JPH0312480A - 強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物およびこれを含む液晶素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は液晶表示素子や液晶−光シヤツター等に利用さ
れる液晶素子に用いる液晶組成物に関し、更に詳しくは
、電界に対する応答特性が改善された新規な液晶組成物
及びそれを有する液晶素子に関するものである。

〔背景技術〕

従来より、液晶は電気光学素子として種々の分野で応用
されている。現在実用化されている液晶素子はほとんど
が、例えばＭ、５ｃｈａｄｔとＷ　、　Ｈｅ　１　ｆ　
ｒ　ｉ　ｃ　ｈ著’Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　
Ｌｅｔｔｅｒｓ　　ＶＱ、１８、Ｎｏ、４　（１９７１
，２，１５）、Ｐ、１２７〜１２８の’Ｖ（＋ｌｔａｇ
ｅ−３ｐｅｎｄｅｎｔ　　０ｐｔｉｃａｌ　　Ａｃｔｉ
ｖｉｔｙ　　ｏｆ　　ａＴｗｉｓｔｅｄ　　Ｎｅｍａｔ
ｉｃ　　Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａビに示されたＴＮ
　（ｔｗｉｓｔｅｄ　　ｎｅｍａｔｉｃ）型の液晶を用
いたものである。

これらは、液晶の誘電的配列効果に基づいており、液晶
分子の誘電異方性のために平均分子軸方向が、加えられ
た電場により特定の方向を向く効果を利用している。こ
れらの素子の光学的な応答速度の限界はミリ秒であると
いわれ、多（の応用のためには遅すぎる。一方、大型平
面デイスプレィへの応用では、価格、生産性などを考え
合せると単純マトリクス方式による駆動が最も有力であ
る。単純マトリクス方式においては、走査電極群と信号
電極群をマトリクス状に構成した電極構成が採用され、
その駆動のためには、走査電極群に順次周期的にアドレ
ス信号を選択印加し、信号電極群には所定の情報信号を
アドレス信号と同期させて並列的に選択印加する時分割
駆動方式が採用される。

しかしこのような駆動方式の素子に前述したＴＮ型の液
晶を採用すると走査電極が選択され、信号電極が選択さ
れない領域、或いは走査電極が選択されず、信号電極が
選択される領域（所謂“半選択点”）にも有限に電界が
かかってしまう。選択点にかかる電圧と、半選択点にか
かる電圧の差が充分に大きく、液晶分子を電界に垂直に
配列させるのに要する電圧閾値がこの中間の電圧値に設
定されるならば、表示素子は正常に動作するわけである
が、走査線数（Ｎ）を増やして行った場合、画面全体（
１フレーム）を走査する間に一つの選択点に有効な電界
がかかっている時間（ｄｕｔｙ比）が１／Ｎの割合で減
少してしまう。このために、（り返し走査を行った場合
の選択点と非選択点にかかる実効値としての電圧差は、
走査線数が増えれば増える程小さくなり、結果的には画
像コントラストの低下やクロストークが避は難い欠点と
なっている。

このような現象は、双安定性を有さない液晶（電極面に
対し、液晶分子が水平に配向しているのが安定状態であ
り、電界が有効に印加されている間のみ垂直に配向する
）を時間的蓄積効果を利用して駆動する（即ち、繰り返
し走査する）ときに生ずる本質的には避は難い問題点で
ある。この点を改良するために、電圧平均化法、２周波
駆動法や、多重マトリクス法等が既に提案されているが
、いずれの方法でも不充分であり、表示素子の大画面化
や高密度化は、走査線数が充分に増やせないことによっ
て頭打ちになっているのが現状である。

この様な従来型の液晶素子の欠点を改善するものとして
、双安定性を有する液晶素子の使用がＣ１ａｒｋ及びＬ
ａｇｅｒＷａｌｌにより提案されている（特開昭５６−
１０７２１６号公報、米国特許第４３６７９２４号明細
書等）。双安定性液晶としては一般に、カイラルスメク
テイツクＣ相（ＳｍＣ＊）又はＨ相（ＳｍＨ＊）を有す
る強誘電性液晶が用いられる。この強誘電性液晶は電界
に対して第１の光学的安定状態と第２の光学的安定状態
からなる双安定状態を有し、従って前述のＴＮ型の液晶
で用いられた光学変調素子とは異なり、例えば一方の電
界ベクトルに対して第１の光学的安定状態に液晶が配向
し、他方の電界ベクトルに対しては第２の光学的安定状
態に液晶が配向される。また、この型の液晶は、加えら
れる電界に応答して、上記２つの安定状態のいずれかを
取り、且つ電界の印加のないときはその状態を維持する
性質（双安定性）を有する。

以上のような双安定性を有する特徴に加えて、強誘電液
晶は高速応答性であるという優れた特徴を持つ。それは
強誘電液晶の持つ自発分極と印加電場が直接作用して配
向状態の転移を誘起するためであり、誘電率異方性と電
場の作用による応答速度より３〜４オーダー速い。

このように強誘電液晶はきわめて優れた特性を潜在的に
有しており、このような性質を利用することにより、上
述した従来のＴＮ型素子の問題点の多（に対して、かな
り本質的な改善が得られる。

特に、高速光学光シャッターや、高密度、大画面デイス
プレィへの応用が期待される。

＼ この強誘電性液晶層を一対の基板間に挾持した素子で前
述した様な単純マトリクス表示装置とした場合では、例
えば特開昭５９−１９３４２６号公報、同５９−１９３
４２７号公報、同６０−１５６０４６号公報や同６０−
１５６０４７号公報などに開示された駆動法を適用する
ことができる。

第４図は、本発明の実施例中で用いた駆動法の波形図で
ある。又、第５図は、本発明で用いたマトリクス電極を
配置した強誘電性液晶パネル５１の平面図である。第５
図のパネル５１には、走査線５２とデータ線５３とが互
いに交差して配線され、その交差部の走査線５２とデー
タ線５３との間には強誘電性液晶が配置されている。

第４図（Ａ）中のＳｓは選択された走査線に印加する選
択走査波形を、Ｓ、４は選択されていない非選択走査波
形を、Ｉｓは選択されたデータ線に印加する選択情報波
形（黒）を、ＩＮは選択されていないデータ線に印加す
る非選択情報信号（白）を表わしている。又、図中（Ｉ
ｓ　　ｓｓ）と（ＩＮ　　ｓｓ）は選択された走査線上
の画素に印加する電圧波形で、電圧（−１５−３Ｓ）が
印加された画素は黒の表示状態をとり、電圧（ＩＮ　　
ＳＳ）が印加された画素は白の表示状態をとる。

第４図（Ｂ）は第４図（Ａ）に示す駆動波形で第６図に
示す表示を行ったときの時系列波形である。

第４図に示す駆動例では、選択された走査線上の画素に
印加される単一極性電圧の最小印加時間Δｔが書込み位
相ｔ２の時間に相当し、ｌラインクリヤ上１位相の時間
が２Δ口こ設定されている。

さて、第４図に示した駆動波形の各パラメータｖＳ　＋
　　ｖｌ　＋△ｔの値は使用する液晶材料のスイッチン
グ特性によって決定される。

第７図は後述するバイアス比を一定に保ったまま駆動電
圧（Ｖｓ＋Ｖ＋）を変化させたときの透過率Ｔの変化即
ちＶ−Ｔ特性を示したものである。ここでは、△ｔ＝ｓ
ｏ　μｓ、バイアス比Ｖ＋／（Ｖｌ　＋Ｖｓ）＝！／３
に固定されている。第７図の正側は第４図で示した（Ｉ
Ｎ　　Ｓｓ）、負側は（Ｉｓ　　Ｓｓ）で示した波形が
印加される。ここで、Ｖ、、Ｖ３をそれぞれ実駆動閾値
電圧、及びクロストーク電圧（＝スイッチング不良電圧
）と呼ぶ。但しくＶ２＜Ｖ、＜Ｖ３）また△Ｖ”（Ｖ３
　　Ｖｌ）を電圧マージンと呼び、マトリクス駆動可能
な電圧幅となる。ｖ３はＦＬＣのマトリクス駆動上、−
船釣に存在すると言ってよい。具体的には、第４図（Ａ
）　（ＩＮ　　ＳＳ）の波形におけるｙ４によるスイッ
チングを起こす電圧値である。勿論、バイアス比を大き
くすることによりｖ３の値を大きくすることは可能であ
るが、バイアス比を増すことは情報信号の振幅を大き（
することを意味し、画質的にはちらつきの増大、コント
ラストの低下を招き好ましくない。我々の検討ではバイ
アス比は１／３〜ｌ／４程度が実用的であった。ところ
でバイアス比を固定すれば電圧マージン△Ｖは液晶材料
のスイッチング特性に強（依存し、△Ｖの大きい液晶材
料がマトリクス駆動上非常に有利であることは言うまで
もない。

この様な、ある一定温度において、情報信号の２通りの
向きによって選択画素に「黒」および「白」の二状態を
書き込むことが可能であり、非選択画素はその「黒」ま
たは「白」の状態を保持することが可能である印加電圧
の上下限の値およびその幅（駆動電圧マージン△Ｖ＝Ｖ
３−Ｖ、）は液晶材料間で差があり、特有なものである
。また環境温度の変化によっても駆動マージンはズして
いくため、実際の表示装置の場合、液晶材料や環境温度
に対して最適駆動電圧にしておく必要がある。

しかしながら、実用上この様なマトリクス表示装置の表
示面積を拡大していく場合、各画素における液晶の存在
環境の差（具体的には、温度や電極間のセルギャップ差
）は当然大きくなり、駆動電圧マージンが小さな液晶で
は表示エリア全体に良好な画像を得ることが出来な（な
る。

一方、このような条件下で配列した強誘電性液晶は、一
般に上下基板間をねじれた状態でつながり、−軸性の配
向を示さないことが知られている（スプレー配向）。こ
のような場合問題点のひとつに、液晶層の透過率が低い
ことがある。

透過光量は、分子配向の一軸性を仮定すると、クロスニ
コル下で入射光■。の強度に対してＩの強度を得る。

λ ここで、Δｎは屈折率異方性、ｄはセル厚、λは入射光
の波長、θａは双安定状態間の角度（チルＩ・角）であ
る。

前述のセルを用い、スプレー配向を採った場合、現状で
はθａは５°〜８°である。Δｎ、ｄπ／λのコントロ
ールは、物性的に簡単には行えないので、θａを大きく
して■を大きくしたいが、スタティックな配向手法によ
ってはなかなか達成出来ない。

このような問題に対して、強誘電性液晶のΔε項のトル
クを用いることにより、θａを広げられることが知られ
ている（１９８３年　ＳＩＤでＡＴＴにより発表、特開
昭６１−２４５１４２．６１−２４６７２２．６１−２
４６７２３．６１−２４６７２４．６１−２４９０２４
．６１、−２４９０２５）。

液晶のΔεが負であると、液晶分子は電界印加により基
板に平行になろうとする。この特性を利用、すなわち、
スイッチング時以外にも一定の実効的な電界を印加する
ことにより、かかるねじれ配列を解消し、θａを増大さ
せて、透過率を上げることができる（ＡＣスタビライズ
効果）。

状態のスイッチングに関するＦＬＣ分子に働（トルクｒ
ｐｓ、ＡＣスタビライズ効果に関してＦＬＣ分子に働く
トルクｒΔ２とは、各々次のような物性に比例する。

ｒ’ｐｓ　　　ｏＯＰｓ−Ｅ　　・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・　（２）
ｒΔ、ｏｏ　　　Δε　・　ε　。・Ｅ２　・・・・・
・・・・・・・・・・　（３）（３）式によっても明ら
かなようにＦＬＣのΔεの符号及び絶対値がきわめて重
要な役割を示すことがわかる。

Δεに関する物性が異なる値を持つ４種のＦＬＣのＶｒ
ｍｓに対するθａの変化を第８図に示した。

測定はＰｓによる影響を除くために６０ＫＨｚの矩形交
流で行った。

（Ｉ）はΔεニー５．５、（ＩＩ）はΔεニー３．０、
（Ｉ［［）はΔεニー０、　　（ｒＶ）はΔε二１．０
であり、定性的にもΔεは（Ｉ）　＜　（ＩＩ）　＜　
（ＩＩ［）　＜　（ｒＶ）であった。

グラブを見てもわかるようにΔεが負に大きい極低電圧
でθａが大きくなり、従って、■に貢献することがわか
る。

この（Ｉ）と（ｍ）を用いた場合の透過率の差を比較し
てみると（１）では１５％なのに対し、（Ｉ［［）では
６％であり明らかな差があった（６０ＫＨｚ±８ｖ　矩
形波印加時）。

以上の例でも知られるように、ΔεとＰｓの物性をコン
トロールすることにより、５ＳＦＬＣの表示特性を大き
く変えることができる。

強誘電性液晶組成物のΔεを負に太き（するためには、
Δεが負で、その絶対値が大きな材料を混合することが
一番有効である。例えば、分子の短軸方向に、ハロゲン
やシアノ基を導入したり、分子環骨格にペテロ原子を導
入したりすることによりΔεの大きな化合物を得ること
ができる。

Δε〈０の化合物の誘電異方性は、構造によってその大
きさに差がある。例を下に示す。

ε　く２ ２　≦ ε　　≦　５ Ｎ ５く ε ＜１０ ε　　　＞　　１０ ※Ｒ，Ｒ’　　はアルキル基を示す。

大きく分類すると、ｌε１≦２（１Δε１小）の化合物
、２く１ε１≦１０（１Δε１中）の化合物、Δε］＞
１０（ｌΔε１大）の３種に分けることが出来る。１Δ
ε１小のものは、１Δε１を１大させる効果は殆どない
。ＩΔε１大のものはＩΔε増大に大変有効な材料であ
る。現在のところ、ジシアノハイドロキノン誘導体のみ
が１Δε］大材料である。

しかしながら、ジシアノハイドロキノン誘導体は、１Δ
ε１増大効果は大きいものの、粘性が高いため、その含
有比率が増加するとスイッチング特１生を悪くする傾向
がある。

一方、］Δε１が中程度のものの中には１Δε増大効果
は１Δε１大　成分よりは小さいが、ある程度粘性の低
いものもある。

以上のことから、スイッチング特性が良好で、かつ、Ａ
Ｃスタビライズ効果を有する液晶組成物およびこれを含
む液晶素子を得るためには、誘電異方性が負の化合物、
好ましくは１Δε１〉２の化合物の選択、混合相手およ
び混合比率をくふうする必要がある。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明は、強誘電性液晶素子を実用できるように、駆動
電圧マージンが大きく、液晶素子のエリアにある程度の
温度バラツキがあっても、全画素が良好にマトリクス駆
動できる駆動温度マージンの広いカイラルスメクチック
液晶組成物および該液晶組成物および該液晶組成を使用
する液晶素子を提供することにある。

本発明の他の目的は、本発明の液晶組成物に、さらに誘
電異方性が負の液晶性化合物を混合することにより、Ａ
Ｃスタビライズ効果をもたせ、表示特性を大きく向上さ
せらる液晶組成物および該液晶素子を提供することにあ
る。

［問題を解決するための手段］ 本発明は下記−殺伐（１） （ただし、Ｒ３はＣ１〜Ｃ＋Ｓの置換基を有していても
良いｉＩ！ＩＩ、又は分岐状のアルキル基、Ｒ２は０１
〜ＣＩ４の置換基を有していても良い直鎖状又は分岐状
のアルキル基、Ｘ、、Ｉ２は単結合、−０−で示される
化合物の少なくとも一種と、下記−殺伐（ＩＩ） （ただし、Ｒ３，Ｒ４はＣ３〜ＣＩｌｌの直鎖状のアル
キル基であり、該アルキル基中のＩ４と結合しない１個
のＣＨ２が一〇−に置き換っていてもよい。

ｐｌｑは０，１もしくは２である。ただし、同時にｐ＝
Ｑ、ｑ＝＝Ｑにはならない。） で示される化合物の少なくとも１種と、さらに、誘電異
方性が負の液晶性化合物の少なくとも１種とを含有する
ことを特徴とする強誘電性カイラルスメクチック液晶組
成物ならびに該液晶組成物を１対の電極基板間に配置し
てなる液晶素子を提供するものである。

、４７Ｎ、 また本発明は、誘電異方性が負の液晶性化合物が、好ま
しくはΔε＜−２を示し、より好ましくはΔε＜−５、
さらに好ましくはΔε＜−１０を示す液晶化合物を用い
て、前記強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物にさ
らに含有させた強誘電性カイラルスメクチック液晶組成
物ならびにそれを有する液晶素子を提供するものである
。

また本発明は、該誘電異方性が負の液晶性化合物が、下
記−［１］）から（ＩＩＩ−［５］）で示される中から
選ばれる化合物を用いて前記強誘電性カイラルスメクチ
ック液晶組成物さらに含有させた強誘電性カイラルスメ
クチック液晶組成物ならびにそれを有する液晶素子を提
供するものである。

−［１］） 一般式（ＩＩＩ−■） 〔Ｒｏ。

Ｒ＋は置換基を有していてもよい直鎖状又は〔Ｒ１゜ Ｒｂは置換基を有していてもよい直鎖状又は分岐状のア
ルキル基、 分岐状のアルキル基、 Ａｅ。

ＡＩが同時に単結合にはならない。〕 一般式（ＩＩＩ−■） Ａａ。

Ａｂがともに単結合の場合、 Ｘｂ。

Ｘｃは単結合 であり、ｘ、ｌ ｘｄは供に単結合又は供に一〇−で （Ａ は単結合。

÷ Ｒ，は置換基を有してもよい直鎖又は分岐の１１ Ｙｂは、 シアノ基。

ハロゲン。

水素、 ただし アルキル基、 ただしＡ、が単結合のとき直鎖”アルキＹａ。

Ｙｂが同時に水素にはならない。〕 ル基であり、 、は−〇−又は−Ｓ 一般式 （） ただしＡＩが単結合のときＸ＋は単結合であり、（Ｒｚ
　ｒ Ｒ１は置換基を有してもよい直鎖又は分岐のアルキル基
、 く　、 Ａ、が単結合のときＸｋは単結合である。〕Ａ　ｋ　＋ Ａｔは同時に単結合にならない。

−ＣＨ，ＣＨ２− 一〇ミＣ−１ 一般式（ＩＩＩ−［５］） （Ｒｎ。

Ｒｏは置換基を有していてもよい直鎖又は分岐のアルキ
ル基、 −ＯＣＲ，− −ＣＨ２Ｃ１（、− 前述の一般式（［）で示される化合物のうち、好ましい
化合物例としては、Ｘ　ｌ　＋　Ｘ２が下記（１−ｉ）
〜（１−ｉｖ　）である化合物を挙げることができる。

（１−ｉ） （１−ｉｉ） Ｘｌ　は　単結合、　　Ｘ２　は　−〇−Ｘ、　は　単
結合、　　Ｘ２　は　−０Ｃ−（１−１ｉｉ） （１−１ｖ） Ｘｌ １ は は 単結合、 −０−１ Ｘ２は一〇〇− 〇 Ｘ２は一〇− 又、Ｒ，、Ｒ２のより好ましい例としては、炭素原子数
が１個から１４個の直鎖状アルキル基を挙げることが出
来る。

又、前述の一般式（ＩＩ　）で示される化合物のうち、
好ましい化合物例としては、下記（ＬＩ　−ａ　）〜（
ＩＩ　−ｅ　）で示される化合物が挙げられる。

（Ｒａ　Ｉ　　Ｒ４１Ｘｓ　＋　　ｘ４は前述の通り）
又、上述の（ＩＩ−ａ）　〜（ＩＩ−ｅ）式におけるｘ
３゜ｘ４の好ましい例としては（１１−ｉ）　〜（ＩＩ
−ｖｉｉｉ）を挙げることができる。

（ＩＩ−ｉ） （ＩＩ　−１ｉ） （■１−ｉｉｉ） ｘ３　が　単結合、　　Ｘ４　が　単結合ｘ３　が　単
結合、　　Ｘ４　が　−〇−ｘ３　が　単結合、　　Ｘ
４　が　−０Ｃ−（ＩＩ−ｉｖ） ３ が 単結合、 Ｘ３が一〇−１ （ＩＩ−ｖｉ）Ｘ３が一〇−１ （ＩＩ−ｖｉｉ）　Ｘ　３が一〇−１ Ｑｌ−ｖ） （ＩＩ−ｖｉｉｉ） ３ が −０−１ Ｘ４が−ＣＯ− ］１ Ｘ４　が　単結合 Ｘ４が一〇− Ｘ４が−ＯＣ− ｘ４が−ＣＯ− 又、上述の（ＩＩ　−ａ　）　〜（ＩＩ　−ｅ　）式に
おけるＲ３．Ｒ４の好ましい例としては（ＩＩ−ｉｘ）
　〜（ＩＩ−ｘ）を挙げることができる。

（ＩＩ　−ｉｘ）　　Ｒ３がｎ−アルキル基。

（ＩＩ−ｘ）　　Ｒ３がｎ−アルキル基。

Ｒ４がｎ−アルキル基 Ｒ４がモＣＨ２＋、Ｏ−Ｒ。

（Ｓが１−１２、Ｒ５が炭素原子数１〜１６個の直鎖状
アルキル基） 前記−殺伐 （１） で表わされる液晶性化合物の具 体的な構造式の例を以下に示す。

−１２ ｌ−３６ １−３７ −３８ −３９ 一般式（１）で示される化合物の代表的な合成例を以下
に示す。

合成例１　（Ｎｏ、１−２０の化合物の合成）ピリジン
５ｍｌに溶かした５−メトキシヘキサノール１．０６ｇ
（８、Ｏｍ　ｍｏｌ　）にピリジン５ｍｌに溶かしたｐ
−トルエンスルホン酸クロライド１．８．３ｇ　（９，
６ｍｍｏ１．）を氷水洛中５℃以下で滴下した。室温で
６時間撹拌後、反応混合物を冷水１００ｍＪに注入した
。６Ｎ塩酸で酸性側とした後、イソプロピルエーテルで
抽出した。有機層を水洗後、無水硫酸マグネシウムで乾
燥し、その後溶媒留去して、５−メ］・キシへキシル−
ｐ−トルエンスルホネートを得た。

ジメチルホルムアミド１０ｍ１に５−デシル−２−（ｐ
−ヒドロキンフェニル）ピリミジン２．０ｇ（６，４１
ｍｍｏ１）、水酸化カリウム０．６１ｇを加え、１００
℃で４０分間撹拌した。これに、先に得た５−メＩ・キ
シへキシル−ｐ−トルエンスルホネ−１・を加え、１０
０℃で４時間加熱撹拌した。反応終了後反応混合物を冷
水１００ｍ１に注入し、ベンゼンにより抽出した。水洗
後無水硫酸マグネシウムにより乾燥し溶媒留去して淡黄
色油状物を得た。カラムクロントゲラフイー（シリカゲ
ル−酢酸エチル／ベンゼン＝　　１／９）により精製後
、ヘキサンより再結晶１ノて　５−デシル−２−［４−
（５’−メトキシへキシルオキシ）フェニル１ピリミジ
ン（化合物Ｎｏ。

１−２０）１．３５ｇを得た。

相転移温度（０Ｃ） 合成例２　（Ｎｏ、１−２１５の化合物の合成）６−ペ
ンチルオキシヘプタノール２．０４　ｇをピリジン８ｍ
ｌに溶かし冷水した後、ピリジン５ｍｌに溶かしたトシ
ルクロライド２．２６ｇを徐々に滴下したく５℃以下、
７分）。その後、室温にて５時間撹拌した。

反応混合物を氷水１５０　ｍ４に注入し６Ｎ塩酸水溶液
でｐＨ３程度にした後、酢酸エチルにより抽出した。こ
れを水洗し無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、溶媒
留去して（６−ペンチルオキシヘプチル）ｐ−トルエン
スルホネー）２．９８ｇを得た。

５−ｎ−デシル−２−（４−ヒドロキシフェニル）ピリ
ジン３．１２ｇ及び水酸化カリウム０．５３ｇをジメチ
ルホルムアミド１４ｍｊ’に溶かし１００℃で３時間加
熱撹拌した後（６−ペンチルオキシヘプチル）ｐ−トル
エンスルホネート２．９８ｇを添加し１００℃で５時間
加熱撹拌した。

反応混合物を氷水２００ｍ１に注入し、６Ｎ塩酸水溶液
でｐＨ３程度にした後ベンゼンにより抽出した。これを
水洗し無水硫酸マグネシウムで乾燥した後溶媒留去して
粗生成物４．７１ｇを得た。これをシリカゲルカラムク
ロマト精製（ｎ−ヘキサン／酢酸エチル＝１０／２）　
した後、さらにヘキサンから再結晶し、５−ｎ−デシル
−２−［４−（６−ペンチルオキシへブチルオキシ）フ
ェニル１ピリミジン１．５６ｇを得た。

ＩＲ（ｃｍ”） ２９２４．２８５２，１６１０，１５８６，１４７２゜
１４３６．１２５４，１１６８，１０９６．　７９８相
転移温度（℃） ２２．７　　　　　　　３３．３　　　　　　　　３９
．８合成例以外の化合物についても以下の合成経路Ａ、
　　前記−殺伐（ｎ）で表わされる液晶性化合物の具Ｂ
　＋＝　ヨリ４　ル、、　ト力（Ｔ　キルｏ　　　　　
　　　　　　　体的な構造式の例を以下に示す。

合成経路Ａ 合成経路Ｂ （上記においてＲ である） 、Ｒ２，Ｘ９９ｍ、ｎは前述の通り −７ ２−８ −９ −１０ −１１ −１２ −１９ −２０ １ ２ −２３ −２４ −１３ −１４ −１５ −１６ −１７ ８ −２５ −２６ −２７ −２８ −２９ −３０ ２−４３ ２−４４ −４５ −４６ −４７ −４８ −３１ −３２ −３３ ４ −３５ −３６ −３７ −３８ −３９ −４０ −４１ −４２ −４９ −５０ １ ２ ３ −５４ ２−５５ ２−５６ ７ ８ ９ −６０ ７ ８ −６９ ０ −７１ −７２ −６１ −６２ −６３ −６４ −６５ −６６− ７ −７４ −７５ −７６− ７７ ８ ２−７９ ２−８０ −８１ −８２ −８３ −８４ −９１ −９２ ３ −９４ −８５ −８６ −８７ −８８ −８９ −９０ 一般式（ｎ） で示される化合物は、 例えば東独 特許９５８９２ （１９７３年）。

特許公報昭６２−５４３４ （１９８７） に記載の方法により得ることができる。

又、 例えば、 で示される化合物は、 下記、の合成経路で合成する ことができる。

前記−［１］） から （ＩＩＩ−［５］） で表わさ れる液晶性化合物の具体的な構造式の例を以下に示す。

但し、 （Ｌ） 式において、 各Ｒが示すアルキ ル基の炭素数は！−１８、 好ましくは４〜１６、より 好ましくは６〜１２を示す。

一般式（ｍ−■） （式中のＲ３゜ Ｒ４・ ｐ。

ｑは前述の通りである） （３−４） （３−９） υ （３−５） （３−１０） す （３−６） （３−１１） （３−７） （３−１２） （３−８） （３−１３） （３−１４） （３−１５） （３−１６） （３ １７） （３−１８） （３−２４） （３−２５） （３−２６） （３ ２７） （３ ２８） す （３−１９） （３−２０） （３−２１） （３−２２） （３−２３） （３−２９） （３−３０） （３−３１） （３−３２） （３−３３） （３−３４） （３−３５） （３−３８） （３−４４） （３−４５） （３−４６） （３ ４７） （３−４８） す す Ｃ （３−３９） （３−４０） （３−４１） （３−４２） （３−４３） （３−４９） （３−５０） （３−５１） （３−５２） （３−５３） Ｎ す す （３−５４） （３−５５） （３−５６） （３−５７） （３−５８） （３−６３） （３−６４） （３−６５） （３−６６） （３−６７） す ｌ：Ｉｒ す り り （３−５９） （３−６０） （３−６１） （３−６２） （３−６８） （３−６９） Ｎ す −殺伐（ＩＩＩ−■） （３−７０） （３−７１） （３−７２） （３−７３） （３−７４） （３−８０） （３ ８１） （３ ８２） す （３−８３） （３−８４） （３−７５） （３−７６） （３ ７７） （３−７８） （３−７９） （３−８５） （３−８６） （３−８７） （３−８８） （３−８９） −殺伐（ＩＩＩ−■） （３−９１） （３−９２） （３−９３） （３−９４） （３−１０１） （３−１０２） （３−１０３） （３−１０４） （３−９６） （３−９７） （３−９８） （３−９９） （３ １０６） （３−１０７） （３−１０８） （３−１０９） （３−１１１） （３ １１２） （３−１１３） （３−１１４） （３−１２０） （３−１１６） （３−１１７） （３−１１８） （３−１１９） 一般式（ＩＩＩ−■） （３−１２２） （３−１２３） （３−１２４） （３ １２５） （３−１２７） （３−１２８） （３−１２９） （３ １３０） （３−１３７） （３−１３８） （３−１３９） （３−１４０） （３−１３２） （３−１３３） （３−１３４） （３−１３５） （３−１４２） （３−１４３） （３−１４４） （３−１４５） （３−１４７） （３−１４８） （３ １４９） （３−１５０） 一般式（ＩＩＩ−［５］） （３−１５３） （３−１５４） （３ １５５） （３−１５６） Ｎ Ｎ Ｎ Ｎ （３−１５１） （３−１５８） （３−１５９） （３−１６０） （３・−１６１） Ｎ Ｎ Ｎ Ｎ （３−１６３） （３−１６４） （３ １６６） （３−１７３） （３−１７４） （３−１７５） （３−１７６） Ｎ Ｎ Ｎ Ｎ Ｎ Ｎ Ｎ （３−１６８） （３ １６９） （３−１７０） （３ １７１） （３−１７８） （３−１８０） （３ １８１） Ｎ Ｎ Ｎ Ｎ Ｎ Ｎ （３−１８３） （３−１８４） （３−１８５） （３−１８６） 本発明の液晶組成物は前記一般式（１）で示される化合
物の少な（とも１種と、前記一般式（ＩＩ）で示される
化合物の少なくとも１種と、他の液晶性化合物１種以上
とを適当な割合で混合することにより得ることができる
。

本発明の他の目的の液晶組成物は、上記液晶組成物にさ
らに誘電異方性が負の液晶性化合物を少なくとも１種以
上適当な割合で混合することにより得ることができる。

また、本発明による液晶組成物は、強誘電性液晶組成物
、特に強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物が好ま
しい。

本発明で用いる他の液晶性化合物の具体例を下記にあげ
る。

（５０） Ｆ （５６） （５７） （５８） （５９） （６０） υ す （６１） （６６） （６２） υ （６７） υ （６３） υ （６４） （６５） 本発明の強誘電性液晶組成物において、本発明の一般式
（Ｉ）で示される液晶性化合物、−殺伐（ＩＩ）で示さ
れる液晶性化合物、それぞれと、上述した他の液晶性化
合物一種以上、あるいは、それを含む液晶性組成物（液
晶材料と略す）との配合割合は、液晶材料１００重量部
当り、本発明−殺伐（Ｉ）、−殺伐（Ｉ［）で示される
液晶性化合物それぞれを１〜３００重量部、より好まし
くは２〜１００重量部とすることが好ましい。

また、本発明の一般式（１）、−殺伐（Ｔ１）で示され
る液晶性化合物のいずれか、あるいは全てを２種類以上
用いる場合も他の液晶材料との配合割合は、前述した液
晶材料１００重量部当り、本発明−殺伐（１）、−殺伐
（ＩＩ）で示される液晶性化合物のいずれか、あるいは
全ての２種以上の混合物を、１〜５００重量部、より好
ましくは２〜ｌＯＯ重量部とすることがのぞましい。

また、−殺伐（Ｉ）で示される液晶性化合物に対する一
般式（ＩＩ）で示される液晶性化合物の重量比［−殺伐
（Ｉ）／−殺伐（■）］は１／３００がら３００／１で
あり、好ましくは１１５０から５０／１であることが望
ましい。

一般式（１）、−殺伐ＣＩ［）で示される液晶性化合物
のそれぞれ２種以上用いる場合、−殺伐（Ｉ）／−殺伐
（ｎ）は１１５００から５００／ｌであり、好ましくは
１１５０から５０／１であることが望ましい。

また、−殺伐（Ｉ）で示される液晶性化合物と、−殺伐
（ｎ）で示される液晶性化合物の総１と、上述した液晶
材料との配合割合は、−殺伐ＣＩ）と−殺伐（ｎ）の総
量１００重１部当り、池の液晶材料を２〜６００重量部
、好ましくは４〜２００重量部とすることが望ましい。

また、−殺伐（Ｉ）、−殺伐（ｎ）で示される液晶性化
合物のそれぞれを２種以上用いる場合も、−殺伐（１）
で示される液晶性化合物と一般式（ＩＩ）で示される液
晶性化合物の総量と、上述した液晶材料との配合割合は
、−殺伐＜Ｘ＞、−殺伐（Ｕ）の総量１００重量部当り
、上述した液晶材料を２〜１０００重量部、好ましくは
４〜２００重量部とすることが望ましい。

さらに、誘電異方性が負の成分を含有する強誘電性液晶
組成物中における誘電異方性が負の成分の含有量は、１
〜９８重量％である。特にΔε＜−２の成分を用いる場
合、Δε＜−２の成分の含有量は、１〜７０重貴％、好
ましくは１〜５０重１％とすることが望ましい。

一般式（Ｉ）で示される液晶性化合物と、−殺伐（ｎ）
で示される液晶性化合物と、誘電異方性が負の成分との
総念は、本発明の強誘電性液晶組成物中において、３〜
１００重量％含有される。

本発明で用いる誘電異方性が負の液晶性化合物の誘電異
方性の大きさはｌεｌ＞２であることが好ましい。

第１図は強誘電性液晶素子の構成の説明のために、本発
明の強誘電性液晶層を有する液晶素子の１例の断面概略
図である。

第１図において符号１は強誘電性液晶層、２はカラス基
板、３は透明電極、４は絶縁性配向制御層、５はスペー
サー、６はリード線、７は電源、８は偏光板、９は光源
を示している。

２枚のガラス基板２には、それぞれｉｎ　２０３　＋Ｓ
ｎＯ２あるいはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ　　０ｘ
ｉｄｅ）等の薄膜から成る透明電極が被覆されている。

その上にポリイミドの様な高分子の薄膜をガーゼやアセ
テート植毛布等でラビングして、液晶をラビング方向に
並べる絶縁性配向制御層が形成されている。また絶縁物
質として例えばシリコン窒化物１、水素を含有するシリ
コン炭化物、シリコン酸化物、硼素窒化物、水素を含有
する硼素窒化物、セリウム酸化物、アルミニウム酸化物
、ジルコニウム酸化物、チタン酸化物やフッ化マグネシ
ウムなどの無機物質絶縁層を形成し、その上にポリビニ
ルアルコール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエ
ステルイミド、ポリパラキシレン、ポリエステル、ポリ
カーボネート、ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニル
、ポリ酢酸ビニル、ポリアミド、ポリスチレン、セルロ
ース樹脂、メラミン樹脂、ユリャ樹脂、アクリル樹脂や
フォトレジスト樹脂などの有機絶縁物質を配向制御層と
して、２層で絶縁性配向制御層が形成されていてもよ（
、また無機物質絶縁性配向制御層あるいは有機物質絶縁
性配向制御層単層であっても良い。この絶縁性配向制御
層が無機系ならば蒸着法などで形成でき、有機系ならば
有機絶縁物質を溶解させた溶液、またはその前駆体溶液
（溶剤０１１〜２０重量％、好ましくは０．２〜１０重
量％）を用いて、スピンナー塗布法、浸漬塗布法、スク
リーン印刷法、スプレー塗布法、ロール塗布法等で塗布
し、所定の硬化条件下（例えば加熱下）で硬化させ形成
させることができる。

絶縁性配向制御層の層厚は通常３０人〜１μｍ１好まし
くは３０人〜３０００人、さらに好ましくは５０人〜１
０００人が適している。

この２枚のガラス基板２はスペーサー５によって任意の
間隔に保たれている。例えば所定の直径を持つシリカビ
ーズ、アルミナビーズをスペーサーとしてガラス基板２
枚で挾持し、周囲をシール材、例えばエポキシ系接着材
を用いて密封する方法がある。その他スペーサーとして
高分子フィルムやガラスファイバーを使用しても良い。

この２枚のガラス基板の間に強誘電性液晶が封入されて
いる。

強誘電性液晶が封入された強誘電性液晶層は、一般には
０．５〜２０μｍ１好ましくは１〜５μｍである。

また、この強誘電性液晶は室温を含む広い温度域（特に
低温側）でＳｍＣ＊相（カイラルスメクチックＣ相）を
有し、かつ、素子とした場合には駆動電圧マージン、お
よび駆動温度マージンが広いことが望まれる。

また、特に素子とした場合に良好な均一配向性を示しモ
ノドメイン状態を得るには、その強誘電性液晶は等吉相
からｃｈ相（コレステリック相）−ＳｍＡ相（スメクチ
ック人相）−ＳｍＣ＊相（カイラルスメクチックＣ相）
という相転移系列を有していることが望ましい。

透明電極３からはリード線によって外部電源７に接続さ
れている。

またガラス基板２の外側には偏光板８が貼り合わせであ
る。

第１図は透過型なので光源９を備えている。

第２図は強誘電性液晶素子の動作説明のために、セルの
例を模式的に描いたものである。２１ａと２１ｂはそれ
ぞれＩｎ　２０３　、　ＳｎＯ２あるいはＩＴＯ（Ｉｎ
ｄｉｕｍ−Ｔｉｎ　　０ｘｉｄｅ）等の薄膜からなる透
明電極で被覆された基板（ガラス板）であり、その間に
液晶分子層２２がガラス面に垂直になるよう配向したＳ
ｍＣ’相またはＳｍＨ本相の液晶が封入されている。太
線で示した線２３が液晶分子を表わしており、この液晶
分子２３はその分子に直交した方向に双極子モーメント
（Ｐ上）２４を有している。基板２１ａと２１ｂ上の電
極間に一定の閾値以上の電圧を印加すると、液晶分子２
３のらせん構造がほどけ、双極子モーメント（Ｐ±）２
４がすべて電界方向に向くよう、液晶分子２３は配向方
向を変えることができる。液晶分子２３は細長い形状を
有しており、その長袖方向と短軸方向で屈折率異方性を
示し、従って例えばガラス面の上下に互いにクロスニコ
ルの偏光子を置けば、電圧印加極性によって光学特性が
変わる液晶光学変調素子となることは、容易に理解され
る。

本発明の光学変調素子で好ましく用いられる液晶セルは
、その厚さを充分に薄（（例えば１０μ以下）すること
ができる。このように液晶層が薄くなるにしたがい、第
３図に示すように電界を印加していない状態でも液晶分
子のらせん構造がほどけ、その双極子モーメントＰａま
たはｐｂは上向き（３４ａ）または下向き（３４ｂ）の
どちらかの状態をとる。このようなセルに、第３図に示
す如く一定の閾値以上の極性の異る電界ＥａまたはＥｂ
を電圧印加手段３１ａと３１ｂにより付与すると、双極
子モーメントは電界ＥａまたはＥｂの電界ベクＩ・ルに
対応して上向き３４ａまたは下向き３４ｂと向きを変え
、それに応じて液晶分子は、第１の安定状態３３ａかあ
るいは第２の安定状態３３ｂの何れか一方に配向する。

このような強誘電性を光学変調素子として用いることの
利点は先にも述べたが２つある。

その第１は、応答速度が極めて速いことであり、第２は
液晶分子の配向が双安定性を有することである。第２の
点を例えば第３図によって更に説明すると、電界Ｅａを
印加すると液晶分子は第１の安定状態３３ａに配向する
が、この状態は電界を切っても安定である。また、逆向
きの電界Ｅｂを印加すると、液晶分子は第２の安定状態
３３ｂに配向してその分子の向きを変えるが、やはり電
界を切ってもこの状態に留っている。また与える電界Ｅ
ａあるいはＥｂが一定の閾値を越えない限り、それぞれ
前の配向状態にやはり維持されている。

この様な特性を有する強誘電性液晶材料を一対の基板間
に挾持した素子で単純マトリクス表示装置とした場合、
例えば特開昭５９−１９３４２６号公報、同５９−１９
３４２７号公報、同６０−１５６０４６号公報や同６０
−１５６０４７号公報などに開示された駆動法を適用す
ることができる。

第４図は、本発明の実施例中で用いた駆動法の波形図で
ある。また、第５図は、本発明で用いたマトリクス電極
を配置した強誘電性液晶パネル５１の平面図である。第
５図のパネル５１には、走査線５２とデータ線５３とが
互いに交差して配線され、その交差部の走査線５２とデ
ータ線５３との間には強誘電性液晶が配置されている。

第４図（Ａ）中のＳ、は選択された走査線に印加する選
択走査波形を、ＳＮは選択されていない非選択走査波形
を、工、は選択されたデータ線に印加する選択情報波形
（黒）を、ＩＮは選択されていないデータ線に印加する
非選択情報信号（白）を表わしている。また、図中（Ｉ
ｓ−ＳＳ）と（Ｉ＋ｖ−８，）は選択された走査線上の
画素に印加する電圧波形で、電圧（ｉｓ　　ｓｓ）が印
加された画素は黒の表示状態をとり、電圧（ＩＮ　　ｓ
ｓ）が印加された画素は白の表示′状態をとる。

第４図（Ｂ）は第４図（Ａ）に示す駆動波形で第６図に
示す表示を行ったときの時系列波形である。

第４図に示す駆動例では、選択された走査線上の画素に
印加される単一極性電圧の最小印加時間△ｔが書込み位
相ｔ２の時間に相当し、１ラインクリヤ１．位相の時間
が２△ｔに設定されている。

さて、第４図に示した駆動波形の各パラメータＶ、、Ｖ
、、△ｔの値は使用する液晶材料のスイッチング特性に
よって決定される。第７図は後述するバイアス比を一定
に保ったまま駆動電圧（ＶＳ＋Ｖ＋）を変化させたとき
の透過率Ｔの変化、即ちＶ−Ｔ特性を示したものである
。ここでは、△ｔ＝５０　μｓ、バイアス比”ｔ　／　
（Ｖ＋　＋　Ｖｓ　）　＝　１／　３１ｃ固定されてい
る。第７図の正側は第４図で示した（ＩＮ　　ｓｓ）、
負側は（Ｉｓ　　Ｓｓ）で示した波形が印加される。こ
こでＶ、、Ｖ、をそれぞれ実駆動閾値電圧、及びクロス
トーク電圧（Ｖｓ”＋がｖ３を超えると反転がおきるの
で、スイッチング不良電圧ともいう。）と呼ぶ。但しく
Ｖ２＜Ｖ、　＜Ｖ３）また△Ｖ＝　（ｖ３−ｖ、　）を
電圧マージンと呼び、マトリクス駆動可能な電圧幅とな
る。ｖ３はＦＬＣのマトリクス駆動上、−船釣に存在す
ると言ってよい。具体的には、第４図（Ａ）　（ＩＮ　
　Ｓｇ）の波形におけるｖムによるスイッチングを起こ
す電圧値である。勿論、バイアス比を大きくすることに
よりＶ３の値を大きくすることは可能であるが、バイア
ス比を増すことは情報信号の振幅を大きくすることを意
味し、画質的にはちらつきの増大、コントラストの低下
を招き好ましくない。我々の検討ではバイアス比は１／
３〜１／４程度が実用的であった。ところでバイアス比
を固定すれば、電圧マージン△Ｖは液晶材料のスイッチ
ング特性に強く依存し、△Ｖの大きい液晶材料がマトリ
クス駆動上非常に有利であることは言うまでもない。

この様な、ある一定温度において、情報信号の２通りの
向きによって選択画素に「黒」および「白」の二状態を
書き込むことが可能であり、非選択画素は、その「黒」
または「白」の状態を保持することが可能である印加電
圧の上下限の値およびその幅（駆動電圧マージンΔＶ）
は液晶材料間で差があり特有なものである。また環境温
度の変化によっても、駆動マージンはズ１ノでいくため
、実際の表示装置の場合、液晶材料や環境温度に対して
最適駆動電圧にしておく必要がある。

しかしながら、実用上この様なマトリクス表示装置の表
示面積を拡大していく場合、各画素における液晶の存在
環境の差（具体的には、温度や電極間のセルギャップの
差）は当然大きくなり、駆動電圧マージンが小さな液晶
では、表示エリア全体に良好な画像を得ることが出来な
くなる。以下実施例により本発明について更に詳細に説
明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。

実施例１ 下記重量部で混合した液晶組成物１−Ａを作成した。

この液晶組成物１−Ａに対して例示化合物１−３゜２−
８をそれぞれ下記の重量部で混合し、液晶組成物１−Ｂ
を得た。

例示化合物Ｎｏ。

構造式 次に、これらの液晶組成物を以下の手順で作製したセル
を用いて、光学的な応答を観察した。

２枚の１．１ｍｍ厚のガラス板を用意し、それぞれのガ
ラス板上にＩＴＯ膜を形成し、電圧印加電極を作成し、
さらにこの上にＳｉＯ２を蒸着させ絶縁層とした。

この基板上にポリイミド樹脂前駆体［東し■５Ｐ−５１
０］　１．０％ジメチルアセトアミド溶液を回転数３０
０Ｏｒ、ｐ、ｍのスピンナーで１５秒間塗布した。成膜
後、６０分間、３００℃加熱縮合焼成処理を施した。こ
の時の塗膜の膜厚は約１２０Ｊ＋であった。

この焼成後の被膜には、アセテート植毛布によるラビン
グ処理がなされ、その後イソプロピルアルコール液で洗
浄し、平均粒径１．５μｍのシリカビーズを一方のガラ
ス板上に散布した後、それぞれのラビング処理軸が互い
に平行となる様にし、接着シール剤［リクソンボンド（
チッ゛ハ掬）］を用いてガラス板をはり合わせ、６０分
間、１００’Ｃにて加熱乾燥しセルを作成した。このセ
ルのセル厚をベレツク位相板によって測定したところ約
１・５μｍであった。

このセルに上述の液晶組成物１−Ｂを等方性液体状態で
注入し、等吉相から２０°Ｃ／ｈで２５°Ｃまで徐冷す
ることにより、強誘電性液晶素子を作成した。

この強誘電性液晶素子を用いて、前述した第４図に示す
駆動波形（１／３バイアス）で駆動電圧マージン△Ｖ（
Ｖ３　　Ｖ２）を測定した。、その結果を次に示す（尚
、△ｔはｖ２がおよそ１５Ｖとなる様に設定）。

１０℃　　　　　２５°０　　　　　４０℃駆動電圧マ
ージン１２．ＯＶ　　　　　１２．５Ｖ　　　　　１０
．ＯＶ（測定時設定△ｔ）　　　（７３５ｐ　５ｅｅ）
　　（２２０μ５ｅｃ）　　（７４μ５ｅｃ）さらに２
５℃における駆動電圧マージンの中央値に電圧を設定し
て測定温度を変化させた場合駆動可能な温度差（以下、
駆動温度マージンという）は±３．３℃であった。

また、２５℃におけるこの駆動時のコントラストは１０
であった。

比較例１ 実施例１で混合した液晶組成物１−Ｂのうち例示化合物
Ｎｏ、　１−３を混合せずに１−Ａに対して例示化合物
Ｎｏ、　２−８のみを混合した液晶組成物１−Ｃと例示
化合物Ｎｏ、　２−８を混合せずにｌ−Ａに対して例示
化合物Ｎｏ、　１−３のみを混合した液晶組成物１−Ｄ
を作成した。

液晶組成物１−Ｂを用いる代わりに液晶組成物１−Ａ、
１−Ｃ及び１−Ｄをセル内に注入する以外は、全〈実施
例１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、駆動電
圧マージン△Ｖを測定した。その結果を次に示す。

駆動電圧マージン畑す定時設定△ｔ） １０℃　　　　２５℃　　　　４０’（：：１−Ａ　　
　９．ＯＶ　　　　　９．５Ｖ　　　　　８５Ｖ（１０
５０，ｃｚｓｅｃ）　　　（２８０４ｓｃ：ｃ）　　　
（７８μ５ｅｃ）１−Ｃ９，５Ｖ　　　　１０．ＯＶ　
　　　　９．０Ｖ（９１５μ５ｅｃ）　　　（２６５μ
５ｅｃ）　　　（７６μ５ｅｃ）１−Ｄ　　　９．ＯＶ
　　　　１０．ＯＶ　　　　　９．０Ｖ（９２０μ５ｅ
ｃ）　　　（２６０μ５ｅｃ）　　　（７５μ５ｅｃ）
さらに２５°Ｃにおける駆動温度マージンは、１−　Ａ
テ＋２．２℃、１−（４’＋２．４℃、１−Ｄテ±２．
５°Ｃであった。

実施例１と比較例１より明らがな様に、本発明による液
晶性組成物１−Ｂを含有する強誘電性液晶素子の方が駆
動電圧及び温度マージンは広がっており、環境温度の変
化や、セルギャップのバラツキに対して画像を良好に保
つ能力にすぐれている。

実施例２ 実施例１で混合した液晶組成物１−Ａに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物２−Ｂを得た。

例示化 合物Ｎａ　　　　　　　　　構　　造　　式これを用い
た他は実施例１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成
し、実施例１と同様の方法で駆動マージンを測定し、ス
イッチング状態等を観察した。この液晶素子内の均−配
向性は良好であり、モノドメイン状態が得られた。測定
結果を次に示す。

１０℃　　　　　２５℃　　　　　４０℃駆動電圧マー
ジン１２．５Ｖ　　　　　１３．ＯＶ　　　　　ｌＯ，
ＯＶ（測定時設定△ｔ）　　　（７００μ５ｅｃ）　　
（２１３μ５ｅｃ）　　（７６μ５ｅｃ）さらに２５℃
における駆動温度マージンは、±３．７℃であった。ま
たこの温度における、この駆動時のコントラストは９で
あった。

比較例２ 実施例２で混合した液晶組成物２−Ｂのうち例示化合物
Ｎｏ、１−１０．１−２０を混合せずに１−Ａに対して
例示化合物Ｎｏ、２−５８．　２−８４のみを混合した
液晶組成物２−Ｃと例示化合物Ｎｏ、２−５８．２−８
４を混合せずにｌ−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、１−１
０゜１−２０のみを混合した液晶組成物２−Ｄを作成し
た。

液晶組成物１−Ｂを用いる代わりに液晶組成物１−Ａ、
２−Ｃ及びｌ−Ｄをセル内に注入する以外よ、全〈実施
例１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、駆動電
圧マージン△Ｖを測定した。その結果を次に示す。

駆動電圧マージン（測定時設定△ｔ） １０℃　　　　２５℃　　　　４０°Ｃ！−Ａ　　　９
．ＯＶ　　　　　９．５Ｖ　　　　　８．５Ｖ（１０５
０μ５ｅｃ）　　（２８０μ５ｅｃ）　　　（７８μ５
ｅｃ）２−Ｃｌｏ、ＯＶ　　　　　１０．５Ｖ　　　　
　９．０Ｖ（８９５μ５ｅｃ）　　　（２５０ｔｔ　５
ｅｅ）　　　（７６ａ　５ｅｃ）２−Ｄ　　　ｌＯ，Ｏ
Ｖ　　　　　ｌｏ、ＯＶ　　　　　８．５Ｖ（８２０μ
５ｅｃ）　　　（２４０μ５ｅｃ）　　　（７６μ５ｅ
ｃ）さらに２５℃における駆動温度マージンは、１−Ａ
で±２．２°Ｃ，２−Ｃで±２．６℃、２−Ｄで±２．
４℃であった。

実施例２と比較例２より明らかな様に、本発明による液
晶性組成物２−Ｂを含有する強誘電性液晶素子の方が駆
動マージンは広がっており、環境温度の変化や、セルギ
ャップのバラツキに対して画像を良好に保つ能力にすぐ
れている。

実施例３ 実施例１で混合した液晶組成物１−Ａに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物３−Ｂを得た。

例示化 合物魔 構　　造　　式 これを用いた他は実施例１と同様の方法で強誘電性液晶
素子を作成し、実施例１と同様の方法で駆動マージンを
測定し、スイッチング状態等を観察した。この液晶素子
内の均−配向性は良好であり、モノドメイン状態が得ら
れた。測定結果を次に示す。

１０℃　　　　　２５８Ｃ４０℃ 駆動電圧？−シン１３．ＯＶ　　　　　１３．５Ｖ　　
　　　１０．５Ｖ（測定時設定△ｔ）　　　（６８０μ
５ｅｃ）　　（１３μ５ｅｃ）　　　（７３μ５ｅｃ）
さらに、２５°Ｃにおける駆動温度マージ゛ンは、±３
．６℃であった。またこの温度における、この駆動時の
コントラストは１１であった。

比較例３ 実施例３で混合した液晶組成物２−Ｂのうち例示化合物
Ｎｏ、１−６．　１−２６を混合せずに１−Ａに対して
例示化合物Ｎｏ、　２−９　、　２−４４のみを混合し
た液晶組成物３−Ｃと例示化合物Ｎｏ、　２−９　、２
−４４を混合せずに１−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、１
−６゜１−２６のみを混合した液晶組成物３−Ｄを作成
した。

液晶組成物１−Ｂを用いる代わりに液晶組成物１−Ａ、
３−Ｃ及び３−Ｄをセル内に注入する以外は、全（実施
例１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、駆動電
圧マージン△Ｖを測定した。その結果を次に示す。

駆動電圧マージン（測定時設定△ｔ） １０°０　　　　２５℃　　　　４０°Ｃ１−Ａ　　　
９．ＯＶ　　　　　９．５Ｖ　　　　　８．５Ｖ（１０
５０μ５ｅｃ）　　（２８０μ５ｅｃ）　　　（７８μ
５ｅｃ）３−ＣＩｏ、ＯＶ　　　　　１０．５Ｖ　　　
　　９．０Ｖ（８９５μ５ｅｃ）　　　（２５０μ５ｅ
ｃ）　　　（７６μ５ｅｃ）３−Ｄ　　　１０．ＯＶ　
　　　　１０．ＯＶ　　　　　９．０Ｖ（７６０μ５ｅ
ｃ）　　　（２３５μ５ｅｃ）　　　（７５μ５ｅｃ）
さらに２５℃における駆動温度マージンは、ｌ−Ａで±
２．２℃、３−Ｃで±２．５℃、３−Ｄで上２゜５°Ｃ
であった。

実施例３と比較例３より明らかな様に、本発明による液
晶性組成物３−Ｂを含有する強誘電性液晶素子の方が駆
動マージンは広がっており、環境温度の変化や、セルギ
ャップのバラツキに対して画像を良好に保つ能力にすぐ
れている。

実施例４ 実施例１で混合した液晶組成物１−Ａに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重１部で混合して液晶組成
物４−Ｂを得た。

例示化 合物Ｎα　　　　　　　　構　　造　　式これを用いた
他は実施例１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し
、実施例１と同様の方法で駆動マージンを測定し、スイ
ッチング状態等を観察した。

この液晶素子内の均一配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。

１０’Ｃ２５°Ｃ４０°Ｃ 駆動を圧ｖ　−シン１３．ＯＶ　　　　　１３．５Ｖ　
　　　　１０．５Ｖ（測定時設定△ｔ）　　　（６８０
１ｔ　５ｅｃ）　　（２００μ５ｅｃ）　　（７２μ５
ｅｃ）さらに、２５℃における駆動温度マージンは、上
３゜８°Ｃであった。またこの温度における、この駆動
時のコントラストはＩＯであった。

比較例４ 実施例４で混合した液晶組成物４−Ｂのうち例示化合物
Ｎｏ、１−　Ｘ３．　１−１７．　１−３５を混合せず
に１−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、２−６２．２−９３
のみを混合した液晶組成物４−Ｃと例示化合物Ｎｏ、２
−６２゜２−９３を混合せずにｌ−Ａに対して例示化合
物Ｎｏ、１−１３．　１−１７．　１−３５のみを混合
した液晶組成物４−Ｄを作成した。

液晶組成物１−Ｂを用いる代わりに液晶組成物１−Ａ、
４−Ｃ及び４−Ｄをセル内に注入する以外は、全（実施
例１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、駆動電
圧マージン△Ｖを測定した。その結果を次に示す。

駆動電圧マージン（測定時設定△ｔ） １０℃　　　　２５°０　　　　４０℃１−Ａ　　　９
．ＯＶ　　　　　９．５Ｖ　　　　　８．０Ｖ（１０５
０μ５ｅｃ）　　（２８０μ５ｅｃ）　　　（７８μ５
ｅｃ）４−Ｃ９，５Ｖ　　　　１０．ＯＶ　　　　　８
．０Ｖ（８９５μ５ｅＣ）　　　（２５０μ５ｅｃ）　
　　（７６μ５ｅｃ）４−Ｄ　　　１１５Ｖ　　　　　
１２．ＯＶ　　　　　９．０Ｖ（７５０μ５ｅｃ）　　
　（２２０μ５ｅｃ）　　　（７４μ５ｅｃ）さらに２
５℃における駆動温度マージンは、ｌ−Ａで±２．２℃
、４−Ｃで±２．７°Ｃ，４−Ｄで土２．４℃であった
。

実施例４と比較例４より明らかな様に、本発明による液
晶性組成物４−Ｂを含有する強誘電性液晶素子の方が駆
動マージンは広がっており、環境温度の変化や、セルギ
ャップのバラツキに対して画像を良好に保つ能力にすぐ
れている。

実施例５ 下記重量部で混合した液晶組成物５−Ａを作成した。

例示化合物Ｎｏ。

構造式 この液晶組成物５−Ａに対して例示化合物ｌ−３゜２−
８をそれぞれ下記の重】部で混合し、液晶組成物５−Ｂ
を得た。

例示化合物Ｎｏ、　　　　　　構造式 液晶組成物１−Ｂをこの液晶組成物５−Ｂに代えたほか
は実施例１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、
実施例１と同様の方法で駆動電圧マージン△Ｖを測定し
、スイッチング状態等を観察した。

この液晶素子内の均−配向性は良好でありモノドメイン
状態が得られた。測定結果を次に示す。

１０℃　　　　　２５℃　　　　　４０℃駆動電圧マー
ジン１３．５Ｖ　　　　　１３．５Ｖ　　　　　９．５
Ｖ（測定時設定△ｔ）　　　（８４０μ５ｅｃ）　　（
２６０μ５ｅｃ）　　（９０μ５ｅｃ）さらに、２５℃
における駆動温度マージンは、±３．４℃であった。ま
たこの温度における、この駆動時のコントラストは１０
であった。

比較例５ 実施例５で混合した液晶組成物５−Ｂのうち例示化合物
Ｎｏ、　１−３を混合せずに５−Ａに対して例示化合物
Ｎｏ、　２−８のみを混合した液晶組成物５−Ｃと例示
化合物Ｎｏ、２−８を混合せずに５−Ａに対して例示化
合物Ｎｏ、　！　−３のみを混合した液晶組成物５−り
を作成した。

液晶組成物６−Ｂを用いる代わりに液晶組成物５−Ａ、
５−Ｃ及び５−Ｄをセル内に注入する以外は、全〈実施
例１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、駆動電
圧マージン△■を測定した。その結果を次に示す。

駆動電圧マージン（測定時設定△ｔ） １０°０　　　　　２５℃　　　　　４０℃５−Ａ　　
　Ｉｏ、５Ｖ　　　　　　１０．５Ｖ　　　　　　８．
５Ｖ（１２００μ５ｅｃ）　　　（３３０μ５ｅｃ）　
　　　（９８μ５ｅｃ）５−ＣＩ！、ＯＶ　　　　　　
１１．ＯＶ　　　　　　９．０Ｖ（１０２０ｐ　５ｅｃ
）　　　（３００μ５ｅｃ）　　　　（９５μ５ｅｃ）
５−Ｄ　　　１１．ＯＶ　　　　　　１１．５Ｖ　　　
　　　９．０Ｖ（１０３０μ５ｅｃ）　　　（２９５μ
５ｅｃ）　　　　（９６μ５ｅｃ）さらに、２５℃にお
ける駆動温度マージンは、５−Ａで±２．５℃、５−Ｃ
で±２．７℃、５−Ｄで±２゜８℃であった。

実施例５と比較例５より明らかな様に、本発明による液
晶性組成物５−Ｂを含有する強誘電性液晶素子の方が駆
動マージンは広がっており、環境温度の変化や、セルギ
ャップのバラツキに対して画像を良好に保つ能力にすぐ
れている。

実施例６ 実施例５で混合した液晶組成物５　　Ａに対して、以下
に示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組
成物６−Ｂを得た。

例示化 合物隘 構　　造　　式 これを用いた他は実施例１と同様の方法で強誘電性液晶
素子を作成し、実施例１と同様の方法で駆動マージンを
測定し、スイッチング状態等を観察した。この液晶素子
内の均−配向性は良好であり、モノドメイン状態が得ら
れた。測定結果を次に示す。

１０℃　　　２６℃　　　４０℃ 駆動電圧マージン１３．５Ｖ　　　　　１３．５Ｖ　　
　　　ｌＯ，ＯＶ（測定時設定△ｔ）　　　（７８０μ
５ｅｃ）　　（２４８μ５ｅｃ）　　（９２μ５ｅｃ）
さらに、２５℃における駆動温度マージンは、上３゜４
℃であった。またこの温度における、この駆動時のコン
Ｉ・ラストは１０であった。

比較例６ 実施例６で混合した液晶組成物６−Ｂのうち例示化合物
Ｎｏ、１−１０．　１−２０を混合せずに５−Ａに対し
て例示化合物Ｎｏ、２−５８．　２−８４のみを混合し
た液晶組成物６−Ｃと例示化合物Ｎｏ、２−５８．２−
８４を混合せずに５−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、１−
１０゜■−２０のみを混合した液晶組成物６−Ｄを作成
した。

液晶組成物１−Ｂを用いる代わりに液晶組成物５−Ａ、
６−Ｃ及び６−Ｄをセル内に注入する以外は、全〈実施
例１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、駆動電
圧マージン△Ｖを測定した。その結果を次に示す。

駆動電圧マージン（測定時設定△ｔ） １０°Ｃ２５°Ｃ４０°Ｃ ３−Ａ　　　１０，５Ｖ　　　　　　ｌＯ，５Ｖ　　　
　　８．５Ｖ（１２００μ５ｅｃ）　　　（３３０μ５
ｅｃ）　　　（９８μ５ｅｃ）６−Ｃ１１，５Ｖ　　　
　　　１１．５Ｖ　　　　　９．０Ｖ（１０５０μ５ｅ
ｃ）　　　（３１０μ５ｅｃ）　　　（９５μ５ｅｃ）
６−Ｄ　　　１１．ＯＶ　　　　　　１１．ＯＶ　　　
　　８．５Ｖ（８８０μ５ｅｃ）　　　　（２７０μ５
ｅｃ）　　　（９３μ５ｅｃ）さらに、２５℃における
駆動温度マージンは、５−Ａで上２゜５℃、６−Ｃで上
２゜３℃、６−Ｄで上２゜８°Ｃであった。

実施例６と比較例６より明らかな様に、本発明による液
晶性組成物６−Ｂを含有する強誘電性液晶素子の方が駆
動マージンは広がっており、環境温度の変化や、セルギ
ャップのバラツキに対して画像を良好に保つ能力にすぐ
れている。

実施例７ 下記の重量部で混合した液晶性組成物７−Ａを作成した
。

例示化合物Ｎｏ。

構造式 ％式％ 構造式 重１部 ８ Ｃ，ＩＩ、□＠−ｃｏｏ＠−院。１１２１５ この液晶組成物７−Ａに対して例示化合物１−３゜２−
８をそれぞれ下記の重量部で混合し、液晶組成物７−Ｂ
を得た。

例示化合物Ｎｏ。

構造式 ％式％ 液晶組成物１−Ｂをこの液晶組成物７−Ｈに代えたほか
は実施例１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、
実施例１と同様の方法で駆動電圧マージン△Ｖを測定し
、スイッチング状態等を観察した。

この液晶素子内の均一配向性は良好でありモノドメイン
状態が得られた。測定結果を次に示す。

１０８０１２５℃　　　４０℃ 駆動電圧マージ７　　　１１．ＯＶ　　　　　１１．Ｏ
Ｖ　　　　　７．５Ｖ（測定時設定△ｔ）　　　（２８
０μ５ｅｃ）　　（８９μ５ｅｃ）　　　（３８μ５ｅ
ｃ）さらに、２５℃における駆動温度マージンは、±３
．０℃であった。またこの温度における、この駆動時の
コントラストは１０であった。

比較例７ 実施例７で混合した液晶組成物７−Ｂのうち例示化合物
Ｎｏ、　１−３を混合せずに７−Ａに対して例示化合物
Ｎｏ、　２−８のみを混合した液晶組成物７−Ｃと、例
示化合物Ｎｏ、　２−８を混合せずに７−Ａに対して例
示化合物Ｎｏ、　１−３のみを混合した液晶組成物７−
Ｄを作成した。

液晶組成物７−Ｂを用いる代わりに液晶組成物７−Ａ、
７−Ｃ及び７−Ｄをセル内に注入する以外は、全〈実施
例１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、駆動電
圧マージン△Ｖを測定した。その結果を次に示す。

駆動電圧マージン（測定時設定△ｔ） ｌＯｏＣ２５°Ｃ４００Ｃ ７−Ａ　　　８．ＯＶ　　　　　　８．ＯＶ　　　　　
　６．０Ｖ（４００μ５ｅｃ）　　　　（１１０ｕ　５
ｅｅ）　　　　（４０ＬＬｓｅｃ）７−Ｃ９，ＯＶ　　
　　　　９．ＯＶ　　　　　６．５Ｖ（３４５μ５ｅｃ
）　　　　（１００μ５ｅｃ）　　　　（３８μ５ｅｃ
）７−Ｄ　　　９．ＯＶ　　　　　　９０Ｖ　　　　　
６５Ｖ（３４０μ５ｅｃ）　　　　（９８μ５ｅｃ）　
　　　（３８μ５ｅｃ）さらに、２５℃における駆動温
度マージンは、７−Ａで±１．９℃、７−Ｃで±２．２
℃、７−Ｄで±２．３℃であった。

実施例７と比較例７より明らかな様に、本発明による液
晶性組成物７−Ｂを含有する強誘電性液晶素子の方が駆
動マージンは広がっており、環境温度の変化や一セルギ
ャップのバラツキに対して画像を良好に保つ能力にすぐ
れている。

実施例８ 実施例７で混合した液晶組成物７−Ａに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重１部で混合して液晶組成
物８−Ｂを得た。

例示化 合物Ｎｕ　　　　　　　　　　構　　造　　式　　　　
　　　　　　　　　重量部−５８ これを用いた他は実施例１と同様の方法で強誘電性液晶
素子を作成し、実施例１と同様の方法で駆動マージンを
測定し、スイッチング状態等を観察した。この液晶素子
内の均−配向性は良好であり、モノドメイン状態が得ら
れた。測定結果を次に示す。

１０℃　　　　２５°０　　　　４０℃駆動電圧マージ
ンｌ　１．ＯＶ　　　　　１２．３Ｖ　　　　　８．５
Ｖ（測定時設定△ｔ）　　　（２６０μ５ｅｃ）　　（
８３μ５ｅｃ）　　　（３６μ５ｅｃ）さらに、２５℃
における駆動温度マージンは、±３．３℃であった。ま
たこの温度における、この駆動時のコントラストは１１
であった。

比較例８ 実施例８で混合した液晶組成物８−Ｂのうち例示化合物
Ｎｏ、１−１０．　１−２０を混合せずに７−Ａに対し
て例示化合物Ｎｏ、２−５８．　２−８４のみを混合し
また液晶組成物８−Ｃと例示化合物Ｎｏ、２−５８．２
−８４を混合せずに７−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、１
−Ｎｏ。

１−２０のみを混合した液晶組成物８−Ｄを作成した。

液晶組成物８−Ｂを用いる代わりに液晶組成物７−Ａ、
８−Ｃ及び８−Ｄをセル内に注入する以外は、全〈実施
例１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、駆動電
圧マージン△Ｖを測定した。その結果を次に示す。

駆動電圧マージン（測定時設定△ｔ） １０℃　　　　　２５°Ｃ４０°Ｃ ７−Ａ　　　８．ＯＶ　　　　　　８．ＯＶ　　　　　
　６．０Ｖ（４００μ５ｅｃ）　　　　（１１０μ５ｅ
ｃ）　　　　（４０μ５ｅｃ）８−Ｃ９，ＯＶ　　　　
　　９．ＯＶ　　　　　　７．０Ｖ（３５０μ５ｅｃ）
　　　　（１０３μ５ｅｃ）　　　　（３８μ５ｅｃ）
８−Ｄ　　　８．５Ｖ　　　　　　９．ＯＶ　　　　　
　６．５Ｖ（３４０μ５ｅｃ）　　　　（９８μ５ｅｃ
）　　　　（３８μ５ｅｃ）さらに、２５℃における駆
動温度マージンは、７−Ａで±１．９℃、Ｓ−Ｃで±２
．３℃、８−Ｄで±２．２℃であった。

実施例８と比較例８より明らかな様に、本発明による液
晶性組成物８−Ｂを含有する強誘電性液晶素子の方が駆
動マージンは広がっており、１境温度の変化や、セルギ
ャップのバラツキに対して画像を良好に保つ能力にすぐ
れている。

実施例９ 実施例１及び比較例１で使用した液晶組成物１−Ｂ。

１−Ｃ，１，−Ｄ、　　ｌ−ＡをＳｉＯ□を用いずに、
ポリイミド樹脂だけで配向制御層を作成した以外は全〈
実施例１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、実
施例１と同様の方法で駆動電圧マージンを測定した。そ
の結果を次に示す。

駆動電圧マージン（測定時設定△ｔ） １００Ｃ２５°Ｃ４０°Ｃ １−Ｂ　　　　１２．５Ｖ　　　　　１３．ＯＶ　　　
　　ｌｏ、５Ｖ（７１０μ５ｅｃ）　　　（２０５μ５
ｅｃ）　　　（７３μ５ｅｃ）１−Ｃｌｏ、ＯＶ　　　
　　１０．ＯＶ　　　　　９．０Ｖ（９００μ５ｅｃ）
　　　（２５０μ５ｅｃ）　　　（７５μ５ｅｃ）１−
Ｄ　　　　Ｉｏ、ＯＶ　　　　　１０．５Ｖ　　　　　
９．０Ｖ（９０５μ５ｅｃ）　　　（２５０μ５ｅｃ）
　　　（７５μ５ｅｃ）１−Ａ　　　　９．５Ｖ　　　
　　１０．ＯＶ　　　　　９．０Ｖ（９６０μ５ｅｃ）
　　　（２５０μ５ｅｃ）　　　（７５μ５ｅｃ）さら
に２５℃における駆動温度マージンは、１−Ｂ　　　±
３．５°Ｃ １−Ｃ±２．５℃ １−Ｄ　　　±２．５℃ １−Ａ　　　土２．４°Ｃ であった。

実施例９より明らかな様に、素子構成を変えた場合でも
本発明に従う強誘電性液晶組成物１−Ｂを含有する素子
は、他の液晶組成物を含む素子に比べ実施例１と同様に
駆動マージンは広がっており、環境温度の変化や、セル
ギャップのバラツキに対して画像を良好に保つ能力にす
ぐれている。

実施例１０ 実施例２及び比較例２で使用した液晶組成物２−Ｂ。

２−Ｃ，２−Ｄ、　　１−Ａ＠５ｉ０２を用いずに、ポ
リイミド樹脂だけで配向制御層を作成した以外は全〈実
施例１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施
例１と同様の方法で駆動電圧マージンを測定した。その
結果を次に示す。

駆動電圧マージン １０℃ ２−Ｂ１０．０Ｖ （６７０μ５ｅｃ） ２−Ｃｌｏ、５Ｖ （８６０μ５ｅｃ） （測定時設定△ｔ） ２５℃　　　　　　　　４０℃ １３、ＯＶ　　　　　　　　　１０．５Ｖ（２０５μ５
ｅｃ）　　　　　　（７５μ５ｅｃ）１０．５Ｖ　　　
　　　　　９．０Ｖ （２３０ｆｔ　５ｅｃ）　　　　　　（７６μ５ｅｃ）
２−Ｄ　　　　　Ｉｏ、５Ｖ　　　　　　　　１０．Ｏ
Ｖ　　　　　　　　９．０Ｖ（８１０μ５ｅｃ）　　　
　（２２０μ５ｅｃ）　　　　（７５μ５ｅｃ）１−Ａ
　　　　　９．５Ｖ　　　　　　　　１０．ＯＶ　　　
　　　　　９．０Ｖ（９５０μ５ｅｃ）　　　（２５０
μ５ｅｃ）　　　　　　（７５μ５ｅｃ）さらに２５℃
における駆動温度マージンは、２−Ｂ　　　上３゜６℃ ２−Ｃ上２゜６℃ ２−Ｄ　　　＋２．５℃ １−Ａ　　　土２．４°Ｃ であった。

実施例１Ｏより明らがな様に、素子構成を変えた場合で
も本発明に従う強誘電性液晶組成物２−Ｂを含有する素
子は、他の液晶組成物を含む素子に比べ実施例２と同様
に駆動マージンは広がっており、環境温度の変化や、セ
ルギャップのバラツキに対して画像を良好に保つ能力に
すぐれている。

実施例１１〜１６ 実施例１．　５．　７で用いた例示化合物および液晶性
組成物に代えて表１に示した例示化合物および液晶性組
成物を各重量部で用い１ｌ−Ｂ−１６−Ｂの液晶性組成
物を得た。これらを用いた他は全〈実施例１と同様の方
法により強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の
方法で２５℃の駆動マージンを測定し、スイッチング状
態等を観察した。

作成した各々の液晶素子内の均−配向性は良好であり、
モノドメイン状態が得られた。測定結果を表１に示す。

実施例１７ 実施例１で使用した液晶組成物１．−　Ｂに対して以下
に示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組
成物１７−Ｂを得た。

例示化合物Ｎα　　　　　構造式　　　　　　　重量部
この液晶組成物を用いた以外は、全（実施例１と同様な
方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方
法で駆動電圧マージン△Ｖを測定した。

１０℃　　　２５℃　　　　　４０℃ 駆動電圧マージン１１．５Ｖ　　　　　１２．５Ｖ　　
　　　　　１０．ＯＶ（測定時設定△Ｖ）　　　（８０
５μ５ｅｃ）　　　（２３５μ５ｅｃ）　　　（７８μ
５ｅｃ）さらに、上記液晶素子を用い、２５℃において
直交ニコル下でチルト角を測定したところ、７．２゜で
あった。次に６０　ＫＨｚの周波数で±８ｖの矩形波を
印加しながらチルト角を測定したところ、１３６であっ
た。この時透過率を測定したところ１３４３％であった
。また同時にコントラスト比を測定したところ５８：ｌ
であった。

比較例１７ 液晶組成物１−Ｂに代えて、液晶組成物１．−　Ａに前
述のｔＪｃ３−１０の化合物を実施例１７と同様な比率
で含有させた液晶組成物１７−Ｃを作成した。

これら液晶組成物１７−・Ｃおよび１−Ａ、１−Ｂを用
いて実施例１と同様な方法でそれぞれ強誘電性液晶素子
を作成し、駆動電圧マージン△Ｖを測定した。

また、さらに、実施例１７と全く同様な方法でチルト角
を測定した。結果を次に示す。

１０℃　　　　　２５℃　　　　４０℃１−　Ａ　　　
　９．ＯＶ　　　　　　９．５Ｖ　　　　　８．５Ｖ（
１０５０μ５ｅｃ）　　　（２８０μ５ｅｃ）　　　（
７８（、ｔ　５ｅｃ）１−Ｂ　　　　１２．ＯＶ　　　
　　　１２．５Ｖ　　　　　１０．０Ｖ（７３０μ５ｅ
ｃ）　　　（２２０μ５ｅｃ）　　　（７４μ５ｅｃ）
１７−Ｃ８，ＯＶ　　　　　　９．ＯＶ　　　　　９．
０Ｖ（１３００μ５ｅｃ）　　　（３１０μ５ｅｃ）　
　　（８３μｓｅｃ）チルト角（２５℃） 初期チルト角　　ＡＣスタビライズ時 （無電界時）　　　（６０ＫＨｚ、±８ｖ矩形波印加時
）１−Ａ、　　　　７．５°　　　　　　　７．８゜１
−Ｂ　　　　７．３°　　　　　　　７．６゜１７−Ｃ
７，７’　　　　　　　１３．３゜実施例１７と比較例
１７により明らかな様に、本発明による液晶組成物に誘
電異方性が負の液晶性化合物を混合することにより、応
答特性が改善された上に、さらに、ＡＣスタビライズ効
果による表示方法に用いる場合、表示特性が大幅に改善
されることがわかった。

実施例１８ 実施例１で使用した液晶組成物１−Ｂに対して以下に示
す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成物
１８−Ｂを得た。

例示化合物嵐 構造式 ％式％ 構造式 重量部 −Ｂ ０ この液晶組成物を用いた以外は、全（実施例１と同様な
方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方
法で駆動電圧マージン△Ｖを測定した。

１０℃　　　　　２５℃　　　　　　　４０℃駆動電圧
マージン　　　！２Ｖ　　　　　　１２．５Ｖ　　　　
　　　１０．５Ｖ（測定時設定△リ　　（７８０μ５ｅ
ｃ）　　　（２３５μ５ｅｃ）　　　（７８μ５ｅｃ）
さらに、上記液晶素子を用い、２５℃において直交ニコ
ル下でチルト角を測定したところ、８４３°であった。

次に６０に’ｌ（ｚの周波数で±８ｖの矩形波を印加し
ながらチルト角を測定したところ、１３°であった。こ
の時透過率を測定したところ１２．８％であった。また
同時にコントラスト比を測定したところ５３；ｌであっ
た。

比較例１８ 液晶組成物１−８に代えて、液晶組成物１−Ａに前述の
陽３−９０．３−１２．３−１２２　３−７０　３−１
０７３−１１１．３−１６７の化合物を実施例１８と同
様な比率で含有させた液晶組成物１８−Ｃを作成した。

これら、液晶組成物１Ｂ−Ｃおよびｌ−Ａ　　ｌ−Ｂを
用いて実施例１と同様な方法でそれぞれ強誘電性液晶素
子を作成し、駆動電圧マージン△Ｖを測定した。

また、さらに、実施例１８と全く同様な方法でチルト角
を測定した。結果を次に示す。

駆動電圧マージン（測定時設定△Ｖ） １０℃　　　　　　　　２５℃　　　　　　４０℃１、
−　Ａ　　　　　　９．ＯＶ　　　　　’　　　　９．
５Ｖ　　　　　　　８．５Ｖ（１０５０ｐ　５ｅｃ）　
　　　　（２８０μ５ｅｃ）　　　　（７８μ５ｅｃ）
１−８　　　　　１２．ＯＶ　　　　　　　　１２．５
Ｖ　　　　　　　１０．０Ｖ（７３５μ５ｅｃ）　　　
　（２２０μ５ｅｃ）　　　　（７４μ５ｅｃ）１８−
Ｃ８，５Ｖ　　　　　　　　　９Ｖ　　　　　　　　９
Ｖ（１１７０μ５ｅｃ）　　　　　（３２０μ５ｅｃ）
　　　　（８５μ５ｅｃ）チルト角（２５℃） 初期チルト角　　ＡＣスタビライズ時 （無電界時）　　　　（６０ＫＨｚ、±８ｖ矩形波印加
時）１−Ａ　　　　７．５°　　　　　　　７．８゜１
−８　　　７３’　　　　　　　　７６゜１．８−Ｃ８
，３°　　　　　　　１３．０゜実施例１８と比較例１
８により明らかなように、本発明による液晶組成物に誘
電異方性が負の液晶性化合物を混合することにより、駆
動マージンが広がった上に、さらに、ＡＣスタビライズ
効果による表示方法に用いる場合、表示特性が大幅に改
善されることがわかった。

実施例１１〜１８より明らかなように、本発明による液
晶性組成物１ｌ−Ｂ−１８−Ｂを含有する強誘電性液晶
素子は駆動マージンは広がっており、環境温度の変化や
セルギャップのバラツキに対して画像を良好に保つ能力
に優れている。

また実施例１７．　１８より明らかなように、本発明に
よる液晶組成物１７−Ｂ、　　１８−Ｂを含有する強誘
電性液晶素子は、さらにＡＣスタビライズ効果による表
示方法に用いる場合、表示特性が大幅に改善されている
。

〔発明の効果〕

本発明の強誘電性液晶組成物を含有する素子は、スイッ
チング特性が良好で、駆動電圧マージンが太き（、素子
の表示エリア上にある程度の温度バラツキがあっても全
画素が良好にマトリクス駆動できる駆動温度マージンの
広がった液晶素子とすることができる。

また、本発明の特定の化合物を有する強誘電性液晶組成
物に、誘電異方性が負の液晶性化合物を含有することに
より、前述の特徴を有したうえに、更にＡＣスタビライ
ズ効果による表示特性が大幅に改善された液晶素子を得
ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は強誘電性液晶を用いた液晶表示素子の一例の断
面概略図、 第２図および第３図は強誘電性液晶素子の動作説明のた
めに、素子セルの一例を模式的に表す斜視図、 第４図は実施例中で用いた駆動法の波形図、第５図はマ
トリクス電極を配置した強誘電性液晶パネルの平面図、 第６図は、第４図（Ｂ）に示す時系列駆動波形で実際の
駆動を行つたときの表示パターンの模式図、第７図は、
駆動電圧を変化させたときの透過率の変化を表すつまり
Ｖ−Ｔ特性図、 第８図はΔε値の異なるＦＬＣのＶｒｍｓに対するθａ
の変化を示す図である。 第を図において、 強誘電性液晶層 ガラス基板 透明電極 絶縁性配自制ｗＪ層 スペーサー リード線 電源 偏光板 光源 入射光 透過光 第２図において、 １ａ １ｂ ２ ３ ４ 第３図において、 １ａ １ｂ 基板 基板 強誘電性液晶層 液晶分子 双極子モーメント（Ｐ土） 電圧印加手段 電圧印加手段 ３ａ ３３ｂ ４ａ ４ｂ ａ ｂ 第１の安定状態 第２の安定状態 上向きの双極子モーメント 下向きの双極子モーメント 上向きの電界 下向きの電界 １ａ 宅ｂ口 軍ワの イ イＯ ０ ゾどｍｓ

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）下記一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （ただし、Ｒ＿１はＣ＿１〜Ｃ＿１＿８の置換基を有し
   ていても良い直鎖状、又は分岐状のアルキル基、Ｒ＿２
   はＣ＿１〜Ｃ＿１＿４の置換基を有していても良い直鎖
   状又は分岐状のアルキル基、Ｘ＿１、Ｘ＿２は単結合、
   −Ｏ−、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
   化学式、表等があります▼、ｍは０〜７、ｎは０もしく
   は１）で示される化合物の少なくとも一種と、 下記一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） （ただし、Ｒ＿３、Ｒ＿４はＣ＿１〜Ｃ＿１＿８の直鎖
   状のアルキル基であり、該アルキル基中のＸ＿４と結合
   しない１個のＣＨ＿２が−Ｏ−に置き換っていてもよい
   。 Ｘ＿３、Ｘ＿４は単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表
   等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
   ▲数式、化学式、表等があります▼、ｐ、ｑは０、１も
   しくは２である。ただし、同時にｐ＝０、ｑ＝０にはな
   らない。） で示される化合物の少なくとも１種と、さらに、誘電異
   方性（Δε）が負の液晶性化合物の少なくとも１種とを
   含有することを特徴とする強誘電性カイラルスメクチッ
   ク液晶組成物。
2. （２）前記誘電異方性が負の液晶性化合物がΔε＜−２
   であるところの請求項１記載の強誘電性カイラルスメク
   チック液晶組成物。
3. （３）前記誘電異方性が負の液晶性化合物がΔε＜−５
   であるところの請求項２記載の強誘電性カイラルスメク
   チック液晶組成物。
4. （４）前記誘電異方性が負の液晶性化合物がΔε＜−１
   ０であるところの請求項３記載の強誘電性カイラルスメ
   クチック液晶組成物。
5. （５）前記誘電異方性が負の液晶性化合物が下記一般式
   （III−［１］）から（III−［５］）ので示される化合
   物の中から選ばれることを特徴とする請求項１から４項
   記載の強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物。 一般式（III−［１］） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔Ｒ＿ａ、Ｒ＿ｂは置換基を有していてもよい直鎖状又
   は分岐状のアルキル基、 Ｘ＿ａ、Ｘ＿ｄは単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表
   等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
   Ｘ＿ｂ、Ｘ＿ｃは単結合、▲数式、化学式、表等があり
   ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、−ＣＨ＿
   ２ＣＨ＿２−、Ａ＿ａ、Ａ＿ｂは単結合、▲数式、化学
   式、表等があります▼（トランス）、▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
   （トランス・トランス）。 ▲数式、化学式、表等があります▼（トランス）、　▲
   数式、化学式、表等があります▼、 Ａ＿ａ、Ａ＿ｂがともに単結合の場合、Ｘ＿ｂ、Ｘ＿ｃ
   は単結合であり、Ｘ＿ａ、Ｘ＿ｄは供に単結合又は供に
   −Ｏ−であるか、又はＸ＿ａが▲数式、化学式、表等が
   あります▼で、Ｘ＿ｄが▲数式、化学式、表等がありま
   す▼である。 Ｙ＿ａ、Ｙ＿ｂは、シアノ基、ハロゲン、水素、ただし
   Ｙ＿ａ、Ｙ＿ｂが同時に水素にはならない。〕一般式（
   III−［２］） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔Ｒ＿ｅ、Ｒ＿ｆは置換基を有していてもよい直鎖状又
   は分岐状のアルキル基、 Ｘ＿ｅ、Ｘ＿ｈは単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表
   等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
   Ｘ＿ｆ、Ｘ＿ｇは▲数式、化学式、表等があります▼、
   ▲数式、化学式、表等があります▼、単結合、Ａ＿ｅ、
   Ａ＿ｆは▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
   化学式、表等があります▼、単結合、ただしＡ＿ｅ、Ａ
   ＿ｆが同時に単結合にはならない。〕一般式（III−［
   ３］） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔Ａ＿ｉは単結合、▲数式、化学式、表等があります▼
   、 Ａ＿ｊは単結合、▲数式、化学式、表等があります▼、
   ▲数式、化学式、表等があります▼、 Ｒ＿ｉ、Ｒ＿ｊは置換基を有してもよい直鎖又は分岐の
   アルキル基、ただしＡ＿ｊが単結合のとき直鎖アルキル
   基であり、Ｚ＿１は−Ｏ−又は−Ｓ−、 Ｘ＿ｉ、Ｘ＿ｋは単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表
   等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
   ▲数式、化学式、表等があります▼、Ｘ＿ｊは単結合、
   ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、−ＣＨ＿２Ｏ−、−ＯＣＨ＿２−、
   ただしＡ＿ｉが単結合のときＸ＿ｉは単結合であり、Ａ
   ＿ｊが▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化
   学式、表等があります▼のときＸ＿ｊは単結合ではなく
   、Ａ＿ｊが単結合のときＸ＿ｋは単結合である。〕一般
   式（III−［４］） 〔Ｒ＿ｌ、Ｒ＿ｍは置換基を有していてもよい直鎖又は
   分岐のアルキル基、 Ａ＿ｌ、Ａ＿ｍは単結合、▲数式、化学式、表等があり
   ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、ただしＡ
   ＿ｋ、Ａ＿ｌは同時に単結合にならない。 Ｘ＿ｌは単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表等があり
   ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、Ｘ＿ｍは
   単結合、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
   化学式、表等があります▼、−ＣＨ＿２Ｏ−、−ＯＣＨ
   ＿２−、−ＣＨ＿２ＣＨ＿２−、−Ｃ≡Ｃ−〕 一般式（III−［５］） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔Ｒ＿ｎ、Ｒ＿ｏは置換基を有していてもよい直鎖又は
   分岐のアルキル基、 Ｘ＿ｎ、Ｘ＿ｑは単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表
   等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
   Ｘ＿ｏ、Ｘ＿ｐは単結合、▲数式、化学式、表等があり
   ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、−ＣＨ＿
   ２Ｏ−、−ＯＣＨ＿２−、−ＣＨ＿２ＣＨ＿２−、 Ａ＿ｎ、Ａ＿ｐは単結合、▲数式、化学式、表等があり
   ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、Ａ＿ｏは
   ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、 Ｚ＿２は▲数式、化学式、表等があります▼又は▲数式
   、化学式、表等があります▼〕
6. （６）請求項１記載の強誘電性カイラルスメクチック液
   晶組成物を１対の電極基板間に配置してなることを特徴
   とする液晶素子。