JPH0251586A - 液晶組成物およびこれを含む液晶素子 - Google Patents
液晶組成物およびこれを含む液晶素子Info
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- JPH0251586A JPH0251586A JP63202441A JP20244188A JPH0251586A JP H0251586 A JPH0251586 A JP H0251586A JP 63202441 A JP63202441 A JP 63202441A JP 20244188 A JP20244188 A JP 20244188A JP H0251586 A JPH0251586 A JP H0251586A
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Landscapes
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は液晶表示素子や液晶−光シヤツター等に利用さ
れる液晶素子に用いる液晶組成物に関し、更に詳しくは
、電界に対する応答特性が改善された新規な液晶組成物
に関するものである。
れる液晶素子に用いる液晶組成物に関し、更に詳しくは
、電界に対する応答特性が改善された新規な液晶組成物
に関するものである。
従来より、液晶は電気光学素子として種々の分野で応用
されている。現在実用化されている液晶素子はほとんど
が、例えばM、5chadtとW、He1frich著
“Applied Physics Letters
Vo、18、No、4 (1971,2,15)、P
、127〜128のVoltage−S p e n
d e n t Op t i c a l A
c t i v i t y o f aTwis
ted Nematic Liquid Crysta
1″に示されたTN (twisted nemat
ic)型の液晶を用いたものである。
されている。現在実用化されている液晶素子はほとんど
が、例えばM、5chadtとW、He1frich著
“Applied Physics Letters
Vo、18、No、4 (1971,2,15)、P
、127〜128のVoltage−S p e n
d e n t Op t i c a l A
c t i v i t y o f aTwis
ted Nematic Liquid Crysta
1″に示されたTN (twisted nemat
ic)型の液晶を用いたものである。
これらは、液晶の誘電的配列効果に基づいており、液晶
分子の誘電異方性のために平均分子軸方向が、加えられ
た電場により特定の方向を向(効果を利用している。こ
れらの素子の光学的な応答速度の限界はミリ秒であると
いわれ、多くの応用のためには遅すぎる。一方、大型平
面デイスプレィへの応用では、価格、生産性などを考え
合せると単純マトリクス方式による駆動が最も有力であ
る。単純マトリクス方式においては、走査電極群と信号
電極群をマトリクス状に構成した電極構成が採用され、
その駆動のためには、走査電極群に順次周期的にアドレ
ス信号を選択印加し、信号電極群には所定の情報信号を
アドレス信号と同期させて並列的に選択印加する時分割
駆動方式が採用される。
分子の誘電異方性のために平均分子軸方向が、加えられ
た電場により特定の方向を向(効果を利用している。こ
れらの素子の光学的な応答速度の限界はミリ秒であると
いわれ、多くの応用のためには遅すぎる。一方、大型平
面デイスプレィへの応用では、価格、生産性などを考え
合せると単純マトリクス方式による駆動が最も有力であ
る。単純マトリクス方式においては、走査電極群と信号
電極群をマトリクス状に構成した電極構成が採用され、
その駆動のためには、走査電極群に順次周期的にアドレ
ス信号を選択印加し、信号電極群には所定の情報信号を
アドレス信号と同期させて並列的に選択印加する時分割
駆動方式が採用される。
しかしこのような駆動方式の素子に前述したTN型の液
晶を採用すると走査電極が選択され、信号電極が選択さ
れない領域、或いは走査電極が選択されず、信号電極が
選択される領域(所謂“半選択点″)にも有限に電界が
かかってしまう。選択点にかかる電圧と、半選択点にか
かる電圧の差が充分に太き(、液晶分子を電界に垂直に
配列させるのに要する電圧閾値がこの中間の電圧値に設
定されるならば、表示素子は正常に動作するわけである
が、走査線数(N)を増やして行った場合、画面全体(
lフレーム)を走査する間に一つの選択点に有効な電界
がかかっている時間(duty比)がl/Nの割合で減
少してしまう。このために、くり返し走査を行った場合
の選択点と非選択点にかかる実効値としての電圧差は、
走査線数が増えれば増える程小さ(なり、結果的には画
像コントラストの低下やクロストークが避は難い欠点と
なっている。
晶を採用すると走査電極が選択され、信号電極が選択さ
れない領域、或いは走査電極が選択されず、信号電極が
選択される領域(所謂“半選択点″)にも有限に電界が
かかってしまう。選択点にかかる電圧と、半選択点にか
かる電圧の差が充分に太き(、液晶分子を電界に垂直に
配列させるのに要する電圧閾値がこの中間の電圧値に設
定されるならば、表示素子は正常に動作するわけである
が、走査線数(N)を増やして行った場合、画面全体(
lフレーム)を走査する間に一つの選択点に有効な電界
がかかっている時間(duty比)がl/Nの割合で減
少してしまう。このために、くり返し走査を行った場合
の選択点と非選択点にかかる実効値としての電圧差は、
走査線数が増えれば増える程小さ(なり、結果的には画
像コントラストの低下やクロストークが避は難い欠点と
なっている。
このような現象は、双安定性を有さない液晶(電極面に
対し、液晶分子が水平に配向しているのが安定状態であ
り、電界が有効に印加されている間のみ垂直に配向する
)を時間的蓄積効果を利用して駆動する(即ち、繰り返
し走査する)ときに生ずる本質的には避は難い問題点で
ある。この点を改良するために、電圧平均化法、2周波
駆動法や、多重マトリクス法等が既に提案されているが
、いずれの方法でも不充分であり、表示素子の大画面化
や高密度化は、走査線数が充分に増やせないことによっ
て頭打ちになっているのが現状である。
対し、液晶分子が水平に配向しているのが安定状態であ
り、電界が有効に印加されている間のみ垂直に配向する
)を時間的蓄積効果を利用して駆動する(即ち、繰り返
し走査する)ときに生ずる本質的には避は難い問題点で
ある。この点を改良するために、電圧平均化法、2周波
駆動法や、多重マトリクス法等が既に提案されているが
、いずれの方法でも不充分であり、表示素子の大画面化
や高密度化は、走査線数が充分に増やせないことによっ
て頭打ちになっているのが現状である。
この様な従来型の液晶素子の欠点を改善するものとして
、双安定性を有する液晶素子の使用がC1ark及びL
agerwallにより提案されている(特開昭56−
107216号公報、米国特許第4367924号明細
書等)。双安定性液晶としては一般に、カイラルスメク
テイツクC相(SmC*)又はH相(SmH木)を有す
る強誘電性液晶が用いられる。この強誘電性液晶は電界
に対して第1の光学的安定状態と第2の光学的安定状態
からなる双安定状態を有し、従って前述のTN型の液晶
で用いられた光学変調素子とは異なり、例えば一方の電
界ベクトルに対して第1の光学的安定状態に液晶が配向
し、他方の電界ベクトルに対しては第2の光学的安定状
態に液晶が配向される。また、この型の液晶は、加えら
れる電界に応答して、上記2つの安定状態のいずれかを
取り、且つ電界の印加のないときはその状態を維持する
性質(双安定性)を有する。
、双安定性を有する液晶素子の使用がC1ark及びL
agerwallにより提案されている(特開昭56−
107216号公報、米国特許第4367924号明細
書等)。双安定性液晶としては一般に、カイラルスメク
テイツクC相(SmC*)又はH相(SmH木)を有す
る強誘電性液晶が用いられる。この強誘電性液晶は電界
に対して第1の光学的安定状態と第2の光学的安定状態
からなる双安定状態を有し、従って前述のTN型の液晶
で用いられた光学変調素子とは異なり、例えば一方の電
界ベクトルに対して第1の光学的安定状態に液晶が配向
し、他方の電界ベクトルに対しては第2の光学的安定状
態に液晶が配向される。また、この型の液晶は、加えら
れる電界に応答して、上記2つの安定状態のいずれかを
取り、且つ電界の印加のないときはその状態を維持する
性質(双安定性)を有する。
以上のような双安定性を有する特徴に加えて、強誘電液
晶は高速応答性であるという優れた特徴を持つ。それは
強誘電液晶の持つ自発分極と印加電場が直接作用して配
向状態の転移を誘起するためであり、誘電率異方性と電
場の作用による応答速度より3〜4オーダー速い。
晶は高速応答性であるという優れた特徴を持つ。それは
強誘電液晶の持つ自発分極と印加電場が直接作用して配
向状態の転移を誘起するためであり、誘電率異方性と電
場の作用による応答速度より3〜4オーダー速い。
このように強誘電液晶はきわめて優れた特性を潜在的に
有しており、このような性質を利用することにより、上
述した従来のTN型素子の問題点の多くに対して、かな
り本質的な改善が得られる。特に、高速光学光シャッタ
ーや、高密度、大画面デイスプレィへの応用が期待され
る。このため強誘電性を持つ液晶材料に関しては広(研
究がなされているが、現在までに開発された強誘電性液
晶材料は、低温作動特性、高速応答性等を含めて液晶素
子に用いる十分な特性を備えているとは云い難い。
有しており、このような性質を利用することにより、上
述した従来のTN型素子の問題点の多くに対して、かな
り本質的な改善が得られる。特に、高速光学光シャッタ
ーや、高密度、大画面デイスプレィへの応用が期待され
る。このため強誘電性を持つ液晶材料に関しては広(研
究がなされているが、現在までに開発された強誘電性液
晶材料は、低温作動特性、高速応答性等を含めて液晶素
子に用いる十分な特性を備えているとは云い難い。
応答時間τと自発分極の大きさPsおよび粘度ηの間に
は η τ= (ただしEは印加電圧である)Ps−E の関係が存在する。したがって応答速度を速くするには
、 (ア)自発分極の大きさPsを大きくする(イ)粘度η
を小さくする (つ)印加電圧Eを高くする 方法がある。しかし印加電圧は、IC等で駆動するため
上限があり、出来るだけ低い方が望ましい。
は η τ= (ただしEは印加電圧である)Ps−E の関係が存在する。したがって応答速度を速くするには
、 (ア)自発分極の大きさPsを大きくする(イ)粘度η
を小さくする (つ)印加電圧Eを高くする 方法がある。しかし印加電圧は、IC等で駆動するため
上限があり、出来るだけ低い方が望ましい。
よって、実際には粘度ηを小さ(するか、自発分極の大
きさPsの値を大きくする必要がある。
きさPsの値を大きくする必要がある。
一般的に自発分極の大きい強誘電性カイラルスメクチッ
ク液晶化合物においては、自発分極のもたらすセルの内
部電界も大きく、双安定状態をとり得る素子構成への制
約が多くなる傾向にある。又、いたずらに自発分極を大
きくしても、それにつれて粘度も大きくなる傾向にあり
、結果的には応答速度はあまり速くならないことが考え
られる。
ク液晶化合物においては、自発分極のもたらすセルの内
部電界も大きく、双安定状態をとり得る素子構成への制
約が多くなる傾向にある。又、いたずらに自発分極を大
きくしても、それにつれて粘度も大きくなる傾向にあり
、結果的には応答速度はあまり速くならないことが考え
られる。
また、実際のデイスプレィとしての使用温度範囲が例え
ば5〜40℃程度とした場合、応答速度の変化が一般に
20倍程もあり、駆動電圧及び周波数による調節の限界
を越えているのが現状である。
ば5〜40℃程度とした場合、応答速度の変化が一般に
20倍程もあり、駆動電圧及び周波数による調節の限界
を越えているのが現状である。
この強誘電性液晶層を一対の基板間に挾持した素子で前
述した様な単純マトリクス表示装置とした場合では、例
えば特開昭59−193426号公報、同60−156
046号公報や同60−156047号公報などに開示
された駆動法を適用することができる。
述した様な単純マトリクス表示装置とした場合では、例
えば特開昭59−193426号公報、同60−156
046号公報や同60−156047号公報などに開示
された駆動法を適用することができる。
第4図は、本発明の実施例中で用いた駆動法の波形図で
ある。又、第5図は、本発明で用いたマトリクス電極を
配置した強誘電性液晶パネル51の平面図である。第5
図のパネル51には、走査線52とデータ線53とが互
いに交差して配線され、その交差部の走査線52とデー
タ線53との間には強誘電性液晶が配置されている。
ある。又、第5図は、本発明で用いたマトリクス電極を
配置した強誘電性液晶パネル51の平面図である。第5
図のパネル51には、走査線52とデータ線53とが互
いに交差して配線され、その交差部の走査線52とデー
タ線53との間には強誘電性液晶が配置されている。
第4図(A)中のSsは選択された走査線に印加する選
択走査波形を、SNは選択されていない非選択走査波形
を、■、は選択されたデータ線に印加する選択情報波形
(黒)を、INは選択されていないデータ線に印加する
非選択情報信号(白)を表わしている。又、図中(Is
ss)と(IN SS)は選択された走査線上の
画素に印加する電圧波形で、電圧(Is ss)が印
加された画素は黒の表示状態をとり、電圧(IN S
S)が印加された画素は白の表示状態をとる。
択走査波形を、SNは選択されていない非選択走査波形
を、■、は選択されたデータ線に印加する選択情報波形
(黒)を、INは選択されていないデータ線に印加する
非選択情報信号(白)を表わしている。又、図中(Is
ss)と(IN SS)は選択された走査線上の
画素に印加する電圧波形で、電圧(Is ss)が印
加された画素は黒の表示状態をとり、電圧(IN S
S)が印加された画素は白の表示状態をとる。
第4図(B)は第4図(A)に示す駆動波形で第6図に
示す表示を行ったときの時系列波形である。
示す表示を行ったときの時系列波形である。
第4図に示す駆動例では、選択された走査線上の画素に
印加される単一極性電圧の最小印加時間Δtが書込み位
相t2の時間に相当し、1ラインクリヤ1.位相の時間
が2Δtに設定されている。
印加される単一極性電圧の最小印加時間Δtが書込み位
相t2の時間に相当し、1ラインクリヤ1.位相の時間
が2Δtに設定されている。
さて、第4図に示した駆動波形の各パラメータvsl
y、 + Δtの値は使用する液晶材料のスイッチング
特性によって決定される。
y、 + Δtの値は使用する液晶材料のスイッチング
特性によって決定される。
第7図は後述するバイアス比を一定に保ったまま駆動電
圧(Vs +V+ )を変化させたときの透過率Tの変
化即ちV−T特性を示したものである。ここでは、Δt
=50 μs、バイアス比V+/(V+ +Vs)=l
/3に固定されている。第7図の正側は第4図で示した
(IN SS)、負側は(I s S s )で
示した波形が印加される。
圧(Vs +V+ )を変化させたときの透過率Tの変
化即ちV−T特性を示したものである。ここでは、Δt
=50 μs、バイアス比V+/(V+ +Vs)=l
/3に固定されている。第7図の正側は第4図で示した
(IN SS)、負側は(I s S s )で
示した波形が印加される。
ここで、V、、V3をそれぞれ実駆動閾値電圧、及びク
ロストーク電圧と呼ぶ。但しくv2くvlくv3)また
ΔV=(V3 V+)を駆動電圧マージンと呼び、マト
リクス駆動可能な電圧幅となる。v3はFLCのマトリ
クス駆動上、一般的に存在すると言ってよい。具体的に
は、第4図(A) (IN S s )の波形におけ
るvAによるスイッチングを起こす電圧値である。勿論
、バイアス比を大きくすることによりv3の値を太き(
することは可能であるが、バイアス比を増すことは情報
信号の振幅を大きくすることを意味し、画質的にはちら
つきの増大、コントラストの低下を招き好まくない。我
々の検討ではバイアス比は1/3〜174程度が実用的
であった。ところでバイアス比を固定すれば電圧マージ
ンΔVは液晶材料のスイッチング特性に強く依存し、Δ
Vの大きい液晶材料がマトリクス駆動上非常に有利であ
ることは言うまでもない。
ロストーク電圧と呼ぶ。但しくv2くvlくv3)また
ΔV=(V3 V+)を駆動電圧マージンと呼び、マト
リクス駆動可能な電圧幅となる。v3はFLCのマトリ
クス駆動上、一般的に存在すると言ってよい。具体的に
は、第4図(A) (IN S s )の波形におけ
るvAによるスイッチングを起こす電圧値である。勿論
、バイアス比を大きくすることによりv3の値を太き(
することは可能であるが、バイアス比を増すことは情報
信号の振幅を大きくすることを意味し、画質的にはちら
つきの増大、コントラストの低下を招き好まくない。我
々の検討ではバイアス比は1/3〜174程度が実用的
であった。ところでバイアス比を固定すれば電圧マージ
ンΔVは液晶材料のスイッチング特性に強く依存し、Δ
Vの大きい液晶材料がマトリクス駆動上非常に有利であ
ることは言うまでもない。
この様な、ある一定温度において、情報信号の2通りの
向きによって選択画素に「黒」および「白」の二状態を
書き込むことが可能であり、非選択画素はその「黒」ま
たは「白」の状態を保持することが可能である印加電圧
の上下限の値およびその幅(駆動電圧マージンΔV)は
液晶材料間で差があり、特有なものである。また環境温
度の変化によっても駆動マージンはズしてい(ため、実
際の表示装置の場合、液晶材料や環境温度に対して最適
駆動電圧にしておく必要がある。
向きによって選択画素に「黒」および「白」の二状態を
書き込むことが可能であり、非選択画素はその「黒」ま
たは「白」の状態を保持することが可能である印加電圧
の上下限の値およびその幅(駆動電圧マージンΔV)は
液晶材料間で差があり、特有なものである。また環境温
度の変化によっても駆動マージンはズしてい(ため、実
際の表示装置の場合、液晶材料や環境温度に対して最適
駆動電圧にしておく必要がある。
しかしながら、実用上この様なマトリクス表示装置の表
示面積を拡大していく場合、各画素における液晶の存在
環境の差(具体的には、温度や電極間のセルギャップの
差)は当然大きくなり、駆動電圧マージンが小さな液晶
では表示エリア全体に良好な画像を得ることが出来なく
なる。
示面積を拡大していく場合、各画素における液晶の存在
環境の差(具体的には、温度や電極間のセルギャップの
差)は当然大きくなり、駆動電圧マージンが小さな液晶
では表示エリア全体に良好な画像を得ることが出来なく
なる。
本発明の目的は、強誘電性液晶素子を実用できるように
、応答速度が速く、又、その温度依存性の軽減、又は駆
動電圧マージンの拡大により、液晶素子の表示エリア上
にある程度の温度バラツキがあっても、全画素が良好に
マトリクス駆動できる駆動温度マージンの広いカイラル
スメクチック液晶組成物および該液晶組成物を使用する
液晶素子を提供することにある。
、応答速度が速く、又、その温度依存性の軽減、又は駆
動電圧マージンの拡大により、液晶素子の表示エリア上
にある程度の温度バラツキがあっても、全画素が良好に
マトリクス駆動できる駆動温度マージンの広いカイラル
スメクチック液晶組成物および該液晶組成物を使用する
液晶素子を提供することにある。
本発明は下記一般式(I)
(ただし、R2,R2はCl−Cl3の直鎖状のアルキ
ル基であり、該アルキル基中のXI + X2に結合
しない1個の−CH2−が−〇−に置き換っていても良
い。Xl r x2は単結合、−〇−示す。) で示され4化合物の少なくとも一種と、下記一般式(I
I ) R3−X3eOcH2舎R4 (n) (ただし、R3は置換基を有していても良い01〜CI
Iの直鎖状又は分岐状のアルキル基、R4はC1〜C1
□の直鎖状のアルキル基、X3は単結合。
ル基であり、該アルキル基中のXI + X2に結合
しない1個の−CH2−が−〇−に置き換っていても良
い。Xl r x2は単結合、−〇−示す。) で示され4化合物の少なくとも一種と、下記一般式(I
I ) R3−X3eOcH2舎R4 (n) (ただし、R3は置換基を有していても良い01〜CI
Iの直鎖状又は分岐状のアルキル基、R4はC1〜C1
□の直鎖状のアルキル基、X3は単結合。
で示される化合物の少な(とも一種と、下記一般式(m
) 板間に配置してなる液晶素子を提供するものである。
) 板間に配置してなる液晶素子を提供するものである。
前述の一般式(1)で示される化合物において好ましい
化合物例として(I−a)〜(1−p)式で表わされる
化合物を挙げることができる。
化合物例として(I−a)〜(1−p)式で表わされる
化合物を挙げることができる。
(ただし、R5,R6は置換基を有していても良い01
〜CI8の直鎖状又は分岐状のアルキル基であり、かつ
少なくとも一方は光学活性である。
〜CI8の直鎖状又は分岐状のアルキル基であり、かつ
少なくとも一方は光学活性である。
で示される化合物の少なくとも1種とを含有することを
特徴とする強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物な
らびに該液晶組成物を一対の電極基又、さらに上述の(
I−a)〜(I−p)式におけるR1+ R2の好まし
い例として(1−i)、(1−ii)を挙げることがで
きる。
特徴とする強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物な
らびに該液晶組成物を一対の電極基又、さらに上述の(
I−a)〜(I−p)式におけるR1+ R2の好まし
い例として(1−i)、(1−ii)を挙げることがで
きる。
(I−i)
R1がn−アルキル基
R2がn−アルキル基
R3X 380CH2@ R4
R3−X 544ocトω−R4
R3X34舎0CH2舎R4
(n −a )
(n−b)
(II−c)
(1−4i)
R2がn−アルキル基 R2が (CH2) e
OR?lは1〜12 R7はC1〜CI6の直鎖状のアルキル基又、前述の一
般式(IF)で示される化合物において好ましい化合物
例として下記(II−a)〜(II −d)式で表わさ
れる化合物を挙げることができる。
OR?lは1〜12 R7はC1〜CI6の直鎖状のアルキル基又、前述の一
般式(IF)で示される化合物において好ましい化合物
例として下記(II−a)〜(II −d)式で表わさ
れる化合物を挙げることができる。
(以下、余白)
じ邑
又、さらに上述の(I[=a)〜(II−d)式におけ
るx3の好ましい例としてX3は単結合、−〇〜R3の
好ましい例としてR3は直鎖状のアルキル基を挙げるこ
とができる。
るx3の好ましい例としてX3は単結合、−〇〜R3の
好ましい例としてR3は直鎖状のアルキル基を挙げるこ
とができる。
又、前述の一般式(m)で示される化合物におけるX4
.x5の好ましい例として、x4は一〇−又、さらにR
5,R6のより好ましい例として下記する(III−i
)〜(m−v)を挙げることができる。
.x5の好ましい例として、x4は一〇−又、さらにR
5,R6のより好ましい例として下記する(III−i
)〜(m−v)を挙げることができる。
(m −4)
R
8〜R11は直鎖状又は分岐状のアルキル基、m。
R5が
n−アルキル基
n、 p、 rは0〜7、q、Sは0又は1゜CH3
R6が
モCH2:11−mCH
*
(■
ii)
CH3
R5が
千CH2E)−nCH−R。
*
R6が
アルキル基
(■
1ii)
R5が
CH3
壬CH2矢。CH−R3
*
CH3
R6が
、(:CH2E)−mCH
*
(II −1v)
R5が n−アルキル基
CH3
R6が
モCH2:)CH÷CH2シ、OR3゜p、s
R5が
%C)12″)−rCH−fl=cH2)−、OR,。
*
R6が
アルキル基
前記一般式
で表わされる液晶性化合物の具
体的な構造式の例を以下に示す。
■−12
■−16
■
■−49
■
(以下余白)
LL仄
前記一般式
で示される化合物は、
例えば下
記に示すような合成経路で得ることができる。
(R
は前述の通り)
前記一般式(n)
で表わされる液晶化合物の具
体的な構造式の例を以下に記す。
一般式(II)で示される化合物の代表的な合成例を以
下に記す。
下に記す。
合成例1(化合物No、2−4の合成)(I)トランス
−4−n−プロピルシクロヘキサンカルボン酸クロライ
ド10g (53,6mmoj’)をエタノール30m
j!にとかじ、これに少量のトリエチルアミンを加え室
温で10時間撹拌した。反応混合物を氷水100mji
’に注入し、6N塩酸水溶液を加え酸性側とした後、イ
ソプロピルエーテルにより抽出した。有機層を洗液が中
性となるまで水洗を繰り返した後、硫酸マグネシウムに
より乾燥した。溶媒留去後、シリカゲルカラムクロマト
グラフィーにより精製し、トランス−4−n−プロピル
シクロヘキサンカルボン酸エチルエステル9.9gを得
た。
−4−n−プロピルシクロヘキサンカルボン酸クロライ
ド10g (53,6mmoj’)をエタノール30m
j!にとかじ、これに少量のトリエチルアミンを加え室
温で10時間撹拌した。反応混合物を氷水100mji
’に注入し、6N塩酸水溶液を加え酸性側とした後、イ
ソプロピルエーテルにより抽出した。有機層を洗液が中
性となるまで水洗を繰り返した後、硫酸マグネシウムに
より乾燥した。溶媒留去後、シリカゲルカラムクロマト
グラフィーにより精製し、トランス−4−n−プロピル
シクロヘキサンカルボン酸エチルエステル9.9gを得
た。
(II)水素化アルミニウムリチウム0.73g (1
9,1mmo!りを乾燥エーテル30 m lに添加し
、1時間加熱還流した。氷水浴中で10℃程度まで冷却
した後、乾燥エーテル30 m i!に溶かしたトラン
ス−4−n−プロピルシクロヘキサンカルボン酸エチル
エステル5g (25,5mmoIりを徐々に滴下した
。滴下終了後、室温で1時間撹拌し、さらに1時間加熱
還流させた。これを酢酸エチル、6N塩酸水溶液で処理
した後、氷水200 m I!に注入した。
9,1mmo!りを乾燥エーテル30 m lに添加し
、1時間加熱還流した。氷水浴中で10℃程度まで冷却
した後、乾燥エーテル30 m i!に溶かしたトラン
ス−4−n−プロピルシクロヘキサンカルボン酸エチル
エステル5g (25,5mmoIりを徐々に滴下した
。滴下終了後、室温で1時間撹拌し、さらに1時間加熱
還流させた。これを酢酸エチル、6N塩酸水溶液で処理
した後、氷水200 m I!に注入した。
イソプロピルエーテルにより抽出した後、有機相を水、
水酸化ナトリウム水溶液、水で順次洗浄し、硫酸マグネ
シウムにより乾燥した。溶媒留去後、シリカゲルカラム
クロマトグラフィーにより精製し、トランスル4−n−
プロピルシクロヘキシルメタノール3.5gを得た。
水酸化ナトリウム水溶液、水で順次洗浄し、硫酸マグネ
シウムにより乾燥した。溶媒留去後、シリカゲルカラム
クロマトグラフィーにより精製し、トランスル4−n−
プロピルシクロヘキシルメタノール3.5gを得た。
(■)トランス−4−n−プロピルシクロヘキシルメタ
ノール3.4g (22,4mmoA )をピリジン2
0ml1に溶かした。これにピリジン20mA’に溶か
したp−トルエンスルホン酸クロライド5.3gを氷水
洛中で5℃以下に冷却しながら滴下した。室温で10時
間撹拌した後、氷水200 m lに注入した。6N塩
酸水溶液により酸性側とした後、イソプロピルエーテル
で抽出した。有機相を洗液が中性となるまで水洗を繰り
返した後、硫酸マグネシウムにより乾燥した。これを溶
媒留去して、トランス−4−nプロピルシクロヘキシル
メチル−p−)ルエンスルホネートを得た。
ノール3.4g (22,4mmoA )をピリジン2
0ml1に溶かした。これにピリジン20mA’に溶か
したp−トルエンスルホン酸クロライド5.3gを氷水
洛中で5℃以下に冷却しながら滴下した。室温で10時
間撹拌した後、氷水200 m lに注入した。6N塩
酸水溶液により酸性側とした後、イソプロピルエーテル
で抽出した。有機相を洗液が中性となるまで水洗を繰り
返した後、硫酸マグネシウムにより乾燥した。これを溶
媒留去して、トランス−4−nプロピルシクロヘキシル
メチル−p−)ルエンスルホネートを得た。
(TV)ジメチルホルムアミド40m1に5−デシル−
2−(4’−ヒドロキシフェニル)ピリミジン6.3g
(20,2mmojlりを溶かした。これに85%水酸
化カリウム1.5gを加え、100℃で1時間撹拌した
。
2−(4’−ヒドロキシフェニル)ピリミジン6.3g
(20,2mmojlりを溶かした。これに85%水酸
化カリウム1.5gを加え、100℃で1時間撹拌した
。
これにトランス−4−n−プロピルシクロヘキシルメチ
ル−p−トルエンスルホネート6.9gを加え、さらに
100℃で4時間撹拌した。反応終了後、これを氷水2
00mjl’に注入し、ベンゼンで抽出した。
ル−p−トルエンスルホネート6.9gを加え、さらに
100℃で4時間撹拌した。反応終了後、これを氷水2
00mjl’に注入し、ベンゼンで抽出した。
有機相を水洗した後、硫酸マグネシウムにより乾燥した
。溶媒留去後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーに
より精製し、これをさらにエタノール/酢酸エチル混合
溶媒から再結晶して、前記例示化合物No、2−4を得
た。
。溶媒留去後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーに
より精製し、これをさらにエタノール/酢酸エチル混合
溶媒から再結晶して、前記例示化合物No、2−4を得
た。
IR(cm−’) :
2920、 2840. 1608. 1584142
8、 1258. 1164. 800相転移温度 (℃) 前記一般式 で表わされる液晶性化合物の 具体的な構造式の例を以下に記す。
8、 1258. 1164. 800相転移温度 (℃) 前記一般式 で表わされる液晶性化合物の 具体的な構造式の例を以下に記す。
62.9
86.8
97.8
136.8
(Sm2はSmA。
SmC以外のスメクチック相。
未同定)
C1□H250+Co+O+:CH2:)2 CHC2
H5ハ ゛ O 前記一般式 (m) で示される化合物、 例えば 合成経路で得ることができる。
H5ハ ゛ O 前記一般式 (m) で示される化合物、 例えば 合成経路で得ることができる。
(R
は前述の通り)
本発明の液晶組成物は、前記一般式(1)で示される化
合物の少なくとも1種、前記一般式(n)で示される化
合物の少なくとも1種、及び一般式(III)で示され
る化合物の少な(とも1種とを、適当な割合で混合する
ことにより得ることができる。
合物の少なくとも1種、前記一般式(n)で示される化
合物の少なくとも1種、及び一般式(III)で示され
る化合物の少な(とも1種とを、適当な割合で混合する
ことにより得ることができる。
又、本発明による液晶組成物と、他の液晶性化合物1種
以上とをさらに適当な割合で混合し、本発明の液晶組成
物としても良い。
以上とをさらに適当な割合で混合し、本発明の液晶組成
物としても良い。
又、本発明による液晶組成物は、強誘電性液晶組成物、
特に強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物が好まし
い。
特に強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物が好まし
い。
本発明で用いる他の液晶性化合物の具体例を下記にあげ
る。
る。
[ユJ
υ
υ
υ
υ
υ
υ
本発明の一般式(I)で示される液晶性化合物、一般式
(n)で示される液晶性化合物および一般式(m)で示
される液晶性化合物それぞれと、上述した他の液晶性化
合物一種以上、あるいは、それを含む強誘電性液晶性組
成物(強誘電性液晶材料と略す)との配合割合は、強誘
電性液晶材料100゜重量部当り、本発明一般式(I)
、一般式(II)および一般式(ffl)で示される液
晶性化合物それぞれを1〜300重量部、より好ましく
は1〜100重量部とすることが好ましい。
(n)で示される液晶性化合物および一般式(m)で示
される液晶性化合物それぞれと、上述した他の液晶性化
合物一種以上、あるいは、それを含む強誘電性液晶性組
成物(強誘電性液晶材料と略す)との配合割合は、強誘
電性液晶材料100゜重量部当り、本発明一般式(I)
、一般式(II)および一般式(ffl)で示される液
晶性化合物それぞれを1〜300重量部、より好ましく
は1〜100重量部とすることが好ましい。
また、本発明の一般式(I)、一般式(II)および一
般式(II[)で示される液晶性化合物のいずれか、あ
るいは全てを2種以上用いる場合も強誘電性液晶材料と
の配合割合は前述した強誘電性液晶材料100重量部当
り、本発明一般式(I)、一般式(n)および一般式(
m)で示される液晶性化合物のいずれか、あるいは全て
の2種以上の混合物を1〜500重量部、より好ましく
は1〜100重量部とすることがのぞましい。
般式(II[)で示される液晶性化合物のいずれか、あ
るいは全てを2種以上用いる場合も強誘電性液晶材料と
の配合割合は前述した強誘電性液晶材料100重量部当
り、本発明一般式(I)、一般式(n)および一般式(
m)で示される液晶性化合物のいずれか、あるいは全て
の2種以上の混合物を1〜500重量部、より好ましく
は1〜100重量部とすることがのぞましい。
第1図は強誘電性液晶素子の構成の説明のために、本発
明の強誘電性液晶層を有する液晶素子の1例の断面概略
図である。
明の強誘電性液晶層を有する液晶素子の1例の断面概略
図である。
第1図において符号lは強誘電性液晶層、2はガラス基
板、3は透明電極、4は絶縁性配向制御層、5はスペー
サー、6はリード線、7は電源、8は偏光板、9は光源
を示している。
板、3は透明電極、4は絶縁性配向制御層、5はスペー
サー、6はリード線、7は電源、8は偏光板、9は光源
を示している。
2枚のガラス基板2には、それぞれIn2o3゜SnO
2あるいはITO(Indium−Tin 0xid
e)等の薄膜から成る透明電極が被覆されている。その
上にポリイミドの様な高分子の薄膜をガーゼやアセテー
ト植毛布等でラビングして、液晶をラビング方向に並べ
る絶縁性配向制御層が形成されている。また絶縁物質と
して例えばシリコン窒化物、水素を含有するシリコン炭
化物、シリコン酸化物、硼素窒化物、水素を含有する硼
素窒化物、セリウム酸化物、アルミニウム酸化物、ジル
コニウム酸化物、チタン酸化物やフッ化マグネシウムな
どの無機物質絶縁層を形成し、その上にポリビニルアル
コール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエステル
イミド、ポリパラキシレン、ポリエスチル、ポリカーボ
ネート、ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポリ
酢酸ビニル、ポリアミド、ポリスチレン、セルロース樹
脂、メラミン樹脂、ユリャ樹脂、アクリル樹脂やフォト
レジスト樹脂などの有機絶縁物質を配向制御層として、
2層で絶縁性配向制御層が形成されていてもよく、また
無機物質絶縁性配向制御層あるいは有機物質絶縁性配向
制御層単層であっても良い。この絶縁性配向制御層が無
機系ならば蒸着法などで形成でき、有機系ならば有機絶
縁物質を溶解させた溶液、またはその前駆体溶液(溶剤
0.1〜20重量%、好ましくは0.2〜10重量%)
を用いて、スピンナー塗布法、浸漬塗布法、スクリーン
印刷法、スプレー塗布法、ロール塗布法等で塗布し、所
定の硬化条件下(例えば加熱下)で硬化させ形成させる
ことができる。
2あるいはITO(Indium−Tin 0xid
e)等の薄膜から成る透明電極が被覆されている。その
上にポリイミドの様な高分子の薄膜をガーゼやアセテー
ト植毛布等でラビングして、液晶をラビング方向に並べ
る絶縁性配向制御層が形成されている。また絶縁物質と
して例えばシリコン窒化物、水素を含有するシリコン炭
化物、シリコン酸化物、硼素窒化物、水素を含有する硼
素窒化物、セリウム酸化物、アルミニウム酸化物、ジル
コニウム酸化物、チタン酸化物やフッ化マグネシウムな
どの無機物質絶縁層を形成し、その上にポリビニルアル
コール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエステル
イミド、ポリパラキシレン、ポリエスチル、ポリカーボ
ネート、ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポリ
酢酸ビニル、ポリアミド、ポリスチレン、セルロース樹
脂、メラミン樹脂、ユリャ樹脂、アクリル樹脂やフォト
レジスト樹脂などの有機絶縁物質を配向制御層として、
2層で絶縁性配向制御層が形成されていてもよく、また
無機物質絶縁性配向制御層あるいは有機物質絶縁性配向
制御層単層であっても良い。この絶縁性配向制御層が無
機系ならば蒸着法などで形成でき、有機系ならば有機絶
縁物質を溶解させた溶液、またはその前駆体溶液(溶剤
0.1〜20重量%、好ましくは0.2〜10重量%)
を用いて、スピンナー塗布法、浸漬塗布法、スクリーン
印刷法、スプレー塗布法、ロール塗布法等で塗布し、所
定の硬化条件下(例えば加熱下)で硬化させ形成させる
ことができる。
絶縁性配向制御層の層厚は通常30人〜1μm1好まし
くは30人〜3000人、さらに好ましくは50人〜1
000人が適している。
くは30人〜3000人、さらに好ましくは50人〜1
000人が適している。
この2枚のガラス基板2はスペーサー5によって任意の
間隔に保たれている。例えば所定の直径を持つシリカビ
ーズ、アルミナビーズをスペーサーとしてガラス基板2
枚で挾持し、周囲をシール材、例えばエポキシ系接着材
を用いて密封する方法がある。その他スペーサーとして
高分子フィルムやガラスファイバーを使用しても良い。
間隔に保たれている。例えば所定の直径を持つシリカビ
ーズ、アルミナビーズをスペーサーとしてガラス基板2
枚で挾持し、周囲をシール材、例えばエポキシ系接着材
を用いて密封する方法がある。その他スペーサーとして
高分子フィルムやガラスファイバーを使用しても良い。
この2枚のガラス基板の間に強誘電性液晶が封入されて
いる。
いる。
強誘電性液晶が封入された強誘電性液晶層は、一般には
0.5〜20μm1好ましくは1〜5μmである。
0.5〜20μm1好ましくは1〜5μmである。
また、この強誘電性液晶は室温を含む広い温度域(特に
低温側)でSmC*相(カイラルスメクチックC相)を
有し、高速応答性を有することが望ましい。さらに応答
速度の温度依存性が小さいこと、および駆動電圧マージ
ンが広いことが望まれる。
低温側)でSmC*相(カイラルスメクチックC相)を
有し、高速応答性を有することが望ましい。さらに応答
速度の温度依存性が小さいこと、および駆動電圧マージ
ンが広いことが望まれる。
また、特に素子とした場合に良好な均−配向性を示すモ
ノドメイン状態を得るには、その強誘電性液晶は等吉相
からch相(コレステリック相)S m A相(スメク
チックA相)−SmC*相(カイラルスメクチックC相
)という相転移系列を有していることが望ましい。
ノドメイン状態を得るには、その強誘電性液晶は等吉相
からch相(コレステリック相)S m A相(スメク
チックA相)−SmC*相(カイラルスメクチックC相
)という相転移系列を有していることが望ましい。
透明電極3からはリード線によって外部電源7に接続さ
れている。
れている。
またガラス基板2の外側には偏光板8が貼り合わせであ
る。
る。
第1図は透明型なので光源9を備えている。
第2図は強誘電性液晶素子の動作説明のために、セルの
例を模式的に描いたものである。21aと21bはそれ
ぞれIn 203 、 SnO2あるいはITO(In
dium−Tin 0xide)等の薄膜からなる透
明電極で被覆された基板(ガラス板)であり、その間に
液晶分子層22がガラス面に垂直になるよう配向したS
mC*相またはSmH*相の液晶が封入されている。太
線で示した線23が液晶分子を表わしており、この液晶
分子23はその分子に直交した方向に双極子モーメント
(P土)24を有している。基板21aと21b上の電
極間に一定の閾値以上の電圧を印加すると、液晶分子2
3のらせん構造がほどけ、双極子モーメント(P上)2
4がすべて電界方向に向(よう、液晶分子23は配向方
向を変えることができる。液晶分子23は細長い形状を
有しており、その長袖方向と短軸方向で屈折率異方性を
示し、従って例えばガラス面の上下に互いにクロスニコ
ルの偏光子を置けば、電圧印加極性によって光学特性が
変わる液晶光学変調素子となることは、容易に理解され
る。
例を模式的に描いたものである。21aと21bはそれ
ぞれIn 203 、 SnO2あるいはITO(In
dium−Tin 0xide)等の薄膜からなる透
明電極で被覆された基板(ガラス板)であり、その間に
液晶分子層22がガラス面に垂直になるよう配向したS
mC*相またはSmH*相の液晶が封入されている。太
線で示した線23が液晶分子を表わしており、この液晶
分子23はその分子に直交した方向に双極子モーメント
(P土)24を有している。基板21aと21b上の電
極間に一定の閾値以上の電圧を印加すると、液晶分子2
3のらせん構造がほどけ、双極子モーメント(P上)2
4がすべて電界方向に向(よう、液晶分子23は配向方
向を変えることができる。液晶分子23は細長い形状を
有しており、その長袖方向と短軸方向で屈折率異方性を
示し、従って例えばガラス面の上下に互いにクロスニコ
ルの偏光子を置けば、電圧印加極性によって光学特性が
変わる液晶光学変調素子となることは、容易に理解され
る。
本発明の光学変調素子で好ましく用いられる液晶セルは
、その厚さを充分に薄く(例えば10μ以下)すること
ができる。このように液晶層が薄くなるにしたがい、第
3図に示すように電界を印加していない状態でも液晶分
子のらせん構造がほどけ、その双極子モーメントPaま
たはpbは上向き(34a)または下向き(34b)の
どちらかの状態をとる。このようなセルに、第3図に示
す如く一定の閾値以上の極性の異る電界EaまたはEb
を電圧印加手段31aと31bにより付与すると、双極
子モーメントは電界EaまたはEbの電界ベクトルに対
応して上向き34aまたは下向き34bと向きを変え、
それに応じて液晶分子は、第1の安定状態33aかある
いは第2の安定状態33bの何れか一方に配向する。
、その厚さを充分に薄く(例えば10μ以下)すること
ができる。このように液晶層が薄くなるにしたがい、第
3図に示すように電界を印加していない状態でも液晶分
子のらせん構造がほどけ、その双極子モーメントPaま
たはpbは上向き(34a)または下向き(34b)の
どちらかの状態をとる。このようなセルに、第3図に示
す如く一定の閾値以上の極性の異る電界EaまたはEb
を電圧印加手段31aと31bにより付与すると、双極
子モーメントは電界EaまたはEbの電界ベクトルに対
応して上向き34aまたは下向き34bと向きを変え、
それに応じて液晶分子は、第1の安定状態33aかある
いは第2の安定状態33bの何れか一方に配向する。
このような強誘電性を光学変調素子として用いることの
利点は先にも述べたが2つある。
利点は先にも述べたが2つある。
その第1は、応答速度が極めて速いことであり、第2は
液晶分子の配向が双安定性を有することである。第2の
点を例えば第3図によって更に説明すると、電界Eaを
印加すると液晶分子は第1の安定状態33aに配向する
が、この状態は電界を切っても安定である。また、逆向
きの電界Ebを印加すると、液晶分子は第2の安定状態
33bに配向してその分子の向きを変えるが、やはり電
界を切ってもこの状態に留っている。また与える電界E
aあるいはEbが一定の閾値を越えない限り、それぞれ
前の配向状態にやはり維持されている。
液晶分子の配向が双安定性を有することである。第2の
点を例えば第3図によって更に説明すると、電界Eaを
印加すると液晶分子は第1の安定状態33aに配向する
が、この状態は電界を切っても安定である。また、逆向
きの電界Ebを印加すると、液晶分子は第2の安定状態
33bに配向してその分子の向きを変えるが、やはり電
界を切ってもこの状態に留っている。また与える電界E
aあるいはEbが一定の閾値を越えない限り、それぞれ
前の配向状態にやはり維持されている。
この様な特性を有する強誘電性液晶材料を一対の基板間
に挾持した素子で単純マトリクス表示装置とした場合、
例えば特開昭59−193426号公報、同59−19
3427号公報、同60−156046.号公報や同6
0−156047号公報などに開示された駆動法を適用
することができる。
に挾持した素子で単純マトリクス表示装置とした場合、
例えば特開昭59−193426号公報、同59−19
3427号公報、同60−156046.号公報や同6
0−156047号公報などに開示された駆動法を適用
することができる。
第4図は、本発明の実施例中で用いた駆動法の波形図で
ある。また、第5図は、本発明で用いたマトリクス電極
を配置した強誘電性液晶パネル51の平面図である。第
5図のパネル51には、走査線52とデータ線53とが
互いに交差して配線され、その交差部の走査線52とデ
ータ線53との間には強誘電性液晶が配置されている。
ある。また、第5図は、本発明で用いたマトリクス電極
を配置した強誘電性液晶パネル51の平面図である。第
5図のパネル51には、走査線52とデータ線53とが
互いに交差して配線され、その交差部の走査線52とデ
ータ線53との間には強誘電性液晶が配置されている。
第4図(A)中のSsは選択された走査線に印加する選
択走査波形を、SNは選択されていない非選択走査波形
を、■8は選択されたデータ線に印加する選択情報波形
(黒)を、■、は選択されていないデータ線に印加する
非選択情報信号(白)を表わしている。また、図中(I
s ss)と(IN ss)は選択された走査線上
の画素に印加する電圧波形で、電圧(Is ss)が
印加された画素は黒の表示状態をとり、電圧(IN
ss)が印加された画素は白の表示状態をとる。
択走査波形を、SNは選択されていない非選択走査波形
を、■8は選択されたデータ線に印加する選択情報波形
(黒)を、■、は選択されていないデータ線に印加する
非選択情報信号(白)を表わしている。また、図中(I
s ss)と(IN ss)は選択された走査線上
の画素に印加する電圧波形で、電圧(Is ss)が
印加された画素は黒の表示状態をとり、電圧(IN
ss)が印加された画素は白の表示状態をとる。
第4図(B)は第4図(A)に示す駆動波形で第6図に
示す表示を行ったときの時系列波形である。
示す表示を行ったときの時系列波形である。
第4図に示す駆動例では、選択された走査線上の画素に
印加される単一極性電圧の最小印加時間Δtが書込み位
相t2の時間に相当し、lラインクリヤ上1位相の時間
が2Δtに設定されている。
印加される単一極性電圧の最小印加時間Δtが書込み位
相t2の時間に相当し、lラインクリヤ上1位相の時間
が2Δtに設定されている。
さて、第4図に示した駆動波形の各パラメータvs、v
1.Δtの値は使用する液晶材料のスイッチング特性に
よって決定される。
1.Δtの値は使用する液晶材料のスイッチング特性に
よって決定される。
第7図は後述するバイアス比を一定に保ったまま駆動電
圧(VS+V+)を変化させたときの透過率Tの変化、
即ちV−T特性を示したものである。ここでは、Δt=
50μs、バイアス比V+ / (Vl 十Vs )=
l/3に固定されている。第7図の正側は第4図で示し
た(IN ss)、負側は(Is ss)で示した
波形が印加される。
圧(VS+V+)を変化させたときの透過率Tの変化、
即ちV−T特性を示したものである。ここでは、Δt=
50μs、バイアス比V+ / (Vl 十Vs )=
l/3に固定されている。第7図の正側は第4図で示し
た(IN ss)、負側は(Is ss)で示した
波形が印加される。
ここでV、、Vaをそれぞれ実駆動閾値電圧、及びクロ
ストーク電圧と呼ぶ。但しくV2<V、 <Va)また
ΔV”(Va Vl)を駆動電圧マージンと呼び、マ
トリクス駆動可能な電圧幅となる。v3はFLCのマト
リクス駆動上、−船釣に存在すると言ってよい。具体的
には、第4図(A)(IN SS)の波形におけるV
aによるスイッチングを起こす電圧値である。勿論、バ
イアス比を太き(することによりv3の値を大きくする
ことは可能であるが、バイアス比を増すことは情報信号
の振幅を太き(することを意味し、画質的にはちらつき
の増大、コントラストの低下を招き好ましくない。我々
の検討ではバイアス比は1/3〜 l/4程度が実用的
であった。ところでバイアス比を固定すれば、電圧マー
ジンΔVは液晶材料のスイッチング特性に強(依存し、
ΔVの大きい液晶材料がマトリクス駆動上非常に有利で
あることは言うまでもない。
ストーク電圧と呼ぶ。但しくV2<V、 <Va)また
ΔV”(Va Vl)を駆動電圧マージンと呼び、マ
トリクス駆動可能な電圧幅となる。v3はFLCのマト
リクス駆動上、−船釣に存在すると言ってよい。具体的
には、第4図(A)(IN SS)の波形におけるV
aによるスイッチングを起こす電圧値である。勿論、バ
イアス比を太き(することによりv3の値を大きくする
ことは可能であるが、バイアス比を増すことは情報信号
の振幅を太き(することを意味し、画質的にはちらつき
の増大、コントラストの低下を招き好ましくない。我々
の検討ではバイアス比は1/3〜 l/4程度が実用的
であった。ところでバイアス比を固定すれば、電圧マー
ジンΔVは液晶材料のスイッチング特性に強(依存し、
ΔVの大きい液晶材料がマトリクス駆動上非常に有利で
あることは言うまでもない。
この様な、ある一定温度において、情報信号の2通りの
向きによって選択画素に「黒」および「白」の二状態を
書き込むことが可能であり、非選択画素は、その「黒」
または「白」の状態を保持することが可能である印加電
圧の上下限の値およびその幅(駆動電圧マージンΔV)
は液晶材料間で差があり特有なものである。また環境温
度の変化によっても、駆動マージンはズしていくため、
実際の表示装置の場合、液晶材料や環境温度に対して最
適駆動電圧にしておく必要がある。
向きによって選択画素に「黒」および「白」の二状態を
書き込むことが可能であり、非選択画素は、その「黒」
または「白」の状態を保持することが可能である印加電
圧の上下限の値およびその幅(駆動電圧マージンΔV)
は液晶材料間で差があり特有なものである。また環境温
度の変化によっても、駆動マージンはズしていくため、
実際の表示装置の場合、液晶材料や環境温度に対して最
適駆動電圧にしておく必要がある。
しかしながら、実用上この様なマトリクス表示装置の表
示面積を拡大してい(場合、各画素における液晶の存在
環境の差(具体的には、温度や電極間のセルギャップの
差)は当然大きくなり、駆動電圧マージンが小さな液晶
では、表示エリア全体に良好な画像を得ることが出来な
(なる。
示面積を拡大してい(場合、各画素における液晶の存在
環境の差(具体的には、温度や電極間のセルギャップの
差)は当然大きくなり、駆動電圧マージンが小さな液晶
では、表示エリア全体に良好な画像を得ることが出来な
(なる。
以下実施例により本発明について更に詳細に説明するが
、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
(以下魚、白)
11・、:5”
(−シー、」
実施例1
下記例示化合物を下記の重量部で混合し、液晶組成物1
−Aを作成した。
−Aを作成した。
例示化合物No。
構造式
%式%
式
重量部
更に、この液晶組成物1−、Aに対して、以下に示す例
示化合物を、各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成
物1−Bを作成した。
示化合物を、各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成
物1−Bを作成した。
例示化合物No。
構造式
次に、この液晶組成物1−Bを以下の手順で作成したセ
ルを用いて、素子特性等を観察した。
ルを用いて、素子特性等を観察した。
2枚の1 、1 m m厚のガラス板を用意し、それぞ
れのガラス板上にITO膜を形成し、電圧印加電極を作
成し、さらにこの上にSiO□を蒸着させ絶縁層とした
。
れのガラス板上にITO膜を形成し、電圧印加電極を作
成し、さらにこの上にSiO□を蒸着させ絶縁層とした
。
この基板上にポリイミド樹脂前駆体[東し■5P−71
0] 1.0%ジメチルアセトアミド溶液を回転数25
0 Or p m 、のスピンナーで15秒間塗布した
。成膜後、60分間、’ 300℃加熱縮合焼成処理を
施した。この時の塗膜の膜厚は約200人であった。
0] 1.0%ジメチルアセトアミド溶液を回転数25
0 Or p m 、のスピンナーで15秒間塗布した
。成膜後、60分間、’ 300℃加熱縮合焼成処理を
施した。この時の塗膜の膜厚は約200人であった。
この焼成後の被膜には、アセテート植毛布によるラビン
グ処理がなされ、その後イソプロピルアルコール液で洗
浄し、平均粒径1,5μmのシリカビーズを一方のガラ
ス板上に散布した後、それぞれのラビング処理軸が互い
に平行となる様にし、接着シール剤[リクソンボンド(
チッソ■)]を用いてガラス板を貼り合わせ、60分間
、100℃にて加熱乾燥し、セルを作成した。このセル
のセル厚をベレツク位相板によって測定したところ約1
.5μmであった。
グ処理がなされ、その後イソプロピルアルコール液で洗
浄し、平均粒径1,5μmのシリカビーズを一方のガラ
ス板上に散布した後、それぞれのラビング処理軸が互い
に平行となる様にし、接着シール剤[リクソンボンド(
チッソ■)]を用いてガラス板を貼り合わせ、60分間
、100℃にて加熱乾燥し、セルを作成した。このセル
のセル厚をベレツク位相板によって測定したところ約1
.5μmであった。
このセルに上述の液晶組成物1−Bを等方性液体状態で
注入し、等吉相から20°C/hで25°Cまで徐冷す
ることにより、強誘電性液晶素子を作成した。
注入し、等吉相から20°C/hで25°Cまで徐冷す
ることにより、強誘電性液晶素子を作成した。
この強誘電性液晶素子を用いて、前述した第4図に示す
駆動波形(y3バイアス)で駆動電圧マージンΔv (
v 3v 1)を測定した。
駆動波形(y3バイアス)で駆動電圧マージンΔv (
v 3v 1)を測定した。
尚、測定時設定パルス幅Δtは、駆動閾値電圧vI=2
0vとなる様に設定した。このとき、Δt(V 、 =
20V)は駆動閾値電圧パルス幅であり、応答速度を示
すことになる。
0vとなる様に設定した。このとき、Δt(V 、 =
20V)は駆動閾値電圧パルス幅であり、応答速度を示
すことになる。
10℃ 25°0 40°C
駆動電圧マージンAV 11.OV 1
3.2V 12.OV(測定設定パルス幅Δt
) (435μ5ec) (135μ5ec)
(60μ5ec)更に、25°Cにおける駆動電圧マー
ジンの中央値に電圧を設定して、測定温度を変化させた
場合、駆動可能な温度差(以下駆動温度マージンという
)は上3゜8℃であった。
3.2V 12.OV(測定設定パルス幅Δt
) (435μ5ec) (135μ5ec)
(60μ5ec)更に、25°Cにおける駆動電圧マー
ジンの中央値に電圧を設定して、測定温度を変化させた
場合、駆動可能な温度差(以下駆動温度マージンという
)は上3゜8℃であった。
又、25℃における駆動時のコントラストは12であっ
た。
た。
比較例1
実施例1で使用した液晶組成物1−Bに代えて、例示化
合物No、1−3. 1−36を混合せずに1−Aに対
して例示化合物No、2−37.3−38のみを実施例
1と同じ重量部で混合した液晶組成物1−C。
合物No、1−3. 1−36を混合せずに1−Aに対
して例示化合物No、2−37.3−38のみを実施例
1と同じ重量部で混合した液晶組成物1−C。
および例示化合物No、2−37を混合せずに1−Aに
対して例示化合物No、 1−3.1−36.3−38
のみを実施例1と同じ重量部で混合した液晶組成物1−
D、さらに例示化合物No、3−38を混合せずに1−
Aに対して例示化合物No、 1−3. L−36,
2−37のみを実施例1と同じ重量部で混合した液晶組
成物1−Eを作成した。
対して例示化合物No、 1−3.1−36.3−38
のみを実施例1と同じ重量部で混合した液晶組成物1−
D、さらに例示化合物No、3−38を混合せずに1−
Aに対して例示化合物No、 1−3. L−36,
2−37のみを実施例1と同じ重量部で混合した液晶組
成物1−Eを作成した。
これらの液晶組成物1−C,1−D、 1−E及び1
−Aを用いた以外は、全〈実施例1と同様の方法でそれ
ぞれ強誘電性液晶素子を作成し、実施例1と同様の方法
で駆動電圧マージンΔv1及び25℃における駆動温度
マージンを測定した。その結果を次に示す。
−Aを用いた以外は、全〈実施例1と同様の方法でそれ
ぞれ強誘電性液晶素子を作成し、実施例1と同様の方法
で駆動電圧マージンΔv1及び25℃における駆動温度
マージンを測定した。その結果を次に示す。
駆動電圧マージンΔV
(測定時設定パルス幅Δt)
10℃ 25°0 40°CI −A
7.OV 10.OV 9.0
V(567μ5ec) (160μ5ec)
(59μ5ec)1−CIo、5V 11.5
V 11.0V(510tt 5ec)
(150μ5ec) (55μ5ec)1−D
9.OV 10.5V 10.
0V(480μ5ec) (145μ5ec)
(50μ5ec)1−E 10.2V
12.5V 11.5V(460p 5e
c) (340μ5ec) (55μ5ec)
駆動温度マージン 1−A 上1゜7℃ 1−C上2゜1℃ 1−D+1.9℃ 1−E 上2゜8°C 実施例1と比較例1より明らかな様に、本発明による液
晶組成物を有する強誘電性液晶素子の方が駆動マージン
は広がっており、環境温度の変化やセルギャップのバラ
ツキに対して、画像を良好に保つ能力にすぐれている。
7.OV 10.OV 9.0
V(567μ5ec) (160μ5ec)
(59μ5ec)1−CIo、5V 11.5
V 11.0V(510tt 5ec)
(150μ5ec) (55μ5ec)1−D
9.OV 10.5V 10.
0V(480μ5ec) (145μ5ec)
(50μ5ec)1−E 10.2V
12.5V 11.5V(460p 5e
c) (340μ5ec) (55μ5ec)
駆動温度マージン 1−A 上1゜7℃ 1−C上2゜1℃ 1−D+1.9℃ 1−E 上2゜8°C 実施例1と比較例1より明らかな様に、本発明による液
晶組成物を有する強誘電性液晶素子の方が駆動マージン
は広がっており、環境温度の変化やセルギャップのバラ
ツキに対して、画像を良好に保つ能力にすぐれている。
さらに、測定時設定パルス幅Δtに着目すると、本発明
による液晶組成物を含有する強誘電性液晶素子の方が、
応答速度の温度依存性も・軽減されている。
による液晶組成物を含有する強誘電性液晶素子の方が、
応答速度の温度依存性も・軽減されている。
実施例2
実施例1で使用した液晶組成物1−Aに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物2−Bを得た。
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物2−Bを得た。
例示化合物No、 構 造 式この液晶組成
物を用いた他は、実施例1と同様の方法で強誘電性液晶
素子を作成し、実施例1と同様の方法で駆動マージンを
測定し、スイッチング状態等を観察した。この液晶素子
内の均−配向性は良好であり、モノドメイン状態が得ら
れた。測定結果を次に示す。
物を用いた他は、実施例1と同様の方法で強誘電性液晶
素子を作成し、実施例1と同様の方法で駆動マージンを
測定し、スイッチング状態等を観察した。この液晶素子
内の均−配向性は良好であり、モノドメイン状態が得ら
れた。測定結果を次に示す。
駆動電圧マージンΔV
(測定時設定パルス幅Δt)
10℃ 25°0 40℃
駆動電圧マージンΔV 12.2V 1
3.6V 12.OV(測定時設定Δt)
(420μ5ec) (130μ5ec)
(60μ5ec)また、25℃における駆動温度マージ
ンは±4.1℃であった。
3.6V 12.OV(測定時設定Δt)
(420μ5ec) (130μ5ec)
(60μ5ec)また、25℃における駆動温度マージ
ンは±4.1℃であった。
また、25℃におけるこの駆動時のコントラストは13
であった。
であった。
!Jぷ−」
比較例2
実施例2で使用した液晶組成物2−Bに代えて、例示化
合物No、2−28を混合せずに1−Aに対して例示化
合物No、 1−11.3−21.3−57のみを実施
例1と同じ重量部で混合した液晶組成物2−Cを作成し
た。
合物No、2−28を混合せずに1−Aに対して例示化
合物No、 1−11.3−21.3−57のみを実施
例1と同じ重量部で混合した液晶組成物2−Cを作成し
た。
この液晶組成物2−C及び1−Aを用いた以外は、全〈
実施例1と同様の方法でそれぞれ強誘電性液晶素子を作
成し、実施例1と同様の方法で駆動電圧マージンΔv1
及び25℃における駆動温度マージンを測定した。その
結果を次に示す。
実施例1と同様の方法でそれぞれ強誘電性液晶素子を作
成し、実施例1と同様の方法で駆動電圧マージンΔv1
及び25℃における駆動温度マージンを測定した。その
結果を次に示す。
駆動電圧マージンΔV
(測定時設定パルス幅Δt)
10℃ 25℃ 40°CI −A
7.OV 10.OV 9.9V
(567μ5ec) (160μ5ec) (
59μ5ec)2−C9,OV 11.OV
9.5V(490μ5ec) (135p
5ec) (50p sec)駆動温度マージン 1−A +1.7℃ 2−C±2 、1 ’C 実施例2と比較例2より明らかな様に、本発明による液
晶組成物を有する強誘電性液晶素子の方が駆動マージン
は広がっており、環境温度の変化やセルギャップのバラ
ツキに対して、画像を良好に保つ能力にすぐれている。
7.OV 10.OV 9.9V
(567μ5ec) (160μ5ec) (
59μ5ec)2−C9,OV 11.OV
9.5V(490μ5ec) (135p
5ec) (50p sec)駆動温度マージン 1−A +1.7℃ 2−C±2 、1 ’C 実施例2と比較例2より明らかな様に、本発明による液
晶組成物を有する強誘電性液晶素子の方が駆動マージン
は広がっており、環境温度の変化やセルギャップのバラ
ツキに対して、画像を良好に保つ能力にすぐれている。
さらに、測定時設定パルス幅Δtに着目すると、本発明
による液晶組成物を含有する強誘電性液晶素子の方が、
応答速度の温度依存性も軽減されている。
による液晶組成物を含有する強誘電性液晶素子の方が、
応答速度の温度依存性も軽減されている。
(以下余自)
・ご〆凹ニー
実施例3
実施例1で使用した液晶組成物1−Aに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物3−Bを得た。
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物3−Bを得た。
例示化合物No、 構 造 式この液晶組成
物を用いた他は、実施例1と同様め方法で強誘電性液晶
素子を作成し、実施例1と同様の方法で駆動マージンを
測定し、スイッチング状態等を観察した。この液晶素子
内の均−配向性は良好であり、モノドメイン状態が得ら
れた。測定結果を次に示す。
物を用いた他は、実施例1と同様め方法で強誘電性液晶
素子を作成し、実施例1と同様の方法で駆動マージンを
測定し、スイッチング状態等を観察した。この液晶素子
内の均−配向性は良好であり、モノドメイン状態が得ら
れた。測定結果を次に示す。
駆動電圧マージンΔV
(測定時設定パルス幅Δt)
10℃ 25℃ 40°C
駆動電圧マージンΔV 11.4V 1
3.5V 12.6V(測定時設定Δt)
(460μ5ec) (140μ5ec)
(55μ5ec)また、25°Cにおける駆動温度マー
ジンは±3.4℃であった。
3.5V 12.6V(測定時設定Δt)
(460μ5ec) (140μ5ec)
(55μ5ec)また、25°Cにおける駆動温度マー
ジンは±3.4℃であった。
また、25℃におけるこの駆動時のコントラストは12
であった。
であった。
比較例3
実施例3で使用した液晶組成物3−Bに代えて、例示化
合物No、2−13.2−18を混合せずにl−Aに対
して例示化合物No、1−34. 3−40のみを実珈
例1と同じ重量部で混合した液晶組成物3−Cを作成し
た。
合物No、2−13.2−18を混合せずにl−Aに対
して例示化合物No、1−34. 3−40のみを実珈
例1と同じ重量部で混合した液晶組成物3−Cを作成し
た。
この液晶組成物3−C及び1−Aを用いた以外は、全〈
実施例1と同様の方法でそれぞれ強誘電性液晶素子を作
成し、実施例1と同様の方法で駆動電圧マージンΔv1
及び25℃における駆動温度マージンを測定した。その
結果を次に示す。
実施例1と同様の方法でそれぞれ強誘電性液晶素子を作
成し、実施例1と同様の方法で駆動電圧マージンΔv1
及び25℃における駆動温度マージンを測定した。その
結果を次に示す。
駆動電圧マージンΔV
(測定時設定パルス幅Δt)
10℃ 25°0 40°CI −A
7.OV 10.OV 9.0
V(567p 5ec) (160μ5ec)
(59μ5ec)3−C9,5V 11.5
V 10.0V(505μ5ec) (1
50μ5ec) (45μsec)駆動温度マージ
ン 1−A ±1゜7°C 3−C±1.9°C 実施例3と比較例3より明らかな様に、本発明による液
晶組成物を有する強誘電性液晶素子の方が駆動マージン
は広がっており、環境温度の変化やセルギャップのバラ
ツキに対して、画像を良好に保つ能力にすぐれている。
7.OV 10.OV 9.0
V(567p 5ec) (160μ5ec)
(59μ5ec)3−C9,5V 11.5
V 10.0V(505μ5ec) (1
50μ5ec) (45μsec)駆動温度マージ
ン 1−A ±1゜7°C 3−C±1.9°C 実施例3と比較例3より明らかな様に、本発明による液
晶組成物を有する強誘電性液晶素子の方が駆動マージン
は広がっており、環境温度の変化やセルギャップのバラ
ツキに対して、画像を良好に保つ能力にすぐれている。
さらに、測定時設定パルス幅Δtに着目すると、本発明
による液晶組成物を含有する強誘電性液晶素子の方が、
応答速度の温度依存性も軽減されている。
による液晶組成物を含有する強誘電性液晶素子の方が、
応答速度の温度依存性も軽減されている。
(77T−
(以下余白)
C」l
実施例4
下記例示化合物を下記の重量部で混合し、液晶組成物4
−Aを作成した。
−Aを作成した。
例示化合物No、 構造式%式%
式
重量部
更に、この液晶組成物4−Aに対して、以下に示す例示
化合物を、各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成物
4−Bを作成した。
化合物を、各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成物
4−Bを作成した。
例示化合物No。
構造式
この液晶組成物を用いた他は、実施例1と同様の方法で
強誘電性液晶素子を作成し、実施例1と同様の方法で駆
動マージンを測定し、スイッチング状態等を観察した。
強誘電性液晶素子を作成し、実施例1と同様の方法で駆
動マージンを測定し、スイッチング状態等を観察した。
この液晶素子内の均−配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。
駆動電圧マージンΔ■
(測定時設定パルス幅Δt)
10℃ 25℃ 40℃
駆動電圧マージンΔV 13.OV 13.
4V 11.6V(測定時設定Δt)
(680μ5ec) (210μ5ec) (90
μ5ec)また、25℃における駆動温度マージンは±
3.7℃であった。
4V 11.6V(測定時設定Δt)
(680μ5ec) (210μ5ec) (90
μ5ec)また、25℃における駆動温度マージンは±
3.7℃であった。
また、25℃におけるこの駆動時のコントラストは13
であった。
であった。
比較例4
実施例4で使用した液晶組成物4−Hに代えて、例示化
合物No、1−3. 1−36を混合せずに4−Aに対
して例示化合物No 、2−37.3−38のみを実施
例1と同じ重量部で混合した液晶組成物4−01および
例示化合物No、2−37を混合せずに4−Aに対して
例示化合物No、1−3. 1−36.3−38のみを
実施例1と同じ重量部で混合した液晶組成物4−D、さ
らに例示化合物No、3−38を混合せずに4−Aに対
して例示化合物No、1−3. 1−36゜2−37の
みを実施例1と同じ重量部で混合した液晶組成物4−E
を作成した。
合物No、1−3. 1−36を混合せずに4−Aに対
して例示化合物No 、2−37.3−38のみを実施
例1と同じ重量部で混合した液晶組成物4−01および
例示化合物No、2−37を混合せずに4−Aに対して
例示化合物No、1−3. 1−36.3−38のみを
実施例1と同じ重量部で混合した液晶組成物4−D、さ
らに例示化合物No、3−38を混合せずに4−Aに対
して例示化合物No、1−3. 1−36゜2−37の
みを実施例1と同じ重量部で混合した液晶組成物4−E
を作成した。
これらの液晶組成物4−C,4−D、 4−E及び4
−Aを用いた以外は、全(実施例1と同様の方法でそれ
ぞれ強誘電性液晶素子を作成し、実施例1と同様の方法
で駆動電圧マージンΔv1及び25℃における駆動温度
マージンを測定した。その結果を次に示す。
−Aを用いた以外は、全(実施例1と同様の方法でそれ
ぞれ強誘電性液晶素子を作成し、実施例1と同様の方法
で駆動電圧マージンΔv1及び25℃における駆動温度
マージンを測定した。その結果を次に示す。
駆動電圧マージンΔV
(測定時設定パルス幅Δt)
lOoC25°C40°C
4−A 9.OV 9.OV
7.8V(890μ5ec) (248p 5e
e) (92p 5ee)4−CIo、5V
11.OV 10.0V(800μ5ec
) (225μ5ec) (90μ5ec)4
−D Io、OV lo、OV
8.5V(790μ5ec) (225μ5e
c) (80/IZ 5ec)4−E 1
2.OV 12.OV lo、7V(
735μ5ec) (220p 5ec) (
85μ5ec)駆動温度マージン 4−A +1.6℃ 4−C±2.2°C 4−D ±1.8℃ 4−E ±2.6℃ 実施例4と比較例4より明らかな様に、本発明による液
晶組成物を有する強誘電性液晶素子の方が駆動マージン
は広がっており、環境温度の変化やセルギャップのバラ
ツキに対して、画像を良好に保つ能力にすぐれている。
7.8V(890μ5ec) (248p 5e
e) (92p 5ee)4−CIo、5V
11.OV 10.0V(800μ5ec
) (225μ5ec) (90μ5ec)4
−D Io、OV lo、OV
8.5V(790μ5ec) (225μ5e
c) (80/IZ 5ec)4−E 1
2.OV 12.OV lo、7V(
735μ5ec) (220p 5ec) (
85μ5ec)駆動温度マージン 4−A +1.6℃ 4−C±2.2°C 4−D ±1.8℃ 4−E ±2.6℃ 実施例4と比較例4より明らかな様に、本発明による液
晶組成物を有する強誘電性液晶素子の方が駆動マージン
は広がっており、環境温度の変化やセルギャップのバラ
ツキに対して、画像を良好に保つ能力にすぐれている。
さらに、測定時設定パルス幅Δtに着目すると、本発明
による液晶組成物を含有する強誘電性液晶素子の方が、
応答速度の温度依存性も軽減されている。
による液晶組成物を含有する強誘電性液晶素子の方が、
応答速度の温度依存性も軽減されている。
(以1下1余白)
L・二二1..V
実施例5
実施例4で使用した液晶組成物4−Aに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物5−Bを得た。
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物5−Bを得た。
例示化合物No、 構 造 式
重量部この液晶組成物を用いた他は、実施
例1と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例
1と同様の方法で駆動マージンを測定し、スイッチング
状態等を観察した。この液晶素子内の均−配向性は良好
であり、モノドメイン状態が得られた。測定結果を次に
示す。
重量部この液晶組成物を用いた他は、実施
例1と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例
1と同様の方法で駆動マージンを測定し、スイッチング
状態等を観察した。この液晶素子内の均−配向性は良好
であり、モノドメイン状態が得られた。測定結果を次に
示す。
駆動電圧マージンΔV
(測定時設定パルス幅Δt)
10°C25°C40°C
駆動電圧マージンΔV 13.OV 1
3.9V 12.OV(測定時設定Δt)
(665μ5ec) (215μ5ec)
(90p 5ec)また、25℃における駆動温度マー
ジンは±4.0℃であった。
3.9V 12.OV(測定時設定Δt)
(665μ5ec) (215μ5ec)
(90p 5ec)また、25℃における駆動温度マー
ジンは±4.0℃であった。
また、25℃におけるこの駆動時のコントラストは14
であった。
であった。
−A
比較例5
実施例5で使用した液晶組成物5−Bに代えて、例示化
合物No、 1−6.1−20.3−28.3−49を
混合せずに4−Aに対して例示化合物No、2−8のみ
を実施例1と同じ重量部で混合した液晶組成物5−Cを
作成した。
合物No、 1−6.1−20.3−28.3−49を
混合せずに4−Aに対して例示化合物No、2−8のみ
を実施例1と同じ重量部で混合した液晶組成物5−Cを
作成した。
この液晶組成物5−C及び4−Aを用いた以外は、全〈
実施例1と同様の方法でそれぞれ強誘電性液晶素子を作
成し、実施例1と同様の方法で駆動電圧マージンΔv1
及び25℃における駆動温度マージンを測定した。その
結果を次に示す。
実施例1と同様の方法でそれぞれ強誘電性液晶素子を作
成し、実施例1と同様の方法で駆動電圧マージンΔv1
及び25℃における駆動温度マージンを測定した。その
結果を次に示す。
駆動電圧マージンΔV
(測定時設定パルス幅Δt)
10℃ 25°C40℃
4−A 9.OV 9.OV
7.8V(890p 5ec) (248μ5e
c) (92μ5ec)5−CIo、5V
11.OV 10.8V(775p 5ec
) (240μ5ec) (90μ5ec)駆
動温度マージン 4−A+1.6°C 3−C±2.4°C 実施例5と比較例5より明らかな様に、本発明による液
晶組成物を有する強誘電性液晶素子の方が駆動マージン
は広がっており、環境温度の変化やセルギャップのバラ
ツキに対して、画像を良好に保つ能力にすぐれている。
7.8V(890p 5ec) (248μ5e
c) (92μ5ec)5−CIo、5V
11.OV 10.8V(775p 5ec
) (240μ5ec) (90μ5ec)駆
動温度マージン 4−A+1.6°C 3−C±2.4°C 実施例5と比較例5より明らかな様に、本発明による液
晶組成物を有する強誘電性液晶素子の方が駆動マージン
は広がっており、環境温度の変化やセルギャップのバラ
ツキに対して、画像を良好に保つ能力にすぐれている。
さらに、測定時設定パルス幅Δtに着目すると、本発明
による液晶組成物を含有する強誘電性液晶素子の方が、
応答速度の温度依存性も軽減されている。
による液晶組成物を含有する強誘電性液晶素子の方が、
応答速度の温度依存性も軽減されている。
実施例6
実施例4で使用した液晶組成物4−Aに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物6−Bを得た。
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物6−Bを得た。
例示化合物No、 構 造 式この液晶組成
物を用いた他は、実施例1と同様の方法で強誘電性液晶
素子を作成し、実施例1と同様の方法で駆動マージンを
測定し、スイッチング状態等を観察した。この液晶素子
内の均一配向性は良好であり、モノドメイン状態が得ら
れた。測定結果を次に示す。
物を用いた他は、実施例1と同様の方法で強誘電性液晶
素子を作成し、実施例1と同様の方法で駆動マージンを
測定し、スイッチング状態等を観察した。この液晶素子
内の均一配向性は良好であり、モノドメイン状態が得ら
れた。測定結果を次に示す。
駆動電圧マージンΔV
(測定時設定パルス幅Δt)
10℃ 25°0 40°C
駆動電圧マージンΔV 13.5V 1
3.IV 12.4V(測定時設定Δt)
(690μ5ec) (220μ5ec)
(95μ5ec)また、25℃における駆動温度マージ
ンは±3.8℃であった。
3.IV 12.4V(測定時設定Δt)
(690μ5ec) (220μ5ec)
(95μ5ec)また、25℃における駆動温度マージ
ンは±3.8℃であった。
また、25℃におけるこの駆動時のコントラストは12
であった。
であった。
イ、;=7
(以下余白)
、−」公
−A
比較例6
実施例6で使用した液晶組成物6−Bに代えて、例示化
合物No、 2−33.2−39.3−71を混合せず
に4−Aに対して例示化合物No、 1−13.1−4
3のみを実施例1と同じ重量部で混合した液晶組成物6
−Cを作成した。
合物No、 2−33.2−39.3−71を混合せず
に4−Aに対して例示化合物No、 1−13.1−4
3のみを実施例1と同じ重量部で混合した液晶組成物6
−Cを作成した。
この液晶組成物6−C及び4−Aを用いた以外は、全〈
実施例1と同様の方法でそれぞれ強誘電性液晶素子を作
成し、実施例1と同様の方法で駆動電圧マージンΔv1
及び25℃における駆動温度マージンを測定した。その
結果を次に示す。
実施例1と同様の方法でそれぞれ強誘電性液晶素子を作
成し、実施例1と同様の方法で駆動電圧マージンΔv1
及び25℃における駆動温度マージンを測定した。その
結果を次に示す。
駆動電圧マージンΔV
(測定時設定パルス幅Δt)
1000 25℃ 40°C4−A
9.OV 9.OV 7.8V(
890μ5ec) (248μ5ec) (9
2μ5ec)6−CI 1.OV 10.OV
9.0V(760μ5ec) (240
μ5ec) (85μ5ec)駆動温度マージン 4−A ±1.6°C 6−C±2.0℃ 実施例6と比較例6より明らかな様に、本発明による液
晶組成物を有する強誘電性液晶素子の方が駆動マージン
は広がっており、環境温度の変化やセルギャップのバラ
ツキに対して、画像を良好に保つ能力にすぐれている。
9.OV 9.OV 7.8V(
890μ5ec) (248μ5ec) (9
2μ5ec)6−CI 1.OV 10.OV
9.0V(760μ5ec) (240
μ5ec) (85μ5ec)駆動温度マージン 4−A ±1.6°C 6−C±2.0℃ 実施例6と比較例6より明らかな様に、本発明による液
晶組成物を有する強誘電性液晶素子の方が駆動マージン
は広がっており、環境温度の変化やセルギャップのバラ
ツキに対して、画像を良好に保つ能力にすぐれている。
さらに、測定時設定パルス幅Δtに着目すると、本発明
による液晶組成物を含有する強誘電性液晶素子の方が、
応答速度の温度依存性も軽減されている。
による液晶組成物を含有する強誘電性液晶素子の方が、
応答速度の温度依存性も軽減されている。
実施例7
下記例示化合物を下記の重量部で混合し、液晶組成物7
−Aを作成した。
−Aを作成した。
例示化合物No、 構造式%式%
式
重量部
更に、この液晶組成物7−Aに対して、以下に示す例示
化合物を、各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成物
7−Bを作成した。
化合物を、各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成物
7−Bを作成した。
例示化合物No。
構
造
式
の液晶組成物を用いた他は、実施例1と同様の方法で強
誘電性液晶素子を作成し、実施例1と同様の方法で駆動
マージンを測定し、スイッチング状態等を観察した。こ
の液晶素子内の均−配向性は良好であり、モノドメイン
状態が得られた。測定結果を次に示す。
誘電性液晶素子を作成し、実施例1と同様の方法で駆動
マージンを測定し、スイッチング状態等を観察した。こ
の液晶素子内の均−配向性は良好であり、モノドメイン
状態が得られた。測定結果を次に示す。
駆動電圧マージンΔV
(測定時設定パルス幅Δt)
lOoC25°C40°C
駆動電圧マージンΔV 13.5V 13.
5V 12.OV(測定時設定Δt)
(410μ5ec) (140μ5ec) (60
μ5ec)また、25℃における駆動温度マージンは±
4.2℃であった。
5V 12.OV(測定時設定Δt)
(410μ5ec) (140μ5ec) (60
μ5ec)また、25℃における駆動温度マージンは±
4.2℃であった。
また、25℃におけるこの駆動時のコントラストは13
であった。
であった。
比較例7
実施例7で使用した液晶組成物7−Bに代えて、例示化
合物No、 1−6. 1−20.3−28.3−49
を混合せずに7−Aに対して例示化合物No、2−8の
みを実施例1と同じ重量部で混合した液晶組成物7−C
を作成した。
合物No、 1−6. 1−20.3−28.3−49
を混合せずに7−Aに対して例示化合物No、2−8の
みを実施例1と同じ重量部で混合した液晶組成物7−C
を作成した。
この液晶組成物7−C及び7−Aを用いた以外は、全〈
実施例1と同様の方法でそれぞれ強誘電性液晶素子を作
成し、実施例1と同様の方法で駆動電圧マージンΔv1
及び25℃における駆動温度マージンを測定した。その
結果を次に示す。
実施例1と同様の方法でそれぞれ強誘電性液晶素子を作
成し、実施例1と同様の方法で駆動電圧マージンΔv1
及び25℃における駆動温度マージンを測定した。その
結果を次に示す。
駆動電圧マージンΔ■
(測定時設定パルス幅Δt)
10℃ 25℃ 40℃
7−A 9.OV 9.5V
8.0V(536μ5ec) (160μ5ec
) (62p 5ec)7−C11,2V
12.OV 11.0V(470μ5ec)
(150μ5ec) (60μ5ec)駆動
温度マージン 7−A ±2 、10C 7−C±3.0°C 実施例7と比較例7より明らかな様に、本発明による液
晶組成物を有する強誘電性液晶素子の方が駆動マージン
は広がっており、環境温度の変化やセルギャップのバラ
ツキに対して、画像を良好に保つ能力にすぐれている。
8.0V(536μ5ec) (160μ5ec
) (62p 5ec)7−C11,2V
12.OV 11.0V(470μ5ec)
(150μ5ec) (60μ5ec)駆動
温度マージン 7−A ±2 、10C 7−C±3.0°C 実施例7と比較例7より明らかな様に、本発明による液
晶組成物を有する強誘電性液晶素子の方が駆動マージン
は広がっており、環境温度の変化やセルギャップのバラ
ツキに対して、画像を良好に保つ能力にすぐれている。
さらに、測定時設定パルス幅Δtに着目すると、本発明
による液晶組成物を含有する強誘電性液晶素子の方が、
応答速度の温度依存性も軽減されている。
による液晶組成物を含有する強誘電性液晶素子の方が、
応答速度の温度依存性も軽減されている。
実施例8
実施例7で使用した液晶組成物7−Aに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物8−Bを得た。
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物8−Bを得た。
例示化合物No、 構 造 式この液晶組成
物を用いた他は、実施例1と同様の方法で強誘電性液晶
素子を作成し、実施例1と同様の方法で駆動マージンを
測定し、スイッチング状態等を観察した。この液晶素子
内の均−配向性は良好であり、モノドメイン状態が得ら
れた。測定結果を次に示す。
物を用いた他は、実施例1と同様の方法で強誘電性液晶
素子を作成し、実施例1と同様の方法で駆動マージンを
測定し、スイッチング状態等を観察した。この液晶素子
内の均−配向性は良好であり、モノドメイン状態が得ら
れた。測定結果を次に示す。
駆動電圧マージンΔV
(測定時設定パルス幅Δt)
10’C25°C40°C
駆動電圧マージンΔV 12.2V 1
3.OV 11.5V(測定時設定Δt)
(455μ5ec) (145μ5ec)
(65μ5ec)また、25℃における駆動温度マージ
ンは±4.0℃であった。
3.OV 11.5V(測定時設定Δt)
(455μ5ec) (145μ5ec)
(65μ5ec)また、25℃における駆動温度マージ
ンは±4.0℃であった。
また、25℃におけるこの駆動時のコントラストは14
であった。
であった。
じ二色−1
−A
比較例8
実施例8で使用した液晶組成物8−Bに代えて、例示化
合物No、1 49.2−41を混合せずに7−Aに対
して例示化合物No、3−41のみを実施例1と同じ重
量部で混合した液晶組成物8−Cを作成した。
合物No、1 49.2−41を混合せずに7−Aに対
して例示化合物No、3−41のみを実施例1と同じ重
量部で混合した液晶組成物8−Cを作成した。
この液晶組成物8−C及び7−Aを用いた以外は、全〈
実施例1と同様の方法でそれぞれ強誘電性液晶素子を作
成し、実施例1と同様の方法で駆動電圧マージンΔv1
及び25℃における駆動温度マージンを測定した。その
結果を次に示す。
実施例1と同様の方法でそれぞれ強誘電性液晶素子を作
成し、実施例1と同様の方法で駆動電圧マージンΔv1
及び25℃における駆動温度マージンを測定した。その
結果を次に示す。
駆動電圧マージンΔV
(測定時設定パルス幅Δt)
10’C25°C40°C
7−A 9.OV 9.5V
8.0V(536μ5ec) (160μ5ec
) (62μ5ec)8−C9,5V 1
0.5V 8.0V(510p 5ec)
(155μ5ec) (55μ5ec)駆動温度
マージン 7−A 上2゜1°C 3−C上2゜3°C 実施例8と比較例8より明らかな様に、本発明による液
晶組成物を有する強誘電性液晶素子の方が駆動マージン
は広がっており、環境温度の変化やセルギャップのバラ
ツキに対して、画像を良好に保つ能力にすぐれている。
8.0V(536μ5ec) (160μ5ec
) (62μ5ec)8−C9,5V 1
0.5V 8.0V(510p 5ec)
(155μ5ec) (55μ5ec)駆動温度
マージン 7−A 上2゜1°C 3−C上2゜3°C 実施例8と比較例8より明らかな様に、本発明による液
晶組成物を有する強誘電性液晶素子の方が駆動マージン
は広がっており、環境温度の変化やセルギャップのバラ
ツキに対して、画像を良好に保つ能力にすぐれている。
さらに、測定時設定パルス幅Δtに着目すると、本発明
による液晶組成物を含有する強誘電性液晶素子の方が、
応答速度の温度依存性も軽減されている。
による液晶組成物を含有する強誘電性液晶素子の方が、
応答速度の温度依存性も軽減されている。
実施例9〜16
実施例1て用いた例示化合物、及び液晶性組成物に代え
て、表1に示した例示化合物、及び液晶性組成物を各重
量部で用い、9−B−16−Bの液晶性組成物を得た。
て、表1に示した例示化合物、及び液晶性組成物を各重
量部で用い、9−B−16−Bの液晶性組成物を得た。
これらを用いた他は全〈実施例1と同様の方法により強
誘電性液晶素子を作成し、実施例1と同様の方法で駆動
マージンを測定し、スイッチング状態等を観察した。作
成した各々の液晶素子内の均一配向性は良好であり、モ
ノドメイン状態が得られた。
誘電性液晶素子を作成し、実施例1と同様の方法で駆動
マージンを測定し、スイッチング状態等を観察した。作
成した各々の液晶素子内の均一配向性は良好であり、モ
ノドメイン状態が得られた。
測定結果を表1に示す。
j、’ ”””−−
(以下余白)
実施例9〜16より明らかな様に、本発明による液晶組
成物を含有する強誘電性液晶素子は駆動マージンが広が
っており、環境温度の変化やセルギャップのバラツキに
対して、画像を良好に保つ能力にすぐれている。
成物を含有する強誘電性液晶素子は駆動マージンが広が
っており、環境温度の変化やセルギャップのバラツキに
対して、画像を良好に保つ能力にすぐれている。
さらに、測定時設定パルス幅Δtに着目すると、本発明
による液晶組成物を含有する強誘電性液晶素子は、応答
速度の温度依存性も軽減されている。
による液晶組成物を含有する強誘電性液晶素子は、応答
速度の温度依存性も軽減されている。
実施例17
実施例1及び比較例1で使用した液晶組成物を5i02
を用いずに、ポリイミド樹脂だけで配向制御層を作成し
た以外は全〈実施例1と同様の方法で強誘電性液晶素子
を作成し、実施例1と同様の方法で駆動マージンを測定
し、スイッチング状態等を観察した。この液晶素子内の
均−配向性は良好であり、モノドメイン状態が得られた
。測定結果を次に示す。
を用いずに、ポリイミド樹脂だけで配向制御層を作成し
た以外は全〈実施例1と同様の方法で強誘電性液晶素子
を作成し、実施例1と同様の方法で駆動マージンを測定
し、スイッチング状態等を観察した。この液晶素子内の
均−配向性は良好であり、モノドメイン状態が得られた
。測定結果を次に示す。
駆動電圧マージンΔV
(測定時設定パルス幅Δt)
10℃ 25°C
1−B 11.5V 13.4
V(410μ5ec) (135μ5ec)1−
A 8.OV 10.0V(
545μ5ec) (160μ5ec)1−CI
o、8V 11.5V(495μ5ec)
(145μ5ec)1−D 9.5
V 10.8V(460μ5ec)
(140μ5ec)1−E 10.6V
12.6V(450μ5ec)
(135μ5ec)駆動温度マージン −B −A −C −D −E 上4゜1°C 上1゜9°C 上2゜3°C 上2゜0°C 上2゜98C 40°C I2.3V (60μ5ec) 9.5v (60μ5ec) 11.0V (55μ5ec) 10.0V (50μ5ec) 11.5V (55μsec) 実施例17より明らかな様に、素子構成を変えた場合で
も本発明に従う強誘電性液晶組成物を有する素子は、他
の液晶組成物を有する素子に比べ実施例1と同様に駆動
マージンが広がっており、環境温度の変化やセルギャッ
プのバラツキに対して画像を良好に保つ能力にすぐれて
いる。
V(410μ5ec) (135μ5ec)1−
A 8.OV 10.0V(
545μ5ec) (160μ5ec)1−CI
o、8V 11.5V(495μ5ec)
(145μ5ec)1−D 9.5
V 10.8V(460μ5ec)
(140μ5ec)1−E 10.6V
12.6V(450μ5ec)
(135μ5ec)駆動温度マージン −B −A −C −D −E 上4゜1°C 上1゜9°C 上2゜3°C 上2゜0°C 上2゜98C 40°C I2.3V (60μ5ec) 9.5v (60μ5ec) 11.0V (55μ5ec) 10.0V (50μ5ec) 11.5V (55μsec) 実施例17より明らかな様に、素子構成を変えた場合で
も本発明に従う強誘電性液晶組成物を有する素子は、他
の液晶組成物を有する素子に比べ実施例1と同様に駆動
マージンが広がっており、環境温度の変化やセルギャッ
プのバラツキに対して画像を良好に保つ能力にすぐれて
いる。
さらに、測定時設定パルス幅Δtに着目すると、本発明
による液晶組成物を有する強誘電性液晶素子の方が応答
速度の温度依存性も軽減されている。
による液晶組成物を有する強誘電性液晶素子の方が応答
速度の温度依存性も軽減されている。
本発明による強誘電性液晶組成物及びこれを含有する液
晶素子は、スイッチング特性が良好で、駆動電圧マージ
ンが大きく、素子の表示エリア上にある程度の温度バラ
ツキがあっても全画素が良好にマトリクス駆動できる駆
動温度マージンの広がった液晶素子、及び応答速度の温
度依存性の軽減された液晶素子とすることができる。
晶素子は、スイッチング特性が良好で、駆動電圧マージ
ンが大きく、素子の表示エリア上にある程度の温度バラ
ツキがあっても全画素が良好にマトリクス駆動できる駆
動温度マージンの広がった液晶素子、及び応答速度の温
度依存性の軽減された液晶素子とすることができる。
第1図は強誘電性液晶を用いた液晶素子の一例の断面概
略図。 第2図および第3図は強誘電性液晶素子の動作説明のた
めに、素子セルの一例を模式的に表わす斜視図。 第4図は実施例中で用いた駆動法の波形図。 第5図はマトリクス電極を配置した強誘電性液晶パネル
の平面図。 第6図は第4図(B)に示す時系列駆動波形で実際の駆
動を行ったときの表示パターンの模式図。 第7図は駆動電圧を変化させたときの透過率の変化を表
わす、つまりV−T特性図。 第1図において、 l・・・・・・・・・・・・・・強誘電性液晶層2・・
・・・・・・・・・・・・・・ガラス基板3・・・・・
・・・・・・・・・・・・・透明電極4・・・・・・・
・・・・・・絶縁性配向制御層5・・・・・・・・・・
・・・・・・スペーサー6 ・・・・・・・・・・・・
・・・・・・リード線7・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・電源8・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・偏光板9・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・光源O 入射光 ■ 透過光 第2図において、 1a 1b 基板 基板 強誘電性液晶層 液晶分子 双極子モーメント(P土) 第3図において、 1a 1b 3a 3b 4a 4b a b 電圧印加手段 電圧印加手段 第1の安定状態 第2の安定状態 上向きの双極子モーメント 下向きの双極子モーメント 上向きの電界 下向きの電界 艷洋暖(A) 5N Tz
略図。 第2図および第3図は強誘電性液晶素子の動作説明のた
めに、素子セルの一例を模式的に表わす斜視図。 第4図は実施例中で用いた駆動法の波形図。 第5図はマトリクス電極を配置した強誘電性液晶パネル
の平面図。 第6図は第4図(B)に示す時系列駆動波形で実際の駆
動を行ったときの表示パターンの模式図。 第7図は駆動電圧を変化させたときの透過率の変化を表
わす、つまりV−T特性図。 第1図において、 l・・・・・・・・・・・・・・強誘電性液晶層2・・
・・・・・・・・・・・・・・ガラス基板3・・・・・
・・・・・・・・・・・・・透明電極4・・・・・・・
・・・・・・絶縁性配向制御層5・・・・・・・・・・
・・・・・・スペーサー6 ・・・・・・・・・・・・
・・・・・・リード線7・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・電源8・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・偏光板9・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・光源O 入射光 ■ 透過光 第2図において、 1a 1b 基板 基板 強誘電性液晶層 液晶分子 双極子モーメント(P土) 第3図において、 1a 1b 3a 3b 4a 4b a b 電圧印加手段 電圧印加手段 第1の安定状態 第2の安定状態 上向きの双極子モーメント 下向きの双極子モーメント 上向きの電界 下向きの電界 艷洋暖(A) 5N Tz
Claims (2)
- (1)下記一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (ただし、R_1、R_2はC_1〜C_1_8の直鎖
状のアルキル基であり、該アルキル基中のX_1、X_
2に結合しない1個の−CH_2−が−O−に置き換っ
ていても良い。X_1、X_2は単結合、−O−、▲数
式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等
があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲
数式、化学式、表等があります▼のいずれかを示す。) で示される化合物の少なくとも一種と、 下記一般式(II) ▲数式、化学式、表等があります▼(II) (ただし、R_3は置換基を有していても良いC_1〜
C_1_8の直鎖状又は分岐状のアルキル基、R_4は
C_1〜C_1_2の直鎖状のアルキル基、X_3は単
結合、−O−、▲数式、化学式、表等があります▼、▲
数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表
等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼は▲数式、化学式、表等があります▼
、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式
、表等があります▼ で示される化合物の少なくとも一種と、 下記一般式(III) ▲数式、化学式、表等があります▼(III) (ただし、R_5、R_6は置換基を有していても良い
C_1〜C_1_8の直鎖状又は分岐状のアルキル基で
あり、かつ少なくとも一方は光学活性である。 X_4は単結合、−O−、▲数式、化学式、表等があり
ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
化学式、表等があります▼、X_5は単結合、−O−、
▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼。)で示される化合物の少なくとも1
種とを含有することを特徴とする強誘電性カイラルスメ
クチツク液晶組成物。 - (2)下記一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (ただし、R_1、R_2はC_1〜C_1_8の直鎖
状のアルキル基であり、該アルキル基中のX_1、X_
2に結合しない1個の−CH_2−が−O−に置き換っ
ていても良い。X_1、X_2は単結合、−O−、▲数
式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等
があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲
数式、化学式、表等があります▼のいずれかを示す。) で示される化合物の少なくとも一種と、 下記一般式(II) ▲数式、化学式、表等があります▼(II) (ただし、R_3は置換基を有していても良いC_1〜
C_1_8の直鎖状又は分岐状のアルキル基、R_4は
C_1〜C_1_2の直鎖状のアルキル基、X_3は単
結合、−O−、▲数式、化学式、表等があります▼、▲
数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表
等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼は▲数式、化学式、表等があります▼
、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式
、表等があります▼ で示される化合物の少なくとも一種と、 下記一般式(III) ▲数式、化学式、表等があります▼(III) (ただし、R_5、R_6は置換基を有していても良い
C_1〜C_1_8の直鎖状又は分岐状のアルキル基で
あり、かつ少なくとも一方は光学活性である。 X_4は単結合、−O−、▲数式、化学式、表等があり
ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
化学式、表等があります▼、X_5は単結合、−O−、
▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼。)で示される化合物の少なくとも1
種とを含有する強誘電性カイラルスメクチツク液晶組成
物を一対の電極基板間に配置してなることを特徴とする
液晶素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63202441A JPH0251586A (ja) | 1988-08-13 | 1988-08-13 | 液晶組成物およびこれを含む液晶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63202441A JPH0251586A (ja) | 1988-08-13 | 1988-08-13 | 液晶組成物およびこれを含む液晶素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0251586A true JPH0251586A (ja) | 1990-02-21 |
Family
ID=16457578
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63202441A Pending JPH0251586A (ja) | 1988-08-13 | 1988-08-13 | 液晶組成物およびこれを含む液晶素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0251586A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0381993A (ja) * | 1989-08-25 | 1991-04-08 | Matsushita Electric Works Ltd | 調光装置 |
US5139697A (en) * | 1988-01-25 | 1992-08-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal composition and liquid crystal device using same |
-
1988
- 1988-08-13 JP JP63202441A patent/JPH0251586A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5139697A (en) * | 1988-01-25 | 1992-08-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal composition and liquid crystal device using same |
JPH0381993A (ja) * | 1989-08-25 | 1991-04-08 | Matsushita Electric Works Ltd | 調光装置 |
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