JP2013079369A - ノボラック型フェノール樹脂、フォトレジスト用樹脂組成物および液晶デバイスの製造方法 - Google Patents
ノボラック型フェノール樹脂、フォトレジスト用樹脂組成物および液晶デバイスの製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】フェノール類と、トリメチルフェノール類と、ホルムアルデヒドと、を酸性触媒のもとで反応させて得られるノボラック型フェノール樹脂であって、前記フェノール類は、メタクレゾールを含み、当該ノボラック型フェノール樹脂は、前記メタクレゾールを樹脂全体の75〜99重量%、前記トリメチルフェノール類を樹脂全体の1〜25重量%配合しており、GPCによるポリスチレン換算の重量平均分子量が、15000〜45000であり、二核体成分の割合が4.0%以上であることを特徴とするノボラック型フェノール樹脂。
【選択図】 なし
Description
前記フェノール類は、メタクレゾールを含み、
当該ノボラック型フェノール樹脂は、前記メタクレゾールを樹脂全体の75〜99重量%、前記トリメチルフェノール類を樹脂全体の1〜25重量%配合しており、
GPCによるポリスチレン換算の重量平均分子量が、15000〜45000であり、二核体成分の割合が4.0%以上であることを特徴とするノボラック型フェノール樹脂が提供される。
本実施形態に係るノボラック型フェノール樹脂は、フェノ−ル類と、トリメチルフェノール類と、ホルムアルデヒドと、を酸性触媒のもとで反応させて得られるノボラック型フェノール樹脂であって、フェノール類は、メタクレゾールを含んでおり、当該ノボラック型フェノール樹脂の組成は、メタクレゾール(以下、「m−クレゾール」とも云う。)を樹脂全体の75〜99重量%、トリメチルフェノール類を樹脂全体の1〜25重量%配合している。また、当該ノボラック型フェノール樹脂について、GPCによるポリスチレン換算の重量平均分子量は、15000〜45000であり、二核体成分の割合は4.0%以上である。
(i)ノボラック型フェノール樹脂の重量平均分子量
(ii)ノボラック型フェノール樹脂のアルカリ溶解時間
(iii)ノボラック型フェノール樹脂に配合する各種フェノール類の組成
本実施形態に係るノボラック型フェノール樹脂は、m−クレゾールと、トリメチルフェノール類を所定の比率で用いる。こうすることにより、フォトレジスト用に適したアルカリ溶解時間を有する樹脂を得ることができる。さらに、本実施形態に係るノボラック型フェノール樹脂は、フォトレジストの耐熱性を向上させるため、樹脂の重量平均分子量を高くしている。従来、樹脂の重量平均分子量が高すぎる場合、アルカリ溶解時間が遅くなるが、フェノール類としてm−クレゾールを単独で用い、かつ樹脂中の二核体成分量を4.0%以上することでこれらの欠点を補える。このようなノボラック型フェノール樹脂を用いることで、高残膜率を兼ね備えており、さらに高感度・高耐熱性であるフォトレジスト用樹脂組成物を得ることができる。
本実施形態に係るノボラック型フェノール樹脂は、m−クレゾールを樹脂全体の75〜99重量%、トリメチルフェノール類を樹脂全体の1〜25重量%を配合している。こうすることで、フォトレジスト用に適したアルカリ溶解時間を有するだけでなく、耐熱性と感度のバランスに優れたフォトレジスト用樹脂組成物に用いることができるノボラック型フェノール樹脂を得ることができる。
ここで、特許文献3では、化学増幅型のフォトレジスト組成物に用いるノボラック型フェノール樹脂として、水酸基に対して保護基を付与したものを用いている。すなわち、ノボラック型フェノール樹脂における水酸基数を低減させたものを用いている。これに対し、本実施形態に係るノボラック型フェノール樹脂は、水酸基を保護していないものである。このため、本実施形態と特許文献3に記載のノボラック型フェノール樹脂における水酸基の水酸基当量では、本実施形態の方が、低い値を示す。
本実施形態に係るフォトレジスト用樹脂組成物は、上記本実施形態に係るノボラック型フェノール樹脂、感光剤、および溶剤を含むことを特徴とする。なお、本実施形態に係るフォトレジスト用樹脂組成物に含まれるノボラック型フェノール樹脂の水酸基が、アルコキシアルキル基で保護されていないことが好ましい。また、本実施形態に係るフォトレジスト用樹脂組成物は、ポジ型レジストとして用いることが好ましい。
(1)2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,4,4'−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,4,6−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,3,6−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4−トリヒドロキシ−2'−メチルベンゾフェノン、2,3,4,4'−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,2',4,4'−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3',4,4',6−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2,2',3,4,4'−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2,2',3,4,5−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2,3',4,4',5',6−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、2,3,3',4,4',5'−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン等のポリヒドロキシベンゾフェノン類、
(2)ビス(2,4−ジヒドロキシフェニル)メタン、ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)メタン、2−(4−ヒドロキシフェニル)−2−(4'−ヒドロキシフェニル)プロパン、2−(2,4−ジヒドロキシフェニル)−2−(2',4'−ジヒドロキシフェニル)プロパン、2−(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)−2−(2',3',4'−トリヒドロキシフェニル)プロパン、4,4'−{1−[4−〔2−(4−ヒドロキシフェニル)−2−プロピル〕フェニル]エチリデン}ビスフェノール,3,3'−ジメチル−{1−[4−〔2−(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)−2−プロピル〕フェニル]エチリデン}ビスフェノール等のビス[(ポリ)ヒドロキシフェニル]アルカン類、
(3)トリス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(4−ヒドロキシ−3、5−ジメチルフェニル)−4−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−2,5−ジメチルフェニル)−4−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−2,5−ジメチルフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−2,5−ジメチルフェニル)−3,4−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)−3,4−ジヒドロキシフェニルメタン等のトリス(ヒドロキシフェニル)メタン類又はそのメチル置換体、
(4)ビス(3−シクロヘキシル−4−ヒドロキシフェニル)−3−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(3−シクロヘキシル−4−ヒドロキシフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(3−シクロヘキシル−4−ヒドロキシフェニル)−4−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(5−シクロヘキシル−4−ヒドロキシ−2−メチルフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(5−シクロヘキシル−4−ヒドロキシ−2−メチルフェニル)−3−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(5−シクロヘキシル−4−ヒドロキシ−2−メチルフェニル)−4−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(3−シクロヘキシル−2−ヒドロキシフェニル)−3−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(5−シクロヘキシル−4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)−4−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(5−シクロヘキシル−4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)−3−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(5−シクロヘキシル−4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(3−シクロヘキシル−2−ヒドロキシフェニル)−4−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(3−シクロヘキシル−2−ヒドロキシフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(5−シクロヘキシル−2−ヒドロキシ−4−メチルフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(5−シクロヘキシル−2−ヒドロキシ−4−メチルフェニル)−4−ヒドロキシフェニルメタン等の、ビス(シクロヘキシルヒドロキシフェニル)(ヒドロキシフェニル)メタン類又はそのメチル置換体等とナフトキノン−1,2−ジアジド−5−スルホン酸又はナフトキノン−1,2−ジアジド−4−スルホン酸、オルトアントラキノンジアジドスルホン酸等のキノンジアジド基含有スルホン酸との完全エステル化合物、部分エステル化合物、アミド化物又は部分アミド化物、等が挙げられる。なお、本実施形態に係る感光剤としては、ポジ型レジストの感光剤として用いることが好ましい。
まず、ノボラック型フェノール樹脂、感光剤および溶剤を混合する。混合して得られたフォトレジスト用樹脂組成物を、フォトリソグラフィーを行う対象物上に塗布してレジストパターンを形成する。なお、本実施形態に係るフォトレジスト用樹脂組成物は、ポジ型レジストである場合、露光しない限り現像液には溶解しない。
次に、レジストパターンに対し露光を行った後、レジストパターンを現像する。なお、レジストパターンにおいて、露光した箇所では、感光剤が化学変化することによりカルボン酸となる。このため、露光した箇所のみ現像液に溶かすことができる。また、現像液に溶かす際、感光剤の作用により、溶解性に差をつけることも可能であり、これによってコントラストのパターンを形成することができる。
その後、製造したレジストパターンをマスクとして所定の膜をエッチング加工することにより、液晶デバイスの層構造を形成することができる。
(実施例1)
攪拌機、温度計、熱交換機を備えた3Lの四つ口フラスコに、m−クレゾール900部、2,3,5−トリメチルフェノール100部、シュウ酸5部を仕込み、四つ口フラスコの内温を97〜103℃まで上昇させた。次に、37%ホルマリン735部(全フェノール類に対する仕込みモル比A/C=1.000)を、四つ口フラスコの内温を97〜103℃に維持しながら3時間かけて添加した。その後、2時間還流反応を行った。次に、常圧条件下で180℃まで脱水・脱モノマーを行うことで、ノボラック型フェノール樹脂(A)1000部を得た。なお、得られた樹脂は、重量平均分子量30000、二核体成分4.5%、遊離モノマー1.3%であった。
37%ホルマリンを880部(全フェノール類に対する仕込みモル比A/C=1.200)用いた点以外は、実施例1と同様の方法を用いた。この方法により、ノボラック型フェノール樹脂(B)1050部を得た。なお、得られた樹脂は、重量平均分子量40000、二核体成分4.2%、遊離モノマー1.2%であった。
m−クレゾールを850部、2,3,5−トリメチルフェノールを150部用いた点、37%ホルマリンを800部(全フェノール類に対する仕込みモル比A/C=1.100)用いた点以外は、実施例1と同様の方法を用いた。この方法により、ノボラック型フェノール樹脂(C)1020部を得た。なお、得られた樹脂は、重量平均分子量20000、二核体成分4.5%、遊離モノマー1.4%であった。
37%ホルマリンを910部(全フェノール類に対する仕込みモル比A/C=1.250)用いた点以外は、実施例3と同様の方法を用いた。この方法により、ノボラック型フェノール樹脂(D)1060部を得た。なお、得られた樹脂は、重量平均分子量30000、二核体成分4.1%、遊離モノマー1.1%であった。
m−クレゾールを800部、2,3,5−トリメチルフェノールを200部用いた点、37%ホルマリンを885部(全フェノール類に対する仕込みモル比A/C=1.200)用いた点以外は、実施例1と同様の方法を用いた。この方法により、ノボラック型フェノール樹脂(E)1030部を得た。なお、得られた樹脂は、重量平均分子量20000、二核体成分4.5%、遊離モノマー1.5%であった。
37%ホルマリンを935部(全フェノール類に対する仕込みモル比A/C=1.268)用いた点以外は、実施例5と同様の方法を用いた。この方法により、ノボラック型フェノール樹脂(F)1050部を得た。なお、得られた樹脂は、重量平均分子量30000、二核体成分4.2%、遊離モノマー1.2%であった。
攪拌機、温度計、熱交換機を備えた3Lの四つ口フラスコに、m−クレゾール600部、パラクレゾール400部を仕込み、四つ口フラスコの内温を97〜103℃まで上昇させた。次に、37%ホルマリン500部(全フェノール類に対する仕込みモル比A/C=0.675)を、四つ口フラスコの内温を97〜103℃に維持しながら3時間かけて添加した。その後、2時間還流反応を行った。次に、常圧条件下で脱水を行い、四つ口フラスコの内温を150℃まで上昇さした後、70Torrの減圧下で内温200℃まで脱水・脱モノマーを行うことで、ノボラック型フェノール樹脂(G)700部を得た。なお、得られた樹脂は、重量平均分子量30000、二核体成分6.5%、遊離モノマー2.4%であった。
m−クレゾールを540部、パラクレゾールを360部用いた点、m−クレゾールとパラクレゾールに加えて2,3,5−トリメチルフェノールを100部用いた点、37%ホルマリンを580部(全フェノール類に対する仕込みモル比A/C=0.800)用いた点、以外は、比較例1と同様の方法を用いた。この方法により、ノボラック型フェノール樹脂(H)720部を得た。なお、得られた樹脂は、重量平均分子量30000、二核体成分7.1%、遊離モノマー2.2%であった。
m−クレゾールを480部、パラクレゾールを320部、2,3,5−トリメチルフェノールを200部用いた点、37%ホルマリンを610部(全フェノール類に対する仕込みモル比A/C=0.850)用いた点以外は、比較例2と同様の方法を用いた。この方法により、ノボラック型フェノール樹脂(I)740部を得た。なお、得られた樹脂は、重量平均分子量30000、二核体成分7.4%、遊離モノマー2.3%であった。
攪拌機、温度計、熱交換機を備えた3Lの四つ口フラスコに、m−クレゾール900部、2,3,5−トリメチルフェノール100部、シュウ酸5部を仕込み、四つ口フラスコの内温を97〜103℃まで上昇させた。次に、37%ホルマリン720部(全フェノール類に対する仕込みモル比A/C=0.980)を、四つ口フラスコの内温を97〜103℃に維持しながら3時間かけて添加した。その後、2時間還流反応を行った。次に、常圧条件下で180℃まで脱水・脱モノマーを行い、次いで分溜を行なうことにより、二核体成分及び遊離モノマーを取り除きノボラック型フェノール樹脂(J)850部を得た。なお、得られた樹脂は、重量平均分子量40000、二核体成分3.0%、遊離モノマー0.8%であった。
まず、ノボラック型フェノール樹脂10gを、100ml三角フラスコに秤取った。次に、秤量したノボラック型フェノール樹脂を、無水酢酸−ピリジン混合液に溶解させることによって、ノボラック型フェノール樹脂のアセチル化反応を行った。なお、アセチル化反応を終了する際は、三角フラスコに純水を添加することにより、反応を停止した。反応終了後、三角フラスコ内にクレゾールレッドとチモールブルーを指示薬として添加し、水酸化ナトリウム溶液を標準液として用いて、pOH滴定を行い、水酸基当量を算出した。
本実施例および比較例によって得られたノボラック型フェノール樹脂(A)〜(J)の水酸基当量は、後述の表1に示す。
(実施例7)
実施例1で得られたノボラック型フェノール樹脂(A)70部、ナフトキノン1,2−ジアジド−5−スルホン酸の2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノンエステル15部を、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)150部に溶解した。その後、孔径1.0μmのメンブレンフィルターを用いて濾過し、ポジ型のフォトレジスト用樹脂組成物を調製した。
ノボラック型フェノール樹脂(A)ではなく、実施例2で得られたノボラック型フェノール樹脂(B)を用いた点以外は、実施例7と同様の方法でフォトレジスト用樹脂組成物を調製した。
ノボラック型フェノール樹脂(A)ではなく、実施例3で得られたノボラック型フェノール樹脂(C)を用いた点以外は、実施例7と同様の方法でフォトレジスト用樹脂組成物を調製した。
ノボラック型フェノール樹脂(A)ではなく、実施例4で得られたノボラック型フェノール樹脂(D)を用いた点以外は、実施例7と同様の方法でフォトレジスト用樹脂組成物を調製した。
ノボラック型フェノール樹脂(A)ではなく、実施例5で得られたノボラック型フェノール樹脂(E)を用いた点以外は、実施例7と同様の方法でフォトレジスト用樹脂組成物を調製した。
ノボラック型フェノール樹脂(A)ではなく、実施例6で得られたノボラック型フェノール樹脂(F)を用いた点以外は、実施例7と同様の方法でフォトレジスト用樹脂組成物を調製した。
ノボラック型フェノール樹脂(A)ではなく、比較例1で得られたノボラック型フェノール樹脂(G)を用いた点以外は、実施例7と同様の方法でフォトレジスト用樹脂組成物を調製した。
ノボラック型フェノール樹脂(A)ではなく、比較例2で得られたノボラック型フェノール樹脂(H)を用いた点以外は、実施例7と同様の方法でフォトレジスト用樹脂組成物を調製した。
ノボラック型フェノール樹脂(A)ではなく、比較例3で得られたノボラック型フェノール樹脂(I)を用いた点以外は、実施例7と同様の方法でフォトレジスト用樹脂組成物を調製した。
ノボラック型フェノール樹脂(A)ではなく、比較例4で得られたノボラック型フェノール樹脂(J)を用いた点以外は、実施例7と同様の方法でフォトレジスト用樹脂組成物を調製した。
(1)耐熱性(耐熱温度)
フォトレジスト用樹脂組成物をヘキサメチルジシラザン処理したシリコンウエハ上に、スピンコーターで乾燥時の膜厚が1.5μmになるように塗布し、110℃,90秒間ホットプレート上で乾燥させた。その後、縮小投影露光装置を用い、テストチャートマスクを介して露光し、現像液(2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド水溶液)を用い、50秒間現像した。得られたシリコンウエハを、温度を変えたホットプレート上に30分間放置した。次に、シリコンウエハ上のレジストパターンの形状を走査型電子顕微鏡で観察し、正常なレジストパターンが得られなくなった時の温度を耐熱温度とした。
フォトレジスト用樹脂組成物を3インチのシリコンウエハ上に、スピンコーターで乾燥時の膜厚が約1μmになるように塗布し、110℃,100秒間ホットプレート上で乾燥させた。次に、このシリコンウエハにテストチャートマスクを重ね、20m、40、60および80mJ/cm2の紫外線をそれぞれ照射し、現像液(2.38%の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液)を用い90秒間現像した。得られたパターンを走査型電子顕微鏡でパターン形状を観察し、以下のA〜Eに係る評価基準で感度を評価した。
B 20〜40mJ/cm2で画像が形成できる。
C 40〜60mJ/cm2で画像が形成できる。
D 60〜80mJ/cm2で画像が形成できる。
E 80mJ/cm2以上でも画像が形成できない。
Claims (9)
- フェノール類と、トリメチルフェノール類と、ホルムアルデヒドと、を酸性触媒のもとで反応させて得られるノボラック型フェノール樹脂であって、
前記フェノール類は、メタクレゾールを含み、
当該ノボラック型フェノール樹脂は、前記メタクレゾールを樹脂全体の75〜99重量%、前記トリメチルフェノール類を樹脂全体の1〜25重量%配合しており、
GPCによるポリスチレン換算の重量平均分子量が、15000〜45000であり、二核体成分の割合が4.0%以上であることを特徴とするノボラック型フェノール樹脂。 - 前記トリメチルフェノール類が、2,3,5−トリメチルフェノールを含む請求項1記載のノボラック型フェノール樹脂。
- 前記フェノール類に対する前記ホルムアルデヒドのモル比率が、0.7〜1.5である請求項1又は2に記載のノボラック型フェノール樹脂。
- フォトレジストに用いられるものである請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のノボラック型フェノール樹脂。
- 当該ノボラック型フェノール樹脂における水酸基の水酸基当量が110g/eq以上150g/eq以下である請求項1乃至4のいずれか一項に記載のノボラック型フェノール樹脂。
- 請求項1乃至請求項5のいずれかに記載のノボラック型フェノール樹脂、感光剤及び溶剤を含有することを特徴とするフォトレジスト用樹脂組成物。
- 前記ノボラック型フェノール樹脂の水酸基がアルコキシアルキル基で保護されていないことを特徴とする請求項6に記載のフォトレジスト用樹脂組成物。
- 前記感光剤を、ポジ型レジストの感光剤として用いることを特徴とする請求項6または7に記載のフォトレジスト用樹脂組成物。
- 請求項6乃至8のいずれか一項に記載のフォトレジスト用樹脂組成物を用いてフォトリソグラフィーを行う工程を含むことを特徴とする液晶デバイスの製造方法。
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