JPH03223157A - アルミナ焼結基板 - Google Patents

アルミナ焼結基板

Info

Publication number
JPH03223157A
JPH03223157A JP2015850A JP1585090A JPH03223157A JP H03223157 A JPH03223157 A JP H03223157A JP 2015850 A JP2015850 A JP 2015850A JP 1585090 A JP1585090 A JP 1585090A JP H03223157 A JPH03223157 A JP H03223157A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heater
alumina
substrate
sintering
sintering temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015850A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2723324B2 (ja
Inventor
Takashi Kawai
尊 川合
Nobuhiro Hayakawa
暢博 早川
Harumi Aiba
相場 治己
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Niterra Co Ltd
Original Assignee
NGK Spark Plug Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NGK Spark Plug Co Ltd filed Critical NGK Spark Plug Co Ltd
Priority to JP2015850A priority Critical patent/JP2723324B2/ja
Priority to DE4101537A priority patent/DE4101537C2/de
Priority to US07/645,870 priority patent/US5279886A/en
Publication of JPH03223157A publication Critical patent/JPH03223157A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2723324B2 publication Critical patent/JP2723324B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00Ohmic-resistance heating
    • H05B3/20Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater
    • H05B3/22Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible
    • H05B3/28Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor embedded in insulating material
    • H05B3/283Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor embedded in insulating material the insulating material being an inorganic material, e.g. ceramic
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/10Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on aluminium oxide
    • C04B35/111Fine ceramics
    • C04B35/117Composites
    • C04B35/119Composites with zirconium oxide
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00Ohmic-resistance heating
    • H05B3/10Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
    • H05B3/12Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material
    • H05B3/14Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material the material being non-metallic
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/901Printed circuit
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y10T428/24917Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including metal layer
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y10T428/24926Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including ceramic, glass, porcelain or quartz layer

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Resistance Heating (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 装用9貝拍 [産業上の利用分野] 本発明(上 セラミックヒータ、センサ素子用ヒータに
のおけるヒータ電極が形成されるアルミナ焼結基板に関
する。
[従来の技術] 従来、この種のアルミナ焼結基板は、低ソーダアルミナ
を原材料とするアルミナ焼結体が多用されているものの
、その焼結温度が高いために焼結助剤や粒成長抑制剤が
低ソーダアルミナ中に添加されている。
アルミナに添加される代表的な焼結助剤として(友焼結
時にガラス質を形成し易い5in2゜MgO,Cab、
に20,8203等の酸化物やNa20−S i O,
−MgO系ガラス成分を例示することができ、これら酸
化物等を低ソーダアルミナに添加することで、焼結体中
における低融点ガラス質の形成により、アルミナ焼結体
と比較してその焼結温度を引き下げることができる。
又、Y2O3等の1118属金属酸化物を低ソーダアル
ミナに添加することで、焼結温度を下げることができる
ことや、MgO,ZrO2を添加することで、アルミナ
焼結体における粒成長を抑制できることも知られている
。このため、Y2O3゜MgO,ZrO2等の酸化物を
低ソーダアルミナに添加することも行われている。
[発明が解決しようとする課題] しか゛しながら、上記各種の酸化物等を低ソーダアルミ
ナに添加してなるアルミナ焼結基板をヒータ基板に使用
したところ、次のような不具合があることが判明した。
即ち、得られたヒータを高/jloa  直流高電圧下
で使用すると、不純物としてアルミナ中に含有されるア
ルカリ金属、アルカリ土類金属がマイグレーションを起
こしてマイナス端子側に偏析し、低融点化合物を生成し
てヒータ基板表層を持ち上げる。
このため、ヒータ基板にクラックが発生したり、ヒータ
断線等が発生したりする。
特に、5102を添加したヒータ基板を有するヒータで
は、SiO2による高温下での低融点ガラスの形成に基
づく基板強度の低下、昇華に基づく基板中の粒界の破壊
、ヒータ基板にチッピングが観察された。これらの原因
としてfisio2を添加したことによりS + 02
 とAQ203とが化合してムライトが形成され、 こ
のムライトが高温環境下で分解溶融してシリカ相とアル
ミナ相とに分かれることが挙げられる。
もっとも、ヒータ基板におけるAQ203の純度を上げ
ることにより、アルカリ金属、アルカリ土類金属のマイ
グレーションを防止できるが、上記純度の向上に伴って
焼結温度の高温化(約1560℃)を招く。焼結温度が
このように高温度になると、Pt等からなるヒータ電極
において粒成長が起こったり、緻密な焼結体を得ること
ができず、ヒータの耐久性が低下する。つまり、アルミ
ナの純度を向上させること(表緻密な焼結体の焼成に不
可欠な最適焼成温度(1520℃)を上回る焼結温度を
招き、本質的な解決とはならない。尚、この最適焼成温
度は、 ヒータ電極のPt等が粒成長を起こす温度(1
550℃)を考慮して定められており、−船釣に上記温
度を採用されている。
本発明は上記問題点を解決するためになさね、1520
℃以下の焼結温度での焼結が可能で耐久性に富むアルミ
ナ焼結基板を提供することを目的とする。
癒肌の構成 [課題を解決するための手段] かかる目的を達成するために、本発明の採用した手段は
、 ヒータ電極が形成さね該ヒータ電極と同時焼成されるア
ルミナ焼結基板であって、 その基板原材料は 0.1重量%以下のアルカリ金属及び/又はアルカリ土
類金属と1.0重量%以下のS i 02とを含有する
アルミナに、Y2O3,S C2o、、  ランタン系
列金属酸化物から選ばれた少なくとも一種以上の酸化物
を2〜6モル%固溶した部分安定化ジルコニアを、2〜
18重量%添加してなること をその要旨とする。
[作用] 上記構成を有する本発明のアルミナ焼結基板(上y2o
3,5c203.  ランタン系列金属酸化物から選ば
れた少なくとも一種以上の酸化物を2〜6モル%固溶し
た部分安定化ジルコニアを、アルミナの焼結助剤として
作用させその焼結温度の低下、マイグレーション回避を
もたらす。この場金、上記部分安定化ジルコニアIt−
、Y2O3等の酸化物が共沈した共沈部分安定化ジルコ
ニアであることが望ましい。
この部分安定化ジルコニアの添加量は2〜18重量%の
範囲内に限ら札 2重量%未満又は18重量%を超える
と、焼結温度低下が不十分となる。
更に、部分安定化ジルコニアに固溶しているY2O3等
の酸化物固溶量は2〜6モル%の範囲内に限ら札 2モ
ル%未満又は6モル%を超えると、やはり、焼結温度低
下が不十分となる。
アルミナ焼結基板の主原材料であるアルミナ中に含有さ
れる不純物のうち、アルカリ金属及び/又はアルカリ土
類金属の含有量E  0.1重量%以下に限らね、Si
O2の含有量は1.0重量%以下に限られる。この範囲
を超えると、アルミナ焼結基板にチッピングの発生が見
られたり、耐久性の向上を期待できない。
[実施例] 次に、本発明に係るアルミナ焼結基板を酸素センサ用の
ヒータ素子に使用した実施例について説明する。
実施例のヒータ素子(発明品ヒータ)と、低ソーダアル
ミナに焼結助剤としてNa20−8 i 02−MgO
系ガラス成分を添加してなる基板包用いた従来のヒータ
素子(従来品ヒータ)とを比較するため、各ヒータ素子
を次のようにして製作した。
(発明品ヒータ製法) 微量の不純物として10ppm以下のアルカリ金属及び
/又はアルカリ土類金属と約14ppmのSiO2及び
約3ppmのMgOを含有する高純度アルミナ(AQ2
03含有量:99.99%、平均粒径0. 4μm、比
表面積ニア、0ポ/g)に、5.5モル%Y2O3部分
安定化ジルコニア(以下、PSZと略称する)を焼結助
剤として2重量%添加し、更にPVB系のバインダーを
配合して、周知のドクターブレード法により4. 5n
vnX57mmX0.45mmのグリーンシートを成形
する。
第1図に示すように、上記グリーンシート1をヒータ基
板として、その下面に白金からなるヒータ電極2を、上
面に白金からなる周知のマイグレーション防止パターン
3をスクリー印刷する。更に、グリーンシート1の上下
面1:、それぞれヒータ電極2.マイグレーション防止
パターン3を挟んで、4.5mmX57mmX0.27
mmのラミネート用グリーンシート4,5をラミネート
する。尚、ラミネート用グリーンシート4.5F  グ
リーンシート]と同一組成でドクターブレード法により
成形されている。
そして、これを高温焼結炉にて、1520℃を下回る焼
結温度で焼結し、発明品ヒータとする。
(従来品ヒータ製法) 上記した発明品ヒータの製法における高純度アルミナを
低ソーダアルミナに替え、PSZに替わる焼結助剤とし
てNa20−8 i02−MgO系ガラス成分を添加し
て形成したグリーンシートを用い、発明品ヒータ同様に
ヒータ電極等を形成・積層し焼結した。これを従来品ヒ
ータとする。
2〜4Ωの間の種々のヒータ抵抗包備える発明品ヒータ
及び従来品ヒータを上記製法にて焼成し、その各々につ
いて、1000℃大気中で13Vを印加する加速度耐久
テストを実施し、耐久性を測定した その結果を第2図
に示す。
第2図に示すように、実用的なヒータ抵抗の範囲(2〜
4Ω)にわたって、発明品ヒータはその耐久性に優れて
いる。特に、低ヒータ抵抗値のヒータにおいては、従来
品ヒータの耐久性が50時間を下回る非実用的なもので
あるの(二対して、発明品ヒータは、何れも100時間
を越える耐久性を備えている。
又 従来品ヒータのいくつかに(表 ヒータ素子断面図
である第3図に示すように、マイグレーション防止パタ
ーン3側のラミネート用グリーンシート4にチッピング
Tが発生したが、発明品ヒータには見られなかった。
この発明品ヒータ及び従来品ヒータについて、ヒータ電
極近傍おける不純物によるマイグレーション挙動及び不
純物の偏析状況を解析しh尚、解析に当たって[L  
X線マイクロアナライザー(以下、XMAという)を使
用し、電子線の照射により被測定物から放射される特性
X線の波長等をX線分光器にて分析し写真撮影した。
このXMAによる解析1表従来品ヒータについては上記
加速度耐久テスト前と6.5時間のテスト後に実施し、
発明品ヒータについてはテスト前と130時間のテスト
後に実施した その結果を第4は第5図に示す。
第4図に示すよう1:、従来品ヒータでは、ガラス成分
及び低ソーダアルミナ中に含有される不純物のSi、C
a、Naが僅か6.5時間の耐久テスト後に偏析し、同
図における反射電子線像の写真に見られるように、電極
近傍の組織が変質しヒータ電極にマイグレーションが発
生している。
これに対して、高純度アルミナを用いた発明品ヒータで
(上 当然に上記アルカリ金属、アルカリ土類金属の偏
析は見られず、焼結助剤として添加したPSZの成分(
Y、Zr)の偏析も、第5図に示すように観察されない
。しかも、同図における反射電子線像の写真に見られる
ように、130時間の耐久テストを経ても、ヒータ電極
の回折線像はテスト前とほぼ同一であり、マイグレーシ
ョンは見られない。
つまり、実施例のアルミナ焼結基板によれ1戴不純物の
偏析を回避してマイグレーションを確実に回避すること
ができるので、ヒータ素子の耐久性を向上させることが
できる。
尚、チッピングの発生した従来品ヒータの厚み方向にお
ける5102の分布をXMA及び周知の走査型電子顕微
鏡(以下、SEMという)にて調査したところ、次の事
が判明した。尚、測定は、第3図に示すように、チッピ
ング近傍のA!  チッピングのない部分の基板表層B
部、チッピングのない部分の基板深層C部について実施
した第6図のSEM像写真及びXMA回折写真に見られ
るように、チッピング表面におけるS i 02回折像
が薄く、5102が粒界を形成した回折像が観察される
。又、上記A部、B部、C部におけるS i 02を定
量分析したところ、下記の第1表に示すように、各部で
5i02が少なくなっており、特にチッピング発生部で
は少なくなっているという結果が得られた 第1表 上記結果から、従来品ヒータでt表S i 02の粒界
形成に基づいた強度低下が見ら狛、延いては基板表面か
らのSiO2の昇華によりチッピングを引き起こしてい
ると考えられる。
チッピングの発生が皆無な発明品ヒータで1友上記した
SiO2の粒界形成や基板表面からのSiO2昇華等は
起きず、その強度外観等の品質においても好適である。
次に、上記発明品ヒータにおけるPSZ添加量等につい
て、以下の実験を実施しL尚、実験に当たっては、上記
した発明品ヒータの製法に基づいて、発明品ヒータと、
その性能比較のための比較品ヒータとを製作した (実験 1:添加化合物の影響) 発明品ヒータは、焼結助剤としてPSZ(5゜5モル%
Y2O3部分安定化ジルコニア)を上記高純度アルミナ
に2重量%添加した基板を使用した。
比較品ヒータは、PSzに替わる焼結助剤として、高純
度アルミナに第2表記載の酸化物(添加化合物)等をそ
れぞれ2重量%添加した基板を使用した。
各ヒータの焼結温度を測定し、その結果を第2表に示す
。尚、焼結温度]よ オープンポアがなくなった最低焼
成温度を採用し、次のようにして判定した。
焼結前のヒータをレッドチエツク液に含浸させ、焼結後
のヒータを水洗したときにレッドチエツク液が流れ落ち
れば、オープンポアが消滅したとして、その時の焼結温
度を上記最低焼成温度とする。
第2表1a示すヨウニ、Y2O3,MgO。
S i 02 、  Z ro2を焼結助剤として高純
度アルミナに添加した各比較品ヒータは、その焼結温度
が最適焼成温度(1520℃)を上回るため、ヒタ電極
における粒成長や焼結体の緻密性低下。
耐久性低下環を招き好ましくない。
ガラス(Na20−8 i 02−MgO系ガラス成分
)を焼結助剤として高純度アルミナに添加した比較品ヒ
ータは、焼結温度が最適焼成温度(1520℃)を下回
るものの、得られたヒータを1ooo’c大気環境下に
おける耐久テスト(ヒータ抵抗2.8Ω−13V印加条
件)に供したところ、テスト開始後約5〜50時間の間
に、クラックの発生及びヒータ電極の断線が見られ、耐
久性に欠けることが判明した。
これに対して、PSZを焼結助剤として高純度アルミナ
に添加した発明品ヒータは、 その焼結温度を低くする
ことができるのでヒータ電極における粒成長を回避でき
、緻密な焼結体のヒータとなる。その証拠に、上記耐久
テストを約200時間継続しても、クラックの発生及び
ヒータ電極の断線等は観察されなかった つまり、本発
明のアルミナ焼結基板をヒータ(ヒータ素子)に使用す
れ(瓜 その耐久性を向上させることができる。
(実験 2:アルミナ中の不純物の影響)続いて、上記
高純度アルミナにおける不純物について説明する。
上記PSZ添加量を2重量%に固定し、アルミナにおけ
るアルカリ金属、アルカリ土類金属と5in)、の含有
量を変えた場合、これら含有量と得られたヒータ素子に
おけるチッピングの有無及び耐久性との関係を、第3表
に示す。尚、耐久性(友上記耐久テストによって行った
第3表に示すよう(:、アルカリ金属、アルカリ土類金
属の総含有量が0.1重量%を越え、S i 02含有
量が1.0重量%を越えると、基板にチッピングが発生
し、しかもその耐久性も低くなる。しかし、アルカリ金
属、アルカリ土類金属の総含有量が0.1重量%以下の
範囲で、5102含有量が1.0重量%以下の範囲であ
れ1′K  チッピングは発生せず耐久性に富むことか
ら、アルミナに不純物として含有されるアルカリ金属。
アルカリ土類金属とSiO2の含有量ハ0,1重量%以
下と1.0重量%以下に限られる。
(実験 3: PSZ添加量の影響) 次に、アルミナに添加する上記PSzの添加量について
説明する。
上記した発明品ヒータにおいてヒータ基板原材料中のP
SZ(5,5モル%Y2O3部分安定化ジルコニア)の
添加量のみを変えた場合、PSZ添加量と焼結温度との
関係を測定し、その結果を第7図のグラフに示す。
第7図から、最適焼成温度(1520℃)を下回る温度
で焼結を完了させるに(友 ヒータ基板原材料中のPS
Z添加量は2〜18重量%の範囲内に限ら札 この範囲
外では焼結温度が最適焼成温度を上回り好ましくない。
尚、上記範囲のPSZ添加量であれ(L得られたセンサ
素子は、既述した耐久テストにより、従来品の2〜3倍
以上の耐久性を示した。
(実験 4: PSZ中の固溶量の影響)更1:、PS
Z中のY2O3固溶量について説明する。
上記高純度アルミナに対するPSZ添加量を2重量%に
固定し、PSzにおけるY 20 s固溶量を変えた場
合、Y2O3固溶量と焼結温度との関係を測定し、その
結果を第8図のグラフに示す。
第8図から、最適焼成温度(1520℃)を下回る温度
で焼結を完了させるに(iPsZにおけるY2O3固溶
量は2〜6モル%の範囲内に限ら札この範囲外では焼結
温度が最適焼成温度を上回り好ましくなし− 尚、Y2O3に替えてS c 203e  ランタン系
列金属酸化物を上記固溶量範囲内で部分安定化ジルコニ
アに固溶させても、同様な焼結温度を得ることができた
発明の効果 以上実施例を含めて詳述したように、本発明のアルミナ
焼結基板によれ1よ その焼結温度を最適焼成温度(1
520℃)を下回る温度とすることができるばかりか、
不純物の偏析、マイグレーション、チッピグ等を確実に
回避して耐久性を向上させることができる。この結果、
本発明のアルミナ焼結基板をヒータ電極が形成されるヒ
ータ基板としてヒータ1こ用いることにより、ヒータ自
体の耐久性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はアルミナ焼結基板を用いたヒータの製法を説明
するための分解斜視図、第2図はヒータ抵抗とヒータ耐
久性との関係を表するグラフ、第3図はチッピングが発
生したヒータ素子の断面図、第4図は従来品ヒータのヒ
ータ電極近傍のX線回折写真、第5図は発明品ヒータの
ヒータ電極近傍のX線回折写真、第6図はチッピングの
発生した従来品ヒータのSEM像写真及びXMA回折写
真、第7図は発明品ヒータにおけるヒータ基板原材料中
のPSZ(5,5モル%Y2O3部分安定化ジルコニア
)の添加量と焼結温度との関係を表すグラフ、第8図は
PSzにおけるY2O3固溶量と焼結温度との関係を表
すグラフである。 1・・・グリーンシート 2・・・ヒータ電極

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.ヒータ電極が形成され、該ヒータ電極と同時焼成さ
    れるアルミナ焼結基板であつて、 その基板原材料は、 0.1重量%以下のアルカリ金属及び/又はアルカリ土
    類金属と1.0重量%以下の SiO_2とを含有するアルミナに、 Y_2O_3,Sc_2O_3,ランタン系列金属酸化
    物から選ばれた少なくとも一種以上の酸化物を2〜6モ
    ル%固溶した部分安定化ジルコニアを、2〜18重量%
    添加してなること を特徴とするアルミナ焼結基板。
JP2015850A 1990-01-25 1990-01-25 アルミナ焼結基板 Expired - Fee Related JP2723324B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015850A JP2723324B2 (ja) 1990-01-25 1990-01-25 アルミナ焼結基板
DE4101537A DE4101537C2 (de) 1990-01-25 1991-01-19 Sinterkörper aus Aluminiumoxid
US07/645,870 US5279886A (en) 1990-01-25 1991-01-25 Alumina sintered body

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015850A JP2723324B2 (ja) 1990-01-25 1990-01-25 アルミナ焼結基板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH03223157A true JPH03223157A (ja) 1991-10-02
JP2723324B2 JP2723324B2 (ja) 1998-03-09

Family

ID=11900295

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015850A Expired - Fee Related JP2723324B2 (ja) 1990-01-25 1990-01-25 アルミナ焼結基板

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5279886A (ja)
JP (1) JP2723324B2 (ja)
DE (1) DE4101537C2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0701979A1 (en) 1994-08-18 1996-03-20 Ngk Spark Plug Co., Ltd Alumina-based sintered material for ceramic heater and ceramic heater
JP2007269524A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Kyocera Corp 絶縁セラミックとそれを用いたセラミックヒータおよびヒータ一体型素子。
WO2020022425A1 (ja) 2018-07-27 2020-01-30 京セラ株式会社 アルミナ質磁器およびセラミックヒータ

Families Citing this family (280)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5660878A (en) * 1991-02-06 1997-08-26 Commissariat A L'energie Atomique Process for the reduction of breakdown risks of the insulant of high voltage cable and lines during their aging
US5683481A (en) * 1996-08-20 1997-11-04 Eastman Kodak Company Method of making core shell structured articles based on alumina ceramics having spinel surfaces
US6407487B1 (en) * 1998-02-27 2002-06-18 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Spark plug, alumina insulator for spark plug, and method of manufacturing the same
US6205649B1 (en) 1999-06-01 2001-03-27 Mark A. Clayton Method of making a ceramic heater with platinum heating element
US20030098299A1 (en) * 2000-03-06 2003-05-29 Ibiden Co., Ltd. Ceramic heater
JP2001247382A (ja) * 2000-03-06 2001-09-11 Ibiden Co Ltd セラミック基板
US7169723B2 (en) * 2003-11-12 2007-01-30 Federal-Mogul World Wide, Inc. Ceramic with improved high temperature electrical properties for use as a spark plug insulator
US7858547B2 (en) * 2003-11-12 2010-12-28 Federal-Mogul World Wide, Inc. Ceramic with improved high temperature electrical properties for use as a spark plug insulator
DE102008046336A1 (de) * 2008-09-09 2010-03-11 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung LTCC-Schichtstapel
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
TWI844567B (zh) 2018-10-01 2024-06-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
CN111792932B (zh) * 2020-03-30 2022-09-27 镇江锆源传感科技有限公司 一种氧化锆和氧化铝流延生坯共烧结片层的制备方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4199423A (en) * 1978-11-27 1980-04-22 General Motors Corporation Heated electrolyte exhaust gas sensor and method of making it
US4316964A (en) * 1980-07-14 1982-02-23 Rockwell International Corporation Al2 O3 /ZrO2 ceramic
US4500412A (en) * 1981-08-07 1985-02-19 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Oxygen sensor with heater
US4449039A (en) * 1981-09-14 1984-05-15 Nippondenso Co., Ltd. Ceramic heater
JPS59128268A (ja) * 1983-01-14 1984-07-24 呉羽化学工業株式会社 複合セラミック粉体及びその製造方法
US4760038A (en) * 1983-09-01 1988-07-26 Astro Met Associates, Inc. Ceramic composition
JPS6244971A (ja) * 1985-08-23 1987-02-26 日本特殊陶業株式会社 セラミツク基板ヒ−タ−
CA1259080A (en) * 1985-09-06 1989-09-05 Nobuo Kimura High density alumina zirconia ceramics and a process for production thereof
JPS6278145A (ja) * 1985-09-28 1987-04-10 日本碍子株式会社 電気絶縁体用セラミツク組成物
US4751207A (en) * 1986-08-06 1988-06-14 Champion Spark Plug Company Alumina-zirconia ceramic
KR930011269B1 (ko) * 1987-10-23 1993-11-29 닛뽕쇼꾸바이가가꾸고오교 가부시끼가이샤 세라믹 그린 시이트

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0701979A1 (en) 1994-08-18 1996-03-20 Ngk Spark Plug Co., Ltd Alumina-based sintered material for ceramic heater and ceramic heater
US5753893A (en) * 1994-08-18 1998-05-19 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Alumina-based sintered material for ceramic heater
JP2007269524A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Kyocera Corp 絶縁セラミックとそれを用いたセラミックヒータおよびヒータ一体型素子。
WO2020022425A1 (ja) 2018-07-27 2020-01-30 京セラ株式会社 アルミナ質磁器およびセラミックヒータ
CN112739661A (zh) * 2018-07-27 2021-04-30 京瓷株式会社 氧化铝质陶瓷和陶瓷加热器
JPWO2020022425A1 (ja) * 2018-07-27 2021-08-12 京セラ株式会社 アルミナ質磁器およびセラミックヒータ

Also Published As

Publication number Publication date
US5279886A (en) 1994-01-18
JP2723324B2 (ja) 1998-03-09
DE4101537C2 (de) 1999-10-14
DE4101537A1 (de) 1991-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH03223157A (ja) アルミナ焼結基板
JP5481854B2 (ja) 電子部品
JP4893371B2 (ja) バリスタ素子
KR20100087338A (ko) 나노-첨가제를 갖는 저-크리프 지르콘 물질 및 그 제조방법
JP4711468B2 (ja) 複合セラミック体
CN104520950A (zh) 层叠陶瓷电容器及其制造方法
JP5716008B2 (ja) 部分安定化ジルコニア磁器の製造方法
JP2617204B2 (ja) 固体電解質の製造方法
JP2010524816A (ja) 金属材料により規定される熱膨張係数に調整された組成を有するセラミック材料
JP4198855B2 (ja) 積層型酸素センサ素子及び空燃比センサ
KR100322981B1 (ko) 회로전기절연용절연층시스템
JP3340003B2 (ja) 多層配線基板及び半導体素子収納用パッケージ
JP2018058716A (ja) ホウケイ酸系ガラス、複合粉末材料及び複合粉末材料ペースト
JP5205245B2 (ja) 部分安定化ジルコニア磁器
JP4819846B2 (ja) 複合セラミック体の製造方法
JPH08315967A (ja) メタライズ発熱層を有するアルミナ質セラミックヒータ
JPH09124365A (ja) 酸素センサ素子
JP3038056B2 (ja) セラミックスヒータ
JP4062768B2 (ja) 酸素センサ素子の製造方法
JP4324439B2 (ja) セラミックヒータおよびセラミックヒータ構造体
JP4794090B2 (ja) ジルコニア質焼結体及び酸素センサ
US20210284578A1 (en) Alumina-based porcelain and ceramic heater
US20210163372A1 (en) Sensor element
US20020175076A1 (en) Layered composite with an insulation layer
JP3147202B2 (ja) 高温電界下で電気化学的安定性に優れるアルミナセラミックス

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081128

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091128

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091128

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091128

Year of fee payment: 12

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees