JPH02502535A - イノシトールホスフェート同族体 - Google Patents

イノシトールホスフェート同族体

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JPH02502535A JP63502236A JP50223688A JPH02502535A JP H02502535 A JPH02502535 A JP H02502535A JP 63502236 A JP63502236 A JP 63502236A JP 50223688 A JP50223688 A JP 50223688A JP H02502535 A JPH02502535 A JP H02502535A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イノシトールホス7ニート同族体 本発明はイノシトールホスフェートエステルの同族体およびその製法に関する。
イノシトール[C,Ha (OH)i]は9種の異性体形があるヘキサヒドロキ シシクロヘキサンである。J’Q−イノシトールはcis−1。
2 、3 、5−trans−4、6−ヘキサヒドロキシシクロヘキサンである 。
ある種のイノシトールホスフェートは公知である。商業上重要でよく知られI; 誘導体の1つはフィチン酸(イノシトール六リン酸)である。まブニD−myo −イノシトール−1,3,4−トリスホス7ニート、1.4.5−異性体および 1,4.5.6−および1.3,4.5−テトラキスホスフニートも公知である 。これらの分子はそれらの生物学的役割はまだ十分解明されていないにものの生 物学的に重要である。それらは単離するのが幾分困離で、天然源からの収率は低 い。
1.4.5−トリスホスフニートエステルの合成はP (V)剤を用いるリン酸 化によって達成されているが、十分に満足すべきものではなく、該方法ではしば しば望ましくない工員ホスフェート環が形成される。
イノシトールホスフェートの生物学的重要性は多くの現在における興味および研 究の対象となっている。イノシトールホスフェートが関与することが判明してい るlの領域は細胞中でのカルシウムイオン輸送機構におけるものである。よって 、イノシトールホスフェートエステルの生化学に科学的研究を指向する物質j; ついての要求が存在し、勿論、かかる物質はイノシトールホス7ニート生化学の 機能不全により生起する臨床病の治僚で薬理学的有用性を有し得る。
本発明により、一般式I: C,H,(OH)、r(OPO!S) 2−L [(OPO,O)”) @−5 −s(I) [式中、nはOまたは]ないし5の整数であってmは1ないし6の整数を意味す る] を有するイノシトールホスホロチオニートが提供される。
かくして、本発明は、その6個のヒドロキシル基のうち1個またはそれ以上がホ スホロチオエート基によってエステル化され、残存する部位がヒドロキシルもし くはホスフニートエステル基によって占められたイノシトール分子を提供するも のである。
チオエート基の硫黄原子は研究試薬用の放射能標識化合物を提供するために硫黄 の放射性同位元素であってもよい。
また、本発明は、一般式■; C*Hs (OB)−[0F(OCHzCHxCN)s] s−−(II)[式 中、nは0または1ないし5の整数であってBはヒドロキシル−保護基を表す] を有するイノシトール誘導体を元素硫黄の溶媒中溶液と反応させ、次いで反応生 成物から該保護基を除去することを特徴とする一般式: %式% [式中、nはOま!:は1ないし5の整数であってmは1ないし6の整数を意味 する] ヲ有するイノシトールホスホロチオニートの製法を提供するものである。
式■中のBで表されるヒドロキシル−保護基は好ましくはベンジル基である。2 1法として、nが偶数であり、それによりヒドロキシル基がペアで保護される場 合は、インプロピリデンのごとき二価基を用いることもできる。
かくして、一般式■の化合物は別の弐HAまたは■B:CaHi(OBz)、  [0P(OCH,CH2CN)!] 6−。
(IIA) C=H=(0−i  P  r ’−0)−EOP (OCH2CHzc  N )xコ 。
(IIB) E式中、Bzはベンジル基、ier’はインプロピリデン基、nは0まt;は1 ないし5の整数、mは0まには1まプニは2であってpは2または4または6を 意味する] を有する。
一般式■の化合物を、例えばtert−ブチルヒドロペルオキシドのごときヒド ロペルオキシドで酸化して弐1〕;CsHs(OB  Z )−[OP O(O CHxCH2CN)sコ s−、l)を有する化合物を形成でき、次いでこれを 還元してヒドロキシ基を脱保護し、ホスフニートエステル基を形成できる。
出発物質、すなわち前記にて定義した一般式■を有するイノシトール誘導体は、 一般式■: CsHs (OB) −(OH) @−−(II[)[式中、nおよびBは前記 で定義したに同じ]を有する化合物を式■: (iPr)zNP(C(1)○CH! CH! CN   (rV )〔式中、 iPrはイソプロピル基を表す]を有するクロロ(2−シアノエトキシ)−N、 N−ジイソプロピルアミノホスフィンと反応させて一般式V:CsHi (OE ) 、 Io P (OCHICH2CN)N (iPr) a] 5−−(V ) 1式中、n%BおよびiPrは前記で定義したに同じ]を有する化合物を得:次 いで式Vの化合物をテトラゾールおよび2−シアノエタノールと反応させて一般 式Iの該化合物を得ることI:よって調製できる。
ベンジル化イノシトール出発物質(前記式m)は、ジニイ・ギツプ、アール・ギ ツプ、ニス・パイネおよびアール・コナント(J、Gigg。
R,Gigg、 S、 Payne &  R,Conant)  ;カルボヒ トラード・リサーチ(Carb、 Res、)、 140.c l 、(198 5);ジャーナル・オブ・ケミカル・ソサイニティ・パーキン・トランスアクシ ョンズ(、L Chem。
Soc、 Perk、 Trans、 )1.  (1987) 、 423に 記載されている方法に従って、インプロピリデン誘導体を経由し、イノシトール から調製できる。該インプロピリデン含有出発物質およびそれらの調製はジェイ ・ギツプ、アール・ギツプ、ニス・パイネおよびアール・コナント(J、 Gi gg、 R,Gigg、 S、 Payne &  R,Conant)  ; カルボヒトラード・リサーチ(Carb、 Res、)、1土2.132 (1 985)に記載されている。
弐■を有する試薬に関しては、エヌ・ディ・シンハ、ジェイ・ビルナート、ジェ イ・マクマナスおよびエイチ・ケスター(N、 D、 5inha、 J、 B iernat、 J、 McManus & H,Koester) ;ヌクレ イツク感アシッズ・リサーチ(Nucl、 Ac1ds Res、 )、12. 4539(1984)なる文献がある。この試薬は原理的にはポリヌクレオチド の合成に意図して使用されるものである。例えば、欧州特許出願35719号お よび米国特許出願3534017号;4415732号および4458066号 参照。
また、本発明は、一般式■; CaHs (OB)−[0P(OCHxCHxCN)x] a−1(II)1式 中、nは0または1ないし5の整数であってBはヒドロキシル保護基を表す] を有するイノシトール誘導体を有機過酸化物と反応させ;次いで反応生成物から 該保護基を除去することを特徴とする一般式I:CsHs (OH) −[(O P Ois) ”−] −[(OP Ozo) 2−] ]*−−−9式中、n は0または1なレル5の整数であってmは0を意味する]を有するイノシトール ホスフェートの製法を提供するものである。
有機過酸化物は好ましくはtert−ブチルヒドロペルオキシドである。
例としてmyo−イノシトールのテトラベンジル化誘導体を用いる本発明の反応 系図を示す添付図面を参照されたい。(DなレルC4v)として図面中で示す工 程に関係する試薬は以下のとおりである:C:)’;りao)yン中の(iPr )xNP (Cff )OCHzCHzCN。
C: Hs N (+P r)’ ! (ii)ジクロロメタン中のテトラゾール、HOCH,CHICN(iii)  tert−B u OOH(X−0について):ビリジン中の硫黄(X−Sにつ いて);および(iv)60℃のNH40H1引き続いての液体N Ha中のナ トリウ以下の寅施例において例を挙げて本発明を説明する。
(+、−)−1,2,4−トリー〇−ベンジルーmyo−イノシトール(0゜2 0ミリモル)をジクロロメタン中のクロ0(2−シアノニドキシ)−N、Nジイ ンプロピルアミノホスフィン0.66ミリモルおよびジイソプロピルエチルアミ ン(0,60ミリモル)で処理してトリスホスホルアミダイトを得た。該トリス ホスホルアミダイトとテトラゾールおよび2−シアノエタノールとの反応により 収率約90%でトリスホスファイトトリエステルを得た。”P  NMRスペク トロスコピーにより、ホスフッイトトリエステルのうち2つについてのAB系の 形態において’Jppスピンースピンカップリングが示され、隣接4.5−ジオ ール系のホスフィチル化が確認された。
tert−ブチルヒドロペルオキシド無水物での酸化により、トリホス7エート エステルが定量的に得られ、液体アンモニア中のナトリウムを用いる最終のデブ ロッキング(deblocking)によりベンジル基の還元的除去およびベー タ脱離による2−シアンエチル基の除去がなされてトリホスフニート生成物が得 られ、これをイオン交換クロマトグラフィーによって精製した。他のイノシトー ルホス7ニートの痕跡量汚染物を除去するt;めj;、精製物をさらにHP L  CI:よって精製した。D L−+++)・0−イノシトール−1,4,5− )リスホスフェートを約50%の収率で得1;。精製した生成物の31Pおよび ’HNMRスペクトルおよびSABマススペクトルは天然源から単離した同化合 物l;ついて報告されているものに一致し!:。
実施例2 (+、−)−1,2,3,4−テトラ−0−ベンジルmyo−イノシトールをジ クロロメタン中のクロロ(2−シアノエトキシ) −N、Nジイソプロピルアミ ノホスフィン2等量で処理してビスホスホルアミダイトを得た。該ビスホスホル アミダイトをテトラゾールおよび2−シアノエタノールで処理してビスホスファ イトトリエステルを得た。
”PNMRスペクトロスコピーは、4.5−ビスホスファイトトリエステル系に 帰せられるAB系により燐の約90%が計数できることを示しツ;。
該ビスホスファイトトリエステルをtert−ブチルヒドロペルオキシドで酸化 してビスホス2ニートトリニスチルを得た。アンモノリシスI=より2−シアン エチル基を除去しく温和なアンモノリシスが各ホスホトリエステルから2−シア ノエチル基1個のみを除去するごとく60℃までの3時間の加熱が必要であった )、液体アンモニア中のナトリウムでの処理によりベンジル基を定量的に除去し て(+、−)myo−イノシトール4.5−ビスホスフニートを得た。
実施例3 前記実施例2に記載したごとくに調製しf:、4.5−ビスホスファイトトリエ ステルを硫黄のピリジン中溶液と友応させてビスホスホロ−チオエートトリニス チルを得、引き続いて液体アンモニア中のナトリウムを用いて保護基を除去して (+、−)myo−イノシトール4.5−ビスホスホロチオエートを得た。特別 の用途として、硫黄を放射能活性とできる。
大罠匠主 (+、−) −1,2,4,5−ビスイソプロピリデン−rrlyO−イノシト ール(0,325ミリモル)をジクロロメタン(1mg)中のクロロ(2−シア ノエチル7)−N、Nジイソプロピルアミノホスフィン(0,715ミリモル) およびジイソプロピルエチルアミン(0,715ミリモル)と1時間反応させて ビスホスホルアミダイトを得た。テトラゾールおよび2−シアンエタノール(各 0.715ミリモル)との反応により、1.4−ビスホス7アイトトリエステル を得た。tert−ブチルヒドロペルオキシド ートトリニスチルを得t;。アンモノリシス(65℃で2時間)により2−シア ノエチル基を除去し、過剰のpowex (間諜)H”イオン交換樹脂で水中の アンモニウム塩を処理してmyo−イノシトール1.4−ビスホスフニート(8 0%)を得、これを固体シクロヘキシルアンモニウム塩に転換した。
実施例5 前記実施例4に記載したごとくにして得たビスホスファイトトリエステル(0. 325ミリモル)をピリジン(2m12)中の硫黄(200mg)を用いて酸化 した。混合物を濾過し、溶媒を蒸発させ、残渣をメタノールに溶解させた。アン モノリシス(65°Cで3時間)によりビスホスホロチオニートを得、Dote x (間諜)H”イオン交換樹脂で3時間処理し、続いての蒸発およびアンモニ ア添加により粗製アンモニウム塩をガム状物として得、これをメタノールでトリ チニレートシて(+、−)−イノシトール1.4−ビスホスホロチオニートのア ンモニウム塩を白色固体として得た(51%)。
寅施例6 同様にして、前記したごとくホスホルアミダイトを経由し、(土)−1,2,4 −トリー〇−ベンジルーmyo−イノシトールを対応するトリ [ジ(2−シア ツユチル)]ホスファイトに転換し、次いでピリジン中の硫黄を用いて酸化しt :。液体アンモニア中のナトリウムを用いてすべての保護基を完全に脱保護し、 2−シアンエチル基をベータ脱離によって除去し、ベンジル基を切断して粗製生 成物を得た。
炭酸水素トリエチルアンモニウムの直線グラジェントを用いるDEAEセファデ ックスA−25(商標)のカラム上で粗製生成物を精製し、800mM緩衝液付 近で溶出するD L−myo−イノシトール−1,4,5−トリホスホロチオエ ートを約25%の収率で得た。
[”P NMR(D、O,pH9)プロトンカップリングδ、 3d。
42.0 (JpN=8.0Hz); 44.9  (Jp−=9.3Hz);  45゜1 (JpN−9,3Hz)]  (第2図に示す)。プo)ンーカッ 7’)ング”PNMRスペクトルは、ホスホロチオニートについて予期されるご とく、共鳴が約40ppm低磁場ヘシフトする以外は、標品D−myo−イノシ トール−1,4,5−トリスホスフェートおよびその合成によるDL−異性体に ついて報告されているものと同様であった。
myo−イノシトール−1,4,5−トリスホスフェートについて特異的である ラット小脳膜レセプターー結合アッセイを用いるトリスホスホロチオニートの生 物学約評価において、トリスホスホロチオニートはかかるレセプターについて高 い親和性を有することが判明し、これはレセプター一連結ホスホイノシチド代謝 についての研究における流貢同族体の能力を示す。加えて、十分な作動物質とし て浸透性化細胞からカルシウムを放出させ、ED、。は1.4.5−)リスホス フニートのたかだか3倍であることが判明した。
室温にて(±)−1,2:4.5−ジイソプロピリデン−myo−イノシトール (0,325ミリモル)をジクロロメタン中のクロロ(2−シアノエトキシ)− N、N−ジイソプロピルアミノホスフィン(0,715ミリモル)およびジイソ プロピルアミン(0,715ミリモル)で1時間処理して対応するビスホスホル アミダイトを得た[♂、(CH2CΩ:)4s、152.24.152.30. 152.67.152.71]。2債のキラル燐中心のために、等しくなし1ニ ビマーベアに対応する”P NMR共鳴が観察された(強度比、低磁場ペア:高 磁場ペア、約2=1)。
ビスホスホルアミダイトとテトラゾールおよび2−シアノエタノール(各0.7 15ミリモル)との反応により、ビスホスファイトトリエステルを得た[δ、C CH2CQ 2)2 S、l 38.8.139゜611゜ ピリジンC2mQ>中のWL貢(200mg)を用いて該ビスホスファイトトリ エステル(0,325ミリモル)をビスホスホロチオニートエステルまで酸化し た。反応混合物を連通し、液体を蒸発させ、残渣をメタノールに溶解しI;[δ 、(MeOH)2s、65.85.67.411゜アンモノリシス(65°Cで 3時間)により、ビスホスホロチオニート加工の2のインプロピリデンケタール [d。
(D20.pH12)プロトンカップリング、δ、43.16、J−10,96 Hzlを得、水中の過剰のDowexl(” (商標)イオン交換樹脂での3時 間の処理、続いての蒸発およびアンモニアの添加により粗製ガム状物を得、これ をメタノールでトリチュートしてごく少量の不純物を含む(::)−myo−イ ノシトール−1,4−ビスホスホロチオニー ト(51%収率) (7)7 ン モニ’)ムaE [δ、 (DzO1pH12)プロトンカップリング、cl、 44.82、J 廊8.52 Hz ; ds  46.34、J−9,74] を得た。最終的な精製を前記したDEAEセファデックス帽1)カラム上で行っ た。
精密NMR管中の1mM MgCQ 、およびO−1mM Z n CQ z( 0,5m12.約50%D、0)を含有するpH1o、]の1100mMグリシ ン緩衝に溶解したff1)″0−イノシトールー1,4−ビスホスホロチオエー ト(25マイクロモル)にアルカリ性ホスファターゼ(30マイクロリツトル、 25ユニツト)を添加し、31pスペクトルをモニターした。数時間にわ!二っ てモニターした場合、NMRスペクトルの変化は観察されず、−昼晩のインキュ ベーション(23時間により、ビスホスホロチオエートに帰属すべき2個のピー クが示されただけであった。同様の実験でビスホス7エートエステルを用いて比 較すると、ホスファターゼによるビスホスフェートのモノホスフェートおよび無 機燐酸塩への分解についての明確な証拠が観察された。また、イノシトール1, 4.5−トリスホスフェート−特異性5−ホスファターゼ酵素の作用に対して耐 性であることが判明し、かくしてホスホロチオニート同族体のホスファターゼ耐 性が証明さ罠産!l鼠旦旦上i これまでの実施例に記載したのと同様の方法により、以下のイノシトールホスホ ロチオニートを調製することができる:g 、   myo−イノシトール−] −ホスホロチオエート9、   myo−イノシトール−1,4−ビスホスホロ チオニート10、  myo−イノシトール−1,4,5−トリホスポロチオニ ート11、myo−イノシトール−1,4,5−トリホスホロチオニートコ)      12.  myo−イノシトール−1,3,4,5−テトラキスポスポ ロチオニート 13、  myo−イノシトール−1,4,5,6−チトラキスポスポロチ14 、myo−イノシトール−1,3,4,5,6−ペンタキスボスポロチオニート 15、  myo−イノシトール−1,2,3,4,5,6−ヘキサキスポスホ ロチオエート。
これらの生成物の光学的立体配置を出発物質の光学的立体配置によって決定しt ;。生成物の前駆体が光学的に分割される場合、該分割は生成物の立体配置に反 映されるものである。
実施例16 (±)−2,3,6−トリー0−ベンジル−1,4−(2,2,2−)リクロロ エチルホスフニート)−myo−イノシトール(0,091グラム、80マイク ロモル)を乾燥したアセトニトリル(1mΩ)に溶解した。
この溶液にN、N−ジイソプロピルアミン(0,011グラム、80マイクロモ ル)8よびクロロ(2−シアノエチル)−N、N−ジインプロピルアミノホスフ ィン(0,024グラム、100マイクロモル)を添加した。混合物を室温で1 時間放置した。次いで、反応混合物をテトラゾール(0,014グラム、200 マイクロモル)および2−シアノエタノール(0,014グラム、200マイク ロモル)で処理した。室温でのさらに1時間後、得られl;ホスファイトトリエ ステルを室温にてピリジン(2mΩ)中の硫黄(0,5グラム)で16時間酸化 した。
すべての揮発性生成物を蒸発させ、残渣を乾燥したジオキサン(1mΩ)I:溶 解しツ:9この溶液をナトリウム(0,5グラム)の液体アンモニア(50mΩ )中溶液に添加した。1Of3−後、反応物をメタノールでクユンチし、アンモ ニアを蒸発させた。残渣を水(100mQ)中に取り、Dotex (商り)( −イオン交換樹脂で溶液が酸性になるまで処理した。樹脂を#過lこよって除去 し、溶液をトリ;チルアミンで塩基性化した。溶媒を蒸発除去し、得られた残渣 を水に溶解した後、次酸水素トリエチルアンモニウム(各150mMないし1M までの600m12)のグラジエントを用いるDEAEセフアゾ7クス(商標) A−25jJf脂(12x2.5cm)カラム上のクロマトグラフィーに付しブ ニ。
D L−myo−イノシトール−1,4−ビスホスフェート−5−ホスホロチオ ニートはトリエチルアンモニウム塩として550mM緩衝液付近で溶出した。プ ールした画分の蒸発により、生成物をガラス状物として得た(35マイクロモル 、44%、”P  NMR,δ(Hx o )2.6.4.6、(Po、2つ、 45.0 (PSOz”つL5      に     L3      L2 ppm 国際調査報告

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.一般式I; C6H6(OH)n[(OPO2S)2−]m[(OPO2O)2−]6−m− n(I) [式中、nは0または1ないし5の整数であってmは1ないし6の整数を意味す る〕 を有するイノシトールホスホロチオエート。
  2. 2.myo−イノシトール−1−ホスホロチオエート。
  3. 3.myo−イノシトール−1,4−ビスホスホロチオエート。
  4. 4.myo−イノシトール−1,4,5−トリスホスホロチオエート。
  5. 5.myo−イノシトール−1,4,5−トリスホスホロチオエート。
  6. 6.myo−イノシトール−1,3,4,5−テトラキスホスホロチオエート。
  7. 7.myo−イノシトール−1,4,5,6−テトラキスホスホロチオエート。
  8. 8.myo−イノシトール−1,3,4,5,6−ペンタキスホスホロチオエー ト。
  9. 9.myo−イノシトール−1,2,3,4,5,6−ヘキサキスホスホロチオ ェート。
  10. 10.硫黄原子を放射性同位元素であるこれまでの請求の範囲いずれか1項に記 載のイノシトールホスホロチオエート。
  11. 11.一般式II: C5H6(OB)n[OP(OCH2CH2CN)2〕6−n(II)[式中、 nは0または1ないし5の整数であってBはヒドロキシル−保護基を表す] を有するイノシトール誘導体を溶媒中の元素硫黄の溶媒中溶液と反応させ;次い で反応生成物からヒドロキシル−保護基を除去することを特徴とする一般式I: C6H6(OH)n[(OPO2S)2−]m[(OPO2O)2−]6−m− n(I) [式中、nは0または1ないし5の整数でおってmは1ないし6の整数を意味す る] を有するイノシトールホスホロチオエートの製法。
  12. 12.式II中のBにより表されるヒドロキシル−保護基がベンジル基であり、 従って式IIの化合物が式IIA:C5H6(OBz)n[OP(OCH2CH 2CN)2〕5−n(IIA)[式中、Bzはベンジル基、nは0または1ない し5の整数を意味する] を有する請求の範囲第11項に記載の製法。
  13. 13.nが偶数であり、式II中のBにより表される基がイソプロピリデン基で あり、従って式IIの化合物が式IIB:C6H6(O−iPr′−O)m[O P(OCH2CH2CN)2]p(IIB) [式中、iPr′はイソプロビリデニル基、mは0または1または2であってp は2または4または6を意味する]を有する請求の範囲第11項または第12項 記載の製法。
  14. 14.硫黄との反応を硫黄のビリジン中溶液で式IIの化合物を処理することに よって行う請求の範囲第11項または12項または13項記載の製法。
  15. 15.保護基をナトリウムおよび液体アンモニアでの処理によって除去する請求 の範囲第11項ないし14項いずれか1項に記載の製法。
  16. 16.請求の範囲第10項で定義した一般式IIを有するイノシトール誘導体が 、一般式III: C6H6(OB)n(OH)6−n(III)[式中、nおよびBは前記で定義 したに同じ]を有する化合物を式IV: (iPr)2NP(Cl)OCH2CH2CN(IV)[式中、iPrはイソプ ロピル基を表す]を有するクロロ(2−シアノエトキシ)−N,N−ジイソプロ ピルアミノホスフィンと反応させて一般式V: C6H6(OB)n[OP(OCH2CH2CN)N(iPr)2]6−n(V ) [式中、n、BおよびiPrは前記で定義したに同じ〕を有する化合物を得;次 いで式Vの化合物をテトラゾールおよび2−シアノエタノールと反応させて一般 式IIの該化合物を得ることよりなる方法によって調製される請求の範囲第11 項ないし第15項いずれか1項に記載の製法。
  17. 17.一般式IIを有する化合物を有機酸化剤と反応させ、続いて反応生成物か らヒドロキシル−保護基を除去して置換基のうち1またはそれ以上がホスフェー トエステル基である一般式Iの生成物を得る請求の範囲第11項ないし第16項 いずれか1項に記載の製法。
  18. 18.該酸化剤がtert−ブチルヒドロベルオキシドである請求の範囲第17 項記載の製法。
  19. 19.請求の範囲第1項記載の一般式Iを有するイノシトールホスホロチオエー トを有効成分として含有することを特徴とする医薬製剤。
  20. 20.一般式II: C6H6(OB)n[OP(OCH2CH2CN)2]6−n(II)[式中、 nは0または1ないし5の整数であってBはヒドロキシル−保護基を表す〕 を有するイノシトール誘導体を有機過酸化物と反応させ;次いで反応生成物から 該保護基を除去することを特徴とする一般式I:C6H6(OH)n[OPO2 S)2−]m[(OPO2O)2−]6−m−n(I) [式中、nは0または1ないし5の整数であってmは0を意味する]を有するイ ノシトールホスフェートの製法21.該有機過酸化物がter−ブチルヒドロベ ルオキシドである請求の範囲第20項記載の製法。
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