KR101308431B1 - 인쇄용 레지스트 및 이를 이용한 패턴형성방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 인쇄롤에 도포된 후, 인쇄판 및 기판에 순차적으로 전사되는 인쇄용 레지스트에 있어서, 상기 인쇄용 레지스트는 노볼락 수지로 형성되며, 상기 노볼락 수지에 퍼플루오르트리부틸아민(perfluorotributylamine), 니트로메탄(nitromethane), 다이메틸설폭사이드(dimethysulfoxide), 에틸렌글리콜(ethylene glycol), 글리세롤(glycerol) 또는 워터(water)를 포함하는 용제가 혼합되어 상기 인쇄롤에 도포되며, 상기 인쇄판과 레지스트 간의 접착에너지(Cohesive Energy) 및 기판과 레지스트 간의 접착에너지가 상기 인쇄롤의 표면에 형성된 블랭킷과 레지스트 간의 접착에너지보다 큰 것을 특징으로 하는 인쇄용 레지스트에 관한 것으로서,
본 발명의 구성에 따르면, 레지스트를 인쇄판 및 기판 상에 정확하게 전사할 수 있어 정밀한 패턴의 구현이 가능하며, 레지스트를 패터닝하기 위한 현상공정 등이 필요하지 않아 공정시간이 단축된다.
레지스트, 인쇄판, 표면에너지, 파쇄에너지

Description

인쇄용 레지스트 및 이를 이용한 패턴형성방법{Resist for Printing and Patterning Method using the same}
도 1a 내지 도 1d는 종래기술에 따른 포토리소그래피공정을 개략적으로 도시한 공정도이다.
도 2a 내지 도 2d는 종래기술에 따른 인쇄롤을 이용한 패턴형성방법을 개략적으로 도시한 공정도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 인쇄용 레지스트를 인쇄판 상에 전사하는 공정을 개략적으로 도시한 공정도이다.
도 4는 도 3의 A 부분의 확대도이다.
도 5는 고분자 물질의 분자량에 따른 파쇄에너지를 개략적으로 도시한 그래프이다.
도 6은 PDMS를 블랭킷으로 사용했을 때, 여러 가지 용제의 용해도 파라미터에 따른 블랭킷의 변형정도를 개략적으로 도시한 그래프이다.
<도면의 주요부의 부호에 대한 설명>
300 : 인쇄용 레지스트 600 : 인쇄롤
650 : 블랭킷 700 : 인쇄판
본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로 보다 구체적으로는 액정표시장치의 패턴형성방법 중 하나인 인쇄방법에 사용되는 인쇄용 레지스트에 관한 것이다.
표시화면의 두께가 수 센티미터(cm)에 불과한 초박형의 평판표시장치(Flat Panel Display), 그 중에서도 액정표시장치는 동작 전압이 낮아 소비 전력이 적고 휴대용으로 쓰일 수 있는 등의 이점으로 노트북 컴퓨터, 모니터, 우주선, 항공기 등에 이르기까지 응용분야가 넓고 다양하다.
상기 액정표시장치는 하부기판, 상부기판 및 상기 양 기판 사이에 형성된 액정층을 포함하여 이루어진다.
상기 하부기판 상에는 서로 종횡으로 교차되어 화소영역을 정의하는 게이트 배선과 데이터 배선이 형성되어 있다. 그리고 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차영역에는 스위칭 소자로서 박막트랜지스터가 형성되어 있다. 그리고 화소전극이 형성되어 박막트랜지스터와 연결되어 있다.
또한, 상부기판 상에는 상기 게이트 배선, 데이터 배선 및 박막트랜지스터 영역에서 광이 누설되는 것을 차단하기 위한 차광층이 형성되어 있고, 상기 차광층 위에 컬러필터층이 형성되어 있으며, 상기 컬러필터층 상부에 공통전극이 형성되어 있다.
이와 같이 액정표시장치는 다양한 구성요소들을 포함하고 있으며 그 구성요소들을 형성하기 위해 수많은 광정들이 반복적으로 행해지게 된다. 특히, 다양한 구성요소들을 다양한 형태로 패터닝하기 위해서 포토리소그래피공정이 사용되어 왔다.
도 1a 내지 도 1d는 종래기술에 따른 포토리소그래피공정을 개략적으로 도시한 공정도이다.
우선, 도 1a에서 알 수 있듯이, 기판(10) 상에 패턴물질(20)층 및 포토레지스트(30)층을 형성한다.
그 후, 도 1b에서 알 수 있듯이, 상기 포토레지스트(30)층 위에 소정 패턴의 마스크(40)를 위치시킨 후 광 조사장치를 통해 광을 조사한다.
그 후, 도 1c에서 알 수 있듯이, 현상공정 및 식각공정을 통해 상기 패턴물질(20)층 및 포토레지스트(30)층을 패터닝한다.
그 후, 도 1d에서 알 수 있듯이, 포토레지스트 스트리퍼를 이용하여 상기 포토레지스트(30)층을 제거하면 패턴이 완성된다.
그러나 상기 포토리소그래피공정은 소정 패턴의 마스크를 사용해야하므로, 그만큼 제조비용이 상승되는 단점이 있으며, 또한 현상공정 등을 거쳐야하므로 공정이 복잡하고 공정시간이 오래 걸리는 단점이 있다.
상기 포토리소그래피 공정의 단점을 해결하기 위한 새로운 패턴형성방법이 요구되었으며, 그와 같은 요구에 따라 인쇄롤을 이용하여 패턴을 형성하는 방법이 고안되었다.
도 2a 내지 도 2d는 종래기술에 따른 인쇄롤을 이용한 패턴형성방법을 개략적으로 도시한 공정도이다.
우선 도 2a에서 알 수 있듯이, 인쇄노즐(50)을 이용하여 포토레지스트(30)를 그 표면에 블랭킷(65)이 부착된 인쇄롤(60)에 도포한다.
상기 인쇄롤(60) 표면에 부착된 블랭킷(65)은 어느 정도의 탄성을 가진 수지로 되어있어, 상기 인쇄롤(60)에 도포된 포토레지스트(30)를 인쇄판에 전사할 때, 상기 인쇄롤(60)과 인쇄판 사이의 마찰을 줄여준다.
그 후, 도 2b에서 알 수 있듯이, 소정 형상의 돌출부가 형성된 인쇄판(70) 상에서 상기 인쇄롤(60)을 회전시켜, 상기 인쇄판(70)의 돌출부에 일부 포토레지스트(30)를 전사하고, 잔존하는 포토레지스트(30)에 의해 인쇄롤(60)에 소정 형상의 패턴을 형성한다.
그 후, 도 2c에서 알 수 있듯이, 패턴물질(20)층이 형성된 기판(10) 상에서 상기 인쇄롤(60)을 회전시켜, 상기 패턴물질(20)층이 형성된 기판(10) 상에 포토레지스트(30)를 전사한다.
그 후, 도 2d에서 알 수 있듯이, 상기 포토레지스트(30)를 마스크로 하여 상기 패턴물질(20)층을 식각한 후, 포토레지스트 스트리퍼를 이용하여 상기 포토레지스트(30)층을 제거하면 패턴이 완성된다.
상기 포토레지스트(30)는 포토리소그래피공정 뿐만 아니라, 인쇄롤(60)을 이용한 패턴형성방법에서도 패턴물질(20)의 식각을 위한 마스크로서 사용된다.
다만, 상기 포토레지스트(30)는 광을 조사하면 그 특성이 변하는 물질로, 포토리소그래피공정에서는 유용하나, 노광공정이 필요 없는 인쇄롤을 이용한 패턴형성방법에서 사용할 경우 패턴 불량이 생길 수 있어 원하는 패턴의 구현이 불가능하 다.
이에 인쇄롤을 이용한 패턴형성방법에 있어 상기 포토레지스트를 대체할 수 있는 새로운 레지스트의 개발이 필요한 실정이다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로,
본 발명의 목적은 인쇄롤을 이용한 패턴형성방법에 있어, 인쇄판 및 기판에 정확하게 전사되어 정밀한 패턴의 구현이 가능한 인쇄용 레지스트 및 이를 이용한 패턴형성방법을 제공하는데 있다.
본 발명은 상기와 같은 목적을 달성하기 위해서, 인쇄롤에 도포된 후, 인쇄판 및 기판에 순차적으로 전사되는 인쇄용 레지스트에 있어서, 상기 인쇄용 레지스트는 노볼락 수지로 형성되며, 상기 노볼락 수지에 퍼플루오르트리부틸아민(perfluorotributylamine), 니트로메탄(nitromethane), 다이메틸설폭사이드(dimethysulfoxide), 에틸렌글리콜(ethylene glycol), 글리세롤(glycerol) 또는 워터(water)를 포함하는 용제가 혼합되어 상기 인쇄롤에 도포되며, 상기 인쇄판과 레지스트 간의 접착에너지(Cohesive Energy) 및 기판과 레지스트 간의 접착에너지가 상기 인쇄롤의 표면에 형성된 블랭킷과 레지스트 간의 접착에너지보다 큰 것을 특징으로 하는 인쇄용 레지스트를 제공한다.
상기 접착에너지는 두 개의 물질이 계면을 이루고 있을 때, 두 개의 물질을 서로 분리하기 위해 필요한 단위면적당 에너지를 말하는 것으로, 상기 두 개의 물질 간의 접착에너지가 크다는 것은 양 물체의 접착력이 우수하다는 것을 의미한다.
본 발명은 인쇄판과 레지스트 간의 접착에너지 및 기판과 레지스트 간의 접착에너지가 인쇄롤의 표면에 형성된 블랭킷과 레지스트 간의 접착에너지보다 큰 값을 가지도록 함으로써, 상기 인쇄판과 레지스트의 접착력 및 상기 기판과 레지스트 의 접착력이 상기 블랭킷과 레지스트의 접착력보다 우수하게 하여, 상기 레지스트가 블랭킷으로부터 잘 분리되어 상기 인쇄판 및 기판에 정확하게 전사될 수 있도록 한 것이다.
또한, 본 발명은 상기 접착에너지의 범위를 정함과 더불어, 레지스트의 파쇄에너지, 레지스트의 표면에너지, 레지스트와 혼합되는 용제의 용해도 파라미터 및 쌍극자 모멘트 등을 추가로 정함으로써, 레지스트를 블랭킷으로부터 인쇄판 및 기판에 정확히 전사할 수 있는 방법을 제공한다. 이하에서 각각에 대해서 구체적으로 설명하기로 한다.
우선, 레지스트의 파쇄에너지를 통해 레지스트를 블랭킷으로부터 인쇄판 및 기판에 정확히 전사하는 방법에 대해서 설명하기로 한다.
상기 파쇄에너지는 어떤 물질층이 파쇄되는데 필요한 단위면적당 에너지를 말하는 것으로, 상기 파쇄에너지가 크다는 것은 물질층이 파쇄되기 어렵다는 것을 의미한다.
상기 레지스트가 블랭킷으로부터 인쇄판으로 정확히 전사되기 위해서는 레지스트 중 인쇄판으로 전사되는 부분에서 정확한 파쇄가 일어나야 할 것인 바, 본 발명은 상기와 같은 레지스트 중 인쇄판으로 전사되는 부분에서 정확한 파쇄가 일어날 수 있는 방법에 대해서 제공한다.
보다 구체적으로는, 본 발명에 따르면, 상기 레지스트의 인쇄판 및 블랭킷에 대한 총 접착에너지가 상기 블랭킷에 도포된 레지스트를 파쇄 하는데 필요한 총 파쇄에너지보다 큰 것이 바람직하다.
이와 같이, 본 발명은 상기 레지스트의 인쇄판 및 블랭킷에 대한 총 부착에너지를 상기 블랭킷에 도포된 레지스트를 파쇄 하는데 필요한 총 파쇄에너지보다 크게 정함으로써, 상기 레지스트 중 상기 인쇄판에 전사되는 부분과 전사되지 않는 부분의 경계영역이 잘 파쇄될 수 있도록 하여, 상기 레지스트가 상기 인쇄판에 정확하게 전사될 수 있도록 한 것이다.
다음, 레지스트의 표면에너지(Surface Energy)를 통해 레지스트를 블랭킷으로부터 인쇄판 및 기판에 정확히 전사하는 방법에 대해서 설명하기로 한다.
상기 표면에너지는 고체 또는 액체상이 기체상과 계면을 이루기 위해 필요한 단위면적당 에너지를 말하는 것으로, 어느 물질의 표면에너지가 작다는 것은 그 물질이 공기와 쉽게 계면을 이루게 되어 다른 물질에 잘 부착되지 못한다는 것을 의미하고, 반대로 어느 물질의 표면에너지가 크다는 것은 그 물질이 다른 물질에 잘 부착된다는 것을 의미한다.
본 발명에 따르면, 상기 레지스트의 표면에너지가 상기 블랭킷의 표면에너지보다 크고, 상기 인쇄판 및 기판의 표면에너지보다 작은 것이 바람직하다.
본 발명은 상기 레지스트의 표면에너지가 상기 블랭킷의 표면에너지보다 크고, 상기 인쇄판 및 기판의 표면에너지보다 작기 때문에, 상기 레지스트가 상기 레지스트의 표면에너지보다 작은 표면에너지를 가지는 블랭킷으로부터 잘 분리되고 상기 레지스트의 표면에너지보다 큰 표면에너지를 가지는 인쇄판에 잘 부착되어, 상기 레지스트가 상기 블랭킷으로부터 상기 인쇄판으로 정확하게 전사될 수 있도록 한 것이다.
다음, 레지스트가 용해되는 용제의 용해도 파라미터 및 쌍극자 모멘트를 통해 레지스트를 블랭킷으로부터 인쇄판 및 기판에 정확히 전사하는 방법에 대해서 설명하기로 한다.
상기 레지스트가 상기 블랭킷에 도포될 때, 도포의 효율성을 위해 상기 레지스트에 용제가 혼합되는데, 상기 용제가 상기 블랭킷에 침투하여 블랭킷을 변형시키는 것을 막기 위해서는 용제의 용해도 파라미터(Solubility Parameter)가 블랭킷의 용해도 파라미터와 상이한 것이 바람직하다.
두 물질의 용해도 파라미터가 유사하다는 것은 상기 두 물질이 서로를 동일 물질로 인지하여 서로 잘 섞인다는 것을 의미하므로, 상기 용제가 상기 블랭킷에 침투하여 블랭킷을 변형시키는 것을 막기 위해서는 상기 용제의 용해도 파라미터의 값이 상기 블랭킷의 용해도 파라미터의 값과 유사하지 않아야 하는 것이다.
상기 블랭킷으로 주로 이용되는 PDMS(polydimethyl siloxane)의 용해도 파라미터가 7.3[cal1/2cm-3/2] 임을 감안하면, 상기 용제의 용해도 파라미터의 값이 6[cal1/2cm-3/2]보다 작거나 11[cal1/2cm-3/2]보다 클 때, 블랭킷의 변형을 최소화할 수 있다.
또한, 상기 용제가 상기 블랭킷에 침투하여 블랭킷을 변형시키는 것을 막기 위해서는 용제의 쌍극자 모멘트가 블랭킷의 쌍극자 모멘트와 상이한 것이 바람직하다.
상기 쌍극자 모멘트는 쌍극자의 세기에 쌍극자 간의 거리를 곱한 물리량으 로, 쌍극자 모멘트가 크다는 것은 극성이 강하다는 것을 의미한다.
상기 블랭킷으로 주로 이용되는 PDMS가 극소수성을 띄는 재질이기 때문에, 쌍극자 모멘트의 값이 2[D]보다 큰 극성 용제를 이용하면, 상기 용제가 블랭킷으로 침투하는 것을 막아 블랭킷의 변형을 최소화할 수 있다
또한, 본 발명은 상기와 같은 목적을 달성하기 위해서, 기판 상에 패턴물질층을 형성하는 공정; 그 표면에 블랭킷이 형성된 인쇄롤에 전술한 인쇄용 레지스트를 도포하는 공정; 상기 인쇄롤을 인쇄판 상에서 회전시켜, 상기 인쇄용 레지스트 중 일부를 인쇄판 상에 전사하는 공정; 상기 인쇄롤을 상기 패턴물질층이 형성된 기판 상에서 회전시켜, 상기 인쇄롤에 잔존하는 인쇄용 레지스트를 기판 상에 전사하는 공정; 상기 패턴물질층을 식각하는 공정; 상기 기판 상에 형성된 인쇄용 레지스트를 제거하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법을 제공한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 인쇄용 레지스트를 인쇄판 상에 전사하는 공정을 개략적으로 도시한 공정도이고, 도 4는 도 3의 A 부분의 확대도이다.
기판(도시하지 않음)은 인쇄판(700)과 동일한 재질로 이루어지기 때문에, 인쇄용 레지스트(300)와의 관계에서도 인쇄판(700)과 동일하므로, 따로 도시하거나 설명하지 않는다.
본 발명의 실시예에 따른 인쇄용 레지스트(300)의 표면에너지(γR)는, 아래의 수학식 1에서 알 수 있듯이, 인쇄롤(600)의 표면에 형성된 블랭킷(650)의 표면에너지(γB)보다 크고, 상기 인쇄판(700)의 표면에너지(γC)보다 작은 값을 갖는다.
γB < γR < γC
상기 블랭킷(650)은 Si 계열 탄성체의 일종인 PDMS(polydimethyl siloxane)로 이루어져 있으며, 그 표면에너지(γB)는 약 20[mJ/m2]이다.
또한, 상기 인쇄판(700)은 수지 또는 유리로 이루어져 있으며, 그 표면에너지(γC)는 약 50[mJ/m2] 이상이다.
예를 들면, 상기 인쇄판(700)으로 투명기판의 일종인 유리를 이용하는 경우, 그 표면에너지(γC)는 약 100[mJ/m2]이다.
따라서 상기 레지스트(300)의 표면에너지(γR)는 상기 블랭킷(650)의 표면에너지(γB) 보다 크고, 상기 인쇄판(700)의 표면에너지(γC) 50[mJ/m2]보다 작아야하며, 보다 바람직하게는 25 ~ 40[mJ/m2]일 때, 상기 레지스트(300)가 블랭킷(650)으로부터 쉽게 떨어져 상기 인쇄판(700)에 정확하게 전사될 수 있다.
상기 레지스트(300)가 상기 블랭킷(650)에 도포될 때에는 상기 레지스 트(300)에 용제가 혼합되어 있고, 상기 레지스트(300)와 용제의 혼합용액의 표면에너지는 상기 블랭킷(650)의 표면에너지 20[mJ/m2]과 거의 비슷하거나 약간 작은 수준이기 때문에, 상기 레지스트(300)와 용제의 혼합용액은 상대적으로 표면에너지가 큰 상기 블랭킷(650)에 쉽게 도포될 수 있다.
상기 혼합용액의 용제는 상기 혼합용액이 상기 블랭킷(650)에 도포된 후 즉시 증발하기 때문에, 상기 인쇄판(700)에 상기 레지스트(300)가 전사될 때에는 상기 용제가 거의 남아있지 않아 상기 레지스트(300)가 상기 블랭킷(650)으로부터 쉽게 떨어질 수 있게 된다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 인쇄용 레지스트(300)와 인쇄판(700) 간의 접착에너지(WRC)는 아래의 수학식 2에서 알 수 있듯이, 상기 레지스트(300)와 인쇄롤(600)의 표면에 형성된 블랭킷(650) 간의 접착에너지(WRB)보다 큰 것이 바람직하다.
WRB < WRC
상기 WRB, WRC는 아래의 수학식 3과 같이 표현될 수 있다.
WRB = γR + γB - γRB
WRC = γR + γC - γRC
상기 γR, γB, γC는 상기 레지스트(300), 블랭킷(650), 인쇄판(700)의 표면에너지를 각각 나타내고, γRB, γRC는 상기 레지스트(300)가 상기 블랭킷(650), 인쇄판(700) 각각과 계면을 이룬 상태에서의 표면에너지를 나타낸다.
즉, 분리된 후의 표면에너지에서 계면을 이룬 상태의 표면에너지를 뺀 값이 계면을 이룬 두 물질을 분리하는 데 필요한 접착에너지이다.
다만, 계면을 이룬 상태에서의 표면에너지(γRB, γRC)를 측정하는 것은 쉽지 않으므로 아래의 수학식 4 및 수학식 5와 같이, 레지스트(300), 블랭킷(650) 및 인쇄판(700)의 표면에너지(γR, γB, γC)의 극성 및 비극성항(polar and dispersion term)을 이용하여 접착에너지를 계산한다.
아래의 수학식 4는 계면을 이루는 두 물질 중 한 물질이 낮은 표면에너지를 갖고, 나머지 한 물질은 높은 표면에너지를 갖는 경우 접착에너지를 계산하는 식이고, 수학식 5는 계면을 이루는 두 물질 모두 낮은 표면에너지를 갖는 경우 접착에너지를 계산하는 식이다.
WRB = 2(γR dγB d)1/2 + 2(γR pγB p)1/2
WRC = 2(γR dγC d)1/2 + 2(γR pγC p)1/2
WRB = [4(γR dγB d)/(γR d + γB d)] + [4(γR pγB p)/(γR p + γB p)]
WRC = [4(γR dγC d)/(γR d + γC d)] + [4(γR pγC p)/(γR p + γC p)]
상기 수학식 4 및 수학식 5에서 d는 비극성을 나타내는 항(dispersion term)이며, p는 극성을 나타내는 항(polar term)이다.
아래의 표 1은 상기 수학식 4 및 수학식 5에 따라 부착에너지를 계산하기 위해, 블랭킷(650), 레지스트(300), 인쇄판(700)의 γd, γp 실측치를 나타낸 것이다.
γd γp
블랭킷(PDMS) 18.8 1.6
레지스트(노볼락) 42.2 2.0
인쇄판(유리) 52 47
상기 표 1에서 알 수 있듯이, 블랭킷(650)으로는 PDMS를 사용하고, 인쇄판(700)으로는 유리를 사용하였다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 레지스트(300)로는 노볼락 수지(novolak resin)를 사용하였다.
상기 데이터를 상기 수학식 4 또는 수학식 5에 대입함으로써, 상기 레지스트(300)와 블랭킷(650) 간의 접착에너지 및 상기 레지스트(300)와 인쇄판(700) 간의 접착에너지를 구할 수 있다.
노볼락 수지와 PDMS는 모두 낮은 표면에너지를 가지므로, 노볼락 수지와 PDMS의 접착에너지 즉 상기 레지스트(300)와 블랭킷(650)의 접착에너지(WRB)는 수학식 5에 의해서 구할 수 있다.
상기 표 1에 개시된 블랭킷(650) 및 레지스트(300)의 γd, γp 값을 상기 수학식 5에 대입하면, WRB ≒ 55.6[mJ/m2]임을 알 수 있다.
반면에, 유리는 높은 표면에너지를 가지므로, 노볼락 수지와 유리의 접착에너지 즉 상기 레지스트(300)와 인쇄판(700)의 접착에너지(WRC)는 수학식 4에 의해서 구할 수 있다.
상기 표 1에 개시된 레지스트(300) 및 인쇄판(700)의 γd, γp 값을 상기 수학식 4에 대입하면, WRC ≒ 113.1[mJ/m2]임을 알 수 있다.
상기 WRB와 WRC의 값을 비교해 보면, 상기 수학식 2와 같이, WRB < WRC가 성립함을 알 수 있다.
상기 레지스트(300)와 인쇄판(700) 사이의 접착에너지(WRC)가 상기 레지스트(300)와 블랭킷(650) 사이의 접착에너지(WRB)보다 크기 때문에, 상기 레지스트(300)가 상기 블랭킷(650)으로부터 쉽게 떨어져 인쇄판(700)에 정확하게 전사될 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 인쇄용 레지스트(300)와 인쇄판(700)간의 접착에너지에서 상기 레지스트(300)와 블랭킷(650)간의 접착에너지를 뺀 값(WRC - WRB)에 상기 인쇄판(700) 돌출부의 길이(d)를 곱한 값은 상기 레지스트(300)의 파쇄에너지(Fracture Energy, G)에 상기 블랭킷(650)에 도포된 레지스트(300)의 두께(h)를 곱한 값보다 크다.
상기 레지스트(300)가 상기 인쇄판(700)에 정확하게 전사되도록 하기 위해서는, 상기 접착에너지 외에, 상기 레지스트(300)가 얼마나 잘 파쇄될 수 있는지도 고려되어야하기 때문이다.
상기 레지스트(300)의 총 접착에너지는 상기 레지스트(300)와 인쇄판(700) 간의 접착에너지(WRC), 상기 레지스트(300)와 블랭킷(650)간의 접착에너지(WRB), 상기 인쇄판(700) 돌출부와 상기 레지스트(300)가 접촉하는 면적(S1)에 의해서 정해진다.
상기 WRC와 WRB는 서로 반대방향이므로, 상기 레지스트(300)의 총 접착에너지는 (WRC - WRB)S1이 된다.
또한, 상기 레지스트(300)의 총 파쇄에너지는 상기 레지스트(300)의 파쇄에너지(G)와 상기 레지스트(300)의 단면적(S2)에 의해서 정해진다.
상기 레지스트(300)의 파쇄에너지(G)는 동일 물질이 분리되는데 단위면적당 필요한 에너지이므로, 상기 레지스트(300)의 총 파쇄에너지는 GS2가 된다.
아래의 수학식 6과 같이, 상기 레지스트(300)의 총 접착에너지가 상기 레지스트(300)의 총 파쇄에너지보다 클 때, 상기 레지스트(300)가 상기 인쇄판(700) 상에 정확하게 전사될 수 있다.
GS2 < (WRC - WRB)S1
다만, S1은 상기 인쇄판(700) 돌출부와 상기 레지스트(300)가 접촉하는 면적으로 인쇄판(700)의 길이(d) 및 인쇄판(700)의 폭(l)의 곱으로 나타낼 수 있고, S2는 상기 인쇄판(700) 돌출부에 전사되는 레지스트(300)의 단면적으로 상기 인쇄판(700)의 폭(l) 및 상기 레지스트(300)의 두께(h)의 곱으로 나타낼 수 있다.
즉, 상기 S1은 dl로 나타낼 수 있고, S2는 hl로 나타낼 수 있다.
상기 인쇄판(700)의 폭(l)은 공통 성분으로 서로 약분하면, 상기 수학식 6은 아래의 수학식 7과 같이 변형된다.
Gh < (WRC - WRB)d
상기에서와 같이, PDMS, 노볼락 수지, 유리를 각각 블랭킷(650), 레지스트(300), 인쇄판(700)으로 이용하면, WRC - WRB = 113.1 - 55.6 = 57.5[mJ/m2]가 된다.
이 때, 상기 인쇄판(700)의 폭을 10μm, 상기 레지스트(300)의 두께를 1μm 라고 하면, 상기 레지스트(300)는 그 파쇄에너지(G)가 575[mJ/m2]보다 작도록 설계 되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 수학식 7은 상기 레지스트(300)의 두께를 정하는 데에도 유용하게 이용될 수 있다.
만일 상기와 같은 조건, 즉 WRC - WRB = 57.5[mJ/m2]이고 G=575라면, 상기 레지스트(300)는 1μm 이하의 두께로 형성되어야 상기 인쇄판(700)에 쉽게 전사될 수 있다.
상기에서 살펴본 바와 같이, 상기 레지스트(300)의 파쇄에너지가 낮을수록 상기 레지스트(300)의 접착에너지와의 차이가 커져서, 상기 레지스트(300)가 상기 인쇄판(700)에 쉽게 전사될 수 있다.
이러한 파쇄에너지는, 아래의 수학식 8에서 알 수 있듯이,상기 레지스트(300)를 구성하는 물질의 분자량과 밀접한 관계를 가지고 있다.
Figure 112006029349232-pat00001
도 5는, 상기 수학식 8에 따라, 고분자 물질의 분자량에 따른 파쇄에너지를 개략적으로 도시한 그래프이다.
도 5에서 알 수 있듯이, 파쇄에너지(G)는 임계분자량(Mc)을 기점으로 급격하게 변한다.
일반적으로, 상기 파쇄에너지(G)가 1[J/m2]보다 작은 경우 파쇄되기 쉽 다(Fragile)고 하며, 상기 파쇄에너지(G)가 1[J/m2]보다 큰 경우 파쇄되기 어렵다(Cohesive)고 한다.
상기 파쇄에너지(G)가 1[J/m2]인 분자량을 임계분자량(Mc)으로 정의하며, 그 값은 약 33,000 정도이다.
따라서 본 발명의 실시예에 따른 레지스트(300)가 상기 인쇄판(700)에 쉽게 전사되기 위해서는 파쇄에너지(G)가 1[J/m2]보다 작은 것이 바람직하고, 상기 파쇄에너지(G)가 1[J/m2]보다 작기 위해서는 상기 레지스트(300)를 구성하는 물질의 분자량이 33,000 이하인 것이 바람직하다.
또한, 상기 본 발명의 실시예에 따른 인쇄용 레지스트(300)가 상기 블랭킷(650)에 도포될 때, 상기 레지스트(300)에 혼합되는 용제의 용해도 파라미터(δS)는 6[cal1 /2cm-3/2]보다 작거나, 11[cal1 /2cm-3/2]보다 크다.
상기 레지스트(300)가 상기 블랭킷(650)에 도포될 때, 상기 레지스트(300)와 혼합되는 용제는 상기 인쇄롤(600)의 표면에 형성된 블랭킷(650)에 침투하여 블랭킷(650)을 변형시킬 수 있는데, 이는 상기 블랭킷(650)의 용해도 파라미터의 값과 상기 용제의 용해도 파라미터의 값이 유사한 경우 더욱 커진다.
이론적으로는, Flory-Huggins 이론에 따라 아래의 수학식 9로 정의되는 상호작용 파라미터(interaction parameter, χ)의 값이 최대화되는 방향으로 용제를 선정하여야 블랭킷(650)의 변형을 최소화할 수 있다.
χ = (δB - δS)2
상기 수학식 9에서 알 수 있듯이, 상기 블랭킷(650)의 용해도 파라미터(δB)와 상기 용제의 용해도 파라미터(δS)가 서로 유사하면, 상호작용 파라미터(χ)가 0에 가까운 값이 된다.
상기 상호작용 파라미터(χ)가 0에 가까운 값을 가진다는 것은, 상기 블랭킷(650)과 상기 용제가 서로를 동일 물질로 인지하여 서로 잘 섞인다는 것을 의미한다.
상기 용제가 상기 블랭킷(650)과 섞이면 상기 블랭킷(650)에는 변형이 일어날 가능성이 높으므로, 이를 방지하기 위해 상기 상호작용 파라미터(χ)의 값이 최대화되는 방향으로 용제를 선정하는 것이 바람직하다.
도 6은 PDMS를 블랭킷(650)으로 사용했을 때, 여러 가지 용제의 용해도 파라미터(δS)에 따른 블랭킷(650)의 변형정도를 개략적으로 도시한 그래프이다.
도 6에서 알 수 있듯이, PDMS의 용해도 파라미터는 7.3[cal1/2cm-3/2]이고, 상기 PDMS와 각종 용제의 용해도 파라미터 차이에 따라 블랭킷(650)의 변형정도가 달라진다.
좀 더 구체적으로 살펴보면, 용제의 용해도 파라미터(δS)가 6[cal1/2cm-3/2]보 다 작을 때 또는 상기 용제의 용해도 파라미터(δS)가 11[cal1 /2cm-3/2]보다 클 때 블랭킷(650)의 변형이 거의 없다.
상기 용제의 용해도 파라미터(δS)가 6[cal1 /2cm-3/2]보다 작거나 11[cal1/2cm-3/2]보다 큰 경우, 상기 PDMS의 용해도 파라미터와 차이가 커져, 상기 상호작용 파라미터(χ)의 값이 커진다.
상기 상호작용 파라미터(χ)의 값이 커질 경우, 상기 블랭킷(650)과 용제는 서로 다른 물질로 인지하기 쉬워 서로 잘 섞이지 않으므로, 용제가 블랭킷(650)으로 흡수되어 블랭킷(650)을 변형시킬 우려가 작다.
다만, 같은 용해도 파라미터를 갖는 용제라고 할지라도 블랭킷(650)의 변형정도가 다른 경우가 있다.
도 6에서 알 수 있듯이, 메틸렌클로라이드(Methylene Chloride, 16)와 아세톤(Acetone, 22)이 그러한 경우이다.
상기 메틸렌클로라이드와 아세톤은 모두 약 10[cal1/2cm-3/2]의 용해도 파라미터 값을 가진다.
용해도 파라미터 값이 같으면 상호작용 파라미터(χ)의 값이 같으므로 블랭킷의 변형정도가 같아야하나, 상기 메틸렌클로라이드는 상기 아세톤보다 약 3배가량 많이 블랭킷(650)을 변형시킨다.
이는 상기 블랭킷과 용제의 쌍극자 모멘트(μ) 차이에 기인한 것이다.
상기 블랭킷(650)으로 이용되는 PDMS와 같은 재질은 극소수성을 띄는 재질이기 때문에, 쌍극자 모멘트(μ)가 작은 용제일수록 상기 블랭킷(650)의 변형을 유발할 우려가 크다. 쌍극자 모멘트가 크다는 것은 극성이 강하다는 것을 의미하므로, 블랭킷의 변형을 최소화하기 위해서는 상기 쌍극자 모멘트(μ)가 큰 용제를 선택하여야한다.
상기 메틸렌클로라이드는 μm = 1.6[D]이고, 상기 아세톤은 μa = 2.9[D]이기 때문에, 아세톤보다 메틸렌클로라이드를 용제로 사용한 경우 블랭킷(650)의 변형이 큰 것이다.
따라서 본 발명의 실시예에 따른 인쇄용 레지스트(300)가 상기 인쇄롤(600)에 도포될 때, 상기 레지스트(300)에 혼합되는 용제의 쌍극자 모멘트(μ)는 2[D]보다 큰 것이 바람직하다.
상기 본 발명의 실시예에 따른 인쇄용 레지스트(300)를 이용하여 패턴을 형성하기 위해서는, 우선 기판 상에 패턴물질층을 형성한다.
그 후, 그 표면에 블랭킷(650)이 형성된 인쇄롤(600)에 전술한 인쇄용 레지스트(300)를 도포한다.
상기 블랭킷(650)으로는 PDMS를 이용한다.
이 때, 상기 인쇄용 레지스트(300)는, 그 용해도 파라미터가 6[cal1/2cm-3/2]보다 작거나 11[cal1/2cm-3/2]보다 크고, 쌍극자 모멘트가 2[D]보다 큰 용제와 혼합되어 상기 인쇄롤(600)에 도포된다.
상기 용제는 상기 레지스트(300)가 상기 블랭킷(650)에 도포된 즉시 증발한다.
그 후, 상기 인쇄롤(600)을 인쇄판(700) 상에서 회전시켜, 상기 인쇄용 레지스트(300) 중 일부를 인쇄판(700) 상에 전사한다.
그 후, 인쇄롤(600)을 상기 패턴물질층이 형성된 기판 상에서 회전시켜, 상기 인쇄롤(600)에 잔존하는 인쇄용 레지스트(300)를 기판 상에 한다.
그 후, 상기 패턴물질층을 식각하고, 상기 기판 상에 형성된 인쇄용 레지스트(300)를 제거하여 패턴을 완성한다.
상기 구성에 의한 본 발명에 따르면,
인쇄용 레지스트가 인쇄롤의 표면에 형성된 블랭킷으로부터 쉽게 떨어져 인쇄판 및 기판에 정확하게 전사되므로, 패턴의 불량이 줄어들고 정밀한 패턴의 제작이 가능해진다.
또한, 포토리소그래피 공정과는 달리, 상기 레지스트를 패터닝하기 위한 현상공정 등이 필요하지 않아 공정시간이 단축된다.
또한, 상기 레지스트가 상기 인쇄롤에 도포될 때, 상기 레지스트에 혼합되는 용제가 블랭킷을 거의 손상시키지 않으므로, 블랭킷의 교체비용이 줄어든다.

Claims (13)

  1. 인쇄롤에 도포된 후, 인쇄판 및 기판에 순차적으로 전사되는 인쇄용 레지스트에 있어서,
    상기 인쇄용 레지스트는 노볼락 수지로 형성되며,
    상기 노볼락 수지에 퍼플루오르트리부틸아민(perfluorotributylamine), 니트로메탄(nitromethane), 다이메틸설폭사이드(dimethysulfoxide), 에틸렌글리콜(ethylene glycol), 글리세롤(glycerol) 또는 워터(water)를 포함하는 용제가 혼합되어 상기 인쇄롤에 도포되며,
    상기 인쇄판과 레지스트 간의 접착에너지(Cohesive Energy) 및 기판과 레지스트 간의 접착에너지가 상기 인쇄롤의 표면에 형성된 블랭킷과 레지스트 간의 접착에너지보다 큰 것을 특징으로 하는 인쇄용 레지스트.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 레지스트의 인쇄판 및 블랭킷에 대한 총 접착에너지가 상기 블랭킷에 도포된 인쇄용 레지스트를 파쇄 하는데 필요한 총 파쇄에너지보다 큰 것을 특징으로 하는 인쇄용 레지스트.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 인쇄용 레지스트와 인쇄판간의 접착에너지에서 상기 인쇄용 레지스트와 블랭킷간의 접착에너지를 뺀 값에 상기 인쇄판 돌출부의 길이를 곱한 값이 상기 인쇄용 레지스트의 파쇄에너지(Fracture Energy)에 상기 블랭킷에 도포된 인쇄용 레지스트의 두께를 곱한 값보다 큰 것을 특징으로 하는 인쇄용 레지스트.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 파쇄에너지가 1000[mJ/m2]보다 작은 것을 특징으로 하는 인쇄용 레지스트.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 인쇄용 레지스트의 분자량이 33,000 이하인 것을 특징으로 하는 인쇄용 레지스트.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 인쇄용 레지스트의 표면에너지(Surface Energy)는
    상기 블랭킷의 표면에너지보다 크고, 상기 인쇄판 및 기판의 표면에너지보다 작은 것을 특징으로 하는 인쇄용 레지스트.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 인쇄용 레지스트의 표면에너지 값이 25[mJ/m2]보다 크고 40[mJ/m2]보다 작은 것을 특징으로 하는 인쇄용 레지스트.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 인쇄용 레지스트가 상기 인쇄롤에 도포될 때,
    상기 인쇄용 레지스트는 상기 인쇄용 레지스트의 용해도 파라미 터(Solubility Parameter) 값과 다른 용해도 파라미터 값을 갖는 용제와 혼합되어 있는 것을 특징으로 하는 인쇄용 레지스트.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 용제의 용해도 파라미터의 값이 6[cal1/2cm-3/2]보다 작거나 11[cal1/2cm-3/2]보다 큰 것을 특징으로 하는 인쇄용 레지스트.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 용제의 쌍극자 모멘트 값이 상기 블랭킷의 쌍극자 모멘트 값과 다른 값을 갖는 것을 특징으로 하는 인쇄용 레지스트.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 용제의 쌍극자 모멘트(Dipole Moment)의 값이 2[D]보다 큰 것을 특징으로 하는 인쇄용 레지스트.
  12. 기판 상에 패턴물질층을 형성하는 공정;
    그 표면에 블랭킷이 형성된 인쇄롤에 인쇄용 레지스트를 도포하는 공정;
    상기 인쇄롤을 인쇄판 상에서 회전시켜, 상기 인쇄용 레지스트 중 일부를 인쇄판 상에 전사하는 공정;
    상기 인쇄롤을 상기 패턴물질층이 형성된 기판 상에서 회전시켜, 상기 인쇄롤에 잔존하는 인쇄용 레지스트를 기판 상에 전사하는 공정;
    상기 패턴물질층을 식각하는 공정;
    상기 기판 상에 형성된 인쇄용 레지스트를 제거하는 공정을 포함하여 이루어지고,
    상기 인쇄용 레지스트는 상기 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항의 인쇄용 레지스트를 이용하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 인쇄롤의 표면에 형성된 블랭킷은 PDMS(polydimethyl siloxane)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090061177A1 (en) * 2007-08-30 2009-03-05 Kriha James A Method of printing using high performance two-component reactive inks and coatings with flexographic printing processes
KR101595460B1 (ko) * 2009-08-24 2016-02-18 엘지디스플레이 주식회사 박막 패턴의 제조 장치 및 방법
JP5756563B2 (ja) * 2011-04-05 2015-07-29 エルジー・ケム・リミテッド 印刷組成物及びこれを利用した印刷方法
KR101664197B1 (ko) * 2014-11-28 2016-10-24 서울대학교산학협력단 양자점 전자 장치
WO2016085086A1 (ko) * 2014-11-28 2016-06-02 서울대학교산학협력단 양자점 전자 장치 및 양자점 전사 인쇄 방법
CN108271317A (zh) * 2017-12-29 2018-07-10 上海量子绘景电子股份有限公司 一种基于凹版印刷工艺的线路板的制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005128346A (ja) * 2003-10-24 2005-05-19 Mitsumura Printing Co Ltd カラーフィルター作製用インキ組成物
KR20050061215A (ko) * 2003-12-18 2005-06-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 컬러필터 어레이 기판의 제조방법

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5945356A (ja) * 1982-09-08 1984-03-14 Toray Silicone Co Ltd 導電性シリコ−ンゴム組成物
US4515884A (en) * 1982-09-21 1985-05-07 Xerox Corporation Fusing system with unblended silicone oil
US4759970A (en) * 1984-10-25 1988-07-26 Amoco Corporation Electronic carrier devices and methods of manufacture
US5340888A (en) * 1988-12-22 1994-08-23 Borden Inc. Phenolic resin composition
CA2023791A1 (en) * 1989-08-24 1991-02-25 Ayako Ida Radiation-sensitive positive resist composition
JP3157545B2 (ja) * 1991-06-06 2001-04-16 株式会社海水化学研究所 繊維状複合金属水酸化物およびその製造法
JP2659879B2 (ja) * 1992-03-19 1997-09-30 住友ゴム工業株式会社 印刷用オフセットブランケットの製造方法
US5478423A (en) 1993-09-28 1995-12-26 W. L. Gore & Associates, Inc. Method for making a printer release agent supply wick
JP3396585B2 (ja) * 1995-12-25 2003-04-14 サカタインクス株式会社 顔料分散物及びそれを用いたオフセット印刷用インキ組成物
US5814431A (en) * 1996-01-10 1998-09-29 Mitsubishi Chemical Corporation Photosensitive composition and lithographic printing plate
EP0942833B1 (de) 1996-12-07 2001-07-18 WESTLAND GUMMIWERKE GmbH &amp; Co. Walze für farbverarbeitung
DE19716424B4 (de) * 1997-04-18 2004-08-26 Koenig & Bauer Ag Einrichtung zum Vermeiden des Ablegens von Farbe auf Zylindern von Druckmaschinen
US5928836A (en) * 1997-09-29 1999-07-27 Clariant Finance (Bvi) Limited Fractionated novolak resin copolymer and photoresist composition therefrom
US6197226B1 (en) * 1998-01-05 2001-03-06 Mitsubishi Gas Chemical Company Process for tinting a resin having a large refractivity index and optical material tinted by the process
US6133335A (en) * 1998-12-31 2000-10-17 3M Innovative Properties Company Photo-polymerizable compositions and articles made therefrom
US6723491B2 (en) * 2000-07-05 2004-04-20 Kba (Advanced Imaging Technology) (Israel) Limited Utilizing UV to form and decompose a printing member
TW594410B (en) * 2000-09-07 2004-06-21 Shinetsu Chemical Co Resist compositions and patterning process
US7569153B2 (en) * 2002-05-23 2009-08-04 Lg Display Co., Ltd. Fabrication method of liquid crystal display device
KR100909414B1 (ko) * 2002-12-18 2009-07-24 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 소자의 제조 방법
KR100945357B1 (ko) * 2002-12-27 2010-03-08 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 소자의 제조 방법
JP2005209955A (ja) 2004-01-23 2005-08-04 Suzuka Fuji Xerox Co Ltd 耐熱性弾性材料
KR100652217B1 (ko) * 2004-04-30 2006-12-01 엘지.필립스 엘시디 주식회사 인쇄방식을 이용한 패턴 형성방법
KR101274680B1 (ko) * 2006-04-10 2013-06-12 엘지디스플레이 주식회사 인쇄롤용 블랭킷, 이의 제조방법, 이를 이용한패턴형성방법 및 액정표시장치 제조방법
KR101319271B1 (ko) * 2006-06-09 2013-10-16 엘지디스플레이 주식회사 인쇄용 레지스트, 인쇄용 레지스트 제조방법 및 이를이용한 패턴형성방법
US7632425B1 (en) * 2006-10-06 2009-12-15 General Electric Company Composition and associated method
KR101028633B1 (ko) * 2007-05-14 2011-04-11 주식회사 엘지화학 롤 프린팅용 잉크 조성물

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005128346A (ja) * 2003-10-24 2005-05-19 Mitsumura Printing Co Ltd カラーフィルター作製用インキ組成物
KR20050061215A (ko) * 2003-12-18 2005-06-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 컬러필터 어레이 기판의 제조방법

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