JP5720157B2 - フォトレジスト用樹脂組成物 - Google Patents
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Description
本発明は、ノボラック型フェノール樹脂及びフォトレジスト用樹脂組成物に関する。
液晶表示装置回路または半導体集積回路のように微細な回路パターンは基板上に形成された絶縁膜または導電性金属膜にフォトレジスト組成物を均一にコーティングまたは塗布し、所定の形状のマスク存在下でコーティングされたフォトレジスト組成物を露光して現像し、目的とする形状のパターンに作られる。その後、パターンが形成されたフォトレジスト膜をマスクとして用いて金属膜または絶縁膜を除去した後、残存するフォトレジスト膜を除去して基板上に微細回路を形成する。このようなフォトレジスト組成物は露光される部分や、露光された部分のフォトレジスト膜が可溶か不溶によって、ネガ形とポジ形に分類される。
一般にポジ型フォトレジスト組成物には、ナフトキノンジアジド化合物等のキノンジアジド基を有する感光剤とアルカリ可溶性樹脂（例えば、ノボラック型フェノ−ル樹脂）が用いられている。このような組成からなるポジ型フォトレジスト組成物は、露光後にアルカリ溶液による現像によって高い解像力を示し、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体製造、ＬＣＤ等の液晶表示画面機器の製造及び印刷原版の製造等に利用されている。また、ノボラック型フェノ−ル樹脂は、プラズマドライエッチングに対し、芳香環を多く持つ構造に起因する高い耐熱性も有しており、これまでノボラック型フェノ−ル樹脂とナフトキノンジアジド系感光剤とを含有する数多くのポジ型フォトレジストが開発、実用化され、大きな成果を挙げてきている。
液晶表示装置回路用フォトレジスト組成物の実用面での重要な特性は形成されたレジスト膜の感度、現像コントラスト、解像度、基板との接着力、残膜率、耐熱性、回路線幅均一度（ＣＤ ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）である。その中でも高耐熱化のためにアルキルフェノ−ル類や芳香族アルデヒドなどのモノマーの適用が検討されている。しかしいずれも、若干の向上は見られるものの、飛躍的な効果は得られていない。またフォトレジスト工程技術の進化によって、これまでよりもさらに高温での耐熱性が求められている。特許文献１にはフォトレジスト特性を向上させるためにノボラック樹脂を分溜（Ｆｒａｃｔｉｏｎａｔｉｏｎ）処理する方法の使用が開示されており、前記の内容は当分野の従事者には広く知られているが、分溜することでフォトレジストの重要特性である感度が低くなり，工程時間が長いため量産性に乏しいと言える。分子量を上げ高軟化点であるノボラック樹脂を用いれば耐熱性を向上する事ができるが、高分子量化によってレジスト感度が低下してしまう。
本発明は、優れた耐熱性と良好な感度を併せもつフォトレジスト用樹脂組成物に用いることができるノボラック型フェノール樹脂と、これを用いたフォトレジスト用樹脂組成物を提供するものである。
このような目的は、以下の本発明〔１〕〜〔３〕によって達成される。
［１］ ノボラック型フェノール樹脂、感光剤及び溶剤を含有するフォトレジスト用樹脂組成物であって、前記ノボラック型フェノール樹脂が、フェノール類と、ジヒドロキシベンゼン又はその誘導体と、ホルムアルデヒドと、を酸性触媒のもとで反応させて得られ、前記フェノール類の組成がメタクレゾール５０〜９０重量％、パラクレゾール１０〜５０重量％であり、前記フェノール類に対する前記ジヒドロキシベンゼン又はその誘導体の重量比率が１〜１０重量％であり、前記ノボラック型フェノール樹脂のＧＰＣによるポリスチレン換算の重量平均分子量が、１５０００〜４５０００であることを特徴とするフォトレジスト用樹脂組成物。（但し、ポジ型化学増幅系感光性樹脂組成物を除く。）
［２］ 前記ジヒドロキシベンゼン又はその誘導体が、レゾルシノール、カテコール、ヒドロキノンから選ばれるものである［１］記載のフォトレジスト用樹脂組成物。
［３］前記フェノール類に対する前記ホルムアルデヒドのモル比率が、０．４〜１．０である［１］又は［２］に記載のフォトレジスト用樹脂組成物。
［１］ ノボラック型フェノール樹脂、感光剤及び溶剤を含有するフォトレジスト用樹脂組成物であって、前記ノボラック型フェノール樹脂が、フェノール類と、ジヒドロキシベンゼン又はその誘導体と、ホルムアルデヒドと、を酸性触媒のもとで反応させて得られ、前記フェノール類の組成がメタクレゾール５０〜９０重量％、パラクレゾール１０〜５０重量％であり、前記フェノール類に対する前記ジヒドロキシベンゼン又はその誘導体の重量比率が１〜１０重量％であり、前記ノボラック型フェノール樹脂のＧＰＣによるポリスチレン換算の重量平均分子量が、１５０００〜４５０００であることを特徴とするフォトレジスト用樹脂組成物。（但し、ポジ型化学増幅系感光性樹脂組成物を除く。）
［２］ 前記ジヒドロキシベンゼン又はその誘導体が、レゾルシノール、カテコール、ヒドロキノンから選ばれるものである［１］記載のフォトレジスト用樹脂組成物。
［３］前記フェノール類に対する前記ホルムアルデヒドのモル比率が、０．４〜１．０である［１］又は［２］に記載のフォトレジスト用樹脂組成物。
本発明によれば、耐熱性・感度・残膜率に優れたフォトレジスト用樹脂組成物に用いることができるノボラック型フェノール樹脂と、これを用いたフォトレジスト用樹脂組成物を得ることができる。
以下に、本発明のノボラック型フェノール樹脂及びフォトレジスト用樹脂組成物について詳細に説明する。
本発明のノボラック型フェノール樹脂は、フェノ−ル類と、ジヒドロキシベンゼン又はその誘導体と、ホルムアルデヒドと、を酸性触媒のもとで反応させて得られるノボラック型フェノール樹脂であって、フェノ−ル類の組成がメタクレゾール５０〜９０重量％，パラクレゾール１０〜５０重量％であり、ＧＰＣによるポリスチレン換算の重量平均分子量が、１５０００〜４５０００であることを特徴とする。
本発明のノボラック型フェノール樹脂は、フェノ−ル類と、ジヒドロキシベンゼン又はその誘導体と、ホルムアルデヒドと、を酸性触媒のもとで反応させて得られるノボラック型フェノール樹脂であって、フェノ−ル類の組成がメタクレゾール５０〜９０重量％，パラクレゾール１０〜５０重量％であり、ＧＰＣによるポリスチレン換算の重量平均分子量が、１５０００〜４５０００であることを特徴とする。
本発明のノボラック型フェノール樹脂の製造に用いられるフェノール類は、メタクレゾールとパラクレゾールであり、メタクレゾール５０〜９０重量％、パラクレゾール１０〜５０重量％からなるものである。好ましくは、メタクレゾール５５〜７５重量％、パラクレゾール２５〜４５重量％である。フェノール類としてメタクレゾールとパラクレゾールとを上記比率で用いることにより、特にフォトレジスト用に適したアルカリ溶解時間（ＡＤＲ）を有するノボラック型フェノール樹脂とすることができるとともに、フォトレジストの耐熱性を向上させることができる。
本発明のノボラック型フェノール樹脂の製造に用いられるジヒドロキシベンゼン又はその誘導体としては、レゾルシノール、カテコール、ヒドロキノン、２−メチルレゾルシノール、４−メチルレゾルシノール、４−エチルレゾルシノールなどを例示することができる。ジヒドロキシベンゼン又はその誘導体を用いることにより、得られるノボラック型フェノール樹脂を用いたフォトレジスト用組成物の露光後のアルカリ溶解性を高め、フォトレジストの感度を向上させることができる。
ジヒドロキシベンゼン又はその誘導体としては、これらの中でも、レゾルシノール、カテコール、ヒドロキノンから選ばれるものを用いることが好ましい。これにより、感度と耐熱性を両立することができる。
ジヒドロキシベンゼン又はその誘導体としては、これらの中でも、レゾルシノール、カテコール、ヒドロキノンから選ばれるものを用いることが好ましい。これにより、感度と耐熱性を両立することができる。
上記ジヒドロキシベンゼン又はその誘導体は、フェノール類に対して、１〜１０重量％用いることが好ましい。さらに好ましくは１〜５重量％である。
これにより、特にフォトレジスト用に適したアルカリ溶解時間（ＡＤＲ）を有するノボラック型フェノール樹脂を得ることができるとともに、フォトレジストの耐熱性を向上させることができる。ジヒドロキシベンゼン含有率が多くなると、アルカリ溶解性が高くなりすぎてもう一つの重要特性である残膜率（未露光部の膜減り）が悪くなってしまう。
これにより、特にフォトレジスト用に適したアルカリ溶解時間（ＡＤＲ）を有するノボラック型フェノール樹脂を得ることができるとともに、フォトレジストの耐熱性を向上させることができる。ジヒドロキシベンゼン含有率が多くなると、アルカリ溶解性が高くなりすぎてもう一つの重要特性である残膜率（未露光部の膜減り）が悪くなってしまう。
本発明のノボラック型フェノール樹脂は高分子量であり、軟化点が高い。軟化点の上昇により、フォトレジストの耐熱性を向上させることができる。
本発明のノボラック型フェノール樹脂の製造にはホルムアルデヒドを用いる。アルデヒド類として、ホルムアルデヒドを単独で用いることによって、分子量を上げてもアルカリ溶解速度に優れたノボラック型フェノール樹脂を得ることができる。
本発明において、上記フェノール類に対するホルムアルデヒドのモル比率は、０．４〜１．０が好ましく、更に好ましくは０．５〜０．９である。
上記モル比率とすることで、特にフォトレジスト用に適した重量平均分子量をもつノボラック型フェノール樹脂を得ることができる。
本発明において、上記フェノール類に対するホルムアルデヒドのモル比率は、０．４〜１．０が好ましく、更に好ましくは０．５〜０．９である。
上記モル比率とすることで、特にフォトレジスト用に適した重量平均分子量をもつノボラック型フェノール樹脂を得ることができる。
本発明のノボラック型フェノール樹脂の、ＧＰＣによるポリスチレン換算の重量平均分子量は、１５０００〜４５０００であり、好ましくは２００００〜４００００であり、さらに好ましくは２１０００〜３９０００である。上記重量平均分子量とすることで、特に耐熱性と感度のバランスに優れたノボラック型フェノール樹脂を得ることができる。重量平均分子量が低いと耐熱性が悪くなり、高すぎると感度が遅くなる。
なお、上記重量平均分子量はゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）測定によりポリスチレン標準物質を用いて作成した検量線をもとに計算されたものである。ＧＰＣ測定はテトラヒドロフランを溶出溶媒とし、流量１．０ｍｌ／ｍｉｎ、カラム温度４０℃の条件で実施した。
装置は、
・本体：ＴＯＳＯＨ社製・「ＨＬＣ−８０２０」
・検出器：波長２８０ｎｍにセットしたＴＯＳＯＨ社製・「ＵＶ−８０１１」
・分析用カラム：昭和電工社製・「ＳＨＯＤＥＸ ＫＦ−８０２、ＫＦ−８０３、ＫＦ−８０５」をそれぞれ使用した。
なお、上記重量平均分子量はゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）測定によりポリスチレン標準物質を用いて作成した検量線をもとに計算されたものである。ＧＰＣ測定はテトラヒドロフランを溶出溶媒とし、流量１．０ｍｌ／ｍｉｎ、カラム温度４０℃の条件で実施した。
装置は、
・本体：ＴＯＳＯＨ社製・「ＨＬＣ−８０２０」
・検出器：波長２８０ｎｍにセットしたＴＯＳＯＨ社製・「ＵＶ−８０１１」
・分析用カラム：昭和電工社製・「ＳＨＯＤＥＸ ＫＦ−８０２、ＫＦ−８０３、ＫＦ−８０５」をそれぞれ使用した。
フェノール類と、ジヒドロキシベンゼン又はその誘導体と、アルデヒド類と、の反応時の酸性触媒としては、例えば、塩酸、硫酸、燐酸、ホウ酸などの無機酸類、蓚酸、酢酸、パラトルエンスルホン酸等の有機酸類が挙げられ、これらを単独及び混合して使用することができる。また、モノマー除去時に分解、昇華などにより反応系から容易に除去できるものの使用が好ましい。使用量については触媒の種類にもよるが、反応系内のｐＨが１〜６の範囲になる量を設定することが好ましい。
本発明のノボラック型フェノール樹脂の製造方法を反応手順に沿って説明する。
反応は、攪拌機、温度計、熱交換機を備えた反応装置にフェノール類、ジヒドロキシベンゼン又はその誘導体、酸性触媒を仕込み、所定温度に昇温する。所定温度に到達後、ホルムアルデヒドの逐次添加を開始する。逐次添加温度や時間はモノマーの反応性、目的とする特性によって適宜設定できるが、安定かつ経済的に製造可能なレベルに設定できる。
ホルムアルデヒドの逐次添加時間は、３０〜３００分間が好ましく、更に好ましくは６０〜１８０分間である。上記逐次添加時間とすることで、急激な昇温もなく適正な速度で反応を進めることができる。
反応は、攪拌機、温度計、熱交換機を備えた反応装置にフェノール類、ジヒドロキシベンゼン又はその誘導体、酸性触媒を仕込み、所定温度に昇温する。所定温度に到達後、ホルムアルデヒドの逐次添加を開始する。逐次添加温度や時間はモノマーの反応性、目的とする特性によって適宜設定できるが、安定かつ経済的に製造可能なレベルに設定できる。
ホルムアルデヒドの逐次添加時間は、３０〜３００分間が好ましく、更に好ましくは６０〜１８０分間である。上記逐次添加時間とすることで、急激な昇温もなく適正な速度で反応を進めることができる。
また、ホルムアルデヒドの逐次添加温度は、７０〜１３０℃が好ましく、更に好ましくは９０〜１１０℃である。上記逐次添加温度とすることで、急激な昇温もなく適正な速度で反応を進めることができる。
上記逐次添加終了後、必要によってそのまま反応を継続することができる。また逐次添加・反応時において、必要によって反応溶媒を添加使用することもでき、特に溶媒の種類は限定されないが、フェノ−ル樹脂を溶解する溶媒であれば使用できる。
一例をあげるとメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類、ブタノ−ル等のアルコ−ル類、エトキシエタノ−ル等のエ−テルアルコ−ル類等が挙げられる。
一例をあげるとメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類、ブタノ−ル等のアルコ−ル類、エトキシエタノ−ル等のエ−テルアルコ−ル類等が挙げられる。
上記反応終了後、必要によって、添加した酸性触媒を除去するために、水を加えて水洗を実施する。水洗水の量と回数は特に限定されないが、水洗回数は１〜５回程度が残留触媒量と経済的な観点から特に好ましい。また、水洗温度は特に限定されないが、触媒種除去の効率と作業性の観点から４０〜９５℃で行うのが好ましい。水洗中、樹脂と水洗水の分離が悪い場合は、樹脂の粘度を低下させる溶媒の添加や水洗温度を上昇させることが効果的である。この溶媒は特に限定されないが、フェノ−ル樹脂を溶解して粘度を低下させるものであれば使用することができる。
一例をあげると、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類、メタノ−ル、エタノ−ル、ブタノ−ルなどのアルコ−ル類、エトキシエタノ−ル等のエ−テルアルコ−ル類等が挙げられる。
一例をあげると、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類、メタノ−ル、エタノ−ル、ブタノ−ルなどのアルコ−ル類、エトキシエタノ−ル等のエ−テルアルコ−ル類等が挙げられる。
上記水洗終了後、常圧下及び減圧下で脱水・脱モノマ−を行い、ノボラック型フェノール樹脂を得ることができる。脱水・脱モノマ−の条件は限定されないが、得られたノボラック型フェノール樹脂の安定性（バラツキ）や粘度を考慮すると、減圧度は、０．１〜２００Ｔｏｒｒ程度で行うのが特に好ましく、反応装置からの取り出し温度は、１５０〜２５０℃で行うのが更に好ましい。
本発明のノボラック型フェノール樹脂は、フォトレジスト用として好適に用いることができる。
本発明のノボラック型フェノール樹脂は、フェノール類としてメタクレゾールとパラクレゾールとを所定の比率で用いる。これにより、特にフォトレジスト用に適したアルカリ溶解時間（ADR）を有する樹脂とすることができる。フォトレジストの耐熱性を向上させることを目的として、樹脂の重量平均分子量を高くする。通常重量平均分子量が高すぎるとアルカリ溶解時間（ADR）が遅くなる（レジスト感度が悪くなる）がフェノール類とともにジヒドロキシベンゼン又はその誘導体を用いる事でこれらの欠点を補える。ジヒドロキシベンゼン又はその誘導体を取り込む事で樹脂中に多くの水酸基を導入することが可能となり、露光後の現像液への溶解性が高まる結果、フォトレジスト用に適したアルカリ溶解時間（ＡＤＲ）を有する樹脂を得ることができる。
このようなノボラック型フェノール樹脂を用いると、高感度、高耐熱、高残膜率を兼ね備えたフォトレジスト用樹脂組成物を得ることができる。
本発明のノボラック型フェノール樹脂は、フェノール類としてメタクレゾールとパラクレゾールとを所定の比率で用いる。これにより、特にフォトレジスト用に適したアルカリ溶解時間（ADR）を有する樹脂とすることができる。フォトレジストの耐熱性を向上させることを目的として、樹脂の重量平均分子量を高くする。通常重量平均分子量が高すぎるとアルカリ溶解時間（ADR）が遅くなる（レジスト感度が悪くなる）がフェノール類とともにジヒドロキシベンゼン又はその誘導体を用いる事でこれらの欠点を補える。ジヒドロキシベンゼン又はその誘導体を取り込む事で樹脂中に多くの水酸基を導入することが可能となり、露光後の現像液への溶解性が高まる結果、フォトレジスト用に適したアルカリ溶解時間（ＡＤＲ）を有する樹脂を得ることができる。
このようなノボラック型フェノール樹脂を用いると、高感度、高耐熱、高残膜率を兼ね備えたフォトレジスト用樹脂組成物を得ることができる。
次に、本発明のフォトレジスト用樹脂組成物（以下、単に「組成物」ということがある）について説明する。
本発明の組成物は、上記本発明のノボラック型フェノール樹脂、感光剤、及び溶剤を含むことを特徴とする。
上記感光剤としては特に限定されないが、例えば、
（１）２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，４，４’−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，４，６−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，３，６−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４−トリヒドロキシ−２’−メチルベンゾフェノン、２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，３’，４，４’，６−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，３，４，４’−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，３，４，５−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、２，３’，４，４’，５’，６−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、２，３，３’，４，４’，５’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノンなどのポリヒドロキシベンゾフェノン類、
（１）２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，４，４’−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，４，６−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，３，６−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４−トリヒドロキシ−２’−メチルベンゾフェノン、２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，３’，４，４’，６−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，３，４，４’−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，３，４，５−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、２，３’，４，４’，５’，６−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、２，３，３’，４，４’，５’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノンなどのポリヒドロキシベンゾフェノン類、
（２）ビス（２，４−ジヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）メタン、２−（４−ヒドロキシフェニル）−２−（４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、２−（２，４−ジヒドロキシフェニル）−２−（２’，４’−ジヒドロキシフェニル）プロパン、２−（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）−２−（２’，３’，４’−トリヒドロキシフェニル）プロパン、４，４’−｛１−［４−〔２−（４−ヒドロキシフェニル）−２−プロピル〕フェニル］エチリデン｝ビスフェノール，３，３’−ジメチル−｛１−［４−〔２−（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）−２−プロピル〕フェニル］エチリデン｝ビスフェノールなどのビス［（ポリ）ヒドロキシフェニル］アルカン類、
（３）トリス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（４−ヒドロキシ−３、５−ジメチルフェニル）−４−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，５−ジメチルフェニル）−４−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，５−ジメチルフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，５−ジメチルフェニル）−３，４−ジヒドロキシフェニルメタン 、ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）−３，４−ジヒドロキシフェニルメタンなどのトリス（ヒドロキシフェニル）メタン類又はそのメチル置換体、
（４）ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシフェニル）−３−ヒドロキシフェニルメタン，ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン，ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシフェニル）−４−ヒドロキシフェニルメタン，ビス（５−シクロヘキシル−４−ヒドロキシ−２−メチルフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン，ビス（５−シクロヘキシル−４−ヒドロキシ−２−メチルフェニル）−３−ヒドロキシフェニルメタン、 ビス（５−シクロヘキシル−４−ヒドロキシ−２−メチルフェニル）−４−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（３−シクロヘキシル−２−ヒドロキシフェニル）−３−ヒドロキシフェニルメタン、 ビス（５−シクロヘキシル−４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）−４−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（５−シクロヘキシル−４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）−３−ヒドロキシフェニルメタン、 ビス（５−シクロヘキシル−４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（３−シクロヘキシル−２−ヒドロキシフェニル）−４−ヒドロキシフェニルメタン、 ビス（３−シクロヘキシル−２−ヒドロキシフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、 ビス（５−シクロヘキシル−２−ヒドロキシ−４−メチルフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（５−シクロヘキシル−２−ヒドロキシ−４−メチルフェニル）−４−ヒドロキシフェニルメタンなどの、ビス（シクロヘキシルヒドロキシフェニル）（ヒドロキシフェニル）メタン類又はそのメチル置換体などとナフトキノン−１，２−ジアジド−５−スルホン酸又はナフトキノン−１，２−ジアジド−４−スルホン酸、オルトアントラキノンジアジドスルホン酸などのキノンジアジド基含有スルホン酸との完全エステル化合物、部分エステル化合物、アミド化物又は部分アミド化物、
などを好適に用いることができる。
などを好適に用いることができる。
上記溶剤としては、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル等のエチレングリコールアルキルエーテル類、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジプロピルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル等のジエチレングリコールジアルキルエーテル類、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート等のエチレングリコールアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート等のプロピレングリコールアルキルエーテルアセテート類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルアミルケトン等のケトン類、ジオキサンのような環式エーテル類及び、２−ヒドロキシプロピオン酸メチル、２−ヒドロキシプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、オキシ酢酸エチル、２−ヒドロキシ−３−メチルブタン酸メチル、３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート、蟻酸エチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル等のエステル類を挙げることができる。これらは一種単独で用いてもよいし、また２種以上混合して用いてもよい。
上記溶剤の含有量は特に限定されないが、組成物の固形分濃度を全体に対して３０〜６５重量％とすることが好ましい。さらに好ましくは５０〜６５重量％である。固形分濃度を上記範囲とすることで、組成物の流動性を良好なものにすることができると共に、均一なレジストフィルムを得ることができる。
なお、本発明の組成物には、以上に説明した成分のほかにも、必要により、界面活性剤、密着性向上剤、溶解促進剤等の種々の添加剤を使用してもよい。
本発明の組成物の調製方法としては特に限定されないが、組成物に充填材、顔料を添加しない場合には、上記の成分を通常の方法で混合・攪拌するだけでよく、充填材、顔料を添加する場合には、例えば、ディゾルバー、ホモジナイザー、３本ロールミル等の分散装置を用いて分散、混合させればよい。また、必要に応じて、さらにメッシュフィルター、メンブレンフィルター等を用いて濾過してもよい。
このようにして得られた本発明の組成物に対して、マスクを介して露光を行なうことで、露光部においては組成物に構造変化が生じ、アルカリ現像液に対しての溶解性を促進することができる。一方、非露光部においてはアルカリ現像液に対する低い溶解性を保持しているため、こうして生じた溶解性の差により、レジスト機能を付与することができる。
本発明のノボラック型フェノール樹脂を用いるフォトレジスト用樹脂組成物において、耐熱性の向上にはノボラック樹脂の高分子量化が重要であると考えられる。高分子量化による感度の低下を補うものとして、ジヒドロキシベンゼン又はその誘導体が効果を発揮する。
本発明のノボラック型フェノール樹脂を用いるフォトレジスト用樹脂組成物において、耐熱性の向上にはノボラック樹脂の高分子量化が重要であると考えられる。高分子量化による感度の低下を補うものとして、ジヒドロキシベンゼン又はその誘導体が効果を発揮する。
以下、本発明を実施例により説明する。しかし本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。また、実施例及び比較例に記載されている「部」は「重量部」、「％」は「重量％」を示す。なお、遊離モノマーの含有量は、ＧＰＣ測定による面積比率から算出したものである。
１．ノボラック型フェノール樹脂の合成
実施例１
攪拌機、温度計、熱交換機を備えた３Ｌの四つ口フラスコにメタクレゾール７００部、パラクレゾール３００部、レゾルシノール３０部、シュウ酸５部を仕込み、内温９７〜１０３℃まで上昇させた。温度到達後、３７％ホルマリン４８０部（全フェノール類に対する仕込みモル比Ａ／Ｃ＝０．６５０）を、内温９７〜１０３℃を維持させながら３時間で添加し、その後２時間還流反応を行った後、常圧下で脱水を行い、内温１５０℃まで上昇させ、次いで７０Ｔｏｒｒの減圧下で内温２００℃まで脱水・脱モノマーを行い、ノボラック型フェノール樹脂（Ａ）７００部を得た。得られた樹脂の重量平均分子量は２１０００、遊離モノマー２．３％であった。
実施例１
攪拌機、温度計、熱交換機を備えた３Ｌの四つ口フラスコにメタクレゾール７００部、パラクレゾール３００部、レゾルシノール３０部、シュウ酸５部を仕込み、内温９７〜１０３℃まで上昇させた。温度到達後、３７％ホルマリン４８０部（全フェノール類に対する仕込みモル比Ａ／Ｃ＝０．６５０）を、内温９７〜１０３℃を維持させながら３時間で添加し、その後２時間還流反応を行った後、常圧下で脱水を行い、内温１５０℃まで上昇させ、次いで７０Ｔｏｒｒの減圧下で内温２００℃まで脱水・脱モノマーを行い、ノボラック型フェノール樹脂（Ａ）７００部を得た。得られた樹脂の重量平均分子量は２１０００、遊離モノマー２．３％であった。
実施例２
攪拌機、温度計、熱交換機を備えた３Ｌの四つ口フラスコにメタクレゾール７００部、パラクレゾール３００部、レゾルシノール３０部、シュウ酸５部を仕込み、内温９７〜１０３℃まで上昇させた。温度到達後、３７％ホルマリン５６０部（全フェノール類に対する仕込みモル比Ａ／Ｃ＝０．７５０）を、内温９７〜１０３℃を維持させながら３時間で添加し、その後２時間還流反応を行った後、常圧下で脱水を行い、内温１５０℃まで上昇させ、次いで７０Ｔｏｒｒの減圧下で内温２００℃まで脱水・脱モノマーを行い、ノボラック型フェノール樹脂（B）７２０部を得た。得られた樹脂の重量平均分子量は３００００、遊離モノマー２．１％であった。
攪拌機、温度計、熱交換機を備えた３Ｌの四つ口フラスコにメタクレゾール７００部、パラクレゾール３００部、レゾルシノール３０部、シュウ酸５部を仕込み、内温９７〜１０３℃まで上昇させた。温度到達後、３７％ホルマリン５６０部（全フェノール類に対する仕込みモル比Ａ／Ｃ＝０．７５０）を、内温９７〜１０３℃を維持させながら３時間で添加し、その後２時間還流反応を行った後、常圧下で脱水を行い、内温１５０℃まで上昇させ、次いで７０Ｔｏｒｒの減圧下で内温２００℃まで脱水・脱モノマーを行い、ノボラック型フェノール樹脂（B）７２０部を得た。得られた樹脂の重量平均分子量は３００００、遊離モノマー２．１％であった。
実施例３
攪拌機、温度計、熱交換機を備えた３Ｌの四つ口フラスコにメタクレゾール７００部、パラクレゾール３００部、レゾルシノール３０部、シュウ酸５部を仕込み、内温９７〜１０３℃まで上昇させた。温度到達後、３７％ホルマリン６４０部（全フェノール類に対する仕込みモル比Ａ／Ｃ＝０．８５０）を、内温９７〜１０３℃を維持させながら３時間で添加し、その後２時間還流反応を行った後、常圧下で脱水を行い、内温１５０℃まで上昇させ、次いで７０Ｔｏｒｒの減圧下で内温２００℃まで脱水・脱モノマーを行い、ノボラック型フェノール樹脂（C）７５０部を得た。得られた樹脂の重量平均分子量は４００００、遊離モノマー１．８％であった。
攪拌機、温度計、熱交換機を備えた３Ｌの四つ口フラスコにメタクレゾール７００部、パラクレゾール３００部、レゾルシノール３０部、シュウ酸５部を仕込み、内温９７〜１０３℃まで上昇させた。温度到達後、３７％ホルマリン６４０部（全フェノール類に対する仕込みモル比Ａ／Ｃ＝０．８５０）を、内温９７〜１０３℃を維持させながら３時間で添加し、その後２時間還流反応を行った後、常圧下で脱水を行い、内温１５０℃まで上昇させ、次いで７０Ｔｏｒｒの減圧下で内温２００℃まで脱水・脱モノマーを行い、ノボラック型フェノール樹脂（C）７５０部を得た。得られた樹脂の重量平均分子量は４００００、遊離モノマー１．８％であった。
実施例４
攪拌機、温度計、熱交換機を備えた３Ｌの四つ口フラスコにメタクレゾール７００部、パラクレゾール３００部、レゾルシノール５０部、シュウ酸５部を仕込み、内温９７〜１０３℃まで上昇させた。温度到達後、３７％ホルマリン６２０部（全フェノール類に対する仕込みモル比Ａ／Ｃ＝０．８３０）を、内温９７〜１０３℃を維持させながら３時間で添加し、その後２時間還流反応を行った後、常圧下で脱水を行い、内温１５０℃まで上昇させ、次いで７０Ｔｏｒｒの減圧下で内温２００℃まで脱水・脱モノマーを行い、ノボラック型フェノール樹脂（D）７５０部を得た。得られた樹脂の重量平均分子量は４００００、遊離モノマー２．０％であった。
攪拌機、温度計、熱交換機を備えた３Ｌの四つ口フラスコにメタクレゾール７００部、パラクレゾール３００部、レゾルシノール５０部、シュウ酸５部を仕込み、内温９７〜１０３℃まで上昇させた。温度到達後、３７％ホルマリン６２０部（全フェノール類に対する仕込みモル比Ａ／Ｃ＝０．８３０）を、内温９７〜１０３℃を維持させながら３時間で添加し、その後２時間還流反応を行った後、常圧下で脱水を行い、内温１５０℃まで上昇させ、次いで７０Ｔｏｒｒの減圧下で内温２００℃まで脱水・脱モノマーを行い、ノボラック型フェノール樹脂（D）７５０部を得た。得られた樹脂の重量平均分子量は４００００、遊離モノマー２．０％であった。
比較例１
攪拌機、温度計、熱交換機を備えた３Ｌの四つ口フラスコにメタクレゾール６００部、パラクレゾール４００部仕込み内温９７〜１０３℃まで上昇させた。温度到達後、３７％ホルマリン５００部（全フェノール類に対する仕込みモル比Ａ／Ｃ＝０．６７５）を、内温９７〜１０３℃を維持させながら３時間で添加し、その後２時間還流反応を行った後、常圧下で脱水を行い、内温１５０℃まで上昇させ、次いで７０Ｔｏｒｒの減圧下で内温２００℃まで脱水・脱モノマーを行い、ノボラック型フェノール樹脂（E）７００部を得た。得られた樹脂の重量平均分子量は２００００、遊離モノマー２．４％であった。
攪拌機、温度計、熱交換機を備えた３Ｌの四つ口フラスコにメタクレゾール６００部、パラクレゾール４００部仕込み内温９７〜１０３℃まで上昇させた。温度到達後、３７％ホルマリン５００部（全フェノール類に対する仕込みモル比Ａ／Ｃ＝０．６７５）を、内温９７〜１０３℃を維持させながら３時間で添加し、その後２時間還流反応を行った後、常圧下で脱水を行い、内温１５０℃まで上昇させ、次いで７０Ｔｏｒｒの減圧下で内温２００℃まで脱水・脱モノマーを行い、ノボラック型フェノール樹脂（E）７００部を得た。得られた樹脂の重量平均分子量は２００００、遊離モノマー２．４％であった。
比較例２
攪拌機、温度計、熱交換機を備えた３Ｌの四つ口フラスコにメタクレゾール６００部、パラクレゾール４００部仕込み内温９７〜１０３℃まで上昇させた。温度到達後、３７％ホルマリン５８０部（全フェノール類に対する仕込みモル比Ａ／Ｃ＝０．７７５）を、内温９７〜１０３℃を維持させながら３時間で添加し、その後２時間還流反応を行った後、常圧下で脱水を行い、内温１５０℃まで上昇させ、次いで７０Ｔｏｒｒの減圧下で内温２００℃まで脱水・脱モノマーを行い、ノボラック型フェノール樹脂（F）７２０部を得た。得られた樹脂の重量平均分子量は３００００、遊離モノマー２．２％であった。
攪拌機、温度計、熱交換機を備えた３Ｌの四つ口フラスコにメタクレゾール６００部、パラクレゾール４００部仕込み内温９７〜１０３℃まで上昇させた。温度到達後、３７％ホルマリン５８０部（全フェノール類に対する仕込みモル比Ａ／Ｃ＝０．７７５）を、内温９７〜１０３℃を維持させながら３時間で添加し、その後２時間還流反応を行った後、常圧下で脱水を行い、内温１５０℃まで上昇させ、次いで７０Ｔｏｒｒの減圧下で内温２００℃まで脱水・脱モノマーを行い、ノボラック型フェノール樹脂（F）７２０部を得た。得られた樹脂の重量平均分子量は３００００、遊離モノマー２．２％であった。
比較例３
攪拌機、温度計、熱交換機を備えた３Ｌの四つ口フラスコにメタクレゾール６００部、パラクレゾール４００部仕込み内温９７〜１０３℃まで上昇させた。温度到達後、３７％ホルマリン６６０部（全フェノール類に対する仕込みモル比Ａ／Ｃ＝０．８７５）を、内温９７〜１０３℃を維持させながら３時間で添加し、その後２時間還流反応を行った後、常圧下で脱水を行い、内温１５０℃まで上昇させ、次いで７０Ｔｏｒｒの減圧下で内温２００℃まで脱水・脱モノマーを行い、ノボラック型フェノール樹脂（G）７４０部を得た。得られた樹脂の重量平均分子量は４００００、遊離モノマー２．０％であった。
攪拌機、温度計、熱交換機を備えた３Ｌの四つ口フラスコにメタクレゾール６００部、パラクレゾール４００部仕込み内温９７〜１０３℃まで上昇させた。温度到達後、３７％ホルマリン６６０部（全フェノール類に対する仕込みモル比Ａ／Ｃ＝０．８７５）を、内温９７〜１０３℃を維持させながら３時間で添加し、その後２時間還流反応を行った後、常圧下で脱水を行い、内温１５０℃まで上昇させ、次いで７０Ｔｏｒｒの減圧下で内温２００℃まで脱水・脱モノマーを行い、ノボラック型フェノール樹脂（G）７４０部を得た。得られた樹脂の重量平均分子量は４００００、遊離モノマー２．０％であった。
比較例４
攪拌機、温度計、熱交換機を備えた３Ｌの四つ口フラスコにメタクレゾール４００部、パラクレゾール６００部仕込み内温９７〜１０３℃まで上昇させた。温度到達後、３７％ホルマリン５００部（全フェノール類に対する仕込みモル比Ａ／Ｃ＝０．６００）を、内温９７〜１０３℃を維持させながら３時間で添加し、その後２時間還流反応を行った後、常圧下で脱水を行い、内温１５０℃まで上昇させ、次いで７０Ｔｏｒｒの減圧下で内温２００℃まで脱水・脱モノマーを行い、ノボラック型フェノール樹脂（Ｈ）６５０部を得た。得られた樹脂の重量平均分子量は２１０００、遊離モノマー２．０％であった。
攪拌機、温度計、熱交換機を備えた３Ｌの四つ口フラスコにメタクレゾール４００部、パラクレゾール６００部仕込み内温９７〜１０３℃まで上昇させた。温度到達後、３７％ホルマリン５００部（全フェノール類に対する仕込みモル比Ａ／Ｃ＝０．６００）を、内温９７〜１０３℃を維持させながら３時間で添加し、その後２時間還流反応を行った後、常圧下で脱水を行い、内温１５０℃まで上昇させ、次いで７０Ｔｏｒｒの減圧下で内温２００℃まで脱水・脱モノマーを行い、ノボラック型フェノール樹脂（Ｈ）６５０部を得た。得られた樹脂の重量平均分子量は２１０００、遊離モノマー２．０％であった。
なお、ノボラック型フェノール樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）測定によりポリスチレン標準物質を用いて作成した検量線をもとに計算されたものである。ＧＰＣ測定はテトラヒドロフランを溶出溶媒とし、流量１．０ｍｌ／ｍｉｎ、カラム温度４０℃の条件で実施した。
装置は、
・本体：ＴＯＳＯＨ社製・「ＨＬＣ−８０２０」
・検出器：波長２８０ｎｍにセットしたＴＯＳＯＨ社製・「ＵＶ−８０１１」
・分析用カラム：昭和電工社製・「ＳＨＯＤＥＸ ＫＦ−８０２、ＫＦ−８０３、ＫＦ−８０５」
をそれぞれ使用した。
装置は、
・本体：ＴＯＳＯＨ社製・「ＨＬＣ−８０２０」
・検出器：波長２８０ｎｍにセットしたＴＯＳＯＨ社製・「ＵＶ−８０１１」
・分析用カラム：昭和電工社製・「ＳＨＯＤＥＸ ＫＦ−８０２、ＫＦ−８０３、ＫＦ−８０５」
をそれぞれ使用した。
３．フォトレジスト用樹脂組成物の調製
（１）実施例５
実施例１で得られたフォトレジスト用フェノール樹脂Ａ７０部、及びナフトキノン１，２−ジアジド−５−スルホン酸の２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノンエステル１５部をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）１５０部に溶解した後、孔径１．０μｍのメンブレンフィルターを用いて濾過し、ポジ型フォトレジスト用樹脂組成物を調製した。
（１）実施例５
実施例１で得られたフォトレジスト用フェノール樹脂Ａ７０部、及びナフトキノン１，２−ジアジド−５−スルホン酸の２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノンエステル１５部をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）１５０部に溶解した後、孔径１．０μｍのメンブレンフィルターを用いて濾過し、ポジ型フォトレジスト用樹脂組成物を調製した。
（２）実施例６
フォトレジスト用フェノール樹脂Ａの代わりに、実施例２で得られたフォトレジスト用フェノール樹脂Ｂを用いた他は、実施例５と同様にして組成物を調製した。
フォトレジスト用フェノール樹脂Ａの代わりに、実施例２で得られたフォトレジスト用フェノール樹脂Ｂを用いた他は、実施例５と同様にして組成物を調製した。
（３）実施例７
フォトレジスト用フェノール樹脂Ａの代わりに、実施例３で得られたフォトレジスト用フェノール樹脂Ｃを用いた他は、実施例５同様にして組成物を調製した。
フォトレジスト用フェノール樹脂Ａの代わりに、実施例３で得られたフォトレジスト用フェノール樹脂Ｃを用いた他は、実施例５同様にして組成物を調製した。
（４）実施例８
フォトレジスト用フェノール樹脂Ａの代わりに、実施例４で得られたフォトレジスト用フェノール樹脂Ｄを用いた他は、実施例５と同様にして組成物を調製した。
フォトレジスト用フェノール樹脂Ａの代わりに、実施例４で得られたフォトレジスト用フェノール樹脂Ｄを用いた他は、実施例５と同様にして組成物を調製した。
（５）比較例５
比較例１で得られたフォトレジスト用フェノール樹脂Ｅ７０部、及びナフトキノン１，２−ジアジド−５−スルホン酸の２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノンエステル１５部を、ＰＧＭＥＡ１５０部に溶解した後、孔径１．０μｍのメンブレンフィルターを用いて濾過し、ポジ型フォトレジスト用樹脂組成物を調製した。
比較例１で得られたフォトレジスト用フェノール樹脂Ｅ７０部、及びナフトキノン１，２−ジアジド−５−スルホン酸の２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノンエステル１５部を、ＰＧＭＥＡ１５０部に溶解した後、孔径１．０μｍのメンブレンフィルターを用いて濾過し、ポジ型フォトレジスト用樹脂組成物を調製した。
（６）比較例６
フォトレジスト用フェノール樹脂Ｅの代わりに、比較例２で得られたフォトレジスト用フェノール樹脂Ｆを用いた他は、比較例５と同様にして組成物を調製した。
フォトレジスト用フェノール樹脂Ｅの代わりに、比較例２で得られたフォトレジスト用フェノール樹脂Ｆを用いた他は、比較例５と同様にして組成物を調製した。
（７）比較例７
フォトレジスト用フェノール樹脂Ｅの代わりに、比較例３で得られたフォトレジスト用フェノール樹脂Ｇを用いた他は、比較例５と同様にして組成物を調製した。
フォトレジスト用フェノール樹脂Ｅの代わりに、比較例３で得られたフォトレジスト用フェノール樹脂Ｇを用いた他は、比較例５と同様にして組成物を調製した。
（８）比較例８
フォトレジスト用フェノール樹脂Ｅの代わりに、比較例４で得られたフォトレジスト用フェノール樹脂Ｈを用いた他は、比較例５と同様にして組成物を調製した。
フォトレジスト用フェノール樹脂Ｅの代わりに、比較例４で得られたフォトレジスト用フェノール樹脂Ｈを用いた他は、比較例５と同様にして組成物を調製した。
実施例５〜８、及び比較例５〜８で得られたフォトレジスト樹脂組成物を用いて、下記に示す特性評価を行った。結果を表１に示す。
４．特性の評価方法
（１）耐熱性の評価方法
フォトレジスト用樹脂組成物をヘキサメチルジシラザン処理したシリコンウエハ上にスピンコーターで乾燥時の膜厚が１．５μｍになるように塗布し、１１０℃で９０秒間ホットプレート上で乾燥させた。その後縮小投影露光装置を用い、テストチャートマスクを介して露光し、現像液（２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド水溶液）を用い、５０秒間現像した。得られたシリコンウエハーを温度を変えたホットプレート上で３０分間放置し、シリコウエハー上のレジストパターンの形状を走査型電子顕微鏡で観察し、正常なレジストパターンが得られなくなった時の温度を耐熱温度とした。
（１）耐熱性の評価方法
フォトレジスト用樹脂組成物をヘキサメチルジシラザン処理したシリコンウエハ上にスピンコーターで乾燥時の膜厚が１．５μｍになるように塗布し、１１０℃で９０秒間ホットプレート上で乾燥させた。その後縮小投影露光装置を用い、テストチャートマスクを介して露光し、現像液（２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド水溶液）を用い、５０秒間現像した。得られたシリコンウエハーを温度を変えたホットプレート上で３０分間放置し、シリコウエハー上のレジストパターンの形状を走査型電子顕微鏡で観察し、正常なレジストパターンが得られなくなった時の温度を耐熱温度とした。
（２）感度の測定方法
フォトレジスト用樹脂組成物を３インチのシリコンウエハーに約１μｍの厚さになるようにスピンコーターで塗布し、１１０℃のホットプレート上で１００秒間乾燥させた。次いでこのシリコンウエハーにテストチャートマスクを重ね、２０ｍＪ／ｃｍ２、４０ｍＪ／ｃｍ２、６０ｍＪ／ｃｍ２の紫外線をそれぞれ照射し、現像液（２．３８％の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液）を用い９０秒間現像した。得られたパターンを走査型電子顕微鏡でパターン形状を観察することにより以下の基準で評価した。
Ａ ２０ｍＪ／ｃｍ２未満で画像が形成できる。
Ｂ ２０〜４０ｍＪ／ｃｍ２で画像が形成できる。
Ｃ ４０〜６０ｍＪ／ｃｍ２で画像が形成できる。
フォトレジスト用樹脂組成物を３インチのシリコンウエハーに約１μｍの厚さになるようにスピンコーターで塗布し、１１０℃のホットプレート上で１００秒間乾燥させた。次いでこのシリコンウエハーにテストチャートマスクを重ね、２０ｍＪ／ｃｍ２、４０ｍＪ／ｃｍ２、６０ｍＪ／ｃｍ２の紫外線をそれぞれ照射し、現像液（２．３８％の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液）を用い９０秒間現像した。得られたパターンを走査型電子顕微鏡でパターン形状を観察することにより以下の基準で評価した。
Ａ ２０ｍＪ／ｃｍ２未満で画像が形成できる。
Ｂ ２０〜４０ｍＪ／ｃｍ２で画像が形成できる。
Ｃ ４０〜６０ｍＪ／ｃｍ２で画像が形成できる。
表１の結果から、実施例５〜８は、本発明のノボラック型フェノール樹脂を用いたフォトレジスト用組成物であり、これを用いていない比較例４〜６に比べて、感度・残膜率を保持したまま耐熱性が優れていることが確認できた。本発明のノボラック型フェノール樹脂は、高分子量であることから樹脂の軟化点が高く、レジストの耐熱性を向上させることができ、またジヒドロキシベンゼン又はその誘導体由来の水酸基を多く含むことから高感度であり、その結果、耐熱性、高感度と高残膜率を兼ね備えたフォトレジストの製造を可能にするノボラック型フェノール樹脂を提供することができると考えられる。
本発明のノボラック型フェノール樹脂を用いた本発明のフォトレジスト用樹脂組成物は、良好な熱安定性を有し、かつ高感度であることから、液晶表示装置回路や半導体集積回路の微細回路製造に好適に用いることができる。
Claims (3)
- ノボラック型フェノール樹脂、感光剤及び溶剤を含有するフォトレジスト用樹脂組成物であって、
前記ノボラック型フェノール樹脂が、フェノール類と、ジヒドロキシベンゼン又はその誘導体と、ホルムアルデヒドと、を酸性触媒のもとで反応させて得られ、
前記フェノール類の組成がメタクレゾール５０〜９０重量％、パラクレゾール１０〜５０重量％であり、
前記フェノール類に対する前記ジヒドロキシベンゼン又はその誘導体の重量比率が１〜１０重量％であり、
前記ノボラック型フェノール樹脂のＧＰＣによるポリスチレン換算の重量平均分子量が、１５０００〜４５０００であることを特徴とするフォトレジスト用樹脂組成物。（但し、ポジ型化学増幅系感光性樹脂組成物を除く。） - 前記ジヒドロキシベンゼン又はその誘導体が、レゾルシノール、カテコール、ヒドロキノンから選ばれるものである請求項１記載のフォトレジスト用樹脂組成物。
- 前記フェノール類に対する前記ホルムアルデヒドのモル比率が、０．４〜１．０である請求項１又は２に記載のフォトレジスト用樹脂組成物。
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