フエニルメチル残基をトリフルオル酢酸でメチレ
ンクロリド中約0℃の温度で除去するのが好まし
い。
フエニルメチル基を示す。)なる化合物から一般
式()(式中R1′,R2′及びR3′は夫々水素原子を
示す。)なる1,2−ジアシル−sn−グリセロ−
3−ホスホエタノールアミンはN−トリフエニル
メチル残基の離脱によつて得ることができる。離
脱のために無機酸、たとえば鉱酸、たとえば塩化
水素又は臭化水素又は好ましくは有機酸、たとえ
ばハロゲン化されたカルボン酸、たとえばトリク
ロル−又はトリフルオル酢酸が適する。この際グ
リセリンの1−及び2−位の脱アシル化を避ける
ために非プロトン性溶剤中で処理する。N−トリ
フエニルメチル残基をトリフルオル酢酸でメチレ
ンクロリド中約0℃の温度で除去するのが好まし
い。
本発明による化合物の同定及び純度試験は薄層
クロマトグラフイー及びスペクトル法、特に 1H
−NMR−スペクトルを用いて行われる。測定さ
れたスペクトル値は化合物の記載の化学構造と一
致する。
クロマトグラフイー及びスペクトル法、特に 1H
−NMR−スペクトルを用いて行われる。測定さ
れたスペクトル値は化合物の記載の化学構造と一
致する。
一般式()なる化合物は一般式()なる混
合置換された1,2−ジアシル−sn−グリセロ−
3−ホスホコリン及び1,2−ジアシル−sn−グ
リセロ−3−ホスホエタノールアミンの一般の化
学的合成に対する新規の中心的中間体である。一
般式()なる中間体を使用する場合、従来この
様な混合置換されたホスフアチジルコリン及びホ
スフアチジルエタノールアミンの半合成製造に於
て使用しなければならなかつた酵素の使用をもは
や必要としないので、一般式()なる化合物を
工業的規模でも容易に得ることができる。本発明
のその他の利点は1位又は2位のアシル化に使用
されるカルボン酸誘導体を実質上完全に使用する
ことになる。従来使用される酵素法の場合、グリ
セロホスホコリン又はN−保護されたグリセロホ
スホエタノールアミンの1−及び2−位を先ず2
個の同一アシル残基で置換し、その後2位のアシ
ル残基をホスホリパーゼA2の作用によつて離脱
し、この中間体に次のアシル化反応によつて所望
のアシル残基を導入する。その際2−位の第一ア
シル化に使用されたカルボン酸は消失する。更に
酵素による加水分解の速度及び効果はカルボン酸
の種類に依存する。一方一般式()なる化合物
の本発明による製造は全くこれに依存しない。
合置換された1,2−ジアシル−sn−グリセロ−
3−ホスホコリン及び1,2−ジアシル−sn−グ
リセロ−3−ホスホエタノールアミンの一般の化
学的合成に対する新規の中心的中間体である。一
般式()なる中間体を使用する場合、従来この
様な混合置換されたホスフアチジルコリン及びホ
スフアチジルエタノールアミンの半合成製造に於
て使用しなければならなかつた酵素の使用をもは
や必要としないので、一般式()なる化合物を
工業的規模でも容易に得ることができる。本発明
のその他の利点は1位又は2位のアシル化に使用
されるカルボン酸誘導体を実質上完全に使用する
ことになる。従来使用される酵素法の場合、グリ
セロホスホコリン又はN−保護されたグリセロホ
スホエタノールアミンの1−及び2−位を先ず2
個の同一アシル残基で置換し、その後2位のアシ
ル残基をホスホリパーゼA2の作用によつて離脱
し、この中間体に次のアシル化反応によつて所望
のアシル残基を導入する。その際2−位の第一ア
シル化に使用されたカルボン酸は消失する。更に
酵素による加水分解の速度及び効果はカルボン酸
の種類に依存する。一方一般式()なる化合物
の本発明による製造は全くこれに依存しない。
一般式()なるホスフアチジルコリン及びホ
スフアチジルエタノールアミンはたとえば価値あ
る乳化剤として医薬及び植物保護剤の製造にある
いは写真工業に使用することができる。更にこの
化合物はリポソーム、リポソーム溶液及びリポソ
ームゲルの製造用化学的に限定された出発化合物
として適する。
スフアチジルエタノールアミンはたとえば価値あ
る乳化剤として医薬及び植物保護剤の製造にある
いは写真工業に使用することができる。更にこの
化合物はリポソーム、リポソーム溶液及びリポソ
ームゲルの製造用化学的に限定された出発化合物
として適する。
一般式()なる化合物の製造用出発化合物と
してsn−グリセロ−3−ホスホコリン又はsn−グ
リセロ−3−ホスホル−(N−トリフエニルメチ
ル−エタノールアミンを使用する。sn−グリセロ
−3−ホスホコリンを公知方法によつて、たとえ
ば天然レシチンからアルカリ性加水分解によつて
実質上無制限の量で簡単な方法で製造することが
できる。好ましくは市販の生成物を使用する。
してsn−グリセロ−3−ホスホコリン又はsn−グ
リセロ−3−ホスホル−(N−トリフエニルメチ
ル−エタノールアミンを使用する。sn−グリセロ
−3−ホスホコリンを公知方法によつて、たとえ
ば天然レシチンからアルカリ性加水分解によつて
実質上無制限の量で簡単な方法で製造することが
できる。好ましくは市販の生成物を使用する。
sn−グリセロ−3−ホスホ−(N−トリフエニ
ルメチル)−エタノールアミンは任意の由来のsn
−グリセロ−3−ホスホエタノールアミンのN−
トリチル化によつて容易に入手することができ
る。特に有利なかつ簡単な方法でsn−グリセロ−
3−ホスホ−(N−トリフエニルメチル)−エタノ
ールアミンを植物性、動物性又は微生物起源のリ
ン脂質の反応性、置換又は非置換のトリフエニル
メチル誘導体、好ましくはトリフエニルメチルブ
ロミドとの混合物中でホスフアチジルエタノール
アミンのトリチル化、次いで全脂質のけん化によ
つて製造する。この混合物からsn−グリセロ−3
−ホスホ−(N−トリフエニルメチル)−エタノー
ルアミンを水と混和し得ない溶剤で、好ましくは
クロロホルムでメタノールの存在下に抽出して水
溶性離脱生成物から分離し、次いで脂肪酸をアル
カリ性水層で場合によりメタノールの混合下に洗
滌して純粋な形で得ることができる。sn−グリセ
ロ−3−ホスホ−(N−トリフエニルメチル)−エ
タノールアミンの製造のためにたとえば次の処理
を行うことができる: 大豆リン脂質1.5g及びトリフエニルメチルブ
ロミド1.4gをクロロホルム50ml中で溶解する。
トリエチルアミン1.1gの添加後、反応混合物を
12時間20℃で攪拌する。次いでクロロホルム5ml
及び0.5N水酸化ナトリウム溶液100mlをメタノー
ル中に加え、30分間、20℃で攪拌する。次いでク
ロロホルム100mlを加え、有機層を分離し、これ
を3回アルカリ性水層で洗滌する。最後に有機溶
剤を減圧下除去する。sn−グリセロ−3−ホスホ
−(N−トリフエニルメチル)−エタノールアミン
を含有する残留物を直接引き続きのO−トリチル
化に使用することができる。シリカゲルでクロロ
ホルム−メタノール−傾斜液を用いる粗生成物の
クロマトグラフイー分離によつて得られる純粋な
化合物は薄層クロマトグラフイーでシリカゲル上
に単一スポツト、Rf0.3を示す(展開剤:クロロホ
ルム−メタノール−25%NH350:25:6(V/
V/V))。
ルメチル)−エタノールアミンは任意の由来のsn
−グリセロ−3−ホスホエタノールアミンのN−
トリチル化によつて容易に入手することができ
る。特に有利なかつ簡単な方法でsn−グリセロ−
3−ホスホ−(N−トリフエニルメチル)−エタノ
ールアミンを植物性、動物性又は微生物起源のリ
ン脂質の反応性、置換又は非置換のトリフエニル
メチル誘導体、好ましくはトリフエニルメチルブ
ロミドとの混合物中でホスフアチジルエタノール
アミンのトリチル化、次いで全脂質のけん化によ
つて製造する。この混合物からsn−グリセロ−3
−ホスホ−(N−トリフエニルメチル)−エタノー
ルアミンを水と混和し得ない溶剤で、好ましくは
クロロホルムでメタノールの存在下に抽出して水
溶性離脱生成物から分離し、次いで脂肪酸をアル
カリ性水層で場合によりメタノールの混合下に洗
滌して純粋な形で得ることができる。sn−グリセ
ロ−3−ホスホ−(N−トリフエニルメチル)−エ
タノールアミンの製造のためにたとえば次の処理
を行うことができる: 大豆リン脂質1.5g及びトリフエニルメチルブ
ロミド1.4gをクロロホルム50ml中で溶解する。
トリエチルアミン1.1gの添加後、反応混合物を
12時間20℃で攪拌する。次いでクロロホルム5ml
及び0.5N水酸化ナトリウム溶液100mlをメタノー
ル中に加え、30分間、20℃で攪拌する。次いでク
ロロホルム100mlを加え、有機層を分離し、これ
を3回アルカリ性水層で洗滌する。最後に有機溶
剤を減圧下除去する。sn−グリセロ−3−ホスホ
−(N−トリフエニルメチル)−エタノールアミン
を含有する残留物を直接引き続きのO−トリチル
化に使用することができる。シリカゲルでクロロ
ホルム−メタノール−傾斜液を用いる粗生成物の
クロマトグラフイー分離によつて得られる純粋な
化合物は薄層クロマトグラフイーでシリカゲル上
に単一スポツト、Rf0.3を示す(展開剤:クロロホ
ルム−メタノール−25%NH350:25:6(V/
V/V))。
次に例によつて本発明を詳述するが、本発明は
これによつて限定されない。
これによつて限定されない。
(a) 一般式()なる化合物の製造
例 1:
1−O−トリフエニルメチル−sn−グリセロ−
3−ホスホコリン sn−グリセロ−3−ホスホコリン−CdCl2−錯
体5g及びトリフエニルメチルクロリド4.6gを
70℃で水不含ジメチルホルムアミド(50ml)中で
溶解する。トリエチルアミン2.3mlの添加後、30
分間70℃で水分の除去下攪拌する。反応混合物の
冷却後、粉末NaHCO35gを加え、20分室温で攪
拌する。次いで反応溶液を過し、ジエチルエー
テル300mlを加える。形成された油を遠心分離し、
一回ジエチルエーテルで洗滌し、最後にメタノー
ル150ml中に溶解する。CHCl3300mlの添加後、
CHCl3−CH3OH−H2O3/48/47/V/V/V)
から成る溶剤混合物(上層)90mlで洗滌し、下層
をCHCl3−CH3OH2/1(V/V)150mlで希釈
する。次いで25%水性NH3−溶液3mlを加え、
15分室温で放置し、最後に形成された無色の沈殿
物を遠心分離する。減圧で溶剤の除去後油状残留
物を3回夫々50mlのジエチルエーテルで浸出す
る。その際形成された固形の粗生成物(5.5g)
が得られ、これは薄層クロマトグラフイーにより
シリカゲル(底開剤:CHCl3−CH3OH−25%
NH365/355,V/V/V)上に0.15のRf−値を
示し、極めて少量の不純物しか有しない。純粋な
化合物がシリカゲルで中圧クロマトグラフイー分
離によつて得られる。溶離のためにCHCl3−
CH3OH−傾斜液を使用する。この場合溶離剤は
25%水性NH3−溶液0.5容量%を含有する。純粋
物質は薄層クロマトグラフイーでシリカゲル(展
開剤は粗生成物の分析に於けると同一である。)
上に単一スポツト,Rf0.15を示す。
3−ホスホコリン sn−グリセロ−3−ホスホコリン−CdCl2−錯
体5g及びトリフエニルメチルクロリド4.6gを
70℃で水不含ジメチルホルムアミド(50ml)中で
溶解する。トリエチルアミン2.3mlの添加後、30
分間70℃で水分の除去下攪拌する。反応混合物の
冷却後、粉末NaHCO35gを加え、20分室温で攪
拌する。次いで反応溶液を過し、ジエチルエー
テル300mlを加える。形成された油を遠心分離し、
一回ジエチルエーテルで洗滌し、最後にメタノー
ル150ml中に溶解する。CHCl3300mlの添加後、
CHCl3−CH3OH−H2O3/48/47/V/V/V)
から成る溶剤混合物(上層)90mlで洗滌し、下層
をCHCl3−CH3OH2/1(V/V)150mlで希釈
する。次いで25%水性NH3−溶液3mlを加え、
15分室温で放置し、最後に形成された無色の沈殿
物を遠心分離する。減圧で溶剤の除去後油状残留
物を3回夫々50mlのジエチルエーテルで浸出す
る。その際形成された固形の粗生成物(5.5g)
が得られ、これは薄層クロマトグラフイーにより
シリカゲル(底開剤:CHCl3−CH3OH−25%
NH365/355,V/V/V)上に0.15のRf−値を
示し、極めて少量の不純物しか有しない。純粋な
化合物がシリカゲルで中圧クロマトグラフイー分
離によつて得られる。溶離のためにCHCl3−
CH3OH−傾斜液を使用する。この場合溶離剤は
25%水性NH3−溶液0.5容量%を含有する。純粋
物質は薄層クロマトグラフイーでシリカゲル(展
開剤は粗生成物の分析に於けると同一である。)
上に単一スポツト,Rf0.15を示す。
1H−NMR−スペクトル:δppm
3.1(N−CH3);3.3−4.3(コリン及びグリセロ
ール);7.23(トリフエニルメチルC−H) 例 2 1−O−トリフエニルメチル−sn−グリセロ−
3−ホスホ−(N−トリフエニルメチル)−エタ
ノールアミン sn−グリセロ−3−ホスホノ−(N−トリフエ
ニルメチル)−エタノールアミン964mg及びトリフ
エニルロリド1.735gを水不含ピリジン32ml中で
水分の除去下に48時間室温で攪拌する。次いで氷
水上に注ぐ。生成物を3回ジエチルエーテルで抽
出する。精製されたエーテル層を2回水洗し、次
いでNa2SO3で乾燥する。減圧下溶剤の除去後、
残りのピリジンを残留物の蒸発によつてトルオー
ルの存在下に減圧で除去する。残留物をクロロホ
ルム−メタノール1/1(V/V)30ml中に取り
入れ、一晩4℃で放置する。沈殿したトリフエニ
ルメチルカルビノールの除去及び溶剤混合物の引
き続きの除去後、粗生成物1.7gが得られる。こ
れは直接次のアシル化に使用される。シリカゲル
でクロロホルム−メタノール−傾斜液を用いてク
ロマトグラフイー分離後、純粋な化合物が得られ
る。これは薄層クロマトグラフイーによりシリカ
ゲル(展開剤:クロロホルム−メタノール6:4
(V/V)上に単一スポツト,Rf0.6を示す。
ール);7.23(トリフエニルメチルC−H) 例 2 1−O−トリフエニルメチル−sn−グリセロ−
3−ホスホ−(N−トリフエニルメチル)−エタ
ノールアミン sn−グリセロ−3−ホスホノ−(N−トリフエ
ニルメチル)−エタノールアミン964mg及びトリフ
エニルロリド1.735gを水不含ピリジン32ml中で
水分の除去下に48時間室温で攪拌する。次いで氷
水上に注ぐ。生成物を3回ジエチルエーテルで抽
出する。精製されたエーテル層を2回水洗し、次
いでNa2SO3で乾燥する。減圧下溶剤の除去後、
残りのピリジンを残留物の蒸発によつてトルオー
ルの存在下に減圧で除去する。残留物をクロロホ
ルム−メタノール1/1(V/V)30ml中に取り
入れ、一晩4℃で放置する。沈殿したトリフエニ
ルメチルカルビノールの除去及び溶剤混合物の引
き続きの除去後、粗生成物1.7gが得られる。こ
れは直接次のアシル化に使用される。シリカゲル
でクロロホルム−メタノール−傾斜液を用いてク
ロマトグラフイー分離後、純粋な化合物が得られ
る。これは薄層クロマトグラフイーによりシリカ
ゲル(展開剤:クロロホルム−メタノール6:4
(V/V)上に単一スポツト,Rf0.6を示す。
1H−NMR−スペクトル:δppm(DMSO−d6)
3.5−4.3(グリセロール及びエタノールアミン
C−H,鈍い);7.25(トリフエニルメチルC−
H,m)。
C−H,鈍い);7.25(トリフエニルメチルC−
H,m)。
例 3
例1に記載した処理工程の適用下で次の化合物
が得られる: 1−O−(4,4′−ジメトキシトリフエニルメ
チル)−sn−グリセロ−3−ホスホコリン薄層ク
ロマトグラフイーによりシリカゲル上にし展開
剤:CHCl3,CH3OH、25%水性NH3;65,35.5
(V/V/V))に単一スポツト、Rf−値0.15を示
す。
が得られる: 1−O−(4,4′−ジメトキシトリフエニルメ
チル)−sn−グリセロ−3−ホスホコリン薄層ク
ロマトグラフイーによりシリカゲル上にし展開
剤:CHCl3,CH3OH、25%水性NH3;65,35.5
(V/V/V))に単一スポツト、Rf−値0.15を示
す。
1H−NMR−スペクトル:δppm(CD3OD)
3.1(N−CH3);3.8(フエニル−O−CH3);3.3
−4.3(コリン及びグリセロール):7.23(芳香族) 例 4 1−O−(4,4′−ジメトキシトリフエニルメ
チル)−sn−グリセロ−3−ホスホノ−(N−ト
リフエニルメチル)−エタノールアミン sn−グリセロ−3−ホスホノ−(N−トリフエ
ニルメチル)−エタノールアミン2.4g及び4,
4′−ジメトキシトリフエニルメチルクロリド4.5
gを有する溶液を水不含ピリジン80ml中で72時間
室温で攪拌する。減圧でピリジンの除去後、残留
物をCHCl3−CH3OH2/1(V/V)200ml中に
溶解する。この溶液を2回夫々40mlのCHCl3−
CH2−OH−H2O3/48/47(V/V/V)で洗滌
し、次いで溶剤を減圧留去する。その際褐色の油
が得られる。これは80ml及び3mlに分けたジエチ
ルエーテルで浸出した後粗生成物2.5gを無定形
無色粉末として生じる。シリカゲル上で薄層クロ
マトグラフイー(展開剤:CHCl3−CH3OH6/
4,V/V)により粗生成物は90%より多い目的
生成物を含有する(Rf0.6)。これは更に精製する
ことなく混合置換された対掌体不含1,2−ジア
シル−sn−グリセロ−sn−グリセロ−3−ホスホ
エタノールアミンの製造に使用することができ
る。
−4.3(コリン及びグリセロール):7.23(芳香族) 例 4 1−O−(4,4′−ジメトキシトリフエニルメ
チル)−sn−グリセロ−3−ホスホノ−(N−ト
リフエニルメチル)−エタノールアミン sn−グリセロ−3−ホスホノ−(N−トリフエ
ニルメチル)−エタノールアミン2.4g及び4,
4′−ジメトキシトリフエニルメチルクロリド4.5
gを有する溶液を水不含ピリジン80ml中で72時間
室温で攪拌する。減圧でピリジンの除去後、残留
物をCHCl3−CH3OH2/1(V/V)200ml中に
溶解する。この溶液を2回夫々40mlのCHCl3−
CH2−OH−H2O3/48/47(V/V/V)で洗滌
し、次いで溶剤を減圧留去する。その際褐色の油
が得られる。これは80ml及び3mlに分けたジエチ
ルエーテルで浸出した後粗生成物2.5gを無定形
無色粉末として生じる。シリカゲル上で薄層クロ
マトグラフイー(展開剤:CHCl3−CH3OH6/
4,V/V)により粗生成物は90%より多い目的
生成物を含有する(Rf0.6)。これは更に精製する
ことなく混合置換された対掌体不含1,2−ジア
シル−sn−グリセロ−sn−グリセロ−3−ホスホ
エタノールアミンの製造に使用することができ
る。
純粋な化合物がシリカゲルでCHCH3−
CH3OH−傾斜液(0.5容量%NH3水の存在下)を
用いて中圧クロマトグラフイー分離して得られ、
薄層クロマトグラフイー(例3に於けると同様な
条件)によれば単一スポツト,Rf0.6を示す。
CH3OH−傾斜液(0.5容量%NH3水の存在下)を
用いて中圧クロマトグラフイー分離して得られ、
薄層クロマトグラフイー(例3に於けると同様な
条件)によれば単一スポツト,Rf0.6を示す。
1H−NMR−スペクトル:δppm
(CDCl3−CD3OD2/1,V/V)
3.1(N
−CH3);3.8(フエニル−O−CH3);
3.3−4.3(コリン及びグリセロール);7.23(芳香
族)。
3.3−4.3(コリン及びグリセロール);7.23(芳香
族)。
(b) 一般式()なる化合物の製造のために上記
例に従つて得られた一般式()なる化合物の
製造に使用する。
例に従つて得られた一般式()なる化合物の
製造に使用する。
例 5
(A) 1−O−トリフエニルメチル−2−オレオイ
ル−3−ホスホコリン油酸1.26gとカルボニル
イミダゾール794mgとをテトラヒドロフラン25
ml中で45分間、室温で反応させ、次いで溶剤を
減圧で除去する。次いで形成された脂肪酸イミ
ダゾリドを含有する残留物にジメチルスルホキ
シド28ml中に1−O−トリフエニルメチル−sn
−グリセロ−3−ホスホコリン(例1による)
の粗生成物1.1gを有する溶液を加える。ジメ
チルスルホキシド11.5ml中に金属ナトリウム
148mgを溶解して製造した触媒の添加後、反応
混合物を時折りの振とう下20分、20℃で放置す
る。最後に0.1N水性酢酸64mlを一注きでに加
える。クロロホルム−メタノール2/1(V/
V)から成る混合物で2回抽出し、精製された
有機層をメタノール−H2O1/1(V/V)か
ら成る混合物で2回抽出する。減圧で溶剤の蒸
発後、粗生成物をクロロホルム中で溶解し、シ
リカゲルカラム上に付与する。純粋な化合物
(1.1g)をクロロホルム−メタノール傾斜液で
溶離し、薄層クロマトグラフイーによりシリカ
ゲル上に(展開剤:クロロホルム−メタノール
−25%NH365:35:5(V/V/V))単一ス
ポツト,Rf0.4を示す。
ル−3−ホスホコリン油酸1.26gとカルボニル
イミダゾール794mgとをテトラヒドロフラン25
ml中で45分間、室温で反応させ、次いで溶剤を
減圧で除去する。次いで形成された脂肪酸イミ
ダゾリドを含有する残留物にジメチルスルホキ
シド28ml中に1−O−トリフエニルメチル−sn
−グリセロ−3−ホスホコリン(例1による)
の粗生成物1.1gを有する溶液を加える。ジメ
チルスルホキシド11.5ml中に金属ナトリウム
148mgを溶解して製造した触媒の添加後、反応
混合物を時折りの振とう下20分、20℃で放置す
る。最後に0.1N水性酢酸64mlを一注きでに加
える。クロロホルム−メタノール2/1(V/
V)から成る混合物で2回抽出し、精製された
有機層をメタノール−H2O1/1(V/V)か
ら成る混合物で2回抽出する。減圧で溶剤の蒸
発後、粗生成物をクロロホルム中で溶解し、シ
リカゲルカラム上に付与する。純粋な化合物
(1.1g)をクロロホルム−メタノール傾斜液で
溶離し、薄層クロマトグラフイーによりシリカ
ゲル上に(展開剤:クロロホルム−メタノール
−25%NH365:35:5(V/V/V))単一ス
ポツト,Rf0.4を示す。
(B) 2−オレオイル−sn−グリセロ−3−ホスホ
コリン メチレンクロリド30ml中に1−O−トリフエ
ニルメチル−2−オレオイル−sn−グリセロ−
3−ホスホコリン500mgを有する溶液にメタノ
ール中に三フツ化硼素を有する20%溶液0.5ml
を加え、次いで30分間0℃で攪拌する。次いで
メタノール15ml及び水9mlを加え、振とうし、
有機層を単離する。溶剤を室温で高減圧除去に
よつて除く。
コリン メチレンクロリド30ml中に1−O−トリフエ
ニルメチル−2−オレオイル−sn−グリセロ−
3−ホスホコリン500mgを有する溶液にメタノ
ール中に三フツ化硼素を有する20%溶液0.5ml
を加え、次いで30分間0℃で攪拌する。次いで
メタノール15ml及び水9mlを加え、振とうし、
有機層を単離する。溶剤を室温で高減圧除去に
よつて除く。
(C) 1−パルミトイル−2−オレオイル−sn−グ
リセロ−3−ホスホコリン 形成された2−オレオイル−sn−グリセロ−
3−ホスホコリンを含有する残留物を乾燥クロ
ロホルム30ml中に溶解する。次いでこの溶液に
無水パルミチン酸820mg及びジメチルアミノピ
リジン200mgを加え、反応混合物を6時間20℃
で攪拌する。次いでメタノール15mlを加え、先
ず0.1N HClで、次いでH2Oで振とうする。減
圧で有機層の除去後、物質をクロロホルム−メ
タノール−傾斜液を用いるシリカゲルでのクロ
マトグラフイー分離によつて精製する。精製さ
れた化合物(400mg)薄層クロマトグラフイー
でシリカゲル上に(展開剤:クロロホルム−メ
タノール−25%NH365:35:5(V/V/V)
単一スポツト,Rf0.4を示す。
リセロ−3−ホスホコリン 形成された2−オレオイル−sn−グリセロ−
3−ホスホコリンを含有する残留物を乾燥クロ
ロホルム30ml中に溶解する。次いでこの溶液に
無水パルミチン酸820mg及びジメチルアミノピ
リジン200mgを加え、反応混合物を6時間20℃
で攪拌する。次いでメタノール15mlを加え、先
ず0.1N HClで、次いでH2Oで振とうする。減
圧で有機層の除去後、物質をクロロホルム−メ
タノール−傾斜液を用いるシリカゲルでのクロ
マトグラフイー分離によつて精製する。精製さ
れた化合物(400mg)薄層クロマトグラフイー
でシリカゲル上に(展開剤:クロロホルム−メ
タノール−25%NH365:35:5(V/V/V)
単一スポツト,Rf0.4を示す。
例 6
1−ステアロイル−2−オレオイル−sn−グ
リセロ−3−ホスホコリン 2−オレオイル−sn−グリセロ−3−ホスホコ
リン(例5、段階A及びBに従つて1−O−トリ
フエニルメチル−2−オレオイル−sn−グリセロ
−3−ホスホコリン700mgから得られる。)を有す
る溶液を無水ステアリン酸1.2gと例5、段階C
に記載した処理工程に従つて反応させ、クロマト
グラフイーにより精製し、次いで分析する。1−
ステアロイル−2−オレオイル−sn−グリセロ−
3−ホスホコリン550mg(1−O−トリフエニル
メチル−sn−グリセロ−3−ホスホコリンに対し
て76%収率)が得られる。これは薄層クロマトグ
ラフイーでシリカゲル上に(展開剤:クロロホル
ム−メタノール−25%NH3水溶液,65:35:5,
V/V/V)単一スポツトを示す;Rf−値0.4。
リセロ−3−ホスホコリン 2−オレオイル−sn−グリセロ−3−ホスホコ
リン(例5、段階A及びBに従つて1−O−トリ
フエニルメチル−2−オレオイル−sn−グリセロ
−3−ホスホコリン700mgから得られる。)を有す
る溶液を無水ステアリン酸1.2gと例5、段階C
に記載した処理工程に従つて反応させ、クロマト
グラフイーにより精製し、次いで分析する。1−
ステアロイル−2−オレオイル−sn−グリセロ−
3−ホスホコリン550mg(1−O−トリフエニル
メチル−sn−グリセロ−3−ホスホコリンに対し
て76%収率)が得られる。これは薄層クロマトグ
ラフイーでシリカゲル上に(展開剤:クロロホル
ム−メタノール−25%NH3水溶液,65:35:5,
V/V/V)単一スポツトを示す;Rf−値0.4。
例 7
(A) 1−O−トリフエニルメチル−2−リノレオ
イル−sn−グリセロ−3−ホスホコリン 1−O−トリフエニルメチル−sn−グリセロ
−3−ホスホコリン(例1による)600mgをリ
ノール酸690mg及びカルボニルジイミダゾール
440mgから製造されたリノレオイルイミダゾリ
ドで例5、段階Aに記載した処理工程に従つて
アシル化する。シリカゲルで中圧クロマトグラ
フイー分離後、純粋な化合物(690mg、理論値
の75%)は薄層クロマトグラフイーでシリカゲ
ル上に単一スポツト、Rf−値0.3を示す(展開
剤:クロロホルム−メタノール−25%NH3水
溶液,65:35:5,V/V/V)。
イル−sn−グリセロ−3−ホスホコリン 1−O−トリフエニルメチル−sn−グリセロ
−3−ホスホコリン(例1による)600mgをリ
ノール酸690mg及びカルボニルジイミダゾール
440mgから製造されたリノレオイルイミダゾリ
ドで例5、段階Aに記載した処理工程に従つて
アシル化する。シリカゲルで中圧クロマトグラ
フイー分離後、純粋な化合物(690mg、理論値
の75%)は薄層クロマトグラフイーでシリカゲ
ル上に単一スポツト、Rf−値0.3を示す(展開
剤:クロロホルム−メタノール−25%NH3水
溶液,65:35:5,V/V/V)。
(B) 2−リノレオイル−sn−グリセロ−3−ホス
ホコリン メチレンクロリド60ml中に1−O−トリフエ
ニルメチル−2−リノレオイル−sn−グリセロ
−3−ホスホコリン1gを有する溶液を1−O
−トリフエニルメチル残基の離脱のために例
5、段階Bに記載した様にメタノール中に三フ
ツ化硼素を有する20%溶液で処理する。
ホコリン メチレンクロリド60ml中に1−O−トリフエ
ニルメチル−2−リノレオイル−sn−グリセロ
−3−ホスホコリン1gを有する溶液を1−O
−トリフエニルメチル残基の離脱のために例
5、段階Bに記載した様にメタノール中に三フ
ツ化硼素を有する20%溶液で処理する。
(C) 1−ステアロイル−2−リノレオイル−sn−
グリセロ−3−ホスホコリン 段階Bで得られた2−リノレオイル−sn−グ
リセロ−3−ホスホコリンを無水ステアリン酸
1.6gを例5、段階Cに記載した処理工程に従
つて反応させ、クロマトグラフイーで精製す
る。純粋生成物(1−O−トリフエニルメチル
−2−リノレオイル−sn−グリセロ−3−ホス
ホコリンに対して80%収率)820mgが得られる。
これは薄層クロマトグラフイーでシリカゲル上
に単一スポツトを示す: Rf−値0.7(展開剤:クロロホルム−メタノー
ル−25%NH3水溶液,65:35:5,V/V/
V)。
グリセロ−3−ホスホコリン 段階Bで得られた2−リノレオイル−sn−グ
リセロ−3−ホスホコリンを無水ステアリン酸
1.6gを例5、段階Cに記載した処理工程に従
つて反応させ、クロマトグラフイーで精製す
る。純粋生成物(1−O−トリフエニルメチル
−2−リノレオイル−sn−グリセロ−3−ホス
ホコリンに対して80%収率)820mgが得られる。
これは薄層クロマトグラフイーでシリカゲル上
に単一スポツトを示す: Rf−値0.7(展開剤:クロロホルム−メタノー
ル−25%NH3水溶液,65:35:5,V/V/
V)。
例 8
(A) 1−O−トリフエニルメチル−2−アセチル
−sn−グリセロ−3−ホスホコリン 1−O−トリフエニルメチル−sn−グリセロ
−3−ホスホコリン(例1による)320mgと無
水酢酸0.7mgとを水不含ピリジン4ml中で一晩、
室温で反応させる。次いで反応混合物を氷水上
に注ぎ、2回クロロホルム−メタノール(2:
1,V/V)で抽出する。精製された有機層を
2回クロホルム−メタノール−水(3:48:
47,V/V/V)で洗滌し、重炭酸ナトリウム
で乾燥し、最後に乾燥物となす。粗生成物をシ
リカゲルでクロロホルム−メタノール−傾斜液
を用いて中圧クロマトグラフイー分離して精製
する。純粋生成物(180mg、51%収率)は薄層
クロマトグラフイーでシリカゲル上に単一スポ
ツト:Rf0.16を示す(展開剤:クロロホルム−
メタノール−25%NH3水溶液、65:35:5、
V/V/V)。
−sn−グリセロ−3−ホスホコリン 1−O−トリフエニルメチル−sn−グリセロ
−3−ホスホコリン(例1による)320mgと無
水酢酸0.7mgとを水不含ピリジン4ml中で一晩、
室温で反応させる。次いで反応混合物を氷水上
に注ぎ、2回クロロホルム−メタノール(2:
1,V/V)で抽出する。精製された有機層を
2回クロホルム−メタノール−水(3:48:
47,V/V/V)で洗滌し、重炭酸ナトリウム
で乾燥し、最後に乾燥物となす。粗生成物をシ
リカゲルでクロロホルム−メタノール−傾斜液
を用いて中圧クロマトグラフイー分離して精製
する。純粋生成物(180mg、51%収率)は薄層
クロマトグラフイーでシリカゲル上に単一スポ
ツト:Rf0.16を示す(展開剤:クロロホルム−
メタノール−25%NH3水溶液、65:35:5、
V/V/V)。
1H−NHR−スペクトル;δppm(COCl3−
CD3OD2:1、V/V)2.13(H3C−CO,s,
3H);3.16(H3C−N ,s,9H);3.3−4.4(グ
リセロール及びコリン−CH2);5.23(グリセロ
ールC−H,1H);7.33(芳香族、15H)。
CD3OD2:1、V/V)2.13(H3C−CO,s,
3H);3.16(H3C−N ,s,9H);3.3−4.4(グ
リセロール及びコリン−CH2);5.23(グリセロ
ールC−H,1H);7.33(芳香族、15H)。
(B) 2−アセチル−sn−グリセロ−3−ホスホコ
リン (C) 1−パルミトイル−2−アセチル−sn−グリ
セロ−3−ホスホコリン 1−O−トリフエニルメチル−2−アセチル
−sn−グリセロ−3−ホスホコリンから1−O
−トリフエニルメチル基を例5、段階Bに記載
した処理工程に従つて離脱し、形成された2−
アセチル−sn−グリセロ−3−ホスホコリンと
無水パルミチン酸とを例5、段階Cに記載され
た処理工程に従つて反応させ1−パルミトイル
−2−アセチル−sn−グリセロ−3−ホスホコ
リンとなす。
リン (C) 1−パルミトイル−2−アセチル−sn−グリ
セロ−3−ホスホコリン 1−O−トリフエニルメチル−2−アセチル
−sn−グリセロ−3−ホスホコリンから1−O
−トリフエニルメチル基を例5、段階Bに記載
した処理工程に従つて離脱し、形成された2−
アセチル−sn−グリセロ−3−ホスホコリンと
無水パルミチン酸とを例5、段階Cに記載され
た処理工程に従つて反応させ1−パルミトイル
−2−アセチル−sn−グリセロ−3−ホスホコ
リンとなす。
例 9
(A) 1−O−トリフエニルメチル−2−メトキシ
アセチル−sn−グリセロ−3−ホスホコリン 1−O−トリフエニルメチル−sn−グリセロ
−3−ホスホコリン(例1による)316mgとメ
トキシアセチルイミダゾリド−これはメトキシ
酢酸90mg及びカルボニルジイミダゾール178mg
から製造される−とを例5、段階Aに記載した
処理工程に従つて反応させ後処理する。純粋な
1−O−トリフエニルメチル−2−メトキシア
セチル−sn−グリセロ−3−ホスホコリン250
mg(69%収率)が得られる。これは薄層クロマ
トグラフイーで単一スポツトを示す(展開剤:
クロロホルム−メタノール−25%NH3−水溶
液、65:35:5、V/V/V);Rf−値0.25。
アセチル−sn−グリセロ−3−ホスホコリン 1−O−トリフエニルメチル−sn−グリセロ
−3−ホスホコリン(例1による)316mgとメ
トキシアセチルイミダゾリド−これはメトキシ
酢酸90mg及びカルボニルジイミダゾール178mg
から製造される−とを例5、段階Aに記載した
処理工程に従つて反応させ後処理する。純粋な
1−O−トリフエニルメチル−2−メトキシア
セチル−sn−グリセロ−3−ホスホコリン250
mg(69%収率)が得られる。これは薄層クロマ
トグラフイーで単一スポツトを示す(展開剤:
クロロホルム−メタノール−25%NH3−水溶
液、65:35:5、V/V/V);Rf−値0.25。
(B) 2−メトキシアセチル−sn−グリセロ−3−
ホスホコリン (C) 1−ステアロイル−2−メトキシアセチル−
sn−グリセロ−3−ホスホコリン 1−O−トリフエニルメチル−2−メトキシ
アセチル−sn−グリセロ−3−ホスホコリンか
ら1−O−トリフエニルメチル基を例2、段階
Bに記載した処理工程に従つて離脱し、その際
形成された2−メトキシアセチル−sn−グリセ
ロ−3−ホスホコリンを例6と同様に無水ステ
アリン酸と反応させ1−ステアロイル−2−メ
トキシアセチル−sn−グリセロ−3−ホスホコ
リンとなし、クロマトグラフイーで精製する。
ホスホコリン (C) 1−ステアロイル−2−メトキシアセチル−
sn−グリセロ−3−ホスホコリン 1−O−トリフエニルメチル−2−メトキシ
アセチル−sn−グリセロ−3−ホスホコリンか
ら1−O−トリフエニルメチル基を例2、段階
Bに記載した処理工程に従つて離脱し、その際
形成された2−メトキシアセチル−sn−グリセ
ロ−3−ホスホコリンを例6と同様に無水ステ
アリン酸と反応させ1−ステアロイル−2−メ
トキシアセチル−sn−グリセロ−3−ホスホコ
リンとなし、クロマトグラフイーで精製する。
例 10
(A) 1−O−トリフエニルメチル−2−(2′−エ
チルヘキサノイル)−sn−グリセロ−3−ホス
ホコリン 1−O−トリフエニルメチル−sn−グリセロ
−3−ホスホコリン(例1による)250mgを有
する溶液を2−エチルヘキサノイルイミダゾリ
ド―これは2−エチルヘキサン酸144mg及びカ
ルボニルイミダゾール178mgから製造される−
と例5、段階Aの記載した処理法に従つて反応
させ、後処理する。純粋な1−O−トリフエニ
ルメチル−2−(2′−エチルヘキサノイル)−sn
−グリセロ−3−ホスホコリン200mg(69%収
率)が得られる。これは薄層クロマトグラフイ
ーで(展開剤:クロロホルム−メタノール−25
%NH3,65:35:5,V/V/V)単一スポ
ツトを示す;Rf−値0.24。
チルヘキサノイル)−sn−グリセロ−3−ホス
ホコリン 1−O−トリフエニルメチル−sn−グリセロ
−3−ホスホコリン(例1による)250mgを有
する溶液を2−エチルヘキサノイルイミダゾリ
ド―これは2−エチルヘキサン酸144mg及びカ
ルボニルイミダゾール178mgから製造される−
と例5、段階Aの記載した処理法に従つて反応
させ、後処理する。純粋な1−O−トリフエニ
ルメチル−2−(2′−エチルヘキサノイル)−sn
−グリセロ−3−ホスホコリン200mg(69%収
率)が得られる。これは薄層クロマトグラフイ
ーで(展開剤:クロロホルム−メタノール−25
%NH3,65:35:5,V/V/V)単一スポ
ツトを示す;Rf−値0.24。
(B) 2−(2′−エチルヘキサノイル)sn−グリセ
ロ−3−ホスホコリン (C) 1−オレオイル−2−(2′−エチルヘキサノ
イル)−sn−グリセロ−3−ホスホコリン1−
O−トリフエニルメチル−2−(2′−エチルヘ
キサノイル−sn−グリセロ−3−ホスホコリン
から1−O−トリオフエニルメチル基を例5、
段階Bに記載された処理工程に従つて離脱し、
その際形成された2−(2′−エチルヘキサノイ
ル)−sn−グリセロ−3−ホスホコリンを例5、
段階Cに記載された処理法に従つて無水油酸と
反応させ1−オレオイル−2−(2′−エチルヘ
キサノイル)−sn−グリセロ−3−ホスホコリ
ンとなし、クロマトグラフイーにより精製す
る。
ロ−3−ホスホコリン (C) 1−オレオイル−2−(2′−エチルヘキサノ
イル)−sn−グリセロ−3−ホスホコリン1−
O−トリフエニルメチル−2−(2′−エチルヘ
キサノイル−sn−グリセロ−3−ホスホコリン
から1−O−トリオフエニルメチル基を例5、
段階Bに記載された処理工程に従つて離脱し、
その際形成された2−(2′−エチルヘキサノイ
ル)−sn−グリセロ−3−ホスホコリンを例5、
段階Cに記載された処理法に従つて無水油酸と
反応させ1−オレオイル−2−(2′−エチルヘ
キサノイル)−sn−グリセロ−3−ホスホコリ
ンとなし、クロマトグラフイーにより精製す
る。
例 11
(A) 1−O−トリフエニルメチル−2−(1′−
14C)−ドデカノイル−sn−グリセロ−3−ホス
ホコリン (1′−14C)−ドデカン酸(1μCi/mMol)
100mg及びカルボニルジイミダゾール90mgを45
分間水不含テトラヒドロフラン30ml中20℃で反
応させる。形成されたアシルイミダゾリドの溶
液を1−O−トリフエニルメチル−sn−グリセ
ロ−3−ホスホコリン127mgに加える。減圧で
溶剤の除去後、残留物をジメチルスルホキシド
1ml中に溶解し、反応を金属ナトリウム23gを
ジメチルスルホキシド18ml中に溶解して得られ
た触媒的に作用する酸結合剤の添加によつて開
始する。反応混合物を時折りの振とう下10分間
20℃で保ち、その後一注きで水性酢酸10mlを添
加して中和する。次いで2回夫々クロロホルム
−メタノール(2:1V/V)15mlで抽出する。
精製された有機層を順次に夫々6mlのクロロホ
ルム−メタノール−HN3水溶液(3:48:47,
V/V/V)及びクロロホルム−メタノール−
水(3:48:47,V/V/V)で洗滌する。減
圧で溶剤の除去及びベンゾールの存在下蒸発
後、相生成物が得られる。これをシリカゲルで
クロロホルム−メタノール−傾斜液を用いて中
圧クロマトグラフイーによつて精製する。この
場合純粋物質110mg(82%収率)を6:4(V/
V)のクロロホルム−メタノール割合で溶離す
る。純粋物質は薄層クロマトグラフイーでシリ
カゲル上に単一スポツト;Rf0.25を示す(展開
剤:クロロホルム−メタノール−25%NH3水
水溶援、65:35:5,V/V/V)。
14C)−ドデカノイル−sn−グリセロ−3−ホス
ホコリン (1′−14C)−ドデカン酸(1μCi/mMol)
100mg及びカルボニルジイミダゾール90mgを45
分間水不含テトラヒドロフラン30ml中20℃で反
応させる。形成されたアシルイミダゾリドの溶
液を1−O−トリフエニルメチル−sn−グリセ
ロ−3−ホスホコリン127mgに加える。減圧で
溶剤の除去後、残留物をジメチルスルホキシド
1ml中に溶解し、反応を金属ナトリウム23gを
ジメチルスルホキシド18ml中に溶解して得られ
た触媒的に作用する酸結合剤の添加によつて開
始する。反応混合物を時折りの振とう下10分間
20℃で保ち、その後一注きで水性酢酸10mlを添
加して中和する。次いで2回夫々クロロホルム
−メタノール(2:1V/V)15mlで抽出する。
精製された有機層を順次に夫々6mlのクロロホ
ルム−メタノール−HN3水溶液(3:48:47,
V/V/V)及びクロロホルム−メタノール−
水(3:48:47,V/V/V)で洗滌する。減
圧で溶剤の除去及びベンゾールの存在下蒸発
後、相生成物が得られる。これをシリカゲルで
クロロホルム−メタノール−傾斜液を用いて中
圧クロマトグラフイーによつて精製する。この
場合純粋物質110mg(82%収率)を6:4(V/
V)のクロロホルム−メタノール割合で溶離す
る。純粋物質は薄層クロマトグラフイーでシリ
カゲル上に単一スポツト;Rf0.25を示す(展開
剤:クロロホルム−メタノール−25%NH3水
水溶援、65:35:5,V/V/V)。
放射能は1uci/m Molである。
1H−NMR−スペクトル:δppm(CDCl3−
CD3OD2/1,V/V)0.90(アシル−CH3,
3H);1.26((CH2)o,s);1.66(H2C−C−
CO,m,2H);3.16(H3C−+ N ,s,9H);3.3
−4.4(グリセロール及びコリン−CH2,8H);
5.23(グリセロール−CH,m,1H);7.33(芳香
族,15H) (B) 2−(1′−14C)−ドデカノイル−sn−グリセ
ロ−3−ホスホコリン (C) 1−オレオイル−2−(1′−14C)−ドデカノ
イル−sn−グリセロ−3−ホスホコリン 1−O−トリフエニルメチル−2−(1′−
14C)−ドデカノイル−sn−グリセロ−3−ホス
ホコリンから1−O−トリフエニルメチル基を
例5、段階Bに記載した処理工程に従つて離脱
し、その際形成された2−(1′−14C)−ドデカ
ノイル−sn−グリセロ−3−ホスホコリンを例
5、段階Cと同様に無水油酸と反応させて1−
オレオイル−2−(1′−14C)−ドデカノイル−
sn−グリセロ−3−ホスホコリンとなし、クロ
マトグラフイーにより精製する。
CD3OD2/1,V/V)0.90(アシル−CH3,
3H);1.26((CH2)o,s);1.66(H2C−C−
CO,m,2H);3.16(H3C−+ N ,s,9H);3.3
−4.4(グリセロール及びコリン−CH2,8H);
5.23(グリセロール−CH,m,1H);7.33(芳香
族,15H) (B) 2−(1′−14C)−ドデカノイル−sn−グリセ
ロ−3−ホスホコリン (C) 1−オレオイル−2−(1′−14C)−ドデカノ
イル−sn−グリセロ−3−ホスホコリン 1−O−トリフエニルメチル−2−(1′−
14C)−ドデカノイル−sn−グリセロ−3−ホス
ホコリンから1−O−トリフエニルメチル基を
例5、段階Bに記載した処理工程に従つて離脱
し、その際形成された2−(1′−14C)−ドデカ
ノイル−sn−グリセロ−3−ホスホコリンを例
5、段階Cと同様に無水油酸と反応させて1−
オレオイル−2−(1′−14C)−ドデカノイル−
sn−グリセロ−3−ホスホコリンとなし、クロ
マトグラフイーにより精製する。
例 12
(A) 1−O−トリフエニルメチル−2−(9′,
10′−ジブロムステアロイル)−sn−グリセロ−
3−ホスホコリン 1−O−トリフエニルメチル−sn−グリセロ
−3−ホスホコリン(例1による)300mgを9,
10−ジブロム無水ステアリン酸1.3gと例8、
段階Aに記載した処理法に従つて4−N,N−
ジメチルアミノピリジン300mgの存在下クロロ
ホルム20ml中で5時間20℃で反応させ、後処理
する。純粋な1−O−トリフエニルメチル−2
−(9′,10′−ジブロムステアロイル)−sn−グ
リセロ−3−ホスホコリン460mg(82%収率)
が得られる。これは薄層クロマトグラフイーで
単一スポツト;Rf−値0.3を示す(展開剤:ク
ロロホルム−メタノール−25%NH3水溶液、
65:35:5,V/V/V)。
10′−ジブロムステアロイル)−sn−グリセロ−
3−ホスホコリン 1−O−トリフエニルメチル−sn−グリセロ
−3−ホスホコリン(例1による)300mgを9,
10−ジブロム無水ステアリン酸1.3gと例8、
段階Aに記載した処理法に従つて4−N,N−
ジメチルアミノピリジン300mgの存在下クロロ
ホルム20ml中で5時間20℃で反応させ、後処理
する。純粋な1−O−トリフエニルメチル−2
−(9′,10′−ジブロムステアロイル)−sn−グ
リセロ−3−ホスホコリン460mg(82%収率)
が得られる。これは薄層クロマトグラフイーで
単一スポツト;Rf−値0.3を示す(展開剤:ク
ロロホルム−メタノール−25%NH3水溶液、
65:35:5,V/V/V)。
(B) 2−(9′,10′−ジブロムステアロイル)−sn
−グリセロ−3−ホスホコリン (C) 1−ステアロイル−2−(9′,10′−ジブロム
ステアロイル)−sn−グリセロ−3−ホスホコ
リン 1−O−トリフエニルメチル−2−(9′,
10′−ジブロムステアロイル)−sn−グリセロ−
3−ホスホコリンから1−O−トリフエニルメ
チル基を例5、段階Bに記載した処理工程に従
つて離脱し、その際形成された2−(9′,10′−
ジブロムステアロイル)−sn−グリセロ−3−
ホスホコリンを例6と同様に無水ステアリン酸
と反応させ1−ステアロイル−2−(9′,10′−
ジブロムステアロイル)−sn−グリセロ−3−
ホスホコリンとなし、クロマトグラフイーによ
り精製する。
−グリセロ−3−ホスホコリン (C) 1−ステアロイル−2−(9′,10′−ジブロム
ステアロイル)−sn−グリセロ−3−ホスホコ
リン 1−O−トリフエニルメチル−2−(9′,
10′−ジブロムステアロイル)−sn−グリセロ−
3−ホスホコリンから1−O−トリフエニルメ
チル基を例5、段階Bに記載した処理工程に従
つて離脱し、その際形成された2−(9′,10′−
ジブロムステアロイル)−sn−グリセロ−3−
ホスホコリンを例6と同様に無水ステアリン酸
と反応させ1−ステアロイル−2−(9′,10′−
ジブロムステアロイル)−sn−グリセロ−3−
ホスホコリンとなし、クロマトグラフイーによ
り精製する。
例 13
(A) 1−O−トリフエニルメチル−2−アラキド
ノイル−sn−グリセロ−3−ホスホコリン1−
O−トリフエニルメチル−sn−グリセロ−3−
ホスホコリン(例1による)550mgを例12に記
載した処理法に従つて無水アラキドン酸1.50g
とアルゴン−雰囲気下で反応させる。メタノー
ル15mlの添加後、クロロホルム−メタノール−
水(3:48:47、V/V/V)9mlで洗滌し、
次いで下層を減圧で乾燥し、中圧クロマトグラ
フイーにより精製する。1−O−トリフエニル
メチル−2−アラキドノイル−sn−グリセロ−
3−ホスホコリン750mg(80%収率)が得られ
る。これは薄層クロマトグラフイーで単一スポ
ツト;Rf−値0.3を示す(展開剤:クロロホル
ム−メタノール−25%NH3水溶液、65:35:
5,V/V/V)。
ノイル−sn−グリセロ−3−ホスホコリン1−
O−トリフエニルメチル−sn−グリセロ−3−
ホスホコリン(例1による)550mgを例12に記
載した処理法に従つて無水アラキドン酸1.50g
とアルゴン−雰囲気下で反応させる。メタノー
ル15mlの添加後、クロロホルム−メタノール−
水(3:48:47、V/V/V)9mlで洗滌し、
次いで下層を減圧で乾燥し、中圧クロマトグラ
フイーにより精製する。1−O−トリフエニル
メチル−2−アラキドノイル−sn−グリセロ−
3−ホスホコリン750mg(80%収率)が得られ
る。これは薄層クロマトグラフイーで単一スポ
ツト;Rf−値0.3を示す(展開剤:クロロホル
ム−メタノール−25%NH3水溶液、65:35:
5,V/V/V)。
(B) 2−アラキドノイル−sn−グリセロ−3−ホ
スホコリン (C) 1−ステアロイル−2−アラキジノイル−sn
−グリセロ−3−ホスホコリン 1−O−トリフエニルメチル−2−アラキド
ノイル−sn−グリセロ−3−ホスホコリンから
1−O−トリフエニルメチル基を例5、段階B
に記載した処理工程に従つて離脱し、その際形
成された2−アラキドノイル−sn−グリセロ−
3−ホスホコリンを例6と同様に無水ステアリ
ン酸と反応させ1−ステアロイル−2−アラキ
ジノイル−sn−グリセロ−3−ホスホコリンと
なし、クロマトグラフイーにより精製する。
スホコリン (C) 1−ステアロイル−2−アラキジノイル−sn
−グリセロ−3−ホスホコリン 1−O−トリフエニルメチル−2−アラキド
ノイル−sn−グリセロ−3−ホスホコリンから
1−O−トリフエニルメチル基を例5、段階B
に記載した処理工程に従つて離脱し、その際形
成された2−アラキドノイル−sn−グリセロ−
3−ホスホコリンを例6と同様に無水ステアリ
ン酸と反応させ1−ステアロイル−2−アラキ
ジノイル−sn−グリセロ−3−ホスホコリンと
なし、クロマトグラフイーにより精製する。
例 14
(A) 1−O−トリフエニルメチル−2−テトラコ
サノイル−sn−グリセロ−3−ホスホコリン 1−O−トリフエニルメチル−sn−グリセロ
−3−ホスホコリン(例1による)316mgをテ
トラコサノイルイミダゾリド−これはテトラコ
サン酸1.7g及びカルボニルジイミダゾール356
mgから製造される−と例5、段階Aに記載した
処理法に従つて反応させ、後処理する。純粋な
1−O−トリフエニルメチル−2−テトラコサ
ノイル−sn−グリセロ−3−ホスホコリン850
mg(62%収率)が得られる。これは薄層クロマ
トグラフイーで単一スポツト;Rf−値0.3を示
す(展開剤;クロロホルム−メタノール−25%
NH3水溶液、65:35:5、V/V/V)。
サノイル−sn−グリセロ−3−ホスホコリン 1−O−トリフエニルメチル−sn−グリセロ
−3−ホスホコリン(例1による)316mgをテ
トラコサノイルイミダゾリド−これはテトラコ
サン酸1.7g及びカルボニルジイミダゾール356
mgから製造される−と例5、段階Aに記載した
処理法に従つて反応させ、後処理する。純粋な
1−O−トリフエニルメチル−2−テトラコサ
ノイル−sn−グリセロ−3−ホスホコリン850
mg(62%収率)が得られる。これは薄層クロマ
トグラフイーで単一スポツト;Rf−値0.3を示
す(展開剤;クロロホルム−メタノール−25%
NH3水溶液、65:35:5、V/V/V)。
(B) 2−テトラコサノイル−sn−グリセロ−3−
ホスホコリン (C) 1−オレオイル−2−テトラコサノイル−sn
−グリセロ−3−ホスホコリン 1−O−トリフエニルメチル−2−テトラコ
サノイル−sn−グリセロ−3−ホスホコリンか
ら1−O−トリフエニルメチル基を例5、段階
Bに記載した処理工程に従つて離脱し、その際
形成された2−テトラコサノイル−sn−グリセ
ロ−3−ホスホコリンを例5、段階Cと同様に
無水油酸と反応させ、1−オレオイル−2−テ
トラコサノイル−sn−グリセロ−3−ホスホコ
リンとなし、クロマトグラフイーにより精製す
る。
ホスホコリン (C) 1−オレオイル−2−テトラコサノイル−sn
−グリセロ−3−ホスホコリン 1−O−トリフエニルメチル−2−テトラコ
サノイル−sn−グリセロ−3−ホスホコリンか
ら1−O−トリフエニルメチル基を例5、段階
Bに記載した処理工程に従つて離脱し、その際
形成された2−テトラコサノイル−sn−グリセ
ロ−3−ホスホコリンを例5、段階Cと同様に
無水油酸と反応させ、1−オレオイル−2−テ
トラコサノイル−sn−グリセロ−3−ホスホコ
リンとなし、クロマトグラフイーにより精製す
る。
例 15
(A) 1−O−トリフエニルメチル−2−オレオイ
ル−グリセロ−3−ホスホ−(N−トリフエニ
ルメチル)−エタノールアミン 油酸306mg及びカルボニルジイミダゾール255
mgをテトラヒドロフラン10ml中で45分間室温で
水分の除去下に攪拌する。1−O−トリフエニ
ルメチル−sn−グリセロ−3−ホスホ−(N−
トリフエニルメチル)−エタノールアミン(例
2による)480mgをオレイルイミダゾリドの溶
液に取り入れた後、ジメチルスルホキシド中に
ナトリウム金属41mgを有する溶液3.1mlを加え
る。20分間室温で反応し、次いで0.1N水性酢
酸17.8mlで中和する。氷水中に取り入れ、3回
ジエチルエーテルで抽出し、精製された有機層
を2回水洗し、Na2SO4で乾燥し、その後減圧
で溶剤を除去する。粗生成物をシリカゲルで石
油エーテル−クロロホルム−傾斜液を用いてク
ロマトグラフイーにより精製した後、目的生成
物633mgが得られる。シリカゲル上で生成物の
薄層クロマトグラフイー(展開剤:クロロホル
ム−メタノール9:1(V/V))は単一スポツ
ト、Rf0.6を示す。
ル−グリセロ−3−ホスホ−(N−トリフエニ
ルメチル)−エタノールアミン 油酸306mg及びカルボニルジイミダゾール255
mgをテトラヒドロフラン10ml中で45分間室温で
水分の除去下に攪拌する。1−O−トリフエニ
ルメチル−sn−グリセロ−3−ホスホ−(N−
トリフエニルメチル)−エタノールアミン(例
2による)480mgをオレイルイミダゾリドの溶
液に取り入れた後、ジメチルスルホキシド中に
ナトリウム金属41mgを有する溶液3.1mlを加え
る。20分間室温で反応し、次いで0.1N水性酢
酸17.8mlで中和する。氷水中に取り入れ、3回
ジエチルエーテルで抽出し、精製された有機層
を2回水洗し、Na2SO4で乾燥し、その後減圧
で溶剤を除去する。粗生成物をシリカゲルで石
油エーテル−クロロホルム−傾斜液を用いてク
ロマトグラフイーにより精製した後、目的生成
物633mgが得られる。シリカゲル上で生成物の
薄層クロマトグラフイー(展開剤:クロロホル
ム−メタノール9:1(V/V))は単一スポツ
ト、Rf0.6を示す。
1−NMR−スペクトル:δppm(CDCl3)0.88
(−CH3);1.26(−CH2−);1.8−2.3(−CH2−
CH2−C=C,−CH2−CH2−C=O);3.1−
4.3(グリセロール及びエタノールアミンC−
H);5.1(グリセロールC2−C−H,オレオイ
ルHC≡CH);7.25(トリフエニルメチルC−
H)。
(−CH3);1.26(−CH2−);1.8−2.3(−CH2−
CH2−C=C,−CH2−CH2−C=O);3.1−
4.3(グリセロール及びエタノールアミンC−
H);5.1(グリセロールC2−C−H,オレオイ
ルHC≡CH);7.25(トリフエニルメチルC−
H)。
(B) 2−オレオイル−sn−グリセロ−3−ホスホ
ノ−(N−トリフエニルメチル)−エタノールア
ミン メチレンクロリド30ml及びメタノール中に三
フツ化硼素を有する20%溶液1mlから成る混合
物中に1−O−トリフエニルメチル−2−オレ
オイル−sn−グリセロ−3−ホスホノ−(N−
トリフエニルメチル)−エタノールアミン406mg
を有する溶液を30分間0℃で攪拌する。次いで
メチレンクロリド30mlを加え、30mlを加え、3
回水洗し、有機層をNa2SO4で乾燥する。
ノ−(N−トリフエニルメチル)−エタノールア
ミン メチレンクロリド30ml及びメタノール中に三
フツ化硼素を有する20%溶液1mlから成る混合
物中に1−O−トリフエニルメチル−2−オレ
オイル−sn−グリセロ−3−ホスホノ−(N−
トリフエニルメチル)−エタノールアミン406mg
を有する溶液を30分間0℃で攪拌する。次いで
メチレンクロリド30mlを加え、30mlを加え、3
回水洗し、有機層をNa2SO4で乾燥する。
(C) 1−パルミトイル−2−オレオイル−sn−グ
リセロ−3−ホスホノ−(N−トリフエニルメ
チル)−エタノールアミン 形成された2−オレオイル−sn−グリセロ−
3−ホスホノ−(N−トリフエニルメチル)−エ
タノールアミンの溶液に無水パルミチン酸1.3
g及びジメチルアミノピリジン230mgを加える
反応混合物を6時間20℃で攪拌する。その後溶
剤を減圧で除去する。残留物をシリカゲルで石
油エーテル−クロロホルム−傾斜液を用いてク
ロマトグラフイー分離した後、純粋なアシル化
生成物361mgが得られる。化合物は薄層クロマ
トグラフイーでシリカゲル上に単一スポツト、
Rf0.6を示す(展開剤:クロロホルム−メタノ
ール9/1(V/V))。
リセロ−3−ホスホノ−(N−トリフエニルメ
チル)−エタノールアミン 形成された2−オレオイル−sn−グリセロ−
3−ホスホノ−(N−トリフエニルメチル)−エ
タノールアミンの溶液に無水パルミチン酸1.3
g及びジメチルアミノピリジン230mgを加える
反応混合物を6時間20℃で攪拌する。その後溶
剤を減圧で除去する。残留物をシリカゲルで石
油エーテル−クロロホルム−傾斜液を用いてク
ロマトグラフイー分離した後、純粋なアシル化
生成物361mgが得られる。化合物は薄層クロマ
トグラフイーでシリカゲル上に単一スポツト、
Rf0.6を示す(展開剤:クロロホルム−メタノ
ール9/1(V/V))。
1H−NMR−スペクトル:δppm(CDCl3)0.88
(−CH3);1.22(−CH2−);1.55(−CH2−C−
CO);1.8−2.3(−CH2−CH2−C=,−CH2−
C=O);3.1−4.3(グリセロール及びエタノー
ルアミンC−H);5.1(グリセロール=C−H、
オレオイルCH=CH);7.25(トリフエニルメチ
ルC−H)。
(−CH3);1.22(−CH2−);1.55(−CH2−C−
CO);1.8−2.3(−CH2−CH2−C=,−CH2−
C=O);3.1−4.3(グリセロール及びエタノー
ルアミンC−H);5.1(グリセロール=C−H、
オレオイルCH=CH);7.25(トリフエニルメチ
ルC−H)。
(D) 1−パルミトイル−2−オレオイル−sn−グ
リセロ−3−ホスホエタノールアミン メチレンクロリド6ml及びトリフルオル酢酸
6mlから成る混合物12ml中に1−パルミトイル
−2−オレオイル−sn−3−グリセロ−(N−
トリフエニル−メチル)エタノールアミン190
mgを有する溶液を水分の除去下5分間0℃で放
置する。次いで6%アンモニア水溶液を用いて
一注ぎで中和する。水性層を分離し、クロロホ
ルム−メタノール2/1(V/V)で抽出する。
精製された有機層を水洗する。減圧で溶剤の除
去後、粗生成物をシリカゲルでクロロホルム−
メタノール−傾斜液を用いてクロマトグラフイ
ーにより精製する。化合物は薄層クロマトグラ
フイーでシリカゲル上に単一スポツト、Rf0.5
を示す(展開例:クロロホルム−メタノール−
25%NH3水溶液、50:25:6(V/V/V)。
リセロ−3−ホスホエタノールアミン メチレンクロリド6ml及びトリフルオル酢酸
6mlから成る混合物12ml中に1−パルミトイル
−2−オレオイル−sn−3−グリセロ−(N−
トリフエニル−メチル)エタノールアミン190
mgを有する溶液を水分の除去下5分間0℃で放
置する。次いで6%アンモニア水溶液を用いて
一注ぎで中和する。水性層を分離し、クロロホ
ルム−メタノール2/1(V/V)で抽出する。
精製された有機層を水洗する。減圧で溶剤の除
去後、粗生成物をシリカゲルでクロロホルム−
メタノール−傾斜液を用いてクロマトグラフイ
ーにより精製する。化合物は薄層クロマトグラ
フイーでシリカゲル上に単一スポツト、Rf0.5
を示す(展開例:クロロホルム−メタノール−
25%NH3水溶液、50:25:6(V/V/V)。
例 16
(A) 1−O−トリフエニルメチル−2−リノレオ
イル−sn−グリセロ−3−ホスホノ−(N−ト
リフエニルメチル)−エタノールアミンリノー
ル酸464mg及びカルボニルジイミダゾール365mg
を45分間テトラヒドロフラン15ml中で20℃で反
応させる。形成されたアシルイミダゾリドの溶
液を1−O−トリフエニルメチル−sn−グリセ
ロ−3−ホスホ−(N−トリフエニルメチル)−
エタノールアミン(例2による)530mgに加え
る。溶剤を減圧で除去後、残留物をジメチルス
ルホキシド15ml中で溶解し、反応ごジメチルス
ルホキシド3.7ml中に金属ナトリウム49mgを溶
解して得られる触媒的に作用する酸結合剤の添
加によつて開始する。反応混合物を時折りの振
とう下で20分間20℃で保ち、次いで水性0.1N
酢酸を用いて一注ぎで中和する。次いで2回
夫々20mlのクロロホルム−メタノール2:1
(V/V)で抽出する。精製された有機層を順
次に夫々8mlのクロロホルム−メタノール−
NH3−水溶液(3:48:47V/V/V)及びク
ロロホルム−メタノール−水(3:48:47、
V/V/V)で洗滌する。減圧で溶剤の除去及
びベンゾールの存在下で蒸発後、粗生成物が得
られる。これはシリカゲルでクロロホルム−メ
タノール−傾斜液を用いて中圧クロマトグラフ
イーによつて精製後純粋化合物670mg(92%収
率)を生じる。純粋化合物は薄層クロマトグラ
フイーでシリカゲル上に単一スポツト、Rf0.61
を示す(展開剤:メタノール−クロロホルム
8:3V/V)。
イル−sn−グリセロ−3−ホスホノ−(N−ト
リフエニルメチル)−エタノールアミンリノー
ル酸464mg及びカルボニルジイミダゾール365mg
を45分間テトラヒドロフラン15ml中で20℃で反
応させる。形成されたアシルイミダゾリドの溶
液を1−O−トリフエニルメチル−sn−グリセ
ロ−3−ホスホ−(N−トリフエニルメチル)−
エタノールアミン(例2による)530mgに加え
る。溶剤を減圧で除去後、残留物をジメチルス
ルホキシド15ml中で溶解し、反応ごジメチルス
ルホキシド3.7ml中に金属ナトリウム49mgを溶
解して得られる触媒的に作用する酸結合剤の添
加によつて開始する。反応混合物を時折りの振
とう下で20分間20℃で保ち、次いで水性0.1N
酢酸を用いて一注ぎで中和する。次いで2回
夫々20mlのクロロホルム−メタノール2:1
(V/V)で抽出する。精製された有機層を順
次に夫々8mlのクロロホルム−メタノール−
NH3−水溶液(3:48:47V/V/V)及びク
ロロホルム−メタノール−水(3:48:47、
V/V/V)で洗滌する。減圧で溶剤の除去及
びベンゾールの存在下で蒸発後、粗生成物が得
られる。これはシリカゲルでクロロホルム−メ
タノール−傾斜液を用いて中圧クロマトグラフ
イーによつて精製後純粋化合物670mg(92%収
率)を生じる。純粋化合物は薄層クロマトグラ
フイーでシリカゲル上に単一スポツト、Rf0.61
を示す(展開剤:メタノール−クロロホルム
8:3V/V)。
(B) 2−リノレオイル−sn−グリセロ−3−ホス
ホノ−(N−トリフエニルメチル)−エタノール
アミン 1−O−トリフエニルメチル−sn−グリセロ
−3−ホスホノ−(N−トリフエニルメチル)−
エタノールアミン435mgから例15、段階Bに記
載した処理法に従つて1−O−トリフエニルメ
チル基をメタノール中に三フツ化硼素を有する
20%溶液0.5mlで離脱する。
ホノ−(N−トリフエニルメチル)−エタノール
アミン 1−O−トリフエニルメチル−sn−グリセロ
−3−ホスホノ−(N−トリフエニルメチル)−
エタノールアミン435mgから例15、段階Bに記
載した処理法に従つて1−O−トリフエニルメ
チル基をメタノール中に三フツ化硼素を有する
20%溶液0.5mlで離脱する。
(C) 1−オレイル−2−リノオレオイル−sn−グ
リセロ−3−ホスホ−(N−トリフエニルメチ
ル)−エタノールアミン (D) 1−オレオイル−2−リノレオイル−sn−グ
リセロ−3−ホスホエタノールアミン 2−リノレオイル−sn−グリセロ−3−ホス
ホ−(N−トリフエニルメチル)−エタノールア
ミンを例15、段階Cに於ける処理工程に準じて
無水油酸で更にアシル化して1−オレオイル−
2−リノレオイル−sn−グリセロ−3−ホスホ
−(N−トリフエニルメチル)−エタノールアミ
ンとなし、これから例15、段階Dに記載した処
理法に準じてN−トリフエニルメチル残基を離
脱する。
リセロ−3−ホスホ−(N−トリフエニルメチ
ル)−エタノールアミン (D) 1−オレオイル−2−リノレオイル−sn−グ
リセロ−3−ホスホエタノールアミン 2−リノレオイル−sn−グリセロ−3−ホス
ホ−(N−トリフエニルメチル)−エタノールア
ミンを例15、段階Cに於ける処理工程に準じて
無水油酸で更にアシル化して1−オレオイル−
2−リノレオイル−sn−グリセロ−3−ホスホ
−(N−トリフエニルメチル)−エタノールアミ
ンとなし、これから例15、段階Dに記載した処
理法に準じてN−トリフエニルメチル残基を離
脱する。
例 17
(A) 1−O−トリフエニルメチル−2−ステアロ
イル−sn−グリセロ−3−ホスホ−(N−トリ
フエニルメチル)−エタノールアミンを例16、
段階Aに於ける処理工程に準じて1−O−トリ
フエニルメチル−sn−グリセロ−3−ホスホ−
(N−トリフエニルメチル)−エタノールアミン
380mgとステアロイルイミダゾリド350mgとの反
応によつて製造する。
イル−sn−グリセロ−3−ホスホ−(N−トリ
フエニルメチル)−エタノールアミンを例16、
段階Aに於ける処理工程に準じて1−O−トリ
フエニルメチル−sn−グリセロ−3−ホスホ−
(N−トリフエニルメチル)−エタノールアミン
380mgとステアロイルイミダゾリド350mgとの反
応によつて製造する。
(B) 2−ステアロイル−sn−グリセロ−3−ホス
ホ−(N−トリフエニルメチル)−エタノールア
ミンが1−O−トリフエニルメチル基を段階A
で得られた生成物から例15、段階Bの記載した
処理工程に従つて離脱して得られる。
ホ−(N−トリフエニルメチル)−エタノールア
ミンが1−O−トリフエニルメチル基を段階A
で得られた生成物から例15、段階Bの記載した
処理工程に従つて離脱して得られる。
(C) 1−オレオイル−2−ステアロイル−sn−グ
リセロ−3−ホスホ−(N−トリフエニルメチ
ル)−エタノールアミン (D) 1−オレオイル−2−ステアロイル−sn−グ
リセロ−3−ホスホエタノールアミン 段階Bで得られた2−ステアロイル−sn−グ
リセロ−3−ホスホ−(N−トリフエニルメチ
ル)−エタノールアミンを例15、段階Cに於け
る処理工程に準じて無水油酸1.5gと反応させ
1−オレオイル−2−ステアロイル−sn−グリ
セロ−3−ホスホ−(N−トリフエニルメチル)
−エタノールアミン350mgとなす。例15、段階
Dに於ける処理工程に準ずる脱トリチル化は1
−オレオイル−2−ステアロイル−sn−グリセ
ロ−3−ホスホエタノールアミン250mgを生じ
る。これからシリカゲルクロロホルム−メタノ
ール−傾斜液を用いてクロマトグラフイー分離
して純粋生成物140mgが得られる。これは薄層
クロマトグラフイーで単一スポツト、Rf−値
0.5を示す(展開剤:クロロホルム−メタノー
ル−25%NH3水溶液、50:25:6、V/V/
V)。
リセロ−3−ホスホ−(N−トリフエニルメチ
ル)−エタノールアミン (D) 1−オレオイル−2−ステアロイル−sn−グ
リセロ−3−ホスホエタノールアミン 段階Bで得られた2−ステアロイル−sn−グ
リセロ−3−ホスホ−(N−トリフエニルメチ
ル)−エタノールアミンを例15、段階Cに於け
る処理工程に準じて無水油酸1.5gと反応させ
1−オレオイル−2−ステアロイル−sn−グリ
セロ−3−ホスホ−(N−トリフエニルメチル)
−エタノールアミン350mgとなす。例15、段階
Dに於ける処理工程に準ずる脱トリチル化は1
−オレオイル−2−ステアロイル−sn−グリセ
ロ−3−ホスホエタノールアミン250mgを生じ
る。これからシリカゲルクロロホルム−メタノ
ール−傾斜液を用いてクロマトグラフイー分離
して純粋生成物140mgが得られる。これは薄層
クロマトグラフイーで単一スポツト、Rf−値
0.5を示す(展開剤:クロロホルム−メタノー
ル−25%NH3水溶液、50:25:6、V/V/
V)。
例 18
(A) 1−O−トリフエニルメチル−2−アセチル
−sn−グリセロ−3−ホスホ−(N−トリフエ
ニルメチル)−エタノールアミン 1−O−トリフエニルメチル−sn−グリセロ
−3−ホスホ−(N−トリフエニルメチル)−エ
タノールアミン(例2による)300mgを無水酢
酸500mlと水不含ピリジン5ml中で20時間20℃
で反応させる。次いで氷水50ml上に注ぎ、2回
クロロホルム−メタノール2:1(V/V)で
抽出する。精製された有機層を2回クロロホル
ム−メタノール−水3:48:47(V/V/V)
で洗滌し、重炭酸ナトリウムで乾燥し、減圧下
乾燥物となす。残りのピリジンをトルオールの
存在下蒸発して除去する。粗生成物をシリカゲ
ルでクロロホルム−メタノール−傾斜液を用い
て中圧クロマトグラフイーにより精製する。得
られた純粋物質(128mg、40%収率)は薄層ク
ロマトグラフイーでシリカゲル上に単一スポツ
ト、Rf−値0.50を示す(展開剤:クロロホルム
−メタノール8:2、V/V)。
−sn−グリセロ−3−ホスホ−(N−トリフエ
ニルメチル)−エタノールアミン 1−O−トリフエニルメチル−sn−グリセロ
−3−ホスホ−(N−トリフエニルメチル)−エ
タノールアミン(例2による)300mgを無水酢
酸500mlと水不含ピリジン5ml中で20時間20℃
で反応させる。次いで氷水50ml上に注ぎ、2回
クロロホルム−メタノール2:1(V/V)で
抽出する。精製された有機層を2回クロロホル
ム−メタノール−水3:48:47(V/V/V)
で洗滌し、重炭酸ナトリウムで乾燥し、減圧下
乾燥物となす。残りのピリジンをトルオールの
存在下蒸発して除去する。粗生成物をシリカゲ
ルでクロロホルム−メタノール−傾斜液を用い
て中圧クロマトグラフイーにより精製する。得
られた純粋物質(128mg、40%収率)は薄層ク
ロマトグラフイーでシリカゲル上に単一スポツ
ト、Rf−値0.50を示す(展開剤:クロロホルム
−メタノール8:2、V/V)。
1H−NMR−スペクトル:δppm(CDCl3−
CD3OD2:1,V/V);2.0(H3C−CO,S,
3H):2.8−4.2(グリセロール及びコリン−
CH2);5.16(グリセロール−CH,m,1H);
7.23(芳香族30H)1−O−トリフエニルメチ
ル−2−アセチル−sn−グリセロ−3−ホスホ
−(N−トリフエニルメチルアミン)−エタノー
ルアミンを例15の段階B,C及びDに於ける処
理工程に準じてその他の生成物に変える: (B) 2−アセチル−sn−グリセロ−3−ホスホ−
(N−トリフエニルメチル)−エタノールアミン (C) 1−パルミトイル−2−アセチル−sn−グリ
セロ−3−ホスホ−(N−トリフエニルメチル)
−エタノールアミン (D) 1−パルミトイル−2−アセチル−sn−グリ
セロ−3−ホスホエタノールアミン 例 19 (A) 1−O−トリフエニルメチル−2−プロピオ
ニル−sn−グリセロ−3−ホスホ−(N−トリ
フエニルメチル)−エタノールアミン1−O−
トリフエニルメチル−sn−グリセロ−3−ホス
ホ−(N−トリフエニルメチル)−エタノールア
ミン(例2による)450mgを無水プロピオン酸
900mgとピリジン10ml中30℃で例18、段階Aに
於ける処理工程に準じて反応させ1−O−トリ
フエニルメチル−2−プロピオニル−sn−グリ
セロ−3−ホスホ−(N−トリフエニルメチル)
−エタノールアミンとなし、後処理し、精製す
る。収量220mg(理論値の45%);Rf−値0.5得
られた生成物を例15、段階B,C及びDに於け
る処理工程に準じて次の化合物に変える: (B) 2−プロピオニル−sn−グリセロ−3−ホス
ホ−(N−トリフエニルメチル)−エタノールア
ミン (C) 1−パルミトイル−2−プロピオニル−sn−
グリセロ−3−ホスホ−(N−トリフエニルメ
チル)−エタノールアミン (D) 1−パルミトリル−2−プロピオニル−sn−
グリセロ−3−ホスホエタノールアミン 例 20 (A) 1−O−トリフエニルメチル−2−ブチリル
−sn−グリセロ−3−ホスホ−(N−トリフエ
ニルメチル)−エタノールアミン 1−O−トリフエニルメチル−sn−グリセロ
−3−ホスホ−(N−トリフエニルメチル)−エ
タノールアミン(例2による)500mgをブチリ
ルイミダゾリド−これは酪酸132mg及びカルボ
ニルジイミダゾール267mgから得られる−で例
16、段階Aと同様にアシル化し、後処理し、精
製する。得られた生成物(300mg,56%収率;
Rf−値0.52、シリカゲル上、展開剤:クロロホ
ルム−メタノール8:2、V/V)を例15、段
階B,C及びDに於ける処理工程に準じて更に
反応させる: (B) 2−ブチル−sn−グリセロ−3−ホスホ−
(N−トリフエニルメチル)−エタノールアミン (C) 1−パルミトイル−2−ブチリル−sn−グリ
セロ−3−ホスホ−(N−トリフエニルメチル)
−エタノールアミン (D) 1−パルミトイル−2−ブチリル−sn−グリ
セロ−3−ホスホエタノールアミン 例 21 (A) 1−O−トリフエニルメチル−2−イソブチ
リル−sn−グリセロ−3−ホスホ−(N−トリ
フエニルメチル)−エタノールアミン1−O−
トリフエニルメチル−sn−グリセロ−3−ホス
ホ−(N−トリフエニルメチル)−エタノールア
ミン(例2による)500mgをイソブチリルイミ
ダゾリド―これはイソ酪酸132mg及びカルボニ
ルジイミダゾール267mgから得られる−で例16、
段階Aと同様にアシル化し、後処理し、精製す
る得られた生成物(272mg、50%収率;Rf−値
0.53、シリカゲル上で、展開剤:グロロホルム
−メタノール8:2,V/V)は次のスペクト
ル値を示す。
CD3OD2:1,V/V);2.0(H3C−CO,S,
3H):2.8−4.2(グリセロール及びコリン−
CH2);5.16(グリセロール−CH,m,1H);
7.23(芳香族30H)1−O−トリフエニルメチ
ル−2−アセチル−sn−グリセロ−3−ホスホ
−(N−トリフエニルメチルアミン)−エタノー
ルアミンを例15の段階B,C及びDに於ける処
理工程に準じてその他の生成物に変える: (B) 2−アセチル−sn−グリセロ−3−ホスホ−
(N−トリフエニルメチル)−エタノールアミン (C) 1−パルミトイル−2−アセチル−sn−グリ
セロ−3−ホスホ−(N−トリフエニルメチル)
−エタノールアミン (D) 1−パルミトイル−2−アセチル−sn−グリ
セロ−3−ホスホエタノールアミン 例 19 (A) 1−O−トリフエニルメチル−2−プロピオ
ニル−sn−グリセロ−3−ホスホ−(N−トリ
フエニルメチル)−エタノールアミン1−O−
トリフエニルメチル−sn−グリセロ−3−ホス
ホ−(N−トリフエニルメチル)−エタノールア
ミン(例2による)450mgを無水プロピオン酸
900mgとピリジン10ml中30℃で例18、段階Aに
於ける処理工程に準じて反応させ1−O−トリ
フエニルメチル−2−プロピオニル−sn−グリ
セロ−3−ホスホ−(N−トリフエニルメチル)
−エタノールアミンとなし、後処理し、精製す
る。収量220mg(理論値の45%);Rf−値0.5得
られた生成物を例15、段階B,C及びDに於け
る処理工程に準じて次の化合物に変える: (B) 2−プロピオニル−sn−グリセロ−3−ホス
ホ−(N−トリフエニルメチル)−エタノールア
ミン (C) 1−パルミトイル−2−プロピオニル−sn−
グリセロ−3−ホスホ−(N−トリフエニルメ
チル)−エタノールアミン (D) 1−パルミトリル−2−プロピオニル−sn−
グリセロ−3−ホスホエタノールアミン 例 20 (A) 1−O−トリフエニルメチル−2−ブチリル
−sn−グリセロ−3−ホスホ−(N−トリフエ
ニルメチル)−エタノールアミン 1−O−トリフエニルメチル−sn−グリセロ
−3−ホスホ−(N−トリフエニルメチル)−エ
タノールアミン(例2による)500mgをブチリ
ルイミダゾリド−これは酪酸132mg及びカルボ
ニルジイミダゾール267mgから得られる−で例
16、段階Aと同様にアシル化し、後処理し、精
製する。得られた生成物(300mg,56%収率;
Rf−値0.52、シリカゲル上、展開剤:クロロホ
ルム−メタノール8:2、V/V)を例15、段
階B,C及びDに於ける処理工程に準じて更に
反応させる: (B) 2−ブチル−sn−グリセロ−3−ホスホ−
(N−トリフエニルメチル)−エタノールアミン (C) 1−パルミトイル−2−ブチリル−sn−グリ
セロ−3−ホスホ−(N−トリフエニルメチル)
−エタノールアミン (D) 1−パルミトイル−2−ブチリル−sn−グリ
セロ−3−ホスホエタノールアミン 例 21 (A) 1−O−トリフエニルメチル−2−イソブチ
リル−sn−グリセロ−3−ホスホ−(N−トリ
フエニルメチル)−エタノールアミン1−O−
トリフエニルメチル−sn−グリセロ−3−ホス
ホ−(N−トリフエニルメチル)−エタノールア
ミン(例2による)500mgをイソブチリルイミ
ダゾリド―これはイソ酪酸132mg及びカルボニ
ルジイミダゾール267mgから得られる−で例16、
段階Aと同様にアシル化し、後処理し、精製す
る得られた生成物(272mg、50%収率;Rf−値
0.53、シリカゲル上で、展開剤:グロロホルム
−メタノール8:2,V/V)は次のスペクト
ル値を示す。
1H−NMR−スペクトル:δppm(CDCl3−
CD3OD,2:1、V/V)1.2(CH3,6H);
2.5−3.9(グリセロール及びコリンCH2;8H);
5.26(グリセロール−CH,m,1H);7.23(芳香
族、30H)1−O−トリフエニルメチル−2−
イソブチリル−sn−グリセロ−3−ホスホ−
(N−トリフエニルメチル)−エタノールアミン
を例16、段階B,C及びDに準じて次の化合物
に変える。
CD3OD,2:1、V/V)1.2(CH3,6H);
2.5−3.9(グリセロール及びコリンCH2;8H);
5.26(グリセロール−CH,m,1H);7.23(芳香
族、30H)1−O−トリフエニルメチル−2−
イソブチリル−sn−グリセロ−3−ホスホ−
(N−トリフエニルメチル)−エタノールアミン
を例16、段階B,C及びDに準じて次の化合物
に変える。
(B) 2−イソブチリル−sn−グリセロ−3−ホス
ホ−(N−トリフエニルメチル)−エタノールア
ミン (C) 1−オレオイル−2−イソブチリル−sn−グ
リセロ−3−ホスホ−(N−トリフエニルメチ
ル)−エタノールアミン (D) 1−オレオイル−2−イソブチリル−sn−グ
リセロ−3−ホスホエタノールアミン 例 22 (A) 1−O−トリフエニルメチル−2−(3′−ト
リフルオルメチルブチリル)−sn−グリセロ−
3−ホスホ−(N−トリフエニルメチル)−エタ
ノールアミン 1−O−トリフエニルメチル−sn−グリセロ
−3−ホスホ−(N−トリフエニルメチル)−エ
タノールアミン(例2による)900mg及び無水
3−トリフルオルメチルブチリル500mgをメチ
レンクロリド50ml中で4−N,N−ジメチルア
ミノピリジン300mgの添加後、4時間20℃で攪
拌する。水の添加後振とうし、有機層を
Na2SO4で乾燥し、減圧で蒸発する。粗生成物
をシリカゲルでクロロホルム−メタノール−傾
斜液を用いて0.5容量%NH3水溶液の存在下中
圧クロマトグラフイーによつて精製した後、1
−O−トリフエニルメチル−2−(3′−トリフ
ルオルメチルブチリル)−sn−グリセロ−3−
ホスホ−(N−トリフエニルメチル)−エタノー
ルアミン820mg(76%収率;Rf−値0.50、シリ
カゲル上で、展開剤:クロロホルム−メタノー
ル8:2、V/V)が得られる。この生成物を
例15、段階B,C及びDに準じて次の化合物に
変える。
ホ−(N−トリフエニルメチル)−エタノールア
ミン (C) 1−オレオイル−2−イソブチリル−sn−グ
リセロ−3−ホスホ−(N−トリフエニルメチ
ル)−エタノールアミン (D) 1−オレオイル−2−イソブチリル−sn−グ
リセロ−3−ホスホエタノールアミン 例 22 (A) 1−O−トリフエニルメチル−2−(3′−ト
リフルオルメチルブチリル)−sn−グリセロ−
3−ホスホ−(N−トリフエニルメチル)−エタ
ノールアミン 1−O−トリフエニルメチル−sn−グリセロ
−3−ホスホ−(N−トリフエニルメチル)−エ
タノールアミン(例2による)900mg及び無水
3−トリフルオルメチルブチリル500mgをメチ
レンクロリド50ml中で4−N,N−ジメチルア
ミノピリジン300mgの添加後、4時間20℃で攪
拌する。水の添加後振とうし、有機層を
Na2SO4で乾燥し、減圧で蒸発する。粗生成物
をシリカゲルでクロロホルム−メタノール−傾
斜液を用いて0.5容量%NH3水溶液の存在下中
圧クロマトグラフイーによつて精製した後、1
−O−トリフエニルメチル−2−(3′−トリフ
ルオルメチルブチリル)−sn−グリセロ−3−
ホスホ−(N−トリフエニルメチル)−エタノー
ルアミン820mg(76%収率;Rf−値0.50、シリ
カゲル上で、展開剤:クロロホルム−メタノー
ル8:2、V/V)が得られる。この生成物を
例15、段階B,C及びDに準じて次の化合物に
変える。
(B) 2−(3′−トリフルオルメチルブチリル)−sn
−グリセロ−3−ホスホ−(N−トリフエニル
メチル)−エタノールアミン (C) 1−パルミトイル−2−(3′−トリフルオル
メチルブチリル)−sn−グリセロ−3−ホスホ
−(N−トリフエニルメチル)−エタノールアミ
ン (D) 1−パルミトイル−2−(3′−トリフルオル
メチルブチル)−sn−グリセロ−3−ホスホエ
タノールアミン 例 23 (A) 1−O−トリフエニルメチル−2−(2′−ブ
チルヘキサノイル)−sn−グリセロ−3−ホス
ホ−(N−トリフエニルメチル)−エタノールア
ミン 1−O−トリフエニルメチル−sn−グリセロ
−3−ホスホ−(N−トリフエニルメチル)−エ
タノールアミン(例2による)430mgを2−ブ
チルヘキサノイルイミダゾリド−これは2−ブ
チルヘキサン酸200mg及びカルボニルジイミダ
ゾール210mgから得られる−で例16、段階Aと
同様にアシル化し、後処理し、精製する。得ら
れた生成物(370mg、70%収率Rf−値0.55、シ
リカゲル上で、展開剤:クロロホルム−メタノ
ール8:2、V/V)を例15、段階B,C及び
Dに於ける処理工程に準じて次の化合物に更に
変える: (B) 2−(2′−ブチルヘキサノイル)−sn−グリセ
ロ−3−ホスホ−(N−トリフエニルメチル)−
エタノールアミン (C) 1−パルミトイル−2−(2′−ブチルヘキサ
ノイル)−sn−グリセロ−3−ホスホ−(N−ト
リフエニルメチル)−エタノールアミン (D) 1−パルミトイル−2−(2′−ブチルヘキサ
ノイル)−sn−グリセロ−3−ホスホエタノー
ルアミン 例 24 (A) 1−O−トリフエニルメチル−2−アラキド
ノイル−sn−グリセロ−3−ホスホ−(N−ト
リフエニルメチル)−エタノールアミン 1−O−トリフエニルメチル−sn−グリセロ
−3−ホスホ−(N−トリフエニルメチル)−エ
タノールアミン(例2による)500mg及び無水
アラキドン酸890mgをメチレンクロリド50ml中
で4−N,N−ジメチルアミノピリジン300mg
の添加後4時間20℃で攪拌する。水の添加後振
とうし、有機層をNa2SO4で乾燥し、減圧で蒸
発する。粗生成物をシリカゲルでクロロホルム
−メタノール−傾斜液を用いて0.5容量%水性
NH3の存在下に中圧クロマトグラフイーによ
り精製した後、1−O−トリフエニルメチル−
2−アラキドノイル−sn−グリセロ−3−ホス
ホ−(N−トリフエニルメチル)−エタノールア
ミン(82%収率;Rf−値0.61、シリカゲル上
で、展開剤:クロロホルム−メタノール8:
2,V/V)520mgが得られる。この生成物を
例15、段階B,C及びDに準じて次の化合物に
変える: (B) 2−アラキドノイル−sn−グリセロ−3−ホ
スホ−(N−トリフエニルメチル)−エタノール
アミン (C) 1−パルミトイル−2−アラキドノイル−sn
−グリセロ−3−ホスホ−(N−トリフエニル
メチル)−エタノールアミン (D) 1−パルミトイル−2−アラキドノイル−sn
−グリセロ−3−ホスホエタノールアミン 例 25 (A) 1−O−トリフエニルメチル−2−テトラコ
サノイル−sn−グリセロ−3−ホスホ−(N−
トリフエニルメチル)−エタノールアミン1−
O−トリフエニルメチル−sn−グリセロ−3−
ホスホ−(N−トリフエニルメチル)−エタノー
ルアミン(例2による)500mgをテトラコサノ
イルイミダゾリド−これはテトラコサン酸1.57
g及びカルボニルイミダゾール267mgから得ら
れる−で例16、段階Aと同様にアシル化し、後
処理し、精製する。得られた生成物(640mg、
90%収率;Rf−値0.6、シリカゲル上で、展開
剤:クロロホルム−メタノール8:2、V/
V)を例15、段階B,C及びDに於ける処理工
程に準じて次の化合物に更に変える。
−グリセロ−3−ホスホ−(N−トリフエニル
メチル)−エタノールアミン (C) 1−パルミトイル−2−(3′−トリフルオル
メチルブチリル)−sn−グリセロ−3−ホスホ
−(N−トリフエニルメチル)−エタノールアミ
ン (D) 1−パルミトイル−2−(3′−トリフルオル
メチルブチル)−sn−グリセロ−3−ホスホエ
タノールアミン 例 23 (A) 1−O−トリフエニルメチル−2−(2′−ブ
チルヘキサノイル)−sn−グリセロ−3−ホス
ホ−(N−トリフエニルメチル)−エタノールア
ミン 1−O−トリフエニルメチル−sn−グリセロ
−3−ホスホ−(N−トリフエニルメチル)−エ
タノールアミン(例2による)430mgを2−ブ
チルヘキサノイルイミダゾリド−これは2−ブ
チルヘキサン酸200mg及びカルボニルジイミダ
ゾール210mgから得られる−で例16、段階Aと
同様にアシル化し、後処理し、精製する。得ら
れた生成物(370mg、70%収率Rf−値0.55、シ
リカゲル上で、展開剤:クロロホルム−メタノ
ール8:2、V/V)を例15、段階B,C及び
Dに於ける処理工程に準じて次の化合物に更に
変える: (B) 2−(2′−ブチルヘキサノイル)−sn−グリセ
ロ−3−ホスホ−(N−トリフエニルメチル)−
エタノールアミン (C) 1−パルミトイル−2−(2′−ブチルヘキサ
ノイル)−sn−グリセロ−3−ホスホ−(N−ト
リフエニルメチル)−エタノールアミン (D) 1−パルミトイル−2−(2′−ブチルヘキサ
ノイル)−sn−グリセロ−3−ホスホエタノー
ルアミン 例 24 (A) 1−O−トリフエニルメチル−2−アラキド
ノイル−sn−グリセロ−3−ホスホ−(N−ト
リフエニルメチル)−エタノールアミン 1−O−トリフエニルメチル−sn−グリセロ
−3−ホスホ−(N−トリフエニルメチル)−エ
タノールアミン(例2による)500mg及び無水
アラキドン酸890mgをメチレンクロリド50ml中
で4−N,N−ジメチルアミノピリジン300mg
の添加後4時間20℃で攪拌する。水の添加後振
とうし、有機層をNa2SO4で乾燥し、減圧で蒸
発する。粗生成物をシリカゲルでクロロホルム
−メタノール−傾斜液を用いて0.5容量%水性
NH3の存在下に中圧クロマトグラフイーによ
り精製した後、1−O−トリフエニルメチル−
2−アラキドノイル−sn−グリセロ−3−ホス
ホ−(N−トリフエニルメチル)−エタノールア
ミン(82%収率;Rf−値0.61、シリカゲル上
で、展開剤:クロロホルム−メタノール8:
2,V/V)520mgが得られる。この生成物を
例15、段階B,C及びDに準じて次の化合物に
変える: (B) 2−アラキドノイル−sn−グリセロ−3−ホ
スホ−(N−トリフエニルメチル)−エタノール
アミン (C) 1−パルミトイル−2−アラキドノイル−sn
−グリセロ−3−ホスホ−(N−トリフエニル
メチル)−エタノールアミン (D) 1−パルミトイル−2−アラキドノイル−sn
−グリセロ−3−ホスホエタノールアミン 例 25 (A) 1−O−トリフエニルメチル−2−テトラコ
サノイル−sn−グリセロ−3−ホスホ−(N−
トリフエニルメチル)−エタノールアミン1−
O−トリフエニルメチル−sn−グリセロ−3−
ホスホ−(N−トリフエニルメチル)−エタノー
ルアミン(例2による)500mgをテトラコサノ
イルイミダゾリド−これはテトラコサン酸1.57
g及びカルボニルイミダゾール267mgから得ら
れる−で例16、段階Aと同様にアシル化し、後
処理し、精製する。得られた生成物(640mg、
90%収率;Rf−値0.6、シリカゲル上で、展開
剤:クロロホルム−メタノール8:2、V/
V)を例15、段階B,C及びDに於ける処理工
程に準じて次の化合物に更に変える。
(B) 2−テトラコサノイル−sn−グリセロ−3−
ホスホ−(N−トリフエニルメチル)−エタノー
ルアミン (C) 1−パルミトイル−2−テトラコサノイル−
sn−グリセロ−3−ホスホ−(N−トリフエニ
ルメチル)−エタノールアミン (D) 1−パルミトイル−2−テトラコサノイル−
sn−グリセロ−3−ホスホエタノールアミン 例 26 (C) 1−ステアロイル−2−オレオイル−sn−グ
リセロ−3−ホスホ−(N−トリフエニルメチ
ル)−エタノールアミン メチレンクロリド150ml中に2−オレオイル
−sn−グリセロ−3−ホスホ−(N−トリフエ
ニルメチル)−エタノールアミン−これは1−
O−トリフエニルメチル−2−オレオイル−sn
−グリセロ−3−ホスホ−(N−トリフエニル
メチル)−エタノールアミン(例15、段階A及
びB参照)から得られる−を有する溶液に無水
ステアリン酸3.5g及び4−N,N−ジメチル
アミノピリジン625mgを加える。反応混合物を
3時間20℃で攪拌し、次いでクロロホルム−メ
タノール−水(3:48:47、V/V)45ml及び
メタノール75mlを加える。振とう後、下層を分
離し、更に2回夫々45mlのクロロホルム−メタ
ノール−アンモニア水(3:48:47、V/V/
V)で並びに1回クロロホルム−メタノール−
水(3:48:47、V/V/V)で洗滌する。溶
剤を減圧で除去後、粗生成物をシリカゲルでク
ロロホルム−メタノール−傾斜液を用いて中圧
クロマトグラフイーによつて精製する。この場
合純粋物質990mg(89%収率,Rf−値0.6、シリ
カゲル上で、展開剤:クロロホルム−メタノー
ル9:1、V/V)が得られる。
ホスホ−(N−トリフエニルメチル)−エタノー
ルアミン (C) 1−パルミトイル−2−テトラコサノイル−
sn−グリセロ−3−ホスホ−(N−トリフエニ
ルメチル)−エタノールアミン (D) 1−パルミトイル−2−テトラコサノイル−
sn−グリセロ−3−ホスホエタノールアミン 例 26 (C) 1−ステアロイル−2−オレオイル−sn−グ
リセロ−3−ホスホ−(N−トリフエニルメチ
ル)−エタノールアミン メチレンクロリド150ml中に2−オレオイル
−sn−グリセロ−3−ホスホ−(N−トリフエ
ニルメチル)−エタノールアミン−これは1−
O−トリフエニルメチル−2−オレオイル−sn
−グリセロ−3−ホスホ−(N−トリフエニル
メチル)−エタノールアミン(例15、段階A及
びB参照)から得られる−を有する溶液に無水
ステアリン酸3.5g及び4−N,N−ジメチル
アミノピリジン625mgを加える。反応混合物を
3時間20℃で攪拌し、次いでクロロホルム−メ
タノール−水(3:48:47、V/V)45ml及び
メタノール75mlを加える。振とう後、下層を分
離し、更に2回夫々45mlのクロロホルム−メタ
ノール−アンモニア水(3:48:47、V/V/
V)で並びに1回クロロホルム−メタノール−
水(3:48:47、V/V/V)で洗滌する。溶
剤を減圧で除去後、粗生成物をシリカゲルでク
ロロホルム−メタノール−傾斜液を用いて中圧
クロマトグラフイーによつて精製する。この場
合純粋物質990mg(89%収率,Rf−値0.6、シリ
カゲル上で、展開剤:クロロホルム−メタノー
ル9:1、V/V)が得られる。
(D) 1−ステアロイル−2−オレオイル−sn−グ
リセロ−3−ホスホエタノールアミン 1−ステアロイル−2−オレオイル−sn−グ
リセロ−3−ホスホ−(N−トリフエニルメチ
ル)−エタノールアミン1gをトリフルオル酢
酸30ml中で5分間0℃で放置する。後処理を例
15、段階Dと同様に行う。純粋物質550mg(72
%収率)が得られる。これは薄層クロマトグラ
フイーでシリカゲル上で単一 ポツト、Rf−
値0.5を示す(展開剤:クロロホルム−メタノ
ール−25%NH3,50:25:6、V/V/V) 例 27 (C) 1−ステアロイル−2−リノレオイル−sn−
グリセロ−3−ホスホ−(N−トリフエニルメ
チル)−エタノールアミン (D) 1−ステアロイル−2−リノレオイル−sn−
グリセロ−3−ホスホエタノールアミン 1−O−トリフエニルメチル−2−リノレオ
イル−sn−グリセロ−3−ホスホ−(N−トリ
フエニルメチル)−エタノールアミン700mgから
得られた2−リノレオイル−sn−グリセロ−3
−ホスニ−(N−トリフエニルメチル)−エタノ
ールアミン(例16、段階A及びB参照)にメチ
レンクロリド中で無水ステアリン酸2.2g及び
4−N,N−ジメチルアミノピリジン390mgを
加え、3時間室温で攪拌する。得られた生成物
を例15、段階Dに記載された様にトリフルオル
酢酸と反応させ、精製する。
リセロ−3−ホスホエタノールアミン 1−ステアロイル−2−オレオイル−sn−グ
リセロ−3−ホスホ−(N−トリフエニルメチ
ル)−エタノールアミン1gをトリフルオル酢
酸30ml中で5分間0℃で放置する。後処理を例
15、段階Dと同様に行う。純粋物質550mg(72
%収率)が得られる。これは薄層クロマトグラ
フイーでシリカゲル上で単一 ポツト、Rf−
値0.5を示す(展開剤:クロロホルム−メタノ
ール−25%NH3,50:25:6、V/V/V) 例 27 (C) 1−ステアロイル−2−リノレオイル−sn−
グリセロ−3−ホスホ−(N−トリフエニルメ
チル)−エタノールアミン (D) 1−ステアロイル−2−リノレオイル−sn−
グリセロ−3−ホスホエタノールアミン 1−O−トリフエニルメチル−2−リノレオ
イル−sn−グリセロ−3−ホスホ−(N−トリ
フエニルメチル)−エタノールアミン700mgから
得られた2−リノレオイル−sn−グリセロ−3
−ホスニ−(N−トリフエニルメチル)−エタノ
ールアミン(例16、段階A及びB参照)にメチ
レンクロリド中で無水ステアリン酸2.2g及び
4−N,N−ジメチルアミノピリジン390mgを
加え、3時間室温で攪拌する。得られた生成物
を例15、段階Dに記載された様にトリフルオル
酢酸と反応させ、精製する。
純粋な1−ステアロイル−2−リノレオイル
−sn−グリセロ−3−ホスホエタノールアミン
250mgが得られる。これは薄層クロマトグラフ
イーでシリカゲル上で単一スポツト;Rf−値
0.5を示す(展開剤:例26に於けると同様なク
ロロホルム−メタノール)。
−sn−グリセロ−3−ホスホエタノールアミン
250mgが得られる。これは薄層クロマトグラフ
イーでシリカゲル上で単一スポツト;Rf−値
0.5を示す(展開剤:例26に於けると同様なク
ロロホルム−メタノール)。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式() (式中Tは非置換のあるいはC1−C6アルキル
基、C1−C6アルコキシ基又はハロゲン原子によ
つて1−又は数回置換されたトリフエニルメチル
基を示し、 R1,R2,R3は同一であり、夫々メチル基を示
す又は相異り、この場合残基R1,R2及びR3のう
ち2つは常に水素原子を示し、三番目の残基は非
置換であるか又はC1−C6アルキル基、C1−C6ア
ルコキシ基又はハロゲン原子によつて1−又は数
回置換されたトリフエニルメチル基である。) で表わされるsn−グリセロ−3−ホスホコリン−
及びsn−グリセロ−3−ホスホエタノールアミン
のトリフエニルメチル誘導体。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
AT0159084A AT383130B (de) | 1984-05-15 | 1984-05-15 | Verfahren zur herstellung von an c1 und c2 verschieden substituierten phosphatidylcholinen und phosphatidylethanolaminen ueber die neuen verbindungen 1-0-tritylglycerophosphocholin beziehungsweise (1-0,n-ditrityl)-glycerophosphoethanolamin |
AT1590/84 | 1984-05-15 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60252490A JPS60252490A (ja) | 1985-12-13 |
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---|---|
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IT1123187B (it) * | 1979-09-17 | 1986-04-30 | Lpb Ist Farm | Processo per la preparazione di l-alfa-glicerilfosforilcolina |
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1984
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-
1985
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