JPS60252490A - グリセロホスホコリン―及びグリセロホスホエタノールアミン誘導体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はｓｎ−グリセロ−３−ホスホコリン−及び８ｎ
−グリセロ−３−ホスホエタノールアミン−トリフェニ
ルメチル誘導体、その製造法並びＫこれをグリセリンの
１−及び２−位に相互に無関係に種々のアシル残基で置
換された化学的に限定された対掌体不含の１，２−ジア
シル−Ｂｎ−グリセロ−３−ホスホコリン及ヒ１，２−
ジアシル−８ｎ−グリセロ−３−ホスホエタノールアミ
ンの合成に使用する方法に関するものである。

現在公知の技術水準によればグリセリンの１及び２位に
相互に無関係に種々のアシル残基な有する化学的に限定
されたホスファチジルコリン及ヒホスファチジルエタノ
ールアミンは酵素及ヒ大過剰のカルボン酸の使用を必要
とする数段階の全合成又は高価な半合成法によってしか
得られない。これに関する従来技術は２つの総合記事、
アイフ“　ケム　フィシ　リビッド １（Ｊ：ｉｂｌ、　Ｏｈｅｍ、　Ｐｈｙｓ、　Ｌｉｐｉ
ｄｓ、第２６巻（１９８０）第４０５〜４２９頁及び応
用化学の雑誌、第９６巻（１９８４）、第２４７−２６
２頁に記載されているＯ 工業的規模でこの混合置換されたホスファチジルコリン
及びホスファチジルエタノールアミンの合成は従来公知
の方法で及びその際使用される出発化合物及び中間体を
用いて実施することができない。

したがって本発明は簡単Ｋかつ容易に入手できる出発化
合物から出発して新規中間体を限定された化学構造を有
する混合置換された対掌性不含の１，２−ジアシル−５
ｎ−グリセロ−３−ホスホコリン及び１．２−ジアシル
−６ｎ−グリセロ−３−ホスホエタノールアミンを用す
て工業的規模で製造することができる方法を見す出すこ
とを課題とする。この課題は本発明によって予想されな
かった簡単かつ価値ある方法で解消することができる。

したがって本発明の対象は一般式（ＴＩＨ２Ｃｊ−０−
Ｔ （式中Ｔは非置換のあるいはＣ，−Ｃ，アルキル基、ａ
ｌ−Ｃ６アルコキシ基又はハロゲン原子によって１−又
は数回置換されたトリフェニルメチル基を示し、 Ｒ，、馬、Ｒｓは同一であり、夫々メチル基を示す又は
相異シ、この場合残基Ｒ１ｒ　Ｒ２及びＲ８のうち２つ
は常に水素原子を示し、三番目の残基は非置換であるか
又はＣ，−ａ、アルキル基、ＣＩ　’６アルコキシ基又
はハロゲン原子によって１−又は数回置換されたトリフ
ェニルメチル基である）で表わされるａｎ−グリセロ−
６−ホスホコリンの及びｓｎ−グリセロ−３−ホスホエ
タノールアミンの新規トリフェニルメチル誘導体である
。

一般式（Ｉ）（式中Ｒ１ｔ　Ｒ２及びＲ８は夫々メチル
基を示す。）なる化合物はグリセロホスホコリン誘導体
であシ、一方一般式（Ｉ）（式中残基Ｒ，，Ｒ。

及びＲ１のうち２つは水素原子であシ、三番目は置換又
は非置換のトリフェニルメチル基である。）なる化合物
はグリセロホスホエタノールアミンの誘導体である。

一般式（Ｉ）中本発明による化合物に於てＴで表わされ
る残基及び残基Ｒ１＋　Ｒ１及びＲ３のうち１つはその
他の２つの残基が水素原子を示す場合非置換のトリフェ
ニルメチル／基であるのが好ましい。しかし一般式（１
１のうち１−０−）す７エ二ルメチル基及び（又は）場
合により分子内圧存在するＮ−トリフェニルメチル基は
相互に無関係にアルキル基、たとえばメチル基、エチル
基プロピル基等々、アルコキシ基、たとえばメトキシ基
、エトキシ基、プロポキシ基等々又はハロゲン原子、た
とえばフルオル原子、クロル原子又はブロム原子によっ
て１−又は数回置換されている化合物も包含する。更に
置換されたトリフェニルメチル基を有する一般式（Ｉ）
なる化合物の場合トリフェニルメチル基のフェニル基１
又は数個がパラ位で上述の残基によって置換されてｂる
化合物が好ましい。

ここで使用されるグリセロホスホコリン、グ２９−３５
（１９７８）に示される法則に従う。記載され次化合物
の系統的化学表示に於ける略号″′８ｎ′は立体特異的
に番号を付すことを意味−する。

グリセリン残基の置換位置に関連するすべての位置表示
はこの立体特異的番号付けに基づいている。

一般式ｍ＆る化合物を次の様にして製造する。

すなわち一般式（Ｉｌｌ ２Ｏ−ＯＨ （式中ＲＩ　ｔ　”？及びＲ３は上述の意味を有する。

）で表わされるｅｎ−グリセロ−６−ホスホコリン又は
８ｎ−グリセロ−３−ホスホ−（Ｎ−トリフェニルメチ
／Ｉ／）−エタノールアミン、これと無機−もしくは有
機酸又は−塩基との塩あるｂはこれと金属塩との錯体を
一般式（Ｉ［［）Ｔ　−ｘ　（１！ｒＩ （式中Ｔは一般式（１）に於けると同一の意味を有し、
Ｘは反応性離脱基、たとえばクロル−、ブロム−又はヨ
ード原子を示す。） で表わされる反応性トリフェニルメチル誘導体と不活性
有機溶剤又は溶剤混合物中室温ないし溶剤の沸騰温度又
は溶剤混合物のもつとも低沸点の溶剤成分の沸騰温度で
反応させることＫよってグリセリンの１位の酸素をトリ
チル化して得られる。

トリチル化剤として本発明による方法に於て反応性トリ
フェニルメチル誘導体、好ましく社トリフェニルメチル
クロリ小°又はトリフェニルメチルプロミド、特に好ま
しくはトリフェニルメチルクロリドを使用する。一般式
（１）なる１−０−ト１７フエニルメチル誘導体の製造
のためにトリチル化剤の１モルを消費する・しかし反応
の進行の促進及び反応の完了のために、多くの場合合目
的的にトリチル化剤の過剰を使用することは必ず必要で
ある。その際トリチル化剤の使用ｔは広い範囲内で任意
に変化することができる。一般式（ｆｉ＋なる出発化合
物１モルあ念力少過剰のないし数倍のモル過剰のトリチ
ル化剤を使用することが特に好ましい。但しこの場合１
．５〜３−倍モル過剰が特に好ましい。

一般式（ＩＩ）なる化合物と一般式（ＩＩＩｌ　＆る化
合物との反応は避当なプロトン受容体の過剰の存在下で
有利に行われる。プロトン受容体として無機又は有機塩
基が挙げられる。反応を有機塩基、たとえば第三アミン
、たとえばトリメチルアミン、トリエチルアミン、Ｎ−
メチルピペリジン、Ｎ、Ｎ−ジメチルアニリン、Ｎ、Ｎ
−ジエチルアニリン、ヒューニク（Ｈｕｎｉｇ）−塩基
あるいはへテロ３Ｊｌ状塩基、たとえばピリジン、４−
Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノピリジン、４−ピロリジノ−ピ
リジン、ピコリン、コリジン、キノリン、イソキノリン
等々の存在下に実施するのが特に好ましい。

反応を夫々の反応成分に対して不活性である有機溶剤又
は溶剤混合物中で実施する。溶剤として特に非プロトン
性極性溶剤が挙げられる。

これに好ましくけジメチルスルホキシド、カルボン酸ア
ミド、たとえばジメチルホルムアミド°、ジメチルアセ
トアミド、ヘキザメチルホスホル酸トリアミド、Ｎ−メ
チルピロリドン、ニトリル、たとえばアセトニトリル、
プロピオニトリル、ペテロ環状塩基、たとえばピリジン
、キノリン、ピコリン又はこの様な溶剤の混合物が属す
る。多くの場合反応を不活性非プロトン性極性溶剤及び
より小さい極性の不活性非プロトン性溶剤から成る溶剤
混合物中で実施するのが有利である。この様な溶剤混合
物に関してよシ小式な極性を有する溶剤成分としてたと
えば脂肪族又は芳香族炭化水素、たとえば低−又は高沸
点石油エーテル、ヘキサン、ヘプタン、ペンゾール、ド
ルオール等々、ハロゲン化脂肪族又は芳香族炭化水素、
たとえばメチレンクロリド、クロロホルム、１．２−シ
フ日ルエタン、四塩化炭素、クロルベンゾール、ｐ−ク
ロルドルオール等々が適邑である。

反応温度は広す範囲で変化することができる。

一般に室温ないし夫々使用される溶剤の沸騰温度又は使
用される溶剤混合物のもっとも低い沸点の溶剤成分の沸
騰温度で、好ましくは２０〜２００℃の温度で、％ＶＣ
２０〜ａｏ’ｃの温度で処理する。

一般式（Ｉ）なる化合物を製造するために一般式（■）
なる化合物それ自体から、これと無機又は有機酸又は塩
基との塩からある込はこれと金属塩との錯体から出発す
ることができる。特に１−０−トリチル−５ｎ−グリセ
ロ−３−ホスホコリンの製造に於て多くの場合にょ夛安
定な及びょル良好な貯蔵可能な金属塩錯体、たとえば８
ｎ−グリセロ−３−ホスホコリンのカドミウムクロリド
−付加物を使用するのが有利である。

後処理は反応溶液を蒸発することによって又は一般式（
１）なる化合物が難溶性である溶剤を用いて希釈し反応
溶液から生成物を沈殿させることによって有利に行われ
る。通常の化学的後処理法によって得られる粗生成物は
混合置換されたホスファチジルコリン及びホス７アチジ
ルエタノールアミンの製造用中間体として更に精製処理
することなく極めて良好に適する〇−一般式１＞なる化
合物の精製のために特に通常のクロマトグラフィー法、
たとえば薄層−、カラム−５吸着−１中圧−又は高圧液
体クロマトグラフィー分離が適する・ 本発明のその他の対象杜グリセリンの１−及び２−位に
相互に無関係忙種々のアシル残基を有する対掌体不含ホ
スファチジル；リン及びホス７アチジルエタノールアミ
ンの製造に新規の一般式（１）なる化合物を使用するこ
とに関する＠−一般式　ｌｋる化合物の使用下一般式（
ト）（式中Ｒ；　、　ＲＳ　、Ｒ；け同一であ）、夫々
３個の水素原子又は３個のメチル基であり、 −及びＲ１は相異り、相互に無関係に非置換のあるいは
ハロゲン原子又はアル；キシ基によって１又は数回置換
され念、直鎖状又は分枝状ａ、−Ｃｔ、アルキル−ある
いは直鎖状又祉分枝状１−又は数回不飽和の０３　’！
４アルケニル基を示す。） で表わされる混合置換された１、２−ジアシル−８ｎ−
グリセロ−３−ホスホコリン及び１，２−ジアシル−５
ｎ−グリセロ−３−ホスホエタノールアミンを製造する
ことができる。

このために一般式（１３なる化合物を一般式Ｒ４０００
Ｈなるカルボン酸のアシル化作用の誘導体でアシル化し
、一般式（■ （式中Ｔ＃Ｒ１ｔ　”ｘ　ｔ　Ｒｓ　＃′ｉ一般弐ｍＫ
於けると同一の意味を有し、Ｒ４は一般式ｍｌに於ける
と同一の意味を有する。） で表わされる化合物となし、その後一般式（Ｖ）なる得
られた化合物から酸の作用忙よって−但し一般式（Ｖｌ
　（式中残基”Ｉ　ｅ　”を及びＲ１のうち１っはトリ
フェニルメチル基を示す。）なる化合物の場合酸はルイ
ス酸である−１−０　＋　）　Ｉ）　フェニルメチル基
を−、般式（■ （式中Ｒ１＋　Ｒ２ｔ　Ｒ３及びＲ４は上述の意味を有
する。）なる２−アクルー８ｎ−グリセロ−３−ホスホ
コリン又は２−アシル−ａｎ−グリセｏ−５−ホスホノ
−（Ｈ−トリフェニルメチル）−エタノールアミンの形
成下ＶＣ離脱し、一般式（匍なる化合物を一般弐Ｒ，０
ＯＯＨｆｉるカルボン酸のアシル化作用の誘導体と反応
させることＫよって一般式（） （式中Ｒ１ｐ　Ｒ１ｅ　”ｌは一般式（１１に於けると
同一の意味を有し、”４及びＲ１は一般式（酌に於ける
と同一の意味を有する。） で表わされる１、２−ジアシル−８ｎ−グリセロ−３−
ホスホコリン又は１，２−ジアシル−ａｎ−グリセロ−
３−ホスホノ−（ｌｉ−）リフェニルメチ／Ｉ／）−エ
タノールアミンへ更にアシル化シ、その後一般式（Ｆ／
ａ）　（式中残基亀〜Ｒ口はトリフェニルメチル基を示
す。）なる得られた化合物を非プロトン性溶剤中で酸の
作用下一般式（転）（式中残基Ｒ１’　ｖＲ２’及びＲ
，／け水素原子を示す６）なる化合物に変える。

Ｒ４及びＲ，に対して記載された定義に於て６直鎖状又
は分枝状アルキル基“は飽和脂肪族炭化水素残基を意味
する。これは１〜２４個の炭素原子を有し、任意にしば
しば分枝していてよい・１直鎖状又社分枝状の、１−又
は数回不飽和アルクニル残基”なる表現は不飽和、脂肪
族（’ｍ’１４）炭化水素残基を示すにの残基は１又は
数個のオレフィン性二重結合を有し、同様に任意にしば
しば分枝していてよい。アルキル基及びアルケニル残基
に於て１又は数個の水素原子をハロゲン原子、たとえば
フルオル−、クロル−、ブロム−又はヨード−原子によ
っであるいはアルコキシ基、たとえばメトキシ−、エト
キシ−、プロピルオキシ−、イソプロピルオキシ−、ブ
チルオキシ基等々によって置き代えることができる。

一般式（１）なる化合物の一般式（Ｖｌなる２−アシル
誘導体へのアシル化は一般式Ｒ，０ＯＯＨなるカルボン
酸の反応性カルボン酸誘導体を用いて行われる。この様
なアシル化剤はたとえばこのカルボン酸のハロゲン化物
、無水物活性エステル又はアゾリドが適当であシ、この
際カルボン酸イミドダシリドが特に好まし込。反応は通
常のアシル化条件、たとえば水不含、極性非プロトン性
溶剤又は夫々の反応成分に対して不活性である溶剤混合
物中で行われる。これに好ましくはエーテル、たとえば
テトラヒドロ７ラン、ジオキサン、エチレングリコール
ジメチルエーテル、ハロゲン化脂肪族又は芳香族炭化水
素、たとえばメチレンクロリド、クロロホルム、１，２
−ジクロルエタン、クロルベンゾール、ｐ−クロルドル
オール、カルボン酸アミド、たとえばジメチルホルムア
ミド、ジメチルアセトアミド、ヘキサメチルホスホル酸
トリアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキ
シド、同時にプロトン受容体として作用するヘテロ環状
塩基、たとえばピリジン、アルキル化されたピリジン、
Ｎ、Ｎ−ジアルキルアミノピリジン等々あるいはこれら
の溶剤の混合物が属する。アシル化剤としてカルボン酸
イミダゾリドを使用する場合、１：４〜４：１の割合で
ジメチルスルホキシド及びテトラヒドロフランから成る
混合物が有効である◎アシル化は同時に触媒的に作用す
る無機化合物から由来する酸結合剤、たとえば水素化ナ
トリウム、金属ナトリウム等々あるいは有機化合物から
由来する酸結合剤、たとえばトリエチルアミ７、Ｎ−メ
チルピペリジン、Ｎ、Ｎ−ジメチルアニリン、Ｍ、Ｎ−
ジエチルアニリンの使用下あるいはへテロ環状塩基、た
とえばピリジン、　Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノピリジン、
ピコリン、コリジン、キノリン、インキノリン等々の存
在下に有利に行われる。アシル化反応をｏ’ｃないし溶
剤の沸点の温度、好ましくは２０〜３０℃の温度で実施
することができる。

反応の際に生じる未反応カルボン酸及び場合によシまだ
存在するアシル化剤の未反応残部を次の反応工程の前に
分離しなければならなｈｏたとえばそれはシリカゲルで
クロマトグラフィーによって又は化学的分離忙於てその
他の通常の精製方法によって、たとえば水と混和し得な
い溶剤中に粗生成物を有する溶液を着水性塩基、たとえ
ばアンモニア水で抽出することによっであるいｉｊ：適
白な溶剤から粗生成物の再結晶又は再沈殿によって行わ
れる。

次いで一般式（■なる２−アシル誘導体から酸処理によ
って１−〇−トリフェニルメチル基を離脱する。一般式
（■）（式中残基Ｒ１ｒ　Ｒ２及びＲ８はトリフェニル
メチル基を示す。）なるグリセロホスホエタノールアミ
ン誘導体の場合、Ｎ−トリフェニルメチル基の維持が必
要であり、一般式（Ｖ）（式中残基ＲＩ　＋　Ｒ２及び
Ｒ８は夫々メチル基を示す。）なるグリセロホスホコリ
ン誘導体の場合　１−０−トリフェニルメチル基の離脱
のためにルイス酸を使用するのが有利である。しかし１
．−Ｑ−）リフェニルメチル基の離脱はグリセロホスホ
コリン誘導体の場合更に無機酸、たとえば鉱酸、たとえ
はハロゲン化水素酸、臭化水素酸、過塩素酸等々を用い
であるいは有機酸、たとえばトリフルオル酢酸又はトリ
クロル酢酸等々を用すて行うことができる。その際アシ
ル残基の転位を妨害するために温度を２０℃以下に保つ
のが有利である。特に有効な脱トリチル化剤として三フ
ッ化硼素−メタノールー錯体をメチレンクロリド中で０
℃で使用する。その際一般式（■なる化合物がこれを次
の加工処理の前に更に精製処理する必要がない程良好な
純度で得られる。１−０−）リフェニルメチル基の離脱
後帯られる一般式（届なる化合物を直接次のアシル化に
供給する合成の実施形態が＠に有利である。と込うのは
それ罠よって精製処理で場合により生じるアシル残基の
転位が合成工程のこの段階で決定的に減少するからであ
る。

一般式（２）なる化合物の一般式（Ｆ／ａ）なる１、２
−ジアシル誘導体への再アシル化は再び一般式Ｒ，Ｃ０
ＯＨなる酸の上記反応性カルボン酸誘導体を用いて行わ
れる。グリセリンの１位にアシル残基を導入するためＫ
この際特にこの酸の無水カルボン酸が有効である。反応
は通常のアシル化条件下で有利に水不含極性非プロトン
性溶剤又は溶剤混合物中で行われる。この場合２−位の
アシル化に於て上記溶剤の他に更にハロゲン化炭化水素
、たとえばメチレンクロリド、クロロホルム、四塩化炭
素、クロルベンゾール等々との溶剤混合物が挙げられる
。特にメチレンクロリドと４−　Ｎ、Ｎ−ジメチルアミ
ノピリジンとの混合物が有効である◎これは同時に酸結
合剤の機能も引受ける。この反応にあたシ室湛ないし溶
剤の沸騰温度又は最も低い沸点の溶剤成分の沸騰温度の
温度範囲が選ばれる。反応を室温又＃ｉ僅かに高められ
た２０〜４０℃の温度で実施するのが好ましい。

形成された一般式（■ａ）なるジアシル誘導体が化学的
分離に於ける通常の精製処理で純粋々形で得ることがで
きる０粗生成物をたとえば水と混和し得ない溶剤中に溶
解し、赤水性塩基、たとえばアンモニア水で過剰のアシ
ル化剤から抽出して分離するあるいは再結晶又は再沈殿
によって精製することができる。

その他に通常のクロマトグラフィー法又は２層間の多重
分散法が一般式（Ｆａ）なる化合物の精製に連光である
。

一般式（■ａ）　（式中残基Ｒ１ｔ　Ｒ１及びＲ３はト
リフェニルメチル基を示す。）なる化合物から一般式（
１ｖ１（式中Ｒζ、Ｒ１′及びＲＩは夫々水素原子を示
ス０）々る１、２−ジアシル−ｇｎ−グリセロ−３−ホ
スホエタノールアミンはＮ−）リフェニルメチル残基の
離脱によって得ることができる。

離脱のために無機酸、たとえば鉱酸、たとえば塩化水素
又は臭化水素又は好ましくは有機酸、たとえばハロゲン
化されたカルボン酸、たとえばトリクロル−又はトリフ
ルオル酢酸が適する。

この際グリセリンの１−及び２−位の脱アシル化を避け
るために非プロトン性溶剤中で処理する。Ｎ−トリフェ
ニルメチル残基をトリフルオル酢酸でメチレンクロリド
巾約０℃の温度で除去するのが好ましい。

本発明による化合物の同定′及び純度試験は薄層クロマ
トグラフィー及びスペクトル法、特にＨ−ＮＭＲ−スペ
クトルを用いて行われる＠測定されたスペクトル値は化
合物の記載の化学構造と一致する。

一般式（１１なる化合物は一般式（関々る混合置換され
た１、２−ジアシル−５ｎ−グリセロ−３−ホスホコリ
ン及び１，２−ジアシル−ｏｎ−グリセロ−３−ホスホ
エタノールアミンの一般の化学的合成に対する新規の中
心的中間体である・一般式（１１なる中間体を使用する
場合、従来この様な混合置換されたホスファチジルコリ
ン及びホスファチジルエタノールアミンの半合成製造に
於て使用しなければならなかった酵素の使用をもはや必
要としないので、一般式（ＩＶｌ’ｚる化合物を工業的
規模でも容易に得ることができる・本発明のその他の利
点は１位又は２位のアシル化に使用されるカルボン酸誘
導体を実質上完全に使用することにある。従来使用され
る酵素法の場合、グリセロホスホコリン又はＮ−保護さ
れたグリセロホスホエタノールアミンの１−及び２−位
を先ず２個の同一アシル残基で置換し、その後２位のア
シル残基をホスホリパーゼＡ２の作用によって離脱し、
この中間体に次のアシル化反応によって所望のアシル残
基を導入する。

その際２−位の第一アシル化に使用された力〃ボン酸は
消失する。更に酵素による加水分解の速度及び効果はカ
ルボン酸の種類に依存する。

一方一般式（ＦＩｌｌなる化合物の本発明による製造は
全くこれに依存しない。

一般式（ＩＶｌなるホスファチジルコリン及びホスファ
チジルエタノールアミンはたとえば価値ある乳化剤とし
て医薬及び植物保護剤の製造にあるいは写真工業に使用
することができる。更にこの化合物はリポソーム、リボ
ンーム溶液及びリボンームゲルの製造用化学的に限定さ
れた出発化合物として適する・ 一般式（Ｉｌなる化合物の製造用出発化合物として８ｎ
−グリセロ−６−ホスホコリン又はｓｎ−グリセロ−６
−ホスホル−（Ｎ−）リフェニルメチル）−エタノール
アミン・を使用する。８ｎ−グリセロ−６−ホスホコリ
ンを公知方法によって、たとえば天然レシチンからアル
カリ性加水分解によって実質上無制限の量で簡謙な方法
で製造することができる。好ましくは市販の生成物を使
用する。

８ｎ−グリセロ−３−ホスホ−（Ｎ−トリフェニルメチ
ル）−エタノールアミンは任意の由来のｓｎ−グリセロ
−３−ホスホエタノールアミンノＮ　＋　ト！Ｊチル化
によって容易に入手することができる。特に有利なかつ
簡単な方法でｓｎ−グリセロ−６−ホスホ−（Ｎ−トリ
フェニルメチル）−エタノールアミンを植物性、動物性
又は微生物起源のリン脂質と反応性、置換又は非置換の
トリフェニルメチル誘導体、好ましくはトリフェニルメ
チルプロミドとの混合物中でホスファチジルエタノール
アミンのトリチル化、次いで全脂質のけん化によって製
造する。この混合物からｓｎ−グリセロ−３−ホスホ−
（Ｎ−トリフェニルメチル）−エタノールアミンヲ水ト
混和し得な騒溶剤で、好ましくはクロロホルムでメタノ
ールの存在下に抽出して水溶性離脱生成物から分離し、
次いで脂肪酸をアルカリ性水層で場合によジメタツール
の混合下に洗滌して純粋な形で得ることができる。ｏｎ
−グリセロ−３−ホスホ−（Ｎ−）リフェニルメチル）
−エタノールアミンの製造のためにたとえば次の処理を
行うことができる： 大豆リン脂質１．５ｇ及びトリフェニルメチルプロミド
１．４ｇをクロロホルム５０．９．中で溶解する。トリ
エチルアミン１．１ｇの添加後、反応混合物を１２時間
２０℃で撹拌する。次すでクロロホルム５０ｍ１及び０
．５Ｎ水酸化ナトリウム溶液１００ｍ１をメタノール中
に加え、３０分間、２０℃で撹拌する。０次いでクロロ
ホルム１００ｍ１を加え、有機層を分離し、これを３回
アルカリ性水層で洗滌する。最後に有機溶剤を減圧下除
去する・θｎ−グリセロー３−ホスホー（Ｎ−トリフェ
ニルメチル）−エタノールアミンヲ含有する残留物を直
接引き続きの０−トリチル化に使用することができる。

シリカゲルでクロロホルム−メタノール−傾斜液を用い
る粗生成物のクロマトグリフイー分離によって得られる
純粋な化合物は薄層クロマトグラフィーでシリカゲル上
に単一スボッ）、Ｒ，。、３を示す（展開剤：クロロホ
ルム−メタノール−２５％Ｎｌ（，５０：２５：　６　
（Ｖ／Ｖ／Ｖ））。

次に例によって本発明を詳述するが、本発明はこれによ
って限定されない。

（ａ）　一般式（１）なる化合物の製造例　１　： １−０−トリフェニルメチル−θｎ−グリセロー３−ホ
スホコリン ８ｎ−グリセロ−６−ホスホコリン−ｃｄｃ７．−錯体
５ｇ及びトリフェニルメチルクロリド４．６ｇを７０℃
で水不含ジメチルホルムアミド（５０ｒｎ９．　）中で
溶解する。トリエチルアミン２．３賊の添加後、３０分
間７０℃で水分の除去下撹拌する。反応混合物の冷却後
、粉末ＮａＨＯ０，５ｆｉを加え、２０分室温で撹拌す
る。次いで反応溶液を沖過し、ジエチルエーテル３００
ｍ１を加える。

形成された油を遠心分離し、−回ジエチルエーテルで洗
滌し、最後にメタノール１５０ｍ１中和溶解する。ＣＨ
Ｏ／３３００ｄ、の添加後、０ＨＯＩｓ−ＯＨ，０Ｈ−
Ｈ！０３　／ａ　ｓ　／４７　／（Ｖ／Ｖ／ｖ）から成
る溶剤混合物（上層）９０蛾で洗滌し、下層をｃａａｌ
ｓ−Ｃ！Ｈ，ＯＨ２／１　（ｖ／ｖ）　１５０　ｍ９．
で希釈する。

次いで２５に水性ＮＵ３−溶液３匍θを加え、１５分室
温で放置し、最後に形成された無色の沈殿物を遠心分離
する◎減圧で溶剤の除去後油状残留物を３回夫々５０御
、のジエチルエーテルで浸出する。その際形成された固
形の粗生成物（５，５！ｊ）が得られ、これは薄層クロ
マトグラフィーによシリカゲル上底開剤：　０ＨＣ７ｊ
、−０Ｈ８０Ｈ−２５にＮＨ，６５／ｐ　ｓ　１５　、
　Ｖ／’Ｖ／Ｖ）上に０．１５（７）Ｒｆ−値を示し、
極めて少量の不純物しか有しな−。純粋な化合物がシリ
カゲルで中圧クロマトグラフィー分離によって得られる
。溶離のため１７０ＨＯ７，−ＯＨ，０Ｉ（＝傾斜液を
使用する。この場合溶離剤は２５π水性ＮＨ，−溶液０
．５容量にを含有する。純粋物質は薄層り′ロマトグラ
フイーでシリカゲル（展開剤は粗生成物の分析に於ける
と同一である。）上に単一スポット＋　Ｒｆｏ、１５を
示す。

＋Ｈ−ＮＭＲ−スペクトル＝δｐｐｍ ３．１　（Ｎ−Ｃ！Ｈ，）；３ｊ　−４，５（コリン及
びグリセロール）；７．２３（）リフェニルメチル０−
Ｈ）例　２　： １−０−）リフェニルメチルーｓｎ−グリセロ−３−ホ
スホ−（Ｎ−トリフェニルメチ／Ｉ／）−エタノールア
ミン ローグリセロ−３−ホスホノ−（Ｎ−）リフェニルメチ
ル）−エタノールアミン９６４．１１９及びトリフェニ
ルメチルグロリドＬ７３５　ｇを水不含ピリジン３２ｍ
１中で水分の除去下に４８時間室温で撹拌する。吹込で
氷水上に注ぐ。生成物を３回ジエチルエーテルで抽出す
る。精製されたエーテ／Ｉ／層を２回水洗し、次いでＮ
ａ、　Ｓｏ。

で乾燥する・減圧下溶剤の除去後、残りのピリジンを残
留物の蒸発によってドルオールの存在下に減圧で除去す
る。残留物をクロロホルム−メタノール１／１　（Ｖ／
？）　３０　ｒｎｏ、中に取シ入れ、−晩４℃で放置す
る。沈殿したトリフェニルメチルカルビノールの除去及
び溶剤混合物の引き続きの除去後、粗生成物１．７ｇが
得られる。これは直接法のアシル化に使用される。シリ
カゲルでクロロホルム−メタノール−傾斜液を用いてク
ロマトグラフィー分離後、純粋な化合物が得られる。こ
れは薄層クロマトグラフィーによシリカゲル上展開剤：
クロロホルム−メタノール６　：　４　（Ｉｔ’／Ｔ）
　）上に単一スポット、ＲｆＯ，６を示す。

＋Ｈ−ＮＭＲ−スペクトル＝δｐｐｍ　（ＤＭ日ｏ−ｄ
、　）！１．５−４．３　（グリセロール及びエタノー
ルアミン０−Ｈ，鈍い）　；　７，２５　（）リフェニ
ルメチル０−Ｈ，）ｎ）。

例　３ 例１に記載した処理工程の適用下で次の化合物が得られ
る： １−０−　（４，４’−ジメトキシトリフェニルメチ／
ｌ／）　−ａｎ−クリセロ−３町ホスホコリン薄層クロ
マトグラフィーによシリカゲル上にし展開剤：　ＯＨＣ
！７．　、ＯＨ，ＯＨ，２５に水性ＮＨ，；　６５　。

３５．５　（Ｖ／Ｖ／Ｖ）　）に単一スポット、Ｒｆ−
値ｏ、１５を示す。

Ｉ　Ｈ−ＮＭＲ−スペクトル：δｐｐ、Ｂ　（Ｃ！Ｄ、
１０Ｄ　）３．１　（Ｎ−ＣＨｓ）；　３．ｓ　（フェ
ニル−〇−０Ｈ３）　；　３．３−４゜３（コリン及び
グリセロ−＃）ニア、２＋（芳香族） 例　４ ｌ−０−（４，４’−ジメトキシトリフェニルメチル）
−ａｎ−グリセロ−３−ホスホノ−（Ｎ−トリフェニル
メチル）−エタノールアミンｓｎ−グリセロ−６−ホス
ホノ−（Ｎ−トリフェニルメチル）−エタノールアミン
２．４９　及び４゜４′−ジメトキシトリフェニルメチ
ルクロリド４．５ｇを有する溶液を水不含ピリジン８０
ｍ１中で７２時間室温で撹拌する。減圧でピリジンの除
去後、残留物をｃＨｃｌ、　−ＯＨ，ＯＨ２／１　（Ｖ
／ｖ）　２００ｍ９．中に溶解する◇この溶液を２回夫
々４０ｍの０ＨＣ１ｓ−Ｃ！Ｈ，ＯＨ−Ｈ２Ｏ３／４８
／４７　（Ｖ／７／Ｔ）で洗滌し、次いで溶剤を減圧留
去する。その際褐色の油が得られる。これはｓｏｎｇ及
び５０慨に分けたジエチルエーテルで浸出した後粗生成
物２．５９を無定形無色粉末として生じる。シリカゲル
上で薄層クロマトグラフィー（展開剤：　ＯＨＯ／、−
ＯＨ，ＯＨ６／４．　’Ｔｌ／Ｖ）によυ粗生成物は９
０％よシ多い目的生成物を含有する（Ｒｆｏ、６）。こ
れは更に精製することなく混合置換された対掌体不含１
，２−ジアシル−５ｎ−グリセロ−８ｎ−グリセロ−３
−ホスホエタノールアミンの製造に使用することができ
る。

純粋な化合物がシリカゲルで０ＨＯＩＥ、　−Ｃ７（、
Ｏｆｆ　−傾斜液（０，５容量にＮＨ，水の存在下）を
用いて中圧クロマトグラフィー分離して得られ、薄層ク
ロマトグラフィー（例３に於けると同様な条件）によれ
ば単一スポット、　ＲｆＯ，６を示す。

ＩＨ−ＮＭＲ−スペクトル；δｐｐｍ （ＯＤＯ，／、−Ｃ！Ｄ、ＯＤ　２／１．　Ｖ／７　）
■ ！１．１　（Ｎ−０Ｈｓ）　；　３．８　（フェニル−
〇−ＣＨ，）；３，３−４．３（コリン及びグリセロ、
−ル）；７．２３（芳香族）。

（ｂ＋　一般式（問なる化合物の製造のために上記例に
従って得られた一般式（１）なる化合物の製造に使用す
る。

例　５ （Ａ）１−０−）ジフェニルメチル−２−オレオイ〃−
３−ホスホコリン油酸１．２６に＋とカルボニルジイミ
ダゾール７９４即とをテトラヒドロフラン２５ｍ１中で
４５分間、室温で反応させ、次いで溶剤を減圧で除去す
る。次いで形成された脂肪酸イミダゾリドを含有する残
留物にジメチルスルホキシド２８　ｍ９．中１／（１−
０−トリフェニルメチル−５ｎ−グリセロ−３−ホスホ
コリン（例１による）の粗生成物１．１ｇを有する溶液
を加える。ジメチルスルホキシド１１．５ｄ中に金属ナ
トリウム１４８〜を溶解して製造した触媒の添加後、反
応混合物を時折シの振とう下２０分、２０℃で放置する
。最後に０．１Ｎ水性酢酸６４ｍ１を一注きでに加える
。クロロホルム−メタノール２／１　（Ｖ／７）から成
る混合物で２回抽出し、精製された有機層をメタノール
−Ｈ，０１／ＤＶ／Ｖ）から成る混合物で２回抽出する
。減圧で溶剤の蒸発後、粗生成物をクロロホルム中で溶
解し、シリカゲルカラム上に付与する。純粋な化合物（
１，１、！ｉ’　）をクロロホルム−メタノール傾斜液
で溶離し、薄層クロマトグラフィーによシリカゲル上に
（展開剤：クロロホルム−メタノール−２１％　Ｎｕｓ
６５：３５：５　（Ｖ／Ｖ／ｖ）　）単一スポット、Ｒ
ｆＯ，４を示す。

（Ｂ）２−オレオイル−８ｎ−グリセロ−３−ホスホコ
リン メチレンクロリド５０ｍ１中に１−０−トリフェニルメ
チル−２−オレオイル−５ｎ−グリセロ−３−ホスホコ
リン５００〜を有するｓｉにメタノール中に三フッ化硼
素を有する２０％溶液０．５ｍｌを加え、次いで５０分
間０℃で撹拌する。次いでメタノール１５ｍ１及び水９
ｍｌ、を加え、振とうし、有機層を単離する。溶剤を室
温で高減圧除去によって除く。

（Ｃ）１−バルミトイル−２−オレオイル−Ｂｎ−グリ
セロ−３−ホスホコリン 形成された２−オレオイル−５ｎ−グリセロ−３−ホス
ホコリンを含有する残留物を乾燥クロロホルム３０ｍ１
中に溶解する。次いでこの溶液に無水パルミチン酸８２
０ｍ９及びジメチルアミノピリジン２００■を加え、反
応混合物を６時間２０℃で撹拌する。次−でメタノール
１５憾を加え、先ず０．Ｉ　Ｎ　Ｔｌ０１で、次いでＨ
，Ｏで振とりする。減圧で有機層の除去後、物質をクロ
ロホルム−メタノール−傾斜液を用いるシリカゲルでの
クロマトグラフィー分離によって精製する。精製された
化合物（４００■）は薄層クロマトグラフィーでシリカ
ゲル上に（展開剤：クロロホルム−メタノール−２５ｃ
ＮＨｓ６５１５　：５（Ｖ／Ｖ／Ｖ）　）単一スポット
、　Ｒｆ　Ｏ，４を示す。

例　６ １−ステアロイル−２−オレオイル−５ｎ−グリセロ−
３−ホスホコリン ２−オレオイＡ／−５ｎ−グリセロ−６−ホスホコリン
（例５、段階Ａ及びＢに従って１−ｏ−トｖフェニルメ
チルー２−オレオイル−８ｎ−グリセロ−３−ホスホコ
リン７００■から得られる。）を有する溶液を無水ステ
アリン酸１．２ｇと例５、段階Ｃに記載した処理工程に
従って反応させ、クロマトグラフィーにより精製し、次
いで分析する。１−ステアロイル−２−オレオイル−８
ｎ−グリセロ−３−ホスホコリン５５０ｒｎｇ（１−０
−）　ＩＪフェニルメチル−Ｂｎ−グリ七ロー３−ホス
ホコリンに対して７６に収率）が得られる。

これは薄層クロマトグラフィーでシリカゲル上に（展開
剤：クロロホルム−メタノール−２５にＮＨ，水溶液、
６５：５５：５．Ｖ戸ρ）単一スポットを示す；Ｒｆ−
値０．４゜ 例　７ （Ａｌｌ−０−トリフェニルメチル−２−ＩＪルオイル
ーｓｎ−グリセロ−３−ホスホコリン１−０−）リフェ
ニルメチルーｓｎ−グリセロ−３−ホスホコリン（例１
による）６００１ｋｙをリノール酸６９０〜及びカルボ
ニルジイミダゾール４４０■から製造されたりルオイル
イミダゾリドで例５、段階Ａに記載した処理工程に従っ
てアシル化する。シリカゲルで中圧クロマトグラフィー
分離後、純粋な化合物（６ｑＯｍｇ、理論値の７５％）
は薄層クロマトグラフィーでシリカゲル上に単一スポッ
ト、Ｒｆ−値０．６を示す（展開剤：クロロホルム−メ
タノール−２５％ＮＨ，水溶液、６５：３５　：　５　
、　Ｖ／ｖ／ｖ）。

（Ｂ）２−リルオイルーＢｎ−グリセロ−３−ホスホコ
リン メチレンクロリド６０ｍ１中ｌＩＣ１−０−）リフエー
ルメチル−２−リルオイルーｓｎ−クリセロ−３−ホス
ホコリン１ｇを有する溶液を１−０−　トリフェニルメ
チル残基の離脱のために例５、段階Ｂに記載した様にメ
タノール中に三フッ化硼素を有する２０％溶液で処理す
る。

（０）　１−ステアロイル−２−リルオイルー８ｎ−グ
リセロ−３−ホスホコリン 段階Ｂで得られた２−リルオイルー８ｎ−グリセロ−６
−ホスホコリンを無水ステアリン酸１．６ｙを例５、段
階Ｃに記載した処理工程に従って反応させ、クロマトグ
ラフィーで精製する。純粋生成物（１−０−）リフェニ
ルメチルー２−リルオイル−８ｎ−グリセル−３−ホス
ホコリンに対して８０に収率）ａ２Ｏ■が得られる。こ
れは薄層クロマトグラフィーでシリカゲル上に単一スポ
ットを示す；Ｒｆ−値０．７（展開剤：クロロホルム−
メタノール−２５Ｘ　ＮＨｓ水溶液、　６５　：　３５
　：　５　、　Ｖｆｉ／Ｖ）。

例　８ （Ａｌｌ−０−トリフェニルメチル−２−アセチル−日
ｎ−１”）化ロー３−ホスホコリン１−０−トリフェニ
ルメチル−ｅｎ−グリセロ−３−ホスホコリン（例１に
よる）３２０〜と無水酢酸０．７１１１９とを水不含ピ
リジン４ｍｌ中で一晩、室温で反応させる。次すで反応
混合物を氷水上に注ぎ、２回クロロホルム−メタノール
（２：　ｉ　、Ｖ／Ｖ）で抽出する。精製された有機層
を２回クロロホルム−メタノール−水（３：　４８　：
　４７　、　ｖ／Ｖ／ｖ）で洗滌し、重炭酸ナトリウム
で乾燥し、最後に乾燥物となす。

粗生成物をシリカゲルでクロロホルム−メタノール−傾
斜液を用いて中圧クロマトグラフィー分離して精製する
。純粋生成物（１８０雫、５１％収率）け薄層クロマト
グラフィーでシリカゲル上に単一スポット：ＲｆＯ０１
６を示す（展開剤：クロロホルム−メタノール−２５５
％　ＮＨ，水溶液、６５　：　３５　：　５　、　Ｖ／
Ｖ／ｖ）。

Ｉ　Ｈ−ＮＨＲ−スペクトル；δｐｐｍ　（Ｃｏｏｌ、
−ＣＤ！ＯＤ２　：　１　、Ｖ／Ｖ）　２．１３　（Ｈ
，０−Ｃｏ、ｓ、５Ｈ）；３．１６の （Ｈ，Ｏ−Ｎ　、　８　、　ＩＴ）　；　３．３−４．
４　（グリセロール及びコリン−”）；５．２３（グリ
セロールＣ！−Ｈ，ＩＨ）；　７ｊ　３　（芳香族、１
５Ｈ）。

（Ｂ）２−アセチル−ｏｎ−グリセロ−３−ホスホコリ
ン （Ｃ）１−バルミトイル−２−アセチル−５ｎ−グリセ
ロ−６−ホスホコリン ｉ　−０−ト１）フェニルメチル−２−アセチル−日Ｄ
−グリセロ−６−ホスホコリンから１−０−トリフェニ
ルメチル基を例５、段階Ｂに記載した処理工程に従って
離脱し、形成された２−アセチル−５ｎ−グリセロ−６
−ホスホコリンと無水パルミチン酸とを例５、段階Ｃに
記載された処理工程に従って反応させ１−バルミトイル
−２−アセチル−５ｎ−グリセロ−３−ホスホコリ／と
なす。

例　９゜ （Ａ）１−０−トリフェニルメチル−２−メトキシアセ
チ）Ｌ’−Ｂｎ−グリセロ−３−ホスホコリン １−０−）リフェニルメチルー８ｎ−グリセロ−３−ホ
スホコリン（例１ＶＣよる）３１６１１ｙとメトキシア
セチルイミダゾリド−これはメトキシ酢酸９０Ｍ９及び
カルボニルジイミダゾール１７８■から製造される−と
を例５、段階Ａに記載した処理工程に従って反応させ後
処理する。純粋な１−ｏ−４リフェニルメチル−２−メ
トキシアセチル−〇〇−グリセロー３−ホスホコリン２
５０ｍｇ（６９％収率）が得られる。これは薄層クロマ
トグラフィーで単一スポットを示す（展開剤：クロロホ
ルム−メタノール−２５％ＮＨ，−水溶液、６５：３５
　：　５　、　ＶＩＶｖ）　；　Ｒｆ−値０．２５ａ（
Ｂ）２−メトキシアセチル−８ｎ−グリセロ−３−ホス
ホコリン （Ｃ）１−ステアロイル−２−メトキシアセチル−日ｎ
−クリセロ−６−ホスホコリン １−０−トリフェニルメチル−２−・メトキシアセチ／
ｌ／−８ｎ−グリセロ−３−ホスホコリンから１−０−
トリフェニルメチル基を例２、段階Ｂに記載した処理工
程に従って離脱し、その際形成された２−メトキシアセ
チル−８ｎ−グリセロ−６−ホスホコリンを例６と同様
に無水ステアリン酸と反応させ１−ステアロイ／Ｌ／−
２−メトキシアセチル−８ｎ−グリセロ−３−ホスホコ
リンとなし、クロマトグラフィーで精製する。

例　１０ （Ａ）１−０−トリフェニルメチ／Ｉ／−２−（２’　
−エチルヘキサノイル）−ｓｎ−グリセロ−３−ホスホ
コリン １−０−トリフェニルメチル−の−グリセロ−５−ホス
ホコリン（例１による）２５０■を有する溶液を２−エ
チルヘキサノイルイミダゾリド−とれは２−エチルヘキ
サン酸１４４ｍ９及びカルボニルジイミダゾール１７８
ｍ９から製造される−と例５、段階ＡＫ記載した処理法
に従って反応させ、後処理するＯ純粋−＆１−０−）リ
フェニルメチル−２−（２′−エチルヘキサ／イル）−
θｎ−グリセロー３−ホスホコリン２００〜（６９％収
率）が得られる。これは薄層クロマトグラフィーで（展
開剤：クロロホルム−メタノール−２５％ＮＨｓ、６５
　：　５５　：　５　、Ｖ／ｖ／ｖ）　単一スホツ）　
ヲ示す；Ｒｆ−値０．２４゜ （Ｂ）２−（２’−エチルヘキサノイル）−８ｎ−グリ
セロ−３−ホスホコリン （Ｃ）１−オレオイル−２−（２’−エチルヘキサノイ
ル）−日ｎ−グリセロー３−ホスホコリン１−０−トリ
フェニルメチル−２−（２’−エチルヘキサノイル）−
ｏｎ−グリセロ−３−ホスホコリンから１−０−）リオ
フェニルメチル基を例５、段階Ｂに記載された処理工程
に従って離脱し、その際形成された２−（２’−エチル
へキザノイル）−ａｎ−グリセロ−３−ホスホコリンを
例５、段階Ｃに記載された処理法に従って無水油酸と反
応させ１−オレオイル−２−（２’−エチルヘキサノイ
ル）　−ｓｎ−グリセロ−６−ホスホコリンとなし、ク
ロマトグラフィーによシ精製する。

例　１１ （Ａ）１−０−１−リフェニルメチル−２−（１’、−
１４０）−ドデカノイＮ−Ｂｎ−グリセロ−３−ホスホ
コリン （１／１４０）−ドデカン酸（１μＯ１，／ｍＭｏ１）
１００■及びカルボニルジイミダゾー／Ｉ／９０■を４
５分間水不含テトラヒドロフラン３０ｍ１中２０℃で反
応させる。形成されたアシルイミダゾリドの溶液を１−
〇−）ジフェニルメチ／ｌ／−５ｎ−グリセロ−３−ホ
スホコリン１２７■に加える。減圧で溶剤の除去後、残
留物をジメチルスルホキシド１ｍｌ中和溶解し、反応を
金属ナトリウム２３９をジメチルスルホキシド１８ｍ１
中に溶解して得られた触媒的に作用する酸結合剤の添加
によって開始する口反応混合物を時折りの振とう下１０
分間２０℃で保ち、その後−往きで水性酢酸１０ｍ１を
添加して中和する◇次いで２回夫々クロロホルム−メタ
ノール（２：　Ｉ　Ｖ／Ｖ　）　１５　ｄで抽出する。

精製された有機層を順次に夫々６ｍｌのクロロホルム−
メタノール−ＮＨ，水溶液（３：　４８　：　４７　、
　Ｖ／’ＩＩ’／Ｖ　）及びクロロホルム−メタノール
−水（！Ｉ：　ａｓ　：　４７．ｖ／ｖ／Ｖ）で洗滌す
る。減圧で溶剤の除去及びペンゾールの存在下蒸発後、
相生酸物が得られる。

これをシリカゲルでりｑロホルムーメタノールー傾斜液
を用すて中圧クロマトグラフイ−によって精製する。こ
の場合純粋物質１１０■（８２％収率）を６　：　４　
（Ｖ／Ｖ）のクロロホルム−メタノール−割合で溶離す
る。純粋物質は薄層クロマトグラフィーでシリカゲル上
に単一スボッ）　；　Ｒｆ　Ｏ，２５を示す（展開剤：
クロロホルム−メタノール−２５にＮＨｓ水溶液、６５
　：　５５　：　ｓ　、　Ｖ／ｖ／Ｖ　）。

放射能ｉｊ　１　ｕｃｉ／ｍ　Ｍｏｂである。

’Ｈ−１ｉＭＲ−スペクトル：δｐｐｍ　（０ＤＯ１，
−ＣＤ、　ＯＤ２／１　、　”Ｉ／’Ｖ　）　０．９０
　（７”　）ｖ　−ＣＨｓ　、　３Ｈ）　；　１．２６
（（ＯＨ２）ｎ＋　’ｌ’　）　；　１　。６６　（Ｈ
ｔ　０−０−００　＊　ｍ　＋　２Ｈ）’：＋ ３．１６（Ｅ［、Ｃ−Ｎ　、ａ、９Ｈ）；　５．３−４
．４　（グリセロール及びコリン−（Ｈ，，８Ｈ）　：
　５．２５　（グリセｏ　−）Ｌｔ　−ＯＨ、ｍ、　Ｉ
　Ｈ）　；　７，５５　（芳香族、　１５Ｈ）（Ｂ）　
２−　（１’−１４ｃ）−ドデカノイに一８ｎ−グリセ
ロ−３−ホスホコリン （Ｃ）１−オレオイル−２＋　（１／−１４０）−ドデ
カノイル−田−グリセロ−３−ホスホコリン１−０−ト
リフェニルメチル−２（１／　１４Ｃ）−ドデカノイル
−ａｎ−グリセロ−６−ホスホプリンから１−０−）リ
フェニルメチル基を例５、段階Ｂに記載した処理工程に
従って離脱し、その際形成され九２−（１／　１４０）
−ドデカノイル−８ｎ−グリセロ−３−ホスホコリンを
例５、段階Ｃと同様に無水油酸と反応させて１−オレイ
ル−２＋　（１７１番Ｃ）−ドデカノイル−５ｎ−グリ
セロ−３−ホスホコリンとなし、クロマトグラフィーに
ょシ精製する。

例　１２ ｆＡ）１−０−）リフェニルメチル−２−（９’。

１０′−ジブロムステアロイ／Ｉ／）−ｓｎ−グリセロ
−３−ホスホコリン １−０−　）す７壬ニルメチル−５ｎ−／リセロー５−
ホスホコリン（例ＩＫよる）５ｏｏＭ９を９．１０−ジ
ブロム無水ステアリン酸１．３１と例８、段階五に記載
し死処理法に従って４−Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノピリジ
ン３００Ｍ９の存在下クロロホルム２０−１中で５時間
２０’Ｃで反応させ、後処理する。純粋な１−０−　ト
リフェニルメチル−２−（？’、１０’−ジブロムステ
アロイル）−ａｎ−グリセロ−３−ホスホコリン４６０
１Ｒ９（８２％収率）が得られる０これは薄層クロマト
グラフィーで単一スポット；Ｒｆ−値０，３を示す（展
開剤：クロロホルム−メタノール−２５にＮＨ，水溶液
、６５：３５：　５　、　Ｖ／Ｖｖ）。

（Ｂ）　２−（９’、１０’−ジブロムステアロイＡ／
　）　−Ｂｒｘ−グリセロ−３−ホスホコリン （Ｃ）１−ステアロイル−２−（９’、１０’−ジブロ
ムステアロイル）−ｓｎ−グリセロ−３−ホスホコリン １−０−トリフェニルメチル−２−（９’、１０’−ジ
ブロムステアロイル）−ｓｎ−グリセロ−３−ホスホコ
リンカラ１−０−　）リフェニルメチル基を例５、段階
Ｂに記載した処理工程に従って離脱し、その際形成され
た２−（９’。

１０′−ジブロムステアロイル）−ｓｎ−りｌＪ＊ロー
６−ホスホコリンを例６と同様に無水ステアリン酸と反
応させ１−ステアロイル−２−（９’、１０’−ジブロ
ムステアロイル）　−ａｎ　−グリセロ−３−ホスホコ
リンとなし、クロマトグラフィーによシ精製する〇 例　１３ （Ａｌ　ｌ−〇−トリフェニルメチルー２−アラキトノ
イル−５ｎ−グリセロ−３−ホスホコリ／１−０−　ト
１７７エールメチルーθｎ−グリセロ−３−ホスホコリ
ン（例１による）　５５０１Ｒ９を例１２に記載した処
理法忙従って無水アラキト／酸１．５０ｇとアルゴン−
雰囲気下で反応させる。メタノール１５ｍ１の添加後、
クロロホルム−メタノール−水（３：４８：４７、Ｖ／
Ｗ／Ｖ　）　？　、ｆｉで洗滌し、次すで下層を減圧で
乾燥し、中圧クロ、マドグラフィーによシ精製する。１
−０−ト！７フエニルメチルー２−アラキト／イル−５
ｎ−グリセロ−３−ホスホコリン７５０１１１９（８０
％収率）が得られる。これは薄層クロマトグラフィーで
単一スポット：Ｒ４−値０．３を示す（展開剤：クロロ
ホルム−メタノール−２５％　ＮＨ，水淋液、６５　：
　３５：５．ｖ／ｖ／ｖ）。

（Ｂｌ　２−アラキトノイル−θｎ−グリセロー３−ホ
スホコリン （０）　１−ステアロイル−２−アラキジノイル−８ｎ
−グリセロ−３−ホスホコリン １−０−）リフエールメチル−２−アラキトノイル−５
ｎ−グリセロ−３−ホスホコリンから１−０−）リフェ
ニルメチル基を例５、段階Ｂに記載した処理工程に従っ
て離脱し、その際形成された２−アラキトメイル−８ｎ
−グリセロ−３−ホスホコリンを例６と同様に無水ステ
アリン酸と反応させ１−ステアロイル−２−アラキジノ
イル−８ｎ−グリセロ−３−ホスホコリンと力し、クロ
マトグラフィーによシ精製する。

例　１４ （Ａｌｌ−０−１リフェニルメチル−２−テトラコサノ
イル−５ｎ−グリセロ−３−ホスホコリン １−０−）リフェニルメチルーｓｎ−グリセロ−３−ホ
スホコリン（例１による）６１６１Ｒｇをテトラコサノ
イルイミダゾリド−これはテトラコサン酸１．７ｇ及び
カルボニルジイミダゾール３５６１１Ｉ９から製造され
る−と例５、段階ムに記載した処理法に従って反応させ
、後処理する。純粋な１−０−　）　ジフェニルメチル
−２−テトラコサ／イル−８ｎ−グリセロ−３−ホスホ
コリン８５０■（６２に収率）が得られる。これは薄層
クロマトグラフィーで単一スポット；Ｒｆ−値０．３を
示す（展開剤；クロロホルム−メタノール−２５にＮＨ
ｓ水溶液、６５：３５：５、ｖ／ｖ／ｖ）。

（Ｂ）２−テトラコサノイル−８ｎ−グリセロ−３−ホ
スホコリン （Ｃ！ｌ　１−オレオイル−２−テトラコサノイル−８
ｎ−グリセロ−３−ホスホコリン １−０−　ト１７フエニルメチルー２−テトラコサノイ
ル−１３ｎ−グリセロ−３−ホスホコリンから１−０−
）リフェニルメチル基を例５、段階Ｂに記載し次処理工
程に従って離脱し、その際形成された２−テトラコサノ
イル−〇ｎ−グリセロー３−ホスホコリンを例５、段階
Ｃと同様に無水油酸と反応させ、１−オレオイル−２−
テトラコサ／イル−８ｎ−グリセロ−３−ホスホコリン
となし、クロマトグラフィーによシ精製する。

例　１５ （Ａ）１−０−トリフェニルメチル−２−オレオイル−
５ｎ−グリセロ−３−ホスホ−（Ｎ−トリフェニルメチ
ル）−エタノールアミン油酸５Ｂ６■及びカルボニルジ
イミダゾール２５５１ｖをテトラヒドロ７ラン１０ｍ１
中で４５分間室温で水分の除去下に撹拌する。１−〇−
トリフェニルメチルー８ｎ−グリセロ−３−ホスホ−（
Ｎ−トリフェニルメチル）−エタノールアミン（例２に
よる）　４８０ｍｇをオレイルイミダゾリドの溶液に取
シ入れた後、ジメチルスルホキシド中にナトリウム金属
４１Ｍ９を有する溶液５．１ｍｌを加える。２０分間室
温で反応し、次いで０．１Ｎ水性酢酸１７．８憾で中和
する。氷水中に取シ入れ、３回ジエチルエーテルで抽出
し、精製された有機層を２回水洗し、Ｈａ！Ｓｏ、で乾
燥し、その後減圧で溶剤を除去する。粗生成物をシリカ
ゲルで石油エーテル−クロロホルム−傾斜液を用いてク
ロマトグラフィーによシ精製した後、目的生成物６３５
１Ｒ９が得られる。シリカゲル上で生成物の薄層クロマ
トグラフィー（展開剤：クロロホルム−メタノール９　
：　１　（Ｖ／９’）　）は単一スポット、ＲｆＯ，６
を示す。

ＩＨ−ＮＭＲ−スペクトル：δｐｐｍ　ＣＯＤｏｌｍ　
）０．８８　（−ＯＨ，）；　１．２６（−ＯＨ，−）
；　１．８−２．５（−ＯＨ，−ＯＨ，−０＝Ｏ、−ｃ
Ｈ！−ＯＨ！−０＝＝Ｏ）　；　３，１−ａ、３（グリ
セロール及びエタノールアミンＣ−ＸＩ）；５，１（グ
リ−ｋ　ａ　−ｋ　Ｏ，−０−Ｈ、、ｔ　レオイルＨＣ
三ＯＨ）　；　７．２５（）リフェニルメチル０−Ｈ）
。

（Ｂ）２−オレオイル−８ｎ−グリセロ−３−ホスホノ
−（Ｎ−）リフェニルメチル）−エタノールアミン メチレンクロリド３０ｍ１及びメタノール中に三フッ化
硼素を有する２０に溶液１ｍｌから成る混合物中Ｖｃ１
−０−）リフエールメチル−２−オレオイル−５ｎ−グ
リセロ−３−ホスホ／−（Ｎ−）リフェニルメチル）−
エタノールアミン４０６１９を有する溶液を３０分間０
℃で撹拌する。吹込でメチレンクロリド３０ｍ１を加え
、３回水洗し、有機層をＮａ２５ｏ４で乾燥する。

（Ｃ）１−バルミトイル−２−オレオイル−ｇｎ・−グ
リセロ−３−ホスホノ−（Ｎ−）！Ｊフェニルメチル）
−エタノールアミン 形成された２−オレオイル−８ｎ−グリセロ−３−ホス
ホノ−（Ｎ−トリフェニルメチル）−エタノールアミン
の溶液に無水バルミチン酸Ｌ３．！；’及びジメチルア
ミノピリジン２５Ｑ■を加える反応混合物を６時間２０
’Ｃで撹拌する◇その後溶剤を減圧で除去する。残留物
をシリカゲルで石油エーテル−クロロホルム−傾斜液を
用いてクロマトグラフィー分離した後、純粋なアシル化
生成物３６１■が得られる。化合物は薄層クロマトグラ
フィーでシリカゲル上に単一スポット、ＲｆＯ，６を示
す（ＨＩＪ：クロロホルム−メタノール９／１（Ｖ／Ｖ
）　）。

ＩＨ−ＮＭＲ−スペクトル＝δｐｐｍ　Ｃ０ＤＣｌｓ　
）０．８８（−０Ｈ，）　；　１．２２　（−Ｃ！Ｈ！
−）；ｆ、５５（−（７Ｅ！、　−０−Ｃｏ　）　；　
１．８−２．３　（（Ｈ，−ＯＨ，−Ｑ＝　、−ＯＨ，
−０＝０　）　；　３．１−４．３　（グリセロール及
びエタノールアミンｃ−Ｈ）；５．１（グリセロール＝
０−Ｈ，、ｄ−Ｌ／、ｔイルｃＨ＝ＯＨ）　；　７，２
５　（）リフェニルメチル０−Ｈ）。

（Ｄｌ　１−パルミトイ／ｌ／　−２−オレオイ）Ｌ／
−ＢＨ−グリセロ−６−ホスホニタノールアミンメチレ
ンクロリド６−１及びトリフルオル酢酸６ｍｌから成る
混合物１２戒中に１〜バルミトイル−２−オレオイル−
８ｎ−３−グリセロ−（Ｎ　−）　Ｉ７　フェニル−メ
チル）エタノールアミン１９ＯＮ９を有する溶液を水分
の除去下５分間０℃で放置する。次いで６％アンモニア
水溶液を用いて−注ぎで中和する。水性層を分離し、ク
ロロホルム−メタノール２／１　（Ｖ／’Ｖ　）で抽出
する。精製された有機層を水洗する。

減圧で溶剤の除去後、粗生成物をシリカゲルでクロロホ
ルム−メタノール−傾斜液を用いてクロマトグラフィー
により精製する。化合物は薄層クロマトグラフィーでシ
リカゲル上に単一スポット、Ｒｆ　Ｏ，５を示す（展開
剤：クロロホルム−メタノール−２５にＮＨｓ水溶液、
５０：２５：６（φ戸））。

例　１６ （Ａｌｌ−０−１リフェニルメチル−２−リルオイルー
８ｎ−グリセロ−６−ホスホノ−（Ｎ−トＩＪ　フェニ
ルメチル）−エタノールアミンＩＪ　／−ル酸４６４■
及びカルボニルジイミダゾール３６５〜を４５分間テト
ラヒドロフラン１５ｍ１中で２０℃で反応させる。形成
されたアシルイミダゾリドの溶液を１−０−）リフェニ
ルメチルー８ｎ−グリセロ−３−ホスホ−（Ｎ　−トリ
フェニルメチル）−エタ／−＃アミン（例２による）５
３０■に加える。

溶剤を減圧で除去後、残留物をジメチルスルホキシド１
５帷中で溶解し、反応をジメチルスルホキシド３．７ｄ
中に金属ナトリウム４９■を溶解して得られる触媒的に
作用する酸結合剤の添加によって開始する。反応混合物
を時折りの振とう下で２０分間２０℃で保ち、次いで水
性０．１Ｎ酢酸を用いて−注ぎで中和する。次いで２回
夫々２０ｍ１のクロロホルム−メタノール２　：　１　
（Ｖ／Ｖ）で抽出する。精製された有機層を順次に夫々
８ｍｌのクロロホルム−メタノール−ＮＨ，−水溶液（
３：４Ｂ＋４７ｖ／／ｖ／ｖ）及びクロロホルム−メタ
ノール−水（５：４Ｂ＋４７、ｖ／ｖ／ｖ）で洗滌する
。減圧で溶剤の除去及びペンゾールの存在下で蒸発後、
粗生成物が得られる。これはシリカゲルでクロロホルム
−メタノール−ａ斜ｉ　を用いて中圧クロマトグラフィ
ー忙よって精製後純粋化合物６７０１１ｇ（９２％収率
）を生じる。

純粋化合物は薄層クロマトグラフィーでシリカゲル上に
単一スボッ）、ＲｆＯＪｌを示す（展［１１：メタノー
ル−クロロホルム８：３ｖ／ｖ）。

（Ｂ）２−リルオイルーｓｎ−グリセロ−３−ホスホノ
−（Ｎ　−トりフェニルメチＡ／）−エタノールアミン １−０−　）　ＩＪフェニルメチル−８ｎ−グリセロ−
６−ホスホノ−（Ｎ−トリフェニルメチル）−エタノー
ルアミン４５５■から例１５、段階Ｂに記載した処理法
に従って１−０−　トリフェニルメチル基をメタノール
中に三フッ化硼素を有する２０％溶液０，５ｍｌで離脱
する。

（Ｃ）１−オレオイル−２−リルオイルーｓｎ　−グリ
セロ−６−ホスホ−（Ｎ−）リフェニルメチル）−エタ
ノールアミン （Ｄ）１−オレオイル−２−リルオイルーｓｎ−グリセ
ロ−３−ホスホエタノールアミン２−リルオイルーｓｎ
−り’）七ロー３−ホスホ−（Ｎ−）リフェニルメチル
）−エタノールアミンを例１５、段階Ｃに於ける処理工
程に準じて無水油酸で更にアシル化して１−オレオイル
−２−リルオイ／Ｌ／　−Ｂ　ｎ−グリセロ−３−ホス
ホ−（Ｎ−）リフェニルメチル）−エタノールアミンと
なし、これから例１５％段階りに記載した処理法に準じ
てＮ−）リフェニルメチル残基を離脱する。

例　１７ （Ａ）１−０−）リフェニルメチルー２−ステアロイル
−θｎ−グリセロー５−ホスホー（Ｎ−トリフェニルメ
チル）−エタノールアミンを例１６、段階ムに於ける処
理工程に準じて１−〇−トリフェニルメチルー８ｎ−グ
リセロ−３−ホスホ−（Ｎ−トリフェニルメチル）−エ
タノールアミン３８０＃ｌｌ；ｌとステアロイルイミダ
ゾリド！１５０■との反応によって製造する０ （Ｂ）　２−ステアロイル−日ｎ−グリセロー３−ホス
ホ−（Ｎ−トリフェニルメチル）−エタノールアミンが
１−ｏ−トリフェニルメチル基を段階Ａで得られた生成
、物から例１５、段階Ｂに記載した処理工程に従って離
脱して得られる。

（Ｃ）１−オレオイル−２−ステアロイル−ａｎ−グリ
セロ−３−ホスホ−（、Ｎ−トリフェニルメチル）−エ
タノールアミン （Ｄ）１−オレオイル−２−ステアロイル−ｓｎ　−グ
リセロ−６−ホスホエタノールアミン段階Ｂで得られた
２−ステアロイル−皿−グリセロ−３−ホスホ−（Ｎ　
−ト１７　ｙエニルメチル）−エタノールアミンを例１
５、段階Ｃに於ける処理工程に準じて無水油酸１．５ｇ
と反応させ１−オレオイ／ｌ／　−２−ステアロ−イル
−日ｎ−グリセロー３−ホすホ−（Ｎ−トリフェニルメ
チル）−エタノールアミン３４０■となす。例１５、段
階りに於ける処理工程に準する脱トリチル化は１〜オレ
オイル−２−ステアロイル−８ｎ−グリセロ−３−ホス
ホエタノールアミン２５０■を生じる。これからシリカ
ゲルでクロロホルム−メタノール−傾斜液を用すてクロ
マトグラフィー分離して純粋生成物１４０鞭が得られる
。これは薄層クロマトグラフィーで単一スポット、Ｒｆ
−値０．５を示す（展開剤：クロロポルム−メタノール
−２５％ＮＨ，水溶液、５０：２５：６、Ｖ、Ａｌ／Ｖ
）。

例　１８ （Ａｌｌ−０−１リフェニルメチル−２−アセチル−５
ｎ−グリセロ−３−ホスホ−（ｌｉ−）リフェニルメチ
ル）−エタノールアミン １−０−トリフェニルメチル−５ｎ−ｆリセμ−６−ホ
スホ−（Ｎ−トリフェニルメチ、Ａ／）−エタノールア
ミン（例２による）３０ＯＮｇを無水酢酸５００憾と水
不含ピリジ１５ｍ１．中で２０時間２０℃で反応させる
。次いで氷水５０ｍ１上に注ぎ、２回クロロホルム−メ
タノール２　：　１　（Ｖ／Ｔ）で抽出する。精製され
た有機層を２回クロロホルム−メタノール−水３：　、
ｉ　ｓ　：　ａ　７　（Ｖ／％’４）で洗滌し、重炭酸
ナトリウムで乾燥し、減圧下乾燥物となす。残シのピリ
ジンをトルオ・−ル・の存在下蒸発して除去する。粗生
成物をシリカゲルでクロロホルムーメタノールー傾斜液
を用いて中圧クロマトグラフィーにより精製する。得ら
れた純粋物質（１２８１＋Ｉｇ、４０％収率）は薄層ク
ロマトグラフィーでシリカゲル上に単一スポット、Ｒ４
−値０．５０を示す（展開剤：クロロホルム−メタノー
ル８：２、ｖ／ｖ）。

ＩＨ−ＮＭＲ−スペクトル＝δｐｐｍ　（ＣＤＯｌ、　
−ＣＯＤ、　ＣＤ２　：　１　、　Ｖ、／ｖ）；　２．
０　（Ｈｓ　Ｃ！　Ｃｏ、　Ｓ　、　３Ｈ）　：　２，
８−４．２（グリセロール及びコリン−ＣＨｔ　）　；
　ｓ、１６（グリ＊　Ｃ１−ルーＯＲ、ｍ、ＩＨ）　；
　７．２３　（芳香族３０Ｈ）１−０−トリフェニルメ
チル−２−アセチル−０ｎ−グリセロ−６−ホスホ−（
Ｎ−トリフェニルメチルアミン）−エタノールアミンを
例１５の段階Ｂ、Ｏ及びＤに於ける処理工程に準じて次
のその他の生成物に変える： （Ｂ）２−アセチル−ｅｎ−グリセロ−６−ホスホ〜（
Ｎ−トリフェニルメチル）−エタノールアミン （Ｃ）１−バルミトイル−２−アセチル−８ｎ−グリセ
ロ−６−ホスホ−（Ｎ−トリフェニルメチル）−エタノ
ールアミン （Ｄ）１−バルミトイル−２−アセチル−５ｎ−グリセ
ロ−３−ホスホエタノールアミン 例　１９ （Ａｌｌ−０−トリフェニルメチル−２−プＵピオニル
ーａｎ−グリセ１２−５〜ホスホ−（Ｎ−トリフェニル
メチル）−エタノールアミン１−０−　トＩＪフェニル
メチルー０ｎ−グリセロ−３−ホスホ−（Ｎ−）リフェ
ニルメチル）−エタノールアミン（例２による）　４５
０１１１ｐを無水プロピオン酸９００〜とピリジン１０
戚中５０℃で例１８、段階ＡＫ於ける処理工程に準じて
反応させ１−０−）リフエールメチル−２−プロピオニ
ル−５ｎ−グリセロ−３−ホスホ−（Ｎ−）リフェニル
メチル）−エタノールアミンとかし、後処理し、精製す
る。

収量２２０■（理論値の４５９６’）；Ｒｆ−値０．５
得られた生成物を例１５、段階Ｂ、Ｏ及びＤに於ける処
理工程忙準じて次の化合物に変える：（Ｂ）２−プルピ
オニル−５ｎ−グリセロ−３−ホｘホー（Ｎ−トリフェ
ニルメチル）−エタノールアミン （Ｃ）１−バルミトイル−２−プロピオニル−ａｎ−り
ＩＪ七コロ−３ホスホ−（Ｎ　−）　１７７エ二ルメチ
ル）−エタノールアミン （Ｄ）１−バルミトイル−２−プロピオニル−Ｂｎ〜グ
リセロ−３−ホスホエタノールアミン例　２０ （Ａ）１−０−）リフェニルメチルー２−ブチリル−５
ｎ−グリセロ−３−ホスホ−（Ｎ−トリフェニルメチル
）−エタノールアミン １−０−トリフェニルメチル−８ｎ−グリセロ−３−ホ
スホ−（Ｎ−）リフェニルメチル）−エタノールアミン
（例２による）ＳＯＯ■をブチリルイミダゾリド−これ
は酪酸１！１２■及びカルボニルジイミダゾール２６７
Ｍ９から得られるーで例１６、段階Ａと同様にアシル化
し、後処理し、精製する＠得られた生成物（５００ｙｎ
ｇ、５６％収率；Ｒｆ−値ｏ、５２、シリカゲル上、展
開剤：クロロホルム−メタン−ル８：２、ｖ／ｖ）ヲ例
１５、段階ｎ、ａ　及びＤに於ける処理工程に準じて更
に反応させる； （Ｂ）２−ブチＡ／　−ａ　ｎ−グリセロ−３−ホスホ
−（Ｎ−１リフエニルメチル）−エタノールアミン （Ｃ）１−バルミトイル−２−ブチリル−８ｎ−グリセ
ロ−３−ホスホ−（Ｎ−）す７二二ルメチル）−エタノ
ールアミン （Ｄ）１−バルミトイル−２−ブチリル−８ｎ−グリセ
ロ−３−ホスホエタノールアミン 例　２１ （Ａ）１−０〜トリフェニルメチル−２−インブチリル
−８ｎ−グリセロ−３−ホスホ−（Ｎ−トリフェニルメ
チル）−エタノールアミン１−０−１リフェニルメチル
−８ｎ−グリセロ−３−ホスホ−（Ｎ−トリフェニルメ
チル）−エタノールアミン（例２ＶＣよる）　５００Ｗ
をインプチリルイミダメリドーこれはイン酪酸１ｓ２１
１９及びカルボニルジイミダゾール２６７１１１９から
得られる−で例１６、段階Ａと同様にアシル化し、後処
理し、精製する。

得られた生成物（２７ｚ１１ｖ、ｓｏＨ収率；Ｒｆ−値
０．５５．シリカゲル上で、展開剤：クロロホルム−メ
タノール８　：　２　、　ｖ／ｖ’）は次のスペクトル
値を示す： ’Ｈ−ＮＭＲ−スペクトル：δｐｐｍ　（ＯＤＯｌｓ　
−ＣＤｓ　０Ｄｙ２：１、ｖ／ｖ）　１．２（ＯＨ３，
６Ｈ）　；　２，５　３．９　（グリセロール及びコリ
ンＯＨ，、８Ｈ）　；　５．２６　（グリセロール−Ｏ
Ｈ，ｍ、　ＩＨ）　；　７．２３　（芳香族、３０Ｈ）
１−０−）リフエールメチル−２−インブチリル−８ｎ
−グリセロ−６−ホスホ−（Ｎ−ト１）フェニルメチル
）−エタノールアミンを例１６、段階Ｂ、Ｏ及びＤに準
じて次の化合物に変える。

（Ｂ）２−インブチリル−８ｎ−グリセロ−３−ホスホ
−（Ｎ−トリフェニルメチル）−エタノールアミン （Ｃ）１−オレオイル−２−インブチリル−８ｎ　−グ
リセロ−３−ホスホ−（Ｎ　−トリフェニルメチ／Ｌ／
）−エタノールアミン （Ｄ）１−オレオイ／ｌ／−２−インブチリル−５ｎ−
グリセロ−３−ホスホエタノールアミン例　２２ （（転）　１−０−１−リフェニルメチルーｚ−（ｘ’
−トリフルオルメチルブチリル）−ａｎ−グリセロ−６
−ホスホ−（Ｎ−トリフェニルメチｆｉ／）−エタノー
ルアミン ｌ−０−）ＩＪフェニルメチル−８ｎ−グリセロ−３−
ホスホ−（Ｎ−トリフェニルメチル）−エタノールアミ
ン（例２１Ｃよる）９００１１ｖ及び無水６−トリフル
オルメチルブチリル５００■をメチレ／クロリド５〇−
中で４−Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノピリジン３００１ｖの
添加後、４時間２０℃で撹拌する。水の添加後援とうし
、有機層をＮａ、　ｓｏ、で乾燥し、減圧で蒸発する。

粗生成物をシリカゲルでクロロホルム−メタノール−傾
斜液を用いて０．５容量にＮＨ８水溶液の存在下中正ク
ロマトグラフィーによって精製した後、１−０−）す７
二二ルメチルー２−（３’−）リフルオルメチルプチリ
ル）−Ｂｎ−グリセロ−５−ホスホ−（Ｎ−トリフェニ
ルメチル）−エタノールアミン８２０■（７６に収率；
Ｒｆ−値０．５０、シリカゲル上で、展開剤：クロロホ
ルム−メタノール８：２、′ｖ／ｖ）が得られる。この
生成物を例１５、段階Ｂ、Ｏ及びＤに準じて次の化合物
に変える〇 （Ｂ）　２−（５’−トリフ／Ｉ／オルメチルブチリル
）−ｓｎ−グリセロ−３−ホスホ−（Ｎ−トリフェニル
メチ／Ｉ／）−エタノールアミン（Ｃ）１−バルミトイ
ル−２−（３’−トリフルオルメチルブチリル）−日ｎ
−グリセロー３−ホスホ−（Ｎ−トリフェニルメチ／Ｉ
／）−エタノールアミン （Ｄ）１−バルミトイル−２−（３’−）リフルオルメ
チルプチル）−ｓｎ−グリセロ−３−ホスホエタノール
アミン 例　２３ 囚　１−０−トリフェニルメチル−２−（２’−ブチル
ヘキサン酸Ａ／）　−５ｎ−グリセロ−３−ホスホ−（
Ｎ−トリフェニルメチル、）−エタノールアミン １−０−　トＩ）フェニルメチル−８ｎ−グリセロ−３
−ホスホ−（Ｎ−トリフェニルメチル）−エタノールア
ミン（例２による）４３０■を２−ブチルヘキサノイル
イミダゾリド−これは２−ブチルヘキサン酸２００■及
びカルボニルジイミダゾール２１０■から得られる−で
例１６、段階ムと同様にアシル化し、後処理し、精製す
る。得られた生成物（３７０■、７０に収率；Ｒｆ−値
０．５５、シリカゲル上で、展開剤：クロロホルム−メ
タノール８：２、Ｖ／Ｖ　）を例１５、段階Ｂ、Ｏ及び
ＤＫ、於ける処理工程に準じて次の化合物に更に変える
： （Ｂ１２−（２’−ブチルヘキサノイル）−８ｎ−グリ
セロ−３−ホスホ−（Ｎ−１リフエニルメチル）−エタ
ノールアミ・ン （Ｃ）１−バルミトイル−２−（２’−ブチルヘキサノ
イル）−ｓｎ−グリセロ−５−ホスホ−（Ｎ−トリフェ
ニルメチル）−エタノールアミン（Ｄ）１−バルミトイ
ル−２−（２’−ブチルヘキサノイル）−ｓｎ−グリセ
ロ−５−ホスホエタノールアミン 例　２４ （Ａ）１−０−トリフェニルメチル−２〜アラキトノイ
ル−θＤ−グリセロー３−ホスホー（Ｎ−トリフェニル
メチ／Ｌ／）−エタノールアミン１−０−　トＩＪ　フ
ェニルメチル−日ｎ−グリセロー３−ホスホ−（Ｎ−）
リフェニルメチル）−エタノールアミン（例２による）
５００ｒｎ９及び無水アラキドン酸８９０■をメチレン
クロリド５０−７中で４−　Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノピ
リジン！１ｏｏｒｎ９の添加後４時間２０℃で撹拌する
。水の添加後援とうし、有機層をｎａｔｓｏ４で乾燥し
、減圧で蒸発する。粗生成物をシリカゲルでクロロホル
ム−メタノール−傾斜液を用いて０．５容量％水性ＮＨ
，の存在下に中圧クロマトグラフィーによシ精製した後
、１−０−）リフェニルメチルー２−アラキトメイル−
５ｎ−グリセロ−３〜ホスホ−（Ｎ−トリフェニルメチ
ル）−エタノールアミン（８２Ｘ収率；Ｒｆ−値ｏ、６
１、シリカゲル上テ、展開剤：クロロホルム−メタノー
ル８：２　、　Ｖ７ＡＩ　）　５２　ｇ■が得られる。

この生成物を例１５、段階Ｂ、Ｏ及びＤに準じて次の化
合物に変える： （Ｂ）２−アラキトノイル−８ｎ−グリセロ−３−ホス
ホ−（ｎ−１−リフェニルメチル）−エタノールアミン （（り　１−バルミトイル−２−アラキトノイル−θｎ
−グリセロ　３−ホスホ−（Ｎ−トリフェニルメチル）
−エタ／−＃アミン （Ｄｌ　１−　バルミトイル−２−アラキトノイル−８
ｎ−グリセロ−６−ホスホエタノールアミン例　２５ （人）　１−０−）リフェニルメチルー２−テトラコサ
ノイル−８ｎ−グ′リセ・ロー３−ホスホ−（Ｎ−トリ
フェニルメチル）−エタノールアミン１−０−ト！Ｊフ
ェニルメチルー０ｎ−グリセロ−３−ホスホ−（Ｎ−）
リフェニルメチル）−エタノールアミン（例２による）
５００〜をテトラコサノイルイミダゾリドーーーこれは
テトラコサン酸１．５７．９及びカルボニルイミダゾー
ル２６７■から得られるｍ−で例１６、段階人と同様に
アシル化し、後処理し、精製する。得られた生成物（６
４０牽、９０％収率；Ｒｆ−値０．６、シリカゲル上で
、展開剤：クロロホルム−メタノール８：２、Ｖ／’ｌ
’）ヲ例１５、段階Ｂ、Ｃ及びＤに於ける処理工程に準
じて次の化合物に更に変える。

（Ｂ）２−テトラコサノイル−８ｎ−グリセロ−６−ホ
スホ−（Ｎ　−）　１７　フェニルメチル）−エタノー
ルアミン （Ｃ）１−バルミトイル−２−テトラコサノイル−ｓｎ
−グリセロ−３−ホスホ−（Ｎ−トリフェニルメチル）
〜エタノールアミン （Ｄ）１−バルミトイル−２−テトラコサノイル−ｅｎ
−グリセロ−６−ホスホエタノールアミ例　２６ （Ｃ）１−ステアロイル−２−オレオイル−ｓｎ　−ク
リセロ−３−ホスホ−（Ｍ−）　１！７フエニルメチル
）−エタノールアミン メチレンクロリド１５０ｍ１中に２−オレオイル−θｎ
−グリセロー３−ホスホー（Ｎ−トリフェニルメチル）
−エタノールアミン−こ；ｈｔＪ：１−０−トリフェニ
ルメチル−２−オレオイル−８ｎ−グリセロ−３−ホス
ホ−（Ｎ−トリフェニルメチル）−エタノールアミン（
例１５、段階Ａ及びＢ参照）から得られる−を有する溶
液に無水ステアリン酸３．５Ｉ及び４−　Ｎ、Ｎ−ジメ
チルアミノピリジン６２５〜を加える・反応混合物を３
時間２０’Ｃで撹拌し、次いでクロロホルム−メタノー
ル−水（３：４８：４７、ｖ、’ｖ　）　４５　ｄ及び
メタノール７５妊、を加える。振とり後、下層を分離り
、ｌｃ２回夫々４５ｄ、のクロロホルム−メタノール−
アンモニア水（３：４８：４７、Ｖ／ｖ／ｖ）で並びに
１回クロロホルム−メタノール−水（３：４８：４７、
ｖ／ｖ／ｖ）で洗滌する。溶剤を減圧で除去後、粗生成
物をシリカゲルでクロロホルム−メタノール−傾斜液を
用いて中圧クロマトグラフィーによって精製する・この
場合純粋物質９９０■（８９に収率、　Ｒｆ−値０．６
、シリカゲル上で、展開剤：クロロホルム−メタノール
９：１、ｖ／ｖ）が得られる。

（Ｄ）１−ステアロイル−２−オレオイル−ｓｎ　−グ
リセロ−５−ホスホエタノールアミン１−ステアロイル
−２−オレイル−５ｎ−グリセロ−３−ホスホ−（Ｎ−
トリフェニルメチル）−エタノールアミン１ｇをＦ・リ
フルオル酢酸３０ｍ１中で５分間０℃で放置する◇後処
理を例１５、段階りと同様に行う。純粋物質ｓｓｏｍｐ
（７２に収率）が得られる。これはＷ層りロマトグラフ
ィーでシリカゲル上で単一スポット、Ｒｆ−値０．５を
示す（展開剤：クロロホルム−メタノール−２５にＮＨ
，、５０：２５：６、Ｖ／Ｖｖ　） 例　２７ （Ｃ）１−ステアロイＡ／−２−リルオイル−８ｎ−グ
リセロ−６−ホスホ−（Ｎ−トリ７エ二ルメチル）−エ
タノールアミン （Ｄｌ　１−ステアロイル−２−リルオイルー８ｎ−グ
リセロ−３−ホスホエタノールアミン１−０−）ジフェ
ニルメチル−２−リルオイル−８ｎ−グリセロ−３−ホ
スホ−（Ｎ−トリフェニルメチル）−エタノールアミン
７００■から得られた２−リルオイルーｅｎ−グリセロ
−６−ホスニー（Ｎ　−）　ＩＪフェニルメチル）−エ
タノールアミン（例１６、段階ム及びＢ参照）にメチレ
ンクロリド中で無水ステアリン酸２．２　ｇ及び４−　
Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノピリジン！１９０〜を加え、５
時間室温で撹拌する。得られた生成物を例１５、段階り
に記載された様にトリフルオル酢酸と反応させ、精製す
る。

純粋々１−ステアロイルー２−リルオイルーｓｎ−クリ
セロ−３−ホスホエタノールアオン２５０　Ｗ、９が得
られる。これは薄層クロマトグラフィーでシリカゲル上
で単一スポット；Ｊｔｆ−値０．５を示す（展開剤：例
２６に於けると同様ナクロロホルムーメタ／−ル）。

代理人　江　崎　光　好 代理人　江　崎　先　史

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. （１）　一般式（１） （式中Ｔは非置換のあるいはＣ，−Ｃ，アルキル基、Ｃ
   １’ｆｉアルコキシ基又基又−ハロゲン原子って１−又
   は数回置換されたトリフェニルメチル基を示し、 Ｒ１ｅ　Ｒ２ｐ　ＲＢは同一であシ、夫々メチル基を示
   す又は相異シ、この場合残基ＲＩｙ　Ｒ２及びＲ８のう
   ち２つは常に水素原子を示し、三番目の残基は非置換で
   あるか又はＣ，−ａ、アルキル基、Ｃ１−Ｃ，アルコキ
   シ基又はハロゲン原子によって１−又は数回置換された
   トリフェニルメチル基である。） で表わされるＳｎ−グリセロ−６−ホスホコリン−及び
   Ｏｎ−グリセロ−３−ホスホエタノールアミンのトリフ
   ェニルメチル誘導体。
2. （２）　一般式（Ｉｌｌ （式中Ｒ，、Ｒｔ、　Ｒ，は同一であり、夫々メチル基
   を示す又は相異シ、この場合残基Ｒ１，Ｒ，及びＲ３の
   うち２つは常に水素原子を示し、三番目の残基は非置換
   であるか又はＯ，−０，アルキル基、ＣＩ　’１１アル
   コキシ基又はハロゲン原子によって１−又は数回置換さ
   れたトリフェニルメチル基である。） で表わされるＯｎ−グリセロ−３−ホスホコリン又は８
   ｎ−グリセロ−３−ホスホノ−（Ｎ−トリフェニルメチ
   ル）−エタノールアミン、これと無機もしくは有機−酸
   又は−塩基との塩あるいはこれと金属塩との錯体を一般
   式（ｍｌＴ　−Ｘ　（１１１１ （式中Ｔは非置換のあるいは０１−０６アルキル基、Ｃ
   ２−Ｃ１１アルコキシ基又はハロゲン原子によって１−
   又は数回置換されたトリフェニルメチル基を示し、 Ｘは反応性離脱基、念とえばクロル−、ブロム−又はヨ
   ード原子を示す。） で表わされる反応性トリフェニルメチル誘導体と養子う
   〈不活性有機溶剤又は溶剤混合物中室温ないし溶剤の沸
   騰温度又は溶剤混合物のもつとも低沸点の溶剤成分の沸
   騰温度で反応させること釦よってグリセリンの１位の酸
   素をトリチル化することを特徴とする一般式（１１ （式中Ｔｔ　Ｒ１＊Ｒ１及びＲ８は上述の意味を有する
   。） で表わされる８ｎ−グリセロ−６−ホスホコリン−及ヒ
   ｓｎ−グリセロー３−ホスホエタノールアミン−誘導体
   の製造法。
3. （３）　一般式（ＩＩｌｌなる活性なトリフェニルメチ
   ル誘導体として使用される一般式（Ｉｌ）々る化合物１
   モルあたシ１．５−ないし３倍モル過剰のトリフェニル
   メチルクロリドを使用することよりなる特許請求の範囲
   第２項記載の方法。
4. （４）反応を過剰のプロトン受容体の存在下に実施する
   ことよシなる特許請求の範囲第２項又は第３項のいずれ
   かに記載した方法。
5. （５）反応をプロトン受容体として第三級アミン又はペ
   テロ環状塩基の存在下実施することよシなる特許請求の
   範囲第２項ないし第４項のいずれかに記載した方法。
6. （６）反応を２０〜８０℃の温度範囲で実施することよ
   ）なる特許請求の範囲第２項々いし第５項のいずれかに
   記載した方法。
7. （７）　グリセリンの１及び２位に相互に無関係に種々
   のアシル残基を有する限定された化学構造を有する対掌
   体不含ホスファチジルコリン及びホスファチジルエタノ
   ールアミンの製造のために一般式（１） （式中Ｔは非置換のあるいはＣ，−Ｃ，アルキル基、ａ
   、−Ｃ・アルコキシ基又はハロゲン原子によって１−又
   は数回置換されたトリフェニルメチル基を示し、 Ｒ１ｖＲ２＋　Ｒａは同一であり、夫々メチル基を示す
   又は相異シ、この場合残基Ｒｓｔ”を及びＲ３のうち２
   つは常に水素原子を示し、三番目の残基は非置換である
   か又はＣ，−Ｃ，アルキル基、Ｃ３−０６アルコキシ基
   又はハロゲン原子によって１−又は数回置換されたトリ
   フェニルメチル基である） で表わされるａｎ−グリセロ−３−ホスホコリン−及び
   ｓｎ−グリセロ−３−ホスホエタノールアミンを使用す
   る方法。
8. （８）一般式（Ｎ’１ １ （式中Ｒ、ｔ、　Ｒ２／、Ｒ３ｔは同一であシ、夫々３
   個の水素原子又は！ＩＷＡのメチル基であシ、Ｒ４及び
   Ｒ５は相異シ、相互に無関係に非置換のあるいはハロゲ
   ン原子又はアルコキシ基によって１又は数回置換された
   、直鎖状又は分枝状Ｃｔ−Ｃｔａアルキル−あるいは直
   鎖状又は分校状１−又は数回不飽和の’ｊ　’Ｑ４アル
   ケニル基を示す。） で表わされる混合置換された１、２−ジアシル−ａｎ−
   グリセロ−３−ホスホコリン及び１，２−ジアシル−５
   ｎ−グリセロ−３−ホスホエタノールアミンの製造のた
   めに前記一般式（１１なるる化合物を一般式Ｒ，０ＯＯ
   Ｈなるカルボン酸のアシル化作用の誘導体でアシル化し
   、一般式（） （式中Ｔ＃　Ｒ１ｅ　Ｒ１ｔ　”１１は一般式（ＩＬＫ
   於けると同一の意味を有し、Ｒ４は一般式（Ｍに於ける
   と同一の意味を有する。） で表わされる化合物となし、その後一般式（Ｖ）なる得
   られた化合物から酸の作用によって−但し一般式ｆｆｌ
   　（式中残基Ｒ，，Ｒ，及びＲ８のうち１つはトリフェ
   ニルメチル基を示す・）なる化合物の場合酸はルイス酸
   である−１−〇−トリフェニルメチル基を一般式（■（
   式中Ｒ，、Ｒ，、Ｒ，及びＲ４は上述の意味を有する。 ） なる２−アシル−日ｎ−グリセロー３−ホスホコリン又
   は２−アシル−８ｎ−グリセロ−３−ホスホノ−（Ｎ−
   トリフェニルメチル）−エタノールアミンの形成下に離
   脱し、一般式（ＶｔＪなる化合物を一般弐Ｒ，０ＯＯＨ
   なるカルボン酸のアシル化作用の誘導体と反応きせるこ
   と釦よって一般式（■ａ） １ （式中へ、馬ｖ　Ｒ８は一般式（Ｉ）に於けると同一の
   意味を有し、Ｒ４及びＲ１は一般式（ＩＶＩＩＣ於ける
   と同一の意味を有する。） で表わされる１、２−ジアシル−ａｎ−グリセロ−３−
   ホスホコリン又は１，２−ジアシル−５ｎ−グリセロ−
   ３−ホスホノ−（Ｎ−１リフエニルメチル）−エタノー
   ルアミンへ更にアシル化し、その後一般式（Ｆ／ａ）　
   （式中残基Ｒ，，Ｒ，，及びＲｓはトリフェニルメチル
   基を示す。）々る得られた化合物を非プロトン性溶剤中
   で酸の作用下一般式（閘（式中残基Ｒ１′、鳥及びＲ／
   、は水素原子を示す。）なる化合物に変えゐことよシな
   る特許請求の範囲第７項記載の使用法。