JPH0251587A - 液晶組成物およびこれを含む液晶素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は液晶表示素子や液晶−光シヤツター等に利用さ
れる液晶素子に用いる液晶組成物に関し、更に詳しくは
、電界に対する応答特性が改善された新規な液晶組成物
に関するものである。

〔背景技術〕

従来より、液晶は電気光学素子として種々の分野で応用
されている。現在実用化されている液晶素子はほとんど
が、例えばＭ、５ｃｈａｄｔとＷ、Ｈｅ１ｆｒｉｃｈ著
“Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ　
　Ｖｏ、１８、Ｎｏ、４　（１９７１，２，１５）、Ｐ
、１２７〜１２８の“Ｖｏｌｔａｇｅ−Ｓｐｅｎｄｅｎ
ｔ　　０ｐｔｉｃａｌ　　Ａｃｔｉｖｉｔｙ　　ｏｆ　
　ａＴｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ　Ｌｉｑｕｉｄ　
Ｃｒｙｓｔａｌ”に示されたＴＮ　（ｔｗｉｓｔｅｄ　
　ｎｅｍａｔｉｃ）型の液晶を用いたものである。

これらは、液晶の誘電的配列効果に基づいており、液晶
分子の誘電異方性のために平均分子軸方向が、加えられ
た電場により特定の方向を向く効果を利用している。こ
れらの素子の光学的な応答速度の限界はミリ秒であると
いわれ、多くの応用のためには遅すぎる。一方、大型平
面デイスプレィへの応用では、価格、生産性などを考え
合せると単純マトリクス方式による駆動が最も有力であ
る。単純マトリクス方式においては、走査電極群と信号
電極群をマトリクス状に構成した電極構成が採用され、
その駆動のためには、走査電極群に順次周期的にアドレ
ス信号を選択印加し、信号電極群には所定の情報信号を
アドレス信号と同期させて並列的に選択印加する時分割
駆動方式が採用される。

しかしこのような駆動方式の素子に前述したＴＮ型の液
晶を採用すると走査電極が選択され、信号電極が選択さ
れない領域、或いは走査電極が選択されず、信号電極が
選択される領域（所謂“半選択点”）にも有限に電界が
かかってしまう。選択点にかかる電圧と、半選択点にか
かる電圧の差が充分に大きく、液晶分子を電界に垂直に
配列させるのに要する電圧閾値がこの中間の電圧値に設
定されるならば、表示素子は正常に動作するわけである
が、走査線数（Ｎ）を増やして行った場合、画面全体（
１フレーム）を走査する間に一つの選択点に有効な電界
がかかっている時間（ｄｕｔｙ比）が１／Ｎの割合で減
少してしまう。このために、くり返し走査を行った場合
の選択点と非選択点にかかる実効値としての電圧差は、
走査線数が増えれば増える程小さくなり、結果的には画
像コントラストの低下やクロストークが避は難い欠点と
なっている。

このような現象は、双安定性を有さない液晶（電極面に
対し、液晶分子が水平に配向しているのが安定状態であ
り、電界が有効に印加されている間のみ垂直に配向する
）を時間的蓄積効果を利用して駆動する（即ち、繰り返
し走査する）ときに生ずる本質的には避は難い問題点で
ある。この点を改良するために、電圧平均化法、２周波
駆動法や、多重マトリクス法等が既に提案されているが
、いずれの方法でも不充分であり、表示素子の大画面化
や高密度化は、走査線数が充分に増やせないことによっ
て頭打ちになっているのが現状である。

この様な従来型の液晶素子の欠点を改善するものとして
、双安定性を有する液晶素子の使用がＣ１ａｒｋ及びＬ
　ａ　ｇ　ｅ　ｒ　ｗ　ａ　１１により提案されている
（特開昭５６−１０７２１６号公報、米国特許第４３６
７９２４号明細書等）。双安定性液晶としては一般に、
カイラルスメクテイツクＣ相（Ｓ　ｍ　Ｃ木）又はＨ相
（ＳｍＨ木）を有する強誘電性液晶が用いられる。この
強誘電性液晶は電界に対して第１の光学的安定状態と第
２の光学的安定状態からなる双安定状態を有し、従って
前述のＴＮ型の液晶で用いられた光学変調素子とは異な
り、例えば一方の電界ベクトルに対して第１の光学的安
定状態に液晶が配向し、他方の電界ベクトルに対しては
第２の光学的安定状態に液晶が配向される。また、この
型の液晶は、加えられる電界に応答して、上記２つの安
定状態のいずれかを取り、且つ電界の印加のないときは
その状態を維持する性質（双安定性）を有する。

以上のような双安定性を有する特徴に加えて、強誘電液
晶は高速応答性であるという優れた特徴を持つ。それは
強誘電液晶の持つ自発分極と印加電場が直接作用して配
向状態の転移を誘起するためであり、誘電率異方性と電
場の作用による応答速度より３〜４オーダー速い。

このように強誘電液晶はきわめて優れた特性を潜在的に
有しており、このような性質を利用することにより、上
述した従来のＴＮ型素子の問題点の多くに対して、かな
り本質的な改善が得られる。特に、高速光学光シャッタ
ーや、高密度、大画面デイスプレィへの応用が期待され
る。このため強誘電性を持つ液晶材料に関しては広く研
究がなされているが、現在までに開発された強誘電性液
晶材料は、低温作動特性、高速応答性等を含めて液晶素
子に用いる十分な特性を備えているとは云い難い。

応答時間τと自発分極の大きさＰｓおよび粘度ηの間に
は の関係が存在する。したがって応答速度を速くするには
、 （ア）自発分極の大きさＰｓを太き（する（イ）粘度η
を小さくする （つ）印加電圧Ｅを高くする 方法がある。しかし印加電圧は、ＩＣ等で駆動するため
上限があり、出来るだけ低い方が望ましい。

よって、実際には粘度ηを小さくするか、自発分極の大
きさＰｓの値を大きくする必要がある。

一般的に自発分極の大きい強誘電性カイラルスメクチッ
ク液晶化合物においては、自発分極のもたらすセルの内
部電界も大きく、双安定状態をとり得る素子構成への制
約が多くなる傾向にある。又、いたずらに自発分極を大
きくしても、それにつれて粘度も大きくなる傾向にあり
、結果的には応答速度はあまり速くならないことが考え
られる。

また、実際のデイスプレィとしての使用温度範囲が例え
ば５〜４０℃程度とした場合、応答速度の変化が一般に
２０倍程もあり、駆動電圧及び周波数による調節の限界
を越えているのが現状である。

この強誘電性液晶層を一対の基板間に挾持した素子で前
述した様な単純マトリクス表示装置とした場合では、例
えば特開昭５９−１９３４２６号公報、同５９−１９３
４２７号公報、同６０−１５６０４６号公報や同６０−
１５６０４７号公報などに開示された駆動法を適用する
ことができる。

第４図は、本発明の実施例中で用いた駆動法の波形図で
ある。又、第５図は、本発明で用いたマトリクス電極を
配置した強誘電性液晶パネル５１の平面図である。第５
図のパネル５１には、走査線５２とデータ線５３とが互
いに交差して配線され、その交差部の走査線５２とデー
タ線５３との間には強誘電性液晶が配置されている。

第４図（Ａ）中のＳｓは選択された走査線に印加する選
択走査波形を、ＳＮは選択されていない非選択走査波形
を、Ｉｓは選択されたデータ線に印加する選択情報波形
（黒）を、ＩＮは選択されていないデータ線に印加する
非選択情報信号（白）を表わしている。又、図中（ｔｓ
　　ｓｓ）と（ＩＮ　　ＳＳ）は選択された走査線上の
画素に印加する電圧波形で、電圧（Ｉｓ　　Ｓｓ）が印
加された画素は黒の表示状態をとり、電圧（ＩＮ　　Ｓ
Ｓ）が印加された画素は白の表示状態をとる。

第４図（Ｂ）は第４図（Ａ）に示す駆動波形で第６図に
示す表示を行ったときの時系列波形である。

第４図に示す駆動例では、選択された走査線上の画素に
印加される単一極性電圧の最小印加時間Δｔが書込み位
相ｔ２の時間に相当し、１ラインクリヤｔ１位相の時間
が２Δｔに設定されている。

さて、第４図に示した駆動波形の各パラメータ■Ｓ　＋
　　ｖｌ　＋　Δｔの値は使用する液晶材料のスイッチ
ング特性によって決定される。

第７図は後述するバイアス比を一定に保ったまま駆動電
圧（ＶＳ＋Ｖ＋）を変化させたときの透過率Ｔの変化即
ちＶ−Ｔ特性を示したものである。ここでは、Δｔ＝５
０μｓ１バイアス比ｖ＋／（ｖ＋　＋ＶＳ）−１／３に
固定されている。第７図の正側は第４図で示した（ＩＮ
　　ＳＳ）、負側は（ｒ　ｓ　　　ｓ　ｓ　）で示した
波形が印加される。

ここで、Ｖ、、Ｖ３をそれぞれ実駆動閾値電圧、及びク
ロストーク電圧と呼ぶ。但しくｖ２くｖｌ〈ｖ３）また
Δｖ”（ｖ３　ｖ＋）を駆動電圧マージンと呼び、マト
リクス駆動可能な電圧幅となる。Ｖ３はＦＬＣのマトリ
クス駆動上、一般的に存在すると言ってよい。具体的に
は、第４図（Ａ）　（ＩＮ　−ｓ　ｓ　）の波形におけ
るｖＡによるスイッチングを起こす電圧値である。勿論
、バイアス比を大きくすることによりｖ３の値を大きく
することは可能であるが、バイアス比を増すことは情報
信号の振幅を太き（することを意味し、画質的にはちら
つきの増大、コントラストの低下を招き好まくない。我
々の検討ではバイアス比は１／３〜ｌ／４程度が実用的
であった。ところでバイアス比を固定すれば電圧マージ
ンΔＶは液晶材料のスイッチング特性に強く依存し、Δ
Ｖの大きい液晶材料がマトリクス駆動上非常に有利であ
ることは言うまでもない。

この様な、ある一定温度において、情報信号の２通りの
向きによって選択画素に「黒」および「白」の二状態を
書き込むことが可能であり、非選択画素はその「黒」ま
たは「白」の状態を保持することが可能である印加電圧
の上下限の値およびその幅（駆動電圧マージンΔＶ）は
液晶材料間で差があり、特有なものである。また環境温
度の変化によっても駆動マージンはズしていくため、実
際の表示装置の場合、液晶材料や環境温度に対して最適
駆動電圧にしておく必要がある。

しかしながら、実用上この様なマトリクス表示装置の表
示面積を拡大していく場合、各画素における液晶の存在
環境の差（具体的には、温度や電極間のセルギャップの
差）は当然太き（なり、駆動電圧マージンが小さな液晶
では表示エリア全体に良好な画像を得ることが出来なく
なる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明の目的は、強誘電性液晶素子を実用できるように
、応答速度が速く、又、その温度依存性の軽減、又は駆
動電圧マージンの拡大により、液晶素子の表示エリア上
にある程度の温度バラツキがあっても、全画素が良好に
マトリクス駆動できる駆動温度マージンの広いカイラル
スメクチック液晶組成物および該液晶組成物を使用する
液晶素子を提供することにある。

〔問題を解決するための手段〕

本発明は下記一般式（１） （ただし、Ｒ，、Ｒ２はＣＩ””’ＣＩ８の直鎖状もし
くは分岐状のアルキル基であり、置換基として０１〜Ｃ
１□のアルコキシ基を有していても良い。Ｘｌ、ｘ２の
いずれかを示す。ただし、Ｒ，、Ｒ２が共にｎ−アルキ
ル基とはならない。） で示される化合物の少なくとも一種と、下記一般式（Ｉ
Ｉ　） す （ただし、Ｒ３，Ｒ４は置換基を有していても良いＣ８
〜（１８の直鎖状又は分岐状のアルキル基であり、かつ
少なくとも一方は光学活性である。

Ｘ３は単結合、−〇 ｘ４は単結合、−〇 −ｃｏ−−ｏｃｏ− −ＯＣＯ−０） で示される化合物の少なくとも一種と、下記一般式（Ｉ
［Ｉ） 間に配置してなる液晶素子を提供するものである。

前述の一般式（１）で示される化合物において好ましい
化合物例として下記（Ｉ−ａ）〜（１−ｐ）式で表わさ
れる化合物を挙げることができる。

（ただし、Ｒ５，Ｒ６は置換基を有していても良い０１
〜ＣＩ８の直鎖状又は分岐状のアルキル基、Ｘ５．Ｘ６
は単結合、　　−ｏ−、−ｏｃ−、−ｃｏ−ＯＯ ＯＣ〇−１Ｚ１は−ＣＨ２〇−又は−０ＣＨ２−、ｍ、
　ｎは■もしくは２゜） で示される化合物の少なくとも１種とを含有することを
特徴とする強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物な
らびに該液晶組成物を一対の電極基板又、 さらに上述の （１−ａ） 〜　（１−ｐ） における Ｒ　　７　＋ 　Ｂｌ ９は直鎖状もしく は分岐状のアル ＲＩ。

Ｒ２のより好ましい例として（［−ｉ）〜（＋−ｖ）キ
ル基を示す。

ｐ。

ｌ Ｓは０〜７であり、 ｒはＯも を挙げることができる。

しくは１゜ （ｌ Ｉ） ＣＨ３ 又、 前述の一般式（ＩＩ）で示される化合物におけＲ１がｎ
−アルキル基 Ｒ２が ÷ＣＨ２）ｐＣＨ Ｒフ るＸ３・ ４の好ましい例として、 ３は一〇− （光学活性もしくはラセミ体） （夏−１ｉ） ＣＨ３ Ｒ３がｎ アルキル基 Ｒ２が ＋　ＣＨ２）　ｑ　ＣＨ（ＣＨ２＞　ｒ　ＯＲｓる。

（光学活性もしくはラセミ体） 又、 さらに、Ｒ３゜ Ｒ４においてより好ま しい 例として下記する （■ ｉ） 〜　（■ ■） を挙げる ことができる。

（光学活性もしくはラセミ体） （光学活性もしくはラセミ体） （光学活性もしくはラセミ体） （光学活性もしくはラセミ体） （光学活性もしくはラセミ体） （ｎ　−１） Ｒ３が　ｎ−アルキル基 ＣＨ３ Ｒ４が −ｅ　ＣＨ２Ｅ）−ｔＣ：ｌ−Ｒ、。

（ＩＩ　−１ｉ） ＣＨ３ Ｒ３が （−ＣＨ２矢ｕＣＨＲ。

＊ Ｒ４が　ｎ−アルキル基 （■−１ｉｉ） ＣＨ３ Ｒ３が　−ｅＣＨ２）ｕＣＨＲ。

＊ ＣＨ３ Ｒ４が　＋ＣＨ２Ｅ）−ｔＣＩ（−Ｒ、。

＊ （ｎ　−１ｖ） Ｒ３が　ｎ−アルキル基 ＣＨ３ Ｒ４が　−ｅＣＨ２”ｆ　ｗＣＨ−（：ＣＨ２＋、　Ｏ
Ｒ１２＊ （ＩＩ　−ｖ） ＣＨ３ Ｒ３が　子ＣＨ２ヂｙテ÷ＣＨ２ヂ２０Ｒ１３Ｒ４が　
ｎ−アルキル基 Ｒ１０”　Ｒ１３は直鎖状又は分岐状のアルキル基、ｔ
。

ｕ、　　ｗ、　ｙは０〜７．７１　ｚはＯ又は１０又、
前述の一般式（ｍ）で示される化合物において、より好
ましい化合物例として、下記する（ｍ　−ａ）〜（ＩＩ
Ｉ−ｆ）式で表わされる化合物を挙げることができる。

Ｘ５（）（奸ＯＣＨ２＋Ｘ　６−Ｒ６ （ｍ　−ｒ） 又、さらに、上述の（ｍ−ａ）〜（ｍ−ｆ）におけるＸ
５．Ｘ６のより好ましい例として下記する（］ＩＩ−ｉ
）〜（ｍ　−ｖｉｉｉ　）を挙げることができる。

（ｍ　−１）　　　ｘ　５　　が　単結合、　　Ｘ６　
が　単結合（ＩＩＩ　−１ｉ）　　　Ｘ　５　　が　単
結合、　　Ｘ６　が　−〇（■−山）ＸＳ　　が　単結
合、　　Ｘ６　が　−〇Ｃ（ｍ　−１ｖ）　　Ｘ５　　
が　単結合、　　ｘ６　が　−ＣＯ−（ｍ−ｖ）Ｘ５　
が　−〇−１Ｘ６　が　単結合（ｍ−ｖｉ）Ｘ５が−０
−１Ｘ６が一〇−（ｍ　−ｖｉｉ）　Ｘ　５が−０−１
Ｘ６が−ＯＣＩ （ｌｌｉ　−ｖｉｉｉ）　Ｘ　５が一〇−１Ｘ６が−Ｃ
Ｏ−又、さらに上述の（Ｉ［［−ａ）〜（ＩＩＩ−ｆ）
におけるＲ５．Ｒ６のより好ましい例として（ＩＩＩ−
ｉｘ）〜（ＩＩＩ−ｘｉｉ）を挙げることができる。

Ｒ１４ｒ　　Ｒ１５＋　　Ｒ１ｅ＋は直鎖状又は分岐状
のアルキル基、ａ、　ｃ、　ｅはｏ〜７、ｂは１〜１２
、ｄは０又は１゜ 前記一般式 で表わされる液晶性化合物の具 体的な構造式の例を以下に示す。

■−１２ Ｈ３ ｎＣ１２Ｈ２Ｓ　０（０，＋低ＣＨ２）５　ＣＨＣ２Ｈ
５■ Ｒ４Ｘ　４−＠−ＣＮ Ｒ４＋ ４は前述の通り） 前記一般式（１）で示される化合物は、例えば特開昭６
１−９３１７０．特開昭６１−２４５７６、特開昭６１
−１２９１７０．特開昭６１−２００９７２．特開昭６
１２００９７３、特開昭６１−２１５３７２．特開昭６
１−２９１５７４゜東独特許９５８９２　（１９７３年
）などに記載の合成方法により得られる。例えば下記に
示すような合成経路で得ることができる。

一般式（１）で示される化合物の代表的な合成例を以下
に示す。

合成例１　（Ｎｏ、１−２０の化合物の合成）ピリジン
５ｍｌに溶かした５−メトキシヘキサノール１．０６　
ｇ　（８，０ｍ　ｍｏｌ　）にピリジン５ｍＡに溶かし
たｐ−トルエンスルホン酸クロライド１．８３ｇ　（９
，６ｍｍｏｌ）を氷水浴中５℃以下で滴下した。室温で
６時間撹拌後、反応混合物を冷水１００ｍｆに注入した
。６Ｎ塩酸で酸性側とした後、イソプロピルエーテルで
抽出した。有機層を水洗後、無水硫酸マグネシウムで乾
燥し、その後溶媒留去して、５−メトキシヘキシル−ｐ
−トルエンスルホネートを得た。

ジメチルホルムアミド１０ｒｒ＋ｊ？に５−デシル−２
−（ｐ−ヒドロキシフェニル）ピリミジン２．０ｇ（６
，４１ｍ　ｍｏｌ　）、水酸化カリウム０．６１ｇを加
え、１０００Ｃで４０分間撹拌した。これに、先に得た
５−メトキシへキシル−ｐ−）ルエンスルホネートを加
え、ｉｏｏ℃で４時間加熱撹拌した。反応終了後、反応
混合物を冷水１００＋ｌ！に注入し、ベンゼンにより抽
出した。水洗後、無水硫酸マグネシウムにより乾燥し溶
媒留去して淡黄色油状物を得た。カラムクロマトグラフ
ィー（シリカゲル−酢酸エチル／ベンゼン＝１／９）に
より精製後、ヘキサンより再結晶して５−デシル−２−
［４−（５’−メトキシへキシルオキシ）フェニル）ピ
リミジン（化合物Ｎｏ、１−２０）１．３５ｇを得た。

相転移温度（’Ｃ） 合成例２　（Ｎｏ、１−２５の化合物の合成）６−ペン
チルオキシヘプタノール２．０４　ｇをピリジン８ｍＡ
に溶かし水冷した後、ピリジン５ｍｊ！に溶かしたトシ
ルクロライド２．２６ｇを徐々に滴下した（５０Ｃ以下
、７分）。その後、室温にて５時間撹拌した。

反応混合物を氷水１５０ｒｌ！に注入し、６Ｎ塩酸水溶
液でｐＨ３程度にした後、酢酸エチルにより抽出した。

これを水洗し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、
溶媒留去して（６−ペンチルオキシヘプチル）ｐ−トル
エンスルホネー）２．９８ｇを得た。

５−ｎ−デシル−２−（４−ヒドロキシフェニル）ピリ
ミジン３．１２ｇ及び水酸化カリウム０．５３ｇをジメ
チルホルムアミド１４ｍ！！に溶かし、１００°Ｃで３
時間加熱撹拌した後、（６−ペンチルオキシヘプチル）
ｐ−トルエンスルホネート２．９８ｇを添加し、１００
℃で５時間加熱撹拌した。

反応混合物を氷水２００ｍＩ！に注入し、６Ｎ塩酸水溶
液でｐＨ３程度にした後ベンゼンにより抽出した。これ
を水洗し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後溶媒留去
して粗生成物４．７１　ｇを得た。これをシリカゲルカ
ラムクロマト精製（ｎ−ヘキサン／酢酸エチル＝ｌＯ／
２）　した後、さらにヘキサンから再結晶し、５−ｎ−
デシル−２−［４−（６−ペンチルオキシへブチルオキ
シ）フェニル］ピリミジン１．５６ｇを得た。

ＩＲ（ｃｍ−’） ２９２４．２８５２，１６１０，１５８６，１４７２゜
１４３６．１２５４，１１６８，１０９６．　７９８相
転移温度（０Ｃ） 合成側以外の化合物についても以下の合成経路Ａ。

Ｂにより得ることができる。

合成経路Ａ 前記一般式（ＩＩ）で表わされる液晶性化合物の具体的
な構造式の例を以下に記す。

合成経路Ｂ （上記においてＲ１，Ｒ２、Ｘ　１．ｍ、ｎは前述の通
りである） Ｏ Ｏ 前記一般式（ｎ） で示される化合物は例えば 下記に示すような合成経路で得ることができる。

（Ｒ は前述の通り） 前記一般式 で示される化合物の具体的な 構造式の例を以下に示す。

３−６ロ 前記一般式（ｍ）で示される化合物は、例えば特開昭６
０−１４９５４７　（１９８５年）、特開昭６ｌ−６３
６３３（１９８６年）に記載される合成法により得られ
る。

代表的な合成例を以下に示す。

合成例１（化合物Ｎｏ、３−５４の合成）３０　ｍ　ｌ
ナスフラスコに下記アルコール誘導体１．０ｇ（４，８
１ｍｍｏｌ　）を入れ、冷却下、塩化チオニル３ｍ！！
を加え、撹拌しながら室温まで昇温させ、さらに冷却管
を取り１け、外温７０°Ｃ〜８０℃で４時間加熱還流を
行った。反応後過剰の塩化チオニルを留去し、塩化物を
得た。これをトルエン１５ｍｊ！に溶解した。

次に２００ｍｆの三つロフラスコに６０％油性水素化ナ
トリウム０．３３ｇを入れ乾燥ｎ−ヘキサンで数回洗っ
た後、下記フェノール誘導体１．５２ｇ　（４，８１ｍ
ｍｏｌ）のＴＨＦ溶液１５ｍｊ！を室温上演下し、さら
にＤＭＳＯを２０ｍＡ加え１時間撹拌した。これに、先
に述べた塩化物のトルエン溶液をゆっくりと滴下し、滴
下終了後さらに室温にて１６時間撹拌を続けた。

反応終了後約２００　ｍ　ｌの氷水にあけ、有機層を分
離しさらに水層をベンゼン５０ｍＡにて２回抽出を行い
、先に分離した有機層と共に５％塩酸水溶液で２回洗っ
た後、イオン交換水で１回、さらに５％ＮａＯＨ水溶液
で１回洗いその後、水層のｐＨ値が中性を示すまでイオ
ン交換水で有機層を水洗した。

有機層を取り出し硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、溶
媒留去して粗製物を得た。これを展開液ｎ−ヘキサン／
ジクロロメタン、３／ｌＯを用いて、シリカゲルカラム
クロマトグラフィーにて精製を行った。

溶媒留去して得た結晶を、ｎ−ヘキサンを用いて再結晶
して精製目的物を得た。さらに室温にて減圧乾燥を行い
最終精製目的物を０．６９ｇ得た。収率は２８．５％で
あった。

元素分析値（ｗｔ％） 計算値 測定値 ７８．３３ ７８．９６ ８．５７ ８．６９ ０．００ ０．０２ 相転位 合成例２（化合物Ｎつ、３−６８の合成）３０ｍｊ！ナ
スフラスコに下記アルコール誘導体１．２５ｇ（４，Ｏ
ｌｍｍｏｌ）を入れ、冷却下、塩化チオニル４ｍｆを加
え、撹拌しながら室温まで昇温させ、さらに冷却管を取
りつけ、外温７０°Ｃ〜８０℃で４時間加熱還流を行っ
た。反応後過剰の塩化チオニルを留去し、塩化物を得た
。これをトルエン１５ｍ！！に溶解した。

次に２００ｍｊ！の三つロフラスコに６０％油性水素化
ナトリウム０．３１ｇを入れ乾燥ｎ−ヘキサンで数回洗
った後、下記フェノール誘導体０．７９ｇ　（４，Ｏｌ
ｍｍｏｌ）のＴＨＦ溶液１５ｍ！！を室温下漬下し、さ
らにＤＭＳＯを２０ｍ１加え１時間撹拌した。これに、
先に述べた塩化物のトルエン溶液をゆっくりと滴下し、
滴下終了後さらに室温にて１６時間撹拌を続けた。

反応終了後約２００ｍ１の氷水にあけ、有機層を分離し
さらに水層をベンゼン５０ｍｊ！にて２回抽出を行い、
先に分離した有機層と共に５％塩酸水溶液で２回洗った
後、イオン交換水で１回、さらに５％ＮａＯＨ水溶液で
１回洗いその後、水層のｐＨ値が中性を示すまでイオン
交換水で有機層を水洗した。

有機層を取り出し硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、溶
媒留去して粗製物を得た。これを展開液ｎ−ヘキサン／
ジクロロメタン、３／ｌＯを用いて、シリカゲルカラム
クロマトグラフィーにて精製を行った。

溶媒留去して得た結晶を、ｎ−へキサンを用いて再結晶
して精製目的物を得た。さらに室温にて減圧乾燥を行い
最終精製目的物を０．５１ｇ得た。収率は２６．０％で
あった。

ＣＨＮ分析値（ｗｔ％）ＣＨＮ 計算値　　７８．３３　　　８．６３　　　０．００理
論値　　７８．６２　　　８．８６　　　０．０２相転
位 ＩＲスペクトル　　２９７５゜ １５１０゜ １２８０゜ １０２０゜ Ｓ２．５３ ２９２５゜ １４７０゜ １２４０゜ ｔｏｏｏ。

は未同定 ２８５０、　１６１０゜ １３８０、　１２９５゜ １２２０、　１１３０゜ ８１０　　ｃｍ−’ 本発明の液晶組成物は、前記一般式（１）で示される化
合物の少なくとも１種、前記一般式（ｎ）で示される化
合物の少な（とも１種、及び一般式（ｍ）で示される化
合物の少なくとも１種とを、適当な割合で混合すること
により得ることができる。

又、本発明による液晶組成物と、他の液晶性化合物１種
以上とをさらに適当な割合で混合し、本発明の液晶組成
物としても良い。

又、本発明による液晶組成物は、強誘電性液晶組成物、
特に強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物が好まし
い。

本発明で用いる他の液晶性化合物の具体例を下記にあげ
る。

１＝−一ニ υｊユーノ ｃ　、Ｈ１７０＋ｃｏｓ　＋０ＣＲ２ＣＨＣ２）＋　５
零 υ υ υ υ υ リ Ｕ 本発明の一般式（Ｉ）で示される液晶性化合物、一般式
（ｎ）で示される液晶性化合物および一般式（ＩＩＩ）
で示される液晶性化合物それぞれと、上述した他の液晶
性化合物一種以上、あるいは、それを含む強誘電性液晶
性組成物（強誘電性液晶材料と略す）との配合割合は、
強誘電性液晶材料１００重量部当り、本発明一般式（Ｉ
）、一般式（ＩＩ）および一般式（ｍ）で示される液晶
性化合物それぞれを１〜３００重量部、より好ましくは
１〜１００重量部とすることが好ましい。

また、本発明の一般式（Ｉ）、一般式（ＩＩ）および一
般式（ＩＩＩ）で示される液晶性化合物のいずれか、あ
るいは全てを２種以上用いる場合も強誘電性液晶材料と
の配合割合は前述した強誘電性液晶材料１００重量部当
り、本発明一般式（１）、一般式（ＩＩ）および一般式
（ＩＩＩ）で示される液晶性化合物のいずれか、あるい
は全ての２種以上の混合物を１〜５００重量部、より好
ましくは１〜１００重量部とすることがのぞましい。

第１図は強誘電性液晶素子の構成の説明のために、本発
明の強誘電性液晶層を有する液晶素子の１例の断面概略
図である。

第１図において符号１は強誘電性液晶層、２はガラス基
板、３は透明電極、４は絶縁性配向制御層、５はスペー
サー、６はリード線、７は電源、８は偏光板、９は光源
を示している。

２枚のガラス基板２には、それぞれＩｎ２Ｏ３゜ＳｎＯ
２あるいはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ　　０ｘｉｄ
ｅ）等の薄膜から成る透明電極が被覆されている。その
上にポリイミドの様な高分子の薄膜をガーゼやアセテー
ト植毛布等でラビングして、液晶をラビング方向に並べ
る絶縁性配向制御層が形成されている。また絶縁物質と
して例えばシリコン窒化物、水素を含有するシリコン炭
化物、シリコン酸化物、硼素窒化物、水素を含有する硼
素窒化物、セリウム酸化物、アルミニウム酸化物、ジル
コニウム酸化物、チタン酸化物やフッ化マグネシウムな
どの無機物質絶縁層を形成し、その上にポリビニルアル
コール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエステル
イミド、ポリパラキシレン、ポリエステル、ポリカーボ
ネート、ポリビニルアセクール、ポリ塩化ビニル、ポリ
酢酸ビニル、ポリアミド、ポリスチレン、セルロース樹
脂、メラミン樹脂、ユリャ樹脂、アクリル樹脂やフォト
レジスト樹脂などの有機絶縁物質を配向制御層として、
２層で絶縁性配向制御層が形成されていてもよ（、また
無機物質絶縁性配向制御層あるいは有機物質絶縁性配向
制御層単層であっても良い。この絶縁性配向制御層が無
機系ならば蒸着法などで形成でき、有機系ならば有機絶
縁物質を溶解させた溶液、またはその前駆体溶液（溶剤
０．１〜２０重量％、好ましくは０．２〜ＩＯ重量％）
を用いて、スピンナー塗布法、浸漬塗布法、スクリーン
印刷法、スプレー塗布法、ロール塗布法等で塗布し、所
定の硬化条件下（例えば加熱下）で硬化させ形成させる
ことができる。

絶縁性配向制御層の層厚は通常３０人〜１μｍ１好まし
くは３０人〜３０００人、さらに好ましくは５０人〜１
０００人が適している。

この２枚のガラス基板２はスペーサー５によって任意の
間隔に保たれている。例えば所定の直径を持つシリカビ
ーズ、アルミナビーズをスペーサーとしてガラス基板２
枚で挾持し、周囲をシール材、例えばエポキシ系接着材
を用いて密封する方法がある。その他スペーサーとして
高分子フィルムやガラスファイバーを使用しても良い。

この２枚のガラス基板の間に強誘電性液晶が封入されて
いる。

強誘電性液晶が封入された強誘電性液晶層は、一般には
０．５〜２０μｍ１好ましくは１〜５μｍである。

また、この強誘電性液晶は室温を含む広い温度域（特に
低温側）でＳｍＣｍＣ重相イラルスメクチックＣ相）を
有し、高速応答性を有することが望ましい。さらに応答
速度の温度依存性が小さいこと、および駆動電圧マージ
ンが広いことが望まれる。

また、特に素子とした場合に良好な均−配向性を示すモ
ノドメイン状態を得るには、その強誘電性液晶は等吉相
からｃｈ相（コレステリック相）−Ｓ　ｍ　Ａ相（スメ
クチックＡ相）−３ｍＣｍＣ転相イラルスメクチックＣ
相）という相転移系列を有していることが望ましい。

透明電極３からはリード線によって外部電源７に接続さ
れている。

またガラス基板２の外側には偏光板８が貼り合わせであ
る。

第１図は透明型なので光源９を備えている。

第２図は強誘電性液晶素子の動作説明のために、セルの
例を模式的に描いたものである。２１ａと２１ｂはそれ
ぞれＩｎ２Ｏ３，５ｎ０２あるいはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕ
ｍ−Ｔｉｎ　　０ｘｉｄｅ）等の薄膜からなる透明電極
で被覆された基板（ガラス板）であり、その間に液晶分
子層２２がガラス面に垂直になるよう配向したＳｍＣｍ
Ｃ重相はＳｍＨ＊相の液晶が封入されている。太線で示
した線２３が液晶分子を表わしており、この液晶分子２
３はその分子に直交した方向に双極子モーメント（Ｐ±
）２４を有している。基板２１ａと２１ｂ上の電極間に
一定の閾値以上の電圧を印加すると、液晶分子２３のら
せん構造がほどけ、双極子モーメント（Ｐ土）２４がす
べて電界方向に向（よう、液晶分子２３は配向方向を変
えることができる。液晶分子２３は細長い形状を有して
おり、その長袖方向と短軸方向で屈折率異方性を示し、
従って例えばガラス面の上下に互いにクロスニコルの偏
光子を置けば、電圧印加極性によって光学特性が変わる
液晶光学変調素子となることは、容易に理解される。

本発明の光学変調素子で好ましく用いられる液晶セルは
、その厚さを充分に薄く（例えば１０μ以下）すること
ができる。このように液晶層が薄くなるにしたがい、第
３図に示すように電界を印加していない状態でも液晶分
子のらせん構造がほどけ、その双極子モーメントＰａま
たはｐｂは上向き（３４ａ）または下向き（３４ｂ）の
どちらかの状態をとる。このようなセルに、第３図に示
す如（一定の閾値以上の極性の異る電界ＥａまたはＥ　
ｂを電圧印加手段３１ａと３１ｂにより付与すると、双
極子モーメントは電界ＥａまたはＥｂの電界ベクトルに
対応して上向き３４ａまたは下向き３４ｂと向きを変え
、それに応じて液晶分子は、第１の安定状態３３ａかあ
るいは第２の安定状態３３ｂの何れか一方に配向する。

このような強誘電性を光学変調素子として用いることの
利点は先にも述べたが２つある。

その第１は、応答速度が極めて速いことであり、第２は
液晶分子の配向が双安定性を有することである。第２の
点を例えば第３図によって更に説明すると、電界Ｅａを
印加すると液晶分子は第１の安定状態３３ａに配向する
が、この状態は電界を切っても安定である。また、逆向
きの電界Ｅｂを印加すると、液晶分子は第２の安定状態
３３ｂに配向してその分子の向きを変えるが、やはり電
界を切ってもこの状態に留っている。また与える電界Ｅ
ａあるいはＥｂが一定の閾値を越えない限り、それぞれ
前の配向状態にやはり維持されている。

この様な特性を有する強誘電性液晶材料を一対の基板間
に挾持した素子で単純マトリクス表示装置とした場合、
例えば特開昭５９−１９３４２６号公報、同５９−１９
３４２７号公報、同６０−１５６０４６号公報や同６０
−１５６０４７号公報などに開示された駆動法を適用す
ることができる。

第４図は、本発明の実施例中で用いた駆動法の波形図で
ある。また、第５図は、本発明で用いたマトリクス電極
を配置した強誘電性液晶パネル５１の平面図である。第
５図のパネル５１には、走査線５２とデータ線５３とが
互いに交差して配線され、その交差部の走査線５２とデ
ータ線５３との間には強誘電性液晶が配置されている。

第４図（Ａ）中のＳｓは選択された走査線に印加する選
択走査波形を、ＳＮは選択されていない非選択走査波形
を、Ｉｓは選択されたデータ線に印加する選択情報波形
（黒）を、■、は選択されていないデータ線に印加する
非選択情報信号（白）を表わしている。また、図中（Ｉ
ｓ　　Ｓｓ）と（ＩＮ　　ｓｓ）は選択された走査線上
の画素に印加する電圧波形で、電圧（ｉｓ　　ｓｓ）が
印加された画素は黒の表示状態をとり、電圧（ＩＮ　　
５ｇ）が印加された画素は白の表示状態をとる。

第４図（Ｂ）は第４図（Ａ）に示す駆動波形で第６図に
示す表示を行ったときの時系列波形である。

第４図に示す駆動例では、選択された走査線上の画素に
印加される単一極性電圧の最小印加時間Δｔが書込み位
相ｔ２の時間に相当し、１ラインクリヤ型１位相の時間
が２Δｔに設定されている。

さて、第４図に示した駆動波形の各パラメータｖＳ　＋
　　Ｖｌ　＋　Δｔの値は使用する液晶材料のスイッチ
ング特性によって決定される。

第７図は後述するバイアス比を一定に保ったまま駆動電
圧（Ｖ５＋　Ｖ、　）を変化させたときの透過率Ｔの変
化、即ちＶ−Ｔ特性を示したものである。ここでは、Δ
ｔ＝５０μｓ、バイアス比Ｖ、　／（ｖ、　十Ｖ５）＝
ｌ／３に固定されている。第７図の正側は第４図で示し
た（ＩＮ　　ＳＳ）、負側は（ｔｓ　　ｓｓ）で示した
波形が印加される。

ここでｖＩ　＋　ｖ３をそれぞれ実駆動閾値電圧、及び
クロストーク電圧と呼ぶ。但しくｖ２＜Ｖｌ〈Ｖ３）ま
たΔｖ　−（Ｖ３　　Ｖｌ　）を駆動電圧マージンと呼
び、マトリクス駆動可能な電圧幅となる。ｖ３はＦＬＣ
のマトリクス駆動上、−船釣に存在すると言ってよい。

具体的には、第４図（Ａ）（ＩＮ　　５ｇ）の波形にお
けるｖＩｉによるスイッチングを起こす電圧値である。

勿論、バイアス比を大きくすることによりｖ３の値を大
きくすることは可能であるが、バイアス比を増すことは
情報信号の振幅を大きくすることを意味し、画質的には
ちらつきの増大、コントラストの低下を招き好ましくな
い。我々の検討ではバイアス比はｌ／３〜１／４程度が
実用的であった。ところでバイアス比を固定すれば、電
圧マージンΔＶは液晶材料のスイッチング特性に強く依
存し、ΔＶの大きい液晶材料がマトリクス駆動上非常に
有利であることは言うまでもない。

この様な、ある一定温度において、情報信号の２通りの
向きによって選択画素に「黒」および「白」の二状態を
書き込むことが可能であり、非選択画素は、その「黒」
または「白」の状態を保持することが可能である印加電
圧の上下限の値およびその幅（駆動電圧マージンΔＶ）
は液晶材料間で差があり特有なものである。また環境温
度の変化によっても、駆動マージンはズしてい（ため、
実際の表示装置の場合、液晶材料や環境温度に対して最
適駆動電圧にしてお（必要がある。

しかしながら、実用上この様なマトリクス表示装置の表
示面積を拡大していく場合、各画素における液晶の存在
環境の差（具体的には、温度や電極間のセルギャップの
差）は当然大きくなり、駆動電圧マージンが小さな液晶
では、表示エリア全体に良好な画像を得ることが出来な
くなる。

以下実施例により本発明について更に詳細に説明するが
、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

しし二〇 実施例１ 下記例示化合物を下記の重量部で混合し、液晶組成物１
−Ａを作成した。

例示化合物Ｎｏ。

構造式 ％式％ 式 重量部 ｃｆｌＨ１？（（鼾ＣＯＯ＋ＯＣ２゜Ｈ２＋Ｃ＋ｏ　Ｈ
２１＋ＣＯＯ＋ＯＣｓ　Ｈ１７Ｃ１占舎ｃｏｏ＋ｏｃ　
ｓ　Ｈ１７ 更に、この液晶組成物１−Ａに対して、以下に示す例示
化合物を、各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成物
１−Ｂを作成した。

例示化合物Ｎｏ。

構造式 次に、この液晶組成物１−Ｂを以下の手順で作成したセ
ルを用いて、素子特性等を観察した。

２枚の１　、１　ｍ　ｍ厚のガラス板を用意し、それぞ
れのガラス板上にＩＴＯ膜を形成し、電圧印加電極を作
成し、さらにこの上に５ｉＯ７を蒸着させ絶縁層とした
。

この基板上にポリイミド樹脂前駆体［東しく（１）ＳＰ
−７１０１１，０％ジメチルアセトアミド溶液を回転数
２５０　Ｏｒ　ｐ　ｍ　、のスピンナーで１５秒間塗布
した。成膜後、６０分間、３００℃加熱縮合焼成処理を
施した。この時の塗膜の膜厚は約２００人であった。

この焼成後の被膜には、アセテート植毛布によるラビン
グ処理がなされ、その後イソプロピルアルコール液で洗
浄し、平均粒径１．５μｍのシリカビーズを一方のガラ
ス板上に散布した後、それぞれのラビング処理軸が互い
に平行となる様にし、接着シール剤［リクソンボンド（
チッソ■）］を用いてガラス板を貼り合わせ、６０分間
、１００℃にて加熱乾燥し、セルを作成した。このセル
のセル厚をベレツク位相板によって測定したところ約１
，５μｍであった。

このセルに上述の液晶組成物１−Ｂを等方性液体状態で
注入し、等吉相から２０°Ｃ／ｈで２５°Ｃまで徐冷す
ることにより、強誘電性液晶素子を作成した。

この強誘電性液晶素子を用いて、前述した第４図に示す
駆動波形（ｙ３バイアス）で駆動電圧マージンΔＶ（Ｖ
３　　Ｖｌ）を測定した。

尚、測定時設定パルス幅Δｔは、駆動閾値電圧Ｖ　、＝
２０Ｖとなる様に設定した。このとき、Δｔ（Ｖ　、　
＝２０Ｖ）は駆動閾値電圧パルス幅であり、応答速度を
示すことになる。

１０℃　　　２５°０４０℃ 駆動電圧マージンΔＶ　　　　１１，２Ｖ　　　　　１
３．６Ｖ　　　　　１２．ＯＶ（測定設定パルス幅Δｔ
）　　（４４０μ５ｅｃ）　　（１４０μ５ｅｃ）　　
（６０μ５ｅｃ）更に、２５°Ｃにおける駆動電圧マー
ジンの中央値に電圧を設定して、測定温度を変化させた
場合、駆動可能な温度差（以下駆動温度マージンという
）は上３゜９℃であった。

又、２５℃における駆動時のコントラストは１３．０で
あった。

比較例１ 実施例１で使用した液晶組成物１−Ｂに代えて、例示化
合物Ｎｏ、　１−２０．　１−４１を混合せずに１−Ａ
に対して例示化合物Ｎｏ、　２−２４．　２−２６．　
３−３７のみを実施例１と同じ重量部で混合した液晶組
成物１−０１および例示化合物Ｎｏ、２−２４．　２−
２６を混合せずに１−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、１　
２０゜１−４１．３−３７のみを実施例１と同じ重量部
で混合しだ液晶組成物１−Ｄｌさらに例示化合物Ｎｏ、
３−３７を混合せずに１−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、
１−２０゜１−４１．２−２４．２−２６のみを実施例
１と同じ重量部で混合した液晶組成物１−Ｅを作成した
。

これらの液晶組成物１−Ｃ，１−Ｄ、　　１−Ｅ及び１
−Ａを用いた以外は、全〈実施例１と同様の方法でそれ
ぞれ強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法
で駆動電圧マージンΔｖ１及び２５°Ｃにおける駆動温
度マージンを測定した。その結果を次に示す。

駆動電圧マージンΔＶ （測定時設定パルス幅Δｔ） １０℃　　　　２５℃　　　　４０℃ １−Ａ　　　　　７．ＯＶ　　　　　１０．ＯＶ　　　
　　９．０Ｖ（５６７μ５ｅｃ）　　　（１６０μ５ｅ
ｃ）　　　（５９μ５ｅｃ）１−ＣＩｏ、３Ｖ　　　　
　１１．４Ｖ　　　　　１０．７Ｖ（５２０μ５ｅｃ）
　　　（１５５μ５ｅｃ）　　　（５４μ５ｅｃ）１−
Ｄ　　　　　９．５Ｖ　　　　　１１．５Ｖ　　　　　
１０．５Ｖ（４７５μ５ｅｃ）　　　（１４５μ５ｅｃ
）　　　（５４μ５ｅｃ）１−Ｅ　　　　　９．ＯＶ　
　　　　ｌＯ，５Ｖ　　　　　９．５Ｖ（４９５μ５ｅ
ｃ）　　　（１４８μ５ｅｃ）　　　（６０μ５ｅｃ）
駆動温度マージン １−Ａ　　上１゜７°Ｃ １−Ｃ上１゜９°Ｃ １−Ｄ　　上２゜４°Ｃ １−Ｅ　　上２゜４°Ｃ 実施例Ｉと比較例１より明らかな様に、本発明による液
晶組成物を有する強誘電性液晶素子の方が駆動マージン
は広がっており、環境温度の変化やセルギャップのバラ
ツキに対して、画像を良好に保つ能力にすぐれている。

さらに、測定時設定パルス幅Δｔに着目すると、本発明
による液晶組成物を含有する強誘電性液晶素子の方が、
応答速度の温度依存性も軽減されている。

（以下余白） 、４−一」 実施例２ 実施例１で使用した液晶組成物１−Ａに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物２−Ｂを得た。

例示化合物Ｎｏ、　　　　　　構　造　式％式％ この液晶組成物を用いた他は、実施例１と同様の方法で
強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法で駆
動マージンを測定し、スイッチング状態等を観察した。

この液晶素子内の均−配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。

駆動電圧マージンΔＶ （測定時設定パルス幅Δｔ） １０°Ｃ２５°Ｃ４０°Ｃ 駆動電圧マージンΔＶ　　　　１２．ＯＶ　　　　　１
３．ＩＶ　　　　　１１．６Ｖ（測定時設定Δｔ）　　
　　　（４５０μ５ｅｃ）　　（１４２μ５ｅｃ）　　
（５５μ５ｅｃ）また、２５℃における駆動温度マージ
ンは±３．１℃であった。

また、２５℃におけるこの駆動時のコントラストは１３
．５であった。

−Ａ 比較例２ 実施例２で使用した液晶組成物２−Ｂに代えて、例示化
合物Ｎｏ、　２−２１．３−３．３−２７を混合せずに
１−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、　１−５６．、　１−
９０のみを実施例１と同じ重量部で混合した液晶組成物
２−Ｃを作成した。

この液晶組成物２−Ｃ及び１−Ａを用いた以外は、全（
実施例１と同様の方法でそれぞれ強誘電性液晶素子を作
成し、実施例１と同様の方法で駆動電圧マージンΔｖ１
及び２５°Ｃにおける駆動温度マージンを測定した。そ
の結果を次に示す。

駆動電圧マージンΔＶ （測定時設定パルス幅Δｔ） １０℃　　　　２５°Ｃ４０℃ １−Ａ　　　　　７．ＯＶ　　　　　１０．ＯＶ　　　
　　９．０Ｖ（５６７μ５ｅｃ）　　　（１６０μ５ｅ
ｃ）　　　（５９μ５ｅｃ）２−Ｃ９，ＯＶ　　　　　
１０．ＯＶ　　　　　９．５Ｖ（４９５μ５ｅｃ）　　
　（１５４μ５ｅｃ）　　　（５５μ５ｅｃ）駆動温度
マージン １−Ａ　　±１．７°Ｃ ２−Ｃ±２　、１００ 実施例２と比較例２より明らかな様に、本発明による液
晶組成物を有する強誘電性液晶素子の方が駆動マージン
は広がっており、環境温度の変化やセルギャップのバラ
ツキに対して、画像を良好に保つ能力にすぐれている。

さらに、測定時設定パルス幅Δｔに着目すると、本発明
による液晶組成物を含有する強誘電性液晶素子の方が、
応答速度の温度依存性も軽減されている。

実施例３ 下記例示化合物を下記の重量部で混合し、液晶組成物３
−Ａを作成した。

例示化合物Ｎｏ、　　　　　　　　構造式％式％ 式 ｃ　、ｏＨ２，噂−ｃｏｏ−◎−ＯＣ８Ｈ，７重量部 Ｃ１ｏＨ２，Ｏ＋ＣＯＯ＋０Ｃ８Ｈ１□Ｃ８ＨＩＴ＋Ｃ
ｏｏ＋ＱＣｒｏ　Ｈ２＋Ｃ２゜Ｈ２１０＋ＣＯＯ＋０Ｃ
６Ｈ１３更に、この液晶組成物３−Ａに対して、以下に
示す例示化合物を、各々以下に示す重量部で混合し、液
晶組成物３−Ｂを作成した。

例示化合物Ｎｏ。

構造式 この液晶組成物を用いた他は、実施例１と同様の方法で
強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法で駆
動マージンを測定し、スイッチング状態等を観察した。

この液晶素子内の均−配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。

駆動電圧マージンΔＶ （測定時設定パルス幅Δｔ） １０°Ｃ２５°Ｃ４０°Ｃ 駆動電圧マージンΔＶ　　１３．３Ｖ　　　　　１３，
４Ｖ　　　　　１２．ＯＶ（測定時設定Δｔ）　　　　
（８２０μ５ｅｃ）　　（２７５μ５ｅｃ）　　（１１
０μ５ｅｃ）また、２５℃における駆動温度マージンは
±３．７℃であった。

また、２５℃におけるこの駆動時のコントラストは１３
，５であった。

ｆｌ−゛ニー （以下余・白） Ｉ！足−２ −Ａ 比較例３ 実施例３で使用した液晶組成物３−Ｂに代えて、例示化
合物Ｎｏ、１−２０．　１−４１を混合せずに３−Ａに
対して例示化合物Ｎｏ、２−２４．２〜２６．３−３７
のみを実施例１と同じ重量部で混合した液晶組成物３−
０１および例示化合物Ｎｏ、２−２４．　２−２６を混
合せずに３−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、１−２０゜１
−４１．３−３７のみを実施例１と同じ重量部で混合し
た液晶組成物３−Ｄｌさらに例示化合物Ｎｏ、３−３７
を混合せずに３−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、１−２０
゜１−４１．２−２４．２−２６のみを実施例１と同じ
重量部で混合した液晶組成物３−Ｅを作成した。

これらの液晶組成物３−Ｃ，３−Ｄ、３−Ｅ及び３−Ａ
を用いた以外は、全〈実施例１と同様の方法でそれぞれ
強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法で駆
動電圧マージンΔｖ１及び２５℃における駆動温度マー
ジンを測定した。その結果を次に示す。

駆動電圧マージンΔＶ （測定時設定パルス幅Δｔ） ｌＯｏｏ　　　　　２５℃ １０、ＯＶ　　　　　１０．５Ｖ （１１５０μ５ｅｃ）　　（３２０μ５ｅｃ）１０．５
Ｖ　　　　　１１．３Ｖ （１０２０μ５ｅｃ）　　（３００μ５ｅｃ）１１．５
Ｖ　　　　　１１，０Ｖ （８９０μ５ｅｃ）　　　（２９０μ５ｅｃ）１１．２
Ｖ　　　　　１０．８Ｖ （８８５μ５ｅｃ）　　　（２９０μ５ｅｃ）駆動温度
マージン ３−Ａ　　＋１．６°Ｃ ３−Ｃ上２゜１°Ｃ ３−Ｄ　　上２゜６℃ ３−Ｅ　　上２゜３℃ 実施例３と比較例３より明らかな様に、本発明による液
晶組成物を有する強誘電性液晶素子の方が駆動マージン
は広がっており、環境温度の変化やセルギャップのバラ
ツキに対して、画像を良好に４０℃ ８．０ｖ （１１４μ５ｅｃ） ９．０ｖ （１０５μ５ｅｃ） １０．５Ｖ （１１０μ５ｅｃ） ８．５ｖ （１１０μ５ｅｃ） −Ｄ −Ｃ −Ｅ −Ａ 保つ能力にすぐれている。

さらに、測定時設定パルス幅Δｔに着目すると、本発明
による液晶組成物を含有する強誘電性液晶素子の方が、
応答速度の温度依存性も軽減されている。

実施例４ 実施例３で使用した液晶組成物３−Ａに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物４−Ｂを得た。

例示化合物Ｎｏ、　　　　　　構　造　式この液晶組成
物を用いた他は、実施例１と同様の方法で強誘電性液晶
素子を作成し、実施例１と同様の方法で駆動マージンを
測定し、スイッチング状態等を観察した。この液晶素子
内の均−配向性は良好であり、モノドメイン状態が得ら
れた。測定結果を次に示す。

駆動電圧マージンΔＶ （測定時設定パルス幅Δｔ） １０℃　　　２５°０　　　４０℃ 駆動電圧マージンΔＶ　　１３．ｌＶ　　　　　１３．
５Ｖ　　　　　１１．４Ｖ（測定時設定Δｔ）　　　（
８６０μ５ｅｃ）　　（２８０μ５ｅｃ）　　（１１０
μ５ｅｃ）また、２５℃における駆動温度マージンは上
３゜３℃であった。

また、２５℃におけるこの駆動時のコントラストは１２
．５であった。

比較例４ 実施例４で使用した液晶組成物４−Ｂに代えて、例示化
合物Ｎｏ、　１−８５．３−３６．３−３８を混合せず
に３−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、２−１８．２−５５
のみを実施例１と同じ重量部で混合した液晶組成物４−
Ｃを作成した。

この液晶組成物４−Ｃ及び３−Ａを用いた以外は、全〈
実施例１と同様の方法でそれぞれ強誘電性液晶素子を作
成し、実施例１と同様の方法で駆動電圧マージンΔｖ１
及び２５℃における駆動温度マージンを測定した。その
結果を次に示す。

駆動電圧マージンΔＶ （測定時設定パルス幅Δｔ） １０℃　　　　２５°Ｃ４００Ｃ １０、ＯＶ　　　　　１０．５Ｖ　　　　　Ｂ、０ＶＣ
１１５０μ５ｅｃ）　　Ｃ３２０ｐｓｅｃ）（１１４μ
５ｅｃ）１０．５Ｖ　　　　　１０．８Ｖ　　　　　８
．０Ｖ（９００μ５ｅｃ）　　　（２９５μ５ｅｃ）　
　　（１０５μ５ｅｃ）−Ｃ −Ａ 駆動温度マージン ３−Ａ　　　上１゜６℃ ４−Ｃ上２゜３°Ｃ 実施例４と比較例４より明らかな様に、本発明による液
晶組成物を有する強誘電性液晶素子の方が駆動マージン
は広がっており、環境温度の変化やセルギャップのバラ
ツキに対して、画像を良好に保つ能力にすぐれている。

さらに、測定時設定パルス幅Δｔに着目すると、本発明
による液晶組成物を含有する強誘電性液晶素子の方が、
応答速度の温度依存性も軽減されている。

実施例５ 実施例３で使用した液晶組成物３−Ａに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物５−Ｂを得た。

例示化合物Ｎｏ、　　　　　　構　造　式この液晶組成
物を用いた他は、実施例１と同様の方法で強誘電性液晶
素子を作成し、実施例１と同様の方法で駆動マージンを
測定し、スイッチング状態等を観察した。この液晶素子
内の均−配向性は良好であり、モノドメイン状態が得ら
れた。測定結果を次に示す。

駆動電圧マージンΔＶ （測定時設定パルス幅Δｔ） １０℃　　　２５°Ｃ４０℃ 駆動電圧マージ：／ΔＶ　　１４．ＯＶ　　　　　１４
．ＯＶ　　　　　１１．２Ｖ（測定時設定Δｔ）　　　
（８０５μ５ｅｃ）　　（２６８μ５ｅｃ）　　（１１
０μ５ｅｃ）また、２５℃における駆動温度マージンは
上４゜１００であった。

また、２５℃におけるこの駆動時のコントラストは１３
．０であった。

比較例５ 実施例５で使用した液晶組成物５−Ｂに代えて、例示化
合物Ｎｏ、　１−１８．　１−７９．　１−８６を混合
せずに３−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、　２−７０．３
−６３のみを実施例１と同じ重量部で混合した液晶組成
物５−Ｃを作成した。

この液晶組成物５−Ｃ及び３−Ａを用いた以外は、全〈
実施例１と同様の方法でそれぞれ強誘電性液晶素子を作
成し、実施例１と同様の方法で駆動電圧マージンΔｖ１
及び２５℃における駆動温度マージンを測定した。その
結果を次に示す。

駆動電圧マージンΔＶ （測定時設定パルス幅Δｔ） １０６Ｃ２５°０　　　　４０°Ｃ Ｉ０．ＯＶ　　　　　１０．５Ｖ　　　　　８．０Ｖ（
１１５０μ５ｅｃ）　　（３２０μ５ｅｃ）　　　（１
１４μ５ｅｃ）１２、ＯＶ　　　　　１２．ＯＶ　　　
　　８．５Ｖ（９９０μ５ｅｃ）　　　（３０５μ５ｅ
ｃ）　　　（１１４μ５ｅｃ）−Ａ 駆動温度マージン ３−Ａ　　上１゜６°Ｃ ３−Ｃ上２゜５℃ 実施例５と比較例５より明らかな様に、本発明による液
晶組成物を有する強誘電性液晶素子の方が駆動マージン
は広がっており、環境温度の変化やセルギャップのバラ
ツキに対して、画像を良好に保つ能力にすぐれている。

さらに、測定時設定パルス幅Δｔに着目すると、本発明
による液晶組成物を含有する強誘電性液晶素子の方が、
応答速度の温度依存性も軽減されている。

ｒ−呻−−一一噂−１ 実施例６ 下記例示化合物を下記の重量部で混合し、液晶組成物６
−Ａを作成した。

例示化合物Ｎｏ。

構造式 例示化合物Ｎｏ。

構　　造　　式 更に、この液晶組成物６−Ａに対して、以下に示す例示
化合物を、各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成物
６−Ｂを作成した。

例示化合物Ｎｏ。

構造式 ％式％ この液晶組成物を用いた他は、実施例１と同様の方法で
強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法で駆
動マージンを測定し、スイッチング状態等を観察した。

この液晶素子内の均一配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。

駆動電圧マージンΔＶ （測定時設定パルス幅Δｔ） １０°Ｃ２５°Ｃ４０°Ｃ 駆動電圧マージンΔＶ　　１１．ＯＶ　　　　　１４．
ＱＶ　　　　　１２．７Ｖ（測定時設定Δｔ）　　　　
（４２０μ５ｅｃ）　　（１２０μ５ｅｃ）　　（５５
μ５ｅｃ）また、２５℃における駆動温度マージンは±
３．６℃であった。

また、２５℃におけるこの駆動時のコントラストは１２
．５であった。

比較例６ 実施例６で使用した液晶組成物６−Ｈに代えて、例示化
合物Ｎｏ、１−５６．　１−９０．２−２１を混合せず
に６−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、３−３．３−２７の
みを実施例１と同じ重量部で混合した液晶組成物６−Ｃ
を作成した。

この液晶組成物６−Ｃ及び６−Ａを用いた以外は、全〈
実施例１と同様の方法でそれぞれ強誘電性液晶素子を作
成し、実施例１と同様の方法で駆動電圧マージンΔＶ１
及び２５℃における駆動温度マージンを測定した。その
結果を次に示す。

駆動電圧マージンΔＶ （測定時設定パルス幅Δｔ） １０°Ｃ２５°Ｃ４０°Ｃ ６−Ａ　　　　　７．ＯＶ　　　　　９．５Ｖ　　　　
　８．５Ｖ（５０４μ５ｅｃ）　　　（１４２μ５ｅｃ
）　　　（５４μ５ｅｃ）６−Ｃ８，５Ｖ　　　　　ｌ
ｏ、５Ｖ　　　　　ｌｏ、２Ｖ（４９５μ５ｅｃ）　　
　（１３５μ５ｅｃ）　　　（５０μｓｅｃ）駆動温度
マージン ６−Ａ　　＋１．８°Ｃ ６−Ｃ上２゜０°Ｃ 実施例６と比較例６より明らかな様に、本発明による液
晶組成物を有する強誘電性液晶素子の方が駆動マージン
は広がっており、環境温度の変化や。

セルギャップのバラツキに対して、画像を良好に保つ能
力にすぐれている。

さらに、測定時設定パルス幅Δｔに着目すると、本発明
による液晶組成物を含有する強誘電性液晶素子の方が、
応答速度の温度依存性も軽減されている。

実施例７ 実施例６で使用した液晶組成物６−Ａに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物７−Ｂを得た。

例示化合物Ｎｏ、　　　　　　構　造　式この液晶組成
物を用いた他は、実施例１と同様の方法で強誘電性液晶
素子を作成し、実施例１と同様の方法で駆動マージンを
測定し、スイッチング状態等を観察した。この液晶素子
内の均一配向性は良好であり、モノドメイン状態が得ら
れた。測定結果を次に示す。

駆動電圧マージンΔＶ （測定時設定パルス幅Δｔ） ｌＯｏＣ２５°Ｃ４０°Ｃ 駆動電圧マージンΔ’ｖ”　　１１．０Ｖ　　　　　１
３．ＯＶ　　　　　１１．ＯＶ（測定時設定Δｔ）　　
　（３９０μ５ｅｃ）　　（１１０μ５ｅｃ）　　（５
３μ５ｅｃ）また、２５°Ｃにおける駆動温度マージン
は上３゜７００であった。

また、２５°Ｃにおけるこの駆動時のコントラストは１
３．５であった。

（以下余白） 、−二シ 比較例７ 実施例７で使用した液晶組成物７−Ｂに代えて、例示化
合物Ｎｏ、　１−１８．１−７９．　１−８６を混合せ
ずに、６−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、　２−７０．３
−６３のみを実施例１と同じ重量部で混合した液晶組成
物７−Ｃを作成した。

この液晶組成物７−Ｃ及び６−Ａを用いた以外は、全〈
実施例１と同様の方法でそれぞれ強誘電性液晶素子を作
成し、実施例１と同様の方法で駆動電圧マージンΔＶ１
及び２５℃における駆動温度マージンを測定した。その
結果を次に示す。

駆動電圧マージンΔＶ （測定時設定パルス幅Δｔ） １０°０　　　　２５℃　　　　４０°Ｃ６−Ａ　　　
　　７．ＯＶ　　　　　９．５Ｖ　　　　　８．５Ｖ（
５０４μ５ｅｃ）　　　（１４２μ５ｅｃ）　　　（５
４μ５ｅｃ）７−Ｃ９，５Ｖ　　　　　１０．５Ｖ　　
　　　１０．０Ｖ（４９０μ５ｅｃ）　　　（１３５μ
５ｅｃ）　　　（５３μｓｅｃ）駆動温度マージン ６−Ａ　　＋１．８°Ｃ ７−Ｃ上２゜０°Ｃ 実施例７と比較例７より明らかな様に、本発明による液
晶組成物を有する強誘電性液晶素子の方が駆動マージン
は広がっており、環境温度の変化やセルギャップのバラ
ツキに対して、画像を良好に保つ能力にすぐれている。

さらに、測定時設定パルス幅Δｔに着目すると、本発明
による液晶組成物を含有する強誘電性液晶素子の方が、
応答速度の温度依存性も軽減されている。

実施例８〜１５ 実施例１で用いた例示化合物及び液晶性組成物に代えて
、表１に示した例示化合物、及び液晶性組成物を各重量
部で用い、８−Ｂ−１５−Ｈの液晶性組成物を得た。こ
れらを用いた他は全〈実施例１と同様の方法により強誘
電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法で駆動マ
ージンを測定し、スイッチング状態等を観察した。作成
した各々の液晶素子内の均−配向性は良好であり、モノ
ドメイン状態が得られた。

測定結果を表１に示す。

実施例８〜１５より明らかな様に、本発明による液晶組
成物を含をする強誘電性液晶素子は駆動マージンが広が
っており、環境温度の変化やセルギャップのバラツキに
対して、画像を良好に保つ能力にすぐれている。

さらに、測定時設定パルス幅Δｔに着目すると、本発明
による液晶組成物を含有する強誘電性液晶素子は、応答
速度の温度依存性も軽減されている。

実施例１６ 実施例１及び比較例１で使用した液晶組成物を５ＩＯ２
を用いずに、ポリイミド樹脂だけで配向制御層を作成し
た以外は全〈実施例１と同様の方法で強誘電性液晶素子
を作成し、実施例１と同様の方法で駆動マージンを測定
し、スイッチング状態等を観察した。この液晶素子内の
均−配向性は良好であり、モノドメイン状態が得られた
。測定結果を次に示す。

駆動電圧マージンΔＶ （測定時設定パルス幅Δｔ） １０℃　　　　　　２５℃ １−Ｂ　　　　　　　１１．５Ｖ　　　　　　１３．７
Ｖ（４１５μ５ｅｃ）　　　　（１３５μ５ｅｃ）１−
Ａ　　　　　　　８．ＯＶ　　　　　　１０，０Ｖ（５
４５μ５ｅｃ）　　　　（１６０μ５ｅｃ）１−ＣＩｏ
、５Ｖ　　　　　　１１．５Ｖ（５１０ｐ　５ｅｃ）　
　　　（１５０μ５ｅｃ）１−Ｄ　　　　　　　９．５
Ｖ　　　　　　１１．７Ｖ（４６５μ５ｅｃ）　　　　
（１４５μ５ｅｃ）１−Ｅ　　　　　　　９．ＯＶ　　
　　　　１０．７Ｖ（４９０μ５ｅｃ）　　　　（１４
５μ５ｅｃ）駆動温度マージン −Ｂ −Ａ 　−Ｃ −Ｄ −Ｅ 上４゜０°Ｃ 上１゜９℃ 上２゜３°Ｃ 上２゜７℃ 上２゜５℃ ４０°Ｃ Ｉ　２．０Ｖ （６０μ５ｅｃ） ９．５ｖ （６０μ５ｅｃ） １０．７Ｖ （５５μ５ｅｃ） １０．４Ｖ （５５μ５ｅｃ） ９．７ｖ （６０μ５ｅｃ） 実施例１６より明らかな様に、素子構成を変えた場合で
も本発明に従う強誘電性液晶組成物を有する素子は、他
の液晶組成物を有する素子に比べ実施例１と同様に駆動
マージンが広がっており、環境温度の変化やセルギャッ
プのバラツキに対して画像を良好に保つ能力にすぐれて
いる。

さらに、測定時設定パルス幅Δｔに着目すると、本発明
による液晶組成物を有する強誘電性液晶素子の方が応答
速度の温度依存性も軽減されている。

〔発明の効果〕

本発明による強誘電性液晶組成物及びこれを含有する液
晶素子は、スイッチング特性が良好で、駆動電圧マージ
ンが大きく、素子の表示エリア上にある程度の温度バラ
ツキがあっても全画素が良好にマトリクス駆動できる駆
動温度マージンの広がった液晶素子、及び応答速度の温
度依存性の軽減された液晶素子とすることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は強誘電性液晶を用いた液晶素子の一例の断面概
略図。 第２図および第３図は強誘電性液晶素子の動作説明のた
めに、素子セルの一例を模式的に表わす斜視図。 第４図は実施例中で用いた駆動法の波形図。 第５図はマトリクス電極を配置した強誘電性液晶パネル
の平面図。 第６図は第４図（Ｂ）に示す時系列駆動波形で実際の駆
動を行ったときの表示パターンの模式図。 第７図は駆動電圧を変化させたときの透過率の変化を表
わす、つまりＶ−Ｔ特性図。 第１図において、 １　・・・・・・・・・・・・・・強誘電性液晶層２・
・・・・・・・・・・・・・・・ガラス基板３・・・・
・・・・・・・・・・・・・・透明電極４・・・・・・
・・・・・・・絶縁性配向制御層５・・・・・・・・・
・・・・・・・スペーサー６　・・・・・・・・・・・
・・・・・・・リード線７・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・電源８・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・偏光板９・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・光源Ｉ。 ■ 入射光 透過光 第２図において、 １ａ １ｂ 第３図において、 １ａ １ｂ ３ａ ３ｂ ４ａ ４ｂ ａ ｂ 基板 基板 強誘電性液晶層 液晶分子 双極子モーメント（Ｐ上） 電圧印加手段 電圧印加手段 第１の安定状態 第２の安定状態 上向きの双極子モーメント 下向きの双極子モーメント 上向きの電界 下向きの電界 ￥江図 （ハ） 工ｚ

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）下記一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （ただし、Ｒ＿１、Ｒ＿２はＣ＿１〜Ｃ＿１＿８の直鎖
   状もしくは分岐状のアルキル基であり、置換基としてＣ
   ＿１〜Ｃ＿１＿２のアルコキシ基を有していても良い。 Ｘ＿１、Ｘ＿２は単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表
   等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
   ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼のいずれかを示す。ただし、Ｒ＿１、
   Ｒ＿２が共にｎ−アルキル基とはならない。） で示される化合物の少なくとも一種と、 下記一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） （ただし、Ｒ＿３、Ｒ＿４は置換基を有していても良い
   Ｃ＿１〜Ｃ＿１＿８の直鎖状又は分岐状のアルキル基で
   あり、かつ少なくとも一方は光学活性である。 Ｘ＿３は単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表等があり
   ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
   化学式、表等があります▼、Ｘ＿４は単結合、−Ｏ−、
   ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼。）で示される化合物の少なくとも一
   種と、 下記一般式（III） ▲数式、化学式、表等があります▼（III） （ただし、Ｒ＿５、Ｒ＿６は置換基を有していても良い
   Ｃ＿１〜Ｃ＿１＿８の直鎖状又は分岐状のアルキル基、
   Ｘ＿５、Ｘ＿６は単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表
   等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
   ▲数式、化学式、表等があります▼、Ｚ＿１は−ＣＨ＿
   ２Ｏ−又は−ＯＣＨ＿２−、ｍ、ｎは１もしくは２。） で示される化合物の少なくとも１種とを含有することを
   特徴とする強誘電性カイラルスメクチツク液晶組成物。
2. （２）下記一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （ただし、Ｒ＿１、Ｒ＿２はＣ＿１〜Ｃ＿１＿８の直鎖
   状もしくは分岐状のアルキル基であり、置換基としてＣ
   ＿１〜Ｃ＿１＿２のアルコキシ基を有していても良い。 Ｘ＿１、Ｘ＿２は単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表
   等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
   ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼のいずれかを示す。ただし、Ｒ＿１、
   Ｒ＿２が共にｎ−アルキル基とはならない。） で示される化合物の少なくとも一種と、 下記一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） （ただし、Ｒ＿３、Ｒ＿４は置換基を有していても良い
   Ｃ＿１〜Ｃ＿１＿８の直鎖状又は分岐状のアルキル基で
   あり、かつ少なくとも一方は光学活性である。 Ｘ＿３は単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表等があり
   ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
   化学式、表等があります▼、Ｘ＿４は単結合、−Ｏ−、
   ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼。）で示される化合物の少なくとも一
   種と、 下記一般式（III） ▲数式、化学式、表等があります▼（III） （ただし、Ｒ＿５、Ｒ＿６は置換基を有していても良い
   Ｃ＿１〜Ｃ＿１＿８の直鎖状又は分岐状のアルキル基、
   Ｘ＿５、Ｘ＿６は単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表
   等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
   ▲数式、化学式、表等があります▼、Ｚ＿１は−ＣＨ＿
   ２Ｏ−又は−ＯＣＨ＿２−、ｍ、ｎは１もしくは２。） で示される化合物の少なくとも１種とを含有する強誘電
   性カイラルスメクチツク液晶組成物を一対の電極基板間
   に配置してなることを特徴とする液晶素子。