JP2002268214A - フォトレジスト用フェノ−ル樹脂 - Google Patents

フォトレジスト用フェノ−ル樹脂

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JP2002268214A
JP2002268214A JP2001064717A JP2001064717A JP2002268214A JP 2002268214 A JP2002268214 A JP 2002268214A JP 2001064717 A JP2001064717 A JP 2001064717A JP 2001064717 A JP2001064717 A JP 2001064717A JP 2002268214 A JP2002268214 A JP 2002268214A
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resin
photoresist
reaction
drying temperature
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Application number
JP2001064717A
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English (en)
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Kazuo Nakanishi
一雄 中西
Yasushi Arita
靖 有田
Hiroshi Nishisako
宏志 西佐古
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Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明の目的は、乾燥する時の温度ムラによ
る影響を受けにくいフェノ−ル樹脂を提供することであ
る。 【解決手段】 式1で計算される数値が30以下である
ことを特徴とするフォトレジスト用フェノール樹脂。 (a−b)/c×100 (式1) 式1中aは、樹脂液塗布後の乾燥温度が120℃の時の
2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド現
像液に樹脂が溶解する時間(秒/μm)、bは樹脂液塗
布後の乾燥温度が100℃の時の2.38%テトラメチ
ルアンモニウムヒドロキサイド現像液に樹脂が溶解する
時間(秒/μm)、cは樹脂液塗布後の乾燥温度が11
0℃の時の2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロ
キサイド現像液に樹脂が溶解する時間(秒/μm)であ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体やLCDな
どを製造する際のリソグラフィ−に使用されるフォトレ
ジストのベ−ス樹脂として使用され、乾燥温度ムラに強
く、高耐熱性、高解像度、高感度であるフォトレジスト
の製造を可能にするフォトレジスト用フェノ−ル樹脂に
関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般にポジ型フォトレジストにはナフト
キノンジアジド化合物等のキノンジアジド基を有する感
光剤とアルカリ可溶性樹脂(例えば、フェノ−ル樹脂)
が用いられている。このような組成からなるポジ型フォ
トレジストは、露光後にアルカリ溶液による現像によっ
て高い解像力を示し、IC、LSI等の半導体製造、L
CDなどの回路基材の製造に利用されている。またフェ
ノ−ル樹脂は露光後のプラズマドライエッチングに対
し、芳香環を多く持つ構造に起因する高い耐熱性も有し
ており、これまでフェノ−ル樹脂とナフトキノンジアジ
ド系感光剤とを含有する数多くのポジ型フォトレジスト
が開発、実用化され、大きな成果を挙げてきている。
【0003】ポジ型フォトレジスト用フェノール樹脂と
して、メタクレゾール・パラクレゾ−ルとホルムアルデ
ヒドを酸性触媒の存在下で反応させて得られたフェノ−
ル樹脂が一般的に使用されている。そして、フォトレジ
ストの特性を調整または向上させるために、フェノ−ル
樹脂中のメタクレゾール・パラクレゾ−ルの比率や分子
量、分子量分布などの検討がなされ、半導体やLCDな
どのリソグラフィー技術に適用されてきた。しかし、近
年LCDの大面積化が進み、フォトレジスト乾燥時のガ
ラス基板上の温度ムラが大きくなったため、塗布された
フォトレジストの感度が基板上の位置によりばらつくと
いう問題が発生し、歩留まり低下をまねいている。そこ
で、乾燥温度ムラの影響を受けにくいフォトレジストが
要求されている。使用されるフェノール樹脂においても
同様の要求がされており、乾燥温度の違いによるアルカ
リ溶解時間の変動が少ないフェノール樹脂が要求されて
いるが、これまで十分に満足する樹脂は得られていな
い。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、乾燥
する時の温度ムラによる影響を受けにくいフェノ−ル樹
脂を提供することである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、アルカリ溶解
時間が乾燥温度ムラによる影響を受けにくくする手法と
して、フェノール樹脂の合成方法について鋭意研究を行
った結果として得られたものである。具体的には、式1
で計算される数値が30以下であることを特徴とするフ
ォトレジスト用フェノール樹脂に関する。 (a−b)/c×100 (式1) 式1中aは、樹脂液塗布後の乾燥温度が120℃の時の
2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド現
像液に樹脂が溶解する時間(秒/μm)、bは樹脂液塗
布後の乾燥温度が100℃の時の2.38%テトラメチ
ルアンモニウムヒドロキサイド現像液に樹脂が溶解する
時間(秒/μm)、cは樹脂液塗布後の乾燥温度が11
0℃の時の2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロ
キサイド現像液に樹脂が溶解する時間(秒/μm)であ
る。
【0006】以下に、本発明について詳細に説明する。
まず、本発明のフェノール樹脂を反応(製造)手順に沿
って説明する。合成反応は、攪拌機、温度計、熱交換機
のついた反応釜にフェノ−ル類(P)、アルデヒド類
(A)、酸性触媒を仕込み、ノボラック化反応を開始す
る。反応温度や時間はモノマ−の反応性、目的とする特
性によって適宜設定できるが、安定かつ経済的に製造可
能なレベルとして反応時間で1−10時間、反応温度で
50−150℃が特に好ましい。この際、塩基性触媒下
でのレゾール化反応を経由した後、同様に酸性触媒下で
ノボラック反応を行う方法でもよい。必要によって反応
溶媒を添加使用することもでき、特に溶媒の種類は限定
されないが、フェノ−ル樹脂を溶解する溶媒であること
が好ましい。一般的なものとして、アセトン、メチルエ
チルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン類、
メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノ−ルな
どのアルコ−ル類、エチルセロソルブのようなエ−テル
アルコ−ル類、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどの
環状エーテル類、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステ
ル類などが上げられる。
【0007】反応終了後、常圧下及び減圧下で脱水・脱
モノマ−を行い、場合によっては水蒸気蒸留により脱ダ
イマーを行い、フォトレジスト用フェノ−ル樹脂を得る
ことができる。脱水・脱モノマ−の条件は特に限定され
ないが、得られたフェノ−ル樹脂の安定性(バラツキ)
や粘度を考慮すると、減圧度は、0.1torrから2
00torr程度で行うのが特に好ましく、反応釜から
の取り出し温度は、150−250℃で行うのが特に好
ましい。
【0008】本発明で使用されるフェノ−ル類(P)と
しては、フェノ−ル、オルソクレゾ−ル、メタクレゾ−
ル、パラクレゾ−ル、2,3−キシレノ−ル、2,4−
キシレノ−ル、2,5−キシレノ−ル、2,6−キシレ
ノ−ル、3,4−キシレノ−ル、3,5−キシレノ−
ル、2,3,5−トリメチルフェノ−ル、2,3,6−
トリメチルフェノ−ル、エチルフェノ−ル、プロピルフ
ェノ−ル、ブチルフェノ−ル、フェニルフェノ−ル、ハ
ロゲン化フェノ−ルなどが使用されるが、特に限定され
ることはなく、単独又は2種以上を混合使用してもよ
い。実用上特に好ましいフェノール類としては、感度及
び解像度の点で、メタクレゾール、パラクレゾ−ル、キ
シレノ−ル類、トリメチルフェノ−ル類があげられ、さ
らに好ましくは、メタクレゾールを50モル%以上含有
し、他の成分がパラクレゾ−ル、キシレノ−ル類、及び
トリメチルフェノ−ルの1種又は2種以上である。メタ
クレゾールを50モル%以上含有することにより、フォ
トレジスト用フェノ−ル樹脂として耐熱性、解像度等の
特性がさらに向上する。
【0009】本発明に用いられるアルデヒド類(A)と
しては、ホルムアルデヒド(ホルマリン)、パラホルム
アルデヒドやアセトアルデヒド、プロピルアルデヒド、
ブチルアルデヒド、イソブチルアルデヒド、イソバレル
アルデヒド、ヘキシルアルデヒド、オクチルアルデヒド
などのアルキルアルデヒド類、アクロレイン、クロトン
アルデヒドなどの不飽和アルキルアルデヒド類、サリチ
ルアルデヒド、パラヒドロキシベンズアルデヒドなどの
ヒドロキシベンズアルデヒド類、ベンズアルデヒド、フ
タルアルデヒドなどの芳香族アルデヒド類、グリオキサ
−ル、グルタルアルデヒドなどのジアルデヒド類があげ
られるが、これらに限定されることはなく、単独及び混
合使用することができる。実用上特に有効なアルデヒド
類としては、反応性の点で、ホルムアルデヒド(ホルマ
リン)、パラホルムアルデヒドがあげられる。
【0010】続いて本発明のフェノール樹脂の特性につ
いて説明する。重量平均分子量は、ゲルパ−ミエ−ショ
ンクロマトグラフィ−(GPC測定)により測定し、ポ
リスチレン標準物質を用いて作成した検量線をもとに計
算されたものである。GPC測定はテトラヒドロフラン
を溶出溶媒として使用し、流量1.0ml/分、カラム
温度40℃の条件で実施した。装置は、本体:TOSO
H製HLC−8020、検出器:波長280nmにセッ
トしたTOSOH製UV−8011、分析用カラム:昭
和電工製SHODEX KF−802 1本、KF−8
03 1本、KF−805 1本、それぞれを使用し
た。
【0011】アルカリ溶解時間(ADR)については、
25%の樹脂−エチルセロソルブアセテ−ト溶液を使用
して、シリコンウエハ上に約1マイクロメ−タ−の厚み
になるようにスピンコ−タ−で塗布し、100、110
および120℃で100秒間ホットプレ−ト上で乾燥
し、その後、現像液(2.38%テトラメチルアンモニ
ウムヒドロオキサイド水溶液)でシリコンウエハに塗布
した樹脂を溶解し、目視で溶解する時間を測定した。得
られた各温度でのアルカリ溶解時間(ADR)を用い
て、次式により、乾燥温度ムラによる影響を表す指標を
算出した。 (乾燥温度100℃でのアルカリ溶解時間(a)と乾燥
温度120℃でのアルカリ溶解時間(b)の差)/乾燥
温度110℃でのアルカリ溶解時間(c)×100
(%)
【0012】
【実施例】以下本発明を実施例により詳細に説明する。
ここに記載されている「部」及び「%」はすべて「重量
部」及び「重量%」を示し、本発明はこれら実施例によ
り何ら制約されるものではない。
【0013】《実施例1》攪拌機、温度計、熱交換機の
ついた5Lの四つ口フラスコにメタクレゾ−ル630
部、パラクレゾール370部、蓚酸2.5部を添加した
後、95から105℃に保持しながら37%のホルマリ
ン483.5部(アルデヒド類とフェノール類の比率A
/P=0.644)を逐次添加し、反応温度98〜10
2℃で1時間反応させた。反応終了後、常圧下で内温1
30℃まで脱水し、さらに60torrの減圧下で25
0℃まで脱水・脱モノマ−を行い、フォトレジスト用フ
ェノ−ル樹脂760部を得た。得られた樹脂の重量平均
分子量は3300、乾燥温度ムラによる影響を表す指標
は17.9%であった。
【0014】《実施例2》攪拌機、温度計、熱交換機の
ついた5Lの四つ口フラスコにメタクレゾ−ル630
部、パラクレゾール403部、37%のホルマリン38
5.6部、80%パラホルムアルデヒド77.4部(A
/P=0.713)、蓚酸5.2部をを添加し、反応温
度98〜102℃で6時間反応させた。反応終了後、常
圧下で内温150℃まで脱水し、さらに60torrの
減圧下で220℃まで脱水・脱モノマ−を行い、フォト
レジスト用フェノ−ル樹脂860部を得た。得られた樹
脂の重量平均分子量は13000、乾燥温度ムラによる
影響を表す指標は18.8%であった。
【0015】《実施例3》攪拌機、温度計、熱交換機の
ついた5Lの四つ口フラスコにメタクレゾ−ル630
部、パラクレゾール852部、37%のホルマリン66
9.8部(A/P=0.602)、メチルエチルケトン
74.1部、蓚酸7.4部を添加し、反応温度58〜6
2℃で3時間、98〜102℃で5時間反応させた。反
応終了後、常圧下で内温150℃まで脱水し、さらに6
0torrの減圧下で190℃まで脱水・脱モノマ−を
行い、フォトレジスト用フェノ−ル樹脂1130部を得
た。得られた樹脂の重量平均分子量は5300、乾燥温
度ムラによる影響を表す指標は16.5%であった。
【0016】《実施例4》攪拌機、温度計、熱交換機の
ついた5Lの四つ口フラスコにメタクレゾ−ル630
部、パラクレゾール630部、37%のホルマリン73
8.3部、ブタノール87.5部、蓚酸8.8部を添加
し、反応温度58〜62℃で3時間反応させた後、パラ
クレゾール490部(A/P=0.562)を添加し、
98〜102℃で4時間反応させた。反応終了後、常圧
下で内温140℃まで脱水し、さらに60torrの減
圧下で190℃まで脱水・脱モノマ−を行い、フォトレ
ジスト用フェノ−ル樹脂1200部を得た。得られた樹
脂の重量平均分子量は4600、乾燥温度ムラによる影
響を表す指標は14.3%であった。
【0017】《実施例5》攪拌機、温度計、熱交換機の
ついた5Lの四つ口フラスコにメタクレゾール698.
9部、パラクレゾール370部、3,5−キシレノール
301.5部、37%のホルマリン696.0部(A/
P=0.694)、蓚酸2.7部を添加し、反応温度5
8〜62℃で2時間、98〜102℃で4時間反応させ
た。反応終了後、常圧下で内温170℃まで脱水し、さ
らに60torrの減圧下で195℃まで脱水・脱モノ
マ−を行い、フォトレジスト用フェノ−ル樹脂1150
部を得た。得られた樹脂の重量平均分子量は4000、
乾燥温度ムラによる影響を表す指標は16.2%であっ
た。
【0018】《実施例6》攪拌機、温度計、熱交換機の
ついた5Lの四つ口フラスコにメタクレゾール630
部、パラクレゾール720部、2,3,5−トリメチル
フェノール450部、92%パラホルムアルデヒド94
部、37%のホルマリン655.7部(A/P=0.6
94)、ブタノール144部、蓚酸1.8部を添加し、
反応温度98〜102℃で4時間反応させた。反応終了
後、常圧下で内温140℃まで脱水し、さらに60to
rrの減圧下で195℃まで脱水・脱モノマ−を行い、
フォトレジスト用フェノ−ル樹脂1560部を得た。得
られた樹脂の重量平均分子量は2300、乾燥温度ムラ
による影響を表す指標は15.3%であった。
【0019】《実施例7》攪拌機、温度計、熱交換機の
ついた5Lの四つ口フラスコにメタクレゾール630
部、パラクレゾール945部、蓚酸7.1部を添加し、
95から105℃に保持しながら37%のホルマリン5
73.5部(A/P=0.485)を逐次添加し、反応
温度98〜102℃で1.5時間反応させた。反応終了
後、常圧下で内温135℃まで脱水し、さらに60to
rrの減圧下で165℃まで脱水・脱モノマ−を行った
後、230℃で水蒸気蒸留を行い、フォトレジスト用フ
ェノ−ル樹脂620部を得た。得られた樹脂の重量平均
分子量は3100、乾燥温度ムラによる影響を表す指標
は17.2%であった。
【0020】《実施例8》攪拌機、温度計、熱交換機の
ついた5Lの四つ口フラスコにパラクレゾ−ル400
部、37%のホルマリン611.9部、トリエチルアミ
ン30部を仕込み、反応温度48〜52℃で5時間反応
を行った。その後、10%の蓚酸水165部を添加して
中和を行ない、メタクレゾ−ル600部(A/P=0.
815)、蓚酸18.8部を添加して、反応温度98〜
102℃で4時間反応させた。反応終了後、70℃まで
冷却してアセトン30部、イオン交換水300部を添加
して、2回水洗操作を行った。その後、常圧下で内温1
60℃まで脱水し、さらに60torrの減圧下で19
5℃まで脱水・脱モノマ−を行い、フォトレジスト用フ
ェノ−ル樹脂930部を得た。得られた樹脂の重量平均
分子量は3200、乾燥温度ムラによる影響を表す指標
は14.3%であった。
【0021】《実施例9》攪拌機、温度計、熱交換機の
ついた5Lの四つ口フラスコにパラクレゾ−ル360
部、37%のホルマリン684.1部、トリエチルアミ
ン36部を仕込み、反応温度68〜72℃で3時間反応
を行った。その後、10%の蓚酸水200部を添加して
中和を行ない、メタクレゾ−ル765部(A/P=0.
810)、蓚酸22.5部を添加して、反応温度98〜
102℃で4時間反応させた。反応終了後、70℃まで
冷却してアセトン30部、イオン交換水300部を添加
して、2回水洗操作を行った。その後、常圧下で内温1
60℃まで脱水し、さらに60torrの減圧下で19
5℃まで脱水・脱モノマ−を行い、フォトレジスト用フ
ェノ−ル樹脂970部を得た。得られた樹脂の重量平均
分子量は2600、乾燥温度ムラによる影響を表す指標
は13.4%であった。
【0022】《実施例10》攪拌機、温度計、熱交換機
のついた5Lの四つ口フラスコにパラクレゾ−ル41
9.9部、メタクレゾール10.8部、37%のホルマ
リン607.0部、トリエチルアミン86.1部を仕込
み、反応温度58〜62℃で6時間反応を行った。その
後、10%の蓚酸水522部を添加して中和を行ない、
メタクレゾ−ル619.3部(A/P=0.770)、
蓚酸53.7部を添加して、反応温度98〜102℃で
4時間反応させた。反応終了後、70℃まで冷却してア
セトン30部、イオン交換水300部を添加して、2回
水洗操作を行った。その後、常圧下で内温160℃まで
脱水し、さらに60torrの減圧下で195℃まで脱
水・脱モノマ−を行い、フォトレジスト用フェノ−ル樹
脂990部を得た。得られた樹脂の重量平均分子量は2
900、乾燥温度ムラによる影響を表す指標は12.9
%であった。
【0023】《実施例11》攪拌機、温度計、熱交換機
のついた5Lの四つ口フラスコにパラクレゾ−ル42
0.0部、メタクレゾール46.7部、37%のホルマ
リン575.5部、トリエチルアミン93.3部を仕込
み、反応温度58〜62℃で8時間反応を行った。その
後、10%の蓚酸水566部を添加して中和を行ない、
メタクレゾ−ル583.3部(A/P=0.730)、
蓚酸58.2部を添加して、反応温度98〜102℃で
4時間反応させた。反応終了後、70℃まで冷却してア
セトン30部、イオン交換水300部を添加して、2回
水洗操作を行った。その後、常圧下で内温160℃まで
脱水し、さらに60torrの減圧下で195℃まで脱
水・脱モノマ−を行い、フォトレジスト用フェノ−ル樹
脂960部を得た。得られた樹脂の重量平均分子量は3
300、乾燥温度ムラによる影響を表す指標は11.1
%であった。
【0024】《実施例12》攪拌機、温度計、熱交換機
のついた5Lの四つ口フラスコにパラクレゾ−ル315
部、メタクレゾール35部、37%のホルマリン56
3.6部、トリエチルアミン70部を仕込み、反応温度
68〜72℃で6時間反応を行った。その後、10%の
蓚酸水425部を添加して中和を行ない、メタクレゾ−
ル700部(A/P=0.715)、蓚酸43.7部を
添加して、反応温度98〜102℃で4時間反応させ
た。反応終了後、70℃まで冷却してアセトン30部、
イオン交換水300部を添加して、2回水洗操作を行っ
た。その後、常圧下で内温160℃まで脱水し、さらに
60torrの減圧下で195℃まで脱水・脱モノマ−
を行い、フォトレジスト用フェノ−ル樹脂930部を得
た。得られた樹脂の重量平均分子量は2900、乾燥温
度ムラによる影響を表す指標は11.7%であった。
【0025】《比較例1》攪拌機、温度計、熱交換機の
ついた5Lの四つ口フラスコにメタクレゾ−ル630
部、パラクレゾール852部、37%のホルマリン77
8.8部(A/P=0.700)、メチルエチルケトン
74.1部、蓚酸7.4部を添加し、反応温度58〜6
2℃で3時間、98〜102℃で5時間反応させた。反
応終了後、常圧下で内温150℃まで脱水し、さらに6
0torrの減圧下で190℃まで脱水・脱モノマ−を
行い、フォトレジスト用フェノ−ル樹脂1140部を得
た。得られた樹脂の重量平均分子量は21000、乾燥
温度ムラによる影響を表す指標は35.7%であった。
【0026】《比較例2》攪拌機、温度計、熱交換機の
ついた5Lの四つ口フラスコにパラクレゾ−ル140
部、37%のホルマリン675.7部、トリエチルアミ
ン30部を仕込み、反応温度68〜72℃で3時間反応
を行った。その後、10%の蓚酸水165部を添加して
中和を行ない、メタクレゾ−ル860部(A/P=0.
900)、蓚酸18.8部を添加して、反応温度98〜
102℃で4時間反応させた。反応終了後、70℃まで
冷却してアセトン30部、イオン交換水300部を添加
して、2回水洗操作を行った。その後、常圧下で内温1
60℃まで脱水し、さらに60torrの減圧下で19
5℃まで脱水・脱モノマ−を行い、フォトレジスト用フ
ェノ−ル樹脂940部を得た。得られた樹脂の重量平均
分子量は1800、乾燥温度ムラによる影響を表す指標
は32.3%であった。
【0027】
【表1】
【0028】《現像ムラの評価》樹脂100部とナフト
キノン1,2−ジアジド−5−スルホン酸の2,3,4
−トリヒドロキシベンゾフェノンエステル30部とを乳
酸エチルに溶解し、0.2μmメンブレンフィルターで
濾過して、フォトレジスト溶液とした。これを、常法に
よりガラス基板上に塗布し、乾燥させた。その後縮小投
影露光装置を用い、テストチャートマスクを介して露光
し、現像液(2.38%テトラメチルアンモニウムヒド
ロキサイド水溶液)を用いて、50秒間現像した。ガラ
ス基板上での現像ムラを、目視により評価した。現像ム
ラがみられる場合は○,現像ムラがみられない場合は×
とした。
【0029】
【表2】
【0030】
【発明の効果】本発明により、従来の方法では得られな
かった、アルカリ溶解時間が乾燥温度ムラによる影響を
受けにくいフォトレジスト用フェノ−ル樹脂を提供する
ことができるようになる。そして、本発明のフェノ−ル
樹脂を使用することによって得られたフォトレジスト
は、LCDを製造する際のリソグラフィ−に使用され、
LCDの今後のさらなる大面積化に役立つものと期待さ
れる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H025 AA01 AA02 AA10 AB13 AB14 AB16 AC01 AD03 BE01 BJ10 CB28 CB52 CB55 CB56 FA17 4J033 CA02 CA12 CA29 CB01 HA02 HA08 HA12 HB10

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 式1で計算される数値が30以下である
    ことを特徴とするフォトレジスト用フェノール樹脂。 (a−b)/c×100 (式1) 式1中aは、樹脂液塗布後の乾燥温度が120℃の時の
    2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド現
    像液に樹脂が溶解する時間(秒/μm)、bは樹脂液塗
    布後の乾燥温度が100℃の時の2.38%テトラメチ
    ルアンモニウムヒドロキサイド現像液に樹脂が溶解する
    時間(秒/μm)、cは樹脂液塗布後の乾燥温度が11
    0℃の時の2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロ
    キサイド現像液に樹脂が溶解する時間(秒/μm)であ
    る。
  2. 【請求項2】 GPC測定によるポリスチレン換算の重
    量平均分子量が、2000−20000である請求項1
    記載のフォトレジスト用フェノ−ル樹脂。
  3. 【請求項3】 フェノール化合物が、メタクレゾールを
    50モル%以上含有し、他の成分がパラクレゾ−ル、キ
    シレノ−ル類、及びトリメチルフェノ−ルの1種又は2
    種以上であり、アルデヒドがホルムアルデヒドである請
    求項1又は2記載のフォトレジスト用フェノ−ル樹脂。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013079369A (ja) * 2011-09-21 2013-05-02 Sumitomo Bakelite Co Ltd ノボラック型フェノール樹脂、フォトレジスト用樹脂組成物および液晶デバイスの製造方法
JP2014503667A (ja) * 2011-01-26 2014-02-13 コンストラクション リサーチ アンド テクノロジー ゲーエムベーハー 重縮合生成物の製造方法
JP2014214256A (ja) * 2013-04-26 2014-11-17 明和化成株式会社 フォトレジスト用樹脂およびそれを用いたフォトレジスト組成物
CN111303362A (zh) * 2018-12-12 2020-06-19 上海飞凯光电材料股份有限公司 一种酚醛树脂及其制备方法、光刻胶
CN112229987A (zh) * 2020-08-14 2021-01-15 陕西彩虹新材料有限公司 一种光刻胶用线性酚醛树脂碱溶解速率的测试方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09132624A (ja) * 1995-11-08 1997-05-20 Sumitomo Durez Co Ltd フォトレジスト用クレゾールノボラック樹脂の製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09132624A (ja) * 1995-11-08 1997-05-20 Sumitomo Durez Co Ltd フォトレジスト用クレゾールノボラック樹脂の製造方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014503667A (ja) * 2011-01-26 2014-02-13 コンストラクション リサーチ アンド テクノロジー ゲーエムベーハー 重縮合生成物の製造方法
JP2013079369A (ja) * 2011-09-21 2013-05-02 Sumitomo Bakelite Co Ltd ノボラック型フェノール樹脂、フォトレジスト用樹脂組成物および液晶デバイスの製造方法
JP2014214256A (ja) * 2013-04-26 2014-11-17 明和化成株式会社 フォトレジスト用樹脂およびそれを用いたフォトレジスト組成物
CN111303362A (zh) * 2018-12-12 2020-06-19 上海飞凯光电材料股份有限公司 一种酚醛树脂及其制备方法、光刻胶
CN111303362B (zh) * 2018-12-12 2023-05-30 上海飞凯材料科技股份有限公司 一种酚醛树脂及其制备方法、光刻胶
CN112229987A (zh) * 2020-08-14 2021-01-15 陕西彩虹新材料有限公司 一种光刻胶用线性酚醛树脂碱溶解速率的测试方法

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