KR101319271B1 - 인쇄용 레지스트, 인쇄용 레지스트 제조방법 및 이를이용한 패턴형성방법 - Google Patents

인쇄용 레지스트, 인쇄용 레지스트 제조방법 및 이를이용한 패턴형성방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101319271B1
KR101319271B1 KR1020060052043A KR20060052043A KR101319271B1 KR 101319271 B1 KR101319271 B1 KR 101319271B1 KR 1020060052043 A KR1020060052043 A KR 1020060052043A KR 20060052043 A KR20060052043 A KR 20060052043A KR 101319271 B1 KR101319271 B1 KR 101319271B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
printing
resist
cresol
printing resist
vinyl group
Prior art date
Application number
KR1020060052043A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20070117869A (ko
Inventor
김진욱
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020060052043A priority Critical patent/KR101319271B1/ko
Priority to CN2007101089686A priority patent/CN101086615B/zh
Priority to US11/808,418 priority patent/US7659048B2/en
Publication of KR20070117869A publication Critical patent/KR20070117869A/ko
Priority to US12/654,681 priority patent/US8003298B2/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101319271B1 publication Critical patent/KR101319271B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)

Abstract

본 발명은 인쇄롤에 도포된 후, 인쇄판 및 기판에 순차적으로 전사되는 인쇄용 레지스트에 있어서, 고분자 주쇄에 끈적거림(tacky)을 유발하는 비닐기(vinyl group)가 결합되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 인쇄용 레지스트에 관한 것으로서,
본 발명에 따르면, 고분자 주쇄에 비닐기가 결합되어 있는 인쇄용 레지스트를 이용하기 때문에, 상기 인쇄용 레지스트의 표면이 완전히 건조되지 않고 끈적거려 인쇄판 및 기판에 정확하게 전사될 수 있다.
인쇄용 레지스트, 크레졸

Description

인쇄용 레지스트, 인쇄용 레지스트 제조방법 및 이를 이용한 패턴형성방법{Printing Resist, Method for Manufacturing Printing Resist and Patterning Method using the same}
도 1a 내지 도 1d는 종래기술에 따른 포토리소그래피공정을 개략적으로 도시한 공정도이다.
도 2a 내지 도 2d는 종래기술에 따른 인쇄롤을 이용한 패턴형성방법을 개략적으로 도시한 공정도이다.
도 3a 내지 도 3f는 본 발명의 실시예에 따른 패턴형성방법을 개략적으로 도시한 공정도이다.
<도면의 주요부의 부호에 대한 설명>
100 : 기판 200 : 패턴물질층
300 : 인쇄용 레지스트 500 : 인쇄노즐
600 : 인쇄롤 700 : 인쇄판
본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로 보다 구체적으로는 액정표시장치의 패턴형성방법 중 하나인 인쇄방법에 사용되는 인쇄용 레지스트에 관한 것이다.
표시화면의 두께가 수 센티미터(cm)에 불과한 초박형의 평판표시장치(Flat Panel Display), 그 중에서도 액정표시장치는 동작 전압이 낮아 소비 전력이 적고 휴대용으로 쓰일 수 있는 등의 이점으로 노트북 컴퓨터, 모니터, 우주선, 항공기 등에 이르기까지 응용분야가 넓고 다양하다.
상기 액정표시장치는 하부기판, 상부기판 및 상기 양 기판 사에에 형성된 액정층을 포함하여 이루어진다.
상기 하부기판 상에는 서로 종횡으로 교차되어 화소영역을 정의하는 게이트 배선과 데이터 배선이 형성되어 있다. 그리고 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차영역에는 스위칭 소자로서 박막트랜지스터가 형성되어 있다. 그리고 화소전극이 형성되어 박막트랜지스터와 연결되어 있다.
또한, 상부기판 상에는 상기 게이트 배선, 데이터 배선 및 박막트랜지스터 영역에서 광이 누설되는 것을 차단하기 위한 차광층이 형성되어 있고, 상기 차광층 위에 컬러필터층이 형성되어 있으며, 상기 컬러필터층 상부에 공통전극이 형성되어 있다.
이와 같이 액정표시장치는 다양한 구성요소들을 포함하고 있으며 그 구성요소들을 형성하기 위해 수많은 과정들이 반복적으로 행해지게 된다. 특히, 다양한 구성요소들을 다양한 형태로 패터닝하기 위해서 포토리소그래피공정이 사용되어 왔다.
도 1a 내지 도 1d는 종래기술에 따른 포토리소그래피공정을 개략적으로 도시 한 공정도이다.
우선, 도 1a에서 알 수 있듯이, 기판(10) 상에 패턴물질(20)층 및 포토레지스트(30)층을 형성한다.
그 후, 도 1b에서 알 수 있듯이, 상기 포토레지스트(30)층 위에 소정 패턴의 마스크(40)를 위치시킨 후 광 조사장치를 통해 광을 조사한다.
그 후, 도 1c에서 알 수 있듯이, 현상공정 및 식각공정을 통해 상기 패턴물질(20)층 및 포토레지스트(30)층을 패터닝한다.
그 후, 도 1d에서 알 수 있듯이, 포토레지스트 스트리퍼를 이용하여 상기 포토레지스트(30)층을 제거하면 패턴이 완성된다.
그러나 상기 포토리소그래피공정은 소정 패턴의 마스크를 사용해야하므로, 그만큼 제조비용이 상승되는 단점이 있으며, 또한 현상공정 등을 거쳐야하므로 공정이 복잡하고 공정시간이 오래 걸리는 단점이 있다.
상기 포토리소그래피 공정의 단점을 해결하기 위한 새로운 패턴형성방법이 요구되었으며, 그와 같은 요구에 따라 인쇄롤을 이용하여 패턴을 형성하는 방법이 고안되었다.
도 2a 내지 도 2d는 종래기술에 따른 인쇄롤을 이용한 패턴형성방법을 개략적으로 도시한 공정도이다.
우선 도 2a에서 알 수 있듯이, 인쇄노즐(50)을 이용하여 포토레지스트(30)를 그 표면에 블랭킷(65)이 부착된 인쇄롤(60)에 도포한다.
상기 인쇄롤(60) 표면에 부착된 블랭킷(65)은 어느 정도의 탄성을 가진 수지 로 되어있어, 상기 인쇄롤(60)에 도포된 포토레지스트(30)를 인쇄판에 전사할 때, 상기 인쇄롤(60)과 인쇄판 사이의 마찰을 줄여준다.
그 후, 도 2b에서 알 수 있듯이, 소정 형상의 돌출부(75)가 형성된 인쇄판(70) 상에서 상기 인쇄롤(60)을 회전시켜, 상기 인쇄판(70)의 돌출부(75)에 일부 포토레지스트(30b)를 전사하고, 잔존하는 포토레지스트(30a)에 의해 인쇄롤(60)에 소정 형상의 패턴을 형성한다.
그 후, 도 2c에서 알 수 있듯이, 패턴물질(20)층이 형성된 기판(10) 상에서 상기 인쇄롤(60)을 회전시켜, 상기 패턴물질(20)층이 형성된 기판(10) 상에 포토레지스트(30a)를 전사한다.
그 후, 도 2d에서 알 수 있듯이, 상기 포토레지스트(30a)를 마스크로 하여 상기 패턴물질(20)층을 식각한 후, 포토레지스트 스트리퍼를 이용하여 상기 포토레지스트(30a)층을 제거하면 패턴이 완성된다.
상기 포토레지스트(30)는 포토리소그래피공정 뿐만 아니라, 인쇄롤(60)을 이용한 패턴형성방법에서도 패턴물질(20)의 식각을 위한 마스크로서 사용된다.
다만, 상기 포토레지스트(30)는 광을 조사하면 그 특성이 변하는 물질로, 포토리소그래피공정에서는 유용하나, 노광공정이 필요 없는 인쇄롤을 이용한 패턴형성방법에서 사용할 경우 패턴 불량이 생길 수 있어 원하는 패턴의 구현이 불가능하다.
이에 인쇄롤을 이용한 패턴형성방법에 있어 상기 포토레지스트를 대체할 수 있는 새로운 레지스트의 개발이 필요한 실정이다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로,
본 발명의 목적은 인쇄롤을 이용한 패턴형성방법에 있어, 인쇄판 및 기판에 정확하게 전사되어 정밀한 패턴의 구현이 가능한 인쇄용 레지스트 및 이를 이용한 패턴형성방법을 제공하는데 있다.
본 발명은 상기와 같은 목적을 달성하기 위해서, 고분자 주쇄에 끈적거림(tacky)을 유발하는 비닐기(vinyl)기가 결합되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 인쇄용 레지스트를 제공한다.
본원 발명의 특징은 고분자 주쇄에 비닐기가 결합된 물질을 인쇄용 레지스트로 이용하여, 상기 인쇄용 레지스트의 표면이 건조되지 않고 끈적거리도록 함으로써, 인쇄판 및 기판에 상기 포토레지스트가 잘 부착될 수 있도록 하는 데 있다.
상기 인쇄용 레지스트가 인쇄롤에 도포된 후 상기 인쇄용 레지스트를 녹인 휘발성용제가 증발하더라도, 상기 인쇄용 레지스트는 완전히 건조되지 않고 끈적끈적한 상태로 남게 되어 인쇄판 및 기판에 잘 전사될 수 있다.
이 때, 상기 고분자 주쇄는 크레졸(Cresol)로 이루어질 수 있다.
상기 크레졸은 메타 크레졸(Meta Cresol) 및 파라 크레졸(Para Cresol) 중 적어도 하나로 이루어진다.
상기 인쇄용 레지스트는 휘발성용제를 포함하여 이루어질 수 있다.
상기 휘발성용제로는 메탄올(Methanol), 에탄올(Ethanol), 이소프로필알코 올(Iso-prophyl alcohol) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.
또한 상기 인쇄용 레지스트는 준 불소화 계면활성제(Semi-Fluorinated Surfactant)로 이루어지는 계면활성제를 포함하여 이루어질 수 있다.
또한, 본 발명은 상기와 같은 목적을 달성하기 위해서, 메타 크레졸, 파라 크레졸, 비닐기가 결합된 메타 크레졸 및 비닐기가 결합된 파라 크레졸 중 어느 하나와 비닐기가 결합된 메타 크레졸 및 비닐기가 결합된 파라크레졸 중 어느 하나를 혼합하는 공정; 및 상기 혼합된 크레졸을 중합시키는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 인쇄용 레지스트 제조방법을 제공한다.
상기 비닐기가 결합된 메타 크레졸 및 파라 크레졸은 메타 크레졸 및 파라 크레졸 각각에 부타디엔(Butadiene)을 합성하여 형성한다.
상기 혼합된 크레졸을 중합시키는 공정은 상기 혼합된 크레졸을 포름알데히드와 반응시켜 이루어질 수 있다.
또한, 본 발명은 상기와 같은 목적을 달성하기 위해서, 그 표면에 블랭킷이 형성된 인쇄롤에 인쇄용 레지스트를 도포하는 공정; 상기 인쇄롤을 인쇄판 상에서 회전시켜, 상기 인쇄용 레지스트 중 일부를 인쇄판 상에 전사하는 공정; 상기 인쇄롤을 상기 패턴물질층이 형성된 기판 상에서 회전시켜, 상기 인쇄롤에 잔존하는 인쇄용 레지스트를 기판 상에 전사하는 공정; 상기 기판을 열처리하는 공정; 상기 패턴물질층을 식각하는 공정; 및 상기 기판 상에 형성된 인쇄용 레지스트는 전술한 인쇄용 레지스트를 이용하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법을 제공한다.
이 때, 상기 기판을 열처리하는 공정은 150℃ 이상에서 이루어 질 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.
1. 인쇄용 레지스트
제1실시예
본 발명의 제1실시예에 따른 인쇄용 레지스트는 하기 화학식 1과 같이 이루어지는 것이 바람직하다.
Figure 112013044375517-pat00047
상기 화학식 1에서 알 수 있듯이, 본 발명의 제1실시예에 따른 인쇄용 레지스트는 비닐기(CH2=CH-)가 결합된 메타 크레졸 보다 정확하게는 4-(부트-3-에닐)-3-메틸페놀[4-(but-3-enyl)-3-methylphenol]과 메타 크레졸(CH3C6H4OH)이 결합된 형태의 혼성중합체(Copolymer)로 이루어진다.
이 때, k1 및 m1은 단위혼성중합체에 존재하는 상기 4-(부트-3-에닐)-3-메틸페놀과 메타 크레졸의 수, 즉 상기 4-(부트-3-에닐)-3-메틸페놀과 메타 크레졸의 혼합비율을 각각 나타내는 것으로, 1≤k1≤10, 0≤m1≤10의 범위를 갖는다.
예를 들어, k1이 1이고, m1이 0인 경우, 상기 인쇄용 레지스트는 하기 화학 식 2와 같은 구조를 가지게 된다.
Figure 112013044375517-pat00048
또한, k1 및 m1이 모두 1인 경우, 즉 상기 4-(부트-3-에닐)-3-메틸페놀과 메타 크레졸이 일대일로 결합한 경우에는 하기 화학식 3과 같은 구조를 가지게 된다.
Figure 112013044375517-pat00049
상기 화학식 2와 같이, 상기 4-(부트-3-에닐)-3-메틸페놀만으로 상기 인쇄용 레지스트가 구성된 경우에는 모든 주쇄에 비닐기가 형성되나, 상기 4-(부트-3-에닐)-3-메틸페놀과 메타 크레졸이 일대일로 결합하여 상기 인쇄용 레지스트가 구성된 경우에는 주쇄의 50%에만 비닐기가 형성된다.
다만, 상기 4-(부트-3-에닐)-3-메틸페놀과 상기 메타 크레졸이 반드시 교대로 형성되는 것은 아니고, 단위혼성중합체 내에서 그 위치는 바뀔 수 있다.
주쇄에 비닐기가 형성된 비율이 높으면 끈적거림(tacky)이 강해지므로, 상기 4-(부트-3-에닐)-3-메틸페놀과 메타 크레졸의 혼합비율을 조정하여 인쇄판의 종류에 따라 끈적거림의 정도를 변경할 수 있다.
화학식 1에서는 4-(부트-3-에닐)-3-메틸페놀과 메타 크레졸이 결합된 경우를 도시하였으나, 상기 4-(부트-3-에닐)-3-메틸페놀과 파라 크레졸을 결합한 경우에도 동일한 효과를 얻을 수 있다.
상기 4-(부트-3-에닐)-3-메틸페놀과 파라 크레졸을 결합한 인쇄용 레지스트는 하기 화학식 4와 같이 이루어지는 것이 바람직하다.
Figure 112013044375517-pat00050
상기 화학식 4에서 k5 및 m5의 의미 및 범위는 상기 화학식 1의 k1 및 m1과 동일하다.
본 발명의 제1실시예에 따른 인쇄용 레지스트는 비닐기가 결합된 크레졸뿐만 아니라, 휘발성 용제 및 계면활성제(Surfactant)를 포함하여 이루어진다.
상기 휘발성용제는 상기 인쇄용 레지스트를 인쇄롤에 도포할 때, 상기 비닐기가 결합된 크레졸로 이루어진 인쇄용 레지스트가 잘 녹을 수 있고, 상기 인쇄롤의 표면에 부착된 블랭킷에 영향을 주지 않는 물질을 선택한다.
또한, 상기 휘발성용제는 상기 인쇄용 레지스트가 인쇄롤에 도포된 후 즉시 기화되어야 하기 때문에 끓는점이 낮아야 하는데, 100℃ 이하인 것이 바람직하다.
상기 인쇄용 레지스트를 잘 녹이면서, 블랭킷에 영향을 주지 않고, 끓는점이 100℃ 이하인 물질로는, 메탄올(Methanol), 에탄올(Ethanol), 이소프로필알코올(Iso-prophyl alcohol) 등이 있다.
상기 계면활성제는 상기 인쇄용 레지스트를 인쇄롤에 도포할 때, 상기 인쇄용 레지스트의 퍼짐성을 확보하기 위해 첨가되는 것으로, 인쇄롤의 표면에 형성된 블랭킷과의 호환성이 좋아야 한다.
상기 블랭킷이 주로 PDMS(polydimethyl siloxane)으로 이루어지고, 상기 PDMS가 극소수성인 점을 감안하면, 상기 계면활성제는 준 불소화 계면활성제(Semi-fluorinated surfactant)를 쓰는 것이 바람직하다.
상기 준 불소화 계면활성제로는 CF3(CF2)4(CH2CH2O)10, CF3(CF2)5(CH2CH2O)14 등이 있다.
이 때, 상기 휘발성 용제 및 계면활성제가 포함된 인쇄용 레지스트에 있어서, 상기 휘발성용제는 75[wt%] 이상, 상기 비닐기가 결합된 크레졸로 이루어진 레지스트는 20[wt%] 이하, 상기 계면활성제는 5[wt%] 이하로 혼합되는 것이 바람직하다.
제2실시예
본 발명의 제2실시예에 따른 인쇄용 레지스트는 하기 화학식 4와 같이 이루어지는 것이 바람직하다.
Figure 112013044375517-pat00062
상기 화학식 4에서 알 수 있듯이, 본 발명의 제2실시예에 따른 인쇄용 레지스트는 비닐기(CH2=CH-)가 결합된 파라 크레졸 보다 정확하게는 3-(부트-3-에닐)-4-메틸페놀[3-(but-3-enyl)-4-methylphenol]과 파라 크레졸(CH3C6H4OH)이 결합된 형태의 혼성중합체(Copolymer)로 이루어진다.
이 때, k2 및 m2는 단위혼성중합체에 존재하는 상기 3-(부트-3-에닐)-4-메틸페놀과 메타 크레졸의 수, 즉 상기 3-(부트-3-에닐)-4-메틸페놀과 파라 크레졸의 혼합비율을 각각 나타내는 것으로, 1≤k2≤10, 0≤m2≤10의 범위를 갖는다.
예를 들어, k2가 1이고, m2가 0인 경우, 상기 인쇄용 레지스트는 하기 화학식 5와 같은 구조를 가지게 된다.
Figure 112013044375517-pat00052
또한, k2 및 m2가 모두 1인 경우, 즉 상기 3-(부트-3-에닐)-4-메틸페놀과 파라 크레졸이 일대일로 결합한 경우에는 하기 화학식 6과 같은 구조를 가지게 된다.
Figure 112013044375517-pat00053
상기 화학식 5와 같이, 상기 3-(부트-3-에닐)-4-메틸페놀만으로 상기 인쇄용 레지스트가 구성된 경우에는 모든 주쇄에 비닐기가 형성되나, 상기 3-(부트-3-에닐)-4-메틸페놀과 메타 크레졸이 일대일로 결합하여 상기 인쇄용 레지스트가 구성된 경우에는 주쇄의 50%에만 비닐기가 형성된다.
상기 4-(부트-3-에닐)-3-메틸페놀과 메타 크레졸의 혼합비율을 조정하여 인쇄판의 종류에 따라 끈적거림의 정도를 변경할 수 있는 점과, 단위혼성중합체 내에서 상기 4-(부트-3-에닐)-3-메틸페놀과 메타 크레졸의 위치가 바뀔 수 있는 점은 상기 제1실시예와 동일하다.
화학식 4에서는 3-(부트-3-에닐)-4-메틸페놀과 파라 크레졸이 결합된 경우를 도시하였으나, 상기 3-(부트-3-에닐)-4-메틸페놀과 메타 크레졸을 결합한 경우에도 동일한 효과를 얻을 수 있다.
상기 3-(부트-3-에닐)-4-메틸페놀과 메타 크레졸을 결합한 인쇄용 레지스트는 하기 화학식 8과 같이 이루어지는 것이 바람직하다.
Figure 112013044375517-pat00054
상기 화학식 8에서 k4 및 m4의 의미 및 범위는 상기 화학식 5의 k2 및 m2와 동일하다.
본 발명의 제2실시예에 따른 인쇄용 레지스트는 비닐기가 결합된 크레졸뿐만 아니라, 휘발성 용제 및 계면활성제(Surfactant)를 포함하여 이루어지는 점에서 상기 제1실시예와 동일하다.
제3실시예
본 발명의 제3실시예에 따른 인쇄용 레지스트는 하기 화학식 7과 같이 이루어지는 것이 바람직하다.
Figure 112013044375517-pat00055
상기 화학식 9에서 알 수 있듯이, 본 발명의 제3실시예에 따른 인쇄용 레지스트는 비닐기(CH2=CH-)가 결합된 메타 크레졸 보다 정확하게는 4-(부트-3-에닐)-3- 메틸페놀[4-(but-3-enyl)-3-methylphenol]과 비닐기(CH2=CH-)가 결합된 파라 크레졸 보다 정확하게는 3-(부트-3-에닐)-4-메틸페놀[3-(but-3-enyl)-4-methylphenol]이 결합된 형태의 혼성중합체(Copolymer)로 이루어진다.
이 때, k3 및 m3은 단위혼성중합체에 존재하는 상기 4-(부트-3-에닐)-3-메틸페놀과 3-(부트-3-에닐)-4-메틸페놀의 수, 즉 상기 4-(부트-3-에닐)-3-메틸페놀과 3-(부트-3-에닐)-4-메틸페놀의 혼합비율을 각각 나타내는 것으로, 1≤k3≤10, 1≤m3≤10의 범위를 갖는다.
예를 들어, k2 및 m2가 모두 1인 경우, 즉 상기 4-(부트-3-에닐)-3-메틸페놀과 3-(부트-3-에닐)-4-메틸페놀이 일대일로 결합한 경우에는 하기 화학식 10과 같은 구조를 가지게 된다.
Figure 112013044375517-pat00056
상기 화학식 10과 같이, 상기 4-(부트-3-에닐)-3-메틸페놀 및 상기 3-(부트-3-에닐)-4-메틸페놀로 인쇄용 레지스트가 구성된 경우에는 모든 주쇄에 비닐기가 형성된다.
단위혼성중합체 내에서 상기 4-(부트-3-에닐)-3-메틸페놀과 상기 3-(부트-3-에닐)-4-메틸페놀이 반드시 교번적으로 위치하는 것이 아니라는 점은 전술한 실시 예와 동일하다.
또한, 본 발명의 제3실시예에 따른 인쇄용 레지스트는 휘발성 용제 및 계면활성제(Surfactant)를 포함하여 이루어지는 점에서 전술한 실시예와 동일하다.
2. 인쇄용 레지스트 제조방법
본 발명의 실시예에 따른 인쇄용 레지스트를 제조하기 위해서는, 우선 하기 화학식 11 및 화학식 12에서 알 수 있듯이, 메타 크레졸 또는 파라 크레졸을 부타디엔과 결합시킨다.
Figure 112006040658452-pat00011
상기 화학식 11에서 알 수 있듯이, 메타 크레졸(CH3C6H4OH)은 부타디엔(C4H6)과 결합하여 4-(부트-3-에닐)-3-메틸페놀을 형성한다.
Figure 112006040658452-pat00012
상기 화학식 12에서 알 수 있듯이, 파라 크레졸(CH3C6H4OH)은 부타디엔(C4H6) 과 결합하여 3-(부트-3-에닐)-4-메틸페놀을 형성한다.
그 후, 상기 메타 크레졸 및 파라 크레졸 중 어느 하나와 상기 4-(부트-3-에닐)-3-메틸페놀 및 3-(부트-3-에닐)-4-메틸페놀 중 어느 하나을 혼합하여 포름알데히드와 반응시켜 혼성중합체로 만든다.
이 때, 상기 메타 크레졸 및 파라 크레졸 중 어느 하나와 상기 4-(부트-3-에닐)-3-메틸페놀 및 3-(부트-3-에닐)-4-메틸페놀 중 어느 하나를 혼합하는 비율은 인쇄판 및 블랭킷의 재질에 따라 다르게 할 수 있다.
비닐기가 없는 메타 크레졸 및 파라 크레졸에 비해 상기 4-(부트-3-에닐)-3-메틸페놀 및 3-(부트-3-에닐)-4-메틸페놀을 많이 혼합하면, 주쇄에 결합되는 비닐기가 증가하여 더욱 끈적거리는 인쇄용 레지스트가 되고, 비닐기가 없는 메타 크레졸 및 파라 크레졸에 비해 상기 4-(부트-3-에닐)-3-메틸페놀 및 3-(부트-3-에닐)-4-메틸페놀을 적게 혼합하면 덜 끈적거리는 인쇄용 레지스트가 된다.
3. 패턴형성방법
도 3a 내지 도 3f는 본 발명의 실시예에 따른 패턴형성방법을 개략적으로 도시한 공정도이다.
우선 도 3a에서 알 수 있듯이, 인쇄노즐(500)을 이용하여 전술한 인쇄용 레지스트(300)를 그 표면에 블랭킷(650)이 부착된 인쇄롤(600)에 도포한다.
그 후, 도 3b에서 알 수 있듯이, 소정 형상의 돌출부(750)가 형성된 인쇄판(700) 상에서 상기 인쇄롤(600)을 회전시켜, 상기 인쇄판(700)의 돌출부(750)에 일부 인쇄용 레지스트(300b)를 전사하고, 잔존하는 인쇄용 레지스트(300a)에 의해 인쇄롤(600)에 소정 형상의 패턴을 형성한다.
그 후, 도 3c에서 알 수 있듯이, 패턴물질(200)층이 형성된 기판(100) 상에서 상기 인쇄롤(600)을 회전시켜, 상기 패턴물질(200)층이 형성된 기판(100) 상에 인쇄용 레지스트(300a)를 전사한다.
그 후, 도 3d에서 알 수 있듯이, 상기 인쇄용 레지스트(300a)가 전사된 기판(100) 상에 열을 가한다.
상기 기판(100) 상에 열을 가하면, 상기 인쇄용 레지스트(300a)의 주쇄에 결합된 비닐기의 이중결합이 깨지면서 끈적끈적함이 사라진다.
이 때, 상기 열처리는 150℃ 이상에서 하는 것이 바람직하다.
그 후, 도 3e에서 알 수 있듯이, 상기 인쇄용 레지스트(300a)를 마스크로 하여 상기 패턴물질(200)층을 식각한다.
그 후, 도 3f에서 알 수 있듯이, 스트리퍼를 이용하여 상기 인쇄용 레지스트(300a)층을 제거하면 패턴이 완성된다.
상기 구성에 의한 본 발명에 따르면,
인쇄용 레지스트를 이루는 고분자 주쇄에 비닐기가 결합되어 있어, 상기 인쇄용 레지스트의 표면이 휘발성 용제의 기화에도 불구하고, 완전히 건조되지 않고 끈적거려 인쇄판 및 기판에 정확하게 전사될 수 있기 때문에, 고품위의 패턴을 형성할 수 있다.
또한, 상기 고분자 주쇄에 비닐기가 결합된 인쇄용 레지스트는 인쇄롤의 표 면에 부착된 블랭킷에도 영향을 미치지 않기 때문에, 블랭킷의 교체 비용도 감소시킬 수 있다.

Claims (17)

  1. 인쇄롤에 도포된 후, 인쇄판 및 기판에 순차적으로 전사되는 인쇄용 레지스트에 있어서,
    고분자 주쇄에 끈적거림(tacky)을 유발하는 비닐기(vinyl group)가 결합되어 이루어지며,
    상기 고분자 주쇄는 메타 크레졸(meta cresol) 및 파라 크레졸(para cresol) 중 적어도 어느 하나 이상으로 이루어지며,
    상기 메타 크레졸을 상기 고분자 주쇄로 하는 인쇄용 레지스트는 하기 화학식 1로 표현되며,
    화학식 1
    Figure 112013044375517-pat00057
    상기 파라 크레졸을 고분자 주쇄로 하는 인쇄용 레지스트는 하기 화학식 2로 표현되며,
    화학식 2
    Figure 112013044375517-pat00063
    상기 메타 크레졸 및 파라 크레졸을 고분자 주쇄로 하는 인쇄용 레지스트는 하기 화학식 3 내지 화학식 5 중 어느 하나로 표현되는 것을 특징으로 하는 인쇄용 레지스트.
    화학식 3
    Figure 112013044375517-pat00059
    화학식 4
    Figure 112013044375517-pat00060
    화학식 5
    Figure 112013044375517-pat00061
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 제1항에 있어서,
    휘발성용제가 추가로 포함되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 인쇄용 레지스트.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 휘발성 용제는 메탄올(Methanol), 에탄올(Ethanol), 이소프로필알코올(Iso-prophyl alcohol) 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 인쇄용 레지스트.
  9. 제1항에 있어서,
    계면활성제가 추가로 포함되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 인쇄용 레지스트.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 계면활성제는 준 불소화 계면활성제(Semi-Fluorinated Surfactant)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 인쇄용 레지스트.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 준 불소화 계면활성제는 CF3(CF2)4(CH2CH2O)10, CF3(CF2)5(CH2CH2O)14 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 인쇄용 레지스트.
  12. 메타 크레졸, 파라 크레졸, 비닐기가 결합된 메타 크레졸 및 비닐기가 결합된 파라 크레졸 중 어느 하나와 비닐기가 결합된 메타 크레졸 및 비닐기가 결합된 파라 크레졸 중 어느 하나를 혼합하는 공정; 및
    상기 혼합된 크레졸을 중합시키는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 인쇄용 레지스트 제조방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 비닐기가 결합된 메타 크레졸은 메타 크레졸에 부타디엔을 합성하여 형성하고,
    상기 비닐기가 결합된 파라 크레졸은 파라 크레졸에 부타디엔을 합성하여 형성하는 것을 특징으로 하는 인쇄용 레지스트 제조방법.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 혼합된 크레졸을 중합시키는 공정은
    상기 혼합된 크레졸을 포름알데히드와 반응시켜 이루어지는 것을 특징으로 하는 인쇄용 레지스트 제조방법.
  15. 그 표면에 블랭킷이 형성된 인쇄롤에 인쇄용 레지스트를 도포하는 공정;
    상기 인쇄롤을 인쇄판 상에서 회전시켜, 상기 인쇄용 레지스트 중 일부를 인쇄판 상에 전사하는 공정;
    상기 인쇄롤을 패턴물질층이 형성된 기판 상에서 회전시켜, 상기 인쇄롤에 잔존하는 인쇄용 레지스트를 기판 상에 전사하는 공정;
    상기 기판을 열처리하는 공정;
    상기 패턴물질층을 식각하는 공정; 및
    상기 기판 상에 형성된 인쇄용 레지스트를 제거하는 공정을 포함하여 이루어지고,
    상기 인쇄용 레지스트는 상기 제1항, 제7 항 내지 제11항 중 어느 한 항의 인쇄용 레지스트를 이용하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 인쇄롤의 표면에 형성된 블랭킷은 PDMS(polydimethyl siloxane)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 기판을 열처리하는 공정은
    150℃ 이상에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
KR1020060052043A 2006-06-09 2006-06-09 인쇄용 레지스트, 인쇄용 레지스트 제조방법 및 이를이용한 패턴형성방법 KR101319271B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060052043A KR101319271B1 (ko) 2006-06-09 2006-06-09 인쇄용 레지스트, 인쇄용 레지스트 제조방법 및 이를이용한 패턴형성방법
CN2007101089686A CN101086615B (zh) 2006-06-09 2007-06-08 印刷抗蚀剂及其制备方法和利用该印刷抗蚀剂的图案化方法
US11/808,418 US7659048B2 (en) 2006-06-09 2007-06-08 Printing resist, method for preparing the same and patterning method using the same
US12/654,681 US8003298B2 (en) 2006-06-09 2009-12-29 Printing resist, method for preparing the same and patterning method using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060052043A KR101319271B1 (ko) 2006-06-09 2006-06-09 인쇄용 레지스트, 인쇄용 레지스트 제조방법 및 이를이용한 패턴형성방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070117869A KR20070117869A (ko) 2007-12-13
KR101319271B1 true KR101319271B1 (ko) 2013-10-16

Family

ID=38822396

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060052043A KR101319271B1 (ko) 2006-06-09 2006-06-09 인쇄용 레지스트, 인쇄용 레지스트 제조방법 및 이를이용한 패턴형성방법

Country Status (3)

Country Link
US (2) US7659048B2 (ko)
KR (1) KR101319271B1 (ko)
CN (1) CN101086615B (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101308431B1 (ko) * 2006-04-26 2013-09-30 엘지디스플레이 주식회사 인쇄용 레지스트 및 이를 이용한 패턴형성방법
KR101537674B1 (ko) * 2008-07-08 2015-07-20 엘지디스플레이 주식회사 컬러필터용 잉크 및 이를 이용한 액정표시소자의 컬러필터제조방법
CN103631087A (zh) * 2012-08-22 2014-03-12 北京京东方光电科技有限公司 阻光基板及其制作方法、对盒工艺中阻隔uv光的方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6177230B1 (en) * 1998-04-13 2001-01-23 Fuji Photo Film Co., Ltd. Heat-hardenable composition and planographic form plate using the composition
US20040197704A1 (en) 2003-04-01 2004-10-07 Eilbeck J. Neville Photoresist compositions

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2707495B2 (ja) * 1996-03-11 1998-01-28 太陽インキ製造株式会社 感光性熱硬化性樹脂組成物
KR100620853B1 (ko) * 2002-11-08 2006-09-13 후지 샤신 필름 가부시기가이샤 염료 함유 경화성 조성물, 컬러필터 및 그 제조방법
KR101031693B1 (ko) * 2004-06-18 2011-04-29 엘지디스플레이 주식회사 패턴형성용 레지스트 및 이를 이용한 패턴형성방법
US7645525B2 (en) * 2005-12-27 2010-01-12 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting devices
KR101232179B1 (ko) * 2006-12-04 2013-02-12 엘지디스플레이 주식회사 박막 패턴의 제조장치 및 방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6177230B1 (en) * 1998-04-13 2001-01-23 Fuji Photo Film Co., Ltd. Heat-hardenable composition and planographic form plate using the composition
US20040197704A1 (en) 2003-04-01 2004-10-07 Eilbeck J. Neville Photoresist compositions

Also Published As

Publication number Publication date
KR20070117869A (ko) 2007-12-13
US20100104982A1 (en) 2010-04-29
US20070287099A1 (en) 2007-12-13
US8003298B2 (en) 2011-08-23
CN101086615B (zh) 2011-12-21
CN101086615A (zh) 2007-12-12
US7659048B2 (en) 2010-02-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW573314B (en) Patterning method
US7202179B2 (en) Method of forming at least one thin film device
TWI726960B (zh) 膜觸控感測器及其製作方法
US7754780B2 (en) Resist for forming pattern and method for forming pattern using the same
DE112014001478B4 (de) Nassablöseprozess für eine antireflektierende Beschichtungsschicht
TWI681460B (zh) 使用親撥材料的薄膜電晶體的製造方法、金氧半導體場效電晶體及其製造方法
JP2007005757A (ja) 薄膜トランジスタ、および、それの製造方法、並びに、液晶表示装置、および、それの製造方法
TW201205193A (en) Photosensitive resin composition for black resist and color filter shielding film
US20180155567A1 (en) Ink composition for printing, and printing method using same
CN104867938B (zh) 软模制造方法、制造液晶显示装置的方法和软刻印法工序
JP4422743B2 (ja) ソフトモールド製造方法及びそれを用いた薄膜パターン形成方法
KR101319271B1 (ko) 인쇄용 레지스트, 인쇄용 레지스트 제조방법 및 이를이용한 패턴형성방법
JP2010111871A (ja) インク組成物及びこれを用いた液晶表示装置の製造方法
KR101308431B1 (ko) 인쇄용 레지스트 및 이를 이용한 패턴형성방법
JP3161438B2 (ja) アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法
JP2008004911A (ja) 薄膜パターンの製造装置及び方法
US7678626B2 (en) Method and system for forming a thin film device
TWI820047B (zh) 高精細圖案之製造方法及使用其之顯示元件之製造方法
KR101222947B1 (ko) 인쇄용 용제, 및 그를 이용한 인쇄용 패턴 조성물 및 패턴 형성방법
JP2003158068A (ja) パターン形成方法及びそれを用いたアクティブマトリクス基板の製造方法
CN100580868C (zh) 平板显示器件的制造方法
JP2010116525A (ja) エッチングレジスト用インクおよびそれを用いたレジストパターンの形成方法
KR101035845B1 (ko) 고분자 감광성 화합물, 이를 포함하는 포토레지스트조성물 및 이의 제조 방법
JP2007164070A (ja) 転写用凹版とこの転写用凹版を用いた物体の形成方法、遮光性隔壁の形成方法、この遮光性隔壁の形成方法よりなる隔壁
JP2007272002A (ja) レジストパターン形成方法及び感光性樹脂組成物

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180917

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190917

Year of fee payment: 7