JPH03228059A - ポジ型レジスト組成物 - Google Patents

ポジ型レジスト組成物

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JPH03228059A
JPH03228059A JP2222769A JP22276990A JPH03228059A JP H03228059 A JPH03228059 A JP H03228059A JP 2222769 A JP2222769 A JP 2222769A JP 22276990 A JP22276990 A JP 22276990A JP H03228059 A JPH03228059 A JP H03228059A
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Takeshi Hioki
毅 日置
Yasuyoshi Doi
土居　靖宜
Yasunori Kamiya
保則 上谷
Ryotaro Hanawa
塙　良太郎
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    • G03F7/0236—Condensation products of carbonyl compounds and phenolic compounds, e.g. novolak resins

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、紫外線、遠紫外線（エキンマーレーサー等を
含む）、電子線、イオンビーム、Ｘ線等の放射線に感応
するポジ型レジスト組成物に関するものである。
〈従来の技術及び発明の課題〉 近年集積回路については高集積化に伴う微細化か進み、
今やサブミクロンのパターン形成か要求されるに到って
おり解像力の優れたポジ型フォトレジストか要望されて
いる。従来、集積回路の形成にはマスク密着方式か用い
られてきたが、この方式では２μｍか限界といわれてお
り、これに代わり縮小投影露光方式か注目されている。
この方式はマスターマスク（レチクル）のパターンをレ
ンズ系により縮小投影して露光する方式であり、解像力
はサブミクロンまで可能である。しかしながらこの縮小
投影露光方式の場合の問題点の１つとしてスループット
か低いという点かある。即ち、従来のマスク密着方式の
ような一括露光方式と異なり、縮小投影露光方式では分
割くり返し露光であるため、ウェハー１枚当たりの露光
トータル時間か長くなるという問題である。
これを解決する方法としては、装置の改良もさることな
がら、用いるレジストの高感度化か最も重要である。高
感度化により露光時間か短縮できればスループットの向
上ひいては歩留まりの向上か達成されうる。一方、ＬＳ
Ｉの集積度の向上とともに配線の幅か微細化され、その
ためエツチングも従来のウェットエツチングに代わりド
ライエツチングか主流となってきている。このドライエ
ツチングのため、レジストの耐熱性か従来以上に要求さ
れるようになった。
こうした観点て現在用いられているポジ型フォトレジス
トを見ると、必ずしも感度、解像力、耐熱性の点て満足
なものとはいえない。一般にポジ型フォトレジストはネ
ガ呈フオトレンスト（こ比へ感度か低く、改良か望まれ
ている。
例えば高感度化を達成するためには、ポジ型フォトレジ
ストに用いられているノボラック樹脂の分子量を低ぐす
る方法か最も簡単であり、アルカリ現像液に対する溶解
速度か増し、見かけ上、レジストの感度は上がる。しか
しこの方法では、非露光部の膜べりか太き（なったり（
いわゆる残膜率の低下）、パターン形状か悪化したり、
露光部と非露光部の現像液に対する溶解速度の差か小さ
くなることからくる、いわゆるｒ値の低下（解像力の低
下）といった問題αの他に、レジストの耐熱性か低下す
るという極めて深刻な不都合を生じる。すなわち、現状
では感度、解像力、耐熱性、密着性のいずれも兼ね備え
たポジ型レジストはなく、一方を改良しようとすると、
他の一方かさらに悪くなるという極めて不都合な状況に
ある。
本発明の目的は、集積回路作製用として前記従来技術の
問題点を解決し、感度、解像力、耐熱性に優れた、ポジ
型レジスト組成物を提供することにある。
〈課題を解決するための具体的手段〉 本発明者は、特定のレジスト組成物を用いることにより
上記課題か解決できることを見出し本発明を完成した。
本発明はｍ−クレゾール、２．　３．　５−トリメチル
フェノール及び場合によりｐ−クレゾールの混合物をア
ルデヒド類と縮合させて得られる樹脂（Ｉ）及びＧＰＣ
（検出器Ｕ　Ｖ　−２５４ｎｍ使用）によるポリスチレ
ン換算重量平均分子量２０００〜２００である低分子量
ノホラソク（ＩＩ）を含有するアルカリ可溶性樹脂（Ａ
）とＩ＋　　２−キノンノアノド化合物とを含有するポ
ジ型レジスト組成物を提供するものである。
本発明はさらにｍ−クレゾール、２．　３．　５トリメ
チルフエノール及び場合によりｐ−クレゾールの混合物
をアルデヒド類と縮合させて得られる樹脂（１）及び下
記一般式（ＩＩ）で表わされる化合物を含有するアルカ
リ可溶性樹脂（Ｂ）と１２−キノンジアジド化合物とを
含有するポジ型レジスト組成物を提供するものである。
（以下余白） （式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３はＣ１〜Ｃ４のアルキル基マ
たは０１〜Ｃ５のアルコキシ基を表し、１、ｒｎ、ｎは
０以上３以下の整数であり、Ｒ′は水素原子または０１
〜Ｃ３のアルキル基を表す。）本発明はさらにｍ−メト
キンフェノールと２゜３５−トリメチルフェノールをモ
ル比８０２０〜３０７０の共重合比でアルデヒド類と縮
合させた樹脂（ＩＶ）を含有するアルカリ可溶性樹脂（
Ｃ）と１，２−キノンジアジド化合物とを含有するポジ
型レジスト組成物を提供するものである樹脂（Ｉ）は、
ｍ−クレゾール、２，３．５−トリメチルフェノール及
び場合によりｐ−クレゾールを酸触媒の存在下アルデヒ
ド類と縮合させることにより得られる。
この縮合反応は通常、６０〜１２０°Ｃ１２〜３０時間
て行われる。ここで用いられるアルデヒド類としては、
例えばホルムアルデヒド、バラホルムアルデヒド、アセ
トアルデヒド、プロピルアルデヒド、ベンズアルデヒド
、フェニルアセトアルデヒド、α−フェニルプロピルア
ルデヒド、βフェニルプロピルアルデヒド、０−ヒドロ
キシベンズアルデヒド、ｍ−ヒドロキシベンズアルデヒ
ド、ｐ−ヒドロキシベンズアルデヒド、グルタルアルデ
ヒド、グリオキサール、０−メチルベンズアルデヒド、
ｐ−メチルベンズアルデヒド等が挙げられ、これらの化
合物のうち、特にホルムアルデヒドか工業的に入手しや
すいという点て好ましい。これらのアルデヒドは単独で
、または２種以上混合して使用することかできる。触媒
としては、有機酸、あるいは無機酸や二価金属塩等が用
いられる。具体例としては、蓚酸、塩酸、硫酸、過塩素
酸、ｐ−トルエンスルホン酸、トリクロル酢酸、リン酸
、蟻酸、酢酸亜鉛、酢酸マグネシウム等が挙げられる。
また、反応はパルつて行っても適当な溶媒を用いてもよ
い。特にエチルセロソルブアセテート中で反応を行うこ
とは耐熱性等か向上し、またレジスト溶媒としてもその
まま用いることかできるので好都合である。
また、樹脂（Ｉ）における２、　　３．　５−トリメチ
ルフェノールの含有率か高くなる程耐熱性か向上するが
、感度及び解像力との兼合いから、ｍクレゾール、ｐ−
クレゾーノ呟　２．　３．　５−トリメチルフェノール
のモル分率は、第１図のＡＢＣＤに囲まれた面（境界を
含む）から選ばれることか好ましい。
このような縮合反応により得られた樹脂（Ｉ）のポリス
チレン換算重量平均分子量は、２００００〜２０００か
好ましい。
更に、樹脂（Ｉ）が、そのＧＰＣパターンにおするポリ
スチレン換算分子量で９００以丁の範囲の面積比が、全
パターン面積に対して２５％以下であるもの、特に６０
００以丁の範囲の面積比が、全パターン面積に対して４
０％以上６５％以下、更に好ましくは５０％以上６５％
以下であるものか耐熱性が向上し、現像残渣か生じにく
いので好適である。そのような樹脂を得るには、通常の
縮合反応を行った後分別等を行うことにより容易に得ら
れる。
分別方法としては、合成されたノボラック樹脂を良溶媒
、例えば、アルコール類（メタノール、エタノール等）
、ケトン類（アセトン、メチルエチルケトン、メチルイ
ソブチルケトン等）、エチレングリコール及びそのエー
テル類、エーテルエステル類（エチルセロソルブ、エチ
ルセロノルブアセテート等）、テトラヒドロフラン等に
溶解し、次に水に入れて沈澱させる方法またはへブタン
、ヘキサン、ペンタン、シクロヘキサン等に入れ分液さ
せる方法かある。
低分子量ノボラックの分子量は、ポリスチし・ン換算重
量平均分子量で２０００〜２００、より好ましくは１０
００〜２００である。ここて分子量か２０００を越える
と、アルカリ可溶性樹脂（Ａ）のアルカリ現像液に対す
る溶解性か低下し、結果的に、レジスト組成物の感度か
低下する。また、分子量か２００より低くなると、（す
なわちモノマー含有量か大になると）基板に対する密着
性、耐熱性等か悪化し、好ましくない。
低分子量ノボラック（ＩＩ）はフェノール類化合物を酸
触媒の存在下にアルデヒド類と縮合することにより合成
される。
ここで用いられるフェノール類化合物としては例えば、
フェノール、０−り１ノゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−
クレゾール、３，５−キシレノール２．５−キシレノー
ル、２，３−キシレノール２．４−キシレノール、２．
６−キシレノール３．４−キシレノール、２．　３．　
５−トリメチルフェノール、レゾルシノール等が挙げら
れる。
中でもクレゾールか好ましい。これらの化合物はアルカ
リ現像液への溶解性を考慮しつ一つ、単独でまたは２種
以上組合せて用いられる。
この縮合反応で用いられるアルデヒド類としては例えば
、ホルマリン、バラホルムアルデヒド、アセトアルデヒ
ド、グリオキサール等が挙げられる。中でも、ホルマリ
ンは３７％水溶液として工業的に手に入れやすく特に好
ましい。
又、この縮合反応て用いられる酸触媒としては、例えば
、存機酸あるいは無機酸や二価金属塩等か挙げられる。
具体例としては、蓚酸、塩酸、硫酸、過塩素酸、ｐ−ト
ルエンスルホン酸、トリクロル酢酸、リン酸、蟻酸、酢
酸亜鉛、酢酸マグネシウム等が挙げられる。縮合反応は
通常、３０〜２５０°Ｃ１２〜３０時間で行われる。ま
た反応はパルつて行っても適当な溶媒を用いてもよい。
低分子量ノボラックの分子量の調節は、フェノール類化
合物に対するアルデヒド類のモル比を調ラックを合成す
るには、例えば、ｍ−クレゾールホルムアルデヒド樹脂
の場合、ｍ−クレゾールに対するホルムアルデヒドのモ
ル比を０．６５〜０．０５に設定して縮合反応を行えは
得ることかできる。
また、縮合反応を行った後、蒸留等により残存モノマー
を除去することはさらに好ましい。
アルカリ可溶性樹脂（Ａ）を含存するポジ型しンスト組
成物の場合は、低分子量ノボラック（■）の含量はアル
カリ可溶性樹脂（Ａ）全量１００重量部に対して、４〜
５０重量部か好ましい。低分子量ノボラック（ＩＩ）の
含量か４〜５０重量部であると、現像及びバターニング
をより容易にすることかできる。
式（ＩＩＩ）で表される化合物としては、次式て示され
る化合物か好適に用いられる。
（以下余白） 一般式 （［） の化合物は、 歌≠フェノール類化 合物を酸触媒の存在下にカルボニル化合物と縮合する二
とにより合成される。
ここで用いられる云４フェノール類化合物としては例え
ば、フェノール、０−クレゾール、ｍクレゾール、ｐ−
クレゾール、３．５−キシレノール、２．５−キルノー
ル、２，３−キシレノール、２，４−キルノール、２．
６−キシレノール、３．４−キルノール、２，３．５−
）リメチルフェノール、４−ｔ−ブチルフェノール、２
−ｔ−ブチルフェノール、３−ｔ−ブチルフェノール、
４−メトキシフェノール、３−メトキシフェノール、２
−メトキシフェノール、２．３−ジメトキシフェノール
、２．５−ジメトキシフェノール、３．５−ジメトキシ
フェノール、３−エチルフェノール、２−エチルフェノ
ール、４−エチルフェノール、２，３．５−）ジエチル
フェノール、３，５−ジエチルフェノール、２，５−ジ
エチルフェノール、２，３−ジエチルフェノール等が挙
げられる。これらの化合物は単独でまたは２種以上組合
わせて用いられる。
又、この縮合反応て用いられるカルボニル化合物として
は、例えば、ベンズアルデヒド、０−ヒドロキシベンズ
アルデヒド、ｍ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｐ−ヒ
ドロキシベンズアルデヒド、０−ヒドロキシアセトフェ
ノン、ｍ−ヒドロキシアセトフェ、ノン、ｐ−ヒドロキ
シアセトフェノン、３−メトキシ−４−ヒドロキソベン
ズアルデヒド等か挙げられる。
又、この縮合反応て用いられる酸触媒としては例えば、
有機酸あるいは無機酸や二価金属塩等が挙げられる。具
体例としては、蓚酸、塩酸、硫酸、過塩素酸、ｐ−トル
エンスルホン酸、トリクロル酢酸、リン酸、蟻酸、酢酸
亜鉛、塩化亜鉛、酢酸マグネシウム等が挙げられる。カ
ルボニル化合物の使用量は、ｔブフェノール類化合物１
モルに対して０．０２〜３モル、酸触媒の使用量はカル
ボニル化合物１モルに対し０．Ｏ１〜０．７モルが好ま
しい。縮合反応は通常、３０〜２５０°Ｃ１２〜３０時
間で行われる。また反応はパルつて行っても、適当な溶
媒を用いてもよい。この際用いられる溶媒としでは、例
えば、水、アルコール類あるいはエチルセロノルブアセ
テート、エチルセロソルブ、メチルセロソルフ゛、メチ
ルイソブチルケトンチルエチルケトン、ヘキサン、ンク
ロヘキサン、ヘプタン、ベンセン、トルエン、キルン等
が挙げられる。これらの溶媒量は好ましくは零＃フェノ
ール類化合物とカルホニル化合物の総量１００重量部当
たり１０〜５００重量部である。
縮合生成物は脱金属イオンした後、再結晶または再沈澱
により精製できる。
脱金属イオンは生成物を水と混合して分液する有機溶媒
に溶解させ、イオン交換水を用いて洗浄することにより
行なえる。本有機溶媒としては、メチルイソブチルケト
ン、エチルセロノルブアセテート、酢酸エチル等が挙げ
らｎる。
また脱金属イオンは生成物を水と混合して分液しない有
機溶媒に溶解させイオン交換水にチャーンすること（再
沈澱）によっても行なえる。ここで有機溶媒はメタノー
ル、エタノール、アセトン等が挙げられる。この方法で
は脱金属イオンと精製か同時に行なえ好ましい。
アルカリ可溶性樹脂（Ｂ）を含有するポジ型レジスト組
成物の場合は、化合物（ＩＩ［）の含量は、アルカリ可
溶性樹脂（Ｂ）全量、すなわち樹脂（Ｉ）、化合物（Ｉ
）と他のアルカリに可溶な樹脂の総量１００重量部に対
して、４〜４０重量部か好ましい。化合物（ＩＩＩ）か
４〜４０重量部であると、現像及びパターニングをより
容易にすることかできる。
本発明のアルカリ可溶性樹脂（、へ）には、樹脂（１）
及び低分子量ノボラック（ＩＩ）以外のアルカリに可溶
な樹脂を本発明の特質を損なわない限り添加することか
できる。本発明のアルカリ可溶性樹脂（Ｂ）には、樹脂
（Ｉ）及び一般式（ＩＩ）の化合物以外のアルカリに可
溶な樹脂を本発明の特質を損なわない限り添加すること
かできる。この場合用いられる他のアルカリに可溶な樹
脂は例えば、ポリヒニルフェノールあるいはノボラック
等か挙げられる。ノボラックとは、例えば、フェノール
、０−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐクレゾール、２
．５−キシレノール、３，５−キルノール、３．４−キ
シレノール、２，　　３．　　５トリメチルフエノール
、４−ｔ−プチルフエノル、Ｑｉ−ブチルフェノール、
３−ｔ−ブチル−エノール、３−エチルフェノール、２
−エチルフェノール、４−エチルフェノール、２−ナフ
トール、ｌ，３−ジヒドロキシナフタレン、１。
７　　　　（以下余白） ジヒドロキシナフタレン、１，５−ジヒドロキノナフタ
レン等のフェノール類を単独または２種以上組合せて、
ホルマリンと常法により縮合させた樹脂か挙げられる。
本発明に用いられる樹脂（ＩＶ）はｍ−メトキノフェノ
ールと２．　　３．　　５−トリメチルフェノールを酸
触媒の存在下、アルデヒド類と縮合することによって合
成される。
この縮合反応は通常、６０〜１２０°Ｃ、２〜３０時間
で行われる。二こで用いられるアルデヒド類としては、
例えば、ホルムアルデヒド、バラホルムアルデヒド、ア
セトアルデヒド、プロピルアルデヒド、ベンズアルデヒ
ド、フェニルアセトアルデヒド、α−フェニルプロピル
アルデヒド、βーフェニルプロピルアルデヒト、０−ヒ
ドロキシベンズアルデヒド、ｍ−ヒドロキシベンズアル
デヒド、ｐ−ヒドロキシベンズアルデヒド、グルタルア
ルデヒド、グリオキサール、０−メチルベンズアルデヒ
ド、ｐ−メチルベンズアルデヒド等が挙げられる。これ
らの化合物のうち、特にホルムアルデヒドか工業的に入
手し易いという点て好ましい。これらのアルデヒドは単
独であるいは２種以上組み合わせて使用することかでき
る。触媒としては、有機酸あるいは無機酸や二価金属塩
等が挙げられる。具体例としては、蓚酸、塩酸、硫酸、
過塩素酸、ｐ−トルエンスルホン酸、トリクロル酢酸、
リン酸、蟻酸、酢酸亜鉛、酢酸マグネシウム等が挙げら
れる。また反応はパルつて行っても適当な溶媒を用いて
も良い。
ｍ−メトキシフェノールと２．　３．　５−トリメチル
フェノールのモル比は８０２０〜３０・７０か好ましい
、ｍ−メトキノフェノールのモル比か８０％を超えると
現像液に溶けやすくなり、ノくターニングか困難となり
、３００４未満であると現像液に対する溶解性か落ちる
ので現像か困難となる。
樹脂（ＩＶ）のポリスチレン換算重量平均分子量は２０
００〜２００００、更には４０００〜１５０００か好ま
しい。
また、アルカリ可溶性樹脂（Ｃ）が、樹脂（■）及び化
合物（ＩＩ［）を含有する場合は好ましくい。特に樹脂
（ＩＶ）のＧＰＣのポリスチレン換算分子量９００以下
の成分の面積比かパターンの全面積に対して１５％以下
であり、化合物（ＩＩ［）をアルカリ可溶性樹脂（Ｃ）
の全量に対し４〜４０重量部含有したものは好適である
。ここでポリスチレン換算分子量９００以下の成分か１
５％以下の樹脂を得るには、通常の縮合反応を行った後
、前述の方法による分別等を行うことにより容易に得ら
れる。化合物（ＩＩＩ）が、４〜４０重量部であると、
現像及びバターニングか容易になる。
アルカリ可溶性樹脂（Ｃ）には、樹脂（ＩＶ）及び化合
物（ＩＩＩ）以外にも、アルカリに可溶な樹脂を本発明
の特質を損なわない限り添加することかでき、その例と
してはポリヒニルフェーノール、あるいは樹脂（ＩＶ）
及び化合物（ＩＩ）以外のノボラック等が挙げられる。
ノボラックとしては、例えばフェノール、０−クレゾー
ル、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、２，５−キシレ
ノール、３４−キシレノール、２．　３．　５−トリメ
チルフェノール、４−ｔ−ブチルフェノール、２−ｔブ
チルフェノール、３−ｔ−ブチルフェノール、３−エチ
ルフェノール、２−エチルフェノール、４−エチルフェ
ノール、２−ナフトール、１．３ノヒドロキン・ナフタ
レン、１．７−シヒドロキノナフタレン、ｌ、５−ノヒ
ドロキシナフタレン等のフエ２ノール類を単独または２
種以上組合せて、ホルマリンと常法により縮合させた樹
脂か挙げられる。
次に本発明のポジ皇レジスト組成物に用いられる１　２
−キノンジアジド化合物は特に限定されないが、例えば
、１，２−ヘンゾキノンシアジド４−スルホン酸エステ
ル、ｌ、２−ナフトキノシンアジド−４−スルホン酸エ
ステル、１．　２ン ナフトキノデンアシトー５−スルホン酸エステル等か挙
げられる。これらのエステル類は、公知の方法例えば、
１．２−ナフトキノンジアシドスルホレ酸クロリドやベ
ンゾキノンジアジドスルホン酸クロリドとヒドロキシル
基を有する化合物を弱アルカリの存在下で縮合すること
により得られる。ここでヒドロキシル基を有する化合物
の例としては、ハイドロキノン、レゾルシン、フロログ
ルシン、２．４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２３４
−トリヒドロキシへンゾフエノン、２゜３．４．４°　
−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２．　２’、　　
４．　４°　−テトラヒドロキシヘンシフエノン、ビス
（ｐ−ヒドロキソフェニル）メタン、ビス（２，４−ジ
ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２，３，４−ｈジ
ヒドロキシフェニル）メタン、２，２−ビス（ｐ−ヒド
ロキシフェニル）プロパン、２．２−ビス（２，４−ジ
ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（２，３
４−トリヒドロキシフェニル）プロパン、オキシフラバ
ン類等か挙げられる。中でも１．２−キノンジアジド化
合物か２．　３．　４．　４’　−テトラヒドロキシベ
ンゾフェノンあるいは （ただし、式中ｑは０以上４以下の数を表し、ｒは１以
上５以下の数を表す。Ｒ，、Ｒ，、、Ｒ，は水素原子、
アルキル基、アルケニル基、シクロヘキンル基またはア
リール基を表す。）等のオキシフラバン類のＬ　　２−
ナフトキノニノノアンドー５−スルホン酸でエステル化
されている化合物で、平均２個以上の水酸基かエステル
化されている化合物か好ましく用いられる。これらの１
，２−キノンジアジド化合物は単独でまたは２個以上で
混合して用いられる。ポジ型レジスト組成物の調整は、
前記１，２−キノンジアット化合物とアルカリ可溶性樹
脂とを適当な溶媒に混合、溶解することにより行う。ア
ルカリ可溶性樹脂と１，２−キノンジアシド化合物の割
合は、アルカリ可溶性樹脂１００重量部に対し、通常１
．２−キノンノアノド化合物５〜１００重量部、好まし
くは１０〜５０重量部である。この配合量か５重量部未
満の場合アルカリ性水溶液からなる現像液に溶けやすく
なるのでバターニングか困難となり、１００重量部を超
える場合は、短時間の放射線照射ては加えた１、２−キ
ノンジアット化合物の全てを分解することかできず結果
的に、放射線照射量を多くしなければならなくなり、感
度の低下を招く。又、用いる溶媒は、適当な乾燥速度で
溶媒か蒸発し、均一で平滑な塗膜を与えるものかよい。
そのようなものとしては、エチルセロソルブアセテート
、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブ、メ
チルセロソルブ、プロピレングリコールモノメチルエー
テルアセテート、酢酸ブチル、メチルイソブチルケトン
、キシレン等が挙げられる。
これらの溶媒は単独でまたは２種以上混合して用いられ
る。以上の方法で得られたポジ型番＃計樟株レジスト組
成物はさらに必要に応じて付加物として少量の樹脂や染
料等が添加されていてもよい〈発明の効果〉 本発明のポジ型服立封壕立レジスト組成物は、既存のし
ノスト組成物に比へ感度、解像力および耐熱性に優れた
ものである。
〈実施例〉 以下に本発明の実施例を掲げ、本発明をさらに具体的に
説明するが、本発明はこれらの実施例によって何ら限定
されるものではない。
〈合成例、実施例において用いる用語の定義〉感光剤（
１） ナフトキノン−（１，２）−ジアジド−（２）−５Ｈ ＣＨ３ＣＨ２ との縮合物（平均２．６個の水酸基かエステル化されて
いる） 感光剤（２） ナフトキノン−（１，２）−ジアジド−（２）−５スル
ホン酸クロリドと２．　３．　４．　４’　−テトラヒ
トロキシヘンゾフェノンの縮合物（平均２．５個の水酸
基かエステル化されている） 耐熱性 レジストパターンかだれはしめた時のクリーンオーブン
内の温度 解像度 ラインアンドスペースを解像する最小線巾密着性 ＳＯＧ基板との密着性の程度 （○・・良　△・・可　×・・不可） 面画値Ｉ ＧＰＣ（検出器ＵＶ　−２５４ｎｍ使用）による、ポリ
スチレン換算分子量で６０００以下の範囲のＧＰＣパタ
ーン面積の全パターン面積に対する比率（％）。
面画値■ ＧＰＣ（検出器Ｕ　Ｖ　−２５４ｎｍ使用）による、ポ
リスチレン換算分子量で９００以下の範囲のＧＰＣパタ
ーン面積の全パターン面積に対する比率（％）。
合成例１ 内容積１０００艷の三ツ−フラスコにｍ−クレゾール１
８９．２ｇ、２，３．５−トリメチルフェノール１０２
．２ｇ　（ｍ−クレゾール／２，３．５−）リメチルフ
ェノール＝７０／３０（モル比））、エチルセロソルブ
アセテート２５２ｇ、５％シュウ酸水、その後、さらに
１４時間反応させた。その後、中和、水洗、脱水してノ
ボラック樹脂のエチルセロソルブアセテート溶液を得た
。ＧＰＣにより分子量を測定した。その結果を表−Ｊに
示す。
合成例２ 内容Ｍ　１０００．Ｊの三ソロフラスコに、ｍ−クレゾ
ール１８９２ｇ、２．３．５−　　トリメチルフェノー
ルＩ０２．２ｇ　（モル比　７０．”３０）、エチルセ
ロ（３７，０９も）　　１８６．５ｇを４０分かけて滴
下し、その後、９峙間さらに加熱攪拌反応させた。その
後、中和、水洗、脱水してノボラック樹脂のエチルセロ
ソルブアセテート溶液を得た。ＧＰＣによるボｊスチレ
ン換算重量平均分子量を測定した。その結果を表−１に
示す。
合成例３ 内容積＋００（Ｗの三ツロフラスコにｍ−クレゾール１
７５．７ｇ、　　２．　３．　５−）リメチルフェノー
ル１１９．０ｇ　（ｍ−クレゾール／２，３．５−トリ
メチルフェノール＝６５／３５（モル比））、エチルセ
ロソルブアセテート２５２ｇ、５％シュウ酸水、その後
、さらに１４時間反応させた。その後、中和、水洗、脱
水してノボラック樹脂のエチルセロソルブアセテート溶
液を得た。ＧＰＣにより分子量を測定した。その結果を
表−１に示す。
合成例４〜社ミ９ 合成例１〜３と同様にして、表１に示す樹脂を得た。
（以下余白） 表−１ 合成例１０ 合成例１で得られたノポラ・ツク樹脂のエチルセロソル
ブアセテート溶液（ノポラ・ツク樹脂の含有量４２％）
　　２００ｇを３１の底抜きセノ々ラフ゛ルフラスコに
仕込み、さらにエチルセロソルブアセテ−）　３６０ｇ
とノルマンへブタン２７６ｇを加えて２０°Ｃて３０分
間攪拌後、静置、分液した。分液て得られた下層中のノ
ルマルへブタンをエバポレーターにより除去して、ノボ
ラック樹脂のエチルセロソルブアセテート溶液を得た。
ＧＰＣにより分子量を測定した。その結果を表−２に示
す。
合成例１１ 合成例２て得られたノボラック樹脂のエチルセロソルブ
アセテート溶液（ノボラック樹脂の含有量３５．０％）
　　２００ｇを３βの底抜きセパラブルフラスコに仕込
み、さらにエチルセロソルブアセテート７３３．３ｇと
ノルマルヘプタン７％．４ｇを加えて２０’Ｃて３０分
間攪拌後、静置、分液した。分液て得られた下層中のノ
ルマルへブタンをエバポレーターにより除去して、ノボ
ラック樹脂のエチルセロソルブアセテート溶液を得た。
ＧＰＣにより分子量を測定した。その結果を表−２に示
す。
合成例Ｊ２ 合成例３て得られたノボラック樹脂のエチルセロソルブ
アセテート溶液（ノボラック樹脂の含有量４０％）を合
成例ＩＯと同様の操作を行い、ＧＰＣにより分子量を測
定した。その結果を表−２に示す。
合成例１３〜２２ 合成例１１とほぼ同様の操作をし、場合により同し樹脂
を用いてもエチルセロソルブアセテートの量を変えて、
表−２に示す樹脂を得た。
表−２ 表 ２続き 合成例２３ 内容ｆｉｌｏＯＷの三ツ−フラスコにｍ−クレゾール１
４９ｇ５ｌ）−クレゾール１２１　ｇ　、エチルセロソ
ルブアセテート２５２ｇ、５％ンユウ酸３０．４　ｇを
仕込み、還流下で加熱攪拌しなからホルマリン水溶液（
３７，０％）　　１４７．８ｇを４０分かけて滴下し、
その後、７時間さらに加熱攪拌反応させた。その後、中
和、水洗、脱水してノボラック樹脂のエチルセロソルブ
アセテート溶液を得た。ＧＰＣによるポリスチレン換算
重量平均分子量は９６００てあった合成例２４ 合成例２３て得られたノボラック樹脂のエチルセロソル
ブアセテート溶液（ノボラック樹脂の含有量４１．２％
）　　１２０ｇを３１の底抜きセパラブルフラスコに仕
込み、さらにエチルセロソルブアセテｈ　８６８．８ｇ
とノルマルヘプタン５４４．６ｇを加えて２０°Ｃて３
０分間攪拌後、静置、分液した。分液て得られた下層中
のノルマルへブタンをエバポレーターにより除去して、
ノボラック樹脂のエチルセロソルブアセテート溶液を得
た。ＧＰＣによるポリスチレン換算重量平均分子量は＋
５５００であった。ＧＰＣによるポリスチレン換算分子
量９００以下の成分は７％であった。
合成例２５ 内容ｆｆｆ１０００ｍｌＨの三ツ−フラスコにｍ−クレ
ゾール２７０ｇ、１％シュウ酸４８．７　ｇを仕込み、
還流下で加熱攪拌しなからホルマリン水溶液（３７，０
％）６０、８　ｇを４０分かけて滴下し、その後、２時
間さらに加熱攪拌反応させた。その後、中和、水洗、脱
水してノボラック樹脂のエチルセロソルブアセテート溶
液を得た。ＧＰＣによるポリスチレン換算重量平均分子
量は３３０てあった。この低分子量ノボラックをノボラ
ックＡとする。
合成例２６ 攪拌器、冷却管、水分離器、および温度計を装着した５
　００ｎｌ三ツロフラスコに２，５−キシレノール１３
４．０ｇ、サリチルアルデヒド３３．７ｇ、ｐ−トルエ
ンスルホン酸０．８３ｇ、トルエン２６８ｇを仕込み、
油浴中で加熱攪拌下、１１５°Ｃて縮合水を除去しなが
ら１６時間反応させた。反応液５０〜６０°Ｃて反応混
合物を濾過することで、下記式（ａ）で示されるトリフ
ェニルメタン誘導体の粗ケーキか得られる。粗ケーキを
メタノール５８０ｇに２０〜２５°Ｃで融解させ、イオ
ン交換樹脂１４５０ｇにチャーンした後、濾過、乾燥さ
せることによって下記式（ａ）の精製ケーキ８９．３ｇ
が得られた。収率９３．０％（サリチルアルデヒド基準
）。この化合物を化合物（ａ）とする。
（以下余白） ｍ／ｅ　　　　３４８　　（Ｍ”） ＮＭＲスペクトル 溶媒　アセトン、ＴＭＳ δ　（ｐｐｍ）　２．０４（ｓ、１２Ｈ）、５．８５（
ｓ、　ＩＨ）、６、５２（ｓ、　２）１）、６．６３（
ｓ、　２Ｈ）、６．７４（ｍ、　２Ｈ）、６、８３（ｄ
、　ＩＨ）、７．０５（ｍ、　ＩＨ）、７．７８（ｓ、
　ＩＨ）、８、０９（Ｓ、　１）１） 融点　２７４〜２７５°Ｃ 実施例１〜１２−ル斡溝中＝４ ノボラックＡ又は化合物（ａ）ならびに合成例１〜２４
て得られた樹脂（Ｉ）を各々、１．２キノンジアット化
合物とともに表−３に示す組成でエチルセロソルブアセ
テートに溶かしレジスト液を調合した。なお溶媒量は以
下に示す塗布条件て膜厚１．２８μｍになるように調整
した。これら各組成物を０．２μｍのテフロン製フィル
ターで濾過し、レジスト液を調整した。これを常法によ
って洗浄したシリコンウェハーに回転塗布機を用いて４
０００ｒ、　ｐ、　ｍで塗布した。ついて、このシリコ
ンウェハーを１００’Ｃの真空吸着型ホットプレートで
１分間ベークした。その後、超高圧水銀灯を光源とする
縮小投影露光装置を用い、ノヨット毎に露光時間を段階
的に変えて露光した。ついて、現像液５ＯＰＤ　（住人
化学工業■製商品名）を用い現像した。リンス、乾燥後
各ソヨットの膜減り量と露光時間をプロットして、感度
を求めた。また、未露光部の残膜厚から残膜率を求めた
。
また、現像後のレジストパターンのついたシリコンウェ
ハーを種々の温度に設定したクリーンオーブン中に３０
分間、空気雰囲気中で放置し、その後、レジストパター
ンを走査型電子顕微鏡で観察することにより、耐熱性を
評価した。
比較例１〜４ ノボラック（Ａ）及び化合物（ａ）を添加しない以外は
実施例１と同様にして、レジスト組成物の調整、露光、
現像を行った。実施例１と同し方法で感度及び残膜率を
求めるとともに、耐熱性を評価した。
これらの結果をまとめて表−３に示す。表−３から明ら
かな様に実施例の感度、解像力、耐熱性のバランスは比
較例のそれに比へて、格段に向上していることか認めら
れた。
（以下余白） 合成例２７ 内容積１０１００Ｏの三ツロフラスコにｍ−クレゾール
１８９ｇ、　ｐ−クレゾール５４ｇ、２，３．５−トリ
メチルフェノール３４ｇ１エチルセロソルブアセ１５２
ｇを４０分かけて滴下し、その後、さらに７時間反応さ
せた。その後、中和、水洗、脱水してノボラック樹脂の
エチルセロソルブアセテート溶液を得た。ＧＰＣにより
分子量を測定した。その結果を表−４に示す。
合成例２８〜３６ 合成例２７と同様にして、表−４に示す樹脂を得た。
表−４ （１１：　ｍ−クレゾール／ｐ−クレゾール／２．　３
０：５−トリメチルフェノール 合成例３７〜ＬＡＹ 合成例２７て得られたノボラック樹脂のエチルセロソル
ブアセテート溶液（ノボラック樹脂の含有量４０．０％
）１００ｇを３１の底抜きセパラブルフラスコに仕込み
、さらにエチルセロソルブアセテ−）４３３．３ｇとノ
ルマルへブタン２８６．０　ｇを加えて２０°Ｃて３０
分間攪拌後、静置、分液した。分液て得られた下層中の
ノルマルヘプタンをエバポレーターにより除去して、ノ
ボラック樹脂のエチルセロソルブアセテート溶液を得た
。ＧＰＣによるポリスチレン換算重量平均分子量は９０
１０てあり、ポリスチレン換算分子量９００以下の成分
のパターン全面積に対する面積比（面画値）は１８．８
％であった。合成例２８〜３６で得られたノボラック樹
脂も同様の操作を行ない、また場合により同し樹脂を用
いてもエチルセロソルブアセテートの量を変え、ＧＰＣ
により分子量を測定した。その結果を表−５に示す。
表−５ 実施例１３〜３０．比較例５〜９ ノボラックＡ又は化合物（ａ）ならびに合成例２７〜４
９及び合成例２３．２４で得られた樹脂（Ｉ）を各々、
１，２−キノンジアジド化合物とともに表−６に示す組
成でエチルセロソルブアセテートに溶かしレジスト液を
調合した。なお溶媒量は以下に示す塗布条件て膜厚１．
２８μｍになるように調整した。これら各組成物を０．
２μｍのテフロン製フィルターで濾過し、レジスト液を
調整した。これを常法によって洗浄したシリコンウェハ
ーに回転塗布機を用いて４０００ｒ、　ｐ、　ｍて塗布
した。
ついで、このノリコンウェハーを１００°Ｃの真空吸着
型ホットプレートで１分間ベークした。その後、超高圧
水銀灯を光源とする縮小投影露光装置を用い、ショット
毎に露光時間を段階的に変えて露光した。ついて、現像
液５ＯＰＤ　（住友化学工業■製商品名）を用い現像し
た。リンス、乾燥後各ショットの膜減り量と露光時間を
プロットして、感度を求めた。また、未露光部の残膜厚
から残膜率を求めた。
また、現像後のレジストパターンの付いたノリコンウェ
ハーを種々の温度に設定したクリーンオーブン中に３０
分間、空気雰囲気中で放置し、その後、レジストパター
ンを走査壓電子顕微鏡で観察することにより、耐熱性を
評価した。
これらの結果をまとめて表−６に示す。表−６から明ら
かな様に実施例の感度、解像力、耐熱性のバランスか格
段に向上していることか認められた。
（以下余白） 合成例５０ 内容積１０００ｙｄの三ツロフラスコにｍ−メトキシフ
ェノール１８６ｇ、２．３．５−トリメチルフェノール
１３６ｇ、エチルセロソルブアセテート２５２分かけて
滴下し、その後、５時間さらに加熱攪拌反応させた。そ
の後、中和、水洗、脱水してノボラック樹脂のエチルセ
ロソルブアセテート溶液を得た。ＧＰＣによるポリスチ
レン換算重量平均分子量４４１０であった。
合成例５１〜５４ 合成例５０と同様にして、表−７に示す樹脂を得た。
表−７ １）　　ｍ−メトキシフェノール／　２．３．５−　ト
リメチルフェノール ２）ＧＰＣ（検出器ｊＪＶ−２５４ｎｍ使用）によるポ
リスチレン換算重量平均分子量 合成例５５ 合成例５０て得られたノボラック樹脂のエチルセロソル
ブアセテート溶液（ノボラック樹脂の含有量４０，０％
）　　１００ｇを３１！の底抜きセパラブルフラスコに
仕込み、さらにエチルセロソルブアセテート４３３．３
ｇとノルマルヘプタン２８６．０　ｇを加えて２０’Ｃ
て３０分間攪拌後、静置、分液した。分液て得られた下
層中のノルマルへブタンをエバポレーターにより除去し
て、ノボラック樹脂のエチルセロソルブアセテート溶液
を得た。ＧＰＣによるポリスチレン換算重量平均分子量
は８２７０であり、ポリスチレン換算分子量９００以下
の成分の面百値は７．７％であった。合成例５０〜５４
で得られたノボラック樹脂も同様の操作を行い、ＧＰＣ
により分子量を測定した。その結果を表−８に示す表 ２）は表−７に同じ 実施例３１〜４３及び比較例１Ｏ〜１１化合物（ａ）な
らびに合成例５０〜６１及び２３．２４て得られた樹脂
（ＩＶ）を各々、１，２キノンジアット化合物とともに
表−９に示す組成でエチルセロソルブアセテートに溶か
しレジスト液を調合した。なお溶媒量は以下に示す塗布
条件で膜厚１．２８μｍになるように調整した。これら
各組成物を０．２μｍのテフロン製フィルターで濾過し
、レジスト液を調整した。これを常法によって洗浄した
シリコンウェハーに回転塗布機を用いて４０００ｒ、　
ｐ、　ｍで塗布した。ついて、このシリコンウェハーを
１００°Ｃの真空吸着型ホットプレートで１分間ベーク
した。その後、超高圧水銀灯を光源とする縮小投影露光
装置を用い、ショット毎に露光時間を段階的に変えて露
光した。ついで、現像液５ＯＰＤ　（住人化学工業（構
製商品名）を用い現像した。リンス、乾燥後釜ショット
の膜減り量と露光時間をプロットして、感度を求めた。
また、未露光部の残膜厚から残膜率を求めた。
また、現像後のレジストパターンのついたノリコンウェ
ハーを種々の温度に設定したクリーンオーブン中に３０
分間、空気雰囲気中で放置し、その後、レジストパター
ンを走査型電子顕微鏡で観察することにより、耐熱性を
評価した。
これらの結果をまとめて表−９に示す。表−９から明ら
かな様に実施例の感度、解像力、耐熱性のバランスは比
較例のそれに比へて、格段に向上していることか認めら
れた。
（以下余臼ン
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明で使用される樹脂（Ｉ）におけるｍ−ク
レゾール、ｐ−クレゾール、２．　３．　５トリメチル
フエノールの好ましい混合割合（モル％）を表す三角図
を示す。 （以下余白） 第 図

Claims (24)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）ｍ−クレゾール、２、３、５−トリメチルフェノ
    ール及び場合によりｐ−クレゾールの混合物をアルデヒ
    ド類と縮合させて得られる樹脂（ I ）及びＧＰＣ（検
    出器ＵＶ−２５４ｎｍ使用）によるポリスチレン換算重
    量平均分子量２０００〜２００である低分子量ノボラッ
    ク（II）を含有することを特徴とするアルカリ可溶性樹
    脂（Ａ）と１、２−キノンジアジド化合物とを含有する
    ポジ型レジスト組成物。
  2. （２）樹脂（ I ）が、そのＧＰＣパターンにおけるポ
    リスチレン換算分子量で９００以下の範囲の面積比が、
    全パターン面積に対して２５％以下であることを特徴と
    する請求項１に記載のポジ型レジスト組成物。
  3. （３）樹脂（ I ）のＧＰＣパターンにおけるポリスチ
    レン換算分子量で６０００以下の範囲の面積比が、全パ
    ターン面積に対して４０％以上６５％以下であることを
    特徴とする請求項２に記載のポジ型レジスト組成物。
  4. （４）樹脂（ I ）のＧＰＣパターンにおけるポリスチ
    レン換算分子量で６０００以下の範囲の面積比が、全パ
    ターン面積に対して５０％以上６５％以下であることを
    特徴とする請求項２に記載のポジ型レジスト組成物。
  5. （５）樹脂（ I ）のＧＰＣによるポリスチレン換算重
    量平均分子量が２００００〜２０００であることを特徴
    とする請求項１〜４のいずれかに記載のポジ型レジスト
    組成物。
  6. （６）樹脂（ I ）におけるｍ−クレゾール、ｐ−クレ
    ゾール及び２、３、５−トリメチルフェノールのモル分
    率によるモノマー組成が第１図のＡＢＣＤに囲まれた面
    （境界を含む）に含まれるモノマー組成であることを特
    徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のポジ型レジス
    ト組成物。
  7. （７）低分子量ノボラック（II）が、クレゾールノボラ
    ックであることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに
    記載のポジ型レジスト組成物。
  8. （８）低分子量ノボラック（II）のＧＰＣによるポリス
    チレン換算重量平均分子量が１０００〜２００であるこ
    とを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のポジ型
    レジスト組成物。
  9. （９）低分子量ノボラック（II）の含量がアルカリ可溶
    性樹脂全量１００重量部に対して、４〜５０重量部であ
    ることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載のポ
    ジ型レジスト組成物。
  10. （１０）ｍ−クレゾール、２、３、５−トリメチルフェ
    ノール及び場合によりｐ−クレゾールの混合物をアルデ
    ヒド類と縮合重合させて得られる樹脂（ I ）及び下記
    一般式（III）で表わされる化合物を含有するアルカリ
    可溶性樹脂（Ｂ）と１、２−キノンジアジド化合物とを
    含有するポジ型レジスト組成物。　 ▲数式、化学式、表等があります▼（III） （式中、Ｒ＿１、Ｒ＿２、Ｒ＿３はＣ＿１〜Ｃ＿５のア
    ルキル基またはＣ＿１〜Ｃ＿５のアルコキシ基を表わし
    、Ｒ′は水素原子またはＣ＿１〜Ｃ＿３のアルキル基を
    表わす。ｌ、ｍ、ｎはそれぞれ０以上３以下の数である
    。）
  11. （１１）樹脂（ I ）のＧＰＣパターンにおけるポリス
    チレン換算分子量で９００以下の範囲の面積比か、全パ
    ターン面積に対して２５％以下であることを特徴とする
    請求項１０に記載のポジ型レジスト組成物。
  12. （１２）樹脂（ I ）のＧＰＣパターンにおけるポリス
    チレン換算分子量で６０００以下の範囲の面積比が、全
    パターン面積に対して４０％以上６５％以下であること
    を特徴とする請求項１１に記載のポジ型レジスト組成物
    。
  13. （１３）樹脂（ I ）のＧＰＣパターンにおけるポリス
    チレン換算分子量で６０００以下の範囲の面積比が、全
    パターン面積に対して５０％以上６５％以下であること
    を特徴とする請求項１１に記載のポジ型レジスト組成物
    。
  14. （１４）樹脂（ I ）のＧＰＣによるポリスチレン換算
    重量平均分子量が２００００〜２０００であることを特
    徴とする請求項１０〜１３のいずれかに記載のポジ型レ
    ジスト組成物。
  15. （１５）樹脂（ I ）におけるｍ−クレゾール、ｐ−ク
    レゾール及び２、３、５−トリメチルフェノールのモル
    分率によるモノマー組成が第１図のＡＢＣＤに囲まれた
    面（境界を含む）に含まれるモノマー組成であることを
    特徴とする請求項１０〜１４のいずれかに記載のポジ型
    レジスト組成物。
  16. （１６）一般式（III）で表わされる化合物が、▲数式
    、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ 又は▲数式、化学式、表等があります▼ であることを特徴とする請求項１０に記載のポジ型レジ
    スト組成物。
  17. （１７）一般式（III）で表わされる化合物が、▲数式
    、化学式、表等があります▼ 又は▲数式、化学式、表等があります▼ であることを特徴とする請求項１６に記載のポジ型レジ
    スト組成物。
  18. （１８）一般式（III）で表わされる化合物の含量が、
    アルカリ可溶性樹脂全量１００重量部に対して４〜４０
    重量部である請求項１０〜１７に記載のポジ型レジスト
    組成物。
  19. （１９）ｍ−メトキシフェノールと２、３、５−トリメ
    チルフェノールをモル比８０：２０〜３０：７０の共重
    合比でアルデヒド類と縮合させて得られる樹脂（IV）を
    含有するアルカリ可溶性樹脂（Ｃ）と１、２−キノンジ
    アジド化合物とを含有するポジ型レジスト組成物。
  20. （２０）樹脂（IV）のＧＰＣ（検出器ＵＶ−２５４ｎｍ
    使用）によるポリスチレン換算重量平均分子量２０００
    〜２００００であることを特徴とする請求項１９に記載
    のポジ型レジスト組成物。
  21. （２１）一般式（III）で表わされる化合物を含むこと
    を特徴とする請求項１９又は２０に記載のポジ型レジス
    ト組成物。
  22. （２２）樹脂（IV）のＧＰＣのポリスチレン換算分子量
    ９００以下の成分の面積比がパターンの全面積に対して
    １５％以下であり、化合物（III）をアルカリ可溶性樹
    脂の全量に対し４〜１０重量部含有することを特徴とす
    る請求項２１に記載のポジ型レジスト組成物。
  23. （２３）１、２−キノンジアジド化合物が２、３、４、
    ４′−テトラヒドロキシベンゾフェノンの１、２−ナフ
    トキノンジアジド−５−スルホン酸エステルで、平均し
    て２個以上の水酸基がエステル化されている化合物であ
    ることを特徴とする請求項１〜２２のいずれかに記載の
    ポジ型レジスト組成物。
  24. （２４）１、２−キノンジアジド化合物がオキシフラバ
    ン類 ▲数式、化学式、表等があります▼ （ただし、式中ｑは０以上４以下の数を表し、ｒは１以
    上５以下の数を表す。ｑ＋ｒは２以上である。Ｒ＿４、
    Ｒ＿５、Ｒ＿６は水素原子、アルキル基、アルケニル基
    、シクロヘキシル基またはアリール基を表す。）の１、
    ２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステルで
    、平均して２個以上の水酸基がエステル化されている化
    合物であることを特徴とする請求項１〜２２のいずれか
    に記載のポジ型レジスト組成物。
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